Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Петровская, Анастасия Николаевна

• Петровская, Анастасия Николаевна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Петровская, Анастасия Николаевна

Введение.

Список условных обозначений.

1. Литературный обзор.

1.1. Гетероструктуры и квантовые ямы.

1.2. Спектроскопия адмиттанса.

1.2.1. Область обеднения р-п перехода. Зонные диаграммы р-п перехода и барьера Шоттки.

1.2.2. Емкость области объемного заряда р-п перехода и барьера Шоттки.

1.2.3. Приближение полного обеднения. Малосигнальное приближение.

1.3. Особенности емкостного профилирования распределения носителей заряда.

1.4. Эквивалентные схемы измерений. Учет последовательного сопротивления при анализе вольт-фарадных характеристик.

1.5. Барьерная емкость при наличии глубоких уровней.

1.6. Основные свойства и параметры GaAs, InAs, InxGai.xAs.

1.7. Влияние упругих напряжений на энергетический спектр гетероструктур.

Выводы по главе 1.

2. Исследование гетероструктур с одиночными напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методами адмиттанса.

2.1. Описание исследуемых образцов. Гетероструктуры с одиночными напряженными квантовыми ямами InxGa!xAs/GaAs.

2.2. Экспериментальные ВФХ гетероструктур с КЯ InxGaixAs/GaAs.

2.3. Оценка величины заряда, накопленного в квантовых ямах InGaAs/GaAs.

2.4. Экспериментальные спектры проводимости гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs.

Выводы по главе 2.

3. Моделирование энергетического спектра гетероструктур с КЯ. Подгонка к экспериментальным ВФХ.

3.1. Расчет ВФХ изотипного гетероперехода с КЯ InxGaixAs/GaAs с помощью самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера.

3.1.1. Решение уравнения Пуассона.

3.1.2. Решение уравнения Шредингера.

3.1.3. Построение ВФХ. Результаты моделирования.

3.2. Упругие напряжения в системе InGaAs/GaAs.

3.3. Расчет энергии связанных состояний и волновых функций в зоне проводимости и валентной зоне для одиночных напряженных КЯ InGaAs/GaAs в самосогласованном потенциале Хартри.

3.3.1. Выбор алгоритма решения.

3.3.2. Программное обеспечение для расчета энергетического спектра гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs в среде Lab VIEW.

3.3.3. Внешний вид программного обеспечения и блок-диаграмма.

3.3.4. Выбор шага и оценка точности вычислений.

3.4. Изучение влияния геометрических и технологических факторов на изменение параметров энергетического спектра гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs.

3.4.1. Влияние ширины и глубины КЯ на параметры энергетического спектра гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs.

3.4.2. Влияние концентрации легирующей примеси в барьерах на параметры энергетического спектра гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs

3.4.3. Влияние внешнего поля на энергетический спектр гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs.

3.5. Исследования температурной зависимости разрыва зоны проводимости в гетероструктурах с КЯ InxGaixAs/GaAs (х = 0.225).

3.6. Оценка заряда, накапливаемого одиночной квантовой ямой в условиях неполной ионизации примеси.

Выводы по главе 3.

4. Исследование гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами смачивающих слоев InAs/GaAs.

4.1. Описание образцов с тремя ультратонкими КЯ смачивающих слоев InAs/GaAs.

4.2. Описание экспериментальной установки и методики эксперимента.

4.3. Экспериментальные вольт-фарадные характеристики гетероструктуры с тремя ультратонкими квантовыми ямами смачивающих слоев InAs/GaAs.Ill

4.4. Заряд, накопленный в ультратонких квантовых ямах смачивающих слоев InAs/GaAs.

4.5. Анализ экспериментальных спектров проводимости гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами смачивающих слоев InAs/GaAs.

4.5.1. Схема энергетических уровней ультратонких смачивающих слоев InAs/GaAs.

Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса»

Важную группу материалов микро- и наноэлектроники составляют полупроводниковые гетероструктуры, представляющие собой последовательность из различных полупроводников с отличающимися значениями ширины запрещенной зоны [1]. Широкий спектр подобных структур открывает практически неограниченные перспективы в плане управления важнейшими оптическими и электронными свойствами приборов. Основное внимание исследователей сконцентрировано на структурах, созданных на основе соединений AmBv и их твердых растворах. Это во многом обусловлено их широким использованием в качестве материалов для приборов высокочастотной электроники и оптоэлектроники. Наличие размерного квантования в гетерострукту-рах является причиной возникновения уникальных явлений и свойств, которые позволяют создавать новое поколение электронных приборов. Среди основных преимуществ применения указанных материалов в микро- и нано-электронике можно выделить следующие:

- использование новых материалов позволяет поддерживать существующую в последние десятилетия тенденцию дальнейшей миниатюризации приборов и микросхем;

- за счет комбинаций различных полупроводников (с целью создания гетеропереходов, например) можно с достаточной степенью точности регулировать свойства материалов под определенные цели применения;

- используя твердые растворы полупроводников, можно регулировать электронные и оптические свойства материала выбором состава раствора.

В частности, система твердых растворов InxGaixAs/GaAs активно используется для создания лазеров на основе квантовых ям (КЯ) и квантовых точек (КТ). Такие приборы служат для генерации излучения в области ближнего инфракрасного диапазона и широко применяются в волоконно-оптических линиях связи [2]. Вместе с тем, несмотря на широкое использование полупроводниковых структур на основе твердых растворов AmBv, некоторые их важные параметры до сих пор являются изученными недостаточно. В частности, для большинства соединений данной системы нет достоверных сведений о величине разрыва зон на гетерогранице. Разрыв зон является основным параметром, определяющим работу приборов на полупроводниковых гетероструктурах, поскольку он формирует квантовую яму, а, следовательно, и определяет энергетический спектр в зоне проводимости и в валентной зоне, энергии разрешенных переходов, определяющие длину волны излучения прибора, величину накопленного структурой заряда. Таким образом, проведение точной диагностики основных параметров полупроводниковых гетероструктур на основе соединений АШВУ, и, в частности, твердых растворов InxGaixAs/GaAs, на сегодняшний день является актуальной задачей.

Среди существующих в настоящее время экспериментальных методов исследования полупроводников метод спектроскопии адмиттанса зарекомендовал себя как эффективный неразрушающий метод исследования, позволяющий определять ряд основных электрофизических параметров полупроводника, содержащего объекты низкой размерности. В сочетании с моделированием и численными расчетами этот метод количественного анализа дает информацию об энергетическом спектре исследуемых структур. Однако, до сих пор с помощью вольт-фарадных измерений можно было получить информацию только об одной из подсистем: либо для электронной подсистемы, либо для дырочной, - в зависимости от типа проводимости исследуемого полупроводника. В настоящей работе предлагается метод характеризации гетероструктур с КЯ на основе спектроскопии адмиттанса и численного моделирования, позволяющий получать информацию об энергетических параметрах обеих подсистем. Это позволяет полностью определять энергетический спектр гетероструктур и далее характеризовать их параметры с точки зрения приборного применения.

Объектом исследования в работе являлись полупроводниковые гете-роструктуры с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs различной ширины и состава, в том числе ультратонкие квантовые ямы InAs/GaAs шириной

1.2 монослоя.

Целью работы является развитие методов анализа энергетического спектра электронной и дырочной подсистем гетероструктур с квантовыми ямами InxGa^xAs/GaAs на основе вольт-фарадного профилирования и измерения спектров проводимости с использованием численного моделирования и подгонки.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. разработка способа определения параметров энергетического спектра электронной и дырочной подсистем для легированной полупроводниковой гетероструктур ы с квантовыми ямами из вольт-фарадных характеристик (ВФХ);

2. определение влияния параметров активной области — ширины и глубины КЯ, концентрации легирующей примеси, - а также приложенного внешнего поля на вид самосогласованного потенциала Хартри и на энергетический спектр гетероструктур с квантовыми ямами на основе данных эксперимента;

3. получение на основе анализа экспериментальных данных адмит-танса количественной информации о величине заряда, накапливаемого в гетероструктурах с одиночными КЯ, и температурной зависимости разрыва зоны проводимости в этих гетероструктурах;

4. анализ экспериментальных температурных спектров проводимости и ВФХ для гетероструктур с ультратонкими КЯ InAs/GaAs.

