Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Морозов, Сергей Вячеславович

• Морозов, Сергей Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Морозов, Сергей Вячеславович

ВВЕДЕНИЕ

1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/InAs

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Методы фотоэлектрической спектроскопии. Сравнение фотоэлектрической и фотолюминесцентной спектроскопии

1.2 Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs

1.3. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками СаАвЯпАв

2. РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОКОПИИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ GaAs/InAs. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Получение структур

2.2. Спектроскопия фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс

2.3. Спектроскопия фотоэдс в электролитической ячейке

2.4. Спектроскопия фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми точками в электролитической ячейке

3. ОСОБЕННОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ GaAs/InAs

3.1. Требования к образцам для фотоэлектрической спектроскопии.

Сравнение методов фотоэлектрической спектроскопии

3.2. Особенности спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми точками

3.3. Определение поверхностной концентрации квантовых точек методом фотоэлектрической спектроскопии

3.4. Связь спектров фоточувствительности и фотолюминесценции с морфологией слоя квантовых точек

3.5. Влияние легирования слоя квантовых точек висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства структур

3.6. Влияние оптической неоднородности гетероструктур с квантовыми точками на спектры их фоточувствительности

4. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА СПЕКТРЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ GaAs/InAs

4.1. Влияние электрического поля на спектры фотоэдс в системе полупроводник/электролит

4.2. Влияние электрохимических процессов в системе полупроводник/электролит на спектры ФПЭ

5. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ НЕКОТОРЫХ МОДЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ GaAs/InAs

5.1. Фотоэлектрическая спектроскопия поверхностных квантовых точек и поверхностных состояний

5.2. Многослойные массивы квантовых точек

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs»

Гетероструктуры с самоорганизованными квантовыми точками (ГКТ) GaAs/InAs вызывают в последние годы большой интерес исследователей с фундаментальной и прикладной сторон. Он связан с изучением механизма самоорганизованного роста квантовых точек (КТ), связи их энергетического спектра с условиями получения, геометрическими параметрами и химическим составом КТ, а также с разработкой на основе ГКТ высоко эффективных инжекционных лазеров для волоконно-оптических линий связи, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм [1].

Данная работа посвящена разработке методов фотоэлектрической спектроскопии ГКТ типа GaAs/InAs и применению этих методов для диагностики ГКТ, полученных методом газофазной эпитаксии с применением металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Этот метод широко используется для получения гетероструктур с квантовыми ямами, но применяется значительно реже для получения ГКТ из-за трудностей контроля за процессом роста и самоорганизации слоя квантовых точек в этом методе и некоторых других его недостатков. Однако относительная простота и экономические достоинства технологии ГФЭ МОС побуждают искать пути преодоления его недостатков.

Актуальность темы

Энергетический спектр гетероструктур с квантовыми точками изучается в подавляющем большинстве работ методами фотолюминесцентной спектроскопии (см. например [2-4]). К настоящему времени для ГКТ, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, вопрос о связи структуры спектров фотолюминесценции (ФЛ) с геометрической структурой слоя самоорганизованных квантовых точек InAs, т.е. с его номинальной толщиной и параметрами, характеризующими морфологию слоя (размер и форму кластеров, дисперсию по размерам, поверхностную плотность и др.), относительно хорошо изучен (см., например, обзор [1]).

Научный и практический интерес представляет применение для диагностики ГКТ методов фотоэлектрической спектроскопии, основанных на исследовании спектров фотовольтаического эффекта в барьерах разного типа и фотопроводимости. Фотоэлектрическая спектроскопия расширяет арсенал и возможности оптических методов диагностики квантово-размерных структур. Она позволяет определять энергетический спектр и некоторые другие характеристики квантовых объектов (квантовых ям, точек и др.) при низких уровнях фотовозбуждения, в широкой области спектра, при комнатной температуре. Фотоэлектрические методы относительно мало чувствительны к типу зонной структуры материала (прямозонная, непрямозонная) и его дефектности, что при решении разных вопросов может выступать как их достоинство или недостаток.

