Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3 В5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Ивонин, Иван Варфоломеевич

• Ивонин, Иван Варфоломеевич
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Ивонин, Иван Варфоломеевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Краткое содержание работы

ГЛАВА 1. СТРУКТУРА РОСТОВЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ И МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЪНЫХ СЛОЕВ А3В5 В СИСТЕМАХ С ХИМИЧЕСКИМ ТРАНСПОРТОМ

1.1. Механизмы роста кристаллов из газовой фазы

3 ^

1.2. Процессы роста полупроводниковых соединений А В в системах газофазовой эпитаксии

1.2.1. Пересыщение

1.2.2. Перенос вещества в системах ГФЭ

1.2.3. Адсорбционные слои

1.3. Структура ростовой поверхности и исследования механизма роста эпитаксиальных слоев А3В5

1.3.1. Скорость тангенциального движения ступеней

1.3.2. Структура ростовых поверхностей 36 1.3.2. Поверхностная диффузия и процессы на ступенях

1.4. Влияние кристаллографической ориентации на скорость роста и структуру

3

ростовой поверхности эпитаксиальных слоев А В

1.4.1. Методика эксперимента

1.4.2. Анизотропия скорости роста

3

1.4.3. Структура ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев А В

1.4.3.1. Эпитаксиальные слои ОаАз

1.4.3.2. Эпитаксиальные слои 1пАз

3

1.4.4. Механизм роста эпитаксиальных слоев А В

1.4.4.1. Интервал (111)В-(113)В

1.4.4.2.Интервал (111)А-(113)А

1.4.4.3.Интервал (001)-(115)А.В

1.4.4.4. Оценки характеристик диффузионных процессов на полярных {111} гранях А3В5

Заключение к главе 1

ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА КИНЕТИКУ И МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ А3В5

2.1. Процессы роста на плотноупакованных гранях GaAs и InAs

2.1 Л. .Влияние соотношения [А3]/[В5] в газовой фазе

2.1.1.1. Грань (111)А

2.1.1.2. Грань (111)В

2.1.1.3. Грань (001)

2.1.2. Влияние входного пересыщения на рост сингулярных граней

2.1.2.1. Грань (111)А

2.1.2.2. Грань (111)В

2.1.2.3. Грань (001)

2.2. Анизотропия скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия и состав газовой фазы

2.2.1. Скорость роста

2.2.2. Строение ростовых поверхностей

2.2.3. Скорость тангенциального движения ступеней

2.2.4. Обсуждение результатов

2.3. Анизотропия скорости роста и структура ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев InAs при различных входных давлениях AsCl3

2.3.1. Скорость роста

2.3.2. Морфология ростовых поверхностей

2.3.3. Обсуждение результатов

2.4. Влияние температуры кристаллизации на скорость роста и структуру

3

ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев А В

2.4.1. Анизотропия скорости роста и лимитирующие стадии при эпитаксии

арсенида индия

2.4.1.1. Анизотропия скорости роста

2.4.1.2.Зависимость скорости роста от температуры кристаллизации

2.4.2. Зависимость скорости тангенциального движения ступеней роста от температуры кристаллизации

2.4.2.1. Эпитаксиалъные слои арсенида индия

2.4.2.2. Эпитаксиальные слои арсенида галлия

Заключение к главе 2

ГЛАВА 3. СТУПЕНИ РОСТА НА ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3.1. Эволюция ступенчато-слоевой структуры ростовой поверхности при вариации времени осаждения

3.2. Влияние кристаллографической ориентации подложки на характеристики ступенчато-слоевой структуры ростовых поверхностей

3.2.1. Взаимодействие ступеней роста на поверхности GaAs в А -интервале ориентаций

3.2.2. Ступени роста на поверхности эпитаксиальных слоев GaAs в С -интервале ориентаций

3.2.3. Влияние полярности торцов ступеней на рост эпитаксиальных слоев GaAs в окрестности полюса <001>

3.2.4. Взаимодействие ступеней роста при эпитаксии германия

3.3. Асимметричный захват атомов ступенью (эффект Швебеля)

3.4. Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовой поверхности эпитаксиальных слоев А3В5

3.4.1. Эпитаксиальный GaAs. Система GaAs/AsCl3/H2

3.4.1.1. Температура кристаллизации и перестройки е эшелонах ступеней роста

3.4.1.2. Перестройка в эшелонах ступеней роста и поверхностная диффузия

3.4.1.3. Зависимость скорости тангенциального движения ступеней от температуры кристаллизации

3.4.1.4. Время реакции на ступени (изломе)

3.4.1.5. Диполъное взаимодействие как возможный механизм взаимодействия ступеней

3.4.2. Зависимость структуры ростовой поверхности слоев арсенида галлия от температуры кристаллизации в системе СаАз/Ш/Нг

3.5. Влияние концентрации ростовых компонентов на характеристики эшелона ступеней

3.6.Исследования поверхностных процессов при эпитаксии кремния

Заключение к главе 3

ГЛАВА 4. ЛАТЕРАЛЬНАЯ ЭПИТАКСИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В

ХЛОРИДНОЙ ГАЗОТРАНСПОРТНОЙ СИСТЕМЕ

4.1. Методика эксперимента

4.2. Кинетика кристаллизации ОаА8 при латеральной эпитаксии поверх диэлектрической маски

4.2.1. Анизотропия скорости латерального роста и влияние условий осаждения (эксперимент)

4.2.2. Анизотропия скорости латерального роста и влияние кристаллографической ориентации подложки

4.2.3. Анизотропия скорости латерального роста (моделирование)

4.3. Огранка латерального фронта кристаллизации

4.4. Латеральная эпитаксия арсенида галлия поверх металлической маски

4.4.1. Анизотропия скорости роста

4.4.2. Огранка латерального фронта кристаллизации и скорость роста

4.4.3. Скорость латерального роста и влияние материала маски

4.5.Формирование приборных структур со встроенными управляющими электродами

Заключение к главе 4

ГЛАВА 5. МИКРОНЕОДНОРОДНОСТИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ А3В5

5.1. Формирование локальных микронеоднородностей при росте автоэпитаксиальных слоев А3В5

5.1.1. Влияние условий наращивания на образование ЦТС

5.1.1.1. Влияние кристаллографической ориентации подложки

5.1.1.2. Влияние обработки поверхности подложек

5.1.1.3. Влияние времени наращивания

5.1.1.4. Влияние температуры кристаллизации

5.1.1.5. Влияние легирующей примеси

5.1.2. Механизм формирования ростовых микронеоднородностей

5.1.2.1. Визуализация примесных неоднородностей, связанных с ЦТС в

3

эпитаксиалъных слоях А В (на примере ОоАб)

5.1.2.2. Физико-химические характеристики поверхности подложек

5.1.2.3. Образование стопоров на поверхности А3В5

5.1.2.4. Состав микрокапель - стопоров

5.1.3. Центры торможения ступеней и электрофизические характеристики материалов и приборов

5.2.Образование структурно - фазовых неоднородностей при гетероэпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 в системах ГФЭ

5.2.1. Методика эксперимента

5.2.2. Результаты эксперимента и их обсуждение 298 5.3. Формирование фазовых неоднородностей на границах раздела «металл-

полупроводник А3В5» 307 5.3.1 .Методика эксперимента 308 5.3.2.Микроморфология и фазовый состав контактов 308 Заключение к главе 5. 312 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 315 СПИСОК ЦИТИРУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3 В5»

ВВЕДЕНИЕ.

Эпитаксиальные технологии являются базовыми технологиями современной микро-, нано- и оптоэлектроники, обеспечивая выпуск разнообразных структур на основе элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений для последующего использования в многочисленных приборных приложениях. За последние сорок лет были развиты и нашли широкое практическое применение газофазовая эпитаксия (ГФЭ) /135/, газофазовая эпитакеия из металорганичееких соединений (МО ГФЭ) /135/, жидкофазовая эпитаксия (ЖФЭ) /31/, молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) /138/. Развитие этих технологий базируется на результатах комплексных физико-химических исследований, ведущихся во многих научных центрах, как отечественных, так и зарубежных. Полученные данные (теоретические и экспериментальные) интенсивно обсуждаются в научной литературе и на регулярно проводящихся национальных и международных конференциях.

-"2 С >у г:

Успехи в области ГФЭ элементарных (81, Се) и сложных (А В , А В , твердые растворы на их основе) полупроводниковых материалов обусловили ее превалирующее развитие в 60 - 80 годы с широким использованием в качестве базовой в промышленности полупроводниковых материалов и структур. В исследовательском плане применительно к ГФЭ теоретически и экспериментально изучены термодинамика и газодинамика конкретных ростовых систем /75,76,151,161,167,208,256,257,321/, исследована макрокинетика процессов роста /54,85,301-306/, определены лимитирующие стадии и энергии активации процессов выделения вещества (основного и легирующего) в твердую фазу /54,85,187,302-305/. Получены доказательства того, что при газофазовой эпитаксии основным механизмом роста является ступенчато-слоевой /85/.

К моменту начала данной работы (1971 г.) было ясно, что для проведения

расчетов по кинетике роста и развития теории роста кристаллов в условиях

газофазовой эпитаксии необходимы данные по тонкой структуре фронта

кристаллизации эпитаксиальных пленок. Систематические исследования

3 5

микрорельефа ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев А В в системах ГФЭ с применением высокоразрешающих методов практически отсутствовали. Были

известны пионерские работы Александрова Л.Н. с сотр. /1-6/, начатые в 1965-1966 гг. и посвященные исследованиям начальных стадий роста эпитаксиальных слоев GaAs и Ge. С применением методов электронной микроскопии ими были получены первые экспериментальные данные по процессам зародышеобразования и роста GaAs и Ge при ГФЭ. количественно описан механизм эпитаксиального роста через трехмерное зародышеобразование.

Недостаток информации о реальной структуре фронта кристаллизации

3 5

эпитаксиальных слоев А В в условиях ГФЭ стал серьезным препятствием в разработке физических основ газофазовой эпитаксии полупроводников сложного состава - научного направления, развиваемого в Сибирском физико-техническом институте при Томском госуниверситете под руководством Л.Г. Лаврентьевой. Ею в 1971 г. перед диссертантом, тогда младшим научным сотрудником, была поставлена задача - исследовать микрорельеф эпитаксиальных слоев GaAs и Ge с целью получения прямых доказательств существования ступенчатого рельефа на ростовых поверхностях пленок и, тем самым, подтвердить правомерность применения теории ступенчато-слоевого роста к анализу кинетики поверхностных процессов в условиях ГФЭ.

При решении поставленной задачи оказалось, что проведение in situ исследований ростовых поверхностей в системах ГФЭ наталкивается на значительные технические затруднения (агрессивная среда, высокие температура и давление в реакторе). Прямое наблюдение за поверхностью растущего кристалла с использованием высокоразрешающих оптических и электроиномикроскопических методов, как это выполнено, например в работах по низкотемпературной кристаллизации из растворов /25,122,174/, вакуумной /24,55,141,291/ и молекулярно-лучевой /17,117-120,150,241,279,297/ эпитаксии здесь оказывается невозможным. Наиболее весомым достижением в области in situ исследований поверхности в условиях ГФЭ являются работы /57,165,166/ по изучению огранки поверхностей роста-травления GaAs методом световых фигур.

Исходя из этого, основная информация о микрорельефе ростовых поверхностей в данной работе была получена при ex situ электрон ном икроскопи ческом изучении эпитаксиальных слоев. Тем не менее, разработанные нами методики получения,

сохранения и исследования ростового микрорельефа позволяют получить важную информацию о поверхностных процессах, необходимую при решении фундаментальных и прикладных проблем полупроводникового материаловедения. Сюда относятся экспериментальные данные о перестройках в эшелонах ступеней под влиянием условий наращивания (температура роста, концентрация ростовых компонентов, ориентация подложки), информация об источниках ступеней и связанной с этим переогранкой исходной поверхности, взаимодействие примесей с фронтом кристаллизации и образование микронеоднородностей в объеме слоя. Последнее представляет и несомненный практический интерес, поскольку известны работы /163,181/, в которых установлена важная роль примесей в модулировании ростовой поверхности и формировании структурных и примесных неоднородностей в объеме растущего кристалла. Несмотря на многочисленные исследования, проблема дефектообразования в эпитаксиальных слоях полупроводников остается актуальной /137/.

Анализ экспериментальных данных о строении ростовой поверхности в рамках теории ступенчато-слоевого роста кристаллов позволяет сделать важные заключения об особенностях поверхностных процессов при ГФЭ, провести количественные оценки характерных величин, входящих в уравнения теории ступенчато-слоевого роста кристаллов: скорости тангенциального движения ступеней; средние длины, коэффициенты и энергии активации поверхностной диффузии. Практическое значение этих результатов продемонстрировано, например, при разработке технологии производства совершенных полупроводниковых структур с морфологически однородными границами раздела.

Реализация такого подхода к исследованиям в работах других авторов, появившихся во время выполнения работы (1971-1998 гг.) и особенно в последнее десятилетие применительно к in situ и ex situ изучению элементарных процессов роста при МО ГФЭ /41,228,232,242/, вакуумной эпитаксии /24,55,141,291/ и особенно МЛЭ /17,117-120/ только подтвердили правильность выбора направления и методов исследований, принятых в данной диссертационной работе.

