Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Коровкин, Михаил Владимирович
Коровкин, Михаил Владимирович
доктор физико-математических наук
1998
- Специальность ВАК РФ01.04.10
- Количество страниц 308
Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Коровкин, Михаил Владимирович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. Литературный обзор
1.1. Электрические и электромагнитные эффекты в диэлектрических материалах.
1.2. Электрические эффекты при разрушении твердых тел.
1.3. Электрические и электромагнитные эффекты при пластической деформации ионных кристаллов.
1.4. Радиационное дефектообразование и отжиг радиационных дефектов в ионных кристаллах.
1.4.1. Центры окраски в кристаллах 1лР.
1.4.2. Радиационные дефекты и центры окраски в кристаллах окиси магния.
1.4.3. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах кварца.
ГЛАВА 2 . Методика исследований.
2.1. Отбор и приготовление образцов для исследования.
2.1.1. Облучение кристаллов.
2. 1.2. Расчет поглощенной дозы при облучении электронами . . ^65 ? 2.1.3 Влияние мощности дозы облучения на эволюцию радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах
2.2. Методика исследования термолюминесценции в диэлектриках
2.3. Методика измерения термостимулированной проводимости.
2.4. Аппаратура и методика исследования электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне.
2.4.1. Выбор датчиков.
2.4.2. Согласование электрического датчика с измерительной схемой.
2.4.3. Блок - схема регистрации сигналов термостимулированной электромагнитной эмиссии.
2.4.4. Исследование характеристик термостимулированной электромагнитной эмиссии.
ГЛАВА 3. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, обусловленные электронными и ионными процессами при нагревании ионных кристаллов.
3.1. Термостимулированная электромагнитная эмиссия при релаксации радиоэлектретного состояния в кристаллах фтористого лития.
3.2. Взаимосвязь эффекта генерирования электромагнитной эмиссии с термостимулированной люминесценцией в щелочногалоидных кристаллах.
3.3. Термостимулированная электромагнитная эмиссия в кристаллах окиси магния.
3.4. Эффект радиационной памяти в ионных кристаллах.
ГЛАВА 4. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с термоактивированным движением дислокаций в ионных кристаллах.
4.1. Генерирование электромагнитной эмиссии при термоактивированном движении дислокаций в щелочногалоидных кристаллах.
4.2. Радиочастотная электромагнитная эмиссия в ионных кристаллах при термомеханической активации.
ГЛАВА 5. Электромагнитные эффекты в стеклообразных диэлектриках.
5.1. Результаты амплитудно-частотного анализа электромагнитного излучения при нагревании образцов технического стекла.
5.2 . Влияние облучения на электромагнитные эффекты в стеклах.
ГЛАВА 6. Термостимулированная электромагнитная эмиссия в ионно - ковалентных кристаллах.
6.1. Генерирование радиочастотной электромагнитной эмиссии при электронно - дырочных рекомбинационных процессах в кварце.
6.2. Термостимулированные люминесценция и электромагнитная эмиссия в кристаллах топаза.
ГЛАВА 7.Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с электронно - дырочными процессами
7.1. Регистрация термостимулированной электромагнитной эмиссии щелочногалоидных кристаллов, облученных при температуре жидкого азота.
7.2. Фотостимулированная электромагнитная эмиссия в аддитивно окрашенных кристаллах
7.3. Особенности генерации электромагнитной эмиссии в ионных кристаллах при радиационном стимулировании.
7.4. Механизмы генерирования электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне при электронно - дырочных рекомбинационных процессах в диэлектриках.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Электромагнитная и акустическая эмиссия при фазовых переходах в минералах и гетерогенных материалах2011 год, доктор геолого-минералогических наук Заверткин, Сергей Дмитриевич
Электрические и электромагнитные явления при нагревании минералов и горных пород1998 год, доктор геолого-минералогических наук Сальников, Владимир Николаевич
Механизмы и кинетика радиационно-химических процессов на поверхности ионных кристаллов1984 год, кандидат химических наук Александров, Александр Борисович
Радиационно-оптические и эмиссионные свойства широкозонных анионодефектных оксидов с пониженной симметрией2007 год, доктор физико-математических наук Сюрдо, Александр Иванович
Электронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением2000 год, доктор физико-математических наук Пичугин, Владимир Федорович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках»
Актуальность проблемы. Исследования электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, наблюдающихся при механическом разрушении различных диэлектриков, проводятся, начиная с 60-х годов, с целью поиска электромагнитных предвестников разрушения и разработки методов неразрушающего контроля качества материалов. Образование свежих заряженных поверхностей при отслаивании полиморфных пленок от диэлектрических подложек (Л.А.Тюрикова ) при раскалывании кристаллов (Л.М.Беляев, В.В.Набатов, Ю.Н.Мартышев, В.М.Финкель, Ю.И.Головин, Н.Г.Хатиашвили ) или разрушении их лазерным лучом (К.П.Арефьев, С.А.Воробьев, А.Д.Погребняк) сопровождаются радиоизлучением в результате газоразрядных процессов. За последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в исследовании радиочастотной электромагнитной эмиссии при пластической деформации ионных кристаллов, связанной с динамикой заряженных дислокаций ( Головин Ю.И.), при полиморфных и фазовых превращениях в гетерогенных кристаллических диэлектриках (В.Н.Сальников, П.Ф.Зильберман) и жидких кристаллах (Е.Г.Аксельрод, В.А.Добрин), при структурной релаксации в стеклообразных диэлектриках (М.Д.Бальмаков).
Воробьевым A.A., Завадовской Е.К., Сальниковым В.Н. впервые было экспериментально обнаружено, что радиоизлучение возникает при нагревании минералов и горных пород в определенных температурных интервалах протекания физико-химических процессов: выделения слабосвязанной и конституционной воды (дегидратация), разрушения минерала вследствие взрыва газово-жидких включений (декрепитация), окислительно - восстановительных реакций, полиморфных превращений в кварце и кварцсодержащих породах. Несмотря на очевидную связь генерации радиоизлучения и процессов разрушения минералов и горных пород при нагревании и механическом воздействии, также отмечалось, что на отдельных минералах ( флюорите, кварце, пирите) наблюдается совпадение максимумов изменения электропроводности, термолюминесценции и интенсивности счета электромагнитных импульсов в области температур выделения запасенной энергии. Такие результаты не могут быть однозначно связаны только с адгезионно - когезионными явлениями при расщеплении, раскалывании или декрепитации твердых тел и предполагают участие электронных и ионных процессов при нагревании минералов без их разрушения. Последнее явление связано непосредственно с отжигом точечных дефектов в минералах и горных породах, но поскольку какие-либо теоретические и экспериментальные сведения о возможности генерирования радиоизлучения при этом процессе отсутствуют как в отечественной, так и в зарубежной научной литературе, то сам факт существования термостимулированного радиоизлучения ставился под сомнение. Изучение электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, не связанных с процессами разрушения материала, и определение основных закономерностей их возникновения в этом случае необходимо проводить с использованием достаточно хорошо изученных кристаллов с ионным и ионно-ковалентным типом связи, в которых моделируются дефекты структуры с помощью радиационного воздействия. Эти диэлектрики могут служить модельными объектами при изучении новых физических явлений и закономерностей, свойственных не только этим типам кристаллов, но и присущих большому классу диэлектрических материалов имеющих широкое практическое применение, например, в качестве дозиметров, оптических лазерных сред, конструкционных материалов, работающих в полях ионизирующей радиации. 7
Исследование электромагнитных эффектов в радиодиапазоне при различных воздействиях на кристаллические диэлектрики позволяет не только расширить область изучаемых физических свойств, но и логически завершить весь спектр наблюдаемых электромагнитных явлений в твердых телах. Эти работы представляют собой новое перспективное направление в физике диэлектрических структур -радиочастотно-эмиссионную спектроскопию кристаллических диэлектриков.
Цель работы : исследование явления генерации электромагнитной эмиссии при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на кристаллические диэлектрики путем детального изучения качественных закономерностей возникновения в радиочастотном диапазоне сигналов электромагнитной эмиссии вследствие преобразования и отжига радиационных дефектов в кристаллических и стеклообразных диэлектриках, определения характеристик электромагнитной эмиссии, условий и процессов, приводящих к ее генерированию, а также поиск оптимальной методики регистрации наблюдаемых электромагнитных эффектов и определения возможностей метода электромагнитной эмиссии для исследования физико - химических свойств диэлектрических материалов.
Научная новизна. Установлено, что генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на неорганические диэлектрики является их фундаментальным свойством.
Экспериментально показано, что генерирование различной по характеристикам сигналов электромагнитной эмиссии, возникающей в диэлектриках, обусловлено эволюцией, отжигом и взаимодействиями между собой объемных, линейных и точечных заряженных дефектов и 8 отражает динамику релаксационных процессов во временном интервале 20 нсек - 20 мсек.
Впервые экспериментально обнаружено генерирование фотостимулированной электромагнитной эмиссии в радиационно и аддитивно окрашенных щелочногалоидных кристаллах и термостимулированной электромагнитной эмиссии в ЩГК, облученных при температуре жидкого азота; возникновение электромагнитной эмиссии связывается непосредственно с электронно-дырочными рекомбинационными процессами и носит квантовый характер.
Экспериментально установлено, что термоактивированное движение дислокаций в ионных кристаллах сопровождается электромагнитным излучением в радиодиапазоне, параметры которого определяются динамикой дислокаций.
Обнаружен эффект радиационной "памяти", заключающийся в проявлении остаточной дефектности после отжига радиационных центров окраски, в природных и синтетических кристаллических диэлектриках.
Разработана высокочувствительная методика регистрации сигналов электромагнитной эмиссии по электрической составляющей в радиодиапазоне частот до 50 МГц, позволяющая обнаруживать сигналы с амплитудой от 350 мкВ в широком интервале температур. Показано, что определяющее значение имеет согласование электрической антенны-датчика с измерительной схемой регистрации электромагнитных сигналов.
Практическая ценность работы определяется новыми экспериментальными данными о процессах электрической релаксации в диэлектриках, которые определяются динамикой заряженных дефектов. Метод термостимулированной электромагнитной эмиссии применен для неразрушающего контроль качества диэлектрических материалов и 9 изделий с целью выявления макроскопических неоднородностей (пор, трещин, и т.д.), а также остаточной дефектности кристаллов, подвергавшихся ранее воздействию ионизирующей радиации, что следует учитывать, в частности, при восстановлении дозиметрических свойств детекторов ионизирующего излучения и оптических запоминающих сред на основе ионных кристаллов. Предложено использовать температурные зависимости генерирования сигналов электромагнитной эмиссии для изучения динамических параметров движения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при тепловом и термомеханическом воздействии. Разработан способ диагностики и дозиметрии пучка рентгеновского излучения.
Для Института Технического Стекла (г.Москва) разработаны рекомендации по использованию метода термостимулированного радиоизлучения для контроля качества материалов и изделий из силикатного стекла с целью выявления в них технологических дефектов. На примере расчленения карбонатных пород палеозойского фундамента нефтегазовых месторождений Томской области по их радиационно-оптическим свойствам на основе эффекта радиационной "памяти", разработаны практические рекомендации для ПГО "Томскнефть", "Томскнефтегазгеология" и Томского комитета природных ресурсов при проведении поисково-разведочных работ на нефть. Результаты научных исследований внедрены в учебный процесс для чтения лекций и практических занятий со студентами по курсам "Физика твердого тела" и "Кристаллография".
Апробация работы и публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 32 работах и обсуждены на 27 научных конференциях, в том числе: на III Всесоюзной научно-технической конференции по термомеханическим методам разрушения горных пород
Днепропетровск, 1976); на Всесоюзной конференции "Физика
10 диэлектриков и материалы квантовой электроники" (Москва, 1977); на IV и VI Всесоюзных симопзиумах "Оптические и спектральные свойства стекол" (Рига, 1977, 1986 ); на IV, VI, VII Всесоюзных и VII, IX Международных совещаниях "Радиационная физика и химия ионных кристаллов"( Рига, 1978, 1986, 1989; Томск, 1993, 1996); на Всесоюзном совещании "Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах" (Томск, 1982); на научной сессии Всесоюзного минералогического общества "Роль технологической минералогии в развитии сырьевой базы СССР" (Ленинград, 1983); на IV и V Всесоюзных и VI и VII Международных совещаниях "Радиационные гетерогенные процессы "(Кемерово, 1986, 1990, 1995, 1998); на X Юбилейном и XI Всесоюзных симпозиумах по механоэмиссии и механохимии твердых тел (Ростов-на-Дону, 1986; Чернигов, 1990), на I, II и III Томских Международных междисциплинарных школах - семинарах "Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде" (Томск, 1988, 1990, 1992), на Второй Международной научно - технической конфференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1994), на ХШ Российском совещании по экспериментальной минералогии (Черноголовка, 1995), на Международной конференеции, посвященной столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета "Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде" (Томск, 1996), на Международной конференции "Закономерности эволюции земной коры" (Санкт-Петербург, 1996), на Международной научно - технической конференции "Диэлектрики - 97" (Санкт-Петербург, 1997), на Международной конференции "Спектроскопия, рентгенография и кристаллохимия минералов" (Казань, 1997), на научной конференции "Актуальные вопросы геологии и географии Сибири"( Томск, 1998), на
11
Международной конференции "КО!Ш8 '98" ( Томск, 1998), на Международной конференции "Радиационно - термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 1998).
Кроме того, материалы диссертации обсуждались на научных семинарах в Институте физики АН Латвийской ССР (Рига), в Институте физики АН Эстонской ССР (Тарту), в Институте естественных наук Бурятского филиала СО АН СССР (г.Улан-Удэ), в НИИ физики твердого тела при Латвийском госуниверситете, в НИИ прикладной физики при Иркутском госуниверситете, в Московском и Харьковском госуниверситетах, в НИИ синтеза минерального сырья (г.Александров), а Дальневосточном Институте минерального сырья (г.Хабаровск), в Забайкальском НИИ министерства геологии СССР (г.Чита), Институте физики при Ростовском госуниверситете.
Личный вклад автора. В основу работы положены результаты экспериментальных и аналитических исследований, полученные автором лично или при его участии. Автором лично определено стратегическое направление исследований. В подавляющем большинстве проводимых изысканий автором непосредственно формулировались исходные предпосылки, определялись цель работы и методы ее достижения, обобщались результаты и делались выводы. Автором разработана методика и создана экспериментальная установка для регистрации электромагнитной эмиссии в кристаллических диэлектриках при оптическом, тепловом и радиационном внешнем стимулирующем воздействии.
В работы, написанные в соавторстве, личный вклад автора является определяющим в формулировке исходных предпосылок постановке задачи исследования, экспериментальной части и обсуждения полученных результатов, разработке теоретических моделей и расчетов.
12
При использовании и обсуждении разработок соавторов и других материалов делаются необходимые ссылки в тексте диссертации.
Объем и стуктура работы. Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 173 страницах текста, содержит 70 рисунков, 5 таблиц и
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации1983 год, доктор физико-математических наук Вайсбурд, Давид Израйлевич
Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах2004 год, доктор физико-математических наук Огородников, Игорь Николаевич
Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией2002 год, доктор физико-математических наук Анненков, Юрий Михайлович
Радиационно-стимулированные процессы агрегации дефектов в ионных кристаллах1984 год, доктор физико-математических наук Экманис, Юрий Арнольдович
Закономерности эволюции первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах с исходной дефектностью2005 год, доктор физико-математических наук Корепанов, Владимир Иванович
Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Коровкин, Михаил Владимирович
Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах :
1.Коровкин М.В. Электромагнитное излучение возбужденных ионных кристаллов при термическом стимулировании / Материалы научно-практ. конф.:Молодые ученые и специалисты Томской области в 9 пятилетке. - Томск: Изд-во ТГУ, 1975. - С.217-220.
