Исследование распыления и ионно-электронной эмиссии углеродных материалов при высокодозном облучении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Немов, Алексей Сергеевич

• Немов, Алексей Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Немов, Алексей Сергеевич

Введение.

Глава 1 Литературный обзор исследований по распылению и ионно-электронной эмиссии.

1.1. Основные представления о механизме взаимодействия ионов с твердыми телами.

1.1.1. Кинематика и динамика элементарного акта столкновения в твердом теле.

1.1.1.1. Кинематика элементарного акта упругого столкновения.

1.1.1.2. Кинематика элементарного акта столкновения с учетом неупругих потерь энергии.

1.1.1.3. Потенциалы двухчастичного взаимодействия.

1.1.1.3.1. Потенциалы, основанные на статистической модели атома Томаса-Ферми.

1.1.1.3.2. Потенциалы, учитывающие распределение заряда в атоме твердого тела.

1.1.1.4. Динамика элементарного акта упругого столкновения. Параллельный поток бомбардирующих частиц.

1.1.1.4.1. Бесконечные расстояния, сечения взаимодействия.

1.1.1.4.2 Тень позади атома (конечные расстояния).

1.1.2. Торможение ионов в твердом теле. Удельные потери энергии.

1.1.3. Особенности движения частиц в упорядоченных средах.

1.2. Распыление твердых тел под действием ионной бомбардировки.

1.2.1. Основные характеристики.

1.2.2. Условия и методы исследования распыления ионной бомбардировкой.

1.2.2.1. Ионно-лучевые установки (масс-монохроматоры).

1.2.2.2. Методы определения коэффициента распыления и других характеристик распыления.

1.2.3. Основные экспериментальные закономерности.

1.2.3.1. Зависимость коэффициента распыления от энергии бомбардирующих частиц.

1.2.3.2. Зависимость коэффициента распыления от атомных номеров бомбардирующего иона Ъ\ и атома мишени Ъг.

1.2.3.3. Зависимость коэффициента распыления от угла падения ионов на мишень.

1.2.3.4. Зависимость коэффициента распыления от температуры мишени.

1.2.3.5. Пространственное распределение распыленных частиц.

1.2.3.6. Энергетическое распределение распыленных частиц.

1.2.3.7. Зависимость от типа иона. Нелинейные эффекты.

1.2.3.8. Изменение состава, структуры и топографии поверхностного слоя.

1.2.4. Теории и модели столкновительного распыления.

1.2.4.1. Режимы столкновительного распыления.

1.2.4.2. Теории столкновительного распыления для режима линейных каскадов.

1.2.4.3. Теоретические модели распыления монокристаллов.

1.2.5. Методы компьютерного моделирования.

1.3. Кинетическая ионно-электронная эмиссия.

1.3.1. Основные экспериментальные закономерности.

1.3.1.1. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии от энергии (скорости) бомбардирующих ионов.

1.3.1.2. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии от атомных номеров иона 2\ и атома мишени 2г.

1.3.1.3. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии от угла падения ионов на мишень.

Ь 1.3.1.4. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии от температуры мишени.

1.3.1.5. Молекулярный эффект.

1.3.1.6. Влияние адсорбированных слоев на выход электронов.

1.3.1.7. Энергетическое распределение эмиттированных электронов.

1.3.1.8. Угловое распределение эмиттированных электронов.

1.3.1.9. Статистический характер выхода электронов.

1.3.2. Теории кинетической ионно-электронной эмиссии.

1.3.2.1. Теории, основанные на механизме возбуждения связанных электронов.

1.3.2.1.1. Неупорядоченные среды.

1.3.2.1.2. Монокристаллы.

Глава 2. Аппаратура и методы исследования.

2.1. Масс-монохроматор НИИЯФ МГУ.

2.1.1. Источник ионов.

2.1.2. Вакуумная система.

2.1.3. Камера столкновений и держатель мишеней.

2.2. Мишени и их подготовка к эксперименту.

2.3. Исследование элементного состава.

2.4. Анализ топографических элементов поверхностей.

2.4.1. Растровая электронная микроскопия.

2.4.2. Исследование шероховатости методом лазерной гониофотометрии (ЛГФ).

2.5. Исследование кристаллической структуры.

2.6. Методика измерений коэффициентов распыления и ионно-электронной эмиссии.

Глава 3 Ионно-индуцированные изменения состава, топографии и структуры поверхностного слоя углеродных материалов при высокодозном облучении ионами с энергиями в десятки кэВ.

3.1. Изменение элементного состава.

3.2. Изменение топографии поверхности.

3.3. Особенности радиационных повреждений и изменения структуры.

Глава 4. Исследование распыления углеродных материалов при высокодозном облучении ионами азота.

4.1. Угловые зависимости коэффициентов распыления поликристаллических графитов, сравнение результатов эксперимента и компьютерного моделирования.

4.2. Угловые зависимости коэффициента распыления высокоориентированного пирографита: сравнение с результатами для поликристаллических графитов.

Выводы.

Глава 5. Исследование кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов при высокодозном облучении ионами азота и аргона.

5.1. Экспериментальные температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии поликристаллических графитов.

5.2. Анализ влияния радиационных нарушений на закономерности ионно-электронной эмиссии графитов.

5.3. Температурные и угловые зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии высокоориентированного пиролитического графита. Влияние анизотропии проводимости.

5.4. Температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии стекл оуглеродов.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование распыления и ионно-электронной эмиссии углеродных материалов при высокодозном облучении»

Актуальность темы. Углеродные материалы находят все большее применение в различных областях физических исследований, техники и промышленности. Изотропные поликристаллические графиты, анизотропные пирографиты, стеклоуглероды, углерод-углеродные композиционные материалы являются широко распространенными конструкционными материалами [1-15]. В связи с широким использованием углеродных материалов в ракетно-космической технике, ядерных и термоядерных реакторах, большое внимание уделяют исследованиям их поведения в радиационных полях различной природы (электромагнитные поля, потоки нейтронов и заряженных частиц) Так, в планируемом большом термоядерном реакторе ИТЭР графиты и углерод-углеродные композиты, благодаря высоким термомеханическим свойствам, являются основными кандидатными материалами для диверторных пластин.