Несмотря на появление новых высокоразрешающих методов исследования поверхностей, позволяющих получить уникальную информацию об элементарных

АО

процессах роста, многие результаты, впервые полученные нами при электронномикроскопических исследованиях строения ростовых поверхностей слоев

3 5

А В при ГФЭ остаются единственными и актуальны не только для газофазовой, но и других видов эпитаксии с участием химических соединений.

Цель работы: исследование микрорельефа ростовых поверхностей

3 5

эпитаксиальных слоев А В , полученных в системах газофазовой эпитаксии и анализ на этой основе элементарных стадий роста.

Выбор исследуемых материалов (ОаАя, ХпАб, 1пР) обусловлен их широким использованием в современной микро- и оптоэлектронике.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

•Разработка (модификация) методик, обеспечивающих (1) сохранение ростовой поверхности эпитаксиального слоя после выращивания и (2) многократное исследование с высоким пространственным разрешением микрорельефа ростовой поверхности при сохранении образца для последующих комплексных исследований.

•Изучение зависимости микрорельефа ростовой поверхности от кристаллографических индексов доращиваемой плоскости, используя сингулярные, вицинальные и несингулярные грани ваАБ и 1пА8 для получения прямых доказательств существования ступенчатого рельефа на поверхности эпитаксиальных слоев в условиях ГФЭ.

•Исследование характеристик эшелонов ступеней на ростовых поверхностях и перестроек в них, происходящих при изменении условий наращивания (температура, концентрация ростовых компонентов).

•Исследование влияния микропримесей на формирование стационарного рельефа пленки, на образование структурно-примесных неоднородностей на границах раздела и в объеме эпитаксиального слоя.

•Определение возможностей использования наблюдаемых закономерностей формирования рельефа ростовых поверхностей для разработки технологии получения совершенных эпитаксиальных пленок А3В5 в условиях реальной ГФЭ. поверхности

Для решения поставленных задач использован комплекс современных методов исследования структуры и состава твердых тел: рентгеноструктурный анализ, электронная микроскопия, электронография, электронно-зондовый микроанализ, Оже электронная спектроскопия, вторичная ионная массспектрометрия и т.д.

Научная новизна результатов, представленных в диссертационной работе заключается в следующем:

• Изучена зависимость микрорельефа ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев СаАэ и ГпАб от кристаллографической ориентации подложки, в результате чего получены прямые доказательства существования ступенчатого рельефа на фронте кристаллизации при ГФЭ А3ВЭ.

® На основе экспериментальных данных по структуре ростовых поверхностей проведены количественные оценки параметров, характеризующих поверхностные диффузионные процессы: средних длин диффузии коэффициентов и энергий активации диффузии Е8 -для полярных (111) граней ваАв и ГпАб. Установлено, что при фиксированных условиях наращивания эти параметры зависят как от кристаллографической ориентации подложки, так и материала выращиваемой пленки и варьируются в диапазонах: -1...100 нм, В8 - Ю'7..10"6 см2с-1, - 0.6...0.8 эВ.

• Установлено, что образование полиатомных степеней на ростовой поверхности наиболее интенсивно происходит в окрестности полюса <111>А, что объясняется эффективным диффузионным взаимодействием элементарных ступеней.

• Получены экспериментальные доказательства эффекта асимметричного захвата атомов полиатомными ступенями на вициналях <р°(111)А СзАб, что следует из анализа картин распределения центров роста на верхней и нижней террасах.

• Экспериментально обнаружено, что при малых концентрациях мышьяка в газовой фазе скорость встраивания атомов в ступень на вициналях ф°(001) ваАБ зависит от кристаллографических индексов торцевой поверхности и

больше для ступеней с торцом (111)В меньше для ступеней с торцом (111)А). Для объяснения эффекта предложена модель, качественно объясняющая наблюдаемую закономерность,

• Установлено, что среднее расстояние между наблюдаемыми ступенями роста X уменьшается при увеличении температуры кристаллизации. В предположении, что реализуется диффузионный механизм взаимодействия ступеней и выполняется условие X = Х8, построены зависимости л8(Т0) и проведены оценки энергий активации поверхностной диффузии на террасах (111)А, (111)В и (110): Ек(Ш)А £ 0.82 эВ, Е3(Ш)В = 0.94 эВ, Е8(110) = 0.73 эВ.

• Получены экспериментальные зависимости скорости нормального роста эпитаксиальных слоев арсенида индия от кристаллографической ориентации, температуры роста и концентрации ростовых компонентов в газовой фазе. Показано, что наблюдаемые кинетические зависимости хорошо описываются в рамках модели плотных адсорбционных слоев.

• Установлено, что анизотропия скорости латерального роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия может быть промоделирована на основе данных по анизотропии скорости нормального роста. Обнаружен эффект влияния материала подстилающей поверхности на кинетику латерального роста, предложена модель, качественно объясняющая наблюдаемое явление.

• Установлено, что при ГФЭ ОаАз и 1пАз на начальном этапе роста происходит образование частиц вторых фаз нанометровых размеров. Исследованы их составы и механизм взаимодействия с фронтом кристаллизации. Показано, что микрочастицы, жидкие при температурах осаждения пленки, оттесняются ростовой поверхностью с образованием в объеме пленки примесных неоднородностей канального типа. Разработана методика визуализации таких неоднородностей.

• Экспериментально исследован процесс образования переходных слоев при газофазовой гетероэпитаксии 1пР на СаАБ. Показано, что формирование переходной области микронных размеров с измененными фазовыми, структурными и электрофизическими свойствами происходит в результате

перехода от островкового к ступенчато-слоевому механизму роста с последующей релаксацией ступенчатого микрорельефа к стационарной форме. Островки роста, формирующиеся на поверхности подложки ОаАБ, представляют собой твердый раствор IrixGai.xAsi.yPy, состав которого изменяется от СаА8 до 1пР вплоть до слияния островков и образования сплошного слоя.

• При исследовании процессов формирования структур «металл - А3В5 »(N1, Рд -СаАв) установлено, что образование вторых фаз из элементов металлической пленки и полупроводниковой подложки происходит уже на начальном этапе электрохимического осаждения металла.

Практическая значимость работы. Многие результаты, использованные при написании диссертации, получены при выполнении НИР по заказам отраслевых НИИ Министерства электронной промышленности бывшего СССР (НИИ «Пульсар», г. Москва -ныне ГУП НПГТ «Пульсар»; НИИ ГШ, г. Томск - ныне ГНПП «НИИ ПП») и реализованы на предприятиях-заказчиках. Среди них основными являются:

•результаты исследований процессов роста при латеральной эпитаксии арсенида галлия поверх диэлектрических и металлических покрытий, использованные при разработке технологии производства перспективных полупроводниковых структур СВЧ - диапазона (ГНПП «НИИ ПП», г. Томск). Исследования по данному направлению частично финансировались за счет средств Межвузовских научно-технических программ «Материалы электронной техники» (1992-1994 гг.) и «Перспективные материалы» (1995-1996 гг.);

•результаты исследований влияния поверхностных микропримесей на процессы образования микро- и нанонеоднородностей в эпитаксиальных слоях А В , использованные при разработке технологии производства совершенных полупроводниковых материалов и приборных структур (ГУП НПП «Пульсар», г. Москва; ГНПП «НИИ ПП», г. Томск);

•результаты исследований процессов формирования границ раздела «металл-полупроводник А3В5», использованные при отработке технологии производства полупроводниковых приборов СВЧ - диапазона (ГНПП «НИИ ПП», г. Томск).

Экспериментальные данные по структуре ростовых поверхностей при эпитаксии А3В5 и количественные оценки, сделанные на их основе могут использоваться при теоретических исследованиях процессов химического газофазового осаждения полупроводниковых материалов.

Материалы исследований, представленных в диссертационной работе использованы автором при разработке и чтении лекционных спецкурсов и проведении лабораторных работ на старших курсах физического факультета Томского госуниверситета.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. В условиях ГФЭ стационарная ростовая поверхность вицинальных и несингулярных граней ОаА$ и 1пАз образована эшелонами ступеней роста, состоящими из истинных многослойных ступеней, кинематических волн плотности ступеней и элементарных ступеней. Способность элементарных ступеней к объединению в многослойные ступени зависит от кристаллографических индексов террасы и торца и максимальна в случае террасы (111)А.

2. Для ступеней на вицинальных относительно (111)А поверхностях эпитаксиальных слоев ОаАз реализуется асимметричный захват атомов в ступень. Скорость встраивания атомов в ступени на вициналях ф°(001) СаАэ зависит от кристаллографических индексов торца и выше в случае ступеней с торцом (111)В по сравнению с торцом (111)А.

3. Среднее расстояние между наблюдаемыми полиатомными ступенями роста X уменьшается при увеличении температуры кристаллизации. Это обусловлено диффузионным взаимодействием между ступенями в эшелоне, в результате чего X стремится к - средней эффективной длине поверхностной диффузии частицы, лимитирующей рост.

4. Увеличение плотности элементарных ступеней, вводимых за счет разориентации относительно плотноупакованной плоскости сопровождается перестройкой в эшелоне, что проявляется в уменьшении среднего расстояния между наблюдаемыми многослойными ступенями и увеличении их высоты.

5. При автоэпитаксии СаАэ и ГпАб на поверхности подложки образуются микрочастицы вторых фаз нанометровых размеров, состоящие из легкоплавкого элемента подложки (Са, 1п) и примесей, присутствующих в газовой фазе и на поверхности подложки (Те, Сг, Ъп, Си). Микрочастицы являются жидкими при температуре осаждения и оттесняются фронтом кристаллизации в процессе роста пленки, провоцируя образование в объеме слоя структурно-примесных неоднородностей.

6. При гетероэпитаксии 1пР на ваАэ на гетерогранице происходит образование протяженного (> 1 мкм) переходного слоя с переменными фазовыми, структурными и электрофизическими параметрами. Формирование такого слоя происходит в результате перехода от островкового к ступенчато-слоевому механизму роста с последующей релаксацией ступенчатого рельефа к стационарной форме.

Совокупность научных и практических результатов, полученных в результате проведенных исследований позволяет сделать вывод о том, что автором сделан значительный вклад в развитие научного направления «Физические основы газофазовой эпитаксии полупроводников типа А3 В5».

Краткое содержание работы.

Диссертация состоит из 5 глав, введения и заключения.

Во введении сформулированы цель работы и способы ее достижения, научная новизна результатов и основные научные положения, выносимые на защиту.

В первой главе проведен анализ литературных данных по исследованию процессов роста эпитаксиальных слоев полупроводников А3В5 в системах с химическим транспортом, на основе чего сформулированы задачи диссертационной работы, ориентированные на изучение элементарных процессов роста при ГФЭ. На

примере зпитаксиальных слоев GaAs и InAs, выращенных в хлоридной газотранспортной системе при обычно используемых условиях наращивания, показано, что реально существующий рельеф ростовой поверхности не всегда согласуется с ожидаемым из модельных представлений и зависит от кристаллохимических особенностей доращиваемой плоскости.. Установлены различия в кинетике роста слоев зпитаксиальных слоев GaAs и InAs. На основе полученных кинетических и морфологических данных выполнены оценки скоростей движения ступеней роста с различной структурой торца и террасы, энергий активации и коэффициентов поверхностной диффузии, эффективных длин поверхностной диффузии на полярных {111} и {001} плоскостях кристаллов GaAs и InAs для фиксированных условий эксперимента.

Во второй главе приведены результаты систематических исследований рельефа ростовых поверхностей зпитаксиальных слоев GaAs и InAs, полученных методом газофазовой эпитаксии, в широком интервале условий роста (ориентация подложки, концентрация ростовых компонентов в газовой фазе, температура кристаллизации). Обнаружено влияние состава газовой фазы и температуры осаждения на анизотропию скорости роста в окрестности полюса <111>А. Проведено детальное рассмотрение процессов роста на гранях (111)А,В, позволившее объяснить различие в кинетике роста этих граней для GaAs и InAs на основе представлений о различиях в составе адсорбционных слоев. Проведено обсуждение кинетики процессов роста GaAs и InAs на поверхностях с различной структурой, предложены модели перестройки ростовых поверхностей., выделены общие и специфические закономерности процесса роста. Получены зависимости скоростей движения ступеней роста от температуры осаждения, концентрации и соотношения концентраций ростовых компонентов в газовой фазе, оценены энергии активации и лимитирующие стадии процесса роста..

В третьей главе представлены результаты исследований перестроек в эшелонах ступеней роста на поверхности зпитаксиальных слоев арсенида галлия. Впервые для

3 5

газофазовой эпитаксии полупроводников А В получены зависимости параметров ступенчато-слоевой структуры ростовой поверхности: высота и расстояние между ними, направление ступеней, источники ступеней - от условий роста (ориентация подложки, температура кристаллизации, структура торца и террасы). Обнаружены и

проанализированы полярные эффекты на ступенях роста в окрестности полюса< 001>, асимметричный захват атомов на ступенях роста в окрестности грани (111)А. На основе этих данных проведены оценки энергий активации, длин и коэффициентов поверхностной диффузии в широком диапазоне варьирования условий наращивания..

