Элементарные процессы на ступенях в кинетике эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Эрвье, Юрий Юрьевич

• Эрвье, Юрий Юрьевич
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Эрвье, Юрий Юрьевич

Введение

Глава 1. Элементарные процессы роста на проницаемых ступенях

1 1 Проницаемые и непроницаемые ступени 16 1 2 Основные положения и потенциальный рельеф для адатома на ступени 19 1 3 Ксиффициенты встраивания и коэффициенты проницаемости вицинальной ступени 25 1 4 Влияние нерегулярности распределения изломов 30 1 5 Условия проницаемости ступени Зависимость проницаемости ступени от температуры и скорости роста 33 16 Проницаемость прямолинейною се! мента ступени 41 161 Механизм роста "ряд за рядом" 41 1 6 2 Кинетические коэффициенты

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Элементарные процессы на ступенях в кинетике эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия»

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) в настоящее время является основным методом получения эпитаксиальных наноразмерных структур, перспективных для использования в современных устройствах нано- и оптоэлектроники. Это обусловлено реализуемыми при МЛЭ уникальными возможностями варьирования условий роста и легирования, контроля in situ скорости роста и состава кристаллических слоев, а также возможностями экспериментального исследования состояния поверхности на атомном уровне. Однако для управляемого получения полупроводниковых и металлических наноструктур с заданными свойствами необходимо детальное понимание кинетики роста и легирования в широком диапазоне пространственных и временных масштабов — от элементарных (атомных) процессов до формирования кристаллических пленок толщиной в сотни микрон

Характерными особенностями МЛЭ являются сильные отклонения от равновесия и разнообразие элементарных процессов с существенно различными энергиями активации. Это делает прямое применение методов статистической физики и термодинамической теории фазовых переходов для описания процессов МЛЭ проблематичным, особенно в технологически важном диапазоне низких температур роста. Поэтому большинство теорий роста изначально исходит из представлений о структуре поверхности, характерной для данных условий кристаллизации, и о моноатомных (элементарных) ступенях, как о стоках для адсорбированных атомов (адатомов) Такой подход, предложенный более 60 лет назад Бартоном, Кабрерой и Франком [ 1 ], оказывается чрезвычайно плодотворным, поскольку позволяет сформулировать краевую задачу поверхностной диффузии адатомов и описать развитие рельефа поверхности как движение моноатомных ступеней На этом пути в последние десятилетия достигнут впечатляющий прогресс в развитии теорий устойчивости системы вицинальных ступеней, начальной (субмонослойной) стадии роста на сингулярной поверхности, перехода к многоуровневому росту и формированию кинетических холмов [2—5]. Однако предсказательная способность теорий роста применительно к конкретным системам остается ограниченной, во многом, ввиду отсутствия связи между фигурирующими в теории феноменологическими кинетическими коэффициентами и константами скоростей элементарных процессов [6]. Для установления такой связи необходима соответствующая формулировка краевых условий для уравнения поверхностной диффузии.

В общем случае, краевые условия должны отражать баланс потоков адатомов поступающих к ступени за счет поверхностной диффузии и адатомов, присоединяющихся к ступени и отрывающихся от нее. Обычно полагается, что результирующие потоки адатомов в ступень с примыкающих нижних и верхних террас пропорциональны пересыщению вблизи ступени. Коэффициенты пропорциональности (кинетические коэффициенты ступени) рассматриваются либо как феноменологические параметры, либо как аррениусовские константы скоростей присоединения адатомов к ступени. Такой подход неявно предполагает, что присоединение адатома к краю ступени означает переход адатома в кристаллическую фазу, а ступень представляет собой бесструктурную границу раздела фаз между адслоем и кристаллом. Но окончательный переход адатома в кристалл возможен лишь при достижении положения в изломе на ступени [1,7] Поэтому, в общем случае, встраивание адатомов в ступень представляет собой сложный процесс, включающий элементарные акты присоединения и отрыва адатомов, миграции адатома вдоль края ступени, а также процессы формирования изломов.

Таким образом, корректная формулировка краевых условий требует детального рассмотрения атомных процессов на ступени с учетом наличия изломов, как мест окончательного перехода атомов из состояния адсорбции в кристаллическую фазу. Упрощенное феноменологическое описание кинетики атомных процессов на вицинальных ступенях и краях двумерных островков представляется явно недостаточным, в частности, при решении следующих проблем'

1) Экспериментальные наблюдения показывают, что поверхностный транспорт адатомов может иметь нелокальный характер, т.е адатомы могут переходить на соседние террасы без предварительного встраивания в изломы на ступенях и, таким образом, без участия в обмене атомами между кристаллической фазой и адсорбционным слоем. Ступени, допускающие такой переход адатомов, называются проницаемыми [8, 9]. Влияние проницаемости ступеней на развитие рельефа поверхности до сих пор мало изучено. Наиболее широко представление о проницаемых ступенях используется в моделях динамики вицинальных ступеней при сублимации и росте, в частности, ступеней на поверхности кремния в условиях нагрева подложки электрическим током [ 10]. Проницаемость ступени учитывается введением в краевые условия для уравнения поверхностной диффузии, наряду с потоком адатомов, встраивающихся в ступень, потока адатомов, перескакивающих через ступень на соседнюю террасу. Последний полагается пропорциональным разности концентраций адатомов на верхней и нижней террасах. Соответствующий коэффициент пропорциональности (коэффициент проницаемости ступени) рассматривается как дополнительный феноменологический параметр. Заметим, что данный подход ограничен слабыми отклонениями от равновесия вблизи ступени и не учитывает взаимосвязи процессов встраивания адатомов в ступень и перескоков через нее. Кроме того, в отсутствие явных выражений для кинетических коэффициентов остаются неясными условия проницаемости ступени и причины перехода от проницаемой ступени к непроницаемой при изменении условий кристаллизации.

2) Кинетика начальной (субмонослойной) стадии роста по механизму образования 20 островков представляет большой интерес, поскольку во многом определяет развитие рельефа поверхности при гомоэпитаксии и влияет на переход к трехмерному росту при гетероэпитак-сии [3, 4]. Для роста на реконструированной поверхности характерно присутствие магических чисел в распределении 20 островков по размерам [11, 12]. Островок магического размера имеет правильную геометрическую форму (отличную от равновесной) и растет путем последовательного отложения кристаллических рядов вдоль края островка (механизм роста "ряд-зарядом") Примером магических островков могут служить 20 островки кремния на поверхности Б1( 111 )-7х7, имеющие форму правильных треугольников и растущие путем отложения кристаллических рядов шириной в одну ячейку реконструкции 7x7. Встраивание адатомов в магические 20 островки связано с нелинейным по концентрации адатомов процессом образования зародыша нового кристаллического ряда (пары изломов) на крае островка.

Другая особенность роста на реконструированной поверхности состоит в том, что образование эпитаксиальных 20 островков может быть связано с многостадийным процессом, включающим формирование метастабильных неэпитаксиальных кластеров и превращение не-эпитаксиальных кластеров в эпитаксиальные островки ("эпинуклеация" [15]). Атомы неэпитаксиальных кластеров, как и адатомы на крае ступени, не достигшие изломов, не могут считаться принадлежащими кристаллической фазе до момента превращения. Учет указанных особенностей требует существенной модификации стандартных моделей субмонослойного роста [13, 14], не учитывающих влияния структуры и текущей конфигурации островков на процессы присоединения и отрыва адатомов.

3) Известно, что легирование полупроводников при МЛЭ сопровождается сильной поверхностной сегрегацией примеси, препятствующей получению резких концентрационных профилей легирования и ¿-легированных слоев Разумное объяснение данного явления дано в работах [16, 17], согласно которым накопление (поверхностная сегрегация) примеси происходит в адсорбционном слое, а механизмом накопления являются перескоки адатомов примеси, плохо встраивающихся в кристалл, через движущиеся ступени. Однако предложенные в [16, 17] модели не позволяют корректно воспроизвести экспериментальные зависимости ширины переходной концентрационной области легирования от температуры и скорости роста. Это может быть связано с упрощенным феноменологическим описанием кинетики захвата примеси движущейся ступенью, не учитывающим кооперативные эффекты при встраивании в ступень атомов примеси и атомов основного вещества, в частности известный эффект "замуровывания" примеси в изломах атомами основного вещества [18, 19].

Приведенные примеры показывают, что развитие теории роста и легирования в системах молекулярно-лучевой эпитаксии требует разработки моделей элементарных процессов на ступенях (на краях 20 островков), не ограниченных слабыми отклонениями от равновесия, учитывающих наличие различных положений атома на ступени и достаточно детально описывающих кинетику переходов атомов между данными положениями. Это определяет актуальность темы данной диссертационной работы

Цель диссертационной работы является развитие теоретического подхода к описанию кинетики элементарных процессов на ступенях и разработка моделей эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия.

В соответствии с целью работы решались следующие основные задачи:

• Построение кинетической модели элементарных процессов на проницаемой вициналь-ной ступени. Установление связи феноменологических коэффициентов встраивания адатомов и проницаемости ступени с константами скоростей элементарных процессов и концентрацией изломов на ступени.

Построение кинетической модели элементарных процессов на проницаемой ступени малой длины (прямолинейном сегменте ступени), перемещающейся по механизму образования и разрастания одномерного островка вдоль края ступени.

