Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров "пакетами" активных частиц газа большой плотности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Макушев, Игорь Алексеевич
- Специальность ВАК РФ01.04.10
- Количество страниц 108
Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Макушев, Игорь Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1 ПРОЦЕССЫ НА ГРАНИЦЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И АКТИВНЫХ ГАЗОВ.
1.1 Гетерогенные химические реакции на поверхности полупроводников и сопутствующие эффекты.
1.2 Структура поверхности полупроводников.
1.3 Поверхностные электронные состояния.
1.4 Адсорбция и десорбция атомов и молекул.
1.5 Гетерогенная рекомбинация атомов.
1.6 Возможные механизмы гетерогенной рекомбинации атомов на поверхности твердых тел.
1.7 Математическая модель гетерогенной рекомбинации атомов.
1.8 Аккомодация энергии твердым телом.
1.9 Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников.
1.10 Критические эффекты в гетерогенных химических реакциях.
1.11 Методы исследования поверхности и процессов на границе твердых тел и активных газов.
1.12 Постановка задачи.
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ
ИССЛЕДОВАНИЙ.
2.1 Экспериментальная установка.
2.2 Образцы.
2.3 Методика эксперимента.
3 КИНЕТИКА РАДИКАЛОРЕКОМБИНАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ, ВОЗБУЖДАЕМОЙ
ПАКЕТОМ» АТОМОВ ВОДОРОДА БОЛЬШОЙ ПЛОТНОСТИ.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами2003 год, кандидат физико-математических наук Рогожина, Татьяна Сергеевна
Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами2001 год, кандидат физико-математических наук Фроленкова, Лариса Юрьевна
Релаксационные методы контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях2003 год, кандидат технических наук Бармин, Андрей Владимирович
Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы1998 год, кандидат физико-математических наук Мосин, Юрий Викторович
Исследование взаимодействия неравновесных кислородосодержащих газовых сред с твердыми телами люминесцентными методами2005 год, доктор физико-математических наук Шигалугов, Станислав Хазретович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров "пакетами" активных частиц газа большой плотности»
3
3.2 Электронное возбуждение кристаллофосфоров «пакетами» атомов водорода различной плотности.60
3.2.1 Метод ограничения диффузионного расплывания «пакета» активных частиц газа.60
3.2.2 Экспериментальные результаты.62
3.3 Влияние температуры на инициируемое «пакетом» атомов водорода свечение люминофоров.79
3.4 Механизмы реакций гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Cu и ZnS-Tm, ответственные за возбуждение PPJI.84
3.5 Нелинейные эффекты при электронном возбуждении люминофора ZnS-Cu атомарным водородом.88
3.6 Механизмы возбуждения радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров «пакетом» атомов водорода.94
3.7 Автоколебания при рекомбинации атомов водорода на поверхности меди.95
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.98
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ.99
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность проблемы. Успехи микроэлектроники во многом базируются на фундаментальных исследованиях физики поверхности твердого тела. Разнообразные электронные, атомные и молекулярные процессы, разыгрывающиеся на поверхности твердых тел, интересуют специалистов в области конструкционных материалов, оптиков, радиофизиков. Столь же значимы проблемы поверхности и для химии. Поверхностные молекулярные и химические процессы играют основную роль в явлениях гетерогенного катализа, адсорбции, электрохимии и коррозии материалов. Биологи, биофизики, био- и геохимики интенсивно изучают сложные межфазные процессы в мембранах клеток, в пористых органических и неорганических веществах. Различные явления и процессы, протекающие на поверхности твердых тел, служат основой многих высокотехнологичных производств. Большое значение имеют технические аспекты применения поверхностных явлений, особенно в областях электронной и космической техники. Многие полупроводники являются катализаторами химических реакций. Адсорбционные и каталитические свойства поверхности представляют интерес для химической промышленности.
Свойства поверхности, природа физико-химических процессов, протекающих на ней, роль внешних факторов в полной мере еще не раскрыты. Научиться управлять свойствами поверхности - одна из задач микроэлектронной промышленности.
