Магнитные состояния лантаноидов и марганца в соединениях A3B5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Штельмах, Константин Федорович

• Штельмах, Константин Федорович
• доктор физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Штельмах, Константин Федорович

Список сокращений.

Введение.

Глава 1. Методы исследования.И

1.1. Общая характеристика методов.

1.1.1. Краткое описание часто используемых измерительных систем.

1.2. Угловые зависимости спектров ЭПР.

1.3. Спин-решеточная релаксация в магнитно разбавленных кристаллах.

1.3.1. Спиновая подсистема в поле фононов.

1.4. Механизмы спин-решеточного взаимодействия.

1.4.1. Прямой процесс.

1.4.2. Двухфононные релаксационные процессы.

1.4.3. Процесс Орбаха-Аминова.

1.4.4. Рамановские релаксационные процессы.

1.5. Релаксация через вибронные состояния кристалла.

1.5.1. Релаксация через колебательные уровни.

1.5.2. Кросс-релаксация.

Глава. 2. Электронная структура лантаноидов в фосфиде индия.

2.1. Краткий обзор результатов.

2.2. ЭПР и парамагнитная релаксация кубического центра иттербия.

2.3. ЭПР и парамагнитная релаксация аксиального центра иттербия. Проявления деградации.

2.4. Фотолюминесценция иттербия в фосфиде индия.

2.5. ЭПР эрбия в фосфиде индия.

2.6. ЭПР гадолиния в фосфиде индия.

Глава 3. Обменные взаимодействия в 1пР:Ьп.

3.1. Обменные взаимодействия в кристаллах 1пР:УЬ.

3.2. Обменные взаимодействия в 1пР:Еи.

3.2.1. Предварительные результаты.

3.2.2. Результаты исследований эффекта Мессбауэра.

3.2.3. Результаты магнетохимических исследований.

3.2.4. Результаты исследований рентгеновского анализа и оже - спектров.

3.2.5. Угловая зависимость ЭПР.

3.2.6. Температурные зависимости ЭПР. Параметры обмена европия в 1пР.

Глава 4. Состояния марганца в арсениде галлия.

4.1. Литературный обзор.

4.2. Характеристика образцов.

4.3. ЭПР марганца в арсениде галлия.

4.3.1. ЭПР нейтральных центров марганца.

4.3.2. Ионизованные состояния марганца.

4.3.3. Состояния марганца в полуизолирующих кристаллах GaAs.

4.3.4.Компенсация образцов р-типа проводимости. Межузельные центры марганца.

Глава 5. Динамика состояний марганца в арсениде галлия.

5.1. СРР ионизованного состояния.

5.2. Электронная релаксация нейтрального состояния марганца.

5.3. Ядерная спин-решеточная релаксация в GaAs:Mn.

5.4. Люминесценция кристаллов GaAs:Mn.

5.5. Оптическое поглощение кристаллов GaAs<Mn>. Переходы зона - уровень.

Глава 6. Взаимодействия между центрами марганца.

6.1. Перезарядка состояний марганца в арсениде галлия.

6.2. Обменные взаимодействия в кристаллах GaAs:Mn.193,

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитные состояния лантаноидов и марганца в соединениях A3B5»

3 5

Исследования полупроводниковых соединений А В , легированных элементами переходной группы железа, были начаты в СССР 1969 году по инициативе Д. Н. Наследова с целью получения полумагнитного полупроводника, обладающего высокой подвижностью носителей. Исходно расплывчатые представления о возможности управления потоком носителей с помощью магнитной подсистемы, созданной магнитными примесями, со временем оформились в мощное направление исследований, названное спинтроникой.

Уже первые работы показали, что введение железа в арсенид галлия в концентрациях порядка 10 см придает материалу ферромагнитные свойства [1]. Помимо аномалий магнитных свойств, связанных с образованием интерметаллических соединений железа с галлием и арсенидов железа [2,3], была обнаружена макроскопическая поляризация центров железа, вошедших в матрицу арсенида галлия статистически однородно [4]. Было показано, что появление магнитной поляризации центров железа связано с действием суперобмена. То есть, фактически, создание полумагнитного полупроводника определяется возможностью перекрывания орбиталей магнитных электродов или другими словами, протяженностью волновой функции. С этого момента основной акцент в исследованиях делался на исследовании структуры волновой функции магнитных примесей и обращалось особое внимание определению их предельных возможных концентраций.

Была создана одноэлектронная теория центров, созданных переходными элементами группы железа, хорошо описывающая совокупность экспериментальных результатов [5]. Было показано, что уровни основных состояний этих центров располагаются относительно краев зон разрешенных энергий по ниспадающей при увеличении атомного веса элемента.

В этой схеме заметное исключен ц.? представляет собой марганец, создающий аномально мелкий уровень. В арсениде галлия он имеет положение Еу + 0.115 эВ по сравнению с уровнями соседних элементов около Еу + 0.5 -г 0.6 эВ.