2.Воробьев A.A., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Наблюдение радиоимпульсов при нагревнии кристаллов и минералов в вакууме // Известия ВУЗов. Физика. - 1975. - № 7. - С. 59 - 64.
3. Бреховских С.М., Воробьев A.A., Завадовская ЕК., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Регистрация импульсного электромагнитного излучения в диапазоне радиочастот при нагревании периклаза и технического стекла //'Известия ВУЗов. Физика. - 1977. -№ 4. - С. 124131.
4.Коровкин М.В., Сальников В.Н. Термостимулированное радиоизлучение диэлектриков // Радиационные эффекты в твердых телах. Тез. докл. Всес. конф. - Ашхабад, 1977. - С. 138 - 139.
5.Коровкин М.В., Притулов A.M. Термостимулированное радиоизлучение возбужденных монокристаллов MgO // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. IV Всес.совещ. - Рига, 1978. -С. 213-214.
6.Сальников В.Н., Заверткин С.Д., Коровкин М.В. Электромагнитные и акустические эффекты вследствие структурных изменений в стеклах // Известия ВУЗов. Физика. - 1980. - №1. - Деп.в ВИНИТИ, № 3981 - 80. - 27 С.
7.Коровкин М.В. Механизмы генерирования электромагнитных импульсов облученными кристаллами при механическом и тепловом
250 воздействии // Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах. Тез. докл. Всес. научн. совещ. -Томск, 1982. - С. 181.
8.Сальников В.Н., Коровкин М.В. Исследование оптических и электромагнитных свойств технических стекол // Оптические и спектральные свойства стекол. Тез. докл. VI Всес. симпозиума. - Рига, 1986.- С. 154.
9.Коровкин М.В. Исследование термостимулированного радиоизлучения облученных МДМ - систем // Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы. Тез. докл. IV Всес. совещ. - Кемерово, 1986. - 4.2. - С. 36 - 37.
10.Коровкин М.В. Электромагнитная эмиссия обусловленная движением дислокаций при термомеханическом воздействии на ионные кристаллы // Тез. докл. X Юбилейн. Всес. симпоз. по механоэмиссии и механохимии твердых тел. - Москва, 1986. - С. 32.
П.Сальников В.Н., Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Исследование отжига радиационных дефектов в ионных кристаллах методом термостимулированного радиоизлучения // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. VI Всес.конф. - Рига, 1986.- С.308-309.
12.Коровкин М.В. Рекомбикационкые механизмы радиоизлучения в ионных кристаллах // Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде. Тез.докл.междисциплинарной школы-семинара. -Томск, 1988. - 4.2. - С. 133 - 135.
13.Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Термостимулированное радиоизлучение при релаксации электретного состояния в кристаллах LiF // Известия ВУЗов. Физика. - 1989. - № 3. - С. 102 - 104.
14.Коровкин М.В.,Сальников В.Н, Эффект радиационной памяти в диэлектрических кристаллах // Радиационная физика и химия
251 неорганических материалов. Тез. докл. VII Всес. конф. - Рига, 1989.-С.178.
15.Коровкин М.В. Образование гетерогенных структур в ЩГК при различных интенсивностях гамма - излучения // Радиационные гетерогенные процессы. Тез. докл. V Всес. совещ. - Кемерово, 1990. - С. 63-64.
16. Korovkin M.V. Dislocation dynamics in irradiated alkali halide crystals // Радиационная физика и химия неорганических материалов. Тез. докл. VIII Междунар. конф.-Томск, 1993.- Ч.2.- С. 23.
17.Сальников В.Н., Монингер Г.Г., Заверткин С.Д., Коровкин М.В., Долгов И.В. О некоторых электрофизическихх свойствах кварцитов // Физико - технические проблемы разработки полезных ископаемых. -1994. - № 3. - С. 89 - 98.
18. Коровкин М.В. Радиочастотная электромагнитная эмиссия в кристаллических диэлектриках // Труды Второй Международ, научно -техн. конф.: Актуальные проблемы фундаментальных наук. - Москва,
1994,- Т.З - С. А16-А19.
19. Коровкин М.В., Бетхер М.Я., Иванова O.A. Радиационные гетерогенные процессы в ювелирных топазах // Радиационные гетерогенные процессы. Тез. докл. VI Международ, конф., Кемерово,
1995.-С. .25.
20. Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти в синтетических минералах // ХШ Российское совещание по экспериментальной минералогии. Тез.докл.- Черноголовка: Институт экспериментальной минералогии, 1995. - С. 52.
21. Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти" в природных и искусственно выращенных кристаллах, / Геология 2. Ред. кол.: А.Н.Тихонов , В.А. Садовничий и др.
252
Программа "Университеты России") - М.: Изд-во Московского .ун-та, 1995.-С. 200-204.
22. Korovkin M.V., Sal'nikov V.N. Radiation "memory" effect in synthetic minerais / Experiment in Geosciences. - 1995.- Vol.4, №4.-P. 82 -83.
23. Коровкин M.В. Влияние мощности облучения на эволюцию радиационных дефектов в кристаллических диэлектриках. / Тезисы докладов 9-й Международной конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ - 9), - Томск: Изд. ТПУ, 1996. - С. 205.
24. Коровкин М.В., Герих Л.Ю., Лебедева Н.А., Барский А.М. Оценка радиационной обстановки в природных и техногенных районах экологической нестабильности методами радиационной минералогии. / Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде. Материалы Международной конф., посвященной столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета, - Томск, 1996. - С. 472 - 474.
25. Коровкин М.В. Генерация радиочастотной электромагнитной эмиссии вследствие электрической релаксации в кристалличесих диэлектриках / Диэлектрики - 97. Тез. докл. Международ, научно -технич. конф. - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГТУ, 1997. - С. 114 -115.
26. Тищенко Г.Г., Галанов Ю.И., Коровкин М.В., Токаренко Г.Г. Особенности расчленения палеозойских карбонатных толщ нефтегазоносных отложений методами гамма-термолюминесценции и инфракрасной спектрометрии / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш. 120-летию основания Томского гос. ун-та.- Томск: Изд-во ТГУ, 1998. - Т.2. - С.155-158.
253
27. Иванова О.А., Изох П.Э., Коровкин М.В., Томас В.Г. Рентгенолюминесценция синтетического топаза / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш.120-летию основания Томского гос. ун-та, - Томск: Изд-во ТГУ, 1998. - Т.З. -С.66 - 71.
28. Коровкин М. В. Влияние мощности у - облучения на эволюцию радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. / Деп. в ВИНИТИ 19.03.98 г. № 757 - В98. -13 с.
29. Arefiev К.P., Korovkin M.V. Electromagnetic effects in radiofrequency range connected with dynamics of radiation defects in crystal dielectrics / KORUS '98 . Abstracts the second Russian-Korean International symposium of science and technology. August, 30 - September, 5 at Tomsk polytechnical university. - Tomsk, Russia, 1998. - P. 157.
30. Коровкин M.B. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках / Радиационно - термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Тез. докл.Международной конф. - Томск, 1998.- С.152-154.
31. Коровкин М.В., Иванова О. А. Особенности рентгенолюминесценции синтетических кристаллов топаза / Физико-химические процессы в неорганических материалах. Тез. докл. Международной конф.- Кемерово, 1998. - Т.1. - С.36-38.
32. Коровкин М.В., Галанов Ю.И., Арефьев К.П. Термоактивированное движение дислокаций в кристаллах фтористого лития // Известия ВУЗов. Физика. - 1998. - № И - С. 124 - 126.
254
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Различные виды воздействия ( механическое, тепловое, оптическое, радиационное) на неорганические диэлектрики вызывают в них эволюцию структурных дефектов и появление неравновесных физико-химических процессов, связанных с движением микрозарядов или перераспределением зарядовой плотности, которые сопровождаются возникновением электромагнитных полей. Генерирование в радиочастотном диапазоне импульсной электромагнитной эмиссии, регистрируемой в ближней зоне по электрической составляющей, является фундаментальным свойством реального твердого тела, связано с созданием, эволюцией и отжигом объемных, линейных и точечных дефектов, отражает динамику релаксационных процессов во временном интервале 20 не - 20 мс в синтетических и природных кристаллических и стеклообразных диэлектриках при термическом, оптическом и радиационном возбуждении.
В отличие от адгезионно - когезионных явлений, связанных с образованием свежих, электрически заряженных поверхностей, сопровождающихся электрическим пробоем газового промежутка в начальной стадии разрушения и, как следствие, генерацией радиочастотной электромагнитной эмиссии в широком спектре радиочастот, при электрической релаксации также имеют место флуктуационные процессы, не связанные с разрушением кристалла.
Экспериментально регистрировалась импульсная радиочастотная электромагнитная эмиссия, обусловленная : 1) накоплением и релаксацией объемного заряда, электретного состояния в диэлектрике, а также радиоэлектретного состояния, при термической стимуляции, вследствие флуктуаций носителей заряда в электрическом поле электрета и появления электромагнитных эффектов генерационно
247 рекомбинационного типа; 2) термоактивированным движением заряженных дислокаций в щелочногалоидных кристаллах; 3) взаимодействием потоков движущихся заряженных дислокаций со свободными зарядами, возникающими при отжиге центров окраски в радиационно облученных кристаллах, при термоактивированном или термомеханическом стимулировании; 4) эволюцией и отжигом радиационных дефектов и центров окраски при термическом или оптическом воздействии. В этих случаях электромагнитные эффекты в радиодиапазоне обусловлены флуктуация ми концентраций (потоков) заряженных частиц и (или) флуктуациями дипольного (мультипольного) момента системы зарядов, связанного с их перераспределением по объему кристалла. Форма регистрируемых импульсов содержит временные и энергетические характеристики переходного процесса, а изменение интегральной интенсивности РЭМЭ отражает динамику электрических релаксационных процессов в кристаллических диэлектриках
Рекомбинационная электромагнитная эмиссия, сопровождающая преобразование и отжиг центров окраски при фото- или термостимуляции, обусловлена электронно - дырочными рекомбинационными процессами, и носит квантовый характер. Можно предположить, что скачок поляризации некоторой области кристалла (ячейки, включающей в себя центр рекомбинации) в результате взаимосвязанных электронных и ионных процессов приводит, как следствие, к появлению импульса электрического потенциала, длительность которого (10 не - 100 мке) соответствует времени рекомбинационного процесса (включая время жизни в релаксированном возбужденном состоянии).
Для моделирования указанных процессов, обусловливающих генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне, применялись радиационно-чувствительные и радиационно-стойкие
248 ионные и ионно-ковалентные кристаллы, а также стеклообразные диэлектрики - образцы технического и кварцевого стекла. Поскольку данные образцы неорганических диэлектриков отличаются различным содержанием и типом дефектов, и особенностями их образования под действием ионизирующего излучения, то выбор этих материалов в качестве объектов исследования оказался обоснованным и целесообразным.
Создание радиационных дефектов в диэлектриках производилось с учетом влияния вида, дозы и мощность дозы облучения ионизирующей радиацией, выбору которых посвящено отдельное исследование.
Разработана высокочувствительная методика регистрации электромагнитных сигналов в радио диапазоне при термическом, оптическом и ( или) радиационном воздействии на диэлектрики, позволяющая проводить комплексные исследования в интервале температур 80 - 700 К в радиодиапазоне до 50 Мгц, соответствующему параметрам регистрируемых сигналов 20 нсек - 20 мсек, с чувствительностью измерительного тракта 350 мкВ, а также проводить амплитудно-частотный анализ регистрируемых сигналов.
Метод регистрации электромагнитной эмиссии эффективен для изучения радиационных дефектов в диэлектриках, как новый канал информации о структуре и свойствах твердого тела, дополняющий известные и используемые методы исследования дефектных твердых тел. Исследование электромагнитных эффектов в радиодиапазоне при различных воздействиях на кристаллические диэлектрики позволяет не только расширить область изучаемых физических свойств, но и логически завершить весь спектр наблюдаемых электромагнитных явлений в твердых телах. Полученные результаты вносят определяющий вклад в развитие нового научного направления в физике
249 диэлектриков: радиочастотно - эмиссионную спектроскопию диэлектриков.
Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Коровкин, Михаил Владимирович, 1998 год
1. Фарадей М. Экспериментальные исследования по электричеству. Т.1. М.: Изд-во АН СССР, 1974. - 848 с.
2. Obreimoff I.W. // Proc.Roy.Soc. 1930. - Уо1.А127. -Р.290-297.
3. Hess G. // Zeits. f. Phys. 1932. Уо1.78. - Р. 117-124.
4. Корнфельд М.И. Электрический заряд твердых диэлектриков// ФТТ 1975. Т.17,В.З. -С.932 - 934.
5. Корнфельд М.И. Электризация ионного кристалла при пластической деформации и расщеплении // УФН.-1975.-Т.116,В-2 -С.327 339.
6. Корнфельд М.И. Электрические заряды на поверхности ЩГК // ФТТ 1971. ТЛХВЗ. - С.474-479.
7. Корнфельд М.И. Избыточные электрические заряды в-щелочногалоидных кристаллах //ФТТ 1968. - Т.10,В.8 - С.2422-2430.
8. Корнфельд М.И. О происхождении избыточных электрических зарядов в ЩГКУ/ ФТТ 1970. - Т.12.ВЛ - С318-349.
9. Молоцкий М.И. Дислокационный механизм электризации ионных кристаллов при расщеплении // ФТТ.- 1976. Т. 18, В.6 - С Л 7631764.
10. Дистлер Г.И., Кортукова Е.И. Исследование электрической структуры зеркальных сколов монокристаллов LiF, СаГг , MgO Л ФТТ. 1973. - ТЛ5-, ВЛО - 02917-2921.
11. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Исследование электрических свойств поверхности ионных кристаллов // Кристаллография. 1969. -Т. 14, В.4 - С .4-055-4-058.
12. Дистлер Г.И., Саровский ЭХ. Электрический рельеф поверхности ЩГК // ФТТ 4969. - Т.41, В.2 - С.547-550.
13. Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М., Кобзарева С .А. Декорирование поверхности твердых тел. М.:Наука,1976. - 214с.
14. Дистлер Г.И. Электрическая структура кристаллов // УФН -1971. Т.104. В.4-С.685- 709.
15. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Исследование центров окраски ЩГК на электронно-микроскопическом уровне // Кристаллография. -1969. Т. 14, В.4 - С.664-671.
16. Дистлер Г.И. Реальная структура, релаксационная способность и дальнодействие кристаллических поверхностей // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1968. - Т.32 -СЛ 044- 1055.
17. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Сетчатая структура кристаллов NaCl // Кристаллография. -1972. Т. 17, В.З -С.634-638.
18. Дистлер Г.И. Электрическая структура кристаллов / Проблемы современной кристаллографии-М.:Наука,1975.-С.197-207.
19. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В., Кортукова Е.И. Электрическая структура ЩГК при распаде их твердых растворов // ФТТ 1969. -Т.11, В.8 - С2390-239Х
20. Golovin Yu.I, Dyachek Т.P. The influence of dislocation charge on the cleavage surface charge of alkali halide crystals // Phys. stat.sol. (a) -1985.-Vol. 93-K61 -K64.
