Широкополосная люминесценция ионов CR3+ в кристаллах ниобата лития тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Галуцкий, Валерий Викторович

• Галуцкий, Валерий Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Галуцкий, Валерий Викторович

Введение.

Глава 1. Люминесцентные свойства ионов Сг3+ в простых и сложных оксидах.

1.1. Свойства ниобата лития.

1.2. Особенности структуры центров ионов Сг3+ в кристаллах ниобата лития.

1.3. Влияние кристаллического поля на свойства оптического центра.

Глава 2. Объекты и методики исследований.

2.1. Получение монокристаллов Cr :LiNb03 (Cr:LNO).

2.2. Контроль состава выращенных монокристаллов Cr:LNO.

Глава 3. Спектрально - люминесцентные исследования ионов Сг3+ в кристаллах Cr:LNO.

3.1.Спектроскопические и люминесцентные свойства кристаллов

Cr:LNO.

3.2.0пределение сечений переходов Сг3+ по спектрам поглощения и люминесценции кристаллов Cr:LNO.

Глава 4. Внутрицентровая релаксация ионов Сг3+ в кристаллах Cr:LNO.

4.1.Кинетики затухания люминесценции Сг в кристаллах Cr:LNO.

4.2.Температурное тушение люминесценции Сг3+ в кристаллах Cr:LNO.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Широкополосная люминесценция ионов CR3+ в кристаллах ниобата лития»

Развитие информационных систем на основе традиционной кремневой технологии имеет свой предел, связанный с ограничением быстродействия таких систем. Преимущества использования оптического диапазона частот в системах передачи и обработки информации, стремление к миниатюризации стимулируют развитие интегральной оптики. Платформой для создания информационных систем будущего выступает ниобат лития, благодаря своему уникальному набору нелинейных свойств. Сегодня имеются разработки применения его в качестве оптической (голографической) памяти.

Создание лазера на основе монокристаллов ниобата лития открывает широкие возможности по получению интегрированных оптических устройств. Особенно заманчивой представляется идея создания голубого лазера, который может найти широкое применение в системах передачи и голографической записи информации. Применяемая в настоящее время для этой цели вторая гармоника излучения титан-сапфирового лазера с длинной волны 425 нм так же требует привлечения нелинейных свойств ниобата лития.

В настоящее время получена лазерная генерация в кристаллах LiNbC^iYb на длине волны 1062 нм [1] (диапазон перестройки 1020-1075нм), ведутся работы по созданию параметрических генераторов света на основе ниобата лития, активированного ионами Ег3+ работающих в диапазоне 2-4 мкм [2]. Кристаллы ниобата лития, активированные ионами Сг3+ демонстрируют широкополосную люминесценцию в диапазоне 700-1100 нм (максимум около 900 нм) [3,4]. Широкополосная люминесценция ионов Сг3+ в кристаллах ниобата лития, обусловленная сильным взаимодействием оптических электронов примеси с решеточными и локальными колебаниями, открывает перспективу получения перестраиваемой генерации в ИК - диапазоне (с учетом нелинейных свойств ниобата лития также и в синей области спектра).

Анализ широкого круга разработанных к настоящему времени

-j I кристаллов, активированных ионами Сг : гранатов (Gd3Sc2Ga30I2, Y3SC2AI3O12, и др.), множества оксидных и фторидных кристаллических структур (ВеА1204,

LiCaAlF6, LiSrAlF6 и др.), силикатов (Ве3А12(8Юз)б, La3Ga5SiO|4, Mg2Si04), боратов (ScB03, (Ce,Gd)Sc3(B03)4 (CSB)), и др. [5-23] показывает, что основной причиной, ограничивающей их применения в качестве активных элементов твердотельных лазеров, является (наряду с возбужденным поглощением) температурное тушение люминесценции.

Излучение на электронно-колебательных переходах примесей сопровождается заметным (большим) стоксовым сдвигом. С ростом стоксовых потерь уменьшается энергетический барьер Епг для безызлучательных переходов между уровнями 4А2 и 4Т2, увеличивается вероятность тушения широкополосной люминесценции, падает квантовый выход люминесценции.

Таким образом, существует проблема поиска таких хромсодержащих лазерных кристаллов, которые обладают большой длиной волны широкополосного излучения, высоким квантовым выходом люминесценции (к.вл.), в конечном счете, высоким к.п.д. лазерной генерации.

