Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Шулгунова, Ирина Сергеевна

• Шулгунова, Ирина Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шулгунова, Ирина Сергеевна

Введение.

Список условных обозначений.

1. Литературный обзор.

1.1. Гетероструктуры с квантовыми точками.

1.1.1. Получение гетероструктур с квантовыми точками.

1.1.2. Самоорганизация квантовых точек.

1.1.3 Основные свойства гетероструктур с квантовыми точками.

1.1.4. Применение гетероструктур с квантовыми точками.

1.1.5. Устройства памяти на основе квантовых точек.

1.1.6. Методы исследования гетероструктур с квантовыми точками.

1.2. Физические основы емкостных методов исследования.

1.3. Динамика носителей заряда в полупроводниках.

1.4. Методика емкостных переходных процессов.

1.5. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней. 38 1.5.1. Модификации метода БЬТБ.

1.6. Емкостные методы при исследовании квантоворазмерных гетероструктур.

2. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми точками.

2.1. Образцы с тремя слоями вертикально связанных квантовых точек.

2.2. Образцы с массивом квантовых точек с предельно низкой концентрацией легирующей примеси.

2.3. Описание экспериментальной установки.

2.4. Экспериментальные вольт-фарадные характеристики гетероструктур с массивом квантовых точек.

2.5. Профили концентрации носителей заряда в гетероструктурах с массивом квантовых точек.

2.6. Оценка величины заряда, накопленного в массиве квантовых точек.

3. Нестационарная емкостная спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками.

3.1. Экспериментальные спектры DLTS гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs.

3.1.1. Механизмы эмиссии носителей заряда из массива квантовых точек во внешнем электрическом поле.

3.2. Оценка уширения экспериментальных спектров DLTS гетероструктур с массивом квантовых точек.

3.3. Определение функции плотности состояний гетероструктуры с массивом самоорганизованных квантовых точек.

3.4. Селективная нестационарная емкостная спектроскопия квантовых точек.

4. Исследование динамики захвата носителей заряда в массив самоорганизованных квантовых точек.

4.1. Прямое наблюдение процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек.

4.2. Метод нестационарной емкостной спектроскопии захвата.

4.3. Сечение захвата массива квантовых точек.

4.4. Оценка скорости захвата носителей заряда в отдельную квантовую точку InAs/GaAs.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии»

В последнее десятилетие огромный интерес в области физики твердого тела проявляется к исследованию гетероструктур пониженной размерности, в которых движение носителей заряда ограничено в одном, двух или во всех трех координатных направлениях. Характерные размеры элементов таких

Л »7 структур лежат в диапазоне 10" -10" м, что соответствует средним размерам атомов и молекул в обычных материалах. Это и определяет специфичность свойств вещества в нанометровом масштабе и связанные с этим новые физические явления [1-5]. Гетероструктуры, реализующие предельный случай размерного квантования, в которых носители заряда ограничены в трех координатных направлениях, получили название квантовых точек (КТ). Основные свойства отдельной квантовой точки, такие как ее 8-образная функция плотности энергетических состояний, время релаксации в основное состояние, составляющее величину порядка пикосекунд, и другие находятся в сильной зависимости от геометрии и формы КТ.

В настоящее время для получения гетероструктур с квантовыми точками используют эффекты самоорганизации при эпитаксиальном росте по механизму Странского-Крастанова. В процессе эпитаксии методами молеку-лярно пучковой эпитаксии (МВБ) или газофазного осаждения из металлоор-ганических соединений (МОСУБ) тонких слоев узкозонного материала в матрицу широкозонного формируется массив квантовых точек, геометрия, поверхностная плотность КТ и размер отдельных точек определяются параметрами роста, такими как температура подложки, давление паров газовых смесей и т.д. Следствием эффектов самоорганизации является неоднородное распределение КТ в массиве по геометрическим параметрам, что приводит к уширению плотности энергетических состояний.

Гетероструктуры с КТ являются перспективным материалом оптоэлек-троники, наноэлектроники, одноэлектроники. Однако для практического применения уникальных свойств таких структур необходимо разработать технологию получения плотных массивов квантовых точек, однородных по размерам. Только в этом случае можно реализовать потенциальные преимущества приборов с КТ в качестве активной области. В этой связи актуальным становится создание методики определения вида функции плотности состояний гетероструктур с самоорганизованными КТ и оценка ее уширения, вызванного неоднородностью геометрических размеров квантовых точек в массиве. Для оптимизации технологии изготовления наноструктур с заданными свойствами важной является задача разработки эффективных методов исследования нанообъектов, в частности, квантовых точек.

