Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Харламов, Фёдор Владимирович

• Харламов, Фёдор Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Харламов, Фёдор Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1.АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА

МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦАХ

1.1. Поверхность твердого тела и ее свойства

1.2. Процессы на границе твердого тела и газа

1.3. Кинетика гетерогенных реакций

1.4. Аккомодация энергии атомных частиц тепловых энергий твердым телом

1.5. Горячие электроны в металлах и полупроводниках

1.6. Автоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников и металлов

1.7. Прохождение электронов через контакт полупроводника и металла

1.8. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ЭМИССИИ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И ТВЁРДОЕ ТЕЛО-ГАЗ

2.1. Эмиссия горячих электронов, возбужденных в ходе каталитической реакции, из металлической пленки в полупроводник

2.1.1. Введение

2.1.2. Теоретическое обоснование метода

2.1.3. Математическая модель эффекта

2.2. Прохождение горячих электронов через межфазную границу металл-газ

2.2.1. Введение.

2.2.2. Метод изучения активных центров гетерогенного катализа с использованием эффекта холодной эмиссии горячих электронов

2.2.3. Сравнение теоретических и экспериментальных данных

ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ РАДИКАЛОРЕКОМБИНАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3.1. Экспериментальные тесты и количественные критерии для определения механизма образования продукта в каталитической реакции

3.2. Наиболее вероятные стадии каталитической реакции

3.3. Реакции гетерогенной рекомбинации радикалов

3.3.1. Анализ экспериментальных данных

3.3.2. Механизм гетерогенной реакции СО+О—»С

3.3.3. Реакция Н+Н-> Н

3.3.4. Реакция О+О^

3.4. Реакция 2СО + 02 2С02 на поверхности Pt(l 11)

3.5. Реакция 2СО + 02 2С02 на поверхности Pd(l 11) 90 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 95 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 95 ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Компьютерная программа для вычисления интегралов 104 ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Компьютерная программа для решения системы нелинейных дифференциальных уравнений

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ»

Актуальность проблемы. Процессы, протекающие на межфазных границах между твёрдыми телами и газами, используют при синтезе газообразных веществ, при получении тонких плёнок и наноструктур, для очистки газов от вредных примесей и т.д. Выяснение механизмов этих поверхностных процессов стимулирует развитие новых технологий.

Интерес к исследованиям поверхности твёрдых тел, пленок, наноструктур объясняется нуждами микроэлектронной промышленности. Переход от микро-к наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации о процессах, протекающих на границе твердых тел и активных газов. Эта информация имеет прямое отношение к физико-химическим основам производства новейших полупроводниковых электронных приборов, а также к таким их характеристикам, как точность, бесперебойность, долговечность.

Физико-химические процессы, происходящие при взаимодействии поверхности твердых тел с молекулами и радикалами активной газовой смеси, сложны и многообразны. Природа этих процессов и влияние на них состояния поверхности в полной мере еще не раскрыты.

Протекание гетерогенной химической реакции на границе твёрдого тела и газовой смеси сопровождается энергообменом между молекулами газа, кристаллической решеткой и электронами твердого тела. Поэтому взаимодействие активных газов с поверхностью твёрдых тел обуславливает возникновение различных физических явлений. К ним относятся: эмиссия электронов, ионов и нейтральных атомов, люминесценция кристаллофосфоров, динамический эффект гетерогенных химических реакций и др. Они дают информацию о кинетике и механизме химических превращений на поверхности, а также о химическом составе, структуре и электронном спектре поверхности твёрдых тел.

Диссертация посвящена исследованию механизмов электронных процессов, возникающих на межфазных границах в результате электронного возбуждения твердых тел активными газами. Для решения поставленных задач использован метод математического моделирования. Математическое моделирование сочетает в себе достоинства как теории, так и эксперимента. Изучение не объекта (явления, процесса), а его модели дает возможность относительно быстро и без существенных затрат исследовать его свойства и поведение в любых мыслимых ситуациях, исследовать области параметров, недоступных в силу технических и физических ограничений (преимущества теории). Применение численных экспериментов позволяет поднять общий уровень теоретических исследований, дает возможность проводить их в более тесной связи с экспериментальными исследованиями.

Работа финансировалась Российским фондом фундаментальных исследований (грант 06-08-00079).

