Механизм зарядки диэлектрических мишеней при облучении электронными пучками с энергией 1 - 50 кэВ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Евстафьева, Екатерина Николаевна

• Евстафьева, Екатерина Николаевна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Евстафьева, Екатерина Николаевна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ЗАРЯДКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ

ОБЛУЧЕНИИ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

§1.1. Общепринятый подход к описанию зарядки непроводящих мишеней на основе зависимости коэффициента эмиссии электронов от энергии первичных электронов.

§1.2. Основные положения образования двухслойного заряда диэлектрика.

§1.3. Модель самосогласующегося переноса зарядов в облучаемом электронами диэлектрике.

§1.4. Модельное описание процессов радиационной электризации диэлектрических компонент в космическом аппарате.

§1.5. Электроразрядные явления при объемном заряжении диэлектрика

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ ЗАРЯДКИ ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭЛЕКТРОННЫМИ ПУЧКАМИ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ.

§ 2. 1. Основные ограничения, несоответствия и нерешенные вопросы в теоретических и экспериментальных результатах предыдущих исследований зарядки диэлектрических мишеней.

§ 2. 2. Качественная картина и количественные рассмотрения процессов зарядки диэлектриков при электронном облучении.

§ 2. 3. Кинетика и постоянные времени зарядки диэлектриков.

§ 2. 4 Дипольная модель подавления вторичной эмиссии электронов.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

§ 3.1. Методика измерений и схема эксперимента.

§ 3. 2 Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий.

§ 3. 3. Зарядка диэлектрических полимерных пленок, слюды, защитных стекол.

§ 3. 4. Влияние электронного облучения на характеристики

МОП-структур микроэлектроники.

§3.5. Зарядка массивных неорганических диэлектриков: окислов, щелочногалоидных кристаллов, керамики.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизм зарядки диэлектрических мишеней при облучении электронными пучками с энергией 1 - 50 кэВ»

Вторично-электронная эмиссия из диэлектрических мишеней и сопутствующий ей эффект зарядки под воздействием электронного облучения изучается в течение многих лет, однако ряд аспектов этого сложного, многогранного явления все еще не до конца понятен и требует дальнейшего исследования. Необходимость, такого исследования диктуется тем, что изучение процесса зарядки диэлектриков имеет не только научное, но и большое практическое значение, например для аналитических электронно-зондовых методов исследований, электронной литографии, космической техники и во многих других современных технологиях. Вместе с тем локальная зарядка диэлектрических сред является положительным фактором в некоторых прикладных технологиях - при создании автоэмиттеров, в запоминающих электронно-лучевых трубках, при разработке элементов памяти и накопителей энергии в электретах. В связи с этим понятен интерес к изучению фундаментального явления зарядки как с точки зрения физики явления, так и с практической прикладной стороны.

Многогранность явления зарядки диэлектрических мишеней обусловлена целым рядом причин, а механизмы процесса зарядки в большинстве своем взаимодополняемы и взаимозависимы. Например, в электронно-зондовых исследованиях непроводящих образцов (диэлектрические структуры, полимеры, керамика, биологические препараты) встречаются значительные трудности при обработке и интерпретации результатов. Зарядке диэлектриков при электронном облучении сопутствуют следующие процессы: эмиссия электронов в вакуум, аккумуляция части зарядов на глубоких центрах захвата, возможная поляризация молекул, электронно-дырочная генерация и рекомбинация носителей зарядов, их дрейф и диффузия, образования сильных приповерхностных электрических полей и потенциалов. Степень проявления этих эффектов зависит от дозы электронного облучения, от состава мишени, её диэлектрической проницаемости, удельной проводимости. При электронном облучении диэлектриков следует также учитывать внутренний баланс токов электронов и дырок, их саморегулирующуюся динамику, приводящую к формированию слоев противоположного заряда в облучаемом объеме в различные моменты времени радиационного воздействия. В сканирующей электронной микроскопии это приводит к дефокусировке и искажениям изображений, в рентгеновском микроанализе - к сдвигу границы тормозного излучения из-за уменьшения энергии бомбардирующих электронов. Последнее обстоятельство может вызвать потери сравнительно высокоэнергетических характеристических рентгеновских пиков, соответствующих определенным элементам состава вещества. В Ожеспектроскопии сильные подповерхностные электрические поля вызывают электромиграцию ионов, что приводит к ошибке при элементном анализе.