С точки зрения применений легированных кристаллов, марганец выделяется такими свойствами, как высокий коэффициент сегрегации и главное, способность образовывать многочисленные комплексы с собственными л тримесными дефектами. То есть, если ставить задачу по получению примесного полумагнитного материала, марганец является элементом, соответствующим поставленной задаче полностью.

Именно эта причина определила интерес к исследованию состояний марганца в соединениях А3В5. При использовании таких традиционных равновесных технологических методов как метод Чохральского или жидкофазной эпитаксии трудно получить однородные

1Я 1 монокристаллы с содержанием марганца более 5*10 см". Вместе с тем, на слоях ОаАз<Мп>, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии и содержащих марганец в концентрации Ю2О-1021см"3, были получены результаты [6], свидетельствующие о появлении макроскопической намагниченности вплоть до образования доменной структуры. Это обстоятельство определило новый виток в исследованиях состояний, образованных марганцем в соединениях А3В5 и в частности, арсениде галлия.

Приблизительно по тому же историческому сценарию развивались исследования лантаноидов в соединениях А В . Интерес к поведению редкоземельных примесей в полупроводниковых кристаллах определялся в основном двумя причинами.

Первой из них является возможность получения источников света, работающих на внутрицентровых переходах. К числу их существенных достоинств следует отнести слабую зависимость энергии перехода от температуры, что демонстрируется работой значительного числа твердотельных лазеров.

Во - вторых, практически вне зависимости от зарядового состояния ионы лантаноидов обладают значительным магнитным моментом. Это объясняет интерес к упорядоченным магнитным состояниям, образованным лантаноидами именно в полупроводниковых матрицах, в соединениях, являющихся основой интенсивно разрабатываемых приборов с возможностью управления потоком поляризованных носителей магнитным полем. Ниже будет показана возможность получения таких кристаллов с использованием европия.

Таким образом, к моменту начала исследований магнитных и оптических свойств кристаллов А3В5, легированных лантаноидами и марганцем с целью получения полумагнитных полупроводников, сами исследования представлялись актуальными.

Впоследствии было обнаружено, что, как и любой глубокий центр, примеси РЗЭ влияют на электрические свойства кристалла легируемого полупроводника. В этом смысле следует указать на их чрезвычайно высокую химическую активность, проявляемую при температурах выращивания полупроводниковых кристаллов. Именно это обстоятельство объясняет замечательное свойство лантаноидов при определенных условиях^ очищать легируемый материал. При этом подвижность носителей получается на порядок более высокой по сравнению с материалами, полученными стандартным образом. .

Можно еще раз отметить существенную активность исследований состояний не только лантаноидов, но и марганца, в соединениях А3В5, характеризующую работы в основном зарубежных научных групп. Это обстоятельство определяет актуальность работы как в научном, так и в практическом отношении в настоящее время.

Цель диссертационной работы заключалась в определении электронной структуры центров, образованных лантаноидами и марганцем, введенными в соединения А3В5 в концентрациях максимальных для стандартных методов легирования, и исследовании их взаимодействий друг с другом, матрицей кристалла и остаточными неконтролируемыми примесями. Исследование взаимодействии магнитных примесей подразумевает либо получение параметров взаимодействия, в том числе обменного, либо возможность прогнозирования свойств полумагнитного материала. Выбор фосфида индия для введения лантаноидов определялся возможностью получения их максимальной концентрации как примесей замещения в силу максимальной близости ионных радиусов индия и лантаноидов. В свою очередь, анализ спектров электрон ioro парамагнитного резонанса (ЭПР) марганца упрощается наличием сверхтонкой структуры марганца именно в арсениде галлия, что определило выбор кристалла. Методы решения задач отличались от общепринятых для глубоких центров лишь принципиальной необходимостью использования локально чувствительных методов таких как ЭПР или фотолюминесценция (ФЛ).

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: определить зарядовые и спиновые состояния примесных центров лантаноидов в кристалле InP, включая определение структуры волновой функции лантаноидов, то есть оценку гибридизации функции f - электро! св с зонными состояниями, а также определить энергетическую структуру центров РЗЭ по спектрам ФЛ; выявить, идентифицировать и, по возможности, параметризовать обменно связанные примесные состояния, образованные лантаноидами в фосфиде индия; исследовать и идентифицировать одиночные примесные состояния марганца в арсениде галлия различных типов проводимости, включая построение модели нейтрального центра; и исследовать динамику центров марганца, в том числе спин-фононного взаимодействия нейтрального центра; исследовать взаимодействия различных центров марганца в арсениде галлия, включая прогнозирование свойств сильно легированных марганцем кристаллов GaAs. Научная новизна работы определяется следующим:

Исследованы состояния ряда лантаноидов и их взаимодействия в одной кристаллической матрице, что позволило сформировать достаточно общую картину их поведения в полупроводнике. Определены компоненты тензора обменного интеграла, характеризующего связь между атомами европия.

