Исследование процессов трансформации энергии в лазерных оксидных материалах, активированных ионами переходных металлов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Аванесов, Андраник Григорьевич

• Аванесов, Андраник Григорьевич
• доктор физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Аванесов, Андраник Григорьевич

Введение.^.

1. Развитие модели расчетактуры уровней ионов переходных металлов в гетеродесмических соединениях и модели внутрицентровых безызлучательных переходов.

1.1. Методы расчета электронной структуры примесных центров в кристаллах.

1.1.1. Молекулярные методы расчета.

1.1.2. Теория кристаллического поля.

1.1.3. Теория кристаллического поля в гетеродесмических соединениях.

1.2.Метод расчета параметров кристаллического поля в гетеродесмических соединениях.

1.2.1. Анализ структуры параметров кристаллического поля в гетеродесмических соединениях.

1.3.Кристаллическое поле в силикатах.

1.3.1. Штарковская структура спектров Ыс13+ и УЬ3+ в УгЗЮз.

1.3.2. Спектральные характеристики ионов группы железа в

§28Ю4.

1.4.Модуляция электронных состояний примесного центра как следствие колебаний лигандов.

1.4.1. Энергетические схемы ионов Сг4+ в лазерных кристаллах.

1.4.2. Пересечение уровней энергии примесного иона в результате смещений лигандов.

1.4.3. Влияние симметризованных смещений на спектр примесного иона.

1.5.Модель пересечения уровней в теории безызлучательных переходов.

1.5.1. Основные положения модели.

1.5.2. Модельные расчеты вероятностей безызлучательных перехо

П1 4+ дов для Сг

1.6.Безызлучательные переходы в линейном приближении электронно-колебательного взаимодействия.

1.6.1. Безызлучательные переходы в октаэдрических центрах.

1.6.2. Расчет вероятности безызлучательных переходов 4Т2ё - 4Агё в рубине в линейном приближении электронно-колебательного взаимодействия.

2. Исследование процессов переноса энергии электронного возбуждения в диэлектрических материалах, активированных ионами переходных металлов.

2.1.Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах.

2.2.Спектроскопия и люминесценция 1л-Ьа-фосфатных стекол активированных ионами хрома и неодима.

2.2.1. Люминесценция хрома в 1л-Ьа-фосфатных стеклах.

2.2.2. Концентрационное тушение люминесценции хрома в Ы-Ьа-фосфатном стекле.

2.2.3. Тушение люминесценции неодима в Ы-Ьа-фосфатном стекле

2.2.4. Тушение люминесценции неодима за счет миграции энергии к гидроксильным группам.

2.2.5. Исследование безызлучательных взаимодействий между ионами хрома и неодима в 1л-Ьа-фосфатном стекле.

2.2.6. Передача энергии от ионов неодима ионам хрома в 1л-Ьа-фосфатном стекле.

2.3.Люминесценция кристаллических алюминатов, активированных ионами переходных металлов.

2.3.1. Люминесценция кристаллов ГСАГ и ИСАГ, активированных ионами хрома и неодима.

2.3.2. Люминесценция хрома в кристаллах ГСАГ и ИСАГ.

2.3.3. Люминесценция неодима в ГСАГ и ИСАГ.

2.3.4. Люминесценция ГСАГ-Сг , N(1 и ИСАГ-Сг,Ш.

2.3.5. Перенос энергии от хрома к неодиму в ИАГ.

2.4.Исследование межионных взаимодействий в кристаллах гексаал-люминатов лантана-магния, активированных ионами редких земель.

2.4.1. Люминесценция ГАЛМ и ГГЛМ, активированных ионами неодима.

2.4.2. Безызлучательная трансформация энергии возбуждения в системе (СеТЬ^А1п019.

2.5. Безызлучательный перенос энергии с учетом конечного времени жизни акцепторных состояний при стационарном возбуждении.

2.5.1. Нелинейные эффекты в люминесценции фотолюминофоров.

3. Кооперативная генерация многоактивированных лазерных сред.

3.1.Формулировка и анализ кинетических уравнений, описывающих лазерную генерацию.

3.2.Особенности лазерной генерации в случае перекрывающихся однородно уширенных контуров излучения.

3.3.Режимы лазерной генерации УАв-неодимового лазера с пассивным затвором на основе ЫГ:Г~2.:.

3.4.Особенности просветления в системах с сильной электронноколебательной связью.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов трансформации энергии в лазерных оксидных материалах, активированных ионами переходных металлов»

Значительные успехи, достигнутые в различных сферах деятельности человека с появлением лазера, стимулируют научно-исследовательские работы, направленные на совершенствование существующих, разработку, и создание новых лазерных систем. Среди большого числа различных типов лазеров особое место занимают лазеры на основе диэлектрических материалов с оптическими центрами, наведенными в них путем введения в их состав примесей металлов. К числу положительных особенностей такого типа лазеров следует отнести их компактность, относительную простоту конструкции, способность работать в различных режимах - непрерывном, импульсном, импульсно-периодическом, с высокой средней мощностью и лазерным пучком высокого качества, с малой расходимостью выходного излучения, возможность получения ультракоротких (вплоть до фемтосекундных) импульсов. Твердотельные лазеры позволяют получать генерацию с плавной перестройкой длины волны излучения, они характеризуются большим сроком службы, который, в конечном счете, определяется долговечностью источника накачки. Основным элементом лазера является активная среда, так что развитие твердотельных лазеров сводится, в первую очередь, к разработке и совершенствованию активных сред.

В активных элементах лазеров одновременно протекает целый ряд сложных и разнообразных процессов, определяющих выходные параметры лазеров. Для улучшения параметров лазеров необходимо изучать их закономерности и использовать эти знания как для подавления негативных процессов и усиления позитивных, так и для создания новых типов лазеров и лазерных систем.

При введении в кристаллические матрицы примесных ионов формируется новое образование - оптический центр, который и определяет те оптические свойства кристаллов, которые придают им лазерные свойства. В качестве примесных ионов наиболее часто используются ионы переходных металлов групп железа и лантана. Повышенный интерес исследователей к диэлектрическим материалам, активированным такими ионами обусловлен возможностью создания на их основе широкого круга оптически активных материалов с уникальными свойствами. Они подчас не имеют альтернативы при создании активных сред твердотельных лазеров, высокоэффективных фото-катодо- и рентгенолюминофоров, сцинтиляторов, пассивных (фототропных) затворов лазеров и т.д.

Как известно, электронные конфигурации элементов групп железа и лантана обладают особенностью, которая определяет оптические свойства активированных ими кристаллических и аморфных материалов. В их строении наблюдается нарушение последовательности заполнения электронных оболочек. Заполнение внутренней Зё-подоболочки элементов группы железа начинается после заполнения внешней 4э-оболочки, а 41-подоболочки редкоземельных элементов происходит после заполнения 58, 5р и подоболочек. В результате у атомов элементов группы железа Зё-подоболочка, а у лантаноидов 4^подоболочка - оказываются заполненными частично. При введении в кристаллическую матрицу оптические 4£-электроны редких земель оказываются экранированными внешними 5 б и 5р электронными оболочками, вследствие чего влияние кристаллического поля в кристаллах - матрицах оказывается слабым, что проявляется в слабо выраженной зависимости спектроскопических свойств редкоземельных оптических центров от материала кристаллической основы. Иначе обстоит дело с элементами группы железа. При внедрении в кристаллическую матрицу два 4Б-электрона и один или несколько Зс1-электронов (в зависимости от валентного состояния активатора) "отвлекаются" на формирование химической связи и "оптические" Зё-электроны оказываются внешними. Это обстоятельство определяет сильное влияние кристаллического поля на Зё-электроны, которое проявляется при формировании энергетических уровней примесных центров.

Структура энергетических уровней примесного центра формируется в результате взаимодействия оптических электронов примесного иона с ядром и внутренними электронами, взаимодействия оптических электронов между собой (межэлектронное отталкивание), спин-орбитального взаимодействия, взаимодействия оптических электронов с кристаллическим полем, которое формируют ядра и электроны окружающих примесь ионов, а также взаимодействием ядра примеси с ядрами и электронами окружения. Для 3(1-электронов влияние кристаллического поля оказывается в большинстве случаев сильнее влияния спин-орбитального взаимодействия, вследствие чего, энергетические зазоры между штарковскими компонентами мультиплетов превосходят энергетические зазоры между различными мультиплетами. Другое важное следствие сильного взаимодействия Зё-электронов с кристаллическим полем проявляется в большой ширине спектральных линий оптических переходов и значительном сдвиге между положениями максимумов полос поглощения и излучения для переходов разрешенным по спину переходам (Стоксов сдвиг).

Особенности электронного строения и характер образования химических связей Зс1-ионов с решеткой определяют уникальные спектрально-люминесцентные свойства активированных ими кристаллов. В спектрах поглощения можно наблюдать совокупность узких линий слабой интенсивности, соответствующих двукратно запрещенным (по четности и по спину) переходам с основного уровня на уровни с другими мультиплетностями и широких, мощных полос, соответствующих однократно запрещенным переходам (по четности) на уровни той же мультиплетности. Спектр люминесценции, как правило, представлен единственным переходом между первым возбужденным и основным состояниями. Если основной и первый возбужденный уровни имеют различную мультиплетность, то спектр излучения представляет собой узкую резонансную линию. В случае, когда мультиплетности совпадают, спектр излучения представляет собой широкую, мощную электронно-колебательную полосу, сильно сдвинутую относительно полосы поглощения. Широкие электронно-колебательные полосы излучения характеризуются высокими значениями поперечных сечений (это особенно 9 сильно выражено для ионов элементов начала ряда группы, таких как, титан, ванадий, хром, марганец), наличие переходов между термически связанными колебательными подуровнями обеспечивает квазичетырехуровневую схему генерации и позволяет осуществлять плавно перестраиваемую по частоте лазерную генерацию. Возможность реализации плавно перестраиваемой по частоте лазерной генерации в широком диапазоне частот (длин волн) и определяет в первую очередь повышенный интерес к средам, активированным ионами элементов группы железа.

Спектральная область эффективной перестраиваемой генерации на кристаллических средах активированных ионами переходных металлов лежит в ближней инфракрасной области, примерно в диапазоне 0,65 - Змкм.

Коротковолновая граница этой области определяется структурой энергетических уровней Зс1п- ионов и для п>1ип<9(п- число электронов в 3(1- конфигурации) и не может располагаться в более энергетической области. Это прежде всего, связано с тем, что между верхним и нижним лазерными уровнями с большим энергетическим зазором между ними, необходимым для реализации перестраиваемой генерации в видимой и, тем более, в ультрафиолетовой спектральных областях, расположены промежуточные состояния. Такое расположение уровней создает условия для эффективной внутрицентровой безызлучательной дезактивации верхнего "лазерного" уровня за счет процессов многофононной релаксации, вследствие чего снижается время его жизни и падает квантовый выход люминесценции. Населенность лазерного уровня падает, порог генерации возрастает, и, как следствие, осуществить генерацию становится затруднительно. Ионы с п = 1 и п = 9 содержат только два уровня и, следовательно, лишены отмеченного недостатка. Однако создание примесных комплексов с необходимым для реализации люминесценции в высокоэнергетической области энергетическим зазором между его уровнями накладывает практически нереализуемые требования к параметрам кристаллического поля, в частности к параметру

10

Существование длинноволновой границы области перестраиваемой генерации связано с тем, что при уменьшении энергетического зазора между лазерными уровнями происходит увеличение вероятности безызлучательного перехода, уменьшается время жизни верхнего лазерного уровня и квантовый выход люминесценции падает. В результате пороги генерации растут, а эффективность генерации падает.

