Угловые распределения атомов при распылении одно- и двухкомпонентных материалов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Патракеев, Андрей Станиславович

• Патракеев, Андрей Станиславович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Патракеев, Андрей Станиславович

Введение.

Глава 1. Распыление одно- и двухкомпонентных материалов (обзор литературы).

1.1. Характеристики распыления.

1.2. Распыление однокомпонентных мишеней.

1.3. Распыление многокомпонентных мишеней.

1.4. Формирование нанорельефа под действием ионного облучения.

Глава 2. Угловые распределения атомов при распылении кремния и германия.

2.1. Постановка задачи.

2.2. Методика эксперимента.

2.2.1. Изучение угловых распределений распылённых атомов.

2.3. Компьютерное моделирование.

2.4. Угловые распределения атомов при распылении монокристаллов кремния и германия.

Глава 3. Угловые распределения атомов при распылении сплавов NixPdy.

3.1. Постановка задачи.

3.2. Подготовка мишеней.

3.3. Относительный выход компонентов.

3.4. Измерение относительного выхода компонентов при распылении NiPds с помощью рентгеновского микроанализа.

3.5. Исследование влияния ионного облучения на состав поверхности NixPdy с помощью Оже-спекгроскопии.

3.6. Определение вклада различных атомных слоев.

Глава 4. Формирование нанорельефа на поверхности Si и Ge при облучении ионами Аг+ с энергией 10 кэВ.

4.1. Постановка задачи.

4.2. Изучение топографии поверхности.

4.3. Формирование нанорельефа.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Угловые распределения атомов при распылении одно- и двухкомпонентных материалов»

Актуальность темы.

Изучение угловых распределений атомов, распылённых ионами с энергией Ео = 1-10 кэВ, представляет большой интерес для теории распыления и многочисленных приложений. Этот диапазон энергий лежит между припороговой областью, в которой основным механизмом распыления является первичное выбивание, т.е. распыление поверхностных атомов за счет удара непосредственно бомбардирующими ионами, и областью высоких энергий, где преобладает распыление за счёт каскада атомных столкновений. В кристаллических материалах возможны механизмы распыления, обусловленные упорядоченным расположением атомов мишени. Указанные механизмы распыления действуют, как правило, одновременно, конкурируя друг с другом, и отделить их один от другого в условиях эксперимента крайне сложно.

Линейная каскадная теория распыления Зигмунда, предполагающая изотропный каскад атомных столкновений в бесконечной неупорядоченной среде, предсказывает угловое распределение распылённых атомов по закону косинуса с максимумом эмиссии в направлении нормали к поверхности: Y ~ cos&, где в - угол эмиссии. Однако многочисленные экспериментальные исследования и расчеты, выполненные методом компьютерного моделирования, показали, что угловое распределение распыленных атомов зависит от параметров пучка и сорта мишени и может сильно отличаться от косинусного. С учётом этого был предложен ряд поправок к теории, но вопрос о природе углового распределения распыленных атомов оказался настолько сложным, что предпринятых усилий оказалось явно недостаточно.

Большой интерес в этой связи представляет изучение распыления кремния и германия, которые, как известно, становятся аморфными уже на начальной стадии ионного облучения. Это позволяет исключить из рассмотрения механизмы, связанные с упорядоченным расположением атомов, и изучать роль механизмов первичного выбивания и каскадного распыления. Следует, однако, отметить, что первые эксперименты по распылению кремния и германия ионами аргона в интервале энергий 1-10 кэВ дали противоречивые результаты: авторами были получены как надкосинусные (Y ~ cosn0, п > 1), так и подкосинусные (п < 1) угловые распределения. В связи с этим возникла необходимость проведения новых экспериментальных и компьютерных исследований в этой области.

Дополнительную информацию о механизмах формирования углового распределения эмитированных частиц можно получить при изучении распыления двухкомпонентных мишеней. Уже первые исследования в этой области обнаружили нестехиометричный выход компонентов по углу эмиссии.

Теоретически было показано, что на формирование потока атомов существенное влияние должен оказывать градиент концентрации компонентов в двух верхних слоях мишени. Была также высказана идея о существенном влиянии радиационно-стимулированной сегрегации Гиббса (РССГ), что 4 позднее было подтверждено экспериментально. Однако все последующие экспериментальные исследования угловых распределений были посвящены изучению влияния соотношений масс и энергий связи компонентов. При этом роль такого важного параметра как концентрация компонентов не была изучена.