Вторичная эмиссии электронов играет весьма важную роль в процессах электризации космических аппаратов (КА), т.е. образовании на них электрического заряда в результате взаимодействия с магнитосферной плазмой и другими компонентами космической среды. Характеристики вторично-электронной эмиссии поверхностных материалов КА, в большинстве диэлектрических, непосредственно определяют величины возникающих при этом электрических полей на КА и в окружающем его пространстве. При этом весьма важными являются вопросы влияния процесса зарядки диэлектриков на механизмы и характеристики вторичной электронной эмиссии.

В последние годы было установлено, что реальная картина явления зарядки диэлектриков является более сложной, не согласующейся со многими положениями простой теории эмиссии электронов, которая оперирует идеализированной эмиссионной характеристикой а(Е0) образца. Ранее было предложено несколько моделей процессов зарядки непроводящих сред электронными пучками средних энергий, в которых степень зарядки зависит от коэффициента эмиссии электронов, определяемого как материалом мишени, так и величиной энергии первичных (облучающих) электронов. Но учет только эмиссионных характеристик диэлектрика и возможных токов утечки не объясняет всех нюансов процесса зарядки и в большинстве случаев противоречит экспериментальным результатам. В частности, не находит объяснения факт отрицательной зарядки мишени в области энергий облучающих электронов, где коэффициент эмиссии электронов больше единицы, т.е. где предполагалась положительная зарядка.

Указанные противоречия, в своей основе, объяснены развитой электростатической моделью генерируемого двойного слоя зарядов при электронном облучении диэлектрика, согласно которой вторичные электроны (ВЭ), покидая поверхность облученного образца, оставляют тонкий слой положительных зарядов Q+ толщиной s = ЗА,, где А,-средняя длинна свободного пробега ВЭ, равная приблизительно средней глубине их выхода (для типичных диэлектриков s равно 10-20 им). В то же время основная часть первичных термализованных электронов захватывается на ловушки в материале диэлектрика, формируя слой подповерхностного отрицательного заряда Q толщиной Rq, равной глубине пробега первичных электронов (для принятых здесь энергий Е0 эта глубина равна 0,5 -5 мкм). Но различные теории саморегулирующихся токов электронов и дырок, имеющих место в процессе зарядки, не дают ответа на ряд важных вопросов, касающихся как определения истинного значения второй кроссоверной энергии E2S для заряженного диэлектрика, так и постоянных времени зарядки, а некоторые утверждения в указанных теориях представляются спорными, не отвечающими экспериментальными результатам. Такой подход подтверждается моделированием процесса взаимодействия электронных пучков с диэлектрической мишенью методом Монте-Карло и расчетами на основе саморегулирующегося баланса всех токов при облучении.

Игнорирование любого из вышеперечисленных эффектов и процессов приводит либо к ложной трактовке результатов экспериментов, либо лишь к частичному отражению реальной картины весьма сложного динамичного явления зарядки. В настоящей работе на основе экспериментальных результатов разработана кинетическая модель зарядки диэлектрических мишеней, которая в значительной мере снимает ряд дискуссионных вопросов о времени зарядки, о взаимосвязи коэффициентов эмиссии электронов а и возникающего поверхностного потенциала Fj, и о значении второй критической энергии электронов E2s, существенно отличающейся от аналогичной энергии Е2С, определенной для случая незаряженного диэлектрика. Экспериментально показано, что реальное время установления равновесного состояния зарядки на 2-3 порядка больше значения, рассчитанного на основе теории вторичной электронной эмиссии. Приведены обширные экспериментальные результаты исследования зарядки различных типов диэлектриков при электронном облучении, рассмотрены основные аспекты механизмов зарядки, что позволяет снять некоторые противоречия между теорией и экспериментом, внести определенную ясность в причины установления динамического равновесия процессов зарядки диэлектрических мишеней.

Целью диссертационной работы является изучение основных механизмов и эффектов явления зарядки диэлектрических объектов под воздействием электронного облучения в диапазоне энергий в единицы и десятки кэВ.