Некоторые экспериментальные данные показывают, что тушение люминесценции выражено слабее в гетеродесмических кристаллах. Дествительно, указанные выше лазерные кристаллы можно условно разделить на гомодесмические и гетеродесмические соединения. Разделение кристаллов по типам ассоциации в них атомов в структурные единицы можно произвести в зависимости от того, действуют ли между всеми атомами силы химической связи одного или разных типов. В первом случае, когда химическая связь в кристаллах однородная, кристаллы называют гомодесмическими [24,25]. Структурными единицами таких кристаллов являются собственно атомы, образующие между собой трехмерную сетку приблизительно равноценных связей; вместе с тем, в них иногда можно выделить соединенные друг с другом определенные структурные группировки.

Устойчивые обособленные группировки атомов в кристалле могут образовываться, если связи в нем разного типа. Такие кристаллы называют гетеродесмическими. Чаще всего внутри такой структурной группировки связи полностью или частично ковалентные.

Если в некоторых ионных кристаллах, таких как фториды, высокий к.в.л. примесных Зс1-ионов обеспечивается высоким энергетическим барьером, разделяющим излучательное состояние и точку пересечения адиабатических кривых, описывающих возбужденное и основное состояния, то в кристаллах со смешанным типом связи вероятность тушения оказывается невысокой за счет низкого частотного фактора. Так, например, энергетический барьер для тушения в кристаллах Cr:CSB, Cr:ScBO составляет всего около 1100 - 1200см"1 (для сравнения, в LiSAF - 5125 см*1), но частотный фактор тушения w0 ионов Сг3+ оказывается на 4-5 десятичных порядков ниже, чем у кристаллов LiSAF [26,27]. В итоге при комнатной температуре квантовый выход люминесценции Cr:CSB, Cr:ScBO равен единице.

В гетеродесмических кристаллах выделяются подструктуры пониженной размерности — одномерные цепочки, плоскости и т.п. ионов, взаимодействующих между собой посредством ионной связи. Внутри структур же возникают ковалентные связи. Согласно некоторым теоретическим воззрениям, появившимся в последнее время, в гетеродесмических соединениях понижается размерность фазового пространства волновых векторов, резко падает плотность фононных состояний и вероятность электрон-фононных взаимодействий [28]. Таким образом, высокоэнергетические фононы 1100-1400 см"1, характерные для силикатов и боратов, не обеспечивают тушения люминесценции и не препятствуют лазерной генерации при комнатной температуре. Можно высказать гипотезу, что повышение неоднородности химической связи в кристаллах с хромом приводит к повышению стойкости к температурному тушению люминесценции.

Кристаллы ниобата лития относятся к ярко выраженным гетеродесмическим кристаллам. Ниобиевый октаэдр характеризуется ковалентным типом связи ниобия и кислорода, лиганды, окружающие хром в литиевой позиции, входят в состав этих ниобиевых октаэдров и, вследствие понижения электронной плотности, следует ожидать пониженного значения величины кристаллического поля в позиции лития, и, соответственно, понижения уровня 4Тг. Поэтому, с точки зрения вышеприведенных рассуждений, кристаллы ниобата лития, с ярко выраженным смешанным типом связи представляют интерес для продолжения исследований, направленных на выяснения закономерностей влияния смешанного типа связи на тушение люминесценции хрома.

Конгруэнтные кристаллы ниобата лития содержат высокую концентрацию собственных дефектов, которые участвуют в формировании оптических центров (ОЦ), создавая несколько типов центров люминесценции или, распределяясь статистически по окружающим хром позициям атомов, создают неоднородно уширенный центр. Кроме того, дефекты понижают локальную симметрию ОЦ.

Представляет интерес изучение природы (состава и строения) и типов центров люминесценции как в кристаллах конгруэнтного состава

Л L

Cr :Li0,966Nb1;034O3 068 (Cr:CLN), в которых концентрация собственных дефектов высокая, так и в кристаллах около-стехиометрического состава Сг3+:1л№>Оз (Cr:SLN), в которых отношение занятых литием позиций к общему числу литиевых и ниобиевых позиций близко к 0,5, а концентрация собственных дефектов низкая. Сравнительный анализ данных ЭПР, оптической и КР спектроскопии, люминесцентных данных способен выявить природу и строение центров люминесценции, выделить роль типа связи кристалла и симметрии ОЦ, в процессах излучательных и безызлучательных переходов.

Цель работы — изучение люминесценции ионов Сг3+ в монокристаллах ниобата лития конгруэнтного и стехиометрического состава.

