Электронные и фононные процессы в легированном антимониде галлия и магнитоупорядоченных и направленно-выстроенных сплавах на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Сафаралиев, Г.И.

• Сафаралиев, Г.И.
• 1984

Оглавление диссертации Сафаралиев, Г.И.

ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Глава I Получение легированных, направленно-выстроенных и магнигоудорядоченных кристаллов на основе д о лу проводников А% с участием переходных элементов и исследование их физико-химических свойств, Некоторые особенности физических свойств полупроводников А% легированные переходными элементами j с участием ЗЗ 2, Получение чистых и легированных монокристаллов QaSbQ примесями Те Мп и оп, Магнитоупорадочвнные и направленно-выстроенные сплавы на основе полупроводников А% переходных элементов Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы QaJlnSi. Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы Ga-Mrij 6, Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы faS-SfvSi Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы €аВ§Мп7е Получение эвтектических сплавов в системах и исследование их физико-химических свойств

Глава

II. Исследования кинетических параметров и механизма рассеяния носителей тока в антимониде галлия, однокомпонентно легированным донорными Т е и акцепторными Z n примесями и примесями переходных элементов (Мп S<mJ 9, Методика измерения и установка для исследования гальвано- и термомагнитных эффектов в полупроводниках

0.Исследование температурной зависимости электропроводности и эффекта Холла антимонида галлия, легированного акцепторными (Хп. и донорными Те- приме сями

II.Влияние легирующих добавок ot- и j переходных Элементов М-п S<w. на физические свойства и характер химических связей ъСаВ§.---

2.Исследование температурной зависимости электропроБОдноста и эффекта Холла 6(Ci9i легированного марганцем и самарием

3.Исследование термоэдс чистого и легарованного антимонида галлия п- и р-типа

1.Исследование термомагаитных эффектов НернстаЭттингсгаузена и поперечного магнитосопротивление в чистом и легированном антимониде галлия п- и р-типа

5.Механизм рассеяния носителей тока ъ GaSS легированном донорными 7ё и акцепторными С* примесями и примесями переходных элементов (MnSrn

6.Исследование эффективных масс плотности состояний на основе термоэдс легированного антимонида галлия,

Глава

III.Получение и исследование особенностей переноса электрического заряда сложнолегированного компенсированного антимонида галлия 17, Некоторые особенности в кинетических свойствах сложнолегированных компенсированных полупроводников 18, Получение сложнолегированных кристаллов CaS< ,Т€> п(cr$i<:MhTe.> и исследование их электрических, гальваномагнитных и термомагнитных свойств 19,Исследование особенностей переноса заряда в сложнолегированном компенсированном7Z-6QSS<2M,TC>

0.ИсследоЕание особенностей переноса заряда в сложнолегированном компенсированном p-6aS§<2«,7e> Г А А ТУ. Кинетические эффекты и механизм рассеяния ноЛВ сителей тока Б твердых растворах на основе 6qS

1.Исследование кинетических свойств сплавов системы (GctSi)f_jr(MVi Б зависимости от состава и темпе ратуры

2.Исследование кинетических свойств сплавов {ОаЩ (Мп) в зависимости от состава и температуры .ij;

3.Исследование кинетических свойств и термоэлектртческой эффективности сплавов систем (с$\.-(МпГе)

4.Исследования механизма рассеяния носителей тока Б твердых растворах на основе aS&

Глава У.Исследование механизмов рассеяния фононов в л е гированном антимониде галлия и сплавах на его основе

5. Не которые интересные аспекты исследования теплопроводности антимонида галлия и сплавов на его основе

6. Решеточная теплопроводность и механизмы рассеяния фононов в полупроводниках а Теплопроводность кристаллической решетки. Нормальные Ж процессы и процессы переброса \Л ъо взаимодействии фононов Температурная зависимость теплопроводности решетки

7.Исследование составляющей теплопроводности чистого и легированного цинком, теллуром, марганцем и самарием антимонида галлия

8.Исследования температурной зависимости решеточной теплопроводности легированного GOLSI 29,Акустико-оптическое взаимодействие фононов и его роль Б решеточной теплопроводностиffaS§. ЗО.Соврменное состояние теории рассеяния фононов на точечных дефектах f

1.Обсуждение экспериментальных результатов по теплопроводности легированного да на основе теории рассеяния фононов на точечных дефектах и акустико-оптического взаимодействия фононов

2.Теплопроводность твердых растворов на основе oSg Г А А УI.Получение направленно-ориентированных композиций ЛВ Эвтектических сплавов в системах А В-М Б и исследование их физико-химических и кинетических свойств ЗЗ.НапраБленно-ориентараванные композиционные материалы "полупроводник-металл"

4.Исследования по получению полупроводниковых сред с направленно-выстроенными фазами переходных Элементов на основе соединений А В орт

5.0 технологии получения направленно-ориентированного искусственно-анизотропного сплава в системах A V M B

6.Исследование кинетических свойств направленно-ориентированных эвтектических сплавов, полученных в системах GaSi-J/nSe и QaStjUnTe

7.Новая технология получения ферромагнитных порошков с иглообразной формой частиц в системе д esg жи sg 38, Исслздоьание тензометрических свойств QoSi и сплавов на е го основе 39, Исследование кинетических свойств облученных образцов легированного CaSi и сплавов на его основе 40, Общие выводы

1. Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные и фононные процессы в легированном антимониде галлия и магнитоупорядоченных и направленно-выстроенных сплавах на его основе»

И П С А О К ЗАДАЧИ. ОТНВА Актуальность Создание новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям, является одним из определяющих фактортв научно-технического прогресса и важнейшей проблемой физики твердого тела. Одним из основных направлений в успешном разрешении этой проблемы является легирование полупроводников различными примесями. Как и прежде, расширение набора примесей, используемых для легирования, остается главным способом для формирования необходимого комплекса свойств в полупроводниковых материалах. За последние 10-15 лет особый интерес представляет активизирование полупроводников магнитоактивными примесями переходных элементов. Благодаря большому набору энергетических уровней во внутренних недостроенных d или оболочках, атомы переходных элементов, зашсщая в кристаллической решетке основные атомы полупроводника, создают глубокие локальные состояния с энергией ионизации, сравнимой с шириной запрещенной зоны кристалла, В настоящее время кристаллы ffe i и А Br активированные примесями переходных элементов используются для решения целого ряда важнейших задач физики и техники полупроводников. Успех Б этом деле во многом зависит от выявления закономерностей изменений основных параметров используемых материалов Б зависимости от типа и концентрации примесей. Сведения о свойствах полупроводниковых материалов после введения легирующих примесей получены, в основном эмпирически и значения основных параметров удается получить лишь экспериментальным путем. Поэтому, возникшая сравнительно давно, проблема изучение примесных центров в полупроводниках сохраняет свою актуальность и в настоящее время, В связи с этим систематическое изучение влияния примесей различных элементов Sp а и f -элементов на физические свойства полупроводников А В имеет как научный, так и прктический интерес, Создание полупроводниковых материалов, сочетающих в с е бе одновременно такие свойства, как высокая подвижность носителей тока и спонтанное магнитное упорядочение, является одной из важнейших задач современного материаловедения. Наличие собственного магнитного момента у атомов переходных элементов может привести при определенных условиях к спонтанному магнитному упорядочению ферромагнитного, антиферромашитного и другого характера, т е к получению полупроводников с магнитными свойствами, Высокая подвижность носителей тока в полупроводниках А В и специфическая электронная структура атомов переходных элементов дает основание предполагать, что исследование взаимодействия полупроводников А В с переходными элементами в системах А Вт-МВ (где М- с и л и переходные элементы может быть одним из перспективных напробЬний в деле создания магнитоупорядоченных полупроводниковых материалов. Интерес к этим исследованиям обусловлен еще и тем, что прл направленной кристаллизации эвтектики металлическая фаза переходных элементов, выстраиваясь в полупроводниковой матрице в виде игл, волокон и др.форм, придает матрице сильные искусственно-анизотропные свойства. Эффективное использование в технике известных направленно-выстроенных эвтектических композиций "Металл -полупроводник" оправдывает поиск других подобно кристаллизующихся ЭБтектик на базе полупроводников А В и переходных элементов. Систематическое исследование вышеуказанных вопросов было проведено в основном в GoS§ и сплавах на его основе. Выбор в качестве основного объекта исследования OaSvi сплавов на его основе связан с тем, что во-первых, а£& как аналог е является перпективным материалом для техники, во-вторых, в его физических свойствах имеется ряд необычных особенностей, природа которых не была выяснена до конца. [7,59,60] Можно предполагать, что необычные особенности в свойствах й<>5, в определенной степени связаны с компенсацией примесей. Для компенсированных полупроводников имеетместо ряд необычных для однородных полупроводников свойств, которые на основе классической кинетической теории не всегда удается объяснить. ГЗ, 48-55,92,112-121,144-I50J Созданиетеории кинетических эффектов Б компенсированных полупроводниках началось только в последние годы в работах Шкловского, Эфроса и др. Г92,119-121,141,144,1467 Для дальнейшего развития теории требуется накопление достаточного количества достоверных экспериментальных данных по исследованию кинетических явлений в к;\0мпенсированных сложиолетированных полупроводниках с химическими, радиационными и др. дефектами. Известно, что примеси переходных элементов в полупроводниках А Б существуют в различных формах одиночные атомы, прицепитаты, различные комплексы и др.. Поэтому следовало ожидать, что присутствие примесей с1- илиf элементов ва9ь может оказать существенное влияние на формирование различных дефектов, Б том числе и радиационных. Можно ожидать, что скопления примесных атомов в виде различных ассоциаций могут являться эффективным! токами для собственных дефектов кристаллической решет

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Сафаралиев, Г.И.