Цель работы состоит в изучении механизмов эффектов, возникающих в результате электронного возбуждения твердых тел активными газами: а) эмиссии горячих электронов, возбужденных в ходе каталитической реакции, из металлической плёнки в полупроводник; б) холодной эмиссии горячих электронов; в) радикалорекомбинационной люминесценции (РРЛ) кристаллофосфоров.

Задачи теоретических исследований:

- разработка математической модели эффекта возникновения разности потенциалов (хемоЭДС) между полупроводником и нанесенной на его поверхность тонкой металлической пленкой при электронном возбуждении пленки активным газом. Теоретическое обоснование возможности использования этого эффекта при изучении электронной аккомодации, при изучении изменений скорости гетерогенных химических реакций, а также в источниках электрического тока;

- изучение влияния напряженности электрического поля на межфазной границе «металлическая плёнка-полупроводник», средней энергии возбужденных электронов металла и температуры структуры «металлическая плёнка-полупроводник» на величину вероятности прохождения возбужденного электрона металла через межфазную границу в полупроводник; сравнение теоретических и экспериментальных данных. определение параметров структуры «металлическая плёнка-полупроводник», при которых вероятность прохождения горячего электрона через межфазную границу металл-полупроводник близка к 1;

- разработка математической модели явления холодной эмиссии горячих электронов, возбужденных в ходе каталитической реакции, через межфазную границу «металл-газ»;

- изучение влияния расстояния ¿/0 между иглой - анодом и плоской поверхностью твёрдого тела - катодом; напряжения и между ними и средней энергии возбужденных электронов на силу эмиссионного тока горячих электронов / и его туннельную составляющую Д; обоснование возможности использования эффекта холодной эмиссии горячих электронов для изучения активных центров гетерогенного катализа; сравнение теоретических и экспериментальных данных.

- исследование стадий образования продукта в ходе гетерогенных химических реакций с целью оценки энергии возбуждённых в ходе гетерогенной реакции электронов и получения дополнительной информации о механизмах сопутствующих эффектов эмиссии фотонов и электронов.

- обобщение полученных данных с целью установления механизмов электронного возбуждения твердых в ходе каталитических реакций, содержащих рекомбинационную стадию.

Научная новизна.

Получено аналитическое выражение для плотности тока хемоэмиссии горячих электронов, возбужденных в ходе каталитической реакции, из металлической пленки в полупроводник. На основании принципа детального равновесия и принципа Франка-Кондона, примененных к процессу электронного возбуждения металлической пленки при взаимодействии с ее поверхностью атомных частиц, определено, что вероятность получения электроном металла дополнительной энергии слабо зависит от его импульса. Поэтому распределение возбужденных электронов металла по импульсам можно приближенно считать изотропным. Методом численных экспериментов исследована математическая модель, описывающая прохождение возбужденных электронов металла через межфазную границу в полупроводник «-типа, для случая, когда приконтактный слой в полупроводнике обеден основными носителями тока (запорный контакт). Установлено, что увеличение напряженности электрического поля на межфазной границе металл-полупроводник (в плоскости контакта) сопровождается ростом вероятности прохождения возбужденных электронов через межфазную границу. Туннельный эффект определяет вероятность прохождения возбужденных электронов через межфазную границу в том случае, если их средняя энергия меньше величины потенциального барьера на межфазной гра

8 1 нице и напряженность поля превышает 10 Вм" . В противном случае доминирует надбарьерное прохождение. Вероятность прохождения горячего электрона металла через межфазную границу близка к 1, если средняя энергия возбужденных электронов на порядок и более превышает величину межфазного потенциального барьера. Определены оптимальные физические свойства структуры «металлическая плёнка-полупроводник», необходимые для её практического использования в технических устройствах, предназначенных для преобразования энергии.

Исследована математическая модель, описывающая прохождение горячих электронов металла через межфазную границу металл-газ. Установлено, что электрическое поле стимулирует эмиссию горячих электронов в связи с уменьшением под действием поля потенциального барьера для электронов на межфазной границе. Найдено: если средняя энергия горячих электронов соизмерима с величиной потенциального барьера на межфазной границе или превышает эту величину, тогда сила эмиссионного тока между плоской поверхностью металла-катодом и иглой-анодом не зависит от расстояния между остриём иглы и металлической поверхностью. Установлены параметры системы, при которых возможно изучение природы и структуры активных центров гетерогенного катализа методом сканирующей туннельной микроскопии.

