Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Олешко, Владимир Иванович

• Олешко, Владимир Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Олешко, Владимир Иванович

введение.

глава 1. преобразование энергии быстрых электронов в диэлектриках.

1.1. Потери энергии на ионизацию и возбуждение.

1.2. Влияние радиационной электризации на потери энергии быстрых электронов.

1.3. Особенности диссипации энергии сильноточных электронных пучков в диэлектриках.

1.3.1. Разрушение конденсированных сред при облучении электронными пучками наносекундной длительности.

1.3.2. Радиационно-импульсная проводимость.

1.3.3. Критическая электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная СЭП.

глава 2. электрический пробой в твердых телах, индуцированный плотным электронным пучком вне зоны торможения быстрых электронов

2.1. Схемы возбуждения стримерных разрядов.

2.2. Функциональная схема регистрации спектрально-кинетических характеристик стримерных разрядов.

2.3. Общие закономерности развития стримерных разрядов в диэлектриках.

2.3.1. Морфология разрушения диэлектриков.

2.3.2. Спектрально-временные характеристики стри-мерного свечения.

2.3.3. Свечение ионных кристаллов при возбуждении поверхностным разрядом.

2.3.4. Эмиссия электронов из канала электрического пр обо я, при возбуждении СЭП.

2.3.5. Оценка энергии, выделяющейся в стримерных разрядах, индуцированных СЭП.

2.3.6. Параметры импульсных напряжений, генерируемых в диэлектриках стримерными разрядами.

2.4. Стримерные разряды в полупроводниковых кри сталах группы А2В6.

2.4.1. Общие закономерности и особенности элёк-тронно-пучкового инициирования стримерных разрядов в СсКЗ.

2.4.2. Спектрально-кинетические характеристики стримерных разрядбв в сульфиде кадмия.

2.4.3. Морфология разрушения кристаллов СдБ после многократного инициирования стримерных разрядов

2.5. Амплитудно-временные характеристики средних и локальных электрических полей, индуцированных СЭП в диэлектриках и полупроводниках.

Основные результаты.

глава 3. электрический пробой в твердых телах, индуцированный плотным электронным пучком в зоне торможения быстрых электронов.

3.1. Объекты исследования.

3.2. Схема облучения образцов.

3.3. Морфология разрушения твердых тел.

3.3.1. Закономерности и особенности разрушения высокоомных материалов в режиме многократного воздействия СЭП низкой плотности.

3.3.2. Режим однократного облучения твердых тел электронным пучком высокой плотности.

3.4. Спектрально-временные параметры свечения стримерных разрядов в диэлектриках.

3.5. Импульсная катодолюминесценция полупроводников.

Основные результаты.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РОЛИ СТРИМЕРНЫХ РАЗРЯДОВ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОМ РАЗРУШЕНИИ

ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.i.

4.1. Механизмы генерации динамических напряжений в диэлектриках возбуждаемых СЭП.

4.2. Поляризационно-оптическая методика регистрации динамических и статических механических напряжений в ЩГК.

4.3. Амплитудно-временные параметры импульсных напряжений, генерируемых СЭП в ЩГК.

4.4. Пластическая деформация ЩГК

4.5. Временные характеристики формирования периодических структур разрушения, образующихся на тыльной поверхности ЩГК.

4.6. Качественная модель электронно-лучевого разрушения диэлектриков и полупроводников

Основные результаты.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности»

Актуальность проблемы.

Развитие высоковольтной импульсной техники привело к созданию импульсных сильноточных ускорителей электронов (ИСУЭ) со взрывоэмиссионными катодами с полной энергией импульса до 10б Дж и мощностью до 1013 Вт /1-3/. Сильноточные электронные пучки (СЭП) с определенным диапазоном параметров стали применять в различных областях науки, техники и технологиях /4-9/. Экспериментаторы получили уникальный инструмент/ позволяющий исследовать поведение вещества в экстремальных, недоступных ранее условиях.

Уже первые работы в этом направлении привели к открытию ряда новых явлений /10-17/. Наиболее сложное и интересное из них - разрушение твердых тел под действием плотных электронных пучков наносекундной длительности /10-15,18-20/. Возник вопро<й о механизмах этого явления в материалах различного класса - металлах, полупроводниках, ионных кристаллах, стеклах и полимерах. Выяснению этого вопроса посвящено большое число исследований, способствующих решению этой важной проблемы, сдерживающей дальнейшее развитие физики мощных радиационных воздействий. Установлено, что в процессах электронно-лучевого разрушения твердых тел определяющую роль играют сильные механические (до 108 Па) и электрические (до 107 В/см) поля. В соответствии с этим в литературе обсуждались два основных механизма разрушения -термоупругий и электроразрядный. Недостаточная изученность явления электрического пробоя твердых тел под действием наносекундных импульсов высокого напряжения с крутым фронтом ~ 1012 - 1014 В/с, отсутствие прямых методов регистрации быстроизменяющихся в пространстве и во времени электрических полей, возбуждаемых мощными электронными пучками в облучаемой мишени не всегда позволяет установить роль электроразрядного механизма в разрушении твердых тел различного класса соединений, что требует проведения целенаправленных исследований в данном направлении.

Другим аспектом, обуславливающим необходимость изучения электрического пробоя, инициируемого СЭП в диэлектриках и полупроводниках, является перспективность использования этого явления в технике, например, в сильноточной электроразрядной электронике твердого тела при разработке коммутаторов и источников оптического излучения - стримерных и электроионизационных лазеров.

Интерес к проблеме электронно-лучевого разрушения твердых тел связан с эксплуатацией изоляционных элементов в ускорителях заряженных частиц, с проблемами применения корпускулярного излучения в космосе /21/, с возможным использованием этого эффекта для проходки скважин в твердых породах.

Состояние проблемы.