- 375 -§ 4П.0 Б Ш И Е ВЫВОДЫ.

1. Получены однокомпонентно- и сложнолегированныеSp-, J-и f- элементами монокристаллыСЙбПоказано, что в случае однокомпонентно г о легирования акцепторными примеясми марганца, самария и цинка и донорными примесями теллура максимальная концентрация электроактивных примесей составляет,соответственно^ .10^®, 4.10^,

О "Г О

1,4.10 и 4.10 jcm~3, а в случае сложного легирования &§6донор-ными примесями (, Те N совместно с акцепторными f Хп либоМп максимальная концентрация электроактиЕНЫх примесей достигает значения б.Ю^ см"3.Обнаруженные индивидуальности в поведениях различных примесей в объясняются различием электронной структуры атомов компонентов.

2. Обнаружен ряд необычных особенностей кинетических пар-метров однокомпонентно и сложнолегированного антимонида галлия: аномально сильное понижение Холловской подвижности носителей тока е зависимости от концентрации легирующих примесей ео Есем температурном интервале 80*1000 К; увеличение пороговой концентрации электронов в случае сложного легирования; экстремальное поведение кинетических параметров в зависимости от температуры и др.4; завышенные значения } CI1 и Qtl и не согласующийся с теорией знак 0*и q''e сил ьн скомпенсированных образцах. Показано,что эти особенности не объясняются до конца на основе классической кинетической теории.

3. На основе теории кинетических эффектов не однородных полупроводников проведен количественный расчет основных параметров потенциальных неоднородностей в сложнолегированных образцах GqS£> ^линейные размеры, концентрации, общий об^ем,занимаемый ими в проводящей матрице,истинную подвижность осноеных носителей и др.4.Установлено,что линейные размеры и концентрации потен . циальных неодкородностей вп~ и рaS§<Xn,Te>M3меняются в преде

0 14 ' лах f2000r30G0NA и 10 чсм'" ,соответственно,а занимаемым ими объем составляет % от общего объема образца. Это указывает на то, что потенциальные неоднородности в сложнолетированных компенсированных образцах Обносят крупномасштабный характер и играют существенную роль в процессе рассеяния носителейто тока.

4. Впервые физико-химическими методами исследованы сплавы следующих систем:6qS§-GaS6 -JUnz$G, 6яSt -SmS6, GaW-MnTe, , AIS8 -MnSi,Jl£$Sи построены диаграммы состояния двойных разрззов:$С1$£-МпЩ -J/r?z$g, 6&S& -МпТе, обнаружено образование твердых растворов в системах - при0$Х*0,25; ( GaGi ^-f SmSi \ прл 0*Х*0,1?

Г GaQВ s-(MnTe\ при 04 Х^ 0,08; ( GaSi ^ при

X 1 1-х ■*> * 1

0 SXS 0,15; эвтектики: в системах < G'a9& JUnSV.( GaSi >

X X X * при Х=0,б; с Gets € ?при х=0,75 и ( GTaSi M,»t<l n при х=0,88; получено ногое тройное соединение ^^.Показано,что все эти материалы, за исключением сплаЕОЕ систем Gq$G , проявляют ферромагнитные и полупроводниковые свойства.

5. На основании комплексных исследований гальваномагнитных, термоэлектрических, термомагнитных эффектов и теплопроводности полученных новых материалов в интервале 80-1000 К определены основные кинетические параметры и доминирующие механизмы рассеяния носителей тока в них. Установлено,что в твердых растворах ^ 9а$ё X

-(МпЦ\ С0<х.<0,25\ ( Qu9e $r»9t V 0^X40,Г, х х

Ge&p - ^0 4 Х< С ,15^ и ( GccSZ "-(>ЦпТъ„ ' 0^X^C,08N в

1-х *■ х * области Т~2С0 К преобладающим механизмом рассеяния носителей тока является рассенияние на оптических колебаниях решетки, а ниже 200 К механизмы рассеяния носят смешанный характер. Экстремальное поведение кинетических параметров в магнитоупо-рядоченных твердых растворах ^ Ga9G и ' GaSi

Мп^вр* в области 540-580 К объясняется существованием магнитного

- 377 фазового перехода и рассеянием носителей тока на спиновых беспорядках в окрестности точки Кюри. б. Определены основные механизмы рассеяния фононов б антимо-ниде галлия и твердых растворов на его основе. Показано.что е них доминирующим механизмом рассеяния фононов являются трёхфононные процессы переброса. Наряду с этим в образцах твердых растЕоров и б легированных кристаллахйг#значительным вклад в тепл осопрот.ивле-ние еносит рассеяние фнонов на точечных дефектах и акустико-с-пти-ческое взаимодействие фононов в области температуры Дёбая; в маг-нитоупорядоченных твердых растворах заметную роль играет также рассеяние фононов на спиновых беспорядках в окрестности точки Кюри.

7. Получены новые направленно-выстроенные эвтектики: 9(к9% ( GctSS GvM ^-С jU*Te \

0,4 ot6 °t*r z 0%s 0tn 0,iZ левt ev

Разра.ботан новый способ создания игольчатых порошков ферромагнитного мате риала JUnSg, основанный на окислении направленно--Еыстшенной эвтектики ( ACGi s-<Uln$G N. "Разработаны новые тензорезисторы на основе компенсированных кристаллов GaSi<ZyitT€>, /э- ffc*6€ ^Те> . Высокая Термостабильность (ТКС= ГО,23 - К1,ТКК = <0,16*0,11^. большая прочность на разрыЕ 'до 5.I0-3 отн.ед.\ сохранение линейности и отсутствие гистерезиса 'до 2.Ю-3 отн.ед.4 б тензо-метрических характеристиках и относительно высокие значения коэффициента тензочувствительности ^К = 35 tIIOv дает основание рекомендовать полученные на основе GoSScплавы как перспективные материала в области тензометрии.

9. В результате исследования кинетических свойств облученных образцов GaSi ,легированных различными примесями,установлено,что различные комплексы или направленно-Еыстроенные включения примесей (Ж- и -J- - переходных элементов действуют как сток для радиационных дефектов и приводят к существенному повышению ради ционной стойкости этих мате риалов.Это позволяет рекомендовать полученные на основе

PaS'i и с/ ~ и / ~ переходных элементов сплавы как эффективные материалы для изготовления резистивных дозиметров электронного и гамма облучения, устройств. Отличительной особенностью этих материалов является повышенная радиационная стойкость.

- 379

Список литературы диссертационного исследования Сафаралиев, Г.И., 1984 год

1. Ввнсовокий С.В., Гр|р-Гршкмайло С.В., Черепанов В.И., Мень А.Н., Свиридов Д.Т., Смирнов 10.Ф., Никифоров А.Е. Теория кристаллического поля и оптические спектры примесных ионов с незаполненной cL- оболочкой, "Наука", ГЛ.: 1969. - 179 с.

2. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводникову "Наука", М.: 1967.- 371 с.

3. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники, "Наука", М.: 1967-415 с.

4. Некоторые вопросы электронной структуры переходных металлов, Киев, 1968-193 с.

5. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников, "Наука", М.: 1979. 416 с.

6. Хилсум А., Роуз-Инс А., Полупроводники типа aV , (пер. с англ.) М.: ИЛ, 1963

7. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементовI

8. Ш и У групп, М.: "Мир",1967 477 с.

9. Дж.Блейкмор,Физика твердого состояния, (перев. с англ.), М.: "Металлургия",1972-487 с.

10. Нательский А.Я., Гнилов С.В. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов, М.: "Металлургия" 1981-91 с.

