Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Зубков, Василий Иванович

• Зубков, Василий Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Зубков, Василий Иванович

Введение

Список условных обозначений

Физические основы адмиттансных методов исследования полупроводников

Зонные диаграммы р-п перехода и барьера Шоттки. Область обеднения полупроводника

Емкость области объемного заряда р-п перехода и барьера Шоттки

Приближение полного обеднения. Малосигнальное приближение

Особенности емкостного профилирования концентрации носителей заряда

Эквивалентные схемы измерений. Учет последовательного сопротивления при анализе вольт-фарадных характеристик

Емкостное профилирование гетеропереходов в полупроводниках

Энергетические зонные диаграммы гетеропереходов Вольт-емкостные характеристики гетеропереходов Определение профиля легирования вблизи изотипного гетероперехода с учетом различия диэлектрической проницаемости слоев

Проблема измерения разрыва энергетических зон в гетеропереходах

Теоретические модели расчета разрыва энергетических

Определение разрыва энергетических зон и встроенного на гетерогранице заряда в изотипных гетеропереходах из емкостных характеристик

Численное решение уравнения Пуассона для изотипного гетероперехода

Автоматизированная установка емкостной спектроскопии Учет аппаратной функции емкостного спектрометра Экспериментальные результаты по емкостному профилированию изотипных гетеропереходов p-Alo.2Gao.8As/p-Alo.5Gao.5As

Контроль качества гетерограниц методом вольт-фарадного профилирования

Математическое моделирование вольт-фарадных характеристик гетеро структур с квантовыми ямами Обзор аналитических моделей

Численные методы моделирования вольт-фарадных характеристик с учетом реального вида потенциала квантовой ямы

Моделирование вольт-фарадных характеристик гетерост-руктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона Расчет концентрации носителей заряда Расчет распределения электростатического потенциала Моделирование вольт-фарадных характеристик наноструктур с широкой квантовой ямой Построение вольт-фарадной зависимости Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом вольт-фарадных характеристик

Состояние дел по определению разрывов энергетических зон в наногетероструктурах

Обоснование использования метода вольт-фарадного профилирования для диагностики гетероструктур с квантовыми ямами. Субдебаевское разрешение Особенности гетероструктур с напряженными квантовыми ямами

Подготовка образцов наногетероструктур с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs для вольт-фарадных измерений Контроль качества исследуемых структур Вольт-фарадные характеристики гетероструктур с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs

Характеризация параметров электронного спектра гетероструктур с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs по данным вольт-фарадных измерений

Уровни квантования, волновые функции и концентрация носителей заряда в подзонах квантования

Экспериментальное определение величины разрыва зон в напряженных квантовых ямах InxGaixAs/GaAs Оценка влияния упругих напряжений на изменение ширины запрещенной зоны тонкого слоя InGaAs на GaAs Вольт-фарадные характеристики структур с самоорганизующимися квантовыми точками InAs/GaAs Особенности гетероструктур с напряженными квантовыми точками

Автоматизированная установка вольт-фарадных характеристик гетероструктур с самоорганизующимися КТ

InAs/GaAs

Образцы для адмиттансных исследований квантовых точек InAs/GaAs

Вольт-фарадные измерения структур с самоорганизующимися квантовыми точками InAs/GaAs Профилирование концентрации основных носителей заряда из анализа вольт-фарадных характеристик квантовых точек

Особенности наблюдаемых концентрационных профилей квантовых точек. Связь с геометрическим положением слоя КТ

Расчет заряда в квантовой точке

Проблемы математического анализа результатов стационарной емкостной спектроскопии квантовых точек Метод температурной спектроскопии адмиттанса Физические основы комплексной проводимости полупроводников

Расчет емкости и проводимости, связанных с глубокими ловушками

Зависимость СТ и GT от температуры и частоты Общее выражение для емкости

Определение разрыва зон на гетеропереходе динамическими методами адмиттанса

Термоэмиссионная модель с учетом структуры подзон квантования

Измерения 5-легированных квантовых ям на основе Si Интерпретация результатов спектроскопии проводимости Разрывы энергетических зон

Глубокие уровни в объеме полупроводника Вымораживание основной примеси

За пределами малосигнального приближения. Общая модель адмиттанса обратно смещенного диода Шоттки Измерения спектров проводимости самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs

Определение плотности энергетических состояний самоорганизующихся квантовых точек по спектрам проводимости

Исследование спектров проводимости наногетерострук-тур со смачивающими слоями InAs/GaAs Расчет энергии активации носителей заряда из квантовых ям смачивающих слоев InAs/GaAs

Эффект уширения спектров проводимости самоорганизующихся квантовых точек

Диаграммы Коула-Коула самоорганизующихся квантовых точек

Измерение переходных процессов эмиссии и захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся КТ Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs Спектроскопия DLTS захвата Метод селективной DLTS

Определение параметров непрерывного распределения плотности энергетических состояний методом тихоновской регуляризации Заключение Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур»

Стремительное развитие нанотехнологии, наблюдающееся в последние полтора десятилетия, привело к появлению нового направления полупроводниковой электроники - наноэлектроники, которая характеризуется переходом к использованию наноструктур с пониженной размерностью, содержащих квантовые ямы, квантовые нити и квантовые точки. В этой связи достаточно остро встает вопрос о диагностике нанообъектов, размеры которых измеряются единицами или десятками атомных слоев.Непрерывный технологический прогресс требует разработки адекватных современных методов анализа таких наноразмерных структур, а также совершенствования существующих методов контроля. В этом направлении акцент в последнее время, в основном, лежал в области разработки методов визуализации нанообъектов с использованием различных модификаций электронной микроскопии (сканирующая электронная микроскопия S E M , просвечивающая ТЕМ, S T E M и т.п.).Помимо контроля морфологической структуры, для полупроводникового прибора, очевидно, решающее значение имеет диагностика его электронной системы. К основным электрофизическим параметрам гетроструктур, требующим контроля, относятся: распределение концентрации легирующей примеси и основных носителей заряда, положение энергетических уровней квантования, качество гетерограниц, разрыв энергетических зон на гетерогранице, распределение плотности энергетических состояний и др.В настоящей работе развиваются адмиттансные методы исследования и характеризации квантово-размерных гетероструктур, опирающиеся на математическое моделирование и компьютерную обработку данных автоматизированного эксперимента. Адмиттансная спектроскопия (спектроскопия полной проводимости) является, по существу, количественной методикой, носит неразрушающий характер и потенциально имеет богатые возможности для характеризации зарядового состояния приборов, но до начала настоящих исследований практика ее применения для наногетероструктур ограничивалась, за редким исключением, лишь эмпирическим анализом экспериментальных данных. Отсутствовало детальное понимание теоретических основ адмиттанса квантово-размерных структур, не было проведено систематических исследований актуальных материалов и структур наноэлектроники.В основе развиваемого в данной работе нового научного направления - спектроскопии адмиттанса наногетероструктур - лежит численное моделирование результатов измерений с учетом квантово-механических эффектов, присущих рассматриваемым объектам. С этой целью развита, в частности, теория стационарной емкостной спектроскопии легированных гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ), учитывающая размерное квантование носителей заряда в яме и реальный вид потенциальной энергии вблизи КЯ в легированном полупроводнике, а также теория неоднородного уширения плотности энергетических состояний самоорганизующихся квантовых точек.Комплексное применение всех адмиттансных методик (под комплексом методов будем понимать измерения емкости и проводимости структуры в различных режимах в зависимости от приложенного смещения, частоты и температуры) в рамках автоматизированной системы с последующим моделированием и подгонкой позволяет определять основные электронные свойства наногетероструктур, в частности, такие важнейшие из них, как разрыв энергетических зон на гетерогранице, положение уровней квантования и плотность энергетических состояний.Интенсивное использование математических методов обработки и анализа экспериментальных данных мы рассматриваем как принципиальный момент для современной спектроскопии адмиттанса. Дело в том, что в отличие, например, от электронно-зондовых или оптических измерений, адмит8 тансные измерения сами по себе не обладают высокой локальностью. Поэтому наличие адекватной математической (а в случае с наноструктурами и квантово-механической) модели является решающим условием для получения прецизионного качественного результата.Приведенные результаты получены автором за примерно двадцатилетний период работы на кафедре микроэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ». В связи с этим следует отметить, что большая часть работы посвящена исследованиям гетероструктур емкостными методами. Причина этого заключается в имевшейся в распоряжении исследователей аппаратуры для проведения измерений. Фактически, начало адмиттансной спектроскопии в ее современном понимании связывается с появлением многофункциональных широкодиапазонных измерителей R L C типа НР4279 (впоследствии НР4284) фирмы «Hewlett-Packard», позволивших выполнять прецизионные измерения в широком интервале частот (от сотен герц до единиц мегагерц). Существовавшие прежде емкостные измерители работали, как правило, на одной частоте (типа мостов Boonton или отечественных серии МЦЕ), что и определяло выбор палитры измерений [1 - 5]. Отметим исторически метод термостимулированного тока (ТСТ) [2], который также можно рассматривать в качестве одного из предшественников адмиттансной спектроскопии. Однако приборы ТСТ не могли работать при различных частотах, что существенно ограничивало исследовательские возможности метода и делало анализ его спектров довольно субъективным.Основными объектами исследований в работе являлись полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений А"^В^ включающие гетеропереходы А1хОа1.хА8/А1уОа1.уА8, квантовые ямы ТПхОа^хАз/ОаАз, самоорганизующиеся квантовые точки 1пА8/ОаА8 и ТпОаАз/ОаАз, смачивающие слои квантовых точек 1пА8/ОаА8. С целью демонстрации возможностей разрабо9 тайных методик часть экспериментов была проведена на множественных квантовых ямах в системе 1пОаМ/АЮаК. Несмотря на то, что полупроводники А^В^ и их твердые растворы рассматриваются в качестве базового материала опто- и наноэлектроники, ряд параметров, определяющих характеристики приборов на их основе, не установлен с требуемой степенью точности. В частности, практически для всех соединений данной группы (за исключением системы ОаА8/А1А8) до сих пор нет достоверных сведений о величине разрыва энергетических зон на гетерогранице. Причина этого кроется в отсутствии методов прецизионного ее измерения. Вместе с тем разрыв зон является ключевым параметром, определяющим работу приборов на полупроводниковых гетероструктурах.Особый интерес представляет гетеросистема на основе твердых растворов ТпОаАз/ОаАз. В настоящее время эта система активно используется для создания мощных лазеров на основе напряженных квантовых ям и квантовых точек, формирование которых происходит благодаря явлению самоорганизации. Такие приборы служат для генерации излучения в области ближнего инфракрасного диапазона и уже широко применяются в волоконнооптических линиях связи. Создание комплексной системы диагностики таких наноматериалов и структур для управления их электронным спектром является актуальной задачей наноэлектроники.Целью работы являлась разработка и развитие методов спектроскопии адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур с учетом квантоворазмерных эффектов для характеризации их электрофизических параметров, создание системы диагностики таких гетероструктур и контроль основных параметров их электронного спектра.Эти иследования направлены также на: - получение прецизионной информации о разрывах энергетических зон в напряженных квантовых ямах на основе твердых растворов Гп^Оа^хАз; - экспериментальное определение плотности энергетических состояний в самоорганизуюн1ихся квантовых точках ТпАз/ОаАз; - изучение механизмов захвата и эмиссии носителей заряда массивом квантовых точек.В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи: 1. Разработка и создание автоматизированной системы адмиттансных исследований полупроводниковых материалов, структур и приборов.2. Разработка новых измерительных методик и программных алгоритмов, расширяющих и оптимизирующих возможности адмиттансной спектроскопии наногетерострукгур.3. Разработка математической модели самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона для расчета вольт-фарадных характеристик полупроводниковых наноструктур, содержащих квантовые ямы.4. Создание программного обеспечения для численного расчета профилей концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах с одиночной квантовой ямой.5. Проведение прецизионных измерений и моделирования вольт-фарадных характеристик полупроводниковых гетероструктур с одиночными квантовыми ямами 1ПхОа1.хА8/ОаА8 во всем диапазоне их псевдоморфного роста с целью установления общих закономерностей в изменении их ключевых электрофизических параметров, в частности, величины разрыва энергетических зон на гетерогранице.6. Создание метода диагностики уширенной плотности энергетических состояний массива самоорганизующихся квантовых точек на основе спек11 троскопии адмиттанса.7. Сравнительная оценка динамических характеристик и способности накапливать заряд массивом квантовых точек и смачивающим слоем самоорганизующихся квантовых точек.8. Обоснование возможностей и создание метода непосредственного наблюдения процесса захвата носителей заряда в массив квантовых точек.Научная новизна работы; 1. Предложена математическая модель, использующая единый квантовомеханический подход при описании энергетического спектра свободных и связанных носителей заряда в области квантовой ямы, позволяющая описывать пространственное распределение носителей заряда в легированных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона.2. Проведено систематическое исследование напряженных квантовых ям в гетероструктурах ГихОа^хАз/СаАз в диапазоне псевдоморфного роста (О < X < 0.29) методом стационарной емкостной спектроскопии. Установлены общие закономерности в поведении электронного спектра в указанной гетеросистеме, в том числе определена зависимость величины разрыва зоны проводимости от состава твердого раствора КЯ.

