Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Рогожина, Татьяна Сергеевна

• Рогожина, Татьяна Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рогожина, Татьяна Сергеевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ВЗАИМОСВЯЗЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ И ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.1 Электронное возбуждение полупроводников в актах химических превращений на поверхности.

1.2 Поверхность полупроводников.

1.2.1 Структура поверхности.

1.2.2 Свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводников.

1.2.3 Свойства реальных поверхностей полупроводников.

1.2.4 Поверхностные электронные состояния.

1.3 Адсорбция атомов и молекул.

1.4 Механизмы гетерогенных реакций на поверхности полупроводников.

1.5 Радикалорекомбинационная люминесценция.

1.6 Динамический эффект гетерогенной химической реакции.

1.7 Постановка задачи.

ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ НА ГРАНИЦЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И ГАЗОВ.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Образцы.

2.3 Методика эксперимента.

ГЛАВА 3 ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ АКТЫ ХИМИЧЕСКИХ ПРЕВРАЩЕНИЙ НА ГРАНИЦЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И АКТИВНЫХ ГАЗОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИЕСЯ ВОЗБУЖДЕНИЕМ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ.

3.1 Введение.

3.2 Кинетика и механизм гетерогенной рекомбинации молекул СО и атомов О на поверхности твердых тел.

3.3 Роль хемосорбированных атомов и молекул реагирующих веществ в ускорении ответственных за возбуждение PPJI реакций.

3.3.1 Гетерогенная химическая реакция Н + Н —» Н2.

3.3.2 Гетерогенная химическая реакция СО + О —> С02.

3.4 Влияние плотности электронного возбуждения поверхности на выход PPJI кристаллофосфора ZnS-Cu в среде атомарного водорода.

3.5 Проверка применимости установленных в опытах закономерностей к теоретическому описанию других поверхностных химических процессов (на примере гетерогенной реакции 2Н2 + Ог —> 2Н20 на платине).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами»

Актуальность проблемы. Дальнейшее развитие и совершенствование таких отраслей современной науки, как микро- и наноэлектроника, каталитическая химия, космическое материаловедение, порошковая металлургия, оптика и т. п. невозможно без знания процессов, протекающих на границе твердых тел и активных газов. Информация о таких процессах представляет интерес не только с исследовательской точки зрения, но и с точки зрения практического применения возникающих явлений.

Современная технология производства элементов радиоэлектронной аппаратуры требует знания явлений и процессов, происходящих в тончайших поверхностных слоях материалов. Эта технология включает очистку поверхностей, процессы конденсации, испарения, адсорбции, десорбции, которые приводят к формированию поверхности электрических элементов с соответствующими значениями параметров. Последующий период эксплуатации электронных схем приводит к изменению этих параметров за счет различных физико-химических процессов, происходящих на поверхности. Следствием таких процессов может быть существенное изменение параметров электронной схемы. Учет поверхностных явлений играет большую роль в обеспечении надежности элементной базы современной электронной техники.

Особое значение физика поверхностных явлений приобретает в связи с бурным развитием электроники. Микро- и оптоэлектроника неудержимо стремится к увеличению степени интеграции твердотельных систем переработки информации и к резкому уменьшению размеров отдельных компонентов этих систем. Зарождается нано- и молекулярная электроника; размеры элементов интегральных схем начинают приближаться к размерам малых кластеров из атомов и молекул. При этом число частиц в поверхностной фазе начинает приближаться к количеству частиц в объемной фазе. Так, для частиц с размером d» 10 нм 30% атомов находится на поверхности и 70% - в объеме. Свойства поверхностной и объемной фаз становятся взаимосвязанными и их нельзя рассматривать изолированно. Поэтому, несомненно, что прогресс в области нано-электроники тесно связан с успехами физико-химии поверхности.

Поверхностные явления могут приводить к существеным изменениям оптических свойств твердых тел. Такие оптические характеристики, как коэффициент отражения, коэффициент пропускания и другие, в значительной степени определяются состоянием адсорбированных или конденсированных покрытий поверхностей твердых тел.