Существует много различных способов исследования как самих процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, так и поверхности твердых веществ в отдельности. Большую группу составляют методы, основанные на изучении явлений, возникающих при взаимодействие атомов и молекул с поверхностью. Эти явления сложны и многообразны, они несут информацию о процессах, происходящих на границе твердых тел и активных газов. Для контроля состояния поверхности твердых тел применяют методы дифракции электронов, оже-спектроскопии, измерения работы выхода, регистрацию инфракрасных спектров и другие. Большинство из них имеют низкое временное разрешение или сопровождаются разрушением объекта исследования и поэтому не пригодны для непрерывного контроля за изменением состояния поверхности в случае изучения быстропротекающих процессов.
В настоящее время накоплен значительный объем экспериментальных данных, полученных при исследовании взаимодействия активных газов с поверхностью полупроводников. Это работы по изучению радикалорекомбинаци-онной люминесценции (PPJI) кристаллофосфоров, эмиссии заряженных частиц за счет энергии, выделяющейся при протекании поверхностных химических реакций, динамического эффекта гетерогенных реакций (ДЭР) и другие. Широко развернуты в литературе вопросы, касающиеся изучения процессов, протекающих на поверхности твердых тел с участием хемосоробированных частиц газа. Окончательно не выяснена роль физически адсорбированных частиц в химических превращениях и электронном возбуждении поверхности твердых тел. Известные методы исследований ориентированы на использование малых давлений газовых смесей и не позволяют изучать поверхностные процессы с участием частиц газа, захваченных поверхностью в состояния с малым временем жизни. Для выяснения механизмов протекания гетерогенных химических реакций и сопутствующих электронных процессов при взаимодействии активных частиц газа с поверхностью полупроводников важно иметь достоверную информацию, полученную в условиях, когда изменение состояния поверхности твердого тела вследствие хемосорбции активных частиц газа пренебрежимо мало.
Цель работы - экспериментальное изучение механизмов радикалореком-бинационной люминесценции кристаллофосфоров при больших потоках активных частиц газа [j = (1019 - Ю20) cm'V1].
Задачи исследования:
- выяснение роли физически адсорбированных частиц в химических превращениях и электронном возбуждении поверхности кристаллофосфоров;
- получение информации о поверхностных электронных процессах при взаимодействии с кристаллофосфорами «пакетов» активных частиц газа большой плотности.
Научная новизна. Применен новый метод исследования процессов, протекающих на границе твердых тел и газов с участием частиц, находящихся на поверхности в состояниях с малым временем жизни, заключающийся в изучении взаимодействия с поверхностью люминофора «пакета» активных частиц газа, движущегося с газом-носителем. На интервале 0,1 с с временным разрешением 10 мс исследована кинетика радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Tm и ZnS-Cu, возбуждаемой «пакетом» атомов водорода большой плотности. Установлено, что свечение люминофоров при этом имеет форму вспышки, форма которой зависит от природы люминофора и плотности «пакета» атомов Н.
Установлено, что при концентрации атомов водорода в газовой среде n = (1014 - 1015) см3 ответственная за возбуждение поверхностной хемилюми-несценции кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Cu и ZnS-Tm реакция гетерогенной рекомбинации атомов Н протекает с участием физически адсорбированных атомов водорода. Установлено, что время жизни т8 атомов Н на поверхности люминофоров CaO-Mn, ZnS-Cu, ZnS-Tm по отношению к ответственной за возбуждение PPJI реакции Н+Н-^Н2 удовлетворяет условию: т5 « 10 мс. Обнаружено уменьшение интенсивности PPJI кристаллофосфора ZnS-Cu при увеличении плотности электронного возбуждения его поверхности атомами водорода при n ~ 1015 см"3, обусловленное конкуренцией каналов излучательной и безыз-лучательной релаксации электронно-возбужденных состояний кристалла.
