Особенности эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Толпин, Кирилл Аркадьевич

• Толпин, Кирилл Аркадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Толпин, Кирилл Аркадьевич

Введение.

Актуальность темы.

Цели и задачи работы.

Научная новизна.

Достоверность.

Практическаязначимость.

Основные положения, выносимые на защиту.

Апробация работы.

Список публикаций по теме работы.

Личный вклад автора.

Объем и структура диссертации.

Глава 1. Обзор литературы. Экспериментальные данные по распылению двухкомпонентных« соединений и сплавов.

1.1. Введение.

1.2. Состав*поверхности, коэффициент распыления«.

1.2.1. Процесс установления состава поверхности.

1.2.2: Глубина-измененного слоя, распределение состава по глубине.

1.2.3. Соотношение масс атомов компонент мишени.

1.2.4. Концентрация компонент.

1.2.5. Температура мишени.

1.216. Соотношение масс бомбардирующего иона и атомов мишени«.

1.2.7. Энергетическая зависимость.

1.3. Энергетические спектры распыленных атомов.

1.4. Угловые распределения распыленных атомов.

1.4.1. Поликристаллы.

1.4.2. Монокристаллы.

1.5. Выводы к главе 1.

Глава 2. Методика моделирования распыления бинарных соединений.

2.1'.:Физическая модель.

2.2. Численные методы при моделировании распыления.

2.3. Численные методы нахождения минимума функции нескольких переменных.

2.4. Алгоритм построения моделей мишени.

2.5. Потенциалы взаимодействия.

2.6. Нахождение параметров потенциала взаимодействия.

2.7. Данные численного эксперимента.

2.8. Выводы к главе 2.

Глава 3. Процесс распыления неупорядоченного соединения NiPd'.

3.1. Введение.

3.2. Методика моделирования.

3.3. Закономерности распыления соединений Ni-Pd с разным содержанием компонентбЗ

3.3.1. Никель и палладий.

3.3.2. Сплавы никеля с палладием.

3.4. Влияние состава поверхностных слоев кристалла NiPd на процесс его распыления

3.4.1. Зависимость распыления моно- и поликристалла NiPd от энергии облучающих ионов.

3.4.2. Угловая зависимость распыления грани (001) NiPd для разного состава поверхностных слоев.

3.4.3. Энергетические спектры.

3.4.4. Источник распыления.

3.4.5. Поколения распыленных частиц.

3.4.6. Глубина выхода распыленных частиц.

3.5. Особенности энергетической зависимости распыления NiPd и его компонент для различных углов ионного облучения.

3.5.1. Энергетическая зависимость распыления NiPd при разных углах ионного облучения.

3.5.2. Энергетическая зависимость распыления компонент монокристалла NiPd.

3.5.3. Изменение с энергией ионов отношения выхода атомов никеля к палладию при распылении NiPd.

3.6. Выводы к главе 3.

Глава 4. Радиационная устойчивость упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe

4.1.Введени е.

4.2. Методика расчета.

4.3. Энергетическая зависимость распыления элементов, входящих в соединения.

4.3.1. Распыление свинца.

4.3.2. Распыление теллура и селена.

4.4. Закономерности распыления сплавов.

4.4.1. Угловая зависимость.

4.4.2. Энергетическая зависимость.

4.5. Выводы к главе 4.

Глава 5. Пространственное распределение частиц, распыленных из неупорядоченных и упорядоченных двойных соединений.

5.1.Введени е.

5.2. Особенности пространственного распределения распыленных атомов из неупорядоченного сплава NiPd.

5.2.1. Распределение распыленных частиц по полярному углу вылета.

5.2.2. Азимутальные угловые распределения.

5.2.3. Картина пятен.

5.3. Закономерности пространственных распределений частиц, распыленных из упорядоченных соединений РЬТе H'PbSe.

5.3.1: Полярные распределения.

5.3.2. Азимутальные угловые распределения.

5.3.3. Картина пятен.

5.4. Выводы к главе 5.'.

Выводы.