Исследование влияния проницаемости ступени (края 20 островка) на переход от 2Э к 30 росту и на образование многослойных островков.

Построение моделей образования и роста магических 20 островков на реконструированной поверхности. Исследование влияния реконструкции поверхности на зависимости концентрации островков и распределения островков по размерам от температуры и скорости роста.

Построение моделей захвата и поверхностной сегрегации примеси при легировании в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследование влияния температуры и скорости роста на величину размытия концентрационного профиля легирования.

Научная новизна

Научная новизна работы заключается в том, что в ней:

С помощью оригинальной модели получены явные выражения для кинетических коэффициентов встраивания адатомов в вицинальную ступень и кинетических коэффициентов проницаемости ступени через константы скоростей элементарных процессов и концентрацию изломов на ступени. Впервые теоретически исследовано влияние температуры и скорости роста на проницаемость вицинальной ступени. Показано, что проницаемость ступени уменьшается с увеличением потока осаждаемого вещества и может немонотонно зависеть от температуры роста.

Предложена модель встраивания адатомов в прямолинейный сегмент ступени (край 20 островка), перемещающийся по механизму "ряд-за-рядом", с учетом миграции адатомов вдоль края сегмента и перехода на соседние сегменты ступени.

В рамках модели образования и роста двухуровневых пирамид, состоящих из 20 островков, проведено исследование влияния проницаемости краев 20 островков на начальную стадию перехода от 20 к 30 росту Показано, что характерное время перехода к 30 росту может немонотонно зависеть от температуры.

Предложена модель переноса вещества при формировании многослойных островков и йе на поверхности 51(111)-7х7, учитывающая образование неравновесных изломов на краях 20 островков и особенности встраивания адатомов в островок, растущий по механизму "ряд-за-рядом".

Разработаны оригинальные модели многостадийного процесса образования 20 островков на реконструированной поверхности. Показано, что при определенных условиях имеет место степенная зависимость концентрации островков от величины потока осаждаемого вещества с нестандартным значением показателя степени 1/4.

Проведено обобщение стандартной модели субмонослойного роста, учитывающее характерный для магических 20 островков механизм роста "ряд-за-рядом" Показано, что в пределе большой частоты отрыва адатома от края магического островка концентрация островков слабо зависит от скорости роста и увеличивается с увеличением температуры При этом распределение островков по размерам представляет собой последовательность пиков при магических размерах, высота которых монотонно уменьшается с увеличением магического размера

Разработана модель нестационарного процесса легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии, учитывающая кооперативные эффекты при встраивании в ступень атомов примеси и атомов основного вещества и эффект оттеснения примеси движущейся ступенью Показано, что блокирование атомов примеси в изломах атомами основного вещества и оттеснение адатомов примеси движущимися ступенями могут быть причинами наблюдаемой в эксперименте немонотонной зависимости размытия концентрационного профиля легирования от температуры

Предложена модель легирования при низких температурах эпитаксии, когда рост происходит по механизму образования и разрастания 20 островков, а изломы на краях островков формируются по неравновесному механизму образования одномерных зародышей. Модель позволяет воспроизвести характерные для низкотемпературного легирования зависимости размытия концентрационного профиля легирования от температуры и скорости роста.

Практическая значимость работы состоит в том, что полученные в ней результаты способствуют пониманию процессов роста и легирования в системах молекулярно - лучевой эпитак-сии, которое необходимо для развития эпитаксиальных технологий получения паноразмерных структур.

В ряде случаев разработанные модели могут быть напрямую использованы для интерпретации результатов экспериментальных наблюдений, получения информации о механизмах роста и легирования в конкретных системах, оценки энергий активации элементарных процессов роста

Развитый подход к описанию процессов на ступенях и полученные выражения для кинетических коэффициентов могут быть использованы при создании мультимасштабных моделей, сочетающих континуальное описание процессов на террасах с квантово-химическими расчетами потенциального рельефа для атома на ступени.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения: 1. Коэффициенты встраивания адатомов в ступень и коэффициенты проницаемости ступени представляют собой определенные комбинации констант скоростей элементарных процессов и концентрации изломов на ступени, связанные соотношениями, отражающими взаимозависимость процессов встраивания адатомов в ступень и перехода через нее на соседнюю террасу.

2 Увеличение доли изломов, формирующихся по неравновесному механизму образования одномерных островков на крае ступени, приводит к уменьшению проницаемости ступени при увеличении скорости роста и может иметь следствием немонотонную зависимость проницаемости ступени от температуры.

3. Перенос вещества на начальной стадии перехода от двумерного к трехмерному росту может происходить за счет перескоков адатомов через края 20 островков. Для этого необходимо, чтобы край 20 островка был проницаемым для адатомов. При постоянном наличии изломов на краях 20 островков требуется также асимметрия потенциального рельефа для адатома, способствующая переходу адатома на поверхность островка и препятствующая возвращению на край островка.

4. Кинетика многостадийного процесса образования 20 островков на реконструированной поверхности существенным образом зависит от механизма превращения неэпитаксиаль-ного кластера в эпитаксиальный 20 островок. Если превращение кластера в островок инициируется присоединением дополнительных атомов, то, при определенных условиях, реализуется квазистационарный режим образования островков, характеризуемый нестандартной слабой зависимостью концентрации островков от потока осаждаемого вещества

5 Особенности формирования изломов на краях 20 островков, растущих по механизму "ряд-за-рядом", могут оказывать существенное влияние на кинетику образования островков на субмонослойной стадии роста, если скорость образования кристаллического ряда ограничена частотой встречи адатомов на крае островка, необходимой для формирования изломов (одномерного островка). В этом случае поток адатомов в островки нелинейно зависит от концентрации адатомов, что приводит к нестандартным зависимостям концентрации островков от температуры роста и потока осаждаемого вещества

6 Накопление примеси в адслое по механизму перескоков адатомов примеси через движущиеся ступени приводит к немонотонным зависимостям ширины переходной концентрационной области легирования (ширины ПКО) от температуры и скорости роста, подобным зависимостям, наблюдаемым в экспериментах по легированию полупроводников рядом примесей Характерное для низкотемпературного режима легирования уменьшение ширины ПКО с уменьшением температуры и увеличением скорости роста может быть связано с более эффективным блокированием атомов примеси в изломах атомами основного вещества и с оттеснением адатомов примеси движущейся ступенью

Апробация работы

Результаты работы докладывались на следующих конференциях и симпозиумах 8 Всесоюзная конференция по росту кристаллов (Харьков, 1992), Конференция по электронным материалам (Новосибирск, 1992), Международная конференция "Кремний" (Москва, 1996, Новосибирск, 2002, Иркутск, 2004, Нижний Новгород, 2010), Международная конференция по росту и физике кристаллов памяти Шаскольской (Москва, 1998), IX Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2000), Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск, 1999, Нижний Новгород, 2001), Международная конференция "Современные проблемы физики и высокие технологии" (Томск, 2003), European conference on surface science - ECOSS (Krakow, 2001, Pans, 2006, Parma, 2009), 2nd International SiGe Technology and Device Meeting (Frankfurt (Oder), 2004), International Symposium "Nano-structures physics and technology" (Санкт-Петербург, 2005, Новосибирск, 2007), Конференция по физической электронике (Ташкент, 2005 и 2009 гг ), Symposium on Surface Science — 3s05 (Les Arcs, 2005), International meeting "Instabilities at surfaces" (Слънчев Бряг, 2006), V International conference on silicon epitaxy and heteroctructures (Marseille, 2007), а также обсуждались на "Странски-Каишев" коллоквиуме в Институте физической химии (София) и на научных семинарах в Сибирском физико-техническом институте (Томск)

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 26 научных статей Из них 23 статьи в реферируемых журналах (21 статья опубликована в изданиях, рекомендованных ВАК) и три статьи в трудах конференций Список публикаций приведен в Заключении

Личный вклад автора

Результаты, сформулированные в защищаемых положениях и выводах, получены при определяющем участии автора Постановка задач, поиск путей их решения, разработка аналитических моделей и интерпретация результатов проведены лично автором Численные расчеты, обсуждение, презентация и публикация результатов осуществлялись совместно с соавторами Кинетические Монте-Карло модели, использованные в главе 3, разработаны С H Филимоновым Экспериментальные результаты в работах [ 19]-[21 ] из списка основных публикаций по теме диссертации получены немецкими коллегами при участии автора в обсуждении постановки эксперимента.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, в котором сформулированы основные результаты и выводы. Каждая из глав диссертации включает необходимый краткий обзор литературы по рассматриваемым в главе вопросам и раздел, в котором формулируются основные результаты, полученные в главе. Объем диссертации составляет 238 страниц, включая 38 рисунков, 3 таблицы и список цитированной литературы с общим числом 242 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Эрвье, Юрий Юрьевич

Основные результаты и выводы

1. Развита теория элементарных процессов роста на ступенях, допускающих обмен ада-томами между соседними террасами без предварительного встраивания в изломы (так называемые проницаемые ступени). Получены выражения для кинетических коэффициентов встраивания адатомов и коэффициентов проницаемости вицинальной ступени через константы скоростей элементарных процессов и концентрацию изломов на ступени, учитывающие миграцию адатомов вдоль торца ступени и асимметрию потенциального рельефа для адатома вблизи ступени Полученные выражения в явном виде демонстрируют взаимозависимость процессов встраивания адатома в ступень и перехода через нее на соседнюю террасу, а также выполнение соотношений Онсагера между феноменологическими коэффициентами взаимности.

