Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Петров Алексей Сергеевич

• Петров Алексей Сергеевич
• кандидат наук
• 2024

Оглавление диссертации кандидат наук Петров Алексей Сергеевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

§1.1 Атомные процессы на ростовой кристаллической поверхности

§1.2 Атомистическая теория скоростей зародышеобразования

§1.3 Структура атомно-чистой поверхности Si(111)

1.3.1 Эффект эшелонирования атомных ступеней на поверхности Si(111)

1.3.2 Атомная структура поверхности $1(111)-(7х7)

§1.4 Эпитаксиальный рост Si и Ge на атомно-чистой поверхности $1(111)-(7х7)

§1.5 Эпитаксиальный рост в присутствии сурфактантных покрытий

§1.6 Структурные изменения на поверхности Si(111) при адсорбции покрытий Sn

§1.7 Выводы

ГЛАВА 2. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

§2.1 Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия

2.1.1 Принципы устройства и работы

2.1.2 Конструкция ростовых источников

2.1.3 Методика подготовки и проведения т экспериментов

§2.2 Атомно-силовая микроскопия

§2.3 Выводы

ГЛАВА 3. 2D-ОСТРОВКОВЫЙ РОСТ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВРЕХНОСТИ Si(111)-(7x7) ПРИ СУБМОНОСЛОЙНОМ ОСАЖДЕНИИ Si И Ge

§3.1 Влияние моноатомных ступеней на зарождение 2D островков

§3.2 Роль нанокластеров в массопереносе на поверхности Si(111)-(7x7)

§3.3 Кинетика 2D-островкового зарождения и роста на поверхности Si(111)-(7x7)

3.3.1 Рост Si на поверхности Si(111)-(7x7)

3.3.2 Рост Ge на поверхности Si(111)-(7x7)

§3.4 Выводы

ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ И МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ТРАНСФОРМАЦИИ НА ШИРОКИХ ТЕРРАСАХ ПОВЕРХНОСТИ &(111),

ИНДУЦИРОВАННЫЕ АДСОРБЦИЕЙ Sn

§4.1 Реконструкция (V3xVз)-Sn на поверхности Si(111)

4.1.1 Формирование реконструкции (V3xVз)-Sn при Т < 650°С

4.1.2 Формирование реконструкции (V3xVз)-Sn при Т > 650°С

§4.2 Структурный переход (V3xVз)-Sn ^ "1хГ'^п на поверхности Si(111)

§4.3 Структурный переход "1хГ'^п ^ (2V3x2Vз)-Sn на поверхности Si(111)

§4.4 Морфологические изменения на поверхности Sn/Si(111)

4.4.1 Морфология поверхности Si(111) со структурами "1x1"-Sn и (2V3x2V3)-Sn

4.4.2 Влияние электромиграции на морфологию поверхности Sn/Si(111)

§4.5 Десорбция Sn с поверхности Si(111)

§4.6 Эффективный заряд адатомов Sn на поверхности Si(111)-(V3*V3)-Sn

§4.7 Выводы

ГЛАВА 5. 2Б-ОСТРОВКОВЫЙ РОСТ НА ШИРОКИХ ТЕРРАСАХ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В ПРИСУТСТВИИ СУРФАКТАНТНОГО ПОКРЫТИЯ Sn

§5.1 Субмонослойная эпитаксия на поверхности Si(111)-a- (V3xV3)-Sn

§5.2 Субмонослойная эпитаксия на поверхности Si(111)-y-(V3W3)-Sn

§5.3 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn»

- 4 -ВВЕДЕНИЕ

Развитие элементной базы современных электронных устройств, которой свойственна тенденция к сокращению характерных размеров и повышению быстродействия [1], неразрывно связано с прогрессом в области полупроводниковых технологий [2]. Особое внимание уделяется исследованию структур на основе Si, Ge и Sn, располагающихся в IV-ой группе периодической системы химических элементов, в связи с их широким применением при создании микро- и оптоэлектронных устройств, интегрированных с кремниевой планарной технологией [3,4]. Одним из методов создания подобных низкоразмерных систем является молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). При этом контроль морфологии ростовой поверхности представляется важным условием для получения гетероструктур с резкими границами раздела [5]. Несмотря на то, что в настоящий момент для планарных технологий чаще используются подложки Si(100), альтернативные им подложки типа Si(111) обладают важным преимуществом, заключающимся в более развитых технологиях создания участков поверхностей с минимальной концентрацией атомных ступеней на них [6-8].

При изготовлении структур пониженной размерности методом МЛЭ определяющую роль играет понимание таких фундаментальных процессов, как адсорбция атомов осаждаемого материала, их диффузия, встраивание в край атомной ступени, взаимодействие между собой с последующим формированием нового эпитаксиальное слоя в виде двумерного (2D) ростового островка, взаимодействие с поверхностью и образование новой примесно-индуцированной поверхностной реконструкции [9]. Однако структура реальной атомно-чистой поверхности в условиях сверхвысокого вакуума обычно отличается от строения аналогичной грани в объёме кристалла. Так, на поверхности Si(111) при температурах ниже 830°С наблюдается реконструкция (7*7) [10], которая влияет на механизмы эпитаксиального роста [11]. Согласно исследованиям, проведённым методом сканирующей туннельной микроскопии [12], для формирования нового слоя при эпитаксиальном росте $1/$1(111)-(7х7) требуется перестройка атомов нижележащего слоя к структуре плоскостей в объёме кристалла. Наличие этого условия усложняет процессы поверхностной диффузии и зарождения 2D островков. Принимая во внимание тот факт, что при МЛЭ наблюдается именно реконструированная ростовая поверхность Si, изучение атомных процессов на ней при осаждении Ge и Sn является актуальной задачей.

Атомные процессы на реконструированной поверхности $1(П1)-(7х7), протекающие при гомоэпитаксиальном росте Si, широко изучены такими методами как сканирующая

туннельная микроскопия (СТМ) [11-15], микроскопия медленных электронов (ММЭ) [16], сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия (СВВ ОЭМ) [17-22]. Известно, что в пределах как минимум одного ростового атомного слоя начальные стадии гетероэпитаксии Ge на поверхности Si(111)-(7x7) подобны гомоэпитаксии Si [14,23]. Таким образом, представляется логичным анализ гетероэпитаксии Ge в связке с гомоэпитаксией Si на поверхности Si(111)-(7х7).

В соответствии с атомистической теорией зародышеобразования [24,25], основными параметрами, характеризующими зарождение и рост 2D островка, являются энергия активации 2D-островкового зарождения Е2П и размер критического зародыша /, а частицами, обеспечивающими поверхностный массоперенос, полагаются адсорбированные атомы (адатомы). Начальные стадии эпитаксии Ge характеризуются значениями Е20 < 0.7 эВ [15,26] при температурах подложки до 500°С, что не противоречит оценкам энергетических барьеров для диффузии адатома Ge на поверхности Si(111)-(7x7), лежащим в диапазоне 0.8-1 эВ [27-29]. При больших температурах гетероэпитаксиального роста Ge/Si(111)-(7x7) основное внимание уделяется нестабильностям при переходе от 2D- к 3D-островковому режиму роста [30-32]. Но, например, в работах [19,33], где было рассмотрено 2D-островковое зарождение при температурах ^ 500°С, значения Е2П лежат в диапазоне 1.3-1.44 эВ. Данный скачок Е2П указывает на изменение кинетики 2D-островкового зарождения для начальных стадий роста Ge.

Классические теории, описывающие движение атомных ступеней [34,35] и зарождение 2D островков [24] при эпитаксиальном росте, рассматривают адатомы единственными частицами, обеспечивающими поверхностный массоперенос. Однако, согласно результатам исследований, осуществлённых методом СТМ, эпитаксиальный рост Ge и Si на поверхности Si(111)-(7x7) начинается с формирования неэпитаксиальных кластеров внутри полуячейки (7x7) [11,14,36,37]. Данные кластеры размером до 1 нм состоят из 7-8 атомов и отличаются повышенной стабильностью, вследствие чего их называют «магическими» кластерами или нанокластерами [13,38]. В работе [21] было выдвинуто утверждение, что именно нанокластеры определяют изменение кинетики 2D-островкового зарождения на начальных стадиях гомоэпитаксии Si/Si(111)-(7x7), тогда как их роль в поверхностном массопереносе для роста Ge/Si(111)-(7x7) при повышенных температурах (> 500°С) ещё не исследована и в литературе по гетероэпитаксии Ge/Si не обсуждается.

Атомные ступени являются неотъемлемой частью кристаллической поверхности, и согласно классическим представлениям выступают активными центрами сублимации [39]

и эпитаксиального роста [34,35]. Являясь эффективными центрами стока для материала, атомные ступени дестабилизируют формирование зародышей 2D островков в прилегающих к ним областях [21]. Свойства ступеней определяются наличием на их краях изломов, концентрация которых нелинейно зависит от температуры и скорости роста [40]. Стандартные экспериментальные методики изучения начальных стадий зарождения и встраивания в край атомных ступеней предполагают анализ концентрации 2D островков N2d [14,15,21,26,33] или критической ширины террасы для 2D зарождения Я [16-19,22] в рамках атомистической теории скоростей зародышеобразования [24,41], но они не позволяют экспериментально исследовать свойства ступеней на различных стадиях роста. Альтернативой является методика измерения ширин областей обеднения по 2D островкам W вблизи ступеней [42-44]. Преимущество данной методики состоит в том, что она позволяет выявит вероятную анизотропность 2D-островкового зарождения и роста вблизи ступеней различной поверхностной ориентации.

