Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич

• Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ В СИСТЕМЕ БЮ-АШ И ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ

1.1 Карбид кремния и нитрид алюминия

1.2. Условия образования твердых растворов

1.3. Обзор технологий получения твердых растворов (8Ю)1.Х(А11Ч)Х

1.4. Поверхностно-барьерные структуры на основе карбида кремния и его твердого раствора с нитридом алюминия

1.5. Выводы

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (81С)1_Х(АШ)Х

2.1. Основные параметры систем ионно-плазменного магнетронного распыления

2.2. Расчет границы зоны термализации методом парных соударений в приближении жестких сфер

2.3. Технологические аспекты приготовления мишеней и очистки подложек для магнетронного распыления

2.4. Получение пленок твердого раствора (8Ю)1.Х(АШ)Х методом магнетронного распыления

2.5. Выводы

ГЛАВА 3. МОРФОЛОГИЯ РОСТА, СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (8Ю)1.Х(А1К)Х

3.1. Исследование структурных свойств пленок (8Ю)1.Х(АМ)Х методом рентгеновской дифрактометрии

3.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния света пленок (8Ю)1_Х(АШ)Х

3.3. Морфология роста и поверхность пленок (81С)1.Х(АШ)Х

3.4. Атомно-силовая и туннельная микроскопия пленок (81С)1.Х(АШ)Х

3.5. Оптическое поглощение пленок (81С)их(АШ)х

3.6. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок (81С)1_Х(АШ)Х

3.7. Выводы

ГЛАВА 4. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР В СИСТЕМЕ МЕТАЛЛ/^СЫАШ^

4.1. Формирование омических и барьерных контактов к (8Ю)1_Х(АШ)Х/81С структурам

4.2. Расчет высоты потенциального барьера Металл/(81С)!.Х(АШ)Х

4.3. Определение высоты потенциального барьера Металл/(81С)]_Х(АПЧ)Х

4.4. Влияние степени ионности компонентов 8Ю-АПЧ на высоту потенциального барьера на контакте Металл/(81С)1_Х(АПЧ)Х

4.5. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. В настоящее время освоение широкозонных материалов: карбида кремния БЮ, нитридов Ш-й группы и их твердых растворов становится одним из главных направлений развития современной полупроводниковой электроники. Приборы на основе БЮ и его твердых растворах (81С)1_Х(АШМ)Х, обеспечивают высокую надежность и стабильность параметров при экстремальных условиях эксплуатации в силу удачного сочетания полупроводниковых и физико-химических свойств. Наиболее перспективными в этом плане являются твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (8Ю)1_Х(АШ)Х [1]. Благодаря большой ширине запрещенной зоны (от 3 до 6 эВ) твердые растворы (8Ю)1_Х(АШ)Х могут быть использованы в полупроводниковых приборах, эксплуатирующихся в экстремальных условиях высоких температур, повышенной радиации и химически агрессивных воздействий. Среди возможных применений можно назвать: датчики пламени и температуры, диагностика плазмы, детектирования следов от двигателей ракет и т.д.

Псевдобинарные твердые растворы (81С)].Х(АШ)Х позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств БЮ, открывают большие возможности при создании новых оптоэлектронных и высокотемпературных приборов. Твердые растворы (81С)1.Х(А1Ы)Х наследуют уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния [1]. К тому же, в них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими и электрическими свойствами.

Твердые растворы (81С)их(АШ)х также перспективны для применения в структурах с поверхностными барьерами: в высоковольтных диодах, транзисторах и т. д. К примеру, свойства диода Шоттки на основе структуры (81С)1.Х(АШ)Х/81С можно изменять в широких пределах: выбором барьерного металла, концентрации д: в твердом растворе, степени легирования подложки и т.д. Применение широкозонного полупроводника в роли подзатворной области

значительно уменьшает токи утечки затвора, а также увеличивает предельную рабочую температуру диодов и транзисторов.

Однако в настоящее время проблемы получения структурно совершенных тонких пленок твердого раствора (81С)1_Х(А1]Ч)Х с применением ионно-плазменных технологий недостаточно решены. Проблема формирования (8Ю)1_Х(А11\Г)Х во всем интервале составов методом ионно-плазменного (магнетронного) распыления является актуальной задачей, требующей модернизации технологических процессов с учетом специфики их физико-химических свойств.

Настоящая работа проводилась в соответствии ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013гг., «Проведение научных исследований целевыми аспирантами» 2009-2010 гг., по «Разработка технологии получения и исследование структур с поверхностными барьерами на базе твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия для создания высоковольтных и высокотемпературных диодов Шоттки» (гос. контракт №П2139).

Цель работы: разработка технологии получения структурно совершенных пленок твердого раствора (81Сух(АШ)х различных составов, исследование их свойств, а также формирование на их основе поверхностно-барьерных структур в системе Металл/(81С)1.Х(АШ)Х/8Ю.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- Изучение технологических основ формирования структурно совершенных пленок твердого раствора (81С)1_Х(А1>Г)Х методом магнетронного распыления составных мишеней 8Ю с А1.

- Исследование свойств полученных пленок твердого раствора (81С)1_Х(А1К)Х.

- Получение поверхностно-барьерных структур в системе Ме/(81С)[_Х(А11М)Х и определение высоты потенциального барьера.

- Определение закономерности влияния степени ионности компонентов 81С-АМ на высоту потенциального барьера на контакте Металл/(81С) ].х(АШ)Х при изменении концентрации х.

Научная новизна и практическая значимость работы состоит в разработке технологии получения эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x на базе ионно-плазменного магнетронного распыления, исследовании их свойств и получении барьерных структур Металл/(SiС) i _х( Al N)x.

1. Разработана методика формирования структурно совершенных эпитаксиальных слоев твердого раствора (SiC)i_x(AlN)x на подложках карбида кремния магнетронным распылением составных мишеней SiC+Al на постоянном токе (патент RU № 2482229).

2. Впервые получены монокристаллические пленки твердого раствора (SiC)i. X(A1N)X методом магнетронного распыления на постоянном токе составных мишеней SiC, распыляемая поверхность, которой частично покрыта слоем А1, в атмосфере аргона и азота. Показаны преимущества технологии получения пленок (SiC)i.x(AlN)x с применением составных мишеней.