21. Мецик M.C. Поверхностная электропроводность свежих сколов кристаллов слюды Н Изв.Томского политех.ин-та. 1956. - Т.91 - С.413-424.
22. Мецик М.С., Афанасьев Н.В. Исследование электризации кристаллов слюды в момент расщепления с помщью катодного осциллографа // Изв.ВУЗов.Физика 1957. - № 1 - С.126-127.
23. Мецик М.С., Жидиханов P.A. Экспериментальное изучение изменений межплоскостного расстояния dooi при нагревании у кристаллов флогопита и мусковита // Кристаллография. 1958. - Т.З, В.1 - С.95-98.
24. Мецик М.С. Электризация кристаллов слюды при их расщеплении //ЖТФ. -1958. Т.28, В.1 -С.109- 113.
25. Дерягин Б.В., Мецик M.С. Роль электрических сил в процессе расщепления слюды по спайности// ФТТ-1959.-Т.1, № 10 С.1521-1528.
26. Мецик М.С. Физика расщепления слюд. Иркутск :Вост. Сиб. кн. изд., 1967.-278 с.
27. Millier R., Chang С.С. Low energy electron diffraction of electric dipoles on mica surface // Surface Sci. 1968 - Vol.9, No.3 - P.455-458.
28. Berzina I.G., Berman I.B., Domareva A.S. Structure defects in mica crystals // Acta crystfllogr. 1966. -Vol.21, No.7 - P.A16& - A169.
29. Корнфельд M.И. Электрическое поле пластически деформируемых кристаллов фтористого лития // ФТТ 1976. - Т. 18, В.7 -С.2071-2072.
30. Постников О.С., Иевлев В.М., Аммер В.А. Декорирование взаимозаполняющих поверхностей раскола щелочногалоидных кристаллов // ФТТ 1975. - Т. 17, В.З -€.946-948.
31. Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И. Ориентированная кристаллизация золота на поверхность кристалла NaCl через аморфную углеродную пленку // Кристаллография. 1969. - ТЛ4, Кб -С.1101-1104.
32. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Исследование эпитаксиального роста сернистого свинца через граничные аморфные слои, копирующие электрическую структуру поверхности кристаллов NaCl // Кристаллография. 1971. - Т.16, В.1 - С.212-217.
33. Дистлер Г.И., Шеняковская JI.A. Эпитаксия на аморфных граничных слоях, копирующих электрическую структуру поверхности кристаллов // ФТТ 1969. - ТЛ1, В.2 - С.48&-490.
34. Дистлер Г.И. Информационная структура твердых тел как определяющий фактор гетерогенных процессов / Активная поверхность твердых тел. М.:Наука, 1976 ю - с.22 -31.
35. Герасимов Ю.М., Говорков В.Г., Дистлер Г.И. Визуализация микропробоев на поверхности сколов закаленных кристаллов NaCl // ФТТ 196&. - Т. 10, В. 10 -С.3115-3117.
36. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.:Высшая школа, 1966. -224 с.
37. Дистлер Г. И. Электрическая структура поверхности полупроводников и граничных слоев // ДАН СССР. 1971. - Т.199, № 4- С.802-804.
38. Кравец А.Н., Варшавский Д.С. Статистическая модель пробоя диэлектрика / Физика диэлектриков и перспективы ее развития, т~2.-Л.:Наука,1973. С.297 299.
39. Молоцкий М.И. Экситонный механизм образования сложных активных центров при разрушении // ФТТ 1978. - Т.20, В,7- С.2042- 2046.
40. Молоцкий М.И. Генерация ионизационных волн при разрушении//ФТТ. 1978. -Т.20, В.7-С. 1957-1961.
41. Кожогулов О.Ч., Кожогулова А.Б., Макаров В.ГЦ Шалпыков А. Структура примесных дефектов и их влияние на микротвердость кристаллов NaCl и KCl / Физические свойства неметаллических кристаллов. -Фрунзе:Илим,1981. С.39-44.
42. Фридкин В.М., Желудев И.С. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс. М.:АН СССР,i960. -208-с.
43. Губкин А.Н. Электреты. -М.:АН СССР, 1961. 140 с.
44. Свитков В.И., Крылова И.В. Электрические заряды на поверхности окислов при электронной бомбардировке, возбуждающейэкзоэмиссию// Изв.ВУЗов.Физика 1981. - № 10 -С.91-92.
45. Боев С.Г., Галанов А.Н. Заряжение монокристалла фтористого лития при раскалывании // ФТТ. 1980. - Т.22, № 10 - С. 3069 - 3075.
46. Громов B.B. Электрический заряд в облученных материалах. -М.: Энергоиздат,19&2. -112с.
47. Дерягин Б.В., Кротова H.A. Электрическая теория адгезии (прилипания пленок к твердым поверхностям) и ее экспериментальное обоснование//УФН. 1948. -Т.36, В.З -C.3&7-4Q&
48. Дерягин Б.В.,Кротова H.A. Адгезия.-М.:АН СССР, 1949.-244 с.
49. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Кириллова Ю.М. Исследование зависимости адгезии высокополимеров к стеклу от давления и природы окружающей газовой среды // ДАН СССР. 1954. - Т.97, №3 -С475 - 478.
50. Воробьев A.A. Теория механоэлектрических преобразований в твердых диэлектриках / Деп.в ВИНИТИ. -№3290-78. 40 с.
51. Карасев В.В., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Исследование газового разряда при отрыве пленки высокополимера от твердой подкладки// ДАН СССР.- 1953. Т.89, №1 -С.109-112.
52. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Хрусталев Ю.А. Электрические свойства ювениальных поверхностей / Активная поверхность твердых тел.-М.,1976.-С. 6-15.
53. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Смилга В.П. Адгезия твердых тел. -М.:НаукаД973. -279 с .
54. Карасев В.В., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Исследование электронной эмиссии при отрыве пленки высокополимера от стекла в вакууме // ДАН СССР. 1953. - Т.88, № 5 - С.777 - 780.
55. Воллобрандт И., Хрусталев Ю.А., Линке Э., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Генерирование электронов высоких энергий при разрушении твердых тел // ДАН СССР. 1975. - Т.225, № 2 - С.342-344.
56. Мамбетов Д.М-. Исследование газового разряда в свежеобразованных монокристаллах, полученных при испарении раствора на металлической пластинке Л ДАН СССР. 1966. Т. 171, № 1, -С.143—Н6.
57. Тюрикова Jl.А., Евдокимов Ю.М., Москвитин Н.И., Кротова H.A. Исследование применимости закона Пашена к адгезии полимеров в условиях повышенного давления в окружающей газовой среде U ДАН СССР. 1969. - Т.184, № 3 - С.658 - 660.
58. Тюрикова Л.А., Авербух Б.Г., Москвитин Н.И., Кротова H.A. Исследование параметров радиоизлучения при нарушении адгезии полимер твердое тело // ДАН СССР . - 1971. - Т.201, № 4 -С.833 - 836.
59. Тюрикова Л.А., Кротова H.A., Авербух Б.Г. Генерирование электромагнитных волн при нарушении адгезионной связи / Механоэмиссия и механохимия твердых тел. -Фрунзе: Илим, 1974. -С.107-109.
60. Беляев Л.М., Набатов В.В., Мартышев Ю.Н. О времени свечения в процессах трибо- и кристаллолюминесценции Л Кристаллография. -1962. Т.7, В.4- С.576-580.
61. Беляев Л.М.,Набатов В.В., Мартышев Ю.Н. Исследование свечения при разрушении кристаллов. Времена высвечивания / Физика щелочногалоидных кристаллов.-Рига, 1962. С.
62. Финкель В.М., Головин Ю.И., Середа В.Е,, Куликова ГЛ., Зуев Л.Б. Электрические эффекты при разрушении кристаллов LiF в связи с проблемой управления трещиной // ФТТ. 1975. - Т. 17, В.З -С.770-776.
63. Финкель В.М., Тялин Ю.И., Головин Ю.И., Муратова Л.И,, Горшенев М.В. Электризация щелочногалоидных кристаллов в процессе скола// ФТТ. 1979. - Т.21, В.7 - С.1943-1947.
64. Гольд P.M., Марков Г.П., Могила П.Г., Самохвалов М.А. Импульсное электромагнитное излучение минералов и горных пород, подверженных механическому нагружению // Изв.АН СССР.Физика Земли. 1975. - Т.7 - С.109-Ш.
65. Кротова H.A., Карасев B.B. Исследование эмиссии при раскалывании твердых тел в вакууме // ДАН СССР. 1953. - Т.92, № 3 -С.607 - 610
66. Журков С.Н., Куксенко B.C. О прогнозировании разрушения горных пород .} Изв. АН СССР. Физика Земли. 1977. - № 6 -С. 11 -18.
67. Мирошниченко М.И., Куксенко B.C. Излучение электромагнитных импульсов при зарождении трещин в твердых диэлектриках // ФТТ. 1980. - Т.22, В.5 - С.1531-1533.
68. Перельман М.Е., Хатиашвили Н.Г. Электромагнитное излучение при трещинообразовании и хрупком разрушении твердых тел // Сообщения АН Груз.ССР. 1980. - Т.99, № 2 - С.357-360.
69. Перельман М.Е., Хатиашвили Н.Г. О радиоизлучении при хрупком разрушении диэлектриков // ДАН СССР. 1981. - Т.256,№ 4 -С.824-826.
70. Хатиашвили Н.Г., Гогошидзе Д.А.,Зилпимиани Д.О. Спектр электромагнитного излучения при скалывании щелочногалоидных кристаллов // Сообщения АН Груз.ССР. 1983. - Т.110, № 1 - С.45-48.
71. Ржевский В.В., Ямщиков B.C., Шкуратник B.J1., Лыков К.Г., Фарафонов В.М. "Эмиссионные эффекты памяти" в горных породах // ДАН СССР. 1983. - Т.273, № 5 - С. 1094-1097.
72. Соболев Г.А., Демин В.М., Лось В.Ф., Майбук Ю.Я. Исследование электромагнитного излучения пород, содержащих минералы, полупроводники и пьезоэлектрики // Изв.АН СССР. Физика Земли. 1982. - №11 - С.72-84.
73. Воробьев A.A., Чаусов В.М., Гордеев В.Ф. Импульсное радиоизлучение при царапании некоторых диэлектрических тел // Изв. ВУЗов. Физика. 1979. - № 10 - С.126-128.
74. Воробьев A.A., Гордеев В.Ф., Неверова Н.К. Электромагнитное излучение в диапазоне радиочастот при механическом разрушении льда // Деп.в ВИНИТИ. № 435-78 - 6 с.
75. Качурин Л.Г., Ко лев С., Псаломщиков В.Ф. Импульсное радиоизлучение, возникающее при кристаллизации воды и некоторых диэлектриков // ДАН СССР. -1982. -Т.267, № 2 С.347-150.
76. Голубничий П.И., Громенко В.М., Филоненко А.Д. О рекомбинационном механизме излучения, сопровождающем коллапс кавитационного пузырька, инициированного высоковольтным электрическим разрядом//ЖТФ. 1982. - Т.52, ВЛО - С.1966-1971.
77. Беляев Л.М., Набатов В.В., Писаревский Ю.В., Шалдин Ю.В. Триболюминесценция в кристаллах LiF при разрушении их лазерным пучком // Кристаллография. 1965. - ТЛО, В.5 - С.767-768.
78. Арефьев К.П.,Воробьев С.А., Кузнецов М.Ф.,Мастов Ш.Р., Погребняк А.Д. Эффект генерации электромагнитного излучения при лазерном воздействии в твердых телах // ЖТФ. 1984. - Т.54, В.4 -С.808-810.
79. Хатиашвили Н.Г. Электромагнитное излучение ионных кристаллов, стимулированное акустической волной Л Письма в ЖТФ. -1981.-Т.7, В.18 -С.1128- 1132.
80. Хатиашвили Н.Г., Перельман М.Е. Генерация электромагнитного излучения при прохождении акустических волн через кристаллические диэлектрики и некоторые горные породы // ДАН СССР . 1982. - Т.263, № 4 - С.839-842.
81. Мамбетов Д.М. Электроразрядные и эмиссионные явления при адгезионном разрушении твердых тел / Механоэмиссия и механохимия твердых тел. Фрунзе:Илим,1974. - С. 15-20.
82. Мамбетов Д.М. Электрические явления при адгезионном и когезионном разрушении твердых тел . Фрунзе:Мектеп,1973.
83. Воробьев A.A. Прямое преобразование механической энергии в электрическую на основе дефектной структуры твердого тела // Дешв-ВИНИТИ. ЧЛю -№ 3743-76. - 177 е.; ЧД1. - № 3458-76. -150 с.
84. Воробьев A.A. Заряжение поверхностей при разрушении, контакте или трении тел // Деп.в ВИНИТИ. ЧЛ. - № 2702-82. -242 е.; 4.2.-№2703-82.-157 с.
85. Воробьев A.A. Деформация и релаксация, изменение свойств и разрушение твердых тел // Деп.вВИНИТИ. Ч. 1. - №3096-82. -251 с; 4.2. - № 3469-82,468 sl
86. Тезисы докладов VII Всес.Симозиума по механоэмисии и механохимии твердых тел. 26 октября 1979 г. -Ташкент, 1979.
87. Тезисы докладов VIII Всес. Симпозиума по механоэмиесии и механохимии твердых тел. 1-3 сентября 1981 г. -Таллин,!981.
88. Тезисы докладов Всес. научн. Совещания "Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах". Томск, 16-18 ноября 1982 г. -Томск, 1982.
89. Боев С.Г. Заряжение диэлектриков электронным облучением //Деп.в ВИНИТИ, №17Ш-7&,-1^с.;
90. Боев С.Г., Сигае& Г.И. Заряжение диэлектриков при облучении их заряженными протонами //Деп.в ВИНИТИ, № 2308-78 .
91. Pogrebnjak A.D., Mastov Sh.R., Kuznetsov M.F., Arefiev K.P., Rakin S.V., Yorobiev S.A. Observation of RF puises from solids during laser irradiation// Phys. Stat.Sol.-1984.-Vol.85, No.l.-P.K31 K33.
92. Боев С.Г. Ушаков В.Я. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики.-М.: Энергоиздат, 1991.-240 с.
93. Зуев Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов,- Новосибирск : Наука, 1989. 120 с.
94. Белозерова Э.П. Заряженные дислокации в гцелочногалоидных кристаллах. Деп. в ВИНИТИ 29.01.85 г. : Костромской технологический институт.- Кострома, 1985. № 2520 -85 Деп. -104 с.
95. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная-физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. - 208 с.
96. Молоцкий М.И. Дислокационный механизм эффекта Мисры// Письма в ЖТФ. -1980. Т.6, ВЛ. - С52-55.
97. Бреховских С.М., Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Регистрация импульсного электромагнитного излучения в диапазоне радиочастот при нагревании периклаза и технического стекла // Изв.ВУЗов.Физика. -1977. -М4-СЛ24-131.
98. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. -ТД ВЗ -€.2504-2506.
99. Косман М.С., Созина А.Н. Релаксационные колебания & диэлектриках //ДАН СССР. Т.156, №4-С. 778 - 780.
100. Карташев Э.М., Тулинов Б.М., Бартынев Г.М. К теории хрупкого разрушения стекол в неизотермических условиях.// Физика и химия стекла. -4977. Т.З, №6. -С.Ш-606.
101. Карташев Э.М., Бартенев Г.М. К теории хрупкого разрушения стекла в неоднородных температурных полях // Физика и химия стекла.- 1978. Т.4, № 4 - С.427-432.