В четвертой главе изложены результаты исследований по латеральной эпитаксии арсенида галлия. Для практически важного варианта эпитаксии впервые проведены детальные исследования кинетики кристаллизации ОаАз в хлоридной газотранспортной системе на подложках ряда ориентации [(001), (011)] поверх диэлектрической и металлической масок. Впервые показано, что анизотропия скорости латерального роста может быть промоделирована на основе данных по анизотропии скорости нормального роста , что важно для априорного выбора ориентации элементов маски и условий роста пленки. Впервые обнаружен эффект влияния материала подстилающей поверхности на кинетику латерального роста, предложена модель процесса, объясняющая наблюдаемое явление. Рассмотрены практические приложения метода латеральной эпитаксии: получение структур СаАзЛУ/ОаАв со встроенными управляющими металлическими контактами. Проанализированы основные типы дефектов, присущие таким структурам.

В пятой главе представлены результаты исследований локальных микронеоднородностей в эпитаксиальных слоях А3В5. Детально исследована природа и механизм образования специфических микронеоднородностей нанометровых размеров, названных центрами торможения ступеней. Показано, что дефект возникает в результате взаимодействия жидкой капли - стопора с ростовой поверхностью, что ведет к оттеснению капли и формированию в объеме слоя канала с измененным содержанием примеси. Стопор возникает на поверхности подложки на основе элемента 3 группы и примесей (поверхностных и из газовой фазы). Проанализирован возможный состав стопоров, проведена экспериментальная проверка их состава при специальном введении примесей на поверхность подложки. Предложен метод визуализации дефектов, приведены данные, впервые иллюстрирующие возможную причину образования дефектов упаковки в объеме слоя - затвердевание капли и зарождение на возникающей твердой частице дефекта упаковки.

Проведено систематическое исследование изменения морфологии, структуры и состава поверхности подложки в процессе ее обработки, что позволило обнаружить эффект длительного сохранения информации о предыдущей обработке образца на последующих этапах.

Проведены детальные исследования процессов формирования неоднородностей субмикронных размеров на границах раздела при гетероэпитаксии и металлизации полупроводников А3В5. На примере пары ¡пРАЗаАз, сформированной методом газофазовой эпитаксии, показано, что в начальные моменты роста самопроизвольно образуется область пленки с переменными фазовыми, структурными и электрофизическими характеристиками. Впервые получены экспериментальные данные, описывающие динамику формирования неоднородной области пленки. Предложена модель процесса

Здесь же рассмотрены вопросы формирование структурно-фазовых

3 5

микронеоднородностей на границах раздела «металл-А В ». Впервые показано, что образование фазовых неоднородностей из элементов металлической пленки и подложки на гетерогранице может происходить уже на этапе электроосаждения металла. При последующем отжиге происходит усиление процессов фазообразования

3 5

с формированием резко неоднородной непланарной границы «новая фаза - А В ».

В заключении сформулированы основные результаты исследований, полученные при выполнении диссертационной работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ивонин, Иван Варфоломеевич

Результаты работы обсуждались также на научных семинарах в Институте кристаллографии РАН (г. Москва), Институте физики полупроводников РАН (г. Новосибирск), Институте радиоматериалов (г. Минск), ГНПП «Пульсар» (г. Москва), ГНПП «НИИ ПП» (г. Томск), а также на семинарах и ежегодных научных конференциях в СФТИ при Томском госуниверситете.

Публикации.

Результаты диссертационных исследований опубликованы в отечественных и зарубежных научных журналах, трудах конференций, научно-технических отчетах. Перечень основных публикаций содержится в списке цитируемой литературы в соответствующем разделе диссертации.

Благодарности.

Постановка и проведение исследований, результатом которых явилась данная работа, стали возможными благодаря неоценимой поддержке со стороны моих учителей профессора Лаврентьевой Л.Г. и старшего научного сотрудника Красильниковой Л.М. Выражаю свою искреннюю признательность Ахметшину М.Р., Бобровниковой И.А., Вилиеовой М.Д., Криволапову H.H., Торопову С.Е., Якубене М.П., и другим сотрудникам лаборатории эпитаксиальных структур СФТИ, Вяткину А.П., Максимовой Н.К., Кравцову В.И - сотрудникам лаборатории физики полупроводниковых приборов СФТИ, Пороховниченко Л.П. (ГНПП «НИИ ПП», г Томск), Александровой Г.А., Пащенко П.Б., Шубину А.Е. - сотрудникам ГУП НПП «Пульсар» (г. Москва), в сотрудничестве с которыми были проведены основные эксперименты и получены важные научно-технические результаты. Также благодарен Вдовину В.И., Ефимову А.- сотрудникам НИИ «ГИРЕДМЕТ» (г. Москва) и Ляпичеву И.Г. - сотруднику ВСЕГЕЙ (г. Санкт - Петербург), совместно с которыми выполнены важные исследования элементного состава частиц малых (50. 150 нм) размеров. Выражаю признательность доцентам ТГУ Рузайкину М.П. и Эрвье Ю.Ю. за полезные дискуссии при обсуждении результатов работы.

Исследования, результаты которых представлены в данной работе выполнены в рамках координационных планов АН СССР и MB и ССО РСФСР 1970 - 1990 гг., МОПО Российской федерации 1991-2000гг., хоздоговорных работ с предприятиями Минэлектронпрома СССР и Российской Федерации. Последние несколько лет исследования велись при частичной поддержке ряда российских фондов и программ: госпрограмма по высокотемпературной сверхпроводимости (1993 г., проект №91260), программа Госкомвуза в области электроники и радиотехники (1993 г., грант),

Межвузовская научно-техническая программа «Материалы электронной техники» (1992-1994 гг., проект 3.4), Межвузовская научно-техническая программа «Перспективные материалы» (раздел «Материалы электронной техники») (1995-1996 гг., проект 2.3), ФЦП «Интеграция» (1997-2000 гг., проект №236 «Академический университет».

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Экспериментальные результаты, полученные при выполнении диссертационной работы, позволяют сформулировать ряд выводов, имеющих приоритетное значение:

1. Впервые для газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 с применением высокоразрешающих методов электронной микроскопии проведены систематические исследования микрорельефа ростовых поверхностей сингулярных, вицинальных и несингулярных граней СаАэ и 1пАб в широком интервале варьирования условий наращивания: температура роста, концентрация ростовых компонентов и их соотношение в газовой фазе, время роста - с одновременным изучением кинетики кристаллизации. Получены прямые экспериментальные доказательства

3 5 существования ступенчатого рельефа на ростовой поверхности полупроводников А В в условиях ГФЭ.

2. Показано, что в случае СзАб способность элементарных ступеней к объединению с формированием многослойных ступеней зависит от кристаллографических индексов торца и террасы. Полиатомные ступени формируются на вициналях ф°(111)А при любых отклонениях от сингулярной (111)А грани. На вициналях ф°(111)В образование макроступеней более выражено, когда торец ступени образован гранью (110), а не (001). Наконец, на вициналях ф°(001) образование многослойных ступеней затруднено и происходит при малых концентрациях ростовых компонентов в газовой фазе.

3.На основе экспериментальных данных по структуре ростовых поверхностей проведены количественные оценки характерных величин поверхностных диффузионных процессов: средних длин Я,8, коэффициентов и энергий активации Ек поверхностной диффузии - для полярных (111) граней ваАБ и 1пАз. Установлено, что эти параметры зависят как от кристаллографической ориентации, так и материала пленки. Для СаАя ^(Ш)а>^8(1П)в, 08(ш)а>Ц.(ш)в, Е8(ш)а^(111)в, 08(Ш)аЕ8(ш)а. На одинаковых гранях Х6оаА8>Х81пА8.

4.Установлено, что априори ожидаемое увеличение плотности ступеней роста при увеличении угла отклонения от сингулярной грани наблюдается при условии, что последней соответствует глубокий минимум скорости роста. На примере вицинальных поверхностей ф°( 111 )А показано, что увеличение плотности элементарных ступеней приводит к перестройке в их эшелоне, проявляющейся в уменьшении среднего расстояния между наблюдаемыми полиатомными ступенями.

5.Получены экспериментальные доказательства асимметричного захвата атомов в полиатомную ступень со стороны нижней и верхней террас на вицинальных относительно (111)А поверхностях СаАз.

6.Установлено, что среднее расстояние между наблюдаемыми ступенями роста X уменьшается при увеличении температуры кристаллизации Т(). В предположении, что X = Хв, построены зависимости средней эффективной длины диффузионного пробега ростовых частиц по террасам (111)А, (111)В, (110) от Т0 в условиях поглощающей поверхности и оценены энергии активации: Е8(Ш)а=0-82 эВ, ЕВ(Ш)В = 0.94 эВ, Е8(П0) £ 0.73 эВ.

7.Обнаружено влияние структуры торца на скорость процессов встраивания атомов в ступень. Скорость встраивания в ступени на вициналях ф°(001) ОаАэ при малых концентрациях мышьяка в газовой фазе зависит от кристаллографических индексов торцевой поверхности ступени и выше для ступени, имеющей на торце грань (111)В, а не (111)А. Эффект обусловлен различной вероятностью захвата ростовых единиц в устойчивое положение на ступенях разного типа и существует только в условиях поверхности, стабилизированной ваО.

8. Проведены систематические исследования кинетики роста и структуры ростовой поверхности эпитаксиальных слоев СаАэ для практически важного случая латеральной эпитаксии поверх металлических и диэлектрических покрытий в хлоридной газотранспортной системе. Показано, что латеральный фронт кристаллизации огранен плоскостями, которым соответствуют минимумы скорости роста на зависимости Ум(ф), а анизотропия скорости латерального роста может быть промоделирована на основе данных по анизотропии скорости нормального роста Обнаружен эффект влияния материала подстилающей поверхности на кинетику латерального роста, который объяснен различиями в плотности ростового вещества на металлической (химическая адсорбция) и диэлектрической (физическая адсорбция) масках.

9. Проведены детальные исследования влияния микропримесей на формирование дефектов роста при автоэпитаксии СаАз и ЬьАз. Установлено, что в условиях ГФЭ на начальном этапе роста на поверхности подложки образуются частицы вторых фаз манометровых размеров. Показано, что

•микрочастицы образуются на основе легкоплавкого элемента (Оа, 1п) и примесей (фоновых и легирующих), присутствующих в газовой фазе и на поверхности подложки (Те, Сг, Хп, Си);

•микрочастицы являются жидкими при температурах кристаллизации, больших 950 К (ОаАз), 880 К (1пАз) и оттесняются поверхностью растущей пленки с образованием в объеме слоя примесных неоднородностей канального типа;

•микрокапли, затвердевая, захватываются в объем пленки и могут служить центрами зарождения дефектов упаковки.

Разработана методика визуализации микронеоднородностей канального типа, включающая в себя кратковременное химическое травление в АВ -травителе с последующим электронномикроскопическим исследованием поверхности травления.

10. Проведены исследования процесса образования переходных слоев при л г гетероэпитаксии А В . На примере пары 1пР/С)аА8 показано, что в эпитаксиальной пленке фосфида индия в окрестности гетерограницы самопроизвольно формируется переходная область микронных размеров с переменными фазовыми, структурными и электрофизическими параметрами. Предложена модель образования переходного слоя, включающая в себя

• образование фазовой неоднородности - на начальном этапе происходит формирование трехмерных центров роста твердого раствора 1пхОа1-хА81уРу, состав которых непрерывно изменяется до слияния центров и образования сплошного слоя. Эффект обусловлен протеканием на поверхности подложки двух параллельных обратимых химических транспортных реакций: выделения 1пР и травления ваАя -обеспечивающих присутствие на фронте кристаллизации галлия, индия, фосфора и мышьяка;

• образование примесной неоднородности - при слиянии центров роста формируется морфологически неоднородная ростовая поверхность, релаксирующая в дальнейшем к стационарному рельефу с эшелоном ступеней роста. Этот процесс сопровождается изменением коэффициента захвата примеси и, соответственно, уровня легирования пленки.

11. Показано, что образование фазовых неоднородностей из элементов металлической пленки и подложки на гетерогранице «металл-полупроводник А3В5» (Ni, Pd - GaAs) может происходить уже на этапе электрохимического низкотемпературного осаждения металла.

Личный вклад автора.

Личный вклад автора в диссертационную работу определяется общей формулировкой и обоснованием целей и задач исследований, выбором методов их решения. Кроме того автор принимал активное участие в проведении экспериментальных работ, разработке исследовательских методик, анализе и интерпретации результатов исследований.

Лично автором выполнена большая часть эле ктронн ом и кроскоп и ческ и х и электронографических исследований ростовых поверхностей эп итаксиал ьн ых пленок и границ раздела «металл-полупроводник». Значительная часть результатов получена совместно с кф-мн Красил ьн и ково й Л.М., Криволаповым H.H. и Ахметшиным М.Р. (СФТИ при ТГУ, Томск). Результаты исследований процессов формирования переходных слоев в гетероструктурах получены в рамках работы аспиранта Субача C.B., выполняемой под руководством автора.

Ростовые эксперименты выполнены кф-мн Пороховниченко Л.П., Владимировой С.Ю., Тарзимяновым А.Н. (ГНПП «НИИ ПП», Томск), кф-мн Тороповым С.Е. (СФТИ при ТГУ, Томск), кф-мн Александровой A.A., Пащенко П.Б. и Шубиным А.Е. (ГУЛ НЛП «Пульсар»),

Электрофизические измерения свойств эпитаксиальных слоев выполнены кф-мн Вилисовой М.Д. (СФТИ при ТГУ); исследования элементного состава объектов проведены Кравцовым В.И. (СФТИ при ТГУ, Томск), Шулеповым И.Т. (НИИ ЯФ при ТПУ, Томск), кф-мн Вдовиным В.И. и Ефимовым А.Н. (НИИ «ГИРЕДМЕТ», Москва),

Ляпичевым И.Г. (ВСЕГЕИ, Санкт-Петербург); рентгеноетруктурные исследования проведены кф-мн Якубеней М.П. (СФТИ при ТГУ, Томск).