Эффективность методов фотоэлектрической спектроскопии была продемонстрирована главным образом на гетероструктурах с квантовыми ямами (ГКЯ). Их применение к гетероструктурам с самоорганизованными квантовыми точками, в частности, типа GaAs/fnAs, сталкивается с определенными трудностями, из-за которых они редко используются для диагностики этих структур. Одна из главных трудностей связана с меньшим почти на два порядка, чем у квантовых ям (КЯ), коэффициентом оптического поглощения квантовых точек при обычной поверхностной плотности КТ ~ Ю10 см"2, что затрудняет выделение связанной с ними фоточувствительности на фоне примесной фоточувствительности структур. Другая трудность связана с большей, чем у КЯ, высотой потенциальных барьеров, которые ограничивают эмиссию электронов и дырок из КТ в матрицу, необходимую для возникновения фотоэлектрических явлений.

К началу наших исследований почти не было работ по фотоэлектрической спектроскопии ГКТ GaAs/InAs. Первые работы, в которых для изучения энергетического спектра ГКТ были применены методы фотоэлектрической спектроскопии (конденсаторной фотоэдс и планарной фотопроводимости), были выполнены в Нижегородском университете [5, 6]. Они положили начало систематическим исследованиям в этой области, продолженным в данной работе.

Основные цели работы:

1. Выяснение возможностей разных методов фотоэлектрической спектроскопии для целей диагностики гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками.

2. Выяснение связи спектров фотоэлектрической чувствительности (ФЭЧ) со спектрами фотолюминесценции и морфологией слоя квантовых точек.

3. Выяснение влияния на спектры ФЭЧ некоторых технологических факторов (температуры осаждения слоя КТ, легирования ГКТ), а также особенностей структуры ГКТ (толщины покровного слоя, складирования массивов КТ и др.).

4. Выяснение особенностей механизма фотоэлектронных явлений в

ГКТ.

5. Выработка рекомендаций по совершенствованию технологии выращивания ГКТ методом ГФЭ МОС.

Научная новизна работы

1. Впервые получены фотоэлектрические спектры ГКТ InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. Показано, что этот метод перспективен для диагностики ГКТ.

2. Впервые методами фотоэлектрической спектроскопии показано, что изовалентное легирование висмутом слоя квантовых точек InAs в процессе его осаждения способствует росту более однородных квантовых точек.

3. Впервые получены фотоэлектрические спектры от поверхностных КТ, выращенных на поверхности и вскрытых селективным травлением покровного слоя. Показано, что пик ФЭЧ основного перехода в них смещен на « 300 мэВ и и 100 мэВ соответственно в красную область относительно пика встроенных в матрицу КТ, полученных в аналогичных условиях.

4. Впервые выяснены особенности влияния электрического поля на спектры фоточувствительности ГКТ в системе ГКТ/электролит.

5. Впервые обнаружены явления образования и пассивации ловушек на поверхности и в приповерхностной области ГКТ в результате электрохимических реакций. В электролите на основе Na2S отмечено значительное уменьшение плотности поверхностных состояний вблизи середины запрещенной зоны GaAs, связанное с известным явлением сульфидной пассивации поверхности GaAs.

Практическая ценность работы.

1. Разработан эффективный экспрессный метод диагностики ГКТ в системе полупроводник/электролит.

2. Результаты исследований ГКТ методами фотоэлектрической спектроскопии позволили выработать рекомендации по усовершенствованию технологии выращивания ГКТ GaAs/InAs методом ГФЭ МОС. В легированных ГКТ получена селективная фоточувствительность от квантовых точек на длинах волн до 1.46 мкм с шириной линии до 25 мэВ при комнатной температуре.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур с квантовыми точками типа GaAs/InAs в системе полупроводник/электролит обладает высокой чувствительностью и обнаружительной способностью в отношении КТ. Метод прост в реализации, позволяет изучать влияние электрического поля на энергетический спектр КТ, исследовать in situ влияние процессов дефектообразования и пассивации ловушек на поверхности при фотоэлектрохимических реакциях на фотоэлектрические спектры ГКТ.

