Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Питиримов, Алексей Николаевич

• Питиримов, Алексей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Питиримов, Алексей Николаевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Обзор литературы

§1.1. Основные азотные дефекты в природном алмазе

§1.2. Физическая классификация алмазов и методы

определения концентрации примесного азота

§1.3. Экспериментальные исследования центров захвата

в природном алмазе

§ 1.4. Элементарная теория термостимулированных токов

короткого замыкания в электронейтральном диэлектрике

и методы ТАТС

§1.5. Постановка задачи

ГЛАВА II. Экспериментальная методика

§ 2.1.Экспериментальная установка

§ 2.2. Исследуемые кристаллы

§ 2.3. Методика проведения эксперимента

§ 2.4. Обработка экспериментальных данных

ГЛАВА Ш. Экспериментальные результаты

§ 3.1. Формирование неравновесного состояния

кристаллов природного алмаза

§ 3.2. Термостимулированный ток короткого замыкания

в режиме линейного нагрева

§ 3.3. Варьирование условий получения

поляризованного состояния в природном алмазе

§ 3.4. Результаты обработки данных ТСД численным методом

§3.5. Термостимулированный ток КЗ в режиме

фракционного нагрева

ГЛАВА IV. Обсуждение результатов

§4.1. Механизмы поляризации в кристаллах природного

алмаза

§ 4.2. Энергетическая структура основных азотных дефектов

и специфика токов ТСД в исследуемых кристаллах

§ 4.3. Накопление и термостимулированная релаксация

заряда в алмазе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность исследования. Интерес к природному алмазу, с одной стороны, обусловлен его практическим применением в электронике и электронной технике, в связи с чем становятся все более необходимыми фундаментальные исследования его примесно-дефектной структуры, оптических и электрофизических свойств. С другой стороны, алмаз является достаточно удобным модельным объектом для развития фундаментальных представлений электрофизики диэлектриков.

Перспективы алмазов в электронике связаны с основными физическими параметрами: дрейфовой скоростью насыщения носителей, теплопроводностью, напряженностью поля электрического пробоя, подвижностью электронов и дырок и диэлектрической проницаемостью, которая в алмазе минимальна, то есть равна высокочастотному значению £

= £оо=п2.

Дрейфовая скорость насыщения является важнейшим параметром полупроводника, определяющим наряду с напряженностью поля электрического пробоя, мощность и быстродействие диодов и транзисторов. Эта величина для электронов в алмазе является, как и теплопроводность, наиболее высокой среди всех полупроводников. Именно это обстоятельство в 90-х годах стимулировало развитие применения алмазов в электронике.

Как известно, произведение fin определяет перспективы и качество приборов, работающих на эффекте пролета носителей, в частности, детекторов ионизирующих излучений, а природный алмаз обладает

единственным в своем роде сочетанием радиационной стойкости ко всем видам излучений с высокими электронными свойствами, необходимыми для регистрации этих излучений. Таким образом, преимущества алмазных детекторов заключаются в следующем:

- отсутствие темнового тока;

- большое рабочее напряжение, обеспечивающее насыщение скорости дрейфа носителей без риска пробоя детектора;

- оптическая прочность и малая чувствительность к излучению в видимом диапазоне, что позволяет функционировать при высоких температурах и без специальных оптических окон;

- радиационная стойкость и химическая инертность;

- высокая подвижность (для электронов ¡1 ~ 2500 см2/(В-с)) и скорость дрейфа носителей, обеспечивающие большую эффективность и разрешение в режиме счета частиц.

В приборах сенсоэлектроники преимущества природного алмаза заключаются в большом разнообразии спектров фотоотклика, обусловленном полиморфизмом азотных дефектов, что позволяет в широких пределах варьировать интегральную и селективную фоточувствительность. Кроме того, большой и преобладающий фотосигнал в диапазоне 190 - 300 нм и весьма малые шумы в видимой области отличают природный алмаз от традиционных материалов (СсШ, ваАБ, ваР и др.), в которых наблюдается прямо противоположная ситуация.

Однако научные исследования в течение последних десятилетий показали, что основная примесь в алмазе - азот (который агрегируется в различных структурных формах в кристаллической решетке алмаза), существенным образом влияет на основные физические параметры

приборов из природного алмаза, изменяя их в зависимости от преобладания в кристаллах той или иной его структурной формы.