Благодарность.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений»

Актуальность темы

В настоящее время возрос интерес к исследованию процесса ионного распыления твердых тел. Это связано как с необходимостью решения фундаментальных вопросов взаимодействия ионов с поверхностью, так и с быстрым ростом практического использования распыления для модификации и анализа состава различных материалов.

Ионная бомбардировка сопровождается сложными процессами в приповерхностной области мишени, изменяющими ее структуру и состав. Эти изменения, с одной стороны, является нежелательным эффектом, приводящим к систематическим ошибкам при диагностике поверхности; с другой стороны, они составляют важный элемент технологии создания модифицированных слоев. И в том и в другом случае, необходимо четкое понимание механизмов' и особенностей протекания ионно-стимулированных процессов вблизи поверхности твердых тел, и в частности, бинарных соединений, которые широко применяются на практике.

Особый интерес для? исследования физики взаимодействия* ионов с поверхностью! твердого тела представляют бинарные ферромагнитные неупорядоченные соединения №-Рс1, которые используются в микроэлектронике и в медицине, например, при развитии методов магнитно-резонансной томографии и фиксировании необходимых участков для локального нагрева. Большое внимание уделяется также бинарным упорядоченным соединениям - РЬТе и РЬЭе, которые имеют широкое практическое использование: при создании фоторезисторов, работающих в инфракрасной области спектра, в производстве термоэлектрических генераторов и др. РЬ8е применяется также в солнечных батареях. Поскольку в ряде применений РЬТе и РЬ8е подвергаются ионному облучению, важно исследовать процесс их распыления. Помимо этого, исследование процессов при ионном облучении упорядоченных биметаллов РЬТе и РЬ8е, имеющих простую кубическую решетку, представляет несомненный интерес с физической точки зрения. Процессы, происходящие при ионной бомбардировке таких соединений (и в частности, анизотропия распыления), никогда не рассматривались ранее. Необходимо отметить важность исследования механизмов ионного распыления бинарных соединений для развития современного метода анализа состава поверхности — метода ВИМС (вторично-ионной масс-спектрометрии). Для совершенствования метода ВИМС и увеличения его разрешающей способности необходимо детальное теоретическое и модельное исследование процесса ионного распыления.

Вследствие значительных трудностей, возникающих при теоретическом исследовании взаимодействия ионов с атомами мишени для решения; как фундаментальных, так и прикладных задач, часто используется математическое моделирование. В настоящей работе поставленные задачи решались методом молекулярно-динамического (МД) моделирования. Были созданы и апробированы модели мишеней и методика численного расчета ионного распыления твердых тел с минимальной затратой машинного времени. МД моделированием исследованы различные аспекты ионного распыления бинарных соединений с неупорядоченной (№-Рс1) и упорядоченной (РЬТе и РЬ8е) структурой, имеющих большое практическое применение:

Цели и задачи работы

Целью работы являлась изучение особенностей эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений методами МД моделирования. Для достижения этой цели были поставлены,следующие задачи:

- разработка МД программы расчета ионного распыления двухкомпонентных соединений;

- изучение угловых и энергетических распределений частиц, распыленных из неупорядоченных сплавов никеля с палладием с разным содержанием компонент;

- определение условий радиационной устойчивости упорядоченных бинарных соединений РЬТе и РЬ8е в процессе их распыления, построение угловых и энергетических распределений распыленных частиц;

- выявление особенностей пространственных распределений частиц, распыленных из неупорядоченных и упорядоченных двойных сплавов.

Научная новизна.

1. Разработаны физические модели и математическая МД модель прогнозирования изменений физических свойств бинарных соединений в зависимости от ионного распыления поверхности, позволяющие получать качественное и количественное согласие с экспериментальными данными.

2. Установлены физические свойства распыления неупорядоченных монокристаллов Ni-Pd с неизменённым составом поверхностных слоев и с учетом сегрегации при нормальном и наклонном падении ионов аргона в широком диапазоне энергий.