В работе были поставлены следующие задачи:

1. Изучить физическую причину резкого несоответствия экспериментально наблюдаемых результатов по зарядке диэлектриков с господствовавшей долгое время теорией, основанной на простой зависимости полного коэффициента эмиссии электронов от энергии облучающих электронов.

2. Проанализировать, в какой мере правомерна предложенная в последние годы теоретическая модель образования дипольного слоя зарядов при электронной бомбардировке и экспериментально установить на какую величину и в зависимости от каких параметров происходит сдвиг значения кроссоверной равновесной энергии первичных электронов при зарядке диэлектрической мишени.

3. Определить, существует ли такая энергия облучающих электронов, при которой диэлектрик вообще не заряжается, т.е. когда и потенциалы и внутренние подповерхностные электрические поля равны нулю.

4. Изучить причину обнаруженной резкой дифференциации времени зарядки диэлектриков — быстрой составляющей (десятки и сотни миллисекунд) и долговременной постоянной времени зарядки (единицы, десятки и сотни секунд).

5. Объяснить экспериментальный факт уменьшения времени зарядки с ростом энергии облучающих электронов.

Предметом научной новизны результатов, полученных в диссертации является:

1. Получены экспериментальные результаты по измерению как равновесных, так и временных параметров зарядки диэлектрических мишеней, показывающие значительный сдвиг значения равновесной кроссоверной энергии облучающих электронов для отрицательно заряженного образца (на единицы юВ) по сравнению со случаем идеализированного незаряженного диэлектрика и устанавливающие наличие нескольких равновесных значений энергий.

2. Проведены расчеты потенциальных полей и барьеров над поверхностью заряженного дипольного слоя зарядов, вызывающих возврат части вторичных электронов на облучаемую поверхность и компенсирующих, наряду с электронно-индуцированными токами в объеме диэлектрика, положительные заряды в приповерхностной облучаемой области. Предложена версия об образовании экситонов и поляронов в слое положительного заряда, объясняющая радикальное уменьшение коэффициента эмиссии вторичных электронов.

3. Впервые получены результаты экспериментальных исследований кинетики зарядки диэлектрических мишеней, констатирующие наличие быстрой и долговременной составляющих времени зарядки, обусловленных образованием дипольного слоя зарядов в облучаемой области и влиянием величины начальной энергии облучающих электронов.

4. Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований зависимостей потенциалов и времен зарядки диэлектрических пленок от их толщины, а также плотности тока и энергии облучающих электронов.

Научная и практическая ценность работы заключается в следующих положениях:

В результате проведенных экспериментов и аналитических рассмотрений была существенно развита и прояснена сложная, многогранная картина физических процессов зарядки диэлектрических материалов под воздействием электронного облучения. Получили, в основном, подтверждение как дипольная модель генерации слоев зарядов, так и модель самосогласующихся саморегулирующихся токов электронов и дырок, образующихся при электронном облучении. При этом указанные теоретические модели существенным образом уточнены и в ряде аспектов поправлены, что позволило привести их в согласие с экспериментом.

Практическая ценность результатов исследований состоит в том, что впервые показано, что, например, при зарядке космической аппаратуры под воздействием космического излучения (в частности, электронными потоками) реальный отрицательный потенциал заряжающихся элементов аппаратуры может быть выше расчетных на единицы кВ, что может привести к непрогнозируемым пробоям в радиоэлектронной аппаратуре и катастрофическим отказам последних. С учетом этого могут быть выработаны практические рекомендации по доработке аппаратуры КА, позволяющие предотвратить указанные негативные явления.

Экспериментально установленные равновесные значения энергии облучающих электронов для широкого круга диэлектриков позволяют правильно выбирать рабочее напряжение во всех электронно-зондовых аналитических методах исследований: сканирующей электронной микроскопии, рентгеновском микроанализе, Оже-спектроскопии, электронной литографии и т.д.

Не менее важно на практике в электронно-лучевых технологиях знание реальных времен зарядки в зависимости от дозы облучения. В настоящей работе константы времени зарядки определены для широкого класса диэлектриков.