2. Исследовано влияние температуры и скорости роста на проницаемость вициналь-ных ступеней. Показано, что с понижением температуры непроницаемая ступень остается непроницаемой, несмотря на уменьшающуюся концентрацию равновесных изломов на ступени, что связано с более существенным влиянием увеличения длины свободного пробега адато-ма вдоль края ступени. Переход от проницаемой ступени к непроницаемой может иметь место с уменьшением Тис увеличением F вследствие увеличения доли изломов, формирующихся по неравновесному механизму образования одномерных островков на крае ступени. При этом температурная зависимость проницаемости ступени немонотонна и имеет максимум при температуре приблизительно соответствующей температуре, при которой зависимость концентрации изломов от температуры имеет минимум.

3. Получены выражения для кинетических коэффициентов встраивания и коэффициентов проницаемости ступени малой длины (прямолинейного сегмента ступени), перемещающейся по механизму образования и разрастания одномерного островка вдоль края ступени. Показано, что такая ступень (сегмент ступени) может быть проницаемой даже в случае быстрой миграции адатома вдоль края ступени, если скорость перемещения ступени лимитирована скоростью образования изломов (одномерных островков). При наличии соседних сегментов, содержащих изломы, необходимым условием проницаемости ступени является наличие дополнительного барьера для огибания угла ступени.

4. С целью исследования роли проницаемости ступеней в кинетике перехода от 20 к 30 росту проведено обобщение стандартной модели образования зародыша на поверхности 20 островка и модели роста двухуровневых пирамид. Показано, что необходимое для перехода от 20 к 30 росту быстрое образование зародыша и быстрое сближение ступеней сформировавшейся в результате двухуровневой пирамиды может происходить без растворения 20 островка, за счет перескоков адатомов с исходной поверхности. Для этого необходимо, чтобы край 20 островка был проницаемым для адатомов. Кроме того, при постоянном присутствии изломов на крае 20 островка требуется наличие барьера Швёбеля и потенциальной ямы на поверхности островка (на террасе пирамиды) относительно исходной поверхности.

5. Проведено численное моделирование роста двухуровневой пирамиды с учетом характерного для эпитаксии по механизму Странского-Крастанова уменьшения энергии связи атома с краем 20 островка с увеличением размера островка. Показано, что с понижением температуры эпитаксии возможна смена механизма межслоевого переноса вещества — от переноса за счет отрыва атомов из изломов нижнего 20 островка пирамиды к переносу за счет перескоков адатомов с исходной поверхности через край 20 островка. Такая смена механизмов переноса вещества может иметь следствием образование сплошного кристаллического слоя в области средних температур с переходом к 30 росту при повышении и понижении температуры, т.е., немонотонную температурную зависимость толщины смачивающего слоя.

6 Предложена простая модель переноса вещества при формировании многослойных островков и йе на поверхности 51(111)-7х7, учитывающая кинетику образования неравновесных изломов и особенности встраивания адатомов в 20 островок, растущий по механизму "ряд-за-рядом". Увеличение проницаемости края такого островка с ростом температуры и уменьшением потока осаждаемого вещества способствует переносу адатомов с поверхности подложки на поверхность 20 островка, что согласуется с наблюдаемым в эксперименте переходом от роста сплошного слоя к формированию многослойных островков с увеличением Т и уменьшением Р

7. Разработаны аналитические и компьютерные модели многостадийного процесса образования 20 островков на субмонослойной стадии эпитаксиального роста на реконструированной поверхности. Показано, что при определенных условиях реализуется нестандартный стационарный режим образования островков, в котором адатомы встраиваются, в основном, в эпитаксиальные 20 островки, но образование островков тормозится трансформацией неэпи-таксиальных кластеров Данный режим характеризуется необычно слабой зависимостью концентрации эпитаксиальных островков от потока осаждаемого вещества N ~ Р1/4, близкой к зависимости N ~ Р0 24 концентрации 20 островков кремния на поверхности 51(111)-7x7 от потока адатомов 51, полученной в экспериментах при относительно низкой температуре роста.

8 Предложено обобщение стандартной модели субмонослойного роста применительно к образованию и росту двумерных островков имеющих магические размеры и растущих по механизму "ряд-за-рядом". Показано, что в пределе большой частоты отрыва адатома от края магического 20 островка, когда скорость образования кристаллического ряда лимитирована частотой встречи адатомов на крае островка, концентрация островков слабо зависит от скорости роста и увеличивается с увеличением температуры. При этом распределение островков по размерам представляет собой последовательность пиков при магических размерах, высота которых монотонно уменьшается с увеличением магического размера.

9 Разработаны модели легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии, предполагающие, что встраивание атомов примеси в кристалл в основном происходит в изломах на ступенях, а поверхностная сегрегация примеси имеет место вследствие "перескоков" адатомов примеси через движущуюся ступень В случае легирования при росте по механизму перемещения вицинальных ступеней получено аналитическое выражение для ширины ПКО, учитывающее процессы адсорбции, десорбции и встраивания примеси в ступени, а также оттеснение адатомов примеси движущимися ступенями Полученное выражение воспроизводит характерную немонотонную зависимость ширины ПКО от температуры Показано, что уменьшение ширины ПКО с уменьшением температуры при низких Т может быть связано с более эффективным блокированием атомов примеси в изломах атомами основного вещества и с оттеснением адатомов примеси движущейся ступенью

10 Предложена модель захвата и поверхностной сегрегации примеси при характерном для низкотемпературного легирования росте по механизму образования 20 островков Показано, что переход от роста за счет движения вицинальных ступеней к росту по механизму образования 20 островков должен приводить к ослаблению зависимостей ширины ПКО от температуры подложки и скорости роста Это связано с уменьшением пересыщения из-за увеличения плотности ступеней (краев островков) и, как следствие, ослаблением эффекта блокирования атомов примеси в изломах атомами основного вещества Аналогичное влияние оказывает появление дополнительных (к равновесным) изломов на ступенях, образующихся по механизму формирования одномерных островков

Основные публикации по теме диссертации

1 Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю О нестационарном легировании при низкотемпературной кристаллизации из молекулярного пучка//Кристаллография — 1992 — Т37,ВыпЭ — С 807-812

2 Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю О связи между характеристиками стационарного и нестационарного процессов захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка // Изв вузов Физика — 1995 — Т38, N8 — С 102-107

3 Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю О роли эффекта оттеснения примеси ступенью на начальной стадии ее захвата при кристаллизации из молекулярного пучка // Кристаллография — 1996

Т41, Вып 4 — С 597-601

4 Рузайкин М П , Филимонов С Н , Эрвье Ю Ю Имитационное моделирование эволюции структуры поверхности при росте кристаллов из молекулярного пучка // Изв вузов Физика

1997 — Т40, N8 — С 103-109

5 Котляревский В М , Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю Моделирование миграции адатомов в плотных многокомпонентных адсорбционных слоях//Изв вузов Физика — 1998 —Т41, N6 — С 89-94

6 Hervieu Yu Yu , Ruzaikin M P Surface processes of impurity incorporation during MBE growth //Surf Sci — 1998 — V408 — P57-70

7 Filimonov S N , Hervieu Yu Yu On the kinetics of ¿-doping during MBE // Phys Low-Dim Struct — 1998 — N7/8 — P91-100

8 Filimonov S N , Hervieu Yu Yu The dopant incorporation and surface segregation during 2D islands growth in MBE a computer simulation study // Phys Low-Dim Stiuct — 1998 — N9/10 — P141-152

9 Филимонов С H , Эрвье Ю Ю Модели поверхностной сегрегации и захвата примеси при различных механизмах кристаллизации из молекулярного пучка // Изв вузов Материалы электронной техники — 2000 — Вып 2 — С 50-54

10 Filimonov S N, Hervieu Yu Yu Growth kinetics in surfactant mediated MBE effects of blocking of kinks//Phys Low-Dim Struct —2000 — N1/2 — P81-92

11 Филимонов С H , Эрвье Ю Ю О статистике образования зародышей когерентных 3D-островков при гетероэпитаксии из молекулярного пучка // Изв вузов Физика — 2001 — Т44, N4 — С 34-38

12 Filimonov S N , Hervieu Yu Yu Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth //Surf Sci —2002 — V507-510 C — P270-275

13 Filimonov S N , Hervieu Yu Yu Origin of step permeability in growth of coherently strained 2D islands//Phys Low-Dim Struct —2002 — N7/8 —P 15-25

14 Hervieu Yu Yu , Ruzaikin M P Growth and doping of semiconductor compounds kinetics of incorporation processes at kink sites // Growth of Crystals / Eds E I Givargizov, A M Melnikova Kluver Academic (Consultant Bureau), NY, Boston, London, Moscow, 2002. — V.21. — P. 1-9.

15. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps// Surf. Sci. - 2004. — V.553, Nl/3. — P. 133-144.

16. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Permeability of steps - interplay of the step edge diffusion, detachment and kink creation processes // Proc. Symposium on Surface Science, Les Arcs 1800, France.— 2005.— 039(1-2).

17. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Kinetics of adatom incorporation and step crossing at the edges of nanoislands// Nanostructures: physics and technology, Proc. 13 Intern. Symposium, St Petersburg. — 2005. — P.320-321.

18. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Step permeability effect and interlayer mass-transport in the Ge/Si( 111) MBE // Mat. Sci. Semicon. Proc. — 2005. — V.8, Nl/3. — P.31 -34.

19. Filimonov S.N., Cherepanov V., Hervieu Yu.Yu., Voigtlander B. Non-standard scaling of the 2D island density on Si( 111 )-7x7 // Nanostructures: physics and technology, Proc. 15 Intern. Symposium, Novosibirsk. — 2007. — P.170-171.

20. Filimonov S., Cherepanov V., Hervieu Yu., Voigtlander B. Multistage nucleation of two-dimensional islands on Si/Si(111 )-7x7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model // Phys. Rev. B. — 2007. — V.76. - P.035428 (7 p.).

21. Filimonov S.N , Cherepanov V., Hervieu Yu.Yu., Voigtlander B. Si nucleation on Si( 111 )-7x7: from cluster pairs to 2D islands // Surf. Sci. — 2007. — V.601. — P.3876-3880.

22. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Adatom incorporation and step crossing at the edges of 2D nanoislands // Int. J. Nanosci. — 2007. — V.6, N3/4. — P.237-240.

23. Filimonov S., Hervieu Yu. Kink formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy// Phys. Rev. E. — 2009. — V.80. — P.051603 (9 p.).

24. Филимонов C.H., Эрвье Ю.Ю. Зарождение и рост "магических"наноостровков при кристаллизации из молекулярного пучка // Узбекский физический журнал. — 2010. — Т. 12, N1-2.— С.18-25.

25. Филимонов С.Н., Эрвье Ю.Ю. Влияние проницаемости края 2D островка на переход от 2D к 3D росту // Изв. вузов. Материалы электронной техники. — 2010. — Вып.З. — С.52-59.

26. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces // Phys. Rev. B. — 2012. — V.85. — P.045423 (7 p.).

Благодарности

Работа поддерживалась Российским фондом фундаментальных исследований (инициативные проекты №№ 96-02-17711, 98-02-16509, 00-02-17933, 03-02-17644, 08-02-00507) и IN TAS (проект 03-51-5015)

Выражаю глубокую признательность своим основным соавторам — к.ф.-м.н. M П. Ру-зайкину, который ввел меня в мир теории роста кристаллов, и к.ф.-м.н. С.Н. Филимонову, оказавшему неоценимую помощь при выполнении данной работы. Работа проводилась при общем руководстве профессора И.В. Ивонина, которому автор чрезвычайно благодарен за терпение и ценные консультации.

Автор благодарен всем сотрудникам кафедры физики полупроводников Томского госуниверситета за создание творческой, дружеской атмосферы, немало способствовавшей выполнению данной работы.

Заключение

В соответствии с поставленными целями, в диссертации проведено систематическое теоретическое исследование кинетики элементарных процессов роста и захвата примеси на вици-нальных ступенях и краях двумерных островков. Предложен подход, позволяющий сформулировать краевые условия для уравнения поверхностной диффузии, учитывающие особенности формирования изломов на ступенях при сильных отклонениях от равновесия и эффект проницаемости ступеней. Данный подход применен для теоретического исследования процессов эпитаксиального роста и легирования в типичных условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние проницаемости ступени (края 20 островка) на образование многослойных островков и на переход от двумерного к трехмерному росту. Предложены модели образования и роста 20 островков, учитывающие влияние реконструкции поверхности. Исследованы механизмы легирования и поверхностной сегрегации примеси при кристаллизации из молекулярного пучка.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Эрвье, Юрий Юрьевич, 2012 год

1. Pimpinelli А , Villain J Physics of crystal growth — Cambridge University Press, Cambridge UK, 1998 — 377 p

2. Michely T, Krug J Islands, Mounds and Atoms Patterns and Processes in Crystal Growth Far from Equilibrium —Springer, Heidelberg, 2004 —313 p

3. Evans J W, Thiel PA , Bartelt M С Morphological evolution during epitaxial thin film growth Formation of 2D islands and 3D mounds // Surf Sci Rep — 2006 — V61 — P1 — 128

4. Misbah С , Pierre-Louis О , Saito Y Crystal surfaces in and out of equilibrium A modern view//Rev Mod Phys —2010 — V82 — P981-1040

5. Krug J Introduction to step dynamics and step instabilities // International series of numerical mathematics Multiscale modeling of epitaxial growth / Ed by A Voigt — Birkhauser, 2005 — V 149 — P 69-95

6. Странский И H , Каишев Р К теории роста кристаллов // УФН — 1939 — Т 21, Вып 4 — С 407-465

7. Tanaka S , Bartelt N С , Umbach С С , Tromp R М , Blakely J М Step Permeability and the Relaxation of Bipenodic Gratings on Si(001) // Phys Rev Lett — 1997 — V78 — P 3342-3345

8. Stoyanov S , Tonchev V Properties and dynamic interaction of step density waves at acrystal surface during electromigration affected sublimation // Phys Rev В — 1998 — V58 — P1590-1600

9. Латышев А В , Асеев AJI Моноатомные ступени на поверхности кремния — Изд-во СО РАН, Новосибирск, 2006 — 242 с

10. Voigtlander В Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth//Surf Sci Rep —2001 —V43 —P127—254

11. Оура К, Лифшиц В Г, Саранин А А , Зотов А В , Катаяма М Введение в физику поверхности — М Наука, 2006

12. Stoyanov S , Kashchiev D Thin film nucleation and growth theories a confrontation with experiment // Current Topics in Material Sciences / Ed by E Kaldis — North-Holland, Amsterdam, 1981 — V7 — P69-141

13. Venables J A , Spiller G D T, Hanbucken M Nucleation and growth of thin films // Rep Prog Phys —1984 — V47 — P399-459

14. Pala R G S , Liu F Critical epinucleation on reconstructured surfaces and first-principle calculation of homonucleation on Si(100) // Phys Rev Lett — 2005 — V95 — P136106-1 —136106-4

15. Andneu S, d'Avitaya FA, Pfister J С Surface segregation mechanism during two-dimensional epitaxial growth the case of dopants in Si and GaAs molecular-beam epitaxy //J Appl Phys —1989 — V65, N7 — P2681-2687

16. Nutzel J F, Abstreiter G Segregation and diffusion on semiconductor surfaces // Phys Rev В — 1996 — V53, N20 — P 13551-13558

17. Воронков В В , Чернов А А Захват примеси при движении элементарной ступени // Кристаллография — 1967 — Т 12, N2 — С 222-229

18. Чернов А А Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов — статистика проб и ошибок //УФН —1970 —Т 100, N2 — С 277-328

19. Ehrlich G., Hudda F.G. Atomic view of surface self-diffusion: tungsten on tungsten // J. Chem. Phys. — 1966. — V.44. — P. 1039-1049.

20. Schwoebel R.L., Chipsey E.J. Step motion on crystal surface// J. Appl. Phys. — 1966. — V.37. — P.3682—3686.

21. Voigtlander В., Weber T. Growth processes in Si/Si(lll) epitaxy observed by scanning tunneling microscopy during epitaxy // Phys. Rev. Lett. — 1996. — V.77, N18. — P.3861-3864.

22. Teys S.A., Romanyuk K.N., Talochkin А.В., Olshanetsky B.Z. STM studies of self-organization of Ge nanoisiands and nanostrips before formation wetting layer on Si(lll) surfaces // AIP Conf. Proc. — 2003. — V.696,N 1. — P.775-782.

23. Teys S.A., Talochkin А.В., Olshanetsky B.Z. Formation of Ge nanoisiands before the completion of a wetting layer in the Ge/Si(l 11) system // J. Cryst. Growth. — 2009. — V.311. — P.3898-3903.

24. Zhu W., de Mongeot F.B., Valbusa U., Wang E.G., Zhang Z. Adatom ascending at step edges and faceting on fee metal (110) surfaces // Phys. Rev. Lett. — 2004. — V.9 — P. 106102-1 —106102-4.

25. Hupalo M., Yeh V., Berbil-Bautista L., Kremmer S., Abram E., Tringides M. C. Uniform-height island growth of Pb on Si( 111 )-Pb(\/3x\/3) at low temperatures // Phys. Rev. B. — 2001. — V.64. — P. 155307-1 -155307-11.

26. Stoyanov S. Current-induced step bunching at vicinal surfaces during crystal sublimation // Surf. Sci. — 1997. — V.370. — P.345-354.

27. Metois J.J., Stoyanov S. Impact of growth on the stability-instability transition at Si( 111) during step bunching induced by electromigration // Surf. Sci. — 1999. — V.440. — P.407—419.

28. Sato M., Uwaha M., Saito Y. Instabilities of steps induced by the drift of adatoms and effect of the step permeability // Phys. Rev. B. — 2000. — V.62. — P.8452—8472.

29. Sato M. Effect of step permeability on step instabilities due to alternation of kinetic coefficients on a growing vicinal face// Eur. Phys. J. B. — 2007. — V.59. — P.311—318.

30. Чернов А.А. Слоисто-спиральный рост кристаллов // УФН. — 1961. — Т.73, N2. — С.277-331.

31. Chernov A.A. Surface morphology and growth kinetics // Crystal Growth and Characterization / eds. R.Ueda and J.B.Mullin. — North-Holland, Amsterdam, 1975. — P.33-52.

32. Современная кристаллография. Т.З Образование кристаллов / Под ред. Б.К- Вайнштей-на. — М.: Наука, 1980. — 407 с.