3. Выявлены факторы, определяющие форму угловых, пространственных и энергетических распределений частиц, распыленных из кристаллов неупорядоченных соединений Ni-Pd.

4. Впервые исследованы угловые зависимости и пространственные распределения распыленных атомов, выходящих из моно- и поликристаллов упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe с простой кубической решеткой под воздействием облучения ионами Аг+ с энергией от 0.1 до 60 кэВ. Определены механизмы, влияющие на закономерности их распыления.

Достоверность.

Достоверность разработанной физической и математической МД модели распыления бинарных соединений и сделанных на ее основе расчетов подтверждается качественным и количественным согласием расчетных и экспериментальных данных.

Практическая значимость.

1. Созданы модели мишеней и методика расчета распыления кристалла, позволяющие сократить время достоверного численного эксперимента в 2-4 раза по сравнению с обычным полным молекулярно-динамическим рассмотрением.

2. Установленные закономерности распыления? ферромагнитных соединений №-Рс1 важны при их использовании в микроэлектронике, медицине, например, при совершенствовании методов магнитно-резонансной томографии и фиксировании участков для локального разогрева.

3. Обнаружены особенности распыления, соединений №-Рс1 с разным, содержанием компонент, которые следует использовать при совершенствовании количественного ВИМС анализатвердого тела.,.

4. Полученные результаты, по ионному распылению полупроводниковых соединений РЬТе и РЬБе, важны для. конструирования солнечных батарей, а. также при создании фоторезисторов- используемых, например, при создании спектральных аналитических приборов регистрации в атмосфере опасных концентраций СО, С02 и ряда органических соединений.

Основные положения, выносимые на защиту

Приисследовании ионного распыления бинарных соединений с неупорядоченной (№-Рс1) и упорядоченной (РЬТе и РЬ8е) структурой впервые получены следующие результаты.

1. Угловая зависимость коэффициента распылениям Г(а) соединений №Р<1, РЬТе и РЬ8е качественно различается для кристаллов с ПК и ГЦК решеткой, а также при распылении быстрыми и медленными ионами. Для быстрых ионов наблюдаются; обычные минимумы У(а) в направлениях открытых каналов кристаллической решетки. Для медленных ионов минимумы в направлениях открытых каналов пропадают, и возникают максимумы в направлениях плотной упаковки.

2. Энергетическая, зависимость коэффициента распыления У(Ео) поликристаллов соединений №Рё и РЬТе имеет максимум при энергии Е0 ионов аргона, равной 40 кэВ, что совпадает с данными для других мишеней. Для грани (001) монокристаллов NiPd максимум: Y(Eo) расположен при Eq ~ 2 кэВ, а для РЬ, РЬТе и PbSe при более высокой энергии Eq ~ 15 кэВ, что объяснено особенностью распыления атомов большой массы. При наклонном падении ионов на монокристаллы NiPd и РЬТе происходит сдвиг максимумов» Y{Eq) в сторону больших энергий, по сравнению со случаем нормального падениям

3. Пространственные распределения распыленных атомов (картина пятен), для монокристаллов бинарных соединений NiPd и РЬТе, характеризуются преимущественным выходом компонентов в одних и тех же направлениях плотной, упаковки; (<011> и <001>) и качественно меняются с энергией и углом падения облучающих ионов. Картина пятен при одинаковых условиях облучения различается для кристаллов NiPd (ГЦК-решетка) и РЬТе : (ПК-решетка).

4. Полярное распределение атомов, распыленных с грани (001) упорядоченного монокристалла РЬТе с простой кубической решеткой; зависит от энергии Е\ выходящих; частиц и различается для атомов Те и РЬ. Вблизи направления: [011] эмитируют атомы с малыми энергиями (Е\ = 10 эВ), что характерно для фокусированных столкновений; Для частиц с энергией Е\ = 30 эВ происходит выход атомов при больших полярных углах, когда частицы распыляются из поверхностных слоев после малого числа столкновений.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. 17-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2005 г.;

2. 5th Iberian Vacuum Meeting RIVA 5-Portugal, 2005;

3. 18-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2007 г.;

4. 19-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2009 г.;

5. 20th International Conference on Ion Beam Analysis, Plaza Itapema Resort & Spa, Itapema, SC-Brazil, 10-15 April, 2011;

6. 20-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2011 г.