Еще в середине 70-х годов прошлого века было обнаружено, что при бомбардировке кремния ионами, падающими под углом к нормали, на его поверхности образуются волнообразные структуры нанометрового диапазона (нановолны). При этом ожидалось, что при нормальном падении пучка на поверхности будут формироваться квантовые точки (нанохолмы). Большой интерес к такого рода структурам определяется их важной ролью в создании новых оптоэлектронных и квантовых устройств. Однако лишь несколько лет назад была опубликована работа, в которой упорядоченный нанорельеф был обнаружен при облучении поверхности (001) Si ионами Аг+ с энергией порядка 1 кэВ. В связи с этим представляло интерес изучить влияние параметров ионного облучения на характеристики нанорельефа кремния и германия при более высоких энергиях ионов.

Решению указанных задач и посвящена настоящая диссертация.

Целью диссертационной работы является: 1. Экспериментальное и компьютерное исследование угловых распределений частиц при распылении аморфных Si и Ge ионами Аг+ с энергией 1-10 кэВ.

2. Исследование влияния концентрации атомов на угловые распределения компонентов при распылении Ni-Pd сплавов.

3. Анализ роли различных механизмов в формировании потока вещества при распылении одно- и двухкомпонентных мишеней.

4. Изучение процесса формирования рельефа поверхности при ионном облучении Si и Ge.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Получены новые экспериментальные и расчетные данные об угловых распределениях атомов при распылении аморфных Si и Ge. Выявлены факторы, определяющие форму этих распределений.

2. Впервые изучено влияние концентрации компонентов на угловые распределения атомов при распылении Ni-Pd сплавов.

3. Предложена новая методика анализа угловых распределений распылённых компонентов, позволяющая определить послойный вклад атомов мишени в поток распылённого вещества.

4. Изучено образование нанорельефа на поверхности Si и Ge при нормальном падении ионов Аг+ с энергией 10 кэВ.

Научная и практическая ценность.

1. Результаты исследований угловых распределений частиц при распылении аморфных Si и Ge валены для дальнейшего развития теории распыления, а также позволяют увеличить эффективность методов анализа состава материалов, содержащих кремний и германий (вторично-ионная массспектрометрия, масс-спектрометрия распылённых нейтралей и др.).

2. Обнаруженное изменение относительного выхода компонентов при облучении двухкомпонентных сплавов NixPdy показало необходимость учёта концентрации составляющих атомов для развития количественных методов определения состава мишеней.

3. Исследование нанорельефа показало, что параметры облучения и выбор материала мишени позволяют управлять геометрическими параметрами рельефа, формирующегося на поверхности полупроводников при ионной бомбардировке.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Угловые распределения распылённых атомов Si и Ge описываются функцией cos " в и являются надкосинусными, причём значения п для Ge превышают значения п для Si.

2. Более высокие значения п для Ge определяются вкладом распыления обратно рассеянными ионами (эффект массы) и более сильным поверхностным рассеянием распыленных атомов.

3. Эффект массы наблюдается также при распылении Ni-Pd сплавов при изменении концентрации компонентов.

4. Характер сегрегации компонентов при облучении Ni-Pd сплавов может изменяться в зависимости от концентрации составляющих атомов.

5. Из анализа угловых распределений частиц, распылённых из Ni-Pd сплавов, можно определить вклад различных слоёв в поток распылённого вещества.

6. На поверхности Si и Ge при облучении ионами Аг+ с энергией 10 кэВ формируется нанорельеф, характеристики которого определяются параметрами ионного облучения. Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на российских и международных конференциях и симпозиумах, в том числе на XXXII и XXXV Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. (Москва, 2002, 2005), 8-ом Российско-японском симпозиуме по взаимодействию быстрых заряженных частиц с твердым телом (Киото, Япония, 2002), 16-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 2003), 15-ом Международном совещании по неупругим столкновениям ионов с поверхностью (Мие, Япония, 2004) и опубликованы в работах [93-100]

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, трёх глав и заключения. Работа содержит 126 страниц машинописного текста, включая 43 рисунка, 4 таблицы и библиографию из 100 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Патракеев, Андрей Станиславович

Выводы

1. На базе метода резерфордовского обратного рассеяния разработана методика проведения экспериментов по распылению, которая позволила измерить УР для Si и Ge с более высокой точностью по сравнению с работами, опубликованными ранее.