Обнаружено, что возбуждение РРЛ кристаллофосфоров в ходе гетерогенных реакций Н + Н->Н2, 0 + 0-»02, С0 + 0-»02 происходит по одному механизму как в высоковакуумных условиях, так и при относительно больших давлениях. Установлено: достижение значений энергии возбужденных в ходе гетерогенных реакций электронов, превышающих работу выхода ряда твёрдых тел (2,0 - 3,5 эВ), обусловлено участием в экзотермических химических превращениях физически адсорбированных и хемосорбированных частиц. Основываясь на полученных результатах, в результате их обобщения предложен метод исследований, позволяющий определять стадии гетерогенных химических реакций.

Достоверность полученных результатов.

Полученные в диссертации новые научные результаты подтверждены необходимыми теоретическими доказательствами. Обоснованность и достоверность полученных результатов и выводов подтверждается в диссертации необходимыми аналитическими выкладками, которые являются корректными в математическом плане. Результаты исследований разработанных математических моделей соответствуют экспериментальным данным и основным принципам.

Практическая значимость.

Результаты выполненных исследований способствуют более глубокому пониманию механизмов явлений эмиссии горячих электронов из металла в полупроводники, автоэлектронной эмиссии возбуждённых электронов и РРЛ кристаллофосфоров. Предложен метод, позволяющий изучать участие в гетерогенных химических процессах хемосорбированных или физически адсорбированных молекул газа.

Защищаемые положения.

1. Для того, чтобы вероятность прохождения горячего электрона металла через межфазную границу металл-полупроводник была близка к 1 необходимо, чтобы средняя энергия горячих электронов значительно (на порядок и более) превышала величину потенциального барьера на межфазной границе. В случае хемоэмиссии электронов из металлической плёнки в полупроводник это уеловне может выполняться в случае полупроводника сильно легированного донор-ной примесью или в случае узкозонного полупроводника, образующего запорный контакт с металлической плёнкой, нанесённой на его поверхность.

2. Предельное теоретическое значение квантовой эффективности 77 преобразования энергии, выделяющейся в результате химических превращений на поверхности металлической плёнки, нанесённой на полупроводник, в энергию электрического тока равно единице (77 = у'^-О"1, где / - плотность электрического тока, создаваемого преобразователем; е - заряд электрона; У — скорость гетерогенной реакции на поверхности металлической плёнки).

3. Возможно изучение природы и структуры активных центров гетерогенного катализа с помощью метода сканирующей туннельной микроскопии.

Для этого должны выполняться следующие условия: скорость гетерогенной ре

18 2 1 акции больше -10 см" с" , расстояние между остриём иглы и катализатором равно ~10"8 м и среднее значение энергии возбужденных в ходе реакции электронов е% меньше величины потенциального барьера А на межфазной границе металл-газ на величину, превышающую ~ 1эВ. При выполнении альтернативного условия е > А- Аб, где Л^ ~ 1 эВ, туннельный эффект не дает заметного вклада в эмиссионный ток, поскольку преобладает прохождение возбужденных электронов над потенциальным барьером и происходит эмиссия электронов со всех участков поверхности катализатора.

4. Измерение в нестационарных условиях величины J + dN¡/dt, где 3 — скорость гетерогенной реакции, протекающей на границе твёрдого тела и газовой смеси ; М, - участвующие в реакции молекулы газа сорта /; N1 1 концентрация хемосорбированных молекул М\, / - время, даёт информацию о конкуренции прямых переходов молекул газа М\ в состояния физической адсорбции и хемосорбции и позволяет определить механизм адсорбции молекул М\.

Личный вклад автора.

Разработаны и исследованы математические модели: а) эффекта эмиссии горячих электронов из тонкой металлической пленки в полупроводник, б) стимулированной электрическим полем эмиссии горячих электронов с поверхности металла в газовую среду и в) гетерогенных химических реакций, сопровождающихся возбуждением радикалорекомбинационной люминесценции кри-сталлофосфоров. Выполнено сравнение теоретических и экспериментальных данных.