Достоверность полученных результатов. При проведении исследований особое внимание уделялось защите средств измерения от воздействия электромагнитных полей. Объектами исследования служили вещества, состав которых был определен с точностью не хуже 10" %. Применялись химические средства очистки и пассивация стенок реактора и разрядных трубок. Большое внимание уделялось очистке используемых газов, в опытах использовали спектрально чистые газы. С целью проверки экспериментальных данных проводили "холостые" опыты, в которых образцы не наносили на подложку. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых кинетических кривых интенсивности радикалорекомбинацион-ной люминесценции I(t). При неоднократной смене образцов в различной последовательности (например, ZnS-Cu, CaO-Mn, ZnS-Cu, ZnS-Tm, ZnS-Cu, CaO-Mn) с целью проверки воспроизводимости экспериментальных данных были получены идентичные результаты для одних и тех же образцов. Вспышки свечения люминофоров контролировали визуально. Полученные экспериментальные результаты согласуются с данными, полученными другими методами, и допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.
Практическая значимость. Применение метода исследования процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, заключающегося в изучении взаимодействия с поверхностью «пакета» активных частиц газа большой плотности, позволило получить новую информацию о механизмах неупругих столкновений атомных частиц с поверхностью, о механизмах гетерогенных химических реакций с участием газовых частиц, захваченных поверхностью в коротко-живущие квантовые состояния. Эта информация способствует развитию теории изучаемых явлений.
Защищаемые положения.
1. Гетерогенная реакция Н+Н—>Н2, ответственная за возбуждение PPJI кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Cu, ZnS-Tm, при п = (1014 - 1015 ) см"3 протекает с участием физически адсорбированных атомов водорода.
2. Время жизни т8 атомов водорода на поверхности люминофоров CaO-Mn, ZnS-Cu, ZnS-Tm по отношению к ответственной за возбуждение PPJI реакции Н+Н—>Н2 удовлетворяет условию: xs« Юме.
3. Интенсивность PPJI кристаллофосфора ZnS-Cu (люминофор марки
ФКП-03») убывает с ростом плотности электронного возбуждения поверхности атомами водорода при их концентрации в газовой среде n ~ 1015 см"3 (нелинейный эффект) в связи с конкуренцией каналов излучательной и безызлуча-тельной релаксации электронно-возбужденных состояний кристалла.
4. Нелинейный эффект уменьшения интенсивности PPJT люминофора ZnS-Cu при увеличении скорости гетерогенной реакции Н+Н—>Н2, ответственной за возбуждение PPJI, свидетельствует об ионизации поверхностных электронных донорных состояний, вследствие чего появляется поверхностный положительный заряд, который управляет процессами излучательной рекомбинации электронов и дырок.
Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 108 страницах, иллюстрируется 37 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 136 наименований.
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Вторичная эмиссия частиц и люминесценция сульфида цинка при взаимодействии с атомами и ионами водорода низких энергий1984 год, кандидат физико-математических наук Малиненко, Евгений Матвеевич
Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием2009 год, доктор физико-математических наук Овчинников, Олег Владимирович
Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ2007 год, кандидат физико-математических наук Хорошилова, Маргарита Вячеславовна
Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией2005 год, кандидат физико-математических наук Седов, Александр Викторович
Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ2009 год, кандидат физико-математических наук Харламов, Фёдор Владимирович
Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Макушев, Игорь Алексеевич
Выводы. Электронное возбуждение кристаллов атомарным водородом происходит с участием в реакции рекомбинации физически адсорбированных атомов Н. Возникающие благодаря колебательно-электронным переходам в актах рекомбинации атомов электронно-возбужденные состояния передаются центрам свечения по электронно-дырочному или резонансному механизму. Поверхностные электронные состояния оказывают существенное влияние на возникающие нелинейные эффекты при электронном возбуждении люминофора ZnS-Cu атомами водорода.
3.7 Автоколебания при рекомбинации атомов водорода на поверхности меди
Взаимодействие атомарного водорода с твердыми телами может сопровождаться автоколебаниями скорости реакции и концентрации адсорбированного водорода [41, 127 - 134]. В наших опытах при обработке медного образца стационарным потоком атомов водорода наблюдались автоколебания величины динамического эффекта реакции и концентрации хемосорбированных атомов водорода, сохраняющиеся в течение непродолжительного времени (около 2 • 103 с).