2. Полученные угловые распределения распылённых атомов Si и Ge хорошо описываются функцией Y ~ cos " в (где в - угол эмиссии) и являются надкосинусными. Изучены зависимости параметра п от начальной энергии ионов и типа бомбардирующих ионов. Установлено, что значения п для Ge превышают значения п для Si во всём исследованном диапазоне энергий.

3. Проведенный компьютерный анализ позволил выявить вклад различных механизмов в формирование потока распылённых частиц. Показано, что в случае распыления Si учёт нескомпенсированного рассеяния распылённых атомов на поверхностных атомах мишени даёт хорошее согласие с экспериментальными результатами. При распылении Ge необходимо также учесть анизотропию каскада атомных столкновений, возникающую за счёт обратного рассеяния ионов на атомах мишени (эффект массы).

4. На примере сплавов NixPdy впервые изучено влияние концентрации компонентов на УР атомов. Установлено, что при распылении NiPd наблюдаются более узкие УР компонентов по сравнению со случаем распыления NisPd, что объясняется влиянием эффекта массы.

5. При переходе от NiPd к NiPds обнаружено сильное изменение характера УР: в случае NiPd по нормали к поверхности преимущественно распыляется никель, а при распылении NiPds - палладий. Установлено, что это связано с изменением характера сегрегации атомов на поверхность: в сплаве NiPd сегрегирующим элементом является Pd, а в NiPd5 - Ni.

6. Предложена новая методика анализа угловых распределений распылённых компонентов, позволяющая выявить вклад атомных слоёв в распылённый поток.

7. Бомбардировка Si и Ge ионами Аг+ по нормали к поверхности приводит к образованию рельефа с характерными размерами порядка нескольких нанометров. Параметры рельефа определяются материалом мишени и зависят от энергии бомбардирующих ионов и дозы облучения.

8. При распылении Si и Ge ионами Аг+ низких энергий поверхность мишени остаётся практически гладкой и, следовательно, формирующийся рельеф не должен оказывать заметного влияния на форму угловых распределений.

В заключение автор хочет искренне поблагодарить своих научных руководителей B.C. Черныша и В.И. Шулыу за огромную помощь, оказанную в процессе написания представленной работы, за общение, происходившее неоднократно во время получения и обсуждения результатов, за большую поддержку от начальных этапов работы до её полного завершения.

Автор благодарен B.C. Куликаускасу и А.А. Хайдарову за практическую помощь, оказанную при освоении экспериментальной техники во время непосредственного проведения экспериментов и при анализе полученных данных, и Н.Г. Чеченину за внимание к исследованиям на всём протяжении проводившейся работы.

Автор выражает глубокую признательность всему коллективу отдела физики атомного ядра за тёплую творческую атмосферу во время работы над диссертацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Патракеев, Андрей Станиславович, 2006 год

1. Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой. Физическое распыление одноэлементных твёрдых тел. / Под ред. Р. Бериша. - М.: Мир, 1984. - 336 с.

2. Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности. Вып. II. / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. - 488 с.

3. Распыление под действием бомбардировки частицами. Характеристики распылённых частиц, применения в технике. Вып. III. / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. М.: Мир, 1998. - 552 с.

4. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия ионов с твёрдым телом. М.: Мир, 1995. - 319 с.

5. Wehner G.K. Sputtering of metal single crystals by ion bombardment // J. Appl. Phys. 1955. - Vol. 26. - P. 1056-1057.

6. Thompson M.W. A direct measurement of the focusing energy for <110> collision sequences in gold // Phys. Lett. 1963. - Vol. 6. - P. 24-26.

7. Honig R.E. Sputtering of surfaces by positive ion beams of low energy // J. Appl.Phys. 1958. - Vol. 29. - P. 549-555.

8. Woodyard J.R., Cooper C.B. Mass Spectrometric Study of Neutral Particles Sputtered from Cu by 0- to 100-eV Ar Ions // J. Appl. Phys. 1964. - Vol. 35. -P. 1107-1117.

9. Hofer W.O. Emission of atoms and electrons from high-density collision cascades in metals // Nucl. Instr. Meth. 1980. - Vol. 170. - P. 275.