Постановка и обоснование задач и методов исследования, обсуждение и интерпретация полученных результатов, формулировка научных положений, выносимых на защиту выполнены автором данной диссертации.

Апробация работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Ивонин, Иван Варфоломеевич, 1998 год

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Александров Л.Н., Сидоров Ю.Г. Кинетика кристаллизации и структура эпитаксиальных пленок двухкомпонентных полупроводников. // В кн. Рост кристаллов, т.8. М.: Наука, 1968. - СС.241-249.

2. Александров Л.Н., Сидоров Ю.Г., Криворотов Е.А., Гусаров Г.Ф. Исследование начальной стадии эпитаксии арсенида галлия для разных ориентаций. II В кн. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1970. - СС.211-218.

3. Александров Л.Н., Криворотов Е.А., Сидоров Ю.Г. Начальная стадия образования пленок арсенида галлия при газотранспортной автоэпитаксии. //' В кн. Арсенид галлия, вып. 2. - Томск: изд. ТГУ, 1970. - 21-28.

4. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев. Новосибирск.: Наука, 1972. - 227 с.

5. Александров Л.Н., Сидоров Ю.Г., Залетим В.М., Криворотов Е.А. Эпитаксиальные пленки арсенида галлия для микроэлектроники. // Микроэлектроника. - 1974. -вып.З. - СС.493-508.

6. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978. -272 с.

7. Александрова Г.А., Пащенко П.Б., Скворцов И.М. Локальная эпитаксия арсенида индия в условиях сильной анизотропии скоростей роста. // В кн. Тезисы докладов. V Всесоюзного, совещания по рост}/ кристаллов. Т.1. Тбилиси., 1977. - СС.62-63.

8. Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М и др. Кинетические и морфологические исследования процессов роста эпитаксиальных слоев 1пАз. // В кн. Расширенные тезисы VI Международной конференции по росту кристаллов. Т. 1 М.:1980. - СС.262-264.

9. Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М и др. Исследование явлений анизотропии при газофазовой эпитаксии арсенида индия. I. Анизотропия скорости роста и микрорельеф поверхности. //Изв. вузов. Физика. - 1980. - т.23, №9. - СС.71-75.

Ю.Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М.и др. Влияние условий кристаллизации на кинетику роста и дефектообразования при выращивании слоев

ItiAs в хлоридной системе. // В кн. Технология получения и электрофизические свойства соединений А3ВЭ. Ленинград, 1981. - СС.24-26.

11 .Александрова Г.А., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. и др. Исследование явлений анизотропии при газофазовой эпитаксии арсенида индия. П. Анизотропия скорости роста и захвата примеси. // Изв. вузов. Физика. - 1982. - т.25, №4. - СС.36-39.

12.Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Криволапое H.H. Образование субмикронных ямок роста при газофазовой эпитаксии арсенида индия. И Изв. вузов. Физика. - 1982. - т.25, №4. - СС.110-111.

В.Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев in As от давления AsCl3 в системе 1пА.8-АзС1з-Н2. // Изв. вузов. Физика. - 1983. - т.26, №11.- СС.49-52.

И.Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М и др. Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев InAs от температурь! осаждения в системе InAs-AsCh-Н2. //Изв. вузов. Физика. - 1984. -т.27, №5. - СС.32-36.

15.Александрова Г.А., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г и др. Использование AsH3 для управления анизотропией скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Оа-АзС1з-Н2. // В кн. VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, т. 1. Томск: изд. ТГУ, 1987. -СС. 110-111.

16.Александрова ГА.., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. и др. Влияние входного давления AsH-, на рост эпитаксиальных слоев GaAs в системе GaCl-AsH3-H2. Интервал ориентаций (115)А-(001)-(115)В. //Изв. вузов. Физика. - 1988. - т.31, №9. - СС.81-86.

П.Асеев А.Л., Латышев A.B., Стенин С.И. Изучение структурных перестроек на атомарно-чистой поверхности полупроводников с помощью отражательной электронной микроскопии. // Проблемы электронного материаловедения. Новосибирск.: Наука, 1986. - СС. 109-127.

18.Астахов В.М., Залетин В.М., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. Особенности структуры эпитаксиальных пленок арсенида галлия. // В кн. А.рсенид галлия, вып. 4. Томск.: изд. ТГУ, 1974. - СС.205-208.

19.Астахов В.М., Васильева Л.Ф., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. О влиянии примесей на энергию дефектов упаковки в арсениде галлия. // Физика твердого тела. - 1980. -т.22,№2. - СС.477-482.

20.Бакин H.H., Пороховниченко Л.П., Дедков В.Д. и др. Влияние состава газовой фазы на рост и свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия. // В кн. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск.: Наука, 1970. - СС.163-169.

21.Бакли Г. Рост кристаллов. М.:ИЛ, 1954. - 406 с.

22.Банина В.А., Возмилова Л.Н., Мамонтов А.П., Фомин Г.Г. Исследование адсорбции примесей при травлении и промывке арсенида галлия. И В кн. Арсенид галлия. вып.З. /под. ред. Кривова М.А. и Лаврентьевой Л.Г. - Томск: изд. ТГУ, 1970. - СС.217-223.

23.Банн К., Эмметт Р. Рост кристаллов из раствора. I. Образование слоев на гранях кристаллов. //В кн. Новые исследования по кристаллографии и кристаллографии. Рост кристаллов. М.: изд. ИЛ, 1950. - СС. 88-98.

24.Барна А., Варна П., Пежа Е. Жидкоподобное поведение тонких конденсированных слоев индия при росте. // В кн. Рост кристаллов. Т. 8. М.: Наука, 1968. - СС.124-130.

25.Бартини Г.Р., Дукова Е.Д., Коршунов И.П., Чернов A.A. Ступенчатый рельеф поверхности кристаллов ß - метилнафталина, растущих из раствора. // Кристаллография. -1963. - т.8, №5. - СС. 758-764.

26.Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности.// В кн. Элементарные процессы роста кристаллов. / Под. ред. Г. Г. Леммлейна, А. А. Чернова. М.: ИЛ, 1959. - СС. 11-109.

27.Белановский A.C. Адсорбция и десорбция на поверхности полупроводников. // Обзоры по электронной технике. Микроэлектроника. - 1969. - вып.58(127).

28.Берт H.A.., Вейнгер А.И., Вилисова М.Д., Голощапов С.И., Ивонин И.В. и др. Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость. // Физика твердого тела. -1993. - т.35, №10. - СС..2609 - 2625.

29.Бетге X. Электронномикроскопическое исследование молекулярных процессов при испарении и росте кристаллов. // В кн. Проблемы роста кристаллов. М.: Мир, 1968.

- СС.295-302.

30.Божков В.Г., Солдатенко КВ., Якубеня М.П., Ивонин И.В. и др. Межфазное взаимодействие в контактах GaAs с металлами I группы (Си, Al, Au) и его связь с параметрами структуры с барьером Шоттки. // Известия вузов. Физика. - 1985. -т.28, №9. - СС. 16-22.

31 .Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой фазы при

3 5

жидкостнои гетероэпитакеии соединении

А В . Препринт ИФП СО АН СССР.

Новосибирск, 1986. - 113с.

32.Букер Г.Р., Джойс Б.А. Начальные стадии зарождения и рост эпитаксиальных слоев кремния при использовании метода молекулярного пучка. // В кн. Рост кристаллов. т.8. М.: Наука, 1968. - СС.131-140.

33.Брудный В.Н., Воеводина О.В., Воеводин В.Г., Гриняев С.Н., Ивонин И.В. и др. Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур. // Изв. вузов. Физика.

- 1998. - т.41,№8. - СС.26-38.

34.Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. и др. Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия. // Изв. вузов. Физика. - 1978. - т.21, №10. - СС.96-101.

35.Вилисова М.Д., Максимова Н.К., Пороховниченко Л.П., Лаврентьева Л.Г. Влияние микроскопических дефектов роста в эпитаксиальном арсениде галлия на старение диодов с барьером Шоттки. // Изв. вузов. Физика. - 1980. - т.23, №4. - СС.112-113.

36.ВилисоваМ.Д., Гурченок Г.А., Катаев Ю.Г. и др. Влияние свойств эпитаксиального арсенида галлия на параметры диодов Ганна. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые материалы. - 1980. - №4. - СС. 82-87.

37.Вейнгер А.И., Козырев C.B., Чалдышев В.В., Вилисова М.Д., Ивонин И.В и др. Магнитозависимое микроволновое поглощение, обусловленное сверхпроводящими In - Ga кластерами в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией. // Физика твердого тела. - 1996. - т.38, №10. - СС.2897 - 2904.

38.Владимирова С Ю., Ивонин И.В., Катаев Ю.Г. и др. Кинетика кристаллизации GaAs при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе. // Кристаллография. - 1995. - т.40, N.5. - СС. 919-919.

39.Владимирова С.Ю., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. и др. Влияние ориентации подложки на анизотропию скорости латерального роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе. //Кристаллография. - 1996. - т.41, N.5. - СС. 932-934.

40.Воронков В.В., Чернов A.A. Захват примеси при движении элементарной ступени. //Кристаллография. - 1967. - Т. 12. - СС.222-229.

41.Воронков В.В., Жукова Л.А., Мильвидекий М.Г. Устойчивость регулярной ступенчатой структуры вицинальной поверхности при газофазовой эпитаксии кремния и арсенида галлия. // Кристаллография. - т.42, №6. - СС.1114-1123.

42.Вяткин А.П., Максимова Н.К., Катаев Г.А., Батенков В.А. Электрические характеристики поверхностно-барьерных диодов никель-арсенид галлия. // Изв. вузов. Физика. - 1967. -№11.- СС. 86-94.

43.Гиваргизов Е.И. Капельный механизм кристаллизации германия. // В кн. Рост кристаллов, т.8. М.: Наука, 1968. - СС.250-254.

44.Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с.

45.Глесстон С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. М.: ИЛ, 1948. - 583 с.

46.Гретц Р., Джексон Ч., Хирс Дж. Образование зародышей на поверхности при осаждении из пара с помощью химической реакции. // В кн. Проблемы роста кристаллов. М.: Мир, 1968. - СС.363-385.

47.Гринберг С.А., Гиваргизов Е.И. О движении капель сплава германий - золото вдоль поверхности германия под воздействием температурного градиента. // Кристаллография. - 1973. -т.18, №2. - СС.380-384.

48.Грицаенко P.C., Звягин Б.Б., Боярская Р.В., Горшков А.И., Самотоин Н.Д., Фролова К.Е. Методы электронной микроскопии минералов. М.: Наука, 1969. - 310 с.

49.Гудз Э.С., Казанцева И., Марончук Э.Е., Марончук И.Э. Влияние плоскости ориентации подложки на процессы роста, морфологию и электрические свойства

эпитаксиальных слоев арсенида галлия. //В кн. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1970. - СС.254-261.

ЗО.Гурченок Г.А. Расчет коэффициентов взаимной диффузии ростовых компонентов при газофазовой эпитаксии арсенида галлия. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. - 1980. - т. 16, №12. - СС.2099-2102.

51.Дефекты в кристаллах полупроводников, /под ред. С.Н.Горина. М.: Мир, 1969. -375с.

52.Деторр Дж., Кнорр Т., Холл Е. Процессы испарения. // В кн. Проблемы роста кристаллов. М.: Мир, 1968. - СС.58-95.

53.Дистлер Г.И. Электронномикросконическое исследование реальной структуры поверхности кристаллов и ранних стадий кристаллизации. Докторская диссертация. М., ИК АН СССР, 1970.

54.Дорфман В.Ф. Газофазовая микрометаллургия полупроводников. М.: Металлургия, 1974.- 190 с.

55.Жданов Гл.С. Применение электронной микроскопии для исследования кинетики и механизма кристаллизации. // В кн. Рост кристаллов, т. 13. / под ред. Е.И. Гиваргизова. М.: Наука, 1980. - СС.85-95.

56.3алетин В.М., Астахов В.М., Васин О.И. и др. Дефекты структуры нелегированных эпитаксиальных слоев арсенида галлия. // В кн. Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1973. - СС.62-64.

57.3аможский В.Д., Вертопрахов В.Н. Изучение поверхностей кристаллов методом световых фигур. // В кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.1. Новосибирск: Наука, 1977. - СС.222-225.

58.Захаров И.С. Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе. Кандидатская диссертация. Томск: ТГУ, 1970. -251с.

59.3евеке Т.А., Бузинин Ю.Н., Кузнецов O.A., Знышева Л.Н. Морфология и кинетика роста автоэпитаксиальных слоев германия в гидридном процессе в зависимости от ориентации подложки. // Кристаллография. - 1974. - т. 19. - СС.854-858.

бО.Ивлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. - 248 с.

61.Ивонин И.В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Кандидатская диссертация. Харьков, XI1И. 1978.-235 с.

62. И вон и и И.В. Рельеф поверхности и диффузионные процессы при росте эпитаксиальных слоев арсенида галлия. // Деп. В кн. Проблемы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. БУ ВИНИТИ «Деп. рукописи (естеств. и точн. науки)», 19806, №4(102), ч.1, №158-80 деп. - СС.3-5.