Многообразие полупроводниковых сорбентов и большое число электрофизических явлений, контролируемых адсорбцией, представляют широкие возможности для новых и неожиданных технических приложений, в частности в области газового анализа. Принципиальными проблемами в разработке полупроводниковых газоанализаторов являются проблемы селективности и старения. Первую из них пытаются решить дополнительными, неполупроводниковыми средствами, наиболее перспективными из которых являются различного рода сорбенты, либо мембраны, устанавливаемые перед полупроводниковой поверхностью. Проблему старения можно решить путем изменения режима работы датчика, а именно переходом к испульсному режиму адсорбции, когда полупроводник лишь на короткое время приводится в контакт с исследуемыми молекулами. При этом сведения о поведении поверхности полупроводников в условиях импульсной адсорбции в настоящее время отсутствуют.

Еще одним направлением, где поверхностные молекулярные процессы играют доминирующую роль - область гетерогенного катализа. Значительное увеличение скорости химических взаимодействий, происходящих в присутствии твердых катализаторов (обычно порошков), часто являющихся полупроводниками или содержащих поверхностную полупроводниковую пленку, должно происходить вследствие модификации при адсорбции на поверхности твердого тела по крайней мере одного из химических реагентов и возрастании его способности взаимодействовать с другими реагентами в этом состоянии. Следовательно, необходимо выяснить, что представляют собой такие модификации, каковы стадии, лимитирующие скорости и энергии активации, какие места на поверхности катализатора активны и как эти реакционные процессы зависят от материала катализатора. Такая информация позволит разрабатывать более продуктивные и более дешевые катализаторы.

Существует множество способов исследования, как самих процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, так и поверхности твердых веществ. Обширную группу составляют методы, основанные на изучении явлений, возникающих при взаимодействие атомов и молекул газа с поверхностью. Эти явления сложны и многообразны, многие недостаточно изучены. Возникающие при протекании гетерогенных химических реакций процессы адсорбции и десорбции, поверхностной диффузии молекул, люминесценции, эмиссии электронов и ионов и динамического эффекта реакции несут информацию о химическом составе, структуре, электронном спектре, о химической активности поверхности и кинетике протекающих реакций.

Регистрация этих явлений служит эффективным средством изучения процессов, происходящих на границе твердых тел и активных газов.

В настоящее время накоплен значительный объем экспериментальных данных, полученных при исследовании взаимодействия активных газов с поверхностью полупроводников. Это работы по изучению радикалорекомбинаци-онной люминесценции (PPJI) кристаллофосфоров, эмиссии заряженных частиц за счет энергии, выделяющейся при протекании поверхностных химических реакций, динамического эффекта гетерогенных реакций (ДЭР) и другие. Однако большинство экспериментальных данных получено в стационарных условиях. Публикации, посвященные изучению процессов, протекающих в нестационарных условиях, особенно в случае средних и больших давлений газов весьма немногочисленны. Практически отсутствуют работы по изучению влияния изменения состояния поверхности полупроводников на протекание поверхностных химических реакций и сопутствующие эффекты. Невелико также число работ, описывающих комплексные исследования, суть которых заключается в одновременной регистрации нескольких физических величин, характеризующих изучаемый процесс.

Целью работы является экспериментальное исследование атомно-молекулярных процессов, вызывающих электронное возбуждение поверхности кристаллофосфоров, помещенных в среду химически активных газовых частиц.

Для достижения поставленной цели выбраны следующие направления исследований:

- изучение механизмов гетерогенных химических реакций в нестационарных условиях при одновременном контроле за величиной динамического эффекта реакции F(t), интенсивностью радикалорекомбинационной люминесценции I(t) и концентрацией адсорбированных молекул газа N(t);

- получение информации о каналах энерговыделения в ходе реакций;

- установление связи между адсорбционной способностью полупроводников и их каталитической активностью.

Научная новизна: Обнаружено, что при увеличении степени покрытия поверхности хемосорбированными атомами водорода в области концентраций атомов Н в газовой среде n ~ 1013 см"3 скорость гетерогенной реакции Н +• Н —» Н2, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu или медного катализатора, и интенсивность PPJI люминофора ZnS-Cu возрастают, что обусловлено участием хемосорбированных атомов в отводе избыточной энергии при рекомбинации физически адсорбированных атомов водорода, либо протеканием реакции по механизму рекомбинации физически адсорбированных атомов с хемосорбированными атомами.

