Фотоэлектрические и оптические свойства халькогенидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, доктор физико-математических наук Зобов, Евгений Маратович

• Зобов, Евгений Маратович
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Зобов, Евгений Маратович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ХАЛЬКО

ГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (обзор)

§1.1 Классификация центров с глубокими уровнями в полуроводниках

§1,2 Методы исследования центров с глубокими уровнями

§1.3 Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях А2Вб

1.3.1 Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах соединений ;¥В°

1.3.2 Глубокие центры,контролирующие фоточувствительпостъ

1.3.3 Пргтесные междоузелъные дефекты Agi, Cuî

§ 1.4 Центры с глубокими уровнями в полуторном сульфиде лантана

В Ы В О Д Ы

ГЛАВА II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1 Характеристика исследованных образцов

§ 2.2 Экспериментальные установки

§ 2,3 Методика эксперимента

ГЛАВА 111 СТРУКТУРА, ПРИРОДА И

ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ БЫСТРЫХ (а-) И МЕДЛЕННЫХ ф-) ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ

§ 3.1 Оптически активные электронные центры прилипания а-тина, обусловленные междоузельными атомами Ag} и квазимолекулами с их участием в кристаллах А2Вб

3.1.1 Спектры индуцированной примесной фотопроводимости кристаллов АЛВ6, обусловленные междоузельными донорами Agi

3.1.2 Квазъитнейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости кристаллов обусловленные донор- донорными парами

3.1.3 Неравновесные фотоэлектрические эффекты, обусловленные быстрыми (а-) ЦП

3.1.4 Эффекты "красного " и "фиолетового " сдвигов спектров индуцированной примесной фотопроводимости, контролируемые квазиуровнями Ферми

3.1.5 Спектральное распределение оптического гашения фототока,. Природа акцепторных центров в С<18е

§ 3.2 Медленные центры прилипания в халькогенидах цинка и кадмия

3.2.1 Спектры термостимулированных токов. Характеристические параметры и основные особенности проявления медленных электронных центров прилипания в халькогенидах кадмия и цинка

3.2.2 Физическая модель медленных центров прилипания. Интерпретация результатов экспериментов.

3.2.3 Влияние центров рекомбинации на термостгшулированные процессы

§ 3,3 Влияние фотоперезарядки центров с глубокими уровнями на подвижность электронов

ВЫВОДЫ

Г Л А В А IV ИНЖЕК1ЩОННО-СТЙМУЛИРОВАННЫЕ

ПРОЦЕССЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЦЕНТРАМИ ПРИЛИПАНИЯ

§ 41 Вольтамперные характеристики структур 1п-С<18е-8п,

1н-€с18б:Ае-1п . ПО

§ 4.2 Инжекционно-стимулированная примесная фотопроводимость МПМ структур

§ 43 йнжешдаонно-термостимулированные токи

ВЫВОДЫ

ГЛАВА V НЕОХЛАЖДАЕМЫЕ ПРИМЕСНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ИК СВЕТА БЛИЖНЕГО И СРЕДНЕГО ДИАПАЗОНА

§ &Л Основные характеристики фотоэлектрических полупроводниковых детекторов ИК света

§ 5.2 Неохлаждаемые примесные детекторы ИК света на основе соединений А2Вб, легированных медью или серебром

5.2.1 Неохлаждаемый примесный детектор ИК излучения среднего диапазона на основе фото~ и инжекционно очувствленных монокристаллов CdSe. Ag

5.2.2 Примесный детектор ИК излучения на основе фоточувствительных поликристатических слоев CdTe:Ag

5.2.3 Неохлаждаемый примесный детектор ближнего ИК диапазона на основе фоточувствительных кристаллов CdSeiCu

ВЫВОДЫ

ГЛАВА VI РОЛЬ БЫСТРЫХ И МЕДЛЕННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ В ПРОЦЕССАХ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ,

§ 6.1 Инфракрасная люминесценция (hv = 1.3-1.5) зВ селени да кадмия и быстрые центры прилипания

§ 6*2 Самоактивированная люминесценция соединений А2Вб и медленные центры прилипания

6.2.1 Фотолюминесценция (Хт~0,54 мкм) монокристаллов сульфида ;цинка

6.2.2 Инфракрасная (Äm~ 0.82 мкм) фотолюминесценция монокристаллов ZnTe р-типа

6.2.3 Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe

6.2.4 О природе электронной и дырочной проводимости соединений А2Вь

ВЫВОДЫ

ГЛАВА ¥11 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЦЕНТРАМИ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В НЕОДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛАХ

§ 7.1 Неустойчивости примесного фототока, обусловленные глубокими центрами прилипания в кристаллах CdSe:Cu

§7.2 Оптическое управление процессами электропереключения кристаллов Cd$e:Au

ВЫВОДЫ

ГЛАВА VIII ФОТО», ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ И

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ЛАНТАНА

§ 8.1 Центры излучательной рекомбинации полуторного сульфида лантана

8.1.1 Самоактивированная люминесценция полутрного сульфида лантана

8.1.2 Модель центров излучательнойрекомбинации полуторного сульфида лантана

§ 8.2 Люминесценция стекол {La2.SivXY)3 2Ga2.03 (X=Se, Те)

§ 83 Особенности электронных центров прилипания в кристаллах у- Ьа28з

ВЫВОДЫ

ГЛАВА IX ОПТИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ

СВОЙСТВА СТЕКОЛ ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА НА ОСНОВЕ ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ЛАНТАНА

§ 9Л Природа центра сенсибилизатора внутрицентровой люминесценции и механизм возбуждения ионов Nd3+ в стеклах ^N¿0,03)2% ЮщО^

§ 9,2 Обратимые фотостимулированные процессы в стеклах

L1i1s.Pr.j2S3 20Я2€%

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрические и оптические свойства халькогенидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры»

Центры с глубокими уровнями, существование которых в широкозонных полупроводниках установлено исследованиями их фото-, магнита-, термоэлектрических, резонансных и оптических свойств, эффективно участвуют в процессах релаксации неравновесных носителей заряда и определяют характеристики полупроводниковых приборов: спектральный диапазон фоточувствительности, инерционность и уровень шумов приемников излучения; спектр излучения и квантовую эффективность люминофоров; порош генерации лазеров и т.д. Следовательно исследования, проводимые с целью установления природы, структуры, характеристических параметров глубоких центров (Ец, Бр, Б^)1 и их конкретной роли в процессах захвата и рекомбинации носителей заряда, актуальны и являются необходимым этапом на пути установления фундаментальных свойств полупроводниковых кристаллов с нарушенной трансляционной симметрией и конструирования оптшлектронных полупроводниковых приборов.

Настоящая диссертационная работа и посвящена исследованию глубоких центров в соединениях типа А2 В6 и Ьп2В1 (А=2п, Сс1; Ьп^Ьа, N<1, Рг; В=8, Бе, Те), являющихся наиболее яркими представителями большого класса халькогенидных полупроводников и относящихся к перспективным материалам оптоэлектроники.

Интерес, проявляемый к полупроводникам типа А2В6 и Ьп2В*3 вызван главным образом тем, что варьируя химическим и примесным составом представляется возможным в широких пределах управлять их электрическими, фотоэлектрическими и оптическими свойствами. Электропроводимость полупроводников такого класса может изменяться от проводимости, соответствующей полуметаллу, до проводимости изолятора. Спектральная область фоточувствительности, люминесценции и лазерного излучения претерпевает изменения от ультрафиолетового до среднего инфракрасного диапазона.

1 Список обозначений в сокращений приведен в конце автореферата

2 6 б

Хотя соединения А В и £п2Вэ исследуются на протяжении многих лет» в полной мере их уникальные фотоэлектрические и люминесцентные свойства в приборном исполнении остаются нереализованными. Такое положение обусловлено тем, что по ряду причин (кристаллам этих соединений свойственны полиморфизм и политипизм) до конца не установлена однозначная связь между их дефектно-структурным составом и условиями роста. В силу этих причин свойства, даже нелегированных кристаллов, зависят от технологии их выращивания и препаративных условий термообработки. Это, в свою очередь, приводит к слабой воспроизводимости результатов физических исследований, проводимых в одном и том же материале и осложняет проблему раскрытия физико-химической природы глубоких центров.

Задача установления природы и характеристических параметров глубоких центров, является весьма сложной и в силу других факторов. Во-первых, для глубоких центров все еще нет единой квантовой теории. Во-вторых, число локальных центров в кристаллах широкозонных полупроводников велико, что осложняет задачу выделения и исследования центров конкретной природы. В-третьих, между различными центрами существует взаимодействие, которое приводит не только к изменению энергетического спектра их электронных состояний, но и к появлению межцентровых каналов релаксации неравновесных носителей заряда, дополнительно осложняющих задачу определения характеристических параметров центров. В-четвертых, неоднородное распределение структурных и примесных дефектов по объему кристалла приводит к формированию макрополей способных влиять на процессы дрейфа, захвата и рекомбинации носителей заряда.

Таким образом, приведенные выше факты делают очевидной необходимость совершенствования технологических режимов получения соединений А2В6 и Ьп2В\ и продолжения исследований, направленных на решение проблемы глубоких центров.

Основная цель диссертационной работы :

- установление природы структуры и характеристических парамет-ров глубоких центров в халькогенидных полупроводниках типа А2В6 и ЬщВ^;

- изучение возможности разработки на основе этих соединений опто-электронных устройств, в которые в качестве физической основы заложены полезные особенности глубоких центров;

- развитие методов ьшжекционной фото- и термостимулированной спектроскопии глубоких центров сложной структуры.

Экспериментальные исследования проводились с использованием комплекса методов, основанных на изучении спектральных и кинетических характеристик ПФ, ИПФ, ИСПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ОП, а так же ТСТ, ТСЛ и ИТСТ.

Методы ИСПФ и ИТСТ, основанные на идее управления квазиуровнями Ферми с помощью токов моно- и биполярной инжекции, развиты в данной работе, где раскрыты их широкие методические возможности для изучения электронной структуры глубоких центров в широкозонных полупроводниках.

Научная новизна. В результате экспериментальных и теоретических исследований, выполненных в диссертационной работе Обнаружены:

• квазилинейчатые спектры ИПФ одно-, двух- и многодонорных частиц;

• эффекты спектрального сдвига низкоэнергетического края ИСПФ и низкотемпературной границы ИТСТ в зависимости от уровня моно- или биполярной инжекции;

• И-образное нарастание и колебания примесной фотопроводимости;

• явление управления величиной тока в области ОДС путем электро- и оптической ионизации медленных ЦР;

• ИК-переключение инжекционных структур из высокоомного в низ-коомное состояние; в увеличение фоточувствительности кристаллов, обусловленное многократным ростом подвижности носителей заряда; эффект "расщепления в зону" сечения захвата электронов ЦП; в фотохромный эффект в стеклах (Ьа^Рг^^з 2Ga203.

Доказано существование и определены характеристические параметры: быстрых (а-) и медленных (р-) ЦП, связаных с центрами сложной структуры в кристаллах А2В6; оптически активных электронных ЦП Ее- 0.45 эВ с глубоким возбужденным состоянием Ес-0.12 эВ в CdSe; акцепторных центров Ev + 0.43 эВ в кристаллах CdSe, связанных с примесными атомами (Aged)" ■

Предложены и уточнены модели: многоуровневых оптически активных электронных ЦП сложной структуры, ответственных за квазилинейчатые спектры ИПФ; многоуровневых оптически неактивных электронных и дырочных ЦП сложной структуры, ответственных за спектры ТСТ и ТСЛ; центров излучательной рекомбинации, ответственных за длинноволновые полосы самоакгивированной люминесценции в соединениях А2В6 п- и р-типа; центров излучательной рекомбинации, ответственных за коротковолновые полосы ИК излучения в CdSe;

О- (оранжевых), К- (красных) и ИК- центров люминесценции в полупроводниковых соединениях на основе полуторных халькогенидов лантана.

Развиты методы фото- и термостимулированной спектроскопии глубоких ЦП сложной структуры, основанные на явлении управления квазиуровнями Ферми с помощью токов моно- и биполярной инжекции.

Практическую ценность представляют : технологический процесс изготовления примесных детекторов ИК света на основе кристаллов CdSe, CdTe; неохлаждаемый примесный детектор ИК излучения среднего диапазона (Х=2-6 мкм) на основе кристаллов CdSe:Ag с регулируемой вольт-ваттной чувствительностью; неохлаждаемые примесные детекторы ближнего (аЮ.7-2 мкм) и среднего (к=2-6 мкм) диапазонов ИК излучения на основе CdSeiCu, CdTe.Ag; перспективы создания; элементов оптических переключателей на основе кристаллов CdSe:Au, в которых регулирование тока в области ОДС осуществляется ИК светом hvтвердотельных электрических усилителей, работа которых основана на стимулирующим воздействии ИК излучения (hv>0.4 эВ) на инжекционные токи в симметричных структурах In-CdSe:Ag-In; ячеек памяти на основе стекол (Lai. sPrx)2S3 2Ga203 записью информации в оптичес-ком диапазоне.

На защиту выносятся научные положения:

1. Полупроводниковым соединениям группы А2В6 свойственны оптически активные быстрые (а-) ЦП электронов сложной структуры, в состав которых входят междоузельные атомы серебра. Многообразие уровней энергетического спектра оптически активных электронных ЦП и соответствующих полос ИПФ, ОГФ, инфракрасной ФЛ - следствие распределения этих центров по межатомному расстоянию.

2. Медленные (р-) электронные (дырочные) ЦП в соединениях А2В6 размещены в областях макроскопических ыеоднородностей кристаллической решетки, модулирующих кинетические параметры центров. Эти центры делаться на три группы: одни из них типичны и оптически активны, другие - оптически неактивны, третью группу составляют двухэлектронные и двухды-рочные центры с оптически активным уровнем первого электрона (дырки) и оптически неактивным уровнем второго электрона (дырки). Оптически неактивные медленные ЦП являются центрами сложной структуры, В их состав входят многозарядные анионные и катиониые вакансии. Многообразие уровней энергетического спектра электронных (дырочных) ЦП и соответствующих полос ТСТ, ТСЛ - следствие распределения этих центров по межатомному расстоянию.

3. В соединениях А2В6 глубокие центры сложной структуры [(Vzn.cd - )"- V^Se ]+ з [V¿~ ~(А~ -V¿+)+T обладают дуализмом. В зависимости от положения электронных и дырочных квазиуровней Ферми, они контролируют не только фото- и термостимулированные процессы, но и процессы внутрицентровой из луч ательной рекомбинации.

4.Низкая воспроизводимость фотоэлектрических и люминесцентных w V/ А 2т» О V» свойств соединении А В - результат высокой чувствительности концентрационного распределения центров сложной структуры и их кинетических параметров к технологическим режимам роста и последующей термообработки кристаллов.

5. Спектрам ИСПФ и ИТСТ, за которые ответственны электронные ЦП сложной структуры, свойственны эффекты спектрального сдвига в зависимости от уровня тока моно- или биполярной инжекции. Исследование явлений ИСПФ и ИТСТ - новый метод установления структуры глубоких центров.

6. На основе кристаллов CdSe:Cu, CdSe:Ag и поликристаллов CdTe:Ag могут быть сконструированы эффективные неохлаждаемые детекторы ИК излучения ближнего и среднего диапазонов, в том числе и детекторы нового класса с управляемыми внутренним сопротивлением и вольт-ваттной чувствительностью.