Полученные в работе результаты являются важными как для понимания фундаментальных физических эффектов, сопровождающих зарядку диэлектрических мишеней, так и в прикладном плане - для их учета при создании новых изделий микро- и наноэлектроники.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Эмиссионная электронная характеристика диэлектрических мишеней, снятая в экспериментальных условиях, не допускающих зарядки, значительно отличается от характеристики, полученной при непрерывном электронном облучении, заряжающем образец. Коэффициент эмиссии во втором случае существенно ниже, чем в первом.

2. При отрицательной зарядке диэлектрика происходит сдвиг равновесной энергии облучающих электронов в сторону уменьшения его значения, причем эта кроссоверная энергия не является константой вещества, а зависит от исходной энергии первичных электронов.

3. Существует лишь единственное значение энергии облучающих электронов, при котором образец не подвергается воздействию эффектов зарядки, т.е. когда одновременно выполняются все условия равновесия: коэффициент эмиссии электронов равен единице, заряды не аккумулируются, потенциалы и поля вблизи поверхности и в объеме мишени равны нулю.

4. Процесс зарядки мишени происходит с разной скоростью и имеет две временные составляющие: быструю (длительность миллисекунды) и медленную (в интервале секунд и минут). При выборе более высокой энергии первичных электронов зарядка мишени до равновесного состояния происходит быстрее во времени, чем при исходной малой энергии электронов.

5. Уменьшение коэффициента эмиссии электронов объясняется не только образованием возвратных потенциальных барьеров для вторичных электронов, но и их рекомбинацией в слое положительного заряда, а также возможным образованием экситонов и поляронов.

6. Значения равновесных поверхностных потенциалов для пленочных диэлектриков нелинейно зависят от их толщины и определяются площадью заряженной области, глубиной пробега первичных электронов и толщиной пленки.

7. О зарядовом состоянии облучаемой электронами диэлектрической мишени нельзя судить только по анализу вторично-эмиссионной электронной характеристики. Для исчерпывающей информации о зарядке необходимо комплексное изучение величины и знака аккумулируемого заряда, поверхностного потенциала и эффективного коэффициента эмиссии электронов.

Апробация диссертации

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах кафедры физической электроники физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова, а также на российских и между народных конференциях и симпозиумах, в том числе: VI Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов, г. Москва, (Россия) 2007 г.; XV Российский симпозиум по РЭМ, г. Черноголовка, МО (Россия) 2007 г.; XI Международная конференция по физике диэлектриков, г. Санкт-Петербург (Россия) 2008 г.; 14th European Microscopy Congress, Aachen (Германия) 2008 г.; XXII Российская конференция по электронной микроскопии, г. Черноголовка МО, (Россия) 2008 г.; XVII Международная конференция по электростатическим ускорителям и пучковым технологиям, г. Обнинск МО (Россия) 2008 г.; IX Межвузовская научная школа молодых специалистов, Москва (Россия) 2008 г.

Основные результаты диссертации опубликованы в 4 статьях и 6 тезисах, список которых приведен в конце диссертации и автореферата.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Евстафьева, Екатерина Николаевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Комплексными экспериментальными исследованиями подтверждено, что равновесная энергия облучающих электронов для заряженного диэлектрика значительно меньше аналогичной энергии для незаряжающегося диэлектрика и, соответственно, реальный отрицательный потенциал заряженной поверхности на единицы киловольт больше, чем предсказываемый по общепринятой теории вторичной электронной эмиссии.

2. Экспериментально установлено наличие нескольких кардинальных точек на оси энергий облучающих электронов, приводящих процесс зарядки либо к стационарному равновесному состоянию, либо к динамическому равновесию, зависящему от начальной энергии электронов.

3. Дано теоретическое обоснование образования потенциальных барьеров и возвратных полей для вторичных электронов над заряженной поверхностью диэлектрика и рассчитаны условия их возникновения в зависимости от плотности положительных и отрицательных зарядов в образующемся дипольном электрическом слое облучаемого объема мишени.

4. Показана существенная роль электронно-индуцированной проводимости в диэлектрике на механизм установления динамического равновесного состояния, при котором происходит существенное уменьшения выхода вторичных электронов при одновременной частичной компенсации положительных зарядов из-за рекомбинации и образования экситонов (поляронов) за счет части генерированных вторичных электронов и термализованных первичных электронов.

