Эволюция электронной структуры переходных металлов и квазикристаллов при окислении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Рогалёв, Виктор Алексеевич

• Рогалёв, Виктор Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рогалёв, Виктор Алексеевич

Введение.

I. Электронная структура твердых тел.

1.1 Электронная структура гафния и окислов гафния: теоретические данные и экспериментальные исследования.

1.2 Электронная структура титана и окислов титана: теоретические данные и экспериментальные исследования.

1.3 Электронная структура тантала и его окислов: теоретические данные и экспериментальные исследования.

II. Квазикристаллы: краткое описание, некоторые физические свойства.

2.1 Особенности электронной структуры икосаэдрических квазикристаллов.

2.2 Электронная структура икосаэдрических квазикристаллов системы А1СиРе: теоретические данные и экспериментальные исследования.

2.3 Электронная структура икосаэдрических квазикристаллов системы Тл2г№: теоретические данные и экспериментальные исследования.

III. Методы исследования электронной структуры твердых тел.

3.1 Методы вторичной электронной эмиссионной спектроскопии.

3.2 Метод фотоэлектронной спектроскопии для изучения электронной структуры твердых тел.

3.3 Некоторые особенности синхротронного излучения.

3.4 Метод спектроскопии характеристических потерь энергии электронов для изучения электронной структуры твердых тел.

IV. Методика измерений и обработки результатов.

4.1 Образцы переходных металлов и квазикристаллов.

4.2 Станции фотоэлектронной спектроскопии.

4.2.1 Станция ФЭС КЦСИ.

4.2.2 Станция ФЭС на российско-германской линии RGB, BESSY, Берлин.

4.2.3 Станция 4.1 фотоэлектронной спектроскопии, МАХ-ЬаЬДЦвеция.

4.3 Методика измерений и обработки результатов.

V.Основные результаты исследований. Фотоэлектронные спектры и спектры ХПЭЭ некоторых переходных металлов и их окислов.;".

5.1 Фотоэлектронные спектры и спектры ХПЭЭ металлического

Hf, а также Hf при различных дозах окисления.

5.1.1 Фотоэлектронные спектры поверхности металлического гафния.

5.1.2 Фотоэлектронные спектры поверхности гафния при различных дозах окисления.

5.1.3 Разложение фотоэлектронных спектров 4f уровней.

5.1.4 Поиск резонанса вблизи порога возбуждения уровня Hf 5р.

5.1.5 Спектры ХПЭЭ поверхности гафния при различных дозах окисления.

5.2 Фотоэлектронные спектры и спектры ХПЭЭ металлического Ti, а также Ti при различных дозах окисления.

5.2.1 Фотоэлектронные спектры чистой поверхности металлического титана при различных энергиях фотонов.

5.2.2 Фотоэлектронные спектры титана при различных дозах окисления.

5.2.3 Спектры характеристических потерь энергии электронов поверхности титана при различных дозах окисления.

5.3 Фотоэлектронные спектры металлического Та, а также Та при различных дозах окисления.

5.3.1 Обсуждение результатов исследований электронной структуры гафния, титана и тантала.

VI. Фотоэлектронные спектры и спектры ХПЭЭ квазикристаллов.

6.1 Квазикристаллы системы AlCuFe.

6.1.1 Фотоэлектронные спектры.

6.1.2 Поиск резонансного возбуждения вблизи А12р, Fe2p и Си2р порогов поглощения.

6.1.3 Спектры ХПЭЭ.

6.2 Квазикристаллы системы i-TiZrNi.

6.2.1 Фотоэлектронные спектры.

6.2.2 Спектры ХПЭЭ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эволюция электронной структуры переходных металлов и квазикристаллов при окислении»

Исследование процессов, происходящих на поверхности различных материалов, является важной задачей в физике поверхности, материаловедении и во многих современных технологических процессах [1,2]. Среди различных поверхностных процессов, особый интерес вызывает процесс взаимодействия чистой поверхности материала с кислородом, т.к. он играет основную роль при взаимодействии материала с окружающей средой. В последнее время находятся все более широкие применения для таких переходных металлов, как гафний, титан, тантал и различных соединений на их основе, а также ряда квазикристаллов. Все переходные металлы относятся к подгруппе (¿-металлов и имеют в валентной зоне ё-электроны. Было бы интересно изучить, как проявляются свойства ё-металлов при окислении чистых поверхностей переходных металлов, а также сравнить между собой процессы окисления различных переходных металлов.

В последние несколько лет развитие компьютерных технологий потребовало использование новых материалов для дальнейшего научно-технического прогресса. В частности, диоксид кремния в качестве изолирующего материала в микроэлектронике при изготовлении МОП-структур (см. рис. 1.1) уже не способен обеспечить необходимые значения токов утечек при дальнейшем увеличении плотности элементов интегральных микросхем. В качестве нового изолирующего материала рассматривались различные оксиды с высоким значением диэлектрической проницаемости: Та205, ТЮ2, гг02, НЮг и др. Диоксид гафния оказался наиболее приемлемым материалом, т.к. он обладает высокой диэлектрической проницаемостью и наибольшей термодинамической стабильностью на кремниевой подложке при различных температурах [3 -5].

Gate Electrode

Gate Oxide

Source Drain

Silicon

Рис. 1.1. Схематическое изображение структуры Металл-Оксид-Полупроводник (МОП).

Константа диэлектрической проницаемости диоксида гафния имеет значение к(НЮ2) ~ 15-28 [6], в то время как у диоксида кремния к(8Ю2) ~ 3,9 [7]. Эти обстоятельства, а также то, что ширина запрещенной щели оксида гафния составляет величину порядка 5,7 эВ [8,9], обуславливают применение тонких слоев оксида гафния в качестве нового изолирующего диэлектрического слоя в современной микроэлектронике [ 10 ]. Гафний также широко используется в атомной промышленности и при изготовлении прецизионных сплавов.

Титан широко применяется в различных областях науки и техники. Хорошо известны «геттерные способности» титана, используемые при изготовлении сверхвысоковакуумных насосов. Открытие фотокаталитических свойств диоксида титана [11], а впоследствии его роли в эффекте сильного взаимодействия металл-подложка (8М81) [12,13], стимулировало устойчивый интерес к исследованиям электронных свойств как идеальных, так и содержащих дефекты поверхностей, а также к пониманию взаимодействия таких поверхностей с адсорбированными молекулами. Диоксид титана используется в технологии изготовления электронных чернил, которая является ключевой в производстве электронных книг [14].

