Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Прибылов, Николай Николаевич

• Прибылов, Николай Николаевич
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Прибылов, Николай Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ.

1.1. Общие закономерности диффузии примесей в полупроводниках.

1.2. Экспериментальное исследование диффузии примесей переходных металлов в фосфиде галлия.

1.2.1. Диффузия и растворимость хрома в фосфиде галлия.

1.2.2. Диффузия и растворимость кобальта в фосфиде галлия.

1.2.3. Диффузия марганца в фосфиде галлия.

1.2.4. Диффузия железа в фосфиде галлия.

1.3. Закономерности диффузии примесей переходных металлов в фосфиде галлия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия»

Актуальность темы. Коэффициенты диффузии примесных или собственных атомов в кристалле можно рассматривать как фундаментальные параметры, величины которых характеризуется структурой и энергией связи решетки. Однако, в отличие от таких параметров, как плотность или период решетки - величин, отличающихся для разных образцов менее чем на 1%, коэффициент диффузии одной и той же примеси в монокристаллическом кремнии может отличаться, по данным разных авторов, на порядки величины. Если это имеет место в традиционном полупроводниковом материале -кремнии, то сколь могут разниться результаты в монокристаллах полупроводниковых соединений, где сохраняет свою актуальность задача получения материалов заданного стехиометрического состава. Между тем, монокристаллы полупроводниковых соединений А3В5 стали основой производства изделий СВЧ техники и интенсивно развивающейся оптоэлектроники, а процессы диффузии в них остаются необходимым звеном технологии. Наиболее полно исследована диффузия примесей Ъъ. и Сё, используемых для формирования приборных структур, поскольку получение заданных параметров р-п -переходов возможно лишь в условиях воспроизводимости диффузионных процессов легирования. Менее изучено диффузионное поведение примесей переходных элементов ряда железа, хотя Бе и Сг используются как основные примеси при выращивании монокристаллов для получения полуизолиру ю-щих подложек. Никель и медь часто рассматриваются как неконтролируемые технологические примеси, создающие в запрещенной зоне полупроводника глубокие уровни и влияющие на электрические параметры материала и ре-комбинационные процессы в нем. Диффузионное перераспределение примесей переходных металлов определяет поведение полупроводникового прибора в процессе его эксплуатации. -*

Переходные металлы относятся к числу примесей замещения[1] и характеризуются наличием нескольких зарядовых состояний, т.е. могут иметь в зоне запрещенных энергий полупроводника более одного уровня. В научной литературе принято считать, что процесс диффузии примесей в полупроводниках зависит как от степени дефектности полупроводниковой матрицы, так и от зарядового состояния мигрирующих атомов. Для объяснений эффектов, наблюдаемых в опытах по диффузии или термообработке легированных материалов, предположительно используют либо представления о различных зарядовых состояниях примеси, либо эффектах образования комплексов между примесью и дефектами кристалла. Однако систематических экспериментальных исследований процессов диффузии с привлечением структурно -чувствительных методов и одновременным контролем зарядовых состояний примесных атомов до настоящего времени не проводилось. Изучение свойств диффузионно легированных образцов с привлечением комплекса методов позволяет не только уточнить энергетический спектр примесных состояний, характер электрической активности, но в ряде случаев и определить их электронную структуру. Работа соответствует научному направлению 29.19, разрабатываемому в ВГТУ.

Цель работы: установление взаимосвязи диффузионных параметров примесей переходных металлов с характером их локализации в решетке и зарядовыми состояниями на основе экспериментального исследования процессов диффузии в монокристаллах фосфида галлия. Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

1. Провести экспериментальные исследования диффузии примесей пере- ходных металлов в монокристаллическом фосфиде галлия и определить их основные диффузионные параметры.

2. Изучить влияние зарядовых состояний примесных атомов переходных металлов на параметры их диффузии в фосфиде галлия.

3. Исследовать взаимосвязь между энергетическим спектром дефектов, об- - разующихся при диффузионном легировании образцов переходными элемен тами, и их зарядовыми состояниями. - - - " ~

4. Провести экспериментальное исследование амфотерности электрической активности некоторых примесей в фосфиде галлия.

5. Развить модельные представления о характере взаимодействия примесей переходных металлов с дефектами кристаллической решетки полупроводни

О г ковых соединений А В .

Научная новизна работы состоит в развитии и обобщении физических представлений о взаимосвязи электронной структуры примесных состояний переходных металлов в кристаллической решетке фосфида галлия с их диффузионными параметрами.

К наиболее существенным результатам, представленным в диссертации, относится следующее:

1. Установлено, что параметры диффузии примеси железа в зарядовых

3"^" "Ь 1 состояниях Бе (Зс15) и Рет(3(Г) в фосфиде галлия одинаковы. Величина коэффициента диффузии железа зависит от степени дефектности кристалла фосфида галлия, но не зависит от зарядового состояния примеси.

2. По виду распределения в диффузионных слоях марганца в фосфиде

Л I с галлия парамагнитных центров Мп (За) и глубоких примесных центров с энергией уровня Еу+ 0,4 эВ, определяющих полосу примесного оптического поглощения, установлено, что примесь марганца в фосфиде галлия в разных зарядовых состояниях имеет разные параметры диффузии.

