Исследование эффектов зарядки массивных диэлектриков и диэлектрических микроструктур электронными пучками средних энергий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Андрианов, Матвей Валентинович

• Андрианов, Матвей Валентинович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Андрианов, Матвей Валентинович

Введение

Глава 1. Зарядка диэлектрических мишеней электронными пучками средних энергий

§1.1. Вторичная электронная эмиссия на твердотельных диэлектриках

§1.2. Физический механизм процесса зарядки диэлектриков электронным пучком средних энергий

§1.3. Временные характеристики зарядки и релаксации зарядов в облучённых диэлектриках

§1.4. Методы определения поверхностных потенциалов и зарядов на диэлектрических структурах

1.4.1. Электронно-зеркальный метод измерения потенциала поверхности и накопленного заряда в РЭМ

1.4.2. Другие методы определения потенциала поверхности заряженного диэлектрика

Глава 2. Физические аспекты изучения эффектов зарядки диэлектриков при электронном облучении

§2.1. Основные положения процесса зарядки диэлектриков электронными пучками с энергией 1 - 50 кэВ

2.1.1. Рассмотрение на основе зависимости коэффициента эмиссии электронов от энергии облучающего пучка

2.1.2. Электростатическое рассмотрение на основе модели двойного слоя заряда

§2.2. Влияние тока утечки на потенциал зарядки Vs и на положение второй кроссоверной точки энергии Ег

§2.3. Влияние эффекта контаминации поверхности при электронном облучении

§2.4 Расчёт электростатического поля, возникающего в пространстве при облучении диэлектриков электронным пучком

2.4.1. Расчёт возвратных полей потенциальных барьеров

2.4.2. Моделирование траекторий ускоренных вторичных электронов в поле заряженного диэлектрика в РЭМ

Глава 3. Результаты исследований зарядки диэлектриков при электронном облучении

§3.1. Постановка экспериментов и методики исследований

3.1.1. Экспериментальное устройство для измерения высоковольтных потенциалов

3.1.2. Методика измерения токов утечки, смещения и аккумулированного заряда

3.1.3. Сравнительный анализ с методом оценки Vs по рентгеновским спектрам

§3-2. Определение характеристических параметров зарядки диэлектриков

3.2.1 Полиметилметакрилат (ПММА)

3.2.2 Монокристалл БЮг

3.2.3 Стекло

3.2.4 AI2O3: поликристаллический, аморфный, сапфир

3.2.5 NaCl

3.2.6 Монокристалл MgO

3.2.7. Алмаз природный

§3.3. Определение времени зарядки, плотности ловушек и полного заряда, аккумулированного при электронном облучении

§3.4. К вопросу о контрасте изображений диэлектрических структур в РЭМ

3.4.1. Механизм формирования контраста изображения микроструктуры, находящейся под слоем диэлектрической плёнки

3.4.2. Аномальный контраст на диэлектриках: псевдо-зеркальный эффект

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование эффектов зарядки массивных диэлектриков и диэлектрических микроструктур электронными пучками средних энергий»

Исследование явлений, возникающих при облучении диэлектрических материалов электронами с энергией 1-50 кэВ, вызывает большой интерес не только в радиационной физике диэлектриков, но и в таких областях, как радиоэлектроника, микроэлектроника, ядерная физика, космонавтика и т.п. Изучение радиационно-стимулиро ванных процессов в диэлектриках важно и при создании новых диэлектрических и композиционных материалов с заданными электрофизическими свойствами в связи с широким использованием таких материалов в различных приборах и устройствах, работающих в полях ионизирующих излучений.

Особый интерес для электрофизики и смежных с ней областей представляет изучение процессов накопления и релаксации зарядов под действием ионизирующих излучений, в частности при электронном облучении. Но зарядка диэлектриков электронными пучками в некоторых практических электронно-зондовых методах и технологиях, таких как электронная микроскопия, рентгеновский микроанализ, оже-спекгроскопия, электронно-лучевая литография, является источником артефактов. Зарядка поверхности может приводить к изменению контраста изображения, изменению эффективной энергии падающих электронов, невозможности проведения количественного микроанализа и т.д. В то же время в других приложениях, например в запоминающих потенциалоскопах, накопителях энергии на электретах, дозиметрах, это явление находит практическое применение.