Переходные металлы входят в состав многих квазикристаллов - новых перспективных материалов [15]. Квазикристаллы — это материалы, имеющие оси симметрии запрещенного в классической кристаллографии порядка. Они обладают уникальным набором физико-химических свойств, который сулит многочисленные применения в современных технологиях. Предполагается использование квазикристаллов в антифрикционных покрытиях, металлогидридных системах хранения водорода, в качестве армирующего наполнителя для металлических композиционных материалов на основе легких сплавов и в других областях, в том числе в качестве антикоррозионных и антипригарных покрытий [16].

Одним из основных факторов, определяющих физико-химические свойства вещества, является его электронная структура, т.е. распределение электронных состояний по энергетическим уровням вещества [17]. Зная электронную структуру материала можно многое сказать о его различных физических свойствах. Кроме того, поскольку использование материалов в различных технологических процессах предполагает их контакт с окружающей средой, то важно знать, как изменяется их электронная структура при взаимодействии с кислородом, а также каким образом происходит образование окислов на поверхности. Кроме того, представляет интерес сравнить процессы окисления различных переходных металлов и квазикристаллов.

В качестве объектов исследований были выбраны поликристаллические образцы переходных металлов - гафния, титана и тантала, а также образцы икосаэдрических квазикристаллов Тл^^г^^М^, А^Си^ен и образцы ш-фазы такого же состава, что и квазикристаллы системы ьА1СиРе.

Основной целью проведенной работы являлось экспериментальное изучение электронной структуры чистых поверхностей титана, гафния и тантала и ряда квазикристаллов систем ьА1СиРе и ьТ^гМ, а также исследование изменений в электронной структуре этих материалов при окислении при комнатной температуре. Для достижения этой цели были сформулированы следующие задачи исследований:

1. Экспериментальное исследование электронной структуры чистых поверхностей титана, гафния и тантала, а также квазикристаллов в условиях сверхвысокого вакуума при различных энергиях фотонов в широком диапазоне от 20 эВ до 1,3 кэВ и различных углах эмиссии.

2. Экспериментальное исследование электронной структуры титана, гафния и тантала при различных степенях окисления их поверхностей и различных энергиях фотонов.

3. Выявление общих закономерностей процессов окисления титана, гафния и тантала.

4. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхностей образцов квазикристалла и кристаллической со-фазы одинакового состава АЦзСизгРеи.

5. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности образца квазикристалла состава Ti41.5Zr41.5Ni17 при различных степенях окисления поверхности при различных энергиях фотонов и углах эмиссии.

Для выполнения поставленных в данной работе задач в качестве основного метода экспериментальных исследований были выбраны методы фотоэлектроннойчспектроскопии (ФЭС) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ). Получить данные об электронной структуре можно различными методами, но в случае исследования процессов окисления поверхностей необходимо использовать поверхностно-чувствительные методы анализа. Одним из наиболее информативных ; поверхностно-чувствительных методов является метод ФЭС [18]. Этот метод позволяет получить информацию о заполненных электронных состояниях вещества. Применение метода ФЭС в комбинации с методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов СХПЭЭ [19] может дать информацию, как о заполненных электронных состояниях образца, так и о свободных электронных состояниях, лежащих выше уровня Ферми.

Научная новизна проведенных исследований.

1. Впервые в фотоэлектронных спектрах валентной зоны образца металлического гафния зарегистрированы два пика, позволяющие сделать вывод о положении основных особенностей ё-зоны в валентной зоне.

2. Впервые в фотоэлектронных спектрах поверхности титана различных стадий окисления наблюдались пики при энергии связи 30,6 эВ, 31,6 эВ, и 3,6 эВ, объясненные образованием на поверхности субоксида титана, у которого уровень Ферми находится вблизи дна запрещенной зоны.

3. Впервые методами фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов исследована валентная зона квазикристалла Т^^г^^К^у и определено положение с1-электронных состояний титана, циркония и никеля в валентной зоне этого квазикристалла.

4. Проведены сравнительные исследования фотоэлектронных спектров А1б5Си22ре13 квазикристаллической фазы и кристаллической со-фазы. Для квазикристаллической фазы обнаружено увеличение нормированной плотности БеЗс! состояний и резонансное увеличение интенсивности фотоэмиссии вблизи Бе2р порога поглощения.

Достоверность представленных результатов обеспечивается тем, что при проведении экспериментов использовалось современное исследовательское оборудование (спектрометры, энергоанализаторы, датчики давления и др. оборудование), предварительно откалиброванное. Калибровка фотоэлектронных спектров проводилась по уровню Ферми. Результаты проведенных экспериментов, в основном, согласуются с экспериментальными результатами ряда других авторов при их наличии.

Научная и практическая ценность.

Результаты, представленные в настоящей диссертации, важны для дальнейшего развития и систематизации представлений об электронной структуре переходных металлов, квазикристаллов и ее изменения в процессе окисления. Полученные в работе формы спектров и значения энергий связи различных энергетических уровней образцов переходных металлов и квазикристаллов могут быть использованы в качестве референтных в технологических процессах. Проведенные исследования будут способствовать решению задачи создания на основе переходных металлов и квазикристаллов новых функциональных материалов с различными свойствами.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Определены плотность электронных состояний в валентной зоне и энергии связи остовных энергетических уровней для металлических образцов гафния, титана и тантала при комнатной температуре, а также для этих же образцов при различных степенях окисления поверхности.

2. Установлены корреляции между дозой окисления и наличием субоксидов для образцов гафния, титана и тантала. На начальном этапе процесс окисления всех исследованных образцов переходных металлов происходит с образованием промежуточных субоксидов. При больших дозах окисления изменения в электронной структуре образцов титана, гафния и тантала свидетельствуют о различных механизмах процесса окисления.

3. Обнаружены различия в электронной структуре образцов квазикристалла и со-фазы одинаковых составов А^Си^е^ : плотность БеЗс! электронных состояний в валентной зоне для квазикристалла выше, чем для со-фазы. Наблюдался эффект резонансного увеличения интенсивности фотоэмиссии вблизи Бе2р порога поглощения для квазикристалла.

4. Определены положения d-электронных состояний титана, циркония и никеля в валентной зоне квазикристалла Ti^^Zr^ sNiiy.

Личный вклад соискателя.

Автор лично принимал участие в экспериментах и обработке результатов экспериментов по изучению электронной структуры образцов переходных металлов и квазикристаллов на фотоэлектронной станции КЦСИ (Москва), российско-германской станции RGBL (Берлин) и фотоэлектронной станции 4.1 в Швеции. Постановка задач исследования проведена совместно с научным руководителем и соавторами опубликованных работ.