Поведение твердых тел при импульсном облучении плотными электронными пучками изучалось в ряде работ. Исследования оказались плодотворными, показав насколько разнообразными могут быть процессы, развивающиеся в твердых телах при высокой плотности возбуждения.- Было обнаружено несколько новых явлений, инициируемых СЭП в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК): разрушение /15/, малоинерционное, температурноустойчивое свечение со сплошным спектром /16/, аномально высокие радиационная проводимость и электронная эмиссия /16-17/. По мере изучения этих явлений предлагались различные механизмы, лежащие в их основе. Однако, несмотря на обширные исследования в области физики мощных радиационных воздействий, многие вопросы остаются невыясненными. До сих пор остается открытым такой важный вопрос, как возможность развития электрического пробоя в ионных кристаллических диэлектриках и полупроводниках под действием плотных электронных пучков наносекундной длительности и роль этого процесса в инициировании разрушения, радиа-ционно-импульсной проводимости, эмиссии электронов и оптического излучения.

Возможность электрического пробоя ионных кристаллических диэлектриков при воздействии плотных электронных пучков не очевидна, так как, согласно проведенным Д.И. Вайсбурдом с сотрудниками исследованиям /7,14-18/, удельная объемная проводимость большинства диэлектриков в момент облучения СЭП возрастает в 1012.1015 раз и достигает значений 10~4.101 (Ом см)-1, что должно ограничивать рост напряженности электрического поля, связанного с отрицательным объемным зарядом (003) пучка, до 104. 105 В/см. Отсутствие экспериментальных методик, позволяющих регистрировать импульсные электрические поля с высоким временным и пространственным разрешением, сложность выделения явлений, инициируемых электрическим пробоем на фоне многообразных физических процессов, развивающихся в диэлектриках в момент облучения СЭП является причиной того, что в литературе практически отсутствовали экспериментальные и теоретические работы посвященные этой проблеме, а сама возможность электрического пробоя ионных кристаллов под действием СЭП ставилась под сомнение /7/.

Цель и задачи исследования.

Целью работы является поиск и исследование электроразрядных явлений, инициируемых в .твердых телах различных классов соединений, плотными электронными пучками наносекундной длительности и выяснение роли электроразрядного механизма в разрушении ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников группы А2В6.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Проанализировать основные физические явления, сопровождающие взаимодействие СЭП с диэлектриками.

2. Разработать методы индикации электрического пробоя по характерным для этого явления закономерностям.

3. Разработать экспериментальные методики для исследования электрического пробоя твердых тел под действием СЭП с высоким временным (1.10 не) и пространственным (1.10 мкм) разрешением.

4. Изучить возможность инициирования электрического пробоя в твердых телах различных классов соединений.

5. Изучить временные характеристики электроннолучевого разрушения твердых тел с целью установления доминирующей роли термоупругого или электроразрядного механизма в их разрушении.

Научная новизна.

1. Обнаружено новое явление - электрический пробой ЩГК при воздействии СЭП наносекундной длительности.

2. Выполнено первое систематическое исследование электрического пробоя, инициируемого в ионных кристаллах и полупроводниках плотными электронными пучками на-носекундной длительности.

3. Доказана возможность кумуляции энергии СЭП в микрообъемах диэлектрических и полупроводниковых мишеней.

4. Обнаружены и исследованы периодические структуры разрушения (ПСР), возникающие в ЩГК и монокристалле Сс1Те при однократном воздействии СЭП.

5. Обнаружена и исследована пластическая деформация пластинок ЩГК после однократного облучения электронным пучком.

6. Обнаружена и исследована эмиссия низкоэнергетического электронного пучка из разрядного канала диэлектрика, индуцированная СЭП.

7. Доказана возможность электроразрядного механизма разрушения ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников группы А2Вб.

Практическая значимость.

Экспериментальные результаты, полученные в данной работе расширяют современные представления о физических процессах, развивающихся в ионных и полупроводниковых кристаллах при их облучении плотными электронными пучками. Электрический пробой наносекундной длительности (с фронтом нарастания напряжения 1012.1014 В/с), инициируемый СЭП в твердых телах, представляет интерес для его использования в различных областях науки и техники.

• Для кумуляции энергии СЭП в электрически прочных диэлектрических мишенях с целью достижения экстремальных состояний вещества и изучения- физических процессов, протекающих при этом.

• Генерации плотной ионно-электронной и электронно-дырочной плазмы, с целью ее использования в импульсных источниках излучения, а также для формирования плотных низкоэнергетических электронных пучков.

• Изучения физики наносекундного электрического пробоя конденсированных сред и влияния на этот процесс ионизирующей радиации.

• Для разработки мощных, устойчивых к деградации, катодолюминесцентных источников излучения и полупроводниковых лазеров с электронным возбуждением.

• В радиационной физике твердого тела, при исследовании радиационно- стимулированных процессов дефектооб-разования и люминесценции'с применением СЭП.

На основе проведенных исследований нами предложены электронно-лучевые методы контроля параметров твердых тел и конструкции катодолюминесцентного и плазмодинами-ческого источников мощного оптического излучения, разработанные на базе импульсного сильноточного ускорителя электронов: а) способ отбраковки полупроводниковых кристаллов группы А2Вб и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением (A.C. СССР №1639344); 1989г.); б) способ атомно-абсорбционного спектрального анализа элементного состава вещества (заявка № 98111708. 1998). / в) лазер с катодолюминесцентной накачкой (A.C. СССР № 1687464. 1989). г)источник света для атомно-спектрального анализа твердых-тел с испарением пробы плотным электронным пучком (заявка № 98111708. 1998).

Защищаемые положения.

1. Облучение ионных кристаллов и полупроводников группы А2Вб плотным электронным пучком наносекундной длительности приводит к кумуляции его энергии в токовых шнурах электрических разрядов, которые могут развиваться как в зоне торможения быстрых электронов пучка, так и вне ее.

