Однопереходные фотовольтаические гетероструктуры на основе нитрида и карбида кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Родригес Веласкез Гуни

• Родригес Веласкез Гуни
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Родригес Веласкез Гуни

Список основных сокращений

Введение

Глава 1 Основные свойства нитрида и карбида кремня

1.1 Основные свойства нитрида кремния

1.1.1 Кристаллическая структура

1.1.2 Синтез нитрида кремния

1.1.3 Переход между фазами а - в

1.1.4 Электронная структура Si3N4

1.1.5 Тонкие пленки Si3N4 и их свойства

1.2.Основные свойства карбидакремния

1.2.1 Кристаллическая структура

1.2.1.1 Кубический SiC

1.2.1.2 Гексагональный карбид кремния

1.2.2 Получение зёрен карбида кремния

1.2.2.1. а-БЮ

1.2.1.2 Гексагональный карбид кремния

1.2.3 Зонная структура SiC

1.2.4 Получение тонких плёнок SiC и их свойства

1.3 Критическая толщина

1.3.1 Несоответствие параметров решетки

1.3.2 Критиче ская толщина

1.4.Рост пленок SiC на поверхности Si и SiO2

1.4.1 Рост SiC на поверхности Si

Глава 2. ВЧ-магнетронное напыление SiзN4 и исследование....813Н4/р-81 гетероструктур

2.1. Введение к главе

2.2. Детали эксперимента

2.2.1 Усовершенствованная установка УкрРосприбор ВН-2000

2.2.2 Получение нанослоёв Б^Н

2.2.3 Характеризация Б^Н нанослоёв и гетероструктур

813Н4/Б1(100)

2.2.4 Принцип работы и устройство ко-фокального (совмещённого) Оше§а8еора АКТ-ЫТ Рамановского микроскопа

2.2.5 Обсуждение результатов исследования Si3N4 нанослоёв и гетероструктуры Si3N4/Si(100)

2.2.6 Результаты исследования распределения частиц в нано слоях Si3N4 методами малоуглового рентгеновского рассеяния

2.2.7 Результаты исследования нано слоёв Si3N4 и гетероструктур Si3N4/Si(100) методами Рамановской спектроскопии

2.3. Получение гетероструктуры солнечного элемента А§/п^3М/р-Si(100)/(Ag/Cu) и исследование фотовольтаических свойств

2.3.1 Применение нитрида кремния в фотовольтаических структурах

2.3.2 Солнечный элемент на основе гетероструктуры смешанный аморфный и нанокристаллический нитрид кремния -кремний р-типа

2.3.3 Устройство тестера солнечных элементов ST1000

2.3.4 Исследование фотовольтаических свойств гетероструктуры солнечного элемента Ag/n-Si3N4/p-Si(100)/(Ag/Cu)

2.4.Краткие выводы к главе

Глава 3. ВЧ-магнетронное напыление SiC и исследование SiC/p-Si

гетероструктур

3.1.Введение к главе

3.2.Получение и характеризация нанослоев SiC

3.3.Получение и исследование наноструктурных солнечных элементов

3.4. Краткие выводы к главе

Глава 4. Получение тонких плёнок SiC карботермическим восстановлением

SiO2

4.1.Предпосылки к применению карботермического восстановления SiO2 для получения плёнок SiC

4.2.Результаты по карботермическому восстановлению SiO2, получению плёнок SiC и их исследованию

4.2.1 Процедура карботермического восстановления диоксида кремния

4.2.2 Исследование плёнок SiC полученных карботермическим восстановлением диоксида кремния

4.3.Краткие выводы к главе

Заключение Литература.

103

Список основных сокращений

СЭ - солнечный элемент СЭС - солнечная электростанция нм - нанометр PV - фотовольтаика

КПД - коэффициент полезного действия

MIS - металл-изолятор-полупроводник

CVD - осаждения из паровой фазы

HWCVD - химическое осаждения с горячей нитью.

HFNRMS - высокочастотное нереактивное магнетронное распыление

СЭС - солнечная электростанция

PV - фотоэлектрическое устройство

КПД - Коэффициент полезного действия

ВАХ - Волть Амперная Характеристика

MIS / IL - металл-изолятор -полупровоник/ инверсный слой

ВАК-Высшая аттестационная комиссия

CVD - химическое осаждение из паровой фазы

LPCVD химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении

ULSI - Сверх большая степень интеграции

PECVD - плазмохимическое осаждение из паровой газовой фазы

ALD - осаждение атомарных слоев

PEALD-плазмохимическое осаждение атомарных слоев

RMS - реактивное магнетронное распыление

HFNRMS - высокочастотное нереактивное магнетронное распыление PVD - физического осаждения из газовой фазы V - коэффициент пуассона

HREM - электронная микроскопия высокого разрешения

HFCVD - химическое парофазное осаждение с горячей нитью

HWCVD - химическое парофазное осаждение с горячим проводом

Cat-CVD - каталитическое химическое парофазное осаждение

AFM - атомно-силовая микроскопия

АСМ - AFM контактная атомна-силовая микроскопия

РФ - Россиская Федерация

США - Соединение Штати Америки

РС- рамановская спектроскопия

КРС - комбинационное рассеяние света.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Однопереходные фотовольтаические гетероструктуры на основе нитрида и карбида кремния»

Введение

Согласно опубликованного прогноза European Photovoltaic Industry Association на период до 2040 года, уже начиная с 2025 года стоимость энергии производимой солнечными батареями будет далее неуклонно понижаться [1]. Поддержание тенденции удешевления солнечной энергетики и увеличения её мощностей уменьшает риск теплового и экологического загрязнения планеты. Этому способствует применение новых технологий, материалов и конструкционных решений СЭ. Хотя сегодня ее доля в мировом энергобалансе менее одного процента, однако эксперты дают прогноз: к 2050 году она составит не менее 27 процентов. Только в 2016 году в мире введено солнечных электростанций (СЭС) общей мощностью 70 - 75 ГВт. То есть за год мощность солнечной энергетики выросла сразу на треть, достигнув примерно 300 ГВт.

Основным материалом для изготовления солнечных элементов в настоящее время продолжает оставаться кристаллический кремний. Современное производство изделий твердотельной электроники отлажено, это мощная отрасль современной мировой экономики. Наименее затратным является развитие кремниевой и совместимой с ней солнечной энергетики. В то же время самые высокие показатели по эффективности преобразования лучистой энергии демонстрируют фотовольтаические приборные структуры

3 5

на основе А В , это многопереходные наногетероструктуры солнечных элементов с концентратарами демонстрирующими эффективность преобразования лучистой энергии свыше 40% [2]. По своим экономическим характеристикам такие элементы не подходят для массовой солнечной энергетики. Поэтому параллельно с высокоэффективными многопереходными СЭ ведутся работы по совершенствованию СЭ на базе однопереходных фотовольтаических структур. Для повышения эффективности преобразования солнечной энергии можно совместить

генерацию и разделение потенциальным барьером электронно дырочных пар и использование фотофотонов солнечной радиации для возбуждения электронов с последующей эмиссией электрона из катода при высокой температуре. Квантовые и тепловые механизмы объединяются в единый физический процесс генерации носителей и создания дополнительной разности потенциалов между катодом и анодом [3]. Карбид и нитрид кремния с учётом их уникальных физико-химических свойств являются перспективными материалами для таких термофотоэлементов. Поликристаллический карбид кремния ^Ю) часто используется в термофотовольтаических приборов различных конструкций. Как известно SiC термостабилен до ~ 1700 ° С и может работать до ~800°С на воздухе. При нагреве излучает часть энергии в диапазоне не совпадающем по энергии с шириной зоны поглощающего слоя фотовольтаической ячейки. Эта проблема решается частично организацией многократного отражения введением в конструкцию обратного зеркального электрода и/или неабсорбирующих селективных фильтров перед РУ приборами [4]. Надо учитывать, что поликристаллический SiC дёшев и хорошо напыляется из твердотельных мишеней методом магнетронного напыления, что легко можно использовать в производстве СЭ [5-7]. В процессе вч-магнетронного напыления происходит осаждение карбида кремния в виде наноразмерных частиц [8]. Как известно наноразмерные провода, частицы и пустоты поддерживают сильные оптические резонансы, которые могут усилить и эффективно контролировать процессы поглощения и рассеяния света. Дополнительная функция такой наноструктурированной плёнки карбида кремния может состоять в поглощении и антиотражении света, такие слои играют роль фотонных элементов в тонкопленочных фотогальванических ячейках [9]. Перспективы применения термофотовольтаики и фотоники к СЭ из карбида кремния имеют перспективы в том числе и потому, что на гетероструктурах на основе карбида кремния уже превышена 15% эффективность преобразования солнечной энергии в лабораторных условиях [10-12]. Аналогичные

перспективы увеличения эффективности при добавлении в фотовольтаическую структуру слоя фотонного кристалла или создания термофотовольтаического устройства имеют тонкоплёночные структуры полученных нами ранее однопереходных СЭ на основе Si3N4 [13-15] .