Для достижения этой цели в работе требовалось изучить поляризационные и температурные зависимости спектров поглощения и люминесценции кристаллов ниобата лития, активированных хромом, (конгруэнтных и стехиометрических), исследовать кинетики люминесценции при разных температурах, построить энергетическую структуру ОЦ, определить к.в.л. люминесценции, его температурную зависимость, построить и обосновать механизмы релаксаций возбужденных состояний, параметры электрон-фононных взаимодействий и интенсивностные характеристики ОЦ в кристаллах Cr:CLN, Cr:SLN.

Научная новизна заключается в том, что впервые: -изучены температурные зависимости формы абсорбционных и эмиссионных полос Cr:SLN и Cr:CLN, проведен корректный расчет параметров электрон-фононного взаимодействия и энергетической структуры центров люминесценции;

-проведены систематические температурные исследования кинетик затухания широкополосной люминесценции хрома в CLN и :SLN, обнаружен эффект динамического снятия запрета, с его учетом определены истинные вероятности радиационных переходов, их температурные зависимости и температурные зависимости к.в.л.;

-проведены температурные исследования эффекта разгорания люминесценции, построена модель релаксации возбужденного состояния Сг3+ в кристаллах ниобата лития, учитывающая взаимодействия уровня 4Т2 с уровнями 2Е, 4А2, тем самым найдено объяснение эффекта и достигнуто качественное и количественное согласие с экспериментом;

-обнаружен аномально низкий частотный фактор безызлучательного перехода ионов Сг3+ в кристаллах CLN и SLN.

Практическое значение заключается в экспериментальных данных по температурным, поляризационным, кинетическим и спектроскопическим характеристикам Cr:CLN, Cr:SLN, которые вместе с обнаруженной связью слабого тушения люминесценции с гетеродесмическим строением кристаллов, указывают на перспективность дальнейшего поиска высокоэффективных лазерных сред среди гетеродесмических кристаллов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. В кристаллах ниобата лития в области составов от конгруэнтного до стехиометрического, с малой концентрацией ионов хрома, формируется единственный тип ОЦ - ион Сг в октаэдрической литиевой позиции, который ответственен за широкополосную люминесценцию.

2. При приближении к стехиометрическому составу в кристаллах ниобата лития с хромом уменьшается концентрация собственных дефектов и сохраняется доминирующий тип ОЦ, однако происходят закономерные изменения в свойствах ОЦ - уменьшается вероятность радиационных переходов, уменьшается вероятность процессов динамического снятия запрета на излучательные переходы, повышается частотный фактор и энергия активации барьера для процесса тушения люминесценции, при этом повышается стойкость к температурному тушению люминесценции.

3. Аномально низкий частотный фактор тушения люминесценции 1,7 * 108 с'1 и высокое сечение излучательного перехода 310"19 см2 , несмотря на низкий энергетический барьер тушения люминесценции 1160 см'1, обуславливают высокий квантовый выход люминесценции хрома в кристаллах Cr:SLN при комнатной температуре и открывают перспективы применения ниобата лития с хромом в качестве активной среды твердотельных импульсных лазеров.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Галуцкий, Валерий Викторович

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

1.Изучены температурные зависимости вероятностей безызлучательных переходов в примесном комплексе Сг3+ кристаллов CLN и SLN. Рассчитаны барьеры между энергетическими уровнями ОЦ: значение энергетического барьера для безызлучательного перехода 4Т2 - 4А2 составляет 676 см*1 для CLN 1084см"1 для SLN; барьер для перехода 2Е - 4Т2 равен 138 см* 1 для CLN и 429см"1 для SLN; значение энергетического барьера для перехода 4Т2- 2Е составляет 576 см'1 для CLN и 1022см'1 для SLN. Расчитаны частотные

1 I ^ | о факторы для примесного центра Сг :CLNwo=4*10 с* и Сг :SLN w0=l,7*10 с"1.

2.Построена схема взаимного расположения энергетических уровней терма 4F Сг3+ в кристаллах CLN и SLN (рис.4.3).

3.Установлено, что вследствие эффекта динамического снятия запрета в кристаллах Cr:CLN и Cr:SLN при повышении температуры от 77К до 300К радиационное время жизни снижается с 8 мкс до 4 мкс.

4.Температура полуспада квантового выхода люминесценции Cr.CLN и Cr:SLN составляет 222 К и 252 К соответственно.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Целью данной работы являлось изучение широкополосной люминесценции ионов Сг3+ в монокристаллах ниобата лития конгруэнтного и стехиометрического состава. Для достижения этой цели в работе требовалось изучить поляризационные и температурные зависимости спектров поглощения и люминесценции кристаллов ниобата лития, активированных хромом, (конгруэнтных и стехиометрических), исследовать кинетики люминесценции при разных температурах, построить энергетическую структуру ОЦ, определить к.в.л. люминесценции, его температурную зависимость, установить и обосновать механизмы релаксации возбужденных состояний, параметры электрон-фононных взаимодействий и интенсивностные характеристики ОЦ в кристаллах Cr:CLN, CrrSLN.