Изучению воздействия на графитовые материалы нейтронного облучения и легких ионов уделялось и уделяется большое внимание [2,13,14,16]. Исследований воздействия на углеродные материалы высокодозного облучения относительно тяжелых ионов, в частности, ионов азота и инертных газов, недостаточно. Взаимодействие ионов с твердым телом является одним из самостоятельных разделов фундаментальной физики. Механизмы различных процессов, происходящих при облучении материалов потоками ионов, и в том числе физического (столкновительного) распыления, вызывающего эрозию и потерю материала, и ионно-электронной эмиссии, неразрывно связаны с возникновением радиационных нарушений и их влиянием на характер движения как бомбардирующих, так и вторичных (распыленных атомов и электронов) частиц, равно как и с особенностями морфологии облучаемых поверхностей [1-7]. Отличительной особенностью исследования взаимодействия ионов с твердым телом является то, что помимо самостоятельного значения для выявления механизмов, вызываемых взаимодействием явлений, использование их закономерностей является инструментом, позволяющим одновременно как изменять физические свойства твердых тел, так и проводить анализ и мониторирование этих изменений. Вопросы эрозии, модификации морфологии и структуры поверхностных слоев углерод-углеродных материалов под действием относительно тяжелых ионов исследованы существенно менее детально, чем, например, в случае легких ионов и, в частности, это относится к роли и влиянию специфики радиационных нарушений в углеродных материалах на процессы взаимодействия ионов с поверхностями и модификацию их свойств. В частности, мало исследований взаимодействия ионов азота с углеродными материалами. Данная проблема представляет не меньший практический интерес в связи с радиационным синтезом новых материалов на основе бинарной системы C-N, разработкой радиационно-пучковых методов модифицирования углеродных материалов [14-16], использованием графитовых конструкций в плазменных ионных источниках [3].

Данная диссертационная работа посвящена экспериментальному исследованию физического (столкновительного) распыления и кинетической ионно-электронной эмиссии при высокодозном ионном облучении углеродных материалов и развитию методов исследования поверхностных слоев этих материалов на основе угловых и температурных зависимостей кинетической ионно-электронной эмиссии.

Цели и задачи исследования. Целью работы является изучение угловых и температурных закономерностей распыления и ионно-электронной эмиссии углеродных материалов при высокодозном облучении ионами молекулярного азота и аргона с энергиями в десятки кэВ, аналитических возможностей ионно-электронной эмиссии для диагностики и мониторирования воздействия ионного облучения.

Основные задачи работы:

1. Экспериментальное изучение угловых зависимостей коэффициента распыления поликристаллических графитов и высокоориентированного пиролитического графита при высокодозном облучении ионами N2* энергии 30 кэВ при различных температурах мишени, сравнение с данными компьютерного моделирования.

2. Экспериментальное исследование угловых и температурных зависимостей коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии высокоориентированного пиролитического графита, поликристаллических графитов и стеклоуглеродов при непрерывном высокодозном облучении ионами и Аг+ энергии 30 кэВ.

3. Исследование влияния радиационных нарушений и топографии поверхности, развивающейся при высокодозном облучении углеродных материалов ионами N2+ и Аг+ энергии 30 кэВ на выход распыленных частиц и вторичных электронов.

4. Исследование возможностей применения закономерностей ионно-электронной эмиссии углеродных материалов для in situ контроля и диагностики процесса облучения и состояния облучаемой поверхности.

Научная новизна работы:

1. Впервые экспериментально измерены угловые зависимости коэффициента распыления поликристаллических графитов марок МПГ-8 (производство НИИграфит, Москва) и

POCO-AXF-5Q (производство США) при облучении молекулярными ионами азота 7 энергии 30 кэВ в интервале углов падения ионов от 0 до 80°. Сравнение с данными компьютерного моделирования с учетом влияния топографии поверхности, развивающейся при высокодозном облучении, показало, что угловые зависимости коэффициента распыления 7(0) поликристаллических графитов типичны для физического (столкновительного) распыления: 7(0) ~ 1/соб0.

2. Впервые экспериментально определены угловые зависимости высокоориентированного пиролитического графита марки УПВ-1Т (производство НИИграфит, Москва) при облучении молекулярными ионами азота энергии 30 кэВ в интервале углов падения ионов от 0 до 80° и показано, что угловая зависимость 7(0), измеренная при комнатной температуре близка к зависимостям для поликристаллических графитов, и, как и для них, соответствует аморфизированному высокодозным облучением состоянию поверхностного слоя. Угловая зависимость, измеренная при Т = 400°С, соответствует поликристаллическому состоянию поверхностного слоя и, в отличие от исходно поликристаллических графитов, является немонотонной с минимумом при угле падения ионов 0 = 60°. Подавление распыления в три раза по сравнению с облучением при комнатной температуре обусловлено развитием на поверхности при 0 = 60° системы игольчатых конусов.

3. Впервые при воздействии высокодозного ионного облучения неграфитирующихся углеродных материалов (стеклоуглеродов) обнаружено ионно-индуцированное упорядочение материала.

4. Экспериментально и теоретически показано, что зависимости коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов от температуры облучения у(7) имеют ступенчатый характер - скачок выхода электронов при температуре Та, связанный с увеличением длины свободного пробега вторичных электронов при отжиге радиационных нарушений.

5. Впервые в теоретическом анализе кинетической ионно-электронной эмиссии обращено внимание на влияние радиационных нарушений не только на движение бомбардирующих ионов, но и на транспорт вторичных электронов. Получено прямое экспериментальное подтверждение отличия взаимодействия вторичных электронов с аморфным веществом и с поликристаллами.

Практическая ценность работы.

Выявленные закономерности распыления углеграфитовых материалов важны для решения проблем радиационной стойкости материалов, модификации их кристаллической структуры и топографии в условиях высокодозного облучения и переменных температур как в термоядерных исследованиях, так и при решении проблем деградации покрытий и элементов космических летательных аппаратов, их необходимо учитывать при создании углерод-азотных поверхностных слоев и тонких пленок.