Вместе с тем установлено, что на работу детекторов и датчиков излучений на основе природного алмаза оказывает влияние пространственный заряд и поляризация детектора, что непосредственно связано с процессами электрической релаксации в этих материалах. Поэтому установление природы пространственного заряда, а также исследование механизмов его накопления и релаксации представляет интерес с точки зрения применения алмазов в электронике. Актуальным является также определение параметров электрически активных дефектов(ЭАД), которые играют важную роль в формировании потенциального рельефа детектора при его поляризации.

В связи с этим исследование электрической релаксации представляется актуальным, что позволит определять принципиальные возможности таких приборов, стабильность их работы, а также прогнозировать их свойства и основные технические параметры. Использование же неизотермической релаксации позволяет не только сократить время исследования, но и дифференцировать во времени различные релаксационные процессы.

Кроме того, исследование электрической релаксации именно в алмазах позволяет получать высоко воспроизводимые результаты за счет его достаточно высокой стабильности, что дает возможность использовать алмаз как модельный объект для развития представлений электрофизики диэлектриков.

Поэтому целью работы являлось исследование электрически активных дефектов и связанной с ними электрической релаксации заряда

в природных алмазах методами термоактивационной токовой спектроскопии(ТАТС). Была поставлена задача выяснить возможное влияние основных азотных дефектов (на примере алмазов типа 1а, содержащих наибольшее среди всех природных алмазов количество примесного азота в различных структурных формах) на спектры тока термостимулированной деполяризации(ТСД), что позволило бы не только выяснить механизмы поляризации, но также при помощи современных численных методов и экспериментальных методик определить параметры азотных дефектов.

Научная новизна. В отличие от известных работ В.И.Трубина, К.Н.Погодаева, С.Боулта, Ф.Навы, Ю.С.Мухачева и др., где лишь предполагалось влияние азотных комплексов на спектры тока ТСД и ТСЛ, в данной работе впервые определена природа пиков тока ТСД в температурном интервале 290 - 670 К. Установлено, что пики в области 500 - 650 К обусловлены А-центрами (два атома азота в углеродзамещающих положениях со спаренной электронной орбиталью), а пик в области 330 -380 К - В-дефектом (совокупность четного числа атомов азота в определенной кристаллографической плоскости).

Обработка данных ТСД численным методом на основе регуляризирующих алгоритмов, а также использование методики фракционной термостимулированной деполяризации, примененные к алмазу впервые, позволили не только однозначно определить параметры электрически активных дефектов в алмазе, но также установить существование сложной энергетической структуры А-центра и влияние на нее В-дефектов.

До недавнего времени во всех известных работах по тсрмоактивационной спектроскопии природного алмаза считалось, что поляризованное состояние обусловлено лишь объемно-зарядовой поляризацией(которая является частным случаем миграционной поляризации), однако в данной работе впервые показано, что на ряду с миграционной поляризацией в природном алмазе существует поляризованное состояние, образование и релаксация которого подчиняется закономерностям дипольной релаксационной поляризации.

Научная и практическая значимость. Установление сложной энергетической структуры азотного комплекса в алмазе способствует уточнению пространственной и электронной структуры А-центра, а также определению вида потенциала, описывающего взаимодействие А-дефекта с полем кристаллической решетки алмаза. С другой стороны, существование в природном алмазе поляризованного состояния, которое описывается закономерностями дипольной релаксационной поляризации, в некоторой степени корректирует наши предствления об электрофизике диэлектриков.

Установление взаимосвязи между существованием азота в достаточно больших концентрациях и характером кинетики фототока позволит производить экспрессный отбор малоазотных алмазов уже на стадии поляризации. Классификации природных алмазов и, соответствено, определению области их применения способствуют также установленные в данной работе корреляционные зависимости между зарядом ТСД и концентрацией примесного азота в какой-либо структурной форме.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Структура и температурная область проявления пиков тока ТСД обусловлены основными азотными дефектами в природном алмазе: в области температур 500 - 650 К пики соответствуют проявлению А-дефсктов, в интервале 330 - 380 К - В-дефектов.

2. Процессы поляризации природного алмаза при совместном воздействии УФ-излучения и внешнего электрического поля определяются механизмами квазидипольной релаксационной поляризации, связанной с А-дефектами, и миграционной поляризации, связанной с В-дефектами.

3. При изменении концентрации В-дефектов в природном алмазе происходит трансформация энергетической структуры А-центров от двухуровневой в кристаллах с преобладающим количеством А-дефектов до одноуровневой в кристаллах с сопоставимыми концентрациями примесного азота в форме А- и В-дефектов

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Питиримов, Алексей Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные исследования позволяют сформулировать основные экспериментальные результаты следующим образом:

1. Изготовлена универсальная экспериментальная установка, предназначенная для исследования как природных алмазов, так и любых других высокоомных диэлектриков методом ТАТС.