Обнаружены и идентифицированы нейтральное и межузельное состояния марганца в арсениде галлия. Сформулирована и доказана состоятельность модели нейтрального центра марганца в СаАэ. Определена симметрия и исследована динамика нейтральных центров.

Обнаружены процессы перезарядки центров марганца в арсениде галлия. Показано, что в диапазоне температур ~ 100 К изменение зарядовых состояний марганца связано с изменением концентрации свободных дырок и, следовательно, ограничивает получение высокой температуры Кюри слоев ОаАз:Мп, являющихся одним из самых технологичных материалов спинтроники.

Защищаемые положения:

1.Характер химической связи лантаноида с решеткой практически ионный, а именно, степень гибридизации Г- функций с состояниями разрешенных зон порядка 5-10"2.

2.В фосфиде индия европий образует магнитные состояния в виде обменно связанных пар ионов Ей - О - Ей, в которых обладг зарядовым состоянием Еи2+. Ориентация оси связи между ионами <110>. Тип упорядочивания спинов в паре ферромагнитный.

• »

Характерное значение величины обменного интеграла 1.8 см

3.Диффузия доноров и лантаноидов в процессе старения кристалла 1пР, легированного иттербием, определяет появление на начальной стадии деградации аксиальных центров иттербия, а на завершающем этапе - областей со спонтанной поляризацией магнитных моментов. Характер выстраивания магнитных моментов в поляризованных областях подобен выстраиванию в спиновом стекле.

4.Нейтральное состояние марганца в арсе<шде галлия образуется за счет локализации дырки на атомном остове марганца, обладающем конфигурацией <15. Электронная плотность дырки нейтрального центра марганца в СаАэ локализована на атомах первой координационной сферы. Динамика взаимодействия нейтрального состояния центра марганца с кристаллом характеризуется значительной нелинейностью.

5.Сильно легированные кристаллы ОаАз:Мп содержат межузельные центры марганца.

Комплексы, образованные с участием межузельных центров марганца в ваАв, ответственны за перезарядку узельных центров марганца при изменении температуры. В свою очередь, перезарядка узельных центров может ограничивать температуру Кюри сильно легированных лл кристаллов, содержащих ~ 10 см" марганца.

Практическая ценность работы подтверждается совокупностью полученных результатов:

Впервые исследованы состояния ряца тантаноидов в фосфиде индия. Определены максимальные концентрации лантаноидов в кристаллах при температурах роста приближающихся к температуре плавления. Показана возможность получения полумагнитных кристаллов при вхождении обменно связанных пар примесных атомов европия в фосфид индия. Данный материал может быть использован в приборах спинтроники до температуры жидкого азота.

Изучены особенности температурного поведения состояний марганца, влияние концентрации примеси на свойства кристаллов. Определенные свойства могут быть использованы также при проектировании фс тсч.риемников ИК диапазона.

Показана принципиальная невозможность получения низкоомных кристаллов арсенида галлия, легированных марганцем.

Можно отметить, что указанные задачи были поставлены и решены впервые, а проблемы, связанные с решением этих задач, постоянно обсуждаются в связи с исследованием новых материалов для спинтроники и эффективных источников света с длиной волны излучения независимой от температуры.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Штельмах, Константин Федорович

Выводы, которые можно сделать по представленным результатам исследования взаимодействий в кристаллах ОаАвгМп.

В материале «-типа проводимости узельные центры марганца участвуют в обменном взаимодействии и могут образовывать магнитно поляризованные области. Характер упорядочения может изменяться в зависимости от характера распределения примеси от суперпарамагнитного до нерегулярного, типа спинового стекла. Определенную роль в организации магнитных включений играют электроны, поставляемые мелкими донорами.

В материале как п- так и р- типа проводимости состояния межузельных и узельных центров марганца могут изменяться при изменении температуры. Подобное поведение, как и сложный характер изменения концентрацил, наблюдаемый в сильно компенсированных кристаллах, показывает, что в кристаллах присутствуют акцепторные состояния. Предположительно, такими акцепторными свойствами могут обладать комплексы, включающие в себя межузельные атомы марганца.

Проявление перезарядки в сильно легированных магнитных кристаллах СаАэгМп может ограничивать температуру Кюри. В этом случае причиной её малости является возможность существования марганца в межузельном состоянии.

Заключение.

Таким образом, в процессе выполнения работы получены следующие результаты:

1., Экспериментально обнаружена возможность получения полупроводников, сильно легированных редкоземельными элементами. Показано, что непосредственно после выращивания образцов лантаноиды являются примесью замещения. При этом лантаноиды замещают атомы индия. За исключением европия лантаноиды имеют зарядовое состояние Ме3+. Анализ параметров спектров ЭПР показывает, что локализация одноэлектронной функции Г — электронов на атомах окружения равна ~ 0.05, то есть соответствует ионному значению.