102. Мазурин О.В. Стеклование и стабилизация неорганических стекол. Л.: Наука ,1978. - 62 с.
103. Гегузин Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах.-М.:НаукаД974. -254 с.
104. Троицкий O.A. Дефекты в стеклах // Изв.АН СССР. Неорганические материалы. -1966.-Т. 11, № 7.-С. 1260-1276.
105. Бартенев Г.М., Щеглова Н.М., Сандитов Д.С. О механизмах релаксации напряжений в силикатных стеклах при высоких температурах // Физика и химия стекла. 1980.- Т.6, № 2.-С. 195-202.
106. Сандитов Д.С. О микротвердости и температуре стеклования неорганических стекол // Физика и химия стекла.-1977. -Т.3,№1.-С,14-19.
107. Закис Ю.Р. О применимости представлений о квазичастицах и дефектах в стеклах//Физика и химия стекла.-1981 .-Т.7,№4. -С.385-390.
108. Матвеев М.А., Матвеев Г.М., Френкель Б.М. Расчеты по химии и технологии стекла.-М.: Изд-во лит-ры по строительству, 1972.-С.151-152.
109. Усовицкий М.Б. К вопросу об использовании дифференциально-термического анализа и дилатометрических измерений для исследований ликвационных явлений в стеклах /Ликвационные явления в стеклах. -Л.: Наука, 1969. С. 105-108.
110. Старцев Ю.К., Клюев В.П., Вострикова М.С. Определение температур стеклования по одновременно регистрируемым зависимостям расширения и электропроводности // Физика и химия стекла. -1978.-Т.4,№3.-С.278-288.
111. Ершов О.С. К методике измерения электропроводности щелочных стекол // Физика и химиястекла.-1977.-Т.З,№ 6.-С.607-611.
112. Ершов О.С., Шульц М.М. Особенности временных зависимостей электропроводности щелочных стекол И Физика ш химия стекла. 4977. Т.З, № 1 -С.167472.
113. Гегузин Я.Е., Кривоглаз М.А. Движение макроскопических включений в твердых телах. -М.:Металлургия, 197L 344 с.
114. Гегузин Я.Е., Овчаренко H.H. Одвижении макроскопических газовых включений в монокристалле NaCl под влиянием малых электрических полей И ДАН СССР.-1965.-Т.163, №3 С.621- 623.
115. Михлин ЭЛ. О движении пор в твердом теле, вызванном термической миграцией атомов по их поверхности // ФТТ. 1964. -Т.6, ВА-С2&13-2824.
116. Косевич A.M. Поляризация и движение поры в ионном кристалле в электрическом поле // ФТТ. 1965. - Т.7, № 2 - С. 451 - 458.
117. Гегузин Я.Е., Овчаренко H.H., Эйвазов Э.А. Влияние электрического поля на поведение газовых включений в щелочно-галоидных кристаллах // УФЖ. 1968. -Т.13, № 4.-С.581-588.
118. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Изменение формы сферической поры в ионном кристалле под действием электрического поля // УФЖ. -1969, ТЛ 4, № 2. - С.269-293,
119. Гегузин Я.Е., Симеонов С.С. Динамика нерастворимых включений в ионном кристалле в зоне вакансионного пробоя // ФТТ. -1970. -Т.12,В.З. С.911-912.
120. Гегузин Я.Е., Симеонов С.С. Движение частиц окислов в ионных кристаллах в электрическом поле // УФЖ.-Т.16,№ 3.-С.495-497.
121. Лифшиц И.М., Гегузин Я.Е. Поверхностные явления в ионных кристаллах // ФТТ. 1965. - Т.7, ВЛ. - С.62 - 65.
122. Маргвелашвили И.Г. Электрические явления в ионных кристаллах с макроскопическими дефектами U Электронные и ионныепроцессы в твердых телах. Вып. 5. Тбилиси: Мицниереба, 1973. -С.151-166.
123. Stepanov A.W. -Zeit. f. Phys, 1933.- Vol.8L - P.560-569.
124. Урусовская A.A. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов. УФН, 1968.- Т.96, В. 1.-С 39-60.
125. Whitworth R.W. Charged dislocations in ionic crystals^ -Adv. Phys. 1975. - Vol.24, № 2. - P.203-304.
126. Мартышев Ю.Н. Исследование свечения и электризации кристаллов LiF при их деформации // Кристаллография.-1965.-Т.Ю, В.2. С.224-226.
127. Бредихин С.И., Шмурак С.З. Стимулированные деформацией всплески электрического сигнала в кристаллах ZnS // ФТТ.-1975.-Т.47, В.8. --С.2453-2455.
128. Бредихин С .И., Шмурак С.З. Люминесценция и электрические характеристики пластически деформируемых кристаллов ZnS// ЖЭТФ.-1977.-Т.23, №4. -С.1460-1469.
129. Шевцов Г.И., Мигунов Н.И., Соболев Г.А., Козлов Э.В. Электризация полевых пшатов при деформации и разрушении //ДАН СССР.-1975.-Т.225, №2. С.313-315.
130. Шевцов Г.И., Соболев Г.А., Шевцова И.Н. Электризация полевых шпатов при их деформации и разрушении // Изв.АН СССР. Физика Земли.-1984. №8. - С.97-105.
131. Джонстон В., Гилман Дж. Скорость передвижения, плотность дислокаций и пластическая деформация в кристаллах фтористого лития // УФН. 1960. - Т.70. - С.489-514.
132. Гилман Дж. Механические свойства кристаллов У/ УФРТ-1963.-T.3G, В.З. С.455-505.
133. Инденбом В.Л., Орлов А.H. Современные представления о подвижности дислокаций // Динамика дислокаций. Харьков, 1968.-С.5-34.
134. Ландау А.И., Боржковская В.М., Торкатюк М.Т. Движение дислокаций & реальных кристаллах, содержащих крупные локальные дефекты (стопоры) // Дефекты и свойства кристаллической решетки.-Киев: Наукова думка, 1968. С.47-62.
135. Лубенец C.B. Подвижность дислокаций в кристаллах с дефектами структуры // Физика конденсированного состояния. -Вып.24. -Харьков, 1973. С.17-37.
136. Рожанский В.Н., Степанов В.М. Скачкообразное перемещение дислокаций а кристаллах NaCl Л ДАН СССР. i960. -Т.133, В.4. - С.804-806.
137. Парийский В.Б., Лубенец C.B., Старцев В.И. Подвижность дислокаций в монокристаллах бромистого калия M ФТТ. 1966. -Т.8, В.4. - С. 1227- 1238.
138. Ракова Н.К., Предводителев A.A. Движение дислокаций и релаксация напряжений в кристаллах хлористого натрия // ФТТ.-1965. Т.7, В.4. -С.1081-1085.
139. Бехтурганов К., Блистанов A.A., Предводителев A.A., Шаскольская М.П. Температура и концентрационная зависимости длин пробегов дислокаций & полосе скольжения в кристаллах КС1:РЬ и LiF:Mg //Динамика дислокаций.- Киев: Наукова думка, 1975.-С. 199-204.
140. Зуев Л.Б., Громов В.Е. Температурная зависимость релаксационных характеристик кристаллов хлористого натрия // Диэлектрики и полупроводники, вып.5.-Киев: Вища школа, 1974.-С.92-95.
141. Боярская Ю.С., Житару Р.Н. О влиянии дефектов решетки на подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах //Изв.АН СССР. Сер. Физическая. 1968. - Т.32, В.1. - С.39-43.
142. Блистанов A.A., Гусев Э.Б., Добржанский Г.Ф., Смушков И.И., Тагиева М.М., Шаскольская М.П. Влияние точечных дефектов на движение дислокаций в ионных кристаллах // Динамика дислокаций в ионных кристаллах. Харьков, 1968. - С. 470-480.
143. Лубенец C.B., Новикова И.Г. Температурная зависимость предела текучести и подвижности дислокаций в кристаллах КС1:Ва U ФТТ. 1968. - Т.10, В.9, - С.2857-2859.
144. Eshelby J.D. е.а. Charged dislocations and strength of ionic crystals // Phil.Mag. 1958. - Vol.3, № 25. - P.75-89.
145. Шевцова И.H. Заряжение подвижных дислокаций « электризация ионных кристаллов при пластической деформации // ФТТ. 1983. - Т.25, В.4. -С.11724178.
146. Политов Н.Г., Галусташвили М.В., Паперно И.М. Формирование облака Дебая-Хюккеля вокруг свежих дислокаций -в кристаллах LiF // Кристаллография. 1973. - Т. 18, В.1. - С.200-202.
147. Зуев Л.Б., ТурчиновштТ.Е., Гудимова Н.П. О возбуждении заряженных дислокаций в кристаллах LiF // ФТТ. 1969. - Т. 11, В.З.-С.806-808.
148. Зуев Л.Б. Дебаевское экранирование и дислокационные процессы у поверхности кристаллов LiF // Поверхность. 1982. - № 2.-С.56-60.
149. Загоруйко H.B. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии // Кристаллография. 1965. - Т.10, В.1. - С.81-86.
150. Блистанов A.A., Сойфер Я.М., Шаскольская M.IL Движение дислокаций под действием электрического поля в щелочногалоидных монокристаллах // Кристаллография. 1966. - Т.11, В.5. - С.827-829.
151. Зуев Л.Б., Турчинович Г.Е. Движение дислокаций в кристаллах LiF в электрическом поле П ФТТ. 1968. - Т.10, В.9. -С.2811-2813.
152. Швидковский Е.Г., Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография. 1962. - Т.7, № 3. - С.471-472.
153. Colombo L^ Kataoka Т., Li J.C.M. Movement of edge dislocations in KCl by large electric fields. Phil.Mag. - 1982. - Vol.A46. -№2. -P.211-215.
154. Дрияев Д.Г., Медик-Шахназаров В. А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах LiF в переменном электрическом поле У/ ФТТ 1966, - Т.8, B.1L - С3280-3281.
155. Альшиц В.И., Дрияев Д.Г., Мелик-Шахназаров В.А. Дислокационный электромеханический эффект в кристаллах фтористого лития // Электронные и ионные процессы в твердых телахг в.6.-Тбилиси: Мецниереба, 1973.-С.68-83.
156. Strumane R.t De Batist R. The charge of dislocation in alkali halides crystals// Phys.Stat.Sol. -1963-.-Vol.3-, № 8. P. 1387-1391.
157. Галусташвили M.B., Паперно И.М. Зависимость заряда, дислокаций от скорости их движения в кристалле LiF // Электронные и ионные процессы в твердых телах, в.7.-Тбилиси: Мецниереба, 1974.-С.61-71.
158. Галусташвили М.В., Паперно И.М. Электрический заряд быстродвижущихся дислокаций // Электронные и ионные процессы в твердых телах, в.8. -Тбилиси: Мецниереба,1975.-С.42-46.
159. Галусташвили М.В., Дрияев Д.Г. Движение заряженных дислокаций под действием импульса лазерного излучения /У ФТТ.-1983. -Т.25. С. 1904- 1906.
160. Лубенец С.П. Подвижность дислокаций при низких температурах У Физические процессы пластической деформации при низких температурах. Киев: Наукова думка, 1974. - С.220-252.
161. Галусташвили М.В., Зайончик MJK., Паперно И.М. Определение скорости движения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах И Электронные и ионные процессы в твердых телах, вА -Тбилиси: Мецниереба, 1975. С. 143-146.
162. Галусташвили М.В. Электрические эффекты при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ. 1970. - Т.12, В.4. -С.1263-1266.
163. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Излучение электромагнитных и звуковых волн дислокацией, равномерно движущейся в ионном кристалле // Изв.АН СССР. Сер.физическая.-1967. -Т.31.-С.848 850.
164. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Излучение электромагнитных и звуковых волн дислокацией, равномерно движущейся в ионном кристалле//УФЖ.-1967.-Т.12,В.12.-С.2010-2021.
165. Размадзе А.К. Излучение упругих волн при пластической деформации монокристаллов LiF //Электронные и ионные процессы в-твердых телах,вЛ. -Тбилиси: Мецниереба,1974.-С.72-79.
166. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Кривенко Л.Ф., Кривуля С.С. Звуковое излучение двойникукшщх дислокаций при их выходе из кристалла // ФТТ. 1969. -Т.11, ВЛ2. - С.3624-3626.
167. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Кившик В.Ф., Кривенко Л.Ф. Экспериментальное исследование переходного излучения звука дислокациями при выходе их на поверхность // ЖЭТФ. 1976. - Т.71.-С.708-713.
168. James D.R., Carpenter S.H. Radiationship between acoustic emission and dislocation in crystalline solids // J.Appl.Phys. 1970. -Vol.42, № 12. - P.4685 - 4697.
169. Бойко B.C., Кившик В.Ф., Кривенко Л.Ф. Условия регистрации импульсов акустической эмиссии, генерируемых при выходе на поверхность отдельных дислокаций // ЖЭТФ. 1982.-Т.82, В.2. - С.504 - 508.
170. Воробьев A.A. Механоэлектрические явления при квазистатическом нагружении твердых тел // Деп.в ВИНИТИ: вып.Ь-244с, №75-81; вып.2.-249 с, №76-84.
171. Воробьев A.A. Заряженные точечные и линейные дефекты в ионных кристаллах и их перемещение во внешних полях. -Т.1.-239 с. -Деп.в ВИНИТИ, № 1330-81.
172. Воробьев A.A. Спонтанное установление механического равновесия и механоэлектрические преобразования в породах недр.-68 с. -Деп.в ВИНИТИ, №4518-77.
173. Воробьев A.A. Увеличение ионной электропроводности ионных кристаллов, минералов и горных пород во время пластической деформации и разрушения. -Деп.в ВИНИТИ: -Т.1.-130 е., № 2300-81; -Т.2. 210 е., № 3084-81;-Т.З.-251 е., № 4409-81.
174. Сальников В.Н. Исследование электромагнитного излучения и аномальных изменений электропроводности, возникающих вследствие физико-химических процессов в минералах и горных породах при их нагревании. Дисс. на соискание уч.степени к.г.-м.н., Томск, 1977.
175. Инденбом В.JI. Подвижность дислокаций в кристаллах 1 Материалы школы по теории дефектов в кристаллах и радиационных нарушениях. 4.1. -Тбилиси: Ин-т физики АН Груз. ССР, 1966. -С.5 12.
176. Соловьев В.А., Сачко В.Н. Поле напряжений вокруг дефектов типа дислокационных скоплений в изотропных и анизотропных кристаллах // Кристаллография. 1976. - Т.21, В.5. - С. 877 - 885.
177. Парийский В.Б., Ландау А.И., Боржковская В.М. Спонтанные скачки дислокаций в монокристаллах LiF // ФТТ. -1963. -Т.5, В.9. -С.2570-2575.
178. Парийский В.Б., Ландау А.И., Старцев В.И. О скачкообразном движении дислокаций в монокристаллах LiF // ФТТ.- 1963. -Т.5, В.5. С. 1377-1385.
179. Шпунт A.A. О дислокациях в кристаллах LiF, возникающих при действии сосредоточенной нагрузки H Кристаллография. 1962.- Т.7, В.З. -С.474-476.
180. Смирнов^ Б.И., Ефимов Б.А. Влияние поверхности на плотность винтовых дислокаций в деформированных кристаллах LiF 11 Кристаллография. 1966. - Т.11, В.2. - С.323 - 324.
181. Данильчук Л .TL, Смородина Т.А. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом аномального прохождения рентгеновских лучей // ФТТ.-1965.- Т.7, В.4. С.1245-1247.
