Оптически активные дефекты в алмазе – закономерности образования и взаимной трансформации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Винс, Виктор Генрихович

• Винс, Виктор Генрихович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Винс, Виктор Генрихович

СПИСОК ВСТРЕЧАЮЩИХСЯ СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ АЛМАЗА.

1.1. Фазовая диаграмма углерода.

1.2. Кристаллическая структура.

1.3. Зонная структура алмаза.

1.4. Фононы в алмазе.

1.5. Основные примесные дефекты. Классификация алмазов.

1.5.1. Дефект С.

1.5.2. Дефект А.

1.5.3. Дефект В1.

1.5.4. Дефект В.

1.5.5. Классификация алмазов.

1.6. Дополнительные примесные дефекты.

1.6.1. Дефект В2.

1.6.2. Дефект N3.

1.6.3. Дефекты НЗ и Н2.

1.6.4. Дефект Н4.

1.6.5. Дефекты ЫУ.

1.6.6. Дефект £2.

1.6.7. Дефекты, связанные с 3с1 ионами переходных металлов.

1.6.8. Дефекты с участием водорода.

1.7. Собственные дефекты в алмазе.

1.7.1. Дислокации.

1.7.2. Вакансии и междоузельные атомы.

1.8 Известные данные о трансформации оптически активных дефектов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптически активные дефекты в алмазе – закономерности образования и взаимной трансформации»

3-.2. Влияние условий роста на спектральные характеристики и структурное совершенство алмазов типа Ib.90

3.3. Трансформация ОАД в алмазах типа Ib при термобарическом (НРНТ) отжиге.102

3.4. С—>А - агрегация в никелевых и кобальтовых кристаллах при НРНТ отжиге.110

3.5. С—»А- агрегация в никелевых алмазах при АРНТ-, и LPHT отжиге.118

3.5.1. Агрегация в никелевых и кобальтовых алмазах при АРНТ отжиге.118

3.5.2. С—>А - агрегация в никелевых алмазах при LPHT отжиге.121

Заключение и выводы.124

4. ГЕНЕРАЦИЯ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В АЛМАЗАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ.126

4.1. Введение.126

4.2. Генерация первичных радиационных дефектов в алмазах типов IIa и Ib.127

4.3 Отжиг радиационных дефектов в алмазах типа Ib.137

4.4. С—>А - агрегация в алмазах с радиационными дефектами.143

4.4.1. Агрегация С-дефектов в никелевых синтетических алмазах.143

4.4.2 Агрегация С-дефектов в кобальтовых синтетических алмазах.155

4.5. Генерация и отжиг радиационных дефектов в алмазах типов Ia+Ib, la, псевдотипа IaABl+Ib.159

4.5.1. Алмазы типа Ia+Ib.159

4.5.2. Алмазы типа 1а.160

4.5.3. Алмазы псевдотипа-IaABl+Ib.1'62

Заключение и выводы.165

5. ГЕНЕРАЦИЯ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В АЛМАЗАХ, ОБЛУЧЕННЫХ НЕЙТРОНАМИ.167

5.1. Введение.167

5.2. Общие закономерности образования радиационных дефектов в кристаллической решетке алмаза при облучении быстрыми нейтронами.168

5.3% Особенности онтияеских спектров алмазов разных типов, облученных быстрыми, нейтронами.174

5.3.1. Алмазы типа 11а.174

5.3.2. Алмазы типа lb.177

5.3.3. Алмазы типа 1а.181

5.4. Обсуждение экспериментальных результатов.186

Заключение и выводы.190

6. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТРАНСФОРМАЦИИ ОПТИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПРИРОДНЫХ^АЛМАЗАХ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ В УСЛОВИЯХ СТАБИЛЬНОСТИ АЛМАЗА И ГРАФИТА.193

6.1. Введение.193

6.2. Трансформация ОАД при термобарическом (НРНТ) отжиге алмазов с различной степенью пластической деформации.193

6.3. Особенности НРНТ отжига графитсодержащих алмазов серого цвета.211

6.4. Трансформация ОАД при «термоударном» режиме высокотемпературного отжига алмазов при атмосферном давлении (АРНТ отжиг).216

Заключение и выводы.226

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.228

Список литературы.235

Благодарности.252

СПИСОК ВСТРЕЧАЮЩИХСЯ СОКРАЩЕНИЙ

ОАД - оптически активные дефекты;

С А - синтетические алмазы;

ПА - природные алмазы;

БФЛ - бесфононная линия;

ЭКС - электронно-колебательная система:

ЭФВ - электрон-фононное взаимодействие;

СП - спектр поглощения;

УФ - ульрафиолетовый;

ИК - инфракрасный;

ФЛ - фотолюминесценция;

РЛ - рентгенолюминесценция;

КЛ - катодолюминесценция;

ТСЛ - термостимулированная люминесценция;

ЭПР - электронный парамагнитный резоЛнс;

ЦЗ - центр захвата;

ЦР - центр рекомбинации;

ЦО - центр окраски;

СВЛ - спектр возбуждения люминесценции;

НРНТ - от английского «High Pressure/High Temperature» - высокое давление/высокая температура;

АРНТ - от английского «Atmospheric Pressure/High Temperature» - атмосфеное давление/высокая температура;

LPHT - от английского « Low Pressure/High Temperature» - низкое давление/высокая температура;

CVD - от английского «Chemical Vapor Deposition» - химическое осаждение из газовой фазы.

ВВЕДЕНИЕ

По сочетанию важнейших параметров алмаз занимает исключительное место среди наиболее перспективных широкозонных полупроводников. Алмаз имеет кубическую кристаллическую структуру с сильными ковалентными связями атомов углерода и с рекордно высокой атомной плотностью -1,76x10 см" [1-4]. Это свойство и определяет многие свойства алмаза. Действительно, при ширине запрещенной зоны в 5,45 эВ [5], удельное сопротивление нелегированного алмаза составляет 1013-^1014 Омхсм [6], подвижность электронов и дырок - 4500 и 3800 см /В-с, соответственно [7]. Поле пробоя достигает 10 В/см [8], Алмаз чрезвычайно устойчив химически, нерастворим в плавиковой, соляной, серной и азотной кислотах. В присутствии кислорода алмаз окисляется (травится) при температурах выше 600°С. В высоком вакууме поверхностная графитизация алмаза происходит при температуре 1700°С [9]. Правда, оборотная сторона высокой инертности и твердости алмаза - серьезные проблемы, связанные с его обработкой. У алмаза рекордная среди известных материалов теплопроводность - 2СИ-24 Вт/см х К при комнатной температуре [10], что связано с его высокой температурой Де-бая То=1860К [11], благодаря чему комнатная температура является "низкой" в отношении динамики решетки алмаза. В результате алмаз может служить "идеальной" теплоотводящей диэлектрической подложкой. Более того, в очищенном от изотопов алмазе - природные кристаллы содержат 1,1% изото

I э па С - теплопроводность может достигать 33 Вт/смхК [12,13]. Кроме того, алмаз радиационно-стойкий материал. Он прозрачен в широком диапазоне спектра (от ультрафиолетового до радиоволнового), имеет высокую твердость (81-100 ГПа) [11], высокую скорость распространения звука (18 км/с) [11], низкую диэлектрическую проницаемость (8= 5,7) [11]. Все это делает алмаз чрезвычайно перспективным для применения в ультра высокотехнологичных областях науки и техники - работы в этом направлении активно ведутся.

Очевидно, что многие свойства и перспективы высокотехнологичных применений алмаза определяются наличием и концентрацией различного вида дефектов кристаллической решетки. Достаточно упомянуть исследования по манипулированию спинами одиночных атомов, связанных с примесными дефектами, и возможностью их чтения при помощи оптических методов [14]. Методы манипулирования одиночными спинами, в комбинации с методами выращивания высококачественных алмазов могут привести к созданию квантовых приборов, которые найдут множество применений от квантовой обработки информации на основе твердого тела до новых методов получения изображения с непревзойденным разрешением [15-17].

В связи с этим, интерес к оптически активным дефектам (центрам) и механизмам их трансформации, представляется актуальным как с точки зрения фундаментальной науки, так и для развития технологий получения НРН-Т и СVI) монокристаллов алмаза с заданными свойствами. Акцент на оптически активные дефекты, обусловлен многообразием и эффективностью методов оптической спектроскопии. Эти методы, отличающиеся высокими разрешением, локальностью и чувствительностью, бесконтактным характером, имеют фундаментальное значение для изучения реальной структуры алмазов, поскольку они позволяют выявить почти все дефекты кристаллической структуры алмаза - как с глубокими уровнями - центрами рекомбинации и окраски, так и мелкими уровнями - центрами захвата носителей заряда.

Цель диссертационной работы состояла: а) в исследовании оптически активных дефектов в природных и НРНТ синтетических алмазах; б) в выявлении общих закономерности их образования и взаимной трансформации при постгенетических воздействиях; в) разработке новых методов направленного изменения свойств алмазов и получения кристаллов с заданным набором дефектов.