Список публикаций по теме работы

1. А.С.Мосунов, К.А.Толтм, М.Ю.Толпина, В.Е.Юрасова. Особенности распыления сплавов Ni-Pd с разным содержанием компонент // Труды 17-ой Международной' конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2005, Звенигород. Т. Г. С. 143-146.

2. A.S.Mosunov, J.S.Colligon, KA.Tolpin, M.Yu.Tolpina, V.E.Yurasova. Sputtering of Ni-Pd alloys with varying ratio' of components // Abstracts of 5th Iberian Vacuum Meeting RIVA 5-Portugal, 18-21 September 2005. P. 15.

3. А.С.Мосунов, К.А.Толпин, М.Ю.Толпина, В.Е.Юрасова. Особенности распыления сплавов Ni-Pd с разным содержанием компонент // Поверхность -рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. № 7. С. 13-17.

4. К.А.Толпин, М.Ю.Толпина, В.е.Юрасова. Влияние состава- поверхностных слоев кристалла NiPd-на- процесс его распыления // Труды- 18-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2007, Звенигород. Т. 1.С. 201-204.

5. КА.Толпш, М.Ю.Толпина, В.Е.Юрасова. Влияние состава поверхностных слоев монокристалла NiPd на закономерности его распыления. // Поверхность -рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 5. С. 17-24.

6. К.А.Толпин, М.Ю.Толпина, В.Е.Юрасова. Пространственное и энергетическое распределение частиц, распыленных из монокристалла NiPd. // Труды 19-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2009. Звенигород. Т. 1. С. 164-167.

7. К.А. Tolpin, Yu.A. Ryzhov, V.E. Yurasova. Spatial and energy distributions of particles sputtered from NiPd single crystals. // Vacuum. 2009. V. 84. 3. P 369-377.

8. K.A. Tolpin, V.I. Bachurin, V.E. Yurasova. Feature of energy dependence of NiPd xU sputtering for différent ion irradiation angles. // Abstract for 20 International Conférence on Ion Beam Analysis, Plaza Itapema Resort & Spa, Itapema, SC — Brazil, 10-15 April, 2011.PA2.

9. В.И. Бачурин, А.П. Кузъменко, K.A. Толпин, B.E. Юрасова. Пространственные распределения частиц, распыленных из монокристаллов NiPd и РЬТе. // Известия Юго-Зап. Гос. Унив. 2011. №1. - С. 89-98.

10. К.А. Толпин, В.И. Бачурин, В.Е. Юрасова. Радиационная устойчивость РЬТе и PbSe бинарных соединений, Труды 20-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИЦ-2011, Звенигород. Т. 1. С. 117120.

Личный вклад автора

Разработана молекулярно-динамическая программа расчета ионного распыления двухкомпонентных соединений, выполнен весь объем расчетов, построены угловые, энергетические и- пространственные зависимости частиц, распыленных из двухкомпонентных соединений, проведены сравнения их с известными экспериментальными данными.

Объем и структура диссертации

Работа содержит 150 страниц текста, включая 64 рисунка и библиографию из 213 наименований. По теме диссертации опубликовано 10 работ, список которых приведен в конце введения.

Диссертация состоит из введения, 5 глав и выводов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Толпин, Кирилл Аркадьевич

Выводы

1. Разработана математическая модель и программа расчета распыления упорядоченных и неупорядоченных моно- и поликристаллов различной структуры, которая сокращает время достоверного численного эксперимента в 24 раза по сравнению с обычным полным МД рассмотрением.