11. Бурдиян Й.Й. Примесные уровни в антимониде галлия, ФТП, 1973, т.7, вп.5, с. 643-645.п. ЛкСкЬго У., Мапаоёи 0.? ЛыерЖоЬ cmt&tibkl Gaff!, frtuit, соштшгсеа.

12. W2, vot. И} J* /, p. 31-33

13. Ильин Н.П., Мастеров В.Ф. Электронные состояния нейтральных вакансий в арсениде и фосфиде галлия, ФТП, 1976, т. 10, №5, с. 836-8Э0.

14. Weiwt К., Roiio c4 br ±J>vtLibr~m£ zinc In GaJii MUL iU {о ШС Mf

15. Берг А., Дин П., Светодиоды, M.: "Мир", 1979-686 с.

16. Милне А., Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках М.: "Мир" 1977 562 с.

17. Иващенко А.И., Саморуков Б.Е., Слободчиков С.В. Поведение германия в фосфиде галлия, ФТП, 1974, т.8, вп. 2, с. 312-316.

18. Арсеняд галлия Получение, свойства и применение. Под ред. Ф.П.Кесаманлы и Д. Н. Нас ледова, М.: "Наука",1973 471 с.

19. Мильвидсний М.Г., Пелевин О.В., Сахаров В.А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере ареенада галлия ), М.: "Металлургия", с.1974 391

20. Мо^шг 7? Ж, РИкшгп Л. али1 ЯьерръасМ Effect ^ с1щ> fattvCi сиъ iM ofutitel oynd

21. JUe&n у л ^^ Ске^гд R.l^^mA рля/мъйеА 4 Cofifiet. defied ам^еси^п. fxdurifbhide, J. .dm. ibi. ihz, vot it, rip-. ш jth .

22. With- Слфрш Qsnct fUsty^Mfit. (ё^1. W1, И, pp. Л99-ЗМ.

23. Motzibvfi, cund Xewwcm. ^^сш-Сор,

24. P&t- aynd ^dimi-Xunc сотр&М istда&шп Лш/ъШе* 1

25. Gzim/neoK U- G. asid Мои&теЛ- В, J ofrftcaC fltfipMjtit* exf Qu, Ul ea,pJ pJift.

26. Ковалевская Г.Г., Клотыныш Э.Э., Наследов Д.Н. я Слободчяков С.В., Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства Jftp , легированного медью, ФТТ, 1966, т.8, вд.8, с. 24152419.

27. Куриленко И.Н., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г.Я., Хлыстовская М.Д., Влияние компенсация на энергию ионизации многозарядных примесей в j>jJnQg , ФТП, 1977, II, № 6, с. II25-II30.

28. Болтакс Б.И. Диффузия я точечные дефекты в полупроводниках, Л. "Наука", Ленинградское отделение 1972 384 с.

29. Емельяненко О.В., Колчанова Н.М., Наследов Д.Н., Талалакяна

30. Виноградова К.И., Наследов Д.Н., Сметанникова Ю.С., Фелициант В.Р, Двойная инверсия коэффициента Холла вр-Ъ^б , легированном fe и>Aft , ФТП, 1969, т.З, вд.5, с. 697-701.

31. Мурыгин В.И. и Рубин B.C. Избирательные генерационные свойства $ диодов из арсенида галлия с примесью никеля", ФТП, 1969, т.-3, вп. 6, с. 9I0-9II.

32. Мурыгин В.И. и Рубин B.C. Электролюминесценция в 9 диодах из арсенида галлия с примесью железа и никеля, ФТП, 1969,т.З, вп. 7, с. 1087-1088.

33. Гамолин Е.И., Каракушан Э.И., Мурыгин В.й., Рубин B.C. и Стафеев В.И.

34. ФТП; 1969, т.З вп. 12, с. 1745-1748.

35. Омельяновский Э.М., Павлов Н.М., Соловьев Н.Н., Фистуль В.И. Оптическая перезарядка и эффект термической стимуляции в %Аб сФТП, 1970, т.4, В 3, с. 527-532.

36. Фистуль В.И., Первова Л.Я., Омельяновский Э.М., Рашевская Е.П., Соловьев Н.Н., Пелевин О.В., Свойства полуизолирующего арсенида галлия с примесью нелеза, ФТП, 1974, т.8, № 3, с. 485494.

37. Андрианов Д.Г., Сучкова Н.И., Савельев А.С., Рашевская Е.П.,

38. Филипов М.А., Магнитные и оптические свойства ионов jfc*s- 383 -.уя Со конфигурация За в арсениде галлш, ФТП, 1977, т.II, вп.4, с. 730-735.

39. Сучкова Н.И., Андрианов Д.Г. Омельяновский Э.М., Рашевская Е.П., Соловьев Н.Н., Свойства арсенида галлия легированногоникелем, ФТП, 1975, т.9, вп. 4, с. 718-721.

40. Хелг ixlcy у, О: сW Jf^tL&xWCL in

41. Gcup, a^f./^v 44- Мсифмиш^ и leArielol&L Evt cdmlofic^--tivrv of Ш fr**- e&dxjori ti*-i Ше in* Ga-p,iU. Ucde, Jbt. дд jo?3

42. Идполитова Г.К., Омельяновский Э.М. ,Павлов Н.М., Нашельский А.Я., Якобсон С.В. Поведение примеси Fe. вУпР и влияние ковалентности на спектр ЭПР иона Fe*3 в соединениях То/ -симметрии , ФТП, 1977, т. II, вп. 7, с. I3I5-I320.

43. Ганапольский Е.М., Акустический парамагнитный резонанс ^ . и в арсениде галлия, ФТТ, 1973, т. 15, вп.2, с. 368-375.

44. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Болагурова М.Г., Попов А.Н.nj у

45. О поведении примесей переходных металлов в соединениях А В , ФТП, 1975, т. 9, вы 3, о. 576-578.

46. Месерер М.А., Омельяновский Э.М., Пантюхов А.Н., Первова JUL , Ткач Ю.Я., Фистуль В.И. Гигантская фотопроводимостьи эффект памяти в сильнок компенсированных кристаллах , ФТП, 1974, т.8, вп. II, с. 2278-2281.

47. Омельяновский Э.М., Пантюхов А.Н., Первова JUL, Фистуль В.И, Васильев Ю.А., Влияние степени компенсации на фотопроводимость я фото-холл-эффект в монокристаллах полуизолирующего 9аДл<Съ> , ФТП, 1975, т. 9 вп. 10, с. 1930- 1933.

48. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI., Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников ЖЭТФ, 1971, т.60, вн.2, с. 867-878.- 384

49. Шкловский Б.И., Прыжковая проводимость сильно легированных полупроводников, ФТП, 1973, «р. 7, вп.1, с. II2-II8.

50. Ерчак Д.П., Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д., Особенности эффекта Холла в полуизолирующем арсениде галлия при фотовозбуждении ФТП, 1976, т.10, вп.Ю, с. 1554-1556.

51. Ерчак Д.П., Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д., Федорук Г.Г., Влияние потенциального рельефа в арсениде галлия на оптическую перезарядку парамагнитных центров, ФТП, 1976, т.10, вп.8, с. 15161519.

52. Воробьев Ю.В., Фоман Н.Г. Дырочные рекомбинавдонные доменыв полуизолирующем СаМ<Сг>ФТП, 1976, т.10, вп.7, с. I4I5-I4I7.

53. Дульдер В.Н., Думаровский Ю.Д., Дешевой А.С., лавренов А.А., Петрусевич В.А., Половянюк А.И., Примесный фотоэффект и отрицательная емкость в 9аЛ<i , компенсированном хром ом, ФТП,1976, т.10, вы.З, с. 590-592.

54. Андрианов Д.Г., Муравлев Ю.Б., Савельев А.С., Соловьев Н.Н. Фистуль В.И. ,Магнитная восприимчивость арееняда галлия, легированного железом, ФТП, 1973, т.7, вп.8, с. 1622-1625.

55. Исаев-Иванов В.В., Колчанова Н.М., Мастеров В.Ф., Наследов

56. Д.Н., Талалакина Г.Н. ,Ярмаркин В.К., 0 возможных состояниях примеси железа в арсениде галлия сб. Легированные полупроводники М.: "Наука", 1975, с. 32-37.

57. Мастеров В.Ф., Маслов В.П., Талалакина Г.Н., Об аномальном сдвиге линии ядерного магнитного резонанса в кристаллах GaM , ФТП, 1977, т.II, вп.7, с. I42I-I423.