3. По результатам исследований структуры и морфологии методами атомно-силовой микроскопии, сканирующей туннельной микроскопии, методом комбинационного рассеивания света (КРС) определены оптимальные технологические факторы формирования монокристаллических пленок (SiC)i. x(A1N)x.

5. Впервые установлено, что в твердом растворе (SiC)o,36(AlN)o,64 интенсивность коротковолновой полосы спектра фотолюминесценции (Imax =308 нм) возрастает по сравнению с длинноволновой полосой (Хтах =401 нм), при увеличении энергии возбуждения.

6. Впервые теоретически рассчитаны и экспериментально найдены значения высоты потенциального барьера в системе Металл/^С)i_х(A1N)X в зависимости от концентрации х и природы металла.

7. Экспериментально выявлен дополнительный фактор - степень ионности компонентов SiC и A1N, влияющую на высоту барьера Шоттки в системе Металл/(8Ю)1_Х(АШ)Х при изменении содержания компоненты х в пленке.

8. Результаты комплексного исследования барьеров Шоттки в системе Металл/(81С)1.Х(АШ)Х рекомендованы для создания на их основе приборных структур экстремальной электроники.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Способ получения пленок твердого раствора (81С)1.Х(АШ)Х ионно-плазменным магнетронным распылением составных мишеней БЮ с А1, в заданных соотношениях, на постоянном токе в аргон-азотной среде.

2. Зависимость фазового изменения эпитаксиальных пленок твердого раствора (81С)!_Х(АШ)Х от температуры Т подложки, при фиксированных других параметрах. При Т ~ 700°С пленка формируются в аморфной фазе. При температурах подложки свыше 820°С наблюдается переход к поликристаллическому строению. При температурах Т > 1000°С формируется монокристаллическая фаза.

3. Относительно быстрое возрастание интенсивности коротковолновой полосы спектра фотолюминесценции пленок твердого раствора (81С)1.Х(АШ)Х, при концентрациях х > 0,6 по отношении к другим полосам с увеличением энергии возбуждения от ~ 4 до ~ 5 эВ, обусловленный увеличением роли переходов зона-зона при данных составах.

4. Растущая зависимость высоты поверхностно-потенциального барьера структуры Металл/(81С)1.Х(АШ)Х, с ростом содержания компоненты х, от работы выхода металла, обусловленная увеличением степени ионности твердого раствора (81С)1.Х(АШ)Х.

Практическая ценность. Усовершенствована методика выращивания эпитаксиальных слоев (81С)1.Х(АШ)Х на подложках карбида кремния методом магнетронного распыления на постоянном токе.

Разработан способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (81С)1_ Х(АШ)Х (патент на изобретение № 2482229 приоритет от 26.12. 2011).

Рекомендована технология формирования барьеров Шоттки в системе Металл/(81С)1.Х(АШ)Х. Результаты комплексного исследования барьеров Шоттки в системе Металл/(SiC) i _х( A1N)X могут быть использованы для создания на их основе приборных структур.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2007); VII Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (Кисловодск - Ставрополь, 2007); International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Otsu, Japan, 2007); на V Всероссийской конференции Физической электронике (Махачкала, 2008); VI Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» (Санкт-Петербург 2008); Международной конференции ИННОВАТИКА (Ульяновск 2011); VIII Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» (Санкт-Петербург 2011); Photonics, Devices, and Systems V; Proc. of SPIE (Prague, Czech Republic, 2011); New Trends in Physics - NTF (Brno, Czech Republic 2012); Всероссийской конференции Современные проблемы физики плазмы (Махачкала 2013).

Публикации: Материалы диссертации опубликованы в 19 научных работах, в том числе в 5 рецензируемых работах рекомендованных ВАК. Получен патент на изобретение RU №2482229.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Общий объем диссертации 112 страниц, включая 7 таблиц и 48 рисунков. Библиография содержит 127 наименований.

ГЛАВА 1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ В СИСТЕМЕ SiC-AIN И ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ

1.1 Карбид кремния и нитрид алюминия

В ведущих электронных державах мира среди материалов полупроводниковой электроники по объемам экономических вложений в процессы роста кристаллов, получения эпитаксиальных структур и создания приборов силовой электроники, СВЧ электроники и оптоэлектроники доминируют широкозонные материалы нитрид галлия (GaN), нитрид алюминия (A1N) и карбид кремния (SiC). Наряду с широкой запрещённой зоной, для них характерна достаточно высокая температура Дебая, которая определяет стойкость материала к внешним воздействиям.

Карбид кремния - широкозонный полупроводник с уникальным сочетанием физико-химических свойств, позволяющим реализовать на его основе практически все известные типы полупроводниковых приборов, сохраняющие при этом функциональные свойства в экстремальных условиях (высокие температуры, повышенная радиация, агрессивные среды и т.п.). Этим объясняется повышенный интерес к разработкам приборов на основе карбида кремния по всему мире.

На сегодня известно порядка 200 политипов SiC, но механизм формирования той или иной модификации неясен. Наиболее важными являются: кубическая модификация: 3C-SiC (кубическая элементарная ячейка, цинковая обманка); 2Н-SiC; 4H-SiC; 6H-SiC (гексагональная элементарная ячейка, вюртцит); 15R-SiC (ромбоэдрическая элементарная ячейка). Другие политипы с ромбоэдрической элементарной ячейкой: 21R-SiC, 24R-SiC, 27R-SiC и т.д. Во всех политипах, за исключением ЗС- SiC и 2H-SiC атомные слои с кубической (С) и гексагональной (Н) симметрией следуют в строгом порядке в направлении с - оси. Это можно рассматривать как естественную одноразмерную сверхрешетку, наложенную на

«чистый» т.е. Ь-слой свободного ЗС- период сверхрешетки будет различным для различных политипов