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка использованной литературы из 168 наименований литературных источников. Общий объем работы составляет 189 страниц и включает в себя 56 рисунков и 1 таблицу.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Рогалёв, Виктор Алексеевич

Заключение

В заключении перечислены основные результаты проведенных исследований.

1. Проведено экспериментальное исследование электронной структуры поверхностей образцов металлического гафния, титана и тантала при комнатной температуре методом ФЭС и СХПЭЭ. Впервые в фотоэлектронных спектрах валентной зоны свежеочищенного образца гафния были замечены два пика, позволяющие сделать вывод о положении основных особенностей (1-зоны металла в валентной зоне.

2. Проведено экспериментальное исследование изменений электронной I структуры поверхности образцов металлических гафния, титана и тантала при окислении различными дозами кислорода методами ФЭС и СХПЭЭ. Определены энергии связей различных энергетических уровней как металлических поверхностей образцов, так и окисленных различными дозами кислорода. Впервые в фотоэлектронных спектрах' поверхности титана с различными степенями окисления наблюдались пики при энергии связи 30,6 эВ, 31,6 эВ и 3,6 эВ которые обусловлены наличием в образце областей субоксида титана, у которого уровень Ферми находится вблизи дна запрещенной зоны.

3. Установлено, что окисление поверхностей металлов 11, Ш и Та на начальных этапах происходит с образованием субоксидов. По данным разложения 4f уровней гафния рост субоксидов наблюдался до дозы 10 Л кислорода, при дальнейшем увеличении дозы до 15 Л 02 происходил резкий спад содержания субоксидов в зондируемом слое. При больших дозах окисления изменения в электронной структуре образцов свидетельствуют о различиях в механизмах окисления.

4. Измерены спектры ФЭС и ХПЭЭ поверхностей образцов квазикристалла и со-фазы одинакового состава А^С^Ре^ и проанализированы их различия. Обнаружена большая нормированная плотность БеЗё-состояний у квазикристалла. Также в ходе проведенных исследований наблюдалось резонансное увеличение эмиссии валентной зоны квазикристалла вблизи Ре2р порога поглощения.

5. Впервые измерены фотоэлектронные спектры и спектры ХПЭЭ поверхности образца квазикристалла состава Т1415Zr4li5Nil7 при различных энергиях фотонов и углах эмиссии. Было определено положение с1-электронных состояний титана, циркония и никеля в валентной зоне этого квазикристалла. Также были измерены спектры ФЭС поверхности образца квазикристалла состава Ti41.5Zr41.5Ni17 при окислении чистым кислородом и определены изменения в электронной структуре данного квазикристалла при окислении.

По материалам диссертации в журналах, включенных ВАК РФ в перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, опубликованы следующие работы: ' .' ^

1. В. Г. Назин, М. Н. Михеева, Л. Л. Лев, В. А. Рогалёв, А. М. Брязкало, Д. С. Шайтура, Е. А. Чикина, С. Л. Молодцов, М. В. Пойгин. Исследования электронной структуры квазикристаллической системы А1-Си-Ре // Кристаллография. - 2007. - Т. 52. - № 6. - С. 1051 - 1057.

2. В. Г. Назин, М. Н. Михеева, Л. Л. Лев, В. А. Рогалёв, С. Л. Молодцов, М. М. Бржезинская. Исследования электронной структуры квазикристаллической системы Т^г-№ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2010. - № 11. - С. 70 - 75.

3. В. Г. Назин, М. Н. Михеева, Л. Л. Лев, В. А. Рогалёв. Исследования начальной стадии процесса окисления титана // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2011. - № 1. -С. 21 -24.

Автор работы выражает огромную благодарность своему научному руководителю к.ф.-м.н. Назину Валерию Георгиевичу за руководство и неоценимую помощь в работе, Михеевой М. Н., Льву Л.Л. и Цетлину М.Б. за всестороннюю помощь, консультации и полезные обсуждения, а также всему коллективу ЛИКФС ИСФТТ за разностороннюю помощь и длительное продуктивное сотрудничество.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рогалёв, Виктор Алексеевич, 2011 год

1. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма М. : Наука, 2006. - 490 С.2.3енгуил, Э. Физика поверхности / Э. Зенгуил. М. : Мир, 1990. - 536 С.

2. Lin, Y.-S. Dielectric property and thermal stability of НЮ2 on silicon / Y.-S. Lin, R. Puthenkovilakam, J.P. Chang // Appl. Phys. Lett. 2002. - V. 81. -No. 11. - Pp. 2041-2043.

3. Wilk, G. D. High-к gate dielectrics: Current status and materials properties considerations / G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony// J. Appl. Phys. -2001.-V. 89.-P. 5243.

4. Govindaraj, R. Atomic scale study of oxidation of hafnium: Formation of hafnium core and oxide shell / R. Govindaraj, C. S. Sundar, R. Kesavamoorthy // J. Appl. Phys. 2006.- V. 100.-P. 084318.

5. Fiorentini, V. Theoretical Evaluation of Zirconia and Hafnia as Gate Oxides for Si Microelectronics / V. Fiorentini and G. Gulleri // Phys. Rev. Lett. 2002. - V. 89. -P. 266101.

6. Robertson, J. Band offsets of wide-band-gap oxides and implications for future electronic devices / J. Robertson // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. - V. 18. - P. 1785.

7. Balog, M. Chemical vapor deposition and characterization of НЮ2 films from organo-hafnium compounds / Balog M., Schieber M., Michman M. and Patai S. // Thin Solid Films. 1977. - V. 41. - Issue 3. - Pp. 247-259.

8. Cho, D. Y. Influence of oxygen vacancies on the electronic structure of НЮ2 films / D.-Y. Cho, J. - M. Lee, S. - J. Oh, H. Jang, J. - Y. Kim, J. - H. Park and A. Tanaka // Phys. Rev. B. - 2007. - V.76. - P. 165411.

9. Tauster, S. J. Strong metal-support interactions. Group 8 noble metals supported on titanium dioxide / Tauster S. J., Fung S. C., Garten R. L.// J. Am. Chem. Soc. -1978.-V. 100.-No. l.-Pp. 170-175.

10. Sadeghi, H. R. Rh on Ti02: Model catalyst studies of the strong metal-support interaction / Sadeghi H. R., Henrich V. E. // Appl. Surf. Sci. 1984. - V. 19. - P. 330. ,

11. Lee, J. Y. Electrophoretic response of poly(methyl methacrylate) coated Ti02 nanoparticles / J. Y. Lee, J. H. Sung, I. B. Jang, B. J. Park, H. J. Choi // Synthetic Metals. 2005. - V. 153. - Pp. 221-224.