3. Обнаружено, что примесь марганца в фосфиде галлия электрически амфотерна, причем донорное состояние, проявляющееся в низкоомных образцах с дырочным типом проводимости, по данным исследований ЭГ1Р, принадлежит центру с пониженной симметрией. Предложен механизм диффузии, объясняющий изменение параметров уравнения Аррениуса для примеси марганца в фосфиде галлия, основанный на представлениях о реконструкции примесного центра марганца при изменении его зарядового состояния.

4. Показано, что медь в фосфидах галлия и индия обладает амфотерно-стью электрической активности. Акцепторное состояние является ловушкой для дырок и определяет эффект очувствления собственной фотопроводимости, донорное выступает как центр рекомбинации. """

5. В фосфиде галлия и фосфиде индия медь обладает переменной валентностью, образуя четыре ковалентных связи с атомами фосфора в материале с электронным типом проводимости и две в дырочном материале. Предложена модель примесных центров меди и марганца в полупроводниковых фосфидах, объясняющая амфотерность их электрической активности.

6. Сформулированы условия получения фоточувствительных в собственной области спектра образцов ОаР:Си и 1пР:Си.

7.Форма спектров примесного поглощения и фотопроводимости образцов, компенсированных примесями переходных металлов, указывает на их многозарядность.

8.0пределены и сопоставлены между собой параметры диффузии примесей хрома, марганца, железа и кобальта в фосфиде галлия. Установлена корреляция между энергией активации диффузии и величиной предэкспо-ненциального сомножителя в уравнениях Аррениуса.

Практическая значимость проведенных исследований

1. Определены количественные характеристики диффузии примесей переходных металлов в фосфиде галлия, необходимые для-расчетов-технологи -ческих операций и прогнозирования поведения фосфида галлия и приборов на его основе при эксплуатации.

2. Определены условия получения компенсированных и фоточувствительных образцов ОаР:Си и 1пР:Си. Показано, что для получения компенсированного материала за счет диффузионного легирования медью слиточных образцов с электронным типом проводимости концентрация замещающей меди должна превышать концентрацию мелких доноров. Для получения фо точувствительного материала это превышение должно быть минимальным, -^с 3. Показана перспективность использования фосфида индия,; легированного медью, в антенных устройствах, с оптоэлектронным управлением.

4. Данные по компенсации медью слиточных образцов можно рассматривать как возможный метод оценки степени отклонения от стехиометрическо-го состава.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Экспериментальные результаты исследования диффузии и растворимости примесей хрома, железа, марганца и кобальта в фосфиде галлия. Примеси переходных металлов диффундируют предпочтительно по диссоциативному механизму. Температурная зависимость эффективного коэффициента диффузии во всех случаях описывается уравнением Аррениуса. Имеется корреляция между энергией активации диффузии примеси и величиной пре-дэкспоненциального множителя. Для марганца обнаружены две энергии активации диффузии, соответствующие "различным зарядовым состояниям примеси.

2. Механизм диффузии, объясняющий изменение параметров уравнения Аррениуса для примеси марганца в фосфиде галлия, основанный на представлениях о реконструкции примесного центра марганца при изменении его зарядового состояния. Наблюдаемая при низкотемпературной диффузии большая энергия активации ~ 4,7 эВ соответствует узельным состояниям

24* марганца Мп са> связанного с решеткой четверкой ковалентных связей. При перекомпенсации материала примесный центр изменяет свою валентность и осуществляет связь только с двумя из четырех атомов окружения. В этом зарядовом состоянии энергия активации диффузии составляет величину лишь ~ 0,9 эВ.

3. Параметры диффузионного уравнения Аррениуса для примесей переходным металлов определяются степенью возмущения кристаллической решетки, вносимой ими при замещении собственных атомов. Для примесных состояний, вносящих в решетку при замещении малое возмущение, энергия активации велика, как и увеличение энтропии, связанной с разупорядочением кристалла при выходе атома в междоузельное положение. Для примесных „-центров, вносящих в кристалл при замещении существенное возмущение," энергия активации мала, а изменение энтропии системы при выходе атома в -междоузлие может быть отрицательным. В ковалентных полупроводниках энергия активации и изменение энтропии максимальны для процессов самодиффузии.

- - 4. Модель примесных центров меди и марганца в полупроводниковых фосфидах, объясняющая амфотерность их электрической активности. В фосфиде галлия и фосфиде индия эти примеси обладают переменной валентностью, образуя четыре ковалентных связи с атомами фосфора в материале с электронным типом проводимости и две в дырочном материале.

5. Экспериментальные результаты исследования фотопроводимости в . сильно компенсированных медью образцах фосфидов галлия и индия. Обнаружены аномалии вида спектров фотопроводимости в области фундаментального поглощения, обусловленные эффектами реконструкции примесных центров, индуцированными оптическим возбуждением. Эти же причины являются причиной обнаруженных аномалий кинетики фотопроводимости.