58. Л.у i^tfeiicjj&ibon- cumctiic

59. JT* 1 /i/i. $з-№. л л / /. л

60. JG*i*<& 5.6. J«Jua^c^A^P^eW.^^^^d tizuctwe <4 toя Мя. л*,/**, ^ мл,**,*.™-™61 '.ЛШм M-i} J. flW JfgcUn^ G^he bxte Crf <mrwtiiq OvbZleJtl in -the. UnfluUty c&wjuc-ilon of lot-, Ш,

61. Сафараляев Г.И., Мургузов М.И., Влияние легирующих элементов на физические свойства я характер химических связей в

62. Изв. АН СССР, неорг. матер., 1972, т. 7Ш, № I, с. 53-56.

63. J. /nAyd. firz&Uj ttst.ZGjfLiLAI-tib.

64. Сафараляев Г.И., Мургузов М.И., 1улиев А.Н., Получение л исследование электрических свойств полупроводниковых системи .докл. воесоюзн. конф). по электряч.ос о д яя оптяч. свойствагл крясталлов к В я сложн. соед. А В С g» Ашхабад. язд. с. 228-229.

65. Алиев М.И., Сафараляев Г.И., Дадашев И.Ш. Гуляев А.Н. Исследование электрических свойств Gq^G , легированного «Ди. и I и эвтектик , Изв. АН СССР, неорг. матер., 1976, т. 12, № I, с. 35-38.

66. Сафараляев Г.И. Электрические свойства с примесямия направленно-выстроенными фазами Мп я Sw Баку-1974 бюллетень ВИМИ "РИПОРТ" .рукопись представлена ред.журнала ФТД деп. в ЦНИИ "Электроника" № 2218/74 с. 10.- 385

67. Покровский Н.П., Регель А.Р., О связи между изменениями плотности и электронной проводимости при плавлении веществ со структурой типа алмаза или цинковой обманки, ЖТФД952, т. 22, № 8, с. I28I-I289,

68. MuttvL A. oW JUL,} ufkfi- de*L P^icAbtoM--cLn&btu 2W i^WB^eJatfyiAlML. i*cU& wjbettic*. 7 £e>-CoBitZ>ufiol 3nJh-Fete) Z.pty*. asrtt/ Jfz p-P- ШЗ -ПОЗ*.

69. Wa^ru } WC-eyh^&m M^ twcfфс73. jUaeevi JL.t Wlthee™ cJtKUi.1. UteUioJL eWe* eufacUKum1. Z0ou)Jfs3j pp. H90-H9G.74. jUuetvL J. U»<l■ шеАебт л,1. На, ik S,,

70. Дадашев И.Ш., Сафаралиев Г.И. Получение и свойства искусственно-анизотропного ферромагнитного эвтектического сплава Ga^Mn^ti1975, т. 39, JS 6, с. I32I-I323.

71. Сафараляев Г.И., Дадашев И.Ш. 1Улиев А.Н., Исследование кинетических свойств сплавов системы Мя^ Ga^^i Сб. Электронное строение и физико-химические свойства сплавов и соединений на основе переходных металлов , Киев, "Наукова думка", 1976, с. 176-180.

72. Ансельм А., Введение в теорию полупроводников, М.: "Фдзматгиз" 1962 435 с.

73. Сирота И.Н. Химическая связь в полупроводниках и твердыхтелах, Минск, "Наука и техника", 1965 315 с.

74. Хансен М., Андерко К., Структура двойных сплавов т. I и 2, М.: Металлургиздат 1962.

75. Lois**- W-Jf- o^cf W.C.j fL*IS*YULTVLUA

76. Ou&tiwm- QMtitmrvudl gdjwe&n- /5 "к/г/t £1 82. " Ch XaMUCL Ж УоФвло jLf. у атМ

77. Qytlco.6 yi ^ШъЬСоь Те doyi&d Мёт.1. Fae. XJoto f-fb,

78. Покровский Я.Е., Свистунова К.И. и Калинский А.С.

79. Влияние природных акцепторов на электронные процессы в анти-мониде галлия, ФТП, 1967, т.1, вп.1, с. 34-39.

80. Абдуллаев Г.Б., Алиев М.И., Сафаралиев Г.И. 0 механизме проводимости и рассеяния фононов в легированном , Изв. АН Азерб.ССР сер. физ.техн. и мат. наук, 1966, 1!з 6, с. 69-75.

81. R. t=.j Hoifex. IU FryLol&iiiciSL H-P.}lwig/4 axt€€tu^yi , flJity). fcej/.19S4 У96j JT:3/ /г/г.

82. Блум А.И., Терлоэлектрические свойства антимонида галлия, ФТТ, 1959, т.1, № 5, с. 766-773.

83. Мглм^ А Л, g£ecfc*cja£ ^-A/iextLbi- 388 ft-igtie. Э.Л№-е. tfe*. Як 3,88. ^iU^yriMi Q.3.; СаЛ^^/Уьi*. n-ty»- GtSf, p^w- Им/*;4M1, М- 4M, № 4, Pf1 W* " 4°eo 89. jykrzjWubicAb H BgmoI амс!

84. Ьтхшцш^Ь 4 '6***, № щ М* > ** •

85. Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., Алиева М.А., Зейналов С.А. Прибор для исследования гальвано-термомагнитных явлений в полупроводниках, ПТЭ, 1967, Ш 3, с. 184-186.

86. Сафаралиев Г.И. Исследование процессов рассеяния фононови носителей тока в антшониде галлия, автореферат дис. канд. физ.-мат.наук Баку, 1966 , 12 с.

87. Шкловский Б.И., Эфрос а'л., Электронные свойства легированных полупроводников М.: "Наука", 1979, 416 с.

88. Heiii В. oW Яаппеъ (^tcMefe, £ln~ &GUL. фуп. on Jnp? 1>.jCohvbfrbbth 4№ , Pf1 &

89. JJueeesi. j% 'qjiJ m^et™ н- £шал&п-еиЬкШъ <?ЬУзW v2 s^ у. /ifcfcj. Ыею. Ы- 4№, <LZ? } рр-, Я #

90. Молодян И.П., Старуш Т.Г. ,Некоторые особенности выращивания искусственно-анизотропных кристаллов на основе антимонида индия, сб. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников, Новосибирск,1970, с. 465-470.

91. Дехтяр И.Я., Немошкаленко В.В. Электронная структура и электронные свойства переходных металлов и их сплавов, Киев,"Науко-ва думка", 1971, 304 с.

92. Басова К.Т. Термомагнитные эффекты в1. Изв. высш.учебн.зав., физика, 1963, № 4, с. 149-156.

93. Гусева Г.И. я Цидильковскяй И.М. Зависимость эффективной массы электронов от концентрации вя Gctifi-j ,

94. ФТТ, 1963, т. 5, вн. I. с. 263-268.

95. Уханов Ю.И., Малтцев Ю.В. Завясямость эффективной массы1.I Уэлектронов в полупроводниках типа А В от температуры, Изв. АН СССР, сер. физика, 1964, т. ХХУШ, № 6, с. 989-9Э2.

96. Басова К.Т. Термомагнитные эффекты в , сб. Металлургия и металловеденяе чястых металлов ,1963, атомяздат, вп.4, с. 214-227.

97. Иванов-Омский В.И., Коломяец Б.Т., Термомагнитные эффектыв антимонаде галлия п-тяпа я его сплавах с антямонядом индия ,ФТТ, 1961, т.З, №11, с. 3553-3555.

98. Цидильковский И.М. ,Термомагнитн6'е явления в полупроводниках, М.: "Наука" 1960-382 с.- 390

99. Жузе В.П. , Цидильковский И.М., Термомагнитные эффекты в , ЖТФ, 1958, т. ШШ, вп. II, с.1372-1381.

100. Писаренко Н.Л., Термомагнитный эффект Нернста в полупроводниках и металлах, Изв. АН COOP, сер. физ.1941, т.5, $ 4-5, с. 417-421.

101. Аскеров Б.М., Кинетические эффекты в полупроводниках, Ленинград "Наука" 1970 303 с.

102. ПО. Займан Дж., Принципы теории твердого тела, М.: "Мир" 1966415 с.

103. I. Сафараяиев Г.И., Дадашев И.Ш., Кулиев А.Н., Влияние сложного легирования на электрические свойства , тез. докл. респ. симпозиума по физическим свойствам сложных полупроводников, Баку, 1978, с. 13-14.

104. Щ2. fee А.Я., Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках, Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, вп.1, с. 14-16.

105. Шик А.Я., Подвижность неравновесных носителей в неоднородных полуцрозодниках, ФТП, 1976, т.10, вп.6, C.III5-III8.

106. Гергель В.А., Сурис Р.А. Расчет подвижности и коэффициента Холла в среде со сферическими неоднородностями ФТП, 1978, т.12, вп. 10, с. 2055-2056.

107. Дахно АИ., Емельяненко О.В., Логунова Т.О., Старосельце-ва С.П. Особенности переноса электронов в компенсированных кристаллахп-Зир , ФТП, 1979, т. 13, вп.9, с. 1788-1794.