Апробация работы. Изложенные в диссертации результаты докладывались на: XXIV, XXV и XXVI Всероссийских симпозиумах молодых ученых по химической кинетике (Москва, 2006 г., 2007 г., 2008 г.); VII Российской конференции «Механизмы каталитических реакций», (Санкт-Петербург, 2006 г.); XVIII, XIX и XX Симпозиумах "Современная химическая физика" (Туапсе, 2006 г., 2007 г., 2008 г.);

Публикации. Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 12 работах, в том числе в виде 4 статей, вышедших в рецензируемых научных журналах, и 8 тезисов докладов научных конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 108 страницах, иллюстрируется 25 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованной литературы, включающего 115 наименований, и 2 приложений.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Харламов, Фёдор Владимирович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Установлены основные закономерности эффекта эмиссии горячих электронов из металлической плёнки в полупроводник. Увеличение напряженности электрического поля в плоскости контакта сопровождается ростом вероятности ш прохождения возбужденных электронов через межфазную границу. Туннельный эффект определяет вероятность прохождения возбужденных электронов ( со( « ш ) в том случае, если их энергия меньше величины потенциального барьера на межфазной границе и напряженность поля превышает 108 Вм"1. В противном случае доминирует надбарьерное прохождение (¿у, «ш). С ростом температуры величина ш возрастает {б5 < А), либо не меняется (е > А). Вероятность прохождения ш близка к 1, если средняя энергия возбужденных электронов в несколько раз превышает величину потенциального барьера для электронов. В случае хемоэмиссии электронов из металла в полупроводник (энергия возбужденных электронов £^~1эВ) для достижения условия ш ~ 1 необходимо выбирать металл и полупроводник такие, чтобы величина потенциального барьера для электронов на их контакте была небольшой (А ~ 0.1 эВ). Это условие может выполняться в случае полупроводника, сильно легированного до-норной примесью или в случае узкозонного полупроводника.

2. Электрическое поле стимулирует эмиссию горячих электронов с поверхности металла. Ток эмиссии между металлом (плоским катодом) и острием (анодом) обусловлен прохождением возбужденных электронов над потенциальным барьером и туннелированием сквозь барьер (/ = /, +/,). С ростом средней энергии возбужденных электронов бё величины / и монотонно возрастают, приближаясь к своим предельным значениям. При изменении величины зазора ¿/0 между остриём иглы и плоскостью твердого тела величина полного тока / меняется слабо, если средняя энергия возбужденных электронов сравнима или больше величины потенциального барьера А на межфазной границе. Возможно изучение природы и структуры активных центров гетерогенного катализа методом сканирующей туннельной микроскопии. Для этого должны выполняться следующие условия: скорость гетерогенной реакции больше ~1018 см"2с1, расстояние между остриём иглы и катализатором равно ~10"8 м и среднее значение энергии возбужденных в ходе реакции электронов меньше величины потенциального барьера А на межфазной границе металл-газ на величину, превышающую ~ 1эВ. При выполнении альтернативного условия где

Ае «1 эВ, туннельный эффект не дает заметного вклада в эмиссионный ток, поскольку преобладает прохождение возбужденных электронов над потенциальным барьером и происходит эмиссия электронов со всех участков поверхности катализатора.

3. На примере реакций гетерогенной рекомбинации радикалов, сопровождающихся возбуждением РРЛ полупроводников, показано, что учет в их моделях поверхностных процессов с участием частиц, захваченных в состояние физической адсорбции, способствует более адекватному описанию гетерогенных химических процессов и позволяет устранить недостаточное понимание явлений. Экспериментальным результатам соответствует одинаковый механизм гетерогенных реакций Н + Н -» Н2, О + О -> 02, СО + О -» 02, включающий стадии с участием физически адсорбированных частиц и квазимолекул - хемо-сорбционных комплексов. При этом хемосорбция молекул газа осуществляется через промежуточное состояние физической адсорбции, а образование молекул продукта происходит через промежуточное состояние квазимолекул. Эта модель соответствует данным, полученным в условиях высоковакуумных экспериментов методом молекулярного пучка, и результатам, полученным при относительно больших давлениях газовых смесей с использованием техники про

1 й ОЛ О 1 точного реактора. В случае больших потоков радикалов (/г =10 - 10 см" с" ) скорость реакции не зависит от концентрации хемосорбированных частиц, поскольку при этом скорость реакции ограничена скоростью подвода к поверхности реагирующих веществ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Харламов, Фёдор Владимирович, 2009 год

1. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. М.: МИФИ, 2002. - 378 с.

2. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984. - 214 с.

3. Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. - 207 с.

4. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980.

5. Крылов О. В., Щуб Б. Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия, 1990. 288 с.

6. Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл газ. - М.: Мир, 1981.540 с.

7. Крылов О.В., Мартышак В.А. Промежуточные соединения в гетерогенном катализе. -М.: Наука. 1995.