33. Ozdemir М., Zangwill A. Morphological equilibration of a facetted crystal // Phys. Rev. B.1992. — V.45. — P.3718-3729.

34. Pierre-Louis O. Step bunching with general step kinetics: stability analysis and macroscopic models // Surf. Sci. — 2003. — V.529. — P.I 14—134.

35. Pierre-Louis O. Dynamics of crystal steps // C. R. Physique. — 2005. — V.6. — P. 11—21.

36. Jeong H.-C., Williams E.D. Steps on surfaces: experiment and theory// Surf. Sci. Rep. — 1999, — V.34. — P. 171-294.

37. Israeli N., Kandel D. Profile of a decaying crystalline cone// Phys. Rev. B.— 1999. — V.60.1. P. 5946-5962.

38. Pierre-Louis О. Phase field models for step flow // Phys. Rev. E. — V.68. — P.021604-1-021604-19.

39. Ranguelov В., Altman M.S., Markov I. Critical terrace width for step flow growth: Effect of attachment-detachment asymmetry and step permeability // Phys. Rev. B. — 2007. — V.75. — P.245419-1-245419-5.

40. Quah J., Young J., Margetis D. Macroscopic view of crystal-step transparency// Phys. Rev. E. — 2008. — V.78. — P.042602-1-042602-4.

41. Ranguelov В., Stoyanov S. Instability of vicinal crystal surfaces with transparent steps: Transient kinetics and non-local electromigration // Surf. Sci. — 2009. — V.603. — P.2907—2911.

42. Pierre-Louis O. Continuum model for low temperature relaxation of crystal steps // Phys. Rev. Lett. — 2001. — V.87. — P. 106104-1-106104-4.

43. E W., Yip N.K. Continuum theory of epitaxial crystal growth. I // J. Stat. Phys. — 2001. — V. 104, —P.221-253.

44. Stoyanov S., Markov I. On the 2D-3D Transition in Epitaxial Thin Film Growth // Surf. Sci. — 1982. — V. 116. — P.313-337.

45. Markov I., Stoyanov S. Mechanisms of Epitaxial Growth // Contemp. Phys. — 1987. — V.28. — P.267—320.

46. Markov, I. Crystal Growth for Beginners, 2nd ed. — World Scientific, Singapore, 2003. — 546 p.

47. Алейнер И.Л., Сурис РА. Морфологическая стабильность вицинальной поверхности при молекулярной эпитаксии // ФТТ. — 1992. — Т.34, N5. — С.1522-1540.

48. Pierre-Louis О., D'Orsogna M.R., Einstein T.L. Edge diffusion during growth: the kink Ehrlich-Schwoebel effect and resulting instabilities // Phys. Rev. Lett. — 1999. — V.82. — P. 3661—3664.

49. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps// Surf. Sci. — 2004. — V.553.N1. — P. 133-144.

50. Пригожин И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. — М.: Мир, 2002. — 461 с.

51. Caflisch R.E., Е W., Gyure M.F., Merriman В., Ratsch С. Kinetic model for a step edge in epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1999. — V.59. — P.6879-6887.

52. Balykov L., Voigt A. A kinetic model for step flow growth in molecular beam epitaxy // Surf. Sci. — 2006. — V.600. — P.3436—3445.

53. Balykov L., Voigt A. A 2+1-dimensional dimensional terrace-step-kink model for epitaxial growth far from equilibrium // Multiscale model, simul. — 2006. — V.5,N.l. — P.45—61.

54. Genkin V.M., Fraerman A. A. The rate of advance of a monoatomic step on the surface of a growing Kossel crystal // Phys. Stat. Sol. (a). — 1985. — V.87. — P.85-91.

55. Янке E., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции. — М.: Наука, 1977. — 342 с.

56. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth// Surf. Sci. — 2002. — V.507-510. — P.270-275.

57. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Origin of step permeability in growth of coherently strained 2D islands//Phys. Low-Dim. Structures. — 2002. — N. 7/8. P.15-25.

58. Ranguelov B.S., Markov I.V. Adatom diffusion on vicinal surfaces with permeable steps // Cent. Eur. J. Phys. — 2009. — V.7.N.2. — P.350-355.

59. Воронков В.В. Движение элементарной ступени посредством образования одномерных зародышей// Кристаллография. — 1970. — Т. 15, Вып.1. — С. 13—19.

60. Frank F.C. Nucleation-controlled growth on a one-dimensional growth of finite length // J. Cryst. Growth. — 1974. — V.22. — P.233-236.

61. Roland C., Gilmer G.H. Epitaxy on surfaces vicinal to Si(OOl). II. Growth properties of Si(001) steps // Phys. Rev. B. — 1992. — V.46. — P. 13437—13451.

62. Bartelt M.C., Evans J.W. Scaling analysis of diffusion-mediated island growth in surface adsorption processes // Phys. Rev. B. — 1992. — V.46. — P. 12675— 12687.

63. Pimpinelli A., Villain J., Wolf D.E. Surface diffusion and island density// Phys. Rev. Lett. — 1992. — V.69. — P.985-985.

64. Kallabis H., Krapivsky PL., Wolf D.E. Island distance in one-dimensional epitaxial growth // Eur. Phys. J. B. — 1998. — V.5. — P.801-804.

65. Chernov A.A. Notes on interface growth kinetics 50 years after Burton, Cabrera and Frank //J. Cryst. Growth. — 2004. — V.264. — P.499-518.

66. Chernov A.A., Rashkovich L.N., Vekilov P.G. Steps in solution growth: dynamics of kinks, bunching and turbulence//J. Cryst. Growth. — 2005. — V.275. — P. 1-18.

67. Jacobsen J., Jacobsen K.W., Norskov J.K. Island shapes in homoepitaxial growth of Pt( 111) // Surf. Sci. — 1996. — V.359. — P.37-44.

68. Ovesson S., Bogicevic A., Lundqvist B.I. Origin of compact triangular islands in metal-on-metal growth // Phys. Rev. Lett. — 1999. — V.83. — P.2608-2611

69. Zhong J., Zhang T., Zhang Z., Lagally M.G. Island-corner barrier effect in two-dimensional pattern formation at surfaces// Phys. Rev. B. — 2001. — V.63. — P.I 13403-1-113403-4.

70. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Adatom incorporation and step crossing at the edges of 2D nanoislands // Int. J. of Nanoscience. — 2007. — V.6.N3/4. — P.237-240.

71. Heinrichs S., Rottler J., Maass P. Nucleation on top of islands in epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 2000. — V.62.N12. — P.8338-8359.

72. Krug J., Polity P., Michely T. Island nucleation in the presence of step-edge barriers: Theory and applications// Phys. Rev. B. — 2000. — V.61.N20. — P. 14037-14046.

73. Krug J. Scaling regimes for second layer nucleation // Eur. Phys. J. B. — 2000. — V. 18. — P.713-719.

74. Krug J. Reaction kinetics in confined geometries: Lonely adatoms in space// Phys. Rev. E. — 2003. — V.67. — P.065102( R)-1 —065102( R )-5.

75. Tersoff J., Denier van der Gon A.W., Tromp R.M. Critical island size for layer-by-layer growth // Phys. Rev. Lett. — 1994. — V.72. — P.266-269.

76. Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si( 100) // Phys. Rev. Lett. — 1990. — V.64. — P. 1943—1946.

77. Mo Y.W., Savage D.E., Schwartzentruber B.S., Lagally M.G. Kinetic pathway in Stranski-Krastanov Growth of Ge on Si(001)//Phys. Rev. Lett. — 1990. — V.65. — P. 1020-1023.

78. Guha S., Madhukar A., Rajkumar K.C. Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxical growth of highly strained InxGal-xAs on GaAs(100)// Appl. Phys. Lett. — 1990. — V.57. — P.2110-2113.

79. Snyder C.W., Orr B.G., Kessler D., Sander L.M. Effect of strain on surface morphology in highly strained InGaAs films //Phys. Rev. Lett. — 1991. — V.66. — P.3032—3035.

80. Politi P., Grenet G., Marty A., Ponchet A., Villain J. Instabilities in crystal growth by atomic or molecular beams // Phys. Reps. — 2000. — V.324. — P.271-404.

81. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Epitaxy of nanostructures. — Springer, Berlin, 2003. — 389 p.

82. Stangl J , Holy V, Bauer G Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures//Rev Mod Phys —2004 — V76 —P 725-783

83. Шкляев A A , Ичикава M Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния //УФH —2008 — Т178, N2 — С 139-169

84. Placidi Е , Arciprete F, Fanfoni M , Patella F, Orsini E , Balzarotti A InAs/GaAs(001 ) epitaxy kinetic effects in the two-dimensional to three-dimensional transition // J Phys Condens Matter —2007 — V19 — P225006 (21pp)

85. Cimalla V, Zekentes К Temperature dependence of the transition from two-dimensional to three-dimensional growth of Ge on (001 )Si studied by reflection high-energy electron diffraction//Appl Phys Lett —2000 — V77 — P 1452-1455

86. Никифоров А И , Черепанов В A , Пчеляков О П Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si( 100) методом регистрирующей дифрактометрии // ФТП — 2001 — Т 35,Вып 9 — С 1032-1035

87. Nikiforov А I , Ulyanov VV, Timofeev VA , Pchelyakov О P Wetting layer formation in superlattices with Ge quantum dots on Si( 100)//Microelectronics J —2009 —V40 — P 782-784

88. Osipov A V, Schmitt F, Kukushkin S A , Hess P Stress-driven nucleation of coherent islands theory and experiment//Appl Surf Sci —2002 — VI88 — P 156-162

89. Кукушкин С A , Осипов А В , Schmitt F, Hess P Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского-Крастанова, индуцированное упругими напряжениями// ФТП —2002 —Т36,Вып 10 —С 1177—1185

90. Dubrovskn VG , Cirlin G E , Ustinov V M Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems // Phys Rev В — 2003 — V68 — P075409-1—075409-9

91. Дубровский В Г Расчет функции распределения квантовых точек по размерам на кинетической стадии роста//ФТП — 2006 — Т40,Вып 10 — С 1153-1160

92. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. — М: Физмат-лит, 2009.