108. Буль А.Я., Набиев Ш.Й., Шик А.Я., Температурное гашение остаточной проводимости в ft-, ФТП, 1977, т.II, вп. 10,с. 2058-2059.

109. Буль А.Я., Шик А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. Экспериментальное исследование долговременных релаксаций в антимониде галлия, ФТП,1974, т.8, вп.Ю1952-1959.

110. Сафараяиев Г.И., Вагабова Л.К. Исследование особенностей переноса заряда в сложнолегированном компенсированном

111. ФТП, 1981, т. 15, вп.5, с. 839-845.

112. Головина Э.Д., Левченя Н.Н, Шик А.Я., Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном Yl-Ge. , ФТП, 1976, т. 10, вп.2, с. 383-386.

113. Абессонова Л.Н., Добровольский В.Н., Жарких Ю.С., Фролов О.С., Шик А.Я. Об интерпретации результатов холловских измерений в неоднородных полупроводниках,ФТП, 1976, т.10, вп.2, с. 406-408.

114. Шейнкман М.К. Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках,ФТП, 1976, т.10, вп.2, с. 209-231.1. О Л R

115. Полупроводники А В^С ^ под общ.ред. Н.А.Горюновой, Ю.А.

116. Валова М.: "Сов.радио",1974-374 с.1.I У

117. Полупроводниковые соединения А В , под ред. Р.Виллардсона и Х.Геринга, М.: "Металлургия" 1967-707 с.

118. Займан Дж., Электроны и фононы М.: ИЛ,1962 488 с.

119. Кригер Ф. Химия несовершенных кристаллов М.: "Мир",1969-654с.

120. Глазов М.В., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. О взаимодействии между донорами и акцепторами в твердом растворе на основе фосфида галлия, ФТП, 1973, т.7 вп. 4, с. 753-758.

121. Глазов В.М., Нагиев В.А. Экспериментальное исследование донорно-акцепторного взаимодействия в твердом растворе на основе арсенида галлия ФТП, 1973 т.7, вп. II, с. 2212-2216.

122. Глазов В.М., Киселев А.И., Лебедева Л.В., Растворимость и взаимодействие легирующих элементов донорного и акцепторного типа в арсениде галлия, ФТП, 1975, т.9. вп.8, с.1085-1091.

123. Глазов В.М., Киселев А.И. Растворимость и взаимодействие легирующих элементов донорного и акцепторного типа в антимонаде галлия, ЖФХ, 1976, т.50, JS 10, с. 1592-1596.

124. Нашельскяй А.Я., Монокристаллы полупроводников М.: "Металлургия", 1978 200 с.

125. Месерер М.А., Омельяновскяй Первова Л.Я., Ткач Ю.Я., Фястуль В.И. Фотопроводимость монокристаллическогос крупномасштабными флуктуациями электростатического потенциала примесей, ФТП, 1976, т.10, вп.5, с. 851-859.

126. Воробьева H.B., Воробьев Ю.В. Коломиец И.А., 0 природе полосы люминесценции 0,8 эв в ФТП, 1974, т.8, вп.З, с. 606-608.

127. Пека Г.П., Карханин Ю.И. Энергетический спектр глубоких уровней и механизм язлучателыюй рекомбинации в , ФТП, 1972, т.6, вп.2, с. 305-310.

128. Дуль М.Б., Заварицкая Э.И., Рождественвкая Котельнякова Н.В., Воронова ■"■Т.Д., Переход металл-диэлектрик в компенсированном арсениде галлия в магнитном поле, сб.Арсенид галлия,изд. томского универ. 1974, с. 266-271.

129. Лебедев А.И., Стрельников И.А. 0 природе эффективного центра язлучателыюй рекомбинация в Pa^fc и твердых растворах на его основе, ФТП,1969, т.13,вп.2,с.389-393.

130. Буль А.Я., Набяев Ш.И., Шик А.Я. О температурной зависимости удельного сопротивления в неоднородных полупроводниках, ФТП, 1977, т. II, вп. 3, с. 506-510.

131. Глазов В.М., Глаголева Н.Н., Грязева И.Л., Концентрационная зависимость числа носителей заряда при простом и сложном легировании антимонида галлия и ее взаимосвязь с пределом растворимости, ФТП, 1976, т.10, вп. 5, с. 822-888.

132. Немошкаленко В.В., Рентгеновские спектры и электронная структура металлов I большего периода, Матер, мекд.симп. рентгеновские спектры и электронная структура евщества, Изд.

133. Шкловский Г.И., Эгорос А.Л., Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника, ЖЭТФ, 1972, т. 62, вп.З, с. II56-II65.

134. Дыхне A.M., Аномальное сопротивление плазмы в сильном магнитном поле, ЖЭТФ, 1970, т. 59, вп.2 (8), с. 641-647.

135. Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., Алиева М.А., Зейналов С.А. Прибор для исследования гальваномагнитных явлений в полупроводниках, журн. Приборы и техн. эксперимента, 1967, № 3,с. 184-186.

136. Olгкш и.М* effects ячее/Миг т^е

137. Шик А.Я., Проводимость облученных полупроводников ФТП, 1977, т. II, вп.9, с. I758-1764.

138. Шкловский Б.И. Критическое поведение коэффициента Холла вблизи порога протекания, ЖЭТФ,1977, т. 72,вп.I,с.288-295.

139. Коноплева Р.Ф. , Юферов А.А., Электрические свойства германия, компенсированного разулорядоченными областями,ФТП, 1973, т.7, вп.II, с. 2086-2093.

140. ИМФ АН УССР,Киев,1969, т.1, с. 77-86.j- 394

141. Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Рытова H.G., Фистуль В.И. О компенсации в И-Ы*) ФТП, 1977, т.II, вып.9 с. 17181722.

142. Морозов В.Н., Чернов В.Г., Донорно-акцепторное взаимодействие в арсениде индия, легированном кадмием и теллуром, ФТП,1979, т. 13, вп.9, с. 1804-1809.

143. Потапов В.Т., Трифонов В.И., Чусов И.И., Ярменко Н.Г. Эффект Фарадея в сильнокомпенсированном » ФТП, 1972, т.6, вп,7, с. I227-1233.

144. Гофкман Э.П., Городецкий А.Ф., Гук Г.Н., Якунина Н.Я., Тензометрияеские характеристики антимонида галлия, сб.:

145. Полупроводниковая тензометрия, Новосибирск ,1969, с.209-215.152.' Турхачев Б.С., Удалов H.II., Полупроводниковые тензодреоб-разователи М.: "Энергия" 1968-76 с.

146. Полупроводниковые тензодатчики, М.: I967-II7 с.

147. Полупроводниковые тензодатчики под ред. М.Дина, М.-Л. "Энергия", 1965-215 с.

148. Илисаевский Ю.В. Полупроводниковые тензометры, Л. 1963- 43с.

149. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинов А,Д., Полупроводниковые приборы, М.: высшая школа,1973 398 с.

150. Ильинская Л.М., Подмарков А.Н. Полупроводниковые тензодатчики, М.-Л.: "Энергия,1966 118 с.

151. Туричин A.M. Электрические измерения неэлектрических величин, М.-Л. "Энергия", 1966, 690 с.

152. Пучкин Б.И. Приклеиваете тензодатчики сопротивления, М.-Л. "Энергия" 1966-89 с.

153. Усг&рА е., i^nvheA S- ? pMteWzea^e -^"L-ay^duc-eJb^ c^ytcrKcm

154. Гофман Э.П., Модцавер Т.И., Семенов А.И., Контакты к тен-зорезисторам из антимонида галлия, Полупроводниковая тензометрия, Новосибирск, 1969 с. 53-61.

155. Городецкий А.Ф., Гук Н.Г., Якунина Н.Я., Морозова Г.Г., Тензометрические характеристики кремниевых тензорезисторов,изготовленных из различных номиналов удельного сопротивления. Полупроводниковая тензометрия, Новосибирск, 1969 с. Ш-Ш

156. Сафаралиев Г.И., Мургузов М.И., 1улиев А.Н. Электрические и гальваномагнитные свойства новых ферромагнитных сплавов

157. Материалы Международного симпозиума: Электронная структура переходных металлов, их сплавов и соединений Киев,1974, с. 289-292.

158. РЛастеров В.Ф., Саморуков Б.Е., Глубокие центры в соединениях АШВУ, ФТЛ, 1978, т.12, вп. 4, с. 625-652.

159. Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., 1уяиев А.Н., Дадашев И.Ш. , Мардахаев Б.Н., Диаграмма состояния и физические свойства сплавов системы Ca^-Jl^t , Изв. АН СССР, неорг, матер. 1974, т.10, № 10, с. 1778-1782.

160. Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш., Магнитный фазовый переход в сплавах % Изв. АН СССР, неорг. матер., 1977, т. 13, № 7, с. H82-II85.

161. Алиев М.И., Дадашев И.Ш., Сафаралиев Г.И., Исследование кинетических свойств сплавов системы ^Cf^^JJ^^ в интервале 80 * 1000 К, ФММ, 1980, т.49, вн. 5, с. 1093-1095.- 396 '

162. Вансовский С.В., Магнетизм, М."Наука", I97I-I032 с.

163. Вансовский С.В. Современное учение о магнетизме, М.:изд. ГИТТЛ, 1952, 440 с.

164. Резанов А.И. О тепловых и термоэлектрических свойствах ферромагнитных металлов , ДАН СССР, 1952, т. 82, № 6, с. 885-887.

165. Кикоин И.К., Бабушкина Н.А., Игошева Т.Н., Гальваномагнитные явления в ферромагнитном сплаве МиS'£ , ФММД960,т.10, вп.З, с. 488-490.

166. Туров Е.А., Электропроводность ферромагнитных металлов при низких температурах, ФММ, 1958, т.У1, вп.2, 203-213.

167. Судовцов А.И., Семенко Е.Е., Особенности температурной зависимости электросопротивления ферромагнитных металлов при низких температурах, ЖЭТФ, 1956, т.31, вп.З(а), с. 525-526.

168. Кондорский Е.И., Галкина О.С., Черникова Л.А., Электричес- ' кое сопротивление железа, никеля и сплавов никеля с медьюпри низких температурах, ЖЭТФ,1958 т.34, вп.5, с.1070-1076.

169. Абельский Ш.Ш., Туров Е.А., К теории температурной зависимости электропроводности и теплопроводности ферромагнетиков при низких температурах,ФММ,1960, т.10, вп.6, с. 801806.

170. Григин В.П., Нагаев Э.Л. Взаимодействие носителей токас заряженными дефектами в сильно легированных ферромагнитных полупроводниках, ФТТ, 1975, т.17, № 9, с. 2614-2621.

171. Васильева И.Н., Новгородский В.Н., Самохвалов А.А., Факидов И.Г. Эффект Холла в системе Мц-%(з , ФММД959, т.7, вп.2, с.304-305.

172. Факидов И.Г., Красовский В.П. Гальваномагнитные свойства- 397 фосфидов марганца, ШМ, 1959, т.7, вп.2, с. 302-304.

173. Кикоин И.К., Игошева Т.Н. Коэффициент Холла и электрическое сопротивление ферромагнетиков, ЖЭТФД964, т. 46, вд.1 с. 67-70.

174. Кикоин И.К., Буряк Е.М, Муромкин Ю.А., Об аномально большом эффекте Холла в ферромагнитном сплаве хром-теллур, ДАН СССР, сер. физика,1959, т. 125, № 5, с. I0II-I0I4.

175. Волькенштейн Н.В., Федоров Г.В. Температурная зависимость эффекта Холла чистых ферромагнетиков, ЖЭТФД960, т.38,вд.1, с. 64-68,184. iyh&M- LrL

176. Валиев Л.М., Керимов И.Г., Бабаев С.Х. Намазов З.М. Электрические свойства , fe&t-jSe^ и Г&Сг^Те^ . Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1975, т.II, В 2. с. 213-217.

177. Васильева Р.П. Черемушкдна А.В.,Язлиев С., Кадыров Я., Эффект Холла и электрическое сопротивление сплавов системы железа-кобальт , в,1974, т. 38, вп.2, с. 289-294.

178. Ирхин Ю.П., Шавров В.Г. К теории спонтанного холл-эффекта в ферромагнетиках, ШТФ, 1962, т. 42, вп. 5, с. 1233-1240.

179. Абельский Ш.Ш., Ирхин Ю.П. К теории спонтанного холл-эффекта в ферромагнитных полупроводниках, ЖЭТФД963, т. 44, вп.1, с. 230-234.

180. Сивирина Е.П. 0 спонтанной постоянной Холла в ферритах

181. ФТТ, 1964, т.6, № II, с. 3378-3392.

182. Пятин Ю.М., Материалы в приборостроении и автоматике, справочник, М.: Машиностроение, 1969-631 с.

183. JIclcl^C. -ifun cU<U/z4№ fajcdt&Lono, OAlcf Jfa^1. Ъоъз W. ;- 398

184. Зонсовский С.В., Об обменном взаимодействии валентных ивнутренних электронов в ферромагнитных (переходных) металлах, ЖЭТФ, 1946, т.16, вп.П, 981-989.

185. Ирхин Ю.П., Туров Е.А. К Многоэлектронной теории полупроводников. Ферромагнитные полупроводники, ФЖ, 1957, т.4, вп.1, с. 9-13.

186. Ирхин Ю.П., Туров Е.А. К феноменологической теории электропроводности ферритов и антиферромагнетиков, ФЖ, I960,т.9, вп.4, с. 488-497.

187. Мочан И.В., Образцов Ю.П., Смирнов Т.В., Определение эффектив ной массы электронов из измерений термоэлектродвижущей силы в сильном магнитном поле, ФТТ, 1962, т.4, № 4,с. I02I-I028.

188. Дидух В.Д., Двдух 1.Д., Стасюк И.В., Простая модель электрических и магнитных свойств магнитных полупроводников, укр. физ.журн. 1975, т.20, № I, с. 95-100.

189. Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш., Гулиев А.Н. Исследование механизма рассеяния носителей тока , легированного марганцем и твердого раствора f тезисы докл. республ. симп. по физич. свойствам сложных под7проводников, Баку,1978, с. 17.

190. Сафаралиев Г.И., Мургузов М.й., 0 влиянии легирующих элементов на физические свойства и характер химических связей антимонида галлия тез. докл. по физ.-химич. основам легирования кристаллов полуп. материалов, Москва,1970, с.II.

191. Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., Алиева М.А. Джафаров З.А.,

192. Араслы Д.Г. 0 рассеянии фононов на фононах и статистических1.I vдефектах в соединениях А В , вб.: Теплофизические свойства твердых тел, Киев, "Наукова думка", 1971, с. I36-I4I.

193. Сафаралиев Г.И., Гуляев А.Н., Дадашев И.Ш. Исследование влияния легирующих добавок oL я / - переходных элементов

194. Sm и Мп- ) на свойства , тез.докл. всесоюзн. научн. семинара по вопросам получения , исследования свойств и применения тугоплавких соединений рзэ, Душанбе,1975, с. 36.

195. Мамедов К.П., Кулиев А.Н., Алиев М.И., Вагабова JI.K, Сафаралиев Г.И. Исследование диаграммы состояния сплава в разрезе Sn^-gcSg f тез. докл. расп. сямп. по физяч. свойствам сложных полупроводников, Баку,1978, с. 15.

196. Дадашев И.Ш., Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., Исследование электрических свойств и теплопроводности iVtf^ , тез. докл. второго республиканского семинара по конфигурационной модели вещества, Львов,1976, с. 62-63.

197. Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш., Кулиев А.Н., Мамедов К.П.

198. Исследование диаграммы состояния сплавов в разрезе тез. докл. У всесоюзн. конф. по химии, физике и техн. применению халькогенядов, Баку,1979, с. 47.

199. Мякрюков В.Е., Сперанский Н.В., Теплопроводность и удельное электросопротивление никель-цинковых ферритов. ИФЖ., 1962 т.У, гё 6, с. 38-42.

200. Беккер Я.М. Теплопроводность никель-цинковых ферритов в диапазоне температур 20 * 400 °С,ФТТ,1963, т.5, Ш 3, с. 874882.

201. Камилов И.К. 0 теплопроводности никель-цинковых ферромагнитных полупроводников в температурном интервале 80-500 К ФТТД962 т.4, в.9, с. 2312-2318.

202. Щелкотунов В.А., Данилов В.Н., Исследование теплопроводного- 400 ти монокристаллов ферритов и антиферромагнетиков в интервале температур 80-400 К, Изв. АН СССР, неорг. матер., 1971, т. УП; 1Ь 2, с. 284-290.

203. Займан Дж., Электроны я фононы, ИИЛ, М: 1962, 482.

204. Магялевский В.М., Чудновский А.Ф., Теплопроводность полупроводников, М.: "Наука",1972, 536 с.

205. L&IXHJUX р. Я^еу-нсьМ^ bvumiff*^ d-M ОУЬгруъел fei~ncLLteA> Ccj§nMz et 3

206. ЛсЫеах^ е. б.J лке+м^^ь^ъ*»^cdzirut fUioiMxvL -trOcubt&bLny, IVL dop-ed £cx$g с/Ш4bkU} lid. 43a, 11, wt. 9-ft •

207. Алиев М.И., Сафараляев Г.И., Теплопроводность и термоэдс ан-тимоняда галлия, легированного Тлп. и Те, язв. АН Азерб.ССР, сер. фяз.-техн. я мат. наук, 1966, J& 2, с. 87-90.