7. Независимо от степени разупорядочения кристаллической решетки в полупроводниках на основе полуторного сульфида лантана наблюдаются К- и ИК- центры излучателыюй рекомбинации, в состав которых входят вакансии лантана.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались на II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г.Одесса- 1982 г.); V Всесоюзном совещании по физике и тех 2пб ническому применению полупроводников А В (г.Вильнюс-1983 г.); IV и V Всесоюзных конференциях по физике и химии редкоземельных полупроводников (г. Новосибирск -1987 г. и Саратов - 1990 г.); III Всесоюзном и IV Всероссийском совещаниях по физике и технологии широкозонных полупроводников ( г. Махачкала - 1986, 1993 гг.); Всесоюзном совещании "Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах" (г. Львов - 1990 г.); II Всесоюзной конференции по физике стеклообразных твердых тел (г. Юрмала - 1991 г.); I и II Всесоюзнных конференциях по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г. Ташкент - 1989 г. и Ашхабад -1991 г.); Междунараднных конференциях по физическим явлениям в некристаллических полупроводниках (Ужгород - 1989 г.), "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск-1997 г.) и "Оптика полупроводников" (Ульяновск-1998 г).

Публикации, По теме диссертации опубликовано 55 работ, получены три авторских свидетельства на изобретения.

В этих работах представлены результаты исследований, выполненных автором самостоятельно и совместно с сотрудниками, работающими под научным руководством диссертанта. Образцы на основе соединений ЬпгВьъ в рамках договора о научно-техническом сотрудничестве с ИНХ СО РАН (г. Новосибирск), предоставлены В.В.Соколовым. Постановка задачи, методики эксперимента и легирования кристаллов, разработка и конструирование устройств, использованных в работе принадлежат автору. В обсуждении некоторых экспериментальных данных принимал участие доктор физ.-мат. наук М.А. Ризаханов (научный консультант автора). Автор выражает благодарность за плодотворное научное сотрудничество всем своим соавторам

Выражаю признательность и благодарность директору Института физики ДНЦ, чл.-корр. РАН И.К. Камилову и доктору ф.-м.н. А.З. Гаджиеву за постоянное внимание к данному научному направлению и создание благоприятных условий для написания работы ее автору.

Г* £

ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ в ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (обзор)

§ 1.1 Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках

Совокупность точечных структурных и примесных дефектов кристаллической решетки полупроводника, а также ассоциатов с их участием, формирующих энергетический спектр электронных состояний, энергия ионизации которых больше кТ, называются центрами с глубокими уровнями (или глубокими центрами).

Классификация глубоких центров в полупроводниках осуществляется по той роли, которую они могут играть в процессах релаксации неравновесных носителей заряда. Глубокие центры делятся на центры прилипания (ЦП) и центры рекомбинации (ЦР). Критерием принадлежности центра, захватившего, например, электрон, к той или иной группе центров играет фактор у, задаваемый отношением вероятности захвата на эти центры дырки (т.е. рекомбинации) к вероятности теплового выброса электрона [1-2] у„ = Ср-р/ = 8р-Зр-р/ 8п-Зп-Ме.вхр(-Е*е/ кТ) (1-1.1)

Для центра, захватившего дырку, имеем ур = сп-п/ ср Р* = 8п-$п-п/ 8р-Эр-Ру-ехр(-ЕпУ кТ) (1.1.2)

Здесь 8рз $п - сечения захвата центром дырки и электрона; - тепловая скорость носителей заряда; р, п - концентрация дырок и электронов; ЗЧС, Ру -эффективная плотность состояний в соответствующих зонах; Е^Д^ - энергия тепловой ионизации центра относительно зоны проводимости или валентной зоны.

В соответствии с (1.1.1) и (1.1.2) центры, для которого вероятность теплового заброса больше, чем вероятность захвата носителей противоположного знака (у<1), именуются ЦП. Центры, для которых (у>1), называются ЦР. Из

1.1.1) и (1.1.2) видно, что причисление глубоких центров определенного сорта к ЦП или ЦР определяется не только характеристическими параметрами самих центров $„» Е<), но и температурой, и концентрацией носителей, захват которых завершает рекомбинацию. Следовательно, изменение интенсивности освещения или вариация температуры может перевести центры класса ЦП в класс ЦР либо наоборот. В стационарных условиях ЦП находятся в равновесии с одной из энергетических зон, из которых и происходит захват носителей заряда. Центры рекомбинации находятся в равновесии с обеими зонами.

В случае большого числа глубоких центров принято вводить так называемые "демаркационные уровни". Для центра, положение которого совпадает с положением верхнего демаркационного уровня, уа =1, т.е. вероятность теплового забора электрона в зону проводимости и рекомбинации его на центре с дыркой,заброшенной из валентной зоны, равны. Для центра, положение которого совпадает с положением нижнего демаркационного уровня, ур =1. Тогда глубокие центры, энергетические уровни которых расположены между электронным демаркационным уровнем и зоной проводимости, будут играть роль электронных ЦП, а центры с уровнями между нижним демаркационным уровнем и валентной зоной - роль ЦП для дырок. Между демаркационными уровнями лежат уровни ЦР.

Следует отметить, что выполнение условий уп =1 и ур =1 зависит от сечений захвата 8р и 8П. Поэтому проведение демаркационных уровней имеет смысл только при не очень сильных отличиях этих сечений. При 8П» 8р уровень электронного ЦП может оказаться и в нижней половине запрещенной зоны и тогда понятие демаркационного уровня не имеет смысла. При этом надо иметь ввиду, что если в полупроводнике имеются только ЦП (концентрация ЦР пренебрежимо мала), то рекомбинация, хотя и замедленная многократными выбрасыванием "прилипшего" электрона в зону проводимости до окончательной рекомбинации, будет происходить именно через эти уровни.

Рыбкин [1] предложил разделение ЦП на а- и р- типы по соотношению между временем жизни т„ и временем установления равновесия между ЦП и соответствующей зоной 0: а) когда тп » б, (1.1.3) то центры, соответствующие этим условиям, относятся к а—типу или центрам многократного прилипания: б) когда же хп « 8 , (1.1.4) то центры относятся к центрам однократного прилипания или к р~ типу. Из условия (1.1.3) и (1.1.4) следует, что ЦП а- типа должны обладать большими сечениями захвата, а ЦП р- типа - малыми.

Центры рекомбинации, как и ЦП, существенно различны, т.е. отличаются энергетическим положением, сечениями захвата носителей заряда и темновым заполнением. В фоточувствительных полупроводниках основ-ными ЦР являются г- и й- центры (8П5 > 8ПГ). В полупроводниках п - типа это неравенство обычно сильное 8„5 / $пг ~ Ю3 - 106 и сопровождается неравенством 8рг/ 8ПГ > 8рк/ , так как сечения захвата дырок центрами различаются меньше, чем сечения захвата ими электронов. Определяемые этими неравенствами г- центры называются очувствляющими (или, по Роузу [2], центрами класса II), ибо они обуславливают наиболее медленный темп рекомбинации электронов, а следовательно, и наибольшее время их жизни.

Из изложенного выше следует, что для выявления роли глубоких центров в процессах захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда необходимо знать их характеристические параметры: энергетическое положение (Е<;), сечения захвата электронов (Бп), дырок (8р) и фотонов

Точечные структурные и примесные дефекты, находящиеся на ближайших расстояниях в кристаллической решетке полупроводника, могут представлять собой ассоцыаты или квазимолекулы, которые естественно рассматривать как единый ЦП или ЦР,

Образование ассоциатов тапа донорно-акцепторных пар (ДАП) в литературе [1-10] объясняется электростатическим, химическим, обменным или упругим взаимодействием. Движущей силой взаимодействия между точечными дефектами кристаллической решегки является стремление системы к минимуму свободной энергии.

Ассоциаты, так же как и точечные дефекты, могут создавать в запрещенной зоне занятые или пустые электронные энергетические уровни. Положение уровня ассоциата, образованного из противоположно заряженных дефектов, нетрудно оценить (по крайней мере в первом приближении), если известны положения уровней невзаимодействующих точечных дефектов.

При образовании ДАП между донором (В*) и акцептором (А") энергетические уровни этих дефектов смещаются в противоположные стороны. Уровень 0+ повышается, т.к. близость отрицательна заряженного акцептора (А") затрудняет присоединение электрона к этому центру. Аналогично затруднение захвата дырки на А"-центр вызывает понижение его уровня. В любом случае изменение в положении уровня приблизительно равно энергии кулонов-ского взаимодействия между В+ и А"- центрами

АЕдиэлектрическая проницаемость материала, гт-расстояние между дефектами в ассоциате.

Если глубина донорного уровня незначительна и меньше глубины акцепторного уровней, а радиус пустой орбиты электрона (гс ) и пустой орбиты дырки (тА) удовлетворяют соотношению гш<< гА, то ассоциация приводит к полному удалению донорных локальных энергетических уровней из запрещенной зоны [7] и ассоциат будет обладать свойствами ЦР. Схематически это явление показано на рис.1.1.1.а. В случае когда Ео>Еа и гт<< гА ассоциация приводит к удалению акцепторных локальных энергетических уровней из запрещенной зоны и ассоциат будет обладать свойствами ЦП (рис. 1.1.1, б). При Ео~Еа и гт= гА оба уровня локализованы в запрещенной зоне (рис. 1.1.1, в) и ассоциат может обладать как свойствами ЦП, так и свойствами ЦР. При этом возможны и внутрицентровые электронные переходы.

Когда один из точечных дефектов ассоциата, например донор, имеет два уровня (рис. 1.1.1, г) первый уровень, как и раньше переходит в зону проводимости. Второй уровень подымается настолько, что приблизительно занимает ////// ^

0+-А-)0 А У А А А ч

Еу чЧЧЧЧЧЧЧчкк ЧЧ\ЧчЧЧ\ЧЧЧЧ ЧЧЧЧЧЧЧЧЧчЧЧ ччччччччччччч Е¥ а б В г

Рис. 1.1.1 Схема энергетических уровней донорно - акцепторных ассоциатов, играющих роль центров прилипания и рекомбинации первоначальное положение первого уровня. Это объясняется тем, что ассоциат дважды заряженного донора (В2+) и однократно отрицательно заряженного акцептора (А") сам имеет эффективный единичный положительный заряд (А" Энергия связи электрона с этим зарядом равна АЕ= е2/ в гА , т.е. будет такой же как и энергия связи электрона с дефектом (О*).

Во многих случаях ДАЛ в широкозонных полупроводниках являются распределенными. Так как точечные дефекты занимают в кристаллической решетке вполне определенные места, то величины гт и Е; принимают дискретный ряд значений. Энергетический спектр электронных состояний ЦП, обусловленных донорными центрами входящими в состав ДАЛ, будет определяться соотношением Е» = Ев - АЕд/2? (1.1.6) где Е0 - энергия ионизации изолированного донорного центра. Аналогично определяется энергетический спектр дырочных состояний акцепторных уровней ДАЛ.

При реализации в кристалле распределенных по межатомному расстоянию гт ДАЛ наблюдается расщепление индивидуапьного энергетического уровня как, донорного, так и акцепторного центра в зону шириной АЕд. Концентрация ДАЛ соответствующих различным гт будет определяться числом эквивалентных узлов на различных координационных сферах кристаллической решетки.

Многочисленные экспериментальные факты [4-7] указывают на то, что большинство центров излучательной рекомбинации в широкозонных полупроводниках представляют собой тесные ассоциаты точечных структурных дефектов или структурных и примесных дефектов кристаллической решетки, образующих один или два энергетических уровня в запрещенной зоне. Как известно, именно такие распределенные пары были впервые идентифицированы в ОаР [11-13].

Теория излучательных переходов с участием ЦР, представляющих собой распределенные пары [14-16], касается главным образом расчета формы спектральной полосы излучения, ее зависимости от уровня возбуждения. К наиболее характерным признакам межцентрового излучения распределенных пар следует отнести следующие.

1. Кулоновское взаимодействие между донором и акцептором сущест-ственно зависит от перекрытия электронной и дырочной волновых функций. Оно увеличивает энергию возбужденного состояния на величину, обратно пропорциональную расстоянию гт между донором и акцептором. Энергия фотона, излучаемого при донорно-акцепторном переходе, определяется выражением [17,18]

1п>,=Ее- (Е0 + Еа) +АЕ о-АЕ, (1.1.7) где АЕ - поправка существенная для близких пар, которая характеризует отличие взаимодействия от кулоновского [14].

Так как точечные дефекты занимают в решетке вполне определенные места, то согласно (1.1.7) величины АЕ о и Ь\'| принимают дискретный ряд значений.

Процессу излучательной рекомбинации электронно-дырочной пары соответствуют спектры излучения, состоящие из отдельных линий. Расстояния между спектральными линиями будут большими при малых значениях гт5 по мере увеличения гт они непрерывно сокращаются. Поскольку близко расположенные линии сливаются в одну сплошную полосу, линейчатую структуру в спектрах излучения (как и в спектрах поглощения) можно зафиксировать только на коротковолновых крыльях полос. Описание тонкой структуры излучательной рекомбинации в ДАЛ дано в [13,19].

2. С возрастанием интенсивности возбуждающего света максимум полосы излучения ДАП смещается в сторону больших энергий. Это происходит потому» что пары» соответствующие большим значениям гт и малым значениям быстрее насыщаются и их излучение перестает увеличиваться с ростом накачки. Поэтому повышается удельный вес излучения близких (корот-коживущих) пар, которым соответствуют большие значения Ьл>г.

3. Чем дальше расположены донор и акцептор, тем на большие расстояние должен протуннелироватъ электрон для осуществления процесса рекомбинации. Другими словами, вероятность туннелирования уменьшается с увеличением расстояния гш. Переход с малой вероятностью является медленным процессом. Наблюдая затухание ФЛ после прекращения возбуждения, можно заметить постепенное смещение спектра излучения в низкоэнергетическую область. Ближайшие пары дают свой вклад в высокоэнергетической области спектра с максимальной скоростью затухания, тогда как удаленные пары испускают низкоэнергетические фотоны с более медленным затуханием [20].

4. Неэкспоненциальный спад интенсивности излучения после прекращения возбуждения, характеризующийся набором времен из луч ательных переходов ^ для разных пар [34] х^ её Г1 . (1.1.8)

Дефектам кристаллической решетки, имеющим разноименные заряды, энергетически выгодно располагаться в соседних узлах решетки. Орбита носителя, локализованного на таком комплексе, будет охватывать оба дефекта.

Для описания такого ассоциата уже нельзя пользоваться приближением ДАЛ, в котором смещение уровней происходит только за счет кулоновского взаимодействия (1.1.5). Дело в том, что при расположении дефектов в соседних узлах решетки имеется значительное перекрытие волновых функций носителей заряда на доноре и акцепторе, благодаря чему определяющую роль в изменении энергетического положения уровней будет играть не кулоновское, а обменное взаимодействие. Зависимость энергетического положения уровня комплекса от расстояния г между дефектами и от положения уровней изолированных дефектов в этом случае определяется соотношением [9] ге-аех) • (ф-ф2) = (™2авг) /г2 , (1.1.9) где ®!= (2т*Е|)ц/Й для изолированных дефектов и определяется эффективной массой - т* и энергией ионизации Еь а ш = (2т*Щн/Н определяет энергию комплекса. Критическое расстояние, между дефектами, при котором один уровень ассоциата, вытесняется в зону, пересекает ее границу, определяется соотношением г = (ае^г)м ■ (1.1.10)

Многочисленные исследования соединений А2В6 [3-6, 21-186] показывают, что в них наблюдаются многочисленные ЦП и ЦР. Если свести в одну диаграмму экспериментально определенные значения энергетического положения этих центров, то в запрещенной зоне каждого из соединений может реализоваться квазинепрерывный спектр электронных состояний (рис. 1.1.2). Сложный спектр электронных состояний может наблюдаться даже в отдельно взятом образце. Поэтому вопросам природы и структуры центров, ответственных за столь развитый спектр электронных состояний, по сей день уделяется много внимания.