2. Удельная плотность мощности в каналах электрического пробоя, индуцированного плотным электронным пучком в высокоомных материалах, может достигать 1012Вт/см3, что на три порядка больше, чем средняя в области ионизационных потерь энергии быстрых электронов.

3. Одним из основных факторов разрушающего воздействия СЭП с плотностью мощности ^ 108Вт/см2 на диэлектрики и полупроводники является высокая температура и ударные динамические напряжения, генерируемые в локальных областях развития микроплазменного пробоя.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах и конференциях .

1.30-Всесоюзное совещание по люминесценции (Неорганические кристаллы),1984, Ровно.

- 2.5,б-Всесоюзные конференции по физике диэлектриков, 1982, Баку; 1988, Томск.

3.5,б,7-Всесоюзные конференции по радиационной физике и химии ионных кристаллов,1983,1986,1989, Рига.

4.3,4,5-Всесоюзные совещания «Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы», 1982,1986,1990, Кемерово.

5.5-Всесоюзное совещание «Синтез и свойства, исследования и применение люминофоров»,1985, Ставрополь.

6.10-Всесоюзная конференция по физике полупроводников, 1985, Минск.

7.9-Всесоюзная конференция «Состояние и перспективы разработки и применения сцинтилляторных. детекторов в 12 пятилетке» 1986, Харьков.

8.10-Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике, 1987, Киев.

9.Семинар «Физика неполного пробоя кристаллов», 1989, Институт физики АН БССР, Минск.

10.2-Всесоюзная конференция «Модификация свойств конструкционных материалов пучком заряженных частиц» 1991, Свердловск.

11.9-Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, 1996, Томск.

12.Международная конференция по твердотельной дозиметрии, ТТД-7, 1997, Екатеринбург.

13.7-Международная конференция «Физико-химические

I процессы в материалах»,1998, Кемерово.

Публикации.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 40 научных работах. По материалам работы получено 2 авторских свидетельства и положительное решение на заявку на изобретение.

Объем и структура.

Диссертация содержит 202 страницы, включая 148 страниц машинописного текста, иллюстрируется 55 рисунками и состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 120 наименований.

Во введении обоснована актуальность исследований, научная новизна и практическая значимость работы, сформулирована ее основная цель и задачи.

В первой главе рассмотрены основные результаты исследования физических процессов, развивающихся в диэлектриках при облучении плотными электронными пучками наносекундной длительности. Приведен обзор существующих представлений о механизмах таких явлений как - радиационная электризации диэлектриков; электронно-лучевое разрушение твердых тел; радиационно-импульсная проводимость; мощная пороговая электронная эмиссия с поверхности ионных кристаллов. Отмечена противоречивость полученных результатов и неоднозначность их интерпретации.

Вторая глава посвящена изучению электрического пробоя диэлектриков и полупроводников, индуцированного СЭП вне зоны торможения электронного пучка. Определены условия и средние пороги инициирования стримерных разрядов в ионных кристаллах и полупроводниках группы А2В6 при их облучении электронным пучком в геометрии с открытой поверхностью в резко неоднородном поле. Описана техника эксперимента и изложены методические вопросы, связанные с исследованием оптических, механических и эмиссионных свойств диэлектриков и полупроводников в условиях возбуждения электронными пучками высокой плотности. Приведены спектрально-временные параметры объемных и поверхностных стримерных разрядов, развивающихся в твердых телах различных классов соединений, а также экспериментальные данные по измерению электронной эмиссии из канала электрического пробоя в диэлектриках. Получена оценка доли энергии СЭП, выделяющейся в каналах электрического пробоя в ЩГК. Сделана оценка амплитудных параметров динамических напряжений, генерируемых вблизи канала электрического пробоя в твердом диэлектрике возбуждаемом СЭП.

В третьей главе исследуется электрический пробой, развивающийся в зоне торможения электронного пучка. Изучены основные закономерности и особенности развития стримерных разрядов в области пробега СЭП в различных материалах. Исследована морфология разрушения кристаллических диэлектриков и полупроводников в режиме однократного и многократного облучения электронным пучком высокой и низкой плотности. Анализируются причины резко г неоднородного распределения каналов пробоя в облучаемом объеме некоторых твердых тел.

В четвертой главе приведены результаты исследования механизмов разрушения ионных кристаллов и полупроводни ков группы А2Вб под действием СЭП. Приведен анализ существующих представлений о механизмах генерации динамических напряжений в твердых телах, возбуждаемых импульсными электронными пучками. Изучены амплитудно-временные параметры импульсных механических напряжений, генерируемых СЭП в ЩГК и их зависимость от плотности энергии возбуждающего электронного пучка. Исследована динамика формирования периодических структур разрушения, образующихся на тыльной поверхности ШГК. Определены доминирующие факторы приводящие к разрушению диэлектриков и полупроводников при их облучении плотными электронными пучками наносекундной длительности. Приводится качественная модель электронно-лучевого разрушения диэлектриков и полупроводников.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Олешко, Владимир Иванович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Проведены первые систематические исследования электроразрядных явлений, индуцированных плотными электронными пучками в диэлектриках и полупроводниках. Обнаружено и исследовано новое явление - электрический пробой ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников группы А2Вб под действием мощных электронных пучков на-носекундной длительности.

1. Экспериментально показано, что диссипация энергии сильноточного электронного пучка происходит по двум каналам: основная доля энергии СЭП гомогенно выделяется в зоне торможения пучка, а часть преобразуется в энергию электрического поля и локально выделяется в токовых шнурах объемных (или поверхностных) электрических разрядов .