2. Показано, что основные азотные дефекты в кристаллах типа 1а оказывают влияние на спектры тока ТСД в температурном интервале 290670 К.

3. Получены корреляционные зависимости между зарядом ТСД в определенной области температур и концентрацией примесного азота в различных структурных формах в природном алмазе.

4. Установлены механизмы поляризации кристаллов природного алмаза.

5. Для природного алмаза впервые применен метод ФТСД, позволяющий определять распределение ЭАД по энергии активации, а также апробирован численный метод восстановления функции энергетического распределения ЭАД.

6. Получены основные параметры ЭАД, проведен их анализ с позиций предложенной модели накопления и релаксации заряда.

7. Установлена трансформация спектров тока ТСД в результате многократного повторения процедуры ТСД, которая заключается в уменьшении величины высокотемпературного пика при возрастании величины низкотемпературного пика.

8. Установлено,что релаксационная часть кривой кинетики установления фототока при совместном воздействии УФ-излучения и внешнего электрического поля непосредственно связана с накоплением заряда основными азотными центрами.

Совокупность экспериментальных результатов позволяет сделать следующие выводы:

1. Существует принципиальная возможность определения концентрации примесного азота в какой-либо структурной форме непосредственно из измерения заряда, высвобожденного в результате ТСД в определенном температурном интервале.

2. На основании полученных корреляционных зависимостей и сравнения энергетического спектра ЭАД, полученного методами регуляризации и ФТСД, с рельефом плотности состояний, известным из литературы, установлено, что пики тока ТСД в области температур 500-650 К обусловлены А-дефектами, а пик в области 330-380 К-В1-дефектами.

3. Структура основных азотных комплексов оказывает влияние на процессы накопления и релаксации заряда, в которых поляризованное состояние, обусловленное А-дефектами проявляет свойства дипольной релаксационной поляризации, а В1 -дефекты обуславливают миграционную поляризацию природного алмаза.

4. В исследованных кристаллах типа 1аА существует сложная энергетическая структура А-центров, которая трансформируется в более простую при переходе к кристаллам типов IaBl и 1а(А,В1,В2).

5. Сопоставление результатов работы с работами других авторов по исследованию трансформации азотных комплексов в природных и синтетических алмазах дает право предположить, что существует возможность изучения процессов комплексообразования азотных дефектов при значительно более низких температурах, чем традиционные температуры отжига.

6. Сравнение данных методов ФТСД и регуляризации для пика в области температур 330-380 К показало, что термостимулированная релаксация миграционной поляризации в природном алмазе происходит по кинетике первого порядка.

7. Определенные методом регуляризации значения частотных факторов(и соответственно сечения захвата) релаксационных процессов согласуются с моделью нейтральных центров.

8. Существует возможность отбора малоазотных алмазов на стадии поляризации по характеру кривой кинетики установления фототока.

Основное содержание работы отражено в следующих публикациях:

1. Gorokhovatsky Yu., Grigoriev L.V., Kvaskov V.B., Pitirimov A.N., Temnikov K.L. Thermally simulated currents in natural diamonds. //Сб.: Тез. Док. IV конференции: Перспективы применения алмазов в технике и электронике. М., 1994 г. С. 12.

2. Gorokhovatsky Yu. A., Grigoriev L.V., Kvaskov V.B., Pitirimov A.N., Temnikov K.L. Thermally stimulated currents in natural diamonds, Proc. 8th Inter. Symp. on Electrets, Paris, France, 7 - 9 Sept., 1994, P. 505 - 510.

3. Gorokhovatsky Yu. A., Grigoriev L.V., Kvaskov V.B., Pitirimov A.N., Temnikov K.L. Investigation of natural diamonds by thermally activated spectroscopy techique. // Сб.: Тез. докл. междун. науч. - техн. конференции. С. - Петербург, октябрь 1994 г. С. 57 - 58.

4. Питиримов А.Н., Сезонов Ю.И., Квасков В.Б., Гороховатский Ю.А. Долговременная фоторелаксация и токи ТСД в природных алмазах. // Сб.:

Тез. докл. V конференции. Перспективы применения алмазов в технике и электронике. М. 1995. С. 18 - 19.

5. Гороховатский Ю.А., Квасков В.Б., Питиримов А.Н. Ханин С.Д. Кинетика установления фототока в кристаллах природного алмаза. //Сб.: Физика и технология алмазных материалов. Материалы VI конференции. М., май 1996 г. С. 29-31.