Не так давно квантовые точки стали рассматриваться в качестве перспективного материала для создания ячеек памяти нового поколения. Ключевыми параметрами таких приборов являются скорость захвата, определяющая быстродействие приборов памяти, вероятность эмиссии или захвата, величина заряда, накопленного в квантовой точке.

Методы исследования, основанные на измерении барьерной емкости р-/2-перехода или барьера Шоттки, успешно зарекомендовали себя при исследовании глубоких уровней в объемных полупроводниках [6,7,8], а впоследствии и для характеризации гетероструктур с квантовыми ямами [9]. В настоящей работе проведено комплексное исследование гетероструктур с массивом самоорганизованных КТ методами емкостной спектроскопии, разработаны новые методы анализа важнейших характеристик КТ, таких как плотность энергетических состояний и динамические параметры, определены основные свойства исследуемых структур, важные как с точки зрения применения КТ в качестве активной области приборов наноэлектроники, так и с точки зрения фундаментальных исследований структур пониженной размерности.

Объектами исследований являлись полупроводниковые гетерострук-туры с массивом самоорганизованных квантовых точек ЫАБ/ОаАБ и 1п-ОаАБЛЗаАБ.

Целью работы является разработка системы характеризации гетерост-руктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии для получения количественных энергетических и динамических параметров самоорганизующихся квантовых точек.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. разработать способ определения функции плотности энергетических состояний в гетероструктурах, содержащих массив самоорганизованных квантовых точек;

2. разработать методику анализа емкостных переходных процессов захвата для определения энергетических и динамических характеристик процессов захвата в массив квантовых точек;

3. получить количественные данные по скоростям захвата носителей заряда в отдельную квантовую точку.

Научная новизна работы:

1. предложен метод определения плотности состояний в гетероструктурах с самоорганизованными квантовыми точками;

2. определен вид функции плотности состояний гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками ЫАБЛЗаАз;

3. впервые проведены эксперименты по прямому наблюдению емкостных переходных процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек;

4. получены значения скорости захвата носителей заряда в отдельную квантовую точку ТпАзЛЗаАБ в условиях плоских зон;

Практическая ценность работы заключается в создании методики определения плотности энергетических состояний массива самоорганизованных квантовых точек и получении конкретных данных о виде функции плотности состояний в гетероструктурах с массивом квантовых точек 1пАз/ОаАз, что несет важную информацию о качестве технологии получения однородных массивов квантовых точек.

Разработана методика и определены энергетические и динамические характеристики гетероструктур с квантовыми точками, которые задают основные параметры создаваемых на их основе приборов.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Регуляризация решения обратной задачи уширенных спектров БЬТ8 позволяет определить распределение плотности энергетических состояний гетероструктур с массивом самоорганизованных КТ.

2. Обработка экспериментальных переходных процессов захвата методом двухстробового интегрирования позволяет провести оценку динамических характеристик гетероструктур с КТ, а именно скорости эмиссии и захвата, сечение захвата носителей заряда в массив квантовых точек.

3. Метод селективной нестационарной емкостной спектроскопии позволяет непосредственно определять количественные характеристики процессов захвата и эмиссии носителей заряда на отдельных участках функции плотности энергетических состояний.

4. Захват дырок в отдельную квантовую точку в системе ТпАз/ваАБ при комнатной температуре происходит за времена порядка нескольких пикосекунд, что позволяет прогнозировать высокую скорость работы одноэлектронных приборов памяти.

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

С - Барьерная емкость полупроводника

- Напряженность электрического поля

Еа - Энергия активации

Ес - Энергия дна зоны проводимости

Ей - Глубина залегания донорной примеси

Е? - Энергия уровня Ферми

Е% - Ширина запрещенной зоны полупроводника

- Энергия уровня квантования

Еу - Энергия потолка валентной зоны е - Заряд электрона g - Фактор вырождения энергетического уровня к - Постоянная Планка к - Постоянная Больцмана

- Дебаевская длина экранирования т* - Эффективная масса электрона в полупроводнике п - Концентрация свободных электронов