Разница в энергиях кристаллической решетки различных модификаций незначительна. Главные факторы, оказывающие влияние на формирование политипов и полиморфные превращения это температура и давление. Однако построение фазовой диаграммы для политипных систем затруднено, т.к. при постоянном давлении и одинаковой температуре возможно формирование разных политипов в зависимости от различных малозначительных внешних воздействий - изменения соотношения компонент, типа синтеза (жидкофазный либо твердофазный). При атмосферном давлении кубический карбид кремния ЗС -БЮ превращается в гексагональные модификации при температурах 2200 °С -2600 °С Наиболее очевидное влияние температуры на кристаллическую структуру твердых тел это тепловое расширение, приводящее к увеличению межатомных расстояний. Таким образом, область термодинамической устойчивости политипов, по-видимому, определяется соответствующим интервалом межатомных расстояний. Действительно, для Б ¿С при нормальных условиях наблюдается линейная зависимость межслоевых расстояний от степени гексагональности. Наименьшее межслоевое расстояние 0,2517 нм наблюдается для политипа ЗС, а наибольшее для модификации 2Н - 0,2524 нм. Степень гексагональности меняется от 0 для кубического политипа ЗС до 100% у гексагональной модификации 2Н. В результате компьютерных расчетов было установлено, что степень гексагональности других политипов варьируется в диапазоне от 0 до 100% и может быть вычислена по формуле \У = (Уп)-100%, где п - число слоев в направлении оси с, составляющих элементарную ячейку; 1=2, 4, ..., п-2 для четного п; \=2, 4, ..., п-3 для нечетного п.

Тот или иной политип должен формироваться в условиях, когда межатомные расстояния соответствуют степени гексагональности политипа. Следовательно, при низких температурах должен формироваться политип с самой низкой степенью гексагональноси - кубический 81С, затем политипы с более высокой

степенью гексагональности. Кроме того, как следует из приведенной формулы, с увеличением количества слоев степень гексагональности политипов может сильно варьироваться (например, для 8Н степень гексагональность может быть 25%, 50% и 75%). В результате становится возможным перекрытие температурных интервалов устойчивости разных модификаций. Формирование кубического БЮ не только при низких температурах, но и при температурах выше 2200 °С в начальные моменты карбидообразования, может быть объяснено тем, что межатомные расстояния в кристаллах нанометрического размера, при ковалентном типе связи меньше, чем кристаллах размером более 10 нм. Это вызвано зависимостью межатомных расстояний от степени ковалентности связей. Как показывают модельные расчеты межатомные расстояния в кристаллах карбида кремния нанометрического размера таковы, что вплоть до температуры 2500 °С их структура должна быть кубической. Формирование же других политипов при высоких температурах осуществляется за счет фазовых превращений при увеличении размеров кристаллов. Установленные закономерности, по-видимому, справедливы не только для карбида кремния, но и других соединений, в которых наблюдается политипизм (нитрид бора, сульфид цинка, алмаз и т.п.).

Как видно из обзора, по своим электрофизическим параметрам карбид кремния может быть использован в условиях повышенных температур для изготовления как оптических, так и силовых высокомощных и высокочастотных электронных приборов.

Однако технология карбидокремниевых приборов в настоящее время остается сложной, так как пластины, полученные методами сублимации и газотранспортных реакций далеки от совершенства. В пластинах БЮ присутствуют как собственные дефекты (вакансии кремния и углерода), так и дефекты типа микропор. Например, вакансии углерода на два порядка выше вакансий кремния и может достигнуть до 1017см"3. Это связано с неравномерным распределением температуры в процессе роста и охлаждения.

Анализ литературных источников показывает, что благодаря кристаллохимической близости в ряду А1203 - AIN - SiC - (SiC - AIN) возможно получение твердых растворов с плавающей шириной запрещенной зоны от 2,8 до 6 эВ - варизонные структуры.

Нитрид алюминия - материал с ковалентными связями, имеющий гексагональную кристаллическую структуру, которая является аналогом структуры сульфида цинка, известной как вюрцит. Материал устойчив к очень высоким температурам в инертных атмосферах. На воздухе поверхностное окисление происходит выше 700 °С, и при комнатной температуре были обнаружены поверхностные окисленные слои толщиной 5-10 нм. Этот окисный слой защищает материал до 1370 °С. Выше этой температуры происходит объёмное окисление материала. Нитрид алюминия устойчив в атмосферах водорода и углекислого газа до 980 °С. Материал медленно распадается в неорганических кислотах при контакте жидкости с границами зерен, как и в случае с сильными щелочами. Материал медленно гидролизуется в воде. A1N кристаллизуется в 2Н политипную модификацию. Результаты Тейлора, Лэни и Слэка, указали на возможность кристаллизации A1N в цинковую обманку. Гексагональная структура A1N отличается от идеальной структуры вюрцита, отношением с/а = 1,6 вместо 1,633, а параметр с кристаллической решетки равен 0,375. Это означает, что центр электронной плотности в А1 не совпадает с центром тетраэдра на 0,005 нм. Вследствие смещения каждого атома возникает постоянный динамический момент в направлении оси с, углы между связями A1-N колеблются от 107,7° до 110,5° градусов, а расстояние изменяется от 0,1885 до 0,1917 мкм [3].

Для выращивания кристаллов A1N используется реакция между паром А1 и азотом в горизонтальной угольной трубчатой печи или графитовом тигле, нагреваемом токами высокой частоты. При высоком пересыщении A1N образуются кристаллы, имеющие форму шестигранных игл, призм, при малом -преимущественно пластинчатые кристаллы A1N. Не удается найти однозначной

зависимости типа кристалла от температуры образования. При Т > 2500 °С вследствие испарения кристаллы начинают медленно уменьшаться. Цвет кристаллов зависит от примесей, входящих в его состав, и может быть серым, коричневым, голубым, молочно-голубым. Наиболее чистые кристаллы бесцветны. Кристаллы иногда приобретают различные оттенки голубого цвета, что является результатом присутствия в кристаллах оксикарбида алюминия АЬОС (гипотеза Лонга и Форстера о том, что чистый A1N бесцветен, экспериментально подтверждена Тейлором и Лэни), который изоморфен с нитридом алюминия и может образовывать с ним твердые растворы. Интенсивность окраски A1N возрастает с увеличением содержания А12ОС [4]. Окраска также может вызываваться и избытком алюминия. A1N полученный методом сублимации в атмосфере азота, как правило, прозрачен. Для получения тонких пленок A1N применяется метод ионно-плазменного высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени высокой чистоты в атмосфере азота.