Эти обстоятельства обуславливают актуальность и необходимость изучения электронно-индуцированных процессов зарядки, накопления и кинетики зарядов в диэлектриках.

Для определения ряда фундаментальных параметров диэлектриков, таких как диэлектрическая проницаемость, толщина диэлектрических пленок, распределение электрического поля внутри диэлектрического образца, в большинстве случаев используются электромагнитные методы, основанные на взаимодействии электромагнитного поля с веществом. Но радиоволновые методы не позволяют проводить исследования процессов накопления и релаксации заряда в диэлектриках, определять величину потенциала поверхности заряженного диэлектрика и общую величину аккумулируемого заряда в локально облучаемых участках.

Указанные исследования можно проводить электронным зондированием, но в этой области пока что нет четкой и завершенной картины всех сопутствующих явлений, позволяющих считать электронно-зондовый метод полностью корректным и точным. В любом случае для более полного понимания физических основ зарядки диэлектриков необходим детальный анализ процессов, происходящих при воздействии пучка электронов средних энергий на диэлектрик.

Цель и основные задачи работы

Целью работы является анализ и расчет сопутствующих процессу зарядки явлений, таких как возникновение токов утечки и смещения, радиационно-наведённой проводимости, аккумулирование заряда, контаминации поверхности, происходящих при облучении диэлектрических мишеней электронными пучками в диапазоне энергий 1-50 кэВ. Требовало объяснение явление отрицательной зарядки в области низких энергий облучающего пучка, когда теория предсказывает положительную зарядку, а также установление двух значений критической энергии первичных электронов - для заряженного и незаряженного диэлектрика.

Для осуществления указанной цели решались следующие основные задачи:

1. Развитие метода измерения высоковольтных поверхностных потенциалов (до 30 кВ) и изучение кинетики зарядки диэлектриков при помощи тороидального электронного спекгроанализатора в диапазоне энергий первичного пучка электронов до 50 кэВ.

2. Анализ и расчет влияния на процесс зарядки контаминации поверхности диэлектрика углеводородными пленками в условиях технологического вакуума растрового электронного микроскопа; влияния токов утечки и радиационно-стимулированной проводимости на величину поверхностного потенциала; влияние возвратных барьерных полей на эффективный выход вторичных электронов, вследствие перераспределения вклада положительного заряда на величину потенциала поверхности.

3. Установление двух критических кроссоверных значений энергии первичных облучающих электронов, при которых эффективный суммарный коэффициент эмиссии электронов равен единице, объяснение различий в величинах этих энергий (для заряженного и незаряженного диэлектрика, соответственно).

4. Разработка методики определения критических значений энергии и временных констант зарядки диэлектрических образцов.

Научная новизна работы

• Разработана методика измерения высоковольтных (до 30 кВ) поверхностных потенциалов, возникающих при электронной бомбардировке диэлектрических мишеней электронами средних энергий. Проведен детальный анализ физических явлений, влияющих на результаты измерений поверхностных потенциалов и кинетику зарядки: возвратных потенциальных барьеров, локальной электронно-индуцированной электропроводности, контаминации, поверхностных утечек зарядов.

• Рассмотрены концепции зависимости вторичной электронной эмиссии диэлектрических мишеней от энергии первичных электронов в неразрывной связи с накоплением отрицательного заряда по глубине пробега первичных электронов, независимо от коэффициента эмиссии электронов, и показана доминирующая роль второго из указанных факторов.

• Впервые экспериментально показано, что дня диэлектриков существуют два существенно различных значения второй критической энергии электронов, присущих для случаев заряженного и незаряженного образцов. Отрицательная зарядка диэлектрика в области низких энергий электронного пучка, где на основе прежних представлений ожидалась положительная зарядка, объясняется генерацией двойного слоя зарядов, теоретическая модель которого была разработана почти одновременно в ряде работ других авторов. В настоящей работе эта модель не только подтверждена экспериментально, но и значительно уточнена, что позволило ответить на ряд спорных вопросов.