Варьирование внешнего потока осаждаемого материала и температуры подложки позволяет изменять массоперенос на ростовой поверхности и, следовательно, кинетику роста. Однако в некоторых ситуациях, когда необходимо изменить поверхностный массоперенос, например в условиях низких температур роста, прибегают к применению поверхностно-активных покрытий, называемых сурфактантными. Адсорбция подобных покрытий на ростовой поверхности приводит к изменению свободной энергии поверхности за счёт пассивации оборванных связей и, таким образом, изменяет режимы поверхностной диффузии, зарождения и роста при неизменной температуре подложки [45,46]. Одним из элементов, способных выступать в качестве сурфактанта для эпитаксиальных систем Si/Si и Ge/Si, является Sn, которое помимо этого также применяется и при создании прямозонных гетероструктур GeSiSn и GeSn на подложках Si [3,47,48]. Известно, что адсорбция субмонослойных покрытий Sn на ростовой поверхности приводит к подавлению 2D-островкового зарождения при гомоэпитаксии Si/Si(111) [17,18] и гетероэпитаксии Ge/Si(111) [49], а также препятствует перемешиванию Ge и Si при гетероэпитаксии Ge/Si(100) [50]. В частности, для гомоэпитаксии на поверхности Si(111) с атомно-гладкими террасами шириной менее 1 мкм было показано, что наличие сурфактантного покрытия в 1/3 МС Sn (1 МС = 7.8* 1014 атомов/см-2) на поверхности Si(111) не только понижает вероятность зарождения кремниевых 2D островков но и обеспечивает ступенчато-слоевой режим роста при температурах 300-500°C [17,18]. Однако остаётся неразрешённым вопрос о том, как в присутствии покрытий Sn изменятся свойства атомных ступеней и кинетика 2D-островкового зарождения и роста на поверхности Si(111) с широкими (более 10 мкм)

атомно-гладкими террасами при температурах роста более 500°C по сравнению с эпитаксией на чистой поверхности Si(111)-(7x7).

Осаждение атомов Sn на поверхность Si(111)-(7x7) индуцирует образование новых примесных поверхностных реконструкций (V3xV3)R30° -Sn и (2V3x2V3)R30°-Sn [51-53], приводящих к значительному изменению свойств поверхности: атомной структуры, поверхностной энергии, а также энергетических барьеров всех атомных процессов на ростовой поверхности. Изначально интерес к данным поверхностным структурам Sn/Si(111) был обусловлен резкой границей раздела металл/полупроводник, являющейся важной для создания барьеров Шоттки [54] и исследования систем двумерных моттовских состояний [55]. В рамках же данной работы наиболее важным является тот факт, что поскольку слой сурфактанта всегда должен оставаться над ростовой поверхностью, то все процессы зарождения 2D островков, их разрастания и коалесценции будут происходить под слоем сурфактанта, составляющего примесную поверхностную реконструкцию [45,56]. Иначе говоря, зарождение эпитаксиального 2D островка будет происходить над вышележащим слоем подложки Si(111) c латеральной структурой (1х1), как у плоскостей (111) в объёме кристалла Si. То есть, в данном случае для формирования нового эпитаксиального слоя не требуется перестройка атомов нижележащего слоя для устранения дефекта упаковки как при эпитаксиальном росте на чистой поверхности Si(111)-(7x7). В свою очередь, осаждение примесных атомов может повлечь за собой увеличение шероховатости (огрубление) ростовой поверхности: например, было показано, что формирование сурфактантного покрытия Sb на поверхности Si(111) приводит к дисбалансу поверхностной плотности атомов Si, что влечёт за собой образование вакансионных и ростовых 2D островков на террасах [57]. Поскольку тип примесной реконструкции Sn зависит от температуры подложки и величины осаждённого покрытия Sn [52], то следует ожидать, что процедура осаждения Sn может повлиять на морфологию изначальной поверхности с широкими атомно-гладкими террасами, что в дальнейшем скажется на качестве выращенных впоследствии эпитаксиальных слоёв. Поэтому, формирование поверхности Sn/Si(111) пригодной для последующего эпитаксиального роста требует детальной информации об атомных процессах, протекающих на поверхности Si(111) в ходе индуцированных осаждением Sn структурных переходов, особенно в температурном диапазоне 300-700°С. Структура, атомные и электронные свойства примесных реконструкций Sn на поверхности Si(111) были подробно изучены различными экспериментальными методами, включающими СТМ [53,58-63], дифракцию быстрых электронов на отражение (ДБЭО) [52], дифракцию медленных электронов (ДМЭ) [51],

спектроскопию рассеяния ионов [64,65], ab initio расчёты [60,66] и т.д. Однако данные методики не позволяют визуализировать морфологические и структурные изменения на поверхности Si(111) непосредственно в процессе осаждения атомов Sn, их взаимодействия с атомными ступенями, десорбции и электромиграции в температурном диапазоне 300-700°С, типичном для эпитаксиального роста Si и Ge на поверхности Si(111) [17,18,21,49]. Альтернативой могут стать in situ методы, показавшие свою эффективность при изучении как эпитаксиального роста [17-19,21], так и процессов осаждения металлов [67-69] на поверхности Si(111).

В настоящей работе для исследования процессов эпитаксиального роста Si и Ge, а также адсорбции покрытий Sn на поверхности Si(111) использовался метод сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии (СВВ ОЭМ) [70]. Данный метод позволяет производить in situ эксперименты по росту и сублимации в широком диапазоне температур, ограниченном сверху температурой плавления кремния. Более детальный анализ ростовых поверхностей производился ex situ методом атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Целью данной работы являлось определение количественных параметров, контролирующих начальные стадии эпитаксиального роста Ge и Si на чистой поверхности Si(111) и в присутствии сурфактантного покрытия Sn, а также выявление физических закономерностей формирования смачивающих металлических покрытий Sn на поверхности Si(111).

Для достижения данной цели были выдвинуты следующие задачи:

1. Изучить влияние атомных ступеней поверхностей Si(111) и Sn/Si(111) на процессы 2D-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Ge и Si на основе измерения зависимостей ширины областей обеднения от структуры ступеней, температуры подложки и скорости осаждения;

2. Определить атомистические параметры, определяющие механизмы зарождения кремниевых и германиевых 2D островков на террасах повышенного размера для чистой поверхности Si(111)-(7*7) и для поверхности Si(111) с сурфактантным покрытием Sn — доминирующий тип частиц, осуществляющих поверхностный массоперенос, энергию активации их диффузии, критический размер зародыша двумерного островка.

3. Изучить процессы морфологических и структурных трансформаций на поверхности Si(111), индуцированных осаждением, десорбцией и электромиграцией покрытий Sn при температурах подложки до 860°.

Научная новизна работы:

• На основе анализа ширин областей обеднения по 2D островкам вблизи атомных ступеней подтверждена доминирующая роль вклада нанокластерной динамики в массоперенос на начальных стадиях эпитаксиального роста Si и Ge на поверхности Si(111)-(7x7) при T> 500°C.

• Установлено, что высокая концентрация изломов на атомных ступенях обеспечивает лимитируемую исключительно поверхностной диффузией кинетику зарождения и роста (DL кинетика, diffusion limited) для 2D островков вблизи атомных ступеней на начальных стадиях осаждения Ge и Si на поверхность Si(111)-(7x7); рост Ge в центре широких террас поверхности Si(111)-(7x7) также определяется DL кинетикой, что обеспечивается низкими барьерами на встраивание в край 2D островка.

• Обнаружено, что сверхструктурный переход (7x7) ^ (V3xV3)-Sn, индуцированный осаждением 1/3 МС Sn при Т < 650°C, приводит к зарождению кремниевых 2D островков на террасах шириной более 1 мкм, тогда как при Т > 650°C данный сверхструктурный переход не сопровождается зарождением 2D островков, однако наблюдается смещение атомных ступеней в направлении вышележащих террас, причём с ростом температуры увеличивается дистанция, на которую смещаются ступени, и уменьшается покрытие Sn, необходимое для заполнения поверхности реконструкцией (V3xV3)-Sn.

• Обнаружено, что нагрев подложки постоянным электрическим током активирует процессы электромиграции Sn на поверхности Si(111), что оказывает влияние на протекание структурных переходов (V3xV3)-Sn ^ "1x1"-Sn как при осаждении Sn, так и при отжиге поверхности с предварительно осаждёнными покрытиями Sn.

• Обнаружено, что структурные изменения, индуцированные осаждением и десорбцией покрытий Sn более 1/3 МС, приводят к значительным морфологическим изменениям на поверхности Si(111).

• Установлено, что сурфактантное покрытие Sn на поверхности Si(111) не пассивирует края атомных ступеней и увеличивает поверхностную диффузию адатомов Si относительно гомоэпитаксии на чистой поверхности Si(111)-(7x7), что обеспечивает

DL кинетику 2D-островкового зарождения и роста по всей поверхности Si(111)-y-(V3xV3)-Sn при Т = 700°C.