Обнаруженные температурные и угловые закономерности кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов, в том числе скачок выхода электронов за счет увеличения длины свободного пробега вторичных электронов, дают возможность развития экспериментальных ионно-пучковых методов исследования и анализа радиационных нарушений в этих материалах, мониторинга in situ состояния облучаемой поверхности, в том числе диагностики радиационно-индуцированного перехода от кристаллического состояния поверхности углеродного материала к аморфизированному состоянию.

Достоверность основных положений и выводов обеспечивается использованием современной аппаратуры, надежных и независимых методов исследования, сравнением с результатами тестированных компьютерных программ моделирования взаимодействия атомных частиц с твердым телом, сравнением и согласием экспериментальных результатов с литературными данными, полученными при сопоставимых условиях.

На защиту выносятся следующие положения;

1. Экспериментальные результаты определения угловых зависимостей коэффициентов распыления поликристаллических графитов марок МПГ-8 и POCO-AXF-5Q, высокоориентированного пиролитического графита марки УПВ-1Т при облучении при комнатной температуре ионами N2+ энергии 30 кэВ в широком диапазоне углов падения ионов (0 - 80°), и выводы о том, что измеренные угловые зависимости соответствуют разупорядоченному (аморфизированному) состоянию поверхности, и учет ионно-индуцированной микротопографии облучаемой поверхности устраняет расхождения эксперимента и результатов компьютерного моделирования столкновительного распыления для гладкой поверхности.

2. Экспериментальные результаты измерения угловой зависимости коэффициента распыления высокоориентированного пиролитического графита марки УПВ-1Т при облучении при Т = 400°С ионами N2+ энергии 30 кэВ в широком диапазоне углов падения ионов (0 - 80°) и выводы о том, что измеренная угловая зависимость коэффициента распыления, в отличие от зависимости, измеренной при комнатной температуре, является немонотонной с минимумом при угле падения 0 = 60°, и подавление распыления в три раза связано с развитием специфического микрорельефа типа игольчатых конусов.

3. Экспериментальные исследования элементного состава, микротопографии и кристаллической структуры поверхностных слоев поликристаллических графитов, высокоориентированного пиролитического графита и стеклоуглеродов до и после высокодозного облучения ионами азота и аргона при различных температурах с энергиями в десятки кэВ.

4. Экспериментальные и теоретические исследования температурных и угловых зависимостей ионно-электронной эмиссии углеродных материалов, и выводы о том, что скачок (резкое возрастание) коэффициента ионно-электронной эмиссии при температуре Га отжига радиационных нарушений при нормальном падении ионов на мишень обусловлен увеличением длины свободного пробега вторичных электронов при упорядочении кристаллической структуры материала. Для высокоориентированного пирографита на угловую зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии помимо изменения длины пробега вторичных электронов влияет анизотропия проводимости.

5. Возможность применения закономерностей ионно-электронной эмиссии для анализа радиационных нарушений в твердом теле, in situ контроля и диагностики ионного облучения и состояния облучаемой поверхности.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на российских и международных научных конференциях, совещаниях и семинарах: XXXII - XXXVI

Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2002-2006), XVI, XVII Международных конференциях

Взаимодействие ионов с поверхностью" (Москва, 2003, 2005), VI-VII Всероссийском семинаре "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород,

2002, 2004), I Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 2006), Пятой Международной конференции

УГЛЕРОД: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология» (Москва,

2006), 21 - 22 International Conferences on Atomic Collisions in Solids (ICACS-21 - Italy,

Genova, 2004, ICACS-22 - Germany, Berlin, 2006). Ill Республиканской конференции по физической электронике (Ташкент, 2002), 3 и 4 Всероссийской научно-технической конференции «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, 2004, 2005), 7

Всероссийском семинаре «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики» (Москва, 2005), XXVIII - XXX Гагаринских чтениях (Москва, МАТИ, 200210

2004), межотраслевом семинаре по взаимодействию плазмы с поверхностью (Москва, МИФИ, 2004), научных семинарах НИИЯФ МГУ.

Выполнение работы проводилось в рамках тематики госбюджетных НИР НИИЯФ МГУ 2002-2006 г.г., грантов правительства Москвы 2003 - 2005 г.г., гранта «Ведущая научная школа» по теме «Исследования радиационной стойкости наноматериалов для космической техники», 2006 г.

По материалам диссертации опубликовано 16 статей в реферируемых отечественных и зарубежных журналах [17-32].

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Немов, Алексей Сергеевич

Выводы

Исследованы температурные и угловые закономерности кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов под воздействием молекулярных ионов азота и ионов аргона с энергиями в десятки кэВ и возможности применения этих закономерностей для анализа радиационных нарушений в твердом теле, in situ контроля и диагностики ионного облучения и состояния облучаемой поверхности.

Экспериментально и теоретически показано, что зависимости коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов от температуры облучения т(7) имеют ступенчатый характер - скачок выхода электронов при температуре

Га отжига радиационных нарушений, связанный с зависимостью длины свободного

161 пробега вторичных электронов от степени упорядоченности кристаллической решетки. Впервые в теоретическом анализе кинетической ионно-электронной эмиссии обращено внимание на влияние радиационных нарушений на транспорт вторичных электронов Получено прямое экспериментальное подтверждение отличия взаимодействия электронов с аморфным веществом и с кристаллами.

Установлено, что области различного поведения характеристик облучаемого материала (элементного состава, топографии и кристаллической структуры) разделяются температурой Та динамического отжига радиационных нарушений, определяемой по скачку температурной зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии.

Обнаружено, что для неграфитирующиеся углеродных материалов (стеклоуглеродов) непрерывная высокодозная ионная бомбардировка стимулирует ионно-индуцированное упорядочение по сравнению с исходным состоянием этих материалов.