Таким образом, A1N можно применять в высокотемпературных полупроводниковых устройствах. Для создания приборных структур идеальными по кристаллохимическим показателям и электрофизическим свойствам являются системы SiC-AIN и AIN-GaN. Это подтверждается значениями энергий разрыва зон проводимости и валентных зон гетеропар GaN/AIN и SiC/AIN, формированных по направлению (0001). А также A1N может применяться в высокотемпературных полупроводниковых устройствах в виде высокотеплопроводной керамики (вместо оксида бериллия) в качестве подложек, корпусов электронных схем. А также в качестве светодиодов излучающих в области глубоких ультрафиолетовых волн.

1.2. Условия образования твердых растворов

Возможность существования твердых растворов на основе различных полупроводниковых соединений существенно расширила круг материалов

полупроводниковой электроники. Особенно значительны в настоящее время успехи в получении, исследовании и применении твердых растворов соединений АШВУ и АПВУ1. Созданием тройных и четвертных твердых растворов на основе этих соединений можно достичь расширения спектра свойств, необходимых для различных твердотельных электронных устройств. В последние годы все более пристальное внимание исследователей стали привлекать твердые растворы на основе широкозонных полупроводников. Наибольший интерес при этом представляют твердые растворы на основе карбида кремния, так как они могут наследовать уникальные свойства, присущие этому материалу [1,2].

Однако, отсутствие критериев образования твердых растворов на основе карбида кремния и данных об условиях их существования, значительно сдерживает перспективу получения и применения этих материалов.

По принятому определению, к твердым растворам относят такие твердые фазы, в которых соотношения между компонентами могут изменяться без нарушения однородности. Эта точка зрения предполагает сохранение порядка в расположении элементарных ячеек, однако, это условие не всегда соблюдается. Кроме того, существует несколько подходов к классификации твердых растворов. Согласно классификации Вагнера, твердые растворы делятся на первичные, промежуточные и неограниченные, непрерывные. Основой этой классификации является положение фаз на диаграмме состояния. Рентгенографические исследования твердых растворов, проведенные параллельно с измерениями их плотности показали, что существует три структурных типа твердых растворов: замещения; внедрения; вычитания.

Раствор замещения характеризуется тем, что произвольные узлы одного компонента замещаются атомами другого компонента раствора, распределенными статистически. В растворе внедрения атомы растворенного вещества располагаются в междоузлиях основной решетки, образуя в свою очередь, подрешетку. Растворы замещения особенно важны для образования твердых

растворов в широком диапазоне составов, в то время как образование растворов внедрения возможно лишь при определенных соотношениях компонентов.

С точки зрения особенностей формирования энергетического спектра электронов, твердые растворы делятся на две группы. Одна из групп - это ограниченные твердые растворы, возникающие в результате введения в решетку полупроводника небольшого количества определенным образом выбранных примесей. При образовании твердых растворов примесей в запрещенной зоне возникают преимущественно примесные состояния. Возникновение этих состояний является результатом того, что донорные или акцепторные примеси создают в кристаллах кулоновские поля, достаточные для образования глубоких потенциальных ям - ловушек, которые и изменяют распределение носителей заряда по сравнению с нелегированными полупроводником. Введение примеси сверх определенного количества приводит к выделению второй фазы, поэтому твердые растворы типа полупроводник-примесь удается получить лишь в узкой области растворимости легирующих компонентов. Изучение ограниченных твердых растворов является актуальной задачей, в связи с возможностью управления структурно чувствительными свойствами большинства полупроводниковых материалов, другая группа твердых растворов отличается тем, что при их образовании происходит изменение параметров решетки, а соответственно и зонной структуры, исходных компонентов твердого раствора. В этом случае речь идет о неограниченных или частично ограниченных твердых растворах.

В свою очередь, последняя группа твердых растворов подразделяется на два класса. К первому классу относят полупроводниковые соединения, имеющие в своем составе химически сходные компоненты с одинаковым числом валентных электронов. Это, так называемые, изовалентные твердые растворы типа Si-Ge, Se-Те, AinBv-AInBv, AnBVI-AnBVI, AIVBIV-AIVBIV. Образование изовалентных твердых растворов теоретически не должно приводить к возникновению примесных уровней в запрещенной зоне полупроводников, так как из-за химической

родственности компонентов нет кулоновских полей, приводящих к образованию ям-ловушек. Ко второму классу относятся соединения, состоящие из химически разнородных компонентов, имеющих различное число валентных электронов. Такие соединения получили название гетеровалентных твердых растворов. К ним относятся соединения типа АШВУ-АПВУ1, А1УВУ1-А1УВУ и т.д.

Необходимыми условиями образования твердых растворов являются:

1. Наличие одинаковых кристаллических решеток компонентов. Если компоненты полиморфны, то неограниченная взаимная растворимость может наблюдаться лишь между их изоморфными модификациями.

2. Атомные радиусы и, следовательно, периоды кристаллической решетки компонентов, образующих твердый раствор, не должны отличаться более чем на 10-15%.

3. Электрохимические свойства компонентов не должны сильно различаться, иначе проявляется тенденция к образованию соединений, обладающих значительной устойчивостью, в которых удовлетворяется правило валентности. О таких сплавах говорят, что они имеют сильный электрохимический фактор.

Обычно, при наличии сильного электрохимического фактора, область существования первичных растворов и интервал гомогенности промежуточной фазы бывают очень ограниченными. Однако до настоящего времени не удалось установить совокупность условий, которые были бы не только необходимы, но и достаточны для неограниченной взаимной растворимости компонентов. Поэтому в большинстве случаев не удается реализовать совершенную по структуре границу. Повышенная дефектность этой границы приводит к резкому ухудшению электрофизических свойств за счет скопления остаточных рекомбинационно и электрически активных примесей вблизи гетероперехода, что существенно снижает срок службы приборов. В связи с этим, проблема синтеза материалов, пригодных для создания идеальных гетероструктур стоит особенно остро. Задачу можно решить, создавая гетероструктуры в системе тройной раствор - тройной раствор или, что более предпочтительно, гетероструктуры на основе четверных

твердых растворов. Это связано с тем, что изменение состава твердых растворов приводит к изменению параметра решетки, и, следовательно, подбирая состав твердого раствора, можно создать идеально сопрягающиеся пары гетерокомпозиций. Так как кроме параметра решетки необходимо изменить и энергию запрещенной зоны в необходимом направлении, предпочтительность четвертных растворов обусловлена возможностью независимого управления этими двумя параметрами.