Окисление нитрида кремния на воздухе начинается выше 900 °С и это является дополнительным аргументом к его применению в термофотовольтаике. При получении однопереходных фотовольтаических гетероструктур нами использовалось вч-магнетронное напыление как и в случае с СЭ на основе наноразмерных слоёв SiC.

Для расширения спектра энергий поглощаемых фотонов применяется стратегия увеличения числа запрещенных зон исходного материала [16]. Это может быть достигнуто в кремнии при переходе к наноразмерным кристаллам и в фотовольтаических структурах позволяет значительно расширить спектр поглощения энергии и увеличить количество поглощаемой световой энергии. Сообщалось о создании на основе подобной структуры кремниевого фотоэлектрического преобразователя с КПД 42,8% [17]. КПД кремниевого солнечного элемента может быть значительно повышен за счёт применения пористого кремния, стенки пор в этом случае представляют собой систему неупорядоченных нанокристаллов. Травление по глубине идет достаточно равномерно, образуя пористую структуру с вертикальными порами глубиной несколько десятков микрон [18].

Теоретические расчёты для гибридных термофотовольтаических структур показывают максимальную эффективность преобразования света равную 73% в ячейках без концентратора [19].

Таким образом, как применение фотонных слоёв в структурах СЭ, так и термофотовольтаические структуры создают предпосылки для повышения эффективности преобразования света в электроэнергию на основе применения новых подходов к развитой кремниевой технологии производства фотовольтаических устройств.

Таким образом, можно сформулировать цель настоящего исследования.

Цель исследования

На основании выше изложенного была сформулирована цель данной диссертационной работы: методом вч-магнетронного напыления получить тонкие плёнки SiC, Si3N4 и фотовольтаические гетероструктуры на подложках монокристаллического кремния и исследовать их свойства.

Для достижения поставленной цели в работе было необходимо решить следующие задачи:

1) получить методом вч-магнетронного напыления из твердофазной мишени гетероструктуры Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок SiC;

2) провести исследования фазового состава, морфологии поверхности плёнок SiC, и поперечного сечения гетероструктуры Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag) методами атомносиловой и электронной микроскопии, рамановской спектроскопии;

3) провести исследование фотовольтаических свойств гетероструктуры однопереходного солнечного элемента Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag), в том числе на солнечном имитаторе по методике АМ 1.5;

4) получить методом вч-магнетронного напыления из твердофазной мишени гетероструктуры Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок SiC;

5) провести исследования фазового состава, морфологии поверхности плёнок SiC, и поперечного сечения гетероструктуры Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag) методами атомносиловой и электронной микроскопии, рамановской спектроскопии;

6) провести исследование фотовольтаических свойств гетероструктуры однопереходного солнечного элемента Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag), в том числе на солнечном имитаторе по методике АМ 1.5;

7) с целью расширения диапазона нагрева подложек, Т8 = 40 ^ 800°С и более гибкого управления процессом получения плёнок с различным размером

зерна провести модернизацию установки УкрРосприбор ВН-2000 и разработать приставку для оптического нагрева подложки.

8) провести исследования, морфологии поверхности плёнок Si3N4 полученных методом вч-магнетронного напыления при температурах подложки Т8 = 40, 300, 630, 750 °С.

9) провести исследование фотовольтаических свойств гетероструктуры однопереходного солнечного элемента Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag), в том числе на солнечном имитаторе по методике АМ 1.5;

Научная новизна

В настоящей диссертационной работе:

1. Впервые методом вч-магнетронного напыления получен однопереходный солнечный элемент Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок SiC. Впервые на основании исследования спектральных характеристик и фотовольтаических свойств гетероструктуры однопереходного солнечного элемента Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag), в том числе на солнечном имитаторе по методике АМ 1.5 установлено, что вся область пространственного заряда расположена в Si. Высота барьера на границе Si / SiC, оцененная по темновым измерениям ВАХ, составила порядка 0.9-1.0 эВ, преобразование солнечной энергии составило 7.22%.

2. Установлено на основании исследования фазового состава, морфологии поверхности плёнок SiC и поперечного сечения гетероструктуры Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag) методами атомносиловой, электронной микроскопии и рамановской спектроскопии, что тонкие пленки SiC состоят преимущественно из аморфных островков с нанокристаллическими включениями, а средний квадрат шероховатости плёнки, Sq, увеличивается от 0.3 нм до 9 нм, когда толщина пленки SiC увеличивается с 2 нм до 56 нм соответственно.

3. Впервые получена методом вч-магнетронного напыления из твердофазной мишени гетероструктура солнечного элемента Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок Si3N4. Впервые проведены исследования фотовольтаических свойств, в том числе на солнечном имитаторе по методике АМ 1.5, высота барьера на границе Si / Si3N4 была оценена по темновым измерениям ВАХ в диапазоне температур 300-450 К, она варьировалась от 0.9 эВ до 1.0 эВ, нами был получен солнечный элемент типа металл-изолятор -полупроводник/ инверсный слой (МК / ГЬ) и вся зона пространственного заряда, где происходит поглощение света, генерируются и разделяются носители заряда, находится в Si, эффективность преобразования солнечной энергии составила 7.41%.

4. Расширен диапазон нагрева подложек, Т8 = 40 ^ 800°С с целью более гибкого управления процессом получения плёнок с различным размером зерна, проведена модернизация установки УкрРосприбор ВН-2000, проведены исследования, морфологии поверхности плёнок Si3N4 и установлено, что увеличение температуры подложки, Т8, с 40 до 800°С позволяет увеличить относительную поверхность плёнки Si3N4 более чем на порядок.

5. Проведены исследования фазового состава, морфологии поверхности плёнок Si3N4, и поперечного сечения гетероструктуры Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag) методами атомносиловой, электронной микроскопии и рамановской спектроскопии. Установлено, что плёнка Si3N4 представляет собой смесь аморфного и микрокристаллического состояния (а +^с), расчёты межплоскостных расстояний, сделанные на основе электронной дифракции, показывают, что Si3N4 нанокристаллы принадлежат к кубической пространственной группе Fd-3m, а положение максимума на спектре комбинационного рассеяния соответствует соединению Si3N4, а форма спектра характерна для нано кристаллического состояния.

Теоретическая и практическая значимость работы

Полученные в работе результаты могу быть использованы при разработке солнечных элементов на кремниевых подложках с использованием наноразмерных слоёв карбида и нитрида кремния в качестве материалов, создающих одновременно потенциальный барьер для разделения зарядов, пассивирующий и антирефлекторный слой. Одновременно нанометровые слои SiC и Si3N4 защищают солнечный элемент от механических и химических воздействий окружающей среды. В работе показано, что однопереходные солнечные элементы на основе наноразмерных плёнок карбидов и нитридов кремния имеют перспективы повышения эффективности преобразования солнечного света за счёт оптимизации конструкции с применением элементов термофотовольтаики (одним из простейших вариантов является использование концентраторов солнечного света).

Положения, выносимые на защиту:

1. Впервые методом вч-магнетронного напыления получен однопереходный солнечный элемент Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок SiC;

2. Установлено на основании исследования спектральных характеристик и фотовольтаических свойств гетероструктуры однопереходного солнечного элемента Cu(Ag)/SiC/p-Si(100)/Cu(Ag), что вся область пространственного заряда расположена в Si, высота барьера на границе Si / SiC, составила порядка 0.9^1.0 эВ, а эффективность преобразования солнечной энергии составила 7.22%.

3. Впервые получена методом вч-магнетронного нереактивного напыления из твердофазной мишени гетероструктура солнечного элемента Cu(Ag)/Si3N4/p-Si(100)/Cu(Ag) на основе наноразмерных плёнок Si3N4;

4. Уустановлено на основании исследования спектральных характеристик и фотовольтаических свойств, что гетероструктура Cu(Ag)/Si3N4/p-

Si(100)/Cu(Ag) представляла собой солнечный элемент типа металл-изолятор -полупровоник / инверсный слой (MIS / IL), вся область пространственного заряда была расположена в Si, высота барьера на границе Si / Si3N4, составила порядка 0.9^1.0 эВ, а эффективность преобразования солнечной энергии составила 7.41%.

Степень достоверности

Достоверность полученных в настоящей работе научных результатов, выводов и положений подтверждается корректной постановкой задачи, обоснованным выбором объекта исследования и методов исследования, сопоставлением полученных результатов с известными экспериментальными результатами других исследователей опубликованным в научной литературе.

Кроме того, достоверность обеспечивается воспроизводимостью результатов и корреляцией результатов, полученных с применением различных методик.

Апробация диссертации

Основные положения диссертации представлены на конференциях и выставках:

1. Международная конференция «Физика и технология наноматериалов и структур», 24-26 ноября 2015 г., Юго-Западный Государственный Университет, г. Курск, Россия.

2. «29-th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition», 22 - 26 September 2014, Amsterdam, The Netherlands.

3. Gold Medal, The XXI-th International Salon of Research, Innovation and Techological Transfer, INVENTICA 2017, June 28-29, Iasi, Romania.