Показано, что кинетическая ионно-электронная эмиссия может служить для эффективного безинерционного мониторинга ионно-индуцированных структурных изменений в углеродных материалах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Впервые экспериментально определены угловые зависимости коэффициента распыления поликристаллических графитов марок МПГ-8 и РОСО-АХР-5(3 при облучении молекулярными ионами азота энергии 30 кэВ в интервале углов падения ионов от 0 до 80°. Показано, что в случае облучения при температурах, близких к комнатным, измеренные угловые зависимости У(0) соответствуют разупорядоченному (аморфизированному) состоянию поверхности. Сравнение с данными компьютерного моделирования с учетом влияния топографии поверхности, развивающейся при высокодозном облучении, показало, что угловые зависимости коэффициента распыления 7(9) поликристаллических графитов типичны для физического (столкновительного) распыления.

2. Впервые измерены угловые зависимости высокоориентированного пиролитического графита марки УПВ-1Т при облучении молекулярными ионами азота энергии 30 кэВ в интервале углов падения ионов от 0 до 80° при комнатной температуре и Т= 400°С. Показано, что угловая зависимость У(0), измеренная при комнатной температуре близка к зависимостям, измеренным для поликристаллических графитов, и, как и для них, соответствует аморфизированному высокодозным облучением состоянию поверхностного слоя. Угловая зависимость коэффициента распыления, измеренная при Т = 400°С, соответствует поликристаллическому состоянию поверхностного слоя и, в отличие от исходно поликристаллических графитов, является немонотонной с минимумом при угле падения ионов 0 = 60°. Подавление распыления в три раза по сравнению с облучением при комнатной температуре обусловлено развитием на поверхности при 0 = 60° системы игольчатых конусов.

3. Исследованы ионно-индуцированные структурные изменения в углеродных материалах (высокоориентированный пиролитический графит, поликристаллические графиты, стеклоуглероды) при высокодозном облучении ионами N2* и Аг+ с энергией 30 кэВ при помощи дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО). Показано, что облучение при температурах, близких к комнатной, приводит к разупорядочению кристаллической структуры материалов, при повышенных температурах (Т > Та) облучения для поликристаллических графитов структура близка к исходной, для высокоориентированного пирографита - к поликристаллической, в высокотемпературных стеклоуглеродах обнаружено ионно-индуцированное упорядочение материала относительно их исходного состояния.

4. Экспериментально и теоретически показано, что зависимости коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов от температуры облучения у(7) имеют ступенчатый характер - скачок выхода электронов при температуре Та, связанный с увеличением длины свободного пробега вторичных электронов при отжиге радиационных нарушений.

5. Впервые в теоретическом анализе кинетической ионно-электронной эмиссии обращено внимание на влияние радиационных нарушений не только на движение бомбардирующих ионов, но и на транспорт вторичных электронов. Получено прямое экспериментальное подтверждение отличия взаимодействия вторичных электронов с аморфным веществом и с поликристаллами.

6. Установлено, что состав, топография и кристаллографическая структура ионно-индуцированного измененного слоя существенно различаются вблизи комнатной и повышенной температурах облучения образцов. Области различного поведения характеристик модифицированного слоя разделяются температурой динамического отжига радиационных нарушений Га, которую в настоящей работе определяли по температуре скачка коэффициента у ионно-электронной эмиссии на кривых зависимости у(7).

7. Обнаруженные температурные и угловые закономерности кинетической ионно-электронной эмиссии углеродных материалов, в том числе скачок выхода электронов за счет увеличения длины свободного пробега вторичных электронов дают возможность развития экспериментальных ионно-пучковых методов исследования и анализа радиационных нарушений в этих материалах, мониторинга in situ состояния облучаемой поверхности, в том числе диагностики радиационно-индуцированного перехода от кристаллического состояния поверхности углеродного материала к аморфизированному состоянию.

Выражаю глубокую благодарность своему научному руководителю д.ф.м.н. Машковой Е.С. за руководство и неоценимую помощь в диссертационной работе, д.ф.м.н. Борисову А.М. за неизменное внимание, всестороннюю помощь и поддержку.

Я глубоко признателен Богомоловой Л.Д., Виргильеву Ю.С., Затекину В.В., Камневой С.А., Красильниковой H.A., Крыловой Е.А., Куликаускасу Е.А., Курнаеву В.А., Парилису Э.С., Питиримовой Е.А., Трифонову H.H., Хохлову А.Ф. за содействие и помощь в выполнении данной работы и многочисленные дискуссии.

Я глубоко признателен заведующему ОФАЯ д.ф.м.н. Чеченину Н.Г. за внимание и интерес к работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Немов, Алексей Сергеевич, 2007 год

1. Бор H. Прохождение атомных частиц через вещество. - М.: ИЛ, 1950. -149 с.

2. Дине Дж., Винйард Дж., Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Изд-во иностр. лит., 1960.-243 с.

3. Барченко В.Т., Колгин Е.А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве / Под ред. Быстрова Ю.А. СПб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербургское отд-ние, 2001.-332с.

4. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979. - 296 с.

5. Williams J.S., Poate J.M. Ion Implantation and Beam Processing. Eds. New-York: Academic Press, 1984. 438 p.

6. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел / Под ред. Р. Бериша. M.: Мир, 1984. - 336 с.

7. Parilis E.S., Kishinevsky L.M., Turaev N.Yu., Baklitzky B.E., Umarov F.F., Verleger V.Kh., Nizhnaya S.L., Bitensky I.S. Atomic Collisions on Solid Surfaces. Elsevier, North-Holland, 1993.-Chap.il,-663 p.

8. Фиалков A.C. Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе. М.: Аспект Пресс, 1997. - 718с.

9. Novikov L.S., Solovyev G.G., Vasil'ev V.N., Grigorevskiy A.V., Kiseleva L.V. Degradation of thermal control coatings under influence of proton irradiation. // Journal of Spacecraft and Rockets. 2006. - v. 43, №. 3. - p. 518-519.

10. Калин Б.А., Скоров Д.М., Якушин В.Л. Проблемы выбора материалов для термоядерных реакторов: Радиационная эрозия. М.: Энергоатоиздат, 1985. - 184с.