Установлено, что скорость гетерогенной реакции СО + О СОг, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu по механизму рекомбинации физически адсорбированных частиц, а также интенсивность PPJI, сопутствующая этой реакции, зависит от концентрации хемосорбированных частиц СО и О в связи с их участием в отводе избыточной энергии при стабилизации на поверх

13 3 ности предадсорбированных частиц СО и О (n ~ 10 см").

Обнаружено убывание выхода поверхностной хемилюминесценции кри-сталлофосфора ZnS-Cu, возбуждаемой атомарным водородом, с ростом концентрации атомов Н в газовой среде при n ~ 1014 см"3. Дана интерпретация этого эффекта.

Установлено, что при температуре Т = (295 - 400) К и концентрации частиц СО и О в газовой среде п «1014 см"3 гетерогенная реакция СО + О СО2 на поверхности алюмоплатинового катализатора Pt/Al203 (Pt -0,6%) протекает по механизму рекомбинации слабо связанных с поверхностью (физически адсорбированных) частиц.

Установлено, что десорбция атомов водорода или частиц СО и О с поверхности алюмоплатинового катализатора Pt/Al203, после выключения потока этих частиц, соответствует рекомбинационной десорбции хемосорбированных частиц.

Выдержка катализатора в среде диссоциированного углекислого газа (десятки минут) сопровождается уменьшением величины v константы скорости реакции (COZ) + (OZ) С02 + 2Z, где Z - центр адсорбции, на два порядка, вероятно, в связи с взаимодействием атомарного кислорода с платиной и изменением вследствие этого состояния ее поверхности.

Установлено, что взаимодействие атомарного водорода с адсорбированными на поверхности Pt/Al203 частицами СО и О сопровождается выбросами адсорбированного вещества с поверхности.

С целью теоретического обобщения полученных экспериментальных результатов на примере реакции окисления водорода на платине исследована модель протекающей на границе твердого тела и газа гетерогенной реакции, в которой величину скорости реакции определяют химические превращения с участием слабо связанных с поверхностью (физически адсорбированных) молекул. Модель, в которой используется единственный набор констант скорости элементарных стадий реакций, описывает известные из литературы экспериментальные данные, полученные разными авторами при окислении водоро

3 5 да на платине в интервале давлений гремучей смеси Р = (10" -10) Па и температуре Т = (293 - 603) К. Дана интерпретация падения на несколько порядков эффективности образования молекул Н20 в расчете на одно столкновение с поверхностью Pt молекул Н2 при переходе от низких давлений к высоким. Получил объяснение изотопный эффект, заключающийся б уменьшении скорости реакции при замене молекул Н2 на D2.

Достоверность полученных результатов.

1. Особое внимание при проведении экспериментов уделялось химической чистоте внутренних поверхностей реактора и соединительных трубок вакуумной экспериментальной установки. Для этого применялось химические средства очистки и пассивация стенок реактора и разрядной трубки.

2. В течение проведения всей серии опытов (месяцы) в экспериментальной установке поддерживался остаточный вакуум «0,1 Па.

3. В экспериментах использовали спектрально чистые газы, которые осушались, проходя через колонку с силикагелем. Отсутствие примесей в используемых газах контролировали по спектру свечения ВЧ разряда в газе. Отсутствие необратимой адсорбции примесных молекул газа контролировали также с помощью пьезорезонансных кварцевых весов и по спектрам PPJ1 кристалло-фосфора ZnS-Cu.

4. При проведении экспериментов все измерительные приборы были экранированы от воздействия посторонних электромагнитных полей. В экспериментах, где используются два ВЧ-генератора, была дополнительно проведена серия опытов по проверке влияния работы и интенсивности разряда одного генератора на работу и интенсивность разряда другого генератора. Такого влияния не обнаружено.