В кристаллах с низкой локальной симметрией уровни энергии примесного комплекса испытывают расщепление из-за снятия вырождения. Сложность расшивровки структуры спектров зависит от степени перекрывания элементарных полос. В случае расщепления электронно-колебательного триплета 4T2(4F) компоненты спектра поглощения 4А2-4Т2 сильно перекрываются между собой и широко известный метод Аленцева-Фока неприменим. Поэтому в работе использовалась методика, позволяющая определять положение максимумов и ширины элементарных полос поглощения, составляющих сложную структуру спектра поглощения Сг3+ в кристаллах CLN и SLN. Она включает в себя следующие этапы:

1) восстановление самой длинноволновой компоненты в спектрах поглощения из спектра люминесценции, с использованием формулы Мак Камбера [96]: оа = се ехр(( hco - Ш0)/2кТ) (1) где оа и ое - сечения поглощения и люминесценции соответственно, Ш0 - энергия бесфононного перехода;

2) определение остальных компонент спектра поглощения.

Для определения электронно-колебательных параметров ОЦ исследованы зависимости формы спектральных полос люминесценции от температуры. Для этого использована связь спектральных моментов Лэкса <Ji и о2, которые представляют собой центр тяжести спектральной полосы и квадрат ее дисперсии, соответственно, с параметрами электронно-колебательного взаимодействия - энергией бесфононного перехода Ш0, энергией эффективного фонона hco0 и параметром Хуанга-Риса S0:

Ci=hn<>-Soha>o, (2) a2= S0(hco0)2coth(hco0/2kT). (3)

По указанным методикам получено разложение сложного спектра поглощения 4А2 -> 4Т2 в кристаллах Cr:CLN и Cr:SLN на компоненты, определены положения максимумов элементарных полос поглощения в спектре, их ширины, а также рассчитаны параметры электронно-колебательного взаимодействия ОЦ: hco0 = 570 см"1 для Cr:CLN и hco0 = 540 см"1 для Cr:SLN, безразмерные стоксовые потери So=l,85 для Cr:CLN и So=2 для Cr:SLN, положение бесфононного перехода hQ0 = 12950 см'1 для Cr:CLN и Шо = 13020 см"1 для Cr:SLN.

Проведен анализ температурных зависимостей кинетики люминесценции в рамках феноменологической одночастотной модели Мотта, в которой вероятность безызлучательного перехода Wnr связана с энергетическим барьером Епг и величиной частотного фактора Wo перехода соотношением:

Wnr = Wo*exp(-Eni/kT). (4)

Эффект динамического снятия запрета учтен при помощи эмпирической закономерности, связывающей радиационное время жизни с температурой: где тг радиационное время жизни возбужденного состояния, тго -радиационное время жизни при температуре OK, а - некоторый температурный коэффициент.

В результате анализа температурных зависимостей обнаружено, что тушение люминесценции в кристаллах Cr:CLN и Cr:SLN характеризуется аномально низким значением частотного фактора So= 4*107 с"1 и 1,7* 108 с*1 соответственно.

Проанализированы научные данные по лазерным хромсодержащим кристаллам. Высокую эффективность лазерной генерации демонстрируют такие кристаллические среды в которых, при прочих равных условиях дополнительно к температурной стойкости тушения люминесценции наблюдаются также и высокие поперечные сечения излучательных переходов. Проводя аналогию с электрическим током можно сказать, что интенсивные излучательные переходы шунтируют каналы безызлучательной релаксации. Шунтирование приводит к тому, что системе выгоднее излучательно перейти в основное состояние. Одним из примеров такой лазерной среды с шунтированием тушащих взаимодействий является непревзойденный по эффективности среди класса гетеродесмических веществ силикатный кристалл изумруд.

Показано, что кристаллы Cr:CLN и Cr:SLN характеризуются положением максимума полосы люминесценции (905нм и 915нм, соответственно), областью люминесцентной перестройки длины волны (750 -1100 нм). По своим спектральным свойствам и температурной стойкости к тушению люминесценции изученные кристаллы практически аналогичны кристаллам (Ce,Gd)Sc3(B03)4. Установлено, что в Cr:CLN и Cr:SLN радиационное время жизни при 0 К составляет 10,7 мкс и 9,5 мкс соответственно. В Cr:CLN и Cr:SLN наблюдается сильно выраженный эффект динамического снятия запрета и при комнатной температуре радиационное время жизни уменьшается до 4 мкс. Сечение излучения на длине волны 905 нм

10 *У 10 ■)

915 нм) в а-поляризации составляет 3,2*10" см (3*10" см ) для кристаллов Cr:CLN (Cr:SLN), что сравнимо с аналогичными значениями для изумруда 4,54*10"19 см2 и александрита 2,39* 10"19 см2.