5. Аналитически и экспериментально найдена зависимость потенциала и времени зарядки от толщины облучаемой диэлектрической мишени и установлена граница этой зависимости как функция толщины образца и площади облучаемой поверхности.

6. Кардинально пересмотрен сценарий кинетики зарядки: на основе экспериментальных фактов показано, что наличествуют две постоянные времени зарядки - быстрая (десятки и сотни миллисекунд) и долговременная (от единиц до сотен секунд), наступающая при изменении величины равновесной энергии облучающих электронов от случая незаряжающейся мишени до равновесного состояния при зарядке.

7. Обнаружен и объяснен непредвиденный эффект уменьшения времени полной зарядки диэлектрической мишени с ростом энергии облучающих электронов. Быстрое установление равновесия объяснено влиянием более сильного внутреннего электрического поля, возникающего в процессе зарядки между положительным и отрицательным слоями зарядки в облучаемой мишени.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Евстафьева Е.Н., Дицман С.А., Pay Э.И., Чукичев М.В. "Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий". Известия РАН, серия физическая 2007. Т.71. № 10. С. 1460-1463.

2. Rau E.I., Fakhfakh S., Andrianov M.V., Evstafjeva E.N., Jbara O., Rondot S. "Second crossover energy of insulating materials using stationary electron beam under normal incidence". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research (B) 2008. V.266. P.719-729.

3. Евстафьева E.H., Pay Э.И., Сеннов P.A. "Некоторые аспекты кинетики зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками с энергией 1-50 кэВ". Известия РАН, серия физическая 2008. Т.72. №11. С. 1577-1582.

4. Pay Э.И., Евстафьева Е.Н., Андрианов М.В. "Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий". Физика твердого тела 2008. Т.50. С.599-607.

5. Гостев А.В., Евстафьева Е.Н., Pay Э.И., Сеннов Р.А. "Некоторые аспекты исследования электрически непроводящих объектов электронно-зондовыми методами". XV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел 2007. С. 149-150. г. Черноголовка, МО (Россия).

6. Евстафьева Е.Н., Pay Э.И. "Исследование эффектов зарядки массивных диэлектрических мишеней под воздействием электронных пучков средних энергий". VI Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов 2007. С.509. г. Москва (Россия).

7. Rau E.I., Evstafjeva E.N., Sennov R.A., Plies E. "Considerations of some charging effects on dielectrics by electron beam irradiation". 14th European Microscopy Congress 2008. V.l. P.607-608. Aachen (Германия).

8. Гостев A.B., Евстафьева E.H., Купцов А.В., Pay Э.И., Сеннов Р.А. "Особенности кинетики зарядки диэлектриков электронными пучками с энергией 1-30 кэВ". XXII Российская конференция по электронной микроскопии 2008. С. 121. г. Черноголовка, МО (Россия).

9. Евстафьева Е.Н., Милеев В.Н., Новиков Л.С., Pay Э.И., Сеннов Р.А. "Исследование процесса зарядки диэлектрических материалов электронными пучками с энергией 1-50 кэВ". IX Межвузовская научная школа молодых специалистов 2008. С. 15-21. г. Москва, изд. МГУ.

Евстафьева Е.Н., Pay Э.И., Сеннов Р.А. "К вопросу о кинетике зарядки диэлектриков электронными пучками средних энергий". XI Международная конференция по физике диэлектриков 2008. С.49. г. Санкт-Петербург (Россия).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Евстафьева, Екатерина Николаевна, 2009 год

1. Н. Seller. Secondary electron emission in the scanning electron microscope. // J. Appl. Phys. 1983. V.54. (11). P. R1 -R18.

2. M. Chang, J. Everhart. Simple calculation of energy distribution of low energy secondary electrons emitted from metals under electron bombardment. // J. Appl. Phys. 1974. V.45, P. 707-709.

3. J. Scholtz, R. Schmitz, B. Hendriks, S. de Zwart. Description of the influence of charging on the measurement of the measurement of the secondary electron yield of MgO // J. Applied Surface Science. 1997. V. 111. P. 259 264.

4. И. M. Бронштейн, Б. С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. С. 407.

