Синтез тонких пленок карбида кремния на кремнии с использованием метода молекулярного наслаивания тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Амашаев Рустам Русланович

• Амашаев Рустам Русланович
• кандидат наук
• 2022

Оглавление диссертации кандидат наук Амашаев Рустам Русланович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Обзор литературы

1.1 Физико-химические свойства карбида кремния

1.1.1 Политипы карбида кремния

1.1.2 Физические и электрические характеристики 81С

1.1.3 Показатель преломления и оптическое поглощение

1.2 Рост на Si

1.3 Приложения SiC/Si структур в электронике

1.3.1 Диоды на основе 810/81 гетероструктур

1.3.2 Тонкопленочные транзисторы на основе 81С/81 гетероструктур

1.3.3 Пьезорезистивные и емкостные датчики на основе 81С/81 гетероструктур

1.4 Методы получения тонких пленок SiC на Si

1.4.1 Химическое осаждение из газовой фазы

1.4.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия

1.4.3 Импульсное лазерное осаждение

1.4.4 Магнетронное распыление

1.4.5 Твердофазная эпитаксия 81С на 81 за счет реакции монокристаллического 81 с газообразным СО

1.4.6 Низкотемпературное плазма-стимулированное молекулярное наслаивание

1.4.7 Получение пленок 81С на 81 с использованием технологии Ленгмюра-Блоджетт

1.4.8 Молекулярное наслаивание

1.5 Предлагаемый метод получения пленок SiC на Si с использованием технологии МН

Выводы к главе

Глава 2 Экспериментальная часть

2.1 Экспериментальная установка для молекулярного наслаивания тонкопленочных структур

2.2 Молекулярное наслаивание пленок полиамидов

2.3 Кварцевое пьезоэлектрическое микровзвешивание

2.4 Пиролиз МН пленок полиамидов

2.5 Исследование пленок микроскопическими и спектроскопическими методами анализа

2.5.1 Анализ сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсной рентгеновской спектроскопии

2.5.2 Спектроскопия комбинационного рассеяния и ИК-Фурье спектроскопия

2.5.3 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

2.5.4. Просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция

2.5.5 Дифракция быстрых электронов на отражение

2.5.6 Дифракция рентгеновских лучей

2.5.7 Измерение сопротивления пиролизованных пленок

Глава 3 Результаты и обсуждение

3.1 Разработка молекулярного наслаивания полимера для получения пленок SiC на Si

3.2 Кварцевое пьезоэлектрическое микровзвешивание

3.3 КР-спектроскопия МН полиамида

3.4 ИК - Фурье спектроскопия МН полиамида

3.5 КР-спектроскопия пиролизованных пленок МН полиамида

3.5.1 КР - спектры пленок, полученных пиролизом МН полиамида (300 циклов ТМХ - ЭДА)

3.5.2 КР-спектроскопия пиролизованных при температурах от 900 до 1300 оС пленок МН полиамида (100 циклов ТМХ-ЭДА)

3.6 Морфология пленок: СЭМ и АСМ анализ

3.6.1 Морфология МН пленок полиамида (300 циклов ТМХ-ЭДА) до и поле пиролиза

3.6.2 Морфология пленок МН полиамида (100 циклов ТМХ-ЭДА) до и поле пиролиза. АСМ и СЭМ анализ

3.7 Измерение электрического сопротивления

3.8 Просвечивающая электронная микроскопия

3.8.1 Фазовый элементный анализ

3.9 Исследование элементного состава пленок

3.9.1 ЭДРС анализ пленок МН полиамида (300 циклов ТМХ-ЭДА) до и после пиролиза

3.9.2 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)

3.10 Дифракция быстрых электронов на отражение

3.11 Анализ дифракции рентгеновских лучей

3.11.1 Термическая обработка МН пленки полиамида (556.5 нм) при 1300 оС

3.11.2 ДРЛ анализ пиролизованных в диапазоне 900 - 1300 оС МН пленок полиамидов (188.5 нм)

3.12 Режимы пиролиза МН пленок полиамидов

3.13 Исследование зависимости толщины МН пленок полиамида и пленок SiC полученных при 1300 оС в зависимости от количества МН циклов

3.14 Исследование конформности полученных пленок SiC на кремнии

3.15 Получение пленки SiC на поверхности подложки кремний на изоляторе

(КНИ)

Выводы к главе

Заключение

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

БЛАГОДАРНОСТИ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования. На сегодняшний день существует значительный интерес к разработке электроники, устойчивой к радиации и способной работать при температурах выше 250 °С, что не представляется возможным с электроникой на основе кремния, которая, согласно литературным данным, функционирует должным образом при температурах только до 120-150 оС [1, 2]. Области применения, требующие работы электроники в высокотемпературных условиях - это аэрокосмические системы [3] (газотурбинные двигатели, космические челноки и высокотехнологичные самолеты [4]), также электрические и гибридные электромобили [5], приборы для ядерной энергетики [6]. Авиационная сфера движется в сторону сокращения или удаления гидравлических, механических и пневматических систем питания что, соответственно, требует их замены на электрические узлы [7]. Это означает, что для повышения надежности, эффективности и ремонтопригодности требуется больше электрических приводов. Также в связи со значительным увеличением функционала современных самолетов возникает необходимость размещать силовые электронные устройства, такие как датчики и исполнительные механизмы, относительно близко к раскаленному двигателю, где температура может достигать 225 оС. В электрических автомобилях рабочая температура может доходить до высоких значений для кремниевой электроники в зависимости от местоположения, например, температура датчика колеса и трансмиссии доходит до 150 - 200 оС, датчик выхлопа - до 850 оС и т.д. [8]. Одним из наиболее перспективных материалов для производства высокотемпературной электроники является карбид кремния (БЮ) [9]. Б1С обладает большой шириной запрещенной зоны (2,3 - 3,3 эВ для различных политипов Б1С), высоким критическим полем пробоя (2-5 МВ/см), улучшенной скоростью электронов насыщения для высокочастотной работы и высокой теплопроводности (3-5 Вт/(см*К)), превосходящей при комнатной температуре теплопроводность меди, а также высокой химической и радиационной стойкостью. Структуры на основе БЮ имеют широкие диапазоны рабочих температур (вплоть до 900 оС). Благодаря

данной комбинации физических свойств 81С является одним из важных индустриальных материалов [10]. Потребности в электронике требуют массового производства высококачественных тонких пленок SiC на кремнии для образования переходов [11], полевых транзисторов с металлическим оксидом и полупроводником в поперечном направлении [12], диффузионных металлоксидных полупроводниковых транзисторов [13]. Кроме того, 81С является перспективным материалом для изготовления электронной базы квантовых компьютеров [14, 15]. 81С может быть использован для получения другого технологически важного материала - графена [16]. Также пленки 81С могут использоваться в качестве буферных слоев для осаждения других технологически важных материалов как нитрид галлия [17] и нитрид алюминия [18] в процессах изготовления акустических устройств, светодиодов, лазерных диодов и других оптоэлектронных устройств. Дальнейшее развитие технологии SiC в приложениях микроэлектромеханических систем (МЭМС) требует выращивания монокристаллического или поликристаллического на подложках большой

площади, которые совместимы с экономичными высокопроизводительными процессами серийного производства, используемыми в микросхемах кремния и производстве интегральных схем [19]. Традиционно пленки 81С осаждаются из газовой фазы методами магнетронного распыления, химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), комбинацией различных плазмохимических методов и ХОГФ, карбонизации и т.д. При использовании этих методов сталкиваются с проблемами, касающимися конформности, прецизионности контроля толщины, равномерности осаждения на наноструктурированных подложках и однородности состава [20, 21], которые в конечном счете влияют на свойства полученных пленок [22]. В связи с изменениями в процессах производства микроэлектроники, в частности, создание трехмерных транзисторов и их значительная миниатюризация, такие параметры как контроль толщины осаждаемых пленок на атомарном уровне и их конформность имеют критическое значение. Поэтому, в последнее время были попытки осаждения пленок карбида кремния с использованием технологии молекулярного наслаивания (МН). В отличии от

магнетронного осаждения и ХОГФ, данная технология позволяет синтезировать высококонформные пленки с точностью по толщине до Ангстрема (0.1нм). Из анализа литературных данных становится очевидно, что данная технология сталкивается со значительными трудностями при росте SiC. Вследствие этого, актуальным является разработка новых методов получения тонких пленок карбида кремния с приемлемыми для современной индустрии параметрами конформности, равномерности и состава получаемых покрытий. В данной работе был разработан новый подход контролируемого синтеза тонких плёнок SiC с использованием технологии молекулярного наслаивания (МН).

Молекулярное наслаивание (МН) — это метод формирования тонкопленочных структур путем попеременных химических реакций с функциональными группами или ненасыщенными центрами поверхности твердого тела. Практически метод МН реализуется попеременным напуском паров органических или комбинации органических и неорганических прекурсоров для мономолекулярного роста тонких пленок. Метод МН разработан в 60-x годах прошлого столетия член-корреспондентом АН СССР В. Б. Алесковским и доктором химических наук, профессором С.И. Кольцовым в рамках развития новых представлений в области химии твердого тела. Технология МН имеет преимущества конформности и равномерности синтезируемых полимерных пленок на нанометровом уровне по сравнению с другими тонкопленочными технологиями. Метод МН получил широкое распространение на Западе под названиями атомно-слоевое осаждение и молекулярно-слоевое осаждение (АСО и МСО, англ. Atomic Layer Deposition (ALD) и Molecular Layer Deposition (MLD)). Методы АСО и МСО в зарубежной литературе разграничиваются в связи с тем, что в случае АСО происходит формирование моноатомных слоев с образованием неорганических соединений, тогда как в случае МСО наблюдается хемадсорбция молекулярных «органических фрагментов», которые в свою очередь могут содержать неорганические составляющие. Из-за затруднительности прямого получения пленок SiC с использованием метода МН, представляется возможным использование МН для равномерного нанесения исходных элементов с их

последующей обработкой. В отличии от многих других методов осаждения тонких пленок, в методе МН пленки возможно получать партиями без дорогостоящего аппаратного оформления, так как процесс проводится при относительно невысоких температурах в вакууме.

Степень разработанности темы исследования.

На сегодняшний день в литературе имеется несколько работ, где описаны способы получения пленок 81С на 81 с использованием полимерных пленок на поверхности кремния. В данных работах для получения полимерных пленок использовался метод тонкопленочного осаждения Ленгмюра-Блоджетт. Первая работа по синтезу тонких пленок 81С высокотемпературной обработкой пленки полиимида на кремнии была представлена в 1994 г. Для получения ЛБ пленок полиимида, как источника углерода после высокотемпературной обработки, авторы использовали в качестве прекурсоров пиромелитовый диангидрид и 4,4'-оксидианилин. В представленной в 2017 г. работе Лучинина В.В. и др. гетероэпитаксиальные пленки 81С толщиной до 30-35 нм на 81 были также получены пиролизом ЛБ пленок полиимидов на кремнии с использованием прекурсоров ароматического диангидрида и аминопроизводного о-толидина. Однако используемая в упомянутых работах технология тонкопленочного осаждения Ленгмюра-Блоджетт не позволяет наносить равномерные и конформные пленки на наноструктурированные поверхности с высоким аспектным соотношением сторон и неспособна осаждать пленки на дисперсные материалы. Также в патенте W02012/039833 представлен метод получения аморфных пленок карбида кремния нестехиометрического состава с использованием плазма-стимулированного МН. Однако следуя описанию представленного в данном патенте метода, не представляется возможным получение равномерно и конформно распределенных пленок 81С монокристаллической структуры, главным образом из-за использования низкотемпературной плазмы (<600 оС).

Цели и задачи работы. Целью данной работы является разработка нового метода контролируемого получения тонких пленок 81С на кремнии с использованием метода молекулярного наслаивания.

Исходя из цели диссертационной работе были поставлены и решены следующие основные научно-технические задачи:

1. Дизайн и сборка экспериментальной установки для молекулярного наслаивания полиамида с возможностью мониторинга роста пленок в режиме реального времени (т-яНи) с использованием кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ).

2. Разработка химии и молекулярное наслаивание пленок полиамида на кремнии и их спектроскопический анализ;

3 Оптимизация режимов пиролиза пленок полиамида на кремнии, полученных методом молекулярного наслаивания для их карбонизации и дальнейшего получения пленок 81С;

4. Исследование структуры, состава, морфологии синтезированных пленок 81С на кремнии, полученных пиролизом МН пленок полиамида с использованием спектроскопических и микроскопических методов анализа.

