Основные закономерности зарядки диэлектриков и сегнетоэлектриков электронами средних энергий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Татаринцев, Андрей Андреевич

• Татаринцев, Андрей Андреевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Татаринцев, Андрей Андреевич

Оглавление

Введение

Глава 1. Современное представление механизма зарядки диэлектрических мишеней

под воздействием электронного облучения (Обзор)

1.1 Обобщенное рассмотрение физических процессов, сопутствующих зарядке диэлектриков

1.1.1 Модель образования диполыюго слоя зарядов

1.1.2 Модель равновесных токов в механизме зарядки диэлектрика

1.2 Исследование характеристик зарядки пленочных диэлектриков как функции их толщины

1.3 Динамика процесса зарядки непроводящих мишеней электронными пучками

1.4 Влияние вытягивающего поля коллектора на ток эмиссии 1а и тем самым

на поверхностный потенциал ^

Глава 2. Методы и аппаратура для комплексного исследования процесса зарядки

диэлектрических мишеней. Экспериментальные результаты

2.1 Электронно-зопдовый комплекс для одновременных измерений параметров зарядки в РЭМ

2.2 Моделирование и расчет электростатических полей локально заряженных мишеней

2.3 Зависимость потенциала зарядки диэлектриков и изолированных металлов от угла падения пучка электронов

2.4 Характеристика зарядки диэлектрических плёнок в зависимости от их толщины

2.5 Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПМ-МА) при электронной литографии

2.6 Контраст изображений локально заряженных диэлектриков в растровой электронной микроскопии

Глава 3. Уточнение основных закономерностей механизма зарядки диэлектрических мишеней при электронном облучении

3.1 Критический анализ отдельных аспектов существующих-результатов исследований процесса зарядки диэлектриков электронными пучками

3.2 Результаты комплексных измерений фундаментальных параметров зарядки массивных диэлектриков

3.3 Описание нового сценария зарядки диэлектриков

3.4 Специфика механизма зарядки сегнетоэлектриков

Основные результаты и выводы

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Основные закономерности зарядки диэлектриков и сегнетоэлектриков электронами средних энергий»

Введение

Повышенный интерес, проявляемый в последнее время к исследованию зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения, обусловлен решением ряда научных и прикладных задач, прежде всего в таких областях как электронная литография и микроскопия, нанометрия, космонавтика, ядерная энергетика, микроэлектроника. В большинстве случаев зарядка является паразитным эффектом. Например, при космических исследованиях зарядка диэлектрических компонент на космических аппаратах под воздействием электронной радиации является основной причиной выхода из строя спутников и станций (более 25'/, от общего числа катастрофических отказов).

В электроппо-зондовой нанометрологии и электронной литографии зарядка диэлектрических пленок в точках облучения генерирует значительные локальные электростатические поля, под воздействием которых электронный зонд частично расфокусируется и, что более важно, отклоняется вблизи поверхности облучаемого образца. Этот эффект вызывает в литографии неконтролируемые изменения ширины засвечиваемых линий и расстояний между близлежащими элементами. Но как в теоретических моделях, так и экспериментах наблюдаются значительные противоречия в интерпретации результатов исследований, связанных с очень сложным механизмом зарядки диэлектриков, в котором одновременно происходит ряд самосогласующихся процессов: аккумуляция зарядов, вторичная электронная эмиссия, радиационно-стимулированные токи, релаксация носителей, образование сильных внутренних полей и т.д. Без учета любого из этих явлений картина зарядки диэлектриков не является исчерпывающей, приводит к противоречиям и даже ложным выводам.

Эти обстоятельства обуславливают актуальность комплексного изучения электронно-индуцированных процессов зарядки, при котором одновременно определяется ряд кинетических характеристик, сопутствующих процессу зарядки диэлектриков.

Основными задачами и целью диссертационной работы является: — разработка электронно-зондового диагностического комплекса на базе растрового электронного микроскопа (РЭМ) для проведения одновременных измерений всех

взаимосвязанных параметров зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения;

— исследование характеристик зарядки диэлектриков в зависимости от угла облучения, от толщины диэлектрических пленок, от дозы и энергии облучающих электронов;

— объяснение противоречий в интерпретации результатов временных характеристик процесса зарядки, а именно: вторично-электронных эмиссионных зависимостей и генерированных поверхностных потенциалов;

— установление основных закономерностей механизма зарядки диэлектрических мишеней на основе анализа одновременных комплексных измерений всех параметров зарядки.

Научная новизна результатов, впервые полученных в диссертации:

1) Создан электронно-зондовый комплекс (на базе РЭМ), позволяющий контролируемо облучать диэлектрическую мишень различными дозами электронов и одновременно измерять в режиме реального времени все характеристические параметры зарядки: вторично-электронную эмиссию, токи смещения и утечки, аккумулируемые заряды, значения положительного и отрицательного поверхностных потенциалов.

2) Теоретически рассчитаны и экспериментально подтверждены параметры зарядки диэлектриков в зависимости от углов падения облучающих электронов и от толщины диэлектрической мишени.

3) Показано, что при электронной литографии всегда можно подобрать энергию первичных электронов индивидуальную для каждой толщины и материала резиста, когда зарядка вообще отсутствует, и при которой исключаются ошибки позиционирования электронного зонда.

4) На основе анализа обширного экспериментального материала предложен новый сценарий механизма зарядки диэлектрических мишеней, при котором решающую роль играет накопление отрицательного заряда и его относительно медленное растекание вне области облучения, а вторичная электронная эмиссия уже подстраивается под этот процесс, с учетом уравновешивающего тока электронно-индуцированной проводимости между генерируемым дипольным слоем заряда у поверхности.

5) Электростатическая модель зарядки конденсатора не применима к реальному динамическому процессу зарядки диэлектрической мишени, а существующие аналитические выражения для генерированных поверхностных потенциалов не пригодны для практических применений.

6) Контраст изображений отрицательно заряженных областей поверхности диэлектрика обусловлен в основном ускоренными в поле зарядов вторичными электронами, которые вызывают поток третичных электронов на полюсном наконечнике объективной линзы РЭМ.

Научная и практическая значимость работы заключается в следующем: В результате комплексного исследования характеристик зарядки диэлектрических материалов под воздействием облучающих электронов в широком диапазоне энергий установлен новый сценарий сложного, многогранного механизма зарядки диэлектриков.