Первоначальные попытки привязать каждый экспериментально выявленный электронный уровень к отдельному точечному структурному или примесному дефекту не дали положительных результатов при расшифровке сложных энергетических спектров [21], Кюри [22] первым пошл бесперспективность такого подхода. Им была выдвинута идея, согласно которой система уровней электронных ЦП в 2пЗ приписывалась дефектам единой природы, а именно парам из У"х и меди такого же заряда. Тем самым допускалась

Ш 8 гп§е 2дТе

СсШ СДЗе СсГГе

Рис. 1.1,2 Энергетический спектр центров прилипания и рекомбинации различной природы, наблюдаемые в соединениях А2В6. Использованы данные работ [1-6,21-188]. возможность реализации в кристаллах ассоциатов. Факт реализации в кристаллах большого числа электронных состояний, согласно Кюри, - результат появления пар с различным межатомным расстоянием. Тшолл [23] распространил идею [22] на донорно-акцепторные пары и попытался интерпретировать спектр электронных состояний в Са5. Многообразие электронных ЦП, согласно Тшолла, - результат различной степени погружения уровня акцептора изоэлекгронного типа из-за близости ионизированного донора. Однако, представления Тшолла о связи электронных ЦП с ДАП и природе их компонентов оказались недоказанными. Более того, численный расчет согласно (1.1.6) показал, что сама идея о связи всей совокупности электронных состояний, размещенных в Сс1§ в интервале энергий Ее - (0.05-1.0) эВ с ассоциатами единой природы носит ошибочный характер.

Таким образом интерпретация сложных спектров электронных состояний в соединениях А"В как на основе отдельно взятых точечных дефектов, так и на основе только асеощифоважых центров общей природы не получили распространения. Скорее всего успеха в решении этого вопроса можно добиться только на основании комплексного подхода, причем достоверность результатов будет во многом определяться тем, насколько точно удасться выделить из интегрального спектра ту или иную серию энергетических уровней, или уровней локальных состояний точечных дефектов единой природы и установить их характерные особенности.

§ 1.2 Методы исследования центров с глубокими уровнями

Одной из главных проблем физики полупроводников является идентификация и установление дефектно-примесного состава полупроводниковых материалов. Интерес представляет не стколько состав полупроводникового материала и его строение, сколько практически все физико-химические свойства, связанные с его строением и способствующие установлению его дефектно-примесного состава. Изучение физических свойств полупроводниковых материалов основано на теории взаимодействия поля, излучения или потока частиц с исследуемым веществом, при котором проявляются те или иные свойства материала.

Определение изменений излучения, поля или потока частиц после взаимодействия с веществом, обладающим набором физических свойств, является прямой задачей физического метода. Однако главным является обычно решение обратной задачи - определение физических свойств или параметров структурных и примесных дефектов на основании указанных изменений, т.е. данных эксперимента, полученных на основе физического метода. Именно с этой точки зрения характеризуются возможности метода, его чувствительность, точность, доступность, практичность.

Многообразие структурных и примесных дефектов, выступающих в роли глубоких центров, а также особенностей их проявления в полупроводниковых материалах вызвали к жизни большое число методов исследования. Наиболее известными являются методы:

1. Примесной фотопроводимости (ПФ) и индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) [1-4,43-47,88,93,116,170,171];

2. Фото- или термостимулированяой люминесценции (ФЛ, ТСЛ) [4, 6, 11-15,21-25,36-42,70,73,95,104,110,111,122,142, 190 ] в том числе, и поляризованной [71,84,85,189];

3. Оптического и термического гашения фотопроводимости (ОГФ и ТГФ) и люминесценции [1-4,24,46,65,76];

4. Термосгамулированного тока (ТСТ) и термостимулированнош разряда конденсатора (ТРК) [1-4,25-27,50-58,78,79,84-86,138,192,193];

5. Фотохолла [4,24,44];

6. Оптического поглощения и электроотражения [60-62,90,191];

7. Электронного парамагнитного резонанса [4,110,117,194-195];

8. Нестационарной емкостной спектроскопии (НСГУ, БЬТ8) [193,196];

9. Фотохимических реакций (ФХР) [72,80,83,187];

10. Основанные на исследовании кинетики фотопроводимости или люминесценции [1,24,91,197];

11. Основанные на исследовании токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ) [193,198-201].

Несмотря на свою информативность и достаточно высокую чувствительность, использование ряда методов ограничено из-за их специфических особенностей. Так, например, возможности метода ЭПР ограничены тем, что исследуемые локальные центры должны иметь парамагнитные свойства, Кроме того, в соединениях А2В6 проявляется весьма сильное спин-фононное взаимодействие, вследствие чего лишь ограниченное число центров может быть исследовано этим методом. Анализ причин низкой информативной способкости метода ЭПР в этих соединениях выполнен в работе [195].

Особняком среди различных методов исследования глубоких центров стоит метод ФХР [187]. Он сводится к фотохимическому преобразованию дефектов в кристаллической решетке полупроводника с последующим исследованием продуктов реакций. Однако этот метод, позволяющий вызвать обратимые изменения в дефектной подсистеме кристалла и исследовать физико-химическую природу центров, с наибольшей эффективностью применяется только для CdS. В то же время решетки большинства соединений А В нечувствительны к допороговым преобразованиям и по этой причине выпадают из круга полупроводников, которые могут быть эффективно исследованы методом ФХР.

В последние годы благодаря своей экспрессности широкое распространение получил метод НСГУ (DLTS). Алгоритм реализации этого метода заключается в регистрации при постоянной температуре изменения емкости (АС) структуры на основе исследуемого полупроводника за промежуток времени от ti до t2 при обедняющем ОПЗ напряжении смещения. Процесс повторяется при следующей температуре.

Метод НСГУ имеет ряд недостатков (подробно рассмотренных в [193]), затрудняющих определение характеристических параметров глубоких центров без предварительной оценки количества центров» их концентрации, и оптимизации времен ti , t2.

Кроме того, чувствительность емкостных методов обнаружения глубоких центров накладывает жесткие ограничения на выбор источника питания и систему стабилизации температуры.

В данной диссертационной работе для исследования глубоких центров в г соединениях А*В и Ьа28з применяются методы ПФ, ИПФ, ТСТ, ФЛ, ЭЛ, ТСЛ, ОГФ и ТГФ, Фотохолла. Эти методы, как и методы ФХР, ЭПР, НСГУ, относятся к неравоесным и алгоритм их реализации протекает по схеме

Равновесное состояние

0, = еа,/:пи+ ю.1 и заключается в регистрации либо нерановесной концентрации носителей заряда, либо излучения, возникающего в результате рекомбинации этих носителей заряда. Выбор этих методов обусловлен нетолько тем, что на них не распространяются ограничения методов ЭПР, ФХР, НСГУ, но и тем, что эти методы позволяют определить все характеристические параметры ЦП и ЦР. На основе данных, полученных этими методами, и их взаимного дополнения удается выяснить не только механизм электронных переходов и определить параметры центров, но их природу и структуру. Кроме того результаты исследований, полученных методами ФП, ИПФ, ТСТ, ФЛ, можно проверить сопоставив экспериментальные кривые с теоретическими расчетами. Эти методы в техническом отношении просты, не требуют сложного дорогостоящего научного оборудования и позволяют оценить перспективу и возможности использования полупроводниковых материалов в качестве фотоприемников и люминофоров.

§1,3 Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях А2Вб

1.3.1 Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах соеди

5 А нений А В . В настоящее время мало у кого возникают сомнения о большом влиянии структурных дефектов на электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства халькогенидных полупроводников и, в частности, на свойства соединений А" В6 и А^В^, в которых могут существовать следующие типы дефектов [4-6]: 1. Вакансии в подрешетках металла и халькогена (УМ( V*) - дефекты по Шоттки. В этом случае предполагается, что атомы, покинувшие узлы в объеме, достигают поверхности кристалла. 2. Междоузельные атомы М; и Х|, а также пары состоящие из междоузельного атома М* и вакансии Ум для подрешетки металла и Х{ и Ух для подрешетк и халькогена - дефекты Френкеля. 3. Антиструктурные дефекты типа Мх и Хм, когда атом металла занимает в решетке узел, нормально занятый халькогеном, и наоборот. Разупорядочение этого типа, вероятно, не играет большой роли в большинстве соединений '¿л, Сс1, Ьп, с 5е и Те из-за значительной разницы в электроотрицательностях металла и халькогена. 4. Квазимолекулы, представляющие собой ассоциации нескольких простых дефектов. Энергетически ассоциации более выгодны,чем изолированные точечные дефекты, однако энергия связи их, как правило, невелика, и поэтому при высоких температурах ассоциации распадаются.

Наконец каждый из дефектов может существовать в нескольких зарядовых состояниях, и свойства его при этом будут различными. При удалении из кристалла МХ нейтрального атома халькогена образуется электрически нейтральная вакансия которая может ионизоваться в соответствии с реакцией

Ухо(Ух)++е+Еш , (1.3.1) где Еш - энергия однократной ионизации донора. Возможна и двукратная ионизация (Ух) <=> (УхГ + е + Е02 , (1.3.2) причем Ео2 > Ео1- Структура нейтральной и эффективно заряженной вакансии, к сожалению, остается во многом неясной и определяется в большой степени распределением электронной плотности в идеальном кристалле, т.е. соотношением ионной и ковалентной составляющих в полной энергии связи решетки. Энергетический спектр одно- и двукратно заряженного состояния играет важную роль при рассмотрении термодинамического аспекта проблемы получения контролируемой дырочной и электронной проводимости. Нейтральная вакансия халькогена связывает два электрона, имеющие энергии выше, чем электроны валентной зоны. Поэтому вакансия халькогена образует донорный дефект и структура этого дефекта в конкретном случае определяется только энергией ионизации Еш и Бог •

Вакансия металла создает нейтральный дефект, который может захватить один или два электрона и приобрести отрицательный эффективный заряд, образуя одну или две свободные дырки в соответствии с реакциями Ум^ (Ум)" + р + Еа1 , (1.3.3)

Ум)" О (Ум)2' + Р + Баз , (1.3.4) где ЕА1 и ЕА2 - энергии одно- и двукратной ионизации такого акцепторного центра. Таким образом, вакансия металла должна обладать акцепторными свойствами,

Междоузельный атом металла М; является донором, а междоузель-ный атом халькогена обладает акцепторными свойствами из-за большей по сравнению с металлом электроотрицательности.

В тех местах, где нарушается идеальная периодичность кристаллической структуры, возникают состояния с энергиями, попадающими в интервал значений, запрещенных в идеальном кристалле. Наличие точечных дефектов приводит к появлению дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне, глубина и количество которых будут определяться энергиями Еш, Еш, ЕА1 и Еа2- В отличие от зон, которые отвечают всему кристаллу в целом, дополнительные уровни соответствуют состояниям, локализованным непосредственно у дефектов.

В дополнение к этим элементарным точечным дефектам наблюдаются комплексы обусловленные взаимодействием дефектов между собой и примесями. Наконец, как было показано выше, каждый из дефектов может существовать в нескольких зарядовых состояниях, и свойства его при этом будут различными.

Вследствие этого задача идентификации и объяснения свойств дефектов в бинарных соединениях представляется очень трудной. Как показывает многолетний опыт, наиболее сложным является определение энергетического положения собственных дефектов.

В таблице 1.3.1 приведены литературные данные позволяющие заключить - энергетическое положение структурных дефектов кристаллической решетки соединений АЛВ однозначно не установлено. С другой стороны, легко заметить, что донорные уровни в соединениях Сс1 с 8, Бе и Те с электронной проводимостью по их энергетическому положению в запрещенной зоне можно разбить на три группы: Ес- (0.01-0.1) эВ, Ес- (0.1-0.15) эВ и Ес- (0.55-0.6) эВ.

Таблица 13 J

Энергетическое положение структурных дефектов в соединениях А2В6

Энергетическое положение, эВ Предположительная природа Тип проводимости Метод исследования Литература

ZnS

Ес-0.12 n яюминесц. [119,120]

Ес - 0.2 Znl 11 люминесц. [122]

Ес - 0.2 vs° n тдр [5]

Ес - 0.6 К n тдр [5]

Ev + 0.5 у- v Zn 11 тдр [5]

Ev+ 1.5 Ес - (0.6-0.7) К к n 11 тдр тел [5] [111-115]

Ее - 1.6 V 11 [125]

Ес-2.0 v: 11 [125]

Ev+ 1.9 vt ¿я 11 [4,5]

Еу+1.25 у- ¥ Zn n опт. поглощ. [132]

Ev+ 1.04 Ev + Q.5B vi: p p электр.погл. люминесц. [130] [128]

Еу+ i .05 V? p люминесц. [128]

Ev+ 2.62 у2- Zn люминесц. [128]

ZnSe

Ее-0.23 Zn, n люминесц. [144,145]

Ее - (0.02-0.025) Zn, n эффект Холла [135]

Ее - 0.9 Ес-0.12 Ес - 0.35 Ес - 0.86 V Se V * Se у 0 V Se Znt 11 11 11 n n люминесц. люминесц, НСГУ [146] [146] [147] [147]

Ес-(0.1-0.55) [K-^f НСГУ [143]

Еу +(0.5-0.67) ¥.7 2п П [146-149]

ЕУ + (0.22-0.18) 7л 11 гтчучт [146]

Еу + 0.18 У\ ¿.л Р ФП, ФЛ [156]

Еу + 0.21 Р ОГФ [129]

Еу+ 1.25 ¥ 2п Р ФЛ [129]

Еу + 0.95

Еу + 0.6 с [129]

Еу + 0.02 8е{ [163] гпТе

Ес - 0.6 УТе ИЛИ Р люминесц. [177]

Ес - 0.62 УТе или Zni Р ФП [170]

Еу + 0.14 п- Р эффект Холла [168]

Еу + 0.048 Р эффект Холла [168]

Еу + (0.22-0.27) РТ ли Р ФП [169,170]

Еу + 0.06 V;, Р ФП [181]

Еу + (0.6-0.65) к ¿п Р ФП [181]

Еу + 0.70 V2- Р электрич. [174]

Ес - 0.50 V Те Р ФП [175]

Ес-0.80 V,„ Те Р ФП [175]

Сс1§

Ес-(0.04-0.045) п оптич. погл. [90]

Ес-0.13 сл. п оптич. погл. [90]

Ес-0.14 у в и ТСТ [27]

Ес - 0.55 У? п ТСТ [27]

Ее-(0.14-0.55) п ТСТ [27]

Еу + 0.25 У ей 11 оптич. погл. [90]

Еу+ 1.5 г С

Ev +1.26 y2~ f Cd îl люминесц. [24]

Ev + 0.17 y Cd îl люминеец. [77]

CdSe

Ec-0.014 Cd, 5 VSe n электропр. [33]

Ec-0.1 Cd? il люминесц. [32]

Ec - 0.13 K Se n ФП [63]

Ec-0.14 Y+ ¥ Se il электропр. [28]

Ec - 0.15 vt n электропр. [64]

Ec-(0.14-0.55) (Vs+e-A-df n ТСТ [27]

Ec - 0.6 y 2+ V Se il электропр. [28]

Ev + 0.27 Se, i n люминесц. [40]

Ey + 0.3 y- Y Cd n [31]

Ev + 0.4 V v Cd n ФП [37]

Ev + 0.46 y- ¥ Cd n люминесц. [41]

Ev + 0.50 Ved 11 люминесц. [39]

Ev + 0.63 n электрич. [30]

Ev + 0.7 fa-D°Y p электрич. [29]

Ev + 0.72 Ev + 0.74 v Cd V Cd II II люминесц. ФП [59] [32,47]

Ev + 0.95 y2-Cd p электрич. [29]

Ev+ 1.0 v Cd II люминесц. [59]

CdTe

Ec - 0.02 Cdt n [99]

Ec-(0.14-0.55) (VTe-Acdf n ТСТ [26,27]

Ev + 0.43 y- v Cd p термоэлектр. [185]

Ev + 0.9 TT 2— v Cd n5p [99]

Ev + 0.15 у- v Cd îî5p [99]

Еу + 0.8 1/2' Сс! п5р ТГФ, ОГФ [100]

Еу +(0.16-0.2) г ш п,р ЛЮМИН6СЦ6НЦ. [100]

В соединениях Сс1 с 5, 8е и Те донорные уровни локализованы глубже., но и их также можно разделить на три группы: Ес- (0.05 - 0.12) эВ, Ее- (0.12 - 0.2) эВ и Ее- (0.6 - 0.9) эВ. Центры, ответственные за эти уровни, получены при обработке кристаллов в атмосфере кадмия (цинка), в вакууме, или же при облучении быстрыми элементарными частицами, т.е. в условиях благоприятных для образования вакансий халькогена и междоузельных атомов Сй и 2п. Если дополнительно учесть, что центры Ее- (0.55-0.6) эВ в халькогенидах кадмия являются двухзаридными [28,29] и что отношение энергии ионизации двухза-рядного центра к однозарядному должно быть порядка четырех, то можно сделать вывод, что эта центры в СсЙ - СсГГе обусловлены двух-, а центры Ес-0.15 эВ - однозарядными вакансиями халькогена.