Автоколебания величины динамического эффекта реакции возникают самопроизвольно при концентрации атомов водорода в газовой среде n « 1013 см"3 и температуре Т = 295 К (рисунок 36). С помощью пьезорезонансных кварцевых весов наблюдались также автоколебания концентрации атомов водорода на поверхности медного образца (рисунок 37).Период автоколебаний приблизительно равен 800 - 900 с. С течением времени автоколебания самопроизвольно прекращаются. Этот эффект наблюдался три раза, в дальнейших опытах автоколебания не возникали.
F ■ 10е, H
16 г
12
1000
2000 t, с
Рисунок 36 - Изменение со временем динамического эффекта реакции Н + Н —> Н2 при взаимодействии стационарного потока атомов водорода с медью. Т = 295 K.n« 1014 см'3 f-9992650, Гц 80
60
40 20
1000
2000 t,c
Рисунок 37 - Автоколебания концентрации хемосорбированных на поверхности меди атомов водорода. Т = 295 К. n « 1014 см"3
Автоколебания, наблюдавшиеся в наших опытах при протекании реакции Н + Н —» Н2 на поверхности меди, можно объяснить участием в автоколебаниях адсорбированных молекул водорода [2, 12, 135, 136], если допустить, что поверхность меди была восстановлена атомами водорода не полностью (см. п. 2.3) и содержала оксид меди, на поверхности которого возможна адсорбция молекул Н2. Дополним систему реакций (I) - (VI) (см. п. 1.7) стадиями [2]:
RZ + (RZ)->R22Z (VII) R2+2Z^Z!R22Z (VIII)
RZ + R2 2Z->R2 + 2Z + (RZ) (IX).
Реакции (I), (IV), (V) и (VTII) образуют каталитический осциллятор [12], поэтому в системе (I) - (ГХ) возможны автоколебания. Для их возникновения необходимо, чтобы стационарная точка была единственной и неустойчивой. При этом на поверхности твердого тела должны находится атомы, адсорбированные на поверхности в трех состояниях [2].
Также можно предположить, что возникновение автоколебаний связано с эффектами энергообмена в слое адсорбированных радикалов. Так возникновение автоколебаний скорости реакции возможно в системе реакций (I) - (VI) (см. п. 1.7) дополненных стадией:
RZ + RZ + (RZ) -> R2 + 2Z + (RZ).
Результаты [100] позволяют предполагать наличие такой стадии для реакции рекомбинации атомов водорода на поверхности меди.
Вывод. При взаимодействии стационарного потока атомов водорода с медным образцом наблюдались автоколебания величины динамического эффекта реакции и концентрации хемосорбированных атомов водорода.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Применен новый метод исследования процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, заключающийся в изучении взаимодействия с поверхностью люминофора «пакета» активных частиц газа, движущегося с газом-носителем. На интервале 0,1 с с временным разрешением 10 мс исследована кинетика радикалорекомбинационной люминесценции (PPJI) кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Tm и ZnS-Cu, возбуждаемой «пакетом» атомов водорода большой плотности. Установлено, что свечение люминофоров при этом имеет форму вспышки, форма которой зависит от природы люминофора и плотности «пакета» атомов Н.
2. При концентрации атомов водорода в газовой среде n = (1014 - 1015)см"3 ответственная за возбуждение PPJI кристаллофосфоров CaO-Mn, ZnS-Cu и ZnS-Tm реакция гетерогенной рекомбинации атомов Н протекает с участием физически адсорбированных атомов водорода.
3. Время жизни т8 атомов водорода на поверхности люминофоров СаО-Mn, ZnS-Cu, ZnS-Tm по отношению к ответственной за возбуждение PPJI реакции Н+Н-»Н2 удовлетворяет условию: xs « Юме.