Научная новизна работы.

1. Впервые пленки полиамида на кремнии, полученные методом молекулярного наслаивания (МН), использованы в качестве предкерамических прекурсоров для получения эпитаксиального качества пленок 81С на кремнии.

2. Впервые была продемонстрирована возможность регулировать толщину эпитаксиальных пленок на нанометровом уровне путем контроля толщины МН пленки полиамида.

3. Впервые определена зависимость толщины пленок 81С от толщины исходных пленок полиамида, полученных методом молекулярного наслаивания.

4. Впервые проведен процесс молекулярного наслаивания пленок ароматического полиамида на кремнии с использованием прекурсоров 1,3,5-трибензоилхлорида (тримезоилхлорида) и 1,2 - этилендиамина (ЭДА).

Продемонстрирована линейность роста пленки полиамида с контролем толщины 1.88 нм за цикл.

5. Было показано, что высокотемпературная обработка МН пленок полимеров позволяет сохранять свойства равномерности и конформности на нано уровне для керамических пленок.

6. Была показана возможность синтеза мембран карбида кремния сублимацией кремниевой подложки.

Теоретическая и практическая значимость работы.

1. Полученные данные о свойствах и структуре ультратонких пленок SiC на кремнии, могут использоваться при разработке высокотемпературных и стойких к радиации микроэлектронных приборов, датчиков и композиционных материалов.

2. Возможность данной технологии прецизионно (на атомарном уровне) контролировать толщину синтезируемой пленки карбида кремния может внести вклад в дальнейшую миниатюризацию электронных устройств на его основе.

3. Полученные результаты представляют новый подход к контролируемому синтезу пленок Б1С на для равномерного распределения углерода как продукта высокотемпературной обработки полимеров, что позволяет обеспечивать высокую равномерность и конформность получаемых пленок SiC.

4. Данный процесс также может служить новым методом получения конформных покрытий другого технологически важного материала - графена.

5. Использование технологии МН, в основе которой лежат самоограничивающиеся поверхностные реакции, позволяет выращивать пленки партиями и, соответственно, партиями может производиться и их отжиг. Данный способ не требует использования источника плазмы, что значительно снижает затраты на оборудование и его обслуживание. Разработанный процесс может лечь в основу более экономичной технологии получения покрытий карбида кремния.

6. Полученные данные могут послужить основой для разработки другими исследователями ряда контролируемых процессов синтеза пленок карбидов металлов как на плоских, так и дисперсных подложках для производства композитных метариалов.

Результаты диссертационной работы получены в рамках научного проекта Российского фонда фундаментальных исследований (№ 19-33-90045) по теме «Разработка технологии контролируемого синтеза тонких пленок карбида кремния с использованием метода молекулярно-слоевого осаждения» и в рамках госзадания Правительства Российской Федерации (№ ФЗНЗ-2020-0002).

Методология и методы исследования. Полиамидные пленки синтезировались на поверхности кремния с использованием установки молекулярного наслаивания с горячими стенками. In situ (в режиме реального времени) мониторинг изменения массы на уровне нг в процессе МН полиамида осуществлялся с использованием кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ). Для анализа полученных пленок в данной работе использовались следующие методы исследования: спектроскопия комбинационного рассеяния (СКР) и ИК - Фурье спектроскопия для определения химической структуры пленок; дифракция рентгеновских лучей (ДРЛ) и дифракция быстрых электронов на отражение (ДБЭО) использовались для определения кристаллической структуры полученных пленок SiC на Si; атомно-силовая микроскопия (АСМ), сканирующая электронная микроскопия (СЭМ), оптическая микроскопия использовались для исследования поверхностной структуры и морфологии; СЭМ также использовался для оценки толщины путем анализа поперечного сечения пленок; просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) использовалась для определения гетероэпитаксии пленок SiC с подложкой Si; просвечивающая растровая электронная микроскопия использовалась для составления элементной картограммы полученных пленок; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС) использовалась для детального изучения элементного состава и химических связей МН пленок полиамида и SiC, энергодисперсная рентгеновская спектроскопия (ЭДРС) использовалась для определения элементного состава пленок, четырехзондовый метод определения сопротивления использовался для определения изменения сопротивления в зависимости от температуры пиролиза.

Автор проводил работы по сборке оборудования для молекулярного

наслаивания, осуществил пуско-наладочные работы. Автор провел молекулярное наслаивание пленок полиамидов и их дальнейший пиролиз. Автор с помощью КПМ проводил мониторинг роста пленки и ее оптимизацию. Автор проводил химический и элементный анализ МН пленок полиамидов и пленок 81С. Автор лично проводил эксперименты и обработку полученных экспериментальных результатов. Ему принадлежит основная роль в проведении анализа полученных результатов. Участие коллег автора в данной работе отражено в виде их соавторства в соответствующих публикациях. Постановка задач данной работы и их интерпретация проводилась совместно с научным руководителем.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты разработанной технологии формирования ультратонких пленок 81С на кремнии пиролизом пленок полиамида, полученных методом молекулярного наслаивания с использованием прекурсоров бензол-1,3,5-трикарбонилхлорида (тримезоилхлорида) и 1,2 - этилендиамина;

2. Результаты новой химии молекулярного наслаивания пленок ароматического полиамида с использованием прекурсоров тримезоилхлорида и 1,2 - этилендиамина при температуре 120 оС;

3. Результаты зависимости толщины пленок 81С от толщины исходных МН пленок полиамидов, синтезированных с использованием прекурсоров тримезоилхлорида и 1,2 - этилендиамина;

4. Результаты гетероэпитаксии пленок SiC и подложки 81 полученных пиролизом МН пленок полиамида на кремнии;

5. Результаты высокой конформности и равномерности ультратонких пленок 81С на подложке

Степень достоверности и апробация результатов. Достоверность полученных в данной работе результатов подтверждается комплексом использованных современных физико-химических методов анализа, а также их апробацией в научных конференциях и статьях.

Основные результаты были представлены и получили одобрение на следующих конференциях и симпозиумах: XVII Российская ежегодная

конференция молодых научных сотрудников и аспирантов "Физико-химия и технология неорганических материалов" (с международным участием) (10-13 ноября 2020 г. ИМЭТ РАН, Москва); XXVII Международная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов» 17 ноября 2020 г.; AVS ALD 2021, 21st International Conference on Atomic Layer Deposition, June 27-30,

rH

устный доклад.; ALD Russia 2021, 3 International Workshop "Atomic Layer Deposition Russia 2021". Saint Petersburg, Russia 27-30 September 2021, устный доклад; AVS 67th International Symposium & Exhibition (AVS 67), October 24-29 2021, устный доклад; 2nd International Workshop «Atomic Layer Deposition: Russia -2017» (Санкт-Петербург, 2017 г.), Международная научно - практическая конференция "Химия, химические технологии и экология: наука, производство и образование", Махачкала, 18-19 октября 2018 г., Двенадцатая студенческая конференция "Химия, физика и механика" материалов», г. Санкт - Петербург, 08 декабря 2017 г.

По материалам диссертации опубликовано 3 статьи в научных журналах, индексируемых базами данных Web of Science, Scopus и входящих в перечень ВАК [23-25], 1 патент на изобретение [26] и 6 тезисов докладов на всероссийских и международных научных конференциях.

Научно-квалификационная работа изложена на 1 41 странице печатного текста. Она состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы из 193 наименований, общий объем работы составляет 141 с. (в том числе 53 рисунка, 7 таблиц).

Глава 1 Обзор литературы

1.1 Физико-химические свойства карбида кремния

Карбид кремния один из наиболее изученных полупроводниковых материалов, который, однако, в последние два десятилетия получил особое внимание из-за возможности его использования в виде пленок в электронных устройствах, работающих в условиях высокой температуры, высоких мощностей и частоты. Как полупроводник с широкой запрещенной зоной, БЮ обладает такими свойствами, как высокий диапазон рабочих температур, высокое критическое поле пробоя, высокая устойчивость к излучению и возможность создания светоизлучающих устройств видимого диапазона.

1.1.1 Политипы карбида кремния

БЮ отличается от тем, что он состоит из двух элементов, которые связаны друг с другом. Каждый атом углерода связан тетраэдрически с четырьмя атомами кремния и каждый атом кремния, в свою очередь, связан тетраэдрически с четырьмя атомами углерода. Однако одна и та же связь БьС приводит к образованию более 250 политипов SiC [27]. Многие из этих политипов являются

с/ с \с/ С \с/ С' \с

Рисунок 1 - Представление политипов Б1С как плотноупакованных слоев сфер, где каждая сфера включает один атом углерода и один атом

кремния [29]

гексагональными или ромбоэдрическими, но существует также кубический политип. Во всех политипах карбида кремния связь Si-C имеет длину приблизительно 1,89 А. Каждый политип создается путем наложения плотноупакованных атомных слоев. Политипы различаются по структуре только последовательностью укладки слоев из атомов кремния и углерода. Это можно понять из рисунка 1. Если центры сфер в первом слое (для гексагонального кристалла) находятся в положениях, отмеченных А, следующий слой может быть размещен с центрами сфер над точками, отмеченными В или С. Различные политипы могут быть получены путем наложения слоев типов А, В и С в разных последовательностях. Так как каждый атом углерода связан тетраэдрически с атомами кремния, и каждый атом кремния связан тетраэдрически с атомами углерода, возможно образование двух вариантов укладки слоев А, В и С, где тетраэдры повернуты на 180 оС относительно друг друга вследствие тройной симметрии тетраэдра. Повернутые варианты называются А', В' и С'. Таким образом при определенной последовательности наложения слоев, полученные политипы, могут иметь кубическую, гексагональную или ромбоэдрическую

Рисунок 2 - Наиболее распространенные кристаллические структуры БЮ: кубический (а) и гексагогальный БЮ (б) [29].

структуру [28]. Наиболее распространенным политипом является гексагональная ячейка, которая характерна для большинства политипов SiC, обозначающихся а-SiC (рис. 2а). Кубическая ячейка БЮ обозначатся ЭС-БЮ (Р-БЮ) (рис. 2б). Стоит

отметить, что наиболее подходящими политипами Б1С в силовой электронике являются ЭС-БЮ, 4И-Б1С, бИ-БЮ.

1.1.2 Физические и электрические характеристики Б1С

Б1С имеет многочисленные политипы, поэтому обладает широким диапазоном физических и электрических характеристик. Наряду с этим все политипы Б1С имеют широкую непрямую запрещенную зону с высоким пробивным напряжением, что делает возможным создание высокотемпературных, высокочастотных и высокомощных электронных устройств. Б1С также имеет твердость близкую к твердости алмаза по шкале Мооса. Вместе с тем Б1С хрупкий, устойчив к различным химическим средам, в том числе при высоких температурах Несмотря на то, что политипы SiC имеют схожие физические и термические характеристики, их электрические и оптические свойства различаются [29].

Основные физические и электрические характеристики 3С-, 4И- и 6Н-Б1С приведены в таблице 1 [30, 31]. Поскольку кристаллы 2Н в настоящее время существуют только в форме вискеров [32], большинство физических и электрических свойств для данной кристаллической структуры не определены. Для сравнения также приведены данные кремния.

Таблица 1 - Основные электрические характеристики наиболее распространенных политипов Б1С

Свойства 3С-81С 4Н-81С 6Н-81С

Теплопроводность ^/см-К) 3.2 3.7 4.9а

Запрещенная зона (эВ)

Относительная диэлектрическая проницаемость, е0 9.75 10.35а, 10.9б 9.66а, 10.03б

Относительная диэлектрическая проницаемость, 6.52 6.5а, 6.7б 6.52а, 6.70б

Коэффициент теплового расширения (10-6/К) 2.77 3.3a, 3.2б 4.3a, 4.7б

Поле пробоя (106 В/см) > 1.5 5.9б 3.7a, 5.5б

Подвижность дырок, цИ (см /В-с)

Подвижность электронов, ^ (см /В-с)

а± к оси с, вдоль базовой плоскости б и

У к оси с

Как видно из таблицы 1, широкая запрещенная зона SiC (2.39-3.26) позволяет устройствам на основе SiC работать при высоких температурах. Запрещенная зона создает барьер, который предотвращает термическую ионизацию электронов из валентной зоны в зону проводимости при температурах до 500-600 оС. Электрическое поле пробоя SiC в >5 раз большее, чем Si, что позволяет создавать высоковольтные и высокочастотные устройства.