2. Установлено, что электрический пробой, индуцированный СЭП в кристаллах, реализуется в форме положительного стримера, развивающегося по определенным кристаллографическим направлениям в зону локализации тер-мализованного отрицательного объемного заряда электронного пучка. Показано, что в диэлектриках, как правило, формируются разрушающие образец стримеры (реализуется канальная форма пробоя), в полупроводниках, в тех же условиях облучения, возбуждаются неразрушающие стример-ные разряды (без деструкции кристалла). Определены средние пороги электронно-пучкового инициирования стримерных разрядов в ЩГК: W+ ~ 0,1Дж/см2 и в сульфиде кадмия: W+ = 0,007 Дж/см2.

2.1. Экспериментально подтверждена физическая модель стримера согласно которой стример представляет собой распространяющийся со скоростью 107 . . . 109 см/с домен электрического поля (пиковая напряженность поля в котором составляет 10б - 108 В/см) формирующий за своим фронтом пространственно-периодическую структуру сильновозбужденного вещества с концентрацией неравновесных носителей 1019 -1020 см~3.

2.2. Показано, что при определенных условиях инициирования стримера, объемная плотность энерговыделения в токовом домене достигает величины ~104 Дж/г, что может привести к фазовому переходу твердого тела в плотную ионно-электронную плазму с температурой 104 -105 К и деструкции кристалла.

2.3. Изучены электрические и оптические свойства стримерных разрядов: а) исследованы спектрально-временные характеристики объемных стримерных разрядов, развивающихся в твердых телах различных классов соединений - KCI, NaCI, BaF2, ПММА и CdS. Установлено, что за фронтом ионизации стримера в диэлектриках, как правило, формируется плотная ионно-злектронная плазма, излучающая сплошной спектр, а в полупроводниках - электронно- дырочная плазма, спектр которой определяется параметрами инициирующего разряд электронного пучка и условиями вывода оптического излучения из стримера. Получена генерация лазерного излучения вдоль стримерного разряда в кристалле CdS; б) изучены спектрально-кинетические параметры поверхностных стримерных разрядов, индуцированных электронным пучком в ионных кристаллах. Выявлено два вида поверхностных разрядов: диффузные, возбуждающие однородное по поверхности кристаллов свечение, спектры которого подобны спектрам катодолюминесценции этих же образцов и искровые разряды, формирующие плотные плазменные шнуры на поверхности образцов, имеющие сплошной спектр излучения, длительность которого не превышала 20 не; в) обнаружена и исследована мощная электронная эмиссия из канала электрического пробоя в твердом диэлектрике, индуцированная СЭП .

3. Обнаружены периодические структуры разрушения (ПСР), расположенные центрально - симметрично относительно стримерных разрядов. Предполагается, что ПСР образуются в результате развития доменной неустойчивости, вследствие чего распределение концентрации носителей и температуры может оказаться неоднородным как вдоль, так и поперек линий тока.

4. Прямыми экспериментами по измерению параметров акустических волн, возбуждаемых плотным электронным пучком показано, что амплитуда и профиль акустической волны сжатия в ШГК изменяются нелинейно с увеличением плотности падающей на образец энергии электронного пучка. Нелинейный акустический отклик ионных кристаллов на возбуждение СЭП проявляется в изменении, в серии последовательных импульсов облучения, профиля АИ и сдвиге максимальной амплитуды АИ в глубь образца.

5. Обнаружена и исследована пластическая деформация пластинок ЩГК под действием СЭП. Установлено, что однократное облучение кристаллов электронным , пучком с плотностью энергии Ир > Щ > 0,1 Дж/см2 приводит к формированию макро- и микрозон пластической деформации.

6. Обнаружен и исследован эффект накопления микроразрушений заключающийся в том, что многократное облучение диэлектриков и полупроводников приводит к постепенному накоплению и развитию очагов разрушения: вначале образуются каналы разряда, которые зарождаются на поверхности и по мере увеличения дозы облучения распространяются в глубь кристалла, затем КЭП вскрывают микротрещины, размеры которых постепенно увеличиваются, происходит слияние микротрещин и формирование макротрещины.

7. Показано, что первичными очагами разрушений, формируемых СЭП в области пробега быстрых электронов в монокристаллах СаЕ2, ВаР2, ХаЫЬОз, 3102/ МдА1203 и гпо,98Сс1о,025е являются каналы электрического пробоя, которые формируются положительными стримерами, развивающимся со стороны облучаемой поверхности в область 003 после многократного облучения образцов электронным пучком малой плотности (т.е. при № < 1лГр) . Обнаружена пространственная неоднородность распределения КЭП в зоне торможения электронного пучка в ниобате лития, полупроводниковых и оксидных кристаллах. Вид поля разрушения этих кристаллов свидетельствует о том, что каналы разрядов локализуются в "слабых" точках матрицы, которыми могут быть дефекты собственной и примесной природы

188 малоугловые границы, преципитаты, легирующие и неконтролируемые примеси, выпадающие вдоль границ блоков или дислокаций).

8. Выявлены два доминирующих фактора разрушающего воздействия СЭП на полупроводники и диэлектрики : концентрация выделения джоулева тепла в токовых шнурах стримерных разрядов, приводящая в итоге к локальному испарению материала и генерация термоударных динамических напряжений вблизи канала разряда, которые нелинейно взаимодействуют с окружающей средой приводя к разрушению и пластической деформации областей кристалла, прилегающих к каналам разряда. Расчеты показывают, что величина механических напряжений вблизи стримера, развивающегося в ЩГК, составляет ~ 1Q10 Па, что значительно превышает не только величину механических напряжений, формируемых СЭП в области торможения быстрых электронов пучка на пороге его разрушения 3-107 Па), но и величину порога, необходимого для формирования ударной волны в этих кристаллах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Олешко, Владимир Иванович, 1999 год

1. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундх импульсов. - М.: Атомиздат, 1974.- 303 с.