Теоретическая и практическая значимость работы

Полученные качественные и количественные данные о характере массопереноса и 2D островкового зарождения на начальных стадиях осаждения Ge представляют интерес как для построения достоверной модели гетероэпитаксиального роста на реконструированной поверхности Si(111)-(7*7) при повышенных температурах, так и для оптимизации процесса роста смачивающих слоёв Ge, используемых в качестве буферных слоёв при изготовлении многослойных гетероструктур с большим рассогласованием параметров решётки. Именно изломы на краях атомных ступеней, концентрация которых увеличивается в процессе термического отжига на стадии подготовки ростовой поверхности, определяет кинетику встраивания ростового материала в кристаллическую решётку подложки на начальных стадиях гомо- и гетероэпитаксии на поверхности Si(111)-(7*7).

Визуализация процессов осаждения, электромиграции и десорбции покрытий Sn на поверхности Si(111) переводит на более качественный уровень представление о фундаментальных взаимодействиях атомов металлов с полупроводниковой кристаллической подложкой. In situ контроль подготовки слоя Sn в качестве сурфактанта для модификации эпитаксиального роста на поверхности Si(111) позволяет разработать технологии получения ростовой поверхности с минимальным количеством дефектов. Продемонстрирована возможность варьирования содержания Si и Sn в реконструкции у-(V3xV3)-Sn, что позволяет изменять свойства примесного покрытия Sn на поверхности Si(111) от металлических к полупроводниковым. Возможность изменять локальную концентрацию осаждённого покрытия Sn обеспечит предотвращение сегрегации Sn при последующих процедурах изготовления растворов Sn с другими материалами (например с Ge) на поверхности Si(111).

Проведённый сравнительный анализ экспериментальных результатов по зарождению 2D островков Si на широких атомно-гладких поверхностях Si(111)-(7*7) и Si(111)-(V3 W3)-Sn показал, что предложенные ранее другими авторами концепции некорректно описывают влияние сурфактантного покрытия Sn на механизмы гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(111). Даже в условиях повышенных температур наличие покрытий Sn не приводит к полному подавлению 2D-островкового зарождения на поверхности Si(111). Показано, что адсорбция Sn не пассивирует края атомных ступеней, которые в силу изначальной высокой концентрации изломов на них продолжают оставаться эффективными

центрами стока для ростового материала, что следует учитывать при изготовлении многослойных гетероструктур на основе Sn, Si и Ge.

Методология и методы исследования

Основными объектами исследования выступали образцы кристаллического Si(111) на поверхность которых осуществлялось осаждение покрытий Si, Ge, Sn как по отдельности, так и последовательно в области температур 200-860°C. Формирование начальной морфологии ростовой поверхности образцов Si(111) с участками, содержащими широкие атомно-гладкие террасы и эшелоны ступеней, а также осаждение на них атомов адсорбата из специально разработанных и изготовленных источников производилось в камере сверхвысоковакуумного отражательного электронного микроскопа (СВВ ОЭМ), позволяющего в режиме in situ регистрировать и контролировать морфологические и структурные изменения на ростовой поверхности. Дальнейшее исследование морфологии полученных ростовых поверхностей Si/Si(111)-(7x7), Ge/Si(111)-(7x7), Sn/Si(111), Si/Si(111)-(V3 xV3)-Sn, Ge/Si(111)-(V3 xV3)-Sn производилось с помощью ex situ атомно-силовой микроскопии (АСМ).

На защиту выносятся следующие положения:

1. Германий-кремниевые и кремниевые нанокластеры являются доминирующими частицами, обеспечивающими поверхностный массоперенос на поверхности Si(111)-(7x7) на начальных стадиях эпитаксиального роста Ge и Si при температурах подложки выше 500°C и 600°C соответственно. Энергия активации диффузии смешанных германий-кремниевых нанокластеров составляет 1.3-1.4 эВ.

2. Кинетика 2D островкового зарождения и роста вблизи ступеней (для Ge и Si эпитаксии) и в центре широких террас (для эпитаксии Ge) лимитируется поверхностной диффузией нанокластеров, а критический зародыш 2D островка состоит из i > 18 нанокластеров (126-144 атомов).

3. Перестроение атомов Si в поверхностном слое подложки Si(111) в ходе сверхструктурного перехода (7x7) ^ (V3xV3)-Sn, индуцированного осаждением Sn, сопровождается адсорбцией 0.08 МС Si, что при Т < 650°С и ширине террас более 1 мкм приводит к зарождению кремниевых 2D островков. При Т > 650°C адатомы Si участвуют в формировании у-фазы реконструкции (V3xV3)-Sn, что приводит к резкому уменьшению их концентрации на поверхности и возникновению компенсирующего потока атомов Si из ступеней. С ростом температуры увеличивается доля атомов Si в реконструкции y-(V3xV3)-

Sn, при этом суммарное адсорбированное покрытие Sn и Si соответствует величине в 1/3 МС.

4. Атомы Sn, составляющие домены разупорядоченной фазы "1x 1"-Sn на поверхности Si(111) при покрытиях ~ 1 МС Sn и Т > 200°C, обладают положительным эффективным зарядом величиной как минимум 0.001*е (где е — элементарный заряд), вследствие чего электрическое поле оказывает сильное влияние на перераспределение осаждённых покрытий Sn и на фазовые переходы (V3W3)-Sn ^ "1x1"-Sn. Электромиграция доменов "1xi"-Sn индуцирует повышенный неравномерный массоперенос, что приводит к травлению краёв ступеней и их последующей кластеризации.

5. Наличие сурфактантного слоя у- (V3xV3)-Sn на поверхности Si(111) при Т = 700°C приводит к повышению поверхностной диффузии адатомов Si и увеличению энергии формирования критического зародыша, что выражается в двукратном увеличении характерных расстояний между 2D островками, по сравнению с ростом Si на поверхности Si(111)-(7x7). Кинетика 2D-островкового зарождения и роста на поверхности Si(111)-y-(V3xV3)-Sn лимитирована поверхностной диффузией адатомов Si как вблизи ступеней, так и в центре широких террас, а критический зародыш кремниевого 2D островка округлой формы состоит из i ~ 20-100 атомов Si.

Степень достоверности и апробация работы

Достоверность полученных результатов и сделанных на их основе выводов обеспечивается использованием уникального метода in situ СВВ ОЭМ для визуализации морфологических трансформаций на поверхности Si(111) как при эпитаксиальном росте, так и при осаждении примесных металлических покрытий Sn, воспроизводимостью экспериментальных результатов, а также сопоставлением с общепринятыми на данный момент теоретическими подходами и экспериментальными результатами, представленными другими авторами.

Основные результаты, изложенные в рамках данной работы, представлялись и обсуждались на конкурсе научных работ сотрудников ИФП СО РАН, конкурсах молодых учёных ИФП СО РАН, а также докладывались на следующих российских и международных конференциях: 6th European Conference on Crystal Growth (Varna, Bulgaria, 2018); 12-14-я Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИИ» (Черноголовка, 2018; Ялта, 2020; Новосибирск, 2022); 20-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и

наноэлектроронике (Санкт-Петербург, 2018); Mechanisms and non-linear problems of nucleation and growth of crystals and thin films (Санкт-Петербург, 2019); 14-я Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2019» (Новосибирск, 2019); Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем (АППН)» (Новосибирск, 2019, 2020, 2021), 5th and 6th Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (Владивосток, 2020, 2022).

Публикации

Результаты исследований по теме диссертационной работы опубликованы в 6 статьях в рецензируемых научных журналах, входящих в перечень ВАК, и 12 тезисах докладов в трудах российских и международных конференций. Полный список наименований работ приведён в конце диссертации.

Личный вклад соискателя заключался в разработке испарительных ячеек специальной конструкции, совместимых с условиями СВВ ОЭМ, проведении in situ СВВ ОЭМ экспериментов по осаждению Ge, Si и Sn, ex situ АСМ измерении полученных ростовых поверхностей, обработке, анализе и интерпретации экспериментальных данных, формулировке выводов, их представлению на научных конкурсах и конференциях, а также написании научных статей по материалам полученных результатов и их публикации в рецензируемых журналах. Постановка цели и задач работы, а также обсуждение результатов осуществлялись совместно с научным руководителем.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Петров Алексей Сергеевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные результаты и выводы диссертационной работы

1. Показано, что при температурах роста выше 600°C зависимость ширины зоны обеднения по 2D островкам Si W(T) изменяет свой наклон с увеличением активационной энергии от E2D ~ 1 эВ до Е^~1.8эВ, при этом значения W полностью совпадают с оценками длины миграции кремниевых нанокластеров. Данный результат подтверждает переход режима массопереноса от поверхностной диффузии исключительно адатомов Si при низких температурах к диффузии нанокластеров Si при температурах выше 600°C на поверхности Si(111)-(7x7). Подобное увеличение E2D вблизи T = 500°C для эпитаксии Ge на поверхности Si(111)-(7^7) также связано с активацией диффузионных скачков германий-кремниевых нанокластеров и их определяющим вкладом в поверхностный массоперенос при повышенных температурах. Получена оценка энергии активации диффузии германий-кремниевых нанокластеров — 1.3-1.4 эВ.