Для достижения поставленной задачи был проведен широкий комплекс спектроскопических исследований на природных и НРНТ синтетических алмазах, подвергавшихся следующим постгенетическим воздействиям: а) облучению высокоэнергетическими частицами (электронами и нейтронами) в комбинации с последующим отжигом в диапазоне температур 800 - 1800°С, или без него; б) высокотемпературному отжигу в диапазоне температур 1800 -2300°С при стабилизирующем давлении - т.н. НРНТ отжигу (от английского "High Pressure/High Temperature"); в) НРНТ отжигу в комбинации с последующим облучением электрона

18 2 ми (3 МэВ/10 см") и отжигом в диапазоне температур 800 - 1500°С; г) высокотемпературному отжигу в диапазоне температур 1300 - 2300°С при атмосферном давление - т.н. АРНТ отжигу (от английского «Atmospheric Pressure/High Temperature»); д) высокотемпературному отжигу в СВЧ аргоново-водородной плазме в диапазоне температур 1500 - 2300°С при пониженном давлении - т.н. LPHT отжигу (от английского « Low Pressure/High Temperature»);

Основными задачами исследования являлись:

1. Изучение набора и концентрации оптически активных дефектов в НРНТ синтетических алмазах в зависимости от условий выращивания, их трансформации при постгенетическом отжиге в диапазоне температур от 1350 до 1740°С.

2. Изучение радиационных дефектов в алмазах различных типов, облученных высокоэнергетическими электронами и нейтронами, их трансформации при последующем высокотемпературном отжиге.

3. Исследование механизмов и параметров агрегации донорного азота в никелевых и кобальтовых алмазах различного дефектно-примесного состава при отжиге кристаллов в полях стабильности алмаза и графита.

4. Исследование трансформации собственных и примесных дефектов структуры алмазов различных типов с различной степенью пластической деформации при отжигах в условиях стабильности алмаза и графита.

5. Изучение особенностей поведения оптически активных дефектов при НРНТ отжиге природных графитсодержащих алмазов серого цвета.

6. Разработка методов направленного изменения дефектно - примесной структуры алмазов и получения кристаллов с заданным набором оптически активных дефектов.

Выполнение поставленных задач позволило получить обширный экспериментальный материал по оптически активным дефектам в структуре алмаза и механизмам их трансформации. Полученные результаты- открывают новые перспективы для дальнейшего исследования свойств алмазов и получению кристаллов с заданным набором дефектов. Основной практический результат состоит в создании научно-методических основ технологий направленной трансформации дефектов и примесей в алмазе.

Фактический материал. Работа является продолжением исследований, выполненных автором в 1981 -1988 годах в Констукторско-технологическом институте монокристаллов СО АН СССР и завершившихся защитой диссертации кандидата физико-математических наук по теме «Спектроскопия оптически активных дефектов в синтетическом алмазе» (Минск, ИФТТиП АН БССР, 1989г.). В основу настоящей работы положены результаты исследований по трансформации дефектов в НРНТ синтетических и природных алмазах, выполненных в 1989- 2010 годах. Изученные коллекции алмазов составляют несколько тысяч кристаллов. Автор непосредственно участвовал во всех этапах работы: от записи оптических спектров алмазов и анализу получаемых результатов, до научного руководства и постановки задач по различным направлениям проводимых исследований. Большая часть НРНТ синтетических алмазов была выращена на аппаратуре высокого давления типа "разрезная сфера" (БАРС) в КТИ монокристаллов СО РАН (Новосибирск) и в ЗАО «Высокие оптические технологии» (Москва). Природные алмазы для исследований были предоставлены НПК «Новые Бриллианты Сибири». Большинство экспериментов по НРНТ, АРНТ и ЬРНТ отжигу природных и синтетических алмазов и основная работа по спектроскопии алмазов проводилась в ООО «Сибирская инновационно-технологическая компания». Для экспериментов по АРНТ и ЬРНТ отжигу было разработано и создано специальное оборудование. Облучение кристаллов алмаза осуществлялась на линейном ускорителе электронов в Институте химической кинетики и горения СО РАН (Новосибирск), нейтронами различных доз и энергий - на атомном реакторе & г. Томске.

Научная новизна работы определяется следующими результатами, полученными впервые на момент их публикации.

1. При минимальных скоростях выращивания (~10~6 см/сек) в алмазах типа 1Ь: а) минимизируются структурные дефекты и упругие напряжения; б) достигается равномерное распределение примесных дефектов; в) вследствие уменьшения тушащего действия донорного азота интенсивность процессов из-лучательной рекомбинации возрастает на два-три порядка. Критерием совершенства кристаллов является отношение интенсивностей поглощения в ИК-полосах 1130 и 1344 см"1 (|1цзо/ Ц1344Х которое при уменьшении скорости вы

3 6 ращивания от 10" до 10" см/сек, уменьшается на 20-26 % - в никелевых, и на 40-50 % - в кобальтовых алмазах, достигая в наиболее совершенных кристаллах значений 1,48 и 0,95, соответственно.

2. Термобарический отжиг никелевых кристаллов при возрастающих от 1350 до 1740 °С температурах приводит: а) к С—>А - агрегации и плавному изменению физического типа алмазов от 1Ь до 1аА; б) образованию новых азотно-никелевых дефектов: §2, БЗ, 793 нм. Увеличение концентрации ростовых никелевых дефектов, приводит к понижению ЕА - энергии активации С—»А - агрегации с 6,1 до 2,8 эВ.

3. При отжиге без давления, С—»А - агрегация в никелевых кристаллах активируется при 1700°С и протекает с ЕА ~ 6,6±0,6 эВ по интерстиционному механизму, связанному с трансформацией ионов никеля. Появление в структуре 1ЧУ -, и N1 - дефектов приводит к появлению двух дополнительных каналов агрегации: вакансионного - с участием С-, и ЫУ - дефектов; канала с участием донорного и интерстиционного азота; вследствие чего ЕА понижается до ~ 0,5 -=-1,5 эВ. Большие значения ЕАв кобальтовых кристаллах объясняются меньшим влиянием на агрегацию ионов кобальта, из-за их большего, по сравнению с никелем, атомного радиуса.

4. Термодиффузия протонов в структуру никелевых кристаллов, становиться заметной при отжиге алмазов в водородной плазме при 1700 °С и сопровождается частичным осветлением кристаллов, возрастанием в них внутренних напряжений, блокированием С—»А - агрегации. Диффузия протонов облегчена в кристаллах с большей концентрацией С-дефектов.

18 2

5. При облучении электронами (ЗМэВ/10 см" ) каждый третий из падающих на кристалл электронов генерируют одно первичное смещение атома; при этом в алмазах типа ГЬ, с [N0] <12 ррш, образуется ~ 9 ррт изолированных вакансий, среди которых доля отрицательно заряженных возрастает с 6 при [Ыс] =0,5 ррш) до 67% (при рЧс] =12 ррт). Скорость образования изолированных вакансий возрастает, а пороговая энергия смещения атома углерода в алмазной решетке понижается, по мере возрастания внутренних напряжений, причиной которых является донорный азот.

6. Отжиг облученных алмазов приводит к образованию: а) в кристаллах типа 1Ь N1-, и ЫУ- дефектов, при этом:

- концентрация азотных интерстиций связана с интенсивностью ИК полосы 1450 см"1 соотношением: Р^1](ррт)=(3±0,6 ррт/ см1)х ц1450(см"1);

- КУ° -дефекты доминируют в оптических спектрах при [N0] <3,5 ррт, ИУ -при [Ыс] >3,5 ррт; б) в кристаллах псевдотипа 1аАВ1+1Ь, наряду с другими, Н4/Н5 - дефектов, где Н5-дефект (система с линией 804,8 нм/1,539 эВ) связывается с Н4-дефектом, захватившим пятый валентный электрон С-дефекта: Н5 = Н4 + е\

7. Произведение флюенса «надтепловых» нейтронов на суммарное содержание азота в кристалле, при котором, в результате трансформации К! -дефектов при 1500°С, образуется около 4 ррт С-дефектов, составляет

17 9

380x10 ррт х нейтронов/см .

8. При НРНТ отжиге природных алмазов одновременно происходят две группы процессов, скорость которых выше в более деформированных кристаллах: а) разрушение имеющих дислокационную природу центров коричневой окраски, сопровождающееся образованием и миграцией вакансий, их захватом основными азотными дефектами, появлением НЗ/Н2-, N3- центров окраски; б) диссоциация и агрегация А - дефектов, с образованием С-, и В1-дефектов, соответственно.

9. При температурах 1800-2300°С НРНТ отжига: а) ЕА диссоциации А

- дефектов варьируется в диапазоне от 6,4 эВ - для бесцветных недеформиро-ванных кристаллов, до 3.7 эВ - для темно коричневых сильно деформированных кристаллов; б) поведение водородной линии 3107 см"1 показывает наличие в алмазах, источников водорода, предположительно микрочастиц графита, что подтверждается НРНТ отжигом графитсодержащих алмазов; в) исходная коричневая окраска в кристаллах типа 1а ослабевает и переходит в желто-зеленую, обусловленную доминирующими азотными С-, НЗ/Н2-, N3-дефектами; г) при температуре отжига выше 2500°С алмазы становятся практически бесцветными - из азотных дефектов остается только В1.

10. При термоударном режиме АРНТ отжига происходит такая же трансформация структурных дефектов, что и при НРНТ отжиге.

Научная ценность работы.

Научная значимость работы определяется комплексом полученных в диссертации результатов. На основании систематического экспериментального исследования сформулированы важные обобщения и выводы, совокупность которых способствует решению фундаментальной проблемы физики кристаллов - установлению закономерностей дефектообразования в ковалентных кристаллах. Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание процессов трансформации дефектов и примесей в алмазах. Полученные выводы имеют общий характер и важны при прогнозировании поведения других кристаллов и примесей.