6. Питиримов А.Н., Гороховатский Ю.А., Квасков В.Б. Нахождение плотности электронных состояний в запрещенной зоне алмаза с помощью токов термостимулированной деполяризации. // Сб.: Алмазы в технике и электронике. Труды Всероссийской конференции. М., май 1997 г. С. 11 -13.

7. Гороховатский Ю.А., Питиримов А.Н., Квасков В.Б. Исследование термостимулированной деполяризации в кристаллах природного алмаза. // Сб.: Тез. докл. межд. науч.-техн. по физике твердых диэлектриков. С.-П., июнь 1997 г. С.73-74.

8. Гороховатский Ю.А., Квасков В.Б., Питиримов А.Н. Плотность состояний в запрещенной зоне природных алмазов, найденная методами ТСД и ФТСД. // Сб.: Алмазы в технике и электронике. Труды междун. конференции. М., май 1998 г. С. 29 - 39.

9. Gorokhovatsky YU.A., Pitirimov A.N., Temnikov K.L., Kvaskov V.B. Investigation of nonisothermal charge relaxation in crystals of natural diamond. // Electrets. Coll. of Mater. Saint-Petersburg, 1998.-C.21-30.

Статьи 1 - 9 написаны в соавторстве с Ю.А. Гороховатским (постановка задачи, обсуждение результатов, редакция статей), С.Д. Ханиным (обсуждение результатов), В.Б. Квасковым (постановка задачи, обсуждение результатов, подбор материалов), Ю.И. Сезоновым и K.JI. Темниковым (помощь в интерпретации экспериментальных результатов, редакция статей), Л.В. Григорьевым (помощь в обработке экспериментальных данных). Автором полностью выполнена экспериментальная часть работы.

Апробация результатов работы.

Полученные результаты докладывались на Международной конференции: Алмазы в технике и электронике (Москва, 1998), на семинарах кафедры общей и экспериментальной физики РГПУ им. А.И. Герцена, а также на семинаре кафедры твердотельной электроники Московского института радиотехники электроники и автоматики (МИРЭА).

Работа выполнена в лаборатории диэлектриков кафедры общей и экспериментальной физики РГПУ им. А.И. Герцена. Автор выражает глубокую признательность научному руководителю, профессору Ю.А. Гороховатскому за руководство и постоянное внимание, В.Б. Кваскову - за предоставление уникальных образцов и помощь в интерпретации результатов исследования, К.Л. Темникову - за помощь в интерпретации результатов, В.А. Комарову - за помощь в создании экспериментальной установки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Питиримов, Алексей Николаевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Kaiser W., Bond W.L. Nitrogen, a major impurity in common type I diamond. // Phys. Rev., - 1959. - V.l 15. - №.4. - P.857 - 863.

2. Соболев E.B. О примесном полиморфизме в алмазе. // Сб.: Тезисы докл. Всесоюзн. конф. Перспективы применения алмазов в электронике и электронной техники., М, 1991. - С. 17 - 19.

3. Вавилов B.C., Гиппиус А.А., Конорова Е.А. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. - 120с.

4. Smith W.V., Sorokin P.P., Gelles I.L., Lasher G.J. Electron-Spin Resonance of nitrogen donors in diamond. // Phys. Rev., - 1959. - V.l 15. - №.6 - P. 1546 -1552.

5. Вечерин П.П.,Журавлев B.B., Квасков В,Б., Клюев Ю.А., Красильников А.В., Самойлович М.И., Суходольская О.В. Природные алмазы России. /Под ред. Кваскова В.Б.-М.: Полярон. -1997. - 304с.

6. Fairer R.G. On the substitutional nitrogen donor in diamond. // Solid St. Comm.,-1969.-V.7.-N.9.-P.685-688.

7. Kajihara S.A., Antonelli A., Bernholc J., Car R. Nitrogen and potential n-type dopants in diamond. //Phys. Rev. Lett.,-1991.-V.66.-N.15.-P.2010-2013.

8. Erwin S.C., Pickett W.E. First-principles supercell studies of the nitrogen impurity in diamond.//Phys. Rev. B.,-1990.-V.42.-N.17.-P.l 1056-11062.

9. Jackson K., Pederson M.R., Harrison J.G. Donor levels and impurity-atorr relaxation in nitrogen- and phosphorus-doped diamond. // Phys. Rev. В.,-1990.-V.41.-N.18.-P.12641-12649.

Ю.Шульман Л.А. Дипольный момент связи C-N в решетке алмаза. / Сверхтв. матер.,-1989.-В.З.-С.11-15.