2. Установлено, что высокая концентрация изломов ступеней, являющихся эффективными центрами стока для ростового материала на поверхности, обеспечивает DL кинетику роста вблизи ступеней с размером критического зародыша 2D островка i > 18 нанокластеров (126-144 атомов) в случае эпитаксии и Si, и Ge. В отличие от гомоэпитаксии на поверхности Si(111)-(7x7), пренебрежимо малые барьеры на встраивание в край германиевого 2D островка сохраняют преобладание DL кинетики роста с > 18 нанокластеров в центре широких террас при осаждении Ge.

3. Методом in situ СВВ ОЭМ были впервые визуализированы и изучены структурные и морфологические изменения на поверхности Si(111) в условиях адсорбции, электромиграции и десорбции покрытий Sn до 2 МС в интервале температур 200-860°C.

4. Выявлено, что сверхструктурный переход (7x7) ^ (V3xV3)-Sn, индуцируемый осаждением до 1/3 МС Sn, приводит к адсорбции 0.08 МС Si на поверхности Si(111), что при T < 650°C влечёт за собой зарождение 2D островков Si на террасах шириной более 1 мкм. При T > 650°C данный сверхструктурный переход сопровождается смещением атомных ступеней в сторону вышележащих террас, а эмитированные при этом ступенями атомы Si участвуют в формировании смешанной Sn-Si у-фазы реконструкции (V3xV3)-Sn. Формирование структуры у- (V3xV3)-Sn, исключающее 2D

островковое зарождение, позволяет подготовить поверхность Si(111) с широкими атомно-гладкими террасами, где слой Sn выступает сурфактантом для последующей эпитаксии.

5. Осаждение покрытий Sn более 1/3 МС при Т > 200°С приводит к зарождению и разрастанию на террасах поверхности Si(111) разупорядоченной фазы "1хГ'^п, заполняющей всю поверхность при достижении покрытия ~ 1 МС Sn. Установлено, что атомы Sn, составляющие разупорядоченные домены "1хГ'^п, характеризуются положительным эффективным зарядом (> 0.001хе), что определяет направленный дрейф доменов "1хГ'^п вдоль электрического поля. Электромиграция доменов "1хГ'^п приводит к возникновению повышенного неоднородного массопереноса Si, который проявляется в травлении краёв атомных ступеней и их последующей кластеризации, образованием 2Б островков вдоль ступеней и отрицательных 2Б островков (вакансий) на террасах. Получена оценка энергии десорбции адатома Sn из домена разупорядоченной фазы "1хГ'^п на поверхности Si(111) — 2.5 ± 0.1 эВ.

6. Показано, что при субмонослойной гомоэпитаксии на поверхности Si(111)-y-(V3xVз)-Sn при 700°С наличие сурфактантного слоя Sn не приводит к пассивации краёв атомных ступеней, что обеспечивает БЬ кинетику 2Б-островкового зарождения и роста по всей поверхности Si(111) с вдвое большими величинами зон обеднения вблизи ступеней и характерных расстояний между 2Б островками, по сравнению с гомоэпитакссией на чистой поверхности Si(111)-(7x7), при тех же параметрах роста. Критический зародыш кремниевого 2Б островка на поверхности Si(111)-y-(V3xVз)-Sn состоит из ~ 20-100 атомов Si.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Петров Алексей Сергеевич, 2024 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Wong, H. The road to miniaturization / Hei Wong, Hiroshi Iwai // Phys. World. — 2005.

— Vol. 18, No. 9. — PP. 40-44.

2. Alferov, Z. I. The semiconductor revolution in the 20th century / Zh I. Alferov // Russ. Chem. Rev. — 2013. — Vol. 82, No. 7. — PP. 587-596.

3. Wirths, S. Si - Ge - Sn alloys : From growth to applications / S. Wirths, D. Buca, S. Mantl // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. — Elsevier Ltd, 2016. — Vol. 62, No. 1. — PP. 139.

4. Maeda, T. Ultrathin GeSn p-channel MOSFETs grown directly on Si(111) substrate using solid phase epitaxy / Tatsuro Maeda, Wipakorn Jevasuwan, Hiroyuki Hattori, et al. // Jpn. J. Appl. Phys. — 2015. — Vol. 54, No. 4S. — P. 04DA07.

5. Aqua, J.-N. Growth and self-organization of SiGe nanostructures / J. N. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frisch, A. Ronda // Phys. Rep. — Elsevier B.V., 2013. — Vol. 522, No. 2. — PP. 59-189.

6. Latyshev, A. V. Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation / A. V. Latyshev, A. L. Aseev, A. B. Krasilnikov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1989. — Vol. 213, No. 1. — PP. 157-169.

7. Sitnikov, S. V. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth / S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // Semiconductors. — 2017. — Vol. 51, No. 2. — PP. 203-206.

8. Ситников, С. В. Способ формирования атомно-гладкой поверхности твердотельного материала / С. В. Ситников, С. С. Косолобов, Д. В. Щеголов, А. В. Латышев // пат. 2453874. — РФ, 2012.

9. Evans, J. W. Morphological evolution during epitaxial thin film growth: Formation of 2D islands and 3D mounds / J. W. Evans, P. A. Thiel, M. C. Bartelt // Surf. Sci. Rep. — 2006.

— Vol. 61, No. 1-2. — PP. 1-128.

10. Takayanagi, K. Structure analysis of Si(111)-7*7 reconstructed surface by transmission electron diffraction / Kunio Takayanagi, Yasumasa Tanishiro, Shigeki Takahashi, Masaetsu Takahashi // Surf. Sci. — 1985. — Vol. 164, No. 2-3. — PP. 367-392.

11. Filimonov, S. Multistage nucleation of two-dimensional Si islands on on Si(111)-7*7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model / Sergey

Filimonov, Vasily Cherepanov, Yuri Hervieu, Bert Voigtlander // Phys. Rev. B. — 2007.

— Vol. 76, No. 3. — P. 035428.

12. Shimada, W. Microscopic mechanism of the homoepitaxy on Si(111)7x7 / Wataru Shimada, Tomoshige Sato, Hiroshi Tochihara // Phys. Rev. B. — 2016. — Vol. 94, No. 3.

— P.035402.

13. Voigtlander, B. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth / Bert Voigtlander // Surf. Sci. Rep. — 2001. — Vol. 43, No. 5-8. — PP. 127-254.

14. Asaoka, H. Size of small Si and Ge clusters on Si(111) and Ge(111) surfaces / Hidehito Asaoka, Vasily Cherepanov, Bert Voigtlander // Surf. Sci. — 2005. — Vol. 588, No. 1-3.

— PP. 19-25.

15. Cherepanov, V. Influence of material, surface reconstruction, and strain on diffusion at the Ge(111) surface / Vasily Cherepanov, Bert Voigtlander // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, No. 12. — P. 125331.

16. Chung W. F. The transition to step flow growth on the clean and surfactant covered Si (111) surface studied by in-situ LEEM / Chung W. F., K. Bromann, M. S. Altman // Int. J. Mod. Phys. B. — 2002. — Vol. 16, No. 28&29. — PP. 4353-4362.

17. Iwanari, S. Surfactant epitaxy of Si on Si(111) surface mediated by a Sn layer I. Reflection electron microscope observation of the growth with and without a Sn layer mediate the step flow / S. Iwanari, K. Takayanagi // J. Cryst. Growth. — 1992. — Vol. 119, No. 3-4. — PP. 229-240.

18. Iwanari, S. Surfactant epitaxy of Si on Si(111) surface mediated by a Sn layer II. Critical step flow of the growth with and without mediate / S. Iwanari, Y. Kimura, K. Takayanagi // J. Cryst. Growth. — 1992. — Vol. 119, No. 3-4. — PP. 241-247.

19. Latyshev, A. V. In situ reflection electron microscope observation of two-dimensional nucleation on Si(111) during epitaxial growth / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev // Thin Solid Films. — Elsevier Science S.A., 1996. — Vol. 281-282. — PP. 20-23.

20. Rogilo, D. I. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth / D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, B. S. Ranguelov, A. V. Latyshev // J. Cryst. Growth. — Elsevier, 2016. — Vol. 457. — PP. 188-195.

21. Rogilo, D. I. On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si(111)-(7 x 7)

surface / D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // Surf. Sci. — 2018.

— Vol. 667. — PP. 1-7.

22. Rogilo, D. I. Critical terrace width for two-dimensional nucleation during Si growth on Si(111)-(7x7) surface / D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, B. S. Ranguelov, A. V. Latyshev // Phys. Rev. Lett. — 2013. — Vol. 111, No. 3. — P. 036105.

23. Voigtlander, B. Simultaneous molecular beam epitaxy growth and scanning tunneling microscopy imaging during Ge/Si epitaxy / Bert Voigtlander, André Zinner // Appl. Phys. Lett. — 1993. — Vol. 63, No. 22. — PP. 3055-3057.

24. Venables, J. A. Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics / J. A. Venables // Philos. Mag. — 1973. — Vol. 27, No. 3. — PP. 697-738.