10. Matsunami N., Yamamura Y., Itikawa Y., Itoh N., Kazumata Y., Miyagava S., Morita K., Shimizu R. Energy dependence of sputtering yields of monatomic solids. Inst, of Plasma Phys., Nagoya Univ. Chikusa-ku, Nagoya 464, 1980.

11. Grove W.R. On the electro-chemical polarity of gases // Phil. Trans. Roy. Soc. London, 1852, part 1, 87-93.

12. Hippel V.A. Zur Theorie der Kathodenzerstaubung // Ann. Physik. 1926. -Vol. 81.-P. 1043.

13. Wehner G.K. Sputtering by ion bombardment // Advances in Electronics and Electron Physics. 1955. - Vol. 7. - P. 239-245.

14. Юрасова B.E., Плешивцев H.B., Орфанов КВ. О направленном выходе частиц при распылении монокристалла меди пучками ионов с энергией до 50 кэВ // ЖЭТФ 1959. - Т. 37. - С. 966-972.

15. Nelson R.S., Tompson M.W. Atomic collision sequences in crystals of copper, silver and gold revealed by sputtering in energetic ion beams // Proc. Roy. Soc. -1961. Vol. 259. - P. 458-479.

16. Perovic В. Cathode sputtering of metal single crystals by high energy Ar+ ions. Proc. of V Int. Conf. on Phenomena in Gases. Munich, 1961. Amsterdam, 1962.-P. 1172.

17. Selsbee R.H. Focusing in collision problems in solids // J. Appl. Phys. 1957 -Vol. 28-P. 1246-1250.

18. Lehmann С., Sigmung P. On the mechanism of sputtering // Phys. Stat. Sol. -1966.-Vol. 16.-P. 507-511.

19. Olson N.T., Smith H.P. Evidence against focused chains in high-yield copper sputtering // Phys. Rev. 1967. - Vol. 157. - P. 241-245.

20. Musket R.G., Smith H.P. Competition between random and preferential ejection in high-yield mercury-ion sputtering // J. Appl. Phys. 1968. - Vol. 39. - P. 3579-3580.

21. Thompson M.W. The energy spectrum of ejected atoms during the high energy sputtering of gold // Phyl. Mag.- 1968. Vol. 18. - P. 377-414.

22. Sigmund P. Theory of sputtering. I Sputtering Yeild of Amorphous and Polycrystalline Targets // Phys. Rev. 1969. - Vol. 184. - P. 383-416.

23. Vossen F.R. A sputtering technique for coating the inside walls of through-holes in substrates // J. Vac. Sci. Thech. 1974. - Vol. 1. - P. 875-877.

24. Черныш B.C. Распыление и вторичная ионная эмиссия металлов и сплавов в области фазовых переходов. Дисс. докт. ф.-м. наук. М.: МГУ, 1989.

25. Powell R.A., Rossnagel S.M. PVD for Microelectronics. Boston, 1998.

26. MacDonald R.J. Temperature dependence of the sputtered ejection pattern from

27. Ge 100 surfaces // Phys. Lett. A. 1969. - Vol. 29. - P. 256-257.

28. Huatala M., Whitlow H.J. Momentum and recoil-flux anisotropics in collision-cascades: Influence on sputtered particle angular distributions // Nucl. Intsr. Meth. Phys. Res. B. 1985. - Vol. 6. - P. 466-473.

29. Andersen H. H., Stenum В., Sorensen Т., Whitlow H.J. Angular distribution of particles sputtered from Cu, Pt and Ge targets by keV Ar+ ion bombardment // Nucl. Intsr. Meth. Phys. Res. B. 1985. - Vol. 6. - P. 459-465.

30. Roosendaal H.E., Sanders J.B. On the energy distribution and angular distribution of sputtered particles // Rad. Eff. 1980. - Vol. 52. - P. 137-144.

31. Sigmund P. Mechanisms and theory of physical sputtering by particle impact I I Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1987. - V. 27. - P. 1-20.

32. Okutani Т., Shikata M., Ichimura S., Shimizu R. Angular distribution of silicon atoms sputtered by keV Ar+ ions // J. Appl. Phys. 1980. - Vol. 51.;- P. 28842887.

33. Tsuge H., Esho S. Angular distribution of sputtered atoms from polycrystalline metal targets// J. Appl. Phys. 1981. - Vol. 52. - P. 4391-4395.