5. Я. Ю. Томаитолъский. Аналитическая вторично-электронная эмиссиометрия. М: Научный мир. 2006. С. 112.

6. L. Reimer, U. Golla, R. Bongeler, at al. Charging of bulk specimens, insulating layers and free-supporting films in scanning electron microscopy. // J. Optik, 1992. V. 92, № 1, P. 14 -22.

7. JI. H. Добрецов, M. В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. С.564.

8. V. V. Aristov, L. S. Kokhanchik, К. P. Meyer, Н. Blumtritt. Scanning electron microscopic investigations of peculiarities of the ВаТЮг ferroelectric domain contrast. //J. Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V. 78. P. 229 236.

9. D. C. Joy. Control of charding in low-voltage SEM. // J. Scanning 1989. V. 11. P. 1-4.

10. D. C. Joy., C. Joy. Low voltadge scanning electron microscopy. // J. Micron 1996. V. 27. P. 247-263.

11. L. Frank, M. Zadrazil, 1. Mullerova. Low energy imaging of nonconductive surfaces in SEM. // J. Microchim.Acta. 1996. V. 13. P. 289 298.

12. J. Cazaux. Some considerations on the electric field induced in insulators by electron bombardement. //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 5. P. 1418 1430.

13. J Cazaux. Correlation between the x-ray induced and the electron-induced electron emission yields of insulators. US. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 8265.

14. J. Cazaux. Some considerations on the secondary electron emission, 8, from e" irradiated insulators. //J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N2. P. 1137 1147/

15. X. Meyza, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Treheux, andH.-J. Fitting. Secondary electron emission and self-consistent charge transport and storage in bulk insulators:

16. Application to alumina // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 5384.

17. M. Touzun, D. Goeuriot, D. Treheux, and H.-J. Fitting. Electron beam charging of insulators: A self-consisttent flight-drift model // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 11411.

18. R. C. Alig, S. Bloom. Secondary electron escape probabilities. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 6. P. 3476 3480.

19. E. Schreiber and H.-J. Fitting. Breakdown and high-energy electron emission of MIS-structures Hi. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2002. V. 25. P. 124-132.

20. А. И. Акишин, JI. С. Новиков. Электризация космических аппаратов. М.: Знание. 1985.С. 64.

21. В. Н. Милеев, Л. С. Новиков. Физико-математическая модель электризации ИСЗ на геостационарной и высокоэллиптических орбитах. // В кн.: Исследования по геомагнетизму, аэрономии и физике Солнца. 1989. выпуск 86. с. 64 98.

22. И. А. Акишин, Л. С. Новиков. Физические процессы на поверхности искусственных спутников Земли. М.: Изд-во МГУ. 1987. С. 89.

23. Е. J. Sternglass. Backscattering of kilovolt electrons from solids. // J. Phys. Rev. 1954. V. 95. P. 345.

24. В. В. Громов. Электрический разряд в облученных материалах. М.: Энергоиздат, 1982.С. 112.

25. В. В. Сурков. Об эмиссии электронов при разрушении кристаллических диэлектриков. //Журнал технической физики. 1986. том 58. в. 9. С. 1818 1820.

26. D. J. Rodgers, К. A. Ryden, P. М. Latham, J. Sorensen. An engineering tool for the prediction of internal dielectric charging. // Proc. 6th Spasecraft Charging technology Conference, Hansom AFB, 1998.

27. А. П. Тютнев, А. В. Ванников, Т. С. Мингалеев, В. С. Саенко. Электрические явления при облучении полимеров. М.: Энергоатомиздат. 1985. С. 176.

28. О. Б. Евдокимов. П сб.: Радиационная стойкость органических материалов. М.: НИИТЭхим. 1979. С. 22.

29. Н. И. Ягушкин, О. С. Графодатский, Ш. Н. Исляев, А. И. Сергеев, Л. Ф. Смекалгт. Исследования по геомагнетизму, аэрономии и физике Солнца. // М.: Наука. Вып. 86. 1989. С. 131-168.

30. L. N. Oliveira, B.J. Gross. Space-charge-limited currents in electron-irradiated dielectrics.// J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 7. P. 3132 3138.