Результаты исследований будут способствовать лучшему пониманию фундаментальных физических процессов, сопровождающих радиационное (электронное) воздействие на диэлектрические среды.

На практике, полученные результаты должны учитываться в электронно-зондовых технологиях в частности в современной электронно-лучевой литографии, в ядерной физике, в космонавтике, дефектоскопии и диагностике структур и изделий микро- и нано-электроники, содержащих диэлектрические компоненты. Основные положения, выносимые на защиту

1) Несоответствие наиболее принятой и распространенной в литературе электростатической модели механизма зарядки диэлектрических мишеней как зарядки электростатического конденсатора или уединенного слоя зарядов.

2) Необходимость комплексного и одновременного измерения основных характеристик зарядки диэлектриков.

3) Основные характеристики зарядки - полный коэффициент эмиссии электронов, абсолютная величина аккумулируемых зарядов, генерируемый поверхностный потенциал - имеют различные временные константы процесса установления равновесного значения, зависящие от дозы облучения и электрофизических параметров материала диэлектрической мишени. Регулирующим фактором равновесного состояния зарядки является электронно-индуцированный ток между положительно и отрицательно заряженными слоями диэлектрика.

4) При электронном облучении диэлектрических пленок заданной толщины (резистов в электронной литографии) существуют определенные энергии, при которых потенциал зарядки равен нулю.

5) Существует специфика зарядки сегнетоэлектриков, обусловленная наличием поляризации и исходных поверхностных потенциалов.

Глава 1

Современное представление механизмов зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения (Обзор)

1.1 Обобщенное рассмотрение физических процессов, сопутствующих зарядке диэлектриков

1.1.1 Модель образования дипольного слоя зарядов

Когда диэлектрик подвергается электронному облучению, падающий пучок создает большое количество электронно-дырочных пар, но большинство из них быстро рекомби-иируют. Алгебраическое прибавление (за единицу времени) полного заряда, инжектированного в образец, будет д(^/д1, из чего получается соотношение для закона сохранения заряда, включающее в себя вторичную электронную эмиссию и отраженные электроны. Для замкнутого пространства, окружающего облучаемый объем в образце (пунктирная линия на рис. 1.1), этот закон может быть записан в следующей форме [1]:

/о = /о (¿с + Т/с)+ ^ + (1.1)

где г) — коэффициент обратно отраженных электронов, 6 — коэффициент вторичной эмиссии, /о — интенсивность падающего пучка, /о (8с + т]с) суммарная эмиссия электронов в вакуум, где индекс «С» показывает возможность влияния зарядки диэлектрической мишени на коэффициенты эмиссии. Полный заряд С} есть алгебраическая сумма (3+ + Я- зарядов в образце, а описывает возможность утечки заряда из облученного

объема на землю через держатель образца, в то время как — 1о (ток смещения)

характеризует скорость заполнения ловушек.

Рис. 1.1. (а) К закону сохранение заряда по формуле (1.1) в модели плоского конденсатора, (б) Влияние толщины образца d на поверхностный потенциал Vs(x, у) на начальной стадии электронного облучения. Для толщины диэлектрика меньшей, чем глубина пробега падающих электронов (справа), избыток заряда утекает на землю.

Если ток утечки IL много меньше, чем ток падающего пучка /0 ПРИ относительно малом поверхностном потенциале и толщине d диэлектрика, большей глубины пробега электронов (Я < d), то электрическая система имеет сходство с почти идеальным конденсатором. Если TL = 0, то в стационарном состоянии dQ/dt = 0, следовательно ¿с + Лс — а ПРИ Q — const наступает равновесие.

Оценим плотность заряда на единицу поверхности Q/S, увеличивающую поверхностный потенциал на AVS ~ 1 В [1]. Для толщины d ~ 1 мм и е = е/£0 — 3,4, плотность заряда получается AQ/S ~ 3 • 10~8 Кл/м2 или < 0,2 эл./мкм2, что следует из формулы для плоского конденсатора:

AQ = CAVS, С ~ eS/d. (1.2)

Здесь е — относительная диэлектрическая проницаемость образца, е0 — 8,85 • Ю-12 Ф/м.

Однако, аналогия между моделью конденсатора и зарядкой диэлектрика электронными пучками неполна вследствие влияния вторичной электронной эмиссии на постепенно устанавливающийся поверхностный положительный потенциал Vs или изменения эффективной энергии падающих электронов сопутствующего изменению коэффициента вторичной электронной эмиссии, когда потенциал V^ отрицательный.

Так как бомбардировка образца электронами вызывает практически мгновенное появление вторичных электронов, то кинетика зарядки и процесс установления равновесного состояния существенно зависит в основном от вторично-эмиссионных свойств диэлектрической поверхности и релаксации накапливаемых зарядов в диэлектрике.

Функция коэффициента <5 вторичных электронов (ВЭ) в зависимости от энергии первичных электронов Е0 вначале линейно растет при Е0 < Етах, где Етах — энергия

при которой ó имеет максимальное значение. Это нарастание при увеличении Е0 связанно с пропорциональным увеличением количества генерированных вторичных электронов Use — Eq/Ese в приповерхностном слое, откуда вторичные электроны могут выходить в вакуум (Ese — энергия генерации ВЭ). С другой стороны, при Ео » Етах монотонное уменьшение коэффициента вторичной электронной эмиссии 6 является результатом того, что возрастание количества iise с Eq с избытком компенсируется более быстрым возрастанием (как Ед, где п > 1) максимальной глубины проникновения Rq первичных электронов, генерирующих вторичные. Следовательно, плотность генерации вторичных электронов на единицу глубины убывает приблизительно как что при-

водит к уменьшению количества вторичных электронов, способных выходить в вакуум: последние генерируются в приповерхностном слое толщиной порядка максимальной глубины выхода ВЭ г ~ 3s (s — показатель длины затухания ВЭ). В промежутке, при Е ~ Етах, наилучшее условие для генерации вторичных электронов, потому что Rm приблизительно равняется г.

Энергетическое и угловое распределение эмитированных вторичных электронов сильно изменяется при зарядке образца, поэтому важно определить их главные аспекты прежде, чем произойдет зарядка. Энергетическое распределение ВЭ по энергиям для диэлектриков хорошо описывается соотношением [2]:

дб FEk

дЕк (Ек + Х)

з'

(1.3)

где х — электронное сродство.