Установлению принципов управления свойствами твердых растворов на основе карбида кремния, могут быть полезны знания закономерностей изменения некоторых важных параметров для хорошо изученных твердых растворов на основе соединений AnBVI-AmBv .

Изменение постоянной решетки в зависимости от состава в твердых растворов обычно подчиняется закону Вегарда [5]. В [6,7] представлены данные твердых растворов на основе соединений AmBv, подтверждающие это правило. Таким образом, изменении параметров кристаллической решетки влияет на ширину запрещенной зоны, к примеру, для соединений А1 и Ga с элементами V группы изменение параметров решетки незначительны, когда как изменение ширины запрещенной зоны существенен [8,9].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич, 2014 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Сафаралиев Г.К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния: дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Сафаралиев Гаджимет Керимович. - Баку, 1988.

2. Янков, P.A. Высокотемпературная имплантация ионов N+ и А1+ в 6H-SiC при высоких дозах / P.A. Янков, М. Фельсков, У. Крайссиг и др. // Письма в ЖТФ. -1997. - Т.23. - Вып. 16. - С. 6-14.

3. Жданов, Г. С. Физика твердого тела / Г. С. Жданов. - М.: Изд-во МГУ, 1982. -170-181 с. - 335-338 с. - 357-359 с.

4. Баровский, Н. В. Осаждение эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и его свойства / Н. В. Баровский, А. В. Добрынин и др. // «Техника средств связи», Сер. ТПО.-1987.-№1.-С. 25-28.

5. Давиташвили, О.И. Многокомпонентные твердые растворы соединений А4В4 / О.И. Давиташвили, Л.М.Долгинов, П.Г. Елисеев, И.Н. Засавицский, А.П. Шотов // Квантовая электроника. - 1977. - Т. 4. - С. 904-907.

6. Горюнова, H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники / H.A. Горюнова. -М.: Сов. радио, 1968. - 266 с.

7. Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы / О. Маделунг. - М.: Мир, 1967.

3 5 2 6

8. Антипас, Д.А. Четверные соединения AB, AB. Материалы для оптоэлектроники / Д.А. Антипас, Р.Д. Мун, Л.У. Джеймс, Д. Эджекумбе. - М.: Мир, 1976. - 122-130 с.

9. R. Buruham, N. Buruham, Holonyan // Appl. Phys. - 1979. - Vol. 50. - №2.- P. 69026906.

10. Долгинов, Л.М. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор) / Л.М. Долгинов., П.Г. Елисеев, М.Г. Мильвидский // Квантовая электроника. - 1976 - Т. 3. - №7. - С. 1381-1393.

11. Косолапова, Т.Я. Неметаллические тугоплавкие соединения / Т.Я. Косолапова, Т.В. Андреева, Т.С. Бартницская. - М.: Металлургия, 1985.

12. Таиров, Ю.М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований (обзор) // Широкозонные полупроводники. Межвузовский научно-тематический сборник, 1988 г. - Махачкала: Изд-во Редакционно-издательский отдел ДГУ, - 1988 - С. 413.

13. Таиров, Ю.М. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников / Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Сб. ЛИЯФ, - Ленинград: -1979. -С.122.

14. Van-Vechten, J.A. Quantum dielectric theory of electronegayivity in covalent system / J.A. Van-Vechten // Phys. Rev. -1969 -Vol. 187. - P. 1007.

15. Cutler, I.B. New materials in the Si-C-Al-O-N and related systems / I.B. Cutler, P.D. Miller, W. Rafaniello, D.P.Thompson, H.K. Jack // Nature (London), - 1978 - Vol. 275. - P. 434-435.

16. Rutz R.F. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AIN // US pat. № 4382837.1983.

17. Г. Суханек, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Письма в ЖТФ. -1983. -Т.9. -Вып. 12. - С.737.

18. Rafaniello, W. Investigation of phasestability in the SiC- A1N / W. Rafaniello, M.R. Plichta, A.V. Vircar, // J. Amer. Ceram. Soc., - 1983 - Vol. 66, №4. - P 272 -276.

19. Guy Ervin Jr. Silicon carbide - aluminum nitride refractory composite // US pat. №3492153. 1970.

20. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution // US pat. №4141740. 1979.

21. Rafaniello, W. Fabrication and characterization of SiC- A1N alloys / W Rafaniello, K. Cho, A.V. Virkar// J. Mater. Sci. -1981, Vol.16. № 12. - P. 3470-3488.

22. Ruh, R. Composition and properties of hot-pressed SiC-AIN solid solutions / R. Ruh and A. Zangvil // J. Am. Ceram. Soc. -1982, Vol. 65. № 2. - P. 260-265.

23. Zangvil, A. Phase relationships in the silicon carbide-aluminum nitride system / A. Zangvil, R. Ruh // J. Amer. Ceram. Soc. -1988, Vol. 71, № 10. - P. 884-890.

24. Czekaj, C.L. Preparation of silicon carbide/aluminum nitride ceramics using organometallic precursors / C.L. Czekaj et. al // J. Am. Ceram. Soc. - 1990. Vol.73. № 2.-P. 352-357.

25. Сафаралиев, Г.К. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AIN / Г.К. Сафаралиев и др. // ФТП. -1993. -Т.27. - Вып. 3. - С. 402408.

26. Сорокин, Н.Д. Исследование состава твердых растворов SiC-GaN и SiC-AIN методом рентгеноспектрального анализа / Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Тез. докл. 3 Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Звенигород, Наука, 1981.-С. 227.

27. Нурмагомедов, Ш.А. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i_x(AlN)x / Ш.А. Нурмагомедов, Н.Д. Сорокин, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Изв. АН СССР, Неорг. матер. -1986. - Т. 22. - Вып. 10. С. 1872-1874.

28. Нурмагомедов, Ш.А. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i_x(AlN)x / Ш.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Письма в ЖТФ. - 1986. - Т. 12, - Вып. 17. - С. 1043-1045.