Основные эксперименты были проведены:

в лабораториях Белгородского Государственного Национального Исследовательского Университета (г.Белгород, Россия), Института Прикладной Физики Академии Наук республики Молдова.

Личный вклад автора.

Все результаты, приведенные в диссертации, получены самим автором или при его непосредственном участии. Автор участвовал в постановке задач, решаемых в рамках диссертационной работы, получении образцов, проведении экспериментальных исследований, обсуждении, анализе и интерпретации полученных данных, формулировке научных выводов, а также принимал участие в подготовке статей к публикации и оформлении патентов на изобретение.

Структура и объем работы.

Диссертационная работа изложена на 124 страницах машинописного текста, проиллюстрирована 47 рисунками, 6 таблицами. Работа состоит из введения, обзора литературы (глава 1), результатов вч-магнетронного напыления Si3N4 и исследования Si3N4/p-Si (100) гетероструктур (глава 2), результатов вч-магнетронного напыления SiС и исследования SiС/p-Si(100) (глава 3), результатов получения и исследования наноразмерных плёнок карбида кремния с использованием магнетронного напыления углерода и карботермического восстановления диоксида кремния (глава 4), обсуждения результатов, заключения, выводов, перечня сокращений и условных обозначений и списка литературы, включающего 133 источника, в том числе 126 зарубежных.

Публикации

Положения диссертации опубликованы в 4 работах в международной, центральной и местной печати, в том числе 4 - в изданиях, рекомендованных ВАК Министерства образования и науки Российской Федерации, и содержат полный объем информации, касающейся темы диссертации.

Труды конференций по теме работы

1) В.С. Захвалинский, П.А. Абакумов, А.П. Кузьменко, Е.А. Пилюк, В. Г. Родригес, И.Ю. Гончаров, С.В. Таран, Влияние температуры подложки на

свойства тонких плёнок Si3N4, // Сборник научных статей 2-ой Международной конференции Физика и технология наноматериалов и структур, 24-26 ноября 2015 г., Курск, Россия, Т2, с.27-31. ISBN 978-59907514-6-0;

2) V. Zakhvalinskii, E. Piliuk, I. Goncharov, V. Rodriges, A.V. Simashkevich, D.A. Sherban, L.I. Bruc, N. Curmei, M. Rusu, Si3N4-Nanolayers for Metal-Insulator-Silicon Solar Cells, 29-th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 22 - 26 September 2014, Amsterdam, The Netherlands, p.p. 851-854, ISBN 3-936338-34-5, DOI: 10.4229/EUPVSEC20142014-2AV.2.14;

3) Zakhvalinskii V., Pilyuk E., Velaskes G.R., Simaskvith A., Bruk L.,Single junction solar cells based on silicon carbide and nitride nanolayers, Gold Medal, The XXI-th International Salon of Research, Innovation and Techological Transfer, INVENTICA 2017, June 28-29, Iasi, Romania.

Список работ в журналах, рекомендованных ВАК, и в рецензируемой литературе

1). Zakhvalinskii V.S., Piliuk E.A., Goncharov I. Yu., Simashkevich A.V., Sherban

D.A., Bruc L.I., Curmei N.N., Rusu M.I., Rodrigez G.V., Silicon Solar Cells based on pSi/nSi3N4 nanolayers, / V.S. Zakhvalinskii, E.A. Piliuk, I. Yu. Goncharov, A.V. Simashkevich, D.A. Sherban, L.I. Bruc, N.N. Curmei, M.I. Rusu, G. V. Rodrigez // Results in Physics. - 2016. - Vol. 6. - P. 39-40.

2). Zakhvalinskii V.S., Abakumov P.A., Kuzmenko A.P., Chekadanov A.S., Piljuk

E.A., Rodrigues V. G., Goncharov I.J., Taran S.V. Temperature Influence on the Properties of Thin Si3N4 Films / V.S. Zakhvalinskii, P.A. Abakumov, A.P. Kuzmenko, A.S. Chekadanov, E.A. Piljuk, V. G. Rodrigues, I.J. Goncharov, S.V. Taran // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2015. - Vol. 7. - №4. -04052(2pp).

3). Zakhvalinskii V.S., Piljuk E.A., Goncharov I.Yu., Rodriges V.G., Kuzmenko A.P., Taran S.V., Abakumov P.A.. RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells / V.S. Zakhvalinskii, E.A. Piljuk, I.Yu.

Goncharov, V.G. Rodriges, A.P. Kuzmenko, S.V. Taran, P.A. Abakumov // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2014. - Vol. 6. - №3. - 03062(3pp). 4). Zakhvalinskii V. S., Goncharov I. Yu., Kudryavtsev E. A., Piluk E. A., Kolesnikov D. A.,. Rodriges V. G., Kabilov Z. A., Taran S. V., and Kuzmenko A. P. RF-Magnetron Sputtering of Si3N4 and Study of Si3N4/p-Si Heterostructures / V. S. Zakhvalinskii, I. Yu. Goncharov, E. A. Kudryavtsev, E. A. Piluk, D. A. Kolesnikov, V. G. Rodriges, Z. A. Kabilov, S. V. Taran, and A. P. Kuzmenko // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. - 2014. - Vol. 9. - P.570-575.

Прочие публикации автора

1) Захвалинский В.С., Пилюк Е.А., Кабилов З.А., Родригес В.Г., Устройство оптического нагрева образца в установках магнетронного напыления, Патент на изобретение РФ № 2626704, приоритет от 08 декабря 2015г., регистрация в Государственном реестре изобретений Российской Федерации 31 июля 2017 г., срок действия истекает 08 декабря 2035 г.

2) Захвалинский В. С., Пилюк Е. А., Родригес В.Г, Шербан Д.А., Симашкевич А. В., Брук Л. И., Солнечный элемент на основе гетероструктуры смешанный аморфный и нанокристаллический нитрид кремния - кремний p-типа, Патент на изобретение РФ № 2568421, приоритет изобретения 25.07.2014г., в госреестре изобретений РФ от 16.10.2015г., срок действия патента 25.07.2034г.

Глава 1. Основные свойства нитрида и карбида кремня 1.1. Основные свойства нитрида кремния

1.1.1. Кристаллическая структура

аир фазы являются наиболее распространёнными формами нитрида кремния, которые могут быть получены при обычном давлении; у фаза может быть синтезирована при высоких давлениях и температурах, при давлении 35 ГПа она приобретает кубическую структуру.

Кристалл а^^^ имеет тригональную структуру (Символ Пирсона КР28, пространственная группа Р31с, № 159, а = 0.7765 нм, с = 0.5622 нм). Кристаллическая фаза состоит из четырёх различных слоёв, где слои

С и D повернуты на 180 ° относительно слоев А и В [20]. Из-за вращения слоев С и D, диаметр внутреннего канала фазы намного меньше

канала фазы, 1.4 А (см. рис. 1.2а), плотность его также ниже; 3.149 г /

см3 [21].

Кристаллическая фаза имеет гексагональную структуру (hP14,

Р63, № 173, а=0.7606 нм, с=0.2909 нм). Атомы кремния находятся в центре тетраэдров с четырьмя атомами азота в углах (см. рис. 1.1). Азот находится в центре плоской тригональной структуры, соединяющей вместе три тетраэдра SiN4 (см. рис. 1.2б) [22]. Кристаллическая фаза состоит из двух слоев;

А и В, диаметр внутреннего канала составляет 3А [20]. Плотность кристалла

"5

фазы составляет 3.203 г / см [21].

Рисунок. 1.1 - Тетраэдр SiN4.

Кристаллы 813К4 можно рассматривать как структуры, состоящие из слоев кремния и атомов азота в последовательности АВСDАВСD в фазе а-813К4 (см. рис. 1.2в) или ЛБЛБ в фазе (см. рис. 1.2г) Р-Б13К4.

(б)

Рисунок. 1.2 - Различные кристаллические структуры нитрида кремния. Синий = Si, зеленый = N. а) а-Б13К4; в) последовательность укладки а-Б13К4 в направлении [1120]; б) Р-Б13К4; г) Последовательность укладки Р-Б13К4 в направлении [1120]. Выделена плоская тригональная геометрия, соединяющая три тетраэдра. На рис. в) и г) показано, как а-структура (в) имеет удвоенный параметр по сравнению с Р-структурой (г) [23].

Слои CD в а-кристалле похожи на слои ЛБ, но повернуты на 180° вокруг оси с, как показано на Рис. 1.2 (в). Это означает, что длинные непрерывные каналы вдоль оси с, найденные в р-структуре, не присутствуют в а-структуре [24], что делает диффузию, например азота, через а-Б13К4 гораздо медленнее, чем в Р^^ [25].

1.1.2. Синтез нитрида кремния

Нитрид кремния может быть синтезирован разными путями [20].

a) Нитрование кремниевых порошков. Прямое нитрование кремния осуществляется путем контакта элементарного кремния с азотом в температурном диапазоне 1150-1450 ° С при атмосферном давлении.