12. Suck, J. — B. Quasicrystals. An Introduction to Structure, Physical Properties and Applications Series / J-B. Suck, M. Schreiber, P. Haussler. Springer Series in Materials Science, 2002. - V. 55. - 561 p.

13. Dubois, J.-M. New prospects from potential applications of quasicrystalline materials / J.-M. Dubois // Materials Science and Engineering A. — 2000. — V. 294 296. - Pp. 4 - 9.

14. Ашкрофт, H. В. Физика твердого тела / H. В. Ашкрофт, Н. Д. Мермин. М. : Мир, 1979.-399 С.

15. Hufner, S. Photoelectron spectroscopy. Principles and applications / S. Hufner. -Springer, 2003. 669 P.

16. Шульмаи, A.P. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела / А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. М. : Наука, 1977. - 551 С.

17. Phillips, J. С. New Method for Calculating Wave Functions in Crystals and Molecules / Phillips J. C. and Kleinman L. // Phys. Rev.-1959.-V.116.-Pp.287-294.

18. Herring, C. A. New Method for Calculating Wave Functions in Crystals / C. A. Herring // Phys. Rev.-1940.-V.57.-No.l2.-Pp.l 169-1177.

19. Саврасов, С.Ю. Расчеты динамики решетки кристаллов из первых принципов / С.Ю. Саврасов, Е.Г. Максимов //УФН.-1995.-Т.165.-№7.-С.773-797.

20. Hohenberg, P. Inhomogeneous Electron Gas / P. Hohenberg, W.Kohn // Phys. Rev-1964.-V. 136.-Pp.B864-B871.

21. Kohn, W. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects / W. Kohn and L. J. Sham // Phys. Rev.-1965.-V.140.-Pp.Al 133-A1138.

22. Yeh, J.J. Atomic subshell photoionization cross sections and asymmetry parameters: 1 < z < 103 / J.J. Yeh and I. Lindau // Atomic Data and Nuclear Data Tables-1985.-V.32.-Pp.l—155.

23. Ahuja, R. Crystal structures of Ti, Zr, and Hf under compression: Theory / R. Ahuja, J. M. Wills, B. Johansson, O. Eriksson // Phys. Rev. B.-l993.-V.48.-P. 16269.

24. Russell, R. B. On the Zr-Hf System / R. B. Russell // J. Appl. Phys.-1953.-V.24.-P.232.

25. Jiang, H. Electronic band structure of zirconia and hafnia polymorphs from the GW perspective / H. Jiang, R. I. Gomez-Abal,P. Rinke and M. Scheffler // Phys. Rev. B. 2010. — V.81. - P.085119.

26. M. Griming, R. Shaltaf and G.-M. Rignanese// Quasiparticle calculations of the electronic properties of Zr02 and Hf02 polymorphs and their interface with Si, Phys. Rev. B. 2010. - V.81. - P.035330.

27. Mukhopadhay, A. B. First-principles calculations of structural and electronic properties of monoclinic hafnia surfaces / Mukhopadhay A. B., Sanz J. F., Musgrave C. B. // Phys. Rev. B. 2006. - V.73. - Pp.115330.1-7.

28. Chourasia, A. R. X-Ray Photoemission Study of the Oxidation of Hafnium / Chourasia A. R., Hickman J. L., Miller R. L., Nixon G. A. and Seabolt M. A. // International Journal of Spectroscopy-V.2009.-Article ID 439065.-6 pages.

29. Afanas'ev, V.V. Internal photoemission of electrons and holes from (100)Si into Hf02 / V.V. Afanas'ev, A. Stesmans, F. Chen, X. Shi, and S. A. Campbell // Appl. Phys. Lett.-2002.-V. 8l.-No.6.-Pp. 1053-1055.

30. Foster, A. S. Vacancy and interstitial defects in hafnia / A. S. Foster,F. Lopez Gejo,A. L. Shluger and R. M. Nieminen // Phys. Rev. B.-2002.-V. 65-Pp.174117.1-13.

31. Kukli, K. Atomic layer deposition of hafnium dioxide thin films from hafnium tetrakis(dimethylamide) and water / K. Kukli, T. Pilvi, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Lu, M. Leskela // Thin Solid Films.-2005.-V. 491 .-Pp.328-338.

32. Rastorguev, A. A. Luminescence of intrinsic and extrinsic defects in hafnium oxide films / A. A. Rastorguev, V. I. Belyi, T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina, M. V. Zamoryanskaya, V. A. Gritsenko and H. Wong // Phys. Rev. B.-2007-V. 76.-Pp. 235315.1-6.

33. Nyholm, R. Core level binding energies for the elements Hf to Bi (Z= 72-83) / R. Nyholm, A. Berndtsson and N. Martensson // J. Phys. C: Solid State Phys-1980-V. 13.-Pp. L1091-L1096.

34. Nyholm, R. Surface core level shift in polyciystalline hafnium / R. Nyholm and J.Schmidt-May // Journal of Physics C: Solid State Phys.-1984.-V. 17.-Pp. LI 13-L116.

35. Sarma, D.D. XPES studies of oxides of second- and third-row transition metals including rare earths / D.D. Sarma and C.N.R. Rao // J. Electron Spec. Relat. Phenom.-l980—V. 20.-Pp. 25^15.

36. Morant, C. An XPS Study of the Initial Stages of Oxidation of Hafnium / C. Morant, L. Galan, and J.M. Sanz // Surface and Interface Analysis.-1990.-V. 16.-Pp. 304308.

37. Suzer, S. SoftX-Ray Photoemission Studies of Hf Oxidation / S. Suzer, S.Sayan, M.M. Banaszak Holl, E.Garfunkel, Z.Hussain and N.M.Hamdan // J. of Vac. Sc. Tech. A.-2003.-V. 21.-No l.-Pp. 106-109.

38. Hygh, E.H. Electronic structure of titanium / Hygh E.H. and Welch R.M. // Phys. Rev. B.-1970.-V.l.-No.6.-Pp.2424-2430.

39. Welch, R.M. Self-Consistened electronic structure of titanium.II / Welch R.M. and Hygh E.H. //Phys. Rev. B.-1971.-V.4.-No.l2.-Pp.4261-4273.