Теплопроводность SiC является высокой, что упрощает проблему теплоотвода. К примеру, для поликристаллического SiC теплопроводность находится на уровне теплопроводности меди. Согласно исследованием компании Cree [33], SiC при комнатной температуре имеет теплопроводность, выше чем у любого металла.

Большая энергия связи Si-C делает SiC устойчивым к химическому воздействию и радиации, а также обеспечивает его стабильность при высоких температурах. Высокая стойкость к ионизирующему излучению (SiC почти в 100 раз более стойкий, чем Si) открывает возможности применения датчиков на кристалле SiC в рентгеновской литографии, ядерной физике и устройствах, которые используются в областях с высокими уровнями излучения (атомные электростанции, космическое пространство и др.).

1.1.3 Показатель преломления и оптическое поглощение

Показатель преломления 3C-SiC зависит от длины волны согласно

эмпирической формуле [34]:

п(А,) = 2.55378 + (34170/(^/пш)2),

В обычном состоянии Б1С - бесцветные кристаллы, однако наличие примесей придает ему различные цвета. Также межзонные и дефектные поглощения определяют характерные цвета различных политипов SiC (Таблица 2). К примеру, для ЭС^Ю с ростом п-легирования возникает зеленый сдвиг [35]. Легирование ЭС^С азотом придает желто-зеленый цвет. Легирование 3С-БЮ атомами А1 (р-легирование) изменяет цвет на темно-желтый и темно-зеленый [36].

Таблица 2 - Цвета разных SiC-политипов

Политип 3С 4И 6И 15Я

Цвет Желтый Зеленый Зеленый Желтый

Легирующий компонент Желто-зеленый - +А1 голубой

1.2 Рост ЭС-Б1С на

Как известно, Б1С может существовать во многих кристаллических структурах, называемых политипами, с различной симметрией расположения атомов, от гексагональной до кубической и ромбоэдрической. Следует отметить, что процентное содержание «гексагональности» при переходе от кубического (3С^С) политипа, где 0% гексагональной симметрии к 2Н^С (100%) приводит к разным значениям энергии запрещенной зоны, как показано на рисунке 3 [37]. Среди политипов SiC ЭС^Ю представляется наиболее перспективным для металл-оксидных полупроводниковых полевых транзисторов (МОП, англ. ЫОБЕЕТ) с низкой плотностью электронного захвата на границе SiO2/3C-SiC из-за более узкой запрещенной зоны, чем у 4Н и 6И- SiC. Фактически, подвижность электронов в полевых МОП-транзисторах ЭС^С как минимум в 2 раза выше, чем в полевых МОП-транзисторах 4Н^С или бН-БЮ. До сегодняшнего дня рост SiC

5

ею

*

ьв Щ

X рассчитанный О измеренный

1-М

21Н 1511 1_

0

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез тонких пленок карбида кремния на кремнии с использованием метода молекулярного наслаивания»

Гексагональность (%)

2Н

\

я

100

Рисунок 3 - График ширины запрещенной зоны в зависимости от процента «гексагональности» для нескольких политипов SiC [38]

затруднен из-за высоких температур, необходимых для создания монокристаллической структуры. Кубический карбид кремния (ЗС^Ю) является термодинамически стабильным политипом среди всех кристаллов карбида кремния и, следовательно, его можно выращивать при более низких температурах (1500 °С). Основные проблемы получения связаны со сложностью выбора подходящей подложки для выращивания пленок ЗС-БЮ.

Основной причиной, препятствующей разработке технологии производства 3С-81С/Б1 в производственных масштабах, является несоответствие кристаллических структур БЮ и 20%), а также разница их коэффициентов теплового расширения (~ 23% при температуре осаждения и 8% при комнатной температуре). Кроме того, это приводит к плохой кристаллографической структуре, характеризующейся множеством линейных и объемных дефектов, таких как микродвойники, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, пустоты и т.д. Тем самым, эти различия в параметрах решетки и коэффициентах

теплового расширения приводят к возникновению напряжений и деформаций в пленке ЭС-БЮ.

По этим причинам, на сегодняшний день поиск метода выращивания высококачественных пленок БЮ на Б1, где наблюдается слабое остаточное напряжение без высокой плотности дефектов является все еще актуальным. Большое количество исследований было проведено с использованием как вертикальных, так и горизонтальных реакторов для ХОГФ, различных реагентов с использованием газообразных одно- или нескольких прекурсоров и режимы атмосферного и пониженного давления [37].

1.Э Приложения 81С/Б1 структур в электронике 1.3.1 Диоды на основе 81С/Б1 гетероструктур

Б1С / гетероструктура может использоваться для получения диодов путем формирования тонкой легированной пленки SiC с легирующими примесями, противоположными используемой подложке Si. Таким образом, образуется р-п-гетеропереход по принципу, аналогичному гомопереходу. Однако энергетическая

Рисунок 4 - Схематическое изображение поперечного сечения диодных структур с гетеропереходом; плоский диод (а); мезодиод (б) [38]

зона для диода с гетеропереходом намного сложнее, чем для р-п гомоперехода, поскольку используются два полупроводника с разной шириной запрещенной зоны [39].

УШ и др. [40] разработали диоды с гетеропереходом SiC / Si с

использованием двух различных процессов быстрого термического химического осаждения из газовой фазы (англ. rapid thermal chemical vapor deposition -RTCVD). В первом процессе было осуществлено формирование кристаллического ЗС-SiC путем карбонизации C3H8 на подложке Si, где отсутствовал оксидный слой SiO2. Структура полученных плоских диодов изображена на рис. 4(a). Во втором процессе происходило формирование поликристаллического 3C-SiC путем разложения CH3SiH3 при 1300 °C с образованием мезодиодов (рис. 4(б)). Оба диода использовали Ni на пленке SiC в качестве омического контакта и Al на Si в качестве заднего контакта. Данные диоды с гетеропереходом SiC/Si для обеих конфигураций устройства демонстрируют хорошие выпрямляющие свойства и высокие пробивные напряжения. Стоит отметить, что были разработаны и другие типы диодов на основе гетероструктур SiC /Si. В работе Komiyama и др. [41] описан способ изготовления диодов Шоттки путем эпитаксиального роста 3C-SiC на Si(001) в диапазоне температур 700-900 °C с использованием единственного источника CH3SiH3 в качестве промежуточного буферного слоя перед последующим ростом SiC при температурах до 1150 °C с использованием прекурсоров C3H8 и SiH4. Диоды Шоттки на основе гетероструктур 3C-SiC/Si были также получены реактивным магнетронным напылением [42]. Полученные данным способом диоды демонстрировали хорошие электрические свойства.

1.3.2 Тонкопленочные транзисторы на основе SiC/Si гетероструктур

Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) с вертикальной структурой и с выводами электродов (стоков и истоков) на противоположных сторонах кристалла, используются для переключения больших токов. В работе [43] были исследованы два вертикальных типа МОП транзисторов на основе SiC на Si (рис. 5). Для создания первого полевого МОП-транзистора тонкая пленка SiC была напылена на подложку Si при температуре 600 °C и отожжена при 1300 °C в течение 5 ч в атмосфере аргона. В данной структуре наблюдалось неполное насыщение из-за недостаточной глубины канала. Для другого полевого МОП-транзистора тонкая пленка SiC

осаждается на боковой стенке изолятора SiO2 путем высокочастотного напыления при 600 °С. Второй тип МОП-транзистора демонстрировал хорошие характеристики насыщения и напряжение пробоя стока выше 16 В. Обе модели были исследованы при температурах ниже 600 К, а вольтамперная характеристика не показала отключения, что указывало на работоспособность изготовленных

(а) (б)

МОП-транзисторов на основе SiC/Si в данном диапазоне температур.

Рисунок 5 - Схематическое изображение МОП транзисторов с вертикальной структурой; МОП-транзистор с горизонтальным расположением пленки SiC на Si (а); МОП-транзистор с вертикальным расположением пленки SiC на Si

(б) [43]

Впервые получение МОП-транзисторов на основе аморфного SiC с помощью плазма-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ) было продемонстрировано в работе [44]. Пленки a-Sii-xCx:H были нанесены на стеклянные подложки методом ПХОГФ при температуре 300 °C с использованием газовой смеси SÍH4/CH4/H2. Затем был нанесен слой a-Si: H n-типа с использованием газовой смеси SiH4/H2/PH3. После чего следовало осаждение SiO2 в качестве затвора. Металлические контакты наносились с использованием фотолитографии после чего следовал отжиг в среде H2 при температуре 350 оС. Для полученных тонкопленочных МОП-транзисторов ток стока увеличился на два порядка при повышении температуры с 30 °C до 200 °C.

1.3.3 Пьезорезистивные и емкостные датчики на основе SiC/Si гетероструктур Ряд исследований показали, что тонкопленочные пьезорезисторы SiC является хорошей альтернативой для высокотемпературных применений в качестве датчиков давления благодаря термической стабильности и высокому калибровочному коэффициенту. К примеру, Yong и др. [45] предложили монокристаллические емкостные датчики давления 3C-SiC для измерения давления при температурах до 400 °C. Ziermann и др. [46] разработали пьезорезистивный датчик давления со структурой ЗС^С^/изолятор (карбид кремния на изоляторе (англ. silicon carbide on insulator - SiCOI)) с поликристаллическим SiC-термистором на кристалле для высоких рабочих температур. Результаты показывают способность SiCOI датчика давления мониторить давление в цилиндрах двигателей внутреннего сгорания. Пленки SiC также были могут быть хорошей альтернативой металлическим пленкам в радиочастотных микроэлектромеханических системах (RF MEMS) и в микромостовых переключателях (RF MEMS) [47, 48].

1.4 Методы получения тонких пленок SiC на Si 1.4.1 Химическое осаждение из газовой фазы

На сегодняшний день синтез SiC методом ХОГФ является одним из наиболее распространённых и хорошо изученных методов синтеза SiC. ХОГФ является широко используемым методом для нанесения тонких пленок с высоким качеством, четко определенным химическим составом и структурной однородностью. В типичном процессе химического осаждения из паровой фазы субстрат подвергается воздействию одного или нескольких летучих прекурсоров, которые реагируют и/или разлагаются на поверхности субстрата с образованием нужного материала. Энергия активации реакции может быть преодолена различными методами, но наиболее распространенным способом является нагревание подложки. Обычно образуются летучие побочные продукты, которые удаляются потоком газа через реакционную камеру. Основным преимуществом ХОГФ является получение относительно однородных, с воспроизводимыми

характеристиками пленок. В методе ХОГФ прямой рост SiC достигается в температурном интервале 1200-1700 оС с использованием кремнийсодержащих и углеродсодержащих соединений. Стенки реактора считают горячими или холодными относительно температуры самой подложки. В случае реактора с «горячими стенками», нагрев подложки происходит исключительно за счет теплопередачи от стенок реактора, однако, во избежание энергозатратного нагрева корпуса реактора, возможен нагрев самой подложки за счет встроенного внутрь нагревателя. Стоит отметить, что второй процесс имеет свои недостатки, в частности, из-за разницы температур возможна конденсация химических реагентов на внутренней поверхности стенок. Поэтому реакторы с горячими стенками обеспечивают более стабильный процесс синтеза SiC. Наиболее распространенными прекурсорами при выращивании пленок SiC являются силан (БЩ^ [49, 50] в качестве прекурсора кремния и пропан (С3Н8) [51] или этилен (С2Н4) [52] в качестве прекурсоров углерода. Они обеспечивают лучшую морфологию и более высокую скорость роста, по сравнению с другими прекурсорами. Большое количество и других прекурсоров, кроме упомянутых выше, использовались для ХОГФ пленок SiC. Ряд различных прекурсоров углерода были проанализированы ИаШп и др. [50] на предмет роста эпитаксиальных слоев SiH 4Н и 6Н в интервале температур 1550-1600 °С. Наиболее стабильный рост при высоких скоростях роста был достигнут с пропаном (С3Н8). В настоящее время проблемы, связанные с контролем роста, температуры, давления и концентрации газофазных частиц, становятся более серьезными, и возможно ухудшение гомогенного зародышеобразования в газовой фазе. Синтез пленок SiC методом ХОГФ имеет ряд недостатков - это неравномерность осаждаемых покрытий, сложность контроля толщины на нанометровом уровне из-за высокой скорости роста, загрязнение окружающей среды из-за избытков непрореагировавших компонентов, что часто требует дополнительного процесса рециркуляции непрореагировавших веществ [53], относительно высокий процент примесного кислорода.