3Si + 2^ ^ SiзN4 (1.1)

Полученный Si3N4 обычно имеет соотношение фаз а к фазе в 9:1.

b) Карботермическая редукция диоксида кремния была самым ранним и энергосберегающим методом получения очень чистого порошка [26]

3SiO2 + 6С + 2^ ^ SiзN4 + 6СО (1.2)

c) Парофазная реакция.

3SiCl4 + 4ОД ^ SiзN4 + 12НС1 (1.3)

3SiH4 + 4Жз ^ SiзN4 + 12Н2 (1.4)

d) Осаждение диамида кремния и высокотемпературное разложение. Высокотемпературное разложение диамида кремния состоит из двух этапов. Сначала происходит жидкая реакция между тетрахлоридом кремния и аммиаком, а затем разложение диамида кремния Si(NH)2, что позволяет получить аморфный Si3N4 [27].

SiCl4 + 6Ж3 ^ Si(NH)2 + 4^0 (1.5)

3Si(NH)2 ^ SiзN4 + 2ОД (1.6)

1.1.3. Переход между фазами а - р

Несмотря на то, что фаза а^^^, является наиболее стабильной при низкой температуре, она превращается в в-фазу при росте температуры [28]. Переход а^в происходит при температурах выше 1400 °С и сопровождается разрушением связи Si- N а затем происходит реконструкция структуры путем диффузии либо в паровой фазе (испарение-диффузия-конденсации), либо в жидкой фазе (раствор-диффузия-осаждение) [29,30]. Заметим, что обратное преобразование в ^ а не было обнаружено [31].

1.1.4. Электронная структура SiзN4

В работах [32-34] из первых принципов была рассчитана электронная зонная структура а- и в- фаз нитрида кремния.

Зона Бриллюэна для а-Б13К4 представлена на рис. 1.3. Для в- фазы картина качественно сходная, обратная ячейка более вытянута вдоль оси шестиугольной призмы. На рисунке показаны уникальные точки симметрии на основании которых строилась дисперсионная зависимость Е(к), приведенная на рис. 1.4 (а-Б13К4) и рис. 1.5 ф-313К4).

Анализ зонной структуры кристалла а-Б13К4 позволяет заключить, что он является непрямозонным диэлектриком и потолок валентной зоны расположен в точке К зоны Бриллюэна (см. рис. 1.4).

Рисунок 1.3 - Зона Бриллюэна для а-Б13К4. Приведены уникальные точки симметрии [34].

Кристалл в-813К4 является также непрямозонным диэлектриком. Однако анализ зонной структуры указывает на ряд заметных отличий от а-Б13К4. Вершина валентной зоны смещена из точки Г в направлении точки А (см. рис. 1.5).

Тот факт, что вершина валентной зоны в^Ъ^ не находится в точке симметрии зоны Бриллюэна, приводит к кардинальному отличию величин эффективных масс дырок по сравнению с

В то время как дно зоны проводимости находится в точке Г зоны

Бриллюэна [34].

гх-ЭЬ^

ГКНАГМЬА

Рисунок 1.4 Зонная структура

ГК НА Г М Ь А

Рисунок 1.5 - Зонная структура [34].

1.1.5. Тонкие пленки Si3N4 и их свойства

Тонкие пленки SiNx, нанесенные методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) обеспечивают множество важных функций в процессе изготовления приборных структур, эти плёнки служат в качестве диэлектрического слоя, слоя накопления заряда, деформационного буфера, маскирующего и пассирующего слоя [35, 36]. Пленка SiNx, полученная CVD при низком давлении (LPCVD) обладает высоким сопротивлением к процессам травления [37]. Однако высокие температуры осаждения (обычно >700°C) превышают температуры процессов применяемых в технологиях интеграции ультравысокого уровня применяемых при создании микрочипов (Ultra-Large-Scale-Integration, ULSI).

Пленки при низких температурах (<400 °C) получают с помощью плазмохимического осаждения из паровой газовой фазы (PECVD) [37].

Пленки PECVD SiNx обычно не могут конкурировать с пленками LPCVD SiNx по стойкости к травлению и скорости нанесения [38, 39]. Более того, ни один из этих двух методов не позволяет контролировать толщину пленки точно в атомном масштабе из-за собственного газофазного механизма реакции CVD. Для получения высококачественных тонких пленок SiNx с низкой затратой энергии осаждение атомарных слоев (ALD) считается наиболее подходящей методикой [40]. На сегодняшний день, тонкие пленки SiNx успешно наносят как тепловыми ALD, так и плазмохимическими ALD (PEALD) методами. В то время как нанесение плёнок тепловым ALD основывается на нагревании подложки и камеры для обеспечения кинетики реакции на поверхности, плазмохимический ALD использует дополнительную энергию, подаваемую плазмой, для повышения низкотемпературной реакционной способности реактивов, особенно азота (N) в форме NH3 [41, 42]. Потребность в высококачественных тонких пленках SiNx в полупроводниковой промышленности стимулирует большой интерес к ALD методу получения SiNx, а именно к низкотемпературной технологии

PEALD [43].

Основными недостатками этого метода являются включение Н2 в пленки Si3N4 и высокая температура подложки. Захваченный водород может ухудшить свойства Si3N4, поэтому высокая температура подложки обычно нежелательна в микроэлектронной промышленности. Пленки Si3N4 с чрезвычайно низким содержанием водорода могут быть получены с помощью реактивного магнетронного распыления (Reactive Magnetron Sputtering, RMS) при низкой температуре подложки.

Особенно перспективным методом для осаждения тонких пленок Si3N4 является высокочастотное нереактивное магнетронное распыление (HFNRMS), поскольку оно является не токсичным и сопровождается малым расходом материала. Кроме того, широкое распространенное и достаточно недорогое оборудование позволяет получать высококачественные наноплёнки Si3N4 [14].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Родригес Веласкез Гуни, 2018 год

Литература

1 European Photovoltaic Industry Association, «Solar Generation 6». - 2011.- Р. 100. www.epia.org

2 Green, M.A., Hishikawa, Y, Warta, W., Dunlop, E.D., Levi, D.H., Hohl-Ebinger, J., Ho-Baillie, A.W.Y. Solar cell efficiency tables (version 50) / M.A. Green, Y Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop, D.H. J. Levi, J. Hohl-Ebinger, A.W.Y Ho-Baillie // Prog. In Photovoltaics. - 2017. -Vol. 25.- № 7.- P. 668-676.

3 Nelson, R.E. A brief history of thermophotovoltaic development / R. E. Nelson // Semiconductor Science and Technology. - 2003. - Vol. 18. - P. 141-143.

4 Ghanekar, A., Lin, L. and Zheng, Y Novel and efficient Mie-metamaterial thermal emitter for thermophotovoltaic systems / A. Ghanekar, L.Lin and Y. Zheng // Optics Express. - 2016. - Vol. 24. - № 10. - P. A868-77.

5 Zakhvalinskii, V., Piliuk, E., Goncharov, I., Simashkevich, A., Sherban, D., Bruc, L., Curme, N., Rusu, M. Silicon carbide nanolayers as a solar cell constituent / V. Zakhvalinskii, E. Piliuk, I. Goncharov, A. Simashkevich, D. Sherban, L. Bruc, N. Curme, M. Rusu // Phys. Status Solidi A.- 2015. - Vol. 212. - № 1. - P. 184-188.

6 Zakhvalinskii, V., Piliuk, E., Goncharov, I., Simashkevich, A.V., Sherban, D.A., Bruc, L.I., Curmei, N. and Rusu, M. p-Si/n-SiCnanolayer photovoltaic cell / V. Zakhvalinskii, E. Piliuk, I. Goncharov, A.V. Simashkevich, D.A. Sherban, L.I. Bruc, N. Curmei, and M. Rusu // de Proceedings of the 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France.- September-October 2013.

7 Захвалинский, B.C., RU, Пилюк, Е.А., RU, Шербан, Д. А, MD, Симашкевич, А.В., MD, Брук, Л.И., MD. Патент на изобретение № 2532857 Фотовольтаическая структура./ В.С. Захвалинский, RU, Е.А. Пилюк., RU, Шербан Д.А., MD, Симашкевич А.В., MD, Брук Л.И., MD // ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ РФ. Патентообладатель(ли): Белгородский Государственный Национальный Исследовательский Университет (RU), Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы (MD) Заявка №2013113078. Приоритет 22 марта

2013 г. Зарегистрирован 12 сентября 2014г.

8 Zakhvalinskii, V.S., Piljuk, E.A., Goncharov, I.Yu., Rodriges, V.G., Kuzmenko, A.P., Taran, S.V., Abakumov, P.A. RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells / V.S. Zakhvalinskii, E.A. Piljuk, I.Yu. Goncharov, V.G. Rodriges, A.P. Kuzmenko, S.V. Taran, P.A. Abakumov // J. of nano- and electronic physics. - 2014. - Vol. 6. - № 3. - P. 03062(3pp) .

9 Brongersma, M.L., Cui, Y, Fan, S. Light management for photovoltaics using high-index nanostructures/ M.L. Brongersma, Y. Cui, S. Fan // Nat. Mater. - 2014. - Vol. 13. - № 5. - P. 451-60.