• Выявлены и объяснены некоторые такие необычные поведения характеристик зарядки различных материалов диэлектриков, как зависимость постоянной времени зарядки мишени от энергии облучающих электронов и дозы облучения, а также уменьшение величины тока утечки для некоторых материалов при одновременном увеличении поверхностного потенциала.

Практическая значимость

Практическая значимость работы заключается, прежде всего, в том, что её результаты могут быть использованы при интерпретации экспериментальных данных во всех аналитических электронно-зовдовых методах исследования диэлектрических образцов, в других различных электрофизических исследованиях кинетики радиационной проводимости, радиационно-индуциро ванных и аккумулированных зарядов, для разработки мер по повышению радиационной стойкости диэлектрических материалов, применяемых в различных приборах и устройствах, работающих в радиационных средах.

Разработанная методика позволяет проводить одновременные измерения отрицательных высоковольтных потенциалов на облучаемой поверхности, токов утечки и токов смещения, по которым оценивается величина накопленного заряда, плотность ловушек, т.е. локальных дефектов, постоянной времени зарядки диэлектрического материала.

В работе определены такие характеристические параметры, как величина равновесного потенциала при разных энергиях первичных электронов, а также временные константы зарядки для широкого класса диэлектриков: поликристаллических, аморфных, монокристаллов, органических полимеров (SiC>2, AI2O3, MgO, NaCl, стеклообразная керамика, алмаз, полиметилметакрилат, слюда, лавсан и т.д.). Полученные параметры диэлектриков могут быть использованы в исследованиях в области радиационной физики, а также при производстве и эксплуатации радиоэлектронных приборов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физические закономерности процесса зарядки диэлектрических материалов при облучении электронами с энергией 1-50 кэВ. Учёт влияния образующейся контаминационной пленки, токов утечки и радиационно-стимулированной проводимости, а также возвратных потенциальных барьеров для вторичных электронов.

2. Совокупное рассмотрение вторично-эмиссионных закономерностей и явления аккумуляции первичных электронов на глубине пробега, много большей глубины выхода вторичных электронов. Образование двойного слоя зарядов с отрицательным результирующим потенциалом облученного участка.

3. Существование двух различных «кроссоверных» энергий первичного пучка электронов, где суммарный коэффициент эмитированных электронов равен единице: одна критическая энергия соответствует незаряженному диэлектрику, другая - заряженному до равновесного потенциала.

4. Комбинированный элекгронно-зондовый метод определения высоковольтных и индуцированных потенциалов, токов смещения и утечки, величины аккумулированного заряда, плотности ловушечных центров и постоянных времени зарядки диэлектрических мишеней.

5. Дискуссионные положения и возможные объяснения аномальности зарядовых характеристик ряда диэлектрических материалов - уменьшение тока утечки для ряда диэлектриков при повышении поверхностного потенциала, увеличение постоянной времени зарядки при уменьшении энергии первичных электронов.

6. Новые типы формирования контраста изображений в растровой электронной микроскопии диэлектрических структур.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах ИПТМ РАН и кафедры физической электроники МГУ им. М.В. Ломоносова, а также на следующих конференциях:

1. 12-я Европейская конференция по электронной микроскопии (Чешская республика, Брно, 2000);

2. 12-й Всероссийский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел (Черноголовка, 2001);

3. 4-я Международная конференция по электрическим зарядам в непроводящих материалах (Франция, Тур, 2001);

4. 13-я Европейская конференция по электронной микроскопии (Бельгия, Антверпен, 2004);

5. 19-я Российская конференция по электронной микроскопии (Черноголовка, 2002);

6. 20-я Российская конференция по электронной микроскопии (Черноголовка, 2004). По материалам диссертации опубликовано 14 печатных работ в трудах отечественных и международных конференций и журналов.