Практическая значимость работы.

1. Основной практический результат состоит в создании научно методических основ технологий направленной трансформации дефектов и примесей в алмазе.

2. Проведены исследования спектроскопических и лазерных свойств алмазов с различным набором специально созданных центров окраски, для использования в фемтосекундных и перестраиваемых лазерах видимого и ближнего инфракрасного диапазонов.

3. Разработана и защищена Патентом РФ технология облагораживания природных алмазов «Способ получения алмазов фантазийного красного цвета» (Патент РФ № 2237113); модифицирована НРНТ технология, разработаны две новые - АРНТ и ЬРНТ технологии облагораживания алмазов.

4. Результаты исследований используются при выращивании крупных монокристаллов алмаза на АВД типа БАРС.

5. Полученные данные о закономерностях взаимной трансформации оптически активных дефектов использованы в монографии «Геммология алмаза». (В составе коллектива авторов под ред. проф. Ю.П. Солодовой, РГГРУ им. Орджоникидзе. М., 2008, 523 стр.).

6. Исследования ИК спектров поверхностных загрязнений в алмазе привели к созданию новых технологий глубокой очистки алмазов (Патент РФ 2285070 «Способ очистки алмаза») и обогащения алмазосодержащих концентратов (Патент РФ № 2316472 «Способ обработки алмазосодержащих концентратов»)

На защиту выносятся следующие положения:

1. Наибольшим структурным совершенством среди синтетических алмазов типа 1Ь обладают кристаллы, полученные при минимальных скоростях выращивания, вследствие чего в них минимизированы структурные дефекты и упругие напряжения, равномерно распределены примесные дефекты, интенсивны процессы излучательной рекомбинации. Критерием совершенства таких алмазов является отношение цшо/ м.1344, достигающее в наиболее совершенных никелевых и кобальтовых кристаллах значений 1,48 и 0,95 - соответственно.

2. Атомы донорного азота являются причиной: а) тушения процессов излучательной рекомбинации; б) внутренних напряжений, облегчающих образование изолированных вакансий при облучении высокоэнергетичными электронами; в) ускорения диффузии протонов в кристаллическую решетку при ЬРНТ отжиге; г) компенсации заряда в паре дефектов Н4/Н5, где Н5-дефект (ЭКС с БФЛ 804,8 нм/1,539 эВ) связывается с Н4-дефектом, захватившим валентный электрон донорного азота: Н4 + е~—>Н5.

3. При отжиге без давления, С—>А - агрегация в никелевых кристаллах активируется при 1700°С и протекает с ЕА ~ 6,6±0,6 эВ по интерстиционному механизму, связанному с трансформацией ионов никеля. Появление в структуре - дефектов приводит к появлению двух дополнительных каналов агрегации: вакансионного - с участием С-, и ИУ - дефектов; канала с участием донорного и интерстиционного азота; вследствие чего ЕА понижается до ~ 0,5

1,5 эВ. Большие значения ЕАв кобальтовых кристаллах объясняются меньшим влиянием на агрегацию ионов кобальта, из-за их большего, по сравнению с никелем, атомного радиуса.

1Я 9

4. При облучении электронами (ЗМэВ/10 см") каждый третий из падающих на алмаз электронов генерируют одно первичное смещение атома; при этом в кристаллах типа 1Ь (с [ТЧС}< 12 ррт) образуется ~9 ррт изолированных вакансий, среди которых доля отрицательно заряженных возрастает с 6 (при [КГС]=0,5 ррт) до 67% (при [Ыс]=12 ррт).

5. Концентрация азотных интерстиций, связана с интенсивностью ПК полосы 1450 см"1 соотношением: [Ы1](ррт)=(3±0,6 ррт/см"1)хц145о(см"1); сечения поглощения интерстиционного и донорного азота отличаются на порядок.

6. Произведение флюенса «надтепловых» нейтронов на суммарное содержание азота в кристалле, при котором, в результате трансформации К!

17 дефектов при 1500°С, образуется около 4 ррт С-дефектов, составляет 380x10 рртхнейтронов/см .

7. При НРНТ отжиге природных алмазов одновременно происходят две группы процессов, скорость которых выше в более деформированных кристаллах: а) разрушение имеющих дислокационную природу центров коричневой окраски, сопровождающееся образованием и миграцией вакансий, их захватом основными азотными дефектами, появлением НЗ/Н2-, N3-центров окраски; б) диссоциация и агрегация А - дефектов, с образованием С-, и ЕЯ-дефектов, соответственно.

8. Поведение при НРНТ отжиге водородной линии 3107 см"1 и обесцвечивание серых графитсодержащих алмазов имеет одну природу и связано с диссоциацией водорода из источников водорода - предположительно микрочастиц графита.

9. При термоударном режиме АРНТ отжига, в алмазах происходит такая же трансформация структурных дефектов, что и при НРНТ отжиге.

Охарактеризуем работу по главам.

Во введении обосновывается актиальность проведенных исследований, их научная и практическая значимость, ставится цель и основные задачи диссертационного исследования. Формулируется научная новизна работы и основные защищаемые положения.

Первая глава в диссертации представляет собой аналитический литературный обзор. Описываются оптические свойства и дефекты структуры алмаза. Дается представление о фазовой диаграмме углерода, кристаллической и зонной структуре алмаза, классификации алмазов на типы: с азотными дефектами - тип I; с содержанием азотных дефектов ниже разрешения метода ИК поглощения - тип II. Описываются спектральные характеристики основных (С, С+, А, В1, В) и дополнительных дефектов: В2, N3, НЗ/Н2, N¥7 ЫУ", Н4, Б2; описываются водородные Н- дефекты и дефекты с участием Зё ионов; рассматриваются собственные дефекты: дислокации, вакансии и междоузлия. Дается обзор литературных данных по трансформации оптически активных дефектов в алмазах. Формулируются открытые проблемы физики алмаза, цели и задачи диссертационного исследования.

Вторая глава диссертации посвящена объекту и методам исследований.

Описываются коллекции исследованных природных и синтетических алмазов; технологии получения НРНТ синтетических алмазов; технологии и аппаратура постгенетических НТ -, НРНТ-, АРНТ-, и ЬРНТ - отжигов кристаллов алмаза.

Облучение алмазов осуществлялось высокоэнергетичными электронами на линейном ускорителе электронов и потоками нейтронов в активной зоне ядерного реактора. Алмазы исследовались методами оптической спектроскопии, включающими в себя оптическое поглощение, люминесценцию при различных видах возбуждения и термоактивационную спектроскопию. Завершается глава методическим разделом, с описанием способов очистки алмазов от поверхностных загрязнений. Описание методов очистки обусловлено тем, что связанные с загрязнениями полосы ИК поглощения часто ошибочно относятся к проявлению структурных дефектов.

В третьей главе рассматриваются закономерности образование и пост ростовой трансформации оптически активных дефектов в НРНТ синтетических алмазах. Описываются влияние условий роста на спектральные характеристики и структурное совершенство алмазов типа 1Ь, пост ростовая трансформация оптически активных дефектов в алмазах типа 1Ь при термобарическом отжиге. Рассматриваются механизмы и параметры С—>А агрегации в никелевых и кобальтовых алмазах при отжигах в условиях стабильности алмаза и графита.

Четвертая глава посвящена генерации и отжигу радиационных дефектов в алмазах, облученных высокоэнергетичными электронами. Рассматриваются особенности образования и последующего отжига изолированных вакансий в алмазах типа 1Ь. Определены концентрации образующихся вакансий в зависимости от содержания донорного азота. Описываются закономерности образования азотно-вакансионных дефектов в алмазах разных типов. Описываются механизмы и параметры агрегации донорного азота в никелевых и кобальтовых алмазах с радиационными >ГУ-, К! - дефектами.

Пятая глава посвящена генерации и отжигу радиационных дефектов в природных алмазах типа 1а и НРНТ синтетических типа 1Ь, облученных нейтронами. Описываются оптические спектры кристаллов в зависимости от флю-енса нейтронов и температуры последующего отжига. Рассматривается механизм образования С-дефектов за счет трансформации N1 -дефектов.

Шестая глава посвящена трансформации дефектно-примесного состава природных алмазов при отжигах в условиях стабильности алмаза и графита. Описываются особенности НРНТ отжига алмазов различного дефектного состава с различной стпенью пластической деформации. Рассматриваются закономерности трансформации дефектов в зависимости от параметров НРНТ отжига и при термоударном режиме АРНТ отжига. Описываются особенности НРНТ отжига графитсодержащих алмазов серого цвета.

В Заключении содержатся итоговые выводы и дано обобщение основных научных результатов, полученных при выполнении диссертационной работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Винс, Виктор Генрихович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе комплексом методов оптической спектроскопии исследованы закономерности образования и последующей трансформации оптически активных дефектов в алмазах разных типов. Алмазы подвергались различным постгенетическим воздействиям: высокотемпературному отжигу в полях устойчивости алмаза и графита; облучению высокоэнергетичными частицами в комбинации с последующим отжигом, или без него; двухступенчатому воздействию, состоящему из отжига в поле стабильности алмаза и последующего облучения высокоэнергетичными электронами в комбинации с последующим отжигом. Получен обширный экспериментальный материал о физике дефектов в алмазе. Перечислим основные результаты и выводы работы.