63.Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Лаврентьева Л.Г. и др. Исследование механизма роста тонких эпитаксиальных слоев кремния, выращенных в низкотемпературном хлоридном процессе. // Изв. вузов. Физика. - 1979. - т.22, №2. -СС.59-63.

64.Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Лаврентьева Л.Г., Лымарь Г.Ф. Кинетика формирования дефектов типа ЦТС при газофазовой эпитаксии арсенида галлия. Изв. вузов. Физика. - 1979. - т.22, №6. - СС. 119-123.

65.Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Якубеня М.П., Божков В.Г., Солдатенко К.В. Исследование процессов твердотельной перекристаллизации в структурах металл -А3В5. // Изв. вузов. Физика. - Деп. ВИНИТИ 10.12.86, №8435-В86. - 17с.

66.Ивонин И.В., Торопов С.Е. Электронномикроскопическое исследование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs в окрестности грани (11 ! )А. /У Изв. вузов. Физика. - 1987. - т.30, №9. - СС.8-12.

67.Ивонин И.В., Криволапов H.H., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. О роли подложки в формировании дефектов структуры типа ЦТС в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия. /7 Изв. вузов. Физика. - 1992. - т.35, №1. - СС.64-65.

бЗ.Ивонин И.В., Каримова Н.Я., Криволапов H.H., Лаврентьева Л.Г. Использование AB -травителя для выявления структурно-примесных неоднородностей в эпитаксиальных слоях GaAs. //Изв. вузов. Физика. - 1992. - т.35, №5. - СС. 122-124.

69.Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. Латеральная эпитаксия арсенида галлия: фундаментальные проблемы и технические приложения. // В кн. I конференция «Материалы Сибири». Тезисы докладов. Новосибирск, 1995. - С.9.

70-Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Лукаш B.C. и др. Начальные стадии роста и образование переходных слоев при гетероэпитаксии ТпР на GaAs. // Изв. вузов. Физика. - 1996. - т.39, №6. - СС.85-90.

71.Кан Дж. Теория роста кристалла и движения границы раздела фаз в кристаллических материалах. /У Успехи физических наук. - 1967. - т.91. - СС.677-690.

72.Кабрера Н, Кольман Р.В. Теория роста кристаллов из пара. // В кн. Теория и практика выращивания кристаллов. М.: Металлургия, 1968. - С'С. 9-48.

73.Клауа М. Электронномикроскопическое исследование поверхностной диффузии и образование зародышей золота на грани (111) серебра. // В кн. Рост кристаллов. Т. 11. /Под ред. А. А. Чернова. Ереван.: изд. ЕГУ, 1975. - СС.65-69.

74.Кнаке О., Странский И.Н. Механизм испарения. // Успехи физики металлов. T.III. М.: Металлургия, I960. - СС.222-282.

75.Коковин Г.А., Федорова Т.В., Кузнецов Ф.А. Термодинамический анализ процессов выращивания арсенида галлия из газовой фазы. // В кн. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. ч.1. // Под ред Л. Н. Александрова. Новосибирск.: Наука, 1968. - СС. 106-121.

76.Коковин Г.А., Федорова Т.В., Чусова Т.П. Термодинамический анализ систем InAs-12-Н2 и IrLAs-AjsCI3-H2. /У В кн. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: изд. СО АН СССР, 1970. - СС. 145-162.

77.Красильникова Л.М., Ивонин И.В., Масарновский Л.В и др. К методике электронномикроскопических исследований ростовой поверхности эпитаксиальных слоев. //Изв. вузов. Физика. - 1975. - т.18, №8. - СС. 19-22.

78.Красильникова Л. М., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. Ростовые микродефекты в авгоэпитаксиальном арсениде галлия. /У В кн. Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. / Под ред. Л. Н. Александрова. Новосибирск, 1981. -СС.175-178.

79.Красильникова Л.М., Криволапов H.H., Ахметшин М.Р. Природа фазы, ответственной за формирование ростовых дефектов типа ЦТС при газофазовой эпитаксии соединений А"'В"\ //Изв. вузов. Физика. - 1985. - т.28, №2. - СС.70-74.

80.Красильникова Л.М., Ивонин И.В, Якубеня М.П., Максимова Н.К., Арбузова Г.К. Процессы твердотельной перекристаллизации в структурах №-ОаАз, РсМЗаАз. /У Изв. вузов. Физика. - 1989. - т.32, №3. - СС.60-65.

81 .Криволапов Н.Н., Кравцов В.И., Ивонин И.В. и др. Применение физических методов для контроля состояния поверхности подложки арсенида галлия в процессе предэпитаксиальной обработки. //' В кн. VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, т.1. Томск: изд. ТГУ, 1987. - СС.112-113.

82.Криволапов Н.Н., Красильникова Л.М., Кравцов В.И. Роль фоновых примесей в дефектообразовании при газофазовой эпитаксии СаАз. // Изв. вузов. Физика. - 1987. -т.ЗО, №10. - СС.111-113.

83.Криворотое Е.А., Сидоров Ю.Г., Александров Л.Н. Зарождение зпитаксиальных пленок в газотранспортном методе. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1971. -Т.7.-СС. 1947-1952.

84.Кузнецов Ф.А. Некоторые физико-химические проблемы роста монокристаллических слоев из газовой фазы. // В кн. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников, ч. 1. /7 Под ред Л. Н. Александрова. Новосибирск.: Наука, 1968. - СС.50-62.

85.Лаврентьева Л.Г. Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии полупроводников типа А3В5 (на примере арсенида галлия). Докторская диссертация. Новосибирск. ИФП СО АН СССР, 1982. - 479 с.

86.Лаврентьева Л.Г., Якубеня М.П. Эпитаксиальный арсенид галлия. 1 .Анизотропия скоростей роста. /7 В кн. Арсенид галлия, вып.2. / Под ред. М. А. Кривова, Л. Г. Лаврентьевой. Томск.: изд. ТГУ, 1969. - СС.40-45.

87.Лаврентьева Л.Г. Механизмы роста зпитаксиальных слоев при химическом транспорте. // В кн. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. / Под ред. Л. Н. Александрова, Л. А. Борисовой. Новосибирск. :Наука, 1970. - СС.118-136.

88.Лаврентьева Л.Г., Захаров И.С., Румянцев Ю.М. Зависимость скорости роста и уровня легирования слоев эпитаксиального германия от ориентации подложки. // Кристаллография. - 1970. - Т. 15, №4. - СС.854-857.

89.Лаврентьева Л.Г., Захаров И.С., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. Исследование анизотропии роста арсенида галлия и германия в газотранспортных системах. // В

кн. IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов. Механизм и кинетика роста кристаллов. ч.П. Ереван.: изд. АН Арм. ССР, 1972. - СС.70-73.

90.Лаврентьева Л.Г., Якубеня М.П., Ивлева О.М., Московкин В.А. Морфология автоэпитаксиального арсенида галлия в кристаллографическом интервале (11 ЗАНОСИ! 11)В. // В кн. Рост кристаллов, т.9. М.: Наука, 1972. - СС.218-224.

91 .Лаврентьева Л.Г., Захаров И.С., Ивонин И.В. и др. Особенности роста и легирования эпитаксиальных слоев германия в системе Се-^. // Кристаллография. -

1973. - т. 18, №2. - СС.369-373.

92.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Влияние температуры кристаллизации на рост и легирование автоэпитаксиальных слоев арсенида гатлия. I. Морфология слоев ориентации (1; 1; 1.075). // Изв. вузов. Физика. - 1973. - т.16, №6.-СС. 68-71.

93.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Исследование микроморфологии автоэпитаксиального арсенида галлия. Зависимость от ориентации подложки. // Изв. вузов. Физика. - 1973. - т.16, №10. - СС. 148-150.

94.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П. и др. Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. - 1973. -вып.З. - СС. 14-19.

95.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П., Красильникова Л.М. Зарождение дефектов при эпитаксии арсенида галлия. // В кн. Дефекты структуры в полупроводниках. Материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках. Новосибирск, 1973. - СС.50-53.

96.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П. и др. Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства. // Изв. вузов. Физика. - 1974. - т. 17, №1. - СС. 20-24

97.Лаврентьева Л.Г. Некоторые особенности анизотропии роста арсенида галлия и германия в газотранспортных системах. // В кн. Рост кристаллов, т. 10. М.: Наука,

1974. - СС. 165-171.

98.Лаврентьева Л.Г., Захаров И.С., Ивонин И.В., Торопов С.Е. Влияние условий кристаллизации на анизотропию скорости роста и легирования эпитаксиального

германия. // В кн. Рост кристаллов. Т.П. /Под ред. А. А. Чернова. Ереван.: изд. ЕГУ, 1975. -СС. 178-184.

99.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Исследование микроморфологии автоэнитаксиальных слоев арсенида галлия. Влияние ориентации и легирующей примеси ^п). // Изв. вузов. Физика. - 1975. -т. 18, №9. - СС. 58-63.

100.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. Начальные стадии роста. //Изв. вузов. Физика. - 1975. - т. 18, №9. - СС. 69-74.

101.Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П., Вилисова М.Д. и др. Влияние условий на начальной стадии на формирование структурно-примесных неоднородностей и параметры р-п переходов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1975. -№12. - СС.37-44.

102.Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Ивонин И.В. и др. Кинетика роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия. // В кн. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. ч.1. Новосибирск: Наука, 1975. - СС.156-163.

103.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Влияние типа легирующей примеси на формирование ростового рельефа арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе. // Изв. вузов. Физика. - 1976. - т. 19, №1. - СС. 44-48.

104.Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П., Ивлева О.М. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе ОаАз-АзСЬНг. 1. Кинетика роста и структура эпитаксиальных слоев. // Изв. вузов. Физика. - 1976. -т. 19, №6. - СС.54-59.

105.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Скорость роста и структура поверхности АЭС ОаАз. I. Зависимость от технологических условий наращивания в газотранспортных системах. // В кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск.: Наука, 1977. -СС. 84-92.

106.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. П. Влияние легирующих примесей и пересыщения. // В кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск.: Наука, 1977. - СС.92-98.

107.Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs-A.sCl3H2. П. Механизм роста. // Изв. вузов. Физика. - 1977. - т.20, №12. - СС.24-29.

108.Лаврентьева Л.Г. Кинетика и механизм роста слоев арсенида галлия при газофазовой эпитаксии. // Изв. вузов. Физика. - 1980. - т.23, №1. - СС.23-37.

109.Лаврентьева Л.Г.. Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П. Кинетика и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных системах. // В кн.: Рост кристаллов. Т. 13. / Под ред. Е. И. Гиваргизова. М.: Наука. - 1980. - СС..33-44.

1 Ю.Лаврентьева Л.Г. Анизотропия скорости роста и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных системах. // Кристаллография. - 1980. - т.25, №6. - ССД273-1279.

Ш.Лаврентьева Л.Г., Московкин И.В., Ивонин И.В. Влияние пересыщения на рост слоев арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе. // Изв. вузов. Физика. - 1981. - т.24, №3. - СС.89-93.

112.Лаврентьева Л.Г., Московкин И.В., Иванов ВТ., Ивонин И.В. Влияние пересыщения на рост полярных (111) граней арсенида галлия. // Изв. вузов. Физика. - 1982. - т.25, №4. - СС.112-113.

113.Лаврентьева Л.Г. Анализ анизотропии скорости роста слоев арсенида галлия. // Кристаллография. - 1982. - т.27, №4. - СС. 818-821.

114.Лаврентьева Л.Г., Иванов В.Г., Ивонин И.В. и др. Влияние температуры кристаллизации на скорость роста зпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs-AsCl3-H2. // Изв. вузов. Физика. - 1982. - t.25, N.9. - СС. 101-104.

115.Лаврентьева Л.Г., Иванов В.Г., Ивонин И.В., Московкин В.А. Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовых поверхностей зпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaA.s-AsCl3-H2. // Изв. вузов. Физика. - 1982. -т.25, N.9. - СС. 105-108.

116.Лаврентьева Л.Г. Кинетика, механизм роста и легирования слоев А3ВЭ из газовой фазы. // В кн. Материалы электронной техники, ч. 1./ Под. ред. Ф. А. Кузнецова, М. В. Мохосоева. Новосибирск.: Наука, 1983. - СС.34-45.

1 П.Латышев A.B., Асеев А.Л., Красильников А.Б. и др. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током. //Докл. АН СССР. - 1988. - т.ЗОО. - СС.84-88.

118.Латышев A.B. Структурные перестройки на атомно-чистой поверхности кремния при сублимации, гомоэпитаксии и фазовых переходах по данным отражательной электронной микроскопии. Кандидатская диссертация. Новосибирск, 1990. 129с.

119. Латышев A.B., Красильников А.Б., Асеев А. Л., Стенин СИ. Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия для изучения структуры и микроморфологии атомно-чистой поверхности кремния. // Электронная промышленность. - 1990. - №2. - СС.58-62.

120.Латышев A.B. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов. Докторская диссертация Новосибирск, 1998. - 412с.

121.Левина И.М., Беллюстин A.B., Мордере В.И., Хаустова З.Г. О механизме роста кристаллов MgSo4*7H20. //Кристаллография. - 1972. - т. 17. - СС.314-326.