Краткое содержание работы

В первой главе дан обзор публикаций по исследованию процессов зарядки диэлектриков электронными пучками. В течение длительного времени значительное внимание уделялось экспериментальным и теоретическим исследованиям пространственного распределения накопленного заряда, величины и знака индуцированного поверхностного потенциала, распределения встроенного электростатического поля, кинетики нарастания и релаксации зарядов в диэлектриках. Однако из-за сложности и неоднозначности проблемы в целом многие результаты носят оценочный, приблизительный, а иногда и противоречивый характер. В частности, приводимые значения второй критической точки (второй кроссовер) для энергии облучающих электронов, при которой суммарный коэффициент эмиссии электронов равен единице, т.е. мишень не заряжается, значительно разнятся для одних и тех же диэлектриков. Причём, как правило, эта величина выше при измерениях коэффициента вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) в зависимости от энергии первичных электронов пучка, чем при нахождении второй кроссоверной точки, как функции потенциала поверхности. Причины этих разногласий и противоречий до сих пор не вполне понятны, а их трактовка усугубляется тем, что исследования проводились различными методами и в различных условиях экспериментов.

Во второй главе рассматриваются физические аспекты зарядки диэлектриков при электронном облучении. В первой части этой главы рассмотрен механизм зарядки диэлектриков на основе зависимости коэффициента эмиссии электронов от энергии облучающего пучка и на основе модели двойного слоя зарядов. Во второй части главы рассматриваются влияние тока утечки диэлектриков на поверхностный потенциал. Третья часть главы посвящена влиянию эффекта контаминации при облучении электронным пучком диэлектриков на положение второй критической энергии. В четвёртой части главы проведено математическое моделирование электростатических полей возникающих при зарядке диэлектриков и моделирование траекторий электронов в этих полях.

В третьей главе приведены результаты исследований зарядки диэлектриков при электронном облучении. В первой части этой главы приводится схема экспериментальной установки и методика постановки экспериментов. Во второй и третьей частях главы приведены результаты исследования диэлектриков. Четвёртая часть посвящена вопросам формирования контраста изображения диэлектрических структур в РЭМ.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Андрианов, Матвей Валентинович

Основные результаты и выводы

1. Разработана методика одновременного измерения основных характеристик зарядки диэлектрических мишеней при электронном облучении в широком интервале энергий первичных электронов (1 - 50 кэВ) в растровом электронном микроскопе: поверхностного потенциала, аккумулированного полного заряда, плотности ловушек, временной константы зарядки.

2. Детально рассмотрен и рассчитан механизм зарядки диэлектриков во взаимосвязи с такими физическими явлениями как эффект контаминации и наличие токов утечки, электронно-индуцированной проводимости и электростатических полей зарядов у поверхности мишени. Установлено, что отрицательную зарядку диэлектриков определяют два независимых, но взаимосвязанных процесса: эмиссия вторичных и отражённых электронов и захват первичных электронов на ловушках во всей области, где глубина их пробега больше глубины выхода вторичных электронов.

3. Экспериментально подтверждена теория отрицательной зарядки диэлектриков электронными пучками средних энергий в области, где суммарный коэффициент эмиссии электронов больше единицы и где по прежним представлениям предполагалась положительная зарядка.

4. Установлена природа аномальной отрицательной зарядки диэлектриков, и показано, что величина второй кроссоверной энергии облучающих электронов переходит от более высоких значений для незаряженного образца до меньших значений в случае его зарядки. Экспериментально определены оба значения второй критической энергии первичных электронов для широкого класса диэлектриков и показано, что они отличаются в несколько раз.

5. Экспериментально установлены основные закономерности кинетики зарядки и изменения поверхностного зарядового потенциала от параметров эксперимента. Для разных диэлектриков обнаружены линейные, суперлинейные и сублинейые зависимости величины поверхностного потенциала от энергии облучающих электронов. Установлено, что величина тока зонда не влияет на установившейся равновесный потенциал поверхности образца, а время зарядки обратно пропорционально току электронного пучка. Показано, что постоянная времени зарядки образца обратно пропорциональна энергии первичного пучка.