29. Офицерова, Н. В. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SiC)i_x(AlN)x / Н. В. Офицерова, М.К. Курбанов, И.П. Никитина, Н.Д. Сорокин. Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Изв. РАН, Неогр. матер. - 1992. - Т. 28. № 9. - С. 2011-2012.

30. Дмитриев, В.А. Твердые растворы SiC-AIN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии / В.А. Дмитриев, Л.Б. Ефимов, И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко, И.П. Никитина, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков, М. А. Чернов//ПисьмаЖТФ. - 1991. - Т. 17. - Вып. 6. - С. 50-53.

31. Kern, R.S. Solid Solution of A1N and SiC grown by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy / R.S. Kern, L.B. Rowland, S. Tanaka, R.F. Davis // J. Mater. Res. - 1983. Vol. 8. № 7. - P. 1477-1480.

32. Царегородцев, A.M. Термодинамический анализ процесса осаждения из газовой фазы твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x / A.M. Царегородцев, А.О. Лебедев // Неорг. матер. - 1995. -Т.31. № 6. - С. 748-753.

33. Kern, R.S. Growths and doping via gas source molecular beam epitaxy of SiC and SiC/AIN heterostructures and their microstructural and electrical characteristics / R.S. Kern, K. Jarrendahl, S. Tanaka, R.V. Davis // International Journal of the science and technology of diamond and related materials. Proceedings of the 1st European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM, 1996), 1997. Vol. 6. №10. -P. 1282-1288.

34. Офицерова, H.B. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x / H.B. Офицерова, М.К. Курбанов, Т.К. Сафаралиев // В сб. статей (Естественно-технические науки), Изд-во ДГУ, 1992.-С.109-110.

35. Сафаралиев, Г.К. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)i_x(AlN)x, / Т.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Н.В. Офицерова, Ю.М. Таиров // Изв. РАН, Неорг. матер. - 1995. -Т.6. - С. 1-4.

36. Абдуев, А.Х. Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC / А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, С.А. Ашурбеков, М.К. Курбанов, Ш.А. Нурмагомедов, Т.К. Сафаралиев // Письма в ЖТФ. - 1988. Т.14. -Вып. 12. - С. 1095-1098.

37. Safaraliev, G.K. Luminescence of heterojunctions (SiC)i.x(AlN)x/SiC / G.K. Safaraliev, M.K. Kurbanov, N.V. Ofitcerova // Trans. International Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, Santa-Clara, USA, 1991. - P. 114-119.

38. Safaraliev, G. The growth and electrical properties of heteroepitaxial layers (SiC)i-X(A1N)X / G. Safaraliev, M. Kurbanov, T. Isabecova, A. Magomedov, N. Ofitcerova //

Trans. 3-th International High Temperature Electronic Conference, Albuquerque, USA, 1996. Vol.2. - P. 251-256

39. Сафаралиев, Г.К. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)i_x(AlN)x/(SiC) / Г.К. Сафаралиев, В.Н. Разбегаев, М.К. Курбанов, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Электронная техника. Сер. Материалы. -1991.-Вып. 4-С. 22-24.

40. Safaraliev, G.K. Capacity properties of heterojunctions SiC-(SiC)i_x(AlN)x / G.K. Safaraliev, M.K. Kurbanov, Sh.A. Nurmagomedov, T.I. Isabecova, A.G. Magomedov, // Trans. International Conference Silicon Carbide and Nitride III group and Related Materials. (ICSCIII-N 97), Stokgholm, 1997.

41. Safaraliev, G.K. Heterojunctions on basis wide-gap solid solutions (SiC)i.x(AlN)x / G.K. Safaraliev, M.K. Kurbanov, Sh.A. Nurmagomedov, N.V. Ofitcerova // 2-nd European High Temperature Electronic Conference, Manchester (England), 1997.

42. Дмитриев, А.П. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала / А.П. Дмитриев, Н.В. Евлахов, А.С. Фурман // ФТП. - 1996 - Т. 30. -Вып.1.-С. 106-116.

43. Narsing, В. (SiC)x(AlN)i_x Solid-Solution Substrate for High Temperature and High Power Devices / B. Narsing, et. al // Crystal Growth & Design - 2010. Vol. 10. - P. 3508-3514.

44. Guerra, J.A. Determination of the optical band gap of thin amorphous (SiC)i.x(AlN)x films / J.A. Guerra, A. Winterstein, O. Erlenbach // Materials Science Forum, 2010. Vol. 645-648. - P. 263-266.

45. Tungasmita, S. The Growth of (SiC)x(AlN)i_x Epitaxial Thin Films on 6H-SiC, by lon-assisted Dual Magnetron Sputter Deposition / S. Tungasmita, et. al // Materials Science Forum, 2002. Vol. 389-393. -P. 1481-1484.

46. Гусейнов, M.K. Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)i_x(AlN)x / М.К. Гусейнов, М.К. Курбанов, Б.А. Билалов, Г.К. Сафаралиев // ФТП. -2010. -Т. 44. - Вып. 6. - С. 841-844.

47. M. Bhatnagar, Р.К. McLarty, B.J Baliga // IEEE Electron Dev. Lett. - 1992. Vol. 13. -P. 501.

48. T. Urushijani, S. Kobayashi, T. Kimoto, H. Matsunami // Silicon Carbide and Related Materials, 1993. Ser. 137. - P. 471.

49. Иванов, П.А. Токи утечки в 4Н-8Ю-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(р-п-структурой) / П.А. Иванов и др. // ФТП. - 2012. - Т. 46. - Вып. 3. - С. 411-415.

50. Seong-Jin, Kim. Breakdown Voltage Characteristics of SiC Schottky Barrier Diode with Aluminium Deposition Edge Termination Structure / Kim. Seong-Jin, Oh Dong-Ju, Yu Soon-Jae, Woo Yong-Deuk // Journal of the Korean Physical Society. - 2006. Vol. 49.-P. 768 -773.

51. Иванов, П.А. Высоковольтные (1800 В) планарные р-п-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами / П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 4. - С. 527 -530.

52. Glover, G.H. Charge multiplication in Au-SiC (6H) Schottky junctions / J. Appl. Phys. - 1975. Vol. 46. - P. 4842.

53. В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Раенков // ФТП. - 1982.-Т. 16.-С. 1325.

54. М.М. Anikin, А.А. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk // Springe. Proc. in Physics. - 1992. Vol. 56. - P. 269.