2. Показано, что со временем изолированные центры иттербия становятся аксиально искаженными за счет появления в первой координационной сфере окружения атома донора. При этом не только уменьшается интенсивность люминесценции, но и наблюдается парамагнитная кросс - релаксация. Обнаружено и исследовано нестационарное нерезонансное поглощение сверхвысокочастотной мощности, демонстрирующее существование медленно релаксирующих магнитных областей. Совокупность отмеченных свойств свидетельствует о наличии в образцах фазы спинового стекла.

3. Показано, что непосредственно после выращивания кристаллов симметрия окружения иона эрбия аксиальная. Максимальная концентрация примеси составляет ~1018см"3. Люминесценция эрбия в исследованных кристаллах не наблюдалась.

4. Совокупность результатов исследований магнитных свойств гадолиния подтверждает, что центр испытывает действие слабо искаженного тетраэдрического поля лигандов. Максимальная концентрация ионов гадолиния составляет ~ 1017 см"3.

5. Показано, что при стандартных условиях роста европий образует в кристаллах магнитные состояния в виде обменно связанных пар ионов, обладающих зарядовым состоянием Еи2+. Концентрация ионов европия в кристалле может достигать Ю20см"3. Характер упорядочивания спинов в паре ферромагнитный. Специфический характер встраивания европия в решетку определяется действием примеси кислорода. Та же специфика определяет и характерное значение величины анизотропного обменного интеграла 1.8 см"1. Данное значение позволяет утверждать, что магнитные свойства пары проявляются до температур жидкого азота, а данный материал пригоден для разработки приборов спинтроники.

6. В кристаллах ОаАз:Мп п-типа проводимости изучены условия появления центров марганца с симметрией окружения Сзу. Источником искажения является наличие донора в первой координационной сфере окружения атома марганца.

7. Изучен ЭПР сильно компенсированных образцов СаАвгМп. В сильно компенсированных образцах спектр ЭПР в основном определяется существованием состояний марганца, замещающего атом галлия и имеющих электронную конфигурацию с/5. Кроме того, обнаружены и идентифицированы межузельные центры марганца, обладающие электронной конфигурацией сР компенсирующле нейтральные состояния примеси.

8. Изучены процессы СРР сильно компенсированных образцов ОаАз:Мп. Показано, что спин-решеточная релаксация (СРР) ионизованного состояния марганца осложнена действием кросс-релаксации. Последнее определяется резонансной передачей энергии возбуждения ЭПР межузельным центрам марганца.

9. На основе изучения ЭПР образцов р-типа проводимости подтверждена модель нейтрального состояния узельного центра марганца, предполагающая локализацию дырки в непосредственной близости от атомного остова марганца, обладающего электронной конфигурацией с?. Связь дырки с остовом не только кулоновская, но и обменная. Полный момент основного состояния нейтрального центра марганца равен 1.

10. Показано, что нейтральный центр марганца обладает аксиальным искажением, возникающим из-за фиксации положения дырки на связях атомов первой координационной сферы. Динамика взаимодействия нейтрального состояния центра марганца с кристаллом характеризуется значительной нелинейностью, что подтверждается результатами исследований релаксационных процессов, а также фотолюминесценции и оптического поглощения.

11. В сильно компенсированных кристаллах СаАэгМп обнаружено изменение концентрации узельных и межузельных состояний марганца при изменении температуры. Перезарядка определяется захватом носителей, генерируемых комплексами, включающими в себя марганец. Показано, что проявление перезарядки в сильно легированных магнитных образцах может ограничивать температуру Кюри.

12.Температурные зависимости ЭПР кристаллов п-типа проводимости показывают, что даже при умеренных концентрациях марганца образцы содержат все основные магнитные состояния, включая парамагнитные ионы, обменно связанные кластеры и области с магнитным упорядочением типа спинового стекла.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Штельмах, Константин Федорович, 2005 год

1. В.В. Исаев Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТП, -1973-, т.7, вып.2,414-415.

2. В.В. Исаев Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, В.К. Ярмаркин. ФТТ, -1973-, т.15,3086-3088.

3. В.В. Исаев Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, -1974-, т.15, вып.9, 2569-2574.

4. В.В. Исаев Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, -1974-, т.16, вып.4, 1044-1050.

5. В.Ф. Мастеров. Глубокие центры в полупроводниках. Обзор. ФТП, -1984-, т. 18,3-23.

6. Т. Hayashi, М. Tanaka, Т. Nishinaga, Н. Shimada. J. Appl. Phys., -1997-, v. 81,4865 4867,.

7. А. Абрагам, Б. Блини. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. Т.2, М., Мир,-1973-, 349 стр.

8. С.А. Альтшулер, Б.М. Козырев. ЭПР соединений элементов промежуточных групп. М., Наука, -1972-, 672 стр.

9. В. Jloy. Парамагнитный резонанс в твердых телах. М., ИЛ, -1962-, 430 с.