6. Объяснены причины возникновения контраста изображения микроструктуры, находящейся под пленкой диэлектрика, толщиной большей, чем длина пробега первичных электронов: это увеличение энергии вторичных электронов, перезарядка ёмкости сканируемого участка и наличие электронно-индуцированной проводимости. Исследован также механизм образования «псевдо-зеркала», когда на изображении самого образца накладываются изображения внутренних деталей микроскопа. Этот эффект вызван сканированием камеры микроскопа вторичными электронами, ускоренными и подфокусированными полем заряженного образца.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Андрианов, Матвей Валентинович, 2005 год

1. Н. Seiler. "Secondary electron emission in the scanning electron microscope". J. Appl. Phys. 1983. 54(11), p.Rl-R18

2. M. Chang, J. Everhart. "Simple calculation of energy distribution of low energy secondary electrons emitted from metals under electron bombardement". J. Appl. Phys. 1974. V.45, p.707 709.

3. И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. М. Наука. 1969. с. 407.

4. J1.H. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. М. Наука. 1966. с. 564.

5. С.Г. Боев, В.Я. Ушаков. Радиационное накопление зарада в твёрдых диэлектриках и методы его диагностики. М. Энергоатомиздат. 1991. с. 240.

6. В.В. Громов. Электрический зарад в облученных материалах. М. Энергоатомиздат. 1982. с. 110.

7. L.Reimer, U.Golla, R.Bongeler, М. Kassens, B.Schindler, R.Senkel. "Charging of bulk specimens, insulating layers and free-supporting films in scanning electron microscopy". Optik. 1992. V.92, N1 p. 14-22.

8. A.Melchinger, S.Hofmann. "Dynamic double layer model: Description of time depending charging phenomena in insulators under electron beam irradiation". J. Appl. Phys. 1995. V.78, №10, p.6224-6232.

9. M.H.Ying, J.T.L.Thong. "Insulator charging under irradiation with a stationary electron probe". Meas.Sci.Technol. 1994. 5, p.1089-1095.

10. MP.Seah, S.J. Spencer. "AES of bulk insulator-control and characterization of the surface charge". J. of Electr. Spectr. Rel. Phenomena. 2000. V.109, p.291-308.

11. H.-J Fitting, H. Glaefeke, Wild. "Electron beam induced charge transport in SiC>2 layers" Exp. Techn. Phys. 1979. V.27, №1, p.13 24.

12. G.Ohlendorf, W.Koch, V.Kempter, G.Borchardt. "Application of environmental electron spectroscopy to AES of bulk ceramics". Surface and Interface Analysis. 1991. V.17, p.947-950.

13. H. Guo, W. Maus-Freidrichs, V. Kempter. "Charging Phenomena and Charge Compensation in AES on Metal Oxides and Silica". Surf. Interface Anal. 1997. 25, p. 390 396.

14. R. Rettig, M. Kassens, L.Reimer. "Measurement of specimen charging in SEM with a

15. Kelvin probe". Scanning. 1994. V.16, p.221 -226.128

16. D.Joy, С.Joy. "Low voltage scanning electron microscopy".Micron. 1996. 27, p. 247-263

17. J. Cazaux. "Some considerations on the secondary electron emission, 8, from e" irradiated insulators". J. Appl. Phys. 1999. V.85, N2, p. 1137 -1147.

18. J. Cazaux. "About the secondary electron yield and the sign of charging of electron irradiated insulators". Europ. Phys. J. Appl. Phys. 2001. V. 15, p. 167-172.

19. J. Cazaux. "Mechanisms of charging in electron microscopy". J. of Electr. Spectr. 1999, 105, p.155-185.

20. C. Le Gressus, G.Blaise."Insulator surface analysis". J. Electr. Spectr. Rel. Phen. 1992. 59, p.73-96.

21. J.Cazaux, P.Lehuede."Some physical descriptions of the charging effects of insulators under incident particle bombardement". J. Electr. Spectr. Rel. Phen. 1992. 59, p.49-71.

22. J.Cazaux."About the charge compensation of insulating samples in XPS". J. Electr. Spectr. Rel. Phen. 2000. 113, p. 15-33.

23. F. Mady, R.Renoud, C.Attard, J.Bigarre, J.-P.Ganachaud, P.Hourquebie. "Interpretation method for mirror experiments based on a Monte Carlo charge implantation model". Eur.PhysJ.AP. 2002. 20, p.41-53.