Из всех ионов группы железа по целому ряду обстоятельств ионы хрома занимают особое место. Прежде всего, следует отметить что ионы хрома широко распространены в виде примесей в породообразующих минералах и, в первую очередь, в таких природных кристаллах (рубин, изумруд, александрит, хромдиопсид, берил, хризоберил, гранаты и др.), которые издавна привлекали к себе внимание. Опыт изучения хромсодержащих материалов был распространен в дальнейшем на кристаллы с другими ионами группы железа.

Однако наиболее мощным стимулом к работам по синтезу и систематическим исследованиям ионов элементов группы железа в качестве активных примесей послужило создание Мейманом в 1960 году первого лазера на кристаллах рубина [1], работающего на переходе 2Е - 4А2 (Я- линии рубина). Следующим, очень существенным, этапом явилось открытие плавно перестраиваемой по частоте генерации, реализованной при комнатной температуре на электронноколебательном переходе 4Т2 - 4А2 ионов Сг3+ на кристаллах александрита

ВеА1204:Сг3+ [2]. В течение последующих лет лазерная генерация была реализована на электронно-колебательных переходах октаэдрически координированных ионов Сг3+ в целом ряде кристаллических оксидов и галогенидов [3-9], тетраэдрически координированных ионов Сг4+ [10,11] и

2+ тетраэдрически координированных ионов Сг [12,13]. Привлекательной особенностью кристаллов с ионами хрома является наличие широких интенсивных полос в их спектрах поглощения и люминесценции, что, с одной стороны, позволяет осуществлять его эффективную накачку импульсными лампами, с другой стороны, использовать ионы хрома не только в качестве активных центров, но и сенсибилизаторов люминесценции других оптических центров, в частности, ионов редкоземельных элементов [14-16].

Сложность и многообразие статических и динамических взаимодействий примесных комплексов с кристаллом - матрицей, которые формируют энергетическую структуру уровней и определяют вероятности излучательных и безызлучательных переходов между уровнями энергии, высокая чувствительность спектрально-люминесцентных свойств примесных Зё-оптических центров к строению и составу кристаллической матрицы, способность Зё-ионов к внедрению в позиции кристалла с разными координационными числами и в разных валентных состояниях, придают задаче создания активных кристаллических материалов с заданными свойствами в значительной мере творческий характер. Несмотря на значительные успехи в разработке теоретических моделей расчета спектроскопических свойств примесных центров в кристаллах, а также большое число экспериментальных исследований спектрально-люминесцентных и генерационных свойств материалов, активированным ионами переходных элементов, интерес к проблеме поиска и создания новых активных сред для лазеров не снижается, а сама проблема постоянно находится в центре пристального внимания исследователей.

Целью настоящей работы являются экспериментальные и теоретические исследования процессов трансформации энергии электронного возбуждения в диэлектрических материалах, активированных ионами переходных элементов групп железа и лантана.

Целенаправленный поиск новых активных сред на основе диэлектрических материалов, активированных ионами переходных металлов, требует разработки новых моделей теоретического расчета спектроскопических характеристик примесных центров. Эти модели должны учитывать как структуру кристалла, так и реальное распределение электронной плотности в оптическом центре. Построение модели с минимальным числом феноменологических параметров, значения которых для кристаллов с различной структурой и различным распределением электронной плотности близки между собой при построении гамильтониана примесного иона в кристалле, позволит выполнять прогностический расчет характеристик оптических спектров и спектров ЭПР, описывать магнитные свойства и связывать статические и динамические характеристики кристалла. Построение такой модели расчета явилось одной из главных задач данной работы.

При возбуждении оптически активных центров, в лазерных средах протекает ряд процессов, которые определяют свойства лазера.

1. Внутрицентровые безызлучательные переходы (БП), которые определяют скорости заполнения и опустошения энергетических уровней, квантовый выход люминесценции. БП приводят к потере части энергии электронного возбуждения и выделении ее в виде тепла в активном элементе. Тепловыделение приводит к возникновению градиентов температуры в активном элементе и ухудшению выходных характеристик лазера. В настоящее время теория внутрицентровых БП представляет собой раздел физики твердого тела, которому посвящено множество монографий и обзорных статей [17-24]. Результатом многолетних исследований в этой области явилось создание большого числа теоретических, эмпирических и полуэмпирических способов расчета вероятностей БП. Исторически первой моделью для описания БП явилось адиабатическое приближении [18], в котором БП становится возможным после разделения кристалла на электронную и ядерную подсистемы и учета слагаемых, содержащих производные от электронных волновых функций по ядерным координатам.

Другой подход, интенсивно развиваемый в последние годы, предполагает выбор оператора электронно-колебательного взаимодействия (ЭКВ) в качестве оператора БП [24]. Расчеты вероятности БП связаны с разложением оператора ЭКВ по степеням смещений ядер из положений равновесия. Вероятность БП как в теории адиабатического приближения, так и в модели ЭКВ, пропорциональна квадрату модуля матричного элемента оператора возмущения, вычисленного на волновых функциях вовлеченных в переход состояний. Точность расчетов вероятностей БП в рамках существующих моделей оказывается не достаточно высокой, сами расчеты требуют проведения громоздких вычислений, а физическое объяснение процесса БП не является наглядным. Отметим, что, указывая на связь БП между электронными состояниями с ядерными конфигурациями, теоретические модели не выделяют какие-либо конкретные положения атомов (ионов) кристалла, при которых бы достигалась максимальная вероятность перехода энергии электронного возбуждения в колебательную энергию кристаллической решетки. В связи с этим в задачу данной работы входила разработка модели БП, позволяющей дать простую и наглядную интерпретацию БП, и методики расчета вероятностей БП в примесных центрах, образованных 3(1 — ионами в кристаллах.

2. Процессы безылучательных межцентровых взаимодействий, которые существенным образом сказываются на свойствах оптических сред, определяя спектральные области возбуждения и излучения, квантовый и энергетический выходы люминесценции, скорости заполнения и опустошения энергетических состояний оптических центров. Исследование указанных процессов являются объектом пристального внимания исследователей на протяжении многих лет. Особый интерес к изучению процессов переноса энергии электронного возбуждения в ансамблях примесных центров вызвали работы по изучению сред, активированных ионами неодима. Повышению эффективности лазеров на ионах неодима препятствуют два фактора. Во-первых, характерные для редкоземельных ионов узкие и слабые линии поглощения не обеспечивают хорошего согласования спектров возбуждения со спектрами излучения ламп накачки, во-вторых, при повышении концентрации активных центров развиваются процессы концентрационного тушения люминесценции. Повышение КПД неодимовых лазеров за счет лучшего согласования спектров возбуждения активных центров и излучения ламп накачки может быть достигнуто формированием в лазерных средах дополнительных оптических центров, сенсибилизирующих люминесценцию рабочих оптических центров. В частности, в качестве ионов сенсибилизаторов вполне обосновано предполагались ионы хрома. Преодоление второй трудности предполагает разработку лазерных сред со слабо выраженным эффектом концентрационного тушения люминесценции ионов неодима. Таким образом, расширение круга матриц, активированных ионами неодима, хрома и соактивированных ими, и изучение процессов трансформации электронного возбуждения является одной из актуальных задач квантовой электроники. Несмотря на огромные достижения в данной области, интенсивные теоретические и экспериментальные исследования продолжаются и в настоящее время и, можно с уверенностью сказать, что повышенный интерес к этим работам сохраниться в обозримом будущем. Еще одной задачей работы явилось получение и экспериментальное изучение широкого круга стеклообразных и кристаллических материалов, активированных ионами переходных металлов, установление каналов и механизмов трансформации энергии электронного возбуждения.

3. Характерной особенностью активных сред (АС) всех существующих к настоящему времени лазеров является наличие в них одного типа рабочих частиц. Роль остальных оптических центров, если таковые имеются в АС, сводится либо к увеличению населенности верхнего лазерного уровня, либо к уменьшению населенности нижнего. В обоих случаях дополнительные оптические центры улучшают характеристики активных сред, однако непосредственно в процессе генерации не участвуют. Альтернативу активным средам с одним типом рабочих оптических центров могут составить среды с двумя и более типами разнородных оптических центров. В данном случае преобразование энергии электронных возбуждений примесных центров различной природы в когерентное излучение лазера осуществляется за счет излучательных взаимодействий оптических центров с общим полем когерентных фотонов одинаковой частоты в резонаторе. Исследование особенностей лазерной генерации активных сред с несколькими типами рабочих, оптических центров (кооперативная генерация) также является задачей настоящей работы.

Рассмотренные выше способы повышения эффективности твердотельных лазеров предполагают повышение оптической плотности активных сред, что неминуемо приводит к существенному увеличению тепловыделения в лазерных элементах. Следствием этого является возникновение неоднородного радиального распределения температуры в активном элементе, приводящего к термооптическим напряжениям, искажению волнового фронта и понижению выходных параметров лазера. Информация об особенностях распределения температуры в активных элементах твердотельных лазеров на основе оптически плотных сред является принципиально важной для разработки лазеров с высокими характеристиками. Следующей задачей данной работы явилось изучение особенностей распределения температуры в оптически плотных цилиндрических активных элементах лазеров при непрерывном и импульсном режимах работы лазера.

Следует подчеркнуть, что все перечисленные выше процессы трансформации энергии электронного возбуждения: безызлучательные внутрицентровые, безызлучательные межцентровые, излучательные межцентровые, а также процессы тепловыделения, протекают одновременно и, для прогнозирования и разработки новых лазерных материалов и лазеров на их основе, необходимо их комплексное, детальное исследование и учет влияния каждого фактора на выходные параметры лазеров.

Таким образом для достижения цели данной работы необходимо было решить ряд экспериментальных и теоретических задач: приготовить концентрационные серии 1л-Ьа-фосфатных стекол (КНФС) с хромом и неодимом, вырастить серии активированных кристаллических силикатов и алюминатов, провести спектрально - люминесцентных и кинетических измерения, изучить процессы переноса энергии электронного возбуждения в ансамблях примесных центров, разработать модели и расчет энергетической структуры уровней примесных центров, рассчитать режимы работы лазеров с

16 двумя типами разнородных рабочих оптических центров, рассчитать особенности распределения температуры в оптически плотных цилиндрических активных элементах лазеров.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Аванесов, Андраник Григорьевич

Заключение

В работе твердотельных лазеров определяющую роль играют процессы трансформации энергии электронного возбуждения оптических центров. Процессы внутрицентровой безызлучательной релаксации связанны с взаимодействием оптических центров с материалом основы и определяют скорости заполнения и опустошения уровней энергии, распределение энергии в спектрах излучения, энергетический и квантовый выходы люминесценции; безызлучательный перенос энергии в ансамблях примесных центров определяет спектральные области поглощения, возбуждения и люминесценции, энергетический и квантовый выходы люминесценции; преобразование энергии электронного возбуждения оптических центров в энергию лазерной генерации осуществляется в результате их взаимодействия с полем резонатора и влияет на параметры генерации; утилизация энергии возбуждения и дезактивация оптических центров сопровождаются превращением части энергии электронного возбуждения в тепловую энергию и обуславливают возникновение термомеханических напряжений в активных элементах. Все перечисленные процессы протекают в активной среде одновременно и могут играть как позитивную, так и негативную роль.