3. Показана роль связанных, квазирезонансных и свободных носителей заряда в области квантовой ямы при формировании наблюдаемого в вольтфарадных измерениях профиля концентрации носителей заряда наногетероструктуры с квантовой ямой.4. Предложен способ определения плотности энергетических состояний массива самоорганизующихся квантовых точек из анализа спектров проводимости, снятых при различных приложенных смещениях.5. На основе измерений температурных спектров адмиттанса смачивающих слоев самоорганизующихся квантовых точек ГпАз/ОаАз определены па12 раметры их энергетического спектра.6. С помощью нестационарной емкостной спектроскопии зарегистрированы переходные процессы захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек. Предложен и реализован новый метод - метод ВЬТ8 захвата.Практическая ценность работы заключается в углублении существующих представлений о фундаментальных свойствах электронных квантоворазмерных состояний в наногетероструктурах, являющихся базовыми либо перспективными при производстве приборов современной опто- и наноэлектроники, а также рассматривающихся в качестве ключевых полупроводниковых структур для будущих приборов одноэлектроники и спинтроники.Разработана система диагностики полупроводниковых гетероструктур (гетеропереходов, квантовых ям и квантовых точек) по результатам адмиттансных измерений, выполненных в стационарных и нестационарных режимах при различных приложенных напряжениях, частотах и температурах, позволяющая определять основные параметры их электронного спектра.Создано программное обеспечение, позволяющее моделировать электрофизические характеристики гетероструктур, содержащих объекты низкой размерности.Получены количественные зависимости по разрыву зоны проводимости от состава твердого раствора напряженных квантовых ям в гетеросистеме ТПхОаьхАз/ОаАз (О < х < 0.3), необходимые при разработке высокоэффективных приборов опто- и наноэлектроники с заданными параметрами.Получены количественные данные о величине заряда, аккумулируемого массивом квантовых точек и смачивающим слоем самоорганизующихся квантовых точек в зависимости от температуры. предложен метод непосредственного определения динамических характеристик процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек ХпАз/ОаАз, что важно для разработки нового поколения запоминающих устройств на квантовых точках.Научные положения, выносимые на защиту; 1. Методы спектроскопии адмиттанса, к которым относятся стационарный метод вольт-фарадных характеристик, частотная спектроскопия проводимости и нестационарная емкостная спектроскопия переходных процессов эмиссии и захвата, являются эффективным средством характеризации наногетероструктур. Их комплексное использование совместно с математическим моделированием дает прецизионную количественную информацию об основных электрофизических параметрах гетеропереходов, квантовых ям и массивов квантовых точек с чувствительностью 10 см" по концентрации, разрешением до 5 мэВ по энергии и 1 нм по координате.2. Численное моделирование экспериментальных вольт-фарадных характеристик на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона позволяет определять основные параметры легированных полупроводниковых наногетероструктур, содержащих квантовые ямы, а именно: глубину ямы, профиль легирующей примеси и основных носителей заряда, пространственное распределение потенциала и электрического поля, величину разрыва энергетических зон на гетерограницах, энергию уровней размерного квантования и соответствующие им волновые функции.3. Разрыв энергетических зон на гетерогранице полупроводниковой пары определяется технологией выращивания гетероперехода, толщиной гетерослоев и рассогласованием периодов решеток. Для практически используемых напряженных квантовых ям в гетеросистеме 1ПхОа1.хА8/ ОаАз с содержанием 1п от 6.5 до 29% зависимость величины разрыва зоны про14 водимости от состава твердого раствора описывается квадратичной функцией вида А^'с = 0.85х - О.Зх^ с погрептностью не более 15 мэВ для предельного состава по индию.4. Измерение температурных спектров проводимости в интервале частот позволяет непосредственно определить распределение плотности энергетических состояний массива квантовых точек, а с помощью численного моделирования получить параметры уширения. Для самоорганизующихся КТ ГпЛз/ОаЛз распределение плотности состояний близко к Гауссовому, что объясняется эффектом неоднородного уширения вследствие флуктуации размеров, геометрии и состава отдельных точек.5. Ультратонкие смачивающие слои самоорганизующихся квантовых точек играют роль квантовой ямы и могут эффективно накапливать носители заряда. При низких температурах смачивающие слои способны аккумулировать заряд, по величине сопоставимый с зарядом массива квантовых точек.6. Нестационарная емкостная спектроскопия переходных процессов захвата носителей заряда позволяет измерять процесс захвата носителей в квантовую точку и определять динамические характеристики этого процесса.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Зубков, Василий Иванович

Основные результаты опубликованы в следующих статьях:

1. Зубков, В.И. Автоматизированная установка для емкостных исследований полупроводников на базе МЦЕ-13АМ / Зубков В.И., Соломонов А.В. // Изв. Ленингр. электротехн. ин-та им. В.И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ": сб. научн. тр. - Л. - 1986. - Вып. 365. Материалы и элементы оптоэлектроники. -С. 97-100.

2. Зубков, В.И. Глубокий донорный уровень в твердом растворе GaAsixPx / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // Письма в ЖТФ. - 1987. -Т.13, N 14. - С.847-848.

3. Зубков, В.И. Об определении параметров глубоких центров в полупроводниках по спектрам НЕСГУ / Зубков В.И., Соломонов А.В., Тодоров М.Т. // ФТП. - 1987. - Т. 21, Вып. 9. - С. 1734-1736.

4. Зубков, В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: Донорный уровень в GaAsi„xPx / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // ФТП. - 1989. - Т. 23, Вып. 1. - С.64-67.

5. Зубков, В.И. Исследование глубоких уровней в твердых растворах GaAsi. ХРХ, легированных медью, методами нестационарной емкостной спектроскопии / Зубков В.И., Ким Ха Ен, Соломонов А.В. // Известия ЛЭТИ: сб. научн. тр. - Л.: ЛЭТИ. - 1990. - Вып. 420. Материалы для фотоприемников и излучающих устройств. - С. 6-10.

6. Зубков, В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых твердых растворах: Метод определения функции плотности состояний / Зубков В.И., Ким Ха Ен, Копылов А.А., Соломонов А.В.//ФТП. - 1991. -Т. 25,Вып. 12. - С. 2163-2167.

7. Зубков, В.И. Анализ уширения спектров нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в твердых растворах А3В5 / Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. // Изв. С.-Петербургского государственного электротехн. ун-та "ГЭТУ": Сб. научн. тр. - С.-Пб, 1995. - Вып. 488. -С. 32-38.

8. Зубков, В.И. Определение параметров гетеропереходов из емкостных измерений / В.И. Зубков, А.О. Мартынова, М.А. Мельник, А.В. Соломонов // Изв. С.-Петербургского государственного электротехн. ун-та "ТЭТУ": Сб. научн. тр. - С.-Пб, 1996. - Вып. 495. - С. 54-58.

9. Melnik, М.А. Detennination of valence-band offset of p-GaxAli-xAs/p-GaxAl]. xAs - heterojunctions from C-V-measurements / M.A. Melnik, A.N. Pikhtin,

A.V. Solomonov, V.I. Zubkov, F. Bugge // Inst. Phys. Conf. Ser. N 155: Chapt. 12. - IOP Publ. Ltd., 1997. - P. 977-980.