31. JI. Ф. Смекалин, H. И. Ягушкин. Оптимизация толщины поглотителя для исследований параметров мессбауэровского спектра стекла. // Изв. Вузов. Физика. 1986. № 1.С. 14-18.

32. В. Н. Милев, Л. С. Новиков. //В кн.: Исследования по геомагнетизму, аэрономии и физике Солнца. Вып. 86. М.: Наука. 1989. с. 64-98.

33. В. И. Гусельников, С. А. Ивановский, Н. И. Ягушкин. Влияние эмиссионного тока на поверхночтный потенциал при облучении диэлектриков электронами. // Ж. техн. Физики. 1986. т. 56, вып. 9. С. 1816-1818.

34. Е. Б. Кивенко, Л. Ф. Смекалин, Н. И. Ягушкин. Временное изменение концентрации избыточных носителей при облучении диэлектриков. // Изв. Вузов. Физика. 1990. № 3. С. 47-52.

35. Э. А. Гостищев, А. И. Сергеев, Н. И. Ягушкин. Влияние ВЭЭ и инжектрированного тока на зарядку диэлектрика, облучаемого электронами. // Письма в ЖТФ. 1988 т. 14. N 10. С. 869-873.

36. А. И. Сергеев, Н. И. Ягушкин. Перенос и накопление заряда в диэлектриках при облучении электронным пучком. // Изв. Вузов. Физика. 1988. № 8. С. 20-25.

37. Г. И. Сканави. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1985.С. 907.

38. Под редакцией Г. М. Сесслера. Электреты. М. 1983. С. 486.

39. О. Б. Евдокимов, Н. И. Ягушкин. Взаимодействие электронного пучка с объемным зарядом в диэлектриках. // Физика твердого тела. 1974. т. 16. С. 564-566.

40. Б.А.Кононов, Ю. И. Сапожков, Л. Ф. Смекалин, Н. И. Ягушкин. Влияние электрического поля на отражение электронов от диэлектрической мишени. // Радиотехника и электроника. 1987 т. 32, № 4. С. 892-895.

41. J. Cazaux. E-induced secondary electron emission yield of insulators and charging effects. // J. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2006. B. 244. P. 307.

42. A. P. Шульман, С. А. Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. Наука, М. 1977. С. 552.

43. L. Reimer. Image Formation in low-voltage scanning electron microscopy. // SPIE

44. Press, Washington. 1993. P. 144.

45. Z. G. Song, С. K. Ong, H. Gong. A time-resolved current method for the investigation of charging ability of insulators under electron beam irradiation. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N9. P. 7123.

46. H. Melchinger, S. Hofmann. Dynamic double layer model: Description of time dependent charging phenomena in insulators under electron beam irradiation. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 10. P. 6224.

47. F. Aris, P. Davies, T. Lewis. Electron-beam induced conduction in dielectrics. // J. Phys. C. Solid-state Phys. 1976. V.9. P. 797-808.

48. H. Chen, H. Gong, С. K. Ong. The charging behaviour and internal electric field of PMMA irradiated by a kiloelectronvolt electron beam. // J. Phys.: Condens Matter. 1995. V. 7. P. 1129- 1137.

49. A. Boughariou, G. Blaise, D. Braga, A. Kallel. Charge dynamics of MgO single crystals subjected to keV electron irradiation.//J. Appl. Phys. 2004. V. 95. P. 4117-4122.

50. Э. И. Pay, E. H. Евстафьева, M. В. Андрианов. Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий. // ФТТ. 2008. Т. 50 (4) С. 599.

51. E. H. Евстафьева, Э. И. Pay, P. А. Сенов. Некоторые аспекты кинетики зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками с энергией 1-50 кэВ. // Изв. РАН. Серия физическая. 2008. Т. 72. № 11. С. 1577.

52. М. В. Андрианов, А. В. Гостев, Э. И. Pay, Ж. Казо, О. Жбара. Электронная спектроскопия диэлектриков в РЭМ. // Поверхность. 2000. N 12. С. 9 12.

53. О. Jbara, М. Belhaj, Е. I. Rau, М. V. Andrianov. Surface potential measurement of electron-irradiated insulators using backscattered and secondary electron adapted for SEMapplication. // J. Rev. Sci. Instrum. 2001. V. 72. N 3. P. 1788 1796.