4. Обнаружено уменьшение интенсивности PPJI кристаллофосфора ZnS-Cu при увеличении плотности электронного возбуждения его поверхности атомами водорода при концентрации атомов водорода в газовой среде n « 1015 см"3, что связано с конкуренцией каналов излучательной и безызлучательной релаксации электронно-возбужденных состояний кристалла.
5. Нелинейный эффект уменьшения интенсивности PPJI люминофора ZnS-Cu при увеличении скорости гетерогенной реакции Н+Н-^Н2, ответственной за возбуждение PPJI, свидетельствует об ионизации поверхностных электронных донорных состояний, вследствие чего появляется поверхностный положительный заряд, который управляет процессами излучательной рекомбинации электронов и дырок.
Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Макушев, Игорь Алексеевич, 2003 год
1. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973. 399 с.
2. Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. - 207 с.
3. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. - 536 с.
4. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. — М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999.-284 е., ил.
5. Киселев В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979. - 234 с.
6. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980.
7. Теория хемосорбции. Под редакцией Дж. Смита. М.: Мир, 1983.
8. Жданов В. П. Скорость химической реакции. М.: Наука, 1986.
9. Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988.
10. Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов // Поверхность. 1992. № 9. С. 5 26.
11. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24.; N 5. С. 23 27.
12. Яблонский Г. С., Быков В. И., Елохин В. И. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа. Новосибирск: Наука. 1984.
13. Гранкин В. П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444-451.
14. Гранкин В. П., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608-612.
15. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1996. Т. 70. №. ю. С. 1863 1868.
16. Kharlamov V. F. //React. Kinet. Catal. Lett. 1987/№ 33. P. 43.
17. Харламов В. Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. № 8. С. 1084.
18. Харламов В. Ф. // Жури. физ. химии. 1997. Т. 71. N 4. С 678.
19. Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н., Иващук О. А. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. N2. С. 298.
20. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 3. С. 54 59.
21. Kharlamov V. F., Izmailov Sh. L., Vasilyev N. Ph. // React.Kinet. Catal. Lett. 1997. V. 60. N1. P. 107
22. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. № 15. С. 27 32.
23. Мосин Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Курск., 1998. - 97 с.
24. Иващук О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Курск., 1998.- 139 с.
25. Фроленкова JI. Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Курск., 2001. 102 с.
26. Ребане К.К., Саари П.М., Мауринг Т.Х. // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1973. Т. 37. №4. С. 848- 852.
27. Кривоглаз М.А. // ЖЭТФ. 1961. Т. 40 . С. 567 573.
28. Харламов В.Ф. //Ж. физ. химии. 1976. Т. 50№ 9. С. 2325 2330.
29. Тюрин Ю. И., Гранкин В. П. // Хим. физика. 1982. № 11. С. 15291538.
30. Горбачев А. Ф., Стыров В. В., Толмачев В. М., Тюрин Ю. И. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 172- 189.
31. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Стыров В. В. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. № 3. С. 210 214.
32. Тюрин Ю. И. // Поверхность. 1986. № 9. С. 115 125.
33. Стыров В. В., Харламов В. Ф., Ягнова JI. И. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М.: Наука, 1972. С. 72 - 73
34. Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.
35. Харламов В.Ф. // Поверхность. 1990. № 11. С. 151 152.
36. Волькенштейн Ф. Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. - 399 с.
37. Харламов В. Ф. Механизм и интенсивность радикалорекомбинацион-ной люминесценции кристаллофосфоров // Ж. прикл. спектроскопии. 1987. Т 46. №3. С. 427-432.
38. Кольцов Н.И., Федотов В.Х., Алексеев Б.В. // Кинетика и катализ. 1995. Т. 36. № 1.С. 51 -59.
39. Слинько М.М. // Кинетика и катализ. 1995. Т. 36. № 6. С. 950 955.
40. Slin'ko М. G., Slin'ko М. М. Selfoscillations of heterogeneous catalytic reaktion rates. // Catal. Rev.-Sci. Eng., 1978. V. 17. № 1. P. 119 153.
