Исследование особенностей фотоэлектронных спектров монокристаллических манганитов лантана La1-xSrxMnO3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лев, Леонид Леонидович

• Лев, Леонид Леонидович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лев, Леонид Леонидович

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Основные физические свойства манганитов лантана.

1.1.1. Первые попытки теоретического описания.

1.1.21 Структура и транспортные свойства манганитов лантана Lai^Sr^MnOß

1.1.3. Некоторые аспекты других манганитов лантана семейства АьхА'хМпОз.

1.1.3.1. Lai.ÄMn03.

1.1.3.2. Рг^СадМпОз.40'

1.1.4. Влияние избыточного кислорода на физические свойства манганитов

1.1.5. Обоснование выбора системы LaivSivMn03.

1.2. Методы электронной спектроскопии.

1.2.1. Методы спектроскопии вторичной электронной эмиссии.

1.2.2. Метод фотоэлектронной спектроскопии.

1.2.2.1. Исторический обзор.

1.2.2.2. Сущность метода ФЭС.

1.2.2.3. Теория трехступенной модели фотоэмиссии.

1.2.3. Резонансная фотоэмиссия.

1.2.4. Глубина выхода электронов из твердого тела.66'

1.3. Литературный обзор фотоэлектронных исследований манганитов лантана.

Глава 2. Экспериментальные установки и методика исследования.

2.1. Экспериментальные установки.

2.2. Методика приготовления образцов.

2.3: Приготовление поверхности.

2.4. Особенности методики эксперимента по ФЭСУР.

Глава 3. Исследование монокристаллов системы Lai.vSrvMn03 методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения.

3.1. Исследование валентной зоны монокристаллов системы LaiJSrJMnOs.

3.2. Исследования монокристаллов LaixSrvMn03 с помощью спектроскопии поглощения и резонансной фотоэлектронной спектроскопии вблизи порогов О 15, La4d и Мп 2р.

3.3. Угловая зависимость спектров валентной зоны.

3.4i Исследования монокристаллов Lai.vSrvMn03 на станции фотоэлектронной микроскопии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование особенностей фотоэлектронных спектров монокристаллических манганитов лантана La1-xSrxMnO3»

Как известно, в 1950 году G. Н. Jonker и J. Н. van Santen опубликовали работу [1], в которой они исследовали намагниченность поликристаллических образцов ЬаЫЭдМпОз, где D - двухвалентный металл Са, Sr или Ва, и наблюдали образование ферромагнитной фазы. В следующей работе [2] они исследовали проводимость этой системы, и обнаружили, что аномалии на зависимости проводимости от температуры, например переход металл-диэлектрик, совпадают по температуре с магнитным фазовым переходом. Данные поликристаллы имели перовскитоподобную структуру. Исследования по изменению параметров решетки при легировании двухвалентным металлом были опубликованы в работе [3], где было обнаружено, что при больших степенях легирования1 образцы имеют неискаженную перовскитоподобную структуру, а при малых - искаженную. Класс данных веществ, в котором присутствует трехвалентный Мп, получил название «манганиты» благодаря этим авторам, и до сих пор это название используется в современной литературе. Такое же название будет использоваться и в данной диссертации.

Впервые магнитосопротивление на поликристаллах La0.8Sr0.2MnO3 исследовал J. Volger в 1954 в своей работе [4]. Но огромный интерес к манганитам возродился значительно позже, в 90-х годах прошлого века, когда было открыто явление резкого изменения сопротивления при приложении магнитного поля, для которого теперь используется название «колоссальное магнитосопротивление» (KMC).

По общепринятой в литературе терминологии, отрицательное магнитосопротивление MR* определяется соотношением MRo = - [р(#) -р(0)]/р(0), где р(Л) - удельное сопротивление образца в магнитном поле, р(0) -удельное сопротивление без поля. Но если р(Н)« р(0), как это имеет место для манганитов, то величина MR стремится к 1 и не является информативной величиной. Поэтому в литературе по исследованию манганитов используют другое определение: MRH = - [р(#) - р(0)]/р(Я) ~ р(0)/р(#). В этом случае MRH имеет большую величину, и ей удобно пользоваться для описания экспериментальной ситуации.