Анализ научных данных позволяет заключить, что не только кристаллы Cr:CLN и Cr:SLN , но и вообще гетеродесмические кристаллы боратов и силикатов, активированные ионами трехвалентного хрома, представляют собой такой класс кристаллических соединений, в котором частотный фактор имеет аномально низкое значение - на 5-6 десятичных порядков ниже, чем в гомодесмических кристаллах фторидов и оксидов. Наличие аномально низкого частотного фактора в CrrCLN и Cr:SLN объясняется слабым промотирующим взаимодействием ОЦ с кристаллической решеткой.

Физические причины слабого промотирующего взаимодействия ОЦ с кристаллической решеткой скрывается в динамических свойствах кристаллической решетки, связанных с упорядоченной экранировкой оптического центра структурами с ковалентной связью. При колебаниях с частотой, находящейся в запрещенной зоне, смещение электронной плотности относительно ядер больше, чем смещение всего молекулярного аниона. В связи с чем, невозможны колебания соседних атомов в фазе.

Помимо этого, отличие почти на порядок в частотном факторе температурного тушения для кристаллов Cr:CLN и Cr:SLN объясняется с точки зрения появления дополнительной экранировки оптического центра структурными дефектами NbLj в кристаллах конгруэнтного состава.

Проведенные исследования в работе показывают, что гетеродесмические соединения на основе Cr:CLN и Cr:SLN по своим спектральным и генерационным параметрам представляют собой перспективные среды для лазеров, перестраиваемых в ближнем Ж- диапазоне.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Галуцкий, Валерий Викторович, 2006 год

1. Montoya Е., Capmany J., Bausa L.E., Kelner Т., Diening A., Huber G.// Infrared and self-frequency doubled laser action in Yb3+-doped LiNb03, Appl. Phys. Lett., Vol. 74,1999, p.3113-3115.

2. Sohler W.// Opt. Fiber Commun., 1996, v. 2, p. 251.

3. Свиридова P.K., Рашкович Л.Н., Воронина И.Н., Сб. «Спектроскопия кристаллов», «Наука», 1970, стр. 270.

4. Bhatt R., Kar S., Bartwal K.S., and Wadhawan V.K., Solid State Communications, Volume 127, Issue 6, August 2003, Pages 457-462.

5. Payne S.A., Chase L.L., Newkirk H.W., Smith L.K., and Krupke W.F., IEEE J. Quantum Electron. QE -24, 2243 (1988).

6. Lai S.T. and Shand M.L., J. Appl. Phys. 54, 5642 (1983).

7. Struve B. and Huber G., J. Appl. Phys. 57,45 (1985).

8. Stokowski S.E., Randies M.H., and Morris R.C., IEEE J. Quantum Electron. QE -24,934(1988).

9. Drube J., Huber G., and Mateika D., in Tunable Solid State Lasers II, edited by Budgor A.B., Esterowitz L., and DeShazer L.G. (Springer, Berlin. 1986).

10. O.Barnes N.P., Remelius D.K., Gettemy D.J., and Kokta M.R., in Tunable Solid State Lasers II, edited by Budgor A.B., Esterowitz L., and DeShazer L.G. (Springer, Berlin. 1986).

11. Payne M.J.P. and Evans H.W., in Tunable Solid State Lasers II, edited by Budgor A.B., Esterowitz L., and DeShazer L.G. (Springer, Berlin. 1986).

12. Meier J.V., Barnes N.P., Remelius D.K., and Kokta M.R., IEEE J. Quantum Electron. 22,2058(1986).

13. Chai J.A., Payne S.A., Staver P.R., Ramponi A.J., Chase L.L., and Krupke W.F., IEEE J. Quantum Electron. QE -24, 1077 (1988).

14. Drube J., Struve В., and Huber G., Opt. Commun. 50, 45 (1984).

15. Caird J.A., Strave P.R., Shinn M.D., Guggenheim H.J., and Bahnck D., in Tunable Solid State Lasers II, edited by Budgor A.B., Esterowitz L., and DeShazer L.G. (Springer, Berlin. 1986).