2. Диденко А.Н., Григорьев В.П.,'Усов Ю.П. Мощные электронные пучки и их применение.- М.: Атомиздат, 1977.280 с.

3. Бугаев С.П., Литвинов Е.А., Месяц Г. А., Проскуров-ский Д. И. Взрывная эмиссия электронов // УФН. 1975.- В. 1.- С. 101 121.

4. Абрамян Е.А. Альтеркоп Б.А., Кулешов Г.Д. Интенсивные электронные пучки- М.:Энергоатомиздат,1984.-232с.

5. Басов Н.Г., Данилычев В.А. Лазеры, на конденсированных и сжатых газах //УФН.-1986.-Т.148.-В.1.-С.55-100.

6. Ueta М. Color center studies in alkali halides by pulsed- electron beam irradiation // J. Phys. Soc. Japan.- 1967.- V.23. N 6.- P.1265 - 1279.

7. Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Под ред. Д.И. Вайсбурда.- Новосибирск:Наука, 1982.- 227с.

8. Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии / Под ред. Г. А. Месяца.- Новосибирск: Наука, 1983. 169 с.

9. Бойко В.И., Евстигнеев В.В. Введение в физику взаимодействия сильноточных пучков заряженных частиц с веществом.- М.: Энергоатомиздат, 1988.- 136 с.

10. Oswald R.B. Fracture of silicon and germanium induced by pulsed electron irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci.-1966.- V.NS- 13.- N 6.- P.63-69.

11. Avery R.T., Keefe D.W., Brekke T.L., Finnie I. Shattering rock with intense bursts of energeticelectrons 11 IEEE Trans. Nucl. Sci.- 1973.- V.20-N3.- P. 1010 1014.

12. Avery R.T., Keefe D.W. An electron accelerator for tunnelire through hard rock // IEEE Trans. Nucl. Sci.-1975.- V.20 N 10.- P.61 - 74.

13. Steverding В., Austin C.W., Werkheiser A.H. Fracture by superimposing stress waves // J. Appl. Phys.-1972.- V.43 N 7.- P.3217 - 3219.

14. Vaisburd D.I., Balichev I.N., Gering G.I., Shkatov V.T. Luminescence and fracture of ionic crystals as result of their electron subsystem superdense excitation // Jn: Jntern. Conf. Lumines. Abstracts., Leningrad, 1972.- rep. 42. P.34.

15. Вайсбурд Д.И., Балычев И.Н. Разрушение твердых тел в результате сверхплотного возбуждения их электронной подсистемы // Письма в ЖЭТФ.- 1972. Т. 15.- В. 9.1. С. 537-540.

16. Вайсбурд Д.И., Семин Б.Н., Таванов Э.Г. и др. Нано-секундная релаксация проводимости и спектры люминесценции ионных кристаллов при сверхплотном возбуждении мощным пучком электронов // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1974.- Т.38. N 6.- С. 1281 - 1284.

17. Балычев И.Н., Вайсбурд Д.И., Геринг Г.И. Мощная пороговая эмиссия диэлектриков при облучении наносе-кундными электронными пучками большой плотности // Изв. ВУЗов, Физика.- 1975.- N 3.- С. 157 158.

18. Вайсбурд Д.И., Геринг Г.И., Кондратов В.Н. Хрупкое разрушение стекол при облучении пучками электронов большой плотности // ЖТФ.-1976.-Т.2.-В.7.- С,327-330.

19. Мелькер А.И., Токмаков И.Л., Разрушение твердых тел при облучении электронами // ФХОМ.-1977.-N5.-С.62-68.

20. Балашов А.П., Селезнев С.Б., Когай JI.H. Влияние условий ввода энергии на механические повреждения твердых тел различных классов мощными импульсными пучками электронов // ФХОМ.- 1982.- N 2.- С. 15 23.

21. Космическое оружие: дилемма безопасности./ Под ред. Велихова Е.П., Сагдеева Р.З., Кокошина A.A., М.: Мир, 1986.- 181 с.

22. Стародубцев C.B., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество.- Ташкент: Изд.АН УзССР, 1962.- 227 с.

23. Медведев Ю.А., Степанов Б.М., Федорович Г.В. Физика радиационного возбуждения электромагнитных полей. М.: Атомиздат,, 1980.- 103 с.

24. Громов В.В. Электрический заряд в облученных материалах. М. : Энергоиздат, 1982. - 112 с.

25. Тютнев А.П., Ванников A.B., Мингалеев Г.С. Саен-ко B.C. Электрические явления при облучении полимеров. М.: Атомиздат, 1978. - 87 с.

26. Рикетс Л.У. Электромагнитный импульс и методы защиты / Под ред. H.A. Ухина. -М.:Атомиздат,197 9.- 327 с.

27. Евдокимов О.Б., Яловец А.П. Распределение- термали-зованных электронов:/ и поглощение энергии быстрых электронов в диэлектрических материалах // ХВЭ.-1973. Т.7.- № 3.- С. 271.

28. Евдокимов О.Б. Многократное рассеяние быстрых электронов в газе в присутствии электрического поля // ЖТФ.- 1975 Т.45.- № 3.- С. 593 693.

29. Дергобузов К.А., Евдокимов О.Б., Кононов Б. А. Радиационная диагностика электрических потенциалов.-М.: Атомиздат, 1978.- 88 с.

30. Кингсеп С.С., Новобранцев И.В., Рудаков Л.И. и др. Механизм ионизации газа сильноточным пучком электронов //ЖЭТФ.- Т.63.- 1972.- В.б (12).- С. 2132 2138.

31. Валуев A.A., Сопин П.И., Сорокин Г. А. Поля пространственного заряда сильноточных РЭП и динамика их компенсации в плотном газе // ТВТ.- 1989. Т. 27.-№ 4.- С. 642 649.