Научная новизна работы:

1. определены энергии уровней квантования как в зоне проводимости, так и в валентной зоне для изотипных гетероструктур «-типа на основе легированных полупроводников с одиночной напряженной квантовой ямой InxGa!xAs/GaAs с использованием реального профиля энергетических зон, полученного в результате самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера;

2. в температурном диапазоне от 320 К до 100 К методом подгонки наблюдаемого в эксперименте концентрационного профиля установлено, что величина разрыва зоны проводимости для напряженных КЯ Ino.225Ga0.775As/GaAs остается постоянной и равной 172 мэВ в пределах экспериментальной погрешности (±10 мэВ);

3. показано, что заряд, определяемый по наблюдаемому из ВФХ концентрационному профилю, соответствует истинной величине заряда в КЯ при условии полной ионизации примеси и превышает истинную величину при уменьшении степени ионизации;

4. проведен анализ влияния ширины активной области, глубины квантовой ямы, а также уровня легирования прилегающих к активной области слоев на энергии уровней квантования как в зоне проводимости, так и в валентной зоне для гетероструктур с напряженными КЯ InGaAs/GaAs;

5. на основе анализа экспериментальных спектров проводимости и ВФХ получены значения энергии активации и величины накопленного заряда для ультратонких квантовых ям смачивающих слоев InAs/GaAs.

Практическая ценность работы заключается в развитии метода ха-рактеризации наногетероструктур и определении энергий уровней квантования и соответствующих им волновых функций как в зоне проводимости, так и в валентной зоне, на основе экспериментальных данных спектроскопии ад-миттанса и самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера. Эти данные позволяют оценивать энергии разрешенных межзонных переходов и представляют собой важную информацию, необходимую для создания высококачественных приборов с заданными характеристиками.

Создано программное обеспечение, позволяющее моделировать энергетический спектр зоны проводимости и валентной зоны гетероструктур, содержащих квантовые ямы.

Определены оптимальные параметры активной области легированной гетероструктуры с квантовой ямой InxGaixAs/GaAs необходимые для создания эффективных источников одномодового излучения.

Показана эффективность применения спектроскопии адмиттанса для характеризации ультратонких КЯ и получены точные количественные данные об энергии активации и величине накопленного заряда в смачивающих слоях InAs/GaAs.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Анализ экспериментальных данных, полученных методом спектроскопии адмиттанса, и численное моделирование позволяют получать количественную информацию об энергетическом спектре как электронной, так и дырочной подсистем для легированных полупроводниковых гетеро-структур, содержащих квантовые ямы.

2. В температурном диапазоне от 320 К до 100 К величина разрыва зоны проводимости для гетероструктур с одиночными напряженными квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs (л" = 0.225) остается постоянной и равной 172 мэВ в пределах экспериментальной погрешности (±10 мэВ).

3. Величина заряда, определяемого по наблюдаемому из ВФХ концентрационному профилю, соответствует истинной величине заряда в КЯ при условии полной ионизации примеси. При понижении температуры заряд, определяемый из ВФХ, монотонно увеличивается по сравнению с истинным, что объясняется эффектом полной ионизации примеси в методе ВФХ при приложенном обратном смещении.

4. Анализ экспериментальных данных спектроскопии адмиттанса позволяет достоверно зарегистрировать наличие уровней квантования в структурах со смачивающими слоями и определить энергии активации этих уровней, а также заряд в ультратонких КЯ толщиной 1-^2 монослоя.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и школах:

• 57-я Научно-техническая конференция, посвященная Дню Радио

Санкт-Петербург, апрель 2002 г.);

• Десятая Всероссийская Научная Конференция Студентов-Физиков и

Молодых Ученых ВНКСФ-10 (Екатеринбург—Красноярск, 2004 г.);

• 11-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2004» (Зеленоград, 21-23 апреля 2004 г.);

• VI международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы» (Ульяновск, 4-8 октября 2004 г.);

• 2-nd International Conference «Physics of electronic materials» (Kaluga, May 24-27, 2005);

• Международная научно-практическая конференция «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде Lab VIEW и технологии National Instruments» (Москва, 18-19 ноября 2005 г.);

• VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 17-22 сентября, 2006 г.);

• Девятая международная конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 3-5 октября, 2006 г.);

• XIV Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)» (Москва, 11-13 сентября, 2008 г.);

• а также конференции профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2005-2008 гг.;

• и региональные молодежные научные школы по твердотельной электронике «Микро- и нанотехнологии», Санкт-Петербург, 2003 г.; «Физика и технология микро- и наноструктур», Санкт-Петербург, 2004 г.; «Актуальные аспекты нанотехнологии», Санкт-Петербург, 2005 г., «Нанотехнологии и нанодиагностика», Санкт-Петербург, 2006 г. Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 научных работ, из них — 1 статья, которая входит в перечень изданий, рекомендованных ВАК России, и 7 работ в материалах и трудах международных научных конференций и симпозиумов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 82 наименования. Основная часть работы изложена на 134 страницах машинописного текста. Работа содержит 58 рисунков и 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Петровская, Анастасия Николаевна

Выводы по главе 4

1. Представлено описание исследуемых образцов с ультратонкими квантовыми ямами смачивающих слоев InAs/GaAs и экспериментальной установки для измерений спектров проводимости и ВФХ.

2. Проведен анализ экспериментальных ВФХ гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами InAs/GaAs, по которым получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по глубине структуры. Обнаружено, что три слоя тонких ям, разделенных 2.8 нм барьерами, формируют единый наблюдаемый концентрационный профиль.

3. Методом численного интегрирования определена величина накопленного в активной области гетероструктуры InAs/GaAS заряда как функция от температуры.

4. Измерены и проанализированы спектры проводимости гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами InAs/GaAs при различных частотах тестового сигнала и значениях обратного смещения, на которых зафиксированы три пика проводимости на температурах: первый - от 140 до 70 К, второй - от 70 до 40 К, третий - от 40 до 10 К.

5. Построением графиков Аррениуса определены энергии активации связанных уровней в ультратонких КЯ смачивающих слоев InAs/GaAs. Энергии активации равны 148 мэВ, 44 мэВ, 20-^10 мэВ. Достоверно выявлено отсутствие зависимости энергии активации для двух нижних уровней от приложенного обратного смещения.

Заключение

1. Развиты методы спектроскопии адмиттанса для определения параметров энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs на основе анализа экспериментальных данных, численного моделирования и подгонки к эксперименту.

2. Реализован алгоритм определения параметров энергетического спектра электронной и дырочной подсистем для легированных полупроводниковых гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs, использующий реальный профиль краев энергетических зон, полученный из самосогласованного потенциала Хартри.

3. Проведены температурные исследования гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs методами адмиттанса, в результате которых:

• обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля носителей заряда. Это объясняется тем, что при понижении температуры уровень квантования в яме оказывается ниже уровня Ферми и начинает вести себя как глубокий. Вследствие этого отклик от исследуемых структур наблюдается с запаздыванием и при больших напряжениях обратного смещения, приложенных к образцам;

• обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ, по сравнению с истинной величиной заряда в КЯ. Это связано с особенностью метода ВФХ — полной ионизацией примеси в ООЗ независимо от температуры при приложенном обратном смещении;

• исследована температурная зависимость разрыва зоны проводимости в гетероструктурах с КЯ InGaAs/GaAs для актуального состава твердого раствора х = 0.225, имеющего практическое применение для изготовления лазерных и диодных структур, работающих в ближнем инфракрасном диапазоне 1.08 мкм. Установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными КЯ InxGaixAs/GaAs (jc = 0.225) в диапазоне температур 320 К . 100 К остается постоянным и равным 172±10 мэВ.

4. Методами спектроскопии адмиттанса исследованы гетероструктура с ультратонкими квантовыми ямами смачивающих слоев InAs/GaAs, которые используются при изготовлении структур с КТ. По экспериментальным ВФХ этих образцов получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по глубине структуры. Обнаружено, что три слоя тонких ям, разделенных 2.8 нм барьерами, формируют единый наблюдаемый концентрационный профиль.