10. К. Джеффрис. Динамическая ориентация ядер. М., Мир, -1965-, 319стр.

11. Van Vleck J.H. Phys. Rev., -1957-, v.59, iss.7,724-729.

12. Scott P.L., Jeffries C.D. Phys. Rev., -1962-, v.127, iss.l, 32-51.

13. R.H. Ruby, H. Benoit, C.D. Jeffries. Phys. Rev., -1962-, v. 127, iss.l, 51-56.

14. R. Orbach. Proc. Roy. Soc. A, -1961-, v.264, iss.1319,458-484.

15. K.W.H. Stevens. Rep. Progr. Phys., -1967-, v.38, iss.l, 189-226.

16. G.H. Larson, C.D. Jeffries. Phys. Rev., -196(.-, v.141, iss.l, 461-478.

17. K.W.H. Stevens. Proc. Phys. Soc. A, -1952-, v.65, iss.3,209-215.

18. C.B.P. Finn, R. Orbach, W.P. Wolf. Proc. Phys. Soc., -1961-, v.77, iss.493, 261-268.

19. Л.К. Аминов. ЖЭТФ, -1962-, т.42, вып.3,783-786.

20. Orbach R., Blume М. Phys. Rev. Lett., -1962-, v.8, № 12,478 480.

21. M.B. Walker. Canad. Journ. Phys., -1962-, v 46 iss.l 1, 1347 1353.

22. И.Н. Куркин, К.П. Чернов. ЖЭТФ, -1982-, т.83, вып.3(9), 1072-1078.

23. J. Murphy. Phys. Rev., -1966-, v.145, iss.l, 241-247.

24. D.W. Feldman, J.G. Castle, Jr., G.R. Wagner. Phys. Rev., -1966-, v. 145, iss.l, 237-240

25. G.H. Larson, C.D. Jeffries. Phys. Rev., -1966-, v.145, iss.l, 311-324.

26. A.A. Маненков, A.M. Прохоров. ЖЭТФ, -1962-, т.42, вып.1, 75-83.

27. J.C. Gill. Proc. Phys. Soc., -1962-, v.79, iss.507, 58-68.

28. J.H. Van Vleck. Phys. Rev., -1940-, v.57, iss.5,426-447.

29. E.A. Harris, K.S. Yngvesson. J. Phys.C., -19(58-, ser.2, v.l, iss.4,990-1023.

30. B.A. Ацаркин. ЖЭТФ, -1966-, т.49, вып. 1(7), 148-158.

31. R.D. Mattuck, M.W.P. Strandberg. Phys. Rev., -1960-, v.l 19, iss.4,1204-1217.

32. B.A. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Г. Макаренко, В.Ф. Мастеров, Б.Е. Саморуков. ФТП, -1980-, т.14, 1832.

33. В.Ф. Мастеров, В.В.Романов, Б.Е. Саморуков. ФТП, -1978-, т.12, вып.8,1616 1618.

34. Н. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke et al. J.Crystal Growth, -1983-, v.64, iss.l, 165-168.

35. H. Ennen, J. Wagner, H.D.Muller et al. J. Appl. Phys., -1987-, v.61, iss.10, 4877-4879.

36. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A Axmann. Appl. Phys. Lett., -1983-, v.43, iss.10,943-945.

37. R.S. Smith, H.D. Müller, H. Ennen, U. Kaufmann. Appl. Phys. Lett., -1987-, v.50, iss.l, 49-51.

38. B.B. Ушаков, A.A. Гиппиус, B.A. Дравин. ФТП, -1982-,т.16, вып.6, 1127 1128.

39. H.D. Müller, Н. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A Axmann. J. Appl. Phys., -1986-, v.59, iss.6,2210-2212.

40. H. Ennen, J. Schneider. J. Electron. Materials., -1984-, v.13, iss.12,114-125.

41. H. Nakagome, К. Takahei, Y. Homma. J.Crystal Growth, -1987-,v.85, iss.3,345-356.

42. В.Ф. Мастеров, В.П. Савельев, К. Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков. ФТП, -1989-,т.23, вып. 12, 2229-2231.

43. В.Ф. Мастеров. Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях АЗВ5. Обзор. ФТП, -1993-,т.27, вып.9,1435 1452.

44. В. Lambert, Y. Toudie, G. Grandpierre et. al. Electron. Lett., -1988-, v.24, 1446-1449.

45. P.B.Klein, F.G. Moore, H.B. Deitrich. Appl. Phys. Lett., -1991-,v.58, iss.2, 502-504.

46. Л.Ф. Захаренков, В.Ф. Мастеров, О.Д. Хохрякова. ФТП, -1987-, т.21, 1524-1526.

47. С.Л. Пышкин, С.И. Радауцан, С.В. Слободчиков. ФТП, -1967-, т.1, вып. 7, 1013-1016.

48. К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, С.И. Карпенко, В.В. Мамутин, Р.П. Сейсян. ФТП, -1983-,т.17, 2148-2150.