- Концентрация акцепторов

Ис - Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

N4 - Концентрация доноров

- Концентрация ионизованных доноров

Ыт - Концентрация глубоких ловушек р - Концентрация свободных дырок дс ~ Плотность заряда в обедненной области /?-я-перехода

5 - Площадь р-п перехода или контакта Шоттки

Т - Абсолютная температура и - Потенциальная энергия

V - Внешнее приложенное напряжение

ТУ Ширина области объемного заряда полупроводника р Плотность объемного заряда ф Электростатический потенциал фк Контактная разность потенциалов

X Электронное сродство полупроводника о Диэлектрическая проницаемость вакуума

8 - Статическая диэлектрическая проницаемость

1|/ Волновая функция электрона

1 Де-Бройлевская длина волны электрона

МВБ Молекулярно-пучковая эпитаксия

МОСУО - Газофазное осаждение из металло-органических соединений

1 Литературный обзор

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Шулгунова, Ирина Сергеевна

Выводы по главе 4 1. С помощью нестационарной емкостной спектроскопии впервые зарегистрированы переходные процессы захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек. Проанализированы условия регистрации и определены динамические характеристики этих процессов.

70].

4.6.

4.16.

2. Для обработки емкостных переходных процессов захвата предложена методика БЬТ8 захвата, основанная на обработке полученных переходных процессов методом двухстробового интегратора. По температурному положению пиков спектров ОЬТ8-захвата при различных окнах скорости построены зависимости Аррениуса, по наклону которых определены энергии активации процессов эмиссии и захвата. Энергии активации процесса захвата демонстрировали сильную зависимость от приложенного смещения.

3. Предполагая, что захват носителей заряда в КТ 1пАБ/ОаА8 происходит по механизму туннелирования с участием фононов, проведена оценка скорости захвата носителей заряда в отдельную квантовую точку. Полученные значения составили 2.1 пс для 50 К и доли пикосекунд при комнатной температуре.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение сформулируем основные результаты проделанной работы:

1. На основе анализа существующей литературы по диагностике КТ выработаны теоретические и методологические подходы к анализу самоорганизованных КТ емкостными методами. Установлен набор характеристик, которые можно определять на основе измерения барьерной емкости р-и-перехода.

2. Обнаружено, что на вольт-фарадных характеристиках гетероструктур с самоорганизованными КТ наблюдается два плато, соответствующие двум пикам на наблюдаемых концентрационных профилях основных носителей заряда.

3. Два пика на концентрационной зависимости интерпретируются как пики от основного и группы возбужденных состояний в массиве КТ. Наблюдаемое несоответствие между определенным по концентрационным профилям и истинным геометрическим положением массива КТ объяснено на основе энергетической диаграммы и активационных процессов в КТ.

4. Предложен метод оценки накопленного в массиве КТ заряда с помощью интегрирования площади под концентрационным профилем. Для температуры 160 К величина плотности заряда составила 6.1 • Ю10 см2, а при понижении температуры до 10 К увеличивалась до 11.5 • Ю10 см2. Таким образом, при низких температурах отдельная квантовая точка содержит в среднем 10 электронов.

5. Для объяснения температурно-независимого сигнала ОЬТБ в области низких температур при больших импульсах заполнения сделано предположение о том, что при низких температурах доминирующим механизмом испускания носителей заряда из массива КТ является туннелирование с участием фононов.

6. На основе моделирования спектров БЬТБ с учетом функции Гаусса, проведена оценка уширения экспериментальных спектров БЬТ8. Величина уширения составила 11.3 мэВ для средней энергии 94 мэВ.

7. Предложен метод определения ФПС гетероструктур с массивом самоорганизованных квантовых точек. Метод заключается в решении обратной задачи ОЬТБ с последующей регуляризацией полученного решения по методу Тихонова.

8. Разработана новая методика получения емкостного отклика от перезарядки уровней квантования с отдельного участка уширенного энергетического распределения исследуемых структур - методика Селективной БЬТБ.

9. С помощью нестационарной емкостной спектроскопии впервые зарегистрированы переходные процессы захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек. Проанализированы условия регистрации и динамические характеристики этих процессов.

10. Для обработки емкостных переходных процессов захвата предложена методика БЬТБ захвата, основанная на обработке полученных переходных процессов методом двухстробового интегратора. По температурному положению пиков спектров БЬТБ-захвата при различных окнах скорости построены зависимости Аррениуса, по наклону которых определены энергии активации процессов эмиссии и захвата. Энергии активации процесса захвата демонстрировали сильную зависимость от приложенного смещения.