5. На спектрах проводимости гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами InAs/GaAs при различных частотах тестового сигнала и значениях обратного смещения зафиксированы три пика проводимости на температурах: первый — от 140 до 70 К, второй — от 70 до 40 К, третий — от 40 до 10 К. Построением графиков Аррениуса определены энергии активации связанных уровней в ультратонких КЯ смачивающих слоев InAs/GaAs. Энергии активации равны 148 мэВ, 44 мэВ, 20-^10 мэВ. Достоверно выявлено отсутствие зависимости энергии активации для двух нижних уровней от приложенного обратного смещения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Петровская, Анастасия Николаевна, 2008 год

1. Алфёров, Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. - Т. 32, № 1. - С. 3-18.

2. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Chichester: Wiley, 1999. - 328 p.

3. Шик, А.Я. Физика низкоразмерных систем / Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. СПб.: Наука, 2001. - 160 с.

4. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В. А. Новосибирск, 2000. - 331 с.

5. L. Esaki, and L.L. Chang, Phys. Rev. Lett. 33, 495 (1974)

6. Dingle R. Quantum states of confined carriers in very thin AlxGaixAs-GaAs-AlxGaixAs heterostructures / Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. // Phys. Rev. Lett. 1974. - Vol. 33. - P. 827-830.

7. K.J. Ebeling, Integrated Optoelectronics, Springer Berlin Heidelberg 1989

8. Бессонов, JI. А. Теоретические основы электротехники: Электрические цепи / Бессонов Л. А. — М.: Высш. школа, 1978.

9. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. Т. 1. / Зи С. — Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с.

10. Blood, P. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states / Blood P., Orton J.W. Academic Press, London, 1992.-692 p.

11. Фейнман, P. Фейнмановские лекции по физике: В 9 т. Т. 5. Электричество и магнетизм / Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. // М.: Мир, 1977. -304 с

12. Hilibrand, J. Determination of the impurity distribution injunction diodes from capacitance voltage measurements / Hilibrand J., Gold R.D. // RCA Rev. - 1960. - Vol. 21. -P. 245-252.

13. Thomas, C.O. Impurity distribution in epitaxial silicon films / Thomas C.O., Kahug D., Manz R.C. // J. Electrochem. Soc. 1962. - Vol. 109. - P. 10551061.

14. Kennedy, D.P. On the measurement of impurity atom distributions by the differential capacitance technique / Kennedy D.P., Murley P.C., Kleinfelder W. // IBM J. Res. Develop. 1968. - Vol.12, N 9. - P. 399-409.

15. Kennedy, D.P. On the measurement of impurity atom distributions by the differential capacitance technique / Kennedy D.P., O'Brien R.R. // IBM J. Res. Develop. 1969. - Vol.13, N 3. - P. 212-214.

16. Miller, G.L. Capacitance transient spectroscopy / Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1977. - Vol. 7. - P. 377-448.

17. Гольдберг, Ю.А. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость-напряжение поверхностно-барьерной структуры / Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1983. -т. 17,Вып. 6.-с. 1068-1072.

18. Константинов, О.В. Вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур Me-GaP / Константинов О.В., Мерзин О.А. // ФТП. -1983.-т. 17, Вып. 2. -с. 305.

19. Берман, Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников / Берман Л.С. Л.: Наука, 1972. - 104 с.

20. Берман, Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Берман Л.С., Лебедев А.А. — Л.: Наука, 1981. 176 с.

21. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Vol. 17a // Berlin, Heidelberg, N.Y.: Springer-Verlag, 1982.-348 p.

22. Adachi, S. GaAs, AlAs and AlGaAs: Material parameters for use in research and device applications / Adachi S. // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 58, N 3. -p. R1-R29.

23. Adachi, S. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP / Adachi S. New York: Wiley, 1992. -352 p.

24. Levinshtein, M.E. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Le-vinshtein, M.E., Rumyantsev, S.L. Shur, M. // London: World Scientific. 1996. —1. V l.-P. 77-103.

25. Mikhailova, M.P. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Levinshtein, M.E., Rumyantsev, S.L. Shur, M. // London: World Scientific. 1996.1. V l.-P. 147-168.

26. Goldberg, Yu. A. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Levinshtein, M.E., Rumyantsev, S.L. Shur, M. // London: World Scientific. 1999. -V2.-P. 62-88.