В силу идентичности строения энергетических зон соединений А2В6 [4] уровни связанные с собственными и примесными дефектами кристаллической решетки должны оставаться фиксированными по отношению к зоне, связанной с незамещенным элементом. Поэтому в ряду соединений СйЗ-СсЙе-СсГГе энергетическое положение уровней одно- (Ее- 0.15 эВ) и двухзарядной (Ес-0.55 эВ) вакансии халькогена должно быть одинаковым, что фактически и было отмечено авторами [27] при интерпретации результатов исследования ТСТ в этих соединениях. Однако строгие экспериментальные доказательства принадлежности обоих уровней одному дефекту (вакансии халькогена) отсутствуют.

Нам известна только одна работа [11В] и только одно соединение (2п8), на примере которого экспериментально доказана принадлежность вакансии халькогена двух электронных уровней : Ес- 0.68 эВ - уровень I и Ес- 0.17 эВ -уровень II. Энергетическое положение этих уровней соответствует второй и третьей "стопке" электронных состояний наиболее часто наблюдаемых в халькогенидах цинка (см.данные таблицы 1.3.1).

Следовало бы ожидать, что и в 1л8е энергетическое положение одно- и двухкратно заряженной вакансии селена будет тождественно энергетическому положению центров - в кристаллах йзВ, однако авторы [143] пришли к выводу, что центру соответствует уровень Ес-0.56 эВ, а - Ес-0.11 эВ. Причина расхождения данных в литературе не обсуждается.

Более мелкие донорные центры в халькогенидах кадмия и цинка связываются с междоузельными атомами Сс!* и Тщ, локализация энергетических уровней которых наблюдается в интервалах Ес- (0.01 - 0.12) эВ и Ес- (0.1 -0.2) эВ.

Идентичные по энергетическому положению акцепторные уровни обусловленные вакансиями кадмия и цинка должны наблюдаться в парах 2д8-СсШ, ¿пБе-Сс&е, ¿пТе-СсГГе. По аналогии с центрами донорной природы, центрам акцепторной природы также свойственны три группы уровней: Еу + (0.5 - 0.7) эВ, Еу + (1-0 - 1.25) эВ, Еу + (1.5 - 2.0) эВ в глВ-СйБ; Еу + (0.2 - 0.3) эВ, Еу + (0.5 - 0.7) эВ, Еу + (0.95 - 1.25) эВ в 2п8е-Сс!8е; Еу + (0.05 - 0.15) эВ, Еу + (0.30.45) эВ, Еу + (0.6 - 0.9) эВ в 2иТе-С<1Те. Эти центры получаются путем прогрева кристаллов при максимальных давлениях паров халькогена, т.е. в условиях, благоприятных для образования вакансий кадмия и цинка. Наиболее глубокие акцепроты (третья "стопка" уровней) являются неоднозарядными [5, 29,99,129,181], а отождествление центров с уровнями из второй "стопки" с однозарядными вакансиями цинка и кадмия противоречит как термодинамическим расчетам [34,125,128,187], так и соотношению между энергиями ионизации двух- и однозарядных центров. Анализ данных показывает, что энергия ионизации однозарядных вакансий С<1 и 7м в Еп5~С<18 близка к 0.6 эВ, в 2л8е-СсЙе близка к 0.3 эВ, а в 2пТе-Сс1Те - 0.15 эВ, а двухзарядных - 1.5-1.9 эВ, 0.95-1.1 эВ и 0.6-0.7 эВ соответственно. Энергетическое положение остальных центров хорошо совпадает с положением уровней центров фоточувствительности (см.таблицу 1.3.2).

Дефекты кристаллической решетки соединений А2В6 типа - атомы халь-когена в междоузельных позициях реализуются довольно редко. По данным [163] наблюдаемый в 2п8е уровень Еу + 0.02 эВ связан именно с такого рода дефектами (8е0.

1.3,2 Глубокие центры»конгтюшруюище фоточувствипгел ьностъ Фоточувствительностъ соединений А2В6 определяется наличием центров чувствительности (ЦЧ) и ЦР. Установлено, что ЦЧ в этих соединениях являются однозарядными акцепторами и отношение сечений захвата неосновных носителей заряда к основным носителям заряда составляет величину7 103-106, а их энергетические уровни локализованы в интервале энергий, лежащем между энергетическим положением двухзарядных и однозарядных вакансий Сс1 или 1х\. Удивительным является тот факт, что приведенные в таблице. 1.3.2 параметры ЦЧ не зависят от типа введенных в соединения А2В6 примесей, хотя известно, что легирование донорами повышает фоточувствигельность.

Таблица 1.3.2

Параметры типичных г-центров фоточувствительности в соединениях А2Вб

Соединение Еуу, эВ 5щг , см2 , см Литература саз 1.15 2 ю-19 5 10"13 [1,24,81,203]

СМ8е 0.6 3 ю-19 3 10"14 [24,29,35,202]

СсГГе 0.3 9 ю-19 1 10-14 [24,94,99]

2п8 1.2-1.04 3 ю-19 1 ю-15 [24,128,130]

0.55 - 0.6 2 Ш19 3 10-16 [24,148,149,202] р - 2пТе 1.6 10-20 [24,170]

Этот факт позволил экспериментаторам выдвинуть следующие основные модели ЦЧ: а) центрами фоточувствительности являются однозарядные вакансии кадмия (цинка) [28]; б) ими являются комплексы бивакансий (анионно-катионной) с примесью [203]; в) ими являются комплексы, состоящие из двух» зарядной вакансии кадмия (цинка) и донора [104].

Более предпочтительной моделью, по сравнению с моделью [28] изолированных вакансий катиона, является модель основанная на предположении, что ЦЧ - комплексы данных вакансий с донорной примесью. Действительно, такие комплексы наблюдаются оптическими методами и ЭПР во всех соединениях А2В6 [4-6,24,178,179]. Если привлечь модель Тшолла [23] и рассчитать по известной энергии ионизации двухзарядной вакансии катиона энергетические уровни нескольких ближайших пар, включающих вакансию катиона и донор, то получим спектр энергетических состояний в интервале, совпадающим с наблюдаемыми уровнями ЦЧ. Дополнительные аргументы в пользу этой модели следующие: 1) концентрация ЦЧ увеличивается с ростом концентрации легиранта; 2) для соединений А2В6 с дырочной проводимостью

ЦЧ являются комплексы А )+, как это было установлено экспериментально [31,101,170].

1.3,3 Примесные междтзтьние дефекты Айн Сщ Термодинамика образования дефектов кристаллической решетки, связанных с примесями элементов I группы таблицы Менделеева, приводит к выводу, что эти примеси в зависимости от занимаемой позиции в кристаллической решетке соединений А2В6 могут проявлять как донорные, так и акцепторные свойства [4,5].

Атомы серебра и меди в позиции замещения Сё, 2м в кристаллической решетке являются акцепторами, образуют глубокие центры рекомбинации и оказывают существенное влияние на формирование фотоэлектрических и лю-жшесцентных свойств соединений А2Вб.

В работах [43,69-72,75] были получены экспериментальные, данные, показывающие проявление примесными элементами А§, Си в кристаллах

10 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 к г, эВ

Рис. 1.3,1 Спектры ИПФ в кристаллах в зависимости от уровня стационарной подсвети собственным светом при 90 К. Данные работы [69].

КГ

•Нч

1 -1 . 10

10

-5:

Рис. 1.3.2 Спектры ИПФ в кристаллах С«Ш:См в зависимости от уровня стационарной подсветки собственным светом при 90 К. Данные работы [72].

0,2

0.4

0.6

-8 IIV . эВ

Сс18:А§? Сс18:Си и пленках Сё8е:Си донорного поведения. Низкоэнергетические полосы ИПФ = 0.3 и 0.33 эВ (рис. 1.3.1 и 1,3.2) в кристаллах СсШ:А§5 сШ:Сц связаны с междоузельными атомами , Сц+ 5 образующими в запрещенной зоне этого соединения уровни Ее - 0.23 эВ и Ее - 0.27 зВ. В пленках С<18=Сс18е:Си [43] обнаружены квазшшнейч атые спектры ИПФ (рис.

1.3.3), обусловленные донор-донорными парами типа (Си?)2. Распределение донорных пар по межатомному расстояншшию приводит к многополосным спектрам ИПФ и системе соответствующих оптически активных электронных состояний с уровнями в интервале энергий Ес-(0.35 - 0.6) эВ.

Рис. 1.3.3 Спектры ИПФ в монокристаллических пленках CdS (a), CdSe (в) при 90 К. Данные работы [43].

Установлена возможность участия доноров Ag* , Си* в ассоциатах типа ДАЛ [69,72], что подтверждается сдвигом полос ИПФ в низкоэнергетическую область спектра с ростом концентрации неравновесных носителей заряда (см.рис, 1.3.1 и 1.3.2).

Оптически активные электронные ЦП, обусловленные междоузельными атомами Agi} Си* , характеризуются большими сечениями захвата электрона Sn=10"17-10"2° м2, что позволяет причислить их к быстрым (а- ) ЦП. Сечения захвата электрона уменьшается с глубиной уровня ЦП [75]. По причине большого сечения Sn эти центры способны пребывать в равновесии с зоной проводимости в широкой температурной области (Т=90

320 К), несмотря на их сравнительно небольшую глубину. Центры Ag: , Си* создают фон процессов многократного прилипания, на котором проm О hv , эВ текают различные неравновесные явления. Это обстоятельство в свою очередь затрудняет их исследование термоактивационными методами (ТСТ, ТСЛ) в полупроводниках с многоуровневой системой электронных центров.

§1.4 Центры с глубокими уровнями в полуторном сульфиде лантана

В настоящее время известно довольно много полупроводниковых материалов на основе редкоземельных металлов (РЗМ). Полупроводниковыми свойствами обладает и ряд халькогенидов РЗМ - LnX, Ln2X3, L113X4 (Ln - РЗ-элемент, X ~ S, Se, Те) и оксидов. Менее изученными и, весьма вероятно, наиболее интересными как с чисто научной точки зрения, так и в плане практического применения являются полуторные халькогениды РЗМ (Ьп2Хз).

Эти соединения кристаллизуются в структурном типе TI13P4 [205], который относится к кубической сингонии с пространственной группой I43d(Tb). В элементарной ячейке этого соединения содержится 5.4+0.1 формульных единиц Ln2X3, что соответствует 16 атомам X и дробному числу атомов Ln-10-2/3, которые статистически распределены в решетке по 12 позициям. Таким образом, в кристаллической решетке Ln2X3 каждый 9-ый узел катионной подре-шетки остается незанятым. Однако особые и весьма интересные свойства соединений Ln2X3 в первую очередь связаны с особенностями структуры электронной оболочки редкоземельных атомов, а именно с наличием в этой оболочке достраивающегося глубинного 14 -местного 4£-слоя (от í° у La3+ до f14 у Lu3+), теория энергетического строения которого рассмотрена в работах [208211].

Малая концентрация электронов проводимости в соединениях Ln2X3 дает возможность исследовать их спектры поглощения и отражения в широком

Г/4* 1 Г* ГЪ t ТТ S-T диапазоне энергии [2i2-zl7J. но данным этих исследовании установлено, что

РОССИЙСКАЯ ГОСУДАРСТВАМ

БЙБЛИОТЙКА зона проводимости в полуторных сульфидах РЗЭ образована 6з- и 5с1-состоя-ниями РЗМ. Валентная зона образована Зр-состояниями халькогена, Вопрос о положении 4£»электронных состояний в энергетическом спектре Ьп2Х3 и вопрос об их участии в образовании химических связей однозначно не решен. Большинство авторов пришли к выводу, что в отличие от монохалькогенидов РЗМ (Ей, 8т, ¥Ъ), в которых 4£- состояния образуют узкие валентные зоны (делокализованные состояния), в соединениях Ьп2Х3 4£- состояния хорошо экранированы и локализованы, о чем свидетельствуют данные по исследованию спектров поглощения и люминесценции [213,218-220].

Исследования оптических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств кристаллов и пленок Ьп2Х3 показывают [212-248]:

1. В кристаллах у-Ьп2Х3 возникает случайный внутрикрисгаллический потенциал, сильное электрон-фононное взаимодействие, образуются электронные пары с отрицательной корреляционной энергией. Влияние перечисленных факторов на зонную структуру выражается в том, что материал обладает разной величиной энергетической щели по подвижности и поглощению, то есть края энергетических зон размыты. Состояния внутри щели отвечают электронам., спаренным на центрах отрицательной корреляционной энергией, образуя континиуум состояний от края зоны. Таким образом, у-ЬпгХз - кристалл с равновесным нарушением ближнего порядка проявляет свойства, подобные соединениям с неупорядоченной кристаллической структурой.

2. Как и в классических полупроводниковых материалах, большинство свойств у-1лт.2Х3 контролируются глубокими центрами структурной и примесной природы, которые в зависимости от характера их участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда делятся на ЦП и ЦР.

Анализ Д2ННЫХ [2.20-223,236,237] показывает, что вблизи зоны проводимости у-Ьп2Хз имеет место квазинепрерывное распределение ЦП, расположенных в хвосте плотности локализованных состояний. Максимум плотности ЦП находится на глубине 0.1-0.2 эВ от дна зоны проводимости. Иденгифицированы и два типа ЦР - быстрые (з~) центры с уровнем Ес - 1.0 эВ и медленные (г-) цешры с уровнем Еу + 0.6 эВ. Природа этих уровней не установлена,

3. Интерес к полуторным халысогенидам РЗЭ, легированных Ьп ионами, обусловлен в первую очередь тем, что трехвалентные ионы могут входить в решетку этих соединений в больших концентрациях (вплоть до 100% замещения ее катиона) и это открывает возможность создания нового класса люминофоров и активных элементов лазеров, в которых рабочими центрами являются ионы Ьп . Исследования показали, что если в качестве матрицы выступают кристаллы у-Ьа2Хз, то не наблюдается эффективной передачи энергии возбуждения ионам активатора (Ьп3+) [220,230,232,241,242].

4. В последние 15 лет появились работы по исследованию оптических и люминесцентных свойств стекол, составной частью которых являются полуторные халькогениды РЗМ (Ьп^^ОазОз, ЬпзЗ^Оаг^зХ активированных ионами М<13+, Рг3+, Еи3+, Но3+ [243-248]. В них отмечается, что в стеклах состава (Ьа^Мёх^з'ЗОагОз наблюдается более эффективная передача поглощаемой матрицей энергии ионам . Однако механизм передачи энергии не установлен.

5. Наличие уникальных люминесцентных свойств, обусловленных внут-рицентровыми электронными переходами между возбужденными и основными состояниями 4£ - электронов РЗ-ионов, сместили акцент большинства исследований на изучение именно внутрицентровой люминесценции в халькогенидах РЗМ. В то же время фотоэлектрические свойства, связанные с структурными дефектами кристаллической решетки (например, У^) и различными неконтролируемо присутствующими примесями, в соединениях Ь%%з остаются неизученными.

ВЫВОДЫ

1. Многочисленные литературные данные теоретического и экспериментального плана доказывают, что все разнообразие электрических, оптических и фотоэлектрических свойств бинарных соединений А2Вв в том случае, когда они тщательно очищены от примесей, определяется составом и природой структурных дефектов их кристаллической решетки.