32. Рудаков Л.И., Смирнов В.П., Спектор A.M. Поведение сильноточного пучка электронов в плотном газе // Письма в ЖЭТФ.- Т. 15. В.9.- 1972. С. 540 - 544.

33. Галеев A.A., Мишин Е.В., Сагдеев Р.З. и др. Разряд в околоракетной области при инжекции электронных пучков в ионосферу//ДАН СССР.-1976.-Т. 231.-N»1.-С. 71- 74.

34. Миллер Р. Введение в физику сильноточных пучков заряженных / Под ред. A.A. Коломенского.- М. : Мир, 1984.- 432 с.

35. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Иванова Т.Ю. и др. Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности // КЭ.- 1986,- Т. 13.- В.10.-С. 2132 2135.

36. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Быстропротекаклцие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Рига: Зинатне, 1987.- 183 с.

37. Лущик Ч.Б., Лущик А.И. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М. : Наука, 1989.- 264 с.

38. Вайсбурд Д.И., Месяц Г.А. Сильноточные электронные ускорители. Физика мощных радиационных воздействий // Вестник АН СССР.- 1983.- № 1.- С. 62 70.

39. Атаманова Г.H., Мелькер А.И., Токмаков И.Л. Разрушение алюминиевого сплава импульсными электронными пучками // ФХОМ.- 1976.- № 4.- С.29 32.

40. Вайсбурд Д.И., Матлис С.Б., Суржиков В.П. и др. Зависимость среднего порога хрупкого разрушения кристаллов КС1 электронным пучком от длительности импульса облучения // ЖТФ.- 1986. Т.56.- В.10.-С.2049 -2050.

41. Рябых С.М., Карабукаев К.Ш., Малаев С.М. Механизм разрушения ионных кристаллов при воздействии импульсного излучения внутренним давлением радиолитического газа // Изв. АН Киргиз. ССР -1988. -№ 4.-С.24 29.

42. Калашников Н.П. Действие мощных электронных пучков на твердые тела. М. : 1980.- 110 с. ( отчет о НИР № 80021097 / МИФИ ).

43. Геринг Г. И. Скорость хрупкого разрушения ЩГК под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов. Дисс.к.ф.-м. наук, Томск,1975.

44. Вайсбурд Д.И., Геринг Г.И. Сверхрэлеевская скорость перемещения фронта хрупкого разрушения ионных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными электронными пучками // Письма в ЖТФ.-1978.-Т.4.- В.24.- С.1497 1500.

45. Балычев Н.И., Вайсбурд Д.И., Матлис С.Б., Месяц Г.A.f Размерный эффект и эффект Иоффе при разрушении ионных и ковалентных кристаллов под действием наносе-кундного облучения мощными электронными пучками. // ЖТФ.-1979.-Т.49.- № 10.- С.2270 2272.

46. Балычев И.Н. Моделирование процессов в треках тяжелых заряженных частиц облучением твердых тел мощнымиимпульсными потоками электронов наносекундной длительности. Дисс. . к.ф.-м. наук, Томск, 1971.

47. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М. : Высшая школа, 1965.- 224 с.

48. Сканави Г. И. Физика диэлектриков (область сильных полей).- М.: ГИФМЛ, 1958. -908 с.

49. Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Минск. : Университетское, 1988. - 304 с.

50. Басов Н.Г., Молчанов А.Г., Насибов A.C. и др. Стри-мерные лазеры на твердом теле. // ЖЭТФ. 1976-.-Т.70. - В.5.- С.1751 - 1761.

51. Вершинин Ю.Н., Водичев A.B., Петрухновский С.И. Динамика электронов при субсветовой скорости разряда в кристаллах диэлектрика //ДАН СССР.- 1989.-Т.309. № 2.- С. 346 - 350.

52. Беспалько A.A., Блинов В.И., Геринг Г.И. и др. Роль импульсов упругих напряжений в явлении хрупкого разрушения ионных кристаллов при электронном облучении // ФТТ.- 1984.- Т.26. В. 4 - С. 1113 - 1116.

53. Суржиков В.П. Временные характеристики хрупкого раскола ионных кристаллов импульсами электронного облучения. Дисс. . к.ф.-м. наук, Томск, 1986.

54. Вайсбурд Д.И., Каратеев В.П., Матлис С.Б. и др. Механизм хрупкого разрушения твердых диэлектриков импульсными пучками электронов в нано-, микро- и милли-секундном диапазонах // ДАН СССР. 1987.- Т.297.-№ 3.- С. 590 - 594.

55. Геринг Г.И. Высокоскоростная, деформация и разрушение диэлектриков под действием сильноточных электронных пучков. Дисс. . д.ф.-м. наук, Томск, 1994.

56. Блинов В.И., Геринг Г.И., Ковивчак B.C. Эволюция периодической структуры разрушения ионных кристаллов при электронном облучении // Письма в ЖТФ.- 1986.-Т.12. В.18. - С. 1194 - 1197.

57. Савенко О.М., Геринг Г.И. Структурные уровни разрушения ионных кристаллов при динамическом нагружении // ФТТ.- 1992.- Т.34.- № 1. С. 11 - 15.

58. Блинов В.И., Геринг Г.И. Кинетическая природа разрушения ионных кристаллов при облучении электронными пучками сильноточного ускорителя // ФХОМ.- 1989.2.- С. 17 20.

59. Савенко О.М., Геринг Г.И. Структурные состояния в зоне разрушения ионных кристаллов при динамическом нагружении. // ФХОМ. 1991.- № 6. - С. 153 - 155.

60. Адуев Б.П., Белокуров Г.М., Швайко В.Н. Релаксация проводимости Csl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов // ФТТ.-1995.- Т.37.-В.8.-С. 2537 2539.