Множитель Р используется, чтобы отнормировать максимум на единицу. На рис. 1.2 показано это распределение для диэлектрика с ^ = 0,5 эВ и 1 эВ и для металла с <р ~ 5 эВ. Максимумы этих распределений ожидаются при ~ </?/3 для металлов и при ~ х/2 для диэлектриков, с шириной на половине высоте большей у металлов, чем у диэлектриков. К сожалению, согласование вычислений с экспериментальными данными плохое и для металла и для диэлектрика. Эти расхождения для диэлектриков показаны на рис. 1.2 для КС1 (данные взяты из [3]) где х ~ 0,6 эВ. Одной из причин несоответствия является чувствительность экстремума функции Э8/дЕк к составу (чистоте) поверхности.

Угловое распределение эмитированных вторичных электронов по большей части управляется эффектом преломления на границе образец-вакуум. На этой границе вторичные электроны с кинетической энергией Е3, измеренной от дна зоны проводимости, и внутренним углом падения (3 преломляются в вакуум с углом эмиссии а и кинетической

dS/dü

Рис. 1.2. Энергетические спектры ВЭ для металлов ((р = 5 эВ) и диэлектриков при х = 0,5 эВ и х = 1 эВ. Точками отмечены экспериментальные результаты, полученные для KCl [3].

энергией Ek, измеренной теперь с учетом уровня вакуума [4]:

л/Ё~3 sin/б = у/Ёк sin а (1.4)

Для полупроводников или изоляторов (электронное сродство х) и для металлов (энергия Ферми Ер и работа выхода (р) Еа в образце соотносится с Ek в вакууме, соответственно, как

Es = Ek + x-, Es = Ek + EF + <р. (1.5)

Энергия Es больше, чем энергия Е^ и следовательно существует критический угол для полного внутреннего отражения или для эмиссии в вакуум ß\. Критический угол ßx находится из условия sin ßx = ES)X^2. Только электроны, подлетающие под углами меньшими, чем угол полного внутреннего отражения ßi, могут выходить из образца.

Вероятность выхода вторичных электронов А может быть оценена из внутреннего критического телесного угла для вторичной электронной эмиссии в вакуум: А ~ (1 — cos ßi). При использовании наиболее вероятной энергии выхода ВЭ в вакуум из металла ~2 эВ и из диэлектрика ~1 эВ, типичные значения критического угла ß\ ~ 40°для диэлектриков и ~25°для металлов, что создает значительную разницу для вероятности выхода из диэлектрика по сравнению металлом.

Когда диэлектрик облучается электронным лучом, инжектированные в образец электроны приводят к возникновению отрицательного заряда Q- на глубине пробега R, в то время как вторичная электронная эмиссия S создает положительный заряд Q+

в приповерхностной области максимальной толщиной г. Полное распределение заряда создает электрические поля и потенциал внутри и снаружи образца, которые, в свою очередь, изменяют коэффициент вторичной 5 электронной эмиссии, а также энергию Е^ облучающих первичных электронов. Изменение 5 и энергии Е^ корректируют, в свою очередь, поля и потенциалы, что можно описать как последовательные шаги электростатических ситуаций, управляемых главным образом функцией потенциала на поверхности. Эволюция зарядки характеризуется саморегулирующимися процессами, а стационарное состояние достигается, когда д(2/дЬ — 0 или когда бс+Лс = 1 в выражении (1.1) (индекс «С» показывает, что коэффициенты ВЭЭ и обратнорассеянпых электронов отличаются от номинальных значений 6 и г) в незаряженном состоянии). Можно выделить три типа саморегулирующихся процессов: сток избытка зарядов через держатель образца; внутренние эффекты; внешние эффекты. Сток избытка зарядов главным образом происходит для образцов толщиной й < Я. Внутренние саморегулирующиеся процессы являются результатами изгиба зон в приповерхностной области. Этот эффект приводит к уменьшению или увеличению числа выходящих вторичных электронов. Внешние эффекты определяют возможность возвращения вторичных электронов на образец.

Для образцов, однородных по толщине и по составу, облученных широким падающим электронным пучком поверхностный потенциал Уз (х, у) будет равномерным вдоль облучаемой поверхности, но его величина меняется во время облучения. Здесь потенциал считается относительно держателя образца, а знак зарядки выбирается равным знаку У8 (выбор более уместный, чем выбор знака <2++£?-)• Этот знак зависит от энергии падающего пучка Е0, и в конкретный момент времени может быть либо положительным, либо отрицательным, в процессе зарядки так же может изменяться знак с положительного на отрицательный. В стационарном состоянии энергия падающего пучка соответствует критической энергии Егс» которая меньше, чем общепринятая энергия Е^о (для незаряженного диэлектрика).

Когда энергия падающих электронов Е^ находится между первой критической энергией Е\ и Етах, начальный коэффициент полного выхода 6 + г] лежит в интервале 1<6 + т1< (5 + т])тах [1]. Тогда существует избыток положительного заряда <5+ по сравнению с отрицательным <3_, находящимся в приповерхностном слое толщиной Л, меньшей, чем глубина выхода вторичных электронов г (см. рис. 1.1). В образце потенциал У (г) достигает максимального значения в точки инверсии I, находящейся в области локализации заряда, где потенциальная энергия электронов имеет минимум: дДУ(1) = дУ{1) — цУв- Как показано на зонных структурах, изображенных на рис. 1.3, внутренний эффект самозахвата имеет место в окрестности минимума потенциальной

6 о

Рис. 1.3. Схематическое изображение хода потенциала У(г) (сверху) и зависимости потенциальной энергии электрона (/^(г) (снизу) при Ет < Е0 < Етах. Также показаны внешние (1) и внутренние (2) саморегулируемые процессы, в частности процесс самозахвата в окрестности точки /: АцУ(1). Не закрашенными стрелками показано направление действия электрического поля на вторичные электроны.