16. Fuhrberg P., Luhs W., Struve S., and Ltfin G., in Tunable Solid State Lasers II, edited by Budgor A.B., Esterowitz L., and DeShazer L.G. (Springer, Berlin. 1986).

17. Brauch U. and Durr U., Opt. Commun. 49, 61 (1984); Opt. Lett. 9,441 (1984).

18. Kolbe W., Petermann K., and Huber G., IEEE J. Quantum Electron. QE -21, 1596 (1985).

19. Каминский А.А., Шкадаревич А.П., Миль Б.В., Коптев В.Г., Демидович А.А., Неорганические материалы 23 (1987), (Известия Академии наук СССР, Неорганические материалы 23, 690 (1987)).

20. Каминский А.А., Шкадаревич А.П., Миль Б.В., Коптев В.Г., Демидович А.А., Баташев А.В., Неорганические материалы 23 (1987), (Известия Академии наук СССР, Неорганические материалы 23,1931(1987)).

21. Huber G. and Petermann К, in Tunable Solid State Lasers II, edited by Hammerling P., Budgor A.B., and Pinto A. (Springer, Berlin. 1985).

22. Petricevic V., Gayen S.K., Alfano R.R., Yamagishi K., Anzai H., Yamaguchi Y., Appl. Phys. Lett. 52,1040 (1988).

23. Petermann K. and Mitzsherlich P., IEEE J. Quantum Electron. QE -23, 1122 (1987).

24. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография, т.2. Издат. "Наука", Москва, 1979 // Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л.

25. Полинг JL. Общая химия, М.: Мир, 1974.

26. De Backer A., Garreeau J.C., Razdobreev I.M., Szriftgiser P., Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Stroganova E.V., Optics Communications (2003), v.222, 1-6, p.351-354.

27. Stroganova E.V., Lebedev V.A., Voroshilov I.V., De Backer A., Razdobreev I.M., Brick M.G., in:M.E. Fermann, L.R. Marshall (Eds.), OSA Trends in Optics and Photonics, Advanced Solid-State Lasers, vol. 68, Optical Society of America, Washigton, DC, 2002.

28. Селина H.B., Аванесов А.Г., Лебедев B.A., Писаренко В.Ф., Строганова Е.В., Тумаев Е.Н., Особенности фононного спектра гомо- и гетеродесмическихя

29. Midwinter J.E., Appl. Phys. Lett., 11,128, (1967).

30. Midwinter J.E., Appl. Phys. Lett., 39,3033, (1968).

31. Fey Hower, Alford W.J., Dress H.M., Appl. Phys. Lett., 12, 89, (1968).с

32. Bergman J.G., Ashkin A., Ballman A.A., Driedzic J.M., Levinstein J., Smith R.C., Appl. Phys. Lett., 12, 92,(1968).

33. Furucawa Y., Sato M., Kitamura K., Yajima Y. and Minakata M., J. Appl. Phys. 72 (8), 15 October 1992, p3250-3254.

34. Peterson G.E., Glass A.M., and Negran T.J., Appl. Phys. Lett. 19,130 (1971)

35. Huang L., Hui D., Bamford D.J., Field S.J., Mnushkina L., Myers L.E., Kayser J.V., "Periodic poling of magnesium-oxide-doped stoichiometric lithium niobate grown by the top-seeded solution method," Appl. Phys. В 72, 301, (2001).

36. Ноие M., Townsend P.D., J. Phys. D.: Appl. Phys. 1995 -V. 28.- P. 1745-1763.

37. Byer R. L., Journal of Nonlinear Optical Physics and Materials. 1997.-V. 6, №4 -P. 549-592.

38. Niwa K., Furukawa Y., Takekawa S., Kitamura K., Journal of Crystal Growth 208 (2000) 493-500.

39. Nakamura N., Takekawa S., Kurimura S., Kitamura K., Nakajima H., Journal of Crystal Growth 264 (2004) 339-345.

40. Bryan D.A., Gerson R., Tomaschke H., Appl. Phys. Lett., 1984, V. 44, p. 847. 41.Sweeney K.L., Halliburton L.E., Bruan D.A., Rice R., Gerson R., Tomaschke

41. H.E., J. Appl. Phys., 1985, V. 57, p. 1036.

42. Volk T.R., Pryalkin V.I., Rubinina N.M., Optics Letts., 1990, V. 15, p. 996.

43. Volk T.R., Wehlecke M., Rasumovski N.V., Jermann F., Fischer C., Rubinina N.M., Boewer R., Appl. Phys. A, 1995, V. 60, p. 217.