Кроме процессов трансформации и релаксации электронных возбуждений принципиальную роль играют также процессы взаимодействий примесных ионов с электрическим полем кристаллической основы, в результате которых формируется структура уровней энергии оптических центров в кристалле, формируются его спектральные области поглощения и излучения. Для целенаправленного поиска и разработки новых высокоэффективных лазерных сред, расширения спектрального диапазона их генерации требуется наиболее полный учет всей совокупности физических процессов, протекающих в возбужденной лазерной среде.

В данной работе предпринято комплексное теоретические и экспериментальные исследование названных процессов в их взаимосвязи, с целью развития теоретических методов расчета и получения новых

308 закономерностей формирования энергетической структуры примесных центров, закономерностей и механизмов внутрицентрового, межцентрового и внутрирезонаторного взаимодействий в двухактивированных системах, направленное, в конечном счете, на выработку и реализацию научно обоснованного подхода к поиску новых кристаллических систем для лазеров.

Исследования перечисленных процессов позволили получить следующие результаты.

1. В теорию кристаллического поля введена модель расчета энергетической структуры уровней примесных ионов, оперирующая небольшим числом феноменологических параметров, в которой учитываются эффекты взаимодействия примесного иона с электронной плотностью сильно связанных молекулярных комплексов, окружающих примесный ион. Получены аналитические выражения для параметров кристаллического поля, в структуре которых выделены параметры обменно-дипольного и обменно-квадрупольного взаимодействий. В расчетах схем штарковских уровней энергии ионов неодима и иттербия в гетеродесмических кристаллах оксиортосиликата иттрия достигнута высокая точность совпадения теоретических и экспериментальных данных, свидетельствующая о том, что предложенная модель правильно учитывает реальное распределение электронной плотности в оптическом центре и является физически качественно и количественно адекватной.

Обосновано направление поиска новых лазерных кристаллов для расширения спектрального диапазона генерации твердотельных лазеров в классах силикатных соединений с гетеродесмическим строением, обуславливающим большое значение низкосимметричной составляющей кристаллического поля и аномально большое расщепление уровня 4Т2.

2. Для описания процессов динамического взаимодействия оптических электронов с лигандами в примесном комплексе предложена модель, в которой последовательное изменение энергетического положения уровней энергии зависит от последовательного изменения статической конфигураций лигандов. Обнаружено, что реализующиеся в кристалле конфигурации лигандов не

309 только сильно меняют взаимное расположение уровней, но и приводят к их пересечению. Проведен расчет смещений лигандов в данных конфигурациях

4 8 комплексов [Сг04] " и [Сг06] " и выполнено разложение этих смещений по нормальным кристаллическим колебаниям.

3. Предложена однопараметрическая модель внутрицентрового безызлучательного перехода, в основе которой лежит предположение о том, что безызлучательный переход происходит в Ьсо - окрестности точки пересечения комбинирующих уровней. В рамках предложенной модели получено аналитическое выражение для вычисления вероятности безызлучательного перехода в зависимости от температуры и числа степеней свободы комплекса. Адекватность модели доказана путем расчетов, которые демонстрируют хорошее совпадение результатов с экспериментальными значениями вероятностей безызлучательных переходов в кристаллах рубина.

4. Впервые подробно исследованы процессы переноса и деградации энергии электронного возбуждения в стеклообразной матрице, активированной ионами хрома и неодима с учетом взаимодействий примесных ионов между собой, с примесными ионами другой природы и со стеклообразной матрицей. Выявлены и изучены механизмы и каналы трансформации электронного возбуждения. Определены микро- и макропараметры, вероятности взаимодействий, их зависимости от концентраций примесных центров и от температуры. Обнаружено, что пространственная дисперсия вероятностей донор - акцепторных взаимодействий в разупорядоченной стеклообразной матрице превосходит спектральную дисперсию вероятностей переноса. Тем самым обоснована применимость теории резонансной передачи энергии для описания процессов переноса в фосфатных стеклах с неоднородно уширенными спектральными линиями. Впервые обнаружены высокие скорости переноса энергии к акцепторным примесям значительно превосходящие скорости внутрицентровых безызлучательных переходов. Показана принципиальная возможность использования в качестве эффективных сенсибилизаторов ионов с низким квантовым выходом люминесценции.

310

Сделано заключение о том, что высокая эффективность сенсибилизации люминесценции неодима ионами хрома достигается в средах с широкополосной люминесценцией ионов хрома.

5. Для реализации высокой эффективности сенсибилизации предложены кристаллы смешанных скандий - алюминиевых гранатов иттрия и гадолиния, активированные хромом и неодимом. Найдены условия выращивания и получены концентрационные серии монокристаллических гранатов, активированных ионами хрома и неодима. Обоснован активационный характер обмена возбуждениями между состояниями 2Е и 4Т2 иона хрома. Определены механизмы и каналы тушащих взаимодействий, вычислены микро- и макропараметры процесса переноса энергии между ионами неодима. Впервые обнаружена эффективная передача энергии Сг-Ыс1 в найденных смешанных скандиевых гранатах. Показано, что значительный выигрыш в населенности верхнего лазерного уровня неодима за счет передачи энергии от ионов хрома обусловлен большим значением интеграла перекрывания спектров излучения хрома и поглощения неодима.

6. Впервые методом направленной кристаллизации при прямом выскочастотном плавлении в холодном контейнере выращены монокристаллы гексаалюмината лантана - магния ЬаМ^А^О^ и синтезированы кристаллы гекагаллата лантана - магния ЬаМ^ОацО^, активированные ионами неодима. Установлен конгруэнтный характер плавления кристаллов Ьа]У^А1пО}9. Впервые изучено концентрационное тушение люминесценции неодима, определены механизмы и каналы тушащих взаимодействий, вычислены микро и макропараметры переноса и показано, что кристаллы ЬаМ^А^О^ не могут быть отнесены к матрицам с аномально слабым эффектом концентрационного тушения люминесценции неодима. Установлена возможность введения ионов неодима в повышенной концентрации (в несколько раз по сравнению с кристаллами ИАГ) без ухудшения оптического качества, что, в сочетании с высокими теплофизическими и механическими характеристиками делает их привлекательными материалами для активных сред лазеров с высокими

311 средними мощностями излучения. Обнаружено аномально слабое концентрационное тушение люминесценции неодима в (La,Nd)MgGanOi9 (квантовый выход люминесценции NdMgGanOi9 составляет 32%). Рекомендовано применение (La,Nd)MgGa, ,Oi9 для активных сред мини и микролазеров.

Проведены исследования процессов трансформации электронного возбуждения в высокоэффективных узкополосных ламповых люминофорах с зеленым свечением на основе LaMgAlnOi9, активированных ионами церия и тербия. Выявлены и изучены все каналы переноса энергии. Показано, что высокая эффективность зеленого свечения обусловлена процессами безызлучательных взаимодействий Ce-Tb, Tb-Tb, приводящих к переносу возбуждения с уровней церия на уровень 5D4 иона тербия. Впервые обнаружен перенос энергии Tb-Се, для описания которого необходимо одновременное участие двух акцепторов энергии. Показана существенная роль взаимодействий Tb-Се в обеспечении высокой эффективности Се-Tb люминофоров.

Теоретически изучен и экспериментально подтвержден эффект выбывания акцепторов в процессе переноса энергии Се-Tb при высоких уровнях возбуждения. Показано, что повышение интенсивности накачки снижает эффективность сенсибилизации, что ведет к падению эффективности люминофора. Установлена критическая плотность возбуждения, выше которой снижение эффективности сенсибилизации в концентрированной среде становится существенным в практическом отношении.

7. Впервые предложен способ создания активных сред твердотельных лазеров, состоящий в том, что в кристаллическую матрицу вводят несколько типов оптических центров, характеризующихся узкими, чисто электронными, и широкими электронно-колебательными излучательными переходами (например, путем использования редкоземельных и переходных ионов), причем спектральные области излучения оптических центров перекрываются. Показано, что в такой среде контур усиления формируется за счет совокупности спектров излучения оптических центров, и при помещении такой

312 среды в резонатор развивается генерация на длине волны, соответствующей максимальному значению сечения генерационного перехода, а вклад в когерентное излучение вносят все оптические центры, связанные общим фотонным резервуаром (кооперативная генерация.). Показано, что иетод кооперативной генерации является альтернативой известному методу повышения эффективности лазеров за счет использования сенсибилизированных сред. Высокая эффективность в обоих случаях обеспечивается лучшим согласованием спектров излучения ламп накачки со спектрами поглощения активных сред. Отсутствие жестких требований к концентрациям примесных центров выгодно отличает предложенный метод кооперативной генерации от метода сенсибилизации. Принципиальным отличием предложенного метода от варианта комбинированных активных элементов является наличие как спектрального, так и геометрического согласования активного элемента и лампы накачки, что и позволяет добиться повышения КПД.

При помощи анализа на устойчивость и классификации особых точек динамических систем изучена динамика кооперативной генерации при стационарной накачке. Показано, что условием возникновения автоколебаний в такой системе является возможность поглощения лазерного излучения хотя бы одним типом центров. На основе выявленных теоретических закономерностей проанализирована динамика лазерной генерации УАО-неодимового лазера с пассивным затвором на основе 1лР:Р~2- Методом математического моделирования обоснована возможность реализации 1) импульсной генерации с А, = 1,06 и А,=1,1 мкм, 2) импульсной двухцветной (АМ,06 и АМ,1 мкм) генерации, 3) непрерывной генерации с АМ,06 и Х=1Л мкм. Многообразие режимов генерации в относительно простой динамической системе открывает широкие возможности научного и практического применения комбинированной и кооперативной генерации.

8. Впервые изучены закономерности эффекта просветления активированных кристаллов с сильной электронно - колебательной связью

313 оптических центров. Показано, что при наличии сильного электронно -колебательного взаимодействия происходит деформация контура однородно уширенной полосы поглощения; характер деформации зависит от частоты и интенсивности поля излучения. Получено фундаментальное аналитическое выражение, которое, вне зависимости от конкретной модели оптического спектра, описывает характер деформации контура поглощения под действием импульса лазерного излучения. Впервые дано объяснение эффекту переключения длины волны генерации ИАГ - неодимового лазера с затвором на основе ЫР:Р2~ с 1,06мкм на 1,1 мкм.

10. На основе полученных данных о связи гетеродесмического строения силикатных систем с большим значением низкосимметричной составляющей кристаллического поля и аномально большим расщеплением уровня 4Т2 проведен целенаправленный поиск высокоэффективных лазерных сред путем выращивания серии монокристаллов силикатов У28Ю5, 8с28Ю5, СаЬа4(8Ю4)0, 8гУ4(8Ю4)з, ОсЮа4(8Ю4)з, Са1У^81206, активированных ионами хрома. Разработана новая активная среда У28Ю5:Сг для лазеров с перестройкой длины волны генерации в диапазоне 1,20 - 1,46 мкм, на которой впервые получена генерация. При комнатной температуре достигнут кпд 10% В кристаллах 8с28Ю5:Сг впервые обнаружена стойкая к температурному тушению люминесценция при комнатной температуре со спектром излучения в области 1 -1,5 мкм с максимумом при 1,2 мкм при возбуждении основной гармоникой ИАГ - неодимового лазера. Обнаружено просветление на длине волны 1,064 мкм, что является предпосылкой эффекта генерации света в кристаллах 8с28Ю5:СГ.