11. Предполагая, что захват носителей заряда в КТ происходит по механизму эмиссии с участием фононов, проведена оценка времени захвата носителей заряда в отдельную квантовую точку. Полученные значения для скорости захвата в КТ 1пА5/ОаА5 составили 2.1 пс для 50 К и понижались до долей пикосекунд при комнатной температуре, что позволяет прогнозировать эффективность ячеек памяти на квантовых точках.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шулгунова, Ирина Сергеевна, 2007 год

1. Шик, А.Я. Физика низкоразмерных систем / Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. // СПб.: Наука, 2001.- 160 с.

2. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. // Chichester: Wiley, 1999. 328 p.

3. Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. - т.32, №1 - С. 3-18.

4. Леденцов, Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор / Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП 1998. - т.32.- С. 385410

5. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В. А. // Новосибирск: НГТУ, 2004. -494 с.

6. Blood, P. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states / Blood P., Orton J.W. // Academic Press, London, 1992. -692 p.

7. Miller, G.L. Capacitance transient spectroscopy / Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1977. - Vol. 7. - P. 377-448.

8. Соломонов, A.B. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твёрдых растворов. / Соломонов А.В. // СПб.: Издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000. 323 с.

9. Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. // СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007.-220 с.

10. Голубков, В.В. Кинетика роста микрокристаллов CuCl в стеклообразной матрице / В.В. Голубков, А.И. Екимов, А.А. Онущенко, В.А. Цехомский//Физика и химия стекла 1981 - т.7. - С. 397-401

11. Shchukin, Vitaliy A. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surface / Vitaliy A. Shchukin and Dieter Bimberg // Reviews of Modern Physics 1999. - Vol. 71,№4. -p.3456-3467

12. Heinrichsdorff, F. Self-organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition / Heinrichsdorff F., Krost

13. A., Grundmann M., Bimberg D., Kosogov A., Werner P. // Appl. Phys. Lett. -1996.-Vol. 68.-P. 3284.

14. Shchukin, V.A. Capacitance investigation of quantum dots heterostructures / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop'ev and D. Bimberg // Surf. Sci. 1996. - Vol. 117. - P.352-354

15. Vanderbilt, D. Evolution of Thin-Film and Surface Microstructure / D. Vanderbilt, and L.K. Wickham // MRS Proceedings. MRS, Pittsburgh -1991. -Vol.202.-P.555

16. Daruka, I. Equilibrium phase diagrams for dislocation free self-assembled quantum dots / I. Daruka, A.-L. Barabasi // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 72,№17.-P. 2102-2104.

17. Stier, O. Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k-p theory / O. Stier, M. Grundmann, and D. Bimberg // Phys. Rev.

18. B. 1999. - Vol. 59, №8 - P. 5688-5701.

19. Дубровский, В.Г. Теоретические и экспериментальные исследования влияния скорости роста InAs на свойства ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs / В.Г. Дубровский, В.А. Егоров, Г.Э. Цырлин и другие // ФТП 2003 - т.37, №7 - С.113-119

20. Дубровский, В.Г. Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs от температуры поверхности и скорости роста / В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин и другие // ФТП 2004 - т.38, №3 - С.342-348

21. Черкашин, Н.А. Управление параметрами массивов квантовых точек InAs/GaAs в режиме роста Странски-Крастанова / Н.А. Черкашин, М.В.

22. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин и другие // ФТП 2003 - т.37, №7 -С.890-895

23. Shuan Lin Quantum dot imaging for embryonic stem cells / Shuan Lin, Xiaoyan Xie et all // BMC Biotechnology. 2007. - Vol. 7. - C.67-71

24. Boedefeld, M.C. Storage of electrons and holes in self-assembled InAs quantum dots / M.C. Boedefeld, R.J. Warburton, K.Karrai, and J.P. Kotthaus //Appl. Phys. Lett. 1999. -Vol.74, №13. - P. 1839-1841

25. Burkard, G. Spintronic and quantum dots for quantum computing and quantum communication / G. Burkard, H.-A. Engel, and D. Loss // Fortschritte der Physik. 2000. - Vol. 48. - P. 965-986

26. Balocco, C. Room-temperature operations of memory devices based on self-assembled quantum dot InAs structures / C. Balocco, A.M. Song, and M. Missous // Appl. Phys. Letter. 2004. - Vol. 85, №24. - P. 5911-5913

27. Берман, JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Берман JI.C., Лебедев А.А. Д.: Наука, 1981. - 176 с.