Одной из первых работ по магитосопротивлению в манганитах была работа[5] на тонких пленках Nd0 sPbo.sMnCb. В работе [6] было обнаружено отрицательное магнитосопротивление, по величине превосходящее «гигантское магнитосопротивление» (магнитосопротивление, измеренное на искусственно полученных слоистых магнитных системах). В работе [7] для системы La-Ca-Mn-Опри температурах 57 К была получена огромная величина магнитосопротивления MRh ~ Юб. Было установлено, что эффект KMC особенно ярко проявляется вблизи переходов металл-диэлектрик, который в случае манганитов,совпадает по температуре с магнитным^ переходом. Эти фазовые переходы происходили при температурах значительно ниже комнатной.

Первая попытка объяснения необычного поведения температурных зависимостей сопротивления-была предпринята в работе [8], где впервые Zener (Зинер) использовал терминологию модели двойного обмена. Впоследствии его теория была развита в работах [9. 10]. A. J. Millis, Р. В. Littlewood и В. I. Shraiman в своей работе [11] показали, что модели двойного обмена » г-недостаточно для корректного теоретического описания необычных транспортных свойств манганитов. Впоследствии теоретическое описание манганитов было развито в работах [12,13].

Система Lai.vSrTMn03 является типичным представителем перовскитоподобных' манганитов. Впервые магнитосопротивление тонких пленок Lai.vSrxMn03 было исследовано в работе [14]. А монокристаллы данной системы впервые были исследованы в работе [15]. Эффект KMC для данной системы проявляется не столь ярко, как скажем в LaixCa^Mn03 или РгидЗг^МпОз, но интерес к La^Sr^MnCb вызван тем, что переход ферромагнетик-парамагнетик при некоторых х происходит при температуре выше комнатной. Кроме того, среди монокристаллов KMC систем эти монокристаллы более предпочтительны с точки зрения их качества.

Интерес к манганитам возрос благодаря их потенциальному технологическому применению в головках магнитной записи, датчиках поля, спиновых затворах и т.д. Кроме этого, в этих системах тесно связаны электронная, спиновая и решеточная подсистема, благодаря-чему их физические свойства являются исключительно сложными и интересными-с точки зрения теоретического описания. К тому же существует ряд противоречий в теоретическом описании, например, расхождение в описании основного состояния LaMn03: до сих пор не ясно, является ли это вещество антиферромагнетиком со скошенным спином или в нем существует разделение фаз. Также в рамках теории двойного обмена Зинера невозможно объяснить наличие таких фаз, как, например, ферромагнитный изолятор или состояние зарядового и орбитального упорядочения (см. стр. 36).

Большую помощь в понимании физических процессов; происходящих в < данном веществе при изменении внешних параметров (температуры, концентрации легирующего элемента, приложение магнитного поля или давления) может оказать знание электронной структуры данного вещества. Как-известно, прямым методом для исследования электронной структуры веществ является фотоэлектронная«спектроскопия. Так как фотоэлектронная спектроскопия является поверхностно-чувствительным методом, методика подготовки чистой поверхности в условиях сверхвысокого вакуума является« определяющей для-успешного проведения эксперимента. Понятно, что для экспериментальных исследований физических процессов в системах- с KMC необходимо изучать совершенные монокристаллы с высокой степенью однородности распределения легирующей примеси. Переходы металл-диэлектрик, а также магниторезистивные свойства монокристаллов сильно отличаются от свойств керамик того же номинального стехиометрического состава. Это происходит, по всей видимости, из-за рассеивания носителей заряда на границах зерен. Кроме того, данные системы очень критичны к неоднородностям стехиометрического состава (локальная концентрация стронция, избыточный кислород). Изменение количества кислорода на 1% ведет к изменению сопротивления на 4 порядка при х = 0.15 [16].