энергии, где рожденные вторичные электроны малых кинетических энергий не могут выходить из образца. Кроме того, возможен возврат значительной части электронов, вышедших из образца с малой кинетической энергией. Учитывая оба процесса саморегулирования, создающих резкую границу в спектре эмитируемых вторичных электронов, поверхностный потенциал можно получить из закона сохранения зарядов в стационарном состоянии, что дает следующий результат для коэффициента вторичной электронной эмиссии:

Е0

В действительности, вычисление внешних компенсирующих эффектов, помеченных индексом (1) на рис. 1.3, требуют более детального рассмотрения траектории вторичных электронов в вакууме в ситуации, когда образец заряжен положительно. Соглас-

но [1,4], уравнения траекторий электронов с начальной энергией и углом эмиссии а (к нормали) будет иметь вид:

где Еу = дУ3.

Когда энергия падающих электронов Ео больше, чем значение второй критической энергии Е20, полный коэффициент 6 + 7] меньше единицы, а значение поверхностного потенциала отрицательно по отношению к заземленному держателю образцов. Отрицательный потенциал уменьшает скорость падающих электронов, когда они приближаются к поверхности (рис. 1.4), а их энергия при входе в образец Е^ зависит от Уд через закон сохранения энергии. С учетом заряда электрона д = —1,6 • 10"""19 Кл , значение Еь будет следующим:

Так, как Еь всегда положительно, значение дУд всегда меньше Ео. В действительности, в стационарном состоянии, границей для Е^ является критическая энергия Е2с, которая часто лежит в районе 2 кэВ [1,4,6,7] и увеличивается с ростом Ео, а значение дУ3 может достигать 10 кэВ и больше.

Уменьшение энергии падающих электронов до Е^ приводит к тому, что коэффициент вторичной электронной эмиссии изменяется от значения 5(Е0) до 6(£ь). Возникающее электрическое поле между поверхностью образца и заземленными металлическими частями камеры микроскопа ускоряет все электроны, вышедшие из образца, а также искажает их траектории. Кинетическая энергия этих электронов, вышедших с поверхности образца с энергией Ек увеличится до Ек + дУэ, когда они достигнут «земли» или входной щели спектрометра. В предположении, что электрическое поле однородно в вакуумном промежутке, искажение траектории эмитированного электрона может быть легко вычислено по формуле (1.7), где нужно изменить знак множителя (Еу/^Ек) для того, чтобы описать отталкивание вторичных электронов отрицательным потенциалом, а при численных расчетах нужно принять во внимание большое значение

Используя приведенные координаты г/го и х/го, на рис. 1.4 изображены траектории вторичных электронов, рассчитанные по формуле (1.7) для двух значений начальной кинетической энергии Ек = дХ^/бОО и Ек — дУ3/2000.

Понижение энергии падающих электронов также приводит к уменьшению их глубины проникновения. Ожидаемое развитие при энергии падающего пучка Е0р по направлению к стационарному состоянию показано на рис. 1.5, где конечная точка соответствует 8с + т]с = 1, полученная из формулы (1.1) при ЗЩдЬ = 0. Критическая энергия Е2с

(1.7)

Ео = Еь + дУ$.

(1.8)

0,2 x/z0 U3

Рис. 1.4. (а) Отрицательный поверхностный потенциал замедляет первичные электроны (РЕ) и ускоряет эмитируемые электроны: вторичные (SE), отраженные (BSE) и оже-электроны (Auger). Справа показано угловое распределение электронов и сдвиг спектра, (б) Траектории электронов, рассчитанные по формуле (1.7) при двух значениях начальной кинетической энергии Ek = qVs/bOО и Еь = (7V5/2OOO. (в) Траектории Оже-электронов при различных углах вылета и начальной энергии Ek = qVs/20.

позволяет прибывающим электронам и возникающим дыркам легко рекомбинировать в приповерхностном слое г. При г = 3s критическая энергия Е2с чуть больше чем Етах, где Rmax приблизительно соответствует 2s [1]. Коэффициент ö будет изменяться, оставаясь ниже единицы, и это соответствует закону о сохранении заряда (1.1), как интеграл по времени от dQ/dt, записанного в следующей форме:

оо оо

Q = -h J [Seit) + Vc(t) - 1 }dt = -/0 J [Sc(E) + Vc(E) - 1] (^j dE. (1.9)

о 0

В такой форме, интеграл от выражения [6с{Е) + rlc(E) — 1] dE соответствует области ниже линии 6 + 77 = 1, а сомножитель (!Ц) 1 соответствует обратной временной зависимости поверхностного потенциала [1].

Когда Е0 ~ Е2и состояние, подобное выражаемому случаю для плоского конденсатора (1.2), существует недолго, потому что оно не учитывает распределение заряда

(6) дУэ . чН

Рис. 1.5. (а) Ожидаемое развитие изменения вторичной электронной эмиссии к стационарному состоянию для начальной энергии Е^о > Е2о- Горизонтальная стрелка дУ3 соответствует (1.8), находящаяся над линией 6 + г/ = 1 соответствующей выражению [5с(Е) + Г1С{Е) — 1] с1Е в (1.9). На вставке показано распределение заряда при Е0 = Е20 '■ это распределение эквивалентно дипольным слоям = Поверхностный потенциал положительный, пока нулевой потенциал (точка I) находится между двумя противоположными зарядами, (б) Изменение (¡Уу при изменении энергии Е0. Точками отмечены результаты эксперимента [6]. Линии рассчитаны по (1.8).

по глубине. Простой расчет функции У (г), который был выполнен в [4] показал, что остаточный член вида (С}+г С^-Я) /2еЭ будет добавлен в соотношение, выражающее У(0) = Уд Случай, когда Ео ~ Е2о, <2 = 0 не является стационарным состоянием, потому что распределение заряда в этот момент представляет собой дипольный слой, состоящий из находящегося на поверхности положительного слоя и находящегося в глубине более толстого отрицательного слоя. Как показано на вставке рис. 1.5 (а), У (г) = 0 при г ~ г, а не на поверхности образца, где потенциал Уз положительный. Утверждение, что значение Е2с очень близко к Етах [1] и значительно меньше, чем Е2о , было подтверждено экспериментально (см. например [6,7]). На рис. 1.5 (б) показаны экспериментальные данные, полученные на ПММА, БЮ2, Л1203 и АТаС1 [6], а линии соответствуют результаты, рассчитанные по 1.8. Экспериментальные значения критической энергии Е2с, лежащие в диапазоне от 1,2 кэВ для ПММА до 2 кэВ для Азначительно меньше, чем энергия £20, ПРН <5=1-