1.4.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия

Молекулярно-лучевая эпитаксия — это метод эпитаксиального роста за счет

осаждения испарённого в молекулярном источнике вещества на нагретую кристаллическую подложку. Исходные материалы, твердые вещества (или газы, подаваемые непосредственно на подложку), помещаются в испарительные ячейки, чтобы обеспечить угловое распределение атомов или молекул в пучке. Подложка нагревается до необходимой температуры и при необходимости непрерывно вращается для улучшения однородности роста.

Технология МЛЭ для синтеза SiC впервые начала проводиться с экспериментов с использованием газообразных источников дисилана (Si2H6) и этилена (C2H4) при 1050-1250 °C на подложках из 6H-SiC, смещенных на 3-4 °

[54]. Более поздние эксперименты проводились также с твердыми источниками

[55] с использованием пиролитического графита с чистым кремнием, испаренным электронной пушкой. Типичные скорости роста для МЛЭ составляют 0,03-0,3 А / сек при температуре подложки 800-1000 °C.

Основные преимущества технологии МЛЭ - это низкая температура процесса и высокая чистота тонких пленок. К недостаткам можно отнести высокую стоимость установок МЛЭ и низкие скорости осаждения. Также наблюдаются проблемы, выраженные в сильной зависимости политипа от газового потока. Технология МЛЭ не дает возможности осаждения высококонформных пленок SiC на Si с развитой наноструктурированной поверхностью.

1.4.3 Импульсное лазерное осаждение

Импульсное лазерное осаждение (ИЛО, англ. PLD - Pulsed Laser Deposition) — это метод физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ), при котором мощный импульсный лазерный луч фокусируется внутри вакуумной камеры по направлению материала, который используется для осаждения. Материал под воздействием лазера испаряется и осаждается в виде тонкой пленки на подложке. Данный процесс может происходить в сверхвысоком вакууме или в атмосфере

газов, к примеру кислорода, который обычно используется при нанесении оксидов. Процесс импульсного лазерного осаждения подробно изучен в работе Рындя С.М. [56], где ИЛО пленок БЮ осуществлялось в установке «Varicoat 430» на сапфировых подложках А1203 с ориентацией (0001) и подложках кремния при температурах от 100 до 1000 оС.

Основными преимуществами метода ИЛО является широкий диапазон длин волн и плотности мощности, и как следствие, возможность абляции многих материалов или комбинации разных материалов. ИЛО позволяет точно контролировать скорость роста пленок. Однако, т.к. процесс ИЛО также относится к физическим методам осаждения Б1С, конформное покрытие на наноструктурированных поверхностях не представляется возможным. Также присутствуют определенные недостатки технического характера, к которым можно отнести вероятность выброса макроскопических или микроскопических частиц из мишени из-за высокой энергии лазера, что может отрицательно сказаться на свойствах пленок.

1.4.4 Магнетронное распыление

Магнетронное распыление — это технология осаждения плёнок при помощи катодного распыления материала мишени в плазме магнетронного разряда. При использовании данного метода, возможно осаждение пленок Б1С с высокими скоростями роста на установках с относительно низкой стоимостью. Установки для магнетронного распыления называются магнетронами. Получение пленок БЮ возможно путем магнетронного распыления кремниевой мишени в присутствии смеси газов АГ/СН4 [57]. Также возможно получение аморфных пленок Б1С путем магнетронного распыления мишени Б1С [58]. Одним из основных недостатков магнетронного распыления является относительная сложность технической реализации метода при получении керамических покрытий.

1.4.5 Твердофазная эпитаксия БЮ на за счет реакции монокристаллического

с газообразным СО

С относительно недавних пор Кукушкиным С.А. и др. [59] был предложен новый способ получения тонких пленок Б1С на который основан на поверхностной химической реакции (1) монооксида углерода (СО) и

281(тв) + СО(г) = Б1С(тв) + БЮ(Г) (1),

В данной реакции одна молекула SiC образуется вместо двух атомов Si, так как один атом Si удаляется из системы в виде газообразного SiO. Тем самым, происходит реакция замещения кремния углеродом монооксида углерода, в результате образуется газообразный монооксид кремния (БЮ) и происходит формирование карбида кремния (Б1С) при температуре 1100-1400 °С. Образующиеся слои БЮ на являются эпитаксиальными, равномерными по толщине и могут содержать в зависимости от условий роста различные политипы или их смеси. Также наблюдается образование пор с размерами 1-5 мкм при толщинах пленки 20-100 нм. Данная реакция (1) протекает в две стадии. Согласно работе [55] на первой стадии образуется промежуточное соединение — активированный комплекс <кремниевая вакансия> - <атом углерода> - <матрица кремния>. На втором этапе реакции, активированный комплекс переходит в Б1С, а освободившиеся вакансии сливаются в поры, присутствующие на границе 81С/Б1.

1.4.6 Низкотемпературное плазма-стимулированное молекулярное

наслаивание

В патенте ^02012/039833 [60] продемонстрирована технология молекулярного наслаивания Б1С с помощью стимулированных плазмой поверхностных реакций между галогеносодержащим кремниевым прекурсором с общей формулой SinHaXb и вторым прекурсором с углеводородсодержащими лигандами с общей формулой MR3-bYb, где R представляет собой углеводородсодержащий заместитель, Y представляет собой галогенид, гидрид или другой лиганд. В качестве примера была представлена реакция между

молекулами прекурсоров 81Ск и А1(СНз)з (рис. 6), которые последовательно наносились на подложку и затем подвергались воздействию плазмы. Процесс можно повторять множество раз для получения слоя карбида кремния нужной толщины. Тем самым, описанный способ W02012/039833, используемый для получения пленок карбида кремния, основан на «плазма-стимулированном

Рисунок 6 - Плазма-стимулированное МН аморфного Б1С с использованием Б1С14 и А1(СН3)3. Проиллюстрирован этап взаимодействия Б1С14 с поверхностью

молекулярном наслаивании» (ПС-МН), где активация поверхностных реакций осуществляется с использованием плазмы [61]. Недостатком данного способа является присутствие избыточного количества водорода, для частичного удаления которого проводится термическая обработка после каждого цикла. Также использование плазмы имеет ряд недостатков, связанных с невозможностью осаждения конформных пленок и сложностью контроля стехиометрии продуктов реакции. Из-за необходимости использования источника плазмы, данный способ может применяться для осаждения тонких пленок только на плоских поверхностях, так как реализация равномерного осаждения с использованием плазмы на объемных предметах со сложной поверхностью является технически труднореализуемой задачей. Полученные пленки Б1С из прекурсоров, обеспечивающих одновременно углерод (С) и кремний (Б1), могут содержать С и в нестехиометрическом составе. Следуя описанию низкотемпературного (<600

С1

[61]

0С) способа получения пленки карбида кремния методом ПС-МН, описанным в публикации W02012/039833, не представляется возможным получение монокристаллической структуры карбида кремния на кремнии.

1.4.7 Получение пленок Б1С на с использованием технологии Ленгмюра-

Блоджетт

1.4.7.1 Технология Ленгмюра-Блоджетт

Технология Ленгмюра - Блоджетт для получения тонких пленок основана на переносе равномерно распределенного мономолекулярного слоя амфифильного соединения с поверхности растворителя на твердые подложки во время их вертикального ориентированного прохождения через поверхностные

Рисунок 7 - Упрощенная схема получения пленок Ленгмюра-Блоджетт [62]

слои. На рисунке 7 представлена принципиальная схема процесса получения тонких пленок методом Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ). В жидкой фазе молекулы располагаются на поверхности раздела фаз «жидкость-воздух». Поверхностный мономолекулярный слой формируется благодаря сжатию поршнями поверхностного слоя амфифильного вещества. Монослои собираются вертикально и обычно состоят из амфифильных молекул с гидрофильной головкой и гидрофобным хвостом (например, жирные кислоты). На сегодняшний день поверхностные слои могут также состоять из наночастиц [63, 64]. Пленки ЛБ могут содержать один или несколько монослоев органического материала, нанесенного с поверхности жидкости на твердое тело путем погружения (или

извлечения) твердой подложки в жидкость (или из нее). Монослой гомогенно адсорбируется на каждой стадии погружения или извлечения, поэтому можно формировать пленки с прецизионной толщиной. Тем самым, варьированием числа погружений (извлечений) представляется возможным точный контроль пленки ЛБ на нанометровом уровне, т.к. толщина монослоя является известной величиной.

1.4.7.2 Получение SiC на Si с использованием ЛБ пленки полиимида В работе Yang и др. [65] впервые был описан способ получения пленок SiC на Si с использованием пленок ЛБ полиимидов. Сущность данного метода заключается в получении пленки полиимида с использованием реагентов пиромелитового диангидрида и 4,4'-оксидианилина на поверхности кремния по технологии Ленгмюра - Блоджетт, который при пиролизе (1000 оС) в вакуумной среде (10-5 мм.рт.ст.) взаимодействует с подложкой с образованием пленки монокристаллического ß-SiC. С использованием технологии Ленгмюра -Блоджетт представляется возможным получение полимеров с контролем толщины на нанометровом уровне путем последовательного переноса монослоев нерастворимых поверхностно-активных веществ на поверхность подложки. Тем самым, возможно прецизионно контролировать толщину пленок SiC, образующихся как продукт высокотемпературной обработки в вакууме или инертной атмосфере ЛБ пленок полиимидов на кремнии.

Технология ЛБ для получения пленок SiC на Si также была применена в работе Лучинина и др. [66], где использовалась алкиламмониевая соль полиаминовой кислоты на основе диангидрида 3,3', 4,4'-дифенилтетракарбоновой кислоты и о-толидина с мультицепями трет-амина (о, о', о ' -атригексадеканоилтриэтаноламин) в качестве форполимера для получения пленки ЛБ. После нанесения 121 слоев указанного полиимида на поверхности Si(111) с использованием технологии ЛБ и дальнейшего пиролиза при 1200 оС были получены гетероэпитаксиальные пленки 3C-SiC(111) толщиной 30-35 нм.

Стоит отметить, что использование технологии Ленгмюра-Блоджетт имеет

определенные недостатки, к которым относятся необходимость дальнейшего удаления молекул матрицы для исключения их влияния на свойства получаемых структур, невозможность равномерного и конформного осаждения из жидкой фазы пленок на дисперсные материалы с высоким аспектным соотношением сторон. Также требование высокой чистоты больших объёмов рабочих растворов и значительное влияние внешних факторов, таких как температура окружающей среды, кислотность и степень чистоты используемой субфазы вносят определенные ограничения для использования данного метода. В целом микроиндустрия идет в направлении газофазовых процессов синтезирования соединений и модификации поверхностей.

1.4.8 Молекулярное наслаивание 1.4.8.1 Принцип технологии и преимущества

Молекулярное наслаивание (МН) - это технология получения тонких пленок, основанная на попеременных химических реакциях между парами прекурсоров и твердым телом. Метод МН разработан в 60-х годах советскими учеными В. Б. Алесковским и С. И. Кольцовым [67]. В основе технологии МН

Прекурсор 1

V О1

(А) ^тттттттт^ тнман

Рисунок 8 - Общая схема молекулярного наслаивания [68]

лежит сформулированная В. Б. Алесковским в 1953 г. гипотеза об «остовном» строении твердых веществ [69], согласно которой в строении твердого тела всегда

можно выделить остов и облекающие его атомы или группы атомов, играющих роль функциональных групп. Общая схема процесса МН представлена на рисунке 8. В первой полуреакции (А) происходит напуск прекурсора 1, имеющего не менее двух функциональных групп. После взаимодействия органического прекурсора 1 с поверхностными функциональными группами происходит напуск прекурсора 2, также содержащего не менее двух функциональных групп. Тем самым, благодаря наличию нескольких функциональных групп в случае прекурсоров 1 и 2, обеспечивается присутствие поверхностных функциональных групп после взаимодействия каждого прекурсора с поверхностью. МН полимерных пленок осуществляется с помощью реакций поликонденсации органических бифункциональных прекурсоров с поверхностными функциональными группами. Это усложняет процесс с точки зрения выбора бифункциональных прекурсоров для поверхностных реакций. Также чувствительность органических реагентов к высоким температурам и их часто низкие давления насыщенных паров создают дополнительные трудности при выборе прекурсоров для процесса МН. Тем не менее, были разработаны ряд процессов МН полимеров, например, МСО полиимидов [70], полиамидов [71, 72], полимочевины [73], полиазометинов [74], полиэфиров [75] и т.д.