61. Адуев Б.П., Швайко В.Н. Импульсная проводимость ЩГК при различных плотностях возбуждения пикосекундными пучками электронов. /Тез. докл. Междунар. конф. Физи-ко-хим. процессы в неорганических материалах, Кемерово, 1998.- Ч.1.- С.99 100.

62. Адуев Б.П., Иголинский A.B., Швайко В.Н. Кинетикаимпульсной проводимости Csl при облучении плотнымиiпучками электронов // ФТТ.- 1996.- Т.38.- В.З.-С. 947 950.

63. Адуев Б.П. Радиационно-индуцированная импульсная электронная проводимость кристаллов с решеткой типа

64. NaCI /Тр. IV Всерос. школы семинара "Люминесценцияи сопутствующие явления".- Иркутск, 1998.- С.167-17 6.

65. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Швайко В.Н. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов сс-А1203 // ФТТ.- 1997.- Т.39.- В.11.- С.1995 1996.

66. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично эмиссионные методы исследования твердого тела.- М. : Наука, 1977.- 552 с.

67. Вайсбурд Д.И., Твердохлебов С.И., Тухватуллин Т.А. Критическая (взрывная) электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная инжекцией плотного пучка электронов // Изв. ВУЗов. Физика. 1997.- Т.40. -№ 11.-С. 45 - 68.

68. Месяц Г.А. Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Новосибирск: Наука, 1974.- 167 с.

69. Ковальчук Б.М., Месяц Г.А., Семин Б.Н., Шпак В.Г. Сильноточный наносекундный ускоритель для исследования быстропротекающих процессов // ПТЭ.- 1981.-№ 4.-С. 15 18.

70. Сериков J1. В., Юрмазова Т.А., Шиян JI.H. Способ дозиметрии ионизирующего излучения. АС № 1544030, 1989.

71. Лисицын В.М., Олешко В.И. Электрический пробой ЩГК при импульсном облучении сильноточными электронными пучками //Письма в ЖТФ.- 1983.- Т.9.- № 1.- С. 15-18.

72. Лисицын В.М., Олешко В.И. Электрический пробой ЩГК при- импульсном облучении сильноточными пучками. //Тез. докл. З-Всесоюз.совещ. "Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы", Кемерово, 1982.- 4.2.- С. 227 228.

73. Бугаев С.П. Исследование импульсного электрического перекрытия диэлектриков в вакууме в наносекундном диапазоне времени. Дисс. к.ф.-м. наук, Томск,1966.

74. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Спектральные и временные характеристики высоковольтной электролюминесценции ионных кристаллов //Тез. докл. 30-Всесоюз.совещ. по люминесценции (неорганические кристаллы), Ровно, 1984.

75. Штанько В.Ф., Олешко В.И. Роль электрического поля объемного заряда в процессе преобразований энергии СЭП в ионных кристаллах // ЖТФ.- 198 9.г Т.59.- В.З. С. 99 105.

76. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Эмиссия плотного электронного пучка из канала электрического пробоя в твердом диэлектрике // ЖТФ. 1990.- Т.60.- В.2.-С.185 - 186.

77. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Лавинная ударная ионизация ЩГК под действием мощных наносекундных электронных пучков //Тез. докл. 4-Всесоюз.конф. по эмиссиион-ной электронике, Киев, 1987,- Т.2.- С. 119.

78. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Электрический пробой и разрушение диэлектриков под действием плотных электронных пучков наносекундной длительности. // Тез. докл. 4-Всесоюз.конф. по физике диэлектриков, Томск, 1988.- с. 104 105.

79. Вершинин Ю.Н. Электрический пробой твердых диэлектриков." Новосибирск. : Наука, 1968. 211 с.

80. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Кумуляция энергии в сильнрточных электронных пучков в твердом диэлектрике // ЖТФ.- 1985.- Т.55. В. 9. - С. 1881.

81. Лисицын В.М., Олешко В.И. Оценка давлений вблизи стримерного разряда, индуцированного СЭП в твердом диэлектрике //Тез. докл. 10 Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов, Томск, 1999 (в печати).

82. Демидов В.А., Ивкин М.В., Петров В.А. и др. Возбуждение ударных волн в толстых мишенях сильноточным РЭП // ЖТФ.- 1980.- Т.50.- В.10.- С. 2205 2208.

83. Янушкевич В.А. Критерий возможности образования ударных волн при воздействии лазерного излучения на поверхность конденсированных сред // ФХОМ.- 1975.-№ 5.- С. 9 11.

84. NicoII P.H. Intense recombination radiation and room-temperature lasting in CdS excited by highvoltage rf carrent pulses // Appl. Phys. Lett. 1973. vol.23.- № 8- P.465 - 466.

85. Басов H.Г., Молчанов А.Г., Насибов A.C. и др. Генерация света в полупроводниках и диэлектриках, возбуждаемая электрическим полем. // Письма в ЖЭТФ.- 1974.-Т.19.- № 10.- С. 650 654.

86. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Насибов А.С.и др. Электронно-лучевые трубки с полупроводниковым лазерным экраном //ДАН СССР.-1972.- T.205.-N? 1.-С.72 73.

87. Басов Н.Г., Молчанов А.Г., Насибов A.C. и др. Стри-мерные лазеры на твердом теле. // ЖЭТФ.- 197 6.-Т.70.- № 5.- С.1751 1761.

88. Обидин А.З., Печенов А.И., Попов Ю.М. и др. Генерация света в направлении стримерного канала. // КЭ.-1983.- Т.10.- № б.- С. 1165 1170.

89. Грибковский В.П. Стримерное свечение в полупроводниках. // ЖПС.- 1984.- Т.40.- № 5.- С. 708 718.