2. Методом МД моделирования изучено ионное распыление неупорядоченных соединений никеля с палладием с разным содержанием компонентов (NiPd, Ni5Pd и NiPd5). Показано, что распыление кристаллов Ni-Pd возрастает при увеличении содержания в них Pd, а преимущественный выход компонент зависит от энергии и угла падения бомбардирующих ионов и различается для исследованных соединений. Для угловой зависимости распыления отдельных элементов наблюдается смещение максимума коэффициента распыления в сторону больших углов падения ионов для Ni, по сравнению с Pd.

3. Исследованы закономерности распыления монокристаллов неупорядоченного соединения NiPd с неизменным составом« поверхностных слоев и с учетом сегрегации. Установлено, что угловая зависимость распыления для всех выходящих частиц и для компонент существенно различается при облучении кристалла быстрыми и медленными ионами. При энергиях ионов .более 0.5 кэВ существуют обычные минимумы в направлении открытых каналов кристаллической решетки, в то врет как для меньших энергий ионов наблюдаются лишь максимумы распыления вблизи плотноупакованных направлений <011>. Энергетические зависимости характеризуются смещением максимумов коэффициентов распыления в сторону больших энергий при увеличении угла падения ионов. Учет сегрегации приводит к заметному преимущественному распылению Pd по сравнению с Ni.

4. Впервые методом МД моделирования изучены угловые и энергетические зависимости распыления упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe, имеющих простую кубическую решетку. Показано, что на угловых зависимостях распыления монокристаллов РЬТе появляются минимумы в направлениях открытых каналов для относительно быстрых ионов, которые пропадают для более медленных ионов, и вместо них появляются максимумы в направлениях [001] и [011] плотной упаковки атомов. Наблюдаемые зависимости распыления свинцовых соединений объяснены особенностями процессов фокусировки атомных соударений и движением частиц по открытым каналам кристаллической решетки.

5. Показано, что для пространственных распределений компонентов соединений монокристаллов №Рс1 и РЬТе, облучаемых ионами Аг+ при нормальном и наклонном падении, преимущественный выход распыленных атомов происходит вблизи одних и тех же направлений плотной упаковки: <011> и [001].

6. Обнаружена зависимость вида полярных распределений атомов Те и РЬ, распыленных с грани (001) упорядоченного монокристалла РЬТе, от энергии выходящих частиц. Вблизи направления [011], преимущественно эмитируют атомы с малыми энергиями (Е\ = 10 эВ), что характерно для фокусированных столкновений. Для частиц с большей энергией (Е\ = 30 эВ) преобладает эмиссия вблизи поверхности, когда частицы выходят из верхнего слоя кристалла после малого числа столкновений.

7. Впервые рассчитаны картины пятен распыления для кристалла РЬТе с-простой кубической решеткой. Полученные картины не противоречат экспериментальным пятнам Венера для монокристаллов с ГЦК решеткой, но имеют свои особенности. Основное отличие картин пятен для №Рс1 (ГЦК) и для РЬТе (ПК) состоит в разной энергии облучающих ионов Е0, необходимой для появления центрального пятна Венера в направлении [001] при распылении грани (001).

8. Полученные результаты рекомендуется учитывать при прогнозировании изменения физических свойств и состава бинарных соединений под действием ионного облучения, при совершенствовании методов ионной диагностики поверхности и магнитно-резонансной томографии, а также при конструировании плазменных приборов, солнечных батарей и фоторезисторов.

Благодарность

Искренне признателен Владимиру Ивановичу Бачурину за научное руководство, всестороннюю помощь и плодотворное обсуждение результатов настоящей работы.

Выражаю глубокое уважение, признательность и благодарность Вере Евгеньевне Юрасовой. Без ее идей, настойчивости и огромной помощи эта работа не появилась бы.

Отдельно хочется вспомнить A.C. Мосунова, сотрудничество с которым было очень плодотворным и просто необходимым на начальном этапе работ.

Я благодарен коллегам с кафедры электроники физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова и из Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова за обсуждение данной работы и ценные замечания.

Благодарю мою семью за понимание и поддержку во время работы над диссертацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Толпин, Кирилл Аркадьевич, 2011 год

1. Shimizu R., Опо М., Nakayama К. Quantative auger analysis of copper-nickel alloy surface after argon ion bombardiment. // Surf. Sci. 1973. V. 36. P. 817-821.