182. Алыбаков A.A., Таштандиев М., Шамырканов Ы. Влияние температуры на микротвердость и подвижность дислокаций а облученных кристаллах фтористого лития с примесью урана // Труды Киргизского госун-та, сер.физич.наук, в.6,ч.2. Фрунзе, 1975.- -С.32-35.
183. Алыбаков А.А.,Таштандиев М.,Шамырканов Ы. Влияние температуры на подвижность дислокаций и микротвердостькристаллов NaF-U / Влияние точечных дефектов на свойства кристаллов. Фрунзе: Илим, 1974. - С.7-11.
184. Гайдученя В.Ф., Блистанов A.A., Шаскольская M.IL Термически активируемое скольжение в кристаллах LiFvV ФТТ. 1970. -Т.12, В.1. -С.36 - 41.
185. Парийский В.Б., Третьяк В.В. Температурная зависимость подвижности дислокаций в монокристаллах КВг /У ФТТ. 1967.-Т.9, №9-. - С.2457 - 2462.
186. Дургарян A.A., Мурадян И.М. Скачкообразное движение неизолированных дислокаций в KCl // Изв.ВУЗов. Физика. 1980. -№7. - С.60 - 64.
187. Костюков Н.С., Сигаев Г.И., Антонова H.H., Боев С.Г. Релаксация заряда и электрических моментов керамических диэлектриков, облученных электронами //Электронная техника, сер.6. Материалы. 1979. - В.7. - С.72 - 76.
188. Костюков Н.С., Боев С.Г., Сигаев Г.И. Действительные значения объемной электрической проводимости электротехнической керамики //Электронная техника, сер.6. Материалы. 1979. - В.7. - С.77-80.
189. Анненков Ю.М., Сигаев Г.И., Боев С.Г. Неизотермичес кая релаксация электрических моментов радиоэлектретов // -Деп. в ВИНИТИ, № 2942-78. 10 с.
190. Дургарян A.A., Мурадян И.М. Исследование температурной зависимости дислокаций в кристаллах хлористого калия У Динамика дислокаций. -Киев: Наукова думка, 1975. С.196 - 199.
191. Гайдученя В.Ф., Горбач С.С., Шаскольская МЛ. Анизотропия подвижности дислокаций в ионных кристаллах J Динамика дислокаций.-Харьков, 1968. С. 129 - 138.
192. Сойфер A.M., Щеголева З.А., Мадикян P.A. Подвижность дислокаций в чистых и примесных кристаллах LiF // ФТТ. 1969. -ТЛ1, В.12. - С3665 - 3667.
193. Алыбаков А.А.,Таштандиев М. Влияние облучения на температурную зависимость подвижности винтовых дислокаций в примесных кристаллах фтористого лития / Физические свойства ионных кристаллов. Фрунзе: Илим, 1978. - С.З -11.
194. Паперно И.М. Роль точечных дефектов и их скоплений s радиационном упрочнении кристаллов LiF //Электронные и ионные процессы в твердых телах, В.9. -Тбилиси: Мецниереба, 1977. -С.63-72.
195. Урусовская A.A., Кнаб Г.Г. Влияние рентгеновского облучения на динамические свойства дислокаций в кристаллах LiF / Динамика дислокаций. Киев: Наукова думка, 1975. - С. 68 - 72.
196. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Визуализация центров окраски щелочногалоидных кристаллов. // ФТТ. 1968. -Т.10, В.П.- С. 3489 - 3491.
197. Молоцкий М.И., Суровцев И.С. О возможности возбуждения миероволнового излучения при импульсном нагружении металлов // Письма в ЖТФ. 1983. - Т.9, В.2. - С.85-88.
198. Бардышев И.И., Цыганова А.Д., Хрусталев Ю.А. Позитроны в радиационных дефектах кристалла LiF // Изв.АНСССР. сер.неорганич.материалы. 1979. - Т.15, № 5. - С.812 - 815.
199. Фотопроводимость / Под ред.Ш.М.Когана.-М.:НаукаД 967.156 с.
200. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Щепина Л.И., Яровой П.Н. Конденсация радиационных точечных дефектов в дислокации в кристаллах LiF // УФЖ. 1982. - Т.27, № 3. - С.454- 455.
201. Юшкин Н.П. Проблемы генетикоинформационной минералогии / Проблемы генетической информации в минералогии. -Сыктывкар, 1976. -С.4-6.
202. Воробьев A.A., Завадовская Е.К., Кочербаев Т.К. Физические свойства твердых растворов щелочногалоидных соединений. -Томск: Томский госун-т, 1972. -186 с.
203. Воробьев A.A. Ионные и электронные свойства щелочногалоидных кристаллов. -Томск: Изд-воТомского ун-та, 1968.-306 с.
204. Воробьев A.A. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. -Томск: Изд-воТомского ун-та, 1968. -39Ü с.
205. Сальников В.Н. Электромагнитные эффекты в интервале выделения конституционной воды из кристаллической решетки мусковита // Изв.ВУЗов. Физика. 1977. - № 1. - С .20 -27.
206. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Хулугуров В.М., Парфианович И.А. F агрегатные центры в кристаллах LiF-MgOH // ЖПС. -1980.-Т.32, В.6. - С. 1079 - 1083.
207. Ван-Бюрен Х.Г. Дефекты в кристаллах. -М.: ИЛ, 1962. 584 с.
208. Громов В.В. Влияние ионизирующего излучения на кинетику растворения твердых тел. -М.: Атомиздат, 1975.-126 с.
209. Анненков Ю.М., Боев С.Г., Сигаев Г.И. /У Изв.ВУЗов. Физика. 1976.- № 1. - С. 142 -144.
210. Васильев Е.М., Зингер Г.В. Дозиметрия электронного пучка. Научный отчет, НИИ ЯФ при ТПИ, 1976.
211. Tabata Т., Ito R. An algorithm for the energy depozition by fast electrons // Nucl Sei. engin. 1974. - Vol.53. - R226 - 239.
212. Васильев E.M. Методика расчета поглощенной дозы при электронном облучении (Е=0,9-2,0 Мэв). Научный отчет, НИИ ЯФ при ТПИ, 1976.
213. Миллере Д. К. F -центры в щелочногалоидных кристаллах //Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, вып.5. -Рига, 1976. С.76 - 90.
214. Миллере Д.К., Аболиньш Я.Я., Баумание Э.А. Образование F -центров при низких температурах. Уч.зап. Латв. ун-та.- 1975. -Т.234.-С.76 - 81.
215. Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А. Радиационностимулированная агрегация неподвижных дефектов Френкеля // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиац. повреждений и радиад. материаловедения. 1984. - В.1(29);2(30). - С. 18 -34.
216. Козловский В.В., Ломасов В.Н., Марущак Н.В. Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле И ЖТФ.-1985. Т.55, В.11. - С.2175 -217&
217. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочногалоидных кристаллофосфорах // Труды ИФА АН ЭССР.-1955.-№3. 230 с.
218. Лущик Ч.Б. К теории термовысвечивания // ДАН СССР. -Т.101, В.4. -С.641 -644.
219. Заитов Ф.Н., Карк В.Я. Комплексное исследование центров захвата в щелочногалоидных кристаллофосфорах с двухвалентными примесями // Труды ИФА АН СССР. 1957. -№ 6. - С.82 - 125,
220. Лёвшин В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. -М.: Гостехиздат, 1951. 456 с.
221. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М.: ИЛ, 1961. - 200 с,
222. Степанов Б.И., Грибковский В.П. Введение в теорию люминесценции. Минск; Изд-во АН БССР, 1963. - 443 с.
223. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. - 284 с.
224. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. -М., 1966. 324 с.
225. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.: Наука, 1956. - 352 с.
226. Комовский Г.Ф., Ложникова Q.H. Люминесцентный анализ при изучении руд и минералов. -М.-Л.: Геогеологтехиздат, 1954. 92 с.
227. Ashhy G.E., Kellagher R.G. // Amer.Mineralogist, 1958. -Vol43, No7. -P. 8-16.
228. Максенков В.Г. Применение термолюминесценции для исследования минералов осадочных пород / Физич.методы исследования минералов осадочных пород. -М., 1966.- 114- 128.
229. Терентьев Н.Л., Шкатов В.Т. Установка для изучения термолюминесценции // Изв.Томского политех, ин-та. 1971.-Т.180. -С.146-148.
230. Даниэльс Ф., Бойд Ч., Саундерс Д. Термолюминесценция как средство научного исследования // УФН. 1953. - Т.51, В.2. - С .271 -286.
231. Ракчеев А.Д. Термолюминесценция минералов и горных пород и ее значение для геологии // Изв.ВУЗов. Геология рудных месторождений. 1962. - № 5. - С.11-22.
232. Гасюк A.M., Абрамова Э.Д. Основные факторы, влияющие на интенсивность термолюминесценции минералов //Исследования в области химич. и физич.методов анализа минерального сырья. -Алма-Ата, 1971. СМ -71.
233. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков.-М.: Наука, 1968. 463 с.
234. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A., Тареев Б.М. Теория диэлектриков. М. - JI.: Энергия, 1965. - 344 с.
235. Пархоменко Э.И. Электрические свойства горных пород. -М.: Наука, 1965. 168 с.
236. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. -М.:ИЛ, 1962.- 222 с.
237. Сальников В.Н., Приезжев Б.Н. Методика измерения электропроводности образцов горных пород в широком интервале температур // Физ.-техн.проблемы разработки полезн.ископаемых -1982. -№ 1. С.82 - 90.
238. Сальников В.Н. Электрофизические свойства горных пород (электропроводность и радиоизлучение образцов горных пород при их нагревании). -Томск: Томский политех, ин-т, 1977.- 84с.
239. Сальников В.Н. Влияние метаморфизма на электропроводность горных пород и минералов // Геология и геофизика.-1975. -N7. -С.110-119.
240. Воробьев A.A., Сальников В.Н. Наблюдение радиоволн и аномальных изменений электропроводности при нагревании образцов горных пород и минералов // Физ.-техн.проблемы разработки полезн.ископаемых. 1976.- № 5. - С. 3-5.
241. Мелик-Гайказян И.Я., Лисицин В.М., Рощина Л.И. Влияние дефектности катионной субрешетки на образование центров окраски // Изв.Томского политех.ин-та. 1971. - Т.180. - С.139 - 145.170i У
242. Георгиев Г.П., Зирап В.Э. Отжиг радиационных дефектов и перенос зарядов в NaCl при температуре выше комнатной // Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига: Латв.ун- т им.П.Стучки, 1980. - С.ЗО - 57.
243. Савельев И.В. Курс общей физики.Ч.2.-М.:Наука,1970.-432 с.
244. Рытов С.М. Теория электрических флуктуаций и теплового излучения. -М.: АН СССР. 1953.- 232 с.
245. Рытов С.М. Электрические флуктуации и тепловое излучение // УФН. 1955. - Т.55, № 3. - С.299 - 314.
246. Файн В.М. Квантовые явления в радиодиапазоне // УФН. -1953. Т.64. № 5. - С.273 - 313.
247. Долгирев ЕЛ., Малеев П.И., Сидоренко В.В. Детекторы ядерных излучений. Л.: Судпромгиз, 1961. - 223 с.
248. Соболева H.A. Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. -М.:Высш.школа, 1974. 376 с.
249. Эпштейн МЛ. Измерение оптического излучения в электронике. М.: Энергия, 1975. - 312 с.
250. Кременчугский Л.С. Рощина Q.B. Пироэлектрические приемники излучения. -Киев: Наукова думка, 1979. 382 с.
251. Надененко СЛ. Антенны. М.: Связьиздат, 1959. - 551 с.
252. Верещагин Е.М. Антенны и распространение радиоволн. -М.: Воениздат, 1964. 238 с.
253. Драбкин АЛ. Антенно-фидерные устройства.-М.: Соврадао.1974. 536 с.
254. Хомич В Л. Ферритовые антенны. -М.: Энергия, 1969. 94 с.
255. Белоцерковский Г.Б. Антенны. -М.: Оборонгиз. 1962. 492 с.
256. Казарин А Л. Методы расчета и измерения характеристик и параметров антенн. -Минск, 1971. 146 с.
257. Финкель В.М. Физические основы торможения разрушения^ -М.: Металлургия, 1977.-360 с.
258. Карпов Р.Г., Карпов Н.Р. Электрорадиоизмерение. -М.: Высш.школа, 1978. 272 с.
259. Валитов P.A., Сретенский В.Н. Радиотехнические измерения. -М.: Сов.радио, 1970. 212 с.
260. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/Под ред.Н.Н.Горюиова.-М^Энергия, 197^.-744 с.
261. Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах. -М.: Энергия, 1976. 141 с.
262. Колотилов Н.М., Крылов В А. Технические методы и средства защиты от электромагнитного излучения радиочастот.-М., 1970.-43 с.
263. Каден Г. Электромагнитные экраны в высокочастотной технике электросвязи. -М.;Госэнергоиздат, 1957. 317 с.
264. Рогинский В.Ю. Экранирование в радиоустройствах. -Л.: Энергия, 1970. 111 с.
265. Эрглис К.Э. Защита электронной аппаратуры и измерительных систем от внешних помех// ПТЭ. -1969. № 3. - С.5 - 17.
266. BepF Л.F. Введение в термографию.- М.: Наука, 1969. 395 с.
267. Данишевский С.К., Сведе-швед Н.И. Высокотемпературные термопары. -М.: Металлургия, 1977. 234 с^
268. Мирский Г .Я. Радиоэлектронные измерения.-М.Знергия, 1975. 600 с.
269. Брянский Л.Н., Левин М.М., Розенберг BJ3. Радиоизмерения. Методы. Средства. Погрешности. -М.: Изд-во Стандартов, 1970.- 336 с.
270. Лозицкий БЛ. Мельниченко И. И. Электрорадиоизмерения. -М.: Энергия, 1978. -224 с.
271. Богомолов В.Н., Кудинов Е.К., Фирсов Ю.А. О возможности электромагнитного излучения при фазовых переходах // ФТТ. 1972.-Т.14. В.7. - С.2075- 2078.1. О»
272. Хлопова А.Н. Рентгеновские данные о фазовом переходе а-в ß кварц // Кристаллография. - 1962. - Т.7, В.4. - С.568 - 572.
273. Виноградов Е.А., Жижин Г.Н., Мельник H.H., Филиппов O.K. // ФТТ. 1976. - Т.18, В.9. - С.2647 2651.
274. Виноградов Е.А., Жижин Т.Н., Малыпуков А.Г. Термостимулированное излучение поверхностных поляритонов // ЖТФ. 1977. -T.73, В.4(10). - С.1480 -1484.
275. Белоусов Н.И„ Гроднев И .И. Радиочастотные кабели.-М.: Энергия, 1973>- 328 с.
276. Грейсух М.А., Кучинский Г .С., Каплан Д.А., Мессерман Г.Т. Бумажно-маслянная изоляция в высоковольтных конструкциях. -М.: Посзнергоиздат, 1963,
277. Кучинский Г.С. Тапупере О .О. Регистрация ионизационных характеристик изоляции // Электричество. 1960. - № 11. -С.11-16.
278. Техника высоких напряжений У Под ред.Д/ВРязевича. -М.Энергия, 1964. -471 с.
279. Койков С.Н., Цикин А.Н. Электрическое старение твердых диэлектриков. -М.: Энергия, 1968.- 188 с.
280. Рекомендация ло измерениям частичных разрядов в силовых трансформаторах //Электротехника. 1967. - № 9.
281. Харкевич А.А.Спектры и анализ.-М.:ГостехиздатД 957.-236 с.