10 Luchinin, V., Tairov, Iu. Semiconductor devices from silicon carbide / V.Luchinin, Iu. Tairov // Contemporary electronics. -2009. - Vol. 7. - P. 12-15.

11 Morko?, H., Strite, S., Gao, G. B., Lin, M. E., Sverdlov, B., Burns, M. Large-band-gap SiC, Ill-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / H. Morko?, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 76. - P. 1364-1388.

12 Tawada, Y., Yamagishi, H. Mass-production of large size a-Si modules and future plan / Y. Tawada, H. Yamagishi // Solar Energy Materials & Solar Cells. -2001. - Vol. 66. - P. 95-105.

13 Zakhvalinskii, V., Piliuk, E., Goncharov, I., Rodriges, V., Simashkevich, A.V., Sherban, D.A., Bruc, L.I., Curmei, N., Rusu, M. Si3N4-Nanolayers for Metal-Insulator-Silicon Solar Cells / V. Zakhvalinskii, E. Piliuk, I. Goncharov, V. Rodriges, A.V. Simashkevich, D.A. Sherban,L.I. Bruc, N. Curmei, M. Rusu // de 29-th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Amsterdam, The Netherlands. - September 2014.

14 Zakhvalinskii, V.S., Goncharov, I.Yu., Kudryavtsev, E.A., Pilux, E.A., Kolesnikov, D.A., Rodriges, V.G., Kabilov, Z.A., Taran, S.V. and Kuzmenko, A.P. RF-Magnetron Sputtering of Si3N4 and Study of Si3N4/p-Si Heterostructures / V.S. Zakhvalinskii, I.Yu. Goncharov, E.A. Kudryavtsev, E.A. Pilu^ D.A. Kolesnikov, V.G. Rodriges, Z.A. Kabilov , S.V. Taran and A.P. Kuzmenko // J. of Nanoelectronics and Optoelectronics. - 2014. - Vol. 9. - P. 1-6.

15 Захвалинский, В.С. (RU), Пилюк, Е.А. (RU), Родригес, В.Г. (MX), Шербан, Д.А. (MD), Симашкевич, А.В. (MD), Брук, Л.И. (MD). Патент на изобретение № 2568421. Солнечный элемент на основе гетероструктуры смешанный аморфный и нанокристаллический нитрид кремния - кремний p-типа. / В.С. Захвалинский (RU), Е.А. Пилюк (RU), В.Г. Родригес (MX), Д.А. Шербан (MD), А.В. Симашкевич (MD), Л.И. Брук (MD) // Федеральная Служба по Интеллектуальной Собственности РФ.

Патентообладатель(ли): Белгородский государственный национальный исследовательский университет (RU). Заявка № 2014130923/28. Приоритет 25.07.2014. Зарегистрирован 16 октября 2015 г.

16 Латухина, Н., Чепурнов, В., Писаренко, Г. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния / Н. Латухина, В. Чепурнов, Г. Писаренко // Электроника, наука, технология, бизнес. - 2013. - vol. 4. - № 00126. - P. 104-110.

17 Green, M.A. Silicon solar cells: evolution, high-efficiency design and efficiency enhancements / M.A. Green // Semiconductor. Science. and Technology. - 1993. - № 8. - P. 1-12.

18 Латухина, Н.В., Писаренко, Г.А., Волков, А.В., Китаева, В.А. Фоточувствительная матрица на основе пористого микрокристаллического кремния / Н.В. Латухина, Г.А. Писаренко, А.В. Волков, В.А. Китаева // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. - 2011. - № 5(86). - Р. 115-21.

19 Boriskina, S.V., Chen, G. Exceeding the solar cell Shockley-Queisser limit via thermal up-conversion of low-energy photons / S.V. Boriskina, G. Chen // Optics Communications. - 2014. - Vol. 314. - P. 71-78.

20 Pavarajarn, V. Roles of Gas and Solid Components in the Direct Nitridation of Silicon / V. Pavarajarn // Oregon: Oregon State University. - 2002.

21 du Boulay, D., Ishizawa, N., Atake, T., Streltsov, V., Furuyad, K., Munakatae, F. Synchrotron X-ray and ab initio studies of b-Si3N4 / D. du Boulay, N. Ishizawa, T. Atake, V. Streltsov, K. Furuyad, F. Munakatae // Acta Crystallographica. Section

B. - 2004. - Vol. B60. - P. 388-405.

22 Ruddlesden, S. N. and Popper, P. The compound Sr3Ti2O7 and its structure / S. N. Ruddlesden and P. Popper // Acta Crystallographica. - 1958. - Vol. 11. - P. 5455.

23 Kuwabara, A., Matsunaga, K., Tanaka, I. Lattice Dynamics and Thermodynamical Properties of Silicon Nitride Polymorphs / A. Kuwabara, K. Matsunaga, I. Tanaka // Physical review.B. Condensed matter. - 2008. - Vol. 78. -P. 064104-1 - 064104-11.

24 Hampshire, S. Silicon nitride ceramics - review of structure, processing and properties / S. Hampshire // J. of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering. - 2007. - Vol. 24. - № 1. - P. 43-50.

25 Kijima, K. and Shirasaki, S. Nitrogen self-diffusion in silicon nitride / K. Kijima and S. Shirasaki // J. of Chemical Physics. - 1976. - Vol. 65. - № 7. - P. 2668.

26 Riley, F.L. Silicon Nitride and Related Materials / F.L. Riley // J. of the American Ceramic Society. - 2000. - Vol. 83. - № 2. - P. 245-265.

27 H. 0vregárd, Silicon for silicon nitride based products, Engineering, Ed., Trondheim: Norwegian University of Science and Technology, 2013, p. 99.

28 Messier, D.R., Riley, F.L., Brook, R.J. The a/p silicon nitride phase transformation / D.R. Messier, F.L. Riley, R.J. Brook // J. of Materials Science. -1978. - Vol. 13. - № 6. - P. 1199-1205.

29 Jennings, H.M. Review on reactions between silicon and nitrogen / H.M. Jennings // J. of Materials Science. - 1983. - Vol. 18. - № 4. - P. 951-967.

30 Greskovich, C., Prochazka, S. Observations on the aP-3-Si3N4 Transformation /

C. Greskovich, S. Prochazka // J. of the American Ceramic Society. - 1977. - Vol. 60. - № 9-10. - P. 471-472.

31 R.P. Rodríguez, Procesos de union y estudio de interfaces en Si3N4 y Zr02, Instituto de Cerámica y Vidrio Consejo Superior de Investigaciones Científicas, Universidad Autómona de Madrid, 2007.p. 193:

32 Ren, S.-Y; Ching, W.Y. Electronic structures of B- and a-Silicon Nitride / S.-Y.

Ren, W.Y Ching // Physical review B. - 1981. - Vol. 23. - № 10. - P. 5454-5463.

33 Xu, Y-N. and Ching, W.Y Electronic structure and optical properties of a- and ß- phases of silicon nitride, silicon oxynitride, and with comparison to silicon dioxide // Y.-N. Xu and W.Y Ching // Physical review B. - 1995. - Vol. 51. - № 24. - P. 17 379-17 389.

34 Гриценко, В., Электронная структура нитрида кремния / В. Гриценко // Успехи физических наук. - 2012. - т. 182. - № 5. - С. 531-541.

35 Kern, W.; Schuegraf, K.K., "Deposition Technologies and Applications: Introduction and Overview., / W. Kern, K.K. Schuegraf //in Handbook of Thin Film Deposition Processes and Techniques, W. Andrew, Ed. - NY: Norwich. -2001. - p. 11-43.

36 Jang, W.; Jeon, H.; Song, H.; Kim, H.; Park, J.; Kim, H.; Jeon, H. The effect of plasma power on the properties of low-temperature silicon nitride deposited by RPALD for a gate spacer / W. Jang, H. Jeon, H. Song, H. Kim, J. Park, H. Kim, H. Jeon // Phys. Status Solidi. - 2015. - Vol. 212. - P. 2785-2790.

37 Xia, L.-Q.; Chang, M., «Chemical Vapor Deposition» in Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, 2 ed / L.-Q. Xia, M. Chang // R.N.Y Doering, Ed., Boca Raton, F.L. : CRC Press. -2007. - P. 13-1-13-87.

38 King, S. Plasma enhanced atomic layer deposition of SiNx:H and SiO2 / S. King // J. Vac. Sci. Technol. - 2011. - Vol. 29. - P. 041501.

39 Triyoso, D.H.; Hempel, K.; Ohsiek, S.; Jaschke, V.; Shu, J.; Mutas, S.; Dittmar, K.; Schaeffer, J.; Utess, D.; Lenski, M. Evaluation of low temperature silicon nitride spacer for high-k metal gate integration / D.H. Triyoso, K. Hempel, S. Ohsiek, V. Jaschke, J. Shu, S. Mutas, K. Dittmar, J. Schaeffer, D. Utess, M. Lenski, // Solid State Sci. Technol. - 2013. - № 2. - P. N222-N227.