5. Объектами исследований служили образцы, состав которых был определен с точностью до 1- 10"4 весового процента. С целью проверки экспериментальных данных проводили "холостые" опыты, в которых образцы не наносили на датчики. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых экспериментальных кинетических кривых [концентрации адсорбированных частиц N(t), динамического эффекиа реакции F(t) и интенсивности PPJI кристаллофосфоров I(t)]. В ряде случаев полученные результаты согласуются с экспериментальными результатами других авторов. Полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Практическая значимость. Полученные экспериментальные результаты дают информацию о механизмах физических и химических процессов с участием газовых частиц, захваченных поверхностью в короткоживущие квантовые состояния. Эта информация обеспечивает развитие представлений об электронных и атомно-молекулярных процессах, происходящих на границе твердых тел и активных газов, способствует развитию теории изучаемых явлений. Результаты настоящей работы служат основанием для изучения моделей гетерогенных реакций, в которых учитывается участие предадсорбированных молекул в актах химических превращений.

Защищаемые положения.

1. Выход радикалорекомбинационной люминесценции (PPJI) кристалло-фосфора ZnS-Cu (люминофор марки ФКП-03), возбуждаемой атомарным водородом, убывает с ростом концентрации п атомов Н в газовой среде при n ~ 1014 см"3 в связи с конкуренцией каналов излучательной и безызлучательной релаксации электронно-возбужденных состояний кристалла. Эффект обусловлен наличием в электронном спектре этого люминофора ловушек, ответственных за длительное послесвечение.

2. При увеличении степени покрытия поверхности хемосорбированными атомами водорода в области концентраций атомов Н в газовой среде

11 л n ~ 10 см" скорость гетерогенной реакции Н + Н -» Н2, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu или медного катализатора, и интенсивность PPJI люминофора ZnS-Cu возрастают, что обусловлено участием хемосорбиро-ванных атомов в отводе избыточной энергии при рекомбинации физически адсорбированных атомов водорода, либо протеканием реакции по механизму рекомбинации физически адсорбированных атомов с хемосорбированными атомами, либо протеканием реакции по механизму рекомбинации физически адсорбированных атомов с хемосорбированными атомами.

3. Скорость гетерогенной реакции СО + О —С02, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu по механизму рекомбинации физически адсорбированных частиц, а также интенсивность PPJ1, сопутствующая этой реакции, зависит от концентрации хемосорбированных частиц СО и О в связи с их участием в отводе избыточной энергии при стабилизации на поверхности предад

1 л л сорбированных частиц СО и О (n ~ 10 см" ).

4. Гетерогенная реакция СО + О -> С02 на поверхности апюмоплатиново-го катализатора протекает по механизму рекомбинации физически адсорбированных частиц СО и О [n ~ 1014см"3; Т=(295 - 400) К].

5. Согласно результатам математического моделирования, установленная в опытах закономерность об участии физически адсорбированных частиц в гетерогенных химических процессах Н + Н -> Н2, СО + О —>■ С02, может быть распространена также на реакцию 2Н2 + 02 —> 2Н20, протекающую на поверхности платины.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 117 страницах, иллюстрируется 34 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 117 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Рогожина, Татьяна Сергеевна

Выводы

В рамках подхода, учитывающего захват молекул в состояние предад-сорбции, решена задача преодоления «pressure-gap» для реакции окисления водорода на платине 2Н2+02—>2Н20, т.е. создана единая модель, описывающая как данные, полученные в условиях высоковакуумных экспериментов, так и результаты, установленные в случае использования газовых смесей умеренных и больших давлений. [115 - 117].

Установлено соответствие между моделью реакции окисления водорода на платине (I) - (X) и экспериментальными данными, полученными при

•з ^ давлении гремучей смеси Р = 10" - 10 Па и температуре Т = (293 -603) К [51, 78, 94 - 100]. Невероятным является случайное совпадение модели, имеющей единственный набор параметров (3.5.7), (3.5.8), с многочисленными

105 экспериментальными данными, полученными независимо разными авторами в опытах, выполненных в разных условиях. Единственность решения задачи построения модели реакции, адекватной экспериментальным результатам, вытекает из того, что число описанных в рамках модели экспериментальных закономерностей и численных данных значительно превышает число параметров модели. Следовательно, каталитическую активность платины по отношению к химической реакции 2Н2 + 02->2Н20 определяет захват ее поверхностью налетающих из газовой среды молекул Нг и 02 в состояния физической адсорбции, что обеспечивает резкое увеличение эффективного сечения химического процесса. Установленная для реакций гидрирования углеводородов на поверхности платины закономерность о реакционной активности слабо связанного водорода [78, 79] может быть распространена на случай каталитического окисления водорода.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Обнаружено, что при увеличении степени покрытия поверхности хемо-сорбированными атомами водорода в области концентраций атомов Н в газовой