40. Welch, R.M. Electronic structure of titanium.III / Welch R.M. and Hygh E.H. //

41. Phys. Rev. B.-1974.-V.9.-No.4.-Pp. 1993-1996.

42. Aguayo, A. Elastic stability and electronic structure of fee Ti, Zr, and Hf: A first-principles study /A. Aguayo, G. Murrieta, and R. de Coss // Phys. Rev. B 2002— V. 65.-No 9-Pp.092106.l-4.

43. Bakonyi, I. Electronic structure and magnetic susceptibility of the different structural modifications of Ti, Zr, and Hf metals /1. Bakonyi, H. Ebert, A. I. Liechtenstein//Phys. Rev. B.-l 993.-V.48.-No. 11.-Pp.7841-7849.

44. Jafari, M. Role of s and d-electrons in Density of State of Titanium in high pressure / M. Jafari; K. Bayati; A. Jahandoost; N. Zarifi; M. Nobakhti and H. Jamnezhad // J. of Phys.: Conf. Series—2010—V.215.-Pp.012108.1—3.

45. Akahama, Y. New d (Distorted-bcc) Titanium to 220 GPa / Y. Akahama, H.

46. Kawamura and T. Le Bihan // Phys. Rev. Lett.-2001.-V.87.-Pp.275503.1-4.

47. Mo, S.-D. Electronic and optical properties of three phases of titanium dioxide: rutile, anatase and brookite / Mo S.-D. and Ching W.Y. // Phys. Rev. B.-l995.-V.51 .-No. 19-Pp. 13023-13032.

48. Tait, R.H. Ultraviolet photoemission and low-energy-electron diffraction studies of Ti02 (rutile) (001) and (110) surfaces / Tait R.H. and Kasowski R.W. // Phys. Rev. B .-1979.-V.20. No. 12 .-Pp .5178-5191.

49. Gopel, W. Surface defects of Ti02(l 10): A combined XPS, XAES and ELS study/ Gopel W., Anderson J.A., Frankel D., Jaehnig M., Phillips K., Schafer J.A. and Rocker G. // Surf. Sci.-1984.-V.139.-Pp.333-346.

50. Tsutsumi, K. X-ray Ti K spectra and band structures of oxides of titanium / Tsutsumi K., Aita O. and Ichikawa K. // Phys. Rev. B.-1977-V.15.-Pp.4638-4643.

51. Veal, B.W. Final-state screening and chemical shifts in photoelectron spectroscopy / Veal B.W. andPaulikas A.P. //Phys. Rev. B.-1985.-V.31.-Pp.5399-5416.

52. Daude, N. Electronic band structure of titanium dioxide / Daude N., Gout C. and Jouanin C. //Phys. Rev. B.-1977.-V.15.-Pp.3229-3235.

53. Poumellect, B. Electronic structure and x-ray absorption spectrum of rutile Ti02 / Poumellect B., Durham P.J. and Guot G.Y. // J. Phys. Condens. Matter-1991.-V.3.-Pp.8195-8204.

54. Vos, K. Reflectance and electroreflectance of Ti02 single crystals. II. Assignment to electronic energy levels / K. Vos // J. Phys. C: Solid State Phys. 1977. V. 10. Pp. 3917-3939.

55. Vogtenhuber, D. Electronic structure and relaxed geometry of the Ti02 rutile (110)surface / Vogtenhuber D., Podloucky R., Neckel A., Steinemann S. G. and Freeman A. J. // Phys. Rev. B.-1994.-V,49.-No.3.-Pp.2099- 2103.

56. Kiejna, A. The energetics and structure of rutile Ti02(l 10) / Kiejna A., Pabisiak T. and Gao S.W. //J. Phys. Condens. Matter.-2006.-V.18.-Pp.4207-^217.

57. Brydsoni, R. Electron energy loss and X-ray absorption spectroscopy of rutile and anatase: a test of structural sensitivity / Brydsoni R., Sauer H., Engel W., Thomas J.M., Zeitler E. and Kosugil N. // J. Phys. Condens. Matter.-1989.-V. 1 .-Pp.797812.

58. Knotek, M. L. Ion Desorption by Core-Hole Auger Decay / Knotek M. L., Feibelman and Peter J. // Phys. Rev. Lett.-1978.-V.40.-Pp.964-967.

59. Tauster, S. J. Strong Metal-Support Interactions / Tauster S. J. // Accounts of Chemical Research.-1987.- V.20. Pp.389-394.

60. Diebold, U. Ultrathin metal film growth on Ti02(l 10): an overview / Diebold U., Pan J.-M., Madey T.E. // Surface Science.-1995.-V.331-333.-Part 2.-Pp.845-854.

61. See, A.K. Electronic properties of ultrathin Cu and Fe films on Ti02(l 10) studied by photoemission and inverse photoemission / See A.K., Bartynski R.A. // Phys. Rev. B.-l 994.-V.50.-No. 16.-Pp. 12064-12072.

62. Gopel, W. Intrinsic defects of Ti02(l 10): Interaction with chemisorbed 02,H2, CO and C02 / Gopel W., Rocker G. and Feierabend R. // Phys. Rev. B.-1983.-V.28-No.6.-Pp.3427—3438.

63. Shih, FI.D. Low-Energy Electron Diffraction and Auger Electron Spectroscopy Study of the Oxidation of Ti {0001} at Room Temperature / Shih H. D. and Jona F. //Appl. Phys—1977.-V.12.-Pp.311-315.

64. Fukuda, Y. XPS and UPS study of the valence band structure and chemisorption of Ti(0001) / Fukuda Y., Honda F. and Rabalais J.W. // Surface Science.-1980.~ V.91.-Issue 1.-Pp. 165-174.

65. Jonker, B.T. Surface states and oxygen chemisorbtion on Ti(0001) / Jonker B.T., Morar J.F. and Park R.L. // Phys. Rev. B.-l98l.-V.24.-No.6.-Pp.2951-2957.

66. Hanson, D.M. Photon-stimulated desorbtion and other spectroscopic studies of the interaction of oxygen with a titanium (001) surface / Hanson D.M., Stockbauer R. and Madey T.E. //Phys. Rev. B.-l981.-V.24.-No.l0.-Pp.5513-5521.

67. Strong, R. L. Investigation of underlay er formation by oxygen on Al(l 11) and

68. Ti(0001) / Strong R. L. and Erskine J. L. // J. Vac. Sci. Technol. A.-1985.-V.3.-Issue3.-Pp. 1428-1431.

69. Dawson, P.H. Sims studies of the adsorption of 02, CO and C02 on titanium using low primary energies / Dawson P.H. // Surface Science.-1977.-V.65.-Issue 1 .-Pp.41-62.