Один из первых процессов молекулярного наслаивания упомянут в книге Кольцова С.И. и Алесковского В.Б. [76], в котором описан процесс взаимодействия четыреххлористого углерода на силикагеле. В диссертации Кольцова С.И. [77] также подробна описана одна из первых экспериментальных установок проточного типа для молекулярного наслаивания. Существующие на сегодняшний день реакторы для МН имеют принципиальную схожесть с представленным Кольцовым С.И. реактором на рисунке 9. Транспортировка прекурсоров в данном реакторе осуществляется также с помощью газа носителя -азота. Прекурсоры в потоке азота попадают в реакционную зону, участвуя в поверхностных реакциях. Азот в данном реакторе очищался от паров воды и С02 с помощью специальных поглотителей (силикагель, И2Б04, Р205). Установка позволяла изменять скорость потока азота и, в определенных пределах,

Рисунок 9 - Схема первой экспериментальной установки молекулярного наслаивания проточного типа, представленная Кольцовым С.И. Баллон с азотом (1); нагнетатель (2); ресивер (3); печь с абсорбентом для отделения азота от примесей кислорода (4); реометр (5); поглотитель СО2 (6); поглотители Н20 (силикагель, И2Б04, Р205) (7,8,9); контейнеры с СС14 и Н20 (10,11); регулирующий потенциометр (12); кварцевый реактор (13); холодильник (14); поглотители (15-18) [78]

концентрацию прекурсоров. В данной установке изучались поверхностные реакции взаимодействия силикагеля с СС14 в диапазоне температур 180-400 оС, когда практически полностью отсутствовала молекулярносвязанная вода, что исключало процесс гидролиза СС14. Основными продуктами взаимодействия СС14 с кремнеземем являлись хлористый водород, фосген, углекислый газ. Сам кремнезем насыщался атомами хлора. Также в работе [77] были описаны ряд процессов молекулярного наслаивания с использованием хлоридов и

оксихлоридов различных элементов, взаимодействующих с поверхностями силикагелей, монокристаллического кремния, кварца и других типов углеродных подложек и матриц. Значимый вклад в создание и развитие вакуумного оборудования для молекулярного наслаивания внес доцент кафедры электроники твердого тела СПБГУ Виктор Евгеньевич Дрозд. В.Е. Дрозд впервые разработал и изготовил автоматизированную установку для МН. Также в 1975 г В.Е. Дрозд создал установку МН с системой «in situ» контроля толщины пленки в процессе ее формирования на кремнии, которая сочетала в себе эллипсометр и элемент Пельтье [67, 78].

Первоначальная формулировка «Молекулярное наслаивание» для технологии роста пленок за счет попеременных реакций взаимодействия является наиболее удачной и универсальной, т.к. не разграничивает получаемые материалы на органические или неорганические, что можно наблюдать в зарубежной литературе. Однако существующая в зарубежной литературе дифференциация получаемых материалов на органические, гибридные (МСО) и неорганические (АСО) может использоваться для упрощенной схемы получаемых материалов методом молекулярного наслаивания. На рисунке 10 представлена данная схема, иллюстрирующая возможность использования технологии молекулярного наслаивания для получения органических, неорганических, органо-неорганических, керамических пленок, пористых оксидных мембран, легированных углеродом композитных покрытий, а также для получения покрытий углерода. Получение карбидов является новым направлением, разработанным в данном исследовании, которое заключается в термической обработке в вакууме МН пленок полиамидов на кремнии. Новизна данного метода заключается в том, что одновременно и подложка, и МН пленка выступают в качестве прекурсоров для синтеза карбида кремния. В результате твердофазной реакции между углеродом, образовавшимся в процессе карбонизации полиамида, и кремниевой подложкой, происходит образование пленки карбида кремния. В целом, описанным в данной работе методом, потенциально возможно получение целого спектра соединений путем пост-

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Амашаев Рустам Русланович, 2022 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Dreike, P.L. An overview of high-temperature electronic device technologies and potential applications / P.L. Dreike [et al.] // IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part A. - 1994. - V.17. - N 4. - P. 594609.

2. White, C. S. High temperature electronic systems using silicon semiconductors / C. S. White [et al.] // Conference Record of 1998 IEEE Industry Applications Conference. Thirty-Third IAS Annual Meeting (Cat. No.98CH36242). - 1998. - V. 2. - P. 967-976.

3. Hornberger, J. Silicon-carbide (SiC) semiconductor power electronics for extreme high-temperature environments / J. Hornberger [et al.] // 2004 IEEE Aerospace Conference Proceedings (IEEE Cat. No.04TH8720). - 2004. - V. 4. - P. 2538-2555.

4. Xun, Q. Application of SiC power electronic devices in secondary power source for aircraft / Q. Xun // Renewable and Sustainable Energy Reviews. - 2016. - V. 70.

5. Li, J. The Application of Silicon Carbide in PCU / J. Li // Journal of Physics: Conference Series. - 2020. - V. 1676. - P. 012074.

6. Nava, F. Silicon carbide and its use as a radiation detector material / F. Nava [et. al.] // Measurement Science and Technology. - 2008. - V. 19. - N 10. - P. 102001.

7. Seresinhe, R. Improving the operating efficiency of the more electric aircraft concept through optimised flight procedures / R. Seresinhe, C. Lawson, I. Madani // CEAS Aeronautical Journal. - 2018. - V. 10. - N 3. - P. 463-478.

8. Balakrishnan, V. Thermal Flow Sensors for Harsh Environments / V. Balakrishnan [et. al.] // Sensors. - 2017. - V. 17. - N 9. - P. 2061.

9. Willander, M. High-Temperature Electronic Materials: Silicon Carbide and Diamond / M. Willander // Surveys in High Energy Physics. - 2007. - V. 17. - P. 537-563.

10. S.E Saddow Advances in Silicon Carbide Processing and Applications / S.E Saddow, A.K Agarwal // Boston: Artech House, 2004. - 212 P.

11. Yukihiro, S. Junction Formation via Direct Bonding of Si and 6H-SiC / S. Yukihiro [et. al.] // Materials Science Forum. - 2014. - V. 778-780. - P. 714-717.

12. Hiroshi Shinohara, H.K. Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on Si-on-SiC directly bonded wafers with high thermal conductance / H.K. Hiroshi Shinohara, Masahiro Yoshimoto // Applied Physics Letters. - 2008. - V. 93. - N 12 - P. 122110 -122110-3.

13. Lotfi, S. LDMOS-transistors on semiinsulating silicon-on-polycrystalline-silicon carbide substrates for improved RF and thermal properties / S. Lotfi [et. al.] // SolidState Electronics. - 2012. - V. 70. - P. 14-19.

14. Weber, J.R. Defects in SiC for quantum computing / J.R. Weber [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2011. - V. 109. - N 10. - P. 102417-102417-5.

15. Choudhary, R. Defects in SiC for Quantum Computing / R. Choudhary // MRS Advances. - 2019. - V. 4. - N 40. - P. 2217-2222.

16. First, P.N. Epitaxial Graphenes on Silicon Carbide / P.N. First [et. al.] // MRS Bulletin. - 2011. - V. 35. - N 4. - P. 296-305.

17. Сорокин, Л.М. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев / Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, В.Н. Бессолов // Письма в ЖТФ. - 2011. - T. 37. - № 7. - C. 72-79.

18. Kukushkin, S. Substrates for epitaxy of gallium nitride: New materials and techniques / Kukushkin, S. [et. al.] // Reviews on Advanced Materials Science. - 2008. - V. 17. - N 1. - P. 1-32.

19. Zorman, C.A. Deposition of Polycrystalline 3C-SiC Films on 100 mm Diameter Si(100) Wafers in a Large-Volume LPCVD Furnace / C.A. Zorman [et. al.] // Electrochemical and Solid-State Letters. - 2002. - V. 5. - N 10. -P. G99- G101.

20. Leal, G. Characterization of SiC thin films deposited by HiPIMS / G. Leal [et. al.] // Materials Research. - 2014. - V. 17. - N 2. - P. 472-476.

21. DeAnna, R. Design, Operation, and Modeling of a Vertical APCVD Reactor for Silicon Carbide Film Growth / R. DeAnna [et. al.] // Journal of Wide Bandgap Materials. - 1998. - V. 6. - N 4. - P. 280-295.

22. Carballo, J.M. Residual Stress Analysis in 3C-SiC Thin Films by Substrate Curvature Method / J.M. Carballo // Graduate Theses and Dissertations. - 2010. - 81 P.

23. Амашаев, Р.Р. Молекулярно-слоевое осаждение и пиролиз пленок полиамида на Si(111) с образованием P-SiC / Р. Р. Амашаев, И. М. Абдулагатов, М. Х. Рабаданов, А.И. Абдулагатов // Журнал физической химии. - 2021. - Т. 95.

- № 7. - С. 1440-1449.

24. Абдулагатов, А.И. Атомно-слоевое осаждение нитрида и оксинитрида алюминия на кремнии с использованием трис(диметиламидо)алюминия, аммиака и воды / А.И. Абдулагатов, Р.Р. Амашаев, Кр.Н. Ашурбекова, К.Н. Ашурбекова, М.Х. Рабаданов, И.М. Абдулагатов // Журнал общей химии. - 2018. - Т. 88. - № 8.

- С. 1381- 1388.

25. Абдулагатов, А.И. Атомно-слоевoе осаждение Y2O3 с использованием трис(бутилциклопентадиенил)иттрия и воды / А.И. Абдулагатов, Р.Р. Амашаев, Кр.Н. Ашурбекова, Ш.М. Рамазанов, Д.К. Палчаев, А.М. Максумова, М.Х. Рабаданов, И.М. Абдулагатов // Микроэлектроника. -2019. - T. 48. - № 1. - C. 315.

26. Патент RU 2749573 МПК H01L 21/18. Способ получения тонких пленок карбида кремния на кремнии пиролизом полимерных пленок, полученных методом молекулярно-слоевого осаждения / Р.Р. Амашаев, А.И. Абдулагатов, И.М. Абдулагатов, М.Х. Рабаданов. - № 2020133824, заяв. 13.10.2020, опубл. 15.06.2021 // Изобретения. Полезные модели. - 2021. - № 23. - 13 с.

27. LeGoues, F.K. Mechanism and conditions for anomalous strain relaxation in graded thin films and superlattices / F.K. LeGoues [et. al.] // Journal of Applied Physics. -1992. - V. 71. - N 9. - P. 4230-4243.

28. Ayers, J.E. Heteroepitaxy of Semiconductors Theory, Growth, and Characterization / J.E. Ayers [et. al.] // CRC Press. - 2007. - 659 P.

29. Chow, T.P. Recent advances in high-voltage SiC power devices / T.P. Chow, N. Ramungul, M. Ghezzo // 1998 High-Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference (Cat. No.98EX132). - 1998. - P. 55-67.

30. Harris, G.L. Properties of silicon carbide / G.L. Harris // London, U.K. IEE, INSPEC. - 1995. - 282 P.

31. Li, Z. Thermal expansion of the hexagonal (4H) polytype of SiC / Z. Li, R.C. Bradt // Journal of Applied Physics. - 1986. - V. 60. - N 2. - P. 612-614.

32. Vetter, W.M. Synchrotron white-beam topographic studies of 2H-SiC crystals / W.M. Vetter [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2001. - V. 224. - N 3. -P. 269-273.

33. Cree company: официальный сайт / Material Products Research. - Meridian Parkway, Durham. - URL: https://www.wolfspeed.com (дата обращения: 5 июля 2021). - Текст: электронный.

34. Shaffer, P.T.B. Refractive Index and Dispersion of Beta Silicon Carbide / P.T.B. Shaffer, R.G. Naum // Journal of the Optical Society of America. - 1969. - V. 59. - N 11. - P. 1498-1498.