10.Melnik, M.A. Capacitance-voltage profiling of heterostructures with quantum wells at different temperatures / M.A. Melnik, A.N. Pikhtin, A.V. Solomonov, V.I. Zubkov, F. Bugge // Nanostructures: Physics and technology: Proc. of Int. Symp., St. Petersburg, Russia, June 23-27, 1997. - St. Petersburg, 1997. - P. 263-266.

11.Зубков, В.И. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода / В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов // ФТП. - 1998. - Т. 32, N 1. - С. 61-62.

12.Зубков, В.И. Использование технологии виртуальных инструментов для решения обратных задач емкостной спектроскопии полупроводников /

B.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов, Е.О. Цвелев // Мягкие вычисления и измерения: сборник докл. II Междунар. конф., г. С.-Петербург, 25-28 мая 1999 г. - С.-Петербург, 1999. - С. 57-58.

B.Solomonov, A.V. Regularization of broadened spectra of deep level transient spectroscopy / A.V. Solomonov, V.I. Zubkov // Soft computing and measurements: Proc. of II Int. Conf., St.-Petersburg, 1999. - St.-Petersburg, 1999. - P. 108-109.

14.Зубков, В.И. Регуляризационное определение функции плотности состояний глубоких центров в полупроводниках / Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. // Математические методы в технике и технологиях: сборник трудов 12-й Междунар. научн. конф., г. Новгород Великий, 1-4 июня 1999 г. - Новгород, 1999. - Т.5. - С. 105-106.

15.Цвелев, Е.О. Автоматизированная установка емкостных исследований на основе виртуального инструмента LABVIEW / Цвелев Е.О., Зубков В.И., Соломонов А.В. // Математические методы в технике и технологиях: сборник трудов 12-й Междунар. научн. конф., г. Новгород Великий, 1-4 июня 1999 г. - Новгород, 1999. - Т. 5. - С. 110-111.

16.3убков, В.И. Исследование ультратонких слоев с квантовыми ямами InGaAs/GaAs вольт-фарадным методом / Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В., Бугге Ф. // Тонкие пленки в электронике: материалы X Междунар. симпозиума, г.Ярославль, 20-25 сент. 1999 г. - Ярославль, 1999. -Ч. 2, С. 333-336.

17.Зубков, В.И. Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотипных гетеропереходах p-AlxGai.xAs//?-AlxGaixAs из C-V-измерений / Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В., Пихтин А.Н., Бугге Ф. // ФТП. - 1999. - Т. 33, Вып. 8. - С.940 - 944.

18.Solomonov, A.V. A regularization algorithm for the determination of the deep center density-of-states function by DLTS spectra / A.V. Solomonov, V.I. Zubkov // Physikalisch-Technische Bundesanstalt Bericht IT-7. - Braunschweig und Berlin, 1999. - P. 189-203.

19.Zubkov, V.I. Direct observation of two-level electronic emission from QDs InAs/GaAs by means of C-V and admittance spectroscopy / V.I. Zubkov, A. V. Solomonov // Nanostructures: Physics and Technology: Proc. of 9th Int. Symp., St. Petersburg, Russia, June 18-22, 2001. - St. Petersburg. - P. 244-247.

20.Зубков, В.И. Применение процедуры самосогласования для решения обратной задачи стационарной емкостной спектроскопии квантовых ям / Зубков В.И., Соломонов А.В., Цвелев Е.О. // IV Междунар. конф. по мягким вычислениям и измерениям: сборник докл., г.С.-Петербург, 25-27 июня 2001 г. - С.-Петербург, 2001. - С.137-138.

21.Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методами емкостной спектроскопии / В.И. Зубков, А.В. Соломонов // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: труды III Междунар. науч. конф., г.Кисловодск, 14-19 сент. 2003 г. - Ставрополь, СевКавГТУ, 2003.-С. 151-153.

22.Zubkov, V.I. Inhomogeneous broadening of admittance spectra in self-organized quantum dots / V.I. Zubkov, A.Yu. Rumyantsev, A.V. Solomonov // Nanostructures: Physics and Technology: Proc. of 12th Int. Symp., St. Petersburg, Russia, 21-25 June, 2004. - St Petersburg, Ioffe Institute, 2004. - P. 266267.

23.Zubkov, V.I. Determination of band offsets in strained InGaAs/GaAs quantum wells by C-V-profiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation / V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Wey-ers, G. Trankle // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 70, N 7. - P.075312(l - 8).

24.Зубков, В.И. Моделирование и характеризация напряженных квантовых ям InGaAs/GaAs / В.И. Зубков, А.В. Соломонов // Высокие технологии в промышленности России: материалы X Междунар. науч.-техн. конф., г.Москва, 9-11 сент. 2004 г. - Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2004. -С. 50-55.

25.Зубков, В.И. Моделирование уширенных спектров проводимости гетероструктур с самоорганизующимися квантовыми точками / В.И. Зубков, А.Ю. Румянцев, А.В. Соломонов // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: труды IV Междунар. науч. конф., г.Кисловодск, 19-24 сент. 2004 г. - Ставрополь, СевКавГТУ, 2004. - С. 212-215.

26.Зубков, В.И. Определение разрывов энергетических зон в напряженных квантовых ямах / Зубков В.И., Кучерова О.В., Кузнецова А.Н. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды VI Междунар. конф., г. Сочи, 2004 г. - Ульяновск, 2004. - С.43.

27.Зубков, В.И. Влияние самоорганизации на вид спектров проводимости квантовых точек / Зубков В.И., Румянцев А.Ю., Шулгунова И.С. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды VI Междунар. конф., г.Сочи, 2004 г. - Ульяновск, 2004. - С.45.

28.Зубков, В.И. Анализ спектров проводимости самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs / В.И. Зубков II Вестник Новгородского гос. университета. Сер. Технические науки. - 2004. - № 28. - С. 51-53.

29.Зубков, В.И. Емкостная диагностика наногетероструктур / В.И. Зубков, О.В. Кучерова, А.В. Соломонов, Е.О. Цвелев, F. Bugge // Нанофизика и наноэлектроника: материалы IX Симпозиума, Нижний Новгород, 25 - 29 марта 2005 г. - Нижний Новгород, 2005. - Т. 2. - С. 354-355.

30.Зубков, В.И. Исследование уширенных спектров проводимости самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs / В.И. Зубков II Нанофизика и наноэлектроника: материалы IX Симпозиума, Нижний Новгород, 25 - 29 марта 2005 г. - Нижний Новгород, 2005. - Т. 2. - С.356-357.

31.Zubkov, V.I. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / V.I. Zubkov, C.M.A. Kap-teyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg // J. of Physics: Condens. Matter. - 2005. -Vol. 17.-P. 2435-2442.

32.Zubkov, V.I. Strained quantum well InGaAs/GaAs characterization by capacitance techniques / V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, A.N. Kuznetsova // Physics of Electronic Materials: 2nd Int. Conf. Proc., Kaluga, Russia, 24-27 May, 2005. -Kaluga, KSPU Press, 2005. - Vol. 2. - P.243-246.

33.Zubkov, V.I. Admittance technique for energy state determination in quantum dot heterostructures / V.I. Zubkov, A.Yu. Rumyantsev, I.S. Schulgunova, A.V. Solomonov // Physics of Electronic Materials: 2nd Int. Conf. Proc., Kaluga, Russia, 24-27 May, 2005. - Kaluga, KSPU Press, 2005. - Vol. 2. - P.284-287.

34.Шулгунова, И.С. Решение обратной задачи DLTS для массива самоорганизующихся квантовых точек / Шулгунова И.С., Зубков В.И., Соломонов

A.В. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды VII Междунар. конф. - Ульяновск, УлГУ, 2005. - С.62.

35.Зубков, В.И. Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек / В.И. Зубков, И.С. Шулгунова, А.В. Соломонов, М. Geller, A. Marent, D. Bimberg, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, В.М. Устинов // Нанофизика и наноэлектроника: материалы X симпозиума, г.Нижний Новгород, 13-17 марта 2006 г. - Нижний Новгород, 2006.- Т.2. - С. 326-327.

36.Зубков, В.И. Диагностика наногетероструктур емкостными методами /

B.И. Зубков, А.В. Соломонов // Наука, образование и общество в XXI веке: материалы Междунар. науч.-техн. конф., г.Санкт-Петербург, 15 июня 2006 г. - Санкт-Петербург, 2006. - С. 113-117.

37.Зубков, В.И. Диагностика наногетероструктур методами емкостной спектроскопии / В.И. Зубков, А.В. Соломонов // Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы; Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. -М.: Физматлит, 2006. - С. 389-412.

38.Кучерова, О.В. Влияние механических деформаций на изменение параметров гетероструктур с одиночными квантовыми ямами InGaAs/GaAs /

О.В. Кучерова, В.И. Зубков // Известия вузов России. Сер. Радиоэлектроника. - 2006. - Вып. 1. - С. 54-61.

39.Marent, A. Carrier capture into self-organized InGaAs quantum dots / A. Marent, M. Geller, V.I. Zubkov, I.S. Shulgunova, A.V. Solomonov, D. Bim-berg // Nanostructures: Physics and Technology: Proc. 14th Int. Symp., St Petersburg, 26-30 June, 2006. - St Petersburg, 2006. - P. 152-153.

40.Зубков, В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона / В.И.Зубков // ФТП. - 2006. - Т. 40, Вып. 10. - С. 1236-1240.

41.Шулгунова, И.С. Оценка динамических и энергетических параметров гетероструктур с квантовыми точками на основе анализа переходных процессов захвата носителей заряда / И.С.Шулгунова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов // Высокие технологии в промышленности России: материалы XII Междунар. науч.-техн. конф., г.Москва, 7-9 сент. 2006 г. - Москва, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006.- Т.1. - С. 317-320.

42.Зубков, В.И. Емкостная спектроскопия - эффективный метод нанодиагностики квантово-размерных структур / В.И. Зубков // Петербургский журнал электроники. - 2006. - № 4. - С. 52-61.

43.Geller, М. Hole capture into self-organized InGaAs quantum dots / M. Geller, A. Marent, E. Stock, D. Bimberg, V.I. Zubkov, I.S. Shulgunova, A.V. Solomonov // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 89. - P. 232105(1-3).

44.Зубков, В.И. Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs / В.И. Зубков, И.С. Шулгунова, А.В. Соломонов, М. Geller, A. Marent, D. Bimberg, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, В.М. Устинов // Известия РАН. Серия физическая. -2007.-Т. 71, №1.-С. 111-113.