70. Roman, E. AES and ELS study of titanium oxidation in high vacuum / Roman E., Sanchez-Avedillo M. and J. L. de Segovia//Applied Physics A.-1985.-V.35-Pp.35^10.

71. Aduru, S. Initial stage of titanium oxidation studied by direct recoil spectrometry / Aduru S. and Rabalais J. W. // Langmuir.-1987.-V.3.-No.4.-Pp.543-547.

72. Biwer, B.M. A photoelectron and energy-loss spectroscopy study of Ti and its interaction with H2, 02, N2 and NH3 / Biwer B.M. and Bernasek S.L. // Surface Science—1986—V. 167—Issue l.-Pp.207-230.

73. Azoulay, A. The initial interactions of oxygen with polycrystalline titanium surfaces / Azoulay A., Shamir N., Fromm E. and Mintz M.H. // Surface Science.—1997.-V.370—Pp.1-16.

74. Pellin, M.J. Oxygen underlayer formation on titanium by "static mode" laser fluorescence and auger spectroscopy / Pellin M.J., Young C.E., Gruen D.M., Aratono Y. and Dewald A.B. // Surface Science.-l985.-V. 151.-Issues 2-3-Pp.477—502.

75. Kurahashi, M. Metastable deexcitation spectroscopy study of oxygen adsorption on a polycrystalline titanium surface / Kurahashi M. and Yamauchi Y. // J. Vac. Sci. Technol. A.-l999.-V. 17-No.3.-Pp. 1047—1052.

76. Lu, G. Oxidation of a polycrystalline titanium surface by oxygen and water / Lu G., Bernasek S.L. and Schwartz J. // Surface Science.-2000.-V.458.-Pp.80-90.

77. Brearley, W. Changes in the work function of titanium films owing to the chemisorption of N2, 02, CO and C02 / Brearley W. and Surplice N.A. // Surface Science.-l 977.-V.64.-Issue 1 .-Pp.372-374.

78. Konishi, R. Observation of Sorption of O sub 2 and N sub 2 on Titanium Thin Film by DAPS, AEAPS, AES and Electrical Resistance Methods / Konishi R., Miyada Y. and SasakuraH. // Jpn. J. Appl. Phys.l.-1985.-V.24.-No.8.-Pp.923-927.

79. Kasemo, B. Quartz crystal microbalance measurements of O/Ti and CO/Ti atom ratios on very thin Ti films / Kasemo B. and Tornqvist E. // Surface Science-1978.-V.77-Issue 2.-Pp.209-218.

80. Vaquila, I. Oxide stoichiometry in the early stages of titanium oxidation at low pressure / Vaquila I., Passeggi M. andFerron J. // J. Phys.: Condens. Matter-1993 .-V.5 .-Pp. A157—A158.

81. Raaen, S. Overlayer Core-level Shifts Induced by Limited Charge Transfer / Raaen S., Berg C. and Braaten N. A. // Physica Scripta.-1992.-V.T41.-Pp.l94-196.

82. Gu, C. Ce-catalyzed oxidation of Ta(l 10) / C. Gu, D. W. Lynch, A. B. Yang, and

83. C. G. Olson//Phys. Rev. B.-1990.-V.42.-No.3.-Pp. 1526-1532.

84. Lu, J. Hafnium-doped tantalum oxide high-k dielectrics with sub-2 nm equivalent oxide thickness / Lu J. and Kuo Y. // Appl. Phys. Lett.-2005.-V.8.-Pp.232906.1-3.

85. Ramprasad, R. First principles study of oxygen vacancy defects in tantalum pentoxide / R. Ramprasad // J. Appl. Phys.-2003.-V.94.-No.9.-Pp.5609-5612.

86. Penchina, C.M. Photoemission spectra from conduction bands and core levels of sputter-deposited tantalum films /C.M. Penchina//Phys. Rev. B.-1976.-V.14-No. 10 -Pp .4407-4412.

87. Riffe, D.M. Ta(l 10) surface and subsurface core-level shifts and 4f7/2 line shapes / Riffe D.M. and Wertheim G.K. // Phys. Rev. B.-1993.-V.47.-No.l 1.-Pp.6672-6679.

88. Veen, J. F. Chemisorption-induced 4f-core-electron binding shifts for surface atoms of W(111), W(110), and Ta(l 11)/ Veen J. F., Himpsel F. J. and Eastman D.

89. E. //Phys. Rev. B.-1982.-V.25.-No.l2.-Pp.7388-7397.

90. Guillot, C. Core-level spectroscopy of clean and adsorbate-covered Ta(100) / C. Guillot, P. Roubin, J. Lecante, M. C. Desjonqueres, G. Treglia, D. Spanjaard and Y. Jugnet//Phys. Rev. B.-1984.-V.30.-No.l0.-Pp.5487-5493.

91. Himpsel, F. J. Hollinger Core-level shifts and oxidation states of Ta and W: Electron spectroscopy for chemical analysis applied to surfaces / F. J. Himpsel, J.

92. F. Morar, F. R. McFeely, R. A. Pollak and G. // Phys. Rev. B.-1984.-V.30.-No. 12—Pp.7236-7241.

93. Shechtman, D. Metallic Phase with Long-Range Orientational Order and No Translational Symmetry / D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias and J. W. Cahn // Phys. Rev. Lett. 1984.-V. 53.-No. 20.-Pp. 1951 - 1953.

94. Penrose, R. Relativistic symmetry groups. Group Theory in Non-Linear Problems ed. A. O. Barut: Riedel Publishing Company: Dordrecht. 1974. - Pp. 1-58.

95. Bendersky, L. Quasicrystal with One-Dimensional Translational Symmetry and a Tenfold Rotation Axis / L. Bendersky // Phys. Rev. Lett-1985.-V.55.-No. 14-Pp.1461-1463.

96. Ishimasa, T. New ordered state between crystalline and amorphous in Ni-Cr particles /T. Ishimasa, H.-U. Nissen and Y. Fukano //Phys. Rev. Lett.-l 985-V.55.-No.5.-Pp.511—513.

97. Wang, N. Two-dimensional quasiciystal with eightfold rotational symmetry /N. Wang, H. Chen, and К. H. Kuo // Phys. Rev. Lett.-l 987.-V.59.-No.9.-Pp.l 0101013.