8. Боресков Г.К. Катализ. Вопросы теории и практики. Новосибирск: Наука, 1987. 536 с.

9. Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. // Поверхность. 1992. № 9. С. 5 26.

10. Измайлов Ш. Л., Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. Вып. 5. С. 1179- 1182.

11. Волькенштейн Ф. Ф., Горбань A. H., Соколов В. А. Радикалорекомбинаци-онная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. - 399 с.

12. Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 2005. Т.46. №4. С.497-505.

13. Гранкин В.П., Стыров В.В., Тюрин Ю.И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. №4. С. 608-614.

14. Engel T., Ertl G. // J.Chem. Phys. 1978.V. 69. №3. P.1267-1281.

15. Kiperman S.L., Gaidai N.A., Nekrasov V.V. et al. // Chem. Eng. Sei. 1999. №54. P. 4305-4312.

16. Киперман JI.C., Гайдай H.A. // Кинетика и катализ. 1999. Т.40. №5. С. 705711.

17. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M., Крутовский Е.П. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. №5. С.23-28.

18. PaciaN., Cassuto А., Pentenero А. et al. // J. Catal. 1976. V.41.№3. P. 455-465.

19. Шмачков В.А., Малахов В.Ф., Васильев В.Д. и др. // Кинетика и катализ. 1977. Т. 18.№2. С. 572-573.

20. Ребане К. К., Саари П. М., Мауринг Т. X. // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1973. Т. 37. № 4. С. 848-852.

21. Кривоглаз М. А. // ЖЭТФ. 1961. Т. 40. С. 567-573.

22. Харламов В.Ф. // Ж. физ. химии. 1976. Т. 50 № 9. С. 2325 2333.

23. Stepanov В. Е., Tapilin V. М. // React. Kinet. Catal. Lett. 1976. V.4. № 1. P. 1-8.

24. Kori M., Halpern B. L. // Chem. Phys. Lett. 1984. V. 110. № 3. P. 223-229.

25. Стыров B.B., Харламов В.Ф., Ягнова Л.И. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М.: Наука, 1972, С. 72-73.

26. Горбань А.Н., Пинчук В.П., Корнич В.Г. // Изв.АН СССР. Сер. Физич. 1974. Т 38. № 6. С. 1341 1343.

27. Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т 20. № 4. С. 946 950.

28. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: Издательство МФТИ, 2001.-288с.

29. Харламов В.Ф., Стыров В.В. // Изв. Вузов. Физика. 1975. Т 46. № 5. С. 54 -59.

30. Харламов В.Ф. //Ж. физ. химии. 1990. Т 64. Вып. 2. С. 566 568.

31. Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988. - 320 с.

32. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука. -1990.-688 с.

33. Ненакаливаемые катоды. Под ред. Елинсона М. И. М.: Сов. Радио, 1974.

34. Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. М.: Наука, 1971.-346с.

35. Гранкин В.П., Стыров B.B. // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т.31. №7. С.403 -406.

36. Харламов В.Ф. //Изв. вузов. Физика. 1977. №2. С. 125 126.

37. Барелко В.В., Володин Ю.Е., Генькин Е.С. // Теорет. основы химич. технологии. 1995. Т.29. №1. С.46-60; №2. С. 192 -204.

38. Greber Т. // Chem.Phys.Lett. 1994. V.222. №3. Р.292 296.

39. Харламов В.Ф., Ромашин С.Н., Седов A.B. // Письма в ЖТФ. 2004. Т.ЗО. №17. С. 48-54.

40. Brenig, W. // Z. Phys. 1976. V. 23. №3. Р.361-372.

41. Кожушнер М.А., Кустарев В.Г., Шуб Б.Р. // ДАН СССР. 1977. Т.237. №6. С. 871-880.

42. Харламов В.Ф., Тюрин Ю.И., Стыров В.В. // Теор. и экспер. химия. 1978. В. 14. №6. С.788-795.

43. Стыров В.В., Кабанский А.Е. //ЖЭТФ. 1979. Т.76. №12. С.1803-1816.

44. Кожушнер М. А. // Теор. проблемы хим. физики. М.: Наука, 1982. С. 238258.

45. Persson B.N. // Solid. State Commun. 1978. У.21. №3. P. 417-423.

46. Харламов В.Ф., Костин А. В., Кубышкина М. В., Харламов Ф.В. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. №1. С. 60-67.

47. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика. М., Наука, 1979. с. 398.

48. Харламов Ф. В., Харламов В.Ф. // Тезисы докладов XX Симпозиума «Современная химическая физика» М.: Изд-во МГУ. - 2008 г. - С. 63.

49. Харламов Ф.В., Харламов В.Ф. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. №1, С. 58-63.

50. Векслер В.И. Вторичная ионная эмиссия металлов. М.: Наука, 1978. 345с.

51. Харламов В.Ф., Кубышкина М.В., Янович A.A., Иванов Т.В. // Журн. техн. физики. 2006. Т.76. № 5. С.127-132.

52. Neumann H. // Acta Phys. Polon. 1969. V.35. № 5. P.487-498.

53. Харламов В.Ф., Седов A.B., Ромашин С.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. №18. С. 1-8.

54. Фроленкова JI.IO, Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. // Конденсир. среды и межфазные границы. 2001. Т.З. №1. С.49-54.

55. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M., Крутовский Е.П. и др. // Письма в ЖТФ.1998. Т. 24. №5. С.23-28.

56. Харламов В.Ф. //Журн. физ. химии. 2008. Т. 82. №4. С. 641-644.

57. Харламов В.Ф., Харламов Ф.В. // Хим. физика. 2008. Т. 27. №2. С.50-54.

58. Харламов В.Ф., Харламов Ф.В. // Поверхность. 2009. № 1. С.28 -34.

59. Харламов Ф. В., Харламов В.Ф. // Тезисы докладов XX Симпозиума «Современная химическая физика». М.: Изд-во МГУ. - 2008 г. — С. 73.

60. Харламов Ф. В., Харламов В. Ф. // Тезисы докладов XIX Симпозиума «Современная химическая физика», М.: МГУ. - 2007 г. - С. 38.

61. Харламов Ф. В. // Тезисы докладов 25 Всероссийской школы-симпозиума молодых учёных по химической кинетике, М.: Изд-во МГУ. - 2007 г. - С. 107.

62. Харламов Ф. В. // Тезисы докладов 26 Всероссийской школы-симпозиума молодых учёных по химической кинетике. М.: Изд-во МГУ. - 2008 г. - С. 34.

63. Харламов Ф. В., Харламов В. Ф. // Тезисы докладов XVIII Симпозиума «Современная химическая физика». М.: Изд-во МГУ. - 2006 г, С. 73.

64. Харламов В. Ф., Харламов Ф. В. // Кинетика и катализ. 2007. Т.48. №3. С. 454 462.

65. Харламов В. Ф. // Химическая физика, 1994. Т. 13. №6. С. 83 90.

66. Тюрин Ю. И., Гранкин В. П.//Хим. физика. 1982. № П. С. 1529-1538.

67. Сабитова JI. В., Вобликова В. А., Буренкова JI. Н. и др. // Ж. физ. химии.1999. Т. 73. № 11. С.1949-1953.

68. Гранкин В. П., Толмачева Н. Д., Тюрин Ю. И. // Ж. физ. химии. 1999. Т. 73. №7. С.1185-1190.

69. Городецкий В.В, Саметова А. А., Матвеев А. В. и др. // Хим. физика. 2007. Т.26. №4. С.30-38.

70. Литтл JI. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969. 412 с.

71. Hahn J. R., Но W. // Phys. Rev. Lett. 2001. V.87. P. 16 6102.

72. Conrad H., Ertl G., Küppers J. // Surf. Sei. 1978. V.76. №2. P. 323 328

73. Kharlamov Y. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1980. Vol. 15. N. 3. P. 333 338.

74. Nurshanov M. D., Kharlamov V. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1982. Vol. 21. N. 1-2. P. 151-155.

75. Kharlamov V.F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1987. Vol. 33. N. 1. P. 43 45.

76. Kharlamov V. F., Lisezky V. N. // React.Kinet. Catal. Lett. 1997. V.61 №1. P. 123- 126.

77. Kharlamov V.F., Izmailov Sh. L., Vasilev N. Ph. // React. Kinet. Catal. Lett. 1997. V.60 №1. P. 107-112.

78. Измайлов Ш. JI., Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. Вып. 5. С. 1183-1185.

79. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. №15. С.27-32.

80. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. // Журн. физич. химии. 2003. Т.77. № 4. С.632-638.

81. Харламов В.Ф., Фроленкова Л.Ю., Рогожина Т.С. // Журн. технич. физики. 2001. Т.71. №10. С. 90-98.