45.Кучерова, О.В. Комплексное исследование гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN емкостными методами/ О.В. Кучеро

Сформулируем в заключение основные выводы из диссертационной работы:

1. Проведена классификация методов спектроскопии адмиттанса. Все измерительные методы условно могут быть разделены на: статические (метод вольт-фарадных характеристик), динамические (температурные спектры емкости и проводимости), нестационарные (изотермическая релаксация и емкостная спектроскопия переходных процессов, или DLTS).

2. Развит вольт-фарадный метод определения электрофизических параметров гетероструктур. Проведена оценка пространственного разрешения вольт-фарадного метода; продемонстрирована способность адмиттансной спектроскопии уверенно регистрировать концентрацию основных носите

12 3 лей заряда не хуже 3- 10 см".

3. Проведен анализ наблюдаемого профиля концентрации основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода. Предложен способ восстановления реального концентрационного профиля на основе итерационной процедуры с учетом различной величины диэлектрической проницаемости материала по разные стороны гетерограницы.

4. Для определения величины разрыва зон на одиночном гетеропереходе и встроенного в гетеропереход заряда выполнено моделирование C-V-характеристик путем численного решения уравнения Пуассона. С этой целью создана оригинальная программа расчета, результатом работы которой является распределение по глубине гетероструктуры электростатического потенциала, концентрации свободных носителей заряда и электрического поля в зависимости от приложенного напряжения.

5. С помощью вольт-фарадного профилирования изучались изотопные гетеропереходы AlxGaixAs/AlyGaiyAs различных составов и различной технологии выращивания. Продемонстрировано, что вольт-фарадное профилирование позволяет объективно и быстро количественно охарактеризовать качество гетероперехода, однородность структур по площади пластины и определить основные электрофизические параметры гетероструктуры.

6. Предложена модель описания легированных полупроводниковых гетероструктур, содержащих объекты низкой размерности, на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона. Отличительной особенностью модели является применение последовательного квантово-механического подхода при описании спектра связанных, квазирезонансных и свободных носителей заряда в области квантовой ямы.

7. Разработано программное обеспечение, позволяющее проводить моделирование вольт-фарадных характеристик полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами и определять основные электрофизические параметры квантовых ям.

8. Численное моделирование экспериментальных вольт-фарадных характеристик на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона и последующая подгонка к эксперименту позволяет определять основные параметры легированных полупроводниковых наногетеро-структур, содержащих квантовые ямы: истинный и "наблюдаемый" профили концентрации основных носителей заряда вблизи КЯ, пространственное распределение потенциала и электрического поля, величину разрыва энергетических зон на гетерограницах, энергию связанных и квазирезонансных энергетических уровней размерного квантования в яме и соответствующие им волновые функции, концентрацию носителей заряда в соответствующих подзонах квантования.

9. Изготовлены образцы специального дизайна и проведено систематическое исследование напряженных квантовых ям в гетероструктурах InxGaixAs/ GaAs в диапазоне псевдоморфного роста (0 < х < 0.29) методом стационарной емкостной спектроскопии. Показано, что квантовая яма шириной порядка 1 нм уверенно разрешается в C-V профилировании. Определены основные характеристики наноструктур с одиночными КЯ на основе гете-росистемы InxGaixAs/GaAs для ряда составов в диапазоне 0.065 < 0.29.

10.Показана роль связанных, квазирезонансных и свободных носителей заряда в области квантовой ямы при формировании наблюдаемого в вольт-фарадных измерениях профиля концентрации носителей заряда наногете-роструктуры с квантовой ямой.

11. Определена композиционная зависимость величины разрыва зоны проводимости напряженных квантовых ям в системе InxGaixAs/GaAs в диапазоне составов псевдоморфного роста слоя твердого раствора от 6.5 до 29% по In, которая описывается квадратичной функцией от состава: АЕС -0.85л: - О.Зх с погрешностью определения АЕС равной 5. 15 мэВ.

12.Обнаружено, что в области азотных температур экспериментальные вольт-фарадные характеристики гетероструктур с самоорганизующимися квантовыми точками InAs/GaAs имеют два плато, что дает два пика в зависимости наблюдаемой концентрации основных носителей заряда от координаты. Два пика в концентрационной зависимости интерпретируются как принадлежащие основному и группе возбужденных электронных состояний в квантовых точках.

13.Наблюдаемое в C-V измерениях квантовых точек явление несоответствия между истинным и измеренным в C-V-профилировании геометрическим положением массива КТ позволяет получить количественную информацию об энергетических положениях уровней квантования в КТ.

14.Предложен метод определения величины заряда в квантовых точках посредством интегрирования площади под концентрационной зависимостью. Установлено, что при низких температурах на одну квантовую точку может приходиться до 10 электронов.

15.Выполнены детальные измерения спектров проводимости наноструктур с самоорганизующимися квантовыми точками InAs/GaAs. Наблюдающиеся в спектрах пики ассоциируются с эмиссией носителей заряда с основного и группы возбужденных энергетических состояний массива КТ.

16.Предложен оригинальный метод определения плотности состояний массива самоорганизующихся квантовых точек по спектрам проводимости. По аналогии с "наблюдаемым" профилем концентрации носителей заряда, предлагается рассматривать ее как "наблюдаемую" плотность состояний массива неоднородных квантовых точек.

17.Впервые методом температурной спектроскопии проводимости изучены смачивающие слои квантовых ям, которые выявили независимость положения температурных пиков от смещения на фиксированной частоте, в противоположность измерениям структур с квантовыми точками, что свидетельствует от отсутствии уширения плотности состояний в смачивающих слоях КТ.

18. Определены параметры электронного спектра смачивающих слоев квантовых точек InAs/GaAs, проведено сравнение величины заряда, накопленного в смачивающих слоях и в массиве квантовых точек, охарактеризована роль смачивающих слоев самоорганизующихся квантовых точек как конкурирующего канала захвата носителей заряда.

19.Развит метод диаграмм Коула-Коула применительно к наноструктурам с самоорганизующимися квантовыми точками. Исходя из представления о массиве самоорганизующихся КТ как непрерывном распределении релаксаторов, получена величина уширения плотности состояний массива КТ.

20.С помощью нестационарной емкостной спектроскопии впервые зарегистрированы переходные процессы захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек, получены количественные динамические характеристики этого процесса.

21.Предложен метод - DLTS захвата - для регистрации захвата носителей заряда в массив квантовых точек. Определены условия для его наблюдения аппаратурой адмиттанса.

22.Показано, что с помощью уменьшения амплитуды импульса в методе

DLTS возможно реализовать режим селективной DLTS, при котором тестируются отдельные участки непрерывного распределения плотности энергетических состояний массива самоорганизующихся квантовых точек. Проанализирована степень его селективности.

23.Предложено рассчитывать распределение плотности энергетических состояний в массиве самоорганизующихся квантовых точек путем решения обратной задачи DLTS с Тихоновской регуляризацией.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Зубков, Василий Иванович, 2007 год

1. Берман, Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников / Бер-ман Л.С. Л.: Наука, 1972. - 104 с.

2. Берман, Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Берман Л.С., Лебедев А.А. Л.: Наука, 1981. - 176 с.

3. Зубков, В.И. Автоматизированная установка для емкостных исследований полупроводников на базе МЦЕ-13АМ / Зубков В.И., Соломонов А.В. // Изв. ЛЭТИ. 1986. - Вып. 365. - С. 97-100.

4. Зубков, В.И. Исследование глубоких центров в GaAs!xPx методами нестационарной емкостной спектроскопии: дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.10 / Зубков Василий Иванович. Л, 1987. - 159 с.

5. Соломонов, А.В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов / Соломонов А.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000,- 134 с.

6. Бессонов, Л. А. Теоретические основы электротехники: Электрические цепи / Бессонов Л. А. М.: Высш. школа, 1978.

7. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. Т. 1. / Зи С. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 456 с.

8. Blood, P. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states / Blood P., Orton J.W. Academic Press, London, 1992. - 692 p.

9. Фейнман, P. Фейнмановские лекции по физике: В 9 т. Т. 5. Электричество и магнетизм / Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. // М.: Мир, 1977. -304 с.

10. Hilibrand, J. Determination of the impurity distribution injunction diodes from capacitance voltage measurements / Hilibrand J., Gold R.D. // RCA Rev. - 1960. - Vol. 21. - P. 245-252.

11. Thomas, С.О. Impurity distribution in epitaxial silicon films / Thomas C.O., Kahug D., Manz R.C. // J. Electrochem. Soc. 1962. - Vol. 109. - P. 10551061.

12. Kennedy, D.P. On the measurement of impurity atom distributions by the differential capacitance technique / Kennedy D.P., Murley P.C., Kleinfelder W. // IBM J. Res. Develop. 1968. - Vol.12, N 9. - P. 399-409.

13. Kennedy, D.P. On the measurement of impurity atom distributions by the differential capacitance technique / Kennedy D.P., O'Brien R.R. // IBM J. Res. Develop. 1969.-Vol.13, N3.-P. 212-214.

14. Miller, G.L. Capacitance transient spectroscopy / Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1977. - Vol. 7. - P. 377-448.

15. Кучерова, О.В. Комплексное исследование гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN емкостными методами / Куче-рова О.В., Зубков В.И. // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ", серия "Физика твердого тела и электроника". 2006. - Вып. 2. - С. 36-40.

16. Гольдберг, Ю.А. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость-напряжение поверхностно-барьерной структуры / Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. -1983. Т. 17, Вып. 6. - С. 1068-1072.

17. Константинов, О.В. Вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур Me-GaP / Константинов О.В., Мерзин О.А. // ФТП. 1983. - Т. 17, Вып. 2. - С. 305.

18. Милне, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Милне А., Фойхт Д. Пер. с англ. М.: Мир, 1975. - 432 с.

19. Frensley, W.R. Theory of energy band lineup at an abrupt semiconductor heterojunction / Frensley W.R., Kroemer H. // Phys. Rev. B. 1977. - Vol. 16.-P. 2642-2652.

20. Harrison, W.A. Elementary theory of heterojunctions / Harrison W.A. // J. Vac. Sci. Technol.- 1977.-Vol. 14.-P. 1016-1021.

21. Tersoff, J. Theory of semiconductor heterojunctions: The role of quantum dipoles / Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1984. - Vol. 30. - P. 4874-4877.