Впервые обнаружен аномальный сдвиг в ИК- область положения полосы люминесценции октаэдрически координированных ионов Сг3+ в кристаллах диопсида СаМ§8120б (максимум полосы люминесценции СаМ£8120б:Сг3+ расположен вблизи 1мкм), объясняемый большим значением низкосимметричной составляющей кристаллического поля в гетеродесмических силикатах.

314

Впервые выращены монокристаллы форстерита ]У^28Ю4, активированные ионами никеля и ванадия. Найдены такие технологические условия, при которых они демонстрируют интенсивную широкополосную люминесценцию в ближней инфракрасной области с максимумами около 1,5мкм, а именно, выращивание проводится в инертной атмосфере (аргона) с послеростовым отжигом в атмосфере водорода. Доказано, что в результате этого в кристаллах М^28Ю4:№ и М^28Ю4:У формируются тетраэдрически координированные ионы №3+ и У3+, ответственные за наблюдаемую люминесценцию.

Впервые получены и исследованы кристаллы ортоалюмината иттрия, активированные ионами ванадия. Обнаружена широкополосная люминесценция октаэдрически координированных ионов У4+, максимум которой, по сравнению со всеми известными средами с Зс!1 - ионами, лежит в более коротковолновой области (в области около 660 нм). Показано, что обнаруженный эффект в соответствие с установленными закономерностями обуславлен высокой локальной симметрией позиций, занимаемых ионами У4+, а также высоким зарядом самого иона. Перестраиваемая генерация на центрах У4+ в кристаллах УА103 осложняется присутствием, наряду с ионами У4+, ионов У3+, спектры поглощения которых располагаются в области люминесценции центров У4+ и наличием поглощения из возбужденного состояния У4+ с переносом возбуждения в полосу переноса заряда. Обнаружено возникновение в кристаллах УА103:У, фотохромных центров, экспериментально изучены закономерности фотоокрашивания и фотообесцвечивания.

11. Впервые теоретически изучены тепловые режимы работы цилиндрических активных элементов твердотельных лазеров на основе оптически плотных сред. Получены аналитические выражения, описывающие распределение температуры в активном элементе с гладкой и шероховатой поверхностью при конвективном и принудительном охлаждении в непрерывном и импульсном режимах работы лазера. Показано, что при помощи повышения оптической плотности достигается уменьшение температурных

315 градиентов в рабочем объеме активного элемента, как в непрерывном, так и в импульсном режимах работы лазера.

В стационарном режиме работы лазера с ростом оптической плотности активного элемента происходит 1)уменыпение температурных градиентов в центральной области активного элемента, 2)увеличение температурных градиентов в приповерхностной области активного элемента, а также 3)уменьшение перепада температур между центральной осью и поверхностью активного элемента. При импульсной накачке наблюдается заметное снижение радиального градиента температуры в центральной области элемента; сначала, начиная с некоторой оптической плотности, формируется плоский температурный фронт, а затем, при последующем повышении оптической плотности, в центральной части образуется обратный изгиб изотермы. Предложен способ создания цилиндрических активных сред для лазеров с высокими средними мощностями, в котором низкие термомеханические и оптические искажения волнового фронта обеспечиваются выбором оптической плотности кристалла.

316

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Аванесов, Андраник Григорьевич, 2002 год

1. Maiman Т.Н. Stimulated Optical Radiation in Ruby // Nature. 1960. V. 187. PP. 493-494.

2. Walling J.C., Heller D.F., Samuelson H., Harter D.J., Pete J.E., Morris R.C. Tunable Alexandrite Lasers: Development and Perfomance // IEEE J. Quantum Electronics. 1985. V. 21. PP. 1568-1580.

3. Pinto J.F., Esterowitz L., Quarles G.J. // Electron. Lett. 1995. V. 31. P. 2009.

4. Struve В., Huber G. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 45.

5. Shand M.L., Lai S.T. // IEEE J. Quantum Electronics. 1984. V. 20. P. 105.

6. Smith L.K., Payne S.A., Qway W.L., Chase L.L., Chai B.H.T. // IEEE J. Quantum Electronics. 1992. V. 28. P. 2612.

7. Lai S.T, Chai B.H.T, Long M, Morris R.C. // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. V. 22. P. 1931.

8. Caird J.A, Staver P.R, Shinn M.D, Guggenheim H.J, Bahnck D. "In Tunable Solid State Lasers II", ed. By Budgor A.B, Esterowitz L, DeShaser L.G. Springer, Berlin, 1986. P. 159.

9. Huber G, Petermann K. "In Tunable Solid State Lasers", ed. By Hammerling P, Budgor A.B, Pinto A.A. Springer, Berlin, 1985. P. 11.

10. Petricevic V, Gayen S.K, Alfano R.R, Yamagishi K, Anzai H, Yamaguchi Y. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 1040.

11. П.Ангерт Н.Б, Бородин Н.И., Гармаш B.M, Житнюк В.А, Охримчук А.Г, Сиюченко О.Г, Шестаков А.В. //Квантовая электроника. 1988 Т.18. С. 73.

12. DeLoach L.D, Page R.H, Wilke G.D, Payne S.A, Krupke W.F. Transition Metal Doped Zinc Chalcogenides: Spectroscopy and Laser Demonstration os a New Class of Gain Media // IEEE J. Quantum Electronics. 1996. V. 32. PP. 885-895.

13. Жариков Е.В., Ильичев Н.Н., Лаптев В.В. и др. // Квантовая электроника.1982. Т. 9. С. 568.

14. Жариков Е.В., Ильичев Н.Н., Лаптев В.В. и др. // Квантовая электроника.1983. Т. 10. С. 140.

15. Жариков Е.В., Житнюк В. А, Зверев Г.М. и др. // Квантовая электроника. 1982. Т. 9. С. 2531.

16. Englman R. Non-radiative decay of ions and molecules in solids. N.Y., North-Holland, 1979. 336 P.

17. Ребане K.K. Элементарная теория колебательной структуры примесных центров в кристаллах. М., Наука, 1968, 232 с.

18. Медведев Э.С., Ошеров В.И. Теория безызлучательных переходов в многоатомных молекулах. М., Наука, 1983, 280 с.

19. Генри Б.Р., Каша М. Безызлучательные электронные переходы в молекулах //УФН. 1972. Т. 108. вып. 1. С. 113-141.

20. Франк-Каменецкий М.Д., Лукашин А.В. Электронно-колебательные взаимодействия в многоатомных молекулах // УФН. 1975. Т. 116. вып.2. С. 193-229.

21. Герцберг Г. Электронные спектры и строение многоатомных молекул. М., Мир, 1969, 772 с.

22. Perlin Yu.E., Kaminskii A.A. Non-radiative transitions of the Trivalent Lanthanides in Insulating Crystals // Phys.Stat.Sol.(b). 1985. V. 132. №11. PP. 11-40.

23. Перлин Ю.Е. Современные методы многофононных процессов // УФН. 1963. Т. 80. № 4. С.553-595.

24. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М., Наука, 1974, 336 с.

25. Петрашень М.И., Абаренков И.В., Эварестов Р.А. Применение схемы Хартри-Фока для расчета электронных центров в ионных кристаллах // Проблемы теоретической физики. 1974. Т. 1. С. 208-262.318

26. Теория неоднородного электронного газа. // Под ред. Лундквист С, Марч М. М., Изд-во МГУ, 1981, 400 с.

27. Кацнельсон А.А., Ястребов Л.И. Псевдопотенциальная теория кристаллических структур. М., Изд-во МГУ, 1981, 192 с.

28. Степанюк B.C. Козлов А.В., Фарберович О.В., Кацнельсон А.А. Применение методов ЛППВ и функций Грина для расчета электронной структуры дефектов в кристаллах. // ФТТ. 1990. Т. 32. №4. С. 1116-1123.

29. Слэтер Д. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М., Мир, 1978, 652 с.

30. Губанов В.А., Курмаев Э.З., Ивановский А.Л. Квантовая химия твердого тела. М., Наука, 1984, 304 с.

31. Malkin B.Z. Crystal field, and electron-phonon interaction in rare-earth ionic paramagnets. // Spectroscopy of solids containing rare-earth ions Ed.A.A. Kaplyanskii and. B.M. Macfarlane. Amsterdam: North Holland. 1987. Ch.2. PP. 33-50.

32. Newman D.J., Ng B. The superposition model of crystal fields // Repts.Progr.Phys. 1989. V. 52. №6. PP. 699-763.

33. Смородинский Я.А., Шелепин А.Л., Шелепин Л.А. Групповые и вероятностные основы квантовой механики. // УФН. 1992. Т. 162. №12. С. 195.

34. И.Эварестов Р.А. Квантовомеханические методы в теории твердого тела. Л., Изд-во ЛГУ, 1982, 280 с.

35. Pazzio A., Caldas M.J., Zunger A. Many-electron multiplet effects in the spectra of 3d impurities in heteropolar semiconductors. // Phys.Rev.B. 1984. V. 30. № 6. PP. 3430-3455.

36. Кларк Т. Компьютераня химия. М., Мир, 1990, 383 с.

37. Волков С.В., Засуха В.А. Квантовая химия координационных конденсированных систем. Киев, Наукова думка, 1985, 296 с.

38. Johnson К.Н., Smith P. Chemical bonding of a molecular transition-metal ion in crystallic environment. //Phys.Rev.B. 1972. V. 5. №3. PP. 831-843.319

39. Гадняк Г.В., Малкин В.Г., Мороков Ю.Н., Чернов С.В. Сравнительный анализ применимости методов X для расчета молекул и кластеров. // ЖСХ. 1982. Т. 23. №2. С. 125-139.

40. Qui Y., Zhu J.K. An Xa-study of the laser crystal MgF2:V2+ // Z.Phys.B. Cond.Matter. 1989. V. 75. PP. 447-449.

41. Ziegler Т., Rauk A., Baerends E.J. The electronic structures of tetrahedral oxo-complexes.The nature of the "charge transfer" transitions // Chem.Phys. 1976. V. 16. PP. 209-217.

42. Sasaki T. Adachi H. Calculation of photoelectron spectra for tetrahedral oxyanions by the Hartree-Fock-Slater model // J. Electron Spectrosc.Relat.Phenom. 1980. V. 19. PP. 261-271.

43. Барановский В.И., Братцев В.Ф., Панин А.И., Третьяк В.М. Методы расчета электронной структуры атомов и молекул. Л., Изд-во ЛГУ, 1976, 204 с.

44. Современные проблемы квантовой химии. Л., Наука, 1986, 318 с. 47.1Пашкин С.Ю., Никифоров А.Е. Расчет констант ян-теллеровской связи иэнергий d-d переходов в кристалле K2CuF4// ФТТ. 1983. Т. 25. №1. С. 84-89.

45. Никифоров А.Е., Шашкин С.Ю. Квантовая теория связи и свойства соединений меди со структурой перовскита// Спектроскопия кристаллов. Л., Наука, 1989, С.44-60.

46. Timmer G., Borste G. Electronic structure of nickel, iron and cobalt impurities in magnesium oxide//Phys.Rev.B. 1991. V. 43. №6. PP.5098-5107.

47. Curie D., Barthou 0., Canny B. Covalent bonding of Mn ions in octahedral and tetrahedral coordination//!. Chem. Phys. 1974. V. 61. №8. PP.3048-3062.