6. Экспериментальные результаты исследования спектров фотоионизации глубоких примесных центров в ваР, ваЛв и 1пР. Установлено, что в случае процессов оптического возбуждения дырок в валентную зону, спектральные зависимости сечений фотоионизации центров зависят от их зарядовых состояний.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей с учетом основных явлений, определяющих свойства процессов или объектов, многократной экспериментальной проверкой: результа--тов измерений, большая часть которых получена с использованием управляемого компьютером спектрально-вычислительного комплекса. При измерениях использовались апробированные методики, аттестованная и поверенная аппаратура. В ряде случаев экспериментальные результаты дополняются данными численного моделирования. Часть полученных результатов согласуется с выводами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международных конфе--ренциях: "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках й полупроводниковых структурах", Ульяновск, 1997; "Проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий (1СЕМЕС-97)"; "Оптика полупроводников", Ульяновск 1998 г.; "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж, 1999. <

Международных научно - технических семинарах: "Шумовые и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах. М. МЭИ. 1997,1998,1999 г. Всесоюзных конференциях, совещаниях и семинарах: "Физические основы надежности и деградации-полупроводниковых приборов" Кишинев, 1986; "II Всесоюзн. конф. по физике соединений А3В5" Новосибирск, 1981; II Все-союз. конф. "Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и и полупроводниках", Воронеж, 1987; "Шестая всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов" Москва, 1988; "Фазированные антенные решетки и их элементы: автоматизация проектирования и измерений (ФАР-90)" Казань, 1990; II Всесоюзн. Совещание по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980; IV Всесоюзн. науч.- техн. сем. "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" Рязань, 1987.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 43 работы, в том числе: 18 статей в центральной печати, 15 статей в сборниках, 10 - тезисы докладов.

Вклад автора в разработку проблемы В совместных работах автору принадлежит постановка проблемы взаимосвязи параметров диффузии примесей переходных металлов с их зарядовыми состояниями. Им инициированы работы по изучению природы примесных состояний меди в полупроводниковых фосфидах. Предлагаемые в работе физические модели предложены и разработаны лично автором.

Научным консультантом работы является Заслуженный деятель науки РФ, доктор физико-математических наук, профессор Рембеза С.И. В изготовлении легированных образцов принимали участие А.А.Сустретов, Ю.ВГ Зат~, -харов. Экспериментальные установки для регистрации фотопроводимости" 1 создавались совместно с Ю.В. Захаровым и C.B. Железным, измерения и анализ спектров ЭПР осуществлялись А.И. Спириным и В.И. Кирилловым, измерения фотолюминесценции выполнялись Л.П. Бордюжей. Расчеты параметров отдельных спектров с привлечением ЭВМ выполняли В.А. Буслов и С.А.Сушков. - .,-.-.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 208 страниц текста, включая 67 рисунков, 4 таблицы и библиографию из 155 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Прибылов, Николай Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Выполненный комплекс исследований устанавливает взаимосвязь между параметрами диффузии переходных металлов в полупроводниках и электронными состояниями образуемых ими центров. Диффузия в полупроводниковом фосфиде галлия осуществляется по диссоциативному механизму. Экспериментальные результаты исследований диффузии примесей хрома, железа, кобальта и марганца в фосфиде галлия отражают общую закономерность, характерную для полупроводниковых материалов: величина энергии активации коррелирует со значением предэкспоненциального множителя в уравнении Аррениуса.

2. Значения энтропийных факторов процесса диффузии связаны с возмущением межатомных ковалентных связей вокруг атома замещения. Чем ближе электронная структура внешней оболочки примеси к замещаемому атому, тем больше энергия активации ее диффузии и тем больше величина значением предэкспоненциального множителя Наибольшее изменение энтропии кристалла происходит при выходе в междоузлие собственного атома, что определяет самые большие энергии активации самодиффузии в полупроводниках.

3. Примеси Сг,Со,№ в решетке ваР образуют тетраэдрические связи с фосфорным окружением независимо от своего зарядового состояния. В материале с дырочным типом проводимости внутренние ё- электроны обеспечивают изовалентное замещение галлия. Акцепторные свойства этих примесей определяются способностью локализовать дополнительные электроны на своих 3(1 - оболочках. Параметры диффузии таких примесей зависят от степени дефектности материала, но не определяются электронным равновесием (или зарядовыми состояниями дефектов) в нем. Исследование диффузии железа не подтверждает мнения о значительной концентрации междоузельных атомов примеси в твердом растворе железа в фосфиде галлия.

4. У примесных атомов переходных металлов в запрещенной зоне ваР может наблюдаться до двух акцепторных уровней. Форма спектров примесного поглощения и фотопроводимости образцов, компенсированных примесями переходных металлов, зависит от их зарядового состояния. Возбужденные с этих уровней дырки либо отталкиваются однократно заряженным центром, либо не взаимодействуют с ним.

5. Для примесей переходных металлов с наполовину или полностью заполненной 3(1 - оболочкой (Мп, Си) в фосфиде галлия характерно проявление акцепторных свойств в случае электронного типа проводимости материала и донорных - в случае дырочного. Замещая атомы галлия, эти элементы способны проявлять переменную валентность. Параметры диффузии Мп в ваР и скорость распада твердого раствора Си в ОаР, 1пР определяются в первую очередь электронным равновесием. Их диффузия в материале с дырочным типом проводимости осуществляется быстрее, чем в электронном.

6. БистабильносТь состояний меди в фосфидах галлия и индия определяет целую гамму взаимосвязанных свойств легированного материала: от эффектов автокомпенсации при легировании до возникновения сверхлинейных люкс-амперных характеристик фотопроводимости и появления дополнительных максимумов в спектре фотопроводимости в области собственных оптических переходов.

7. Возможность оптического возбуждения процессов реконструкции примесных центров меди в фосфидах галлия и индия приводит к значительным эффектам памяти оптического воздействия. Продемонстрированная возможность реконструкции состояний меди позволяет предполагать их участие в

192 процессах деградации светоизлучающих структур на основе полупроводни

1 г ковых соединений А В . 8. Показана возможность практического использования фосфида индия, легированного медью, в качестве материала для активных элементов в антенных устройствах с оптоэлектронным управлением.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Прибылов, Николай Николаевич, 2000 год

1. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. - М.: Гос. изд. Физ.- мат. лит., 1961. 462 С.

2. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 384 С.

3. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу М.: Мир, 1975.- 684 С.

4. Соколов В.И. Проблемы микроэлектроники (1.Диффузия. 2. Дефектооб-разование. 3. Деградация.) // ФТП, 1995, Том 29, вып. 6, с.842 856.

5. Косенко В.Е. Диффузия и растворимость кадмия в германии.// ФТТ, 1959, Т. 1, вып. 10, с. 1622-1626.

6. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А3В5: Справ. Изд. М.: Металлургия, 1984. 144 С.

7. Р. Сволин Расчет коэффициентов диффузии в полупроводниках. В кн. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу М.: Мир, 1975.- С. 88 136.

8. Шьюмон П. Диффузия в твердых телах. М.: Металлургия. 1966. 256 С.

9. А. Дамаск, Дж. Дине Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966. 291 С.

10. Ю.Муравьев В.А. Кинетическая теория диффузии примесей замещения в полупроводниковых кристаллах со структурой алмаза сфалерита. - Ав-тореф. канд. дисс. Горький. 1979. - с. 12-16.

11. Miller I.W. Diffusion of interstitial solute vacancy pairs in dilute aiioy.-Phys. Rev., 1969, V. 188, N 3, p.1074-1082.

12. Warburton W.K. Modified model of diffusion by interstitial vacancy pairs.-Phys. Rev. В., 1973, V. B7, p.1341 - 1352.

13. Franc F.C., Turnbull D. Mechanism of diffusion copper in germanium. Phys. Rev.,1956,V.104, N1, p.617-618.

14. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами: Учеб. Для хим.- технол. Спец. Вузов. М.: Высш. шк., 1993. - 352 с.

15. С. Ху Диффузия в кремнии и германии. В кн. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу М.: Мир, 1975. - С. 248 - 405.

16. Регель А.Р., Глазов В.М. Энтропия плавления полупроводников.//ФТП, 1995. Т. 29. Вып. 5. с. 780-805.

17. Ершов С.Н., Пантелеев В.А., Нагорных С.Н., Черняховский В.В. Энергия миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в кремнии и германии. ФТТ. 1974, Том 8, Вып. 6, с. 1175 - 1181.

18. Д.Р. Декер Интегральные схемы СВЧ диапазона на GaAs. В кн. "Арсенид галлия в микроэлектронике" под ред. Н. Айнспрука- пер. С англ. М. Мир. 1984. с.241.

19. У. Дункан, Дж. Уэстфел Изготовление GaAs и его свойства. В кн. "Арсенид галлия в микроэлектронике" под ред. Н. Айнспрука- пер. С англ. М. Мир. 1984. с.84.

20. Ю.П. Пшеничнов Выявление тонкой структуры кристаллов.- М.: Металлургия. 1974. с. 397.

21. Ю.И. Уханов Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -с. 96-101.

22. Кириллов В.И., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Спирин А.И. О поведении хрома в диффузионно легированном фосфиде галлия.// ФТП, 1978, том 12, вып.11, с. 2256-2259.

23. Loescher D.H., Allen J.W., Pearson G.L. The application of crystal field theory to the electrical properties of Co impurities in GaP.Z/J.Phys. Soc. Jap., vol. 21. Suppl., 1966, p. 239-243.

24. Джафаров Т.Д., Демаков Ю.П., Прибылов Н.Н. Диффузия, растворимость и электроперенос кобальта в фосфиде галлия // ФТТ, 1975, Т. 17 , Вып.Ю, с.3110-3112.

25. Худяков С.В. Диффузия и влияние глубоких примесей на электрические и оптические свойства фосфида галлия.- Автореф. канд. дисс. Ленинград, 1981.

26. Абагян С.А., Иванов Г.А., Королева Г.А., Кузнецов Ю.Н. Глубокий акцептор с большой растворимостью: Мп в GaP.// ФТП, 1975, том 9, вып. 2, с. 369-372.

27. Evwaraye А.О., Woodbury Н.Н. Electrical propertyes of manganese-doped gallium phosphiede.// J. Appl. Phys.,1976, Vol. 47, N. 4, p. 1595-1598.

28. Кириллов В.И., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Спирин А.И. ЭПР в диффузионных слоях марганца в GaP и InP. // Материаловедение (Физика и химия конденсированных сред). Воронеж, ВПИ, 1978.- с. 69-71.

29. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия.// ФТТ, 1980, том 22, вып. 11, с. 3322-3326.

30. АИеп J.W. The diffusion of ionized impurities in semiconductors.// J. Phys. Chem. Solids, 1960, Vol. 15, p. 134-139.

31. N.N. Pribylov, A.I. Spirin, S.I. Rembeza, V.I. Kirillov Electron States of Iron and Its Diffusion in Gallium Phosphide.//Phys. Stat. Sol. (a) 172, 177-181 (1999).

32. Мастеров В.Ф., Марков С.И., Пасечник Л.П., Соболевский В.К. // ФТП, 1983, т. 17, В. 6, с.1130-1132.

33. Демидов Е.С., Карзанов В.В., Громогласова A.B. Спектр состояний железа в фосфиде галлия.// В сб.:Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников." Ульяновск, Из-во УлГУ, 1998, с.137-138.