24. J. Cazaux. "Some considerations on the electric field induced in insulators by electron bombardement". J. Appl. Phys. 1986. V.59, №5. p.1418 1430.

25. B.Gross, G.Sessler, J.E.West. "Charge dynamics for electron-irradiated polymer-foil electrets". J. Appl. Phys. 1974. V.45, N.7, p.2841-2851.

26. H.Gong, C.K.Ong."A novel scanning electron microscope method for the investigation of charge trapping in insulators". J. Appl. Phys. 1994. v.75, №1, p. 449-453.

27. Z.G.Song, C.K.Ong, H.Gong. "A time-resolved current method for the investigation of charging ability ofinsulators under electron beam irradiation". J. Appl. Phys. 1996. V.79, №9, p.7123-7128.

28. H.Chen, H.Gong, C.K. Ong "Classical electron trajectory in scanning electron microscope mirror image method". J. Appl. Phys. 1994. V.76, №2, p. 806-809.

29. H.J.Wintle. "Analysis of the scanning electron microscope mirror method for studying space charge in insulators". J. Appl. Phys. 1999. V.86, N.l 1, p. 5961-5967.

30. R. Coelho, B.Aladenize, B.Garros, D.Acroute, P.Mirebeau. 'Toward a Quantitative Analysis of the Mirror Method for Characterizing Insulation" IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. 1999. V.6, N.2, p. 202-210.

31. B.Vallayer, G.Blaise, D.Treheux. "Space charge measurement in a dielectric material after irradiation with a 30 kV electron beam: Application to single-crystals oxide trapping properties". Rev. Sci. Instr. 1999. V.70, N.7, p. 3102-3119.129

32. J. Cazaux. "Scenario for time evolution of insulator charging under various focused electron irradiations". J. Appl. Phys. 2004. V.95, № 2, p. 731-743.

33. M.B. Андрианов, A.B. Гостев, Э.И. Pay, Ж. Казо, О. Жбара, М. Белхаи. «Электронная спектроскопия диэлектриков в РЭМ». Поверхность. 2000. №12. с.9-12.

34. М.В. Андрианов, М. Белхаи, О. Жбара, Э.И. Pay, М.Н. Филиппов. «Растровая электронная микроскопия, электронная и рентгеновская спектроскопия диэлектриков». Поверхность. 2001. №8, с.24 34

35. М.В.Андрианов, B.B. Аристов, А.В.Гостев, Э.И.Рау. «Исследование эффектов зарядки диэлектриков в растровом электронном микроскопе». Поверхность. 2004. №3, с. 40-51.

36. L. Reimer. "Image Formation in Low-Voltage Scanning Electron Microscopy." Washington. SPIE Press. Bellingham. 1993. p. 144.

37. J. Cazaux. "A new analytical approach for the transport and the emission yield of secondary electrons from insulators". Nucl. Instr. And Meth. Phys. 2002. 192, p. 381392.

38. Y.C. Yong, J.T.L. Thong, J.C.H. Phang. "Determination of secondary electron yield from insulators due to a low-kV electron beam." J. Appl. Phys. 1998. V. 84, №8, p. 4543.

39. P.H. Dawson. "Secondary electron emission yields of some ceramics". J. Appl. Phys. 1966. V.37, p. 3644 3645.

40. K. Kanaya, S. Ono, F. Ishigaki. "Secondary electron emission from insulators". J. Phys. D: Appl. Phys. 1978. 11, p.2425-2437.

41. R.C. Alig, S. Bloom. "Secondary electron escape probabilities". J. Appl. Phys. 1978. V.49, № 6, p.3476-3480.

42. H.J. Fitting, E. Schreiber, J.C. Kuhr, A.V. Czarnowski. "Attenuation and Escape Depths of Low Energy Electron Emission" J. Electr. Spectr. & Rel. Phenom. 2001. 119, p. 35-47.

43. N.R. Whetten. "Cleavage in high vacuums of Alkali Halide single crystals secondary electron emission", J. Appl. Phys. 1964. V. 35, №11, p. 3279-3282.