1. При минимальных скоростях выращивания (~10"6 см/сек) в алмазах типа 1Ь: а) минимизируются структурные дефекты и упругие напряжения; б) достигается равномерное распределение примесных дефектов; в) вследствие уменьшения тушащего действия донорного азота интенсивность процессов из-лучательной рекомбинации возрастает на два-три порядка. Критерием совершенства кристаллов является отношение ¡лп 30/ Д1344, которое при уменьшении скорости выращивания от 10"3 до 10~б см/сек, уменьшается на 20-26 % - в никелевых, и на 40-50 % - в кобальтовых алмазах, достигая в наиболее совершенных кристаллах значений 1,48 и 0,95, соответственно.

2. Термобарический отжиг никелевых кристаллов при возрастающих от 1350 до 1740 °С температурах приводит: а) к С—>А - агрегации и плавному изменению физического типа алмазов от 1Ь до 1аА; б) образованию новых азотно-никелевых дефектов: 82, 83, 793 нм. Увеличение концентрации ростовых никелевых дефектов, приводит к понижению ЕА - энергии активации С—»А - агрегации с 6,1 до 2,8 эВ.

3. При отжиге без давления, С—»А - агрегация в никелевых кристаллах активируется при 1700°С и протекает с ЕА ~ 6,6±0,6 эВ по интерстиционному механизму, связанному с трансформацией ионов никеля. Появление в структуре 1ЧУ и N1 - дефектов приводит к появлению двух дополнительных каналов агрегации: вакансионного - с участием С-, и 1чГУ - дефектов; канала с участием донорного и интерстиционного азота, вследствие чего ЕА понижается до ~ 0,5

1,5 эВ. Большие значения ЕАв кобальтовых кристаллах объясняются меньшим влиянием на агрегацию ионов кобальта, из-за их большего, по сравнению с никелем, атомного радиуса.

4. Термодиффузия протонов в структуру никелевых кристаллов, становиться заметной при отжиге алмазов в водородной плазме при 1700 °С и сопровождается частичным осветлением кристаллов, возрастанием в них внутренних напряжений, блокированием С—»А - агрегации. Диффузия протонов облегчена в кристаллах с большей концентрацией С-дефектов.

1 о 9

5. При облучении электронами (ЗМэВ/10 см") каждый третий из падающих на кристалл электронов генерируют одно первичное смещение атома; при этом в алмазах типа- 1Ь, с [N0]- <12 ррш, образуется ~ 9 ррш изолированных вакансий, среди которых доля отрицательно заряженных возрастает с 6 (при [N0] =0,5 ррш) до 67% (при [N0] =12 ррш). Скорость образования изолированных вакансий возрастает, а пороговая энергия смещения атома углерода в алмазной решетке понижается, по мере возрастания внутренних напряжений, причиной которых является донорный азот.

6. Отжиг облученных алмазов приводит к образованию: а) в кристаллах типа 1Ь N1-, и МУ- дефектов, при этом:

- концентрация азотных интерстиций связана с интенсивностью ИК полосы 1450 см"1 соотношением:

Ы1](ррш)=(3±0,6 ррт/ см"1)* Д145о (см"1);

- при [Мс] <3,5 ррш - доминируют дефекты ЫУ°; при [N0] >3,5 ррш - дефекты ОТ"; б) в кристаллах псевдотипа 1аАВ1+1Ь, наряду с другими, Н4/Н5 - дефектов, где Н5-дефект (система с линией 804,8 нм/1,539 эВ) связывается с Н4-дефектом, захватившим пятый валентный электрон С-дефекта: Н5 = Н4 + е".

7. Произведение флюенса «надтепловых» нейтронов на суммарное содержание азота в кристалле, при котором, в результате трансформации N1 -дефектов при 1500°С, образуется около 4 ррш С-дефектов, составляет 380х1017рртхнейтронов/см2.

8. При НРНТ отжиге природных алмазов одновременно происходят две группы процессов, скорость которых выше в более деформированных кристаллах: а) разрушение имеющих дислокационную природу центров коричневой окраски, сопровождающееся образованием, миграцией и захватом вакансий, с появлением азотно-вакансионных центров окраски; б) диссоциация и агрегация А - дефектов, с образованием С-, и В1-, а иногда и В2 - дефектов, соответственно.

9. При температурах 1800-2300°С НРНТ отжига: а) ЕА диссоциации А

- дефектов варьируется в диапазоне от 6,4 эВ - для бесцветных недеформиро-ванных кристаллов, до 3.7 эВ - для темно коричневых сильно деформированных кристаллов; б) поведение водородной линии 3107 см"1 показывает наличие в алмазах, источников водорода, предположительно микрочастиц графита, что подтверждается НРНТ отжигом графитсодержащих алмазов; в) исходная коричневая окраска в кристаллах типа 1а ослабевает и переходит в желто-зеленую, обусловленную доминирующими азотными С-, НЗ/Н2-, КЗ-дефектами; г) при температуре отжига выше 2500°С алмазы становятся практически бесцветными и из азотных дефектов остается только В1.

10. При термоударном режиме АРНТ отжига, с суммарным временем нахождения кристалла при температурах 1800 -2100°С, в течение 8^-11 сек, происходит трансформация дефектов структуры, аналогичная той, что имеет место при НРНТ отжиге.

11. Разработаны и защищены патентами РФ технологии получения алмазов фантазийного красного цвета (Патент РФ 2237113), глубокой очистки алмаза (Патент РФ 2285070), обогащения алмазосодержащих концентратов (Патент РФ 2316472).

Основные публикации по теме диссертации

Результаты диссертации изложены в 80 публикациях, основные из которых следующие:

1. Елисеев А.П., Вине B.C. Рентгенолюминесценция синтетических алмазов.// Физика и техника высоких давлений.-1986.-Вып.23.-с. 17-25.

2. Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н., Федоров И.И., Вине В.Г. и др. Авторское свидетельство № 258855 Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий (приоритет от 11.05.1986 г.).

3. Елисеев А.П., Вине В.Г., Надолинный В.А., Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н. Влияние условий образования синтетических алмазов на их ренгенолюминес-ценцию.// Сверхтвердые материалы.-1987. -№4.-С.З-9.

4. Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н., Федоров И.И., Вине В.Г. и др. Авторское свидетельство № 270061 Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий (приоритет от 06.03.1987 г.).

5. Вине В.Г., Елисеев А.П. Особенности экспериментального изучения спектров поглощения синтетических алмазов. // Сверхтвердые материалы.-1987.-№5.-С.20-23.

6. Елисеев А.П., Соболев Е.В., Вине В.Г. Термостимулированная люминесценция в алмазах типа lb.// Сверхтвердые материалы.-1988.-№1.-С.11-18.

7. Вине В.Г., Елисеев А.П., Малоголовец В.Г. Оптическая спектроскопия синтетических алмазов, облученных нейтронами.// Сверхтвердые материалы.-1988.-№4.-С.22-28.

8. Yelisseyev А.Р., Vins V.G., Chepurov A.I., Palyanov Yu.N. Effect of formation conditions on synthetic diamond luminescence. // Proceedings XI AIRAPT International Conference. Kiev, 1989. -P.45-49.

9. Вине В.Г., Елисеев А.П. Туннельная люминесценция в синтетических алмазах. // Сверхтвердые материалы. -1989.-№3.-С.13-17.

10. Вине В.Г., Фейгельсон Б.Н., Елисеев А.П. и др. Оптически активные дефекты в алмазах, выращенных в диапазоне температур 1350-1740С.// Сверхтвердые материалы.-1991 .-№3 .-С.21 -26.

11. Вине В.Г. Изменение цвета коричневых природных алмазов под действием высоких давлений и температур. // Записки Всероссийского Минералогического Общества,- 2002,- №4. С. 111-121.

12. Vins V.G., Kononov O.V. A model of НРНТ color enhancement mechanism in natural gray diamonds. Diamond and Related Materials, Vol.12, 2003, p. 542-545.

13. Вине В.Г. Способ получения алмазов фантазийного красного цвета. Патент РФ №2237113 (приоритет от 26.06.2003).

14. Vins V.G. On The Transformation Of Optically Active Defects In Diamonds Crystal Lattice. Diamond and Related Materials, Vol.13, 2004, p. 732-735.

15. Козьменко O.A., Вине В.Г. и др. Способ очистки алмаза. Патент РФ №2285070 (приоритет от 10.11.2004).

16. Vins V.G. New radiation induced defects in HPHT synthetic diamonds. Diamond & Related Materials, Vol.14, 2005, p. 364-368.

17. Vins V.G., Pestryakov E.V. Color centers in diamond crystals: Their potential use in tunable and femtosecond lasers. Diamond & Related Materials, Vol.15, 2006, p.569-571.

18. Vins V.G., Yeliseyev A.P., Chigrin S.V., Grizenko A.G., Natural Diamond Enhancement: The Transformation of Intrinsic and Impurity Defects in the Diamond Lattice. Gems &Gemology, Fall 2006, p.120-121.

19. Козьменко О.А., Вине В.Г. и др. Способ обработки алмазосодержащих концентратов. Патент РФ 2316472 (приоритет от 08.02.2006).