34. Демидов Е.С., Карзанов А.Б., Громогласова В.В., О.Н. Морозкин Низкотемпературная релаксация твердого раствора железа в фосфиде гал-лия.//ФТП, 1999, том 33, вып. 4, с. 385-388.

35. Suto К., Nishisawa J. Paramagnetic Resonance and Hall Coefficiente in Fe-Doped n-Type GaP // J. Appl. Phys., 1972, V. 43, p.2247-2250.

36. Kaufmann U., Schneider J. ESR Assessment of 3d7 Transition Metal Impurity States in GaP, GaAs and InP// Sol. St. Comm., 1978, V.25, p.l 113-1116.

37. Кириллов В.И., Тесленко B.B. Природа парамагнитных центров в GaAs и GaP, легированных железом. // ФТТ, 1979, т. 21, N.l 1, с. 3209-3213.

38. Шишияну Ф.С., Георгиу В.Г. Диффузия, растворимость и электрическая активность железа в фосфиде галлия.// ФТП, 1976, т. 10, вып. И, с. 21882189.

39. Джафаров Т.Д., Худяков С.В. В.Г. Диффузия, растворимость и электроперенос золота в фосфиде галлия.// ФТТ, 1978, т. 20, вып. 1, с. 267-269.

40. Dzafarov T.D., Khudjakov S.V. The influence of vacancies on silver diffusion in gallium phosphide.// Phys. Stat. Sol.(a). 1981, vol. 63, N. 2, p.431.

41. Прибылов H.H. Зарядовые состояния и диффузия переходных элементов группы железа в фосфиде галлия. Дис. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1981,96 с.

42. Герасимов А.Б., Герасимов Б. А., Церцвадзе A.A. Влияние зарядового состояния примесей на их диффузию в полупроводниках.// Сообщ. АН ГССР, т. 77, № 1, 1975, с.53-56.

43. Герасимов А.Б., Джандиери М.Ш., Церцвадзе A.A. К вопросу о диффузии золота в сильно легированном кремнии.//ФТП, 1978, т. 12, вып. 6, с. 1193-1194.

44. Герасимов А.Б., Джандиери М.Ш., Церцвадзе A.A. Модель радиационно стимулированной диффузии при диссоциативном механизме. .//ФТП, 1978, т. 12, вып. 5, с. 1000-1001.

45. Болотов В.В., Васильев A.B., Смирнов JI.C. Реакции в кристаллах как фактор, определяющий процессы диффузии.// ФТП, 1974, т. 8, вып. 1, с. 1175-1181.

46. Watkins G.D. Radiation Damage in Semiconductors, Dunod, Paris, 1965, p.97.

47. Карзанов B.B., Павлов П.В., Демидов E.C. Влияние ионной бомбардировки на кинетику распада твердого раствора хрома в кремнии.//ФТП,-1989.- Т.23, вып. 11.- с.2064-2066.

48. Кириллов В.И., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Спирин А.И., Тесленко В.В. Поведение Мп в GaP.// ФТТ, 1982, т. 24, № 5, с. 1494-1496.

49. H. Н. Woodbury, G.W. Ludwig. Spin Resonance of Pd and Pt in Silicon. //Phys. Rev. 126,466 (1962).

50. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях А3В5 (обзор)//ФТП, 1978, т. 12, с. 625-652.

51. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors.// Solid State Commun., 1965, V. 3, p. 299 302.

52. Балтенков A.C., Гринберг A.A. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительно и отрицательно заряженных центров. // ФТП, 1976, Том 10, № 6, с. 1159 1163.

53. Белявский В.И., Шалимов В.В. Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках. // ФТП, 1977, Том 11, № 8, с. 1505 1509.

54. Scott W., Schmit J.L. Infrared excitation spectrum of thallium-doped silicon.// Appl. Phys. Lett., 1978, vol. 33,'№ 4, p.294-295.

55. Саморуков Б.Е., Соболевский B.K. Глубокие центры в фосфиде индия, легированном железом и марганцем. // В кн. Тезисы докл. II Все-союзн. Совещание по глубоким уровням в полупроводниках. 22-24 октября. Ташкент. ТашГУ, 1980, Ч. II, с. 152.

56. Абагян С.А., Иванов Г.А., Королева Г.А. Энергия активации акцепторного уровня Ni в GaP. // ФТП, 1976, Том 10, № 9, с. 1773-1775.

57. Сучкова Н.И., Андрианов Д.Г., Омельяновский Э.М., Рашевская Е.П., Соловьев Н.И. Свойства арсенида галлия, легированного никелем. // ФТП, 1975, т.9, № 4, с. 718-721.

58. Абагян С.А., Иванов Г.А., Кузнецов Ю.Н., Окунев Ю.А. Спектр фотоионизации акцепторного уровня Fe в GaP. // ФТП, 1976, Том 10, № 11, с. 2160-2162.

59. Андрианов Д.Г., Омельяновский Э.М., Рашевская Е.П., Сучкова Н.И. Влияние кислорода на свойства арсенида галлия, легированного переходными металлами. // ФТП, 1976, т. 10, № 6, с. 1071-1075.

60. Yartsev V.M. On the photoionization of deep repulsive impurity centers in semiconductors.// Phys. Stat. Sol.(b), 1974, vol. 64, № 1, p.377-386.