22. Алферов, Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего / Алферов Ж.И. // Физика сегодня и завтра. Прогнозы науки. 1973. - С. 61-89.

23. Херман, М. Полупроводниковые сверхрешетки / Херман М. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 240 с.

24. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Шур М. -М.: Мир, 1991.-632 с.

25. Alferov, Zh.I. Semiconductor heterostructures: history and future trends / Alferov Zh.I. // Compound Semiconductor. 1996. - P. 1.

26. Alferov, Zh.I. Semiconductor heterostructures / Alferov Zh.I., Andreev V.M., Ledentsov N.N. // Ioffe Institute. 1918-1998. 1998. - P. 68-100.

27. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В. А. Новосибирск, 2000. - 331 с.

28. Воробьев, JI.E. Оптические свойства наноструктур / Воробьев JI.E., Ивченко E.JL, Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. СПб.: Наука, 2001. - 188 с.

29. Ильин, В.И. Варизонные полупроводники и гетероструктуры / Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. СПб: Наука, 2000. - 100 с.

30. Кгоетег, Н. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V-profiling / Kroemer H., Chien Wu-Yi, J.S. Harris Jr., Edwall D.D. // Appl. Phys. Lett. 1980. - Vol. 36, N 4. - P. 295-297.

31. Зубков, В.И. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода / Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. // ФТП. 1998. -Т. 32, Вып. 1.-С. 61-62.

32. Rimmer, J.S. A new, fast method for the computer simulation of CV profiles in multilayer structures / Rimmer J.S., Missous M., Peaker A.R. // Appl. Surf. Sci.- 1991.-Vol. 50.-P. 149-153.

33. Watanabe, M.O. Band discontinuity for GaAs/AlGaAs heterojunction determined by C-V technique / Watanabe M.O., Yoshida J., Mashita M., Na-kanisi Т., Hojo A. // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 57. - P. 5340-5344.

34. Heterojunction Band Discontinuities: Physics and Device Applications / edited by Capasso F., Margaritondo G. North-Holland, Amsterdam, 1987. -652 p.

35. Lang D.V., in "Heterojunction Band Offsets"/ ed. Capasso F., Margaritondo G. North-Holland, Amsterdam, 1989. - P. 377-396.

36. Yu, E. T. Band offsets in semiconductor heteroj unctions / Yu E. Т., McCaldin J. O., McGill Т. C. // Solid State Physics. 1992. Vol. 46. P. 1-146.

37. Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. -2001.-Vol. 89, N 11.-P. 5815-5875.

38. Katnani, A.D. Commutativity and transitivity of GaAs-AlAs-Ge(lOO) band offsets / Katnani A.D., Bauer RS. // Phys. Rev. B. 1986. - Vol. 33. -P. 1106-1109.

39. Лазаренкова, О.Л. Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле / Лазаренкова О.Л., Пихтин А.Н. // ФТП. 1998. -Т. 32, Вып. 9.-С. 1108-1113.

40. Белявский, В.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в структурах с квантовыми ямами / Белявский В.И., Померанцев Ю.А. // ФТП. 1999. - Т. 33, Вып. 4. - С. 451-455.

41. Кревчик, В.Д. К теории фотоионизации глубоких примесных центров в параболической квантовой яме / Кревчик В.Д., Зайцев Р.В., Евстифеев В.В. // ФТП. 2000. - Т. 34, Вып. 10. - С. 1244-1249.

42. Елисеев, П.Г. Излучение квантово-размерных структур InGaAs: Спектры спонтанного излучения / Елисеев П.Г., Акимова И.В. // ФТП. -1998. Т. 32, Вып. 4. - С. 472-477.

43. Miller, R.C. Energy-gap discontinuities and effective masses for GaAs-A^Ga^As quantum wells / Miller R.C., Kleinman D.A., Gossard A.C. // Phys. Rev. B. 1983. - Vol. 29. - P. 7085-7087.

44. Duggan, G. A critical review of heterojunction band offsets / Duggan G. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. - Vol. 3. - P. 1224-1230.

45. Van de Walle, C.G. Theoretical study of band offset at semiconductor interfaces / Van de Walle C.G., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1987. - Vol. 35. -P. 8154-8165.

46. Van de Walle, C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory / Van de Walle C.G. // Phys. Rev. B. 1989. - Vol. 39, N 3.-P. 1871-1883.

47. Wei, S.-H. Calculated natural band offsets of all II-VI and III-V semiconductors: Chemical trends and the role of cation d orbitals / Wei S.-H., Zunger A. // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 72, N 16. - P. 2011-2013.

48. Pickett, N.E. Self-consistent calculations of interface states and electronic structure of the (100) interfaces of Ge-GaAs and AlAs-GaAs / Pickett N.E., Louie S.G., Cohen M.L. // Phys. Rev. B. 1978. - Vol. 17. - P. 815-828.

49. Arnold, D. Determination of the valence-band discontinuity between GaAs and (Al,Ga)As by the use of /?+-GaAs-(Al,Ga)As-/T-GaAs capacitors / Arnold D., Ketterson A., Henderson Т., Klem J., Morkog H. // Appl. Phys. Lett. 1984. - Vol. 45. - P. 1237-1239.

50. Wang, W.I. Valence band offset in AlAs/GaAs heterojunctions and the empirical relation for band alignment / Wang W.I., Stern F. // J. Vac. Sci. Tech-nol. 1985. - Vol. 3. - P. 1280-1284.

51. Johnson, W.C. The influence of Debye length on the C-V measurement of doping profiles / Johnson W.C., Panousis P.T. // IEEE Trans. Electr. Dev. ED-18.- 1971.-Vol. 18.-P. 965-973.

52. Rao, M.A. Determination of valence and conduction-band discontinuities at the (Ga,In)P/GaAs heterojunction by C-V profiling / Rao M.A., Caine E.J., Kroemer H., Long S.I., Babic D.I. // J. Appl. Phys. 1986. - Vol. 61, N 2. -P. 643-649.

53. Dingle R. Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai„xAs-GaAs-AlxGai.xAs heterostructures / Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. // Phys. Rev. Lett. 1974. - Vol. 33. - P. 827-830.

54. Dingle, R. Direct observation of superlattice formation in a semiconductor heterostructure / Dingle R., Gossard A.C., Wiegmann W. // Phys. Rev. Lett. 1975.-Vol. 34.-P. 1327-1330.

55. Subramanian, S. Measurement of band offset of a strained-layer single quantum well by a capacitance-voltage technique / Subramanian S., Arora B.M., Srivastava A.K., Fernandes G., Banerjee S. // J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 74, N 12.-P. 7618-7620.

56. H. von Wenckstern. Conduction band offset of pseudomorphic InAs/GaAs determined by capacitance-voltage spectroscopy / H. von Wenckstern,

57. Schmidt H., Pickenhain R., Grundmann M. // 26th Int. Conf. Phys. Semi-cond.: Abstracts of the ICPS-26, Edinburgh, Scotland, UK, 29 July 2 August 2002. Edinburgh: Inst, of Physics, 2002. P.

58. Landolt-B6rnstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Vol. 17a // Berlin, Heidelberg, N.Y.: Springer-Verlag, 1982. -348 p.

59. Adachi, S. Lattice thermal resistivity of III-V compound alloys / Adachi S. // }. Appl. Phys. 1983. - Vol. 54, N 4. - P. 1844-1848.

60. Adachi, S. GaAs, AlAs and AlGaAs: Material parameters for use in research and device applications / Adachi S. // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 58, N 3. - P. R1-R29.

61. Adachi, S. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP / Adachi S. New York: Wiley, 1992.-352 p.

62. Самарский, А.А. Методы решения сеточных уравнений / Самарский

63. A.А., Николаев Е.С. М.: Наука, 1978. - 592 с.

64. Самарский, А.А. Введение в численные методы / Самарский А.А. М.: Наука, 1982.-315 с.

65. Марчук, Г. И. Методы вычислительной математики / Марчук Г. И. // М.: Наука, 1980.-536 с.

66. Федоренко, Р. П. Введение в вычислительную физику / Федоренко Р. П. // М.: Изд-во Моск. физ.-техн. ин-та, 1994. 528 с.

67. Цвелев, Е.О. Автоматизированная установка емкостных исследований на основе виртуального инструмента LabVIEW / Цвелев Е.О., Зубков

68. B.И., Соломонов А.В. // Математические методы в технике и технологиях: тезисы 12 Междунар. научн. конф., г. Великий Новгород, 1999 г. -Великий Новгород, 1999.-С. 110-111.

69. Зубков, В.И. Технология виртуальных инструментов в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2001. - 66 с.

70. Тревис, Дж. Lab VIEW для всех / Тревис Дж. // М.: ДМК Пресс; При-борКомплект, 2005.

71. Bugge, R Effect of strain and growth temperature on In incorporation and properties of high power laser diodes in MOVPE grown (In,Ga)(As,P)/GaAs / Bugge F., Erbert G., Gramlich S., Rechenberg I. // Inst. Phys. Conf. Ser. -1996.-N 145.-P. 167-170.

72. Knauer, A. MOVPE growth of (In,Ga)(As,P) for high-power laser diodes / Knauer A., Bugge E, Erbert G., Oster A., Weyers M. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996.-N 145.-P. 171-174.

73. Bugge, F. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells / Bugge F., Zeimer U., Sato M., Weyers M., Trankle G. // J. Cryst. Growth. -1998.-Vol. 183.-P. 511-518.

74. Varshni, Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors / Varshni Y.P. // Physica. 1967. - Vol. 34., N 1 - P. 149-154.

75. Каханер, Д. Численные методы и программное обеспечение / Каханер Д., Моулер К., Нэш С. // Пер. с англ. М.: Мир, 1998.

76. Letartre, X. Analytical calculation of the capacitance assotiated with a single quantum well located in a junction / Letartre X., Stievenard D., Barbier

77. Letartre, X. Accurate determination of the conduction-band offset of a single quantum well using deep level transient spectroscopy / Letartre X., Stievenard D., Barbier E. // Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol. 58, N 10. - P. 10471049.

78. Priester, C. Theoretical calculation of band-edge discontinuities near a strained heterojunction: Application to (In,Ga)As/GaAs / Priester C., Allan G., Lannoo M. // Phys. Rev. В. 1988. - Vol. 38. - P. 9870-9873.