П.Соболев Е.В., Лиеойван В.И., Ленская С.В. О связи экстрарефлексов типа "шипов" в лауэграммах природных алмазов с оптическими свойствами. // Докл. АН СССР.,-1967.-Т.175.-С.582-585.

12.Davies G. The a nitrogen aggregate in diamond-its symmetry and possible structure. // J. Phys. C: Sol. St. Phys.,-1976.-V.9.-N.19.-P.L537-L542.

13.Bennan R., Hudson P.R.W., Martinez M. Nitrogen in diamond: evidence from thermal conductivity. //J. Phys. C: Sol. St. Phys.,-1975.-V.8.-P.L430-L434.

14.Turk L.A., Klemens P.G. Phonon scattering by impurity platelet precipitates in diamond. // Phys. Rev. B.,-1974.-V.9.-N.10.-P.4422-4428.

15.Непша В.И., Клюев Ю.А., Решетников Н.Ф. Влияние центров А и В1 на теплопроводность алмазов. // Сверхтв. матер.,-1982.-В.4.-С.28-34.

16.Бокий Г.Б., Безруков Г.Н., Клюев Ю.А., Налетов A.M., Непша В.И. Природные и синтетические алмазы.-М. :Наука .,1986.-222с.

17.Татаринов B.C. Фотоэлектрическая спектроскопия природного алмаза. //Сб.ст.: Алмаз в электронной технике. /Под ред. Кваскова В.Б.- М.: Энергоатомиз дат. ,1990.-С.110-127.

18.Осетинская Т.Д., Подоба А.П., Шмегера С.В. Оценка параметра Грюнайзена алмазов типа Па с учетом теплопроводности. // Сверхтв. матер.,-1991.-В.2.-С.19-23.

19.Crossfield M.D., Davies G., Collins A.T., Lightowlers E.C. The role of defect interactions in reducing the decay time of H3 luminescence in diamond. // J. Phys. C: Sol. St. Phys.,-1974.-V.7.-N.10.-P. 1909-1917.

20.Davies G. No phonon lineshapes and crystal strain fields in diamonds. // J. Phys. C: Sol. St. Phys.,-1970.-V.3.-N. 12.-P.2474-2486.

21.Лиеойван В.И., Соболев Е.В. Изменения параметра решетки природных алмазов.//Докл. АН СССР.,-1974.-Т.214.-В.6.-С.1311-1314.

22.Конорова Е.А., Сорокина В.А., Шевченко С.А. Фотопроводимость алмаза в ультрафиолетовой части спектра. // ФТТ.,-1965.-Т.7.-В.4,-С.1092-1094.

23.Denham P., Lightowlers Е.С., Dean P.J. Ultraviolet intrinsic and extrinsic photoconductivity of natural diamond. // Phys. Rev.,-1967.-V.161.-N.3.-P.762-768.

24.Соболев E.B., Лисойван В.И. О природе свойств алмазов промежуточного типа. // Докл. АН СССР,-1972.-Т.204.-В.1-С.88-91.

25.De Sa E.S., Davies G. Uniaxial stress studies of the 2.498 eV(H4), 2.417 eV and 2.536 eV vibronic bands in diamond. // Proc. R. S. Lond.,-1977.-V.A357.-N.1689.-P.231-251.

26.Evans Т., Phaal C. Dislocation loops in diamond. // Philosoph. Mag.,-1962,-V.7.-N.77.-P.843-846.

27.Davies G. The effect of nitrogen impurity on the annealing of radiation damage in diamond. // J. Phys. C: Sol. St. Phys.,-1972.-V.5.-N.17.-P.2534-2542.

28.Walker J. Optical absorption and luminescence in diamond. // Rep. Progr. Phys.,-1979.-V.42.-N. 10.-P. 1605-1659.

29.Berger S.D., Pennycook S.J. Detection of nitrogen at {100} platelets in diamond. // Nature.,-1982.-V.298.-N.5875.-P.635-637.

30.Соболев E.B. Тверже алмаза. Новосибирск: Наука.,-1984.-126c.

31 .Berman R. Thermal properties. In : The properties of diamond. / Ed. by Field J.E. London, New York.: Academic Press. 1979.-P.3-22.

32.Sellschop J.P.F. Nuclear probes in physical and geochemical studies of natural diamonds. In: The properties of diamond. / Ed. by Field J.E. London, New York.: Academic Press. 1979.-P. 107-163.

33.Boyd S.R., Rejou-Michel A., Javoy M. Improved techniques for the extraction, purification and quantification of nanomole quantities of nitrogen

gas: the nitrogen content of diamond. // Meas. Sci. and Techn.,-1995.-V.6.-N.3.-P.297-305.