48. Герасюк A.K., Старостин H.B. Расчет электронной структуры ионов редких земель в кристаллах // Опт.и спектр. 1980. Т. 18. №4. С. 754-757.320

49. Shein I.R., Ivanovskii A.L, Electronic structure of fluorite-like TiF2 // Phys.stat.sol.b. 1990. V. 157. №.1. PP. 29-32.

50. Rosen A., Ellis D.E., Adachi H., Averill P.W. Calculation of molecular ionization energies using a self-consistent-charge Hartree-Fock-Slater method // J.Chem.Phys. 1976.

51. Вигнер Е. Теория групп и ее применение к квантовомеханической теории атомных спектров. М., Изд-во иностр.лит., 1961, 371 с.

52. Джадд Б. Вторичное квантование и атомная спектроскопия. М., Мир, 1970, 136 с.

53. Джадд Б., Вайборн Б. Теория сложных атомных спектров. М., Мир, 1973, 296 с.

54. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М., Мир,1972, Т.1., 652 с.

55. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М., Мир, 1973, Т.2, 352 с.

56. Jorgensen O.K., Pappalardo R., Schmidke H.H. Do the ligand field, parameters in lanthanides represent weak covalent bonding? // J.Chem.Phys. 1963. V. 39. №6. PP. 1422-1430.

57. Малкин Б.З., Иваненко З.И., Айзенберг H.B. Кристаллическое поле в одноосно сжатых кристаллах MeF3:TR// ФТТ. 1970. Т. 12. №7. С. 1873-1880.

58. Ларионов А.Л., Малкин Б.З. Эффективный гамильтониан валентных электронов редкоземельных элементов в ионных кристаллах // Опт. и спектр. 1975. Т. 39. №6. С. 1109-1113.321

59. Newman D.J. Theory of lanthanide crystal fields // Adv.Phys. 1971. V. 20. №84. PP. 197-256.

60. Eremin M.V., Kornienko A. A. The superposition model in crystal field theory // Phys.stat.sol.b. 1977. V.79. №2. PP. 775-785.

61. Ng В., Newman D.J. // J.Ohem.Phys. 1987. V. 87. PP. 7096-7117.

62. Еремин M.B. Влияние процессов переноса заряда на электронную структуру центров с незаполненными d и f оболочками // Опт. и спектр. 1990. Т. 68. №4. С. 860-865.

63. Еремин М.В. Теория кристаллического поля в диэлектриках // Спектроскопия кристаллов. 1989. С. 30-44.

64. Варшалович Д.А. Москалев А.Н., Херсонский В.К. Квантовая теория углового момента. J1., Наука, 1975, 439 с.

65. Freeman A.J., Watson R.E. Theoretical investigation of some magnetic and spectrosoopio properties of rare-earth ions // Phys.Rev. 1962. V. 127. №6. PP. 2058-2075.

66. Sternheimer P.M., Blume M., Peierls R.F. Shielding of crystal fields at rare-earth ions // Phys.Rev. 1968. V. 173. №2. PP. 376-389.

67. Борн M., Хуань Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. М., ИЛ, 1958, 488 с.

68. Альтшулер С.А., Козырев Б.М. Электронный парамагнитный резонанс. М., Наука, 1972, 672 с.

69. Morrison О.А., Wortman D.E., Karayanis N. Crystal field parameters for triply ionised lanthanides in yttrium aluminium garnets // J.Phys.C. 1976. V. 9 №8. PP. 1191-1194.

70. McClure. Optical spectra of transition-metal ions in corundum // J.Chem.Phys. 1962. V. 36. №10. PP. 2757-2779.

71. Woolley R.G. The angular overlap model in ligand field theory // Mol.Phys. 1981. V. 42. №3.PP. 703-720.

72. Albanesi E.A. Crystal-field, effect for the lanthanide-ion series in metallic copper // Phys.Rev.B. 1991. V. 44. №10. PP. 5105-5110.322

73. Maikin B.Z., Kaminskii A.A., Agamalyan N.R.Bumagina L.A.,Butaeva T.I. Spectra of rare-earth ions in the crystal fields of double tungstates and molybdates // Phys.stat.sol.b. 1992. V. 110. №22. PP. 417-422.

74. Васильев A.B., Натадзе A.M., Рыскии А.И. Электронно-колебательное взаимодействие в кристаллах сульфида цинка, активированных ионами переходных металлов// Спектроскопия кристаллов. 1978. С. 138-149.

75. Купчиков А.К.,Малкин Б.3.,Натадзе А.Л.,Рыскин А.И. Спектроскопия электрон-фононных возбуждений в редкоземельных кристаллах // Спектроскопия кристаллов. 1989. С. 85-109.

76. Аминов Л.К., Малкин Б.З., Корейба М.А., Сахаева С.И., Пекуровский В.Р. Локальная структура решетки и кристаллические поля в редкоземельных двойных фторидах // Опт. и спектр. 1990. Т.68. №4. С. 835-840.

77. Альтшулер Н.С., Ларионов А.Л. Антирезонансы и оптические спектры кубических центров Сг3+ в кристаллах KZnF3 и KMgF3 // Опт. и спектр. 1990. Т. 66. №1. С. 107-112.

78. Бахтин А.И. Породообразующие силикаты. Казань, Изд-во КГУ, 1985, 192 с.

79. Максимов Б.А., Харитонов Ю.А., Клюхин В.В., Белов Н.В. Кристаллическая структура Y-оксисиликата Y2Si04.0 // ДАН СССР. 1968. Т. 183. №5. С. 1072-1075.

80. Arsenev Р.А. Raiskaya L.N., Sviridova R.K. Spectral properties of Nd3+ ions in crystal Y2Si05 // Phys.stat.sol.a. 1972. V. 13. №1. PP. 45-47.

81. Ткачук A.M., Пржевусский А.К., Морозова Л.Т. и др. Оптические центры Nd в кристаллах силикатов лютеция, иттрия и скандия, их спонтанное и вынужденное излучение // Опт. и спектр. 1986. Т. 60. №2. С. 288-296.

82. Beach R., Shinn M.D., Davis L., Solartz R.W., Krupke W.P. Optical absorption and stimulated emission of neodymium in yttrium orthosilicate // IEEE J.Quant.Electr. 1990. V.26. №8. PP. 1405-1412.

83. Урусов B.C. Теоретическое предсказание и моделирование структуры и свойств минералов // Проблемы кристаллохимии. 1989. С. 26-42.323

84. Petricevic V., Gayen S.K., Alfano R.R. Chromium-activated forsterite laser // OSA Proc. on tunable solid-state lasers. 1989. V. 5. PP. 77-84.

85. Glynn T.J., Imbusch G.F., Walker G. Luminescence from CrJ+ centres in forsterite Mg2Si04 // J.Lumin. 1991. V. 48-49. PP. 541-544.

86. Jia W., Lia H., Jaffe S. Yen W.M., Denker B. Specrosoopy of Cr3+ and Cr4+ ions in forsterite // Phys.Rev.B. 1991. V. 43. №7. PP. 5234-5242.

87. Birle J.D., Gibbs G.Y. Crystal structure of natural olivines // Amer.Miner. 1968. V. 53. PP. 803-824.

88. Плетнев P.M., Золотухина JT.B., Губанов В.А. ЯМР в соединениях переменного состава. М., Наука, 1983, 168 с.

89. Newman D.J. The orbit-lattice interaction for lanthanide ions. 1.Determination of empirical parameters //Austral.J.Phys. 1978. V. 31. №1. PP. 79-93.

90. Аминов Л.К., Каминский А.А., Малкин Б.З. Анизотропия интенсивности f-f переходов редкоземельных ионов в кристаллах // Спектроскопия кристаллов. 1983. С. 18-36.

91. Kurkin I.N., Chernov К.P. EPR and spin-lattice relaxation of rare-earth activated, centres in Y2Si05 // Physica C. 1980. V.101 PP.233-238.

92. Торопов H.A. и др. Силикаты редкоземельных элементов и их аналоги. М., Наука, 1971,230 с.

93. Peterson М., Poirier R. MONSTERGAUSS // Chem.Dept.Univ.of Toronto. Toronto.Ont.Canada. 1981.

94. Аванесов А.Г., Игнатьев Б.В., Писаренко В.Ф., Тумаев Е.Н. Кооперативная генерация многоактивированных лазерных сред // Опт. и спектр. 1991. Т.70 С. 613-617.324

95. Жорин B.B, Малкин Б.З, Писаренко В.Ф. К теории кристаллического поля ионно-ковалеитных ооедииений // Тез.докл. 8 Всесоюзного совещания-семинара "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1991. С. 1-2.

96. Аванесов А.Г, Жорин В.В, Малкин Б.З, Писаренко В.Ф. Кристаллическое поле в гетеродесмических соединениях // ФТТ. 1992. Т. 34. №9. С. 2899-2907.

97. Аванесов А.Г, Жорин В.В, Малкин Б.З, Писаренко В.Ф. Теория кристаллического поля в соединениях с молекулярными анионами // Тез.докл. 9 семинара-совещания "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1993. С. 2.

98. Аванесов А.Г, Дворникова В.Г,Жорин В.В. и др. Спектральные свойства хромсодержащих силикатов магния // Тез.докл. 9 семинара-совещания "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1993. С. 22.

99. Зверев Г.М. Твердотельные лазеры на кристаллах и их применение // Спектроскопия кристаллов. 1989. С. 4-9.

100. Каминский A.A. Лазерные кристаллы: успехи, основные направления исследований // Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. 1986. С. 561.

101. Struve В, Huber G. // J.Appl.Phys. 1985. V. 57. PP. 45-48.

102. Meier J.V, Barnes N.P. // IEEE.J.Quant.Electron. 1986. V. 22. №10. PP. 2058-2064.

103. Payne S.A., Chase L.L, Newkirk H.W, Smith L.K, Krupke W.F. // IEEE J. Quant.Electron. 1988. V. 24. PP. 2243-2252.

104. Weiyi Jia, Hergen Eilers, W.M.Dennis, W.M.Yen, A.V.Shestakov. Performance of a Cr4 : YAG laser in the Near-Infrared // Proc. on Adv. Solid State Lasers. 1992. V. 13. PP. 31-33.

105. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л, Химия, 1986, 286 с.

106. Волков С.В, Засуха В.А. Квантовая химия координированных конденсированных систем.-Киев, Наукова думка.-1985.-296 с.325

107. Ельяшевич M.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. М., Физматгиз., 1962, 892 с.

108. Перлин Ю.Е., Цукерблат B.C. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев, Штиница, 1974, 367 с.

109. Суетин П.К. Классические ортогональные многочлены. М., Наука, 1979, 416 с.

110. Аванесов А.Г., Брик М.Г., Жорин В.В., Писаренко В.Ф. Электронные переходы в конденсированных средах // Тез. докл. 9 семинара-совещания "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1993. С. 3.

111. Brik M.G. The effects of modulation of Cr4+ energy states by ligands thermal vibrations // In: Ninth Int.Conf.ICPS'94 Abstract. Saint-Petersburg. 1994. P. 46.

112. Avanesov A.G., Brik M.G., Zhorin V.V. Energy levels crossing as the mechanism for the non-radiative processes // In: Third Int. School "Excited States of Elements". Abstract. Poland. Wroclaw-Kudova Zdroj. 30 August 5 September 1994. P. 3.

113. Аванесов А.Г., Брик М.Г., Жорин B.B. Модель пересечения уровней в теории безызлучательных переходов // Тез. докл. Межд. конф. по люминесценции. Москва. 22-24 ноября 1994. С. 81.