93. Kaganer V.M., Ploog К.Н. Strained islands as step bunches: shape and growth kinetics // Solid State Comm. — 2001. — V.l 17. — P.337-341.

94. Kaganer V.M., Ploog K.H. Energies of strained vicinal surfaces and strained islands // Phys. Rev. B. — 2001. — V.64. — P.205301-1-205301-14.

95. Priester C., Lannoo M. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy // Phys. Rev. Lett. — 1995. — V.5. — P.93-96.

96. Miiiler P., Kern R. The physical origin of the two-dimensional to three-dimensional coherent epitaxial Stranski-Krastanov transition // Appl.Surf.Sci. — 1996. — V. 102. — P.6—11.

97. Dobbs H.T., Vvedensky D.D., Zangwill A., Johansson J., Carlsson N., Seifertet W. Mean-Field Theory of Quantum Dot Formation // Phys. Rev. Lett. — 1997. — V.79. — P. 897-900.

98. Dobbs H.T., Vvedensky D.D., Zangwill A. Theory of quantum dot formation in Stranski-Krastanov systems // Appl. Surf. Sci. — 1998. — V.l23/124. — P.646—652.

99. Korutcheva E., Turiel A.M., Markov I. Coherent Stranski-Krastanov growth in 1 + 1 dimensions with anharmonic interactions: An equilibrium study// Phys. Rev. B. — 2000. — V. 61.- P.16890-16901.

100. Prieto J.E., Markov I. Quantum-dot nucleation in strained-layer epitaxy: Minimum-energy pathway in the stress-driven two-dimensional to three-dimensional transformation // Phys. Rev. B. — 2005. — V.72. — P.205412-1-205412-8.

101. Sutter P., Lagally M. G. Nucleationless three-dimensional island formation in low-misfit heteroepitaxy// Phys. Rev. Lett. — 2000. — V.84. — P.4637-4640.

102. Tromp R.M., Ross F.M., Reuter M.C. Instability-driven SiGe island growth // Phys. Rev. Lett. — 2000. — V.84. — P.4640—4644.

103. Vailionis A., Cho В., Glass G., Desjardins P., Cahill D.G., Greene J.E. Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001) // Phys. Rev. Lett. — 2000. — V.85. — P.3672-3675.

104. Asaro R.J., Tiller W.A. Interface morphology development during stress corrosion cracking // Metall. Trans. — 1972. — V.3. — P. 1789-1796.

105. Гринфельд M.A. Неустойчивость границы раздела между негидростатически напряженным упругим телом и расплавом // ДАН СССР. — 1986. — Т.290. — С. 1358—1363.

106. Kaganer V.M., Ploog К-Н. Energies of strained surfaces and barrierless formation of strained islands // Phys. Rev. Lett. — 2003. — V.91. — P.099601 -1 -099601 -1.

107. Tersoff J., Spencer B.J., Rastelli A., von Kanel H. Reply: Comparison of continuum and step models for SiGe Islands // Phys. Rev. Lett. — 2003. — V.91. — P.099602-1-099602-1.

108. Arapkina L.V., Yuryev V.A. Nucleation of Ge quantum dots on the Si(001) surface // Phys. Rev. B. — 2010. — V.82. — P.045315-1-045315-5.

109. KrugJ. On the shape of wedding cakes//J. Stat. Phys. — 1997. — V.87. — P.505-518.

110. Szkutnik P.D., Sgarlata A., Nufris S., Motta N., Balzarotti A. Real-time scanningtunneling microscopy observation of the evolution of Ge quantum dots on nanopatterned Si(001) surfaces// Phys. Rev. B. — 2004. — V.69. — P.201309-1-201309-4.

111. Khor K.E., Das Sarma S. Quantum dot self-assembly in growth of strained-layer thin films: A kinetic Monte Carlo study // Phys. Rev. B. — 2000. — V.62. — P. 16657-1664.

112. Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Моделирование процессов эпитаксии, сублимации и отжига в трехмерном приповерхностном слое кремния // ФТП. — 2001. — Т.35,Вып.9. — С. 1067-1074.

113. Brunev D.V., Neizvestny I.G., Shwartz N.L., Yanovitskaja Z.Sh. Schwoebel barriers and quantum dot lateral size equalization during epitaxial growth // Nanotechnology. — 2001. — V.12. — P.413—416.

114. Brunev D.V., Neizvestny I.G., Shwartz N.L., Yanovitskaya Z.Sh. Interlayer atomic diffusion as the reason for self-assembled quantum dot formation // Сотр. Phys. Comm. — 2002.1. V.147. —P.255—258.

115. Zhu R., Pan E., Chung P.W. Fast multiscale kinetic Monte Carlo simulations of three-dimensional self-assembled quantum dot islands // Phys. Rev. B. — 2007. — V.75. — P.205339-1-205339-7.

116. Xiang R., Lung M.T., Lam C-H. Layer-by-layer nucleation mechanism for quantum dot formation in strained heteroepitaxy // Phys. Rev. E. — 2010. — V.82. — P.021601 -1 —021601 -8.

117. Johansson J., Seifert W. Kinetics of self-assembled island formation: Part I island density// J. Cryst. Growth. — 2002. — V.234. — P. 132—138.

118. Tu Y., Tersoff J. Origin of apparent critical thickness for island formation in heteroepitaxy// Phys. Rev. Lett. — 2004. — V.93. — P.216101-1-216101-4.

119. Much F., Biehl M. Simulation of wetting-layer and island formation in heteroepitaxial growth // Europhys. Lett. — 2003. — V.63,N.l. — P. 14-20.

120. Negulyaev N.N., Stepanyuk V.S., Bruno P., Diekhoner L., Wahl P., Kern K. Bilayer growth of nanoscale Co islands on Cu(lll) // Phys. Rev. B. — 2008. — V.77. — 125437-1-125437-7.

121. Han Y., Unal В., Qin F., Jing D., Jenks C.J., Liu D.-J., Thiel P.A., Evans J.W. Kinetics of facile bilayer island formation at low temperature: Ag/NiAl(l 10)// Phys. Rev. Lett. — 2008.

122. V.100. — P.116105-1-116105-4.

123. Филимонов C.H., Эрвье Ю.Ю. Влияние проницаемости края 2D островка на переход от 2D к 3D росту // Изв. вузов. Материалы электронной техники. — 2010. — Вып.З. — С.52-59.

124. Filimonov S N , Hervieu Yu Yu How the edge permeability of a 2D island influences the transition from 2D to 3D growth // Russian Microelectronics — 2011 — V40,N8 — P 602-609

125. Barabasi A L Self assembled island formation in heteroepitaxial growth // Appl Phys Lett — 1997 — V70 —P 2565-2567

126. Kern R , Muller P Elastic relaxation of coherent epitaxial deposits // Surf Sci — 1997 — V392 — P103—133

127. Larsson M I , Sabiryanov R F, Chod К, Clemens В M Surface strain effects on adatom kinetics and self-assembly//Surf Sci —2003 — V536 — PL389—L395

128. Larsson M I , Cho К , Clemens В M Surface diffusion mechanisms for strain-induced self-assembly//Phys Rev В —2004 — V69 — P155426-1-155426-7

129. Brune H , Bales G S , Jacobsen J , Boragno С , Kern К Measuring surface diffusion from nucleation island densities//Phys Rev В —1999 — V60, N8 —P5991-6005

130. Филимонов С H , Эрвье Ю Ю О статистике образования зародышей когерентных ЗО-островков при гетероэпитаксии из молекулярного пучка // Изв вузов Физика — 2001 — T44,N4 — С 34-38

131. Filimonov S N , Hervieu Yu Yu Step permeability effect and interlayer mass—transport in the Ge/Si(lll)MBE//Mater Sci Semicon Proc —2005 — V8,N 1/3 — P31-34

132. Zinsmeister G A contribution to Frenkel's theory of condensation//Vacuum — 1966 — V16, N10 — P529-535

133. Walton D Nucleation of vapor deposits // J Chem Phys — 1962 — V37 — P2182—2188

134. Bales G S , Chrzan D С Dynamics of irreversible island growth during submonolayer epitaxy //Phys Rev В —1994 — V50, N9 — P 6057-6067

135. Неизвестный И Г, Шварц H Л , Яновицкая 3 Ш Двумерное зарождение в процессе эпи-таксии при большом размере критического зародыша// Микроэлектроника —2002 — T31,N2 — С 84-92

136. Stroscio J А , Pierce D Т Scaling of diffusion-mediated island growth in iron-on-iron homoepitaxy // Phys Rev В — 1994 — V49, N 12 — P8522-8525

137. Chambliss D D , Johnson К E Nucleation with a critical cluster size of zero Submonolayer Fe inclusions in Cu( 100)//Phys Rev В — 1994 — V50 — P5012-5015

138. Bott M, Hohage M, Morgenstern M, Michely T, Comsa G New approach for determination of diffusion parameters of adatoms // Phys Rev Lett — 1996 — V76,N 81. P 1304-1307

139. Muller В , Nedelmann L , Fischer В , Brune H , Kern К Initial stages of Cu epitaxy on Ni(100) Postnucleation and a well-defined transition in critical island size//Phys Rev В1996 — V54, N 24 — P 17858-17865

140. Kandel D Initial stages of thin film growth in the presence of island-edge barriers // Phys Rev В —1997 — V78.N3 — P499-502

141. Ratsch С , Smilauer P, Zangwill A , Vvedensky D D Submonolayer epitaxy without a critical nucleus//Surf Sci — 1995 — V329 — PL599-L604

142. Bales G S , Zangwill A Self-consistent rate theory of submonolayer epitaxy with attachment/detachment kinetics//Phys Rev В —1997 — V55 — PR1973-R1976

143. Popescu M N , Amar J G , Family F Self-consistent rate-equation approach to transitionsin critical island size in metal (100) and metal (111) homoepitaxy// Phys. Rev. B. — 1998.1. V.58, N3. — P.1613—1619.