40 George, S. Atomic layer deposition: An overview / S. George // Chem. Rev.-2010. - № 110. - P. 111-131.

41 Profijt, H.B.; Potts, S.E.; van de Sanden, M.C.M.; Kessels, W.M.M. Plasmaassisted atomic layer deposition: Basics, opportunities, and challenges / H.B. Profijt, S.E. Potts, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels// J. Vacuum Sci.

Technol. - 2011. - № 29. - P. 050801.

42 Hyungjun, K., II-Kwon, O. Review of plasma-enhanced atomic layer deposition: Technical enabler of nanoscale device fabrication. / K. Hyungjun, O. II-Kwon // Jpn. J. Appl. Phys. - 2014. - Vol. 53. - № 03DA01.

43 Meng, X., Byun, Y.-C., Kim, H.S., Lee, J.S., Lucero, A.T., Cheng, L. and Kim, J. Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride Thin Films: A Review of Recent Progress, Challenges, and Outlooks / X. Meng, Y.-C. Byun , H.S. Kim , J.S. Lee , A.T. Lucero , L. Cheng and J. Kim // Materials. - 2016. - Vol. 9. - P. 1007.

44 Cruz-Campa, J.L. et al. Microsystem enabled photovoltaics: 14.9% efficient 14 mm thick crystalline silicon solar cell / J.L. Cruz-Campa et al. // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2011. - Vol. 95. - № 2. - P. 551-558.

45 Lennie, A., Abdullah, H., Sopian, K. Fabrication of Single Layer SiO2 and Si3N4 as Antireflection Coating / A. Lennie, H. Abdullah, K.Sopian // American Journal of Applied Sciences. - 2009. - Vol. 6. - № 12. - P. 2043-2049.

46 Neuhaus, D.-H. and Münzer, A. Industrial Silicon Wafer Solar Cells / D.-H. Neuhaus and A. Münzer // Advances in OptoElectronics. - 2007. - Vol. 2007.- № Article ID 24521. - P. 15.

47 C. Riedl, Epitaxial Graphene on Silicon Carbide Surfaces: Growth, Characterization, Doping and Hydrogen Intercalation, Nuremberg, Germany: Der Naturwissenschaftlichen Fakultät der Friedrich-Alexander-Universität, 2010.p.168.

48 Starke, U., Bernhardt, J., Schardt, J. and Heinz, K. SiC surface reconstruction: relevancy of atomic structure for growth technology / U. Starke, J. Bernhardt, J. Schardt and K. Heinz // Surface Review and Letters. - 1999. - Vol. 06. - № 06. - P. 1129-1141.

49 Kong, T., Wang, H.S., Davis, Y.C.and Tachibana, R.F. Hall measurements as a function of temperature on monocrystalline SiC thin films / T. Kong, H.S. Wang, YC. Davis and R.F. Tachibana // J. of Applied Physics. - 1990. - Vol. 67. - P. 63756381.

50 S. J. Pearton, Ed., Wide Bandgap Semiconductors Growth, Processing and Applications, Gainesville, Florida: Noyes Publications, 2000. - 591p.

51 G. L. Harris, Properties of Silicon Carbide, Ed., Washington DC: INSPEC, the Institution of Electrical Engineers,, 1995.p.304.

52 Wijesundara, M.B.J., Valente, G., Ashurst, W.R., Howe, R.T., Pisano, A.P., Carraro, C., Maboudian, R. Single-Source Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC Films in a LPCVD Reactor Part I: Growth, Structure, and Chemical Characterization. / M.B.J. Wijesundara, G. Valente, W.R. Ashurst, R.T. Howe, A.P. Pisano, C. Carraro, R. Maboudian // J. of the Electrochemical Socciety. - 2004. -№ 151. - P. C210-C214.

53 Fu, X.A., Dunning, J.L., Zorman, C.A., Mehregany, M. 3C-SiC Thin Films Deposited by Dual Precursor LPCVD for MEMS Applications / X.A. Fu, J.L. Dunning, C.A. Zorman, M. Mehregany // Sensors and Actuators A. - 2005. - № 119. - P. 169-176.

54 Wijesundara, Muthu; Azevedo, Robert, Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments, 1 ed., vol. 22, New York: Springer-Verlag, 2011, p. 232.

55 Munro, R.G., Dapkunas, S.J. Corrosion Characteristics of Silicon Carbide and Silicon Nitride / R.G. Munro, S.J. Dapkunas // J. of Research of the National Institute of Standards and Technology. - 1993. - Vol. 98. - № 5. - P. 607.

56 A. AG.British Patent Patente 17:911, 1892.

57 Knippenberg. W.F., « Growth Phenomena in Silicon Carbide: Preparative Procedures.,» / W.F. Knippenberg. Philips Res. Rept., 1966. № 18, P. 170-179.

58 Enomoto, R Beta-silicon carbide powder 'Betarundum' / R. Enomoto // Industrial rare Metals. - 1980. - № 73. - P. 178.

59 Okabe, Y., Hojo, J. and Kato, A., Formation of fine silicon carbide powders by a vapor phase method / Y Okabe, J. Hojo, and A. Kato // J. Less-Common Met. -1979. - № 68. - P. 29.

60 Hase, T. and Suzuki, H. Properties of submicron B-SiC prepared from siliconization of carbon black / T. Hase and H. Suzuki // J. Ceram. Soc. Japan. -1978. - № 86. - P. 541.

61 Ando, Y et al. Preparation of ultrafine particles of refractory metal carbides by a gas-evaporation method / Y Ando et al. // J. of Crystal Growth. - 1981. - Vol. 52.

- P. 178-181.

62 Somiya, S., Inomata, Y. Silicon Carbide Ceramics—1: Fundamental and Solid Reaction / S. Somiya, Y. Inomata. - London and New York: Springer Science & Business Media, 2012. - 250 p.

63 Backes, W.H., Bobbert, P.A., van Haeringen, W. Energy-band structure of SiC polytypes by interface matching of electronic wave functions / W.H. Backes, P.A. Bobbert, W. van Haeringen // Phys Rev B. - 1994. - № 49. - P. 7564-7568.

64 Käckell, P., Wenzien, B., Bechstedt, F. Electronic properties of cubic and hexagonal SiC polytypes from ab initio calculations / P. Käckell, B. Wenzien, F. Bechstedt // Phys Rev B. - 1994. - № 50. - P. 10761-10768.

65 Mukherjee, M. Recent Developments on Silicon Carbide Thin Films for Piezoresistive Sensors Applications / Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices, M. Mukherjee, Ed. - 2011. -487 p.

66 Pearton S. J., Wide Bandgap Semiconductors Growth, Processing and Applications, S. J. Pearton, Ed., Gainesville, Florida: Noyes Publications Park Ridge, New Jersey, U.S.A., 2000. - 571 p.

67 Pohl U. W., Epitaxy of Semiconductors. Introduction to Physical Principles,/ U. W. Pohl, Springer, 2013. -.325 p.

68 Jain, S.C., Harker, A.H. & Cowley, R.A. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems / S.C. Jain, A.H. Harker & R.A. Cowley // Philosophical Magazine A. - 1997. - Vol. 75. - № 6. - P. 14611515.

69 Frank, F.C. and van der Merwe, J.H. One-Dimensional Dislocations. I. Static Theory / F.C. Frank and J.H. van der Merwe // Proceedings of the Royal Society A Mathematical, physical, and engineering sciences. - 1049. - Vol. 198 - № 1053. - P. 205-216.

70 Tamura, M. and Sugita, Y Distribution and character of misfit dislocations in homoepitaxial silicon crystals / M. Tamura and Y Sugita // Sugita Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. - 1969.

71 Nabarro, F., Nunes R. Theory Of Crystal Dislocations / F. Nabarro, R. Nunes //

Oxford: Clarendon Press. - 1967.

72 People, R., Bean, J.C. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSi1-x/Si strained layer heterostructures / R. People, J.C. Bean // Appl. Phys. Lett. -1985. - № 47. - P. 322.

73 Nutt, S.R., Smith, D.J., Kim, H.J., Davis R.F. Interface structures in betasilicon carbide thin films / S.R. Nutt, D.J. Smith, H.J. Kim, R.F. Davis // Applied Physics Letters. - 987. - Vol. 50. - № 4. - P. 203-205.

74 Wahab, Q., Sardela, M.R. , Hultman, Jr.L., Henry, A., Willander, M., Janzen, E. and Sundgren, J.-E. Growth of high-quality 3C-SiC epitaxial films on off-axis Si(001) substrates at 850 °C by reactive magnetron sputtering / Q. Wahab, M.R. Sardela , Jr.L. Hultman, A. Henry, M. Willander, E. Janzen and J.-E. Sundgren // Appl. Phys. Lett. - 1994. - Vol. 65. - № 6. - P. 725.

75 Long, C., Ustin, S.A., Ho, W. Structural defects in 3C-SiC grown on Si by supersonic jet epitaxy / C. Long, S.A. Ustin, W. Ho // J. of Applied Physics. -1999. - Vol. 86. - № 5. - P. 2509.