Цель данной работы состояла в установлении общих закономерностей формирования электронной структуры систем с колоссальным магнитосопротивлением, а также выявлении особенностей электронных спектров валентной зоны данных веществ, связанных с симметрией кристаллической решетки, и их зависимостей от стехиометрического* состава и температуры. Исследования проводились на монокристаллических образцах в широкой области энергии фотонов от 40 эВ до 660 эВ с использованием различных вариантов метода фотоэлектронной спектроскопии (ФЭС).

Объектами исследования служили монокристаллы, манганитов лантана Ьа^БГдМпОз с х в диапазоне от 0 до 0.33, выращенные методом плавающей зоны, которые скалывались in situ в условиях сверхвысокого вакуума. :

Монокристаллы ориентировались относительно направления СИ с точностью до 2 градусов, на контрольных образцах проводились измерения магнитных и электрических свойств

Для достижения этой были поставлены следующие задачи исследования:

1. С помощью методов нейтронной и рентгеновской дифракции протестировать образцы монокристаллов Lai.xSrvMn03. Провести измерения р(7) и %(Т) для монокристаллов Ьа^Бг^МпОз и проверить корреляцию магнитных переходов со структурными переходами и переходами металл-диэлектрик, характерную для этой системы. Кроме того, для исследований методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением требовалась поверхность, ориентированная вдоль псевдокубических осей с погрешностью не хуже, чем 2°. Для этого была разработана оригинальная система ориентировки монокристаллов на рентгеновском дифрактометре и нейтронном дифрактометре, установленном на источнике нейтронов НИЦ «Курчатовский институт».

2. Исследовать изменения электронного спектра валентной зоны данных монокристаллов и остовных уровней методом фотоэлектронной спектроскопии в зависимости от х = 0 и до 0.33 при температурах выше и ниже температуры фазового перехода, а также в зависимости от энергии возбуждающего излучения /¿со.

3. Проследить изменения спектров поглощения вблизи порогов Ьа 4г/, О 1л- и Мїі:2р^монокристалдовіСистемьі.Еаі^Зг^МпОзпришзменении^и температуры:

4. Исследовать особенности валентной зоны методом резонансной фотоэлектронной спектроскогоіи образца?Еао.853гол5№©з вблизшпорогов поішощенияіЬа 4<с/іи

5. Исследовать валентную зону монокристаллов системы Ьа^Зг^МпОз методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением.

6. На станции сканирующей фотоэлектронной микроскопиишсследовать воздействие сфокусированного синхротронного излучения нулевого порядка на особенности фотоэлектронных спектров.

Методика и результаты работы, выполненной в рамкахнэтошпрограммы; подробно изложены в; настоящей диссертации. Диссертация состоит из введения^ пятиглавизаключения:

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лев, Леонид Леонидович

Заключение

Сформулируем кратко основные результаты настоящей диссертации:

1. Проведено исследование электронной структуры валентной! зоны, и остовных уровней: монокристаллов системы Ьак^ГдМпОз для х от О (диэлектрик) до 0:33 (металл)1 при комнатной температуре, и температуре, близкой к температуре жидкого азота,, методом/ фотоэлектронной спектроскопии с использованием: СИ при? различных энергиях фотонов; //со. При увеличении концентрации стронция наблюдается возникновение плотности состояний- на уровне Ферми« а. также сдвиг; ряда, особенностей фотоэлектронных спектров; качественно соответствующий увеличению концентрации: дырок. Эти результаты качественно совпадают с данными других авторов, полученных на поликристаллах и пленках, а также на; родственных системах.

2: В валентной зоне монокристаллических образцов впервые наблюдалась особенность при энергии связи-- ~2.5 эВ, связанная? с объемными состояниями кристалла: Относительная интенсивность, этой- особенности растет с уменьшением концентрации стронция? х. Также было установлено, что зависимость интенсивности? этот особенности при1 изменении энергии фотонов имеет максимумы при /гсо ~55 и ~130 эВ.