35. Patrick, L. Optical Absorption in n-Type Cubic SiC / L. Patrick, W.J. Choyke // Physical Review. - 1969. - V. 186. - N 3. - P. 775-777.

36. Zanmarchi, G. Luminescence of the aluminium centre in cubic SiC: Dependence of the recombination rates on the intensity of the light excitation/ G. Zanmarchi // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1968. - V. 29. - N 10. - P. 1727-1736.

37. Wesch, W. Silicon carbide: synthesis and processing / W. Wesch // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 1996. - V. 116. - N 1. - P. 305-321.

38. Fraga, M. Applications of SiC-Based Thin Films in Electronic and MEMS Devices / M. Fraga [et. al.] // InTech open book series. - 2012. - P. 313-336.

39. Li, S. p—n Junction Diodes / S. Li // Semiconductor Physical Electronics - Boston, MA: Springer US. 1993. - P. 287-326.

40. Yih, P.H. SiC/Si heterojunction diodes fabricated by self-selective and by blanket rapid thermal chemical vapor deposition / P.H. Yih, J.P. Li, A.J. Steckl // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1994. - V. 41. - N 3. - P. 281-287.

41. Komiyama, J. Schottky diode characteristics of 3C-SiC grown on a Si substrate by vapor phase epitaxy / J. Komiyama [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2005. - V. 275. - N 1-2. - P. e1001-e1006.

42. Wahab, Q. Au schottky barrier diodes on p-SiC thin films deposited on silicon substrates by reactive magnetron sputtering technique / Q. Wahab [et. al.] // Journal of Electronic Materials. - 1991. - V. 20. - N 11. - P. 899-901.

43. Hwang, J.D. A vertical submicron SiC thin film transistor / J.D. Hwang, Y.K. Fang, T.Y. Tsai // Solid-State Electronics. - 1995. - V. 38. - N 2. - P. 275-278.

44. Garcia, B. Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication / B. Garcia [et. al.] // Solid-State Electronics. - 2006. - V. 50. - N 2. - P. 241-247.

45. Young, D. J. High-temperature single-crystal 3C-SiC capacitive pressure sensor / D. J. Young [et. al.] // IEEE Sensors Journal. - 2004. - V. 4. - N 4. - P. 464-470.

46. Ziermann, R. High temperature piezoresistive -SiC-on-SOI pressure sensor with on chip SiC thermistor / R. Ziermann //Materials Science and Engineering B. - 1999. - V. 61-62. - P. 576-578.

47. Parro, R. J. Amorphous SiC as a structural layer in microbridge-based RF MEMS switches for use in software-defined radio / R. J. Parro [et. al.] // Solid-State Electronics. - 2008. - V. 52. - N 10. - P. 1647-1651.

48. Chang, W.-T. Electrical Characterization of Microelectromechanical Silicon Carbide Resonators / W.-T. Chang, C. Zorman // Sensors. - 2008. - V. 8. - N 9. - P. 5759-5774.

49. Rana, T. Elimination of silicon gas phase nucleation using tetrafluorosilane (SiF4) precursor for high quality thick silicon carbide (SiC) homoepitaxy / T. Rana, M.V.S. Chandrashekhar, T.S. Sudarshan // physica status solidi (a). - 2012. - V. 209. - N 12. -P. 2455-2462.

50. Hallin, C. The material quality of CVD-grown SiC using different carbon precursors / C. Hallin // Journal of Crystal Growth. - 1998. - V. 183. - N 1. - P. 163-174.

51. Furumura, Y. Heteroepitaxial p - SiC on Si / Y. Furumura [et. al.] // Journal of The Electrochemical Society. - 1988. - V. 135. - N 5. - P. 1255-1260.

52. Kong, H.S. The effect of off-axis Si (100) substrates on the defect structure and electrical properties of p-SiC thin films / H.S. Kong [et. al.] // Journal of Materials Research. - 1988. - V. 3. - N 3. - P. 521-530.

53. Батов, Д.В. Разработка рециркуляционной технологии получения микрокристаллического карбида кремния химическим осаждением из газовой фазы: дис. канд. тех. наук: 05.16.03: защищена 10.03.2000: утв. 04.02.2000. -Москва, 2000. - 138 с.

54. Avramenko, S.F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method / S.F. Avramenko [et. al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 1999. - V. 2. - N 1.- P. 76-79.

55. Fissel, A. Low-temperature growth of SiC thin films on Si and 6H-SiC by solid-source molecular beam epitaxy / A. Fissel, B. Schröter, W. Richter // Applied Physics Letters. - 1995. - V. 66. - N 23. - P. 3182-3184.

56. Рындя, С.М. Особенности структуры тонких пленок SiC, формируемых методом импульсного лазерного осаждения на подложках Si и Al2O3: дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07: защищена 18.12.2014: утв. 17.11.2014. - Москва, 2014. -158 c.

57. Lei, Y.M. Compositional and structural studies of DC magnetron sputtered SiC films on Si(111)/ Y.M. Lei [et. al.] // Thin Solid Films. - 2000. - V. 365. - N 1. - P. 53-

57.

58. Gou, L. SiC film deposition by DC magnetron sputtering / L. Gou [et. al.] // Thin Solid Films. - 1999. - V. 345. - N 1. - P. 42-44.

59. Кукушкин, С.А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Физика твердого тела. - 2008. - T. 50. - № 7. - C. 1188-1195.

60. Patent WO2012039833A2 / Low Temperature Silicon Carbide Deposition Process / D. Thompson. - 2012.

61. Boris, D.R. The role of plasma in plasma-enhanced atomic layer deposition of crystalline films / D.R. Boris [et. al.] // Journal of Vacuum Science & Technology A. -2020. - V. 38. - N 4. - P. 040801-1 - 040801-26.

62. Словарь нанотехнологичных терминов / В.В. Еремин, О.А. Шляхтин, А.В. Стрелецкий. - изд. 2012.

63. Li, X. Highly conducting graphene sheets and Langmuir-Blodgett films / X. Li [et. al.] // Nature Nanotechnology. - 2008. - V. 3. - N 9. - P. 538-542.

64. Perepichka, I.I. Nanostrand Formation of Block Copolymers at the Air/Water Interface / I.I. Perepichka, A. Badia, C.G. Bazuin // ACS Nano. - 2010. - V. 4. - N 11. - P. 6825-6835.

65. Yang, B. Thin SiC films prepared by pyrolysis of polyimide Langmuir-Blodgett films on silicon / B. Yang // Applied Physics Letters. - 1994. - V. 64. - N 11. - P. 1445-1447.

66. Luchinin, V.V. Formation of crystalline heteroepitaxial SiC films on Si by carbonization of polyimide Langmuir-Blodgett films / V.V. Luchinin [et. al.] // Jpn. J. Appl. Phys. - 2017. - V. 56. - N 6. - P. 06GH08.

67. Malygin, A.A. From, V. B. Aleskovskii's "Framework" Hypothesis to the Method of Molecular Layering/Atomic Layer Deposition // A.A. Malygin, V.E. Drozd, A.A. Malkov, V.M. Smirnov // Chem. Vapor Deposit. - 2015. - V. 21. - N 10-12. - P. 216240.

68. George, S.M. Molecular layer deposition of organic and hybrid organic-inorganic polymers / S.M. George, B. Yoon // Materials Matters. - 2008. - V. 3. - P. 34-37.

69. Алесковский, В.Б. Остовная гипотеза и опыт приготовления некоторых активных твердых тел / В.Б. Алесковский. - Лен. технол. ин-т им. Ленсовета. -Ленинград, 1952. - 360 с.

70. Yoshimura, T. Polymer films formed with monolayer growth steps by molecular layer deposition / T. Yoshimura, S. Tatsuura, W. Sotoyama // Applied Physics Letters. -1991. - V. 59. - N 4. - P. 482-484.

71. Du, Y. Molecular Layer Deposition of Nylon 66 Films Examined Using in Situ FTIR Spectroscopy / Y. Du, S.M. George // Journal of Physical Chemistry C - J PHYS CHEM C. - 2007. - V. 111. - N 24. - P. 8509-8517.

72. Adamczyk, N.M. Molecular layer deposition of poly(p-phenylene terephthalamide) films using terephthaloyl chloride and p-phenylenediamine / N.M. Adamczyk, A.A. Dameron, S.M. George // Langmuir. - 2008. - V. 24. - N 5. - P. 2081-2089.

73. Loscutoff, P. Formation of Organic Nanoscale Laminates and Blends by Molecular Layer Deposition / P. Loscutoff [et. al.] // ACS nano. - 2009. - V. 4. - N 1.- P. 331 -341.

74. Yoshimura, T. Quantum wire and dot formation by chemical vapor deposition and molecular layer deposition of one-dimensional conjugated polymer / T. Yoshimura [et. al.] // Applied Physics Letters. - 1992. - V. 60. - N 3. - P. 268-270.

75. Ivanova, T.V. Molecular layer deposition of polyethylene terephthalate thin films / T.V. Ivanova, P.S. Maydannik, D.C. Cameron // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2012. - V. 30. - N 1. - P. 01A121-1 - 01A121-5.

76. Кольцов, С.И. Силикагель, его строение и химические свойства / С.И. Кольцов, В.Б. Алесковский // Ленинград: Госхимиздат. - 1963.

77. Кольцов, С.И. Синтез твердых веществ методом молекулярного наслаивания: дис. докт.хим.наук, Ленинград. - 1971.

78. Кольцов, С.И. Исследование степени гидратации поверхности монокристаллического кремния при различных температурах // С.И. Кольцов, В.Е. Дрозд, В.Б. Алесковский / Под ред. СССР ДАН. - 1976. - T. 229. - №5.- C.

1145-1147.

79. George, S. M. Metalcones: Hybrid Organic-Inorganic Films Fabricated Using Atomic and Molecular Layer Deposition Techniques / S. M. George, B. Lee, B. Yoon, A. Abdulagatov, R. Hall // Journal of nanoscience and nanotechnology. - 2011. - V. 11.

- N 9. - P. 7948-7955.

80. Abdulagatov, A. I. Molecular Layer Deposition of Titanicone Films using TiCl4 and Ethylene Glycol or Glycerol: Growth and Properties / A. I. Abdulagatov [et. al.] // Chemistry of Materials. - 2012. - V. 24. - N 15. - P. 2854-2863.

81. Dameron, A. A. Molecular Layer Deposition of Alucone Polymer Films Using Trimethylaluminum and Ethylene Glycol / A. A. Dameron [et. al.] // Chemistry of Materials. - 2008. - V. 20. - N 10. - P. 3315-3326.

82. Yoon, B. Molecular Layer Deposition of Hybrid Organic-Inorganic Polymer Films using Diethylzinc and Ethylene Glycol / B. Yoon [et. al.] // Chemical Vapor Deposition.

- 2009. - V. 15. - N 4-6. - P. 112-121.

83. Abdulagatov, A. I. Pyrolysis of Titanicone Molecular Layer Deposition Films as Precursors for Conducting TiO2/Carbon Composite Films / A. I. Abdulagatov [et. al.] // The Journal of Physical Chemistry C. - 2013. - V. 117. - N 34. - P. 17442-17450.

84. Абдулагатов, А.И. Молекулярно-слоевое осаждение и термические превращения титан(алюминий)-ванадиевых органо-оксидных пленок / А.И. Абдулагатов, Кр.Н. Ашурбекова, К.Н. Ашурбекова, Р.Р. Амашаев, М.Х. Рабаданов, И.М. Абдулагатов // Журнал прикладной химии. - 2018. - Т. 91, - № 3.- С. 305-318.

85. Lee, S.-H. Thermal Annealing of Molecular-Layer-Deposited Indicone Toward Area-Selective Atomic Layer Deposition / S.-H. Lee [et. al.] // ACS Applied Materials & Interfaces. - 2020. - V. 12 - N 38. - P. 43212-43221.

86. Yang, P. Uniform and Conformal Carbon Nanofilms Produced Based on Molecular Layer Deposition / P. Yang [et. al.] // Materials (Basel, Switzerland). - 2013. - V. 6. -N 12. - P. 5602-5612.

87. Herrera, M. Thermal Degradation Studies of Some Aliphatic Polyamides Using Hyphenated Techniques (TG-MS, TG-FTIR) / M. Herrera, G. Matuschek, A. Kettrup // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2000. - V. 59. - N 1-2. P. 385-394.