44. P.Hirsh, M. Kassens, M.Puttman, L.Reimer. "Contamination in a Scanning Electron Microscope and the Influence of Specimen Cooling". Scanning. 1994. V.16, p. 101-110.

45. В. Gross, J. Dow, S. Nablo. "Charge buildup in electron-irradiated dielectrics". J. Appl. Phys. 1973. V.44, p. 2459-2463.

46. G. Sessler, Figueiredo, Ferreira "Models of charge transport in electron-beam irradiated insulators", IEEE Trans. Diel. and Electrical Insulation. 2004. V.l 1, p. 192-202.

47. C.K. Ong, Z.G. Song, H. Gong. "Dynamics aspects of the charging behaviour of polymers under focused electron beam irradiation". J. Phys. Condens. Matter. 1997. 9, p. 9289-9298.

48. J.Hwu, D.C.Joy. "A Study of Electron Beam-Induced Conductivity in Resist". Scanning.1999. V.21, p. 264-272.

49. V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, K.-P. Meyer, H. Blumtritt. "Scanning Electron Microscopic Investigations of Peculiarities of the BaTiCb Ferroelectric Domain Contrast". .Phys.Stat.Sol. 1983. 78, p. 229-236.

50. Muller K.H. "Elektronenstrahl-Mikroschreiber mit geschwindigkeitsgesteuerter Strahlung". Optik. 1971. 33, p. 296-311.

51. Жданов Г.С., Верцнер B.H. ДАН СССР. «О механизме образования углеводородных плёнок на поверхности, облучаемой тонким электронным пучком». 1967. т. 176, с. 1040-1043.

52. Rickerby D.G. "Barriers to Energy Dispersive Spectrometry with Low Energy X-Rays". Microchim. Acta 1996. v. 13, p. 493-500.

53. Hren J.J. in: Principles of Analytical Electron Microscopy (Eds Joy D.C., Roming A.D., Goldstein J.I.), Plenum, New York. 1986. p. 353.

54. Fourie J.T., "A theory of surface-originating contamination and a method for its elimination." In Scanning Electron Microscopy. SEM Inc., AMF O'Hare, Chicago 1979/11. p. 103-110.

55. Joy D.C. "Control of charging in low voltage SEM". Scanning. 1989. V.l 1, p. 1-4.

56. Ю.Я. Томашпольский. «Поверхностный барьер в моделях вторично-электронной эмиссии». Поверхность. 2003. №3, с. 6-10.

57. Agarwal В.К. "Variation of Secondary Emission with Primary Electron Energy" Proc. Phys. Soc. 1958. V. 71, p. 851 852.

58. H.B. Садовская, Ю.В. Самохвалов, Ю.Я. Томашпольский. «Вторично-электронная эмиссиометрия поверхности термически окисленного алюминия». Поверхность,2000. №2, с. 90-94.

59. Э.И. Pay, Д.О. Савин, Г.В. Спивак. «Реверсивная ускоренная микрозапись и воспроизведение информации с помощью РЭМ». Автометрия. 1987. №2, с. 74-83.

60. К. Kanaya, S. Okayama. "Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets" J. Phys. D: Appl. Phys. 1972. 5, p. 43.

61. R. Renoud, F. Mady, J.-P. Ganachaud. "Monte Carlo simulation of charge distribution induced by a high-energy electron beam in an insulating target". J. Physics: Condensed Matter. 2002. V. 14, p. 231-247.

62. B.B. Аристов, H.H. Дремова, Э.И. Pay. "Характеристики и примеры применения тороидального электроанализатора в растровой электронной микроскопии". ЖТФ. 1996. т.66. №10. с. 172-181.

63. Рид С. Элекгронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979,424 с.

64. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной микроскопии. Ред. Бриггс Д., Сих М.П. М.: Мир, 1987. 599 с.

65. Куприянова Т.А., Филиппов М.Н. "Определение легких элементов в электронно-зондовом микроанализе". Изв. РАН. Сер. Физ. 1998. т.62, №3, с. 627.