3. На основании результатов исследования структуры спектров валентной зоны монокристаллов Ьа1.х8гхМп©з методом резонансной фотоэмиссии, а также теоретических расчетов было установлено., что особенность -2.5 эВ соответствует состояниям Мп Зс1.

4. При исследовании валентной зоны монокристаллов системы Ьа^^г^МпОз методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением для образцов с направлением (001) кристаллической решетки перпендикулярным поверхности было установлено, что относительная интенсивность особенности ~2.5 эВ минимальна в условиях нормальной эмиссии и максимальна для х = 0.2 и /ко = 130 эВ при угле а = 25° и йсо =

55 эВ при угле а = 40°. При одном и том же угле эмиссии относительная интенсивность особенности 2.5 эВ возрастает с увеличением угла падения света р. Отсутствие особенности ~2.5 эВ при малых углах падения указывает на то, что связанный с ней матричный элемент фотовозбуждения определяется составляющей вектора поляризации, перпендикулярной к поверхности образца.

5. Эксперименты на образцах, вырезанных таким образом, что кристаллическое направление (011) было перпендикулярно к поверхности и сравнение их результатов с результатами угловых измерений на образце с осью (001) перпендикулярной поверхности, показали, что определяющим в угловой зависимости электронного спектра монокристаллов Ьа^ГдМпОз является угол по отношению к кристаллическим осям, а не по отношению к поверхности.

По материалам диссертации в журналах, включенных ВАК РФ в перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, опубликованы следующие работы:

1. Л. Л. Лев, М. Б. Цетлин, М. Леандерссон, А. А. Захаров, X. Нгтен, А. И. Матсуура, М. Н. Михеева, И. Линдау, А. А. Шиков, А. М Балбашев. Исследование Мп 3d особенности в фотоэмиссионных спектрах валентной зоны системы Lai^Sr^MnCb // Поверхность. — 2001. - № 6. — 37-46.

2. Л. Л. Лев, М. Б. Цетлин, М. Леандерссон, А. А. Захаров, М. Н. Михеева, И. Линдау, А. М. Балбашев. Исследование электронного спектра* монокристаллов системы Lai^Sr^MnOß методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением // Поверхность. - 2002. - № 7. -40-43.

3. L.L. Lev, M.B. Tsetlin, М. Leandersson, A.A. Zakharov, M.N. Mikheeva, and I. Lindau, A.M. Balbashev. Valence band ARPES study of Lai^SrxMn03 single crystals I I J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 2004. - Vol. 137-140. -499-503.

4. L.L. Lev, M.B. Tsetlin, M. Leandersson, H. Nylen, I. Lindau, M.N. Mikheeva; A.M. Balbashev. Resonant photoemission study ofLaj^Sr^MnO^ single crystals // Physica Scripta. - 2005. - Vol. T115: - 654-657.

Автор работы выражает огромную благодарность своему научному руководителю к.ф.-м.н. Михаилу Борисовичу Цетлину за руководство и неоценимую помощь в работе. Автор также благодарит Маргариту Николаевну Михееву за внимание к работе, поддержку и ценные обсуждения, Андрея Анатольевича Никонова за проведение измерения магнитной восприимчивости, Валерия Георгиевича Назина за консультации и ценные обсуждения, Петра Петровича Паршина за помощь в проведении нейтронографических измерений, Олега Евгеньевича Парфенова за помощь в проведении рентгенографических измерений. Матса Леандерссона, Дмитрия

Сергеевича Шайтуру, Стефана Виклунда, Алексея Алексеевича Захарова за помощь в проведении измерений, Ингольфа Линдау за организацию проведения измерений, Анатолия Михайловича Балбашова за предоставленные кристаллы. Кроме того, автор выражает признательность программному комитету синхротронного центра МАХ-іаЬ (Лунд, Швеция) за предоставленную возможность фотоэлектронных исследований.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лев, Леонид Леонидович, 2011 год

1. G. H. Jonker, J. H. van Santen. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure // Physica. 1950. - Vol. 16, no. 3,- Pp. 337-349:

2. J. H. van Santen, G. H. Jonker. Electrical conductivity of ferromagnetic, compounds of manganese with perovskite structure // Physica: 1950. - Vol. 16, no. 7-8.-599-600.