79. Marzin, J.Y. Optical investigation of a new type of valence-band configuration in InxGaixAs-GaAs strained superlattices / Marzin J.Y., Charasse M.N., Sermage B. // Phys. Rev. В. 1985. - Vol. 31. - P. 8298-8301.

80. Stern, F. Electron energy levels in GaAs- Ga.xAlxAs heterojunctions / Stern

81. F., Das Sarma S. // Phys. Rev. B. 1984. - Vol. 30, N 2. - P. 840-847.

82. Yokoyama, К. Monte Carlo study of electronic transport in Al.xGaxAs/GaAs single-well heterostructures / Yokoyama K., Hess K. // Phys. Rev. B. 1986. - Vol. 33, N 8. - P. 5595-5605.

83. Tan, I-H. A self-consistent solution of Schrodinger-Poisson equations using a nonuniform mesh / Tan I-H., Snider G.L., Chang L.D., Hu E.L. // J. Appl. Phys. 1990. - Vol. 68, N 8. - P. 4071-4076.

84. Snider, G.L. Electron states in mesa-etched one-dimensional quantum well wires / Snider G.L., Tan I-H., Hu E.L. // J. Appl. Phys. 1990. - Vol. 68, N 6.-P. 2849-2853.

85. Schubert, E.F. Spatial resolution of the capacitance-voltage profiling technique on semiconductors with quantum confinement / Schubert E.F., Kopf R.F., Kuo J.M., Luftman H.S., Garbinski P. A. // Appl. Phys. Lett. 1990. -Vol. 57. - P. 497-499.

86. Sze, S.M. Physics of semiconductor devices / Sze S.M. 2nd ed. - New York: Wiley, 1981.-880 p.

87. Stern, F. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit / Stern F., Howard W.E. // Phys. Rev. 1967. - Vol. 163. -P. 816-835.

88. Stern, F. Iteration method for calculating self-consistent fields in semiconductor inversion layer / Stern F. 11 J. Сотр. Phys. 1970. - Vol. 6. - P. 5657.

89. Stern, F. Quantum properties of surface space-charge layers / Stern F. // Crit. Rev. Sol. St. Sci. 1974. - Vol. 4, N 3. - P. 499-514.

90. Stern, F. Self-consistent results for я-type Si inversion layers / Stern F. // Phys. Rev. B. 1972. - Vol. 5, N 12. - P. 4891-4899.

91. Зубков, В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона / Зубков В.И. // ФТП. 2006. - Т. 40, Вып. 10.-С. 1236-1240.

92. Шифф, JI. Квантовая механика / Шифф JI. М.: Изд-во иностранной литературы, 1959. - 475 с.

93. BenDaniel, D.J. Space-Charge Effects on Electron Tunneling / Ben-Daniel D.J., Duke C.B. // Phys. Rev. B. 1966. - Vol. 152. - P. 683-692.

94. Бахвалов, H.C. Численные методы / Бахвалов H.C. М. Наука, 1975.

95. Калиткин, Н.Н. Численные методы / Калиткин Н.Н. М.: Наука, 1978.-280 с.

96. Шуп, Т. Решение инженерных задач на ЭВМ / Шуп Т. Пер. с нем. М.: Мир, 1982. - с. 240.

97. Современные численные методы решения обыкновенных дифференциальных уравнений / под ред. Холл Дж., Уатт Дж. Пер. с англ. М.: Мир, 1979.-312 с.

98. Шелест, А.Е. Микрокалькуляторы в физике / Шелест А.Е. М.: Наука, 1988.- 190 с.

99. Ландау, Л.Д. Квантовая механика (нерелятивистская теория). В 10 т. Т. 3 / Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. М.: Наука, 1989. - 768 с.

100. Шик, А .Я. Физика низкоразмерных систем / Шик А .Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. СПб.: Наука, 2001.- 160 с.

101. Abou-Elnour, A. A comparison between different numerical methods used to solve Poisson's and Schroedinger's equations in semiconductor het-erostructures / Abou-Elnour A., Schuenemann K. // J. Appl. Phys. 1993. -Vol. 74. - P. 3273-3276.

102. Hazama, H. Temperature dependence of the effective masses in III-V semiconductors / Hazama H., Sugimasa Т., Imachi Т., Hamaguchi C. // J. Phys. Soc. Jpn. 1986. - Vol. 55. - P. 1282-1293.

103. Adachi, S. GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties / Adachi S. Singapore: World Scientific, 1994. -700 p.

104. Шалимова, K.B. Физика полупроводников / Шалимова К.В. М.: Энергоатомиздат, 1985. - 392 с.

105. Kroemer, Н. Heterostructure devices: A device physicist looks at interfaces / Kroemer H. // Surf. Sci. 1983. - Vol. 132. - P. 543-576.

106. Kroemer, H. Barrier control and measurements: Abrupt semiconductor heterojunctions / Kroemer H. // J. Vac. Sci. Techol. B. 1984. - Vol. 2, N 3. -P. 433-439.

107. Kroemer, H. Band offsets at heterointerfaces: Theoretical basis, and review of recent experimental works / Kroemer H. // Surf. Sci. 1986. -Vol. 174.-P. 299-306.

108. Batey, J. Energy band-gap discontinuities in GaAs:(Al,Ga)As hetero-junctions / Batey J., Wright S.L., DiMaria D.J. // J. Appl. Phys. 1985. -Vol. 57.-P. 484-487.

109. Weyers, M. Epitaxy of high-power diode laser structures / Weyers M., Bhattacharya A., Bugge E, Knauer A. // High-power diode lasers: fundamentals, technology, applications / ed. by Diehl R. Topics Appl. Phys. -2000. - Vol. 78. Chapter 10. - P. 83-120.

110. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Chichester: Wiley, 1999. - 328 p.

111. Ledentsov, N.N. Ordered array of quantum dots: formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing / Ledentsov N.N., Grundmann M., Kristaer N., Shmidt O. // Solid State Electron. 1996. - Vol. 40. - P. 785798.

112. Shchukin, V.A. Epitaxy of nanostructures / Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Heidelberg: Springer, 2003. - 388 p.

113. Устинов, B.M. Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками / Устинов В.М. // ФТП. 2004. - Т. 38, Вып. 8. - С. 963-970.

114. Bimberg, D. Quantum dot photonics: from lasers to networks / Bimberg D. // Proc. of 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, 2003. St.-Petersburg, 2003. - P. 1.

115. Bimberg, D. Quantum dots: lasers and amplifiers / Bimberg D., Ribbat C. // Proc. Int. School of Physics "Enrico Fermi". Amsterdam: IOS Press. -2003.-P. 345-354.

116. Bimberg, D. Quantum dots: lasers and amplifiers / Bimberg D., Le-dentsov N. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - Vol. 15. - P. R1063-R1076.

117. Bimberg, D. Quantum dots: lasers and amplifiers / Bimberg D., Ribbat C. // Microelectronics Journal. 2003. - Vol. 34. - P. 323-328.

118. Bimberg, D. Quantum dots for lasers, amplifiers and computing / Bimberg D. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. - Vol. 38, N 15. - P. 20552058.

119. Hwang, J. Determination of the natural valence-band offset in the InxGa!.xAs system / Hwang J., Pianetta P., Shih C.K., Spicer W.E., Pao Y.-C., Harris J.S. // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51. - P. 1632-1633.

120. Menendez, J. Large valence-band offset in strained-layer InxGaixAs-GaAs quantum wells / Menendez J., Pinczuk A., Werder D.J., Sputz S.K., Miller R.C., Sivco D.L., Cho A.Y. // Phys. Rev. B. 1987. - Vol. 36. -P. 8165-8268.

121. Joyce, M.J. Concentration-dependent band offset in InxGaixAs/GaAs strained quantum wells / Joyce M.J., Johnson M.J., Gal M., Usher B.F. // Phys. Rev. В. 1988.-Vol. 38.-P. 10978-10980.

122. Arent, D.J. Strain effects and band offsets in GaAs/InGaAs strained layered quantum structures / Arent D.J., Deneffe K., Van Hoof C., De Boeck J., Borghs G. // J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 66. - P. 1739-1747.

123. Huang, K.F. Optical studies of InxGaixAs/GaAs strained-layer quantum wells / Huang K.F, Tai K, Chu S.N.G, Cho A.Y. // Appl. Phys. Lett. -1989. Vol. 54. - P. 2026-2028.

124. Gershoni, D. Excitonic transitions in strained-layer InxGai.xAs/GaAs quantum wells / Gershoni D., Vandenberg J.M., Chu S.N.G., Temkin H., Tanbun-Ek Т., Logan R.A. // Phys. Rev. B. 1989. - Vol.40. - P. 1001710020.

125. Niki, S. Band-edge discontinuities of strained-layer bixGa^As/GaAs heterojunctions and quantum wells / Niki S., Lin C.L., Chang W.S.C., Wieder H.H. // Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol. 55.-P. 1339-1347.

126. Hirakava, K. Strain effect on band offsets at pseudomorphic InAs/GaAs heterointerfaces characterized by x-ray photoemission spectroscopy / Hirakava K., Hashimoto Y., Harada K., Ikoma T. // Phys. Rev. B. -1991.-Vol. 44.-P. 1734-1740.

127. Jogai, B. Energy levels of strained InxGaj.xAs/GaAs superlattices / Jogai В., Yu P.W. // Phys. Rev. B. 1990. - Vol. 41. - P. 12650-12658.

128. Jogai, B. Valence-band offset in strained GaAs-InxGaixAs superlattices / Jogai B. // Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol. 59. - P. 1329-1331.

129. Marie, X. Interfacial-band discontinuities for strained layers of InxGa. xAs grown on (100) GaAs / Marie X., Barrau J., Brousseau В., Amand Th., Brousseau M. // J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 69. - P. 812-815.

130. Karunasiri, G. Thermionic emission and tunneling in InGaAs/GaAs quantum well infrared detectors / Karunasiri G. // J. Appl. Phys. 1996. -Vol. 79, N 10.-P. 8121-8123.

131. Zou, Y. Characterization and determination of the band-gap discontinuity of the In^Ga^As/GaAs pseudomorphic quantum well / Zou Y., P. Grodzinski, E. P. Menu, et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol. 58. -P. 601-603.