61. Ridley B.K. The photoionization cross section of deep level impurities in semiconductors.// J.Phys.C. -Solid State Phys.,1980, vol. 13, p. 2015-2026.

62. Allen J.W. Photoionization of deep impurities in semiconductors.// J.Phys.C. -Solid State Phys., 1969, s.2, vol.2 , p. 1077-1084.

63. Кириллов В.И., Материкин Д.И., Рембеза С.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках, легированных элементами переходной группы// ФТП, 1982, т.16, № 12, с.2190-2192.

64. Kirillov V.l., Materikin D.I., Pribylova E.I., Kapustin Yu.A., Rembeza S.I. On the Nature of impurity optical absorption Bands in Silicon doped by Noble Metals//.// Phys. Stat. Sol.(b), 1985, vol. 128, p.K163-167.

65. Манохин Ю.П. Оптические и электрические свойства фосфидов галлия и индия, легированных переходными элементами и МДП структур на InP.- Канд. дисс. Воронеж, 1977, с.ЗЗ - 37.

66. Kaufmann U., Schneider J. Optical and ESR Cpectroscopy of deep Defects in III V Semiconductors. - Festkorperproblem XX (1980), p. 87 -116.

67. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е., Штельмах К.Ф., Черновец Б.В. Легирование фосфида галлия марганцем. Изв. ВУЗ. Сер. Физика, № 9(172), 1976, с. 144.

68. Андрианов Д.Г., Гринштейн П.М., Ипполитова Г.К., Омельяновский Э.М., Сучкова Н.И., Фистуль В.И. Исследования глубоких примесных состояний Fe в фосфиде галлия.//ФТП, т. 10, вып.6, с. 1173-1176.

69. Кириллов В.И., Прибылов H.H., Рембеза С.И. О форме полос примесного оптического поглощения арсенида и фосфида галлия, легированных переходными элементами группы железа. ФТП, 1977, Том 11, вып. 10, с. 2029-2031.

70. Ennen H., Kaufmann U. Nickel and iron- Multivalence impurities in GaP// J. Appl. Phys. 1980.-V. 51.- N 3. - P. 1615-1618.

71. Абагян С.A., Амосов В.И., Крупышев P.C. О природе примесного поглощения в GaP:Си //ФТП.- 1976. Т. 10. - № 9.- С. 1719-1722.

72. Анисимова И.Д., Викулин И.М., Зантов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М.: Радио и связь, 1984. - 216 с.

73. Захаров Ю.В. Фотоэлектрические свойства широкозонных соединений А3В5, диффузионно легированных примесями меди и никеля. Канд. дисс. .Воронеж. 1988. 125 с.

74. Абагян С.А., Крупышев Р.С. Природа ослабления света в GaP:Cu //ФТП.- 1978. Т. 12. - № 12.- С. 2360 - 2364.

75. М. Борн, Э. Вольф Основы оптики.// М.: Наука, 1970., с.693 725.

76. Фистуль В. И. Распад полупроводниковых твердых растворов//М.: Металлургия, 1977.

77. Мопешаг В., Grimmeiss H.G. Optikal characterization of deep energi //Prog. Crystal. Charact. 1982. -V. 5. - P. 47-48.

78. Захаров Ю.В., Прибылов H.H., Рембеза С.И. Установка на базе спектрометра ИКС-21 для исследования фотопроводимости полупроводников // ПТЭ. 1988. - № 4.- С. 240.

79. Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Автоматизированный спектрометр для контроля параметров гетероструктур // IV Всесоюз. науч.- техн. сем. "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем": Тез. Докл. М., 1987.- С.44.

80. Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Спектрометр для контроля параметров гетероструктур // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем: Материалы IV Всесоюз. науч.- техн. сем. Рязань, 1988. - С. 96-100.

81. Fung S., Nicholas R.J. Optical investigation of the states in GaP:Ni// J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1982. V. 15.- P. 7355 7365.

82. Baranowski J.M., Allen J.W., Pearson G.L. Absorption Spectrum of Nickel in Gallium Phosphide // Phys. Rev. 1968.- V.167.-N 3.- P.758-760.

83. Noras J.M., Allen J.W. Absorption and luminescence irt GaP:Ni // J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1979. V. 12.- P. L133 L136.

84. Kaufmann U., Koschel W.H., Schneider J., Weber J. Optical and EPR study of the nickel two-electron-trap state in GaP// Phys. Rev. B.- 1979.-V. 19.- N 7.-P.3343 3352.

85. Hayes N., Ryan J.F., West C.L., Dean P.J. Photoluminescence studies of deep traps in GaP<Ni>// J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1979. V. 12.- P. 1815 -1820.

86. Bishop S.G., Dean P.J., Porteous P., Robbins D.J. Photoluminescence excitation spectroscopy of 3d transition-metall ions in GaP and ZnSe// J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1980. -V. 13. P. 1331-1340.

87. Liro Z., Baranowski J.M. Identification of the Ni2+ (3d8) charge in GaP: pie-zoabsorption ahn Zeeman measurements// J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1982. V. 15.- P. 4599-4607.

88. Cleijaud B. Transition metal impuritys in III-V compounds // J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1985. V. 18.- P. 3615 - 3661.

89. Peaker A.R.,Brunwin R.F.,Hamilton B., Jordan P. Recombination in gallium phosphide via a deep staye associated with nickel// Electronics letters. 1979. -V. 15,- n 20. -P.663-664.