3. G. H. Jonker. Magnetic compounds with perovskite. structure IV Conducting and non-conducting compounds H Physica. 1956. - Vol. 22, no: 6-12. - 707-722.

4. J. Volger. Further experimental*investigations on some ferromagnetic oxidic compounds of manganese with perovskite structure // Physica. 1954'. - Vol! 20, no. 1-6.-49^-66.

5. R.M. Kusters, J: Singleton, D.A. Keen, R. McGreevy, W. Hayes. Magnetoresistance measurements on the magnetic semiconductor Nd0.5Pbo.5Mn03 // Physica B: Condensed Matter. -1989. Vol. 155, no. 1-3.-362-365.

6. C. Zener. Interaction* between the d-shells in the transition metals. II: Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure // Phys. Rev. -1951.- Vol. 82, no. 3.-403-405.

7. P. W. Anderson, H. Hasegawa. Considerations on double exchange // Phys. Rev. -1955.-Vol. 100, no. 2.-675-681.

8. P.-G. de Gennes. Effects of double exchange in magnetic crystals // Phys. Rev. -1960.-Vol. 118, no. 1.-141-154.

9. A. J. Millis, Р. В. Littlewood, В. I. Shraiman. Double Exchange Alone Does Not Explain the Resistivity of La^SrJMnCb I I Phys. Rev. Lett. 1995. - Vol. 74. - 51445147.

10. Э.Л. Нагаев. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением // УФН. — 1996. Том. 166, №8. - 833-858.

11. Elbio Dagotto. Nanoscale Phase Separation*and Colossal Magnetoresistance: The Physics of Manganites and Related Compounds // Springer Series in Solid-State Sciences. Springer-Verlag, 2003. - Vol: 2. - 456 p.

12. H. L. Ju, C. Kwon, Qi Li, R. L. Greene, T. Venkatesan. Giant magnetoresistance in Lai^Sr^MnOz films-near room temperature I I Appl Phys. Lett. 1994: - Voll 65. -2108-2110.

13. A. Urushibara, Y. Moritomo, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido, Y. Tokura. Insulator-metal transition and giant magnetoresistance in Lai.xSrxMn03 // Phys. Rev. B. -1995. Vol. 51. - 14103-14109.

14. C. Zener. Interaction between the d shells in the transition metals // Phys. Rev. -1951. Volt 81.- 440—444.

15. S. Satpathy, Z. Popovic, F. R. Vukajlovic. Density-functional studies of the electronic structure of the perovskite oxides: La^SrJVinCb Ii J. Appl. Phys. 1996. -Vol. 79.-4555—4557.

16. J. B. Goodenough. Theory of the role of covalence in the perovskite-type manganites La, M(II)]Mn03 H Phys. Rev. 1955. - Vol. 100, no. 2 - 564-573.

17. A. Asamitsu, Y. Moritomo, R. Kumai, Y. Tomioka, Y. Tokura. Magnetostructural phase transitions in Lai.xSrxMn03\vith controlled carrier density // Phys. Rev. B. — 1996. Vol. 54. - 1716-1723.

18. W. A. Harrison. Electronic structure and the properties of solids: the physics of the chemical bond. Dover Publications, Inc., NY, 1989; - 586 p.

19. J.-H. Park, E. Vescovo, H.-J. Kim, С. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Direct evidence for a half-metallic ferromagnet I J Nature (London). 1998. - Vol: 392. -794-796.