98. Bindi, L. Natural Quasicrystals / L. Bindi, P. J. Steinhardt, N. Yao, P. J. Lu // Science—2009.-V.324.-P. 1306.

99. Physical Properties of Quasicrystals, edited by Z. Stadnik, Springer. 1999. -Science.

100. Martin, S. Transport properties of AI65CU15C020 and Al7oNii5Coi5 decagonal quasicrystals / S. Martin, A. F. Hebard, A. R. Kortan and F. A. Thiel // Phys. -Rev. Lett.-l 991 .-V.67 .-N0.6.-Pp.719-722.

101. Mayou, D. Evidence for unconventional electronic transport in quasicrystals / D. Mayou, C. Berger, F. Cyrot-Lackmann, T. Klein, and P. Lanco // Phys. Rev. Lett.-1993 .-V.70.-No.25.-Pp.3915-3918.

102. Яковлев, B.A. Спектры отражения и оптические постоянные тонких квазикристаллических пленок Al-Cu-Fe в инфракрасной области / Яковлев

103. B.А., Новикова Н.Н., Дж. Матеи, Теплов А.А., Шайтура Д.С., Назин В.Г., Ласкова Г.В., Ольшанский Е.Д. и Долгий Д.И. // ФТТ.-2006.-Т.48.-Вып.51. C.775.

104. Морозов, АЛО. Зарядовое состояние и диффузия водорода в икосаэдрическом сплаве TiZrNi / Морозов А.Ю., Исаев Э.И. и Векилов Ю.Х. // ФТТ. 2006. -Т.48. - Вып.9. - С. 1537.

105. Оленев, Д.В. Критическое поведение волновых функций икосаэдрических квазикристаллов / Д. В. Оленев, Ю. X. Велихов // Письма в ЖЭТФ. Т. 64. — Вып. 8.-С. 559-563.

106. Elser, V. Indexing problems in quasicrystal diffraction // Phys. Rev. B. 1985. -V. 32. - No. 8.- Pp. 4892 - 4898.

107. Burkov, S.E. Optical Conductivity of Icosahedral Quasi—crystals / S.E. Burkov, T. Timusk, andN.W. Ashcroft // J. Phys: Condens. Matt-1992. V.4. -P.9447.

108. B. Юм—Розери. Введение в физическое металловедение.// Металлургия,- М. -1965.-203 С.

109. Fujiwara, Т. Electronic structure in the Al-Mn alloy crystalline analog of quasicrystals / T. Fujiwara // Phys. Rev. B.-l 989.-V. 40,- No.2.- P. 942.

110. Fujiwara, T. Universal pseudogap at Fermi energy in quasicrystals / Fujiwara, T.-and T. Yokokawa // Phys. Rev. Lett.-1991 .-V.66.-No.3.-Pp.333-336.

111. Hafner, J. Electronic structure and stability of quasicrystals: Quasiperiodic dispersion relations and pseudogaps / J. Hafner and M. Krajci. // Phys. Rev. Lett.-1992.- V.68.-N0.15.-Pp.2321-2324.

112. Trambly de Laissardière, G. Electronic structure and conductivity in a model approximant of the icosahedral quasicrystal Al-Cu-Fe / G. Trambly de Laissardière and Fujiwara T. // Phys. Rev. B.-1994.-V.50.-No.9.-Pp.5999-6005.

113. Windisch, M. Electronic structure in icosahedral AlCuLi quasicrystals and approximant crystals / M. Windisch, M Krajci and J Hafner // J. Phys.: Condens. Matt.- 1994.-V.6.-No.35.-P.6977.

114. DeHAcqua, G. Face-centred icosahedral AI—Mg—Li alloys: a free-electron quasicrystal / G. Dell'Acqua, M. Krajci and J. Hafner // J. Phys.: Condens. Matt— 1997.-V.9-No.48—P. 10725.

115. Roche, S. Fermi surfaces and anomalous transport in quasicrystals / S. Roche and T. Fujiwara // Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-No.l7.-Pp.l 1338-11344.

116. Krajci, M. Metal-insulator transition in approximants to icosahedral Al-Pd-Re / M. Krajci and J. Hafner // Phys. Rev. B. 1999. - V. 59. - No. 13. - Pp. 347 -8350.

117. Krajci, M. Fermi surfaces and electronic transport properties of quasicrystalline approximants / M. Krajci and J. Hafner // J. Phys.: Condens. Matt-2001 .-V. 13.-No.17.-P.3817.

118. Stadnik, Z. M. Absence of fine structure in the photoemission spectrum of the icosahedral Al-Pd-Mn quasicrystal / Z. M. Stadnik, D. Purdie, Y. Baer and T. A. Lograsso//Phys. Rev. B.-2001.-V.64.-No.21.-Pp.214202.1-214202.6.

119. Klein, T. Observation of a Narrow Pseudogap near the Fermi Level of AlCuFe Quasicrystalline Thin Films / T. Klein, O. G. Symko, D. N. Davydov and A. G. M. Jansen // Phys. Rev. Lett-1995.- V.74.-No.l8.-Pp.3656-3659.

120. Escudero, R. Tunnelling and point contact spectroscopy of the density of states in quasicrystalline alloys / R. Escudero, J.C. Lasjaunias, Y. Calvayrac and M. Boudard // J. Phys.: Condens. Matt.-1999.-V.l 1 .-No.2.-P.383.

121. Haerle, R. Copper tubules and local origin of a pseudogap in d-AlCuCo from ab-initio calculations / R. Haerle and P. Kramer // Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-No.2 -' Pp.716-720.

122. Zijlstra, E.S. Non-spiky density of states of an icosahedral quasicrystal / E. S. Zijlstra and T. Janssen // Europhys. Lett.-200.-V.52.-No.5.-P.578.

123. Cockayne, E. Use of periodic approximants in the structure refinement of icosahedral AlCuFe / E. Cockayne, R. Phillips, X.B. Kan, S.C. Moss, J.L. Robertson, T. Ishimasa and M. Mori // J. Non-Cryst. Solids.-l993.-V. 153-154.-Pp. 140-144.

124. Mori, M. Photoemission study of an Al-Cu-Fe icosahedral phase / M. Mori, S. Matsuo, T. Ishimasa, T. Matsuura, K. Kamiya, H. Inokuchi and T. Matsukawa // J. Phys.: Condens. Matt.-1991.-V.3.-No.6.-P.767.

125. Belin, E. Electronic distributions of states in crystalline and quasicrystalline Al-Cu-Fe and Al-Cu-Fe-Cr alloys / E. Belin, Z. Dankhazi, A. Sadoc, Y. Calvayrac, T. Klein and J.-M. Dubois // J. Phys.: Condens. Matt.-1992.-V.4-No.18.-P.4459.