11. Гусева М.И., Мартыненко Ю.В. Взаимодействие частиц плазмы с поверхностью // Итоги науки и техники. Сер. Физика плазмы. Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1989. - с. 150-190.

12. Машкова Е.С. Современные тенденции в исследовании распыления твердых тел. / В кн.: Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986 1987гг.: Пер. с англ./ Сост. Е.С.Машкова. - М.: Мир, 1989. - с. 5-45.

13. Виргильев Ю.С. Конструкционные углеродные материалы для установок термоядерного синтеза//Неорганические материалы. 1994. - т. 30. - с. 903-916.

14. Burchell T.D. Radiation Effects in Graphite and Carbon-Based Materials // MRS Bulletin. -1997.-v. 22,№4. -p. 29-34.

15. Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Питиримова Е.А., Хохлов А.Ф. Ионно-индуцированные структурные изменения в стеклоуглероде. // Вопросы атомной науки и техники, серия "Термоядерный синтез". 2003. - вып. 1. - с. 8-14.

16. Borisov А.М., Mashkova E.S., Nemov A.S. Angular and temperature dependencies of ion induced electron emission of polycrystalline graphite. // VACUUM. 2004. - v. 73/1. - p. 6572.

17. Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С., Камнева С.А., Курнаев В.А., Трифонов Н.Н. Влияние ионно-индуцированного рельефа на высокодозное распыление графита. Вопросы атомной науки и техники // ВАНТ. Сер. Термоядерный синтез. 2004. -вып.2. - с. 65-72.

18. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. Ion-induced electron emission -monitoring the structure transitions in graphite. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2005. -v. 230/1-4.-p.443-448.

19. Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С., Питиримова Е.А. Особенности ионно-электронной эмиссии графита. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. - № 3. - с. 70-76.

20. Borisov А.М., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. Effect of radiation damage on ion-induced electron emission from highly oriented pyrolitic graphite. // VACUUM 2005. - v. 80.-p. 295-301.

21. Борисов A.M., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С. Распыление высокоориентированного пирографита при высокодозной бомбардировке молекулярными ионами азота. // Известия РАН. Серия Физическая. 2006. - т. 70, № 6. - с. 820-824.

22. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Virgiliev Yu.S. Sputtering of HOPG under high-dose ion irradiation. //Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2007. - v. 256. - p. 363-367.

23. Хастед Дж. Физика атомных столкновений. Пер. с англ. М.: Мир, 1965. - 712 с.

24. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Механика. Т.1. М.:Наука, 1988. - 215 с.

25. Голдстейн Г. Классическая механика. 2 изд. М.: Наука, 1975. - 415 с.

26. Кинчин Г.Н., Пиз Р. С. Смещение атомов в твердых телах под действием излучения. // Успехи физических наук. 1956. т. 60. - вып. 4. - с. 590-615.

27. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия ионов с твердым телом. М.: Мир, 1995.-319 с.

28. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1985. - 384 с.

29. Гамбош П. Статистическая теория атома и ее применения. М.: ИЛ, 1951. - 399 с.

30. Torrens I. М. Interatomic potentials. New York and London: Academic Press, 1972.- 127 c.

31. Фирсов О.Б. Рассеяние ионов на атомах. // ЖЭТФ 1958. - т. 34. - с. 447-452.

32. Lindhard J., Scharff М., Schi6tt Н.Е. Range concepts and heavy ion ranges. // Mat. Fys. Medd. Kgl. Danske Vid. Selskab. 1963. - v. 33, № 14. - p. 1-7.

33. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. New York: Pergamon Press, 1985. - 321 p.

34. Машкова E.C., Молчанов В.А., Фаязов И.М., Экштайн В. Экспериментальное и компьютерное изучение угловой зависимости коэффициента распыления графита. // Поверхность. 1994. - № 2. - с.33-38.

35. Borisov A.M., Eckstein W., Mashkova E.S. Sputtering and ion induced electron emission of graphite under high dose nitrogen bombardment. // Journal of Nuclear Materials. 2002. - v. 304. - p. 15-20.

36. Mashkova E.S., Molchanov V.A. Medium-energy ion reflection from solids. Amsterdam: North Holland, 1985.-444 p.

37. Машкова E. С., Молчанов В. А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. М.: Атомиздат, 1980. - 255 с.

38. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Применение рассеяния ионов для анализа поверхностей твердых тел. М.: Энергоатомиздат, 1995. - 176 с.

39. Lindhard J., Nielsen V., Sharif М. Approximation method in classical scattering by screened coulomb fields. // Mat. Fys. Medd. Kgl. Danske Vid. Selskab. 1968. - v. 36, № 10. - p. 1-6.

40. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц // Успехи физических наук. 1969. - т. 99. - вып. 2. - с. 249-296.

41. Мартыненко Ю.В. К теории распыления монокристаллов // Физика твердого тела. -1964.-т. 6.-с. 2003-2009.

42. Брусиловский Б.А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энергоатомиздат, 1990.- 184 с.

43. Borisov А.М., Mashkova E.S., Parilis E.S. The sweeping-out-electrons effect in electron emission under molecular ion bombardment // VACUUM 2002. - v. 66. - p. 145-148.

44. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел. Вып.2 / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. - 484 с.

45. Распыление под действием бомбардировки частицами: Проблемы прикладной физики, Вып.З / Под ред. Р. Бериша. и К.Виттмака М.: Мир, 1998. - 552 с.

46. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Пространственные распределения частиц, распыленных под действием ионной бомбардировки. Теоретические результаты // Поверхность. -1995.-№3,-с. 2-25.

47. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Пространственные распределения частиц, распыленных под действием ионной бомбардировки. II. Компьютерное моделирование и экспериментальные результаты. // Поверхность. 1997. - № 12. - с. 91-108.

48. Машкова Е.С., Молчанов В.А., Фальконе Дж. Пространственные распределения частиц, распыленных под действием ионной бомбардировки. III. Наклонное падение. // Поверхность. 2000. - № 8. - с. 78-94.