34.Rocco G.G., Garzón O.L., Cali J.P. Nondestructive determination of nitrogen in diamond by photoactivation. // Int. J. Appl. Rad. Isot.,-1966.-V.17.-P.433-440.

35.Lightowlers E.C. Chemical impurity measurments on diamond by activation analysis. // Sci. Techn. Ind. Diamond.,-1967.-V.1.-P.27-31.

36.Клюев Ю.А. Интенсивность полос в ИК-спектре поглощения природных алмазов. //Алмазы. Науч.-техн. реф. сб.,-1971.-В.6.-С.9-12.

37.Woods G.S., Purser G.C., Mtimkulu A.S.S., Collins A.T. The nitrogen content of type la natural diamonds. // J. Phys. and Chem. Sol.,-1990.-V.51.-N.10.-P.1191-1197.

38.Liqhtowlers E.C., Dean P.J. An efficient method for selecting type II and intermediat-type diamonds. // Ind. Diam.Rev.,-1965.-V.25.-N.293.-P.143-146.

39.Плотникова С.П., Клюев Ю.А., Кулаков B.M. Экспрессное определение концентрации азотных примесей в природных алмазах // Сб. Совершенствование процессов алмазной обработки и технологии производства инструмента. Труды ВНИИАЛМАЗА.-М.,1988.-С.З-9.

40.Плотникова С.П. Классификация и отбор природных алмазов для электронной техники. // Сб. ст.: Алмаз в электронной технике./ Под ред. Кваскова В.Б.- М.: Энергоатомиздат ., 1990.-С.156-170.

41.Трубин В.И. Фотопроводимость природных алмазов в области 400-900 нм.// Алмазы. Научн.-техн. реф.сб.,-1972.-В. 11.-С. 1-5.

42.Трубин В.И. Худаев П.И. Исследование фотопроводимости алмазов. // Алмазы. Научн.-техн. реф. сб.,-1971.-В.10.-С.6-11.

43.Гомон Г.О. Алмазы. Оптические свойства и классификация. M.-JL: Машиностроение.,-1966.-147с.

44.Зайцева Т.М. Неоднородности природных алмазов октаэдрического габитуса и их влияние на качество кристаллического сырья. Автореф. дисс. канд. геол.-мин. наук.-М.,1990.

45.Плотникова С.П. Особенности люминесценции природных алмазов в зависимости от их реальной структуры и условий роста. Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук.-Иркутск., 1981.

46.Соболев Е.В., Елисеев А.П. Особенности термолюминесценции и фосфоресценции кристаллов природного алмаза. // Сб.: Тез. докл. VIII Уральской конф. по спектроскопии., Свердловск, март 1975г.-С.105-106.

47.Погодаев К.Н. Температурная зависимость электропроводности алмазов. // ФТТ.,-1960.-т.2.-В.7.-С.1450-1456.

48.Погодаев К.Н., Вилутис Э.С. Температурная зависимость рентгенолюминесценции и темновой проводимости алмазов якутского месторождения. //Изв. АН СССР. сер. физ.,-1961.-Т.25.-В.2.-С.373-375.

49.Лукьянович М.В. Термовысвечивание природных алмазов. // Алмазы. Науч.-техн. реф. сб.,-1972.-В.8-С.8-11.

50.Bull С., Garlick G.F.J. The luminescence of diamond. // Proc. Phys.Soc.,-1950.-V.63.-N.371 A.-P. 1283-1291.

51.Елисеев А.П.,Сальман Е.Г. Термоактивационные процессы в кристаллах природного алмаза. //Сб.: Материалы VIII Уральской конференции по спектроскопии.Свердловск.,март 1975 г.-С.ЗЗ-Зб.

52. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров.-М.: Наука., 1966.-324с.

53.Walsh H.S., Lightowlers E.S., Collins А.Т. Thermoluminescence and phosphorescence in natural and sinthetic semiconducting diamond. // J. Lumines.,-1971.-V.4.-N.4.-P.369-392.

54.Strong H.M., Chrenko R.M. Further studies on diamond growth rates and physical properties of laboratory-made diamond. // J. Phys. Chem.,-1971.-V.75.-N. 12.-P. 1838-1843.

55.Chrenko R.M. Boron, the dominant acceptor in semiconducting diamond. // Phys. Rev. B.,-1973.-V.7.-N. 10.-P.4560-4567.

56.Walsh P.S., Lightowlers E.S. The application of thermoluminescence theory to natural semiconducting diamond. // J. Lumines.,-1971.-V.4.-N.4.-P.393-403.