132. Properties of lattice-matched and strained Indium Gallium Arsenide. Ed. by Bhattacharya P. INSPEC, 1993.

133. Tschirner, B.M. Capacitance-voltage profiling of quantum well structures / Tschirner B.M., Morier-Genoud F., Martin D., Reinhart F.K. // J. Appl. Phys. 1996. - Vol. 79. - P. 7005-7009.

134. Shim, K. Theoretical valence band offsets of semiconductor hetero-junctions / Shim K., Rabitz H. // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 80, N 24. -P. 4543-4545.

135. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под. ред. Ченга Л., Плога К. М.: Мир, 1989. - 584 с.

136. Сорокин, B.C. Методы формирования полупроводниковых сверхрешеток и квантово-размерных структур / Сорокин B.C. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1996. - 68 с.

137. Kroemer, Н. On the theory of Debye averaging in the C-V profiling of semiconductors / Kroemer H., Chien Wu-Yi. // Solid State Electron. 1981. - Vol. 24, N 7. - P. 655-660.

138. Зубков, В.И. Компьютерные технологии в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. СПб: Изд-во СПбГЭ-ТУ "ЛЭТИ", 2006. - 88 с.

139. Зубков, В.И. Диагностика наногетероструктур методами емкостной спектроскопии / Зубков В.И., Соломонов А.В. // Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы; под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. Раздел 3.4 / М.: Физматлит, 2006. С. 389-412.

140. Lii, W. Effect of critical thickness on structural and optical properties ofInxGa,.xN/GaN multiple quantum wells / Lii W., Li D. В., Li C. R., Shen R, Zhang Z. // J. Appl. Phys. 2004. - Vol. 95. - P. 4362-4366.

141. Matthews, J. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations / Matthews J., Blakeslee A. // J. Ciyst. Growth. 1974. - Vol. 27. - P. 118— 125.

142. Matthews, J. Defects in epitaxial multilayers: II. Dislocation pile-ups, threading dislocations, slip lines and cracks / Matthews J., Blakeslee A. // J. Cryst. Growth. 1975. - Vol. 29. - P. 273-280.

143. Matthews, J. Defects in epitaxial multilayers: III. Preparation of almost perfect multilayers / Matthews J., Blakeslee A. // J. Cryst. Growth. -1976.-Vol. 32.-P. 265-273.

144. Kopf, Ch. Physical models for strained and relaxed GalnAs alloys: band structure and low-field transport / Kopf Ch., Kosina H., Selberherr S. // Solid State Electron. 1997. - Vol. 41, N 8. - P. 1139-1152.

145. People, R. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSiix/Si strained-layer heterostructures / People R., Bean J. // Appl. Phys. Lett. 1985. - Vol. 47. - P. 322-324.

146. Shen, W.Z. Absorption spectroscopy studies of strained InGaAs/GaAs single-quantum wells / Shen W.Z., Tang W.G., Shen S.C., Wang S.M., Andersson T. // Appl. Phys. Lett. 1994. - Vol. 65, N 21. - P. 2728-2730.

147. Drozdov, Yu.N. Segregation of Indium in InGaAs/GaAs quantum wells grown by vapor-phase epitaxy / Drozdov Yu.N., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Drozdov M.N., Khrykin O.I., Shashkin V.I. // Semiconductors. 2003. -Vol. 37.-P. 194-199.

148. Шашкин, В.И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе воль-фарадных измерений в процессе электрохимического травления / Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Нефедов И.М. // ФТП. 2001. - Т. 35, Вып. 7. - С. 801-807.

149. Solomonov, А.V. A regularization algorithm for the determination of the deep center density-of-states function by DLTS spectra / Solomonov

150. А.V., Zubkov V.I. // Physikalisch-Technische Bundesanstalt Bericht IT-7. Braunschweig und Berlin. 1999. - P. 189-203.

151. Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa!xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции / Зубков В.И. // ФТП. 2007. -Т. 41, Вып. 3.-С. 331-337.

152. Anderson, N.G. Optical characterization of pseudomorphic InxGai xAs-GaAs single-quantum-well heterostructures / Anderson N.G., Laidig W.D., Kolbas R.M., Lo Y.C. // J. Appl. Phys. 1986. - Vol. 60. - P.2361-2367.

153. Huang, G.Ji.D. Optical investigation of highly strained InGaAs-GaAs multiple quantum wells /Huang G.Ji.D., Reddy U.K., Henderson T.S., Houdre R., Morko? H. // J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 62. - P. 3366-3373.

154. Joyce, M.J. Photoluminescence excitation spectroscopy of as-grown and chemically released Ino.05Gao.95As/GaAs quantum wells / Joyce M. J., Xu Z.Y., Gal M. // Phys. Rev. B. 1991. - Vol. 44, N 7. - P. 3144-3149.

155. Huang, Y.S. Temperature dependence of the photoreflectance of a strained layer (001) Ino.21Gao.79As/GaAs single quantum well / Huang Y.S.,

156. Qiang H, Pollak F.H, Pettit G.D, Kirchner P.D, Woodall J.M, Stragier H. Sorensen L.B. // J. Appl. Phys. 1991. - Vol.70. - P. 7537-7542.

157. Reddy, U.K. Interband transitions in InxGaixAs/GaAs strained layer superlattices / Reddy U.K., Ji G, Henderson T, Huang D, Houdre R, Morkog H, Litton C.W. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. - Vol. 7. - P. 11061110.

158. Reithmaier, B.J.-P. Confinement of light hole valence-band states in pseudomorphic InGaAs/Ga(Al)As quantum wells / Reithmaier B.J.-P, Hoger R, Riechert H, Hiergeist P. // Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 57. -P. 957-959.

159. Yu, P.W. Photocurrent spectroscopy of InxGaixAs/GaAs multiple quantum wells / Yu P.W, Sanders G.D, Evans K.R, Reynolds D.C, Bajaj K.K, Stutz C.E, Jones R.L. //Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol. 54. - P. 22302232.

160. Marzin, J.Y. Optical studies of InxGaixAs-GaAs strained multiquan-tum well structures / Marzin J.Y, Rao E.V.K. // Appl. Phys. Lett. 1983. -Vol. 43.-P. 560-562.

161. Худсон, Д. Статистика для физиков / Худсон Д. Пер. с англ. М.: Мир, 1970.-296 с.

162. Van de Walle, C.G. Theoretical study of Si/Ge interfaces / Van de Walle C.G., Martin R.M.// J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. - Vol. 3. -P. 1256-1259.

163. Quantum well lasers / Ed. by Zory P.S. New Jersey: Academic Press, 1993.-504 p.

164. Леденцов, H.H. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. // ФТП. 1998. - Т. 32, вып. 4. -С. 385-410.

165. Heitz, R. Energy relaxation by multiphonon processes in InAs/GaAs quantum dots / Heitz R., Veit M., Ledentsov N.N., Hoffmann A., Bimberg D., Ustinov V.M., Kop'ev P.S. and Alferov Zh.I. // Phys. Rev B. 1997. -Vol. 56-P. 10435-10445.

166. Heitz, R. Enhanced polar exciton-LO-phonon interaction in quantum dots / Heitz R., Mukhametzhanov I., Stier O., Madhukar A., Bimberg D. // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol. 83. - P. 4654-4657.

167. Брунков, П.Н. Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs / Брунков П.Н., Конников С.Г., Устинов В.М., Жуков А.Е. // ФТП. 1996. - Т. 30. - С. 924-933.

168. Брунков, П.Н. Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au/n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs / Брунков П.Н., Суворова А.А., Берт Н.А., Ковш А.Р. // ФТП. -1998.-Т. 32, Вып. 10.-С. 1229-1234.

169. Соболев, М.М. Емкостная спектроскопия глубоких состояний InAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми точками / Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 1999. - Т. 33, вып. 2. - С. 184-193.

170. Kapteyn, С.М.А. Electron escape from InAs quantum dots / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff F., Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60, N 20. -P. 14265-14268.

171. Sobolev, M.M. Hole and electron traps in the InGaAs/GaAs heterostructures with quantum dots / Sobolev M.M., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Cherkashin N.A., Emtsev V.V. // Physica B. Cond. Matter. 1999. -Vol. 273-274. - P. 959-962.

172. Kapteyn, C.M.A. Hole and electron emission from InAs quantum dots / Kapteyn C.M.A., Lion M., Heitz R., Bimberg D., Brunkov P.N., Volovik B.V., Konnikov S.G., Kovsh A.R., Ustinov V.M. // Appl. Phys. Lett. 2000. -Vol. 76, N 12.-P. 1573-1575.

173. Sobolev, M.M. The influence of Coulomb effects on the electron emission and capture in InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots / Sobolev M.M., Lantratov V.M. // Physica B. Cond. Matter. 2001. - Vol. 308-310.-P. 1113-1116.

174. Zubkov, V.I. Direct observation of two-level electronic emission from QDs InAs/GaAs by means of C-V and admittance spectroscopy / Zubkov

175. V.I., Solomonov A.V. // Proc. of the 9th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 18-22, 2001. Russia, 2001. - P. 244247.

176. Соболев, M.M. Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs / Соболев М.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2002. - Т. 36, Вып. 9. - С. 1089-1096.

177. Heinrichsdorff, F. Self-organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition / Heinrichsdorff F., Krost A., Grundmann M., Bimberg D., Kosogov A., Werner P. // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 68. - P. 3284.

178. Heinrichsdorff, F. MOCVD growth and laser applications of In(Ga)As/GaAs quantum dots: dissertation / Heinrichsdorff F. Mensch & Buch, Berlin, 1998.

179. Kapteyn, C.M.A. Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots: dissertation / Kapteyn C.M.A. -Mensch&Buch Verlag Berlin. Berlin, 2001.- 156 p.

180. Зубков В. И. Исследование глубоких центров в GaAsjxPx методами нестационарной емкостной спектроскопии: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина). Л., 1987.-159 с.

181. Wang, J.B. Analysis of capacitance-voltage characteristics of Six. xGex/Si quantum-well structures / Wang J.B., Lu F., Zhang S.K., Zhang В., Gong D.W., Sun H.H., Wang X. // Phys. Rev. B. 1996. - Vol. 54, N 11. -P. 7979-7986.

182. Zubkov, V.I. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. // J. of Physics: Condens. Matter. 2005. - Vol. 17. - P. 2435-2442.

183. Stier, O. Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k-p theory / Stier O., Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 59, N 8. - P. 5688-5701.