34. Rodelsperger K., Scharmann A. Angular distribution measurements of sputtered atoms with characteristic X-ray emission // Nucl. Instr. Meth. 1976. - Vol. 132.-P. 355.

35. Brauer G., Hasselkamp D., Kruger W., Scharmann A. The angular distribution of particles sputtered from Cu, Zr, and Au surfaces by ion bombardment at grazing incidence // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res B. 1980. - Vol. 12. - P. 458.

36. Chini Т.К., Tanemura M., Okuyama F. Angular distribution of sputtered Ge atoms by low keV Ar+ and Ne+ ion bombardment // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. В.-1996.-Vol. 119.-P. 387-391.

37. Куликаускас B.C., Машкова E.C., Молчанов B.A., Хайдаров A.A., Черныш B.C., Экштайн В. Распыление платины ионами инертных газов // Поверхность. 1999. - № 4. - С.42-47.

38. Chernysh V.S., Eckstein W., Haidarov A.A., Kulikauskas V.S., Mashkova E.S., Molchanov V.A. Sputtering mechanisms of polycrystalline platinum by low energy ions // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. - Vol. 160. - P. 221-230.

39. Gillam E. The penetration of positive ions of low energy into alloys and composition changes produced in them by sputtering // J. Phys. Chem. Sol. -1959.-Vol. 11.-P. 55-67.

40. Liau Z.L., Brown W.L., Homer R., Poate J.M. Surface-layer composition changes in sputtered alloys and compounds. // Appl. Phys. Lett. 1977. - Vol. 30.-P. 626.

41. Liau Z.L., Mayer J.W., Brown W.L., Poate J.M. Sputtering of PtSi // J. Appl. Phys. 1978. - Vol. 49. - P. 5295.

42. Saeki N., Shimizu R. Thickness and in-depth composition profile of altered layer caused on Cu-Ni alloy surface due to preferential sputtering // Surf. Sci. 1978. -Vol. 71.-P. 479-490.

43. Andersen H.H., Besenbacher F., Goddiben P. Transients in the composition of the sputtered flux from СизАи and AgAu. In: Symposium on Sputtering. Eds. P. Varga, G, Betz, and F.P. Viehbock. Vienna, 1980. - P. 446-456.

44. Olson R.R., Wehner G.K. Composition variation as a function of ejection angle in the sputtering of alloys. //J. Vac. Sci. Tech. 1977. - Vol. 14. - P. 319-321.

45. Olson R.R., King M.E., Wehner G.K. Mass effects on angular distribution of sputtered atoms. // J. Appl. Phys. 1979. - Vol. 50. - P. 3677-3683.

46. Wehner G.K. Isotope enrichment in sputter deposits I I Appl. Phys. Lett. 1977. -Vol. 30.-P. 185-187.

47. Andersen H.H., ChevallierJ., Chernysh V.S. The angular distribution of material sputtered from AgAu and CuPt by 20-80 keV argon // Nucl. Instr. Meth. 1981. -Vol. 191.-P. 241-244.

48. Sigmund P., Oliva A., Falcone G. Sputtering of multicomponent materials: Elements of a theory // Nucl. Instr. Meth. 1982. - Vol. 194. - P. 541-548.

49. Andersen H.H., Chernysh V.S., Stenum В., Sorensen Т., Whitlow H.J. Measurements of angular distributions of sputtered material as a new tool for surface-segregation studies: segregation in CuPt alloys // Surf. Sci. 1982. -Vol. 123.-P. 39-46.

50. Andersen H.H., Stenum В., Sorensen Т., Whitlow H.J. Surface segregation during alloy sputtering and implantation // Nucl. Instr. Meth. 1983. - Vol. 209-210.-P. 487-494.

51. Ichimura S., Shimizu H., Murakami H., Ishida Y. Effect of surface segregation on angular distributions of atoms sputtered from binary alloys // J. Nucl. Mater. 1984. - Vol. 129-130. - P. 601-604.

52. Kang H. J., Matsuda Y., Shimizu R. Angular distributions of Au and Cu atoms sputtered from Au-Cu alloys by keV Ar+ ion bombardment // Surf. Sci. 1983. -Vol. 127. - P. L179-L185.