282. Райзер Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. -М.:Наука,1974. 308 с.
283. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах // УФН.-1985. Т. 145, В.2. - С.285 - 328.
284. Палескис В.П., Шоблицкас З.Л., Миколайтис Г.С., Матукас И.П. Исследование электрических флуктуации //Литов.физ.сб. -1982.-№4.-С.Ю9- 112.
285. Левинштейн М.Е„ Румянцев С.Л. Шум 1/f горячих электронов в GaAs // ФТП. 1985. - Т. 19, В.9. - С. 1651 - 1656.
286. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М., 1963.
287. Завадовская Е.К., Борисовский B.B« Головчанский Е.М. Запасенная энергия в щелочногалоидных кристаллах при больших уровнях радиационного воздействия / Радиац.физика неметаллических кристаллов.Т.3, ч.З. -Киев:Наукова думка, 1971. С.42 - 50.
288. Эланго М.А. Физические процессы при возбуждении щелочногалоидных кристаллов ионизирующими излучениями. 1.Создание центров окраски в монокристаллах NaCl //Труды ИФА АН СССР. 1961. - Т.17. - С.135 - 146.
289. Колонцова Е.В~ Файзулаев Я.З. Радиационный отжиг в гамма-облученных кристаллах типа NaCl / Радиац.физика неметаллич. кристаллов, Т.З.ч.З. Киев:Наукова думка,1971. - С.38 - 42.
290. ЗООЛансон H.A. Дефекты и термостимулированная люминесценция в нитевидных, и макрокристаллах КВг повышенной чистоты / Труды ИФА АН СССР. Тарту, 1975. - Т,44. - С88 - 101.
291. Заитов Ф.Н. Об устойчивости F-центров олхраски в щелочногалоидных кристаллофосфорах //Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1961. Т.15. - С.138 -148.
292. Зирад В.Э., Гравер B.EL, Круминьш И.Я. Взаимосвязь ионной проводимости и термостимулированной деполяризации в кристаллах КВг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига; Латв.ун-т им.П.Стучки. 1975. - ВА - С. 129- 141.
293. Бауманис Э.А., Плаудис A3., Аболиньш Я.Я., Миллере Д.К. Накопление и разрушение F-центров в KCl и КВг/Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах.-Рига: Латв.ун-т им. П. Стучкит 1977.-В.6.-С.90- 102.
294. Грязнов М.И. Интегральный метод измерения импульсов. -М.: Сов.радио, 1975. 279 с.
295. Дине Д., Виньярд Д. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.: ИЛ, 1960.
296. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. -М.:Атомиздат, 1967.- 401 с.
297. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977. -208 с.
298. Платонов А.Н. Природа окраски минералов. Киев: Наукова думка, 1976.- 204 с.
299. Лущик Ч.Б. Квазичастицы в кристаллофосфорах разных классов // Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1969.-Т.ЗЗ, Bl5.-C.889- 894.
300. Лущик Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах / Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1972.-Т.39. С.81 - 99.
301. Лущик Ч.Б., Витол И.К. Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах // УФН. 1977. - TJ22, В.2. - 0223 - 251.
302. Henderson В., Werts I.E. Defects in the alkaline earth oxidesM Adv.Phys. 1968.-VoU7, № 70. - P.749 - 855.
303. Эланго М.А. Механизм и кинетика создания радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах рентгеновскими лучами / Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1974. Т.42. - С.175 - 194.
304. Эланго М.А. Механизм создания радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела / Труды ИФА АН СССР. 1975. - Т.43. - С.63 -80.
305. Лущик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения ж дефекты ионных кристаллов У Труды ИФА АН СССР.- 1978. Т.48. -С.24 - 63.
306. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В.^ Холодарь ГЛ., Шейнкман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений У УФЫ. 1985. - Т. 147, В.З. -С.523 - 558.
307. Лущик Ч.Б.,Вале Г.К.,Эланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски У Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1967, - Т.31, .№5. -С.820-828.
308. Лущик Ч.Б. Фотосоздание точечных дефектов в объеме и на поверхности ионных кристаллов / Активная поверхность твердых тел. -М, 1976. СЭ02 - 317.
309. Витол И.К., Зирап В.Э., Круминь BJL, Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах / Труды межвуз.конф.по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970. С.46 - 54.
310. Лущик Ч.Б. Автолокализация электронных возбуждений и фундаментальные явления в ионных кристаллах / Труды межвуз. конф. по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970.-С.8- 17.
311. Лущик Ч.Б., Эланго М.А. Структурно нечувствительные и каталитические механизмы радиационного создания дефектов в ионных кристаллах 1 Труды межвуз.конф.по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970. -С.23-26.
312. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллах /УФТТ. 1968. - Т. 10, В.1.0, - .С2753 - 2759.
313. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Т., Эланго М.А., Яэк И.В. Исследование процессов генерации радиационных дефектов в ионных кристаллах У Радиационная физика. Рига,1964.-Т.1.- CJL5 - 25.
314. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Йыги Х.В., Плоом Л .А., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго A.A., Яансон H.A. Распад электронныхвозбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочно-галоидных кристаллах / Труды ИФА АН СССР.- Тарту, 1975. Т.43. -С.7-62.
315. Куусман И.Л., Лийдья Г.Т., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах / Труды ИФ АН СССР. Тарту, 1976. - Т.46. - С.5 - Ж
316. Toyozawa Y.F. Proposée! mode! of exeitonie meehanism for defect formation in alkali halides. J. Phys. Soc. Japan. - 1978. - Vol.44,No 2.-P.482 - 488.
317. Алукер Э.Д., Лусис ДЛО., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. -Рига: Зинатне, 1979. 252 с.
318. Лущик Ч.Б. И злу чательный и безизлучательный распад экситонов в ионных кристаллах JJ Известия АН Латв. £€Р. Сер. физ.и техн.наук. 1984. - № 2. - С.57 - 67.
319. Миллере Д.К., Тале И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975. - В.4. - С.24-- 72.
320. Григорьева Л.Г., Миллере Д.К. Термостимулированная люминесценция КС1 при 300-600 К / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975. - В.4. -С. 153-1-67.
321. Лущик Ч.Б., Эданго М.А. Исследование элементарных механизмов создания радиационных дефектов в ионных кристаллах / Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1971. - Т.З, Ч.З. -С.12 - 22.
322. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Температурные зависимости образования F-центров в щелочногалоидных кристаллах и их твердых растворах / Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1971. - Т.З, Ч.З. - С.25 - 31.
323. Антонов-Романовский B.B. Об образовании в твердых телах больших скоплений рекомбинирующих частиц одного сорта // ФТТ. 1981. - Т.23. В.8. - С.2384 - 2393.
324. Антонов-Романовский В.В. Об образовании в твердом теле больших скоплений рекомбинирующих частиц одного сорта при возбуждении (одно- и трехмерная непрерывные модели) // ФТТ. -1983. Т.25, В.2. - С.599 - 601.
325. Винецкий В.Л. Генерационно-рекомбинационный механизм образования кластеров точечных дефектов в кристаллах JJ ФТТ. -1983. Т.25. В.4. -С.1159 -1165,
326. Кузовков В.И., Котомин Е.А. Образование кластеров радиационных дефектов / Физика фазовых переходов. -Рига, 1980. -С. 132 146; 147 -153.
327. Воробьев A.A. Завадовская Е.К., Головчанский Е.М. Основные закономерности накопления энергии при облучении в ионных кристаллах / Радиационная физика неметаллич. кристаллов.-Киев: Наукова думка, 1971. Т.З, Ч.З. - С.З - 12.
328. Лущик Ч.Б., Тийслер Э.С. Рекомбинационные процессы в щелочногалоидных кристаллах, активированных галлием / Труды ИФА АН СССР. Тарту,!959. - Т.10. - С.135 - 165.
329. Herreros I.M., Jaque F. // Phys. St. Sol., (b). 1977. -VoL23, No.l.-P.k21-k23.
330. Воробьев A.A., Сальников В.И., Коровкин M.B. Наблюдение радиоимпульсов при нагревании кристаллов и минералов в вакууме У/ Изв. ВУЗов. Физика. 1975. - № 7. - С.59 - 64.
331. Шварц К.К., Грант З.А., Мекс Т.К., Грубе М.М. Термолюминесцентная дозиметрия. Рига: Зинатне. 1968. - 185.
332. Шварц К.К., Кристапсон Я.Ж., Лусис Д.Ю., Подинь A.B. Фтористый литий: оптические свойства и применение втермолюминесцентной дозиметрии / Радиационная физика.- Рига, 1967. Т.5. - С.179 - 235.
333. Шварц К.К., Витол А.Я., Калниньш Д.О., Лусис Д.Ю., Подыныи A.B. Радиационные эффекты в кристаллах фтористого лития / Изв.АН СССР. Сер.физическая. 1967.-Т.31. Л*Л2.-С.2028-2034.
334. Парфианович И.А., Лобанов Б.Д.^ Смольская Л.П., Непомнящих АЛ!. Георгиевская .Л.М., Шнейдер А.Г. Рекомбинационная люминесценция и дозиметрические свойства кристаллов LiF- S. LiF-Mg.Eu / Л юминесценция и спектр .анализ. -Иркутск, 1974. -В.З.-СЛМ6.
335. Парфианович И.А., Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т. Люминесценция и вынужденное излучение центров окраски в LiF// Изв.АН СССР.Сер.Физическая. 1979. - Т.43, № 6.-С.1125 - 1132.
336. Парфианович И.А., Пензина Э.Э., Саломатов В.Н., Хулугуров В.М. Перестраиваемые лазеры инфракрасного диапазона на центрах окраски в ионных кристаллах / Люминесценция и точечные дефекты в кристаллах.-С.2-25. Деп.в ВИНИТИ, № 2513-75.
337. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. Генерация на и F2" -центрах окраски в кристаллах LiF в спектральной области0.88-L2 мкм У/ Письма в ЖТФ. 1977. - Т.З, В.7. - С.305 - 307.
338. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботарев В.П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски // Изв.АН СССР. Сер.физическая. 1980. - Т.44, № 10. - С.2013 -2028.288
339. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов A.B. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF.- Новосибирск:Иаука, 1984.113 с.
340. Панова А.Н., Угланова В.В., Чаркина Т.А. Оптические свойства рентгенизированных кристаллов LiF различной чистоты / Радиационная физика. Рига.1965. -Т.З. - С.27 - 31.
341. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Щепина Л.И. Оптическое преобразование F- и F-агрегатных центров окраски в кристаллах LiF // ЖПС. 1984. - Т.35, В.2. - €.335 - 337.
342. Метревели П.И. Нацвлишвили Г.И. Радиационное коллоиды лития в тонких пленках / Радиационная физика твердого тела и радиац. материаловедение. -Тбилиси, 1974. С. 197 - 206.
343. Ворожейкина Л.Ф. Центры окраски в облученных кристаллах фторида лития / Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1968. - В.З. -С.16 - 26.
344. Андреев Г.А. Отжиг радиационных дефектов в облученных нейтронами кристаллах LiF-Mg / Изв.АН СССР. Сер.неорганические материалы. -1972. Т.8, № 10. - С.1774- 1777.
345. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К. Миронов С.Б., Осико BJEL,. Прохорова A.M. Кинетика накопления и генерации р2+-центров в кристаллах LiF(F2 ) // Письма в ЖЭТФ. 1979. - Т.ЗО, ВЛО. - С.661 -665.
346. Farge Y. Toulouse G., Lambert M. Observation et etude d'un nouveau centre colore dans le fluorure de lithium irradie // J. Phys. 1966. -Vol.27, No.5-6. - P.287- 294.
347. Флеров В.И. Зависимость эффективности образования F-центров от температуры во фтористом литии //Изв.АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн.наук. 1977. - № 4. - С.ЗЗ - 36.
348. Vanderlugt R.I., Kim Y.M. Conversion of F3+-ceníers and destruction of R-centers in LiF with R-Light // Phys. Rev. 1968. -Vol.171, No.3. - P. 1096- 1103.
349. Лобанов Б.Д., Хулугуров В.M., Парфианович И.A. F-агрегатные центры в кристаллах LiF LbO IJ Изб.ВУЗов.Физика. -1978. -№4.-С.81 -85.
350. Nahum I., Wiegand D.A. Optical properties of some F-aggregate centers in LiF // Phys.Rev. 1967. - Vol.154, No.3. - P.817 --830.
351. Михнов C.A., Ходинский A.H. Деградация F2+ • a Fr ■ центров в радиациояно окрашенных .кристаллах фтористого лития // ЖПС, 1985. Т.42. - С.298 - 303.
352. Алексеева Е.П., Соцердотова FJB. Механизм создания F-центров в кристаллах LiF на первой стадии / Люминесценция и спектр .анализ. Иркутск. 1974. -В.З. - С. 110 - 116.
353. Метревели П.И. Рост пор в тонких пленках LiF под электронным облучением// ФТТ. 1982. - Т.24, BJL - С605 - 607.
354. Ворожейкина Л.Ф., Политов Н.Г. Металлические и квазиметаллические центры в ионных кристаллах / Электронные и ионные процессы в тв.телах. -Тбилиси:Менциереба, 1971 .-В.4.-С.36-87.
355. Мамонтов А. ГЦ Стародубцев В.А., Чернов И.П. Ионизационное ускорение преобразования центров окраски в области малых доз излучения// ЖТФ. 1985. - Т.55. - С.2056 - 2058.
356. Hughes А.Е. Stability fnd production of R' centers in lithium fluoride // Solid state Communs. -1966. Vol.4, № 7. - P.337-339.
357. Боярская KXC., Грабко Д.З., Пашкова Д.С. Параметры пластической деформации некоторых ионных кристаллов. Кишинев^1983. 48 с. ( Препринт ИПФ АН Модд. ССР)
358. Васильев С.Г. Исянова Е.Д., Лобанов БД., Максимова Н.Т., Овчинников В.М., Проворов A.M. Дирульник И.А. Эффективный лазер на оптически стабильных Fi -центрах в кристаллах LiF // Письма в ЖТФ. 1984. - Т. 10, В.4. - С.248 -25L
359. Алыбаков A.A. Исследование люминесценции и центров окраски в кристаллах LiF-Mg У Влияние дефектов решетки на свойства кристаллов. Фрунзе: ИлимД971. - С.48 - 52.
360. Флеров В.И. Зависимость эффективности образования Ук-центров от температуры во фтористом литии /У Изв.АН ЛатвССР. Сер.физ. и техн.наук. 1977. - № 1. - С.59 - -63.
361. Пунг Л.А. Неизотермическая релаксация ЭПР автолокализованных дырок в кристаллах LiF и NaF / Труды ИФА АН ЭССР. -Тарту,1966. Т.34. - С.164- 165.
362. Mayhugh M.R. Color centers and the thermolurninescence mechanism in LiF // J. Appl. Phys. 1970. - Vol.41, No. 12. - P.4776-4782.
363. Войтович А.П., Калинов B.C., Калоша И.И., Михнов С.А., Овсейчук С.И. Генерация излучения в зеленой области спектра лазером на кристаллах фтористого лития с радиационными центрами окраски //ДАН БССР.- 1986. Т.ЗО, № 2. - С.132 - 134.
364. Игитханишвили Д. Д., Квавадзе К, А. Термостимулированная проводимость облученных кристаллов LiF / Электронные и ионные процессы в тв.телах. Тбилиси: Менциереба, 1974. - Т.7. - С.29 - 33.
365. Архангельская В.А., Полетимов А.Е. Нелинейное поглощение света термопреобразованными Райцентрами в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия. 1984. - Т.57, В.З. - С.377- 378.