49. Н.Т.Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, Ю.Н. Толпарог, А.Е. Шубин. ФТП, -1984-,т.18 ,83-87.

50. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1982-,т.16, 173.

51. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ, -1983-,т.25, вып.5,1435 1438.ел

52. Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии. М., Мир, -1970-, 560 с.

53. В. Bleany. Proc. Roy. Soc., -1964-, A277, p. 289-295.

54. J.M. Baker, W.B.J. Blake, G.M. Copland. Proc. Roy. Soc., -1969-,A309, p.l 19-123.

55. К.Ф. Штельмах. Автореферат канд. диссертации. ЛПИ им. М.И. Калинина, Ленинград, 1978.

56. R. Kullenbach, H.J. Reyher, J. Unruh et al. Proceedings of 14 Intern. Conf. Defects in Semycond. Paris,-1986-, p. 214-217.

57. G. Aszodi, J.Weber, Ch. Uihlein at al. Phys. Rev. B, -1985-, v. 31,7767-7771.

58. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП, -1991-, т.25, вып. 8,1375- 1380.

59. В.Ф. Мастеров, В.П. Савельев, В.А. Харченко, К.Ф. Штельмах. Тезисы докладов IX Всесоюзного симпозиума по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов. Ленинград, -1990-, с.136-137.

60. G.F. Koster, J.O. Dimmock, R.G. Wheeler, Н. Statz. Properties of the Thirty-Two Point Groups. MIT University Press. Cambridge, Mass, 1969

61. Emel'yanov A.M., Sobolev N.A., Shtel'makh et al. Applied Physics Letters, -1997-,v.71, N 14, pp. 1930-1932.

62. В.Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, Л.Ф. Захдрелков. ФТП, -1987-, т.21, вып.2, 365 366.

63. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1983-, т. 17, вып.5, 948 950.

64. B.C. Доценко. УФН. -1993-, т. 163, вып.6, с.1 37.

65. Тейлор К., Дарби М. Физика редкоземельных соединений. М., Мир, -1974-, 374 с.

66. Л.Ф. Захаренков, С.И. Марков, В.Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах. ФТП, -1985-,т.19, в.10,с.1841-1843.

67. В.Ф. Мастеров, В.Ф. Кобелев, С.И. Марков, К.Ф. Штельмах. XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов-1988-, т.1, 82-83, Кишинев.

68. Штельмах К.Ф., Терлецкий И.А., Романов В.В. ФТП, -1990-, т.24, вып.9, 1584-1588.

69. К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, Романов В.В, Терлецкий И.А., Штельмах С.В. ФТП, -1990-, т.24, вып.8, 1482-1485.

70. Löwdin Р. О. J. Chem. Phys., -1951-, v.19, iss.ll, 1396- 1401.

71. Т. Hayashi, M. Tanaka, Т. Nishinaga ,H. Shimada. J. Appl. Phys., -1997-, v. 81 iss.8,4865-4867.

72. V.A. Ivanov, P.M. Krstajic, F.M. Peeters, V. Fleurov, and K. Kikoin. Cond-mat/0208188,2002

73. Jürgen König, Hsiu-Hau Lin, Allan H. MacDonald. arXiv:cond-mat/0001320,2000

74. R.A. Chapman, W.G. Hutchinson. Phys. Rev. Lett., -1967-, v.18,443-445.

75. J.S. Blakemore, W.J. Braun, Jr.M.L. Stass, D.A. Woodbery. J. Appl. Phys., -1973-,v. 44, 33523357.

76. M. Kleverman, Е. Janzen, М. Linnarsson, В. Monemar. MRS Symposia Proceedings ,-1983-, № 163, p207, Pittsburg.

77. M. Linnarsson, E. Janzen, B. Monemar, M. Kleverman, A. Thilderkvist. Phys. Rev.B, -1997-, v. 55, issl 1,6938-6944.

78. M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp, Jr. J. Appl. Phys., -1975-, v. 46,3059-3062.

79. W. Schairer, M. Schmidt. Phys. Rev. B, -1974-, v.10,2501-2506.

80. P.J. Deen, C.H. Henry. Phys. Rev., -1968-, v.176, p.928 935.

81. P.B. Klein, P.E.R. Nordquist, P.G. Siebenmann. J. Appl. Phys., -1980-, v.51,4861 -4865.

82. К.С.Журавлев, Т.С.Шамирзаев, Н.АЛкушева. ФТП, -1998-, т.32, в. 1, 50 56.

83. T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, N.A. Yakustieva. Sol. State Communs., -1999-, v.l 12, 503 -506.