44. Yamamoto J.K., Yamazaki Т., Yamagishi K., Appl. Phys. Letts., 1994, V. 64, p. 3228.

45. Gopalan V., Mitchell Т.Е., Furucawa Y., Appl. Phys. Letts., 1998, V. 72, p. 1981.

46. Bermudez V., Huang L., Hui D., Field S., Diguez E., Appl. Phys. A, 2000, V. 70, p. 591.

47. Furucawa Y., Kitamura K., Takekawa S., Miyamoto A., Terao M., Suda N., Appl. Phys. Letters, 2000, V. 77, №16, p.2494.

48. Лапицкий A.B., Симанов Ю.П., ЖФХ, 29, 1207, (1955).

49. Кузьминов Ю.С., Ниобат и танталат лития — материалы для нелинейной оптики., М.:Наука, 1982, 400 с.

50. SmythD.M., Prog. Sol. State Chem., 1984, V. 15, p. 145.

51. Lerner P., Legras C., Dumas J.P., J. Cryst. Growth, 1968, V. 3/4, p. 231.

52. Wilkinson A.P., Cheetham A.K., Jarman R.H., J. Appl. Phys., 1993, v. 74, p. 3080.

53. Zotov N., Boysen H., Frey F., Metzger Т., Born E., J. Phys. Chem. Solids, 1994, v. 55, p. 145.54.1yi N., Kitamura K., Izumi F., Yamamoto J.K., Asano H., Hayashi Т., Kimura S., J. Solid State Chem., 1992, v. 101, p. 340.

54. Bliimel, J., Born, E„ and Metzger, Т., J. Phys. Chem. Solids, 55:589-593,1994

55. Peterson G.E., Carnevale A., J. Chem. Phys., 1972, v. 56, p. 4848.

56. Chang E.K., Mehta A., Smyth D.M., Adv. Ceram., 1987, v. 23, p. 351.

57. Malovichko G., Grachev V., Kokanyan E., Schirmer O., Physical Review B, 1999, v. 59, № 14, p. 9113.

58. Malovichko G., Grachev V., Hofstaetter A., Kokanyan E., Scharmann A. and Schirmer 0., PHYSICAL REVIEW B, 2002, V. 65, 224116.

59. Abdi F., Ailerie M., Fontana M., Bourson P., Volk T., Maximov В., Sulyanov S., Rubinina N., and Wohlecke M, Appl.Phys.B 68 795 (1999).

60. Torchia G.A., Tocho J.O., Jaque F., J. of Physics and Chemistry of Solids, 2002, v. 63, Issue 4, p. 555.

61. Yang Z., Rudowicz C., Qin J., Physica B, 2002, v. 318, p. 188.

62. Сидоров H.B., Палатников M.H, Серебряков Ю.А., Лебедева Е.Л., Калинников В.Т., Неорганические материалы, 1997, т. 33, №4, с.496.

63. Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Стефанович С.Ю., Калинников В.Т., Неорганические материалы, 1998, т. 34, № 8, с. 903.

64. Fonger W. Н. and Struck С. W., Physical Review В, Volume 11, Number 9, pp. 3251-3260.

65. Sugano S.,Tanabe Y., Kamimura H., Multiplets of Transition-Metal Ions in Crystals., N.Y.-L.:Academic Press, 1970,331 p.

66. Walling J.C., Jenssen H.P., Morris R.C., O'Dell E.W., Peterson O.G., Opt. Letts., 1979, v.4, p. 182; Walling J.C., Peterson O.G., Jenssen H.P., Morris R.C., O'Dell E.W., IEEE J. Quant. Electron., 1980, v. QE-16, p.1302.

67. Жариков E. В., Осико B.B., Прохоров A.M. и Щербаков И.А., Известия АН СССР, Сер. Физ., Т.48, №7,1984 г, с.1330-1342.

68. Andrews L.J., Lempicki A., McCollum B.C., Giunta C.J., Bartram R.H., Dolan J.F., Physical Review В, V. 34, № 4, 1986., p.2735-2750

69. Lai S.T., Chai B.H.T., Long M., and Morris R.C., ScB03:Cr- A room temperature near-infrared tunable laser, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-22, No. 10, October 1986.

70. Lai S.T., Chai B.H.T., Long M., and Shinn M.D., Room temperature near-infrared tunable Cr:La3Ga5SiOi4 laser, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 24, No.9, September 1988.

71. Payne S.A., Chase L.L., Smith L.K., Kway W.L., and Newkirk H.W., Laserperformance of LiSrAlF6:Cr3+, J. Appl. Phys. 66 (3), 1 August 1989.