366. Алексеева E.H. Низкотемпературная люминесценция LiF -фосфоров /Труды межвуз. конф. по радиац. физике. Томск, 1970. -С. 165 - 168.
367. БоганЯ.Р., Витол И.К. Исследование дырочных процессов и их роль в радиационных явлениях в щелочно-галоидных кристаллах / Труды межвуз. конф. по радиац. физике. Томск,1970. -С.120 - 124.
368. Яансон Н.А. Дефекты и термостимулированная люминесценция в нитевидных и макрокристаллах КВг повышенной чистоты / Труды ИФА АН ЗССР.- Тарту, 1975. Т.44. - С.88 - 101.
369. Нурахметов Т.М., Эланго М.А. Агрегатизация галогена в КВг, облученном рентгеновскими лучами / Труды ИФА АН ЭССР.-Тарту,1979.-Т.49.-С.7-23.
370. Круминыи В.Я. Бауманис Э.А. Структура На -Ук-полосы поглощения и фотохимические реакции в рентгенизированных кристаллах КВг Ка. / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига, 1975. - В.4. - С ,82 - 98.
371. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Генерация и термическое разрушение \т2 центров в КВг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига,! 975. - В А -С. 99 - 110.
372. Яансон Н.А. Гиндина Р.И. Исследование точечных дефектов в кристаллах КВг, выращенных из раствора и расплава У Труды ИФА АН ЭССР.- Тарту Л974. С. 195 - 214.
373. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Роль Г -центров в процессах рекомбинации радиационных дефектов в кристаллах КВг- Ыа / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига, 1976. -В,5. С.Я - 100.
374. Круминып ВЛ„ Бауманис Э.А. Рехомбинационные механизмы генерации и терморазрушения У 4 -центров в кристаллах Квг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1976. В.5. -С.101-126.
375. Нагорный А.А. Тепловое разрушение центров типа Ук в смешанных кристаллах КВг-К1 / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига.1979. - В.7 - С.69 - 79.
376. Ахманов С.А. Гадонас Р., Данелюс Р., Каманов В.Ф. Коротеев Н.И., Пискаркас A.C. Спектроскопия релаксации возбужденных состояний и пикосекундная релаксация в F-центрах // Письма в ЖТФ. 198Í. - Т.34, В.9. - С.504 - 50Ä.
377. Лахно В.Д., Балабаев П.К. Самосогласование решения jb континуальной модели F-центра и проблема релаксированного возбужденного состояния// Олтика и спектроскопия. 1983. - Т.55. В.2. - С.308 - 312.
378. Bosi L., Bussolati С., Со va S. Radiative lifetimes of exited M and R centecs in alkali halides// Phys. stat. sol. ,(b).-l 972.-Vol.50, No.l.-Р.ЗП-318.
379. Swank R.K., Brown F.C. Lifetimes of the exited F-centers Л Phys. Rev. -1963.- Vol. 130, No. 1.- P.34-4L
380. Медведев Б.А., Паршков O.M., Силкина Т.Г., Симоненко Г.В. Процессы усиления и генерации света в щелочногалоидных кристаллах с электронными центрами окраски II Оптика и спектроскопия. 1984. - Т.56, ВЗ. - С.478 - 48Х
381. Григоров В.А., Мартынович Е.Ф., Парфианович И.А., Хулугуров Б.М. Захват электронов активатором при лазерной стимуляции КС1:Т1 II Люминесценция и спектр.анализ. -Иркутск, 1974. В.З. - С.92 - ЮГ
382. Березин A.A. К теории фотоионизации F-центра окраски // ФТТ.-1967. Т.9. - С.2756 - 2757.
383. Шлюгер АЛ.,. Канторович Л.Н., Тиликс Ю.Е. Расчеты электронной структуры электронных и дырочных центров в щелочногалоидных кристаллах // Химия твердого состояния,-Кемерово, 1981. С. 156 - 171.
384. Рыжанов С.Г. О радиоспектроскопическом методе детектирования свободных экситонов в кристаллической решетке /У Изв.ВУЗов.Физика. 1967. - № 5. - С.140 - 144.
385. Бичевин В.В. Термостимулированная электронная эмиссия кристаллов NaCl и КС1, легированных серебром, таллием, индием // Труды ИФА АН ЭССР. Тарту, 1974. - Т.42. - С.228 - 232.
386. Кярнер Т.Н., Соркин Б.А. Дырочные процессы в кристаллах MgO при фотостимулированной люминесценции и электронной эмиссии // ФТТ. 1978. - Т.20, В.9. - С.2696 - 2699.
387. Тетерис Я.А. Кинетика рекомбинационного процесса V2- и F-центров в кристаллах КВг // Изв. АН Латв. ССР. Сер.физ.и техн. наук.-1977. № 27 - С.16-20.
388. Бичевин В.В. Фотостимулированная электронная эмиссия с F-центров щелочногалоидных кристаллов J Труды ИФА АН ЭССР.-Тарту, 1975. Т.43. - С.90 - 113.
389. Аболтинь Д.Э., Витол И.К., Гринфельдс А.У. Туннельная люминесценция КС1 / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1980. - С. 132- 142.
390. Nakajima Т. Thermoluminescence and colour centers in LiF crystals irradiated at room temperature // J. Phys.C.: Solid State Phys. -1971, Vol.4-РЛ060-1068.
391. Okada M., Atobe R., Nakagawa M. Higher F-aggregate centers produced during thermal annealing in LiF crystals irradiated at pill temperature // Annu. Rep. Res. Reaktor Inst. Kyoto Univ. 1976. -Vol.5.-P.160- 164.
392. Никаноров С.П., Кардашев Б.К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука, ! 985. -250 с.
393. Щепина JI.И., Алексеева Л.И., Лобанов Б.Д., Шуралева Е.И., Парфианович И.А. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiF различного примесного состава // УФЖ. 1984. - Т.29, В.12. -С.1668- 1673.
394. Колонцова Е.В., Телегина И.В., Зефирова В.Л. Влияние облучения на дефектную структуру монокристаллов LiF/Радиацион. эффекты в тв. телах.-Киев: Наукова думкаД977.-СЛ58-162.
395. Колонцова Е.В., Линник В.М. Дефектная структура у-и X облученных щелочногалоидных кристаллов// Кристаллография.-!969. -Т.14, В.6. - СЛ044 -1049.
396. Зефирова В А., Колонцова Е.В., Телегина И.В. Влияние отжига на дефектную структуру облученных нейтронами кристаллов LiF // ДАН СССР. 1971. - Т.199, В.4. - С.821 - §23.
397. Эртс Д.П., Горбовицкая Т.Н., Дзелме Ю.Р., Авотинын Ю.Э., Тиликс Ю.Е. Исследование отжига радиационных дефектов в LiF методом хемилюминесценции и термостимулированной люминесценции // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн.наук.- 1981.-№2.-С.61-64.
398. Андреев Г.А., Васильев ГЛ. Отжиг точечных дефектов в гамма-облученных кристаллах LiF // ФТТ.-1969.-Т.11, В.1.- С.222 224.
399. Завадовская Е.К., Кузьмина A.B. Энергия, запасаемая в ЩГК при облучении // Изв.ТПИ. Томск Л 965. - ТЛ40. - С.35 - 42.
400. Соболевская C.B., Давиташвили TJIL, Джорджишвиди Л.И., Калабегишвили Т.Л., Политов Н.Г. Исследование спектров ЭИР фторида лития в широком интервале доз облучения / Электронные и ионные процессы в тв.телах.-Тбилиси:Менциереба,1971.-Т.4.-С.114-120.
401. Игитханишвили Д.Д., Соболевская C.B. Влияние превращений радиационых дефектов на электропроводность л ЭПР кристаллов LiF / Электронные и ионные процессы в тв. телах -Тбилиси: МецниеребаД975. -Т.8. -С.19- 28.
402. Андреев Г.А. Отжиг радиационных дефектов в облученном нейтронами кристаллах LiF-Mg // Изв.АН СССР. Сер.неорганические материалы. 1972. - Т. 10. - С. 1774- 1777.
403. Воронков В.В. Отжиг вакансий в процессе охлаждения кристалла и вызванное им перераспределение примеси // Кристаллография. 1972. - Т. 17, В.З. - С.466 - 472.
404. Кнаб Т.Г., Урусовская А.А. Два типа F-центров в кристаллах LiF рентгенизированных при комнатной температуре // Кристаллография. 1971. - Т.16, В.1. - С.181 -185.
405. Кнаб Г.Г., Урусовская А.А. Исследование дефектов структуры фтористого лития методом термостимулированной электронной эмиссии// ФТТ. 1968. - Т.10, в.2. - С.644 --643.
406. Беляев JLM, 1£наб, Урусовская А.А. Термолюминесценция и термоэкзоэмиссия с кристаллов LiF, подвергнутых деформации, термообработке и облучению / Механоэмиссия и механохимия тв.тел.-Фрунзе:Илим, 1974 С. 183 -186.
407. Андреев Г.А., Смирнов Б.И. Образование точечных дефектов при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ. 1968. -Т. 10, В.6. - С. 1692- 1698.
408. Давиташвили Т.Ш., Политов II.Г^ Соболевская C.B. Центры окраски и коллоиды в кристаллах LiF / Электронные и ионные процессы в тв.телах.-Тбилиси:Менциереба,1973. Т.5. - С.36 - 55.
409. Зефирова B.JL, Колонцова Е.В., Луценко В.П. Дефекты в облученных электронами монокристаллах LiF и NaCl при различных условиях облучения // Вестник МГУ. Сер.физл астроном. 1976. -Т.17. - С.706 - 711.
410. Sibley W.A.,Chen J. Radiation damage in MgO // Phys. Rev. -1967. -Vol.160, No.3. P. 712 - 716.
411. Лущик И.Б., Куусманн ИЛ., Кярнер ТЛ,, Лущик Н.Е., Малышева А.Ф., Миленина Р.В., Ратае Л Л., Савихина Т.Н., Соовик
412. Х.А. Электронные возбуждения и люминесценция окиси магния / Труды ИФА АН СССР. Тарту, 1977. - Т.47. - С.59 - 92.
413. Kroes R.L. The formation of defects in MgO / AIAA Paper, 1970.-P.70 826.
414. Гусев Ю.Л., Коноплин С.Л., Маренников С.И. Генерация когерентного излучения на F2 -центрах окраски в монокристалле MgO // Квантовая электроника. 1977. - Т.4, № .9. - С.2024 - 2025.
415. Henderson В., Werez J.E. Defects in the alkaline earth oxides // Adw. Phys. 1968. - Vol.17, No.70. -P.749 - 755.
416. Кофстад П. Отклонение от стехлометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.-М.:Мир,1975. -396 с.
417. Sonder Т., Sibley W.F. Defects creation by radiation in polar crystals / Point defects in solids , ed by J.Crowford.-N-Y. -London, Plenum Press, 1972. P.201 - 209.
418. Hughes A.E., Henderson B. Color centers in sample-oxides / Point defekts in solids, ed. by J. Crawford. -N-Y. London, Plenum Press, 1972.-P.381 - 489.
419. Henderson В., Garrison A.K. Huperfine interaction of defects in insulators // Adv. Phys. 1973.- Vol.22, No.4. - P.423 - 528.
420. Валбис Я.А., Рачко З.А. О механизмах люминесценции вблизи края собственного поглощения в кристаллах окислов с широкой запрещенной зоной / Электронные и ионные процессы в ионных 1фисталлах. Рига,1976. - В.5. - С Л 55 - 163.
421. Кярнер Т.Н. Термическая стабильность дырочных центров и дырочная рекомбинационная люминесценция MgO, СаО и SrO с различными примесями У Труды ИФ АН СССР. -Тарту, 1977, Т.47.-С.93- 110.
422. Калдер К.А., Кярнер Т.Н., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Миленина Р.В. Коротковолновая люминесценция кристаллов MgO // ЖПС. 1976. - Т.25, В.4. - С.639 - 644.
423. Kappers H.F., Dravnicks F., Werts I.T. Optical absorption of the Voh -center in MgO I I Solid state communs. 1972. - Vol.10, No.12.-P.1265 - 1269.
424. Chen Y., Abraham M., Templeton L., Unrah W. Role of hydrogen and deuterium in the V- center formation in MgO // Phys. Rev. D. - 1975. - Vol.11, NoJL - P.881 - 890.
425. Abraham V., Chen Y., Unruh W. Formation and stabulity of Voh- and V-centers in MgO/У Phys. Rev., В.- 1974. Vol.9, No.4. -P.1842-1852.
426. Chen Y., Kolopus L., Sibley W. Defects luminescence of tlie irradiated MgO // J. Luminescence. 1970. - .No 1-2. - P.633 - 640.
427. Primak K.W., Luthra J. Radiation induced expansion and increase in refractive index in magnesium oxide; evidance for F - center // Phys. Rev. - 1966.- Vol.150, No.2. -P.551 - 561.
428. Chen Y., Willians R., Sibley W. Defect cluster centers in MgO J J Phys. Rev. 1968. - Voi.182, No.3. -P.960 - 964.
429. Kappers L.A., Kroes R.L., Hensley E.B. F+- and F-centers in magnesium oxside // Phys. Rev., B. 1970.- Vol.1, No.10.- P.4151 - 4157.
430. Gager W.B., Klein M.J., Jones W.H. The generation jf vacancies in MgO single crystals by explosiy chock J J AppL Phys. Letters. 1964.-Vol.5, No7. - P.131 -132.
431. Калдер K.A., Кярнер Т.Н., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Миленина Р.В. Экситонный и электронно-дырочный переносы^ энергии в люминесцирующих кристаллах MgO У/ Изв.АН СССР. Сер.физическая.- 1976. Т.40, № 11. - С2313 - 2316.
432. Hecht H.G., Taylor E.D. Thermoluminescent study of the color centers in irradiated polycrystalline MgO // J. Phys. and Chem. Solids. -1967.-Vol.28, No.8. -P.1599 -1605.
433. Миронова H.A. О существовании V° -центров в MgO / Радиационные дефекты в полупроводниках. МинскД972. -сЛ92-194.
434. Chen Y., Trueblood D.L., Show O.E., Tobeer H.I. Colour centrs in electron irradiated MgO // J. Phys. C: Sol. Stat. Phys.- 1979.-Vol.3, № 12.-P.2501 -2508.
435. Кузнецов A.С. Радиационные дефекты в кристаллах MgO, возникающие в результате рентгеновского облучения / Труды ИФ АН
436. ЭССР.-Тарту,1976. Т.45. - C.I01 - 120.
437. Лущик Ч.Б. Электронные возбуждения и ионные дефекты в щелочногалоидных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер.физичсская,-1971. Т.35, № 7. -C.13Ô5 - 1311.
438. Куусман И.Л., Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами УУ Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1976. - Т.40, № 9. - C.17S5 -1791.
439. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Образование радиационных дефектов в кристаллах MgO при высоких плотностях возбуждения JJ ЖТФ. 1980. - Т.50, В.8.- С.222-224.
440. Суржиков А.П. Образование радиационных дефектов в анионной подрешетке монокристаллов окиси магния при высоких плотностях возбуждения ускоренными электронами. Дисс. . канд.физ.-мат.наук. Томск,! 982. - 165 с.
441. Кярнер Т.Н. Фото- и термостимулированная люминесценция, легированной .разными примесями окиси магния- У Труды ИФ АН ЭССР. Тарту,1979. - Т.49. - С.172 -184.