25. Venables, J. A. Atomic processes in crystal growth / John A. Venables. — 1994.

26. Suzumura, I. Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy / I. Suzumura, M. Okada, A. Muto, Y. Torige, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda // Thin Solid Films.

— 2000. — Vol. 369, No. 1-2. — PP. 116-120.

27. Kandel, D. Surfactant Mediated Crystal Growth of Semiconductors / Daniel Kandel, Efthimios Kaxiras // Phys. Rev. Lett. — 1995. — Vol. 75, No. 14. — PP. 2742-2745.

28. Cho, K. Diffusion of adsorbate atoms on the reconstructed Si(111) surface / Kyeongjae Cho, Efthimios Kaxiras // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 396, No. 1-3. — PP. L261-L266.

29. Wang, Y.-L. Toward a Detailed Understanding of Si(111)- 7*7 Surface and Adsorbed Ge Nanostructures: Fubrications, Structures, and Calculations / Ye-Liang Wang, Hai-Ming Guo, Zhi-Hui Qin, Hai-Feng Ma, Hong-Jun Gao // J. Nanomater. — 2008. — Vol. 2008, No. 1. — PP. 1-18.

30. Shklyaev, A. A. Ge islands on Si(111) at coverages near the transition from two-dimensional to three-dimensional growth / Alexander A. Shklyaev, Motoshi Shibata, Masakazu Ichikawa. — 1998. — Vol. 416. — PP. 192-199.

31. Shklyaev, A. A. Instability of two-dimensional layers in the Stranski-Krastanov growth mode of Ge on Si (111) / Alexander A. Shklyaev, Motoshi Shibata, Masakazu Ichikawa. — 1998. — Vol. 58, No. 23. — PP. 647-651.

32. Shklyaev, A. A. Instability of 2D Ge layer near the transition to 3D islands on Si(111) / Alexander A. Shklyaev, Motoshi Shibata, Masakazu Ichikawa. — 1999. — Vol. 344. — PP. 532-536.

33. Teys, S. A. Formation of Ge nanoislands before the completion of a wetting layer in the Ge/Si(111) system / S. A. Teys, A. B. Talochkin, B. Z. Olshanetsky // J. Cryst. Growth. — 2009. — Vol. 311, No. 15. — PP. 3898-3903.

34. Burton, W. K. The Growth of Crystals and the Equilibrium Structure of their Surfaces / W. K. Burton, N. Cabrera, F. C. Frank // Philos. Trans. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci. — 1951. — Vol. 243, No. 866. — PP. 299-358.

35. Woodruff, D. P. How does your crystal grow? A commentary on Burton, Cabrera and Frank (1951) "The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces" / D. P. Woodruff // Philos. Trans. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci. — 2015. — Vol. 373, No. 2039.

— PP.20140230-20140230.

36. Suzuki, M. Growth of nanoscale Ge magic islands on Si(111)-7*7 substrate / M. Suzuki, Y. Shigeta // Surf. Sci. — 2003. — Vol. 539, No. 1-3. — PP. 113-119.

37. Teys, S. A. Initial Stages of Ge Epitaxy on Si ( 111 ) Under Quasi Equilibrium Growth Conditions / S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Ilin, A. K. Gutakovskii, A. V Kolesnikov.

— 2010. — Vol. 92, No. 6. — PP. 388-395.

38. Voigtländer, B. Magic Islands in Si/Si(111) Homoepitaxy / Bert Voigtländer, Martin Kästner, Pavel Smilauer // Phys. Rev. Lett. — 1998. — Vol. 81, No. 4. — PP. 858-861.

39. Pimpinelli, A. What does an evaporating surface look like? / Alberto Pimpinelli, Jacques Villain // Phys. A Stat. Mech. its Appl. — 1994. — Vol. 204, No. 1-4. — PP. 521-542.

40. Filimonov, S. N. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu Yu Hervieu // Surf. Sci. — 2004. — Vol. 553, No. 1-3. — PP. 133144.

41. Ranguelov, B. Critical terrace width for step flow growth: Effect of attachment- detachment asymmetry and step permeability / Bogdan Ranguelov, M. S. Altman, Ivan Markov // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. — 2007. — Vol. 75, No. 24. — PP. 1-5.

42. Ebner, C. Simulations of denuded-zone formation during growth on surfaces with anisotropic diffusion / C. Ebner, K. B. Park, J. F. Nielsen, J. P. Pelz // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, No. 24. — P. 245404.

43. Kim, H. J. A technique for the measurement of surface diffusion coefficient and activation energy of Ge adatom on Si(001) / H. J. Kim, Z. M. Zhao, J. Liu, V. Ozolins, J. Y. Chang, Y. H. Xie // J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 95, No. 11. — PP. 6065-6071.

44. Mo, Y.-W. Anisotropy in surface migration of Si and Ge on Si(001) / Y. W. Mo, M. G. Lagally // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 248, No. 3. — PP. 313-320.

45. Markov, I. Nucleation and step-flow growth in surfactant mediated homoepitaxy with exchange/de-exchange kinetics / Ivan Markov // Surf. Sci. — 1999. — Vol. 429, No. 1. — PP. 102-116.

46. Zhachuk, R. Mechanisms of Si and Ge diffusion on surfactant terminated (111) silicon and germanium surfaces / R. Zhachuk, J. Coutinho // Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2016. — Vol. 647. — PP. 12-16.

47. Werner, J. Germanium-tin p-i-n photodetectors integrated on silicon grown by molecular beam epitaxy / J. Werner, M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, A. Schirmer, E. Kasper, J. Schulze // Appl. Phys. Lett. — 2011. — Vol. 98, No. 6. — PP. 10-13.

48. Talochkin, A. B. Sn - Induced decomposition of SiGeSn alloys grown on Si by molecular-beam epitaxy / A. B. Talochkin, V. A. Timofeev, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov // J. Cryst. Growth. — Elsevier B.V., 2017. — Vol. 478, No. September. — PP. 205-211.

49. Dolbak, A. Effect of adsorbed Sn on Ge diffusivity on Si(111) surface / Andrey Dolbak, Boris Olshanetsky // Open Phys. — 2008. — Vol. 6, No. 3. — PP. 634-637.

50. Lin, X. W. Ge/Si heterostructures grown by Sn-surfactant-mediated molecular beam epitaxy / X. W. Lin // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. — 1995. — Vol. 13, No. 4. — PP. 1805-1809.

51. Estrup, P. Studies of monolayers of lead and tin on Si(111) surfaces / P. Estrup, J. Morrison // Surf. Sci. — 1964. — Vol. 2, No. C. — PP. 465-472.

52. Ichikawa, T. Structural study of ultrathin Sn layers deposited onto Ge(111) and Si(111) surfaces by RHEED / Toshihiro Ichikawa // Surf. Sci. — 1984. — Vol. 140, No. 1. — PP. 37-63.

53. Törnevik, C. Adsorption of Sn on Si(111)7x7: reconstructions in the monolayer regime / C. Törnevik, M. Göthelid, M. Hammar, U. O. Karlsson, N. G. Nilsson, S. A. Flodström, C. Wigren, M. Östling // Surf. Sci. — 1994. — Vol. 314, No. 2. — PP. 179-187.

54. Griffiths, C. L. Effect of surface reconstruction on Fermi-level pinning in the Sn on Si(111) system / C. L. Griffiths // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. — 1993. — Vol. 11, No. 4. — PP. 1559-1563.

55. Jäger, M. a-Sn phase on Si(111): Spin texture of a two-dimensional Mott state / M. Jäger,

C. Brand, A. P. Weber, M. Fanciulli, J. H. Dil, H. Pfnur, C. Tegenkamp // Phys. Rev. B. — 2018. — Vol. 98, No. 16. — P. 165422.

56. Markov, I. Kinetics of nucleation in surfactant-mediated epitaxy / Ivan Markov // Phys. Rev. B. — 1996. — Vol. 53, No. 7. — PP. 4148-4155.

57. Hasegawa, S. Interface roughening in surfactant deposition / Shigehiko Hasegawa, Robert G. Ryland, Ellen D. Williams // Appl. Phys. Lett. — 1994. — Vol. 65, No. 20. — PP. 26092611.

58. Tornevik, C. Epitaxial growth of Sn on Si(111): A direct atomic-structure determination of the (2V3x2V3)R30° reconstructed surface / C. Tornevik, M. Hammar, N. G. Nilsson, S. A. Flodstrom // Phys. Rev. B. — 1991. — Vol. 44, No. 23. — PP. 13144-13147.

59. Eriksson, P. E. J. Atomic and electronic structures of the ordered 2V3x2V3 and molten 1x1 phase on the Si(111):Sn surface / P. E. J. Eriksson, J. R. Osiecki, Kazuyuki Sakamoto, R. I. G. Uhrberg // Phys. Rev. B. — 2010. — Vol. 81, No. 23. — P. 235410.

60. Ichikawa, T. Structural study of Si(111)(2^3 x2V3)R30°-Sn surfaces / Toshihiro Ichikawa, Kohei Cho // Jpn. J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 42, No. Part 1, No. 8. — PP. 5239-5245.

61. Ronci, F. Detecting and localizing surface dynamics with STM: a study of the Sn/Ge(111) and Sn/Si(111) a-phase surfaces / Fabio Ronci, Stefano Colonna, Antonio Cricenti, Guy Le Lay // J. Phys. Condens. Matter. — 2010. — Vol. 22, No. 26. — P. 264003.