114. A.G.Okhrimchuk, A.V.Shestakov. // Opt.materials. 1994. V. З.РР. 1-13.

115. Петрашень M.И., Трифонов Е.Д. Применение теории групп в квантовой механике.-М., Наука. 1967. 308 с.

116. Ватсон. Г.Н. Теория бесселевых функций, часть I. М., ИЛ, 1949, 798 с.

117. Бейтмен Г., Эрдейи А. Высшие трансцендентные функции. Т.2. М., Наука, 1974, 295 с.

118. Справочник по специальным функциям. Под ред М.Абрамовича и И.Стиган. М., Наука, 1979, 830 с.

119. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М., Мир, 1979, Т.2. 423 с.

120. Avanesov A.G., Brik M.G., Zhorin V.V., Pisarenko V.F. Non-radiative transitions of 3d-ions in crystals // X Feofilov symposium on spectroscopy of326crystals activated by rare earth and transitional ions. Abstracts. Saint-Petersburg. 1995. P.183.

121. Davidov A.S., Serikov A.A. Energy transfer between impurity molecules of the crystal in the presence of relaxation. // Physica status solidi. 1972. V. 51. №1. PP. 57-58.

122. Forster Th. Experimentalle und theoretische Untersuchund des Zwischenmolekularen Ubergangs von Electronenanregungsenergie // Zeits. Fur Naturforschung. 1949. V. 4a. PP. 321-325.

123. Агранович B.M., Галанин М.Д. Перенос энергии электронного возбуждения к конденсированных средах. М., Наука, 1979, 435 с.

124. Бурштейн А.И. Концентрационное тушение некогерентных возбуждений в растворах // Успехи физически наук. 1984. Т. 143. В.4. С. 553-600.

125. Burstein А. I. Energy transfer kinetics in disordered systems // J. of Luminescence. 1985. V. 34. C. 167-188.

126. Ермолаев В.JI., Бодунов E.H., Свешникова Е.Б., Шахвердоа Т.А. Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения. Л., Наука, 1977, 270 с.

127. Inokuti М., Hirayama F. Influence of energy transfer by the exchange mechanism on donor luminescence. // Journal of Chemical Physics. 1965. V. 434. №6. PP. 1978-1989.327

128. Голубов С.И., Конобеев Ю.В. О процедуре усреднения в теории резонансного переноса энергии электронного возбуждения // Физика твердого тела. 1971. Т. 13. С. 3185-3189.

129. Конобеев Ю.В. // Автореферат докт. физ. мат. наук. Киев. 1972. 31 с.

130. Сакун В.П. Кинетика переноса энергии в кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т. 14. С. 2199-2207.

131. Привис Ю.С., Смирнов В.А., Щербаков И.А. Расчет временных эволюций населенностей возбужденного состояния акцепторов при мультипольном статическом взаимодействии с донорами энергии // Препринт ФИАН СССР. 1982. №28. 15 с.

132. Twardovski R., Kusba J., Bojarski С. Donor fluorescence decay in solid solution // Chemical Physics. 1982. V.64. PP. 239-248.

133. Зусман JI.Д., Бурштейн А.И. Кинетика межмолекулярного переноса в конденсированных средах // Журнал прикладной спектроскопии. 1971. Т. 15. С. 124-129.

134. Пуссен А.Ю. Коллективное тушение люминесценции // Физика твердого тела. 1974. Т. 16. С. 2318-2327.

135. Розман И.М. К теории тушения флуоресценции растворов // Оптика и спектроскопия. 1958. Т. 4. В. 4. С. 536-538.

136. Самсон A.M. Тушение люминесценции растворов посторонними веществами//Оптика и спектроскопия. 1962. Т. 13. №4. С. 511-517.

137. Кустов Е.Ф. Передача энергии между возбужденными уровнями примесных центров в кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1972. Т.32. С. 323.

138. Агабекян A.C. Теория резонансной передачи энергии с учетом неоднородного уширения спектральных линий // Оптика и спектроскопия. 1970. Т. 30. С. 164.

139. Агабекян A.C. Резонансная передача энергии в средах с неоднородным уширением спктральных линий // Оптика и спектроскопия. 1970. Т. 29. С. 71.328

140. Бурштейн А.И. Квазирезонансный перенос энергии.ч.1, Статическое тушение люминесценции // Автометрия. 1978. №5. С. 65-84; 1978. №6. С. 7290.

141. Шехтман В. Л. Исследование по теории безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения в активированных кристаллах // Автореферат кандидатской диссертации. ЛГУ. 1973. 28 с.

142. Шехтман В.Л. Влияние диффузии экситонов на передачу их энергии примесным центрам в кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1972. Т. 33. В. 2. С. 284-288.

143. Артамонова М.В., Брискина Ч.М., Бурштейн А.И., Зусман Л.Д., Селезнев А.Г. Изучение временного хода люминесценции ионов и оценка миграции электронного возбуждения по этим ионам в стекле // ЖЭТФ. 1972. Т. 62. С. 863-976.

144. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Щербаков И.А. Исследование влияния уширения спектральных линий на миграцию электронного возбуждения по примесным центрам в кристаллах // ЖЭТФ. 1974. Т. 66. С. 2118-2123.

145. Воронько Ю.К. Спектральные исследования некоторых кристаллических материалов для ОКГ // Дис. докт. физ.-мат. наук. М., ФИАН., 1975, 335с.

146. Басиев Т.Т. Передача электронного возбуждения между РЗ -ионами в лазерных матрицах // Дис. канд. физ.-мат. наук. М., ФИАН, 1977, 165с.

147. Брискина Ч.М., Жаботинский М.Е., Артамонова М.В и др. Миграция энергии и спектры Nd3+ в некоторых фосфатных стекла // Журнал прикладной спектроскопии. 1975. Т. 22. В.1. С. 61-73.

148. Бурштейн А.И. Прыжковый механизм передачи энергии // ЖЭТФ. 1972. Т. 62. В. 5. С. 1695-1701.

149. Зусман Л.Д. // Автореферат диссертации кандид. физ. мат. наук. ИК и Г, Новосибирск, 1975, 37с.

150. Карапетян Г.О., Ковалев В.П., Лунтер С.Г. Сенсибилизация люминесценции неодима в стекле хромом // Оптика и спектроскопия. 1965. Т. 19. №6. С. 951-956.329

151. Карапетян Г.О., Лунтер С.Г., Юдин Д.М. Люминесценция стекол активированных хромом // Оптика и спектроскопия. 1963. Т. 14. №5. С. 700704.

152. Sharp E.J., Miller J.E., Weber M.J. Broad-band infrared emission from Cr3+ in phosphate glasses //Phys. Lett. 1969. V.30a. P. 37.

153. Weber M.J., Sharp E.J., Miller J.E., Optical spectra, relaxation and energy transfer of Eu3+ and Cr3+ in a europium phosphate glass // Phys.Chem. Solids. 1971. V.32. №10. C. 2275.

154. Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Зленко А.А., Карасик А .Я., и др. Спектральные и генерационные свойства Li-Nd-фосфатного стекла // ДАН СССР. 1976. Т. 227. №1, С. 75-77.

155. Батыгов С.Х., Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Зленко А.А. и др. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима // Квантовая электроника. 1976. Т. 3. №10. С. 2243-2247.

156. Glass A.M. Spectra of Cr3+ impurity ions in LiNb03 and LiTa03 // J. of Chem. Phys. 1969. V. 40. PP. 1501-1512.

157. Макеева Г.А., Худолеев А.Г., Бокин H.M., Карапетян Г.О., Колобков В.П. Люминесценция трехвалентного хрома в фосфатных и германатных стеклах // Спектроскопия кристаллов. 1973. С. 308-312.

158. Свешникова Е.Б., Ермолаев В.Л. Механизм безызлучательной дезактивации возбужденны ионов редких земель в растворах // Оптика и спектроскопия. 1971. Т. 30. С. 379-387.

159. Наумов С.Л. Исследование механизма безызлучательных переходов в ионах редкоземельных элементов и переходных металлов в сенсибилизированных система в растворах // Дис. канд. физ.-мат. наук. Л., 1978, 35с.

160. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Мамедов Т.Г., Осико В.В., Щербаков И.А. Процессы релаксации возбуждения метастабильны уровней редкоземельных ионов в кристаллах // Спектроскопия кристаллов. 1975. С. 155-160.330

161. Басиев Т.Т, Воронько Ю.К, Мамедов Т.Г, Щербаков И.А. Миграция энергии по ионам Yb3+ в кристаллах гранатов // Квантовая электроника. 1975. Т.2. С. 2172-2191.

162. Карапетян Г.О, Толстой М.Н, Феофилов П.П, Шаповалов В.П. Энергетическое взаимодействие и стимулированное излучение ионов неодима и иттербия в силикатном стекле // Журнал прикладной спектроскопии. 1967. Т.7. №2. С. 174-181.

163. Воронько Ю.К, Осико В.В, Щербаков И.А. Исследование элементарного акта кросс-релаксации возбужденного состояния ионов Nd3+ в кристаллах // ЖЭТФ. 1972. Т. 63. В. 2(8). С. 691-707.

164. Воронько Ю.К, Осико В.В, Прохоров А.М, Щербаков И.А. Исследование механизма элементарного акта передачи энергии возбуждения между редкоземельными ионами в кристаллах // ЖЭТФ. 1971. Т. 60. В. 3. С 943-951.

165. Воронько Ю.К, Мамедов Т.Г, Осико В.В, Прохоров А.М, Сакун В.П, Щербаков И.А. Исследование механизмов безызлучательной релаксации с4 З-ьметастабильного состояния F3/2 NdJ при высоких содержаниях активатора //ЖЭТФ. 1976. Т. 71. С. 478-501.

166. Аванесов А.Г, Басиев Т.Т, Воронько Ю.К,Денкер Б.И. и др. Исследование процессов дезактивации и переноса энергии электронного возбуждения неодима в высококонцентрированных фосфатных стеклах // ЖЭТФ. 1979. Т. 77. B.l 1. С. 1771-1786.

167. Tofield B.C., Weber Н.Р, Damen Т.С, Liav P.F. Optical properties of neodymium pentaphosphate high Nd concentration laser material // J. of Solid State Chemistry. V. 12. №3-4. pp. 207-212.

168. Hong H.Y.-P. Crystal structure of potassium neodymium metaphosphate, KNdP40,2 a new eccentric laser material // Res. Bull. 1975. V. 10. №10. PP. 1105-1110.

169. Blotte M, Danielmeyer H.G, Ulrich R. Energy transfer and he complete level system ofUdUP //Apll. Phys. 1973. V. 1. №5. C. 275-278.331

170. Галанин М.Д. К вопросу о влиянии концентрации на люминесценцию растворов // ЖЭТФ. 1955. Т. 28. С. 485-495.

171. Дианов Е.М., Карасик А.Я., Неуструев В.Б.,Прохоров A.M., Щербаков И.А. Прямые измерения абсолютного квантового выхода люминесценции с метастабильного состояния 4F3/2 Nd3+ в кристалла // ДАН СССР. 1975. Т. 224. №1. С. 64-73.

172. Моргенштерн З.Л., Неуструев В.Б. Прецизионные измерения выхода люминесценции рубина при резонансном возбуждении и его температурная зависимость // В кн. Рубин и сапфир: сборник статей. М. Наука. 1974. С. 130137.

173. Денкер Б.И., Кильпио A.B., Максимова Г.В., Малютин A.A. и др. Исследование безызлучательных потерь и импульсно периодического режима генерации Li-Nd-La-фосфатного стекла // Квантовая электроника. 1977. Т. 4. №3. С. 688-692.