88. Hatori, H. The mechanism of polyimide pyrolysis in the early stage/ H. Hatori [et. al.] // Carbon. - 1996. - V. 34. - N 2. - P. 201-208.

88. Xie, W. Thermal Degradation Study of Polymerization of Monomeric Reactants (PMR) Polyimides / W. Xie, w.-p. Pan, K. Chuang // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2001. - V. 64. - P. 477-485.

90. Viretto, A. Thermal degradation of polyesters filled with magnesium dihydroxide and magnesium oxide / A. Viretto [et. al.] // Fire and Materials. - 2015. - V. 40. - N 3. - p. 445-463.

91. Ehlers, G.F.L. Thermal degradation of polymers with phenylene units in the chain. IV. Aromatic polyamides and polyimides / G.F.L. Ehlers, K.R. Fisch, W.R. Powell // Journal of Polymer Science Part A-1: Polymer Chemistry. - 1970. - V. 8. - N 12. - P. 3511-3527.

92. Zvanskii, B. V. Mechanism of thermal degradation of polyester fibre in a furnace pyrolyzer / B.V. Zvanskii, S.Y. Krasev, A.O. Koren // Fibre Chemistry. - 1997. - V. 29.

- N 6. - P. 363-366.

93. Bautista, Y. Thermal Degradation Mechanism of a Thermostable Polyester Stabilized with an Open-Cage Oligomeric Silsesquioxane // Materials (Basel, Switzerland) / Y. Bautista, A. Gozalbo, S. Mestre, V. Sanz - 2017. - V. 11. - N 1. - P. 1-13.

94. Higgs, D. J. Spatial molecular layer deposition of polyamide thin films on flexible polymer substrates using a rotating cylinder reactor / Higgs, D. J. [et. al. ] // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2017. - V. 36. - N 1. - P. 01A117-1 - 01A117-8.

95. Ivanova, T. Molecular layer deposition of polyethylene terephthalate thin films / T. Ivanova, P. Maydannik, D. Cameron // Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films. - 2012. - V. 30. - N 1. - P. 01A121-1 - 01A121-5.

96. Nishimura, M. Nicorandil (2-nicotinamidoethyl nitrate) inhibits both vaso-dilating and -constricting effects of endothelin in a vascularly isolated hind-limb preparation in rats / M. Nishimura [et. al.] // Jpn Circ J. - 1991. - V. 55. - N 7. - P. 729-736.

97. Miyamae, T. Preparation of Polyimide-Polyamide Random Copolymer Thin Film by Sequential Vapor Deposition Polymerization / T. Miyamae [et. al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 2002. - V. 41. - N 2A. - P. 746-748.

98. Bitzer, T. Demonstration of an imide coupling reaction on a Si(100)-2*1 surface by molecular layer deposition / T. Bitzer, N.V. Richardson // Applied Physics Letters. -1997. - V. 71. - N 5. - P. 662-664.

99. Putkonen, M. Atomic layer deposition of polyimide thin films / M. Putkonen [et. al.] / Journal of Materials Chemistry. - 2007. - V. 17. -N 7. - P. 664-669.

100. Yoshimura, T. Quantum wire and dot formation by chemical vapor deposition and molecular layer deposition of one-dimensional conjugated polymer / Yoshimura, T. [et. al.] // Applied Physics Letters. - 1992. - V. 60. - N 3. - P. 268 - 270.

101. Knudsen, M. Die Gesetze der Molekularströmung und der inneren Reibungsströmung der Gase durch Röhren / M. Knudsen // Annalen der Physik. - 1909.

- V. 333. - N 1. - P. 75-130.

102. Shi, Y. Knudsen Diffusion Through Cylindrical Tubes of Varying Radii: Theory and Monte Carlo Simulations / Y. Shi, Y.T. Lee, A.S. Kim // Transport in Porous Media. - 2012. - V. 93. - N 3. - P. 517-541.

103. Sauerbrey, G. Verwendung von Schwingquarzen zur Wägung dünner Schichten und zur Mikrowägung / G. Sauerbrey // Zeitschrift für Physik. - 1959. - V. 155. - N 2.

- P. 206-222.

104. Nomura, T. Behaviour of piezoelectric quartz crystals in solutions with application to the determination of iodide / T. Nomura, M. Watanabe, T.S. West // Analytica Chimica Acta. - 1985. - V. 175. - P. 107-116.

105. O'Sullivan, C. K. Commercial quartz crystal microbalances - theory and applications / C.K. O'Sullivan, G.G. Guilbault // Biosensors and Bioelectronics. - 1999.

- V. 14. - N 8. - P. 663-670.

106. Thompson, M. Thickness-shear-mode acoustic wave sensors in the liquid phase. A review / M. Thompson [et. al.]// Analyst. - 1991. - V. 116. -N 9. - P. 881-890.

107. Bosi, M. 3C-SiC carbonization optimization and void reduction on misoriented Si substrates: from a research reactor to a production scale reactor / M. Bosi [et. al.] // CrystEngComm. - 2016. - V. 18. - N 39. - P. 7478-7486.

108. Drouin, D. CASINO V2.42—A Fast and Easy-to-use Modeling Tool for Scanning Electron Microscopy and Microanalysis Users / Drouin, D. [et. al.] // Scanning. - 2007.

- V. 29. - N 3. - P. 92-101.

109. Oura, K. Surface Science: An Introduction / K. Oura // Berlin Heidelberg: Springer-Verlag. - 2003. - 440 P.

110. Eisenberger, P. X-ray diffraction study of the Ge[001] reconstructed surface / P. Eisenberger, W.C. Marra // Physical Review Letters. - 1981. - V. 46. - N 16.- P. 1081-1084.

111. Stewart, J.J.P. Optimization of parameters for semiempirical methods I. Method / J.J.P. Stewart // Journal of Computational Chemistry. - 1989. - V. 10. - N 2. - P. 209-220.

112. Ott, A.W. A13O3 thin film growth on Si(100) using binary reaction sequence chemistry / Ott, A.W. [et. al.] // Thin Solid Films. - 1997. - V. 292. - N 1 -2. - P. 135144.

113. Dillon, A. C. Surface chemistry of A12O3 deposition using A1(CH3)3 and H2O in a binary reaction sequence / A.C. Dillon // Surface Science. - 1995. - V. 322. - N 1. -P. 230-242.

114. Groner, M. D. Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition / M.D. Groner [et. al.] // Chemistry of Materials. - 2004. - V. 16. - N 4. - P. 639-645.

115. Wind, R.A. Quartz Crystal Microbalance Studies of Al2O3 Atomic Layer Deposition Using Trimethylaluminum and Water at 125 °C / R.A. Wind, S.M. George // The Journal of Physical Chemistry A. - 2010. - V. 114. - N 3. - P. 1281-1289.

116. Krongauz, V. Diffusion in polymers dependence on crosslink density. Eyring approach to mechanism / V. Krongauz // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry -J Therm Anal Calorim. - 2010. - V. 102. - N 2. - P. 435-445.

117. Kim, S. Positron annihilation spectroscopic evidence to demonstrate the flux-enhancement mechanism in morphology-controlled thin-film-composite (TFC) membrane / Kim S., Kwak S., Suzuki T. //Environ. Sci. Technol. - 2005. - V. 39. - N 6. - P. 1764-1770.

118. Xu, R. Influence of l-lysine on the permeation and antifouling performance of polyamide thin film composite reverse osmosis membranes / R. Xu [et. al.] // RSC Advances. - 2018. - V. 8. - N 44. - P. 25236-25247.

119. Wei, T. Aromatic Polyamide Reverse-Osmosis Membrane: An Atomistic Molecular Dynamics Simulation / T. Wei [et. al.] // The Journal of Physical Chemistry B. - 2016. - V. 120. - N 39. - P. 10311-10318.

120. Ju, L. New Chemistries and Processing in Atomic and Molecular Layer Deposition of Inorganic and Hybrid Organic-Inorganic Thin Films: Theses and Dissertations, Lehigh University. - 2018.

121. Zetterling, C.-M. Integrated circuits in silicon carbide for high-temperature applications / C.-M. Zetterling // MRS Bulletin. - 2015. - V. 40. - N 5. - P. 431-438.

122. Preda F.-M. Investigation of Water Diffusion Mechanisms in Relation to Polymer Relaxations in Polyamides / F.-M. Preda [et. al.] // Macromolecules. - 2015. - V. 48. -N 16. - P. 5730-5741.

123. Jin, Y. Spectroscopic study on water diffusion in aromatic polyamide thin film / Y. Jin, W. Wang, Z. Su // Journal of Membrane Science. - 2011. - V. 379. - N 1. - P. 121130.

124. O'Harra, K.E. Synthesis and Performance of Aromatic Polyamide Ionenes as Gas Separation Membranes / K.E. O'Harra [et. al.] // Membranes. - 2020. - V. 10. - N 3. -P. 51-1- 51-15.

125. Trigo-Lopez, M. Aromatic polyamides and acrylic polymers as solid sensory materials and smart coated fibres for high acidity colorimetric sensing / M. Trigo-Lopez [et. al.] // Polymer Chemistry. - 2015. - V. 6. - P. 3110-3120.

126. Kim, H.J. High-performance reverse osmosis CNT/polyamide nanocomposite membrane by controlled interfacial interactions / H.J. Kim [et. al.] // ACS Appl Mater Interfaces. - 2014. - V. 6. - N 4. - P. 2819-2829.

127. Pud, A.A. Polyamide-12/Polyaniline Layered Composite Films: Specificity of the Formation and Raman Spectroscopy Investigation / A.A. Pud [et. al.] // Journal of Macromolecular Science, Part A. - 2007. - V. 44. - N 2. - P. 183-192.

128. Furukawa, Y. Vibrational spectra and structure of polyaniline / Y. Furukawa [et. al.] // Macromolecules. - 1988. - V. 21. - N 5. - P. 1297-1305.

129. Gonzalez-Henriquez, C. M. Structure correlation of silylated dicarboxylic acid monomer and its respective oligomeric polyamide-imide using experimental and theoretical vibrational spectra / C. M. Gonzalez-Henriquez [et. al.] // Spectroscopy Letters. - 2017. - V. 50. - N 1. - P. 30-38.

130. Wang, W.-z. Synthesis of semiaromatic polyamides based on decanediamine / W.-z. Wang, Y.-h. Zhang // Chinese Journal of Polymer Science - CHINESE J POLYM SCI. - 2010. - V. 28. - N 4. - P. 467-473.

131. Ferrari, A.C. Resonant Raman spectroscopy of disordered, amorphous, and diamondlike carbon / A.C. Ferrari, J. Robertson // Physical Review B. - 2001. - V. 64. - N 7. - P. 075414-1 - 075414-13.

132. Maultzsch, J. Double-resonant Raman scattering in graphite: Interference effects, selection rules, and phonon dispersion / J. Maultzsch, S. Reich, C. Thomsen // Physical Review B. - 2004. - V. 70. - N 15. - P. 155403-1 - 155403-9.

133. Ferrari, A.C. Interpretation of Raman Spectra of Disordered and Amorphous Carbon / A.C. Ferrari, J. Robertson // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 61. - N 20. - P. 14 095 - 14 107.

134. Ohnishi, T. Preparation of graphite film by pyrolysis of polymers / T. Ohnishi [et. al.] // Synthetic Metals. - 1987. - V. 18. - N 1. - P. 497-502.

135. Burton, J.C. Spatial characterization of doped SiC wafers by Raman spectroscopy / J.C. Burton [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 84. - N 11. - P. 6268-6273.

136. Yang, B. Growth of P-SiC film by pyrolysis of polyimide Langmuir-Blodgett films on silicon / B. Yang [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1995. - V. 77. - N 12. - P. 6733-6735.

137. Chen, J. Molecular beam epitaxy growth of SiC on Si(111) from silacyclobutane / J. Chen, A.J. Steckl, M.J. Loboda // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. - 1998. - V. 16. - N 3. - P. 1305-1308.

138. Moro, L. Silicon carbide formation by annealing C60 films on silicon / L. Moro [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1997. - V. 81. - N 9. - P. 6141-6146.

139. GaussView // Book. - Editor 2016.

140. Nakashima, H. Epitaxial Growth of SiC Film on Silicon Substrate and Its Crystal Structure / H. Nakashima, S. Takuo, Y. Hisayoshi // Japanese Journal of Applied Physics. - 1966. - V. 5. - N 10. - P. 874-878.