184. Vul, B.M. Dokl. Akad. Nauk SSSR 129, 61 (1959) (Sov. Phys. Dokl. 4,1246(1960)).

185. Roberts, G.I. Capacitance Energy Level Spectroscopy of Deep-Lying Semiconductor Impurities Using Schottky Barriers / Roberts G.I., Crowell C.R. // J. Appl. Phys. 1970. - Vol. 41. - P. 1767-1776.

186. Beguwala, M. Characterization of multiple deep level systems in semiconductor junctions by admittance measurements / Beguwala M., Crowell C. R. // Solid-State Electronics. 1974. - Vol. 17. - P. 203-214.

187. Losee, D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers / Losee D.L. // J. Appl. Phys. 1975. - Vol. 46, N 5. - P. 2204-2214.

188. Sah, C.T. Thermally Stimulated Capacitance (TSCAP) in p-n Junctions / Sah C.T., Chan W.W., Fu H.S., Walker J.W. // Appl. Phys. Lett. -1972.-Vol. 20.-P. 193-195.

189. Buehler, M.G. Impurity centers in PN junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response withheating rate / Buehler M.G. // Solid-State Electron. 1972. - Vol. 15. - P. 69-79.

190. Lang, D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterise traps in semiconductors / Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. - Vol. 45.-P. 3023-3032.

191. Vincent, G. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers / Vincent G., Bois D., Pinard P. // J. Appl. Phys. 1975. - Vol. 46, N 12.-P. 5173-5178.

192. Зубков, В.И. Глубокий донорный уровень в твердом растворе GaAsi„xPx / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // Письма в ЖТФ. 1987. - Т. 13, Вып. 14. - С. 847-848.

193. Зубков, В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAsixPx / Зубков

194. B.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // ФТП. 1989. - Т. 23, Вып. 1. - С. 64-67.

195. Lang, D.V. Measurement of heterojunction band offsets by admittance spectroscopy: InPZGao.47Ino.53As / Lang D.V., Panish M.B., Capasso F., Al-lam J. // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 50, N 12. - P. 736-738.

196. Nauka, K. Admittance spectroscopy measurements of band offsets in Si/Sii.xGex/Si heterostructures / Nauka K., Kamins T.I., Turner J.E., King

197. C.A., Hoyt J.L., Gibbons J.F. // Appl. Phys. Lett. 1992. - Vol. 60, N 2. -P. 195-197.

198. Langer, J.M. Transition-metal impurities in semiconductors and het-erojunction band lineups / Langer J.M., Delerue C., Lannoo M., Heinrich H. //Phys. Rev. В. 1988.-Vol. 38, N 11.-P. 7723-7739.

199. People, R. Indirect band gap of coherently strained GexSiix bulk alloys on <001> silicon substrates / People R. // Phys. Rev. B. 1985. - Vol. 32, N2.-P. 1405-1408.

200. Van de Walle, C.G. Theoretical calculations of heterojunction discontinuities in the Si/Ge system / Van de Walle C.G., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1986. - Vol. 34, N 8. - P. 5621-5634.

201. Lu, R Quantum confinement of holes in SiixGex/Si quantum wells studied by admittance spectroscopy / Lu F., Jiang J., Sun H., Gong D., Zhang X., Wang X. // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 51, N 7. - P. 4213-4217.

202. Debbar, N. Conduction-band offsets in pseudomorphic In-GaAs/Al0.2Ga0.8As quantum wells (0.07 < x < 0.18) measured by deep-level transient spectroscopy / Debbar N., Biswas D., Bhattacharya P. // Phys. Rev. В. 1989.-Vol. 40, N2.-P. 1058-1063.

203. Zhu, J. Admittance spectroscopy studies of boron 5-doped Si quantum well / Zhu J., Gong D., Zhang В., Lu F., Sheng C., Sun H., Wang X. // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 52, N 12. - P. 8959-8963.

204. Singh, D.V. Admittance spectroscopy analysis of the conduction band offsets in Si/SiixyGexCy and Si/Sii.yCy heterostructures / Singh D.V., Rim K., Mitchell Т.О., Hoyt J.L., Gibbons J.F. // J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 85, N2.-P. 985-993.

205. Forrest, S.R. Deep levels in Ino.53Gao.47As/InP heterostructures / Forrest S.R, Kim O.K. // J. Appl. Phys. 1982. - Vol. 53. - P. 5738-5745.

206. Brounkov, P.N. Admittance spectroscopy of InAlAs/InGaAs single-quantum-well structure with high concentration of electron traps in InAlAs layers / Brounkov P.N, Benyattou T, Guillot G, Clark S.A. // J. Appl. Phys. 1995.-Vol. 77, N 1. - P. 240-243.

207. Los, A.V. Model of Schottky junction admittance taking into account incomplete impurity ionization and large-signal effects / Los A.V, Mazzola M.S. // Phys. Rev. B. 2002. - Vol. 65. - 165319(1-8).

208. HP 4284A Precision LCR Meter Operation Manual. Japan, Hewlett Packard, 1996. HP Part No. 04284-90020.

209. Shockley, W. Statistics of the recombination of holes and electrons / Shockley W., Read W.T. // Phys. Rev. 1952. - Vol. 87. - P. 835-842.

210. Schockley, W. Electrons and Holes in Semiconductors / Schockley W. -New Jersey: VanNostrand, Princeton, 1950. 226 p.

211. Ланно, M. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория / Бургу-эн Ж., Ланно М. М.: Мир, 1984.

212. Бургуэн, Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ланно М., Бургуэн Ж. М.: Мир, 1985. - 304 с.

213. Hartke, J.L. The Three-Dimensional Poole-Frenkel Effect / Hartke J.L. // J. Appl. Phys. 1968. - Vol. 39. - P. 4871-4873.

214. Hasbun, J.E. Conductance in double quantum well systems / Hasbun J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - Vol. 14. - P. R143-R175.

215. Li, X. Admittance spectroscopy of Si/Sii.xGex/Si quantum well systems: Experiment and theory / Li X., Xu W., Yuan F. Y., Lu F. // Phys. Rev. B. 2006. - Vol. 73. - 125341(1-8).

216. Nicollian, E.H. The Si-Si02 interface-electrical properties as determined by the metal-insulator-silicon conductance technique / Nicollian E.H., Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. J. 1967. - Vol. 46. - P. 1055-1133.

217. Grundmann, M. InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure / Grundmann M., Stier O., Bimberg D. //Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 52, N 16. - P. 11969-11981.

218. Wetzler, R. Capacitance-voltage characteristics of InAs/GaAs quantum dots embedded in a pn structure / Wetzler R., Wacker A., Scholl E., Kapteyn С. M. A., Heitz R., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 11.-P. 1671.

219. Wetzler, R. Capacitance voltage spectroscopy of self-organized InAs/GaAs quantum dots embedded in a pn diode / Wetzler R., Kapteyn C. M. A., Heitz R, Wacker A., Scholl E., Bimberg D. // Phys. stat. sol. (b). -2001.-Vol. 224,N 1.-P. 79.

220. Heitz, R. Excited states and energy relaxation in stacked InAs/GaAs quantum dots / Heitz R., Kalburge A., Xie Q., Grundmann M., Chen P., Hoffmann A., Madhukar A., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1998. - Vol. 57, N 15.-P. 9050-9060.

221. Зубков, В.И. Анализ спектров проводимости самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs / В.И. Зубков // Вестник Новгородского гос. университета. Сер. Технические науки. 2004. -№ 28. - С. 51-53.

222. Grundmann, M. Theory of random population for quantum dots / Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Rev. В., 1997. Vol. 55, N 15. - P. 9740.

223. Stier, O. Electronic and optical properties of quantum dots and wires: Dissertation / Stier O. Berlin, Wissenschaft&Technik Verlag Berlin, 2000. - 190 p.

224. Brubach, J. Coupling of ultrathin InAs layers as a tool for band-offset determination / Brubach J., Silov A.Yu., Haverkort J.E.M., Vleuten W.V.D., Wolter J. H. // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 59. - P. 10315-10326.

225. Зубков, В.И. Емкостная спектроскопия эффективный метод на-нодиагностики квантово-размерных структур / Зубков В.И. // Петербургский журнал электроники. - 2006. - № 4. - С. 52-61.

226. Поплавко, Ю.М. Физика диэлектриков / Поплавко Ю.М. // Киев:

227. Изд-во УПИ.- 1973.- 318 с.

228. Иванов-Шиц, А.К. Ионика твердого тела: В 2 т. Т. 1 / Иванов-Шиц А.К, Мурин И.В. // СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2000. -616 с.

229. Электроаналитические методы. Теория и практика / Под ред. Ф.Шольца. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2006. - 326 с.

230. Орешкин, П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / Ореш-кинП.Т. М.: Высш. шк, 1977. - 448 с.

231. Balocco, С. Room-temperature operations of memory devices based on self-assembled InAs quantum dot structures / Balocco C, Song A.M., Missous M. // Appl. Phys. Lett. 2004. - Vol. 85, N 24. - P. 5911-5913.

232. Lang, D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions / Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. -Vol. 45,N7.-P. 3014-3022.

233. Соболев, M. M. Дефекты с глубокими уровнями в структурах АЗВ5 и их взаимодействие с квантовыми точками: Автореф. дисс. докт. физ.-мат. наук: 01.04.10 / ФТИ им. А. И. Иоффе РАН. СПб, 2004.-32 с.

234. Anand, S. Deep level transient spectroscopy of InP quantum dots / Anand S, Carlsson N, Pistol M.-E, Samuelson L, Seifert W. // Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol. 67, N 20. - P. 3016-3018.

235. Соболев, М.М. Исследования захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней / Соболев М.М, Кочнев И.В, Лантратов В.М, Леденцов Н.Н. // ФТП. -2001.-Т. 35, вып. 10.-С. 1228-1233.

236. Engstrom, О. Electron capture cross-sections of InAs/GaAs quantum dots / Engstrom O., Kaniewska M., Fu Y., Piscator Y., Malmkvist J. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85, N 14. - P. 2908-2910.

237. Geller, М. Hole capture into self-organized InGaAs quantum dots / M. Geller, A. Marent, E. Stock, D. Bimberg, V.I. Zubkov, I.S. Shulgunova, A.V. Solomonov // Applied Physics Letters. 2006. - Vol. 89. - P. 232105(1-3).

238. Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques. ASTM Standards: F 978 02. 2002. -8 p.