2. Goto K, Koshikawa Т., Ishikawa K, Shimizu R. Estimation of the electron backscattering factor in AES. // Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf. on Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 1493-1496.

3. Farber W., Betz G., Braun P. Sputtering of the alloy systems Ag-Au, Au-Cu, and Ag-Cu studied by Auger electron spectroscopy. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 351-354.

4. Tompkins H. G. Preferential sputtering in gold-nickel and gold-copper alloys. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V.16. P. 778-780.

5. Poate J.M., Brown W.L., Homer R., Augustyaniak W.M., Mayer J. W., Tu K.N., Van der Weg W.F. The sputtering of PtSi andNiSi. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 345-349.

6. Andersen H.H., Besenbacher F., Goddiksen P. Transients in the composition of the sputtered flux from CuAu and AgAu. // Proc. of SOS-8O, Perchtoldsdorf, Austria. 1980. P. 446-456.

7. Liau-Z.L., Mayer J. W., Brown W.L., Poate J.M. Sputtering of PtSi. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 5295-5305.

8. Ho P.S. Effects of enhanced diffusion on preferred sputtering of homogeneous alloy surfaces. // Surf. Sci. 1978. V. 72. P. 253-263.

9. Gillam E.J. The penetration of positive ions of low energy into alloys and composition changes produced in them by sputtering. // Phys. Chem. Solids 1959. V. 11. P. 55-58.

10. Quinto D.T., Sundaram V.S., Robertson W.D. Auger spectra of copper-nickel alloys. // Surf. Sci. 1971. V. 28. P. 504-509.

11. Goto K., Koshikawa Т., Ishikawa K., Shimizu R. Preferential sputtering of coevaporated Cu-Ni film associated with altered layer. // Surf Sci. 1978. V. 75. P. L373-L375.

12. Brown W.L., LiauZ.L., Mayer J.M., PoateJ.M. Surface-layer composition changes in sputtered alloys and compounds. // Proc. 7th ICACS, Moscow. 1977. 1980. V. 2. P. 18-20.

13. Chu W.K., Howard J. K., Laver R.F. Surface enrichment of copper due to keV Xe sputtering of an Al-Cu mixture. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 4500-4503.

14. Turos A., Vander Weg W.F., Sigurd D., Mayer J. W. Change of surface composition of SiC>2 layers during sputtering. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 2777-2779.

15. Betz G. Alloy sputtering. // Surf. Sci. 1980. V. 92. P. 283-309.

16. Henrich V.E., Fan J. C. C. Differential sputtering of MgO/Au cermet films and its applications to high-yield secondary electron emitters. // Surf Sci. 1974. V. 42. P. 139-146.

17. Liau Z.L., Brown W.L., Homer R., Poate J.M. Surface-layer composition changes in sputtered alloys and compounds. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30. P. 626-628.

18. Lewis J.E., Ho P.S. Abstract: Preferred sputtering on binary alloy surfaces of the Al-Pd-Si system. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16. P. 772-773.

19. Kelly R, Lam N.Q. The sputtering of oxides, parti: A survey of the experimental results. // Rad. Eff. 1973. V. 19. P. 39-47.

20. Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yields of amorphous and polycrystalline targets. // Phys. Rev. 1969. V. 184. P. 383-416.

21. Andersen H.H., Bay H.L. Nonlinear effects in heavy-ion sputtering. // Rad. Eff. 1973. V. 19. P. 63-67.

22. Wehner G.K, HajicekD.J. Cone Formation on Metal Targets during Sputtering. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 1145-1148.

23. Ho P.S., Lewis J.E., Wildman H.S., Howard J.K. Auger study of preferred sputtering on binary alloy surfaces. // Surf. Sci. 1976. V. 57. P. 393-405.