49. Симонов В.В., Корнилов JI.A., Шешелев А.В., Шокин Е.В., Оборудование ионной имплантации. М.: Радио и связь, 1988. - 183 с.

50. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. М: Мир, 1967. - 506 с.

51. Hechtl Е., Bohdansky J. Sputtering behaviour of graphite and molybdenium at low bombarding energies. // Journal of Nuclear Materials. 1984. - v. 122-123. - p. 1431-1436.

52. Roth J., Vietzke E., Haasz A.A. // Atomic and Plasma-Material Interaction Data for Fusion, Suppl. to Nuclear Fusion. -1991. v.l. - p. 63-83.

53. Eckstein W., Garcia-Rosales C., Roth J., Ottenberger W., Sputtering Data // IPP-Report. -1993. 9/82. p. 1-342.

54. Hechtl E., Bondansky J., Sputtering of pyrolitic graphite with oxygen ions at various target temperatures // Journal of Nuclear Materials. 1986. - v. 141-143. - p. 139-141.

55. Almen O., Bruce G. Sputtering experiments in the high energy region. // Nuclear instruments and methods. North-Holland publishing со. -1961. v. 11. - p. 279-289.

56. Andersen H.H., Bay H. The Ъ\ dependence of heavy-ion sputtering yield in copper. // Radiation Effects. 1972. - v. 13. - p. 67-74.

57. Зоммерфельдт X, Машкова E.C., Молчанов B.A. Об использовании явления аморфизации кристаллов для выяснения механизма катодного распыления. // ДАН СССР, сер.физическая. 1969. - т. 188, № 3. - с. 556-559.

58. Гарин Ш.Н., Додонов А.И., Машкова Е.С., Молчанов В.А., Флеров В.Б. Распыление монокристаллов при скользящем падении ионов на мишень // Известия АН СССР, сер.физ. 1985. - т. 49. - с. 1808-1811.

59. Yamamura Y., Tawara Н. Energy dependence of ion-induced sputtering yields from monoatomic solids at normal incidence. // Research report NIFS Data 3 - 1995.

60. Одинцов Д.Д. О зависимости распыления монокристаллов от направления падения частиц. // Физика твердого тела. 1963. - т. 56. - с. 1114-1120.

61. Машкова Е.С., Молчанов В.А., Одинцов Д.Д. Об анизотропии коэффициентов распыления и ионно-электронной эмиссс монокристаллов. // Физика твердого тела. -1963.-т. 5.-с. 3426-3429.

62. Martynenko Yu.V. On the angular dependence of sputtering and kinetic electron emission of single crystals. //Physica Status Solidi. 1966. - v. 15. - p. 767-776.

63. Onderdelinden D. Single-crystal sputtering including the channeling phenomenon // Canadian Journal of Physics. 1968. - v. 46. - p. 739-743.

64. Sommerfeldt H., Mashkova E.S., Molchanov V.A. Die amorfphisierung von koistallen durch ionenbeschuss und mechanismen von sekundarprozessen. // Radiation Effects. -1971. v. 9. -p. 267-271.

65. Зоммерфельдт X., Машкова E.C., Молчанов B.A. Энергетическая зависимость ионно-электронной эмиссии кристаллов. // Физика твердого тела. -1971. v. 13. - р. 819-823.

66. Эльтеков В.А. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование. М.: Изд-во МГУ, 1993.

67. Shulga V.I. Computer simulation of single-crystal and polycrystal sputtering I // Radiation Effects. 1983. - v. 70. - p. 65-83.

68. Shulga V.I. Computer simulation of single-crystal and polycrystal sputtering II // Radiat. Effects. -1984. v. 82. - p. 169-187.

69. Shulga V.I. Computer simulation of single-crystal and polycrystal sputtering III // Radiat. Effects. 1985.-v. 84.-p. 1-25.

70. Фирсов О.Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях. //ЖЭТФ 1959. - т. 36. - вып.5. - с. 1517-1524.

71. Арифов У. А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М.: Наука, 1968. - 370 е., гл. 11.

72. Rosier М. Ion-induced kinetic electron emission of metals: comparative studies of excitation and scattering mechanisms. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B2. 1993. - p. 263-267.л

73. Hasselkamp D. Secondary emission of electrons by ion impact on surfaces. // Comments At. Mol. Phys. 1988. - v. 21, № 5. - p. 241-255.

74. Thum F., Hofer W.O. Zi oscillation in ion-induced kinetic electron emission. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B2. - 1984. - p. 531-535.

75. Hippler S., Hasselkamp D., Scharmann A. The ion induced electron yield as a function of target material // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1988. - v. 34. - p.518-520.

76. Svensson В., Holmen G., Buren A. Angular dependence of the ion-induced secondary electron yield from solids // Phys. Rev. B. -1981. v. 24. - p. 3749-3755.

77. Машкова E.C., Молчанов B.A., Одинцов Д.Д. Анизотропия коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристаллов. // ДАН СССР, сер. физическая 1963. - т. 151. -с. 1074-1078.

78. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Влияние тепловых колебаний решетки на анизотропию коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристаллов. // Физика твердого тела. -1964.-т. 6.-с. 3704-3705.

79. Борисов A.M., Машкова ЕС., Парилис Э.С. Ориентационная зависимость молекулярного эффекта в электронной эмиссии. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. - № 4. - с. 12-15.

80. Wehner G. Energieverteilung der von 2, 5,10 und 15 keV He und Ar ionen an Molibdan aus geloslen. // Z. Phys. 1966. - v. 193. - p. 439-442.

81. Беграмбеков Л.Б., Курнаев B.A.,Сотников B.M., Тельковский В.Г. Анизотропия углового распределения ионно-электронной эмиссии с монокристалла ниобия. // Физика твердого тела. -1971. т. 13, № 2. - с. 471-473.

82. Kapitza P.L. On the theory of 8 radiation // Phil. Mag. - 1923. - 22. - p. 989-998.

83. Rosier M. Theory of ion-induced kinetic electron emission from solids. / Ed. R.A.Baragiola. NATO ASI Series. Plenum Publishing Corporation, 1993.