28. Ланно, М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теоретические аспекты / Ланно М., Бургуэн Ж. // М.: Мир, 1984. 263 с.

29. Бургуэн, Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ланно М., Бургуэн Ж. // М.: Мир, 1985. 304 с.

30. Lang, D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterise traps in semiconductors / Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. - Vol. 45. -P. 3023-3032.

31. Lang D.V., in "Heterojunction Band Offsets"/ edited by Capasso F., Margaritondo G. North-Holland, Amsterdam, 1989. - P. 377-396.

32. Lang, D.V. Measurement of heterojunction band offsets by admittance spectroscopy: InPZGao.47Ino.53As / Lang D.V., Panish M.B., Capasso F., Allam J. // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 50, N 12. - P. 736-738.

33. Lefevre, H. Double correlation technique (DDLTS) for the analysis of deep level profiles in GaAs and GaAs0.6P0.4 / H. Lefevre and M. Schulz // IEEE Transactions on electron devices 1977. - Vol. ED-24, No. 7. - P. 973-978

34. Ikeda, K. Photo-deep-level Fourier spectroscopy in semi-insulating bulk materials / K. Ikeda, H. Takaoka and Yoshikazu Isuu // Japanese Journal of Applied Physics 1985 - Vol.24, №11.- P.1454-1458

35. Hasbun, J.E. Conductance in double quantum well systems / Hasbun J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - Vol. 14. - P. R143-R175.

36. Li, X. Admittance spectroscopy of Si/Sii.xGex/Si quantum well systems: Experiment and theory / Li X., Xu W., Yuan F. Y., Lu F. // Phys. Rev. B. -2006.-Vol. 73.- 125341(1-8).

37. Li, G.R. Capacitance-voltage spectroscopy of InO.5GaO.5As self-assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation / G.R. Li, H.Z. Zheng, F.H. Yang and C.Y. Hu // Semicond. Sci Technol. -2003,- Vol.18 -P.760-762

38. Брунков, П.Н. Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au/n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек

39. As / П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт и другие // ФТП 1998. -т.32, №10-Р. 1229-1234

40. Wetzler, R. Capacitance voltage spectroscopy of self-organized InAs/GaAs quantum dots embedded in a p-n diode / Wetzler R., Kapteyn С. M. A., Heitz R., Wacker A., Scholl E., Bimberg D. // Phys. Stat. Sol. B. 2001. - Vol. 224, №1.-P. 79-83.

41. Kennedy, D.P. On the measurement of impurity atom distributions by the differential capacitance technique / Kennedy D.P., Murley P.C., Kleinfelder W. // IBM J. Res. Develop. 1968. - Vol.12, №9. - P. 399-409.

42. Wang, J.B. Analysis of capacitance-voltage characteristics of Sil-xGex/Si quantum-well structures / J.B.Wang, F. Lu, S.K. Zhang, B. Zhang, D.W. Gong, H.H. Sun, Xun Wang // Phys. Rev. B. 1996. - Vol. 54, №11. -P. 7979- 7983.

43. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Deep level transient spectroscopy of InP quantum dots. //Appl. Phys. Lett. 1995 -Vol.67-P. 3016-3018

44. Kapteyn, C.M.A. Electron escape from InAs quantum dots / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff E, Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60, N 20. - P. 1426514268.

45. Соболев, M.M. Емкостная спектроскопия глубоких состояний InAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми точками / Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 1999. - т.ЗЗ, №2. - С. 184-193.

46. Соболев, М.М. Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs / Соболев М.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2002. - т.36, №9. - С. 1089-1096

47. Engstroem, О. Thermal emission of electrons from selected s-shell configurations in InAs/GaAs quantum dots / O. Engstroem, M. Malmkvist, Y. Fu, H.O. Olafsson, and E.O. Sveinbjoernsson // Appl. Phys. Lett. 2003 -Vol.83 - P.3578-3580

48. Fu Y. and Engstroem 0. Emission rates from electron tunneling from InAs quantum dots to GaAs substrate / Y. Fu and O. Engstroem, Yi. Luo // Appl. Phys. Lett. 2004 - Vol.96 - P.6477-6481

49. P.N. Brunkov, et al, СР772, Physics of Semiconductors: 27lh International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by Jose Menendez and Chris G. Van der Walle. 2005 American Institute of Physics 0-7354-0257-4/05/$22.50, pp. 789-790

50. Гуткин, A.A. Емкостные исследования многослойных ансамблей InAs-квантовых точек в GaAs-матрице / А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, С.Г. Конников. // ФТП 1998 - т.41, № 11, Р. 1353-1356

51. Vincent, G. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers / Vincent G., Bois D., Pinard P. // J. Appl. Phys. 1975. - Vol. 46, №12. -P. 5173-5178.