24. Faber W., Braun P. AES studies of surface composition of Ag-Cu alloys. // Vac. Tech. 1974. V. 23. P. 239-242.

25. Wehner G.K.-B. Methods of Surface Analysis. Ed. A.W. Czanderna, Elsevier. Amsterdam. 1975. P. 5-59. (Методы анализа поверхности. Под ред. А. Зандерны. М.: Мир. 1979.)

26. Dahlgren S.D., McClanahan E.D. Reduced Sputtering Yields for Two-Phase Ag-Ni and Ag-Co Targets. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 1514-1519.

27. Koshikawa Т., Goto K., Saeki N., Shimizu R. II Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf. Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 1489-1492.

28. GoretzkiH., Muhlratzer A., Nichi J. I I Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 2387-2390.

29. Kelley M.J., Swartzfager D.G., Sundaram V.S. Surface segregation in the Ag—Au and Pt-Cu systems. // J. Vac. Sei. Technol. 1979. V. 16. P. 664-667.

30. Brongersma H.H., Spamaay M.J., Buck T.M. Surface segregation in Cu-Ni and Cu-Pt alloys; A comparison of low-energy ion-scattering results with theory. I I Surf. Sei. 1978. V. 71. P. 657-678.

31. Bastasz R., Bohdansky J. Preferential sputtering in copper-gold alloys by low energy hydrogen ions. // Proc. of SOS-80. Perchtoldsdorf, Austria. 1980.* P. 430445.

32. Taglauer E., Heiland W. Changes of the surface compounds due to light ion bombardment. //Proc. of SOS-80. Perchtoldsdorf, Austria. 1980. P. 423-429.

33. Winter H.F., Sigmund P. Sputtering of chemisorbed gas (nitrogen on tungsten) by low-energy ions. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 4760-4766.

34. Tarng M.L., Wehner G.K. Auger Electron Spectroscopy Studies of Sputter Deposition and Sputter Removal of Mo from Various Metal Surfaces. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 2268.

35. Taglauer E., Heiland W. Mass and energy dependence of the equilibrium surface composition of sputtered tantalum oxide. // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. P. 950952.

36. Können G.P., Grosser J., Höring H., De Fries A.E., Kistemaker J. Hyperthermal beams sputtered from alkalihalide surfaces. // Rad. Eff. 1974. V. 21. P. 171-179.

37. Bernhard F., Oechsner H., Stumpe E. Energy distributions of neutral atoms and molecules sputtered from polycrystalline silver. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 329-334.

38. Oechsner H., Bartella J. Stoichiometry effects at NiMo surfaces under bombardment with Ar+ ions from 40 to 2000 eV. // Proc. 7th Int. Conf. on Atomic Collisions in Solids. Moscow. 1980. P. 55-57.

39. Szymonski M„ Battacharya R.S., Overeijnder H., De Vries A.E. Sputtering of an AgAu alloy by bombardment with 6 keV Xe+ ions. // J. Phys. 1978. V. 11. P. 751758.

40. Overeijner H., HaringA., De Vries A.E. The sputtering processes of alkali halides during 6 keV Xe ion bombardment. // Rad. Eff. 1978. V. 37. P. 205-210.

41. Szymonski M., Overeijner H., De Vries A.E. The sputtering processes during 6 keV Xe ion beam bombardment of halides. // Rad. Eff. 1978. V. 36. P. 189-196.

42. Кувакин M.B., Лусников A.B., Мотавех Х.А., Юрасова В.Е. Форма барьера на поверхности и спектры распыленных атомов. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. С. 1200-1203.

43. Olson R.R., Wehner G.K. Composition variation as a function of ejection angle in the sputtering of alloys. //1. Vac. Sei. Tech. 1977. V. 14/1. P. 319-321.

44. Wehner G.K., Olson R.R., KingM.E. Mass effects on angular distribution of sputtered atoms. // Proc. 7th IVG and 3d ICSS. Vienna. 1977. P. 1461-1464.

45. Wehner G.K. Isotope enrichment in sputter deposits. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30/4. P. 185-187.

46. Olson R.R., KingM.E., Wehner G.K. Mass effects on angular distribution of sputtered atoms. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50/5. P. 3677-3683.