27. Ю, П. Основы физики полупроводников / Ю П., Кардона М. // Москва: Физматлит. 2002. — 560 с.

28. Van de Walle, C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory / Van de Walle C.G. // Phys. Rev. B. 1989. - vol. 39, N 3. -P. 1871-1883.

29. Zory, P.S. Quantum well lasers / New Jersey: Academic Press, 1993.504 p.

30. People, R. Indirect band gap of coherently strained GexSii.x bulk alloys on <001> silicon substrates / People R. // Phys. Rev. B. 1985. - Vol. 32, N 2. -P. 1405-1408.

31. Matthews, J. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations / Matthews J., Blakeslee A. // J. Cryst. Growth. 1974. - Vol. 27. - p. 118-125.

32. Bugge, F. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells / Bugge F., Zeimer U., Sato M., Weyers M., Trankle G. // J. Cryst. Growth. -1998.-Vol. 183.-P. 511-518.

33. Weyers, M. Epitaxy of high-power diode laser structures / Weyers M., Bhattacharya A., Bugge F., Knauer A. // High-power diode lasers: fundamentals, technology, applications / ed. by Diehl R. Topics Appl. Phys. - 2000. - Vol. 78. Chapter 10.-P. 83-120.

34. Шашкин, В.И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе воль-фарадных измерений в процессе электрохимического травления / Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Нефедов И.М. // ФТП. 2001. - т. 35, Вып. 7. - С. 801-807.

35. Kapteyn, C.M.A. Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots: dissertation / Kapteyn C.M.A. — Mensch&Buch Verlag Berlin. Berlin, 2001.-156 p.

36. Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса / Зубков В.И. СПб.: Изд-во «Элмор», 2007.-220с.

37. Vincent, G. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers / Vincent G., Bois D., Pinard P. // J. Appl. Phys. 1975. - Vol. 46, N 12. -P. 5173-5178.

38. Hasbun, J.E. Conductance in double quantum well systems / Hasbun J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - Vol. 14. - P. R143-R175.

39. Li, X. Admittance spectroscopy of Si/SiixGex/Si quantum well systems: Experiment and theory / Li X., Xu W., Yuan F. Y., Lu F. // Phys. Rev. B. 2006. -Vol. 73.-125341(1-8).

40. Brounkov, P.N. Admittance spectroscopy of InAlAs/InGaAs single-quantum-well structure with high concentration of electron traps in InAlAs layers / Brounkov P.N., Benyattou Т., Guillot G., Clark S.A. // J. Appl. Phys. 1995. -vol. 77, N 1. — p. 240-243.

41. Соболев, M.M. Исследования захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней / Соболев М.М., Кочнев И.В., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2001. - Т. 35, вып. 10.-С. 1228-1233.

42. Зубков, В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона / Зубков В.И. // ФТП. — 2006. — Т. 40, Вып. 10.-С. 1236-1240.

43. Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции / Зубков В.И. // ФТП. — 2007. — Т. 41, Вып. З.-С. 331-337.

44. Милне, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Милне А., Фойхт Д. Пер. с англ. М.: Мир, 1975. - 432 с.

45. Белявский, В.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в структурах с квантовыми ямами / Белявский В.И., Померанцев Ю.А. // ФТП. 1999. - т. 33, Вып. 4. - с. 451-455.

46. Yablanovitch, Е., Kane, Е.О. // IEEE J. Lightwave Technol. 1986. LT-4,-P. 504.

47. Yablanovitch, E., Kane, E.O. // IEEE J. Lightwave Technol. -1986. LT-4,-P. 961.

48. Tan, I-H. A self-consistent solution of Schrodinger-Poisson equations using a nonuniform mesh / Tan I-H., Snider G.L., Chang L.D., Hu E.L. // J. Appl. Phys. 1990. - Vol. 68, N 8. - P. 4071-4076.

49. Бахвалов, H.C. Численные методы / Бахвалов H.C. М. Наука, 1975.

50. Шелест, А.Е. Микрокалькуляторы в физике / Шелест А.Е. — М.: Наука, 1988.- 190 с.

51. Тревис, Дж. LabVIEW для всех / Тревис Дж. // М.: ДМК Пресс; ПриборКомплект, 2005.