2. Изовалентное легирование висмутом слоя КТ в процессе его осаждения способствует росту массива более однородных по размерам и химическому составу КТ, что проявляется в сужении пика фоточувствительности основного перехода в КТ до 25 мэВ при 300 К (на нелегированных структурах ширина пика > 50 мэВ). Висмут действует как сурфактант, ограничивающий миграционную подвижность адатомов на поверхности растущего слоя, что затрудняет коалесценцию нанокластеров.

3. Красное смещение энергии основного перехода в КТ, выращенных на поверхности (ПКТ) относительно пика у встроенных в матрицу КТ на «300 мэВ связано не только с частичной релаксацией упругих напряжений в ПКТ в результате отсутствия покровного слоя, но и с различием в размерах, форме и химическом составе КТ.

4. Уширение линий оптических переходов в КТ при анодной поляризации ГКТ в электролите связано с уменьшением эмиссионного времени жизни возбужденных состояний электронов в КТ в сильных полях в соответствии с соотношением неопределенности.

5. Результаты исследований влияния электрического поля и толщины покровного слоя на спектры фоточувствительности ГКТ при комнатной температуре свидетельствуют об отсутствии релаксации электронов с уровней возбуждения в основное состояние до их эмиссии из КТ при комнатной температуре.

Апробация работы.

Результаты диссертации докладывались на Международной конференции "Оптика полупроводников" (OS-98) (Ульяновск, 22-26 июня 1998), Всероссийском совещании "Нанофотоника" (Н.Новгород, 1999, 2001), 7 и 8 Международных симпозиумах "Наноструктуры: Физика и Технология" (Санкт Петербург, Россия, 1999, 2000), IV и V Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999, Нижний Новгород, 2001), 1 и 2 Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, (Санкт-Петербург, 1999, 2000), Всероссийском совещании «Зондовая микроскопия-2000» (Н.Новгород, 2000), Российской Конференции «Фундаментальные проблемы физики». (Саратов, 2000), Международной конференции по физике полупроводников (Осака, Япония, 2000).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 25 работ [А1-А25], в том числе 9 статей в научных журналах и сборниках и 16 сообщений в материалах конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 129 страниц содержит 58 рисунков. Список литературы содержит 89 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Морозов, Сергей Вячеславович

Основные результаты - выводы работы:

1. Разработан новый метод фотоэлектрической спектроскопии ГКТ GaAs/InAs в системе полупроводник/электролит (метод ФПЭ), существенно расширяющий возможности фотоэлектрической диагностики гетероструктур с квантовыми точками. На основе сравнительного изучения применимости разных методов фотоэлектрической спектроскопии для диагностики ГКТ InAs/GaAs показано, что метод ФПЭ обладает наиболее высокой чувствительностью и обнаружительной способностью. Он позволяет измерять спектры ФЭЧ от КТ при поверхностной концентрации КТ ~ 108 см"2, КТ с относительно большими эмиссионными барьерами (низкой энергией основного перехода ~ 0.6 эВ), поверхностных КТ, изучать in situ процессы образования и пассивации дефектов в ГКТ при различных поверхностных воздействиях.

2. Разработана методика определения поверхностной плотности КТ из фотоэлектрических спектров, Показано, что результаты определения хорошо согласуются с данными прямых определений этой величины методом атомно-силовой микроскопии.

3. Разработана методика измерения спектров фотолюминесценции в системе полупроводник/электролит при комнатной температуре. Этим методом исследована in situ эволюция спектра ФЛ от КТ в процессе селективного стравливания покровного слоя, связанная с релаксацией упругих напряжений в КТ.