57.Bowlt C. High temperature thermally stimulated currents in type la and type Ila diamonds. // J. Phys. D: Appl. Phys.,-1973.-V.6.-N.5.-P.616-621.

58.Трубин В.И., Усольцев Б.П., Бескрованов B.B., Худаев П.И. Термоток, возникающий на контакте металл-алмаз-металл. // Докл. АН СССР.,-1974.-Т.214.-В.4.-С.813-814.

59.Трубин В.И., Худаев П.И., Усольцев Б.П., Бескрованов В.В. Исследование ловушек в природных алмазах методом термодеполяризации. // Докл. АН СССР., -1974.-Т.214.-В.5.-С.1066-1068.

60.Елисеев А.П. Термостимулированная люминесценция и послесвечение природных алмазов . Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук.-Новосибирск., 1977.

61.Vandersade J.W., Zoltan L.D. High-temperature thermal and electrical conductivities of diamond and diamond films. // Surf, and Coat. Technol., -1991. - V.47. - №1 - 3. - P. 392-400.

62.Конорова E.A. Козлов С.Ф. Алмазный детектор ядерных излучений. //ФТП.,-1970.-Т.4.-В. 10.-С. 1865-1871.

63.Nava F., Canali С., Artuso М., Gatti Е., Manfredi P.F., Kozlov S.F. Transport properties of natural diamond used as nuclear particle detector for a wide temprature range. // IEEE Trans. Nucl. Sci.,-1979.-V.NS-26.-N.l.-P.308-315.

64.Мухачев Ю.С., Татаринов B.C., Борзенко С.Ю., Липовченко АЛ. Хрунов B.C., Мартынов С.С., Кукушкин В.М. Вклад различных центрщ

захвата в поляризацию алмазных детекторов ионизирующих излучений. // ФТП.,-1984.-Т.18.-В.З.-С.460-464.

65.Трубин В.И. Исследование центров захвата носителей тока и распределения дефектов в природных алмазах. Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук. Новосибирск., 1981.

66.Мухачев Ю.С., Татаринов B.C., Борзенко С.Ю., Липовченко А.Л., Хрунов B.C., Мартынов С.С., Кукушкин В.М. О поляризации алмазного детектора ионизирующих излучений. // ФТП.,-1983.- Т.17.-В.7.-С.1308-1310.

67.Blasi De.C., Galassini S., Micocci G., Ruggiero L., Tepore A., Nava F., Manfredotti C., Kozlov S.F. Hole trapping levels in natural diamond nuclear detectors. // Nucl. Instrum. Meth.,-1979.- V.163.-N.1.-P.121-124.

68.Nahum J. Halperin A.A. Thermoluminescence and relation between thermal and optical activation energies in diamond. // J. Phys. Chem.Sol.,-1963.-V.24.-N.7.-P.823-834.

69.Vermeulen L.A., Nabarro F.R.N. Electronic properties of particle-counting diamonds. //Phil. Trans. R. S. Ser.A.,-1967.-V.262.-N.1126.-P.251-298.

70.Квасков В.Б. О внешней электронной эмиссии и проблеме отрицательного электронного сродства в алмазе. // Сб. ст.:Алмаз: физика и электроника. Труды московского семинара . М. 1993.-В.2.-С.36-45.

71.Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках .М.: Физматгиз., 1963.-496с.

72.Татаринов B.C. Знак носителей фототока и схема электронных переходов в природном алмазе .// ФТП.,-1986.-Т.20.-В.1.-С.З-8.

73.Татаринов B.C., Мухачев Ю.С. Токи деполяризации в алмазе типа I при рентгеновском возбуждении. // Сб.: Люминесценция и спектральный анализ, Иркутск.,-1974.-B.3.-C.126-136.

74.Татаринов B.C. Термостимулированная проводимость алмаза при низких температурах . // Сб.: Люминесценция и спектральный аиализ, Иркутск.,-1974.-B.3.-C.137-142.

75.Мухачев Ю.С. Высокотемпературная термолюминесценция природного алмаза .// Сб. : Люминесценция и спектральный анализ , Иркутск.,-1974,-

B.З.-С.142-145.

76.Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков.М.: Наука.,1991.-248 с.

77.Квасков В.Б. Оптоэлектронная неустойчивость в кристаллах природного алмаза и переспективы ее использования .// Сб.: Благородные металлы и алмазы в новых областях техники. М. 1991 .-С. 49-57.

78.Pate В.В., Spicer W.E. Electronic structure of the diamond (111) lxl surface: Valence-band structure, band bending, and band gap states. // J. Vac. Sci. Technol.,-1980.-V. 17.-N.5.-P. 1087-1093.