20. Y. Yamada, O. Hino, S. Nohdo, R. Kanao, T. Inami, S. Katano. Polaron ordering in low-doping LaivSr,Mn03 if Phys. Rev. Lett. -1996. Vol. 77. - 904-907.

21. P. G. Radaelli, D. E. Cox, L. Capogna, S.-W. Cheong, M. Marezio. Wigner-crystal andbi-stripe models for the magnetic and crystallographic superstructures of Ьао.зззСаобб7Мп03 // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 59. - 14440-14450.

22. J. сJ. Neumeier, M. F. Hundley, J. D. Thompson, R. H. Hener. Substantial pressure effects on the electrical resistivity and ferromagnetic transition temperature ofLaiÄMn03 II Phys. Rev. B. -1995. Vol. 52. - R7006-R7009.

23. H. Y. Hwang, Т. Т. M. Palstra, S-W. Cheong, B. Batlogg. Pressure effects on the magnetoresistance in doped manganese perovskites // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 52. -15046-150449.

24. H.A. Бабушкина, E.A. Чистотина, К.И. Кугель, А.Л. Рахманов, A.P. Каулъ, О.Ю. Горбенко. Высокотемпературные свойства манганитов. Проявлениенеоднородности парамагнитной фазы // ФТТ. 2003. - Том. 45, вып. 3. - 480484.

25. Colossal!Magnetoresistance Oxides. Gordon & Breach, New York;

26. V. Ferris, L. Brohan, M. Ganne, M. Tournoux. Structural aspects, density measurements and» susceptibility behavior of the defect perovskite LaMnOs with 0.8<La/Mn<l and 2.80<0/Mn<3.58 // Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 1995. - Vol. 32.-131-144.

27. A. Santoro, J. W. Lynn, R. W. Erwin, J. A. Borchers, J. L. Peng, R. L. Greene. Structure and magnetic order in undoped lanthanum manganite I I PHys. Rev. B. -1997. Vol. 55. - 14987-14999.

28. С. Ritter, M. R. Ibarra, J. M. De Teresa, P. A. Algarabel, C. Marquina, J. Blasco, J. Garcia

29. S. Oseroff, S-W. Cheong. Influence of oxygen content on the structural, magnetotransport, and magnetic properties of LaMn03+6 // Phys. Rev. В. -1997. -Vol. 56.-8902-8911.

30. B.C. Гавико, A.B. Королев, B.E. Архипов, Н.Г. Бебенин, Я.М. Муковский. Рентгеновские исследования структуры перовскитных манганитов*системы (La,Sr)Mn03 // ФТТ. 2005. - Том 47, вып. 7. - 1255-1260.

31. F. Moussa, M. Hennion, J.Rodriguez-Garvajal,H. Moudden, L. Pinsard, A. Revcolevschi. Spin waves ins the antiferromagnetperovskite LaMn03: A neutron-scattering study // Phys. Rev. B. -1996:- Vol! 54. 15149-15155:

32. Л. P. Шулъмап, G. А. Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела: М: Наука, 1977. - 551" с.39. //: Ibach. Optical surface phonons in zinc oxide detected by slow-electron spectroscopy//Phys.Rev. Lett:-1970:-Volt24: -1416-14*8:

33. В. В. Кораблев. Электронная Оже-спектроскопия // JI:: Наука, 1975. 62 с.

34. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред. J1. Фирменса, Дж: Вэнника; В: Декейсера: — М:: Мир; 1981. — 468с.

35. V.N. Strocov. Intrinsic accuracy in 3-dimensional photoemission band mapping // J: Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2003. — Vol. 130. - 65-78.

36. G.N. Berglund^ W.E. Spicer: Photoemission studies of copper andisilver: theory I I Phys. Rev: — 1964: —Yob 136: — A1030—A1044:

37. P. J. Feibelman; D:E. Eastman. Photoemission spectroscopy—Correspondence between quantum theory and experimental phenomenology // Phys. Rev. B. — 1974. — Vol. 10.-4932—4947.