76 Kitabatake, M. SiC/Si heteroepitaxial growth / M. Kitabatake // Thin Solid Films. - 2000. - Vol. 369. - № 1-2. - P. 257-264.

77 Bougrov, V., Levinshtein, M.E., Rumyantsev, S.L., Zubrilov, A., «Gallium Nitride (GaN),» de Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe,/ V. Bougrov., M.E. Levinshtein, S.L.Rumyantsev, A. Zubrilov, Ed., New York, John Wiley & Sons, Inc., 2001, pp. 1-30.

78 Pizzagalli, L., Cicero, G., Catellani, A. Theoretical investigations of a highly mismatched interface: the case of SiC/Si(001) / L. Pizzagalli, G. Cicero, A. Catellani // Phys. Rev. B : Condensed matter and materials physics. - 2003. - Vol. 68. - № 19. - P. 195302.

79 Lee, C.-H., Park, K.-C., Kim, K. Charge-trapping memory cell of SiO/SiMhigh-kSiO/SiMhigh-k dielectric Al2O3 with TaN metal gate for suppressing backward-tunneling effect / C.-H. Lee, K.-C. Park, K. Kim //Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 87. - P. 073510.

80 Nasyrov, K.A., Shajmeev, S.S., Gricenko, V.A., Han, G.X., Kim, S.V., Li. G.V. Инжекция электронов и дырок в структурах металл-оксид-нитрид-оксид-кремний / K.A. Nasyrov, S.S. Shajmeev, V.A. Gricenko, G.X. Han, S.V. Kim, G.V. Li. // ZhETF. - 2006. - Vol. 129. - P. 926.

81 Neuhaus, D.-H., Münzer, A. Industrial Silicon Wafer Solar Cells / D.-H. Neuhaus, A. Münzer // Advances in Opto Electronics. -2007. - Vol. special issue Volume. - P. Article ID 24521.

82 Schmidt, J., Moschner, J.D., Henze, J., Dauwe, S. and Hezel, R. Recent progress in the surface passivation of silicon solar cells using silicon nitride / J. Schmidt, J.D. Moschner, J. Henze, S. Dauwe and R. Hezel // de 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France. - 2004.

83 Hintzsche, L.E., Fang, C.M., Watts, T., Marsman, M., Jordan, G., Lamers, M.W., Weeber, A.W. and Kresse, G. Density functional theory study of the structural and electronic properties of amorphous silicon nitrides: Si3N4-x:H / L.E. Hintzsche, C.M. Fang, T. Watts, M. Marsman, G. Jordan, M.W. Lamers, A.W. Weeber and G. Kresse // Phys. Rev. B. - 2012. - Vol. 86. - P. 235204.

84 Rech, B., Roschek, T., Muller, J., Wieder, S., Wagner, H. Amorphous and microcrystalline silicon solar cells prepared at high deposition rates using RF (13.56 MHz) plasma excitation frequencies / B. Rech, T. Roschek, J. Muller, S. Wieder, H. Wagner // Sol.Energy Mater. Sol. Cells. - 2001. - Vol. 66. - P. 267.

85 Hamakawa, Y. Recent progress of the amorphous silicon solar cells and their technology / Y. Hamakawa // J. de Physicque. - 1981. - Vol. 42. - № 10. - P. C4-1131.

86 Mundo, R.D., d'Agostino, R., Fracassi, F. and Palumbo, F. A novel organosilicon source for low temperature plasma deposition of silicon nitride-like thin films / R.D. Mundo, R. d'Agostino, F. Fracassi and F. Palumbo // Plasma Process. Polym. -2005. - Vol. 2, p. 612.

87 Zerret, A. Synthesis of cubic silicon nitride / A. Zerret // Nature. - 1999. - Vol. 400. - P. 340-342.

88 Kuzmenko, A.P., Chekadanov, A.S., Zakhvalinsky, V.S., Pilyuk, E.A.,

Dobromyslov, M.B. Features of structure of magnetron films Si3N4 and SiC / A.P. Kuzmenko, A.S. Chekadanov, V.S. Zakhvalinsky, E.A. Pilyuk , M.B. Dobromyslov // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5. - № 4. - P. - 04043-3.

89 Solangi, A., Chaudry, M.I. Fabrication and electrical properties of P-SiC/Si and poly- SiC/Si solar cells // Springer Proceedings in Physics. - 1992. - Vol. 71. - P. 362-366.

90 Banerjee, C., Haga, K., Miyajima, S., Yamada, A., Konagai, M. Fabrication of ^c-3C-SiC/c-Si heterojunction solar cells by hot wire CVD system / C. Banerjee, K. Haga, S. Miyajima, A. Yamada, M. Konagai // Jpn. J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 46. - P. 1-6.

91 Matsumoto, Y., Hirata, G., Takakura, H., Okamoto, H., Hamakawa, Y A new type of high efficiency with a low cost solar cell having the structure of a ^cSiC/polycrystalline silicon heterojunction / Y Matsumoto, G. Hirata, H. Takakura, Okamoto, Y Hamakawa // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 67. - P. 65386543.

92 Xiaopeng, W., Xiaoqing, C., Lijie, S., Shun, M., Zhuxi, F. Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions / W. Xiaopeng, C. Xiaoqing, S. Lijie, M. Shun, F. Zhuxi // J. of Semiconductors. - 2010. - Vol. 31.- P. 103002-1- 103002-4.

93 Лучинин, В., Таиров, Ю. Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами / В. Лучинин, Ю. Таиров // Наноиндустрия. - 2010. -

vol. http://www.nanoindustry. su/journal/article/1760. - № 1. - P. 36-40.

94 Wasyluk, J., Perova, T.S., Kukushkin, S.A., Osipov, A.V., Feoktistov, N.A., Grudinkin, S.A. Raman investigation of different polytypes in SiC thin films grown by solid-gas phase epitaxy on Si (111) and 6H-SiC substrates / J. Wasyluk, T.S. Perova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin // Materials Science Forum. - 2010, Vol. 645-648, pp. 359-362.

95 Raposo, M., Ferreira, Q., Ribeiro, P. Modern Research and Education Topics in Microscopy / M. Raposo, Q. Ferreira, P. Ribeiro ; Ed. A. Medez-Vilas, - Badajoz:

FORMATEX. - 2007. - 758 p.

96 L. Blunt and X. Jiang, De Advanced Techniques for Assessment Surface Topography: Development of a Basis for 3D Surface Texture Standards "Surfstand", London, Butterworth-Heinemann, 2003, p. 340.

97 Nagata, K., Ogura, A., Hirosawa, I., Suwa, T., Teramoto, A., Hattori, T. and Ohmid, T. Structural Analyses of Thin SiO2 Films Formed by Thermal Oxidation of Atomically Flat Si Surface by Using Synchrotron Radiation X-Ray Characterization, / K. Nagata, A. Ogura, I. Hirosawa, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori and T. Ohmid // ECS J. of Solid State Science and Technology. - 2015. -Vol. 4. - № 8. - P. 96-98.

98 Fuoss, P.H., Norton, L.J., Brennan, S. and Fischer-Colbrie, A. X-ray scattering studies of the Si-SiO2 interface / P.H. Fuoss, L.J. Norton, S. Brennan and A. Fischer-Colbrie // Phys. Rev. Lett. - 1988. - Vol. 60. - № 7. - P. 600-603.

99 Pluth, J.J., Smith, J.V. and Faber, J. Crystal structure of low cristobalite at 10, 293, and 473 K: Variation of framework geometry with temperature / J.J. Pluth, J.V. Smith and J. Faber // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 57. - № 4. - P. 1045-1049.

100 Wegrzyn, J. Comparison of mass loss rate in reaction of silica with carbon from different investigation results / J. Wegrzyn // METALURGIJA. - 2015. - Vol. 54. - № 3. - P. 579-582.

101 Li, X., Zhang, G., Tang, K., Ostrovski, O. and Tronstad.R. Synthesis of silicon carbide by carbothermal reduction of quartz in H2-Ar gas mixtures, / X. Li, G. Zhang, K.Tang, O. Ostrovski and R. Tronstad // de The Fourteenth International Ferroalloys Congress Energy efficiency and environmental friendliness are the future of the global Ferroalloy industry. -2015. - Kiev. Ukraine.

102 Lee, J.G., Miller, P.D., Cutler, I.B., 8th Int. Symp., Reactivity of solids. Proc. 8th Int. Symp., New York, 1977. -P. 63.

103 Moshtaghioun, B.M., Poyato, R., Cumbrera, F.L., Bernardi-Martin, de S., Monshi, A., Abbasi, M.H., Karimza-deh, F., Dominguez-Rodriguez, A. Rapid carbothermic synthesis of silicon carbide nano powders by using mi-crowave heating / B.M. Moshtaghioun, R. Poyato, F.L. Cumbrera, de S. Bernardi-Martin, A.

Monshi, M.H. Abbasi, F. Karimza-deh, A. Dominguez-Rodriguez // J. Eur. Ceram. Soc. - 2012 - Vol. 32. - P. 1787-1794.