20. Вине В.Г., Елисеев А.П. Получение, свойства и перспективы использования структурно совершенных НРНТ синтетических алмазов типа lb. В кн. «Высокие технологии в промышленности России. Материалы XIV Международной научно-технической конференции». Москва, ЦНИТИ «Техномаш», 2008, стр.242-247.

21. Козьменко О.А., Вине В.Г. Способы полной очистки алмазов. //Заводская лаборатория. Диагностика материалов».- 2008,- т.74. - №6. С.30-31.

22. Вине В.Г., Елисеев А.П. Влияние условий выращивания на спектральные характеристики синтетических алмазов типа lb. // Перспективные материалы,-2009.-№6. С.36-42.

23. Вине В.Г., Елисеев А.П. Влияние отжига при высоких давлениях и температурах на дефектно - примесную структуру природных алмазов. //Перспективные материалы.-2010. -№1. С.49-58.

24. VinsV.G., Yelisseyev А.Р., Lobanov S.S., AfoninD.V., Maksimov A.Yu, Blinkov A. Ye. APHT treatment of brown type la natural diamonds: dislocation movement or vacancy cluster destruction? Diamond & Related Materials, Vol.19, 2010, p.829-832.

25. Vins V.G., Eliseev A.P. Effect of annealing at high pressures and temperatures on the defect- admixture structure of natural diamonds. Inorganic Materials: Applied Research. 2010, Vol.1, No 4, p.303 - 310.

26. Yelisseyev A., VinsV., LobanovS., AfoninD., MaksimovA., BlinkovA. Aggregation of Donor Nitrogen in Irradiated Ni-Containing Synthetic Diamonds. Journal of Crystal Grows, 2011, Vol. 318, Issue 1, p. 539-544.

27. Вине В.Г., Елисеев А.П. Агрегация азота в синтетических алмазах с никелевыми и радиационными дефектами. //Фундаментальные проблемы современного материаловедения*. -2011. -т. 8.- №1. С.17 - 24.

28. Вине В.Г., Елисеев А.П., Старостенков М.Д. Генерация и отжиг радиационных дефектов в алмазах, облученных электронами. //Фундаментальные проблемы современного материаловедения*.-20П.- т. 8. -№1. С. 66 - 79. Журнал включен в перечень ВАК 17.06.2011

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Винс, Виктор Генрихович, 2011 год

1. Краткая химическая энциклопедия.- М.: Сов. энцикл., 1961. т.1. 631 с.

2. Неорганические полимеры. Под ред. Ф. Стоуна, В. Грэхема.- М.: Мир, 1965. 435 с.

3. A.M. Шур. Высокомолекулярные соединения,- М.: Высш.шк., 1981. 656 с.

4. Энциклопедия полимеров.- М.: Сов. энцикл., 1974. т.2. 516 с.

5. Г.С. Буберман. УФН. 103 (1971) 675.

6. К.Н. Погодаев. ФТТ. 7 (1960) 1450.

7. J Isberg, J. Hammersberg, D.J. Twitchen, A.J. Whitehead. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 320.

8. B.C. Вавилов, E.A. Конорова. УФН. 118 (1976) 611.

9. Properties of Diamonds. Ed. by J.E. Field. Lnd.: Acad.press, 1979, 674 p.

10. R. Berman, M. Martinez. Diamond Res. (1976) 7.

11. B.C. Вавилов, А.А. Гиппиус, E.A. Конорова. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. 213 с.

12. T.R. Anthony, W.F. Banholzer, J.F. Fleisher et al. Phys. Rev. 42 (1990) 1104.

13. L.H. Wei, P.K. Kuo, R.L. Thomas et al. Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 3764.

14. G.Balasubramanian, P.Neumann, D.Twitchen et al. Nature Materials. April (2009) 1.

15. A. D. Greentree, B.A. Fairchild. Materials Today. 11 (2008) 22.

16. F.C. Waldermann, P. Olivero, J. Nunn et al. Diamond Relat. Mater. 16 (2007) 1887.

17. M.L. Markham, J.M. Dodson, G.A. Scarsbrook et al. Diamond Relat. Mater. 20 (2011) 134.

18. F.P. Bundy. J. Chem. Phys. 38 (1963) 618.

19. F.P. Bundy. J. Chem. Phys. 35 (1961) 383.

20. D.R. McKenzie et al. Thin Solid Films 206 (1991) 198.

21. G. Peckham. Solid State Com. 5 (1967) 311.

22. S.A. Solin, A.K. Ramdas. Phys. Rev. В 1 (1970) 1687.

23. C.D. Clark et al. Proc. R. Soc. Lnd. A277 (1964) 312.

24. P. Denham et al. Phys. Rev. 161 (1967) 762.

25. P.J. Dean et al. Phys. Rev. A140 (1965) 352.

26. Ю.А.Клюев. Алмазы 6 (1971) 9.

27. Г.Б.Бокий, Г.Н.Безруков, Ю.А.Клюев, и др. Природные и синтетические алмазы. М.: Наука, 1986, 220 с.

28. J.R. Hardy, S.D. Smith. Philos. Mag. 6 (1961) 1163.

29. R.S. Sussman. Indust.Diam.Rev. 2 (1993) 63.

30. W.V. Smith, P.P. Sorokin et al. Phys. Rev. 115 (1959) 1546.

31. C.A.J. Amerlaan. Defect and radiation effect in semiconductors. University of Tokio. 59(1980)81.

32. Ю.А. Клюев, В.И. Непша, A.M. Налетов. ФТТ 16 (1974) 3259.

33. М.И. Самойлович, Г.И. Безруков, В.П. Бутузов и др. ДАН СССР 217 (1974) 577.

34. В.Г. Малоголовец. Изучение примесного состава и реальной структуры синтетических алмазов спектроскопическими методами. Автореф. дис. канд.физ.-мат.наук. Киев, ИПМ АН УССР, 1979, с.21.

35. S.C. Lawson, D. Fisher, D.C. Hunt, M.E. Newton. J.Phys.Condens.Matter. 10 (1998)6171.

36. I. Kiflawi, et al. Philos. Mag. B, 69 (1994) 1141.

37. E. В. Соболев, Ю.А. Литвин, Н.Д. Самсоненко и др. ФТТ 10 (1968) 2266.

38. R.M. Chrenko, Н.М. Strong, R.E. Tuft. Philos. Mag., 23 (1971) 313.

39. R.G. Farrer. Ibid 7 (1969) 685.

40. L.A. Vermeulen, R.G. Farrer. Diamond Res. (1975) 18.

41. Е.В. Соболев, Н.Д. Самсоненко, В.Е. Ильин и др. ЖСХ 10(1969)52.

42. G. Davies. Diamond Res. (1972) Suppl. Industrial. Diamond Rev. 21.

43. A.M. Налетов, Ю.А. Клюев и др. ФТТ 19 (1977) 1529.

44. B.C. Татаринов. В кн. "Алмаз в электронной технике". Под ред. В.Б. Ква-скова, М.: Энергоатомиздат, 1980, с. 110.

45. G. Davies. "The Properties of Diamond". Ed. J.L.Field, Lnd. : Acad, press, 1979, p.l.

46. М.Я. Щербакова, Е.В. Соболев и др. ФТТ 11 (1969) 1364.

47. Е.В. Соболев, Н.Д. Самсоненко, В.К. Аксенов и др. ЖСХ 10 (1969) 552.

48. Е.В. Соболев, В.И. Лисойван В кн. «IIIВсес. Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок». Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1972, с.72.

49. R.M. Chrenko, Н.М. Strong, R.E. Tuft. Philos. Mag., 23 (1971) 313.

50. S.R. Boyd, I. Kiflawi, G.S. Woods. Philos. Mag. B. 69 (1994) 1149.

51. S.R. Boyd, I. Kiflawi, G.S. Woods. Philos. Mag. B. 72 (1995) 351.

52. Е.В. Соболев, В.И. Лисойван. ДАН СССР 204 (1972) 88.

53. Ю.А. Клюев, A.M. Налетов, В.И. Непша. ФТТ 19 (1977) 14.

54. J.H.N. Loubser, J.A. van Wyk. Diamonds Conference, Reading (unpublished) (1981).

55. R.M. Chrenko. Phys. Rev., B. 7(1973)4560.

56. E.C. Lightowlers, A.T. Collins. Diamond Res. (1976) Suppl. Industr. Diamond Rev. 14.

57. R. Robertson, J.J. Fox, A.E. Martin. Philos.Trans. R. Soc. Lnd. A. 232 (1934) 463.

58. Е.В. Соболев, В.К. Аксенов, M.C. Медведева и др. В кн. «Оптическая спектроскопия и ЭПР примесей и дефектов в алмазе». Киев: ИСМ АН УССР, 1986, с.З.

59. А.П. Елисеев, В.Г. Вине, В.А. Надолинный и др. Сверхтвердые материалы 4(1987)3.

60. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Сверхтвердые материалы 5(1987)20.

61. Е.В. Соболев, С.Е. Ленская, В.И. Лисойван. ЖСХ 9 (1968) 1029.

62. G.S. Woods. Pros.R.Soc.London А407 (1986) 219.

63. J.P. Goss, B.J. Commer, R. Jones et al. Phys.Rev.B, 67 (2003) p.art.no. 165208.

64. M.J. Mendelssohn, H.J. Milledge. International geology review 37 (1995) 95.

65. Ю.А. Клюев, A.M. Налетов, В.И. Непша и др. ЖФХ 56 (1982) 524.