4. Методом фотоэлектрической спектроскопии подтверждены данные АСМ и ФЛ о том, что изовалентное легирование висмутом слоя квантовых точек InAs в процессе его осаждения способствует росту более однородных квантовых точек. В легированных ГКТ получена селективная фоточувствительность от квантовых точек на длинах волн до 1.46 мкм с шириной линии до 25 мэВ при комнатной температуре.

5. На спектрах планарной примесной фотопроводимости и оптического пропускания ГКТ, в которых слой КТ находится в нефотоактивном положении (в квазинейтральной области), обнаружены особенности в виде селективных минимумов и широкополосных прогибов. Предполагается, что минимумы, энергетическое положение которых по данным ФЛ, соответствует энергиям оптических переходов в квантовых точках, и широкополосные прогибы обусловлены резонансным и нерезонансным релеевским рассеянием излучения псевдоморфными кластерами-КТ и дислоцированными кластерами соответственно.

6. Исследовано влияние поперечного электрического поля на спектры ФПЭ в системе ГКТ/электролит. Обнаружено значительное уширение линий оптических переходов при анодной поляризации ГКТ. Это явление обусловлено уменьшением времени жизни электронов в КТ, которое определяется процессом эмиссии электронов из КТ и составляет - 0.1 пс в электрическом поле -100 кВ. При катодной поляризации ГКТ с ростом напряжения наблюдается последовательное обрезание спектра ФЭЧ от КТ со стороны низких энергий до полного исчезновения фоточувствительности от

КТ. Этот эффект объясняется эмиссией электронов непосредственно с уровней возбуждения и тем, что вероятность эмиссии уменьшается при спрямлении поверхностного барьера.

7. Обнаружены эффекты образования объемного заряда при анодном окислении ГКТ, пассивации ловушек при сульфидировании поверхности и изучено их влияние на спектры фоточувствительности ГКТ.

8. Впервые получены фотоэлектрические спектры от поверхностных КТ двух типов: выращенных на поверхности и вскрытых селективным стравливанием покровного слоя. Показано, что, в соответствии со спектрами ФЛ, пик фоточувствительности основного перехода в них смещен на «300 и «100 мэВ соответственно в красную область по сравнению с пиком для встроенных в матрицу КТ. Эффект красного смещения связан с релаксацией упругих напряжений в вытравленных поверхностных КТ, а в выращенных на поверхности КТ - еще и с отличием в размерах, форме и химическом составе поверхностных КТ.

9. В ГКТ, монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaAs обнаружена примесная фоточувствительность, связанная с поверхностными состояниями. Кроме поверхностных состояний с квазинепрерывным распределением по энергиии обнаружен также дискретный поверхностный уровень, расположенный на 0.9 эВ ниже дна зоны проводимости в GaAs.

10. Выяснено влияние толщины спейсерного слоя на спектры фоточувствительности многослойных массивов КТ. Показано, что при толщине этого слоя ~ 5 нм становится существенным влияние взаимодействия между слоями на формирование многослойного массива КТ (происходит рост КТ друг над другом) и энергетический спектр КТ (размытие спектра).

120

В заключение автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя И.А. Карповича за предложенную интересную тему, постоянное внимание к работе, помощь в проведении экспериментов и ценные обсуждения полученных результатов. Автор благодарен Б.Н. Звонкову за изготовление гетероструктур, необходимых для исследований, Н.В. Байдусю за измерения спектров фотолюминесценции, В.Я. Алешкину за вывод формулы для расчета поверхностной плотности КТ по фотоэлектрическим спектрам, Д.О. Филатову за ценные обсуждения результатов и многочисленные полезные дискуссии, С.Б. Левичеву и А.В. Здоровейщеву за АСМ исследования поверхности структур, А.П. Горшкову за сотрудничество и помощь в проведении экспериментов.