208. Пайерлс Р., Квантовая теория твердых тел, М. ШЛ, 1956-259с. '

209. Драбл. Дк., Гольдсмидт Г., Теплопроводность полупроводников, М., ИИЛ, 1963-266 с.

210. Померанчук И. Теплопроводность парамагнитных диэлектриков при низких температурах яо о теплопроводности диэлектриков при температурах больше дебаевской, ЖЭТФ, 1941, т.II, вып. 2-3, с. 226-254.

211. GxziuctJrwbb p.^Th&D-Zy cxf {hwL-mat1. H cxf ёоъГ fcejf.in- Oeyndaa^lem^ tf&if.iSSnht% 3Sf- * У

212. Иоффе А.Ф., Иоффе А.В. Простой метод язмереняя теплопроводности ЖТФ, 1952, т. ХХД, вп. 12, с. 2005-2013 я ФТТ,1959,т.1- 401 -B.I, с. 156-159.

213. Жузе В.П. 0 связи теплового сопротивления кристаллов с коэффициентом их линейного расширения, ДАН СССР, сер. физ. 1954, т. XCIX, Jp 5, с. 7II-7I4.

214. Абдуллаев Г.Б., Алиев М.И.Башщалиев А.А., Керимов И.Г., Теплопроводность некоторых соединений типа труды Ин-тафизики АН Азерб.ССР, 1963 т. II, с. 46-51.

215. Амирханов Х.И., Магомедов Я.Б., Теплопроводность антимонида галлия в твердом и жидком состояниях,ФТТ, 1966, т.8, в.1,с. 290-292.

216. Wm 7hefcmArifioufryiwn,^ aynd vfoSLwi&C&Liиж^ui-v -^^^iyi^cUoyi^en. uncijvktfl. (ЪЪк) i9S9t y/zl'S-^iM-ISt

217. H<rttowid J/-(r.} fukisfrorh. -и^Ьелькч IVL terrUatyn.-cUeb, fiAfi. лиг. ( j<}£4 /ЗУ J>B м '1. ЧЫ- no. '

218. Алиев М.И., Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш. Исследование электрических свойств ферромагнитных сплавов в системе (баЫ)

219. Изв. АН Азерб.ССР, сер. физ.-техн. и мат. наук,1975, № 4, с. 42-46.

220. Алиев М.И., Дадашев И.Ш., Сафаралиев Г.И., Исследование теплопроводности сплавов &r Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.техн. и мат. наук,1975, № I, с. 10-15.

221. Андрианов Д.Г., Гринштейн П.М., Ипполитова Г.К., Исследование глубоких примесных состояний ft- в фосфиде галлия,ФТП, 1976, 10, № 6, с. II73-1176.

222. Виноградова К.И., Ивлева B.C., Ильменков Г.В., Некоторые особенности поведения железа в антимониде индия, ФТП, 1972,6,с. 1845-1850.- 402

223. Сафараяиев Г.й. Исследование процессов рассеяния фононов и носителей тока в антимониде галлия, дис. канд. физ.-мат. наук, Баку, 1966-153 с.

224. Алиев М.И., Ахмедли Г.Т.Исследование теплопроводности арсенида галлия и антимонида индия, Изв. АН Азерб.ССР, сер. физ.-техн. и мат. наук, 1964 Л 4, с. 95-99.

225. Алиев М.И. Теплопроводность сильнолегированных полупроводников дис. докт. физ.-мат.наук, Баку,1965-350 с.

226. Алиев М.И., Фистуль В.И., Араслы Д.Г. Исследование теплопроводности сильно легированного германия, ФТП, 1964, т.6,12, 3700-3701.

227. Иоффе А.Ф. Влияние различных примесей на теплопроводность решетки германия, ФТТ, 1967, т.9 вп.8, с. 2439-2442.

228. Иоффе А.Ф. Об уменьшении теплопроводности кристаллической решетки , &> и их твердых растворов, ФТТ.1968,т.10,вп.II, с. 3430-3432.

229. Цист J.t^lh/mQl аигЛисЫtfty indCtwn236 • \H/cL^lm ; wcteMe&itfo^i^kjUi ^ uund

230. MM, X. tfdvbjoblcii J <fBG£ {iL1 * jjful ffifL .toB^ lo99.237 • ^^^/cfe) (Wo! Ajwuhbetafy} auKCfd, /г

231. Девяткова Е.Д., Смирнов И.А. Температурная зависимость теплового сопротивления некоторых кристаллов вблизи температуры Дебая, ФТТ, 1962, т.4, вп.9, с. 2507-2513.

232. Лийпиц М.И. 0 вырожденных регулярныхво возмущениях, ЖЭТФ, 1947, т.17, вп. II, с. I0I7-I025 и с. 1076-1089.

233. Лифииц М.И. и Степанова Г.И. 0 спектре колебаний неупорядоченных кристаллических решеток, ЖЭТФ,1956, т.30, вп. 5, с. 938-946.- 403

234. Иосилевский Я.А., Коган 10., Примесный атом в решетке с оптическими ветвями колебаний, ЖЭТф, 1964, т.46, вп.6, с. 21652182.

235. З^гитЬет+Е З.д. сто/ Matlfawf У.

236. G4 p.,W(rM ^ ywiivt ^mfUAjex.tlwil in CJVftt&.t>> fvkyj, p.0A>.; iUS^ori. Mo^jft&Ajятх-ап*

237. Кел^ Jot. jOS^op; /г/г. -Ml. ' 24V. Zlman l Д. ^ The ^пелаё ^iedioHettf fvidnciyi.ifcuwitpiytt fyi&ift?Ccwad.1. HAf /г/г. 43SC- .

238. Jlrn&egLDKaA. i}.'rh$bmti£ teUrfoica due fa C-uyto-fiMi^pvifitiUuL, frkpi* UQAT. /вS3 -Мук249. hdUaz -khe^we oobduc&Hty dtbozd&tad aZ£trf$ at hi^A^131, ftp. /Э06- 49 H. ' J

239. JlbouU C^ofd^ M. I fafguwee. 0<f

240. Jefeet* a*J ude^^carL Ыкемъ

241. U m 4 рАеШУк- ScGctt&iivifl lк fimnhC^ olofi&oLtre. wl ii cSOftbt^tij fihfi. . / JSGZ;1. Л% J fi/ъ. Chs-GLfZ25i Cwttwvb Ш^ш^таж ff.fr

242. Thiz^e ОтиЛисШИу o4 asnd teuLfrcMfifie.vU.3G, Jfs27 /г/г . 505- 510 .

243. Сирота H.H., Моковецкая Л.A., Теплопроводность твердых растворов полупроводниковых соединений JV- J-"%Vf, ДАН БССР, 1966, т. I0,J$, с. 449-451.253. \UoltJL. 1С. ОуПС( Th&iwt CMtoUicU+itfrof ff. fityrt. attest . «&>/.9СЧ, ZF Jtft,

244. Zuinafatf- S.JI. W Л&ел? MJ.} Ме^бсряЛ&к. &<£ thetrnctif ctritifrc&Ptfy3. cuid Ccrv&fa R. .//. Pa-itfifi Ш-2П.itcrn w?affiou^icT ifj p.p. /я /з/. ' y

245. Абдурахманова A.A., Алиев М.И. 0 теплопроводности иэлектрических свойствах твердых растворов — feei'PeJи GaSg) fatTe3)

246. Сложные полупроводники ( сб.стат.под3/ У-уред. Г.Б.Абдуллаева, Баку, Изд. АН Азерб.ССР, 1966, с. 3-6.

247. Метфессел 3. и Маттис Д., Магнитные nojy проводники М.: Мир 1972-405 с.

248. Дадашев И.Т., Сафаралиев Г.И., Получение и свойства искусственно-анизотропного ферромагнитного эвтектического сплава

249. Goiou M*oG , ФММД975 t.39, 16, c. I32I-I323.• ' .260. jf. Jc.S. aA\d l)oAm&. P. S. -

250. Кржижановский P.E., Метод определения фононной теплопроводности чистых металлов и нахождение ее для титана, сб. Тепло-физические свойства твердых веществ М.: "Наука"Д971, с. 50-52.

251. Вишневский И,И., Скрипак В.Н. 0 теплопроводности ферритовшпинелей в интервале 300-1000 К, ФТТ, 1966, т.8, вп.7, с. 2262-2264.