62. Levermann, A. H. The atomic structure of the Si(111) reconstruction / A. H. Levermann, P. B. Howes, K. A. Edwards, et al. // Appl. Surf. Sci. — 1996. — Vol. 104-105, No. 5. — PP. 124-129.

63. Nogami, J. Structure of submonolayers of tin on Si(111) studied by scanning tunneling microscopy / J. Nogami, Sang-il Park, C. F. Quate // J. Vac. Sci. Technol. A. — 1989. — Vol. 7, No. 3. — PP. 1919-1921.

64. Worthington, M. S. Surface reconstructions of the Sn/Si(111) system investigated by ion-scattering spectrometry and scanning tunneling microscopy / M. S. Worthington, J. L. Stevens, C. S. Chang, I. S. T. Tsong // Nucl. Inst. Methods Phys. Res. B. — 1992. — Vol. 64, No. 1-4. — PP. 566-571.

65. Worthington, M. S. Si(111)-(2V3x2V3)Sn reconstruction studied by ion scattering spectrometry and scanning tunneling microscopy / M. S. Worthington, J. L. Stevens, C. S. Chang, I. S. T. Tsong // J. Vac. Sci. Technol. A. — 1992. — Vol. 10, No. 4. — PP. 657663.

66. Ressel, B. Scanning tunneling spectroscopy investigation of the (V3*V3)R30° Sn/Si(111) a and у surfaces / B. Ressel, C. Di Teodoro, G. Profeta, L. Ottaviano, V. Châb, K. C. Prince // Surf. Sci. — 2004. — Vol. 562, No. 1-3. — PP. 128-136.

67. Takayanagi, K. In-situ UHV electron microscope study of metal-silicon surfaces / K. Takayanagi, Y. Tanishiro, T. Ishitsuka, K. Akiyama // Appl. Surf. Sci. — 1990. — Vol. 4142. — PP. 337-341.

68. Latyshev, A. V. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev // Appl. Surf. Sci. — 1992. — Vol. 60-61, No. C. — PP. 397-404.

69. Krasilnikov, A. B. Transformation of a Si(111) stepped surface during the formation of a Si(3*1)Ca superstructure / A. B. Krasilnikov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev // Surf. Sci. — 1993. — Vol. 290, No. 3. — PP. 232-238.

70. Latyshev, A. V. Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy / A. V. Latyshev, A. L. Aseev, A. B. Krasilnikov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1990. — Vol. 227, No. 1-2. — PP. 24-34.

71. Кукушкин, С. А. Процессы конденсации тонких плёнок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Успехи физических наук. — 1998. — Vol. 168, No. 10. — PP. 1083-1116.

72. Pang, A. B. Step line tension and step morphological evolution on the Si(111)-(1*1) surface / A. B. Pang, K. L. Man, M. S. Altman, T. J. Stasevich, F. Szalma, T. L. Einstein // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 77, No. 11. — P. 115424.

73. Filimonov, S. N. Step permeability effect and interlayer mass-transport in the Ge/Si (111 ) MBE / S. N. Filimonov, Yu Yu. — 2005. — Vol. 8. — PP. 31-34.

74. Hervieu, Y. Y. Kinetics of second layer nucleation with permeable steps / Yu. Yu. Hervieu, Ivan Markov // Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2014. — Vol. 628. — PP. 76-81.

75. Schwoebel, R. L. Step motion on crystal surfaces / Richard L. Schwoebel, Edward J. Shipsey // J. Appl. Phys. — 1966. — Vol. 37, No. 10. — PP. 3682-3686.

76. Walton, D. Nucleation of Vapor Deposits / D. Walton // J. Chem. Phys. — 1962. — Vol. 37, No. 10. — PP. 2182-2188.

77. Kandel, D. Initial Stages of Thin Film Growth in the Presence of Island-Edge Barriers / Daniel Kandel // Phys. Rev. Lett. — 1997. — Vol. 78, No. 3. — PP. 499-502.

78. Chung, W. F. Kinetic length, step permeability, and kinetic coefficient asymmetry on the Si(111) (7x7) surface / W. F. Chung, M. S. Altman // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, No. 7. — P. 075338.

79. Stoyanov, S. Electromigration induced step bunching on si surfaces-how does it depend on the temperature and heating current direction? / Stoyan Stoyanov // Jpn. J. Appl. Phys. — 1991. — Vol. 30, No. 1. — PP. 1-6.

80. O Coileain, C. Critical field behavior and antiband instability under controlled surface electromigration on Si(111) / C. O Coileain, V. Usov, I. V. Shvets, S. Stoyanov // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. — 2011. — Vol. 84, No. 7. — P. 075318.

81. Rodyakina, E. E. Drift of adatoms on the (111) silicon surface under electromigration conditions / E. E. Rodyakina, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // JETP Lett. — 2011. — Vol. 94, No. 2. — PP. 147-151.

82. Liu, D. J. Quantitative theory of current-induced step bunching on Si(111) / Da Jiang Liu, John D. Weeks // Phys. Rev. B. — 1998. — Vol. 57, No. 23. — PP. 14891-14900.

83. Ranguelov, B. Step density waves on growing vicinal crystal surfaces - Theory and experiment / Bogdan Ranguelov, Pierre Müller, Jean Jacques Metois, Stoyan Stoyanov // J. Cryst. Growth. — Elsevier, 2017. — Vol. 457. — PP. 184-187.

84. Guo, H. M. Formation of Ge nanoclusters on Si (111)-7x7 surface at high temperature / H. M. Guo, Y. L. Wang, H. W. Liu, H. F. Ma, Z. H. Qin, H. J. Gao // Surf. Sci. — 2004. — Vol. 561. — PP. 227-232.

85. Ong, W. J. Real time dynamics of Si magic clusters mediating phase transformation : Si (111)-(1 x 1) to (7x7) reconstruction revisited / Wei Jie Ong, Eng Soon Tok // Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2012. — Vol. 606, No. 13-14. — PP. 1037-1044.

86. Hwang, I. S. Dynamic behavior of si magic clusters on Si(111) surfaces / Ing Shouh Hwang, Mon Shu Ho, Tien T. Tsong // Phys. Rev. Lett. — 1999. — Vol. 83, No. 1. — PP. 120123.

87. Hwang, I. Dynamic behavior of Si magic clusters on Si(111) surfaces / Ing-shouh Hwang, Mon-shu Ho, Tien-tzou Tsong // Surf. Sci. — 2002. — Vol. 514, No. 1-3. — PP. 309-318.

88. Ho, M. Formation of Si clusters and their role in homoepitaxial growth on Si(111)-7x7 surfaces / Mon-shu Ho, Ing-Shouh Hwang, Tien T. Tsong // Surf. Sci. — 2004. — Vol. 564, No. 1-3. — PP. 93-107.

89. Teys, S. A. Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces : An STM study / S. A. Teys // Appl. Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2017. — Vol. 392. — PP. 1017-1025.

90. Filimonov, S. N. Si nucleation on Si(111)-7*7: From cluster pairs to 2D islands / S. N. Filimonov, V. Cherepanov, Yu. Yu. Hervieu, B. Voigtländer // Surf. Sci. — 2007. — Vol. 601, No. 18. — PP. 3876-3880.

91. Tochihara, H. The initial process of molecular beam epitaxial growth of Si on Si(111)7*7: a model for the destruction of the 7*7 reconstruction / Hiroshi Tochihara, Wataru Shimada // Surf. Sci. — 1993. — Vol. 296, No. 2. — PP. 186-198.

92. Köhler, U. Time-resolved observation of CVD-growth of silicon on Si(111) with STM / U. Köhler, L. Andersohn, B. Dahlheimer // Appl. Phys. A Solids Surfaces. — 1993. — Vol. 57, No. 6. — PP. 491-497.

93. Shimada, W. Step-structure dependent step-flow: models for the homoepitaxial growth at the atomic steps on Si(111)7*7 / Wataru Shimada, Hiroshi Tochihara // Surf. Sci. — 1994. — Vol. 311, No. 1-2. — PP. 107-125.

94. Voigtländer, B. Influence of surfactants on the growth-kinetics of Si on Si(111) / B. Voigtländer, A. Zinner // Surf. Sci. Lett. — 1993. — Vol. 292, No. 1-2. — PP. L775-L780.

95. Шкляев, А. А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А. А. Шкляев, М. Ичикава // Uspekhi Fiz. Nauk. — 2008. — Vol. 178, No. 2. — P. 139.

96. Motta, N. Growth of Ge-Si(111) epitaxial layers: intermixing, strain relaxation and island formation / N. Motta, A. Sgarlata, R. Calarco, Q. Nguyen, J. Castro Cal, F. Patella, A. Balzarotti, M. De Crescenzi // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 406, No. 1-3. — PP. 254-263.

97. Moskovkin, P. Computer simulations of the early-stage growth of Ge clusters at elevated temperatures on patterned Si substrate using the kinetic Monte Carlo method / P. Moskovkin, S. Lucas // Thin Solid Films. — Elsevier B.V., 2013. — Vol. 536. — PP. 313317.