41. Беляев В.Д., Слинько М.М., Слинько М.Г., Тимошенко В.И. // Докл. АН СССР. 1974. Т. 214. № 5. С. 1098 1100.
42. Beljaev V.D., Slin'ko М. М., Slin'ko М. G. // Proceeding of the 6th International Congress on Catalysis. London. 1976. The Chemical Soc. London. 1977 V. 2. P. 758 767.
43. Чумаков Г.А., Слинько M.M., Беляев В.Д., Слинько М.Г. // Докл. АН СССР. 1977. Т. 234. № 2. С. 399 402.
44. Чумаков Г.А., Слинько М.Г., Беляев В.Д. // Докл. АН СССР. 1980. Т. 253. № 3. С. 653 658.
45. Dauchot J.P., Van Cakenberghe J. // Nature (London). Phys. Sci. 1973. V. 246. P. 61 -64.
46. Daggonier R., Dumont M., Nuyts J. // J. Catal. 1980. V. 66. № 1 P. 130146.
47. Барелко B.B., Мержанов А.Г. // Проблемы кинетики и катализа. Вып. 17. Нестационарные и неравновесные процессы в катализе. М.: Наука. 1978. С. 182-205.
48. Барелко В.В. // Кинетика и катализ. 1973. Т. 14. № 1. С. 190 202.
49. Барелко В.В., Володин Ю.Е. // Докл. АН СССР. 1973. Т. 211. № 6. С. 1373 1376.
50. Барелко В.В., Володин Ю.Е., Хальзов П.И. // Докл. АН СССР. 1977. Т. 234. №5. С. 1108-1111.
51. Jensen K.F., Ray W.H. // Chem. Eng. Sci. 1980. V. 35. № 12 P. 24392458.
52. Jensen K.F., Ray W.H. // Kinetics of Physicochemical Oscillations. Discussion Meeting. Aachen (DBR). 1979. Preprints. V. 1. P. 243 253.
53. Turner F.E., Sales B.S., Maple M.B. // Surface Sci. 1981. Preprints. V. 103. № 1 P. 54 57.
54. Turner F.E., Sales B.S., Maple M.B. // Surface Sci. 1981. Preprints. V. 109. № 3 P. 591 604.
55. Sheintuch M., Schmitz R. A. // Catal. Rev. Sci. Eng., 1977. V. 15. № 1. P. 107.
56. Слинько M.M., Слинько М.Г. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. № 6.1. С. 1421.
57. Razon L.F., Schmitz R. A. // Catal. Rev. Sci. Eng., 1986. V. 28. № 1. P. 89.
58. Кольцов Н.И., Алексеев Б.В., Федотов B.X. // Докл. АН СССР. 1994. Т. 337. №6. С. 761 -764.
59. Алексеев Б.В., Федотов В.Х., Кольцов Н.И. // Докл. АН СССР. 1989. Т. 306. № 4. С. 884.
60. Федотов В.Х., Алексеев Б.В., Кольцов Н.И., Киперман C.JI. // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1985. Т. 28. № 5. С. 66.
61. Кольцов Н.И., Алексеев Б.В., Федотов В.Х. // Нестационарные процессы в катализе. Новосибирск. 1990. С. 131.
62. Харламов В. Ф., Горбачев А. Ф., Клыков О. И. // Хим. физика. 1986. №5. С. 708-710.
63. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. 2-е изд., пере-раб. и доп. - М.: Высш. шк., 1984. - 352 е., ил.
64. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.
65. Вилков JI. В. Физические методы исследования в химии. М.: Высшая школа, 1989.
66. Барковский В. Ф., Горелик С. М., Городенцева Т. Б. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1972.
67. Экспериментальные методы химической кинетики. / Под ред. Эмануэля Н. М., Кузьмина М. Г. // Изд-во Московского университета, 1985.
68. Davis L.E., MacDonald N.C. et al., Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd edition, Physical Electronics inc., EdenPrarie, Minn, 1986.