Кроме того, в [6] была получена временная зависимость величины поверхностного потенциала Эти результаты показали, что существует две временные составля-

ющие зарядки: быстрая (десятки и сотни миллисекунд) и долговременная (несколько десятков секунд), которая возникает при приближении к стационарному состоянию. Изменение ДУ5 в течение короткого интервала времени т , при плотности падающего тока будет иметь вид:

(1.10)

£

Отсюда видно, что в начальный момент времени АУ$ изменяется линейно с т. Кроме того, присутствие множителя (1 - {5 +-ц)) в (1.10) объясняет более быстрое изменение АУ3, когда начальная энергия пучка Е0 становится большей, чем энергия Ею-

Рис. 1.6. (а) Сценарий изменения плотности заряда в образце при постоянном потоке в моменты времени ть т2, Тз. Отмечено уменьшение вследствие внешнего замедления первичных электронов, (б) Внутреннее распределение заряда накопленного в течении облучения: dQ+dz и dQ^dz. Постепенное накопление отрицательного заряда в нижнем слое с положительным зарядом вызывает то, что инвертирующая точка смещается в интервале [0; г]. В точке I потенциал V(z) = V(I) имеет минимум, а потенциальная энергия электрона qV{z) имеет максимум, поэтому возникающие вторичные электроны, ниже 7, не могут преодолеет этот барьер и выйти в вакуум, что приводит к уменьшению коэффициента ВЭЭ. Изменение направления электрического поля (пустые стрелки) усиливают этот эффект. Масштаб V(z) искажен, чтобы показать минимум АУ — Vs — V(I): Vs может быть несколько кВ, при АУ в несколько вольт, что мешает выходу ВЭ.

При энергии Еь электрона, лежащей между Е2с и Е2о, может наблюдаться отрицательная зарядка, соответствующая тому случаю, когда коэффициент вторичной электронной эмиссии больше единицы и отрицательное электрическое поле выталкивает вторичные электроны, возникшие на поверхности. Возможный механизм, объясняющий это явление, показан на рис. 1.6. Этот рисунок показывает изменение отрицательной и положительной плотности зарядов в образце при облучении.

При любых постоянных временных интервалах г приращения отрицательного заряда Д<5_/5" постоянно АС^^/Б = (1 — г]) т, но его плотность по глубине уменьшается, потому что первичные электроны замедляются, что уменьшает их глубину проникновения Я. Плотность положительного заряда АС}+/3 возрастает пропорционально ]06т, но он локализован в приповерхностной зоне толщиной г. Последовательное накопление отрицательного заряда приводит к зависимости от времени потенциала и внутренних полей в образце. При облучении энергия прилета электрона на образец уменьшается со временем. Своеобразное сжатие отрицательного заряда к поверхности, приводит к повышению концентрации его в слое положительного заряда, что приводит

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Татаринцев, Андрей Андреевич, 2013 год

Литература

1. Cazaux J. Secondary electron emission and charging mechanisms in Auger Electron Spectroscopy and related e-beam techniques //J- Electron Spectrosc. Rel. Phenom. — 2010. — V. 58. — P. 176. — doi:10.1016/j.elspec.2009.06.004.

2. Henke B.L., Liesegang J., Smith S.D. Soft-x-ray-induced secondary-electron emission from semiconductors and insulators: Models and measurements // Phys. Rev. B. — 1979. — V. 19(6). — P. 3004.

3. Whetten N.R. Cleavage in high vacuums of alkali halide single crystals-secondary electron emission // J. Appl. Phys. — 1964. — V. 35. — P. 3279.

4. Cazaux J. E-induced secondary electron emission yield of insulators and charging effects. //J. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. — 2006. — V. 244. — P. 307.

5. Jbara O., Fakhfakh S., Belhaj M., Cazaux J., Rau E.I., Filippov M.N., Andrianov M.V. A new experimental approach for characterizing the internal trapped charge and electric field build up in ground-coated insulators during their e-irradiation // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research. — 2002. — V. 194. — P. 302-310.

6. Pay Э.И., Евстафьева E.H., Андрианов M.B. Механизм зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий // ФТТ. — 2008. — Т. 50. — В. 4. — С. 599.

7. Rau E.I. Fakhfakh S., Andrianov M.V., Evsafeva E.N., Jbara 0., Rondot S., Mouze Z. Second crossover energy of insulating materials using stationary electron beam under normal incidence // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. — 2008. — V. 266. P. 719-729.

8. Touzin M., Goueriot D., Treheux D., Fitting H.-J. Electron Beam Charging of Insulators - a Selfconsistent Flight-Drift Model // J. Appl. Phys. — 2006. — V. 99. — P.114110.

9. Meyza X., Goeuriot D., Guerret-Piecourt C., Treheux D., Fitting H.-J. Secondary Electron Emission and Self-consistent Charge Transport and Storage in Bulk Insulators: Application to Alumina //J. Appl. Phys. — 2003. — V. 94. — P. 5384.

10. Klein C.A. // J. Appl. Phys. — 1968. — V. 39. - P. 2029.

11. Wei-Qin Li, Kun Mu, Rong-Hou Xia. Self-consistent charging in dielectric films under defocused electron beam irradiation // Micron. — 2011. — V. 42. — P. 443-448.

12. M. Yasuda, K. Morimoto, Y. Kainuma, H. Kawata, Y. Hirai. Analysis of Charging Phenomena of Polymer Films on Silicon Substrates under Electron Beam Irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. — 2008. — V. 47. — P. 4890-4892.

13. Wei-Qin Li, Hai-Bo Zhang. The surface potential of insulating thin films negatively charged by a low-energy focused electron beam // Micron. — 2010. — V. 41. — P. 416-422.

14. Liu W., Ingino J., Pease R.F. Resist charging in electron beam lithography //J. Vac. Sci. Technol. — 1995. — V. 13(5). — P. 1979-1983.

15. Bai M., Pease R. F. W., Tanas C., McCord M. A., Picard D. S., Meisburger D. Charging and discharging of electron beam resist films // J. Vac. Sci. Techn. B. — 1999. — V. 17(6). — P. 2893-2897.

16. Lee J., Jeong Т., Yu S., Jin S., Heo J., Yi W., Jeon D., Kim J.M. Thickness effect on secondary electron emission of MgO layers // Appl. Surface Sci. — 2001. — V. 174. P. 62-69.