90. Caldas V.J., Fazzio A., Zunger A. A universal trend in binding energies of deep impurities in semiconductors// J. Appl.Phys.- 1984 V.45. -N 6. - P. 671673.

91. Szawelska H.R., Noras J.M., Allen J.M. Optical properties of nickel (3d9) in GaP and ZnSe // J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1981. V. 14.- N 28.- P. 4141 -4153.

92. Szawelska H.R., Mudhar P.S., Allen J.W.Photothermal capacitance measurements on GaP:Ni// J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1984. V. 17.- P. 2981 2992.

93. Точинов X. M., Бобылев Б.А. Фотоемкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках. Новосибирск: Институт физики полупроводников СО АН СССР, 1986. - Препринт 8-85. - 46 с.

94. Копылов А.А., Пихтин А.Н. Влияние температуры на спектры оптического поглощения глубокими центрами в полупроводниках//ФТП, 1974, т. 16, №7, с. 1833-1843.

95. Копылов А.А., Пихтин А.Н. Об определении энергии ионизации глубоких центров в полупроводниках по спектрам оптического поглоще-ния//ФТП, 1976, т. 18, № 1, с. 15-19.

96. Захаров Ю.В., Кириллов В.И., Д.И. Материкин, Прибылов Н.Н., Рембе-за С.И. Механизм фотопроводимости GaP:Ni. В кн. Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок. Межвуз. сб. Воронеж 1986. с. 66-71.

97. Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н. Оптические и фотоэлектрические свойства примеси никеля в соединениях А3В5. В кн. Физико-химические основы надежности микроэлектронных структур. Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж 1987. с. 9-12.

98. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977, 672 с.

99. Б. Ридли Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986, с. 254-272.

100. Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н., Материкин Д.И., Бордюжа Л.П., Рем-беза С.И. Эффекты электрон фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP:Ni.// ФТП. - 1988. - т. 22.-вып. 3. с. 485-488.

101. Dean P.J., White А.М., Hamilton В., Peaker A.R., Gibb R.M. Nickel, a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1977, V. 10, P. 2545-2554.

102. H.H. Прибылов, В.A. Буслов, Москвичев A.B., Прибылова Е.И. Индуцированная светом фотопроводимость фосфида галлия, легированногоникелем. //Труды международной конференции "Оптика полупроводников" 1998 г. Ульяновск с. 145-146.

103. Grimmeis H.G., Scholz Н., Optical and electrical properties of Cu doped GaP. Part. 1. Photoconductivity of Cu- doped GaP // Philips Res. Rep.- 1965.-V. 20.-N. 2.-P.107 - 124.

104. Goldstein В., Perlman S.S. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP// Phys. Rev. 1966. - V. 148.- P.715-721.

105. Лашкарев B.E., Любченко A.B., Шейнкман M.K. Неравновесные процессы в полупроводниках. Киев: Наук. Думка, 1981. - 264 с.

106. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. - 117с.

107. Schulze R.G., Petersen Р.Е. Photoconductivity in solution-grown copper -doped GaP // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - N. 12. - P. 5307 - 5311.

108. Grimmeis H.G., Monemar B. Some optical properties of Cu in GaP // Phys.

109. St.Sol. 1973. -V. 19. - P.505 - 511.

110. Буянова И.А., Остапенко C.C., Шейнкман M.K. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото- и термолюминесценции в монокристаллах GaP// ФТП. 1986. - Т. 20. - № 10. - С. 1791 - 1800.

111. Monemar В., Gislason Н.Р., Dean P. J., Herbert D.C. Optical properties of the Cu related characteristic - orange - lyminescence center in GaP // Phys. Rev. B. - 1982.- V. 25.-P. 7719-7730.

112. Gislason H.P., Monemar В., Dean P.J., Herbert D.C., Depinna S., Cavenett B.S., Killoran N. Photolyminescence studies of the 1, 911 eV Cu - related complex in GaP // Phys. Rev. B. - 1982. - V26. - P. 827 - 845.

113. Fagerstrom P.O., Grimmeis H.G., Titze H. Thermal and optical processes in GaP:Cu // J. Appl. Phys. 1978. -V. 49. -N 6. - P. 3341-3347.

114. Захаров Ю.В., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотер-ное поведение меди в фосфиде галлия. // В кн. Шестая всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тез. докл. М.: Наука. 1988. с. 24-25.

115. Захаров Ю.В., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Сустретов A.A. Амфотер-ное поведение меди в фосфиде галлия.'//Электронная техника. Сер. 6, Материалы. 1989,Вып. 4(241 ) с. 8-11.

116. Бордюжа Л.П., Материкин Д.И., Постников B.C., Рембеза С.И. Много-фононное поглощение света глубокими заряженными примесными центрами.// ФТТ.- 1983, т. 25, № 9, с. 2787-2789.

117. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.-М.: Изд-во Моск.ун-та, 1995.-399с.

118. И.Аут, Д.Генцов, К.Герман. Фотоэлектрические явления. М.:Мир, (1980).

119. А.Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Пер. с англ. М.:Мир, (1977) С. 186.

120. Э.М.Омельяновский, В.И.Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия,(1983) 192 С.

121. H.H. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью.// ФТП, 1998 г., том 32, № 10, С.1165-1169.

122. Ж. Бургуэн, М. Ланно Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты: Пер. с англ.- М.:Мир, 1985.-304 с.