13 3 среде n ~ 10 см" скорость гетерогенной реакции Н + Н —» Н2, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu или медного катализатора, и интенсивность PPJI люминофора ZnS-Cu возрастают, что обусловлено участием хемосорбированных атомов в отводе избыточной энергии при рекомбинации физически адсорбированных атомов водорода, либо протеканием реакции по механизму рекомбинации физически адсорбированных атомов с хемосорбированными атомами.

2. Установлено, что скорость гетерогенной реакции СО + О —> СО2, протекающей на поверхности люминофора ZnS-Cu по механизму рекомбинации физически адсорбированных частиц, а также интенсивность PPJ1, сопутствующая этой реакции, зависит от концентрации хемосорбированных частиц СО и О в связи с их участием в отводе избыточной энергии при стабилизации на поверхности предадсорбированных частиц СО и О (n ~ 10 см' ).

3. Установлено уменьшение выхода PPJI кристаллофосфора ZnS-Cu (люминофор марки ФКП-03), возбуждаемой атомарным водородом с ростом концентрации п атомов Н в газовой среде при n ~ 1014 см"3. Предложена интерпретация этого эффекта.

4. Установлено, что при температуре Т = (295 - 400) К и концентрации частиц СО и О в газовой среде п »1014 см"3 скорость протекающей на поверхности алюмоплатинового катализатора гетерогенной реакции СО + О —> С02 не зависит от концентрации хемосорбированных частиц СО и О. В условиях протекания реакции скорость рекомбинации хемосорбированных частиц СО и О (механизм Ленгмюра - Хиншельвуда) мала (более чем на два порядка меньше скорости реакции). Реакция протекает по механизму рекомбинации слабо связанных с поверхностью (предадсорбированных) частиц. При этом каталитическую активность платины по отношению к реакции окисления монооксида углерода атомами кислорода определяет захват налетающих из газовой среды частиц СО и О в состояние слабой связи с поверхностью (предадсорбции).

5. Установлено, что десорбция атомов водорода или частиц СО и О с поверхности алюмоплатинового катализатора Pt/Al203, после выключения потока этих частиц, соответствует рекомбинационной десорбции хемосорбированных частиц.

6. Установлено, что взаимодействие атомарного водорода с адсорбированными на поверхности алюмоплатинового катализатора Pt/Al203 (0,6% Pt) частицами СО и О сопровождается выбросами адсорбированного вещества с поверхности.

7. На примере окисления водорода на платине рассмотрена модель протекающей на границе твердого тела и газа гетерогенной реакции, в которой величину скорости реакции определяют химические превращения с участием пре-дадсорбированных (физически адсорбированных) молекул. Решена задача преодоления "pressure-gap". Модель, в которой используется единственный набор констант скоростей элементарных стадий реакции, описывает экспериментальные данные, полученные разными авторами при окислении водорода на плати

3 5 не в интервале давлений гремучей смеси Р = (10" -10) Па и температурах Т = =(293 - 603) К. Следовательно, каталитическую активность платины по отношению к химической реакции 2Н2 + 02 -» 2Н20 определяет захват ее поверхностью налетающих из газовой среды молекул Н2 и 02 в состояния физической адсорбции, что обеспечивает резкое увеличение эффективного сечения химического процесса. В рамках модели дана интерпретация падения на несколько порядков эффективности образования молекул Н20 в расчете на одно столкновение с поверхностью Pt молекул Н2 при переходе от низких давлений к высоким. Получил объяснение изотопный эффект, заключающийся в уменьшении скорости реакции при замене молекул Н2 на D2.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рогожина, Татьяна Сергеевна, 2003 год

1. Гранкин В. П., ГранкинаН. Д., Климов Ю. В., Стыров В. В. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. № 3. С. 210 214.