90. Зубрицкий В.В., Яблонский Г.П., Грибковский В.П. Стримерные разряды в полупроводниках в интервале температур 4,2 -530 К // ФТП.- 1983.- Т. 17.- В. 3. С. 402 - 408.

91. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Генерация света вдоль стримерного канала в CdS, возбуждаемая мощным электронным пучком // Тез. докл. 10-Всесоюз. конф. по физике полупроводников, Минск, 1985.- Ч.З.-С. 74.

92. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Стримерные разряды в CdS, возбуждаемые мощными электронными пучками // Тез. докл. 5-Всесоюз.совещ. "Синтез и свойства, исследования и применение люминофоров", Ставрополь, 1985.- Ч.1.- С. 28.

93. Гладьпцук A.A., Гурский А.Л., Олешко В.И. и др. Температурная зависимость кристаллографической ориентации стримерных разрядов в сульфиде кадмия в интервале температур 77 530 К // Изв. ВУЗов, Физика, 1987.-Т.ЗО.- № 10.- С.124.

94. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров.- М.: Наука, 1983.- 294 с.

95. Марков Е.В. Давыдов A.A. Сублимация кристаллов CdS // Изв. АН СССР. Неорг. матер.- 1971.- Т.7.-№ 4.-С. 575 - 579.

96. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Образование периодической структуры разрушений в NaCl под действием мощного пучка наносекундной длительности //■Письма'в ЖТФ.- 1985.- Т.Н.- № 24.- С.1478 1481.

97. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Механизм разрушения высо-коомных материалов под действием мощных электронных пучков наносекундной длительности // ФТТ.-1987.-Т.29.- В. 2.- С. 320 324.

98. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Генерация сильных электрических полей в области пробега мощного электронного пучка в LiF // ЖТФ.-1986.- Т.56.-В.6.- С.1235 -1236.

99. Кузнецов Ю.И. Исследование пространственно-временных характеристик импульсного электрического разряда в каменной соли. Автореферат дисс. .к.ф-м.н., Томск, 1974.

100. Кузнецов Ю.Н., Торбин Н.М. Исследование развитияэлектрического пробоя в твердых диэлектриках // ФТТ.1969.- Т.Н.- В.4.- С. 951 953.

101. Гурский А.Л. Кристаллографическая ориентация неполного электрического пробоя в CdS, CdSe, ZnO, LiNb03,

102. Те02 и его использование для получения генерации света.

103. Автореферат дисс. . к.ф.-м.н.- Минск, 1988.

104. Гурский А.Л., Луценко Е.В., Яблонский Г.П. Кристаллографическая ориентация путей электрического пробоя в диэлектриках и полупроводниках. Минск, 1990.-47 с. ( Препринт / Ин-т. Физ. АН БССР.- № 607) .

105. Лазерные электронно-лучевые трубки.- М. : Наука, 1991.- 230 с. (Тр. ФИАН Т. 2.02).

106. Уласюк В.Н. Квантоскопы. М. : Радио и связь, 1988.- 256 с.

107. Лисицын В.М., Штанько В.Ф. Разработка метода контроля качества полупроводниковых пластин.- Томск.: 1988.-81 с. ( отчет о НИР № ГР 01890022382 /ТомПИ) .

108. Олешко В.И., Штанько В.Ф. Спектрально-временные параметры свечения электрических разрядов в ионных кристаллах при воздействии СЭП // ЖТФ.- 1987.Т. 57.- В.9.- С. 1816 1818.

109. Залюбовский И.И., Калиниченко А.И., Лазурик В. Т. Введение в радиационную акустику. Харьков: Вшца школа, 1986. - 168 с.

110. Радиационная акустика. / Под ред. Л.М. Лямшева.-М. : Наука, 1987.- 136 с.

111. Беспалько A.A., Геринг Г.И. Генерация упругих волн напряжений в твердых телах электронными пучками большой плотности. // Письма в ЖТФ. 1977.- Т.З.-В.4. -с. 152 - 154.

112. Беспалько A.A., Геринг Г.И. Акустическая дозиметрия интенсивных электронных пучков // ЖТФ.- 1980.Т. 50.-С. 213 215.

113. Олешко В.И., Штанько В.Ф. О природе акустических волн, генерируемых в ионных кристаллах сильноточными электронными пучками // ЖТФ.- 1987.- Т. 57.- В. 9.-с. 1857 1858.

114. Штанько В.Ф., Олешко В.И., Толмачев В.М. Динамические и остаточные напряжения в KCl при воздействии импульсного электронного пучка // ФХОМ.- 1991.- № 2.-с. 53-56.

115. Куликов В.Д., Лисицын В.М, Поляризационно оптическая регистрация акустических волн, генерированных сильноточными электронными пучками в твердых телах. /7 ЖТФ.- 1983.- Т.53.- В.12.- С. 2417 - 2419.

116. Фрохт М.М. Фотоупругость. Поляризационно-оптический метод исследования напряжений Ч. 1 / Под ред. Н.И. Пригоровского.- М.:-Л., Гостехиздат, 1948.432 с.

117. Штанько В.Ф., Олешко В.И., .Инякин В.Н. Пластическая деформация щелочно-галоидных кристаллов, облученных плотным электронным пучком наносекундной длительности. // ФХОМ.- 1988.- № б.- С. 11-13.

118. Деформирование кристаллов при действии сосредоточенной нагрузки / Под ред. С.Г. СимашкоКишинев, Штиинца, 1978.- 127 с.

119. Олешко В.И., Штанько В.Ф. О природе возникновения

120. Ш периодических структур разрушения в ионных кристал

121. Жлах, возбуждаемых мощным электронным пучком. // ЖТФ.87.- Т. 57.- В. 12.- С. 2401 2403.

122. Воробьев A.A. Возбуждение и электрический пробой тш%>дых диэлектриков. // Изв. ВУЗов. Физика, 1979.-С. Ik 37.