69. Luth H. Surfaces and Interfaces of Solids, Second Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1993. 487 p.
70. Томас Дж. и др. Методы исследования катализаторов: Пер. с англ. / Под ред. Дж. Томаса., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. - 304 с.
71. Эткинс П. Физическая химия: Пер. с англ. К. П. Бутина. М.: Мир,1980.-584 с.
72. Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. М.: Мир, 1981.
73. Бонч-Бруевич В. Л, Калашников С. Г. Физика полупроводников. Учеб пособие для вузов 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990.-688 е., ил.
74. Стромберг А. Г., Семченко Д. П. Физическая химия. Под ред. А. Г. Стромберга. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1988. - 496 е., ил.
75. Tamaru К. // Adv. Catal. 1964. V. 15. P. 65.
76. Bennet C.O. // Catal. Rev.-Sci. Eng. 1976. V. 13. P. 121.
77. Kobayashi H., Kobayashi M. // Catal. Revs. 1974. V. 10. P. 139.
78. Слинько М.Г., Яблонский Г.С. // Проблемы кинетики и катализа. 1978. Т17. С. 154.
79. Темкин М.И. // Кинетика и катализ. 1976. Т 17. С. 1095.
80. Yabrov А.А., Ivanov А.А. // React. Kinet. Catal. Lett. 1980. V. 14. P. 347.
81. Бальжинимаев Б.С., Иванов А.А. Релаксационные методы в гетерогенном катализе. Препринт Института катализа. Новосибирск. 1985.
82. Gleaves J.T., Sault A.G., Madix R.J., Ebner J.R. // J. Catal. 1990. V. 121. P. 202.
83. Kobayashi M. // Chem. Eng. Sci. 1982. V. 37. P. 403.
84. Yablonskii G.S., Cheresiz V.M. // React. Kinet. Catal. Lett. 1984. V. 24.1. P. 49.
85. Бальжинимаев B.C., Пинаева Л.Г. // Кинетика и катализ. 1995. Т 36. С. 60 69.
86. Yablonskii G.S., Elokhin V.I. Perspectives in Catalysis. Lr.Blackwel Sci. Publications, 1992. P. 191.
87. Mirodatos C. // Catalysis Today. 1991. V. 9. P. 83.
88. Ivanov A.A., Bal'zhinimaev B.S. Unsteady-state processes in catalysis. Utrecht: VSP-III. 1990. P. 91.
89. Ануфриев К. М., Харламов В. Ф., Разумов А. В. Быстродействующие весы с магнитным подвесом. //ПТЭ. 2000. № 1. С. 152 154.
90. Ануфриев К. М. Метод и средства контроля за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов: Дис. канд. физ.-мат. наук. Орел., 2000. - 126 с.
91. Киперман C.JL, Гайдай Н.А. // Кинетика и катализ. 1999. Т. 40. № 5. С. 705-720.
92. Луке Г. Экспериментальные методы в неорганической химии: Пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. М.: Мир, 1965.
93. Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Томск., 1976.- 177 с.
94. Харламов В. Ф. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990.-31 с.
95. Макушев И.А., Бармин А.В., Харламов В.Ф., Ануфриев К.М., Быковский М.И. Формирование «пакета» радикалов с короткой длительностью фронта нарастания их концентрации в газе над поверхностью твердого тела. // ПТЭ. 2003. № 1.С. 134- 135.
96. Зайцев В.В. // Оптика и спектроск. 1992. Т.72. № 4. С. 859.
97. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С., Макушев И.А., Бармин А.В., Быковский М.И. Метод определения состояний молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. № 13. С. 67-73.
98. Харламов В.Ф. //Поверхность. 1993. № И. С. 122 126.
99. Харламов В.Ф., Фроленкова Л.Ю., Рогожина Т.С. // Журн. техн. физики. 2001. Т. 71. № 10. С. 90 94.
100. Черепнин Н. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике. М.: Атомиздат, 1967. 408 с.
101. Кашгар А., Ламберт Дж. / Возбужденные частицы в химической кинетике. М.: Мир, 1973. С. 214.