442. Kappers L.F. Hensley F+ F centers conversions in magnésium oxide II Phys. Rev., В.- 1972. - Vol.6, No.6. -P.2475 - 2477.
443. Tench A.I., Duck M.I. Radiation damage in oxides.l.Defect formation in MgO // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1973.-Уо1Д No.7. -P.1134- 1148.
444. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука, 1989. - 236 с.
445. Власова М.В., Горбачук С.И., Каказей Н.Г., Мельник В.М. Инициирование F-центров сильным всесторонним сжатием поликристаллического MgO // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы.-1983.-Т.19, В.7. С.1213 -1215.
446. Соркин Б.АМ Бичевин В.В„, Кяэмбрэ Х.Ф. Дырочно-нндуцированная экзоэлектронная эмиссия // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1982. - Т.46, № 7. - C.14Q7 - 1411.
447. Самойлович М.И., Цинобер Л.И. Особенности радиационных центров окраски и микроизоморфизм в кристаллах У/ Кристаллография. 1969. - Т.14, В.4. - С.755 - 766.
448. Сальников В.Н., Кумеев С.С.Арефьев К.П., Килеев В.П. Исследование дефектности микроклина методами аннигиляции позитронов, электропроводности и импульсного электромагнитного излучения // Минералогический ж.- 1981. Т.З, № 5 . - С. 97 - 105.
449. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Визуализация центров окраски щелочногалоидных кристаллов // ФТТ.-1968. Т. 10,1. B.11. С.3489 - 3491.
450. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Усков В.И., Шибков A.A. Электромагнитное излучение деформируемых щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ 1985. - Т.27, В.2. - С.555 - 557.
451. Головин Ю.И., Шибков A.A. Электромагнитное излучение и динамика дислокаций в щелочно-гадоидных ^кристаллах // X Юбилейный симпозиум по механоэмиссии и механохимии твердых тш. 24 26 сентября 1986 г.,г.Ростов-на-Дону.Тез .докл.- М.,1986. - С.23 - 24.
452. Воробьев А А., Завадовская Е.К., Сальников В.Н. Изменение электропроводности и радиоизлучение горных пород и минералов при физико-химических процессах в них // ДАН СССР. 1975. - Т.220, В.1.1. C.82 85.
453. Сальников В .ГЦ Ганькина Л.Н. Наблюдение электромагнитных импульсов в нагреваемых образцах горных породвследствие отделения минералообразующих растворов // Изв. ВУЗов. Геология и разведка. 1978. - № 5 - С. 61 - 68.
454. Воробьев A.A., Сальников В.Н., Заверткин С.Д. Регистрация электромагнитных импульсов при полиморфных превращениях кварца // Изв.ВУЗов.Физика. 1975. - № 8 С. 138 - 145.
455. Okada М., Atobe К., Nakagawa М. Hihger F aggregate centers produced during thermal annealing in LiF crystals irradiated at pile temperature. Annual Report Research Reactor Institute Kyoto University., 1976. - Vol.9. - pp.160 - 164.
456. Девятко Ю.Н., Маклецов A.A. Пространственно неоднородное распределение дефектов в облучаемых материалах. / Известия АН Латв.ССР, сер. физ. и техн. наук (Латвийский физический журнал).- 1986.- № 3. С. 18 - 24.
457. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979.
458. Хакен Г. Синергетика. М.: Мир, 1980.
459. Смоэс М. Синергетика. М.: Мир, 1984.
460. Драган О.П., Драган Я.П. Синергетика и ритмика выделения компонентов при радиолизе кристаллов.// Препринт Физико механический ин-т АН УССР, 1982. - № 54. - 55 с.
461. Селищев П.А., Сугаков В.И. Самоорганизация дефектов в кристалле под облучением. // Вопросы атомной науки и техники. Сер.физика радиационных повреждений и радиационного материаловедения. 1990.- № 2 - С. 3 - 6.
462. Винецкий B.JL, Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А, Овчинников
463. A.А. Радиационно стимулированная агрегатизация дефектов Френкеля в твердых телах. // УФЫ. - 1990.- Т.160, В.10. С. 1 - 33.
464. Сальников В. Н., Заверткин С. Д., Коровкин М. В. Электромагнитные и акустические эффекты вследствие структурных изменений в стеклах // Изв.ВУЗов. Физика. 1980. - №1. - Деп. в ВИНИТИ, № 3981-80.- С.
465. Korovkin M.V., Sal'nikov V.N. Radiation "memory" effect in synthetic minerais. / Experiment in Geosciences.-1995.-Vol.4, № 4.-P.82-83.
466. Головин Ю.И., Шибков А.А. Исследование динамики дислокационных скоплений в неметаллических кристаллах методом анализа электромагнитной эмиссии. / Latvian Journal of Physycs and Technical Sciences. -1991. № 4. - P. 51 - 64.
467. Тялин Ю.И., Финкель B.M., Гурова O.B., Копылов Н.В. Специфика скоплений заряженных дислокаций / ФТТ 1985. - Т27,1. B.10.-С. 3005- 3009.
468. Сойфер Я.М., Сорокин Ю.Г. Релаксация напряжений при взаимодействии дислокаций с радиационными дефектами / Механизм релаксационных явлений в твердых телах.-М.:Наука, 1972.-С. 159-163.
469. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Орлов В.И., Тялин Ю.И. Нестационарное электрическое поле быстрой трещины скола в монокристаллах LiF / ФТТ. 1985. - Т.27, № 1. - С Л110 - 1115.
470. Головин Ю.И., Шибков A.A. Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах / ФТТ.-1986.-Т.28, № 11.-С.3492- 3499.
471. Головин Ю.И., Шибков A.A. Скачкообразная дислокационная поляризация монокристаллов LiF, деформируемых одиночным скольжением / Кристаллография. 1987. - Т.32, В.5. -С. 1206 - 1210.
472. Головин Ю.И., Шибков A.A. Коллективное поведение дислокаций и быстропротекающие электрические процессы при деформировании монокристаллов ZnSe / Кристаллография. 1987. -Т.32, В.2. - С.413 -416.
473. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Долгова В.М. Заряженные дислокации в щелочно- галоидных кристаллах, подвергнутых импульсному сжатию/Кристаллография.-1987.-Т.32, В.6. С.1468 - 1473.
474. Kisel V.P. Mobility of dislocations in NaCl single crystals at low temperature / Phys. stat.sol. (a), 1976. Y.36. - P. 297- 306.
475. Кардашев Б.К. Закономерности термически активируемого движения под действием напряжений акустических волн в щелочно-галоидных кристаллах / ФТТ 1985. - Т.27, № 3. - С. 787 - 800.
476. Даринская Е.В., Урусовская A.A., Беспалько A.A., Геринг Г.И. Исследование динамики дислокаций при деформации кристаллов NaCl сверхкороткими импульсами облучения в электронном пучке / ФТТ. 1982.- Т.24, В.З. - С. 940 - 941.
477. Гестрин С. Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле // Кристаллография. 1997. - Т.42, № 6. - С.965 -968.
478. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Поперечный дислокационный аналог эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Изв.ВУЗрв.Физика. - 1996. - № 1. - С.80 - 83.
479. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е.Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН. Сер. физическая. 1997. - Т.63, № 5. - С.965 - 971.
480. Воробьев A.A., Сальников В.Н. Наблюдение радиоволн и аномальное изменение электропроводности при нагревании образцов горных пород и минералов // Физико-технич. проблемы разработки полезных ископаемых. 1976. - № 5. - С.З - 15.
481. Зильберман П.Ф. Генерация радиочастотного излучения при фазовых переходах в системе KNO3 NaNCb // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. - 1985. - Т.21, № 1. - С.157 - 158.
482. Аксельрод Е.Г., Добрин В.А., Заверткин С.Д., Заплатина И.О., Зарубин В.А., Крюк В.И. Пострадиационные эффекты при фазовых переходах в жидком кристалле: эмиссия электронов и электромагнитных импульсов//Письма в ЖТФ.-1993.-Т.19,№ 1.-С.74-78.
483. Силинь А.Н., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига: Зинатне, 1985. - 244 с.
484. Вахидов Ш.А., Гасанов Э.М., Самойлович М.И., Яркулов У. Радиационные эффекты в кварце. -Ташкент :ФАН, 1975. 188 с.
485. Вахидов Ш.А., Ибрагимов Ж.Д., Хушваков О.Б., Юлдашев А.Д. О неударной генерации дефектов в кристаллах кварца // ЖТФ -1992.- Т.62, В.4. С.176 - 178.
486. Комов И.Л. Радиационная минералогия. М. : Энергоиздат, 1982.-175 с.
487. Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975.- 327 с.
488. Таращан А.Н. Люминесценция минералов.- Киев: Наукова думка, 1978.- 296 с.
489. Орленев П.О. Стабильные парамагнитные центры в природном кварце : методы измерения в порошке, абсолютные концентрации и их вариации // Минералогия. ж.-1984.-№ 1.-С. 17 24.
490. Раков Л.Т., Моисеев Б.М. Палеодозиметрические свойства 02 3" -центров в кварце // ДАН ССР. 1989. - Т.305, № 1. - С. 192 - 194.
491. Брик А.Б., Дегода В.Я., Маразуев Ю.А., Радчук В.В. Реконструкция доз радиоактивного облучения кристаллов а кварца из Чернобыльской зоны // Журн. прикл. спектроскопии. - 1996. - Т.63, № 1. - С. 158 - 160.
492. Раков Л.Т. Радиационные свойства структурных дефектов в кварце // Геохимия. 1997. - №6. С.637 - 642.
493. Bossoli R.B., Jani M.G., Halliburton L.E/ Radiatin-induced E"2 ctnters in crystalline SiCb // Solid State Communs. 1982. - Vol.44, No.2 . -P.213-217.
494. Матросов И.И., Погорелов Ю.Л. Влияние прокаливания на спектры ренгенолюминесценции кварца // Изв. АН СССР. Сер.геологическая. 1977.- № 9.- с.89-94.
495. Минералогия и кристаллофизика ювелирных разновидностей кремнезема / В. Г. Балакирев, Е. Я. Киевленко, Л. В. Никольская, М.И. Самойлович, В. Е. Хаджи, Л. И. Цинобер. М. : Недра, 1979. -149 с.
496. Вотяков СЛ. , Крохалев В.Я.,Пуртов В.К., Краснобаев A.A. Люминесцентный анализ структурного несовершенства кварца. -Екатеринбург : УрО РАН, 1993. 71 с.
497. Максимчук В.Г., Таращан А.Н. О собственной люминесценции кислородосодержащих минералов (силикаты) // Кристаллохимия и спектроскопия минералов. Киев: Наукова думка, 1984. -с. 15-35.
498. Физические исследования кварца. М.: Недра, 1975. - 65 с.
499. Коровкин М.В. Электромагнитное излучение возбужденных ионных кристаллов при термическом стимулировании / Материалы научно-практ. конф.:Молодые ученые и специалисты Томской области в 9 пятилетке. Томск: Изд-во ТГУ, 1975. - С.217-220.
500. Семенов К.П, Фотченков A.A. Эффективность воздействия на кварц различных видов излучения // Кристаллография. 1977. -Т.22.- вып.5.-с.571-578.
501. Priest V., Cowan D.L., Reichel D.G., Ross F.K. A danglingsilicon-bond defect in topaz./ J. Applied Physics, 1990. V.68,No.6. - P. 3035 -3037.
502. Серебренников A.M. Экспериментальные исследования электронно-дырочных центров в кварце. Часть 2. Центры свечения / Минералогический сб. Львовского ун-та. 1972. - № 32. - С. 15 - 20.
503. Синтез минералов. Том 1 / Хаджи В.Е., Цинобер Л.И., Штеренлихт Л.М. и др. М.: Недра, 1987. - 487 с.
504. Цинобер Л.И., Самойлович М.И., Гордиенко Л.А. Некоторые особенности дымчатой окраски в кристаллах кварца с примесью Al. // Кристаллография. 1965. -Т. 10., В.6,- С. 879-898.
505. Лютоев В.П. Электронно-парамагнитный резонанс и термолюминесценция кристаллов кварца Приполярного Урала / Физика минералов и их аналогов. Л.: Наука, 1991. - С. 108 - 111.
506. Павлишин В.И., Мазыкин В.В., Матяш И.В., Возняк Д.К. Тенденция изменения содержания структурной примеси алюминия в процессе роста кристаллов кварца. // Геохимия.-1978.- № 2.-С.266-275.
507. Румянцев В.Н. Структурный алюминий в кварце как индикатор физико-химических условий кристаллизации. // Записки Всес. минералогич. общества. 1979. - Т. 108, В.6. - С. 647 - 657.
508. Матросов И.И., Погорелов Ю.Л. О сверхлимитном накоплении светосуммы термолюминесценции в кварце // Ж. прикл. спектроскопии.- 1976. Т.29, В.5. - С.825 - 830.
509. Матросов H.H., Чистяков В.К., Погорелов Ю.Л. Исследование термолюминесценции геологических материалов.-Томск: Изд-во Томского ун-та, 1979. 114 с.
510. Горобец Б.С. Спектры люминесценции минералов.-М.:ВИМС, 1981.-153с.
511. Юргенсон Г.А. Типоморфизм и рудоносность жильного кварца.-М.: Недра, 1984. 149 с.
512. Лариков А.Л., Шумский A.A., Брик А.Б., Матяш И.В. О новом подходе к восстановлению условий образования кварца по даннымЭПР //Геохимия. 1991. - № 10. - С. 1510 - 1513.
513. Аксельрод Е.Г., Беспалов В.В., Добрин В.А., Крюк В.И., Кузьмин А.Н., Мелехин В.П. Акустическая эмиссия при фазовом переходе первого рода в жидком кристалле // Доклады РАН. 1995. -Т.345, № 3. - С.320 - 323.
514. Данчевская М.Н., Овчинникова О.Г., Целебровский А.Н. Исследование дефектов в синтетическом кварце методом термолюминесценции //Ж. физ. химии.-1985.-T.LIX,№ 11.-С.2818-2823.
515. Данчевская М.Н., Овчинникова О.Г., Целебровский А.Н. Исследование дефектов в синтетических кристаллах кварца // Изв.АН СССР. Сер.неорганич. материалы. 1986. - Т.22, № 2. - С. 245 - 250.
516. Лысаков B.C. Об оценке эффективных сечений, коэффициентов и термических энергий захвата дырок в кристаллическом кварце // Доклады АН Тадж.ССР. 1991.- Т.34, №1. -С. 30 - 32.
517. Платонов А.Н. Природа окраски минералов.- Киев: Наукова думка, 1976.-264 с.
518. Nassau К. Abterinq the color of topaz.- // Gem. g. and Gemol.-1985.- Vol. 21, № 1,- P.26 34.
519. Бальмаков М.Д. Структурная релаксация и радиоизлучение // Физика и химия стекла. -1987.- Т. 13, № 5. С. 781 - 784.
520. Коровкин М.В., Пригулов A.M. Термостимулированное радиоизлучение возбужденных монокристаллов MgO // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. IV Всес.совещ. Рига, 1978. - С. 213-214.
521. Головин Ю.И., Фурса Т.В. Влияние заряда поверхности на излучение электрических импульсов деформируемыми монокристаллами LiF// Известия ВУЗов. Физика.- 1987.-№10.-С. 117-118.
522. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние света и магнитного поля на подвижность дислокаций в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика. 1998. - № 7. - С.31 - 36.
523. Леко В.К., Мазурин О.В. Свойства кварцевого стекла. -Л.:Наука, 1985. 166 с.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.