79.Pate B.B. The diamond surface: atomic and electronic structure. // Surf. Sci.,-1986.-V.165.-N.1.-P.83-142.

80.Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа.М.: Наука., 1981.-176с.

81.Семак Д.Г., Золотарев В.Ф., Чепур Д.В. К вопросу о разрешающей способности метода ТТЭ. // Изв. Вуз. Физика.,-1968.-В. 11.-С. 148-150.

82.Бойцов В.Г., Рычков А.А. Исследование полимерных электретов методом комбинированной деполяризации. // Сб.: Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках. -Л.-1980,-

C.53-61.

83.Губкин А.Н., Гороховатский Ю.А., Сезонов Ю.И. ТСД ФЭС в диэлектриках. // Сб.: Электретный эффект и электрическая релаксация в твердых диэлектриках. -М. 1986.-С.59-64.

84.Ковальский П.Н., Шнейдер А.Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов: Высшая школа., 1977.-150с.

85.Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.-Новосибирск: Наука., 1979.-336с.

86.Губкин А.Н. Электреты.-М.:Наука.-1978.-192с.

87.Bucci С., Fieschi R., Guidi G. Ionic thermocmrents in dielectrics. // Phys. Rev.,-1966.-V.148.-N.2.-P.816-823.

88.Christodoulides C. Errors involved in the determination of activation energies in TL and TSDC by the initial rise method. // J. Phys. D: Appl. Phys.,-1985,-V.18.-N.8.-P. 1665-1671.

89.Christodoulides C., Apekis L., Pissis P., Daoukaki-Diamanti D. The determination of distributions of the parameters of Thermally Stimulated Depolarization Current peaks: theory. // Phys. Status Sol.(a).,-1989.-V.lll.-N.1.-P.325-333.

90.Тихонов A.H., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач,- М.: Наука.,-1974.-223С.

91.Тихонов А.Н., Гончаровский А.В., Степанов В.В., Ягола А.Г. Численные методы решения некорректных задач .-М.: Наука.,-1990.-229с.

92. Шаряпов М.Ш. Численные методы в задачах термоактивационной спектроскопии. Дисс. канд. физ.-мат. наук. М, 1988.

93 .The properties of natural and synthetic diamond. / Ed. by Field J.E. London, New York: Academic Press.,-1992.-710p.

94.Физические величины. Справочник. / Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З.-М.: Энергоатомиздат.,1991.-1232с.

95.Аневский С. И., Верный А.Е., Конев И.В., Минаева О.А., Морозов О.Ю., Саприцкий В.И., Хромченко В.Б.ДСвасков В.Б., Скрипник Ф.В., Седова Е.А. // Сб.: Тезисы докл. Всесоюзн. конф. Перспективы

применения алмазов в электронике и электронной технике., М.1991,-С.65-66.

96.Гладкий В.В., Желудев И.С. О методике и результатах исследования пироэлектрических свойств некоторых монокристаллов. // Крисаллография .,-1965.-Т.10.-В.1.-С.63-67.

97.Гальчинский О. В.,Захарко Я.М., Катерняк И.Б. Влияние градиента температуры на кривые токов ТСД. // Укр. физ.ж.,-1992.-Т.37.-В.8,-С.1249-1252.

98.Kato К., Iwamoto М., Hino Т. Thermally stimulated current due to dipolar depolarization under a temperature gradient. // Jap. J. Appl. Phys.,-1987.-V.26.-N.1.-P.70-73.

99.Тиман Б.Л. Эстафетный механизм переноса заряда в системе металл-диэлектрик-металл при инжекции носителей.// ФТП.,-1973.-Т.7.-В.2,-С.225-229.

ЮО.Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков.-М.: Высшая школа., 1977.-448с.

10 I.Evans Т., Qi Z., Maguire J. The stages of nitrogen aggregation in diamond. // J. Phys. C.,-1981.-V.14.-N.12.-P.L379-L384.

Ю2.Белименко Л.Д., Клюев Ю.А., Лаптев B.A., Налетов A.M., Непша В.И., Самойлович М.И. Влияние отжига монокристаллов алмаза в условиях их термодинамической стабильности на образование и превращение структурных дефектов. // Докл. АН СССР.,-1981.-Т.259.-В.6.-С. 13601363.

103.Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. - 192 с.

104.Allen В.Р., Evans Т. Aggregation of nitrogen in diamond, including platelet formation. //Proc. R. S. Lond.,-1981.-V.A375.-N.1760.-P.93-104.