55. A.M. Cowley, S.M. Sze // J. Appl. Phys. - 1965. Vol. 36. - P. 3212.

56. S.H. Hagen // J. Appl. Phys. - 1968. Vol. 39. - P. 1458.

57. J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis // J. Appl. Phys. - 1992. Vol. 72 -P. 4757.

58. J.R. Waldrop, R.W. Grant // J. Appl. Phys. Lett.- 1993. Vol. 62. - P. 2685.

59. A.H. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова // ФТП. - 1995. - Т. 29. - С. 1828-1833.

60. Давыдов, С.Ю. Контакт металл-карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC / С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров // ФТП. - 2001. - Т. 35. - С. 1437 - 1439.

61. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник // ФТП. - 2006. - Т. 40. - С. 304.

62. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов // ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 68.

63. А.А. Лебедев, Д. В. Давыдов, В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский // ФТП. - 1999. -Т. 33.-С. 959.

64. Francis, F. Chen. Industrial applications of low - temperatures plasma physics / F. Chen. Francis // Phys. Plasmas. - 1995. Vol. 2. №6. - P. 2164 - 2175.

65. Плазменные ускорители / под общей ред. Л.А Арцимовича. - М.: Машиностроение, 1973.

66. Данилин, Б.С. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов / Б. С. Данилин, В. К. Неволин, В. К. Сырчин // Электронная техника. Сер. Микроэлектронника. - 1977. - Вып. 3 (69). - С. 37 - 44.

67. Kirk, J. G. The evolution of a test particle distribution in a strongly magnetized plasma / J. G. Kirk, D. J. Galloway // PL Phys. - 1982. Vol. 24. №4. - P. 339 - 359.

68. Vriens, L. Energy balance in low - pressure gas discharges / L. Vriens // J. Appl. Phys. - 1973. Vol. 44. №9. - P. 3980 - 3989.

69. Ligthart, F. A. S. Two - electron group model and electron energy balance in low -pressure gas discharges / F. A. S. Ligthart, R. A. J. Keijser // J. Appl. Phys. - 1980. Vol. 51. №10.-P. 5295-5299.

70. Kuwahara, K. Application of the Child - Langmuir Law to Magnetron Discharge Plasmas / K. Kuwahara, H. Fujiyama // IEEE Trans. Plasma. Sci. - 1994. Vol. 22. №4. -P. 442 - 448.

71. Туликов, А. Ф. Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы / А. Ф. Туликов // Успехи физических наук - 1965. - Т. 87. -Вып. 4. - С. 585.

72. Моргулис, Н. Д. Катодное распыление / Н. Д. Моргулис // Успехи физических наук. - 1946. - Т. 28. - Вып. 2. - С. 202.

73. Бериша, Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / под ред. Р. Бериша; пер. А.М. Куклин. - М.: Наука, 1984-1986.

74. Rainer Behrisch Sputtering by Particle Bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV / Behrisch Rainer, Eckstein Wolfgang. -New York: Springer-Verlag, 1981. - P. 336.

75. Технология тонких пленок. Справочник. T.l // под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. - М. : Сов. Радио, 1997. - 664 с.

76. Данилин, Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В. Н. Сыргин. - М. : Радио и связь, 1982. - 72 с.

77. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика. Том 2. Теория поля / Л.Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - М.: Наука, 1967. - 460 с.

78. Басыров, Р.111. Модель приэлектродных процессов в магнетронных распылительных устройствах / Р.Ш. Басыров, Н.Ф. Кашапов, Г.С. Лучкин // Прикладная физика. - 2003. №5. - С. 37.

79. Ласка В.Л., Митрофанов А.П., Карманенко С.Ф. // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, 1985. Вып. 1 (106). - С. 101.

80. Никоненко, В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD / Практикум, под ред. Г.Д. Кузнецова. - М.: МИСиС, 2001.

81. Мишени для магнетронного распыления в вакууме. Режим доступа: http://ligamet.org/index.php?id=92 [Электронный ресурс]

82. Рамазанов Ш.М., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Способ получения эпитаксиальных пленок (SiC)i_x(AlN)x // Патент России № 2482229. 2011. Бюл. № 14. Опубликовано: 20.05.2013.

83. Хохлова, А.Ф. Физические свойства твердых тел: Учеб. пособие/ под ред. А.Ф. Хохлова - 2-е изд, испр. - М.: Высшая школа, 2001. - 484 с.

84. Ponce, F.A. Atomic arrangement at the AIN/SiC interface / F.A. Ponce, C.G. Van de Walfe, G.E. Northrup // Phys. Rev. B. - 1996. Vol. 53. №11. - P. 7473-7478.

85. Цветков, В.Ф. Термодинамический анализ фазовых равновесий при диссотиативном испарении политипов карбида кремния / В.Ф. Цветков // Изв. ЛЭТИ. Научные труды ЛЕТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). - 1983. Вып. 322. -С.39-46.

86. Глушко, В.П. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочник / под ред. В.П. Глушко. - М.: Изд-во АН СССР, 1978.

87. Киреев, В.А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций / В.А. Киреев. - М.: Химия, 1975.

88. Карапетьянц, М.Х., Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ / М.Л. Карапетьянц. - М.: Химия, 1968.

89. Scace, R.I. Solubility of carbon in molten silicon / R.I. Scace, C.A. Slack // J. Chem. Phys. - 1959. Vol. 30. - P. 1551.

90. Павлова, Л.М. Уравнение кривой ликвидуса и термодинамический анализ систем с инконгруэнтно плавящимся соединениям / Л.М. Павлова, В.М. Глазов // Докл. АН СССР. - 1978. - Т. 241. - С.1371-1374.

91. Рентгеновская дифрактометрия: учебное пособие / М.Г. Исаенкова [и др.]. -М.: МИФИ, 2007.48 с.

92. Jin-Cheng Zheng et al. // Appl. Phys. Lett. - 2001. Vol. 11. - P. 1643-1645.

93. Пентин, Ю.А. Основы молекулярной спектроскопии / Ю.А. Пентин, Г. М. Курамшина. - М.: Мир, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 398 с.