98. Sato, T. Surface diffusion of adsorbed Si atoms on the Si(111)7*7 surface studied by atom-tracking scanning tunneling microscopy / Tomoshige Sato, Shin'ichi Kitamura, Masashi Iwatsuki // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 2000. — Vol. 18, No. 3. — PP. 960-964.

99. Read, D. T. Multiscale model of near-spherical germanium quantum dots in silicon / D. T. Read, V. K. Tewary // Nanotechnology. — 2007. — Vol. 18, No. 10. — P. 105402.

100. Романюк, К. Н. Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии процессов роста и самоорганизации наноструктур Ge на вицинальных поверхностях Si (111) / К. Н. Романюк, С. А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий // Физика твердого тела. — 2006. — Т. 48, № 9. — СС. 1716-1722.

101. Voigtländer, B. Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si(111): The role of kinetics and characterization of the Ge layers / B. Voigtländer, A. Zinner // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 2002. — Vol. 12, No. 4. — PP. 1932-1937.

102. Schroeder, K. Surfactant Mediated Heteroepitaxy versus Homoepitaxy: Kinetics for Group-IV Adatoms on As-Passivated Si(111) and Ge(111) / K. Schroeder, A. Antons, R. Berger, S. Blügel // Phys. Rev. Lett. — 2002. — Vol. 88, No. 4. — P. 046101.

103. Voigtländer, B. Modification of growth kinetics in surfactant-mediated epitaxy / Bert Voigtländer, Andre Zinner, Thomas Weber, Hans P. Bonzel // Phys. Rev. B. — 1995. — Vol. 51, No. 12. — PP. 7583-7591.

104. Zhachuk, R. A. Nature of contrast in Ge/Si(111) layers in scanning tunneling microscopy in the presence of Bi and Sb surfactants / R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky, J. Coutinho // JETP Lett. — 2012. — Vol. 95, No. 5. — PP. 259-265.

105. Northrup, J. E. Si(111)V3xV3-Al: An Adatom-Induced Reconstruction / John E. Northrup // Phys. Rev. Lett. — 1984. — Vol. 53, No. 7. — PP. 683-686.

106. Alexander, A. Nucleation and growth of metamorphic epitaxial aluminum on silicon (111)-7x7 and V3xV3 surfaces / Ashish Alexander, Brian M. McSkimming, Bruce Arey, Ilke Arslan, Christopher J. K. Richardson // J. Mater. Res. — 2017. — Vol. 32, No. 21. — PP.4067-4075.

107. Schnedler, M. Effective mass of a two-dimensional V3xV3 Ga single atomic layer on Si(111) / M. Schnedler, Y. Jiang, K. H. Wu, E. G. Wang, R. E. Dunin-Borkowski, Ph Ebert // Surf. Sci. — 2014. — Vol. 630. — PP. 225-228.

108. Zotov, A. V. Quantitative STM investigation of the phase formation in submonolayer In/Si(111) system / A. V. Zotov, A. A. Saranin, O. Kubo, T. Harada, M. Katayama, K. Oura // Appl. Surf. Sci. — 2000. — Vol. 159, No. October 2017. — PP. 237-242.

109. Hupalo, M. Regular nanocluster networks on Pb/Si(111)-PbV3xV3 at low temperatures / M. Hupalo, M. C. Tringides // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65, No. 20. — P. 205406.

110. Minoda, H. In situ REM observations of surfactant-mediated epitaxy: growth of Ge on Si(111) surfaces mediated by Bi / H. Minoda, S. Sakamoto, K. Yagi // Surf. Sci. — 1997.

— Vol. 372, No. 1-3. — PP. 1-8.

111. Romanyuk, K. Symmetry breaking in the growth of two-dimensional islands on Si(111) / Konstantin Romanyuk, Vasily Cherepanov, Bert Voigtländer // Phys. Rev. Lett. — 2007.

— Vol. 99, No. 12. — P. 126103.

112. Endo, A. Observation of the Ag/Si(111) system using a high-resolution ultra-high vacuum scanning electron microscope / Akira Endo, Shozo Ino // Surf. Sci. — 1993. — Vol. 293, No. 3. — PP. 165-182.

113. Tanishiro, Y. Density of silicon atoms in the Si(111)V3*V3-Ag structure studied by in situ UHV reflection electron microscopy / Y. Tanishiro, K. Takayanagi, K. Yagi // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 258, No. 1-3. — PP. 3-6.

114. Saranin, A. A. Ag-induced structural transformations on Si(111): quantitative investigation of the Si mass transport / A. A. Saranin, A. V. Zotov, V. G. Lifshits, J. T. Ryu, O. Kubo, H. Tani, T. Harada, M. Katayama, K. Oura // Surf. Sci. — 1999. — Vol. 429, No. 1. — PP. 127-132.

115. Conway, K. M. The structure of the surface determined using X-ray diffraction / K. M. Conway, J. E. Macdonald, C. Norris, E. Vlieg, J. F. van der Veen // Surf. Sci. — 1989. — Vol. 215, No. 3. — PP. 555-565.

116. Thibaudau, F. Contrasted electronic properties of Sn-adatom-based / F. Thibaudau, J. Ortega, F. Flores, A. Charrier, R. Pe // Phys. Rev. B. — 2001. — Vol. 64. — P. 115407.

117. Sugimoto, Y. Non-contact atomic force microscopy study of the Sn/Si(111) mosaic phase / Y. Sugimoto, M. Abe, K. Yoshimoto, O. Custance, I. Yi, S. Morita // Appl. Surf. Sci. — 2005. — Vol. 241. — PP. 23-27.

118. Lobo, J. Electronic structure of Sn/Si(111)-(V3xV3)R30 as a function of Sn coverage / J. Lobo, A. Tejeda, A. Mugarza, E. G. Michel // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, No. 23.

— P. 235332.

119. Gómez-Rodríguez, J. M. Scanning tunneling microscopy study of the Si(111)-(V3W3)-Pb mosaic phase / J. M. Gómez-Rodríguez, J. Y. Veuillen, R. C. Cinti // Surf. Sci. — 1997. — Vol. 377-379. — PP. 45-49.

120. Karlsson, C. J. Photoemission study of the Si(111)-V3W3-Pb mosaic phase: observation of a large charge transfer / C. J. Karlsson, E. Landemark, Y. C. Chao, R. I. G. Uhrberg // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45, No. 11. — PP. 6321-6324.

121. Yi, I. Study on topographic images of Sn/Si(111)-(V3xV3)R30° surface by non-contact AFM / Insook Yi, Yoshiaki Sugimoto, Ryuji Nishi, Seizo Morita // Surf. Sci. — 2006. — Vol. 600, No. 17. — PP. 3382-3387.

122. Anyele, H. T. Metal-semiconductor fluctuations on reconstructed Sn-Si(111) surfaces / H. T. Anyele, C. L. Griffiths, A. A. Cafolla, C. C. Matthai, R. H. Williams // Appl. Surf. Sci. — 1998. — Vol. 123-124, No. 97. — PP. 480-484.

123. Sugimoto, Y. Real topography, atomic relaxations, and short-range chemical interactions in atomic force microscopy: The case of the a- Sn Si(111)-(V3xV3)R30° surface / Yoshiaki Sugimoto, Pablo Pou, Óscar Custance, Pavel Jelinek, Seizo Morita, Rubén Pérez, Masayuki Abe // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. — 2006. — Vol. 73, No. 20. — P. 205329.

124. Ganz, E. Growth and morphology of Pb on Si(111) / Eric Ganz, Hwang Ing-Shouh, Xiong Fulin, Silva K. Theiss, Jene Golovchenko // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 257, No. 1-3. — PP.259-273.

125. Kocán, P. Desorption-induced structural changes of metal/Si(111) surfaces: kinetic Monte Carlo simulations / Pavel Kocán, Pavel Sobotík, Ivan Ost'Ádal // Phys. Rev. E. — 2013. — Vol. 88, No. 2. — P. 022403.

126. Rogilo, D. I. Adatom concentration distribution on an extrawide Si(111) terrace during sublimation / D. I. Rogilo, N. E. Rybin, L. I. Fedina, A. V. Latyshev // Optoelectron. Instrum. Data Process. — 2016. — Vol. 52, No. 5. — PP. 501-507.

127. Latyshev, A. V. Reflection electron microscopy study of clean Si(111) surface reconstruction during the (7*7)^-(1*1) phase transition / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev, L. V. Sokolov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 254, No. 1-3. — PP. 90-96.

128. Uwaha, M. Introduction to the BCF theory / Makio Uwaha // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. — 2016. — Vol. 62, No. 2. — PP. 58-68.

129. Kinoshita, T. Empty- and filled-electronic states of the Si(111)\(V3*V3)-Sn, (V3*V3)-In and (2V3*2V3)-Sn surfaces / Toyohiko Kinoshita, Hiroshi Ohta, Yoshiharu Enta, Yukou Yaegashi, Shoji Suzuki, Shozo Kono // J. Phys. Soc. Japan. — 1987. — Vol. 56, No. 11. — PP.4015-4021.