2. Горбачев А. Ф., Стыров В. В., Толмачев В. М., Тюрин Ю. И. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 172- 189.

3. Тюрин Ю. И., Гранкин В. П. // Хим. физика. 1982. № 11. С. 1529 1538.

4. Волькенштейн Ф. Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. - 399 с.

5. Руфов Ю.Н. Поверхностные соединения в гетерогенном катализе: Проблемы кинетики и катализа. Т. 16. М.:Наука, 1975, с. 212.

6. Крылова И.В. Активная поверхность твердых тел. М.: ВИНИТИ, 1976,с. 22.

7. Руфов Ю.Н., Кадушин И.Н., Рогинский С.З. ДАН СССР, 1966, 171,905.

8. Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. —207 с.

9. Рогинский С.З. Механизм и кинетика каталитических реакций.// Проблемы кинетики и катализа. М.: Наука, 1968. Т. 12. С. 7-75.

10. Харламов В.Ф. Фононное возбуждение в твердом теле в простых химических реакциях на поверхности// Ж. физ. химии. 1976. Т. 50. № 9. С. 23252330.

11. Стыров В.В. Механизм и эффективность электронной аккомодации при адсорбции атома//ДАН СССР. 1975. Т. 225. № 5. С. 1121-1123.

12. Харламов В.Ф. Тюрин Ю.И., Стыров В.В., Кабанский А.Е. Механизмы и эффективность электронного возбуждения полупроводников в актах химических превращений на поверхности // Теор. и экспер. химия. 1978. Т. 14. №6. С. 788-795.

13. Тюрин Ю.И. Возбуждение поверхности твердого тела атомами тепловых энергий // Поверхность. 1986. № 9. С. 115-125.

14. Харламов В.Ф. О термодинамике хемилюминесценции // Химическаятермодинамика и термохимия. М.: Наука, 1978. С. 19-23.

15. Чукова Ю.П. Хемилюминесценция с позиций термодинамики /7 Изв. АН СССР Сер. физич. 1987 . Т. 51 № 3. С. 531-539.

16. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999.-284 с.

17. Нестеренко Б.А. Снитко О.В. Физические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводников, Киев: Наукова Думка, 1983.

18. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1989. - 440 с.

19. Crommie М. F., Lutz С. P., Eigler D.M. Science, 1993, v. 262, p. 218.

20. Физическая энциклопедия. Гл. ред. Прохоров A.M., М.: Большая Российская энциклопедия. Т. 3. 1992. - 672 с.

21. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

22. Kweder V.V., Osipian Ju. A. et al. Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 72, p. 701.

23. Jonson N.J., Biegelsen D.K. et al. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, N3, p.563.

24. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, N 1, p. 96, N6, p. 3495.

25. Hasegawa H., Ohno H. J. Vac. Sci. Technol., 1986, v. В 4, N 4, p. 1130.

26. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984. - 214 с.

27. Hansson G.V., Uhrberg R. I. G. Surf. Sci. Rept., 1988, v. 9., N 5/6, p. 197.

28. Kevan S. D. Phys. Rev. Lett., 1983, v. 50, N 7, p. 526.

29. Srivastava O. P., Singh I., Montgomery V., Williams R. H. J. Phys. (c): Sol. St. Phys., 1983, v. 16, N 18, p 3627.

30. Волькенштейн Ф. Ф. Физика-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973. 399 с.

31. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980.

32. Теория хемосорбции. Под редакцией Дж. Смита. М.: Мир, 1983.

33. Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов // Поверхность. 1992. № 9. С. 5-26.

34. Яблонский Г. С., Быков В. И., Елохин В. И. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа. Новосибирск: Наука. 1984.

35. Жданов В.П. Скорость химической реакции. -М.: Наука, 1986.

36. Гранкин В. П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444-451.

37. Гранкин В. П., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608-612.

38. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1996. Т. 70. №. 10. С. 1863 1868.

39. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24.; N 5. С. 23-27.

40. Kharlamov V. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1987/ № 33. P. 43.

41. Харламов В. Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. № 8. С. 1084.

42. Харламов В. Ф. // Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. N 4. С 678.

43. Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н., Иващук О. А. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. N2. С. 298.

44. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 3. С. 54-59.

45. Kharlamov V. F., Izmailov Sh. L., Vasilyev N. Ph. // React.Kinet. Catal. Lett. 1997. V. 60. N l.P. 107

46. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1999, Т. 25, № 15, С. 27-32.

47. Мосин Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Курск., 1998. - 97 с.

48. Иващук О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Курск., 1998.- 139 с.

49. Тюрин Ю. И., Гранкин В. П. // Хим. физика. 1982. № 11. С. 15291538.

50. Харламов В.Ф. // Поверхность. 1990. № 11. С. 151 -152.

51. Сердюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. К.; Одесса: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 200 с.

52. Соколов В.А., Стыров В.В. Люминесцентные материалы и особо чистые вещества // Науч. тр. ВНИИ люминофоров. 1971. - Вып.: - 99 с.

53. Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция. -М.: Наука, 1969.-187 с.

54. Крылов О.В., Мартышак В.А. Промежуточные соединения в гетерогенном катализе. М.: Наука. 1995.

55. Луке Г. Экспериментальные методы в неорганической химии: Пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. М.: Мир, 1965.

56. Баловнев Ю. А., Рогинский С.З., Третьяков И.И.// ДАН СССР. 1964. Т.158. №5. С. 929-934; 1965. Т.163. №1. С.394-399.

57. Харламов В. Ф. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990.-31 с.

58. Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Томск., 1976. 177 с.

59. Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.

60. Зайцев В.В. // Оптика и спектроск. 1992. Т. 72. № 4. С. 859-870.

61. Новицкий П. В., Кноринг В. Г., Гутников В. С. Цифровые приборы с частотными датчиками. Л.: Энергия, 1970.

62. Плотников Г.С., Зайцев В.Б. Физические основы молекулярной электроники М.: Физические факультет МГУ, 2000. - 164 с.

63. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В., Ануфриев К. М., Злоткин Е. А. Кинетика адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 5. С. 23 27.

64. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. Бармин А.В., Макушев И.А., М.И. Быковский. // Письма в журнал технической физики. 2002, Т. 28, Вып. 13, С. 67 -73.

65. Ануфриев К. М., Харламов В. Ф., Разумов А. В. Быстродействующие весы с магнитным подвесом. // ПТЭ, 2000, № 1. С. 152 154.

66. Харламов В. Ф. // Поверхность. 1993. № 11. С. 122-126.

67. Харламов В.Ф., Ануфриев К.М., Крутовский Е.П. и др.// Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. №5. С.23-28; 1999. Т.25. №15. С.27-32.

68. Каллир А., Ламберт Дж. / Возбужденные частицы в химической кинетике. М.: Мир, 1973. С. 214.

69. Харламов В.Ф., Макушев И.А., Бармин А.В., Рогожина Т.С., Ануфриев К.М., Быковский М.И. Элементарные процессы при взаимодействии «пакета» активных частиц газа с твердым телом. // Письма в журнал технической физики. 2003, Т. 29, Вып. 7, с. 87 95.

70. Стыров В.В., Ягнова Л.И., Измайлов Ш.Л. // Кинетика и катализ. 1975. Т. 16. №3. С. 705.

71. Харламов В.Ф. // Химич. Физика. 1994. Т.13. № 6.С.83. 77.Черепнин Н. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике. М.: Атомиздат, 1967. 408 с.

72. Kiperman S.L., Gaidai N.A., Nekrasov N.V. et al. // Chem.Eng. Sci. 1999. № 54. P. 4305.

73. Киперман С.Л., Гайдай Н.А. // Кинетика и катализ. 1999. Т. 40. № 5. С. 705.

74. Matsushima Т., Almy D.B., White J.M. // Surf. Sci. 1977. V. 67. № 1. P. 89; P. 122.

75. Engel Т., Ertl G. // J. Chem. Phys. 1978. V. 69. № 3. P. 1267.

76. Hopster H., Ibach H., Comsa G. // J. Catal. 1977. V. 46. № 1. P. 37.

77. Шмачков B.A., Малахов В.Ф., Васильев В.Ю., Колчин A.M. // Кинетика и катализ. 1977. Т. 18. № 3. С. 572.