Заключение

В результате выполнения данной работы выяснены возможности методов фотоэлектрической спектроскопии для целей диагностики гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs, изучены особенности фотоэлектрических спектров ряда модеыльных ГКТ, полученных методом ГФЭ МОС, и влияние на них некоторых технологических факторов, структуры ГКТ, электрического поля и др.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Морозов, Сергей Вячеславович, 2002 год

1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, ФТП, 32, с. 385, (1998).

2. J. Tatebayashi, М. Nisioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett., V. 78, p. 3469, (2001).

3. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, D.J.H. Cockayne, Appl. Phys. Lett., У. 69, p. 1888, (1996).

4. В.Я. Алешкин, Д.М. Гапонова, C.A. Гусев, В.М. Данильцев, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель, Л.В. Парамонов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, ФТП, 32, с. 111, (1998).

5. V.Ya. Aleshkin, B.N. Zvonkov, I.G. Malkina, E.R. Lin'kova, I.A. Karpovich, D.O. Filatov. Proc. 23'Int. Conf. on Phys. of Semicond. (ICPS-23), Berlin, Germany, V.2, p. 1391, (1996).

6. Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, E.P. Линькова, В .Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов, ФТП, 31, с. 1100, (1997).

7. L. Kronik, Y. Shapira, Surface Science Reports, 37, p. 1, (1999).

8. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, ФТП, 24, с. 2172, (1990).

9. И.А. Карпович, Б.И. Бедный,' Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова, ФТП, 23, с. 2164, (1989).

10. R.T. Kollins, К. von Klitzing, К. Ploog. Phys.Rev.B, 33, p. 4378, (1986).

11. L. Tarricone, C. Arena, A. Parisini, F. Genova. J.Appl.Phys., 72, p. 3578, (1992).

12. J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button. IEEE J.Quantum Electron., 29, p. 1460, (1993).

13. И.А. Карпович, Д.О. Филатов, ФТП, 30, с. 1745, (1996).

14. X. Не, М. Raseghi. Appl.Phys.Lett., 262, р. 618, (1993).

15. И.А. Карпович, Д.О. Филатов Фотоэлектрическая диагностика квантоворазмерных гетероструктур, учебное пособие, Н. Новгород, ННГУ, (1998).

16. С. Ghezzi, D. Martin, A. Parisini, J.L. Staheli, L. Tarricone. Phys.Status Solidi B, 52, p. 101,(1989).

17. P. Blood. J.Appl.Phys., 58, p. 2288, (1985).

18. H. Neff, K.J. Bachmann, W.D. Liedig, Superlattices and microstructures, 2, p. 247, (1985).

19. H.J. Polland, Y. Horikoshi, E.O. Gobel, J. Kuhl, K. Ploog, Physica B, 134, p. 412, (1985).

20. H.J. Polland, Y. Horikoshi, E.O. Gobel, J. Kuhl, K. Ploog, Surf. Sci., 174, p. 278,(1986).

21. K. Tsu, L.L. Chang, G.A. Sablfalesz, L. Esaki, Phys. Rev. Lett., 26, p. 7101, (1986).

22. K. Yamanaka, T. Fukanaga, N. Tsukada, K.L.J. Kobayashi, M. Ishij, Surf. Sci., 174, p. 50,(1986).

23. R.T. Kollins, L. Ying, W.L. Wang, K. von Klitzing, K. Ploog, Superlattices and microstructures, 3, p. 291, (1987).

24. M.H. Meynadier, R.E. Nabory, M.C. Tamargo, Solid State Commun., 63, p. 463, (1987).

25. P.W. Yu, C.D. Sanders, K.K. Evans, D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, C.E. Stutz, R.L. Jones, Superlattices and microstructures, 4, p. 281, (1988).

26. V.I. Polakov, P.I. Perov, M.G. Ermakov, O.N. Ermakova, G. Mokerov, B.K. Medvedev, Sov. Phys. Semicond., 24, p. 1253, (1990).