66. A.M. Зайцев, А.А. Гиппиус, B.C. Вавилов. ФТП 16(1982)397.

67. G. Davies. Diamond Res. (1977) 15.

68. G. Davies. J. Phys. C.: Solid State Phys. 7 (1974) 3797.

69. Е.В. Соболев, В.И. Лисойван. Тез. док. 8-ой отчет, науч.конф. Н-ск.: ИНХ СО АН СССР, 1971, с.60.

70. G. Davies. Nature 228 (1970) 758.

71. В.Г. Вине, Б.Н. Фейгельсон, А.П. Елисеев и др. Сверхтвердые материалы 3 (1991)21.

72. V.A. Nadolinny, А.Р. Yelisseyev. Diamond Relat. Mater. 3 (1994) 1196.

73. J.E. Field in "The Properties of Diamond". Ed. J.E. Field. Lnd.: Acad, press, 1992, p.705.

74. S.C. Rand, L.G. De Shazer. Opt.Lett. 10 (1985) 481.

75. Europatent EP 0 327 111 A2 (of 03.02.1989) by S.Satoh,T.Kazuwo, N.Takeru. Diamond laser and method of producing the same and method of acting the same.

76. C. Dodge. PhD thesis. UK.: Uni.of Reading. 1986.

77. F.C. Frank, A.R. Lang, D.G.F. Evans et al. Journal of Crystal Grows 104 (1990) 257.

78. J.H.N. Loubser, W.P. Van Ryneveld. Nature 21 (1966) 517.

79. М.И. Самойлович, Г.Н. Безруков, В.П. Бутузов. Письма в ЖЭТФ 14 (1971) 551.

80. J. Isoya, H. Kanda et.al. Phys.Rev. В. 41 (1990) 3905.

81. J. Isoya, H. Kanda. Phys.Rev. B. 42 (1990) 9843.

82. M.H. Nazare, A.J. Neves, G. Davies. Phys.Rev. B. 43 (1991) 14196.

83. H. Kanda, K. Watanabe. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 1463.

84. I.N. Kupriyanov, V.A. Gusev, Y.M. Borzdov et al. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 1301.

85. A.P.Yelisseev, H.Kanda. New Diamond and Frontier Carbon Technology 17 (2007) 127.

86. B.C. Багдасарян, E.A. Маркосян, M.A. Матосян и др. ФТТ 17 (1975) 1518.

87. H. Kanda, К. Watanabe. Diamond Relat. Mater. 6 (1997) 708.

88. S.C. Lawson, H. Kanda, K. Watanabe et al. J. Appl. Phys. 79(1996)4348.

89. E.B. Соболев «Тверже алмаза». Новосибирск: Наука, 1984, 126 с.

90. G.S. Woods, А.Т. Collins. J.Phys.Chem.Solids 44 (1983) 471.

91. К. Iakoubovskii, G.J. Adriaenssens. Diamond Relat. Mater. 11 (2002) 125.

92. F. De Weerdt^ A.T. Collins. Diamond Relat. Mater. 15 (2006) 593.

93. I. Kiflawi, D. Fisher, H. Kanda, G. Sittas. Diamond Relat. Mater. 5 (1996) 1516.

94. J.J. Hornstra. J.Phys.Chem.Solids 5 (1958) 129.

95. Ж. Фридель. Дислокации. M.: Наука, 1968, 626 с.

96. F.С. Frank, A.R. Lang. Phil.Mag. 4 (1959) 383.

97. A.R. Lang. Proc.Roy.Soc. A 278 (1964) 1373.

98. A.A. Урусовская, Ю.Л. Орлов. ДАН СССР 154 (1964) 1099.

99. Ю.Ф. Шульпяков. см. О пластической деформации алмазов. Сб. науч. тр. «Алмазы». М.: «Машиностроение», 1973, с.З.

100. Ю.Л. Орлов. Минералогия алмаза. М.: Наука, 1973, 222 с.

101. Н.Д. Самсоненко, В.Г. Шульга, Ю.А.Литвин. Синтетические алмазы 3 (1970) 22.

102. V. Avalos, S. Dannefaer. Physica В: Condensed. Matter. 340 (2003) 76.

103. L.S. Hounsome, R. Jones, P.M. Martineau et al. Phys. Rev. В 73 (2006) 1623.

104. О.В.Кононов Частное сообщение (2006).

105. J. Friedel. Phys.Rev. 164 (1967) 1056.

106. C.A. Coulson, M.J. Keasley. Proc.Roy.Soc. 241A (1957) 433.

107. T. Yamaguchi. J.Phys. Soc. Japan 17 (1962) 1359.

108. C.A. Coulson, F.P. Larkins. J. Phys. Chem. Solids 22 (1971) 5.

109. F.P. Larkins, A.M. Stoneham. J. Phys.C 4 (1971) 143.

110. G.D. Watkins, R.P. Messmer. Phys.Rev.Letters 27 (1971) 1573.

111. В.Г. Малоголовец, A.C. Вишневский. ДАН СССР 225 (1975) 319.

112. A.G. Evans, E.A. Charles. J. Amer.Ceram.Soc. 59 (1976) 371.

113. G. Davies. In "Chemistry and Physics of Carbon", ed. M. Dekker. -N.Y., 13, 1977, 1.

114. A.A. Каплянский, В.И. Колышкин, B.H. Медведев и др. ФТТ 12 (1970) 3530.

115. J. Walker. Rep.Progr.Phys. 42 (1979) 1606.

116. E.B. Соболев, B.K. Аксенов. Синтетические алмазы 1 (1979) 6.

117. W. Steeds. Diamond Conference Oxford 26 (1999) 1.

118. G. Davies, C. Foy, K. O'Donnel. J.Phys.C. 14 (1981) 4153.

119. A. Mainwood, A.T. Collins, P. Wood. Mater.Sci.Forum 143 (1994) 29.

120. B.A. Надолинный. Изучение дефектов в алмазах методом ЭПР. Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук, Н-ск.: ИНХ СО АН ССР, 1978, 25 с.

121. Е.В. Соболев, О.П. Юрьева. ФТП 16 (1982) 1513.

122. V.P. Mironov, E.D. Rasvosjaev. Abstracts of ISDF-3. Peterburg, 1996, 37.

123. A. Mainwood. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 156.

124. J.W. Steeds, T.J. Davis, S.J. Charles et al. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 1847.

125. A.T. Collins. J. Phys С: Solid St. Phys. 11 (1978) L417.

126. K. Iakoubovskii, I. Kiflawi, K. Johnston et. al. Physica B. 67 (2003) 340.

127. E.W.J. Mitchell. J. Phys.Chem.Solids 8 (1959) 444.

128. Дж. Корбетт, И.Ж. Бургуин. Точечные дефекты в твердых телах М.: Мир, 1979, 162 с.

129. A.T. Collins. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 1455.

130. A.T.Collins. Diamond Relat. Mater. 9(2000)417.

131. H.E. Smith, G. Davies, M.E. Newton et al. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 705.

132. R.M. Chrenko, R.E. Tuft, H.M. Strong. Nature 270 (1977) 141.

133. N. Evans, Z. Qi. Proc.roy.Soc. London A. 381 (1982) 159.

134. I. Kiflawi, H. Kanda, D. Fisher, S.C. Lawson. Diamond Relat. Mater. 6 (1997) 1643.

135. W. Taylor, D. Canil, H.J. Milledge. Geochim. Cosmochim. Acta, 60 (1996) 4725.

136. H. Kanda, T. Ohsawa, S. Yamaoka. Science and Technology of New Diamond. ed. S.Sato et al. Terra Science Publishing. 1990, p.339.

137. H, Kanda, S. Yamaoka-, Diamond Relat. Mater, 2 (1993) 1420.

138. N. Evans, Z. Qi, J. Maguire. J.Phys.C: Solid State Phys. 14 (1981) 378

139. J.A. Van Wyk, G.S. Woods. J.Phys: Condens.Matter. 7 (1995) 5901.

140. A.T. Collins. J. Phys C: Solid St. Phys. 13 (1980) 2641.

141. V.A. Nadolinny, A.P. Yelisseyev et al. Diamond Relat. Mater. 9 (2000) 883.

142. Ю.В. Бабич, Б.Н. Фейгельсон, H.B. Сурков и др. Неорганические Материалы 38 (2002) 1.

143. Y.V. Babich, B.N. Feigelson, A.P. Yelisseyev. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 1802.

144. Ю.А. Клюев, A.M. Налетов, В.И. Непша и др. ЖФХ 56 (1982) 524.

145. Т. Evans. Suppl.Industr.Diamond Rev. (1978) 17.

146. A.T. Collins, Н. Kanda, Н. Kitawaki. Diamond Relat. Mater. 9 (2000)113.

147. F. De Weerdt, A.T. Collins. Diamond Relat. Mater. 12 (2003) 507.

148. A. Mainwood. Phys.Rev. 49 (1994) 7934.

149. V.G. Vins, B.N. Feigelson. Optical properties of large synthetic diamonds. Abs. Intern. Conf. «Carbon-90». Paris, 1990, p.117-118.

150. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, Б.Н. Фейгельсон. Тез. докл. Всесоюз. конф. по применению алмазов в электронике. Москва, 1991, с.92-93.