144. Köhler U., Demuth J.E., Hamers R.J. Scanning tunneling microscopy study of low-temperature epitaxial growth of silicon on Si( 111 )-(7x7)// J. Vac. Sei. Techno). A. — 1989.1. V.7. — P.2860—2868.

145. Hasegawa T., Shimada W., Tochihara H., Hosoki S. Dynamic observation of Si-island growth on a Si( 111 )-7x7 surface by high-temperature scanning tunneling microscopy// J. Cryst. Growth. — 1996. — V.l66. — P.314-318.

146. Asaoka H., Cherepanov V., Voigtländer B. Size of small Si and Ge clusters on Si( 111) and Ge( 111) surfaces // Surf. Sei. — 2005. — V.588. — P. 19-25.

147. Qin X.R., Lagally M.G. Adatom pairing structures for Ge on Si(100): the initial stage of island formation // Science. — 1997. — V.278. — P. 1444-1447.

148. Solis K.J., Williams L.R., Swartzentruber B.S., Han S.M. Addimer chain structures: Metastable precursors to island formation on Ge Si(001 )-(2xn) alloyed surface // Surf. Sei.2007. — V.601. — P. 172-177.

149. H. Tochihara and W. Shimada. The initial stage of molecular beam epitaxial growth of Si on Si( 111 )-7x7: a model for the destruction of the (7x7) reconstruction // Surf. Sei. — 1993.1. V.296. — P. 186-198.

150. Thibaudau F. Two-dimensional island density in homoepitaxy on Si(l 11)7x7// Surf. Sei.1998. — V.416. — P.LI 118—LI 123.

151. Filimonov S., Cherepanov V., Hervieu Yu., Voigtländer B. Multistage nucleation of two-dimensional islands on Si/Si( 111 )-7x7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model // Phys. Rev. B. — 2007. — V.76. — P.035428-1 -035428-7.

152. Filimonov S.N., Cherepanov V., Hervieu Yu.Yu., Voigtländer B. Si nucleation on Si( 111 )-7x7: from cluster pairs to 2D islands // Surf. Sei. — 2007. — V.601. — P.3876—3880.

153. Andersohn L., Berke Th., Köhler U., Voigtländer B. Nucleation behavior in molecular beam and chemical vapor deposition of silicon on Si( 111 )-(7x7) // J. Vac. Sei. Technol. A. — 1996. — V.14.N.2. — P.312—318.

154. Voigtländer B., Kästner M., Smilayer P. Magic islands in Si/Si( 111) homoepitaxy // Phys. Rev. Lett. — 1998. — V.81. — P.858-861.

155. Myslivecek J., Jarolimek T., Smilauer P., Voigtländer B., Kästner M. Magic islands and barriers to attachment: A Si/Si( 111) 7x7 growth model // Phys. Rev. B. — 1999. — V.60. — P. 13869-13873.

156. Schroeder M., Wolf D.E. Magic islands and submonolayer scaling in molecular beam epitaxy// Phys. Rev. Lett. — 1995. — V.74. — P.2062-2065.

157. Mazzitello K.I., Martin H.O., Aldao C.M. Growth model with disaggregation of islands having an odd number of particles // Phys. Rev. E. — 2004. — V.69. — P.041604-1-041604-5.

158. Mazzitello K.I., Aldao C.M., Martin H.O. Effects of island disaggregation in growth models //Phys. Rev. E. —2006, —V.74. —P.011602-1-011602-7.

159. Takayanagi К , Tanishiro Y, Takahashi S , Takahashi M Structure analysis of Si( 111 )-7x7 reconstructed surface by transmission electron diffraction // Surf Sci — 1985 — VI641. P 367-392

160. Kaganer VM , Braun W, Sabelfeld К К Ostwald ripening of faceted two-dimensional islands//Phys Rev В —2007 — V76 — P075415-1-075415-11

161. Яновицкая 3 Ш Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук — Новосибирск, 2003

162. Filimonov S , Hervieu Yu Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces//Phys Rev В —2012 — V85 — P045423-1-045423-7

163. Sato T , Kitamura S , Iwatsuki M Surface diffusion of adsorbed Si atoms on the Si( 111 )7x7 surface studied by atom-tracking scanning tunneling microscopy//J Vac Sci Technol A2000 — V18 —P 960-964

164. Chang С M , Wei С M Diffusion of an adsorbed Si atom on the Si( 111)—(7x7) surface // Phys Rev В —2003 — V67 — P033309-1-033309-4

165. Utas О A , Demsova N V, Kotlyar V G , Zotov A V, Saranin A A , Chou J P, Lai M Y, Wei С M , Wang Y L Cooperative phenomena in self-assembled nucleation of 3x4-In/Si( 100) surface magic clusters//Surf Sci —2010 — V604 — PI 116-1120

166. Vasco E , Polop С , Rodríguez-Cañas E Aggregation mechanisms in the adsorption of metals on Si( 111)7x7//Phys Rev В —2003 — V67 — P235412-1 -235412-10

167. Ost'ádal 1 , Kocan P, Sobotik P, Pudl J Direct observation of long-range assisted formation of Ag clusters on Si(l 11)7x7 // Phys Rev Lett — 2005 — V95 — P146101-1 —146101-4

168. Venables J A , Bruñe H Capture numbers in the presence of repulsive adsórbate interactions //Phys Rev В —2002 — V66 — P 195404-1-195404-16

169. Chernov A A, Rashkovich LN, Yaminski IV, Gvozdev NV Kink kinetics, exchange fluxes, ID "nucleation" and adsorption on the (010) face of orthorhombic lysozyme crystals //J Phys Condens Matter — 1999 — VI1 — P9969—9984

170. Petersen M , Ratsch С , Caflisch R E , Zangwill A Level set approach to reversible epitaxial growth//Phys Rev E —2001 — V64 — P061602-1-061602-7

171. Филимонов С H , Эрвье Ю Ю Зарождение и рост "магических" наноостровков при кристаллизации из молекулярного пучка // Узбекский физический журнал — 2010 — Т 12,N1-2 — С 18-25

172. Filimonov S , Hervieu Yu Kink formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy//Phys Rev E — 2009 —V80 — P051603-1—051603-9

173. Liu S , Wu S -Y, Zhang Z Change of island density due to multi-channels of adatom diffusion//Surf Sci —2001 — V486 — P208-212

174. Clarke S , Vvedensky D D Origin of reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy a computational modeling approach // Phys Rev Lett — 1987 — V58, N21 — P2235-2238

175. Albao M A , Evans M M R , Nogami J , Zorn D , Gordon M S , Evans J W Monotonically decreasing size distributions for one-dimensional Ga rows on Si( 100) // Phys Rev В — 2005 — V72 —P035426-1-035426-8

176. Amar J G , Family F Critical cluster size island morphology and size distribution in submonolayer epitaxial growth//Phys Rev Lett — 1995 — V74 — P2066-2069

177. Эрвье Ю Ю Теоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук — Томск, 1989

178. Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю О нестационарном легировании при низкотемпературной кристаллизации из молекулярного пучка // Кристаллография — 1992 — Т37, N3 — С 807-812

179. Becker G E , Bean J С Acceptor dopants in silicon molecular-beam epitaxy // J Appl Phys — 1977 — V48 — P 3395-3399

180. Стенин С И , Кантер Б 3 , Никифоров А И Молекулярно-лучевая эптаксия кремния // В кн Рост кристаллов Т18 — М Наука, 1990 — С 81-90

181. Gossmann Н -J , Schubert Е F Delta doping in silicon // Crit Rev Sol St Mater Sci — 1993 — V18 — Pl-67

182. Nutzel J F, Abstreiter G Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy//J Appl Phys —1995 —V78,N2 — P 937-940

183. Kanter В Z , Nikiforov A I , Stenin S I Sb periodic doping in low-temperature Si-MBE // Superlattices and Microstructures Volume —1991 — V10, N2 — P 127-130

184. Thompson PE , Jernigan G G Determination of the surface segregation ratio of P in Si(l 0 0) during solid-source molecular beam epitaxial growth // Semicond Sci Technol — 2007 — V22 — P80-83