27. J.W. Little, R.P. Leavitt, Phys. Rev. B, 39, p. 1356, (1989).

28. J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button, D.C. Rogers, RJ. Nicolas, J. Phys. C, 181, p. 891, (1985).

29. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, Т.Н. Wood, C.A. Burreus, Phys. Rev. B, 32, p. 1043, (1985).

30. D.S. Chemla, D.A.B. Miller, J. Opt. Soc. Am. B, 2, p. 1155, (1985).

31. P.W. Yu, G.D. Sanders, D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, C.W. Litton, J. Klem, D. Huang, H. Morkoc, Phys. Rev. B, 35, p. 9250, (1987).

32. P.W. Yu, D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, C.W. Litton, B.J. Singeh, C.K. Peng, T. Henderson, H. Morkoc, Solid State Commun., 59, p. 37, (1986).

33. J. Filipowich, C. Ghezzi, L. Tarricone, Solid State Commun., 74, p. 533, (1990).

34. S. Selci, A. Cricenti, M. Righini, C. Petrillo, F. Sacchetti, F. Alexandre, G. Chiarotti, Solid State Commun., 79, p. 561, (1991).

35. C. Weisbuch, R. Dingle, A.C. Gossard, W. Wiegmann, Solid State Commun., 38, p. 709,(1981).

36. K. Hu, L. Chen, A. Madhukar, P. Chen, K.C. Rajkumar, K. Kaviani, Z. Karim, C. Kyriakakis, A.R. Tanguay (Jr), Appl. Phys. Lett., 59, p. 1108, (1991).

37. R.A. Morgan, M.T. Asom, L.M.F. Chirovsky, M.W. Focht, K.G. Glogovsky, G.D. Guth, G.J. Przybylek, L.E. Smith, K.W. Goossen, Appl. Phys. Lett., 59, p. 1049,(1991).

38. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, JI.M. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина, ФТП, 26, с. 1886, (1992).

39. H.F. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Merz. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, p. 1475, (1988).

40. R. Germann, A. Forchel, D. Grutzmacher. Appl. Phys. Lett., 55, p. 2196, (1989).

41. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, JI.M. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, с. 104, (1994).

42. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов, ФТП, 32, с. 1089, (1998).

43. Y.C. Chen, J. Singh, Р.К. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, p. 3800, (1993).

44. L. Aigoui, T. Holden, F.H. Pollak, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Electrochem. Soc. Proc. 97-11, p. 146, (1997).

45. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A.

46. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Gullis, G. Hill and J.C. Clark, Phys. Rev. Lett., 84, p. 733, (2000).

47. P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, S.G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P.C. Main, L. Eaves, and C.M.A. Kapteyn, Journal of Electronic Materials, V. 28, p. 486, (1999).

48. P.W. Fry, J.J. Finley, L.R. Wilson, A. Lemaitre, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Hopkinson, G. Hill, and J.C. Clark, Appl. Phys. Lett., 77, p. 4344, (2000).

49. J.J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Bohm, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett., 73, p. 2618, (1998).

50. A. Patane, A. Levin, A. Polimeni, L. Eaves, P.C. Main, and M. Henini, Phys. Rev. B, 62, p. 11084, (2000).

51. C. Lobo, R. Leon, S. Fafard, P.G. Piva, Appl. Phys. Lett., 84, p. 2850, (1998).

52. A. Sasaki, Thin Sol. Films, 267, p. 24, (1995).

53. Г.Э. Цырлин, A.O. Голубок, С.Я. Типисев, H.H. Леденцов, Г.М. Гурьянов, ФТП, 29, с. 1697, (1995).

54. G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundman, D. Bimberg, Appl. Phys. Lett., 67, p. 97, (1995).

55. А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, H.H. Леденцов, M.B. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Чжао Чжень, В.Н. Петров, Г.Э. Цырлин, Д. Бимберг, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, ФТП, 32, с. 95, (1998).