123. В.В. Соболев Оптические фундаментальные спектры соединений группы А3В5. Кишинев.:Штиинца 1979. С. 46-99

124. Д.Т. Свиридов, Р.К. Свиридова, Ю.Ф. Смирнов Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М.: Наука. 1976. С. 119-125.

125. В.Г. Кустов, В. П. Орлов, В.А. Преснов и Б. С. Азиков Спектральная фоточувствительность неоднородных полупроводников// ФТП, 1970.,Том 4, в. 4, с. 669-672.

126. Карева Г.Г.,Коноров П.П. Фотопроводимость германия и кремния в условиях сильных приповерхностных изгибов зон//ФТП.- 1972.- Т. 4.-Вып. 2,-С. 271-275.

127. Ковалевская Г.Г., Клотыньш Э.Э., Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью// ФТТ. 1966. - Т. 8. -№ 8. - С. 2415-2419.

128. Дрейманис Э.А., Кирсон Я.Е., Клотыньш Э.Э., Круминя Р.К. Изучение влияния меди на электрофизические свойства фосфида индия// Иэв. АН ЛатвССР. Сер. Физ. и техн. 1986. - № 2. - С. 19-25.

129. Кирсон Я.Е., Клотыньш Э.Э., Круминя Р.К. Компенсация доноров в фосфиде индия медью //ФТП. 1988. - Т. 22. - № 3. - С.565. - Деп.

130. Kullendorff N., Jansson L., Ledebo L.-A. Copper-related deep level defects in III-V Semiconductors// J. Appl. Phys. 1983. -V. 59. -N 6. - P. 3203-3212.

131. Leon R. P., Kaminska M., Yu Kin Man, Weber E. R.Formation semi-insulating InP through metallic Cu-rich precipitates // Phys.Rev.B.,1992 .-v.46.-№ 19.- P. 12460-12468.

132. Skolnick M.S., Dean P.J., Pitt A.D., Uihlein Ch., Kraith H., Deveaud В., Foulkes EJ. Optical properties of copper-relatrd centres in InP// J. Phys. С : Sol. St. Phys.- 1983.-v. 16. P. 1967-1985.

133. H.H. Прибылов, С.И. Рембеза, А.А. Сустретов Амфотерное поведение меди в фосфиде индия.// ФТП, 1994. -Т. 28.- Вып. 3.- С. 467-471.

134. R. Jones.//Phil. Mag. В. 42. 213 (1980).

135. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984, 256 с.

136. M.S. Skolnick, E.J. Foulkes, В. Tuck. //J. Appl. Phys., 55. 2951 (1984).

137. H.H. Прибылов, Е.И. Прибылова, С.И. Рембеза, А.И. Спирин. Фотоэлектрические свойства фосфида индия, компенсированного медью. //Вестник ВГТУ. Сер. "Материаловедение", Вып: 1.3. 1998. С. 59-62.

138. Milligan R.F., Frederick G. Anderson, Watkins G.D. Electron paramagnetic resonance of Pt" in Si: Isolated substitutional Pt versus Pt-Pt pairs.// Phys. Rev. B: Condens. Mat., 1984, V. 29 № 5, p.2819 2820.

139. Климов А.И., H.H. Прибылов, Юдин В.И. Плоская антенна с оптоэлек-тронным управлением для средств связи миллиметровых волн // Радиотехника №6, 1999, вып. 37 "Радиотехнические и информационные системы охраны и безопасности ", №2, с. 52-53.

140. Морозов A.M., Микрюкова Е.Б., Бублик В.Т., Беркова A.B., Нашельский А .Я., Якобсон С.В.//Кристаллография, 1988.-Т. 33., Вып. 5, С. 1213-1218.

141. Георгобиани А.Н., Микуленок A.B., Панасюк Е.И., Тигиняну И.М., Ур-саки В .В .//Труды ФИАН. М.: Наука, 1987., Т. 128.- 192 С.

142. Захаров Ю.В., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Сустретов A.A. Амфотер-ное поведение меди в фосфиде галлия. // В кн. Шестая всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тез. докл. М.: Наука. 1988. с. 24-25.

143. Аверкиев Н.С., Ветров В.А., Гуткин A.A., Меркулов И.А., Никитин Л.П. Ремина И.И., Романов Н.Г. Нейтральное состояние глубокого акцептора Cuca в арсениде галлия// ФТП. -1986. Т.20. -№9, - С. 1617.

144. Д.А. Вахабов, A.C. Закиров, Х.Т. Игамбердыев, А.Т. Мемадалимов, К. Махмудов, Ш.О. Турсунов, Х.С. Юлдашев. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в кремнии, легированном золотом.// ФТТ.-1990.- Т. 32.-С.264.

145. А.Г. Яковенко, Е.А. Шелонин, В.И. Фистуль Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью.// ФТП, 1983. Т. 17. с. 345.

146. B.C. Постников, B.C. Борисов, Ю.А. Капустин, В.И. Кириллов. Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии.//ФТП.- 1990.-Т.24.-С. 855.

147. H.H. Woodbury, G.W. Ludvig Spin Resonance of Pd and Pt in Silicon.// Phys. Rev. 126,466(1962)

148. Постников B.C., Прибылова Е.И. Особенности распада твердого раствора платины в кремнии.//Изв. АН СССР Металлы.-№1, 1987, С. 119-120.

149. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа. 1977.

150. Прибылов Н. Н., Прибылова Е.И. Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями.//ФТП.- 1996.- т.ЗО, вып. 4,- С. 635-639.