54. Под. ред. Д. Голдстейна, X. Яковица. Практическая растровая электронная микроскопия. М.: Мир. 1978. С. 642.

55. М. В. Андрианов, М. Белхаи, О. Жбара, Э. И. Pay, М. Н. Филиппов. Растровая электронная микроскопия, электронная и рентгеновская спектроскопия диэлектриков. // Поверхность. 2001. № 8. С. 24 34.

56. Алмаз в электронной технике, (сборник статей), Москва. Энергоатомиздат. 1990. С. 248.

57. J. Yater, A. Shih. Secondary electron emission characteristics of single-crystal and polycrystalline diamond. //J. Appl. Phys. 2000. V. 87 . N 11. P. 8103:

58. A. Shih, J. Yater, P. Pehrsson at al. Secondary electron emission from diamond surfaces. // J. Appl. Phis. 1997. V. 82. N 4. P. 1860.

59. J. M. Patat, J. Cazaux, P. Lehuede, O. Durand. Application of the scatter diagram technique to the scanning electron microscope: Preliminary results from diamond. // J. Scanning. 2002. V. 24. N 3. P. 109 116.

60. J. Cazaux. Scenario for time evolution of insulator charging under various focused electron irradiations. // J. Appl. Phys. 2004 V. 95, N 2. P. 731.

61. E. H. Евстафьева, С. А. Дицман, Э. И. Pay, М. В. Чукичев. Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий. // Известия РАН. Серия физическая. 2007. Т.71. №10. С. 1460-1463.

62. С. Г. Калашников. Электричество. М.: Наука. 1970. С. 668.

63. Ф. 77. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника. 1986. С. 254.

64. В. П. Захаров, В. М. Попов, В. А.Денисюк. // Дефектоскопия. 1977. №2. С. 106.

65. К. Венцель, Ю. Дзизиати, Э. И. Pay и др. Комплексное исследование в РЭМ локальных электрофизических параметров МДП-структуры. // Поверхность. 1977. №5. С.114-129.

66. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М. Мир. 1984. т. 2. С. 394.

67. К. Kanaya, S. Okayama. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. // Appl. Phys. 1972. V. 5. P. 43.

68. T. Everhart, P. Hoff. Determination of Kilovolt Electron Energy Dissipation vs Penetration Distance in Solid Materials. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 13. P. 5837.

69. JI. С. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1987. С. 326.

70. С. Falcony, F. Salas. Degradation of the electrical characteristics of the Si-SiCb interface induced by electron injection. //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 11. P. 3787.

71. С. H. Козлов, A. H. Невзоров, A. JI. Обухов, С. Ю. Поройков., Э. И. Pay. Влияние электронного облучения на МОП-структуры. //МЭ. 1990. т. 19. № 1. С. 22-30.

72. P. М. Lenahan, P. V. Dressendorfer. Radiation-induced defects in MOS structures. // J. Nucl. Sci. 1982.V. NS-29. №6. P. 1459.

73. В. Г. Литовченко, А. П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик - полупроводник. Киев: Наук. Думка. 1978. С.312.

74. W. Reiners, S. Gorlich, Е. Kubalek. Basic investigations of capasitive conpling voltage contrast. // Microscopy of semiconductig Materials. Inst. Of Physics. Conf. ser. 1985. № 76. P. 507.

75. M. Miyoshi, M. Ishikawa, K. Okumara. Effect of tlektron beam tesyed on MOS characteristics. // J. Scannig Electron Microscopy. 1982. V.4. P. 1507 1514.

76. D. M. Taylor. The effect of passivation on the observation of voltage contrast in the scanning electron microscope // J. Appl. Phys. D. 1978 V.l 1 P. 2443 2454.

77. Y. Watanae, Y. Fukuda., T. Jinno. Analysis of Capacitive Coupling Voltage Contrast in Scanning Electron Microscopy. // Japan. J. Appl. Phys. 1985. V.24. № 10. P. 1294 -1297.

78. R. Dennison, A. Sim, C. D. Thomson. Evolution of the Electron Yield Curves of Insulators as a Function of Impinging Electron Fluence and Energy. // J. Plasma Science. 2006. V. 34. № 5-2. P. 2204 2218.