174. Аванесов А.F., Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Кутьенков A.A. и др. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции неодима в высококонцентрированных стеклах, активированных хромом // Квантовая электроника. 1979. Т. 6. №10. С. 2253-2256.

175. Жариков Е.В., Ильичев H.H., Лаптев В.В., Малютин A.A., Остроумов В.Г., Пашинин П.П., Пименов A.C., Смирнов В.А., Щербаков И.А. // Квантовая электроника. 1983. Т. 10. №1. С. 140-144.

176. Жариков Е.В., Лаптев В.В., Остроумов В.Г., Привис Ю.С., Смирнов В.А., Щербаков И.А. // Квантовая электроника. 1984. Т. 11. №8. С. 1565-1574.

177. Осико В.В., Прохоров A.M., Щербаков И.А. // Известия АН СССР, серия физическая. 1968. Т. 44. С. 1968.

178. Kiss J.J., Duncan R.C. Cross pumped Cr3+-Nd3+ :YAG laser system // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 5. PP. 200-202.

179. Аванесов А.Г., Данилов A.A., Денисов А.Л., Жариков Е.В. и др. // Препринт №130, ИОФ АН СССР, Москва, 1987, 13 с.

180. Аванесов А.Г., Данилов A.A., Денисов А.Л., Жариков Е.В. и др. Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров // ДАН СССР. 1987. Т. 295. С. 1098.

181. Moulton P.F. Tunable Paramagnetic-Ion Lasers. "Laser Handbook", North -Holland, Amsterdam, 1985, V. 5, PP. 203-288.

182. Drube J., Struve B, Huber G. // Optics Communications. 1986. V. 50. P. 45.

183. Герловин И. Я., Толстой H.A. // В кн. Спектроскопия кристаллов, М., Наука, 1975, С. 353.

184. Жариков Е.В., Лаврищев C.B., Лаптев В.В., Остроумов В.Г., Саидов З.С., Смирнов В.А., Щербаков И.А. // Квантовая электроника. 1984. Т. 11. С. 487.

185. Цветков В.Б., Севастьянов Б.К. // В кн. Физико химические процессы в преобразователях энергии, М., МИФИ, 1984, С. 35.

186. Meier J.V., Barnes N.P., Remelius D.K., Kokta N.R. // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. V. 22. P. 2058.333

187. Ногинов М.А., Привис Ю.С., Саидов З.С., Смирнов В.А., Щербаков И.А. // Препринт ФИАН СССР №196, М., 1986, 14 с.

188. Аванесов А.Г., Балашов А.Б., Жуйко И.П., Игнатьев Б.В. и др. Особенности дезактивации возбужденных состояний иона Сг3+ в кристаллах // Квантовая электроника. 1989. Т. 16. №10. С. 2083-2086.

189. Petermann G., Huber G. //J. of Luminescence. 1984. V. 31-33. P. 71.

190. Абрамович M., Стиган. M. Справочник по специальным функциям. M., Наука, 1979, 830 с.

191. Аванесов А.Г., Денкер Б.И., Осико В.В., Щербаков И.А. // Препринт ФИАН СССР №161, М., 1981, 13 с.

192. Verstegen J.M.P.J. et. al. A survey of a group of phosphors based on hexagonal aluminate and gallate host lattices // J. Electrochemical soc. 1974. V. 121. P. 1623.

193. Аванесов А.Г., Ачмиз К.Б., Быковский П.И., Кузнецов Ю.А., Писаренко В.Ф., Черная Н.Г. Кристаллы гексаалюмината (CeTb)MgAlj jOjg // Известия АН СССР. Неорг. мат. 1981. Т. 17. №5. С. 833-837.

194. Аванесов А.Г., Быковский П.И., Писаренко В.Ф. Кристаллы гексаалюминатов (CeTb)MgAlnOi9 // Тез. докл. Международной конференции по росту кристаллов. Москва. 1980. С. 113

195. Писаренко В.Ф., Быковский П.И., Аванесов А.Г., Кузнецов Ю.А., Черная Н.Г. Кристаллы гексаалюмината (CeTb)MgAlnOi9 и их люминесценция // Тез. докл. XXV Всесоюзн. совещания по люминесценции. Львов. 1978. С. 230.

196. Аванесов А.Г., Бендерская Л.П., Быковский П.И., Новиков A.M., Писаренко В.Ф. Люминесценция кристаллофосфора (CeTb)MgAlnO)9 // Тез. докл. XXV Всесоюзн. совещания по люминесценции. Львов. 1978. С. 242.

197. Vrenken L.I. Luminescent lamps with very high luminosity // Light Res. and Technol. 1978. V. 10. P. 161.

198. Sommerdijk J.L., Verstegen J.M.P.J. Concentration dependence of the Ce3+ and Tb3+ luminescence of Ce^TbxMgAlnO^ // J. Luminescence. 1974. V. 9. P. 415.334

199. Hoshina T.//Japan Journal Appl.Phy s. 1967. V. 6. №10. PP. 1203-1211.

200. Nakasawa E., Shionoya // J. Phys. Soc. of Japan. 1970. V. 20. №5. PP. 12601269.

201. Kahn A., Lejus A.M., Madsac A.M. et. al. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. №11. PP. 68-64.

202. Алексеева И.П., Дмитрюк A.B., Карапетян Г.О., Тимофеев Н.Т. // Журнал прикладной спектроскопии. 1978. Т. 29. №4. С. 627-632.

203. Holsa J., Leskela M., Niinisto L. // Mat. Res. Bull. 1979. V. 14. №11. PP. 1403-1409.

204. Бурштейн A.И. Концентрационное самотушение // ЖЭТФ. 1983. T. 84. С. 2001-2012.

205. Burstein A.I., Sakun V.P. // Chemical Physics Letters. 1983. V. 103. PP. 205211.

206. Вугмейстер Б.Е. Самотушение электронного возбуждения в твердых растворах // Физика твердого тела. 1983. Т. 25. №9. С. 2796-2798.

207. Ткачук A.M., Клокишнер С.И. Самотушение люминесценции редкоземельных ионов в кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1986. Т. 61. №1. С. 84-90.

208. Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. Нелинейное прыжковое тушение люминесценции примесных центров в твердых телах // Препринт ИОФ АН СССР №273, М., 1987, 18 с.

209. Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. Прыжковое тушение люминесценции примесных центров при высоких уровнях возбуждения и конечном времени жизни возбужденного состояния // Препринт ИОФ АН СССР №21, М., 1989, 9 с.

210. Иванов А.П., Предко К.П. Оптика люминесцентного экрана. Минск, Наука и техника, 1984, 271 с.

211. Зеге Э.П., Иванов А.П. Нелинейная люминесценция плоскопараллельного слоя // Журнал прикладной спектроскопии. 1965. Т. 3. №3. С. 238-247.335

212. Зеге Э.П., Иванов А.П. Влияние интенсивности излучения на коэффициент пропускания светорассеивающего слоя // Оптика и спектроскопия. 1964. Т. 17. №1. С. 87-92.

213. Быковский П.И., Лебедев В.А., Писаренко В.Ф., Попов В.В. Структура и спектрально люминесцентные свойства гексагональных алюминатов редких земель // Журнал прикладной спектроскопии. 1986. Т. 44. №5. С. 711728.

214. Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Тумаев E.H. О передаче энергии возбуждения в неупорядоченных средах // Тез. докл. XIX Всесоюзного съезда по спектроскопии. Томск. 1983. Ч. 4. С. 48-50.

215. Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Тумаев E.H. Учет выбывания акцепторов при переносе энергии электронного возбуждения в неупорядоченных средах // Оптика и спектроскопия 1987. Т. 62. В. 3. С. 565-570.

216. Statz H., de Mars G. // In: Quantum Electronics (ed. C.H.Townes), Columbia University Press, New York, 1960, PP.530-532.

217. Демчук М.И., Михайлов В.П., Маничев И.А., Юмашев К.В., Ищенко A.A., Смолинский Ю.Л. // Журнал прикладной спектроскопии. 1988. Т. 48. С. 318-320.

218. Прохоров A.M. // Успехи физических наук. 1968. Т. 148. В. 1. С. 7-33.

219. Каминский A.A. // Письма в ЖЭТФ. 1968. Т. 7. С. 260-262.

220. Каминский A.A.//ЖЭТФ. 1968. Т. 54. С. 1659-1674.

221. Каминский A.A. // Доклады АН СССР. 1968. Т. 180. С. 59-62.

222. Звелто О. Принципы лазеров. М., Мир, 1984, 395 с.

223. Андронов A.A., Витт A.A., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М., Наука, 1981, 568 с.

224. Камке Э. Справочник по дифференциальным уравнениям в частных производных первого порядка. М., Наука, 1966, 280 с.

225. Амбарцумян Р.В., Крюков П.Г., Летохов B.C. // ЖЭТФ. 1966. Т. 51. С. 1669-1674.336

226. Баев В.Н., Беликова Т.П., Свириденков Э.А., Сучков Л.Ф. // ЖЭТФ. 1966. Т. 51. С. 43-49.

227. Гитмаи Н.С., Ханин Я.И. // Известия вузов. Радиофизика. 1985. Т. 28. С. 978- 985.

228. Коваленко С.Л., Семин С.П. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. С. 401405.

229. Коваленко С.Л., Семин С.П. // Квантовая электроника. 1988. Т. 15. С. 1010-1013.

230. Ханин Я.И. // Приложение к книге А. Ярив. Квантовая электроника. 2-е изд. М., Мир, 1984, 520 с.

231. Графенштейн С.Г., Иванов H.A., Иншаков Д.В., Парфианович И.А., и др. Особенности генерации АИГ:Ш-лазера с пассивным затвором на основе LiF:F~2-центрами окраски // Письма в Журнал технической физики. 1984. Т. 10. В. 14. С. 847-850.

232. Басиев Т.Т., Дергачев А.Ю., Зверев П.Г., Лысой Б.Г., Миров С.Б., Конюшкин В.А. Пассивная модуляция добротности непрерывного YAG:Nd--лазера с помощью кристаллов LiF:F~2. // Препринт Института общей физики АН СССР № 306. 1986.21 с.

233. Басиев Т.Т., Гусев A.A., Кружалов C.B., Миров С.Б., Петрунькин В.Ю. Непрерывный кольцевой LiF:F~2-fla3ep // Квантовая электроника. 1988. Т. 15. № 3. С. 499-500.

234. Демтредер В. Лазерная спектроскопия. М., 1985, 608 с.

235. Мэйтланд А., Данн М. Введение в физику лазеров. М., 1978, 408 с.

236. Скрипко Г.А., Шкадаревич А.П. // Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. 1986. С. 257-268.

237. Михайлов В.П., Кулешов Н.В. // Тез. докл. VIII Всесоюзн. совещания -семинара "Спектроскопия лазерных кристаллов". Краснодар. 1991. С. 13-14.

238. French P.M.W., Rizvi N.H., Taylor J.R., Shestakov A.V. // Optical Letters. 1993. V. 18. P. 39.337

239. Аванесов А.Г, Жуйко Е.А, Кузнецов Ю.А, Писаренко В.Ф. Активный материал для перестраиваемых лазеров ближнего ИК-диапазона // А.С.№1759213. получено 18.12.1992.