84. Lorincik J., Sroubek Z., Eder H., Aumayr F., Winter H. Kinetic electron emission from clean polycrystalline gold induced by impact of slow C+, N4, 0+, Ne+, Xe+, and Au+ ions. // Phys. Rev. 2000. - v. 62, № 23. - p. 16116-16125.

85. Winter HP., Aumayr F., Lemell C., Burgdorfer J., Lederer S., Winter H. Kinetic electron emission by grazing atom scattering from clean flat metal surfaces. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2007. - 256. - p. 455-463.

86. Sternglass E.J. Theory of secondary electron emission by high-speed ions. // Phys. Rev. -1957.-v. 108,№1.-p. 1-12.

87. Парилис Э.С., Кишиневский Л.М. К теории ионно-электронной эмиссии. // Физика твердого тела. -1961. т. 3. - с. 1219-1228.

88. Ehrhart Р., Schilling W., Ullmaier Н. Radiation Damage in Crystals // Encyclopedia of Applied Physics. 1996. - v. 15. - p. 429-457.

89. Виргильев Ю.С., Конструкционные углеродные материалы для установок термоядерного синтеза // Неорганические материалы. 1994. - т. 30. - с. 903-916.

90. Chernikov V.N., Gorodetsky А.Е., Kanashenko S.L., Zakharov A.P., Wampler W.R., Doyle B.L. Deuterium trapping in graphites irradiated with C+ ions at 350 and 673 K. // Journal of Nuclear Materials. 1995. - v. 220-222. - p. 912-916.

91. Машкова E.C., Молчанов В.А., Одинцов Д.Д. Анизотропии коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристаллов // ДАН СССР 1963. - т. 151.-е. 1074-1078.

92. Мартыненко Ю.В. Влияние кристаллической структуры мишени на ионно-электронную эмиссию. // Физика твердого тела. 1966. - т. 8. - с. 637-642.

93. Кельман В.М., Явор С.Я. Электронная оптика. Изд. 3-е. Л.: Наука, 1968. - 486 с.

94. Balashova L.L., Borisov A.M., Garin Sh.N., Molchanov V.A., Snisar V.A., Fleurov V.B. Relationships between the angular dependences of sputtering yield and photon emission of sputtered atoms. // Radiation Effects. 1985. - v.84 - p.239-243.

95. Борисов A.M. Машкова E.C. Молчанов В.А. Пространственные распределения распыленного вещества при скользящем падении ионов на монокристаллы. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. - № 2. - с. 114-115.

96. Borisov А.М. Temperature effects in photon emission from sputtered atoms // Radiation Effects 1986.-v. 97-p. 85-90.

97. Экштайн В., Книжник Г.С., Машкова Е.С., Молчанов В.А., Толмачев А.И., Фаязов И.М. Пространственные распределения распыленного углерода при наклонном падении ионов на графитовую мишень. // Поверхность. 1990. - № 11. - с. 27-39.

98. Eckstein W., Mashkova E.S. Bombardment of carbon by noble gases // Nucl. Instrum and Methods in Physics Res. B. 1992. - v. 62. - p. 438-446.

99. Топорец А. С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение, 1988. -191с.

100. Борисов А.М., Машкова Е.С., Экштайн В. Закономерности распыления и электронной эмиссии графитов при высокодозном облучении ионами азота // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. 2002. - вып. 1-2. - с. 122-135.

101. Фельдман Л. Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. - 344с.

102. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. - 568 с.

103. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, ренгенография и электронная микроскопия. М.: «Металлургия», 1982. - 632 с.

104. Evdokimov I.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A., Odintsov D.D. Dependence of the ion-electron emission coefficient on the angle of incidence. // Physica Status Solidi. 1967. -v. 19.-p. 407-415.

105. Кандидатская диссертация X. Зоммерфельдта. Использование аморфизации кристаллов ионной бомбардировкой для изучения механизмов вторичных процессов. М: МГУ. -1971.

106. Roth J. Chemical errosion of carbon based materials in fusion devices // Journal of Nuclear Materials. 1999. - v. 266-269. - p.51-57.

107. Virgil'ev Yu.S. Kalyagina LP. Carbon-Carbon Composite Materials. // Inorganic Materials. 2004. - v. 40. - Suppl. 1. - S.33.

108. Roth J., Tsitrone E., Loarte A. Plasma-wall interaction: Important ion induced surface processes and strategy of the EU Task Force. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2007. -v. 258. - Issue 1. - p. 253-263.

109. Bogomolova L.D., Borisov A.M., Kurnaev V.A., Mashkova E.S. Modification of graphite surface layers by nitrogen ion irradiation. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2003. -v. 212.-p. 164-168.

110. Комаров Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М: Металлургия, 1990. - 216 с.

111. Островский B.C., Виргильев Ю.С., Костиков В.И., Шипков H.H. Искуственный графит. М.: Металлургия, 1986. - 272 с.

112. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 2000. - 494 с.

113. Bacon D.J., Rao A.S. The structure of graphite bombarded with light, gaseous ions // Journal of Nuclear Materials. 1980. - v. 91. - p. 178-188.

114. Виргильев Ю.С., Лебедев И.Г. Поведение стеклоугерода при нейтронном облучении // Неорганические материалы. 2002. - т. 38, № 7. - с. 810-816.

115. Беграмбеков Л.Б. Эрозия и трансформация поверхности при ионной бомбардировке. // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. т. 7. - М.: ВИНИТИ, 1993. - с. 4-53.

116. Беграмбеков Л.Б., Вергазов СВ., Захаров А.М., Тельковский В.Г. Изменение рельефа графита и его соединений при облучении ионами гелия // Изв. АН. Сер. физич. 1994. т. 58, № 4. - с. 187-194.

117. Лозован А.А., Митин Б.С., Влияние ионной имплантации на смачиваемость углеграфитовых материалов расплавами меди и M^Os // Изв. АН. Сер. физич. 2000. -т. 64,№4.-с. 801-804.