151. А.П. Елисеев, Г.М. Рылов, Е.Н. Федорова, В.Г. Вине и др. Особенности дефектного состава и механической обработки крупных кристаллов синтетического алмаза. Н-ск.: ОИГГМ СО РАН, 1992, 28 с.

152. А.Р. Yelisseyev, V.G. Vins, B.N. Feigelson et al. Abstracts of the 3rd European Conference on Diamond, Diamond-like materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide. Heidelberg, 1992. 13.46.

153. V.G. Vins, B.N. Feigelson, A.P. Yelisseyev et al. Report in De Beers Research Center (Johannesburg). -1993.

154. V.G. Vins, A.I. Chepurov. Abstracts of the 6th European Conference on Diamond, Diamond-like materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide. Barcelona, 1995. 19.4.

155. Б.Н. Фейгельсон. Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике. Авто-реф. дис. канд. техн. наук. М.: МИСИС, 2004, 26 с.

156. О.И. Лейпунский. Успехи химии 8 (1939) 1519.

157. R. Berman, F. Simon. J.Electrochem.Soc. 59 (1955) 333.

158. Н.М. Strong, R.E. Hanneman. J. Chem.Phys. 46 (1967) 3668.

159. R.H. Wentorf. Adv.High Pressure Res. 4 (1974) 249.

160. R.C. Burns, G.J. Davies. The Properties of Natural and Synthetic Diamonds. Lnd.: Acad, press, 1992, p.395-422.

161. А.И. Чепуров, И.И. Федоров, В.М. Сонин. "Экспериментальное моделирование процессов алмазообразования". Н-ск.: НИЦ ОИГГМ СО РАН, 1997. 196 с.

162. Д.В. Федосеев, К.С. Успенская. Синтетические алмазы 4 (1977) 18.

163. В.Г. Вине, С.С. Лобанов, А.Ю. Максимов и др. Тез. докл. Межд. Конф. «Новые идеи в науках о Земле». М.: РГГРУ им Орджоникидзе, 2009, с.42-43.

164. V.G. Vins, А.Р. Yelisseyev, S.S. Lobanov et al. Diamond Relat. Mater. 19 (2010) 829.

165. С.И. Молоковский, А.Д.Сушков. Интенсивные электронные и ионные пучки. М.:Энергоатомиздат, 1991, 304с.

166. ООО НПФ «СИМЕКС». Описание ИК фурье-спектрометра «ФТ-801». Н-ск, 2005, 10 с.

167. Ю.А. Клюев, С.П. Плотникова, В.И. Смирнов. Алмазы и сверхтвердые материалы 5 (1979) 1.

168. Ю.А. Клюев, A.M. Налетов Тез. докл. Межд. Конф. «Новые идеи в науках о Земле». М.: РГГРУ им Орджоникидзе, 2005, с. 12.

169. A.A. Maradudin. Solid State Physic 18 (1966) 273.

170. D.B. Fitchen. Physics of Colour Centres. Ed. by WB Fowler. N. Y., 1968, p.293.

171. K.K. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968, 276 с.

172. H.H. Кристоффель. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.:Наука, 1974, 267с.

173. G. Davies. Diamond. Adam Hilger Ltd. Bristol: Techno House, 1984, 354 p.

174. M.B. Фок. Введение в кинетику фотолюминесценции кристаллофосфоров. -М.: Наука, 1964, 283 с.

175. В.В. Антонов-Романовский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофос-форов. М.: Наука, 1966, 324с.

176. V.G. Vins, А.Р. Yelisseyev, О.A. Kozmenko. Abstracts of the 20th European Conference on Diamond, Diamond-like materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide. Athens, 2010. 2.5.05.

177. V.G. Vins. Diamond Relat. Mater. 14 (2005) 364.

178. O.A. Козьменко, В.Г.Винс. Заводская лаборатория.Диагностика материалов 74 (2008) 30.

179. The IR spectra handbook of inorganic compounds. Sadtler Hey den, 1984.

180. O.A. Козьменко, В.Г. Вине, А.Н.Жильцов и др. Способ очистки алмаза. (2004) Патент РФ 2285070.

181. О.А. Козьменко, В.Г. Вине и др. Способ обработки алмазосодержащих концентратов. (2006) Патент РФ 2316472.

182. V.G.Vins, E.V. Pestryakov. Diamond Relat. Mater. 15 (2006) 569.

183. J.Wrachtrup, F. Jelezko. J.Phys: Condens.Matter. 16 (2004) R1089.

184. В.Г. Вине. Вестник Геммологии 4 (2002) 28.

185. А.П. Елисеев, B.F. Вине. В кн. "Экспериментальные исследования кристаллизации алмаза в металлических системах",- Н-ск.: ИГиГ СО АН СССР, 1983. с.20-28.

186. А.П. Елисеев, В.Г. Вине, Ю.Н. Пальянов и др. Тез. докл. XVI Всесоюз. конф. по росту кристаллов. Ереван, 1985. т.2. с.120-121.

187. А.П. Елисеев, В.Г. Вине, Ю.Н. Пальянов и др. Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок.- Н-ск: ИНХ СО АН СССР, 1986, т.2. с.9-10.

188. А.П. Елисеев, В.Г. Вине. Физика и техника высоких давлений 23 (1986) 17.

189. А.П. Елисеев, В.Г. Вине, А.И. Чепуров, Ю.Н. Пальянов. Сб. научн.тр. "Оптическая спектроскопия и ЭПР дефектов и примесей в алмазе",- Киев: ИСМ АН УССР, 1986. с.20-28.

190. А.П. Елисеев, В.Г. Вине, А.И. Чепуров, Ю.Н. Пальянов. Тез.докл. VI Все-союз. конф. по радиац. физике и химии ионных кристаллов,- Рига, ИФ Латв. ССР, 1986. т.2. с.47-48.

191. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, Ю.Н. Пальянов. Тез.докл. VII Всесоюз.конф. по росту кристаллов.-М., ИК АН СССР, 1988. с. 106-107.

192. А.Р. Yelisseyev, V.G. Vins, A.I. Chepurov, Yu.N. Palyanov. Proceedings XI AIRAPT International Conference. Kiev, 1989, p.45-49.

193. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. В кн. «Высокие технологии в промышленности России. Материалы XIV Международной научно-технической конференции». М.:ЦНИТИ «Техномаш», 2008, стр.242-247.

194. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Перспективные материалы 6 (2009) 36.

195. P.J. Dean. Phys.Rev. 139 (1965) А588.

196. E.B. Соболев, Ю.И. Дубов. ФТТ 17 (1975) 1142.

197. I. Kiflawi, A.R. Lang. Phil.Mag. 30(1974)219.

198. N. Yamamoto, J.C.H. Spence, D. Fatly. Phil.Mag. 49 (1984) 609.

199. А.П. Елисеев, E.B. Соболев, В.Г. Вине. Сверхтвердые материалы 1 (1988) 11.

200. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Сверхтвердые материалы 3 (1989) 13.

201. G. Popovici, R.G. Wilson, Т. Sung et al. J. Appl. Phys. 77 (1995) 5103.

202. А.А.Чернов. УФН 73 (1961)279.

203. Г.В. Войткевич, A.B. Кокин, А.Е. Мирошников, Б.Г. Прохоров. Справочник по геохимии. М.: Недра, 1990, 237с.

204. В.Е. Ильин Спектры поглощения и люминесценции примесных центров в алмазе. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Н-ск.: ИНХ СО АН СССР, 1971, 21 с.

205. A.P. Yelisseyev, V. Nadolinny, В. Feigelson et al. Diamond Relat. Mater. 5 (1994) 1113.

206. A.P. Yelisseyev, V.A. Nadolinny. Diamond Relat. Mater. 4 (1995) 177.

207. A.P. Yelisseyev, S. Lawson, I. Sildos et al. Diamond Relat. Mater. 12 (2003) 2147.

208. V.G. Vins. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 732.

209. X. Mexpep. Диффузия в твердых телах. М.: ИД «Интеллект», 2010, 563 с.

210. A.Smith, A.Mainwood, M.Watkins. Diamond Relat. Mater. 11 (2002) 312.

211. J. E. Lowther. Phys Rev. B51 (1995) 91.

212. J.P. Goss, P.R. Briddon, RJones, S. Oberg. J. Phys.: Condens.Matter. 16 (2004) 4567.

213. Б.Н. Некрасов. Основы общей химии. Изд.: Химия, т.2, 1973 с.688.

214. В.Г. Вине. Тез. докл. XIV Национальной конференции по росту кристаллов. М.: ИК РАН, 2010, т.2, с.295,

215. A. Mainwood. Semicond.Sci.Technol. 15 (2000) R55.

216. R.J. Tapper. Rep.Pror.Phys. 63 (2000) 1273.

217. C.J.H, Wort, R.S.Balmer. Materials Today 11 (2008) 22.

218. B.C. Вавилов. УФН 167 (1997) 17.

219. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Тез. докл. XIII Национальной конференции по росту кристаллов. М.: ИК РАН, 2008, с.334.

220. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, В.А. Сарин. «Драгоценные металлы/Драгоценные камни» 12 (2008) 155; 2 (2009) 132; 3 (2009) 146.

221. V.G. Vins, A.P. Yelisseyev, S.S. Lobanov et al. EGU General Assembly, Vienna, 12(2010) EGU2010-671-4.

222. A. Yelisseyev, V. Vins, S. Lobanov et al. Journal of Crystal Grows 318 (2011) 539.

223. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Фундаментальные проблемы современного материаловедения 8(2011)17.

224. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, М.Д. Старостенков. Фундаментальные проблемы современного материаловедения 8 (2011) 66.

225. F. De Weerdt, А.Т. Collins. Diamond Relat. Mater. 17 (2008) 171.

226. H.E.Smith, G.Davies, M.E.Newton, H.Kanda. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 705.

227. D.J.Twitchen, D.C.Hunt, V.Smart et al. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 8.

228. B.C. Вавилов. УФН 84 (1964) 431.

229. Д.Ж. Дине, Д.Ж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Иностр. Лит. (i960) с. 243.

230. В.П. Миронов. Части, сообщ. (2005).

231. J. W. Steeds, T. J. Davis, S. J. Charles et al. Diamond Relat.Mater. 8 (1999) 1847.

232. L. Allers, T. Alan, A.T. Collins, J. Hiscock. Diamond Relat. Mater. 7 (1998) 228.

233. A.T. Collins, P.M. Spear. J. Phys.C: Solid State Phys. 19 (1986) 6845.

234. K. Iakoubovskii, I. Kiflawi, K. Johnson et al. Physica В 340-342 (2003) 67.

235. A.T. Collins, A. Dahwich: J. Phys.: Condens. Matter. 15 (2002) L591.

236. К. Iakoubovskii, S. Dannefaer, A. Stesmans. Phys.Rev. В 71 (2005) 233201.

237. G. Davies. J. Phys.C.: Solid State Phys. 5 (1972) 2534.

238. G. Davies, A.T. Collins. Diamond Relat. Mater. 8 (1993) 1847.

239. A.T. Collins, A. Connor, C-H. Li et al. J.Appl.Phys. 97 (2005) 083517.

240. I. Kiflawi, G. Davies, D. Fisher, H. Kanda. Diamond Relat.Mater. 8 (1999) 1576.

241. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Тез. докл. XIII Национальной конференции по росту кристаллов. М.: ИК РАН, 2008, с.216.

242. V.G. Vins, А.Р. Yeliseyev, S.V. Chigrin, A.G. Grizenko. Gems & Gemology, Fall (2006) 120.

243. T. Hainschwang, F. Notari, E. Fritsch, L. Massi. Diamond Relat. Mater. 15 (2006) 1555.

244. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Перспективные материалы 1 (2010) 49.

245. Y. Yokota, H. Kotsuka, T. Sogi, J.S. Ma et al. Diamond Relat. Mater. 1 (1992) 470.

246. L. Allers, A.S. Howard, J.F. Hassard, A. Mainwood. Diamond Relat. Mater. 6 (1997) 353.

247. Y. Mita, H. Kanehara, Y. Nisida. Diamond Relat.Mater. 6 (1997) 1722.

248. K. Iakoubovskii, G. J. Adriaenssens, N. N. Dogadkin, A. A. Shiryaev. Diamond Relat. Mater. 10 (2001) 18.

249. T. Hainschwang, A. Respinger, F. Notari, H. J. Hartmann et al. Diamond Relat. Mater. 18 (2009) 1223.

250. E. Berdermann, M. Pomorski, W. de Boer, M. Ciobanu et al. Diamond Relat. Mater. 19 (2010) 358.

251. E. Berdermann, K. Blasche, P. Moritz, H. Stelzer, B. Voss. Diamond Relat. Mater. 10 (2001) 1770.

252. P. Bergonzo, A. Brambilla, D. Tromson, C. Mer et al. Diamond Relat. Mater. 10 (2001)631.

253. T.Tanaka, J.H. Kaneko, Y. Kasugai et al. Diamond Relat. Mater. 14 (2005) 2031.

254. A. Balducci, Marco Marinelli, E. Milani et al. Diamond Relat. Mater. 15 (2006) 292.

255. P. Bergonzo, D. Tromson, C. Descamps et al. Diamond Relat. Mater. 16 (2007) 1038.

256. S. G. Wang, Qing Zhang, Q. Wang, S. F. Yoon et al. Diamond Relat. Mater. 12 (2003) 682.

257. B. Marczewska, T. Nowak, P. Olko et al. Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 918.

258. A. Lohstroh, P.J. Sellin, S. Gkoumas et al. Diamond Relat. Mater. 19 (2010) 841.

259. Т. Behnke, А. О, A. Wagner, W. Zeuner et al. Diamond Relat. Mater. 7 (1998) 1553.

260. D. Tromson, M. Rebisz-Pomorska, N. Tranehantet al. Diamond Relat. Mater. 19 (2010) 1012.

261. P. Bergonzo, A. Brambilla, D. Tromson et al. Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 920.

262. J.A.Brinkman. Amer.Journ.Phys. 24 (1956) 246.

263. G. Davies, B. Campbell, A. Mainwood, M.E. Newton. Phys. Stat. Solidi A-Applied Res. 186 (2001) 187.

264. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, В.Г. Малоголовец. Сверхтвердые материалы 4 (1988) 22.

265. В.Г. Вине, Е.М. Сербуленко, А.П. Елисеев. Тез. докл. Уральской конф. по прим. Мессб. спектр, в материаловедении.- Ижевск, 1989, с.63.

266. В.Г. Вине, А.П. Елисеев, В.Г. Малоголовец. Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по радиац. физике и химии неорг. материалов. Рига, ИФ АН Латв. ССР, 1989, с.30-31.

267. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Тез. докл. II Всесоюз.геммолог.совещания. Черноголовка : ИЭМ АН СССР, 1989, с.75-76.

268. V.G. Vins. Abstracts of the 12th European Conference on Diamond, Diamondlike materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide. Budapest, 2001, 14.5a.,

269. В.Г. Вине. Тез. докл. XI Национальной конференции по росту кристаллов. М.:ИК РАН, 2004, с. 116.

270. V.G. Vins, А.Р. Yeliseyev. Abstracts of the 12th European Conference on Diamond, Diamond-like materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide. Portugal, Estoril, 2006, 5.3.07.

271. V.G. Vins, A.P. Yelisseyev. Abstracts of 30th International Gemological Conference. Moscow, 2007, p. 127-129.

272. В.Г. Вине. Записки Всероссийского Минералогического Общества 4 (2002) 111.

273. V.G.Vins, O.V.Kononov. Diamond Relat. Mater. 12 (2003) 542.

274. V.G. Vins, A.P. Yelisseyev. Extented Abstracts of the 9th International Kimberlite Conference, 2008, No. 9IKC-A-00206.

275. В.Г. Вине, А.П. Елисеев. Тез. докл. XIII Национальной конференции по росту кристаллов. М.: ИК РАН, 2008, с.273.

276. В.Г. Вине. Тез. докл. Межд. Конф. «Новые идеи в науках о Земле». М.: РГГРУ им Орджоникидзе, 2009, с. 24.

277. V.G. Vins, A.P. Eliseev. Inorganic Materials: Applied Research 1 (2010) 303.

278. A.M. Zaitsev. Optical Properties of Diamond: A Data Handbook. Berlin: Springer, (2001), 502pp.

279. J. Van Royen, F. de Weerdt, O. de Gryse. Gems & Gemology 42 (2006) 86.

280. A.E. Mora, J.W. Steeds, J.E. Butler et al. Phys Stat Sol.(a) 202 (2005) 2943.

281. B. Willems, P. Martineau, D. Fisher et al. Phys Stat Sol. (a) 203 (2006) 3076.

282. A.S. Bidny. Proceedings of the XIII International Conference for Undergraduate and Graduate Students and Young Scientists "Lomonosov", Moscow, 2006, v.2, p.80.

283. V.A. Nadolinny, O.P. Yuryeva, N.P. Pokhilenko. Extended Abstracts of the 9th International Kimberlite Conference, 2008, No 9IKC- A-00218.

284. М.Я. Щербакова, E.B. Соболев, B.A. Надолинный, B.K. Аксенов. ДАН СССР 225 (1975) 566.

285. Г.Б. Бокий и др. Кристаллография 14 (1969) 147.

286. Г.Б. Бокий и др. Алмазы 2 (1969) 38.

287. Г.Б. Бокий и др. Доклады АН СССР 266 (1982) 711.

288. B.B. Дигонский. Л.: Наука (1992) 114 с.

289. C.B. Дигонский и др. Вестник Московского Университета. Серия «Геология» 4 (1990) 52.

290. В.Ф. Пенков. Генетическая минералогия гидрокарбонатов. М.: Наука, 1996, 247 с.

291. A.M. Портнов. Доклады АН СССР 267 (1982) 42.

292. Н.Г.Санжарлинский, Г.Б. Бокий и др. Рост алмаза и экспериментальные исследования. -М.: Наука, 1981, 141 с.

293. F.P. Bundy, Н.М. Strong, R.H. Wentorf. Chemistry and physics of carbon. 10 (1973)213

294. С.П. Плотникова Особенности люминесценции природных алмазов в зависимости от их реальной структуры и условий роста. Автореф. дис.канд.физ.-мат.наук: Иркутск: ИГУ, 1981, 21 с.

295. D.Fisher. Lithos 1125 (2009) 619.

296. В.А. Надолинный, О.П. Юрьева, А.П. Елисеев, Н.П. Похиленко, А.А.Чепуров. Доклады РАН 399 (2004) 532.1. Благодарности