84. V.K. Bashenov. Phys. Stat. Sol.(a), -1972-,v.10, p. 9-16.

85. N. Almeleh, B. Goldstein. Phys. Rev., -1962-, v. 128,1568-1574.

86. R.S. Title. J. Appl. Phys., -1969-,v. 40,4902-4910.

87. K.H. Segsa, S. Spenke. Phys. Stat. Sol.(a), -1975-, v.27, iss.l, p. 129 134.

88. G. Kühn, M. Hein,S. Wartewig. Phys. Stat. Sol.(a), -1977-, v.41, p. K13 K15.

89. А.Э. Васильев, Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП, -1983-,т.17, в. 10,1823-1829.

90. В.Ф. Мастеров. ФТП, -1984-,т.18, в.1,3-23.

91. Д.Г. Андрианов, Ю.Н. Болынева, С.В. Лазарева, A.C. Савельев, С.М. Якубеня. ФТП, -1983-т.17,810.

92. J.J. Krebs, G.H. Stauss. Phys. Rev. В, -1977-,v.16,971-975.

93. A.S. Abhvani, C.A. Bates, B. Cleijaud, D. R.Pooler. J. Phys. C, -1982-,v.15,1345-1350.

94. В.Ф. Мастеров, Б.Е. Саморуков, Б.В. Черновец, К.Ф. Штельмах. Тезисы III Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов.1. Москва, -1975-, стр.51.

95. В.Ф. Мастеров, Б.Е. Саморуков, Б.В. Черновец, К.Ф. Штельмах. Известия ВУЗ "Физика", -1976-, т. 9,144-146.

96. И.Я. Карлик, И.А. Меркулов, Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, В.И. Перель, В.Ф. Сапега. ФТТ, -1982-, т.24, в. 12,3550 3557.

97. Модель глубокого центра MnGa в GaAs. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, О.Г. Красикова, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. Препринт ФТИ № 1201, Л., 1988.

98. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика, М., Гос. Издательство физико -математической литературы, -1963-, 703 стр.

99. U. Kaufmann, J. Schneider. Adv. in Electronics and Electron Physics, -1982-,v.58, pp.81 141.

100. В.Ф. Мастеров, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1983-, т. 17, в.7, 1259 -1264.

101. On the ground state of Mnaa defects in a Ga/s-Jin system. S.M. Yakubenya, K.F. Schtelmakh. Препринт ИАЭ № IAE-5374/9, M., 1991.

102. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, M.H. Барбашов. ФТП, -1988-, т.22, в.4,654 656.

103. J. Schneider, U. Kauffman, W. Wikening, M. Baeumler, F. Kohl. Phys. Rev. Lett., -1987-,v.59, 240-243.

104. Н.П. Баран, В.Я. Братусь, B.M. Максименко, А.В. Марков, Ю.Г. Семенов. Письма в ЖЭТФ, -1992-, т.55, в.2,108-112.1.ал

105. В.Б. Миме. Электрополевой эффект в парамагнитном резонансе. Киев, Наукова думка, -1982-, 224стр.

106. И.Б. Берсукер. Эффект Яна Теллера и вибронные взаимодействия в современной химии. М., Наука, -1987-,344стр.

107. N. Almeleh, В. Goldstein. Phys. Rev., -1962-,v. 128,1568-1573.

108. В.Ф. Мастеров, С.Б. Михрин, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1984-, т.18, в.4, 755 757.

109. В.Ф. Мастеров, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1985-, т.19, в.11, 2093-2095.

110. De Viccaro А.М.Н., Sundaram S., Sharma R.R. Phys. Rev. B, -1982-,v.25, iss.12, 7731 7740.

111. Термодинамические константы веществ, в.VII, ч.1.Под ред. В.П. Глушко. М., 1974, 105 с.

112. К.Ф. Штельмах, М.П. Коробков, И.Г. Озеров. ФТП, -2003-, т. 37, вып.8, стр.913 916.

113. Т. Castner, Ir.G.S. Newell, W.C.Holton, C.P. Slichter. J. Chem. Phys., -1960-, v.32, iss.3, 668673.

114. J.M. Sullivan, G.I. Boishin, L.J. Whitman, А.Г. Hanbicki, B.T. Jonker, and S.C. Erwin. Phys. Rev. B, -2003-,v. 68,235324-235329.

115. А. Керрингтон, Э. Мак Лечлан. Магнитный резонанс и его применения в химии. М., Мир,-1970-,447стр.

116. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая механика. М., Наука, -1976-, 584 стр.

117. S.C. Erwin, A.G. Petukhov. arXiv:cond-mat/02093289,2002

118. S.C. Erwin and A.G. Petukhov. Phys. Rev. Lett., -2002-, v.89,227201-227209.

119. J. MaSek, F. Maca. Acta Physica Polonica A, -2001 -,v. 100,319 325.

120. R.W. Bierig, M.J. Weber, S.I. Warshaw. Phys. Rev., -1964-, v.134, A1504 1510.

121. L.A. Sorin, M.V. Vlasova. ESR of paramagnetic crystals. Plenum Press, New York, 1973

122. J. Textjer, T. Gonsiorovski, R. Kellerman. Phys. Rev. B, -1981-,v.23,4407 4411.

123. В.Ф. Мастеров, С.Б. Михрин, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1986-,т.20, в.З, 543 545.