118. Лозован А.А. Ионно-плазменная обработка поверхностей изделий сложной формы и соединений. М.: «МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского, 2001. - 175с.

119. Акишин А.И., Виргильев Ю.С., Черник В.Н. Эрозионные свойства углеродных материалов различной структуры и состава в потоках кислородной плазмы // Изв. АН. Сер. физич. 2002. - т. 66, № 4. - с. 605-608.

120. Игитханов Ю.Л., Крашенинников СИ., Кукшкин А.С., Юшманов П.Н. Особенности процессов переноса в пристеночной плазме токамака // Итоги науки и техники. Сер. Физика плазмы. т. 11. - М.: ВИНИТИ, 1989. - с. 5-149.

121. Kustner М., Eckstein W., Dose V., Roth J. The influence of surface roughness on the angular dependence of sputter yield // Nucl.Instrum. and Meth. in Phys.Res. B. 1998. - v. 145.-p. 320-331.

122. Cernusca S., Diem A., Winter HP., Aumayr F., Lmincik J., Sroubek Z. Kinetic electron emission from highly oriented pyrolytic graphite surfaces induced by singly charged ions // Nucl.Instrum. and Meth. in Phys.Res. B. 2002. - v. 193. - p. 616-620.

123. Roth J. Erosion and impurity production of С and Be: a comparison // Journal of Nuclear Materials. 1987. - v. 145-147. - p. 87-95.

124. Гусева М.И., Мартыненко Ю.В. Особенности взаимодействия ионов с борсодержащими графитами // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. т. 5. - М.: ВИНИТИ, 1991. - с. 118-131.

125. Диденко А.Н., Лигачёв А.Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. М: Энергоатомиздат, 1987. - 184 с.

126. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М: Энергоатомиздат, 1987. - 264 с.

127. Борисов А.М., Железное В.В., Куликаускас B.C., Машкова Е.С., В.Экштайн. Распыление графита ионами азота энергии 15-30 кэВ // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. - № 5. - с. 58-61.

128. Shulga V.I., Sputtering of platinum by argon ions: A simulation study. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2001. - v. 174. - p. 423-432.

129. Eckstein W., Calculated Sputtering, Reflection and Range Values. // IPP-Report. 2002. -v. 9/132.-312 p.

130. Shulga V.I. The density effects in sputtering of amorphous materials // Nucl.Instrum.Methods in Phys.Res. B. 2000. - v. 170. - p. 347-361.

131. Guseva М.1., Korhunov S.N., Gureev V.M. Martynenko Yu.V., Neumoin V.E., Stoljarova V.G. Investigation of beryllium self-sputtering//J. Nucl. Materials. 1997. - v. 241-243.-p. 1117-1121.

132. Курнаев В.А., Трифонов H.H. Программа моделирования взаимодействия ионов с твердым телом с учетом микротопографии поверхности. // ВАНТ. Сер. Термоядерный синтез. 2002. - вып. 3-4. - с. 76-81.

133. Жукова Ю. Н., Машкова Е. С., Молчанов В. А., Сотников В. М.,. Экштайн В. Угловые зависимости коэффициента распыления рельефной поверхности поликристаллов // Изв АН. Сер.физ. 1994. - т. 58, № 3. - с. 92-101.

134. Серков М.В., Сидоров А.В., Экштайн В. Моделирование влияния топографии поверхности на угловые распределения распыленного вещества Н Поверхность. 2002. -№4.-с. 13-18.

135. Ziegler J.F., Cuomo J.J., Roth J. Reduction of ion sputtering yield by special surface microtopography. // Applied Physics Letters. 1977. - v. 30. - p. 268-271.

136. Mattox D.M., Sharp D.J. Influence of surface morphology on the low energy hydrogen ion erosion yields of beryllium. // Journal of Nuclear Materials. -1979. v. 80. - p. 115-119.

137. Cramer S.N., Oblow E.M. Feasibility study of a honeycomb vacuum wall for fusion reactors. //Nuclear Fusion. 1975. - v. 15. - p. 339-343.

138. Борисов A.M., Куликаускас B.C., Машкова E.C., Сафронов A.B. Ионно-электронная эмиссия при высокодозном облучении графита молекулярными ионами азота. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2001. - № 8. - с. 59-63.

139. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. - 248 с.

140. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1966. - 416 с.

141. Баранов И.А., Мартыненко Ю.В., Цепелевич С.О., Явлинский Ю.Н. // Успехи физических наук. 1988. - т. 156, вып. 3. - с. 477-511.

142. Yavlinskii Yu. Track formation in amorphous metals under swift heavy ion bombardment // Nucl. Instr. Meth. 1998. - v. B146. - p. 142-146.

143. Yavlinskii Yu. Heating of crystalline and amorphous metals under swift heavy ion irradiation // Rad. Eff. and Defects in Solids. 2000. - v.153. - p. 75-91.

144. Физические величины: Справочник. Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. -М: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

145. Котосонов А.С. Электропроводность углеродных материалов со структурой квазидвумерного графита. // Физика твердого тела. т. 31, вып. 8. - с. 146-152.

146. Ковалев В.П. Вторичные электроны. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 177 с.

147. Cernusca S., Fursatz М., Winter HP., Aumayer F. Ion-induced kinetic electron emission from HOPG with different surface orientation. // Europhys. Let. 2005. - v. 70. - p. 768-744.

148. Borisov A.M., Mashkova E.S. Ion beam-induced electron emission from carbon-based materials. // Nucl. Instrum. Methods Phys.Res. B. 2007. - v. 258, № 1. - p. 109-115.

149. Harris P.J.F. Fullerene-related structure of commercial glassy carbons // Phil. Mag. -2004. v. 84, № 29. - p. 3159-3167.

150. Харрис П. Углеродные нанотрубы и родственные структуры. М.: Техносфера, 2003. - 336 с.

151. Mischler J. Influence of surface roughness on electron emission and sputtering in charged beam-surface interactions. //Radiation effects. 1987. - v. 105. - p. 133-149.