240. Deka С, Chai В.Н.Т, Simony Y. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 2141.

241. Avanesov A.G, Denker B.I, Galagan B.I, Osiko V.V. et. al. Room temperature laser action of Y2Si05:Cr4+ crystal // OS A. Proceedings on Advanceed Solid-State Lasers. 1994. V. 20. PP. 185-187.

242. Скрипко Г.А, Матросов B.H, Дворников С.С, Золотарева JI. // Оптика и спектроскопия. 1990. Т. 68. №1. С. 228-230.

243. Glynn T.J, Imbusch G.F, Walker G. // J. of Luminescence. 1991. V. 48-49. pp. 541-544.

244. Moncorge R, Cormier G, Simlcin D.J, Capobianko J.A. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. PP. 114-120.

245. Свиридов Д.Т, Свиридова P.К, Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М, Наука, 1976, 119 с.

246. Geller S, Wood Е.А. // Acta Crystallography. 1956. V. 9. PP. 563-568.

247. Verdun H, Brauch U, de la Fuente G. et. al. // Op. Mee. Tunable Solid State Lasers . Williamsburg. Va. 1987. Tech. PP. 96-99.

248. Lacorara P, Esterowich L, Kokta M. // IEEE J. of Quant. Electron. 1985. V. 10. P. 1614.

249. Wegner T, Petermann K. // Applied Physics B. 1989. V. 49. PP. 275-278.

250. Wong J.Y, Berggren M.J, Schawlow//J. Chem. Phys. 1968. V. 49. P. 835.

251. Villedien M, Devismes N, oen A.M. // J. Phys. Chem. Solids. 1977. V. 38. P. 1063.338

252. Delbecq C.G., Marshall S.A., Yuster P.H. 11 Physica Status Solidy B. 1980. V. 99. P. 877.

253. Аминов A.K., Каминский A.A., Малкин Б.З. Анизотропия интенсивности излучения активаторных ионов в кристаллах./УФизика и спектроскопия лазерных кристаллов. М. Наука. С.84-112.

254. Champagnan В., Duval В. // J. Phys. С: Solid Sate Phys. 1979. V. 12. P. 94.

255. Kvapil Ju., Perner D., Kvapil J. Manek B. // Czech. J. Phys. 1988. V. 38. PP. 1281-1287.

256. Antonov V.A. et. al. // Physica Status Sol. A. 1974. V. 22. P. 391.

257. Вахидов Ш.А., Ибрагимова Э.М. и др. Радиационные явления в некоторых лазерных кристаллах // ФАН АН Узб. ССР. Ташкент. 1977.

258. Shepler K.L. //Tunable Solid State Lasers. Proceedings of the Topical Meeting. Rippling River Resort. Zigzag. Oregon. June. 1986. PP. 4-6.

259. Kvapil J., Koselja M., Kvapil Ju, Perner D. et. al. // Czech. J. Phys. 1988. V. 38. PP. 237-240.

260. Geller S, Wood E.A. // Acta Crystallography. 1956. V. 9. PP. 1019-1025.

261. Diehl R, Brandt G. // Mater. Res. Bull. 1975. V. 10. PP. 85-90.

262. Ормонт Б.Ф. Структура неорганических веществ. M, Наука, 1969.

263. Weber М, Bass М, Andringa К, Monchamp R.R. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. №10. PP. 342-345.

264. Антонов В.А. и др. // Кристаллография 1974. В. 5. С. 1011-1015.

265. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. М, Наука, 1975.

266. MacFarlane R, Wong J.J, Sturge M.D. // Phys. Rev. 1968. V. 166. P. 250.

267. Аванесов А.Г, Дворникова В.Г, Жорин В.В, Канеева А.Ф, Писаренко В.Ф. Спектральные свойства хромсодержащих силикатов магния // Тез.339докл. IX Республ. совещания семинара "Спектроскопия лазерных кристаллов". Краснодар. 1993. С. 22.

268. Аванесов А.Г., Дворникова В.Г., Жорин В.В., Кузнецов Ю.А., Кузнецова Т.Г., Писаренко В.Ф. Спектроскопия кристаллов форстерита, активированных ионами никеля и ванадия // Журнал прикладной спектроскопии. 1993. Т. 59. №1-2. С. 152-164.

269. Аванесов А.Г., Дворникова В.Г., Жорин В.В., Канеева А.Ф. и др. Монокристаллические силикаты новый класс материалов для перестраиваемых лазеров // Известия АН СССР. Сер. Физ. 1995. Т. 59. С. 1016.

270. Avanesov A.G., Lebedev V.V., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Silicate crystals for infra red lasers. // J. of Luminescence. 1997. V. 72-74. PP. 155-156.

271. Аванесов А.Г., Жорин В.В., Писаренко В.Ф. Электронная структура Сг3+ в кристаллах форстерита // Оптика и спектроскопия. 1994. Т. 77. №5. С. 808810.

272. Данилов A.A., Никольский М.Ю., Щербаков И.А. Особенности тепловых и генерационных режимов работы твердотельных лазеров на основе оптически плотных сред // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1987. Т. 51. №8. С. 1431-1439.

273. Алпатьев А.Н., Данилов A.A., Никольский М.Ю., Прохоров A.M., Цветков В.Б., Щербаков И.А. Особенности тепловых и генерационных режимов оптически плотных активных сред // Труды ИОФ АН СССР. 1990. Т. 26. С. 107-124.

274. Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Тумаев E.H. Способ получения диэлектрических материалов для активных элементов твердотельных лазеров// A.C.№1462849. приоритет от 1.11.88. получено 18.04.89.

275. Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Тумаев E.H. Распределение температур в активном элементе твердотельного лазера при импульсной накачке // Тезисы340докл. VIII Всесоюзн. совещ. "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1991. С. 11.

276. Мезенов А.В., Соме Л.Н., Степанов А.И. Термооптика твердотельных лазеров. Л., Машиностроение, 1986, 199 с.

277. Исимару А. Распространение и рассеяние света в неоднородных средах. М., Мир, 1984, 350 с.

278. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности. М., Высшая школа, 1985, 480 с.

279. Аванесов А.Г., Денкер Б.И., Галаган В.И. и др. Лазерная генерация ортосиликата иттрия с хромом (IV) при комнатной температуре // Квантовая электроника. 1994. Т.21. С.216-218.

280. Avanesov A.G., Zhorin V.V., Pisarenko V.F. Oscillating field model in the theory of optical spectra//Prossidins SPIE. 1996 V.2607. PP. 106-113.

281. Аванесов А.Г., Жорин B.B., Писаренко В.Ф. Модель осциллирующего поля в теории спектров // Тезисы докладов X Феофиловского симпозиума. С -Петербург. 1995. С.38.341

282. Аванесов А.Г., Малкин Б.З., Жорин В.В., Писаренко В.Ф. Кристаллическое поле на редкоземельных ионах в ВТСП // Тез.докл. 29 совещания по физике низких температур. Казань. 1992. С.82.

283. Аванесов А.Г., Малкин Б.З., Жорин В.В., Писаренко В.Ф. Кристаллическое поле в высокотемпературных сверхпроводниках // Физика твердого тела. 1994. Т.36. №6. С.1588-1596.

284. Аванесов А.Г., Васильев И.В., Воронько Ю.К., Денкер Б.И. и др. Исследование генерационных характеристик активных элементов из 1л-№1-Ьа-фосфатных стекол // Квантовая электроника. 1979. Т.6. №7. С. 1586-1588.

285. Аванесов А.Г., Бурштейн А.И., Денкер Б.И., Осико В.В., Пирумов С.С., Щербаков И.А. Дисперсия вероятностей безызлучательных переходов в твердых телах // Доклады АН СССР. 1980. Т.254. №3. С.593-596.

286. Аванесов А.Г., Басов Ю.Г., Гамаш В.Н., Денкер Б.И. и др. Высокоэффективный импульсно- периодический лазер на концентрированном неодимовом фосфатном стекле // Квантовая электроника. 1980. Т.7. №5. С.1120-1122.

287. Аванесов А.Г., Бурштейн А.И., Денкер Б.И., Осико В.В., Пирумов С.С., Щербаков И.А. Дисперсия вероятностей безызлучательных переходов в твердых телах // Сб. тезисов XXVI совещания по люминесценции. Эзерники. Латв. ССР. 1980. С.58.

288. Аванесов А.Г., Денкер Б.И., Осико В.В., Пирумов С.С., Щербаков И.А. Исследование механизмов взаимодействия ионов хрома и неодима в фосфатных стеклах // Квантовая электроника 1981. Т.8. №7. С. 1442-1450.

289. Аванесов А.Г., Быковский П.И., Писаренко В.Ф., Попов В.В. Люминесценция гексаалюминатов редких земель // Тез. Всесоюзного совещания по люминесценции. Ленинград. 1981. С.51.

290. Аванесов А.Г., Денкер Б.И., Осико В.В., Пирумов С.С., Сакун В.П., Смирнов В.А., Щербаков И.А. Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al50i2 // Квантовая электроника. 1982. Т.9. №6. С. 1172-1185.

291. Avanesov A.G., Lebedev V.A., Pisarenko V.F. Single crystals of rare earth hexahonal aluminates // Abst. European Meeting on Crystal Growth. Prague.1982. P.433.

292. Аванесов А.Г, Писаренко В.Ф, Тумаев E.H. Концентрационное самотушение примесных центров в конденсированных средах при высоких уровнях возбуждения // Сб. Нучных трудов ВНИИ люминофоров. В.33. Ставрополь. 1987. С.66-70.

293. Аванесов А.Г, Быковский П.И, Болыпухин В.А, Писаренко В.Ф, Тумаев E.H. Нелинейные эффекты в люминесценции экранов // Тезисы докладов VI Всесоюзн. Совещания "Физика, химия и технология люминофоров". Ставрополь. 1989. С. 138.

294. Аванесов А.Г, Кузнецов Ю.А, Писаренко В.Ф. Люминесценция Nd3+ в кристаллах ГАЛМ // Тез. Докл. Республиканской конференции молодых ученых "Наука техническому прогрессу". Тбилиси . 1987. С. 67.

295. Аванесов А.Г, Жуйко И.П, Писаренко В.Ф, Старухин A.C., Тумаев E.H. Селективная лазерная спектроскопия иона Сг3+ в гадолиний скандий -алюминиевом гранате // Тезисы докл. VIII Всесоюзн. совещ. "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1991. С.26.

296. Аванесов А.Г,Балашов А.Б, Игнатьев Б.В, Писаренко В.Ф, Тумаев E.H. Спектральная бистабильность лазерных систем с насыщающимися поглотителями // Тезисы докл. VIII Всесоюзн. совещ. "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1991. С.87-88.

297. Аванесов А.Г,Балашов А.Б, Игнатьев Б.В, Писаренко В.Ф, Сорокин М. Н, Тумаев E.H. Автоколебательный режим генерации YAG:Nd3+ лазера с LiF:F2 // Тезисы докл. VIII Всесоюзн. совещ. "Спектроскопия лазерных материалов". Краснодар. 1991. С.89-90.

298. Аванесов А.Г, Балашов А.Б, Жуйко И.П, Игнатьев Б.В, Писаренко В.Ф, Тумаев E.H. Спектроскопия Сг3+ в редкоземельных скандий344алюминиевых гранатах // V Междунар. Конф. "Перестраиваемые лазеры". Иркутск. 20-22 сент. 1989.

299. Аванесов А.Г, Жариков Е.В, Кузьмин О.В, Щербаков И.А. и др. Активный материал для лазеров // A.C.№1264796. получено 04.12.86.