53. Chernysh V.S., Tuboltsev V.S., Kulikauskas V.S. Angular distributions of Ni and Ti atoms sputtered from a NiTi alloy under He+ and Ar+ ion bombardment // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1998. - Vol. 140. - P. 303-310. /

54. Туболъцев B.C., Черныш B.C., Куликаускас B.C. Эффект массы бомбардирующих ионов в распылении сплавов // Письма в ЖЭТФ. 1996. -Т. 63.-С. 507-510.

55. Dumke M.F., Tombrello Т.А., Weller R.A., Housley R.M., Cirlin E.H. Sputtering of the gallium-indium eutectic alloy in the liquid phase // Surf. Sci. 1983. -Vol. 124. - P. 407-422.

56. Hubbard K.M., Weller R.A., Weathers D.L., Tombrello T.A. The angular distribution of atoms sputtered from a Ga-In eutectic alloy target // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1989. - Vol. 36. - P. 395-403.

57. WucherA., Reuter W. Angular distribution of particles sputtered from metals andalloys//J. Vac. Sci. Tech. A. 1988. - Vol. 6. - P. 2316-2318.

58. Vasiliu F., Teodorescu A., Glodeanu F. SEM investigations of iron surface ion erosion as a function of specimen temperature and incidence angle // J. Mater. Sci. 1975. - Vol. 10. - P. 399-405.

59. Chason E., Mayer T.M., Kellerman B.K. et al. Roughening instability and evolution of the Ge(001) surface during ion sputtering // Phys. Rev. Lett. 1994. -Vol. 72.-P. 3040-3043.

60. Mayer Т. M., Chason E., Howard A.J. Roughening instability and ion-induced viscous relaxation of Si02 surfaces // J. Appl. Phys. 1994. -Vol. 76. - P. 16331643.

61. Carter G., Vishnyakov V. Roughening and ripple instabilities on ion-bombarded Si // Phys. Rev. В 1996. - Vol. 54. - P. 17647-17653.

62. Rusponi S., Boragno C., Valbusa U. Ripple structure on Ag(110) surface induced by ion sputtering // Phys. Rev. Lett. 1997. - Vol. 78. - P. 2795-2798.

63. Lewis G. W., Nobes M. J., Carter G., Whitton J. L. The mechanisms of etch pit and ripple structure formation on ion bombarded Si and other amorphous solids // Nucl. Instr. Meth. 1980. - Vol. 170. - P. 363-369.

64. Ramana Murty M. V., Curcic Т., Judy A. X-ray scattering study of the surface morphology of Au(lll) during Ar+ ion irradiation I I Phys. Rev. Lett. 1998. -Vol. 80.-P. 4713-4716.

65. Facsko S., Dekorsy Т.,- Koerdt C. et al. Formation of ordered nanoscale semiconductor dots by ion sputtering // Science. 1999. - Vol. 285. - P. 15511553.

66. Frost F., Schindler A., Bigl F. Roughness evolution of ion sputtered rotating InP surfaces: pattern formation and scaling laws // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol. 85.-P. 4116-4119.

67. Stevie F. A., Kahora P. M, Simons D. S. et al. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during О or Cs + ion bombardment // J. Vac. Sci. Tech. A. 1988. - Vol. 6. - P. 76-80.

68. Rusponi S., Costantini G., Boragno C. et al. Scaling Laws of the Ripple Morphology on Cu(l 10) // Phys. Rev. Lett. 1998. - Vol.81. - P. 4184-4187.

69. Rusponi S., Costantini G., Buatier de Mongeot F. et al. Patterning a surface on the nanometric scale by ion sputtering // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol. 75 - P. 3318-3320.

70. Chason E., Aziz M.J. Spontaneous formation of patterns on sputtered surfaces // Scr. Mater. 2003. - Vol. 49. - P. 953-959.

71. Gago R., Vazquez L, Cuerno R. et al. Production of ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 78. - P. 33163318.

72. Kahng В., Jeong H., Barabasi A.-L. Quantum dot and hole formation in sputter erosion // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 78. - P. 805-807.

73. Ludwig Jr. F., Eddy Jr. C.R., Malis O. et al. Si(lOO) surface morphology evolution during normal-incidence sputtering with 100-500 eV Ar+ ions // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 81. - P. 2770-2772.

74. Gago R., Vazquez L., Cuerno R. et al. Nanopatterning of silicon surfaces by low-energy ion-beam sputtering: dependence on the angle of ion incidence // Nanotechnology 2002. - Vol. 13. - P. 304-308.

75. Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment // J. Vac. Sci. Tech. 1988. - Vol. 6. - P. 2390-2395.

76. Erlebacher J., AzizMJ., Chason E. et al. Nonlinear amplitude evolution during spontaneous patterning of ion-bombarded Si(001) // J. Vac. Sci. Tech. A: -2000.-Vol. 18.-P. 115-120.

77. Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon subject to oblique oxygen bombardment // J. Vac. Sci. Tech. A: -1990. Vol. 8. - P. 2246-2250.

78. Eklund E.A., Bruinsma R, RudnickJ. et al. Submicron-scale surface roughening induced by ion bombardment // Phys. Rev. Lett. 1991. - Vol. 67. - P. 17591762.

79. Yang H.-N., Wang G.-C., Lu T.-M. Anomalous dynamic scaling on the ion-sputtered Si(l 11) surface // Phys. Rev. В 1994. - Vol. 50. - P. 7635-7639.

80. Cuerno R., Barabasi A.-L. Dynamic scaling of ion-sputtered surfaces // Phys. Rev. Lett. 1995. - Vol. 74. - P. 4746-4749.

81. Андреев АА. Аномалии температурной и угловой зависимости выхода вторичных частиц при ионной бомбардировке. Дисс. канд. ф.-м. наук. М.: МГУ, 1984.

82. Тулинов А.Ф., Чеченин Н.Г., Бедняков А.А. и др. Оборудование и методы, используемые в НИИЯФ МГУ для модификации и контроля свойств полупроводниковых структур и других материалов. Препринт НИИЯФ МГУ 88-55/76. М., 1990. 24 с.

83. Shulga V.I. Depth-dependent angular distribution of sputtered atoms // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1999. - Vol. 155. - P. 382-394.

84. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. Volume 1. New York: Pergamon Press, 1985. - 315 p.

85. Shulga V.I., Sigmund P. Analysis of the primary process in isotope sputtering // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. -Vol. 119. - P. 359-374.

86. Shulga V.I., Eckstein W. Depth of origin of sputtered atoms for elemental targets // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1998. - Vol. 145. - P. 492-502.

87. Sckerl M.W., Sigmund P., Vicanek M. Particle fluxes in atomic collision cascades // Mat. Fys. Medd. K. Selskab. 1996. - 44:3. - P. 1-63.

88. Shulga V.I. Angular distribution of atoms sputtered from amorphous and polycrystalline targets // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. - Vol. 164-165.-P. 733-747.

89. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов M.A. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей, с Минск: БГУ им. В.И. Ленина, 1980.

90. Черныш B.C., Куликаускас B.C., Хайдаров А.А., Патракеев А.С. Влияние концентрации компонентов на распыление сплавов. Тезисы докладов XXXII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2002. С. 191.

91. Chernysh VS., Kulikauskas V.S., Patrakeev A.S., Shulga V.I. Sputtering of Si under low energy ion bombardment. Abstracts of the 8-th Japan-Russian International Symposium "On interaction of fast charged particles with solids", Kyoto, Japan. 2002. P.27.

92. Патракеев A.C., Черныш B.C., Шулъга В.И. Угловые распределения атомов при распылении кремния ионами аргона низких энергий // Поверхность. -№8.-2003.-С. 18.

93. Патракеев А.С., Черныш B.C., Шулъга В.И. Распыление кремния ионами аргона с энергией 1-10 кэВ. Материалы 16-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». Москва. 2003. С. 166.

94. Chernysh V.S., Kulikauskas V.S., Patrakeev A.S., Abdul-Cader K.M., Shulga V.I. Angular distribution of atoms sputtered from silicon by 1-10 keV Ar ions //

95. Rad. Eff. Def. Sol. 2004. - Vol. 159. - P. 149-155.

96. Chernysh V.S., Haidarov A.A., Patrakeev A.S., Shulga V.I., Uzbiakov A.S. Sputtering Mechanisms of One- and Multicomponent Targets. Abstracts of the 15-th International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions. Mie, Japan, 2004, P.81.

97. Черныш B.C., Патракеее A.C., Шульга В.И., Разгуляев И.И. Распыление аморфного германия низкоэнергетичными ионами. Тезисы докладов XXXV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2005. С. 104.