126. Belin, E. Electronic Properties of Quasicrystals / E. Belin and Mayou D. // Physica Scripta—1993 .-V.T49-Pp.3 56-359.

127. Mori, M. Resonant photoemission study of the Al-Cu-Fe icosahedral phase / M. Mori, K. Kamiya, S. Matsuo, T. Ishimasa, H. Nakano, H. Fujimoto and H. Inokuchi //J. Phys.: Condens. Matt.-1992.-V.4.-No.l0.-Pp.L157-L162.

128. D. Rouxel, M. Gavazt, P. Pigeat, B. Weber, P. Plaindoux, in: A. Goldman, P.A. Thiel, D. Sordelet, J.M. Dubois (Eds.), New Horizons in Quasicrystals Research and Applications, World Scientific. Singapore. - 1997. - P. 173.

129. Rouxel, D. Review. Surface oxidation and thin film preparation of AlCuFe quasicrystals / D. Rouxel and P. Pigeat // Progress in Surface Science. 2006. -V.81. - Pp.488-514.

130. Neuhold, G. Enhanced surface metallic density of states in icosahedral quasicrystals / G. Neuhold, S. Roy Barman, K. Horn, W. Theis, P. Ebert and K. Urban//Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-No.2.-Pp.734-738.

131. Kelton, K. F. A stable Ti-based quasicrystal / Kelton K. F., Kim W. J., Stroud R. M. //Appl. Phys. Lett—1997—V.70.—No.24.-P.3230.

132. Takasaki, A. Hydrogénation of Ti-Zr-Ni quasicrystals synthesized by mechanical alloying / A. Takasaki, V.T. Huett and K.F. Kelton // J. of Non-Cryst. Sol.-2004-V.334-335.-Pp.457—460.

133. Takasaki, A. Hydrogen storage in Ti-based quasicrystal powders produced by mechanical alloying / A. Takasaki and K.F. Kelton // Intern. J. of Hydrogen Energy .-2006.-V.31 .-Pp.183-190.

134. Hennig, R. G. Structure of the icosahedral Ti-Zr-Ni quasiciystal / R. G. Hennig, K. F. Kelton, A. E. Carlsson and C. L. Henley // Phys. Rev. B.-2003.-V.67.-No. 13.-Pp. 134202.1-13.

135. Hennig, R.G. Ab initio Ti-Zr-Ni phase diagram predicts stability of icosahedral TiZrNi quasicrystals / R.G. Hennig, K.F. Kelton, A.E. Carlsson and C.L. Henley // Phys. Rev. B.-2005.-V.71.-No.l4—Pp.144103.1-10.

136. Willis, R. F. Surface Resonance Bands on (001)W: Experimental Dispersion Relations / R. F. Willis, B. Feuerbacher, N. Egede Christensen // Phys. Rev. Lett.— 1977.-V.38.-No. 19.-Pp. 1087-1091.

137. Кесслер И.,Поляризованные электроны, перевод с англ.-М.:Мир, 1988.-368 С.

138. Lindau, I. The probing depth in photoemission and auger-electron spectroscopy / I. Lindau, W.E.Spicer// J. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena — 1974—V.3.—Pp.409—413.

139. Тернов, И. M. Синхротронное излучение. Теория и эксперимент / И.М.Тернов, В.В.Михайлин. М. : Энергоатомиздат, 1986. - 296 С.

140. Назин, В.Г. Исследования чистой поверхности многокомпонентных квазикристаллов / Назин В.Г., Михеева М.Н., Лев Л.Л., Брязкало A.M., Шайтура Д.С., Теплов А.А. // Поверхность.-2006.-№ 6.-С.89

141. Сверхвысоковакуумный монохроматор для синхротронного излучения / С.Н. Иванов, В.В. Михайлин, М.Н. Михеева, В.П. Моряков, В.Г. Назин, И.В. Наумов, А.Ю. Стогов, Ю.Ф. Тарасов, И.Н. Шпиньков // ПТЭ-1988.-Т.4.-С.231.

142. S. Knapp, S.A. Leapcyre G.J., SmithN.V., Traume M.M. //Rev. Sci. Instrum.-1982.-V.53.-P.781.

143. Wagner C.D. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy / C.D. Wagner, W.M. Riggs, L.E. Davis, J.F. Moulder and G.E.Mullenberg. — published by Perkin-Elmer Corp. USA , 1979. - 126 P. 1

144. Shirley, D. A. High-Resolution X-Ray Photoemission Spectrum of the Valence Bands of Gold/D. A. Shirley//Phys. Rev. B.-1972.-V.5.-No.l2.-Pp. 4709-4714.

145. Egelhoff, W.F. Core-Level Binding Energy Shifts at Surfaces and in Solids / W.F. Egelhoff // Surface Science Reports.-1987.-V.6.-Pp.253-415.

146. Doniach, S. Many-electron singularity in x—ray photoemission and x-ray line spectra from metals / Doniach S. and Sunjic M. // J. Phys. C: Sol. St. Phys-1970-V.3.-P.285.

147. Цетлин, М.Б. Исследование угловых и поляризационных зависимостей фотоэлектронных спектров лантана с малой степенью окисления поверхности

148. М.Б. Цетлин, В.Г. Назин, Е.А. Шагаров, М.Н. Михеева, Д.С.-Л. Ло, Н. Хайес, С. Доунс//Поверхность.- 1998.-№7.-Стр.65-75.

149. Shivaraman, R. Structure of Low Loss EELS in Hf and Zr Metal, Dioxides and Silicates / R. Shivaraman, A. V. G. Chizmeshya, S. K. Dey, R. W. Carpenter // Microscopy and Microanalysis-2008-V. 14-Pp. 14-15.

150. Fisher, G.B. Identification of an Adsorbed Hydroxyl Species on the Pt(l 11) Surface /G.B. Fisher and B.A. Sexton // Phys. Rev. Lett.-1980.-V.44 .-No. 10,-Pp.683-686.

151. Тетерин, Ю.А. Структура рентгеноэлектронных спектров соединений лантанидов / Ю. А. Тетерин, А.Ю. Тетерин // Успехи химии. — 2002. — Т.71. — №5. С.403.

152. Цетлин, М.Б. Исследование защитных свойств субнанометровой алмазоподобной углеродной пленки / М.Б. Цетлин, В.Г. Назин, М.И. Руднева, В.А. Рогалев // Поверхность.-2008.- №12.- С.94-98.

153. Grenet, Т. Plasmons in icosahedral quasicrystals: An EELS investigation / T. Grenet and M.C. Cheynet // Eur. Phys. J. B.-2000.-V.13.-Pp.701-705.