52. Зубков, В.И. Технология виртуальных инструментов в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2001. 66 с.

53. Ландау, Л.Д. Квантовая механика (нерелятивистская теория). В 10 т. Т. 3 / Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. -М.: Наука, 1989. 768 с.

54. Цвелев, Е. О. Диагностика квантовых ям в системе (In,Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / СпбГЭТУ ЛЭТИ. СПб, 2003.-16 с.

55. Воробьев, Л.Е. Оптические свойства наноструктур / Воробьев Л.Е., Ивченко Е.Л., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. СПб.: Наука, 2001. - 188 с.

56. Bugge, F. Effect of strain and growth temperature on In incorporation and properties of high power laser diodes in MOVPE grown (In,Ga)(As,P)/GaAs / Bugge F., Erbert G., Gramlich S., Rechenberg I. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. -N145.-P. 167-170.

57. Kroemer, H. Measurement of isotype heteroj unction barriers by C-V-profiling / Kroemer H., Chien Wu-Yi, J.S. Harris Jr., Edwall D.D. // Appl. Phys. Lett. 1980. - Vol. 36, N 4. - P. 295-297.

58. Johnson, W.C. The influence of Debye length on the C-V measurement of doping profiles / Johnson W.C., Panousis P.T. // IEEE Trans. Electr. Dev. ED-18.-1971.-Vol. 18.-P. 965-973.

59. Wang, W.I. Valence band offset in AlAs/GaAs heterojunctions and the empirical relation for band alignment / Wang W.L, Stern F. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - Vol. 3. - P. 1280-1284.

60. Rao, M.A. Determination of valence and conduction-band discontinuities at the (Ga,In)P/GaAs heterojunction by C-V profiling / Rao M.A., Caine E.J., Kroemer H., Long S.I., Babic D.I. // J. Appl. Phys. 1986. - Vol. 61, N 2. -P. 643-649.

61. Subramanian, S. Measurement of band offset of a strained-layer single quantum well by a capacitance-voltage technique / Subramanian S., Arora B.M., Srivastava A.K., Fernandes G., Banerjee S. // J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 74, N 12.-P. 7618-7620.

62. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Chichester: Wiley, 1999. - 328 p.

63. Heinrichsdorff, F. MOCVD growth and laser applications of In(Ga)As/GaAs quantum dots: dissertation / Heinrichsdorff F. Mensch & Buch, Berlin, 1998.

64. Brubach, J. Coupling of ultrathin InAs layers as a tool for band-offset determination / Brubach J., Silov A.Yu., Haverkort J.E.M., Vleuten W.v.d., Wolter J. H.//Phys. Rev. В.-1999.-Vol. 59.-P. 10315-10326.

65. Соломонов, A.B. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов / Соломонов А.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000. - 134 с.

66. Соболев, М.М. Емкостная спектроскопия глубоких состояний InAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми точками / Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 1999. -Т. 33, вып. 2.-С. 184-193.

67. Брунков, П.Н. Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs / Брунков П.Н., Конников С.Г., Устинов В.М., Жуков А.Е. // ФТП. 1996. - Т. 30. - С. 924-933.

68. Брунков, П.Н. Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au/n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs / Брунков П.Н., Суворова А.А., Берт Н.А., Ковш А.Р. // ФТП. 1998. - Т. 32, Вып. 10.-С. 1229-1234.

69. Tschirner, В.М. Capacitance-voltage profiling of quantum well structures / Tschirner B.M., Morier-Genoud F., Martin D., Reinhart F.K. // J. Appl. Phys. 1996. - Vol. 79. - P. 7005-7009.

70. Zubkov, V.I. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. // J. of Physics: Condens. Matter. 2005. -Vol. 17.-P. 2435-2442.

71. Кузнецова А.Н. Характеризация квантоворазмерных структур нано-электроники неразрушающими методами адмиттанса / Кузнецова А.Н., Ку-черова О.В., Зубков В.И., Соломонов А. В. // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». -2008. №2. С. 7-13.

72. Kapteyn, С.М.А. Electron escape from InAs quantum dots / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff F., Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60, N 20. - P. 1426514268.