56. Д.О. Филатов, Кандидатская диссертация, ННГУ, Н.Новгород, (1997).

57. Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков, Фотоэлектрохимия полупроводников, Наука Москва, с. 311, (1983).

58. В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, Физика легированной металлами поверхности полупроводников, Киев, Наукова Думка, с. 141, (1988).

59. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, (1971).

60. И.А. Карпович, С.М. Планкина, ФТП, 26, с. 1313, (1992).

61. А.Н. Георгобиани, И.М. Тигиняну, ФТП, 22, с. 3, (1988).

62. Н.Т. Баграев, ЖЭТФ, 100, с. 1378, (1991).

63. I.A. Karpovich, N.V. Baidus', B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, and V.A. Perevoshikov, Phys. Low-Dim. Struct., 3/4, p. 341, (2001).

64. H.B. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, Поверхность, 7, с. 75, (2000).

65. В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, И.А. Карпович, ФТП, 27, с. 1344, (1993).

66. Е. Herbert Li, Physica Е, 5, p. 215, (2000).

67. G. Lucovsky // Sol. St. Commun., V. 5, p. 299, (1965).

68. Y. Marzin, J.V. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard, Phys. Rev. Lett., 73, p. 71, (1994).

69. H.B. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев. //Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия-99", Нижний Новгород, с. 164, (1999).

70. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев и др., ФТП, 33, с. 990, (1999).

71. Y.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D.Bimberg, Phys. Low-Dim. Struct., 12, p. 43, (1995).

72. И.А. Карпович, А.В. Аншон, H.B. Байдусь, JT.M. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина, ФТП, 31, с. 1100, (1997).

73. С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов, Микроэлектроника, 10 (3), с. 250, (1981).

74. Б.И. Бедный, Вестник ННГУ, Сер. Физика твердого тела, Вып. 1, с. 78, (2000).

75. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat, Appl. Phys. Lett., 51, p. 33, (1987).

76. Б.И. Бедный, H.B. Байдусь, T.B. Белич, И.А. Карпович, ФТП, 26, с. 1383, (1992).

77. Б.И. Бедный, Е.А. Ускова, Поверхность, 6, с. 85, (1994).

78. Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, ФТП, 29, с. 1488, (1995).

79. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, ФТП, 32, с. 1281, (1998).

80. Т. Ohno, Phys. Rev. В, 44, p. 6306, (1991).

81. Н. Saito, К. Nishi, S. Sugou, Appl. Phys. Lett., 73, p. 2742, (1998).

82. J.Z. Wang, Z. Yang, C.L. Yang, Appl. Phys. Lett., V.77, p. 2837, (2000).

83. E.B. Остроумова, ФТП, 3, с. 1095, (1969).

84. H Hasegava, Н Ohno, J. Vac. Sci. Technol., B4, p. 1130, (1986).

85. A.P. Ковш, A.E. Жуков, А.Ю. Егоров, B.M. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, ФТП, 32, с. 1114, (1998).

86. Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, С.А. Масалов, А.О. Голубок, ФТП, 33, с. 733, (1999).

87. А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов, ФТП, 31, с. 104, (1997).

88. Ю.М. Шерняков, А.Ю. Егоров, Б.В. Воловик, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, Чжао Чжень, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, Письма ЖТФ, 24, с. 50,(1998).

89. N.V. Baidus', B.N. Zvonkov, A.V. Zdoroveishev, P.B. Mokeeva, D О Filatov, XIV Ural Int. Winter School on the Physics of Semiconductors, Abstract book, P10, Ekaterinburg, Russia, (2002).

90. Список публикаций по теме диссертации

91. А2. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, and Yu. Yu. Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs. Nanotechnology, 2000, V. 11, P. 221-226.

92. А4. И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. ФТП, 2001, т. 35, с. 564 570.

93. А9. И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. Вестник Нижегородского университета, сер. физическая, 2002 (в печати).