82. Кислюк М. У. //Хим. физика. 1989. Т. 8. № 1. С. 59-72.

83. Conrad Н., Ertl G., Koch J., et al. // Surf. Sei. 1974. V.43. №2. P. 462 467.

84. Shigeishi R. A., King D. A. // Surf. Sei. 1976. V.58. №2. P. 379-385.

85. Ertl G., Neumann M., Streit R. M. // Surf. Sei. 1977. V.64. №2. P. 393 399.

86. Шигалугов С. X., Тюрин Ю. И., Стыров В. В. и др. // Кинетика и катализ. 2000. Т.41. №4. С. 586-592.

87. Хориути Д., Тоя Т. В кн. Поверхностные свойства твердых тел. / Под редакцией М. Грина: Пер. с англ. М.: Мир, 1972. С. 11 - 103.

88. Ertl G. //Adv. Catal. 1990. V.37. P. 213-219.

89. Campbell С. T, Ertl G., Küipers H., et al. // J. Chem. Phys. 1980. V.73. P. 58625867.

90. Hopster H., Ibach H., Comsa G. // J. Catall. 1977. V.46. №1. P. 37-42.

91. Харламов В.Ф., Васильев Н.Ф., Иващук O.A. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. №3. С. 54-59.

92. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В. и др. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. №3. С. 210-213.

93. Харламов В.Ф., Макушев И.А., Бармин A.B. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т.29. Вып.7. С. 87-95.

94. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С., Бармин A.B. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т.28. Вып.13. С. 67-73.

95. Горбачев А. Ф., Стыров В. В., Толмачев В. М. и др. // ЖЭТФ. 1986. Т.91. №1(7). С. 172-189.

96. Гранкин В. П., Николаев И. А., Стыров В. В. и др. // Теор. и экспер. химия. 1981. Т. 17. №6. С. 757-773.

97. Гранкин В. П., Стыров В. В., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1983. Т. 24. Вып. 1. С. 141-148.

98. Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н., Савельев Г. Г. // Хим. физика. 1990. Т. 9. № 5. С. 603-611.

99. Стыров В. В., Тюрин Ю. И., Шигалугов С. X. // Кинетика и катализ. 1989. Т. 30. Вып. 2. С. 382-390.

100. Collins D.M., Lee J.B., Spicer W.E. // Surf. Sei. 1976. V. 55. № 3. P. 389-394.

101. Conrad H., Ertl G., Koch J. et al. // Surf. Sei. 1974. V.43. №2. P. 462-467.

102. Matsushima Т., Almy D.B., White J.M. // Surf. Sei. 1977. V. 67. P. 89-95.

103. Weinberg W.H., Comrie C.M., Lambert R.M. // J. Catal. 1976. V.41. P. 489494.

104. Conrad H., Ertl G., Küppers J. // Surf. Sei. 1978. V.76. №2. P. 323-328.

105. Shigeishi R. A., King D. A. // Surf. Sei. 1976. V. 58. № 2. P. 379-385.

106. Ertl G., Neumann M., Streit R. M. // Surf. Sei. 1977. V.64. №2. P.393-399.

107. McCabe R. W., Schmidt L. D. // Surf. Sei. 1977. V.66. №1. P.101-107.

108. Oed W., Lindner H., Starke U. et al. // Surf. Sei. 1989. V. 224. №1. P. 179-185.

109. Engel Т., Ertl G. //Adv. Catal. 1979. V.28. №1. P.1-6.

110. Gorodetskii Y.V., Matveev A.V., Podgornov E.A., et al. // Topics in Catalysis. 2005. V. 32. P. 17-22.

111. ZaeraF. // Surf. Sei. 2002. V. 500. № 2. P. 949-955.

112. Zaera F. // Acc. Chem. Res. 2002. V. 35. № 2. P. 129-135.

113. Харламов Ф. В. // Тезисы докладов 24 Всероссийской школы-симпозиума молодых учёных по химической кинетике, М.: Изд-во МГУ, 2006 г. - С. 87.

114. Харламов В. Ф., Харламов Ф. В. // Кинетика и катализ. 2007. Т.48. №3. С. 454 462.

115. Харламов Ф. В., Харламов В. Ф. // Материалы VII Российской конференции «Механизмы каталитических реакций», С.-Петербург: Изд-во СПНЦ. - 2006 г, С. 103.