130. Jo, Y. H. Synthesis and characterization of low temperature Sn nanoparticles for the fabrication of highly conductive ink / Yun Hwan Jo, Inyu Jung, Chung Seok Choi, Inyoung

Kim, Hyuck Mo Lee // Nanotechnology. — 2011. — Vol. 22, No. 22. — P. 225701.

131. Yi, S. Atomic and electronic structure of doped Si(111)(2V3x2V3)R30-Sn interfaces / Seho Yi, Fangfei Ming, Ying-Tzu Huang, et al. // Phys. Rev. B. — 2018. — Vol. 97, No. 19. — P.195402.

132. Wang, D. T. Epitaxy of Sn on Si(111) / D. T. Wang, N. Esser, M. Cardona, J. Zegenhagen // Surf. Sci. — 1995. — Vol. 343, No. 1-2. — PP. 31-36.

133. Yasunaga, H. Electromigration on semiconductor surfaces / Hitoshi Yasunaga, Akiko Natori // Surf. Sci. Rep. — 1992. — Vol. 15, No. 6-7. — PP. 205-280.

134. Dolbak, A. E. Diffusion of tin over clean silicon surfaces / A. E. Dolbak, B. Z. Olshanetsky // Phys. Solid State. — 2010. — Vol. 52, No. 6. — PP. 1293-1297.

135. Латышев, А. В. Моноатомные ступени на поверхности кремния / А. В. Латышев, А. Л. Асеев, Ин-т физики полупроводников Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние. — Новосибирск : Издательство СО РАН, 2006. — 242 с.

136. Ruska, E. The Development of the Electron Microscope and of Electron Microscopy (Nobel Lecture) / Ernst Ruska // Angew. Chemie Int. Ed. English. — 1987. — Vol. 26, No. 7. — PP. 595-605.

137. Hirsch, P. B. Electron microscopy of thin crystals / P. B. Hirsch, A. Howie, R. B. Nicholson, D. W. Pashley, M. J. Whelan. — London : Butterworths, 1965. — 549 p.

138. Aseev, A. L. Direct observation of monoatomic step behaviour in MBE on Si by reflection electron microscopy / A. L. Aseev, A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov // J. Cryst. Growth. — 1991. — Vol. 115, No. 1-4. — PP. 393-397.

139. Jeong, H.-C. Steps on surfaces: experiment and theory / Hyeong-Chai Jeong, Ellen D. Williams // Surf. Sci. Rep. — 1999. — Vol. 34, No. 6-8. — PP. 171-294.

140. Ogino, T. Kinetics and Thermodynamics of Surface Steps on Semiconductors / Toshio Ogino, Hiroki Hibino, Yoshikazu Homma // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. — 1999. — Vol. 24, No. 3. — 227-263 p.

141. Sitnikov, S. V. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface / S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov // J. Cryst. Growth. — Elsevier, 2017. — Vol. 457. — PP. 196-201.

142. Metois, J. J. Step flow growth of vicinal (111) Si surface at high temperatures: step kinetics or surface diffusion control / J. J. Metois, J. C. Heyraud, S. Stoyanov // Surf. Sci. — 2001.

— Vol. 486. — PP. 95-102.

143. Fedina, L. I. Precise surface measurements at the nanoscale / L. I. Fedina, D. V. Sheglov, S. S. Kosolobov, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev // Meas. Sci. Technol. — 2010. — Vol. 21, No. 5. — P. 054004.

144. Sitnikov, S. Attachment-detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures / Sergey Sitnikov, Sergey Kosolobov, Alexander Latyshev // Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2015. — Vol. 633. — PP. L1-L5.

145. Köhler, U. Scanning tunneling microscopy study of low-temperature epitaxial growth of silicon on Si(111)-(7x7) / U. Köhler, J. E. Demuth, R. J. Hamers // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 1989. — Vol. 7, No. 4. — PP. 2860-2867.

146. Shimada, W. In situ observation of initial homoepitaxial growth on the Si(111)7*7 surface using scanning tunnelling microscopy / Wataru Shimada, Hiroshi Tochihara // J. Cryst. Growth. — 2002. — Vol. 237-239, No. 1-4. — PP. 35-38.

147. Teys, S. A. Structure of initial Ge nanoclusters at the edges of Si(111) steps with the front in the (-1-12) direction / S. A. Teys, K. N. Romanyuk, B. Z. Olshanetsky // J. Cryst. Growth. — Elsevier, 2014. — Vol. 404. — PP. 39-43.

148. Man, K. L. Kinetic length and step permeability on the Si(111)-(1*1) surface / K. L. Man, A. B. Pang, M. S. Altman // Surf. Sci. — 2007. — Vol. 601, No. 20. — PP. 4669-4674.

149. Kawamura, M. Nanowires and Nanorings at the Atomic Level / Midori Kawamura, Neelima Paul, Vasily Cherepanov, Bert Voigtländer // Phys. Rev. Lett. — 2003. — Vol. 91, No. 9. — P. 096102.

150. Sitnikov, S. V. Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation / S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov // Semiconductors. — 2016. — Vol. 50, No. 5.

— PP. 596-600.

151. Петров, А. С. Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига / А. С. Петров, С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53, № 4. — СС. 456-461.

152. Roldan Cuenya, B. Epitaxial growth and interfacial structure of Sn on Si()-(7*7) / B. Roldan Cuenya, M. Doi, W. Keune // Surf. Sci. — 2002. — Vol. 506, No. 1-2. — PP. 33-46.

153. Latyshev, A. V. Electromigration and gold-induced step bunching on the Si(111) surface / A. V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 401, No. 1. — PP. 22-33.

154. Kosolobov, S. S. Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures / S. S. Kosolobov, Se Ahn Song, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev // Semiconductors. — 2007. — Vol. 41, No. 4. — PP. 448-452.

155. Krasilnikov, A. B. Monoatomic step clustering during superstructural transitions on Si(111) surface / A. B. Krasilnikov, A. V. Latyshev, A. L. Seev, S. I. Stenin // J. Cryst. Growth. — 1992. — Vol. 116, No. 1-2. — PP. 178-184.

156. Zinke-Allmang, M. Overlayer energetics from thermal desorption on Si / M. Zinke-Allmang, L. C. Feldman // Surf. Sci. Lett. — 1987. — Vol. 191, No. 1-2. — PP. L749-L755.

157. Zaj^czkowski, A. Thermodynamics of liquid Sn-Pb alloys determined by vapour pressure measurements / Andrzej Zaj^czkowski // Calphad Comput. Coupling Phase Diagrams Thermochem. — 2018. — Vol. 60, No. October 2017. — PP. 50-57.

158. Saitoh, M. Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes of Pb on Si(111) surfaces / M. Saitoh, K. Oura, K. Asano, F. Shoji, T. Hanawa // Surf. Sci. — 1985. — Vol. 154, No. 2-3. — PP. 394-416.

159. Ситников, С. В. Формирование двумерных отрицательных островков при быстром охлаждении ультраплоской поверхности Si(111) / С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Вестник НГУ. — 2016. — № 111. — СС. 94-99.

160. Rogilo, D. Structural and morphological instabilities of the Si(111)-7*7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium / Dmitry Rogilo, Sergey Sitnikov, Sergey Ponomarev, Dmitry Sheglov, Liudmila Fedina, Alexander Latyshev // Appl. Surf. Sci. — Elsevier B.V., 2021. — Vol. 540, No. P1. — P. 148269.

161. Zhachuk, R. A. Atomic structure of a single step and dynamics of Sn adatoms on the Si (111)-V3xV3 - Sn surface / R. A. Zhachuk, D. I. Rogilo, A. S. Petrov, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev, S. Colonna, F. Ronci // Phys. Rev. B. — 2021. — Vol. 104, No. 12. — P. 125437.

162. Akiko Natori Structural change of a heterogeneous thin film patch by surface electro-migration / Akiko Natori, Satoshi Ohta, Hitoshi Yasunaga // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 242, No. 1-3. — PP. 195-201.

163. Gosâlvez, M. A. Low-coverage surface diffusion in complex periodic energy landscapes: Analytical solution for systems with symmetric hops and application to intercalation in topological insulators / Miguel A. Gosâlvez, Mikhail M. Otrokov, Nestor Ferrando, Anastasia G. Ryabishchenkova, Andres Ayuela, Pedro M. Echenique, Evgueni V. Chulkov // Phys. Rev. B. — 2016. — Vol. 93, No. 7. — P. 075429.

164. Latyshev, A. V. Adatom effective charge in morphology evolution on Si (111) surface / A. V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi // Appl. Surf. Sci. — 1998. — PP. 6066.

165. Métois, J.-J. An experimental study of step dynamics under the influence of electromigration: Si(111) / J. J. Métois, M. Audiffren // Int. J. Mod. Phys. B. — 1997. — Vol. 11, No. 31. — PP. 3691-3702.

166. Fu, E. S. The effective charge in surface electromigration / Elain S. Fu, D. J. Liu, M. D. Johnson, J. D. Weeks, Ellen D. Williams // Surf. Sci. — 1997. — Vol. 385, No. 2-3. — PP. 259-269.

167. Kandel, D. Microscopic theory of electromigration on semiconductor surfaces / Daniel Kandel, Efthimios Kaxiras // Phys. Rev. Lett. — 1996. — Vol. 76, No. 7. — PP. 11141117.