Установлено, что важнейшими донорными и акцепторными центрами, формирующими тип проводимости, оптические и фотоэлектрические свойства этих соединений являются вакансии халькогена и вакансии цинка или кадмия Однако вопрос об энергетическом положении соответствующих электронных уровней этих центров является дискуссионным, так как имеющиеся экспериментальные данные были получены в основном при исследовании ассоциатовтипа (У** ~ , (^а- ~®а,к)

Так как наиболее активным! дефектами в соединениях А2Вб являются анионные и катионные вакансии, то считается возможным образование ас' 1+ 7 4" социатов {¥х ) . Строгих экспериментальных данных, доказывающих существование таких ассоциатов в кристаллах соединений А2В6 в известной нам литературе нет,

2, Сложность энергетического спектра электронных состояний в кристаллах соединений А2В6 результат реализации в них большого количества ЦП и ЦР, природа и структура которых до конца не выяснена. Для успешного решения проблемы идентификации ЦП, ЦР и выявления всех их свойств и особенностей необходимо применять комплекс экспериментальных методов исследования.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Зобов, Евгений Маратович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Экспериментально установлено существование в соединениях А2В° быстрых (а-) и медленных (ß-) ЦП электронов и дырок, теоретические представления о которых введены в физику полупроводников дня корректной интерпретации различных неравновесных процессов.

2. Роль быстрых (а-) оптически активных электронных ЦП в кристаллах CdSe играют междоузельные доноры (Ag;f с уровнем E-L-0.23 эВ и сечением захвата Sti~ÎÛ"17 м2, а так же распределенные по межатомным расстояниям донор-донорные и донорно-акцепторные ассоциаты с их участием. Энергетические уровни ассоциатов размещены в интервале энергий Ес- (0.2 - 0.6) зВ.

3. Ассоциаты типа [( Ag* - V~d )]+ в CdSe эффективные центры излу-чательной рекомбинации. Они обуслаливают полосы ИК люминесценции с максимумами в спектральном диапазоне hv= 1.3 - 1.5 эВ.

4. Медленные (ß-) электронные и дырочные ЦП в соединениях А2В6 различной технологии, обусловлены соответственно анионными и кати-онными вакансиями, взаимодействующими с г- центрами рекомбинации. Генерация их в соединениях А^В6 п-типа (р-типа) приводит к формированию квазинепрерывного спектра оптически неактивных электронных (дырочных) состояний Ес- (0.11-0.7) эВ (Ev+[0.06-0.65] эВ). Сечения захвата электрона (дырки) данных центров малы и возрастают с ростом глубины соответствующих уровней в широком интервале значений Sn s КГ6- 10"22 м2.

Названные ассоциаты наряду с ролью ЦП могут; в зависимости от положения квазиуровня Ферми, выступать в роли центров рекомбинации, обуславливая полосы длинноволновой САЛ в ZnS с ^=0.54 мкм; в ZnSe -Àjnï; 0.53-0.70 мкм; в ZnTe р-типа - >^0,82 мкм.

5. Спектральным полосам ИСПФ и ИТСТ, связанным с электронными ЦП сложной структуры, свойственны спектральные сдвиги в зависимости от уровня тока моно- или биполярной инжекции, вызывающего смещение квазиуровней Ферми. Исследование такого рода эффектов -новый метод установления структуру глубоких центров, обладающий более высокой разрешающей способностью по сравнению с методами ИПФ и ТСТ в традиционном исполнении.

6. Величина неравновесной фоточувствительности соединений А2В6 определяется не только концентрацией ЦП и ЦР, находящихся в фотоактивном состоянии, но и подвижностью неравновесных носителей заряда. Увеличение уровня фотовозбуждения кристаллов приводит к росту подвижности носителей заряда более чем на два порядка по причине перезарядки электронных и дырочных ЦП, ЦР .

7. На основе кристаллов CdSe:Ag разработаны неохлаждаемые примесные детекторы ИК излучения среднего (1-6-2 мкм) спектрального диапазона, в которых рабочими центрами служат быстрые (а-) ЦП электронов. В лучших структурах вольт-ваттная чувствительность достигает

V «л i //ч |

10' В/Вт, детектирующая способность 10 см Гц Вт". Время фотоответа детектора на уровне порога чувствительности т = 10"3 с.

8. Впервые обнаружено явление N-образного роста ПФ и сопутствующих ему колебания фототока. Частота и амплитуда колебаний регулируется электрическим полем и оптическим возбуждением.

9. На примере высокоомных кристаллов CdSe. Au впервые в соединениях А2В6 обнаружено и исследовано явление переключения их из вы-сокоомного состояния в низкоомное под действием электрического поля и оптическое регулирование тока в области ОДС. Установлено, что эти эффекты являются результатом участия характерных CdSe медленных ЦР

Еу+О.б эВ в зонно-примесных элекгроино-дырочных переходах стимулированных полем и ИК излучением.

10. Независимо от степени разупорядочения кристаллической струк- ' туры в Ьа283 реализуются индентичные О-, К- и ИК-центры излучатель-ной рекомбинации, ответственные за полосы люминесценции с А,т =0.60, 0.68-0.73, 0.89 мкм.

ИК - центры связаны с вакансиями лантана с уровнем Ес - 1.4 эВ.

К - центры представляют собой ассоциаты . Им свойственен набором квазидискретных уровней в интервале Ес-( 1.6-1.82) эВ. О-центры - это примесные атомы кислорода с дискретным уровнем Ее - 2.0 эВ.

11. Кроме идентифицированных О-, К- и ИК- ( АН).89мкм) полос излучения в стеклах переменного состава халькогена Ьаг^о^ео^з 20а203 и Ьа2(8о.7Тео.з)з 2Са203 обнаружены новые полосы ФЛ, с максимумами в спектральном диапазоне с X-Q.8-0.85 мкм. Эти полосы ФЛ связаны с изменением ширины запрещенной зоны и величины кулоновского взаимодействия между компонентами ассоциата о при замене серы на селен или теллур.

12. Фоточувствительность кристаллов Ьа283 в примесной области следствие эффектов фототермической ионизации ДАП. Данные ассоциаты включают акцептор Еу+0.45 эВ и донор Ес-0.2 эВ с возбужденным состоянием Ес-0.06 эВ. Доноры (Ес-0.2 эВ) играют роль электронных центров прилипания, обуславливая полосы ТСТ и ТС Л в температурном диапазоне 130-230 К.

13. "Расщепление" сечения захвата электронов доноров Ес-0.2 эВ в зон}' (8п-Т0"23-10"27 м2) в полупроводниках типа Ьа283 является результатом модуляции этого кинетического параметра центра потенциальным макрополем дислокации.

14. Стекла состава (La0.97Nd0.03)2S3 2Ga203 можно отнести к перспективным лазерным материалам для получения стимулированного излучения Nd3+ (основные лазерные переходы 4F3/2 41ц/2) при оптической накачке в полосе фундаментального поглощения стекла.

15. В стеклах (Lai.x Prx)2S3 2Ga203 обнаружен и исследован фото-хромный эффект, являющийся следствием фотостимулированных процессов, происходящих при релаксации энергии неравновесных носителей заряда, генерируемых светом. Установлено, что фотостимулированные процессы протекают с участием ионов Рг5+ и результатом их является перевод ионов празеодима из основного в метастабильное состояние (Рг4+). Между ионами Рг3+ и Рг4+ возможны термооптические переходы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Зобов, Евгений Маратович, 1999 год

1. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. - 494 С.

2. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд-во "Мир".- 1966. -138 С.

3. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд во "ИЛ".-1962.-558 С.

4. Aven М., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds// Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. С.А. Медведева Физика и химия соединений А2В6 М.: "Мир" - 1970.)

5. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Пол-торака О.М.) М.: "Мир".- 1969. 654 С.

6. Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: "Высшая школа",- 1971. 336 С.

7. Reiss П., Fuller C.S., Morin F.J. Bell. Syst Tech.J.- 1956,- v.35.-P.535-611. (Цитируется no 5.).

8. Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцегггорных пар.// Изв.АН СССР, сер.физич.- 1973.- т.37.- № 4,- С. 803-809.

9. Георгобиани А.Р., Грузинцев А.Р., Тигиняну И.М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках.// Изв. АН СССР, сер.физич.- 1985.-т.49,- № Ю.~ С. 1899-1904.

10. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полутфоводгшках//М.: "Наука-физматлит",-1997.- 351 С.

11. Morgan T.N., Welber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-O and Zn-O Complexes in GaP.// Phys.Rev.- 1968,- v. 166,- N 3.- P. 751-753.

12. Henry C., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.// In: Proc. conf. localized excitation.-EdWallis R.F. New York: Plenum press.- 1968 P. 257.

13. Юнович А.Э. Излучателъная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучателъная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во "Наука",- 1972,- С. 224-304.

14. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs Mid higher associates // J.Luminescence.- 1973.-v.7.-N1,- P.35-50

15. Берг А., Дин П. Свето диоды.// M. :изд-во "Мир",- 1973.

16. Lorenz M.R., Morgan T.N., Pettit G.D., et.al. Sharp-Line Donor-Acceptor Pair Spectra in AlSb.// Phys.Rev.- 1968.-v. 168 -N3.-P. 902-904.

17. Hopfield J.J, Thomas D.G., Gershenzon M. Pair spectra in GaP.// Phys.Rev.Lett- 1963,-v. 10 -N5.-P. 162-164.

18. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore F.A. Pair spectra and "edge" emission in gallium phosphide.// Phys.Rev.A.- 1964.- v. 133,- N1,- P.269.

19. Williams F. Donor-acceptor pair in semiconductors.// Phys. status solidi.-1968 v.25.- N2,- P.493-512.

20. Thomas D., Hopfield J., Augustyniak W. Kinetics of radiative recombination at randomly distributeg donors and acceptors.// Phys.Rev.- 1965.- v.140,-N ЗА.- p. 742-749.

21. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc sylphide phosphors.//' Philips. Res. Rep - 1958.-v. 13.- P. 515-659.

22. Кюри Д. Люминесценция кристаллов// М.: изд-во "ИЛ".-1961.-194 С.

23. Tcholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.// Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968 № 6 - P. 1-93.

24. Лашкарев B.E., Любченко A.B., Шейншан M.K. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1981. -264 С.

25. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во "Наука",- 1979 333 С.

26. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С.,Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ вхалькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника",- Р-3270/81.

27. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ее- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоак-тивационными методами.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3271/81.

28. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958,- V.29.-N1.- P. 128-137.

29. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their relation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975 v.31.- N1.- P. 301-307.

30. Baubinas R., Januskevicius Z.,Sacalas A., Viscakas J. P-type conduc-tivity in undoped CdSe single crystals.//' Solid Stat.Commun.- 1974 v. 15.- N11-12.- P. 1731-1733.

31. Сакалае А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лиг. физ.сборник.- 1979 т. 19.- № 2,- С. 233-240.

32. Schulz H.J., Kulp В.А. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liqued-Helium temperaturs.// Phys.Rcv 1967.-v.159.-N3,- P.603-609.

33. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-type CdSe.// Phys.Stat.Solid.- 1967.-V.24.-N2.- P.683-690

34. Сакалае А.П. Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия.// Докторская диссертация.- Вильнюс: 1975.

35. Баубинас Р., Вищакас Ю., Сакалае А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сбозник.- 1974,-т.14.-№4, С. 609-611.

36. Шейнкман М.К.,Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Природа инфракрасной люминесценции (к 1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ.тв.тела. -1968,- т. 10,- № 6,- С. 1769-1772.

37. Беленький Г.Л., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Исследование шоминесценции аш ~ 0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. и техн. полупроводников. 1968.- т.2,-К® 4.- С. 540-547.

38. Беленький Г.Л., Шейнкман М.К. Механизм люминесценции =0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения.//' Физ. и техн. полупроводников. 1968. т.2.- №10.- С. 1534-1536.

39. Kokubin J., Watanabe Н., Wada М. Photoluminescence of CdSe singl crystals.//Jap. J. Appl. Phys.- 1977.- v. 13.- N 9,- P. 1393-1396.

40. Корицкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M., Супалов В.А. Примесная люминесценция в CdSe.// Изв.АН СССР, сер. неорган, материалы.-1975.- Т.П.-№ 11.- С. 1990-1994.

41. Данияров О., Захаров В.Е., Любченко A.B., Олейник Г.С., Шейнкман М.Л. Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSeix Тех.// Физ. и техн. полупроводников,- 1974,- т.8.- № 3.- С. 452-458.

42. Ermolovich IB., Milenin V.V. Natyre of deep luminescence centres in CdSe and CdSe^ Те,.// Phys. Stat. Sol. 1986 -v. 133.- N 2.- P. 611-620.

43. Ризаханов M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донор-ных молекулах.// Физ. и техн.полупроводников.-1982,- т. 16.- №4. -С. 699-702.

44. Сенулис Ф.Д. Исследование спектра и природы глубоких локальных уровней в монокристаллах и поликристаллических пленках CdSe.// Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Вильнюс: 1980.

45. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Кронгауз В.Т. Спекгры индуцированной примесной фотопроводимости в активированных пленках CdSe (Cu, С1).// Физ. и техн. полупроводников.- 1978.- т. 12.- № 5,- С. 993-995.

46. Баубинас Р.В., Вайткус Ю.Ю., Сенулис Ф.Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.- 1978.- т. 18.-№ ).-(.:. 109-111.

47. Manfredotti С., Murri R., Pepa Е., Semisa D. Photoelectronic propertiesof photoconducting CdSe.// Phys. Stat. Sol. (a).-1973.- v.20.~ № 2.« V All AM.

48. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эшгшксиальных слоях селенида кадмия.// Известия Вузов, сер. физ,- 1975.- № 3.- С. 61-66.

49. Любченко А.В., Булах Б.М., Гурина И.А. Особенности рекомбинации в низкоомных кристаллах CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1976.-т.Ю.-Ж 5,-С. 923-929.

50. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J.Phys.-1970,- D3.- № 4,- P. 451-461.

51. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull.Acad.Polon. Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969.-v. 17.- № 12,- C. 845-850.

52. Hino Taro, Yamashita Ken. Space charge limited currents and ther-mally stimulated currents in ZnTe and CdSe films.// Jap. J. Appl.Phys.- 1974,- v.13.- № 6,-P. 1015-1016.

53. Аркадьева Б.Н. Отношение оптической и термической энергии активации примесей в CdS, CdSe и CdTe.// ФТТ. 1964,- т.6.- № 4,- С. 1034.

54. Shimizu К. Electrical properties of cadmium selenide evaporated films.// Jap.J. Appl. Phys.- 1965,- v.4.- № 9,- P. 627- 631.

55. Okimura H., Sakai Y. Photoelectronic properties of CdSe evaporated films.// Jap.J. Appl. Phys.- 1968.- v.7.- № 10.- P. 731-738.

56. Lipskis K., Sakalas A., Viscakas I. Termally stimulated Hall mobility in CdSe single crystals.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1970.- v.2.- № 2,- P. 225-233.

57. Manfredotti C., Rizzo A., Vasanelli L., et.al. Electron trapping levels in cadmium selenide crystals.// J.Appl.Phys.-1973.-v.44.- № 12.- P. 5463-5469.

58. Ждан А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// Физ. и техн. полупроводников.-1971,- т.5,- № 2.- С. 178-180.

59. Ермолович И.Б., Булах Б.М., Красикова С.М., Шейнкман М.К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излу-чательной рекомбинации.// Укр. физ. журнал.- 1974.- т.19.-№10.- С. 1725.

60. Мовсесян Г.М., Мащенко В.Б. Киреев П.С., Волкова JI.B. О роли меди в формировании края собственного поглощения в CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.» 1974,- т.8.- № 4,- С. 800-803.

61. Киреев П.С., Колесникова Э.Н., Воронкова Е.И., Давыдов А. Роль железа в формировании длинноволнового края фундаментальной полосы поглощения селенида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1976.- т. 10. №6,-С. 1089-1091.