185. Thompson PE , Jernigan GG, Simons D, Chi P, Jonker ВТ, van't Erve OMJ Phosphorus doping of silicon at substrate temperatures above 600 С // Thin Solid Films — 2010 — V518 — P270-272

186. Кузнецов В П , Андреев А Ю О накоплении примеси на (001) поверхности слоев Si при автоэпитаксии в вакууме // Поверхность Физ , хим , механика — 1990 — N3 — С 49-52

187. Jorke H , Kibbel H Boron delta doping in Si and Si0,8Geo,2//Appl Phys Lett — 1990 — V57, N17 — P 1763-1765

188. Barnett S A , Green J E Si MBE a model for temperature dependent incorporation probabilities and depth distributions of dopants exhibiting strong surface segregation // Surf Sci —1985 — V151.N4 — P931-940

189. Harris J J , Ashenford D E , Foxon С T, Dobson PJ , Joyce В A Kinetic limitations to surface segregation during MBE growth of III-V compounds Sn in GaAs // Appl Phys A — 1984 — V33 — P87-92

190. Dondl W, Lutjenng G , Wegscheider W, Wilhelm J , Schorer R , Abstreiter G Sn and Sb segregation and their possible use as surfactant for short-period Si/Ge superlattices // J Cryst Growth — 1993 —V 127, N1-4 — P440-442

191. Никифоров А И Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук — Новосибирск, 1994

192. Jorke Н Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxy growth // Surf Sci —1988 — V193, N3 — P569-578

193. Hobart К D, Godbey D J, Twigg M E, Fatemi M, Thompson PE , Simons D S Surface segregation and structure of Sb-doped Si( 100) films grown at low temperature by molecular beam epitaxy// Surf Sci —1995 — V334 —P29-38

194. Yurasov D V, Drozdov M N , Murel A V, Shaleev M V, Zakharov N D , Novikov A V Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy // J Appl Phys —2011 — V109 — PI 13533-1-113533-7

195. Юрасов Д В , Дроздов M Н , Мурель А В , Новиков А В Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями // Письма в ЖТФ —2011 —Т37, Вып 17 — С 75-81

196. Андреев А Ю , Гудкова Н В , Кузнецов В П , Красильников В С , Рубцова РА , Толо-масов В А Легирование фосфором слоев Si при эпитаксии на (001) Si из молекулярного пучка // Изв АН СССР Сер Неорганические материалы — 1988 — Т24, N9 — С 1423-1425

197. Arnold С В , Aziz М J Unified kinetic model of dopant segregation during vapor-phase growth //Phys Rev В —2005 — V72 — P195419-1-195419-17

198. Andrieu S , d'Avitaya FA Antimony adsorption on silicon (111) analyzed in real time by in situ elhpsometry//Surf Sci —1989 — V219 — P277-293

199. Tabe M , Kajiyama К Kinetics of antimony doping in silicon molecular beam epitaxy // Jap J Appl Phys —1983 — V22,N3 — P423-428

200. Iyer S S , Metzger R A , Allen FA Sharp profiles with high and low doping levels in silicon grown by molecular beam epitaxy//J Appl Phys —1981 —V52 —P5608—5612

201. Mo Y W, Kleiner J , Webb M В , Lagally M G Activation energy for surface diffusion of Si onSi(OOl) A scanning-tunneling-microscopy study // Phys Rev Lett —1991 —V66 — P 1998-2001

202. Перов А С , Перова В И Образование примесных концентрационных переходов при росте эпитаксиальных слоев кремния // Кристаллография — 1989 — Т34, N5 — С 1249-1253

203. Ramamoorthy М , Briggs Е L , Bernholc J Chemical trends in impurity incorporation into Si( 100)//Phys Rev Lett —1988 — V81 —P 1642-1645

204. Ushio J , Nakagawa К, Miyao M , Maruizumi T Surface segregation behavior of B, Ga, and Sb during Si MBE Calculations using a first-principles method // Phys Rev В — 1998 — V58 — P 3932-3936

205. Tzeli D , Petsalakis I D , Theodorakopoulos G Theoretical study of adsorption and diffusion of group III A metals on Si(lll) // J Phys Chem С — 2009 — VI13 — PI 3924—13932

206. Brocks G., Kelly P.J., Car R. The energetics of adatoms on the Si( 100) surface // Surf. Sci.1992. — V.269/270. — P.860-866.

207. Bennett J.M., Warschkow 0., Marks N.A., McKenzie D.R. Diffusion pathways of phosphorus atoms on silicon (001) // Phys. Rev. B. — 2009. — V.79. — P. 165311-1 —165311-9.

208. Martinez-Guerra E., Falkenberg G., Johnson R.L., Takeuchi N. Adsorption of Sb4 on Ge(001) and Si(001) surfaces: Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations//Phys. Rev. B. — 2006. V.73. — P.075302-1-075302-8.

209. Wang J.-Т., Chen C., Wang E.G., Wang D.-S., Mizuseki H., Kawazoe Y. Two-Stage Rotation Mechanism for Group-V Precursor Dissociation on Si(001) // Phys. Rev. Lett.2006. — V.97. — P.046103-1-046103-4.

210. Гантмахер Ф.Р. Теория матриц. — M.: Наука, 1966. — 576 с.

211. Ильин В.И., Кузнецов Ю.И. Трехдиагональные матрицы и их приложения. — М.: Наука, 1985.— 207 с.

212. Чернов А.А., Любов Б.Я. Вопросы теории роста кристаллов // Рост кристаллов / Под ред. Н.Н. Шефталя. — М.: Наука, 1965. — Т.5. — С.11-33.

213. Andres R.P., Bondart М. Time Lag in Multistate Kinetics: Nucleation // J. Chem. Phys. — 1965. — V.42, N6. — P.2057—2064.

214. Кидяров Б.И. Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы. — Новосибирск: Наука, 1979. — 134 с.

215. Рузайкин М.П., Эрвье Ю.Ю. О связи между характеристиками стационарного и нестационарного процессов захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка // Изв. Вузов. Физика, — 1995. — Т.38,N8. — С.102-107.

216. Metzger R.A., Allen F.A. Evaporative antimony doping of silicon during molecular beam epitaxial growth //J. Appl. Phys. — 1984. — V.55. — P.931-940.

217. Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю Послойный рост многокомпонентных кристаллов при малых отклонениях от равновесия // Кристаллография — 1989 — Т34, N4 — С 812-817

218. Воронков В В , Рашкович Л Н Влияние подвижной адсорбированной примеси на движение ступеней // Кристаллография — 1992 — Т37, N3 — С 559-570

219. Диткин В А , Кузнецов П И Справочник по операционному исчислению — М —Л Го-стехиздат, 1951 —255 с

220. Рузайкин М П , Эрвье Ю Ю О роли эффекта оттеснения примеси ступенью на начальной стадии ее захвата при кристаллизации из молекулярного пучка // Кристаллография — 1996 — T41,N4 — С 597-601

221. Hervieu Yu Yu , Ruzaikin M P Surface processes of impurity incorporation during MBE growth //Surf Sci — 1998 — V408 — P57-71

222. Filimonov S N, Hervieu Yu Yu On the kinetics of dopingduringMBE//Phys Low-Dim Struct — 1998 — N7/8 — P91-100

223. Fness E , Nutzel J , Abstreiter G Phosphorous doping in low temperature silicon molecular beam epitaxy // Appl Phys Lett —1992 — V60,N18 — P2237-2239

224. Ross R S , Mark F Gyure M F Intermediate scaling regime for multilayer epitaxial growth //Phys Rev В —2000 — V61.N13 —P8602-8605

225. Jernigan G G , Thompson PE Temperature dependence of atomic scale morphology in Si homoepitaxy between 350 and 800 С on Si( 100) by molecular beam epitaxy // J Vac Sci Technol A —2001 — V19, N5 — P2307-2311

226. Filimonov S N , Voigtlander В "Rotating" steps m Si(0 0 1) homoepitaxy // Surf Sci — 2004 — V549 — P31—36

227. Zhu X Y, Huang Y Adsorption and diffusion of Si adatom near single-layer steps on Si surface//Chinese Physics —2005 — V14.N10 — P2083-2089

228. Zandvliet H.J.W. Energetics of Si(001)// Rev. Mod. Phys. — V.72, N.2. — P.593-602.

229. Rogge S., Timmerman R.H., Scholte P.M.L.O., Geerligs L.J., Salemink H.W.M. Surface polymerization of epitaxial Sb wires on Si(OOl) // Phys. Rev. B. — 2000. — V.62, N23. — P. 15341-15344.

230. Barnett S.A., Winters H.F., Greene J.E. The interaction of Sb4 molecular beams with Si(100) surfaces: Modulated-beam mass spectrometry and thermally stimulated desorption studies// Surf. Sci. — 1986. — V.165, N2-3. — P.303-326.

231. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. The dopant incorporation and surface segregation during 2D islands growth in MBE: A computer simulation study // Phys. Low-Dim. Struct. — 1998. — N9/10. — P. 141 —151.

232. Филимонов C.H., Эрвье Ю.Ю. Модели поверхностной сегрегации и захвата примеси при различных механизмах кристаллизации из молекулярного пучка // Изв. вузов. Материалы электронной техники. — 2000. — Вып.2. — С.50—54.