38. I. Adawi. Theory of the surface photoelectric effect for one and two photons // Phys. Rev.- 1964.-Vol. 134.- A788-A798.

39. G. D. Mahan. Theory of photoemission in simple metals // Phys. Rev. B. 1970. -Vol. 2.-4334-4350.

40. G. D. Maham Theory of photoemission in simple metals // Phys. Rev. Bl 1970. -Vol. 2.-4334-4350:

41. W. L. Shaih, N. W. Ashcroft. Model calculations in the theory of photoemission // Phys. Rev. B. 1971. - Vol. 3. - 2452-2465.

42. C. Caroli, D. Lederer-Rosenblat, B. Roulet, D. Saint-James. Inelastic effects in photoemission: microscopic formulation and qualitative discussion I I Phys. Rev. B. — 1973*. Vol. 8. - 4552-4569.

43. J. B. Pendry. Theory of photoemission // Surf. Sci. 1976. - Vol. 57. - 679-705.

44. J.J. Yeh, I. Lindau. Atomic subshell photoionization cross sections and' asymmetry parameters: 1 <Z< ШН At. DataNucl Data Tables. -1985. Vol. 32. -1-155:

45. L.C. Davis. Photoemission from transition metals and their compounds // J. Appl. Phys. 1986. - Vol. 59. - R25-R63.

46. D. R. Penn. Electron mean free paths for free-electron-like materials // Phys. Rev. B: 1976. - Vol. 13.-5248-5254.

47. D. L. Miller, T. Arns, Hrabak. Ultrahigh vacuum low temperature stage for in situ film deposition and characterization // Rev. Sci. Instrum. -1975. Vol. 46. -1642-1645.

48. В. В. Немошкаленко, В. Г. Алешин. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев:Наукова думка, 1976. - 336 с.

49. Т. Saitoh, А.Е. Bocqnet, Т. Mizokawa, Н. Namatame, A. Fujimori, М. Abbate, Y. Takeda, М. Takano. Electronic structure of Lai.^SrxMn03 studied by photoemission and x-ray-absorption spectroscopy // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 51. - 1394213951.

50. A. Chainani, M. Mathew, D.D.Sarma. Electron spectroscopic investigation of the semiconductor-metal transition in Lai^SrvMn03 II Phys. Rev. B. 1993. - Vol. 47. -15397-15403.

51. T. Saitoh, A. Sekiyama, K. Kobayashi, T. Mizokawa, A. Fujimori, D. D. Sarma, Y. Takeda, M. Takano. Temperature-dependent valence-band photoemission spectra of La^Sr.MnOs I! Phys. Rev. B. 1997. - Vol. 56. - 8836-8840.

52. H. L. Ju, H.-C. Sohn, Kannan MlKrishnan. Evidence for Ojp hole-driven conductivity in Lai^Sr^Mn03 (0 <x < 0.7) and La0 7Sr0.3MnOz thin tilms II Phys. Rev. Lett. 1997. - Vol. 79. - 3230-3233.

53. J.-H. Park, E. Vescovo, H.-J. Kim, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Magnetic properties at surface boundary of a half-metallic ferromagnet Lao7Sro.3Mn03 /J Phys. Rev. Lett. 1998. - Vol. 81. - 1953-1956.

54. Jiandi Zhang, D. N. Mcllroy, P. A. Dowben, S. H. Lion, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal. The valence-band structure ofLai^CavMn03 // Solid State Commun. -1996. -Vol. 97.-39-44.

55. D. N. Mcllroy, Jiandi Zhang, S. H. Lion, P. A. Dowben. Changes in screening and electron density across the coupled'metallic-magnetic phase transition of La^CaJVfnOs // Phys. Lett. A: 1995. - Vol. 207. - 367-373.

56. Robert J. Lad and Victor E. Henrich. Electronic structure of MnO studied by angle-resolved and resonant photoemission // Phys. Rev. B. 1988. - Vol: 38. -10860-10869.