141. Kim, K. Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates / K. Kim [et. al.] // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. - 2001. - V. 19. - N 5. - P. 2636-2641.

142. Jusoh, W.Z.A.W. Fabrication and characterisation of a polyamide thin-film composite membrane on a nylon 6,6 substrate for isopropanol dehydration / W.Z.A.W. Jusoh [et. al.] // Comptes Rendus Chimie. - 2019. - V. 22. - N 11. - P. 755-760.

143. Wang, Y. Dopamine incorporating forward osmosis membranes with enhanced selectivity and antifouling properties / Y. Wang [et. al.] // RSC Advances. - 2018. - V. 8. - N 40. - P. 22469-22481.

144. Pacheco, F. 3D visualization of the internal nanostructure of polyamide thin films in RO membranes / F. Pacheco [et. al.] // Journal of Membrane Science. - 2016. - V. 501. - P. 33-44.

145. Bosi, M. 3C-SiC carbonization optimization and void reduction on misoriented Si substrates: from research to production scale reactors / M. Bosi [et. al.] // CrystEngComm. - 2016. - V. 18. - N 39. - P. 7478-7486.

146. Madapura, S. Heteroepitaxial Growth of SiC on Si(100) and (111) by Chemical Vapor Deposition Using Trimethylsilane / S. Madapura, A. Steckl, M. Loboda // Journal of The Electrochemical Society - J ELECTROCHEM SOC. - 1999. - V. 146. - N 3. -P. 1197-1202.

147. Scholz, R. Micropipe defects and voids at ß-SiC/Si(100) interfaces / R. Scholz [et. al.] // Diamond and Related Materials. - 1997. - V. 6. - N 10. - P. 1365-1368.

148. Björketun, L.O. Interfacial void formation during vapor phase growth of 3C-SiC on Si(0 0 1) and Si(1 1 1) substrates. Characterization by transmission electron microscopy / L.O. Björketun [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 1997. - V. 182. - N 3. - P. 379-388.

149. Wasyluk, J. Raman Investigation of Different Polytypes in SiC Thin Films Grown by Solid-Gas Phase Epitaxy on Si (111) and 6H-SiC Substrates / J. Wasyluk [et. al.] // Materials Science Forum. - 2010. - V. 645-648. - P. 359-362.

150. Fu, X.-a. Surface Roughness Control of 3C-SiC Films during the Epitaxial Growth Process / X.-a. Fu, C.A. Zorman, M. Mehregany // Journal of The Electrochemical Society. - 2004. - V. 151. - N 12. - P. G910- G914.

151. Deku, F. Amorphous silicon carbide ultramicroelectrode arrays for neural stimulation and recording / F. Deku [et. al.] // Journal of Neural Engineering. - 2017. -V. 15. - N 1. - P. 1-20.

152. Shibahara, K. Antiphasedomaingfree growth of cubic SiC on Si(100) / K. Shibahara, H. Matsunsmi // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 50. - N 26. - P. 1888-1890.

153. Matovic, B. Monolithic nanocrystalline SiC ceramics / B. Matovic [et. al.] // Journal of the European Ceramic Society. - 2015. - V. 36. - N 12. - P. 1-6.

154. Sun, Y. Characterization of 3C-SiC films grown on monocrystalline Si by reactive hydrogen plasma sputtering / Y. Sun [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1997. - V. 82. - N 5. - P. 2334-2341.

155. Deal, B. E. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon / B.E. Deal, A.S. Grove // Journal of Applied Physics. - 1965. - V. 36. - N 12. - P. 3770-3778.

156. Золотов, А.В. Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния / А.В. Золотов // Ульяновск, 2007. - 139 c.

157. Султанов, А.О. Закономерности роста эпитаксиальных пленок P-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств: дис. физ.-мат. наук: 01.04.10: защищена: 26.11.2019: утв. 16.09.2019. -Москва, 2019. - 127 с.

158. Amjadipour, M. Fabrication of free-standing silicon carbide on silicon microstructures via massive silicon sublimation / M. Amjadipour [et. al.] // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2020. - V. 38. - N 6. - P. 062202-1 - 062202-6.

159. Zhang, Z. Atomic-Scale-Deformation-Dynamics (ASDS) of Nanowires and Nanofilms / Z. Zhang [et. al.] // Materials Science Forum. - 2010. - V. 654-656. - P. 1190-1194.

160. Han, X.D. Lattice bending, disordering, and amorphization induced plastic deformation in a SiC nanowire / X.D. Han [et. al.] // Journal of Applied Physics. -2005. - V. 98. - N 12. - P. 124307.

161. Wu, Q. Mechanical properties of nanomaterials: A review / Q. Wu [et. al.] // Nanotechnology Reviews. - 2020. - V. 9. - N 1. - P. 259-273.

162. Citakovic N. Physical properties of nanomaterials / N. Citakovic // Vojnotehnicki glasnik. - 2019. - V. 67. - N 1. - P. 159-171.

163. Yi, M.D. Effects of Nano-Al2O3 on the Mechanical Property and Microstructure of Nano-Micro Composite Self-Lubricating Ceramic Tool Material / M.D. Yi [et. al.] // Materials Science Forum. - 2014. - V. 770. - P. 308-311.

164. Kim, K.C. Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates / K.C. Kim [et. al.] // Journal of Vacuum Science & Technology A. -2001. - V. 19. - N 5. - P. 2636-2641.

165. Zhou, J.-c. Structure and electronic properties of SiC thin-films deposited by RF magnetron sputtering / J.-c. Zhou, X.-q. Zheng // Transactions of Nonferrous Metals Society of China. - 2007. - V. 17. - N 2. - P. 373-377.

166. Kim, J. A study on the thermoelectric properties of chemical vapor deposited SiC films with temperature and diluent gases variation / J. Kim [et. al.] // Journal of The Ceramic Society of Japan - J CERAMIC SOC JPN. - 2009. - V. 117. - N 5. - P. 574577.

167. Brassard, D. Dielectric properties of amorphous hydrogenated silicon carbide thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition / D. Brassard, M.A.El Khakani // Journal of Applied Physics. - 2003. - V. 93. - N 7. -P. 4066-4071.

168. Touloukian, Y.S. Thermophysical properties of high temperature solid materials / Y.S Touloukian // Purdue University, Thermophysical Properties Research Center, Air Force Materials Laboratory: Macmillan, New York. - 1967. - 336 P.

169. Xu, Q. Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial <111) -3C-SiC on Si(111) by laser CVD / Q. Xu [et. al.] // Applied Surface Science. - 2017. - V. 426. - P. 662-666.

170. Zhuang H. When epitaxy meets plasma: A path to ordered nanosheets arrays / H. Zhuang [et. al.] // Scientific reports. - 2013. - V. 3. - P. 2427-1- 2427-6.

171. Li, J.P. Structural characterization of nanometer SiC films grown on Si / J.P. Li [et. al.] //. - 1993. - V. 62. - N 24. - P. 3135-3137.

172. Zhuang, H. Low Temperature Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC Films on Si Utilizing Microwave Plasma CVD / H. Zhuang [et. al.] // Chemical Vapor Deposition. -2013. - V. 19. - N 1-3. - P. 29-37.

173. Cimalla, V. Initial stages in the carbonization of (111)Si by solid-source molecular beam epitaxy / V. Cimalla [et. al.] // Applied Physics Letters. - 1998. - V. 73. - N 24. -P. 3542-3544.

174. Roy, S. Transmission electron microscopy investigation of microtwins and double positioning domains in (111) 3C-SiC in relation with the carbonization conditions / S. Roy [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2009. - V. 95. - N 8. - P. 081903-1 - 0819033.

175. Mogab, C.J. Conversion of Si to epitaxial SiC by reaction with C2H2 / C.J. Mogab, H.J. Leamy // Journal of Applied Physics. - 1974. - V. 45. - N 3. - P. 10751084.

176. Kim, K. Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates / K. Kim, C. Park // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. - 2001. - V. 19. - N 5.- P. 2636-2641.

177. Goswami, R. Solid phase epitaxial growth of 3C-SiC thin film on Si and annihilation of nanopores / R. Goswami [et. al.] // Acta Materialia. - 2014. - V. 65. - P. 418-424.

178. Mathur, A. Chattopadhyay S. Dual ion beam grown silicon carbide thin films: Variation of refractive index and bandgap with film thickness / A. Mathur [et. al.] //. -2019. - V. 37. - N 4. - P. 041802-1 - 041802-11.

179. Tang, C.Y. Probing the nano- and micro-scales of reverse osmosis membranes—A comprehensive characterization of physiochemical properties of uncoated and coated membranes by XPS, TEM, ATR-FTIR, and streaming potential measurements / C.Y. Tang, Y.-N. Kwon, J.O. Leckie // Journal of Membrane Science. - 2007. - V. 287. - N 1. - P. 146-156.

180. Benavente, J. Effect of age and chemical treatments on characteristic parameters for active and porous sublayers of polymeric composite membranes / J. Benavente, M.I. Vázquez // Journal of colloid and interface science. - 2004. - V. 273. - N 2. - P. 547-555.

181. Tang, C.Y. Effect of membrane chemistry and coating layer on physiochemical properties of thin film composite polyamide RO and NF membranes: I. FTIR and XPS characterization of polyamide and coating layer chemistry / C.Y. Tang, Y.-N. Kwon, J.O. Leckie // Desalination. - 2009. - V. 242. - N 1. - P. 149-167.

182. Khorshidi, B. A Novel Approach Toward Fabrication of High Performance Thin Film Composite Polyamide Membranes / B. Khorshidi [et. al.] // Scientific Reports. -2016. - V. 6. - N 1. - P. 22069-1 - 22069-10.

183. Kusunoki, I. XPS study of a SiC film produced on Si(100) by reaction with a C2H2 beam / I. Kusunoki, Y. Igari // Applied Surface Science. - 1992. - V. 59. - N 2. -P. 95-104.

184. Schaefer K.M.F. Chemistry and Physics of Carbon // Walker P. L. - New York Marcel Dekker. - 1971. - 329 P.

185. Dufour, G. SiC formation by reaction of Si(001) with acetylene: Electronic structure and growth mode / G. Dufour [et. al.] // Physical Review B. - 1997. - V. 56. -N 7. - P. 4266-4282.

186. Pezoldt, J. Imprinting the Polytype Structure of Silicon Carbide by Rapid Thermal Processing / J. Pezoldt, V. Cimalla // Crystals. - 2020. - V. 10. - N 6.- P. 523-1 - 52321.

187. Kuzmina, V. Growth Processes of Subgrain And Morphology Evolution In The Synthesis of B-SiC Films at (111) Si In The Atmosphere of Methane / V. Kuzmina, S. Soldatenko, A. Sinelnikov // Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). - 2018. - N 22-24.- P. 96-106.

188. Teker, K. Epitaxial Growth of SiC on AlN/ Sapphire Using Hexamethyldisilane by MOVPE / K. Teker [et. al.] // MRS Proceedings. - 2011. - V. 640. - P. H5.10.1-H5.10.5.

189. Learn, A.J. Growth morphology and crystallographic orientation of ß-SiC films formed by chemical conversion / A.J. Learn, I.H. Khan // Thin Solid Films. - 1970. - V. 5. - N 3. - P. 145-155.

190. Scherrer, P. Bestimmung der Größe und der inneren Struktur von Kolloidteilchen mittels Röntgenstrahlen / P. Scherrer // Nachr. Ges. Wiss. Göttingen -1918. - V. 26. -N 2. - P. 98-100.

191. Ritala, M. Perfectly Conformal TiN and Al2O3 Films Deposited by Atomic Layer Deposition / M. Ritala [et. al.] // Chemical Vapor Deposition. - 1999. - V. 5. - N 1. - P. 7-9.

192. Hamalainen, J. Atomic Layer Deposition of Platinum Oxide and Metallic Platinum Thin Films from Pt(acac)2 and Ozone / J. Hamalainen [et. al.] // Chemistry of Materials. - 2008. - V. 20. - N 21. - P. 6840-6846.

193. Gluch, J. TEM characterization of ALD layers in deep trenches using a dedicated FIB lamellae preparation method / J. Gluch [et. al.] // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - N 16. - P. 4553-4555.