52. Wang, J.B. Analysis of capacitance-voltage characteristics of Sii.xGex/Si quantum-well structures / Wang J.B., Lu F., Zhang S.K., Zhang В., Gong D.W., Sun H.H., Wang X. // Phys. Rev. B. 1996. - Vol. 54,№11. - P. 79797986.

53. Stier, О. Electronic and optical properties of quantum dots and wires: Dissertation / Stier О. Berlin, Wissenschafit&Technik Verlag Berlin, 2000. -190 p.

54. Kapteyn, C.M.A. Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots: dissertation / Kapteyn C.M.A. // Mensch&Buch Verlag Berlin. Berlin, 2001.- 156 p.

55. Frenkel, J. On Pre-Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic Semi-Conductors / J. Frenkel // Phys. Rev. 1938. - Vol. 54, №8. - P. 647648.

56. Ландау, Л.Д. Квантовая механика (нерелятивистская теория). В 10 т. Т. 3 / Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. -М.: Наука, 1989. 768 с.

57. Vincent, G. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junctions / G. Vincent, A. Chantre, D. Bois // J. Appl. Phys. -1979. Vol.50, №8. - P.5484-5489.

58. Makram-Ebeid, S. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors / S. Makram-Ebeid, M. Lanno // Phys. Rev. В 1982.-Vol. 25, №10.-P. 6406-6410.

59. C.W. Groetsch. Integral equation of the first kind, inverse problems and regularization: a crash course. Journal of Physics: Conference Series 2007 -012001, IOP Publishing

60. Зубков, В.И. Технология виртуальных инструментов в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2001. - 66 с.

61. Зубков, В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAsj.xPx / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // ФТП 1989. - т. 23, №1. - С.64-67.

62. Zubkov, V.l. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / Zubkov V.l., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. // J. of Physics: Condens. Matter. -2005.-Vol. 17.-P. 2435-2442.

63. Engström, О. Electron capture cross-sections of InAs/GaAs quantum dots / Engström О., Kaniewska M., Fu Y., Piscator Y., Malmkvist J. // Appl. Phys. Lett. 2004. - Vol. 85, №14. - P. 2908-2910.

64. Engstrom, O. Electron tunneling from quantum dots characteriyed be deep level transient spectroscopy / O. Engstrom, M.Kaniewska, M. Kaczmarczyk, and W. Jung//Appl. Phys. Lett.-2007-Vol.91 P.133117-1 - 133117-3.

65. Lang, D. V. Nonradiative Recombination at Deep Levels in GaAs and GaP by Lattice-Relaxation Multiphonon Emission / D.V. Lang and C.H. Henry // Phys. Rev. B 1975. - Vol. 35, №22. - P. 1525-1528.

66. Geller, M. 450 meV hole localization in GaSb/GaAs quantum dots / M. Geller, C. Kapteyn, L. Mueller-Kirsch, R. Heitz and D. Bimberg // Appl. Phys. Lett. 2003. - Vol. 82, №16. - P. 2706-2708.

67. Miiller, T. Ultrafast intraband spectroscopy of electron capture and relaxation in InAs/GaAs quantum dots / T. Miiller, T. F.F. Schrey, G. Strasser, and K. Unterrainer // Appl. Phys. Lett. 2003. - Vol. 83. - P. 3572-3575.

68. Chang, W.H. Hole emission processes in InAs/GaAs self-assembled quantum dots / W.H. Chang, W.Y. Chen, T.M. Hsu, N.T. Yeh, and J.I. Chyi // Phys. Rev. B 2002. - Vol. 66, №19. - P. 195337

69. Zory, P. Quantum well lasers / edited by Peter S. Zory, Jr. // Academic Press. Inc., 1993.-505 p.