94. Фабелинский, И. Л. Комбинационному рассеянию света - 70 лет (Из истории физики) / И. Л. Фабелинский // Успехи физических наук. - 1998. - Т. 168. № 12. -С. 1342-1360.

95. Ying, Yang Identification of SiC polytypes by etched Si-face morphology / Yang Ying, Chen Zhiming // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2009. Vol.12. -P. 113-117.

96. Leia, M. Synthesis and optical property of high purity A1N nanowires / M. Leia, H. Yangb, Y.F. Guoa, B. Songb, P.G. Lia, W.H. Tanga // Materials Science and Engineering: B. - 2007. Vol. 143. Iss. 1-3- P. 85-89.

97. Технология тонких пленок: справочник / под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. - М.: Советское радио, 1977.

98. Feenstra, R.M. Recent development in scanning tunneling spectroscopy of semiconductor surfaces / R.M. Feenstra V.Ramachandran, H.Chen // Appl. Phys. A. -2001. Vol. 72.-P. 193-199.

99. Беленков, E.A. Исследование формирования политипов алмаза и карбида кремния / Е.А. Беленков, Э.Н. Агалямова // Вестник Челябинского государственного университета. - 2009. №24 (162).Физика. Вып. 5. - С. 13-20.

100. Kubby, J.A. Scanning tunneling microscopy of semiconductor surfaces / J.A. Kubby, J J. Boland // Surface Science Reports. - 1996. Vol. 26. - Iss. 3-6. - P. 61-204.

101. Демиховский, В.Я. Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах методами сканирующей зондовой микроскопии. Учебно-методический материал по программе повышения квалификации «Физико-химические основы нанотехнологий» / В.Я. Демиховский, Филатов Д.О. -Нижний Новгород: 2007. - 77 с.

102. Бонч-Бруевич, В.М. Физика полупроводников / В.М. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. - М.: Наука, 1977. - 700 с.

103. Рембеза, С.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники / С.И. Рембеза, Б.М. Синельников, Е.С. Рембеза. - Ставрополь.: СевКавГТУ, 2002. -141с.

104. Хохлов, А.Ф. Физика твердого тела. Лабораторный практикум. Физические свойства твердых тел. Изд. II / А.Ф. Хохлов - М:. Высшая школа. 2001.

105. Нурмагомедов, Ш.А. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x / Ш.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // ФТП. - 1989. - Т.23. -Вып. 01. - С. 162-164.

106. Сафаралиев, Т.К. Полупроводниковые твердые растворы / Т.К. Сафаралиев. - Махачкала: Изд-во ДГУ, 1991. - 44 с.

107. Сафаралиев, Г.К. Широкозонные твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x / Г.К.Сафаралиев, Ю.М.Таиров, В.Ф.Цветков // ФТП. - 1991. - Т. 25. - Вып. 08. - С.

1437-1447.

108. Макаров В.В. // ФТП. - 1977. - Т.13. №8. - С. 2357-2363.

109. Tairov Y.M., Vodakov Y.A. // Electroluminescence. Topics in Appl. Phys. -1977. Vol.17.-P. 31-61.

110. Балландович, B.C. Распределение эффективности фотолюминесценции по глубине диффузионных слоев карбида кремния легированных бором / B.C. Балландович, Г.И. Виолин // Изд. ЛЭТП. Научные труды. - 1984. - Вып. 338. -С. 12-15.

111. Курбанов М. К. Эпитаксия твердых растворов (SiC)i_x(AlN)x из газовой фазы и физические свойства гетероструктур // дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Курбанов Маликаждар Курбанович. - Махачкала, 1998. - 136 с.

112. Гусейханов, М.К. Омические контакты к твердым растворам (SiC)i_x(AlN)x / M.K. Гусейханов, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, А.Г. Магомедов // ПЖТФ. -1996. - Т. 22. - Вып. 12. - С. 75-78.

113. Золатарев, М.М. Металлизатор вакуумщик / М.М. Золатарев - М.: Высшая школа, 1978.- 107 с.

114. Braun, F. Ueber die Stromleitung durch Schwefelmetalle / F. Braun / Annalen der Physik. - 1875. Vol. 229. Iss. 12. - P 556-563.

115. Bose J. C. Locking mechanism for switch-points // US pat. № 775840. 1904.

116. Wilson, A. H. The Theory of Electronic Semi-Conductors / A. H. Wilson // Proceedings of the Royal Society of London. Series A. - 1931. Vol. 133. №822. - P. 458-491.

117. Schottky, W. Halbleitertheorie der Sperrschicht / W. Schottky // Naturwissenschaften. - 1938. Vol. 26. - P. 843.

118. Mott, N. F. Note on the Contact between a Metal and an Insulator or Semiconductor / N. F. Mott // Cambridge Philosophical Society. - 1938. Vol. 34. -Iss. 04 - P. 568-572.

119. Crowcll, C.R. Electron-optical-phonon scattering in the emitter and collector barriers of semiconductor-metal-semiconductor structures / C.R. Crowcll, S. M. Szc // Solid-Stale Electronics. - 1965. Vol. 8. - Iss. 12. - P. 979-990.

120. Kao, Chung-Whei Photoelectron injection at metal-semiconductor interfaces / Chung-Whei Kao, C. Lawrence Anderson, C.R. Crowell // Surface Science. - 1980. Vol. 95, - Iss. l.-P. 321-339.

121. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. Том 1. / С. Зи; пер. В.А. Гергеля. - М.: Мир, 1984.

122. R. Ludeke, G Jezequel, A. Tabel- Ibrahimi // Phys. Rev. Lett. - 1988. Vol.61. 601.

123. R. Ludeke // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 40.

124. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов // ФТП. - 1997. - Т. 31. - С. 597.

125. Safaraliev G.K., Ismailova N.P., Tairov Y.M. The energy diagram of hetero-junction in system SiC-(SiC)!_x(AlN)x // Trans, of the Third International high Temperature Electronics Conference. USA, - 1996,- P.245-250.

126. Fowler R.H. // Phys. Rev. - 1931. Vol. 38. - P.45-56.

127. Kurtin, S. Fundamental transition in the electronic nature of solids / S. Kurtin, T. C. McGill, C. A. Mead // Phys. Rev. Lett. -1969. Vol. 22 (26). - P. 1433-1436.