17. Под ред. JI.C. Новикова // Модель космоса, Т. II, М. Издательство «КДУ>, 2007

18. Г.И. Скапави // Физика диэлектриков (Область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1958, 907 с

19. В. Франц // Пробой диэлектриков. М. Изд. Иностранной литературы, 1961

20. Austen E.W., Whitehead S. // Proc. Roy. Soc., Ser. A. — 1940. — V. 176. — P. 33.

21. Z.G. Song, C.K. Ong, H. Gong A time-resolved current method for the investigation of the charging ability of insulators under electron beam irradiation //J. Appl. Phys. — 1996. — V. 79. — P. 7123.

22. Gong H., Song Z.G., Ong C.K. Space-charge dynamics of polymethylmethacrylate under electron beam irradiation // J. Phys.: Condens. Matter — 1997. — V. 9. P. 5027-5031.

23. Ong C.K., Song Z.G., Gong H. Dynamics aspects of the charging behaviour of polymers under focused electron beam irradiation // J. Phys.: Condens. Matter — 1997. — V. 9. — P. 9289-9298.

24. Askri В., Renoud R., Raouadi K., Ganachaud J-P. Determination of the evolution of the surface potential of a charging insulator by measuring the intensity of its X-ray characteristic peaks // Eur. Phys. J. Appl. Phys. — 2005. — V. 32. — P. 29-36.

25. Askri В., Raouadi K., Renoud R., Yangui B. Time dependence of secondary electron yield and of surface potential during charging of amorphous silica target // Journal Of Electrostaitcs. — 2009. — V. 67. — P. 695-702.

26. Chen H., Gong H., Ong C.K. The charging behavior and internal electric field of PMMA irradiated by a kiloelectronvolt electron beam // J. Phys.: Condens. Matter. — 1995. — V. 7. — P. 1129-1137.

27. Chen H., Gong H., Ong C.K. Determination of charge distribution volume in electron irradiated insulators by scanning electron microscope //J. Appl. Phys. — 1995. — V. 78. — P. 3714.

28. Lu T.J., Sessler G.M. // IEEE Trans. Electr. Insul. — 1991. — V. 26. — P. 228.

29. Yang G.M., Sessler G.M. Radiation-induced Conductivity in Electron-beam Irradiated Insulating Polymer Films // IEEE Trans. Electr. Insul. — 1992. — V. 27. — P. 843-848.

30. Wintle H.J. // IEEE Trans. Electr. Insul. — 1977. — EI-12. — P. 97.

31. Oliveira O.N., Ferreira G.F.L. Electron transport in corona charged 12 mm Teflon FEP with saturable deep traps // Appl. Phys. A. — 1987. — V. 42. — P. 213.

32. Arkhipov V.I., Rudenko A.I., Sessler G.M. Space-Chargc Distribution in Electron-Beam Charged Dielectrics // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1991. — V. 24. — P. 731.

33. H. Gong, T.J. Lu, C.K. Ong // J. Appl. Phys. — 1994. — V. 76. — P. 1352.

34. J.T.L. Thong // Electron Beam Testing Technology, Plenum Press, New York, 1993.

35. Pay Э.И., Гостев A.B., Евстафьева E.H., Орликовский H.A., Татаринцев А.А., Трубицын А.В. // Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности. Санкт-Петербург. 2011. стр. 285.

36. N.A. Orlikovsky, E.I. Rau, A.A. Tatarintsev // Int. conf. on Micro- and Nano-Engineering, Berlin. 2011, (book of Abs. p. 77, P-MEMS-005).

37. E.I. Rau, E.N. Evstafjeva, A.A. Tatarintsev // Proc. 15-th European Microscopy Congress. Manchester. — 2012. — V. 2. — P. 103.

38. E.H. Евстафьева, M.H. Князев, Э.И. Pay, A.A. Татаринцев, // Росс. симп. по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. — 2012 г. — С. 276.

39. Belhaj М., Jbara О., Filippov M.N., Rau E.I., Andrianov M.V. Analysis of two methods of measurement of surface potential in SEM: electron spectroscopy and X-ray spectroscopy methods // Appl. Surf. Science. — 2001. — V. 177. — P. 58-65.

40. Askri В., Renoud R., Ganachaud J.P. 11 Eur. Phys. J. Appl. Phys. — 2005. — V. 32. — P. 29.

41. Евстафьева E.H., Плиес Э., Pay Э.И., Сеннов P.A., Татаринцев А.А., Фрейнкмен Б.Г. Методические аспекты электронно-зопдовых исследований процессов зарядки диэлектрических мишеней // Известия РАН. Серия физическая. — 2010. — N. 74. — С. 102.

42. Милеев В.Н., Новиков JI.C., Евстафьева Е.Н., Pay Э.И., Сеннов Р.А., Татаринцев А.А. // Межвуз. науч. шк. молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине». — 2009 г., Москва.

43. Воробьев В.А., Фрейнкман Б.Г. // Электрон, техника. Сер. 4 — 1979. — N 7. — С.81.

44. Гринберг Г.А. Избранные вопросы математической теории электричества и магнитных явлений // М. Физматгиз. — 1948. — С. 252.

45. Фрейнкман Б.Г. // ЖТФ. — 1987. — Вып. 3. — С. 522.

46. Joy D.C. Control of charding in low-voltage SEM // Scanning. — 1989. — V. 11. — P. 1-4.

47. Bauer H.E., Seiler H. Determination of the non-charging electron beam energies of electrically floating metal samples // Scanning Electron Microsc. — 1984. — V. III. — P. 1081.

48. Reimer L., Golla U., Bongeler R., Kassens M., Schindler В., Senkel R. Charging of bulk specimens, insulating layers and free-supporting films in SEM // Optik. — 1992. — V. 92. — P. 14.

49. Seah M.P., Spenser S.J. // J. Electr. Spectrosc. Rel. Phenomena. — 2000. — V. 109. — P. 291-308.

50. Sugiyama N., Ikeda S., Ushikawa Y. Low voltage SEM inspection of micro-electronic devices //J. Electr. Microscopy. — 1986. — V. 35. — P. 9-18.