252. Девяткова Е.Д., Тихонов В.В., Теплопроводность и теплоемкость иттрий кальцевых гранатов,ФТТ,1967, т.9, № 3, с. 772-777.

253. Форенко JI.A., Щелькотунов В.А. и Зочивко В,Л. Теплопроводность никель-цинковых ферритов в диапазоне температур 20* 400°С, ФТТ, 1963, т.5, вп.З, с. 874-882.

254. Вишневский И.И., Скрипак В.Н. Поведение решеточной теплопроводности в области фазовых переходов, сб.теплофизические свойства твердых веществ, М.: "Наука" 1973, с. 44-48.

255. Камилов И.К., Шахшаев Г.М., Алиев Х.К. Мусаев Г,Г., Хамидов М.М., Особенности поведения теплопроводности ферритов в окрест ности магнитных фазовых переходов, ЖЭТФД975, т. 68, вп.2с. 586-598.

256. Щелкотунов В.А., Данилов В.Н-., Люкишин, Теплопроводность монокристаллов марганец-цинковых ферритов, Изв. АН СССР, неорг. матер.-, 1975, т. II, № 9, с. 1638-1645.

257. Абдуллаев Г.Б., Алиев М.й , Ахмедлы Г.Т., Араслы Д.Г. Сафарадиев Г.И.Исследование теплопроводности сильно легированных полупроводников Баку,Изд.АН Аз.ССР,1967,с.уь. G1Q- GZ4.305.311.- 406

258. Алиев М.И., Сафараяиев Г.И., Алиева М.А., Дкафаров З.А.,

259. Араслы Д.Г., Механизмы переноса тепла в сильно легированныхill уполупроводниках А В , тез. докл. Ш всесоюзн.теплофизич. конф. по свойств, веществ при высоких температурах, Баку, изд. АН Азерб.ССР, 1968 с. 33-34.

260. Иванова B.C., Копьев И.М., Ботвина Л.Р., Шермергор Т.Д. Упрочнение металлов волокнами, М.: "Наука" 1973-207 с.

261. Wa^lni К см о/ Wc£hel>n МTKa^wettsdiZeiectbUcht

262. Э/. tfdwtfriich t 19G6, Z1a 3Z9-3S1. J

263. Агаев Я., Коняева В.Ф., Суханов С., Исследование эффекта маг-нитосопротивлениядокл. всесоюзн. конй. по m уэлектр. я опт. свойствам крист. типа А В и сло:-кн. соед. типа А2В4С52, Ашхабад "ылым",1971, с. 7.

264. Гимельфарб Ф.А., Григ Б.Г. ,Мильвидский М.Г., Омельяновский Э.М. я Пелевин О.В. Исследование негомогенности кристаллов арсенида галлия легированных железом, кристаллография, 1970, т.15, вп.1, с. 112—118.- 407

265. Оделзвский В.И., Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем, ЖТФ, 1951, т. 21, вп. 6, с. 678-685.

266. Цошгвж^ W.JU. Ые*™*? С^ЯС^С^стМб^srn&tag-j cut -б&пьрлъ&б и^г^ ^ fiAU£ .-fcz&rtil. Пои,. fandob's ; wet, сипе*9SS- У* 933, j14* yi/i. fa/278- ^УЪЖ. wd i^est г&Аъ^- c^cCuctcxf- -fe^гАу^гщМ/гиг^od. ^ Wcwi1. WO, /г/г. £99-fro.

267. J^m g.W. oW rf-ел.ЪОыаАП&Ьс.280. tfcri^&i- 3.7 FuAtheb аху&гст&пёьб Lnfajilf**- -1tioyid СУП- ivme, o^c-dlG a>tnft&UAzd^ o*f ^ггсигфсша^ udblk. ie, ji<luc£uA&? /ihgiLccL j fy jr*Z, /z/г. 49-6C .

268. Воронков В.В. и Чернов АД. 0 структуре поверхности разделакристалл-идеальный раствор, кристаллография,1966, т.II, вд.4, с. 626-667.

269. Салли И.В., Финогина Е.В., Скорость роста и форма первичных кристаллов в сплавах, в кн. Металлофизика, Киев, "Наукова думка" 1968, с. 104-И3.

270. Сафаралиев Г.И., Гуляев А.Н. Ферромагнитные полупроводниковые сплавы в системах Ш'Мп ksi Ж- Mrtt тез. докл. Ill реслубл. межвузовской научн. конф. по физике, Баку,1972, с. 47-48.

271. Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш. Халилов Х.Я., Мургузов М.И. Механизм рассеяния носителей тока антимонида галлия, легированного марганцем Баку,1980 7с - рукопись представлена ред.•курн. ФТП, деп. в ЦНИИ "Электроника", 1980, Г? РА-2975/80.

272. Дадашев И.Ш., Сафаралиев Г.И., Мургузов М.И., Механизм рассеяния носителей тока в твердых растворах Изв. АН СССР, неорг. матер., 1980, т.16, № 12, с. 2II0-2II3.

273. Алиджанов М.А., Ализаде М.З., Вагабова Л.К. Дадашев И.Ш., Сафаралиев Г.И., Кулиев А.Н., Исследование терлоэлектрических свойств твердых растворов Те Изв. АН СССР, неорг. матер. 1981, т. 17, № 5, с. 9II-9I3.

274. Буль А.Я., Голубев Л.В., Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В. Некоторые свойства антимонида галлия , легированного серой, ФТП, 1969, т.З, вп.5,С«786-787.

275. Галаванова В.В., Падахов А.З. Зависимость туннельного тока от давления в диодах при 77 К ФТП,1973, т.7, вп.З, с. 640-641.

276. Буль А.Я., Бир Г.Л., Шмарцев Ю.В., Донорные состояния серы в антимониде галлия, ФТП, 1970, т.4, вп. 12, с. 2331-2346.

277. Буль А.Я., Голубев Л.В., Шаронова Л.В., Шмарцев Ю.В. релаксация проводимости в аншимониде галлия п-типа легированном серой, ФТП, 1970, т.4, вп. 12, с. 2347-2352.

278. Кулиев А.Н., Сафаралиев Г.И., Дадашев И.Ш. Абилов Б.Б.,Аба-сов А.А. Получение и исследование кинетических свойств сплавов системы JJn<Qflтез. докя. У всесоюзн. конф. термодинамика и технология ферритов, Ивано-Франковск,1981, с.- 409

279. Сафараляев Г.И., Вагабова JI.K., Кулиев А.Н., Исследование диаграммы состояния сяОтетМУ)х$(-£с1$£тез. доклада I воесоюзн. конф. по физике и технологии тонких пленок (явления переноса), Ивано-Франковск,1981, с. 134-135.

280. Кулиев А.Н., Сафаралиев Г.И., Вагабова Л.К., Мургузов М.И., Абасов А.А Исследование термоэдс и эффективных масс сплавов

281. Qa§£ » тез* Д°кл» i всесоюзн. конф. по физике и техн. toi кях пленок (Явления переноса), Ивано-Франковск,1981, с. 241.295. tv££e* С.Ъ^МГсЛМсг+г- к. б^ J^UilovL Wetiedueat fLZvfwtte* o4 Си4 in

282. CtyfUk, £ , X* HJ fifL. 3613*36/?

283. МмМеъ Л. M.j c/e>*L {&У1- einictu- jkm. ^сЛьгисц&лъ.

284. J}l"p> die- g^eci^ca-- J^gg^

285. С.В.Вонсовский, Электропроводность ферромагнетиков при низких температурах, ЖЭТФ, 1948, т.18. вп.2, с. 219-223.

286. А.Ф.Иоффе, Два механизма свободных зарядов,ФТТ, 1959, т.1, вп. I, с. 156-159.

287. З.А.Джафаров Исследование электрофизических свойств и теплопроводности , легированного элементами четвертой группы (4t , ) и эвтектика ^^-Я^Баку, 1972300. Iк/Мел. Mf. U.В.40, АЛ- 2>9о$-2>9Н

288. Сафаралиев Г.И., Вагабова Л.К. Исследование диаграммы состояния системыQcfidМатериалы научн. конф. посвящен. 60летию Азгоспединститута им. В.И.Ленина, Изд. АЛИ им. В.И.Ленина, Баку,! 981, с. 473-474.

289. Вол Е.А. Строение и свойства двойных металлических систем

290. Л.: Металлургия, 1965- с. 350.

291. Хансен М., Андерко К. Структура двойных сплавов , т.1 и 2, Металлугздат,1962

292. Кенделли А. В кн.: Новые исследования редкоземельных металлов М.: Изд. "Мир", 1964, стр. 78.

293. Самсонов Г.В., Прядко Н.Ф., Прядко Л.Ф., Конфигурационная модель вещества "Наукова думка", Киев, 1973, с. 72-76.