62. Мовсесян Г.М., Мащенко В.Е., Киреев ПС. Осцилляции электроотражения в селениде кадмия в широком диапазоне спектра.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974 -т. 8.-№9.-С. 1766-1770.

63. Сера Т.Я., Черемесюк Г.Г. О фотоэлектрических свойствах монокристаллов селенида кадмия, обработанных газовым разрядом.// Физ. тв. тела,-1964. -Т.6. -№1,-С. 128-133.

64. Hoschl P., Kubalkova S. Electrical properties of n-type CdSe single crystals prepared unber a nitrogen pressure.// Czech. J.Phys.-1968.-v.B18. -№7.- P. 897-899.

65. Ермолович И.Б., Павелец A.M., Ханат JI.H. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSe^e^.// Укр. физ. журнал.~ 1986.-т.31.- № 3.- С. 446-451.

66. Ture I.E., Clayboum М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centeers in CdSe.// J. Appl. Phys.- 1986.- v.60.- № 5.- P. 1670-1675.

67. Мартынов B.H. Люминесценция и фотопроводимость высокочистого селенида кадмия.// Неорган, материалы.-1995 т.31.~ № 10.- С. 1302.

68. Черкасов Ю.А. и др. Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1989 -т. 23.- № 9.-С. 1572-1575.

69. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS.// Физ.и техн.полупроводников.- 1979.- т. 13.- № 7.- С. 1324-1328.

70. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ.и техн. полупроводников." 1978.» т. 12.- № 7,- С. 1342-1346.

71. Эмиров Ю.Н., Остапенко С.С., Ризаханов М.А., Шейнкман М.К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде кадмия.// Физ.и техн. полупроводников.- 1982,-т. 16.- № 8,- С. 1371-1376.

72. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абилова H.A. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS: Си, обусловленные фотохимическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников. -1980,- т. 14,-N°. 9,- С. 1665-1671.

73. Шейнкман М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ.- 1973 т.37,- № 2,- С. 400-404.

74. Городецкий И.Я., Пекарь Г.С., Федоров А.И., Шейнкман М.К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах. CdS сильно легированных индием.// Физ. и техн. полупроводников,- 1975.- т.9.~ № 4.™ С. 986.

75. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейшшан М.К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// Физ. и техн. полупроводников.-1975,- т.9.- № 4.-С. 779-782.

76. Ризаханов М.А. Оптическое гашение фотопроводимости в CdS:Си, обусловленное донорно-акцепторными парами.// Физ. и техн. полупроводников- 1975.- т.9,- № 10,- С. 2002-2004.

77. Kulp В.A., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atom in CdS by electron bombardment.// J. Appl. Phys.- I960 v.31.- № 6.- P.1057-1061.

78. Ждан А.Г., Савдомирский В.Б., Ожередов А.Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулировалшого разряда конденсатора.// Физ.и техн. полупроводников 1969 - т.З.» № 12.- С. 1755.

79. Каганович Э.Б. /Свечников С. В.,Чалая В.Г. Термостошулированные токи в слоях сульфида кадмия.// У кр.физ.журнал.-1969.-Т. 14.-№4 С.670

80. Корсупская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. О механизме образования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия.// В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами. Киев: "Наукова думка".- 1972.- С. 25-46.

81. Бондаренко И.Н., Городецкий И.Я., Любченко A.B. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность.// Укр. физ. журнал,- 1973,- т. 17.- № 3 С. 599-605.

82. Шейнкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Механизм оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения.// Физ. тв. тела.- 1968.- т. 10.- № 9.- С. 2628-2638.

83. Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// Физ. и техн. полупроводников. 1975.- Т.7.- № 2.- С. 275-278.

84. Остапенко С.С., Шейнкман М.К., Эмиров Ю.Н. Симметрия фотохимически активных центров ИК-люминесценции в CdS.// Физ. и техн. полупроводников. 1981,-т. 15,- № 9,- С. 1747-1754.

85. Горбунов В.В., Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К. Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в CdS, облученном тепловыми нейтронами.// Физ. тв. тела,- 1981.- т.23.- № 11.- С. 3320-3325.

86. Istratov A. A. Studies of the dislocation induced deep levels in CdS using deep level transiend spectroscopy with optical excitation./'/' Rhys. Status Solidi. A.-1995,- v. 150.- № 2.~ P. K15-K17.

87. Мартынов B.H., Волкова E.G., Тоцина Г.С. Излучательные реком-бинационные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии.// Неорган, материалы.-1997.-т.33.-№2.- С. 174

88. Boyn R. Optical absorption due to intrinsic defects in CdS single crystals.// Phys. Stat. Sol.- 1968.- v.29. №1,- P. 307- 328.

89. Аркадьева E.H., Касымова P C., Рыбкин С М. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// Физ. та тела.-1961,- т.З № 8,- С. 2417-2426.

90. Заячкивский В.П., Савицкий А.В., Никонюк Е.С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974 т.8.- № 5.- С. 1035-1037.

91. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А., Рудь Ю.В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1968.-т.2,- № 7,- С. 932-938.

92. Любченко А.В., Потыкевич И.В., Борейко Л.А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-тииа.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971- т.5.- № 9,- С.1704-1707.

93. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.-т.5,- №> 5,- С. 869-875.

94. Chamonal J.R., Molva Е., Pautrat J.L. Indentification of Cu and Ag acceptors .in CdTe.// Ibid,- 1982.« v.43.- № 11.- P. 801-805.

95. Дугаев В.К. и др. Статистика заряженных дефектов и примесей в CdTe при комплексообразовании.// Изв. .АН СССР, Неорг. материалы.-1989.-т.25.-№ 9.-С. 1560-1562.

96. Nobel D.de Philips Res.Rep.-1959.~v.14.-P.430 (цигируется по 5.)

97. Брашн Е.В., Гарягдыев Г., Любченко А.В., С альков Е.А. и др. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристаллизо-ван-ных слоях теллурида кадмия.// Укр.физ.журнал.-1989- т.34,- № 2,- С. 228-234.

98. Илащук Б.И., Матлак В.В., Парфешок О.А.,Савицкий А.В. Особенности комгшексообразования в р- CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов.// Физ.и техн. полупроводников. -1986. -т. 20. -№5. -С. 849-852

99. Гнатенко Ю.П., Фарина И.А., Гамарник Р.В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и Cdi.xFexTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.-T.27.-№ 10.-С. 1639-1650.

100. Soltani М., Certier М., Evrard R., Kartheuser Е. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors.// J. Appl. Phys.- 1995.- v.78.- № 9,- P. 5626-5632.

101. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors./'/ J. Electrochem.Soc.- 1959.-v. 106.- P.- 409.

102. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys. Polon. 1979.-v.A56.-Nl.-P. 19-29.

103. Калева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп,- 1969 т. 10,- N5.-С. 819-824.

104. Bryant F.I., Flamid S.A. Electron-inducced traps in Zinc Sulfide single crystals.// Phys.Rev.Letters.- 1969 -v.23.-N6,-P. 304-306.

105. Ceva T., Lambert В. Etude de fa iermolumiiiescence et de la contuctilide dun ZnS:Cu,Ce a dans bandes d'émission.// J.Phys.- 1965.- v.25.- N10.» P. 587-590.

106. Ребане K.-C.K., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-свегом фосфоров ZnS./У Журн. прикл. спектроскоп.- 1971.-т.15,- N4,- С. 647-652.

107. Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red-Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance. Method.// J.of the Phys.Soc. Japan.- 1967,-v.23.-N1,-P. 44-51.

108. Мирцхулава И.А., Чиковани Р.И., Школьник А. Л., Джахуташви-ли T.B. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// Физ. твердого тела,- 1964 т.6,- № 10.- С. 2945-2952.

109. Красноперов В.А., Тале В.Г., Тале И.А.,Таушканова Л.В. Энер-гечетиский спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1981-т.34,- № 2,- С. 253-259.

110. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спектроск. -1977 т.26.- №4,- С. 706-711.

111. Коджеспиров Ф.Ф., Гордиенко Ю.Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.- 1974.-т.20.- № 1.-С. 76-80.

112. Атакова М.М., Рамазанов П.Е., Сальман Е.Г. Локальные уровни пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973,- № 10,- С. 95-98.

113. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Термостимулированная и фотостиму-лированная проводимость монокристаллов ZnS 7/ Журн. прикл. спектроск.-1965,- т.З,- № 6,- С. 504-509.

114. Отс A.C., Ребане К.-С.К. Создание парамагнитных центров в ZnS под действием механического давления.// Физ .тверд.тела. -1971.- т. 13.- № 1,- С. 1219-1221.

115. Ризаханов М.А., Хамвдов М.М. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронных центров захвата в ZnS.// Физ. и техн. полупроводников.~ 1979.=- т. 13.- № 8.- С. 1578-1583.

116. Оконечников А.П. Взаимодействие между центрами люминесценции и захвата в облученных нейтронами монокристаллах сульфида цинка,// Дис. канд. физ.-мат.наук: Свердловск.- 1970.- 134 С.

117. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоакшвированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1973.- т. 19 № 3,- С. 469-474.

118. Каретников И.А. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства тонких слоев сульфида цинка.// Дис.канд.физ.-мат.наук: М.: МЭИ.- 1973.- 148 С.

119. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969. т. 33, N 6, с. 951-960.

120. Илюхина 3.IX. Паиасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка, и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во "Наука".» 1972.-т.59.- С. 38-64.

121. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивироваиного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер.физич,-1971,- т.35,- С. 1437-1440.

122. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка получение и свойства.// М.: изд-во "Наука",- 1987.-200 С.

123. Ермоловнч И.Б., Коновец И.К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах Znx Cdj.x S.// Укр .физ. журнал.- 1973,- т.18 -№ 5.- С. 732-746.

124. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Г'ершун A.C. и др. Рекомбинационное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.- т.22.» №> 4.- С. 655-656.

125. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1981.- т. 17.- № С. 1329-1334.

126. Георгобиани А Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах",- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997,- С. 26-27.

127. Георгобиани А.Н., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв.АН СССР. Сер.физ,- 1976,- т.40 № 9,- С. 1079-1983.

128. Morehead F.F. Luminescence in ZnS,Se : Cu,Cl.// J. Phys. and Chem. Solids.- 1963,- v.24.~ N l.~ P. 37-44.

129. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl. Phys.- 1977,-v.48.-N 5.- p. 1941-1945.

130. Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АН ЭССР. Сер.физ.-мат,- 1975.- т.24.- № 2,- С. 195-200.

131. Simons A. J., Thomas С.В. Mexanisms' of electronic conduction through thin film ZnS:Mn.// Phil. Mag.B- 1993, v.68, № 4, p. 465-473.

132. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.-v.18.-N10.-P. 1965-1972.

133. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSei.x.// Solid State Commun -1980,- v.34.- N5.- P. 359.

134. Кукк ПЛ., Палмре И.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.-1980.- T.16.-N П.- С. 1916-1920.

135. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc sele-nide

136. Heat-treated in Controlled Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v.19.-N 3.- P. 485=490.

137. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J.Appl.Rliys.- 1984,- v.55.- N15,- P. 1614-1616.

138. Verity D., Bryant F.I, Davies II. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals".// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.-v. 15,- N26.- P.5497-5505.

139. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.// Phys. Rev.- 1968.-v.171.-N3.-P. 903-915.

140. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь B.M. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ. и техн. полупроводников.- 1980.-t.14.-N8,- С. 1621-1624.

141. Ризаханов М.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993 т.23.- № 5.- С. 721-727.

142. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements././ Solid Stat.Commun.-1969.-v.24. N7.- P. 1757-1761.

143. Ваксман Ю.Ф., Малушин IT В., Сердюк В.В. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн. прикл.спектроск.- 1976 т.25 - №5.- С. 832-835.

144. Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА",- 1984.- 150 С.

145. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводЕШКов.1968.- т.2.» №11,- С. 635-1638.

146. Serdyuk V.V., Komeva N.N., Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.//Pbys.Stat.Sol.(a).- 1975.-v.32.-№.P. 173-183.

147. Etienne D., Allegre J., Chevrier S., Bougnot G. Surla photoluminescen cedu seleniure dc zinc.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1975,- v. 32.-N 1- P. 279.

148. Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B., Сушкевич К.Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка,// Журн. приклад, спектроск,- 1979.- г.30 № 3.- С. 459-463.

149. Гапшн II.А., Иванова Г.Н., Матвеева Т.Л. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ. и техн. полупроводников.-1981,- т. 15.-№9.-С. 1841-1844.

150. Bruant F.J., Manning P.S. Radiation damage and decay characteristics of zinc selenide emission band.//j. Phys.Chem.Solids.- 1974.- v.35.-N1,- P. 97.

151. Bouley J.C., Blanconnier P., Herman A. et.al. Luminescence in Highly conductive n type ZnSe.// J. Appl. Phys.- 1975.- V.46.-N 8.- P. 3549.

152. Коротков В.А.,Маликова Л.В.,Морозова В.И., Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989,- № 3,- С. 42-46.

153. Андреев А.А., Борисенко Н.Д., Коваленко А.В. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSei„x .// Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы.-1983.- т. 19.- № 3,- С. 376-379.

154. Бережная А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe./'/' Физ. тв. тела.- 1988.-т.ЗО К« 7,- С. 2206.

155. Сушкевич К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучательной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// Физ. и техн.полупроводников. ~ 1989.» т.23.= № 4.- С. 737-739.

156. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implan-tatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53.- № 24.- P. 2403-2405.

157. Ембергенав Б., Корсунская H.E., Рыжиков В.Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.-т.27,- № 8 С. 1240-1246.

158. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultanens measurement of thermally stimulated luminescence and thermally stimulated current of ZnSe singl crystal// J. Phys.D.-1995.-v.28.- № 9. P. 1951-1957.

159. Махний E.B., Мельник B.B. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором.// Неорган, материалы.- 1995.- т.31.~ № 10.- С. 1294-1295.

160. Брук Л.И., Горя О.С., Короткое В.А., Ковалев Л.Е., Маликова Л. Симашкевич А.В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы,- 1995 т.31,-№10,- С. 1296-1298.

161. Березовский М.М., Махний В.Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd.// Неорган, материалы 1995. - т.31.- № 10,- С. 1299-1301.

162. Березовский М.М. Махний В.П., Мельник В В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлекгронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы.- 1997.-т.ЗЗ,- № 2.- С.181-183.

163. Larssen D.L. Admittance spectroscopy of deep impurity levels; ZnTe schottky barriers.// Appl. Phys. Lett.- 1972,- v.21.-№ 2.- P.54-56/7

164. Aven M., Segall B. Carrier mobility and shallov impurity states in ZnSe arid ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.-v. 130.-№ l.-P. 81-91.

165. Tubota H. Temperature dependences of the resistivity and Hall effect of ZnTe.// Japan J. Appl. Phys.- 1963.- v.2.- № 1,-p. 259-263.

166. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Мартынов B.H., Платонов Ю.В., Баюк А.В. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствительностимонокристаллов теялурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1970.-т.4.- № 5.- С. 900-903.

167. Гасанбеков Г'.М., Карпович И.А., Магомедов Н.П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe.// Учен.записки Горьковского ун-та,- 1973,- вып. 167,- С. 61-63.

168. Verity D., Bryant F.I., Scett C.G., Shaw D. Deep level trapsient spectroscopy of hole traps in Zn-annealed ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1983,- v.46.-№11.-P. 795-798.

169. Pautrat I.L., Katircioglu В., Magnea N., Pfister I.C., Revoil L. Admittance spectroscopy : powerful characterization technique for semi con- ductors crystals-application to ZnTe.// Sol.Stat.Electronics.- 1980.- v.23.- № 11,-P. 1159-1169.

170. Magnea N. Bensahel D., Pautran J.L., Saminadayar K., Pfister J.C. Electrical and optical identification of the persistent acceptor as copper in ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1979,- v.30.~ № 5.- P. 259-263.