78. Bonzel Н.Р. // Surface Sci. 1977. V. 68. № 1. P. 236.

79. Измайлов Ш.Л., Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. №5. С. 1179.

80. Иванов В.П., Елохин В.И., Яблонский Г.С. и др. // Кинетика и катализ. 1981. Т. 22. №4. С. 1040.

81. Боресков Г.К., Слинько М.Г., Чесалова В.С.//Журн. физ. химии 1956. Т.30. №10. С. 2787-2795.

82. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. Кинетика и механизм окисления монооксида углерода атомами кислорода на платине. /У Журнал физической химии. 2003, том 77, №4, с. 1-4.

83. Рогожина Т.С. Модели реакций окисления монооксида углерода атомарным и молекулярным кислородом на платине Н Тезисы докладов 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению, -Калуга: ИД «Манускрипт», 2001. С. 65 66.

84. Weinberg W. Н., Comrie С.М., Lambert R.M. // J. Catal. 1976. V. 41. № 3.1. P 489.

85. Стыров В.В. // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. № 1 с. 124.

86. Гранкин В.П. Стыров В.В., Тюрин Ю.И.// Кинетика и катализ. 1983. Т. 24 № 1.С. 141.

87. Кожушнер М.А. Колебательная релаксация адсорбированных молекул. // Теор. Проблемы хим. физики. М.: Наука, 1982. С. 238.

88. Мосин Ю.В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Курск 1998. 18 с.

89. Харламов В. Ф., Фроленкова JL Ю., Рогожина Т. С. Рекомбинация предадсорбированных радикалов на поверхности твердых тел в среде диссоциированного углекислого газа и сопутствующие эффекты II Журнал технической физики. 2001, Т. 71, № 10, С. 90 94.

90. Нуржанов М.Д., Харламов В.Ф. // Журн. прикл. спектроскопии. 1983. Т. 38. № 4. С. 585 589.

91. Стыров В.В., Толмачов В.М. У/ ДАН СССР. 1974. Т. 218. № 5. С. 1150-1155.

92. Попов В.И., Рогинский С.З. // Кинетика и катализ. 1961. Т.2. №7. С. 705-710; 1965. №6. С.695-700.

93. Третьяков И.И., Баловнев Ю. А. // Проблемы кинетики и катализа. 1968. Т. 12. С.164-171.

94. Boudart М., Collins D.M., Panson F.Y., Spicer W.E. // J. Vac. Sci. and Technol. 1977. V. 14. №1. P. 441-450.

95. Boudart M., Panson F.V. //J. Catal. 1978. V.53. №1. P.56-62.

96. Голодец Г.И. Гетерогенно-каталитические реакции с участием молекулярного кислорода. Киев. Наукова думка, 1977. 357с.

97. Matsushima Т., Almy D.B., White J. М. // Surf. Sci. 1977. V. 67. № 1. P. 89; P. 122.

98. Харламов В.Ф., Фроленкова Л.Ю., Рогожина Т.С.// Журн. техн. физики. 2001. Т. 71. №10. С.90 95.

99. Роберте М. Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. М. Мир, 1981. 539 с. (Roberts M.W., Mckee C.S. Chemistri of the metal-gas interfase. Oxford. Clarendon press, 1978) .

100. Боресков Г.К. Катализ. Вопросы теории и практики. Новосибирск. Наука, 1987. 536с.

101. Engel Т., Ertl G.// J.Chem. Phys. 1974.V. 69. №3. Р.1267-1272.

102. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. Элементарные акты химических превращений при окислении водорода на платине. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т.4. № 2. С. 162 168.

103. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. Модель окисления водорода на платине. // Тезисы докладов второй международной научно-практической конференции «Моделирование. Теория, методы и средства». Новочеркасск: ООО НПО «ТЕМП» 2002 Ч. 2. - с. 36 - 37.117

104. Харламов В.Ф. Рогожина Т.С. Модель реакции окисления водорода на платине для интервала давлений газовой смеси Р = (10~3 105) Па.// Электронный журнал «Исследовано в России», 76, стр. 839 - 849, 2002 г. http://zhurnal.ape.ru/articles/2002/076.pdf.