104 Agarwal, A., Pal, U. Influence of pellet composition and structure on carbothermic reduction of silica / A. Agarwal, U. Pal // Metall. Mater. Trans. B. -1999. - Vol. 30. - P. 295-306.

105 Аксянов, И.Г., Компан, М.Е., Кулькова, И.В. Комбинационное рассеяние света в мозаичных пленках карбида кремния / И.Г. Аксянов, М.Е. Компан, И.В. Кулькова // Физика твердого тела. - 2010. - Vol. 52. - №. 9. - P. 1724-178.

106 Perova, T.S., Wasyluk, J., Kukushkin, S.A., Osipov, A.V., Feoktistov, N.A., Grudinkin, S.A. Micro-Raman Mapping of 3C-SiC Thin Films Grown by SolidGas Phase Epitaxy on Si (111) / T.S. Perova , J. Wasyluk , S.A. Kukushkin , A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin // Nanoscale Res Lett. - 2010. - Vol. 5.-P. 1507-1511.

107 Martello, D.E., Tranell, G., Gaal, S., Raaness, O.S., Tang, K., Arnberg, L. Study of pellets and lumps as raw materials in silicon production from quartz and silicon carbide / D.E. Martello, G. Tranell, S. Gaal, O.S. Raaness, K. Tang, L. Arnberg // Metall. Mater. Trans. B. - 2011. - Vol. 42. - P. 939-950.

108 Parida, B., Choi, J., Ji, H.Y., Kim, K. Nanocatalytic Growth of Si Nanowires from Ni Silicate Coated SiC Nanoparticles on Si Solar Cell / B. Parida, J. Choi, H.Y. Ji, K. Kim // J. of Nanoscience and Nanotechnology. - 2013. - Vol. 13. - № 9. - P. 6189-95.

109 Агеев, О.А., Беляев, А.Е., Болтовец, Н.С., Киселев, B.C., Конакова, Р.В., Лебедев, А.А., Миленин, В В., Охрименко, О.Б., Поляков, В.В., Светличный, A.M., Чередниченко, Д.И, Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.С. Киселев, Р.В. Конакова, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, В.В. Поляков, А.М. Светличный, Д.И. Чередниченко. - Харьков: «ИСМА», 2010, 532 с.

110 Zakhvalinskii, VS et al. RF-magnetron sputtering of Si3N4 and study of Si3N4/p-Si heterostructures / V.S. Zakhvalinskii et al. // J. Nanoelectr Optoelectr. -2014. - Vol. 9. - P. 570-5.

111 Solangi, A., Chaudry, M.I. Fabrication and electrical properties of P-SiC/Si and poly- SiC/Si solar cells / A. Solangi, M.I. Chaudry // Springer Proceedings in Physics. - 1992. - Vol. 71. - P. 362366.

112 Van Der Merwe, J. H. Crystal Interfaces. Part I. Semi-Infinite Crystals / J. H. Van Der Merwe //J. of Applied Physics. - 1963. - Vol. 34 - P. 117-123.

113 Morko?, H., Strite, S., Gao, G.B., Lin, M.E., Sverdlov, B., Burns, M. Large-band-gap SiC, Ill-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies, / H. Morko?, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 76. - P. 1364-1388.

114 Tokura Y Colossal Magnetoresistive Oxides / Y. Tokura, Ed. - Amsterdam: Gordon and Breach, 2000. - 358p.

115 Dagotto, E., Burgy, J., Moreo, A. Nanoscale phase separation in colossal magnetoresistance materials: lessond for the cuprates / E. Dagotto, J. Burgy, A. Moreo // Solid State Commun. - 2003 - Vol. 126. - P. 9.

116 Цветков, Д.С. Термодинамика разупорядочения электро- и массоперенос в перовскитоподобных оксидах GdBaCo(2-x)Fe(x)O(б-дельта) (х=0; 0,2) / Д.С. Цветков // Автореф. дис. ... канд. хим. наук: 02.00.04, Екатеринбург, 2010. -23c.

117 Курбаков, A. Фазовая диаграмма Sm(1-x)Sr(x)MnO(3) - перовскитных манганитов / А. Курбаков // Физика твердого тела. - 2009. - т. 51, № 6, C. 1143-1148.

118 Dagotto, E., Hotta T., Moreo, A. Theory of Manganites / E. Dagotto, T. Hotta, A. Moreo // Phys. Rep. - 2001.- Vol. 344. - P. 1-153.

119 Coey, M.D., Viret, M., von. Molnar, S. Mixed-valence manganites / M.D. Coey, M. Viret, S. von. Molnar // Adv. Phys.- 1999. - Vol. 48. - P. 167.

120 Helmont, V., Wecker, J., Holzapfel, B., Shulz, L., Sammer, K. Giant negative magnetoresistance in perovskite like La(2/3)Ba(1/3)MnO(x) ferromagnetic films / V. Helmont, J. Wecker, B. Holzapfel, L. Shulz, K. Sammer // Phys. Rev. Lett. -1993. - Vol. 71. - № 14. - P. 2331-2333.

121 Schiffer, P., Ramirez, A.P., Bao, W., Cheong, S.W. Low temperature Magnetoresistance and the Magnetic Phase diagram of La(1-x)Ca(x)MnO(3) / P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.W. Cheong // Phys. Rev. Lett. - 1995. - Vol. 75. -P. 3336.

122 Петрова, Д.О. и Никифоров, К.Г. Спин-поляризованный транспорт в наноструктуре на основе ферромагнитного манганита-перовскита / Д.О. Петрова и К.Г. Никифоров // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. -2015. - T. 6. - № 3. - C. 14-19.

123 Матаев, М.М., Д.Ж. Нукетаева, Абдраймова, М.Р., Нурбекова, М.А., Турсинова, Ж.И. Рентгенографические характеристики сложных манганитов / М.М. Матаев, Д.Ж. Нукетаева, М.Р. Абдраймова, М.А. Нурбекова, Ж.И. Турсинова // Успехи современного естествознания. - 2014. - № 9-2.

124 Иванов, В.А., Аминов, Т.Г., Новогорцев, В.М. и Калинников, В.М. Спинтроника и спинтронные материалы / В.А. Иванов, Т.Г. Аминов, В.М. Новогорцев и В.Т. Калинников // Известия Академии наук. Серия химическая. -2004. - № 11. - C. 2255-2303.

125 Нагаев, Э.Л. Магнитопримесная теория материалов с колоссальным магнитопротивлением / Э.Л. Нагаев // Успехи физических наук. - 1988. - Vol. 168. - № 8. - P. 917-920.

126 Добровичкий, В.В., Звездин, А.К. и Попков, А.Ф. Гигантское магнитосопротивление, спин- переориентационные переходы и макроскопические квантовые явления в манганитных наноструктурах / В.В. Добровичкий, А.К. Звездин и А.Ф. Попков // УФН. - 1996. - T. 166. - № 4. - C. 439-447.

127 Захвалинский, В.С., Курбаков, А.И. и Лайхо, Р. Кристаллическая структура и магнитный порядок La(0.7)Ca(0.3)Mn(1-y)Fe(y)0(3) манганитов /

B.С. Захвалинский, А.И. Курбаков и Р. Лайхо // Ф.Т.Т. - 2007. - т. 49. - № 4. -

C. 691.

128 Yao, J., Wang, H., Zhang, X., Zhu, W., Wei, J., Cheng, YB. Role of pores in the carbothermal reduction of carbonsilica nanocomposites into silicon carbide nanostructures / J. Yao, H. Wang, X. Zhang, W. Zhu, J. Wei, YB. Cheng // J. Phys. Chem. C. - 2007. - Vol. 111. - P. 636-641.

129 Biernacki, J.J. and Wotzak, G.P. Stoichiometry of the C + SiO2 Reaction / J.J. Biernacki and G.P. Wotzak // J. of the American Ceramic Society. - 1989. - Vol. 72. - P. 122-129.

130 Qian, F., Craciun, V., Singh, R.K., Dutta, S.D. and Pronko, P.P. High intensity femtosecond laser deposition of diamond-like carbon thin films / F. Qian, V. Craciun, R.K. Singh, S.D. Dutta, and P.P. Pronko // J. of Applied Physics. - 1999. -Vol. 86. - P. 2281.

131 Morko?, H., Strite, S., Gao, G.B., Lin, M.E., Sverdlov, B. and Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / H. Morko?, S. Strite, G.B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov and M. Burns // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 76. - P. 1363-1398.

132 Tawada, Y., Yamagishi, H. Mass-production of large size a-Si modules and future plan / Y. Tawada, H. Yamagishi // Solar Energy Materials & Solar Cells. -2001. - Vol. 66. - P. 95-105.

133 Zakhvalinskii, V., Piliuk, E., Goncharov, I., Rodriges, V., Simashkevich, A.V. Si3N4-Nanolayers for Metal-Insulator -Silicon Solar Cells / V. Zakhvalinskii, E. Piliuk, I. Goncharov, V. Rodriges, A.V. Simashkevich // de 29-th EuropeanPhotovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Amsterdam, The Netherlands. -2014.