122.Леммлейн Г.Г., Дукова Е.Д. Исследование скоростей тангенциального наращивания элементарных слоев на кристаллах паратолуидина. // Кристаллография. - 1956. -т.1,№1. - СС.314-326.

123.Лидин P.A., А.ндреева Л.М., Молочко В.А. Справочник по неорганической химии. Константы неорганических веществ. - М.: Химия. - 1987. - 320с.

124.Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. - 540 с.

125.Лукаш B.C., Толстихин ЮЛ., Ананко С.Ю., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. Исследование процесса газового травления арсенида галлия ориентации (111)А. // Изв. вузов. Физика.-1993. - т.36, №9. - СС..122-123.

126.Магомедов Х.А., Шефталь H.H. Некоторые закономерности роста эпитаксиальных слоев GaAs. //Кристаллография. - 1964. - т.9, №6. - СС.902-909.

127.Магомедов Х.Ф. Влияние ориентации подложек на скорость роста и морфологию автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. /У В кн. Арсенид галлия, вып. 1. / Под ред. М. А. Кривова, JI. Г. Лаврентьевой. Томск.: изд. ТГУ, 1968. - СС.346-353.

128.Магомедов Х.А., Шефталь НН. Механизм роста и дефекты зпитаксиальных пленок арсенида галлия. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1965. - т. 1. -СС.2113-2119.

129.Марков A.B., Мильвидский М.Г., Шифрин С.С. Особенности образования микродефектов вблизи дислокаций в кристаллах GaAs, легированных различными примесями. //Кристаллография. - 1984. - т.29,№2. - СС.343-349.

130.Марков A.B., Мильвидский М.Г., Югова Т.Г. Влияние дислокаций и микродефектов подложки на формирование дислокационной структуры гомоэпитаксиального слоя. // Кристаллография. - 1985. - т.30,№>3. - СС.535-541.

131.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. - 463с.

132.Международная заявка №81/02948. Bozler С.О., Fan J.C.C., McClelland R.W. Способ изготовления слоя полупроводникового материала. Заявлено 6.04.80. Опубликовано 15.10.81.

[ЗЗ.Мейдер Б.Л. Межфазное взаимодействие на контакте Ni-Si и Ni-GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1985. - №4. - СС.62-67.

134.Мендельсон С. Зарождение дефектов упаковки в зпитаксиальных пленках кремния, выращиваемых на подложках с различной ориентацией. // В кн. Дефекты в кристаллах полупроводников. - М.: Мир, 1969. - СС.235-268.

135.Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974.-392 с.

136.Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в зпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. - 160 с.

137.Мильвидский М.Г. Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников. // В кн. Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века. Т.4. М.: РАЕН. - СС.50-84.

138.Мол екулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. Л.Ченга, К.Плюга. М.: Мир, 1989. - 582 с.

139.Нишизава Дж., Терасаки Т., Шимво М. Эпитаксиальное наращивание кремния из SiCl4. // В кн. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.1. Новосибирск: Наука, 1975. - СС. 121-127.

НО.Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные слои. М.: Наука, 1971.

141 .Палата и к Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972.

142.Папков Н.С. Исследование механизма кристаллизации и морфологии поверхности кремния в системе Si-H-Cl. Кандидатская диссертация. М.: ИК АН СССР, 1980.

143.Парселл Э. Берклеевский курс физики. Т. П. Электричество и магнетизм. М.: Наука, 1975. - 439с.

144.Патент США. № 4378629. Bozler С.О. Способ изготовления погруженного в полупроводник слоя для создания транзистора с проницаемой базой. Заявлено 10.08.79. Опубликовано 5.04.83.

145.Патент США № 4727047. Bozler С.О., Fan J.C.C., McClelland R.W. Способ создания листового кристаллического материала. Заявлено 6.04.81. Опубликовано 23.02.88.

146.Пащенко П.Б., Александрова Г.А., Скворцов И.М. Локальная эпитаксия в условиях сильной анизотропии скоростей роста. /7 В кн. Рост кристаллов, т.13. / под ред. Е.И. Гиваргизова. М.: Наука, 1980. - СС.45-51.

147.Полинг Л., ПолингП. Химия. М.: Мир. - 1978. - 683с,

148.Пороховниченко Л.П., Ивонин И.В., Борисенко Л.А. Исследование латерального роста соединений А^ВЭ. // Обзоры по электронной технике. Сер.6. Материалы. -1991,-вып. З.-СС. 1-36.

149.Пороховниченко Л.П. Исследование кинетики роста и легирования эп итаксиал ьного арсенида галлия в газотранспортной системе. Кандидатская диссертация. Томск, ТГУ, 1979. - 298 с.

150.Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитакеии кремния и германия. Докторская диссертация. Новосибирск, 1996. -213с.

151.Рузайкин M.Ii. Влияние гомогенных химических реакций на скорость роста кристаллов в диффузионном режиме. /У Кристаллография. - 1982. - т.27, №2. -СС.368-374.

152.Румянцев Ю.М. Термодинамическое и кинетическое исследование кристаллизации и травления арсенида галлия в открытой системе GaAs-HI-H2. Кандидатская диссертация. Новосибирск: ИЫХ СО АН СССР, 1969. 151с.

153.Сангетер Р. Рост полупроводниковых кристаллов AJI35 на модели. // В.кн.

3 5

Полупроводниковые соединения AB./ Под. ред. Р. Виллардсона и X. Геринга. М.: Наука, 1967. -СС.344-363.

154. Сергеева Л. А. Об энергии образования поверхностных вакансий в полупроводниках AnB8"n. //Кристаллография. - 1982. Т.27, №3. - СС.582-586.

155.Сире Дж.У. Влияние адсорбированных пленок на кинетику роста кристаллов. // В кн. Элементарные процессы роста кристаллов. / Под. ред. Г.Г. Леммлейна, A.A. Чернова. М.: ИЛ, 1959. - СС. 136-151.

156.Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. 492 с.

157.Сидоров Ю.Г., Криворотов Е.А., Александров Л.Н. Электронномикроскопическое исследование процессов зарождения и роста эпитаксиальных слоев и травления подложки. II В кн. В кн. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. ч.1. //Под ред Л. Н. Александрова. Новосибирск.: Наука, 1968. -СС.389-397.

158.Солдатенко К.В., Карпович Н.В., Божков В.Г. и др. Межфазные взаимодействия в арсенидгаллиевых контактах на основе Rh и их термическая устойчивость. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. - 1987. - вып.6(191). -СС.11-15.

159.Степанова А.Н., Шефталь H.H. Влияние примеси РС13 на механизм роста автоэпитаксиальных пленок германия. // В кн. Рост кристаллов, т.9. М.: Наука, 1972. -СС.213-217.

!60.Стрикленд-Констебл Р.Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Л.: Недра,1971.

161.Тестева H.A., Коковин Г.А., Кузнецов Ф.А. О молекулярном составе газовой фазы в системе Ga-As-Cl-H. // В кн. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск.: изд. ТГУ, 1978. - €.193.

162.Тихонова A.A. Кристаллизация слоев германия из молекулярного пучка в вакууме. Кандидатская диссертация. М.: ИК АН СССР. 1974.

! бЗ.Трейвус Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. Л.: изд. ЛГУ, 1979.

164.Тымчишин H.H. Исследование переходных процессов при газотранспортном наращивании арсенида галлия. Кандидатская диссертация. Москва: ГИРЕДМЕТ, 1974.

165.Файнер Н.И., Румянцев Ю.М., Заможский В.Д. и др. Изменение гранно-ступенчатой структуры поверхности арсенида галлия в ходе газового травления и эпитаксиального наращивания. /У В кн. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1981. - СС.33-40.

166.Файнер Н.И. Кинетико-морфологическое исследование реакций растворения монокристаллического арсенида галлия в газотранспортной системе GaAs-!2-H2 (Не). Кандидатская диссертация. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1985. - 221с.

167.Фергюссон Р., Габор Т. Химический транспорт арсенида галлия в газовой фазе. // В кн. Металлургия в электронике. / Под ред. Н. Г. Рябцева, Ф. А. Кузнецова. М.: Металлургия, 1970. - СС. 111-128.

168.Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкости. М.: Наука, 1975.

169.Хансен М., Андерко К. Структура двойных сплавов. - М.: ГНТИЛ ЧЦМ, т.1. -1962. - С. 204.

170.Химия и периодическая таблица. Под ред. К. Саито. М.: Мир. - 1982. - 319с.

Г71.Хирс Дж., Паунд Г. Испарение и конденсация. М.: Металлургия, 1966.

Г72.Хирс Дж. Процессы конденсации. // В кн. Осаждение из газовой фазы. М.:

Атомиздат, 1970. - СС.115-135.

173.Холлан Л., Холлейс Дж., Брайс Дж, Методы получения арсенида галлия. /У В кн. Актуальные проблемы материаловедения. / под ред. Э. Калдиса. Пер. с англ. Под ред. Е.И. .Гиваргизова, Б.А. ПоповкинаМ.: Мир, 1983. СС.7-239.

174.Чернов A.A. О тангенциальных скоростях роста элементарных слоев на поверхности кристалла. //Кристаллография. - 1956. - т.1. - СС.Г19-123.

175.Чернов A.A. Кинетическое уравнение для ступеней на поверхности кристалла. // Докл. АН СССР. - 1957. - т. 117. - СС.985-987.

176.Чернов A.A. К теории «ударных волн» ступеней на поверхности кристалла. // Кристаллография. -1960. - т.5. - СС.446-451.

177.Чернов A.A. Слоисто-спиральный рост кристаллов. // Успехи физических наук. -1961. - т.73, №2. - СС.277-331.

178. Чернов А,.А. О влиянии примесей на скорость роста кристалла. // В кн. Рост кристаллов. т.З. М.: изд. АН СССР, 1961. - СС.47-51.

179.Чернов A.A. О неравновесном захвате примесей при росте кристалла. // В кн. Рост кристаллов. т.З. М.: изд. АН СССР, 1961. - СС.52-58.

180.Чернов A.A. Структура поверхности и рост кристаллов. /У В кн. Физико-химические проблемы кристаллизации. Алма /\та: изд. КГУ, 1969. - СС.8-40.

181.Чернов A.A. Процессы кристаллизации. // В кн. Современная кристаллография. т.З.Образование кристаллов. / Под. ред. Б.К. Вайнштейна. М.: Наука, 1980. - СС.7-232.

182.Чернов A.A., Папков Н.С. Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе Si-H-Cl. // Докл. АН СССР. - 1976. - т.228. - СС.1083-1086.

183.Чернов АЛ., Рузайкин М.П. Равновесные адсорбционные слои на поверхностях GaAs (111) и Si (111) при химической кристаллизации из газовой фазы. II В кн. Рост кристаллов. Т. 13. М.: Наука, 1980. - СС.20-27.

184.Чернов A.A., Рузайкин М.П. Фазовые переходы в хемосорбционных слоях: грань InAs (111) As - газовая фаза In-As-CI-H. // Докл. АН СССР. - 1981. - Т.258, №1. -СС.82-85.

185,Чернов А.А., Рузайкин М.П., Папков Н.С. Поверхностные процессы адсорбции при газофазной эпитаксии полупроводников (GaAs, In As, Si). // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1982. -№2. - СС.94-108.

186.Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. «Проекционное» травление как метод исследования дефектов структуры кристаллов полупроводников. // Кристаллография. - 1982. - т.27,№4. - СС.712-721.

ЪА о

18 7. Шоу Д.У. Механизмы эпитаксиального роста i т ол у п ро в о дн и ков из газовой фазы. //В кн. Рост кристаллов. Т.1. / Под ред. К. Гудмана. М.: Мир, 1977. - СС. 11-74.

!88. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. - 632 с.

189.Эвинг Р.И., Грин П.И. Влияние состава газовой фазы на скорость роста и морфологию эпитаксиальных слоев арсенида галлия. // В кн. Металлургия в электронике. М.: Металлургия, 1970. -СС.207-215.

190.Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация. М.: Мир, 1971. -265 е.

191.Abbink Н.С., Browdy R.M., McCarthy С.Р. Surface processes in the growth of silicon on (111) silicon in ultrahigh vacuum. // J. Appl. Phys. - 1968. - v.39. - PP.4673-4681.

192.A.brahams M.S., Buiocchi C.J. Etching of dislocations on the low-index faces of GaAs. //J. Appl. Phys. - 1965. - v.36,N9. - PP.2855-2863.

193.Abrahams M.S, Buiochi C.J., Tietjen J.J. Detection of selenium clustering in GaAs by transmission electron microscopy. //J. Appl. Phys. - 1967. -y.38. - PP.760-764.

194. Alexandra v L.N., Zaletin V.M., Krivorotov E.A., Sidorov Yu.G. Investigation of the growth surface of GaAs epitaxial films by chemical decoration and small-angle shadowing technique. /7 Physica Status Solidi. (a)- 1973. - v. 15. - PP.367-370.

195.Alexandrov L.N., Lovyagin R.N. Step motion of the growth surface in the initial stage of semiconductor film epitaxy with ion sputtering. //Thin Solid Films. - 1974. - y.20. -PP. 1-10.

196.Allen F.G. Field emission from silicon and germanium: field desorption and surface migration. /7 J. Phys. Chem. Sol. - 1961. - v. 19. - PP.87-99.

197.Asai H. Anizotropic lateral growth in GaAs MO CVD layers on (001) substrates. // J. Crystal Growth. - 1987. - v. 80, N.2. - PP. 425-433.