72. Han T.P.G., Jaque F., Bermudez V. and Dieguez E., Chemical Physics Letters, Vol. 369, Issues 5-6,2003, p.519-524.

73. Basun S.A., Kaplyanskii A.A., Kutsenko A.B., Dierolf V., Troster Т., Kapphan S.E., Polgar К., Физика твердого тела, 2001, том 43, выпуск 6, с. 1010-1017.

74. Jaque F., Han T.P.J., Bernnaudez V. and Dieguez E., Journal of Luminescence, Volumes 102-103 , May 2003, Pages 253-260, Proceedings of the 2002 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter.

75. Suchocki A., Biernacki S.W., Kaminska A. and Arizmendi L., Journal of Luminescence Volumes 102-103 , May 2003, Pages 571-574, Proceedings of the 2002 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter.

76. Lhomme F., Bourson P., Boulon G., Guyot Y., and Fontana M.D., Eur. Phys. J. AP 20, p. 29-40 (2002).

77. Lerner P., Legras C., Dumas J.P., J. Cryst. Growth, 3, 231, (1968).

78. Burton J.A., Prim R.C., Slichter W.P., J. Chem. Phys., 21, 1987, (1953).

79. Bassett J.T., Keller A., Philos. Mag., (8), 7, (1962), 1553-1584

80. Malovichko G.I., Grachev V.G., Yurchenko L.P., Proshko V.Y., Kokanyan E.P., and Gabrielyan V.T., Phys. Status Solidi A, 133, K29, 1992.

81. Liang Xinan, Xuewu Xu, Tow-Chong Chong, Shaoning Yuan, Fengliang Yu, Soon Tay Yong, "Lithium in-diffusion treatment of thick LiNb03 crystals by the vapor transport equilibration method.", Journal of Crystal Growth, 260, (2004), p.143-147.

82. Аванесов А.Г., Галуцкий B.B., Игнатьев Б.В., Лебедев В.А., Михайленко

83. Аванесов А.Г., Галуцкий В.В., Лебедев В.А., Михайленко А.Л., Никулин

84. B.П., Писаренко В.Ф., Саакян А.В., Строганова Е.В., Овчаренко Н.Н., «Выращивание монокристаллов стехиометрического ниобата лития», Тезисы докладов X семинара совещания Оптика и спектроскопия конденсированных сред, Краснодар, 6-11 июня 2004 г., с.82-86.

85. Kovacs L., Ruschhaupt G., Polgar К., Corradi G., Wehlecke M., Appl. Phys Letts., 1997, V. 70, P. 2801.

86. Wehlecke M., Corradi G., Betzler K., Apll. Phys. В., 1996, V.63, P.323.

87. Foldvaki I., Polgar K., Voszha K,Balasanyan R.N., Crystal Res. And Technol., 1984, V. 19, №12, P. 1659-1661.

88. Born E., Willibald E., Hofmann K., Grabmaier B.C., Talsky G., IEEE Ultrasonics symposium, 1988, P.l 19-122.

89. Volk T.R., Rubinina N.M., Phys. Stat. Sol., 1988, V.108, P. 437-442.

90. Кузьминов Ю.С., Кристаллография, 1995, T.40, №6, С. 1034-1038.

91. Arizmendi L.J., Appl. Phys., 1988, V.64, P. 4654-4656.

92. Polgar K., Peter A., Kovacs L., Corradi G., Szaller Zs., Journal of Crystal Growth 177,(1997), p.211-216.

93. Kim Т.Н., Yu Y.M., Lee K. and Ro J.H., Phys. Stat. Sol.(b) 227 , №.2, p. 485 -490 (2001).

94. Wohlecke M., Kovacs L., Critical Reviews in Solid State and Material Sciences, 25(1), p. 1-86, (2001).

95. Кузьминов Ю.С., «Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики», М. «Наука», 1975,224 с.

96. McCumber D.E., Phys. Rev, (1964), 134,А2, А299-А306.

97. Kenyon P.T, Andrews L., McCollum B, Lempicki A, IEEE J.Quantum Electron. (1982), QE-18, p.l 189.

98. Lax M., J.Chem. Phys, (1952), 20, p.1752.

99. Mott N.F, Proc. R. Soc. London, Ser.A 167, (1937), p.384.

100. Moulton P.F, J. Opt. Soc. Am. В 3,125,(1986).

101. Moulton P.F, Fahey R.E, Solid State Research Report, Lincoln Laboratory, M.I.T. (1983), 1, p.21-23.

102. Lai S.T, J. Opt. Soc. Am. B4,1286 (1987).