57. M.C. Falub, M. Shi, J. Krempasky, K. Hricovini, Ya.M. Mukovskii, M. Neumann, V.R. Galakhov, L. Patthey. Photon energy dependent photoemission study of Lao.7Sro.3Mn03 H Surf. Sci. 2005. - Vol. 575: - 29-34.

58. Dongqi Li, Jiandi Zhang, Sunwoo Lee, and P. A. Dowben. Evidence for the formation of metallic mercury overlayers on Si(l 11) // Phys. Rev. B. 1992. - Vol. 45.-11876-11884.

59. Ю. А. Тетерин, А. Ю. Тетерин. Структура рентгеноэлектронных спектров соединений лантанидов // Успехи химии. 2002. - Том. 71. — 403-441.

60. Ю. А. Тетерин, А. Ю. Тетерин. Структура рентгеноэлектронных спектров соединений легких актинидов // Успехи химии. 2004. - Том. 73. - 588-631.

61. J.-S. Kang, С. G. Olson, J. Н. Jung, S. Т. Lee, Т. W. Noh, В. L Min. Temperature-dependent resonant photoemission study of the metallic and charge-ordered phases of РгктЗгдМпОз // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60. - 13257-13260.

62. J.-if. Park, C. T. Chen, S-W. Cheong, W. Bao, G. Meigs, V. Chakarian, Y. U. Idzerda. Electronic aspects of the ferromagnetic transition in manganese perovskites UPhys. Rev. Lett. 1996. - Vol. 76.-4215-4218.

63. Warren E. Pickett, David J. Singh. Electronic structure and half-metallic transport inthe La^Ca^MnOs system // Phys. Rev. B. 1996. - Vol! 53. -1146-1160i

64. A: Yu. Ignatov, N. Ali, S. Khalid. Mn K-edge XANES study of the Lai^GaxMn03 colossal-magnetoresistive manganites // Phys.'Rev. B. 2001. - Vol. 64. - 014413014428.

65. A. A. Zakharov, H. Nylen, Ml Qyarford, I. Lindau, M. Leandersson, MLB. Tsetlin, M:N. Mikheeva. Valence-band and resonance-photoemission study of La2Cu04+x single crystals. // Phys. Rev. B. 1997. - Vol. 56. - 9030-9037.

66. Steven G. Louie, P. Thiry, R. Pinchaux, Y. Petrojf, D: Chandesris, J. Lecante. Periodic oscillations of the frequency-dependent photoelectric cross sections of surface states: theory and experiment UPhys. Rev. Lett. 1980. - Vol. 44. .- 549-553.

67. Harry J. Levinson, F. Greuter, E. W. Plummer. Experimental band structure of aluminum // Phys. Rev. B. 1983. - Vol.27. - 727-747.

68. F. J. Himpsel. Angle-resolved measurements of the photoemission-of electrons inthe study of solids /1 Adv.in Phys. -1983. Vol.32, no. 1-1-51.

69. С. В. Вонсовский. Магнетизм. М.: Наука, 1971. - 1032 с.

70. А. А. Никонов. Вставка-криостат для измерения дифференциальной магнитной восприимчивости с использованием метода двойного синхронного детектирования // ПТЭ. 1995. - Том. 6. - 168-171.

71. Е. С. Stoner. The demagnetizing factors for ellipsoids // Phil. Mag. 1945. -Vol. 36.-803-821.

72. A A.M. KadoMifeea, Ю.Ф. Попов, Г.П. Воробьев, К.И. Камилов, А.А. Мухин,A.M. Балбашов. Аномалии теплового расширения и магнитострикции при фазовых переходах в монокристаллах // ФТТ. 2000. - Том. 42, вып. 6. -1077-1082.

73. К. Nakamura, X. Mingxiang, М. Klaser, G. Linker. Excess oxygen in low Sr doping Lai-jtSr^MnCW epitaxial films // J. Solid State Chem. 2001. - Vol. 156. -143-153.