102. Птушинский Ю. Г., Чуйков В. А. // Поверхность. 1992. № 9. С. 5 26.
103. Крылов О.В. Шуб Б.Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия, 1990. - 288 с.
104. Харламов В.Ф. // Химич. физика. 1994. Т. 13. № 6. С. 83 88.
105. Справочник по точным решениям уравнений тепло- и массоперено-са. / Полянин А.Д., Вязьмин А.В, Журов А.И., Казенин Д.А. М.: Факториал, 1998.-368с.
106. Будак Б.М., Самарский А.А., Тихонов А.Н. Сборник задач по математической физике. М.: Наука, 1980. - 688 с.
107. Мартинсон Л.К., Малов Ю.И. Дифференциальные уравнения математической физики М.: Изд-во МГУ, 1996. - 368с.
108. Стыров В.В. //Кинетика и катализ. 1968. Т. 9. № 1. С. 124-129.
109. Измайлов Ш.Л., Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. Вып. 5. С. 1179- 1182.
110. Стыров В.В., Ягнова Л.И., Измайлов Ш.Л. // Кинетика и катализ. 1975. Т. 16. Вып. 3. С. 705 712.
111. Нуржанов М.Д., Харламов В.Ф. // Химия высоких энергий. 1983. Т. 17. № 1.С. 30-34.
112. Харламов В.Ф., Криволапов Н.Н., Лисецкий В.Н. // Поверхность. 1990. №3. С. 142- 145.
113. Лисецкий В.Н., Беломестных В.Н., Савельев Г.Г., Лисецкая Т.А., Иванов Г.Ф. // Сверхпроводимость. 1989. Т. 2. № 11. С. 66 69.
114. Нуржанов М.Д., Харламов В.Ф. // Журн. прикл. спектроскопии. 1983. Т. 38. Вып. 4. С. 585 589.
115. Беломестных В.Н., Измайлов Ш.Л., Лисецкий В.Н., Харламов В.Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. № 7. С. 1011 1016.
116. Гранкин В.П., Стыров В.В., Тюрин Ю.И. // Кинетика и катализ. 1983. Т. 24. Вып. 1.С. 141 148.
117. Харламов В.Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. № 8. С. 1084 1090.
118. Kettle Sydney. Structure of the ZnS. // J. Crystallogr. and Spectrosc. Res. 1990. Vol. 20. № 1. P. 59-67.
119. Харламов В.Ф. // Изв. вузов. Физика. 1990. № 4. С. 15 21.
120. Стыров В.В., Толмачов В.М. // ДАН СССР. 1974. Т. 218. № 5. С. 1150- 1155.
121. Бедный Б.И. // Соросовский образовательный журнал. 1998. № 7. С. 114-121.
122. Лифшиц В.Г. // Соросовский образовательный журнал. 1995. № 1. С. 99- 107.
123. Демиховский В .Я. // Соросовский образовательный журнал. 1997. № 5. С. 80 86.
124. Харламов В.Ф. //Ж. физ. химии. 1985. Т. 59. № 12. С. 3017 3021.
125. Беляев В.Д., Слинько М.Г., Тимошенко В.И., Слинько М.М. // Кинетика и катализ. 1973. Т. 14. № 3. С. 810 813
126. Берман А.Д., Крылов О.В. // Докл. АН СССР. 1976. Т. 277. № 1. С. 122 124
127. Dagonnier М., Nuyts J. // J. Chem. Phys. 1976. v. 65. № 6. P. 20612065108
128. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979.
129. Барелко В.В., Володин Ю.Е. // Докл. АН СССР. 1977. Т. 216. № 5. С 1080- 1083.
130. Берман А.Д., Елинек А.В. // Докл. АН СССР. 1979. Т. 248. № 3. С 643 647.
131. Пятницкий Ю.И. // Теорет. и эксперим. химия. 1992. Т. 28. № 2 С. 152 154.
132. Луцевич Л.В., Яблонский Г.С. // Кинетика и катализ. 1992. Т. 28, №2. С. 713 -720.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.