198.Asai H., Adachi S., Ando S., Oe K. Lateral GaAs growth over tungsten grating on (001) GaAs substrates by metallorganic chemical vapor deposition and applications to vertical field effect. // J. Appl. Phys. - 1984. - v. 55, N.10. - PP. 3868-3870.

199.Asai H., Ando S. Lateral growth process of GaAs over tungsten grating by metallorganic chemical vapor deposition. //J. Electrochemical Soc. - 1985. - v. 132, N.10. - PP. 2245- 2253.

200Ashen D J., Anderson D.A., Apsley N., Emeny M.T. The role of vapour etching in the growth of epitaxial InP. //J. Crystal Growth. - 1982. - v. 60. - PP.225-234.

201.Astakhov V.M., Toropov A.I., Stenin S.I et al. Micromorfology and defects of non-doped gallium arsenide layers. //' Kristall und Technik. - 1978. - v. 13, Nil. - PP. 13051312.

202.Ban V.S. Mass spectrometric and thermodynamic studies of the CVD some llf-V compounds. //J. Cryst. Growth. -1972. - v. 17. - PP. 19-30.

203.Ban V.S., Gilbert S.Z. The chemistry and transport phenomena of chemical vapor deposition of silicon from SiCl4. // J. Cryst. Growth. - 1975. - v.31. - PP.284-289.

204.Bedair S.M. Activation energy for migration on silicon (111) face. // Surface Sci. -1974. - v.42. - PP.595-599.

205.Bert N. A., Chaldyshev V. V., Goloshchapov S. L., Kozyrev S. V., Kunitsyn A. E., Tretyakov V. V., Veinger A.. I.., Ivonin I.V., Lavrentieva L. G., Vilisova M. D,, Yakubenya M. P.,. Lubyshev D. I., Preo'brazhenskii V. V., Semyagin B. R. Clusters and the nature of superconductivity in LT MBE - GaAs.// Mat. Res. Soc. Symp. v.325. - 1994. -PP.401 -406.

206.Bethge H., Keller K.W., Ziegler E. Molecular processes during crystal growth from the vapor phase. //J. Crystal Growth. - 1968. V.3-4. - PP. 184-187.

207.Black J.F. The occurence and identification of precipitates in zinc-diffused GaAs. H J. Electrochem. Soc. -1967. - v.l 14. - PP. 1292-1297.

208.Boucher A., Hollan L. Thermodynamic and experimental aspects of gallium arsenide vapour growth. //J. Electrochem. Soc. - 1970. - V.l 17, N7. - PP.932-936.

209.Bozler C.O. Current prospects for the permeable base transistor. // Surface Sci. - 1986. -v,174,N.l-3. - PP. 487-500.

210.Bozler C.O., Alley G.D. Fabrication and numerical simulation of the permeable base transistors. // IEEE Trans. Electron Devices. - 1980. - ED-27, No.6. - PP. 1127-1141.

211.Bozler C O., McClelland R.W., Salerno J.P. and Fan J.C.C.Single crystal GaAs films on amorphous substrates by the CLEFT process. // J. Vac. Sci. and Techno!. - 1982. - v.20, N.3. - PP. 720-725.

212.Cabrera N, Vermilyea D.A. The growth of crystals from solution. // In: Growth and perfection of crystals. / Eds. Doreraus R., Roberts B., Tumbull D. New Jork, 1958, -PP.393-41Q.

213.Cadoret R., Hollan L., Loyau J.B. et al. GaAs growth by vapour phase transport. II. Interpretation of the growth of the (001) faces by the adsorption of gallium monochloride. //J. Cryst. Growth. - v.29, N.2. - PP. 187-194.

214.Cadoret R., Cadoret M. A Theoretical treatment of GaAs growth by vapour phase transport for (001) orientation. //J. Cryst. Growth. - 1975. - v.31, N1. -PP.142-146.

215.Cadoret R. Application of the theory of rate processes in the CVD of GaAs. // In book Current topics in materials science. V.5. Amsterdam: North-Holland Co., 1980. - PP.219279.

216.Chaldyshev V. V., lyonin I. V., Kunitsyn A. E., Lavrentieva L. G., Veinger A. I., Vilisova M. D. Chemical vapor deposition of GaAs containing nanometer size clusters. // Inst. Phys. Conf. Ser. 155,ch. 3. - 1997. - PP.251-254.

217.Chen S.H., Carter C.B., Enquist P. Transmission electron microscopy study of defects in Sn-doped GaAs films grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. A. - 1987. - v.44, N2. - PP. 143-151.

218.Chernov A.A., Ruzaikin M.P. Theoretical analysis of equilibrium adsorption layers in CVD systems (Si-H-Cl, Ga-As-Cl-H). III. Cryst. Growth. - 1978. - v.45. - PP.73-81,

219.Chemov A.A., Ruzaikin M.P. Adsorbed layers on (111) InAs faces in contact with In-As-Cl-H gas phase and the possibility transitions in the adsorbed layers. // J. Cryst. Growth. - 1981. - v.52. - PP. 185-193.

220.Chin A.K. The effect of crystal defects on device performance and reliability. // J. Crystal Growth. - 1984. - v.70. - PP.582-596.

221.Clarke R.C. Indium phosphide vapor phase epitaxy: a review. // J. Crystal Growth. -1981. V.54. - PP.88-100.

222.Daweritz L. Surface topography of HC1 gas-phase etched germanium. // J. Crystal Growth. - 1982. - v.58. - PP.347-353.

223.DiLorenzo J.V. Vapour growth of epitaxial GaAs: a summary of parameters which influence the purity and morphology of epitaxial layers. // J. Crystal Growth. - 1972. -v. 17. - PP. 189-206.

224.Durand J. M. Influence of the growth parameters in GaAs vapour phase epitaxy. // Philips J. Res. - 1979. V.34, N5/6. - PP. 177-210.

225.Erman M., Vodjdani N., Theeten J.B. Low-loss waveguides grow, on GaAs using localized vapor phase epitaxy. //Appl. Phys. Lett. - 1983. - v.43, N10. - PP. 894-895.

226.Frank F.C. On the kinematic theory of crystal growth and dissolution processes. // In: Growth and perfection of crystals. / Eds. Doremus R., Roberts B., Turnbull D. New Jork, 1958. - PP.411 -419.

227.Gale R.P., McClelland R.W., Fan J.C.C. et al Lateral epitaxial overgrowth of GaAs by organometalhc chemical deposition. //Appl. Phys. Letters. - 1982. - v. 41, N.6. - PP. 545547.

228.Gomio A., Hotta H., Miyasaka F. et al. Step-bumching in (AlxGai_x)o.5Ino.5p layers on misoriented (001) GaAs substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. // J. Crystal Growth. - 1994. - v. 145. - PP. 126-132.

229.Goto Shu, Ishizaki Jun-ya, Fukui T., Hasegava H. Growth behavior and mechanism of alkil-desortion-limited epitaxial growth of GaAs on exactly oriented and vicinal substrates. //' Jap. J. Appl. Phys. - 1994. ¥.33, N. IB. - PP.734-741.

230.Harris J.J., Joyce B.A.., Gowers J.P., Neave J.H. Nucleation effects during M BE growth ofSn-doped GaAs. //Appl. Phys. A. - 1982. - v.28. - PP.63-71.

231.Hasegava S., Sato K., Torii S., Nakashima H. Growth parameter dependence of step patterns in AIGaAs molecular beam epitaxy on vicinal GaAs (110) inclined toward (111)A. //J. Crystal Growth. - 1997. - v.175/176. - PP.1075-1080.

232.Hata K., Ikoma T., Hirakawa K. Et al Spontaneous appearance of high index facets during the evolution of step bunching on vicinal GaAs (001). // J. A,ppl. Phys. - 1994. -v.76,N.9. - PP.5601-5603.

233.Heyen M., Balk P. Epitaxial growth of GaAs in chloride transport systems. // Progr. Crystal Growth Charact. - 1983. - v.6. - PP.265-303.

234.Hitova L., Trifonova E.P. // Thin Solid Films. - 1978. - v.52. - PP.397

235.Hollan L., Shiller C. Difference between the (001) facet and vicinal planes in vapor phase epitaxial growth of GaAs. // J. Cryst. Growth. - 1974. - v.22, N3. - PP. 175-180.

236.Hoilan L., Durand J.V., Cadoret R. Influence of the growth parameters in GaAs vapor phase epitaxy. //J. Electrochem. Soc. - 1977. - v. 124, N1. - PP. 135-139.

237.Holian L., Durand J.V. Fast growth in GaAs VPE at low temperature and high partial pressures. /7 J. Cryst. Growth. - 1979. - v.46, N.5. - PP.665-670.

238.Horiguchi S., Kimura K., Takagishi S. Et al. Mass-spectrometric study of growth reaction in low-pressure OM VPE of GaAs by in-situ gas sampling. /7 Inst. Phys. Conf. Ser. N79: ch.3. - London, 1986. PP. 157-162.

239.Hsu C.C., Lu Y.C., Xu J.B., Wilson I.H. Spiral growth of GaAs metal organic vapor phase epitaxy //Appl. Phys. Lett. - 1994. - v.64,N15. - PP. 1959-1961.

240.Hsu C.C., Xu J.B., Wilson I.H. Growth mechanism of GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. /7 Appl. Phys. Lett. - 1994. - v.64, N16. - PP.2105-2107.

241 .ichimiya F., Nakahara H., Tanaka Y. Surface structures during silicon growth on the Si (111) surface. // In book Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms. /Eds. T. Nishinaga, K. Nishioka, J. Harada, A. Sasaki, H. Takei. Amsterdam: Elsevier Science B. V., 1997. - PP.279-292.

242.1shizaki Jun-ua, Gato Shu, Kishida M. Et al. Mechanism of monoatomic steps formation during metalorganic chemical vapor deposition growth of Ga.As on (001) vicinal surface studied by atomic force microscopy. // Jap. J. Appl. Phys. - 1994. - V.33, N.1B. - PP. 721726.

243.Ivonin I.V., Lavrentieva L.G., Porokhovnichenko L.P. GaAs lateral epitaxy in chlorine vapour phase systems. // Growth of crystals. V.21. London.: Plenum Press, 1998. - /to be published/.

244Jang D.H., Kim I.S., Park K.H. et al. Interfacial layer formation on corrugated InP during the epitaxial growth of GalnAsP/InP distributed feedback laser diode structure. /7 J. Crystal Growth. - 1995. - v. 156. - PP.368-372.

245.Jastrzebski L. SOI by CVD. epitaxial lateral overgrowth (ELO) process - review. // J. Crystal Growth. - 1983. - v. 63. - PP. 493-526.

246.Jin J.M., Ming N.B. A comparison between the growth mechanism of stacking fault and screw dislocation. //J. Crystal Growth. - 1989. - v.96. - PP.442-444.

247.Jin Jian-Min, Ming Nai-ben, Chernov A.A. The growth mechanism and kinetics on stacking fault reconsidered. //J. Crystal growth. - 1989. - v.98. - PP.341-344.

248.Johnson K.K., Steele S.R., Whittier P.E. GaAs growth on the {110} crystallographic plane. //Inst. Phys. Conf. Ser. No.45, Ch.I. - 1979. - PP. 18-44.

249.Joyce B.D., Muliin J.B. Growth «piramidis» in epitaxial GaAs. // Solid State Communications. - 1966. - v.4 - PP.463-466.

250Joyce B.A., Bradly R.R., Booker G.R. A. study of nucleation in chemically grown epitaxial silicon films using molecular beam techniques. Nucleation rate measurements and effect of oxygen on initial growth behaviour. // Philos. Mag. - 1967. - v. 15. -PP.1167-1187.

251.Joyce B.A. The growth and structure of the semiconducting thin films. // Rep. Progr. Phys. - 1974. - v.37. - PP.363 - 420.

252.Kaminska M., Liliental-Weber Z., Weber E.R. et al. Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures. /7 Appl. Phys. Lett. - 1989. -v. 54, N. 19. - PP. 1881-1883.

253.Kasu M., Kobayashi N. Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grow by metalorganic chemical vapor deposition. // Jap. J. Appl. Phys. - 1994. - v.33, N.1B. - PP.712-715.

254.Kasu M., Kobayashi N. Surface diffusion kinetics of GaAs and A„lAs metalorganic vapor phase epitaxy. // J. Crystal Growth. - 1997. - v. 170, N. 1-4. - PP. 146-150.

255.Kennedy J.K., Potter W.D. The effects of the formation of various growth parameters on the formation of pits and hillocks on the surface of epitaxial GaAs layers. // J. Crystal Growth. - 1973. - v. 19. - PP.85-89.

256.Kirwan D. J. Reaction equilibria in the growth of GaAs and GaP by chloride transport process///J. Electrochem. Soc. - 1970. - v.I17,N12. - PP. 1572-1577.

257.Klima P., Silhavy J., Rerabek V., Braun I, Gemy O., Vonka P., Holub R. A study of equilibrium reaction in the Ga-PCI3-H2 and Ga-AsCI3-H2 epitaxial systems. // J. Cryst. Growth. - 1976. - v.32,N2. - PP.276-279.

258.Kondo N., Kawashima M., Ando S., Oe K. GaAs lateral epitaxial growth over a tungsten grating by MBE. // Appl Phys. Letters. - 1984. - v.45, N.10. - PP. 1070-1072.