51. Ishibashi Y., Kodama Т., Oiwa H., Uchikaw H. Analysis of electron range versus energy relationship of insulators in low-voltage scanning electron microscopy // Scanning. — 1992. — V. 14(4)."— P. 219-223.

52. Seiler H. Secondary electron emission in the scanning electron microscope //J. Appl. Phys. — 1983. — V. 54. — R1-R18.

53. Joy D. A model for calculating secondary and backscattered electron yields// J. Microscopy. — 1987. — V. 147. — N. 1. - P.51-64.

54. Lin Y., Joy D.C. A new examination of secondary electron yield data // Surface and Interface Analysis. — 2005. — V. 37. — P. 895.

55. Yong Y.C.,. Thong J.T.L, Phang J.C.H. Determination of secondary beam yield from insulators due to a low-kV electron beam //J. Appl. Phys. — 1998. — V. 84. — P. 4543-4548.

56. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М. Наука. — 1969. — 407с.

57. Neubert G., Rogaschewski S. Backscattering coefficient measurements of 15 to 60 keV electrons for solids at various angles of incidence // Phys. Stat. Sol.(a). — 1980. — V. 59. — P. 35.

58. Hunger H., Kuchler L. Measurements of the electron backscattering coefficient in the energy range of 4 to 40 keV // Phys. Stat. Sol.(a). - 1979. - V. 56. — P. 45-48.

59. Гостев A.B., Дицман C.A., Лукьянов Ф.А., Орликовский Н.А., Pay Э.И., Сеннов Р.А. Метод и аппаратура электронной микротомографии в сканирующей электронной микроскопии //Приборы и техника эксперимента. — 2010. — N 4. — С. 124-134.

60. Pay Э.И., Дицман С.А., Зайцев С.В., Лермонтов Н.В., Лукьянов А.Е., Купреенко С.Ю. Анализ формул для расчета основных характеристик отраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами // Известия РАН. Серия физическая. — 2013. — Т. 77. — С. 1050.

61. Rettig R., Kassens М., Reimer L. Measurement of specimen charging in SEM with a Kelvin probe // Scanning. — 1994. — V. 16. — P. 221-226.

62. Cazaux J. Some considerations on the secondary electron emission, delta, from e^ irradiated insulators // J. Appl. Phys. — 1999. — V. 85(2). — P. 1137-1147.

63. Palov A., Rjjii H., Hiro S. // Jpn. J. Appl. Phys. — 1998. — V. 37. - P. 6170-6176.

64. Pay Э.И., Татаринцев A.A. // Росс. симп. по рассгровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, г. Черноголовка. — 2011. — С. 64.

65. Татаринцев А.А. // Конф. молодых ученых «Физико-химия и технология неорганических материалов». г. Москва. — 2011. — С. 637.

66. Melchinger A., Hofmann S. Dynamic double layer model: Description of time depending charging phenomena in insulators under electron beam irradiation //J. Appl. Phys. — 1995. — V. 78. — P. 6244-6232.

67. Blaise G., Pesty F., Garoche P. The secondary electron emission yield of muscovite mica: Charging kinetics and current density effects// J. Appl. Phys. — 2009. — V. 105. — P. 034101.

68. Temga Т., Juve D., Treheux D., Guerret-Piecourt C., Jardin C. Conduction and trapping of electric charges in an anisotropic material after irradiation with an electron beam: application to ТЮ2 single-crystal //Nucl. Instr. Methods in Phys. Research. — 2006. — V. 245. — P. 519.

69. Oliveira L.N., Gross B. Space-charge-limited currents in electron-irradiated dielectrics // J. Appl. Phys. — 1975. — V. 46. — P. 3132-3138.

70. Aris F.C., Daves P.M., Lewis T.J. // J. Phys. C: Sol. State. Phys. — 1976. — V. 9. — P. 797-808.

71. Pay Э.И.,. Евстафьева E.H, Зайцев С.И.,. Князев M.A, Свинцов A.A, Татаринцев A.A. Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии // Микроэлектроника. — 2013. — Т. 42. — N 2. — С. 116.

72. Evstafeva E.N., Knjazev М.А., Rau E.I., Svintsov A.A., Tatarintsev A.A., Zaitsev S.I. // Межд. конф. Микро- и наноэлектроника, г. Звенигород, 2012. — С. 2-25

73. Князев М.А., Pay Э.И., Свинцов А.А., Татаринцев А.А., Зайцев С.И. // XVIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. — г. Черноголовка, 2013 г. — С. 116.

74. Boubaya М., Blaise G. Charging regime of PMMA studied by secondary electron emission / / Eur .Phys. J. Appl. Phys. - 2007. — V. 37. — P. 79.

75. Ко Y.U., Joy D.C. // Proc. SPIE. — 2001. — V. 4344. - P. 544-551.

76. Борисов C.C., Грачев E.A., Негуляев H.H., Черемухин Е.А., Зайцев С.И. Моделирование поляризации диэлектрика в процессе облучения электронным пучком // Прикладная физика. — 2004. — N. 1. — С. 118-123.

77. Inai К., Ohya К., Kuwada Н., Kawasaki R., Saito М., Fujihara К., Hayashi Т. // Proc. SPIE. — 2008. — V. — 7141-7148.

78. Evstafjeva E.N., Knjazev M.A., Rau E.I., Svintsov A.A., Tatarintsev A.A., Zaitsev S.I. // Book of abstract (ICMNE-2012), Moscow-Zvenigorod 2012, p. P2-25.

79. Kotera M., Suga H. A simulation of keV electron scatterings in a charged-up specimen //J. Appl. Phys. — 1988. — V. 63. — P. 261-268.

80. Сканави Г.И., Физика диэлектриков (Область сильных полей). М.: ГИФМЛ. — 1958. — 907с.

81. FYank L., Zadrazil М., Mullerova I. // Microchim. Acta. — 1996. — V. 13. — P. 289.

82. Joy D.C., Joy C.S. Low voltage scanning electron microscopy // Micron. — 1996. — V. 27. — P. 247.

83. Toth M., Phillips M.R., Thiel B.L., Donald A.M. Electron imaging of dielectrics under simultaneous electron-ion irradiation // J. Appl. Phys. — 2002. — V. 91. — P. 4479.

84. Tang X., Joy D.C. A novel technique for visualizing electron beam induced charging // Scanning. — 2004. — V. 26. — P. 226.