66. Bastin G.F.,Heijligers H.J.M. "Electron Probe Quantitation". Eds Heinrich K.F.J., Newbury D.E. N.Y.: Plenum Press. 1991. p. 193.

67. Hwu J. J., Joy D.C. Proc. of Electron Microscopy. 1998. Eds Benavides H.A.C., Yacaman M.J. Mexico. 1998. V.l, p.467.

68. Kotera M., Suga H. "A Simulation of keV Electron Scatterings in a Charged-up Specimen" J. Appl. Phys. 1988. V. 63, p. 261.

69. Morvelat I.P., Roussignol I. "Study of one cause of error in microanalysis by electron probe: indirect excitation of the matrix" J. Phys. E: Sci. Instr. 1972. V. 5, №4, p. 332.

70. H.Chen, H.Gong, C.Ong. 'The charging behavior and internal electric field of PMMA irradiated by a kiloelectronvolt electron beam". J. Appl. Phys. 1995. V.7, p. 1129-1137.

71. Song Z.G., Ong C.K., Gong H. "Secondary and backscattered electron yields of polymer surface under electron beam irradiation". Appl. Surf. Sci. 1997. V.l 19, p. 169-175.

72. P.Moller, J. He."Electron beam induced charging of Cu/MgO surfaces". Nucl. Instr. Meth. In Phys. Res. 1986. B17, №2, p.137-140.

73. N.Dammak, F.Trigui, A.Khallel, Z. Fakhfakh, D.Treheux. "Study of charging phenomena in MgO single crystal: effect of polishing, annealing temperature and crystallographic orientation". J. Of Europ. Ceramic Society. 2002. V.22, p. 1149-1154.

74. J.Cazaux, ICH.Kim, O.Jbara, G.Salace. "Charging effects of MgO under electron bombardment and nonohmic behavior of the induced specimen current". J. Appl. Phys. 1991. 86(2), p. 960-965.

75. Z.G.Song, H.Gong, C.K.Ong.The effect of Al3+, Na+ and Li+ impurities on the charging ability of single-crystalline quartz under electron beam irradiation". Mat. Sci. Eng. 1998. B52, p.12-16.

76. David C.Joy, Carolyn S.Joy. "Dynamic Charging in the low voltage SEM". JMSA. 1995. V.l, N.3, p. 109-112.

77. Спивак Г. В., Pay Э. И., Петров В. И., Лукьянов А.Е., Быков М.В., Сидоренко В.И. "Растровая электронная микроскопия диэлектриков". Известия АН СССР. Сер. Физическая. 1972. т. 36, №6, с. 1312 -1315.

78. Спивак Г. В., Быков М. В., Сапарин Г. В., Андреенко Ю. А. «О наблюдении диэлектриков в растровом электронном микроскопе». Радиотехника и электроника. 1971. т. 16. №8, с. 1530- 1532.

79. Ichinokawa Т., Iiyama М., Onoguchi A., Kobayashi Т. "Charging effect in scanning electron microscopy" Jap. J. Appl. Phys. 1974. V. 13, № 8, p. 1272 1277.

80. Андрианов M. В., Pay Э. И., Седов H. H. "К вопросу о контрасте изображений диэлектрических структур в РЭМ". Изв. АН. Серия физич. 2002. т. 66, №99, с. 1324 1329.

81. F.C. Aris, D.M.Davies, T.J. Lewis. "Electron beam induced conduction in dielectrics"/ J. Phys. C: Solid State Phys. 1976. V. 9, p. 797-808.

82. D.M. Taylor. "The effect of passivation on the observation of voltage contrast in the scanning electron microscope". J. Phys. D. 1978. V.l 1, p. 2443-2452.

83. V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko, G.M. Sessler. "Space-charge distribution in electron-beam charged dielectrics". J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V.24, p. 731-737.

84. M. Belhaj, O. Jbara, S. Odof, K. Msellak, E.I. Rau, M.V. Andrianov. "An Anomalous Contrast in Scanning Electron Microscopy of Insulators: The Pseudo Mirror Effect". Scanning. 2000. V.22, p. 352-356.