259.Kondo N., Kawashima M., Ando S., Oe K. GaAs lateral epitaxial growth over a tungsten grating by MBE. //Appl. Phys. Letters - 1985. - v.46, N.4. - PP. 436-438.

260.Koshiba S., Nakamura Y., Tsuchiya M. Et al. Surface diffusion processes in molecular beam epitaxial growth of GaAs and AlAs as studied on GaAs (001) - (1I1)B facet structures. //J. Appl. Phys. - 1994. V.76, N.7. - PP.4138-4144.

261.Kunzel IL, Böttcher J., Gibis R., Urmann G. Material properties of Gao.47Ino.53As on InP by low-temperature molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. - 1991. - v.61, N11. -PP. 1347-1349.

262.Laporte I. L., Cadoret M., Cadoret R. Investigation of the parameters which control the growth of {111} and {111} faces of GaAs by CVD. // J. Cryst. Grjwth. - 1980. - v.50, N4. - PP.663-674.

263.Latyshev A.V., Aseev A. I ., Krasilnikov A. B. and Stenin S.I. Transformations on clean Si(l 11) stepped surface during sublimation. // Surface Sei. - 1989. - v.213. - PP. 157-169.

264.Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. Self - diffusion on Si (111) surfaces. // Phys. Rev. B. -1996. - v.54, N.4. - PP.2586-2589.

265.Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. UHV reflection electron microscopy investigation of the monoatomic steps on the silicon (111) surface at homo - and heteroepitaxy. // Thin Solid Films. - 1997. - v.306. - PP.205-213.

266.Lavrentieva L.G., Kataev Ju. G., Moskovkin V. A., Yakubenya M.P. Effect of substrate orientation on growth rate and doping level of vapour grown gallium arsenide, interval (111)A-(100)-(111)B. // Kristall und Technik. - 1971. - v.6, N5. - PP.607-622.

267.Lavrentieva L.G. A,nisotropic phenomena in GaAs growth processes in vapour deposition system. // Thin Solid Films. - 1980. - v.66, N1. - PP.71-84.

268.Lavrentieva L.G., Ivonin I.V., Krasilnikova L.M., Viiisova M.D. Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films. // Kristall und Technik. - 1980. - v/15, N6. - PP.683-689.

269.Lavrentieva L.G. Analysis of growth rate anisotropy for gallium arsenide in some vapor growth systems. // Crystal Research and Technology'. - 1981. V.16, N6. - PP.661-666.

270. Lee J-S. Isshiki H., Sugano T., Aoyagi Y. Multiatomic step formation with excellent uniformity on vicinal (11I)A GaA,s surfaces by metalorganic vapor-phase epitaxy. H J. Crystal Growth. - 1997. - v. 173. - PP.27-32.

271 .Leonberger F.J., Bozler C.O., McClelland R.W. et al. Low-loss GaAs optical waveguides formed by lateral epitaxial growth over oxide. /7 Appl, Phys. Lett. - 1981. -v.38,N5.-PP. 313-315.

272.Lorke A., Pond K., Petroff P.M. On the meandering of steps on vicinal GaAs (100) surfaces. // Solid State Communications. - 1995. - v.93, N11. - PP.861-864.

w

273.Loyan LB., Oberlin M., Oberlin A., Holian L., Cadoret R. GaA.s growth by vapour phase transport. 1. Study of effects of supersaturation and surface adsorption. // J. Cryst. Growth. - 1975. - v.29, N1. - PP. 176-186.

274.McC!eiIand R.W., Bozler C.O., Fan F. C.C. A technique for producing epitaxial fiims onreuseabie substrates. // Appi. Phys. Letters. - 1980. -v. 37/N.6. - PP. 660-662.

275. Mel loch R.A., Mahal ingam K., Otsuka N. et al. Formation of two-dimensional arsenic-precipitate arrays in GaAs. /7 Appl. Phys. Lett. - 1992. - v.6i, N2. - PP. 177-179.

276.Metzger R.A., Brown A.S., McCray L.G., Henige J.A. Structural and electrical properties of low temperature GalnAs. // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1993. - v. 11, N3. -PP.798-801.

277.Minden H.T. Pits and hillocks on epitaxial GaAs grown from the vapor phase. // J. Crystal Growth. - 1971. - v.8. - PP.37-44.

278.Ming Nai-ben, Sunagawa I. Twin lamellae as possible self-perpetuating step sources. // J. Crystal Growth. - 1988. - v.87, N1. - PP. 13-17.

279.Minoda H., Yagi K. REM studies of surfactant-mediated epitaxy. // In book Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms. /Eds. T. Nishinaga, K. Nishioka, J. Harada, A. Sasaki, H. Takei. Amsterdam: Elsevier Science B. V., 1997. - PP.283-308.

280.Mizuno Q., Watanabe H., Shinoda D. Vapor growth of InAs. // Jap. J. Appl. Phys. -1975. - v. 14, N2. - PP. 184-191.

281.Mukherjee S.D., Woodard S.D. Etching and surface preparation of GaAs for device fabrication. // Gallium Arsenide. - New York, 1985. - PP. 119-159.

282.Nishizawa J., Terasaki T., Shimbo MI. Silicon epitaxial growth. // J. Crystal Growth. -1972. - v. 17. - PP.241-248.

283.Nishizawa J., Kato Y., Shimbo M. Anisotropy in the growth rates of silicon deposited by reduction of silicon tetrachloride. // J. Crystal Growth. - 1975. - v. 31. - PP.290-298.

284.Nishizawa J., Tadano H., Oyama Y., Shimbo M. The screw and circular structures of Si and GaAs epitaxial layers. // J. Crystal Growth. - 1981. - v.55. - PP.402-405.

285.Nishizawa J. Silicon vapor phase epitaxy. // J. Crystal Growth. - 1982. - v.56. - PP.273280.

286.Nishizawa J., Kimura M. Layer growth on GaAs epitaxy. // J. Cryst. Growth. - 1986. -v.74, N2. - PP. 331-117.

287.Nonomura Y., Okuno Y., Nishizawa J. Surface morphology of GaAs grown by vapor phase epitaxy. // J. Cryst. Growth. - 1979. - v. 46. - PP.795-800.

288.Notze! R., Temmyo J., Tamamura T. Tunability of one-dimensional self-faceting on GaAs (311)A by metalorganic vapor-phase epitaxy. // Appi. Phys. Lett. - 1994. - v.64, N26. - PP.3557-3559.

289.0gawa M. Alloying reaction in thin nickel films deposited on GaAs. // Thin Solid Films. - 1980. - v. 70. - PP. 182-189.

290. Packer S.L, Gronsky R. A TEM study of rhodium on GaAs: reactions and morphlogy. // Epitaxy semicond. layers struct: Symp., Boston, Mass., Nov.30-Dec.4,1987. - Pittsburg (Pa), 1988. - PP.245-248.

291.Pashley D.W. The nucleation, growth, structure and epitaxy of thin solid films. /7 Advances in Physics. - 1965. - v. 14. - PP.328-416.

292.Pchelyakov Q.P., Lovyagin R.N., Krivorotov E.A., Toropov A..L, Aiexandrov L.N., Stenin S.L Silicon homoepitaxy with sputtering. I. Mechanism of growth. /7 Phys. Status Solidi (a). - 1973. - v.17. - PP.339-351.

293.Piotrowska F,, Kaminska E., Kaminska A.M., Kontkiewics A.M. Methods of surface preparation for some A3B' semiconductor compounds. // Electron Technology. - 1984. -V. 14,N1-2. - PP.3-24.

294.Puechner R.A., Johnson D.A., Shiralagi K.T. et al. Electrical and optical characteristics MBE LT GaAs buffer layers grown from gas and solid source. // J. Crystal Growth. -1991. -v.l 11. -PP.43-49.

295.Putte yan der P., Enchevort van W.J.P., Giling L.J., Bloem J. Surface morphology of HC1 etched silicon wafers. //J. Crystal Growth, - 1978. - v. 43. - PP.659-675.

296.Sands T., Keramidas V.G., Ju K.V. et al. A comparative study of phase stability and film morphology in thin - film M/GaAs systems. // J. Appl. Phys. - 1987. - v.62, N5. - PP.20702079.

297. Sasaki A,. Initial stages, island formation and critical thickness of InAs heteroepitaxy on GaAs substrates. // In book Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms. /Eds. T. Nishinaga, K. Nishioka, J. Harada, A. Sasaki, H. Takei. Amsterdam: Elsevier Science B. V., 1997. - PP.381-398.

298.Schwoebel R.L. and Shipsey T.J. Step motion on crystal surfaces. // J. Appl. Phys. -

1966. -v.37. PP.3682-3686. 299.Schwoebel R.L. Step motion on crystal surfaces. // J. Appl. Phys. - 1969. - v.40. -PP.615-618.

300.Seltzer M.S., Albon N., Paris B., Himes R.S. Growth mechanism of vapor deposited

germanium films. // J/ Electrochemical Soc. - 1967. - v. 114. - PP.102-107. 30 I.Shaw D.W. Effect of vapor composition on the growth rates of faceted gallium arsenide

hole deposits. // J. Electrochem. Soc. - 1968. V.l 15, N7. - PP.777-780. 302.Shaw D. W. Influence of substrate temperature on GaAs epitaxial deposition rate. // J.

Electrochem. Soc. - 1968. - v.l 15, N4. - PP.405-408. 303.Shaw D. W. Epitaxial GaAs kinetic studies: (001) orientation. II J. Electrochem. Soc. -

1970. - v.l 17, N.5. - PP.683-687. 304. Shaw D. W. Kinetics of transport and epitaxial growth of GaAs with Ga-AsCl3 system.

// J. Cryst. Growth. - 1971. Y.8, N1. - PP. 117-128. 305.Sha¥/ D.W. Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of III-V compounds. II J. Cryst.

Growth. - 1975. -v.31. - PP. 130-141. 306.Shaw D. W. Gas phase composition and extraneous deposition in GaAs vapor epitaxy.

//J. Cryst. Growth. - 1976. - v.35, N.l. - PP. 1-9. 307.Shimbo M., Nishizawa J., Terasaki T. Defect-free nucleation of silicon on (111) silicon

surfaces. //J. Crystal Growth, - 1974. - v.23. - PP.267-274. 308.Stirland B.J., Straughan B.W. A review of etching and defect characterization of gallium arsenide substrate material. // Thin Solid Films. - 1976. - V.31. - PP.139-170.

309.Takashi I. Investigation of microprecipitates in highly Te-doped GaAs crystals. // Jap. J. Appl. Phys. - 1968. - v.7. - PP.490-494.

310.Taki T., Nakajima T., Koukitu A., Seki H. Substitution reaction of surface adsorbed P atoms to As atoms in the GaP/GaAs atomic layer epitaxy. /7 J. Crystal Growth, - 1998. -v.183. - PP75-80.

3H.Theeten LB., Hollan L., Cadoret R. Growth mechanisms in CVD of GaAs. //In: 1976 Crystal Growth and Materials. / Ed. E. Kaldis and H. I. Scheel. V.2. Amsterdam, 1977. -PP. 195-236.

3 IZ.Theeten LB,, Hottier 1-. In situ surface analysis of the vapor phase epitaxy of GaAs. /7 J. Electrochemical Soc. - 1978. - v. 125, N3. - PP.45Q-460.

313.Trifonova E. P., Hitova L. Growth kinetics and surface morphology of homoepitaxial indium arsenide layers. // Thin Solid Films. - 1980. - v.65. - PP.61-66.

314.Vaulin J.D., Migal N.N., Migal V P., Stenin S.I. Influence of crystallization conditions on formation of dislocation structure of germanium homoepitaxial layers produced by gastransport technique. //Physica Status Solidi (a). - 1973. - v. 15. - PP.697-710.

315.VodjdaniN., Erman M., Theeten J.B. Structural analysis and optical characterization of low-loss GaAs wave-guided fabricated by selective epitaxy. // J. Crystal Growth. - 1985. -v.71,N.l. - PP. 141-148.

316.Vojak B.A., Salerno J.P. Transmission electron microscopy of GaAs grown over submicrometer-period tungsten grating. // Appl. Phys. Letters. - 1982. - v. 41, N.12. - PP. 1151-1154.

317.Vojak B.A., Salerno J.P., Flanders D.C., Alley G.D. et al. Transmission electron microscopy of GaAs permeable base transistor structures grown by vapor phase epitaxy. // J. Appl. Phys. - 1983. - v.54, N.6. - PP. 3554-3560.

318.Vohl P., Bozler C.O., McClelland R.W. et ai. Lateral growth of single crystal InP over dielectric films by orientation-dependent VPE. // J. Cryst. Growth. - 1982. - v.56, N3. -PP. 410-420.

319.Yamaguchi K., Okamoto K. Lateral growth on (111)A GaAs substrates by metaiorganic chemical vapor deposition. //J. Cryst. Growth. - 1989. - v.94, N.l. - PP. 203-206.

320.Yamaguchi H., Horikoshi Y. Step motion and structure transition on InAs and GaAs (001) surfaces observed by scanning tunneling microscopy. // Jap. J. Appl. Phys. - 1994. -v.33,N.lB. - PP. 716-720.

321.Yoshida M., Watanabe H. Thermodynamic comparison of InGaAsP vapor phase epitaxy by chloride, hidride and metaiorganic hidride methods. // J. Electrochemical Soc. - 1985. - v. 132, N.7.-PP. 1733-1740.