85. Cazaux J. On some contrast reversals in SEM: Application to metal/insulator systems // Ultramicroscopy. — 2008. — V. 108. — P. 1645.

86. Pay Э.И., Татаринцев A.A. Контраст изображений локально заряженных диэлектриков в растровой электронной микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. —2012. — N. 11. — С. 47-54.

87. Cazaux J. Material contrast in SEM: Fermi energy and work function effects // Ultramicroscopy. —

2010. — V. 110. — P. 242-253.

88. Staub P.-F. Bulk target backscattering coefficient and energy distribution of 0.5-100 keV electrons: an empirical and synthetic study // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1994. — V. 27. — P.1533.

89. Орликовский H.A., Pay Э.И. Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии и микротомографии // Изв. РАН. Сер. физ. —

2011. - Т. 75. - С. 1305.

90. Евстафьева Е.Н., Pay Э.И., Сеннов Р.А. Некоторые аспекты кинетики зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками с энергией 1-50 кэВ // Изв. РАН. Сер. физич. — 2008. — Т. 72. — N. 11. - С. 1577.

91. Ganachaud J.P., Mokrani A. Theoretical study of the secondary electron emission of insulating targets // Surface Sci. - 1995. — 334. - P. 329.

92. J. Cazaux // Appl. Surface Science. — 2010. — V. 75. — P. 1002.

93. Liebault J., Vallayer J., Gocuriot D. et al. // J. Europ. Ceramic. Soc. — 2001. — V. 21. — P. 389.

94. Boughariou A., Blaise G., Braga D., Kallel A. Charge dynamics of MgO single crystals subjected to keV electron irradiation // J. Appl. Phys. — 2004. — V. 95. — P. 4117.

95. Cornet N., Goeuriot D., Guerret-Piecourt C., Juve D., Treheux D., Touzin M., Fitting H.-J. Electron Beam Charging of Insulators with Surface Layer and Leakage Currents //J. Appl. Phys. 2008. — V. 103. — P. 064110-064113.

96. Jbara O., Fakhfakh S., Belhaj M., Rondot S. Charge implantation measurement on electron-Irradiated insulating materials by means of a SEM technique // Microscopy and Microanalysis. — 2004. — V. 10. — P. 697-710.

97. Blaise G., Le Gressus C. Charging and flashover induced by surface polarization relaxation process // J. Appl. Phys. - 1991. - V. 69. - P. 6334.

98. Евстафьева E.H., Pay Э.И., Татаринцев A.A. Объяснение некоторых противоречий в трактовке динамики зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения // Вестник МГУ. Серия 3. Физика и астрономия. — 2013. — N. 2. — С. 34-37.

99. RauE.I., EvstafevaE.N., Tatarintsev A.A. The reason of distinction of experimental values of dielectrics electron-beam charging times, 15-th European Microscopy Congress. — Manchester, Uk. 2012. — P. 103.

100. Гостев A.B., Евстафьева E.H., Pay Э.И., Татаринцев A.A. Возможные причины противоречий в определении некоторых параметров зарядки диэлектрических мишеней // XVIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим метолам исследования твердых тел. — Черноголовка, 2013. — С. 88.

101. Ю.Я. Томашпольский. Аналитическая вторично-электронная эмиссиометрия. М.: Научный мир. — 2006. — 108с.

102. Лукьянов Ф.А., Pay Э.И., Сеннов Р.А. Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях // Известия РАН, серия физическая. — 2009. — Т. 73. — N. 4. — С. 463-472.

103. Schwarz S. A. Application of semi-empirical sputtering model to secondary electron emission //J. Appl. Phys. - 1990. - V. 68. - P. 2382-2391.

104. Reimer L. Image Formation in Low-Voltage Scanning Electron Microscopy // SPIE Press. Washington. — 1993. — P. 144.

105. Rau E.I., Evtafjeva E.N., Scnnov R.A., Plies E. Considerations of some charging effects on dielectrics by electron beam irradiation // Proc. 14th Eur. Microscopy Congress (Aachen). Berlin: Springler-Vcrlag. - 2008. - V. 1. - P. 607.

106. R. Renoud, C. Attard, J.-R. Ganachaud et al. // J. Phys: Condes. Matter. — 1995. — V. 10. — P. 5821.

107. Renoud R., Mady F., Ganachaud J.-P. // J. Phys: Condens. Matter. — 2002. — V. 14. — P. 231.

108. Vallayer В., Blaise G., Treheux D. Space charge measurement in a dielectric material after irradiation with a 30 kV electron beam: Application to single-crystals oxide trapping properties // Rev. Sci. Instr. - 1999. — V. 70. - P. 3102.

109. Belhaj M., Tondu Т., Inguimbert V. Effect of the incident electron fluence on the electron emission yield of polycrystalline A1203// Appl. Surface Science. — 2011. — V. 257. — P. 4593-4596.

110. Иржак Д.В., Коханчик Л.С., Пунегов Д.В., Рощупкип Д.В.Изучсние особенностей кристаллов ниобата лития вблизи доменных границ // Физика твердого тела. — 2009. — Т. 51, выпуск 7. — С. 1412-1414.

111. Коханчик Л.С., Иржак Д.В. Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами // Физика твердого тела. — 2010. — Т. 52, выпуск 2. — С. 285-289.

112. Коханчик Л.С., Бородин М.В., Шандаров С.М., Буримов Н.И., Щербина В.В., Волк Т.Р. Периодические доменные структуры, сформированные электронным лучом в пластинах LiNb03 и планарных волноводах Ti:LiNb03 Y-ориентации // Физика твердого тела. — 2010. — V. 52. — Р. 1602.

113. Емелин Е.В., Ильин А.И., Коханчик Л.С. Запись доменов электронным лучом на поверхности +Z-cpe30B ниобата лития // Физика твердого тела. — 2013. — Т. 55, выпуск 3. — С. 489.

114. Коханчик Л.С., Пономарёв Б.К. Изменение состояния поверхности сегнетоэлектрических доменов при облучении электронами в РЭМ // Известия РАН, сер. Физическая. — 2005. — V. 69. — N. 4. — С. 454.

115. Sogr A., Maslovskaya A., Kopylova I. Advanced modes of imaging of ferroelectric domains in the SEM // Ferroelectrics. — 2006. — V. 341. — P. 29.

©