171. Макаренко В В., Потыкевич И.В., Рыбалка В.В. и др. Фотопроводимость легированных кристаллов ZnTe.// Физ.и техн.полупроБ.~ 1970.- т.4.-№.9.-С. 1835.

172. Magnea N. and Pautrat I.L. Irradiation induced radiative centres in ZnTe.//Sol.Stat. Commun.- 1980.-v.34.-№ 4.- P.261-263.

173. Noras C.B. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and nature of the postrange defects from implantation.// J. Appl.- Phys.- 1982 v.53.- № 7.- P.5172-5177.

174. Бродин M.C., Гоер Д.Б., Манко М.Г. .Ассоциация дефектов в ZnTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1973.-т.7.-№ 5,- С. 705-708.

175. Title R.S., Mandel G.„ Morehead F.F. Self Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors II n-ZnTe.//Phys.Rev.- 1964.-v.136.- №1A.- P. A300-303.

176. Цуркмаи A.E., Берлан В.И. Термолюминесценция и термостимули-рованная проводимость в ZnTe./VB кн. "Новые полупроводниковые соединенияи мх свойства", Кишинев: изд-во "Штетшца"-1975.-С. 83-87.

177. Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and plio-toelectronic properties of ZnTe-Al crystals.//!. Appl. Phys.- 1972.-v.43.-№ L P. 172» 182.

178. Гамарник P.B., Гнатеико Ю.П. и др. Примесные состояния ионов никеля в кристаллах CdTe и ZnТе.// Укр. физ. журнал.- 1993 т.38.-№ 7.- С. 1106-1111.

179. Блашкив B.C., Григорович Г.М., Курик М.В., Макаренко В.В. О механизме инфракрасной фотошоминесценции теллурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974.» т.8,- № 11.- С. 2251-2253.

180. Рыжиков В.Д., Гаврюишн В.И., Казлаускас А., Рачюкайтис Г. Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe(Te).// Физ. и техн. полупроводников.- 1991.-т.25.- № 5,- С. 841-846.

181. Szeles C.S., Shan Y.Y., Lynn K.G., Modenbaugh A.R., Eissler E.E. Trapping properties of cadmium vacancies in Cdi„xZnxTe.// Phys. Rev. В.- 1997.» v. 55,-№ 11.- P. 6945-6946.

182. Noms C.B. Effects of Zn-vapour heat treatments on the edge emission and deep center luminescence of ZnTe. // J. Electron. Mater.- 1980.- v.9.- № 6.-P. 913-931.18/. Физика соединении A"

183. B° // (Под редакцией Георгобиани A.H., ШейшшанаМ.К.).- М.: "Наука".- 1986. 320 С.

184. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир",- 1977. 562 С.

185. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз.- 1959.

186. Бабаев А.А., Габибов Ф С Б Зобов Е.М. Квантовые размерные эффекты в а Si:H/ а - С:Н.// Письма в ЖТФ,- 1995.-r.21.- в.22,- С.

187. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир",- 1973. 456 С.

188. Каваляускене Г.С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулирован-ного разряда конденсатора.// Физ. и техн. полупроводников.» 1969.- т.З.» № 3. С. 445-446.

189. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.// М. изд-во МГУ,- 1995.- 399 С.

190. Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефекгов.// М.: изд-во "Атомиздат"- 1977. 204 С.

191. Meier Н., Jaan-Teeler effects staking Faults and the formation of polytype S in ZnS.// Phys. Stat. Sol.(b).- 1976.- v.52.-№ l.-P. K65-K68.

192. Берман., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров.// М.: изд-во "Наука",- 1980.- 126 С.

193. Сальков Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания.// Физ. тв. тела,- 1963,-т.5,- № 1.- С. 240-245.

194. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.// М.: изд-во "Мир".- 1973.- 416 С.

195. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Шульга Е.П. Исследование нового метода определения параметров уровней прилипания, ограничивающих инжекционные токи в полупроводниках.// Укр. физ. журнал.- 1978,-т.23.-№2.- С. 291 -294.

196. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках.// Киев: изд-во "Наукова думка",- 1981.~ 254 С.

197. Lu Lianggand. The principle of a new method for determining local trapping states by space-charge-limited current.// J.Appl. Phys.- 1993.- v.73.- №11,-P. 7487-7490.

198. Шейнкман М.К., Тягай В.А., Беленький ГЛ., Бондаренко В.Н. Исследование природы очувствления CdSe монокристаллов в результате их травления.// Укр. физ. журнал.- 1968.» т. 13,- № 9.- С. 1453-1457.

199. Dow John D., Hong Run-Di, Klemm Stefan, Ren Shang Yuan, et.all. Proposed explanatio of the p-type doping proclivity of ZnTe.// Phys. Rev. B. -1991-v.43.- № 5.- P. 4396-4407.

200. Голубков A.B., Гончарова E.B., Жузе В.П., Логинов Г.М., Сергеева В.М., Смирнов И.А. Физические свойства халькогенвдов редкоземельных элементов.// Л.: изд-во "Наука",- 1973.» 304 С.

201. Zachariasen W.H. Crystal chemical studies of the 5f serios of elements. 1. New structure types.// Acta crystallagr.B.- 1948.- v. 1.- P.265-268.

202. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.// Справочник иод ре д. А. В.Новоселова.- М.: "Наука".- 1978.

203. Кустова Г'.Н., Обжерина К.Р., Камарзин А.А., Дулепов Е.В., Дербенева С.С., Баданов С.С. Оптические свойства, диэлектрические проницаемости и химическая связь в сульфидах РЗ металлов.// Ж. стугсг. химия,- 1969,- т.10.-№?4.~С. 609-612.

204. Ельяшевич М.А. Спектры редких земель.// М.: "Гостех-теоретиздат" 1953.- С. 441-442.

205. Dieke G.H. Spectra and energy levels of rase easths ions in crystal.// New York: Sohn Wiley and sons.- 1968. 401 P.

206. Кустов У.Ф., Бондуркин Г.А., Муравьев Э.Р., Орловский В.П. Электронные спектры соединений редкоземельных элементов.// М.: изд-во "Наука" -1981.-303 С.

207. Dieke G.H., Crosswhite Н.М. The spectra of the doubly and triply ionized rase easths.// Appl. Optics.- 1963.- v.2.- № 7.- P. 675-686.

208. Henderson J.R., Muramoto M., Loh E., Gruber J.B. Electronic structure of rase earth sesquisulfide crystals// J. Chem. Phys. -1967.- v.47.« № 9.- P.3347-3352.

209. Henderson J.R., Muramoto M. Optical spectrum of singl crystal Nd2S3-// I. Chem. Phys.» 1970.- v.52.- И& 5.- P. 2311-2314.

210. Иванченко Л. А., Лашкарев Г.В.,Падаренко Ю.Б.,Обо лончик В.А. Радзиковский C.B., Гальник В.Ф. Сб.'Тедкоземельные металлы и их соединения"// Киев: изд-во "Наукова думка".- 1970.» С. 180.

211. Kurnick W.S., Meyer С. Determination of the optical parameters of the y-phase of cerium sulfide.// J.Phys.Chem. Solids.- 1964.-v.25.-№11.- P. 115.

212. Залевский B.K., Лашкарев Г.В., Соболев В.В., Сырбу Н.И. Экспериментальное исследование энергетической структуры зон некоторых хаяькоге-нидов РЗЭ.// Укр. физ. журнал,- 1966.-т.П.-№ 6.- С. 638.

213. Константинов BJL, Скорняков Г.П., Камарзин A.A., Соколов В.В. Оптические свойства монокристаллов La2S3.// Изв. АН СССР. Неорг. материалы,- 1978,-т. 14,-№ 5,-С. 843-848.

214. Жузе В.П., Камарзин A.A., Карин М.Г., Сидорин К.К., Щелых А.И Оптические свойства и электронная структура сесквисульфидов РЗ-метшшов в области фундаментального поглощения.// Физ. тв. тела.-1979.- т.21.- № П.- С. 3410-3415.

215. Пукинскас Г.Б., Бабонас Г.А. Особенности центров свечения в у-Nd2S3.// Лит. физ. сборник.- 1985,- т.25.- № 4,- С. 75-80.

216. Георгобиани А.Н., Демин В.И., Логозинская Е.С. Люминесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La202S, легированных редкоземельными ионами.// Труды ФИ АН СССР.-1987,- т. 182.-С. 69-123.

217. Камарзин A.A., Камышлов В.Ф., Косцов Э.Т. Фотопроводимость сесквисульфидов редкоземельных металлов.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы,- 1981,-т. ! 7,-№ 12,-С. 2143-2145.

218. Астафьев Л.В., Скорняков Г.П., Камарзин A.A. и др. Фотопроводимость полуторного сульфида лантана,// Физ.тв.тела.-1982.-т.24.~№2.-С.647-649

219. Георгобиаии А.Н.,Глушков M.B. и др. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов y~-La2S3.// Препринт. ФИ АН СССР М.: 1981. 6 С.

220. Глуржидзе Л.Н., Гзиришвили Д.Г., Джабуа З.У. и др. Спектральные зависимости фотопроводимости в тонких пленках Dy2S3 и Yb2S3, легированных кадмием.// Физ. тв. тела.- 1983.- т.25.- № 3.- С. 935-936.

221. Глуржидзе Л.Н., Гзиришвюш Д.Г., Кошоридзе С.И. и др. Фотоэлектрические свойства тонких пленок полугорного сульфида самария, легированного свинцом и кадмием.// Физ.тв.тела.-1982.-т.24.-№5.-С.1403.

222. Batirov Т.М., Fridkin V.M., Kamamn A.A. etal. Photoconductivity and photovoltaic effect in cubic piezoelectric La2Sj.~ Phys. Status Solidi (a).// 1981.-V.65.- P. K163-K165.

223. Волконская Т.Н., Щелых А.И., Соколов B.B., Смирнов И.А. Дисперсия элекгроопгического коэффициента и фотохроизм Dy2S3.// Физ. тв. тела,-1985.- т.27.- № 4.- С. 1132-1134.

224. Гзиришвили Д.Г.,, Глуржидзе Л.И.,, Имуридзе Т.Н., Касрадзе Г.В.

225. Некоторые особенности процессов долговременной релаксации фотопроводимости в пленках Dy2S3.// Тезисы докладов V Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников.-Саратов: 1990. -Ч.1.-С. 51

226. Пухлий Ж.А. Электронная структура, оптические и люминесцентные свойства монокристаллов La2S3, La202S.// Там же с. 83-84.

227. Жузе В.П., Карин М.Г., Сидорин К.К., Соколов В В., Щелых А.И. Оптические свойства сесквисульфидов празеодима в области фундаментального поглощения.// Физ.тв.тела.- 1985.» т.27,- № 12.- С. 3662-3666.

228. Балабанова Л.А., Жузе В Н., Остроумова У.Г., Шульман С.Г. Неупругое рассеяние электронов в сесквисульфидах лантана и самария.// Физ. гв. тела,- 1983. т.25.-№6,- С. 1686-1689.

229. Жузе В.IX, Щелых А.И. Огггические свойства и электронная структура полуторных сульфидов и оксидов редкоземельных металлов.// Физ. и техн. полупроводников.- 1989 т.23.- № 3.- С. 293-315.

230. Георгобиани А.Н., Глупнсов М.В., Камарзин A.A. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов у— La2S3.// Квантовая электроника.- 1982,- т.9,- № 7,- С. 1515-1517.

231. Георгобиани А.Н., Камарзин A. A., Логозинская Е.С. Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах y-LaÄ.// Физ. и техн. полупроводников.- 1983.- т. 17 № 2,- С. 316-318.

232. Георгобиани А.Н., Глушков М.В., Логозинская Е.С. и др. Излуча-гельная рекомбинация в монокристаллах у- La2S3. // Препринт ФИ АН СССР.-JNb 181.-М.: 1982. 18 С,

233. Georgobiani A.N., Glushkov M.V., Logozinekaya E.S. et.al. Raduativ recombination in y-La2S3 single crystals.// Phys. Status Solidi(a).- 1983,- v.76.-P.311-317.

234. Глушков M.B., Мамедов A.A., Прохоров A.M. и др. Резонансное возбуждение Nd3+ в монокристалле полупроводника Gd2S3.// Письма в ЖЭТФ.-1980.™ т.31,- № 2.- С. 114-117.

235. Каминский A.A., Саркисов С.Э., Чан Нгок и др. Фотолюминесценция ионов Nd3+ в широкозонном сульфиде y--La2S3Изв. АН СССР. Неорг. материалы.- 1980.- т. 16.- № 8.- С. 1333-1345.

236. Камарзин A.A., Мамедов A.A., Смирнов В.А. и др. Деградация электронного возбужденного состояния 4F3/2 ионов Nd3+ в монокристаллах у~ La2S3.// Квантовая электроника,- 1983.- т. 10.- № 3.- С. 569-573.

237. Камарзин A.A., Мамедов A.A., Смирнов В.А. и др. Концентрационное тушение и квантовый выход люминесцешщи Nd3+ в полупроводниковых кристаллах y-La2S3 и в стеклах La2S3 2Ga203.// Физ. тв. тела,- 1983.- т.26.- № 6,-С. 1664-1669.

238. Камарзин A.A., Мамедов A.A., Смирнов В.А. и др. Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах y-La2S3 и в стеклах La2S3 2Ga203.// Квантовая электроника.- 1983,- т. 10.- № 8.-С. 1560-1564.

239. Камарзин A.A., Мамедов A.A., Соколов В.В. и др. Концентрационное тушение и квантовый выход люминесценции Nd3+" в полупроводниковых кристаллах y-La2S3 и в стеклах La2S3 2Ga203.// Препринт ФИ АН СССР.- № 7. М.: 1983. 17 С.

240. Аллахвердиев K.P., Камарзин A.A., Мамедов A.A., Соколов В.В. Процессы возбуждения и релаксации ионов Nd3+ в La2S3 2Qa%Q$.H Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников. Новосибирск; 1987.- С. 171.

241. Бахтаяров И.Б., Аббасов М.М., Гаджиев H.H. Оптические спектры сплавов в области сгеклообразовапия системы ОагЗд-РгаВз.// Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников. Новосибирск: 1987,- С. 173.

242. Свешникова КБ.,, Соколов В/В., Строганов А.Л. Безызлучательная дезактивация ионов редкоземельных элементов в халькогенидных стеклах.// Оптика, и спектроскопия.- 1987,- т.63.- № 1.- С. 141-146.

243. Ризаханов M.А., Зобов E.M., Эмиров Ю.Н. Способ изготовления инфракрасных примесных фотодетакгороБ на основе CdSe.// Авторское свиделiv. п 1 ол I f. 1 n-7n гi i i J'iJf / S t .1. j J i .--* Ji.

244. Ризаханов M.A., Зобов E.M. Способ изготовления детекторов ИК света на основе селенида кадмия.// Авторское свидетельство №843652.- 1981 г.

245. Соколов В.В., Стонога Ю.А., Рояк А.Я., Аюпов Б.М. Получение и физические свойства стекол на основе сульфидов редкоземельных металлов.// Физика и химия стекла.- 1989.- т. 15.- С. 62-66.

246. Bube R.H. Photoelectronic properties of imperfections in cadmium sulfo-selenide solid solutions.// J. Appl. Phys.~ 1964,- v.35,- № 3.- P.576-595.

247. Антонов-Романовский B.B. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946,- т. 10,- № 5-6.- С. 477-487.

248. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948 V.A60.- N342.-P. 574-590.

249. Ризаханов M.A. Об одной возможности определения сечения захвата электрона ловушками.// Изв. ВУЗов,физика.~1971 .-№1 .-С. 153-154.

250. Габибов Ф.С., Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Эмиров Ю.Н., Ризаханов М.А. Быстрые и медленные центры прилипания электронов в фотопроводниках CdS, CdSe.// Фотоэлектроника.: Респ. мсжвед. научный сб.: Одесса-Киев -1987. вып.1.- С. 54-59.

251. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe.// Физ.и техн. полупров.- 1980 -т. 14 в. 12.- С.2407-2410.

252. Зобов Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// Физ. и техн. полупров,- 1987,-т 21,- в. 9, -С. 1637- 1641.

253. Зобов Е.М. Фотоэлектрические и инжекционные процессы в селенвде кадмия.// Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук.- Ростов-на-Дону.•• 1986.» 20 С.

254. Киреев П. С. Физика полупроводников.// М.: изд-во "Высшая школа"- 1969.- С. 199 и С. 558.

255. Bates D.R., Leadsham К., Steward A.L. Wave funchin of the hydrogen molecular ion.// Philos. Trans., Roy. Soc. Lond. Ser. A.-1953. -v. 246,- № 910 P. 215-240.

256. Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the X1^, Zu and 'П,, states of hydrogen molecule.// J. Chem. Phys.-1965.-v.43. -№ 7.-P. 2429-2441

257. Ризаханов M.A., Хамидов M.M. Фогостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe.// Письма в ЖТФ.- 1985.-т.П.-№9,-С. 561-567.

258. Зобов Е.М. Высокотемпературный примесный детектор ИК излучения среднего диапазона на основе селенида кадмия.// Тезисы II Всесоюзной конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Ашхабад: 1991,-С. 300.

259. Агаев Я., Гарягдыев Г., Зобов Е.М., Ризаханов М.А., Ильясов X. Глубокие центры в кристаллах ZnKCdixSe.// Изв. АН Туркмен. ССР, сер. физико -технич., химич. и геологич. науки.- 1984.- № 3.- С. 77-78.

260. Tutihasi S.J. Opt.Soc.Amer- 1951.- v.42.- № 4.- P. 249-251. (Цитируется rio 3.).

261. Кульсрешта ATI, Горюнов B.A. О расчете термостимулированных токов.// Физ. тверд, тела,- 1966-т.8 №6.- С. 1944-1946.

262. Ризаханов М.А. Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостамулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках.// Физ. тв. тела.» 1989.- т.31.- № 11.- С. 193-196.

263. By Куапг, Фок M.B. О соотношении между оптической и термической глубинами электронных ловушек.// Труды ФИАН СССР.- 1974.- т.79. -С. зУ-оз.

264. Brodribb J.D., D О' Colmain, Hughes D.M. The theory of photon-stimulated current spectroscopy.// J.Phys.D: Appl.Phys.™ 1975.» v.8.~ J'sr®7.- P.856.

265. ЗибуцЮ.А., Паршраш Л.Г., Рывкин С.М. Примесный фотоэффект, ивдуцированный монополярной инжекцией.// Физ. и техн. полупроводников,1967,- т.№ 4.» С.724-730.

266. Бочков Ю.В., Георшбиани А.Н. Люминесцетщя и фотоэлектрические свойства характеристики диодов на основе сульфида цинка.// Труды ФИЛИ СССР.- 1983.-т. 138.- С.46-78.

267. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В. Электролюминесцеигпше характеристики светодиодов на основе ZiiSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1984,- т. 18,- № 3,- С.408-411.

268. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Эффекты неравновесной фоточув-стаигельности в селениде кадмия, обусловленные инжекцией.// Депонировано ВИНИТИ,- № 1442-85. - 27 с.

269. Зобов Е.М. Инжекционные процессы в фоточувствительной структуре In-CdSe-In .// Тезисы докладов научной сессии Дат. ФАН СССР. Махачкала: 1988.- С. 49.

270. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Иижекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSeAg в среднем ,диапазоне ИК света,//-Физ. и техника полуправ.- 1989. т.23.-- в.7.- С. 1291-1293.

271. Зобов Е.М. Магомедава П.М. Инфракрасная люминесценция (liv = 1.3-1.5 эВ) селенида кадмия и ее связь с электронными центрами прилипания а-типа.//-Вестник ДНЦРАН, 1998,- №2.- С. 8-11.

272. Зобов Е.М. Термоакгивационная спектроскопия глубоких центров в инжекпионно очувствленных полупроводниках типа CdSe.//- В сб. "Оптические, фотоэлектрические и релаксационные явления в конденсированных средах",- Махачкала: 1990.- С. 101-110.

273. Розенталь А. И., Калда А. А. Теория тока, ограниченного объемным зарядом, с учетом эффектов Ричардсона-ПГоттки и Пула-Френкеля.// В кн. "Проблемы диэлектрической электроники".- Ташкент: изд-во ФАН.- 1974.-С.263-269.

274. Марков М.Н. Приемники инфракрасного излучения.// М.: изд-во "Наука",- 1968,- 167 с.

275. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов.// М.:из д-во"Советское радио".-1970.•• 392 с.

276. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.// М.: изд-во "Мир".- 1980.-208 с.

277. Выставкин А.Н., Годик Э.Э., Губанков В.Н., Коган LII.M., и др. Высокочувствительные приемники электромагнитного излучения.// В сб. "Проблемы современной радиотехники и электроники" ~ М.: изд-во "Наука",- 1980.-С. 359-412.

278. Афиногенов В.М., Айтхожин A.C., Страхов В.А., Телегин А., Трифонов В.И. Высокочувствительные приемники субмиллиметрового излучения на основе n-GaAs.// Изв.ВУЗов, сер.радиофизика.- 1972.-т.15.-№ 10.- С. 15721579.

279. Берман Л.В., Кальфа A.A. Об особенностях спекгра ионизированных донорных пар в эпш аксиальном n-GaAs.// Физ. и техн. полупров.» 1976,т. 10.-- № 12,-С.2251-2254.

280. Берман Л.В. О природе пиков фотопроводимости эпитаксиального n-GaAs в диапазоне длин волн 0.3-0.4 мкм.// Физ.и техн. полупров.- 1976,-•г. 10,- № 3,- С.597-600.

281. Власова Е.О., Мартынов В Н., Морозов В.А., и др. Электрические и фотоэлектрические свойства фоточувсгвительного элемента на основе InAs.// Неорган, материалы,- 1995.- т.31.-№ 10.» С. 1260-1263.

282. Залетаев Н.Б., Ншшфорова В.П., Стафеев В.И. Инжекционное усиление фототока в полупроводниках .// Физ.и техн. полупров.-1978.- тЛ2.-№ 9.-С. 1719-1722.

283. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика и техника ггалупроводниковых приборов.// М.: изд-во "Советское радио",- 1980.- 296 С.

284. Александров В.Н., Гершензон Е.М., Мельников А.П., Серебрякова H.A. Полупроводниковый Н* фоторезистор субмшшиметрового диапазона воли.// Физ. и теки. полупровадников.~1977.- т. 11.- № 3.» С.532.

285. Ризаханов M.A.S Абрамов И .Я., Зобов Е.М. Способ изготовления высокотемпературного инфракрасного фощдетекгора на основе теллурида кадмия.//Авторское свидетельство №i 1005612, 1982 г.

286. Зобов Е.М. Природа центров инфракрасной люминесценции (к = 820930 нм) в селениде кадмия.// В сб. "Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников".- Махачкала: 1987,- С. 63-69.

287. Зобов Е.М. Люминесценция соединений А2Вб и ее связь с быстрыми и медленными центрами прилипания.// Труды Международной конференции "Оптика полупроводников".- Ульяновск.- 1998,- С. 60.

288. Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Абрамов И.Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в ZnS на основе новой модели центров свечения.// Физ.и техн.полупр.- 1978.- т. 12.- в. 11.- С.2186-2190.

289. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Собствен-но-дефеютше центры люминесцентщи в ZtiS р~типа.// Труды ФИАН СССР,-1983.-т. 138.-С. 79-135.

290. Lee K.M., O'Donneil K.P., Watkms J.D.// Solid State Communs.- .1982.-v.41.-N12.-p. 881-883 (цитируется no 153.).

291. Зобов Е.М. Новая зеленая полоса фотошоминесценции в кристаллах сульфида цинка.// Тезисы докладов 4 Всероссийского еовещения "Физика и технология ишрокозонных шшупроводников".- Махачкала: 1993,- С. 52.

292. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Электролюминесценция симметричных структур In-ZnSe-In.// Вестник ДГУ.-Естественно-технические науки.»1997.- Mi 4.» С. 49-51.

293. Зобов Е.М., Магомедова П.М. Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Термоактивационные процессы в неактивированных кристаллах ZnSe.// Вестник ДГУ.-Естественно-технические науки.-1997- №4,- С. 52-54.

294. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Хамидов М.М. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe. // Труды Международной конференции "Оптика полупроводников".- Ульяновск 1998.- С. 58-59

295. Лашкарев В.Е. Птащенко А.А. Кинетика примесной фотопроводимости полупроводников типа CdS.// Укр.физ.журнал.~1970.~т.15.~ № 7 С.-1108-1115.

296. Ризахатюв М.А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe:Cu.// Физ.и техн. полупр -1979.- т. 13. в. 10.- С. 2030-2032.

297. Бонч-Бруевич B.JT. К вопросу о рекомбинационных колебаниях.// Физ. и техн. полупров.- 1969 т.З.- №2,- С. 375-377.

298. Пожела Ю.К. Плазменные токовые неустойчивости в полупроводниках.// М,: "Наука".- 1977,- С. 282-293.

299. Kc Kaj K.G. Avalanche breacdownin silicon.// Phys.Rev.- 1954.-v.94. № 3,- P. 877-880.

300. Река C.P., Brodovoi V.A.S Gorak A.Ch., Daricot N.Z., Mirets L.Z. Ava lanche switching and instability phenomena in symmetric semi-insulating GaAs structures.// J. Rhys.Stat.Solidi (a).-1974.-v.26.-№> 3.- P.729-731.

301. Khosla R.P., Fischer J.R., Burkey B.C. Impact ionization breakolomn in and photoinduced switching in CdSe.// Phys.Rev.В:Solid State.- 1973.- v.7.- № 6.-P. 2555-2564.

302. Ризахатюв M.A., Зобов E.M. Абрамов И.Я. Явления электрической неустойчивости в n-CdSe и p-CdTe.// Материалы III республиканской научно-практической конференции молодых ученых Дагестана,- Махачкала

303. Q7Q ,т TT Г5 'JA Ib / О.™ 4.11." u.JU.317 . Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSerAu в области отрицательного дифференциального сопротивления.// Физ. и техн. полупров.- 1979.-т. 13.- в.5.~ С. 998-1000.

304. Забродский А.Г., Шлимак И.К. Ударная ионизация как электронный механизм эффекта переключения.// Физ. тв. тела.- 1974.- т. 16.- №12.-С.2350

305. Абдуллаев М.А., /лиев Г.Н., Гаджиев Г.Г., Зобов Е.М. Фотолю-шшесценция пошжристаллического и аморфного La2S3.// Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников,-Новосибирск: 1987.- С. 172.

306. Зобов Е.М., Соколов В.В. Природа центров фотолюминесценции в стеклах на основе полуторного сульфида лантана.// Материалы Международной конференции "Физические явления в некристаллических полупроводниках".- Ужгород: 1989.» т.2.» С.84-86.

307. Зобов Е.М. Роль собственных дефектов полуторного сульфида лантана в процессах излучательной рекомбинации.// Тезисы докладов VIII Всесоюзной школы по актуальным проблемам физики и химии редкоземельных соединений.- Апатиты: 1991.- С. 36.

308. Зобов Е.М., Соколов В В., Шарапудшюва А.Х., Лугуев С.М. Природа и параметры центров излучательной рекомбинации в полуторном сульфиде лантана,// Физ. тв. тела,- 1993.- т.35,- в. 3.~ С.636-641.

309. Андреев О.В., Кертман A.B., Дронова Г.Н.// Синтез двойных сульфатов и взаимодействие в системе CaS~La2S3.// Сб."Физика и химия редкоземельных полупроводников".~ Новосибирск: изд-во "Наука".- 1990.» С. 143-150.

310. Георгобиани А.Н. Бинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках.// В сб. "Широкозонные полупроводники".- Махачкала: ДГУ, 1988.- С.74-81.

311. Васильева И.Г., Борисов C.B., Комсов Б.А., Косяков В.И.// Материалы IV международного советско-зап. германского семинара "Исследование соединений на основе РЗЭ"« Тбилиси 1988.- С.185-191.

312. Зобов Е.М., Исмаилов III.M., Лугуев С.М., Шарапудинова А.Х. Фото- и термоэлектрические свойства кристаллов сульфида лантана.// Тезисы докладов 4 Всероссийского совещания "Физика и технология широкозонных полупроводников"- Махачкала: 1993.-С. 51.

313. Зобов Е.М., Бабаев A.A., Шарапудшюва А.Х., Соколов В.В. Фотолюминесценция стекол на основе полуторных халькогегшдов лантана переменного состава.// Неорган, материалы.» 1998.- т. 34.» № 5.- С. 632-634.

314. Якубова Н.М., Зобов Е.М. Фотсшюминесценция стеклообразных материалов на основе редкоземельных элементов.// Тезисы докладов XII Республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов Дагестана.- Махачкала,- 1988.- С. 311.

315. Любин В.М. Фотографические процессы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников.// В кн.: Несеребряные фотографические процессы.: Ленинград.- изд-во "Химия".- 1984.- С. 193-221.

316. Бабаев А.А., Зобов Е.М. Фатоетруктурные превращения и эффект усталости фотолюминесценции в деформированных кристаллах и порошках As2S3, GeSe2, As3Sе3.// Неорган, материалы. -1996.- т.32,- № 9.-С. 1074-1077.

317. Бабаев А.А., Зобов Е.М., Габибов Ф.С. Фотолюминесценция и фотоструктурные превращения в деформированных кристаллах и порошках дисе-ленида германия и сульфида, селенида мышьяка.// Химическая физика, -1997.-т.16.-№5.-С. 56-60.

318. Бабонас Г.Ю. Оптические свойства силленигов./У В кн.: Электронная структура и оптические спектры полупроводников.- Вильнюс, Мокслас 1987.-С.41-124

319. De Neufville J.R., Moss S.C., Ovshinsky S.R.// Non-Cryst. Sol.- 1974.-v.13 P.191.

320. Зобов E.M., Малышев C.B., Насрулаева А.Х., Соколов В.В. Реверсивный эффект фотопотемнения в стеклах состава Pr2S3 2Ga203 // Тезисы докладов V Всесоюзной конференции "Физика и химия редкоземельных полупроводников".- Саратов: 1990,- т. 1С. 87.

321. Малышев C.B., Насрулаева А.Х., Зобов Е.М., Соколов В.В. Обратимые фотостимулировашше процессы в стеклах (Laix Рг х )2 S3 2Ga2 03// В сб. "Оптические, фотоэлектрические и релаксационные явления в конденсированных средах".- Махачкала: 1990.- С. 136-146.

322. Насрулаева А.Х., Зобов Е.М., Соколов В.В. Фотолюминесценция и механизм ее возбуждения в стеклах (La1„xPrx)2S3 2Ga203.// Тезисны докладов VIII Всесоюзной школы по актуальным проблемам физики и химии редкоземельных соединений.- Апатиты: 1991.- С. 37.

323. Зобов Е.M., Насрулаева А.Х., Соколов В.В. Фотоиндуцированные процессы в стеклах (ba^Pr^Ss 2Ga203 .// Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по физике стеклообразных твердых тел.™ Юрмала: 1991.» С. 144.

324. Зобов Е.М., Наерулаева А.Х., Соколов В.В. Фотохромные эффекты в стеклах (Lai„xPrx)2S3 2Ga303 .// Оптический журнал,- 1996.- № 3.~ С. 62-65.

325. Kolobov А.V., Kolomieís В.Т., Konstaiitinov O.V. and Zyubin V.M. A model of photostnictural changes in chalcogenide vitreous semiconductors: 1. Theoretical considerations// J.Non-Cryst. Sol.- 1981.- v.45.~ P. 335-341

326. Камарзин A.A. Термодинамические свойства в гомологических рядах халышгенидов РЗМ// Тезисы докладов. 4-ая Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников.- Новосибирск.- 1987.~ С.84.