124. N.S. Averkiev, А.А. Gutkin, O.G. Krasikova, Е.В. Osipov, М.А. Reshschikov. Sol. State Communs, -1988-, v.68, issl 1, 1025 1028.

125. K. Lassmann, Hp. Schad. Sol. State Communs, -1976-, v. 18,449 454.

126. K.N. Shrivastava. Phys. Stat. Sol.(b), -1983 . v. 117, p.437 458.

127. Электрические эффекты в радиоспектроскопии. М.Д. Глинчук, В.Г. Грачев, М.Ф. Дейген, А.Б. Ройцин, Л.А. Суслин. М., Наука, -1981-, 336стр.

128. Pietra В, Т., Bifone, A., Room, Т., Hahn, E.L., Phys. Rev. В, -1996-, v.53,4428 4431.

129. Т.Н. Yeoma, I.G. Kim, S.H. Choh, K.S. Hon*;- Y.J. Park, S.-K. Mine. Solid State Communications, -1999-, v.l 11,229-233.

130. P. Braun, S. Grande. Phys. Stat. Sol.(b), -1976-, v.74, p.209 212.

131. E.B. Horak, A.W. Nolle. Phys. Rev., -1967-, v.153, p.372 378.

132. M.H. Барбашов, В.П.Маслов, В.Ф.Мастеров. ФТТ, -1983-, т.25, в.4,1130 1134.

133. Р.Г. Хуцишвили. ЖЭТФ, -1956-, т.31,424 428.

134. W.E. Blumberg. Phys. Rev., -1960-, v.l 19, p.79 83. 1331.J. Low, D. Tee. Phys. Rev., -1968-, v.l66, p.279 - 282.

135. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев, Наукова думка, -1975-, 704 стр.

136. К.К. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М., Наука, -1968-, 232 стр.

137. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира. М., Мир, -1970-, с. 386-394.

138. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.М. Наследова. М., Наука, 1973, 165 с.

139. R. Braunstein, Е.О. Kane. J. Phys. Chem. Solids, -1962-, v.23, 1423 1427.

140. В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, -1982-, т.82, в.1,237 245.140К. Maeda, К. Ueda, and К. Ito. J. Phys. В: At. Mol. Opt. Phys., -1993-, v. 26,1541-1549. B.M. Lagutin, V.L. Sukhorukov, I.D. Petrov, H. Schmoranzer, A. Ehresmann, K.H. Schartner. J.

141. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., -1994-, v.27,5221-5226.

142. M.D. Sturge. Phys. Rev., -1962-, v.127, 768-785.

143. M.I. Nathan, G. Burns. Appl. Phys. Lett., -1962-, v. 1, 89-94.

144. Y. Tanabe, S. Sugano. J. Phys. Soc. Japan., -1954-, v.9, iss. 753, p. 766 782.

145. M. M. Kreitman, D.L. Barnett. J. Chem. Phys., -1965-, v.43, iss.2,364 371.

146. S.J.C.H.M. van Gisbergen, A.A. Ezhevskii, N.T. Son, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys.Rev. B, -1994-, v.49, iss.16,10999-11004.

147. V.A. Ivanov, P.M. Krstajic, F.M. Peeters, V. Flerov, K. Kikoin. J. of Magnetism and Magnetic Materials, -2003-, v. 258-259, pp. 237-240.

148. Robert W. Jansen and Otto F. Sankey. Phys. Rev. B, -1986-, v. 33,3994-4001.

149. O. F. Sankey, H. P. Hjalmarson, and J. D. Dow, D. J. Wolford, B. G. Streetman. Phys. Rev. Lett.,-1980-, v.45,1656-1659

150. Charles W. Myles Otto F. Sankey. Phys. Rev. B, -1984-, v. 29,6810-6823.

151. C. Zener. Phys. Rev., -1951-, v. 82,403-409.

152. V.N. Flerov, K.A. Kikoin. J. Physics С : Sol. State Phys., -1976-, v.9,1673-1678.

153. P.W. Anderson. Phys. Rev., -1961-, v. 124,41-49.

154. F. Matsukara, H. Ohno, A. Shen. Phys. Rev. B, -1998-, v.57, R2037-R2049.

155. В.Ф. Мастеров, С.Б. Михрин, К.Ф. Штельмах. ФТП, -1985-, т.19, в. 10, 1867 1869.

156. М. Zomack, К. Baberschke, S.E. Barnes. Phys. Rev. В, -1983-, v.27, iss.7,4135-4148.

157. F.R. Hockstra, K. Baberschke, M. Zomack. Sol. State Communs, -1982-, v.43, iss2,109-112.

158. M. MacMillan, W. Opechowski. Canad. Journ. Phys., -1960-, v.38,1168-1181.

159. M. MacMillan, W. Opechowski. Canad. Journ. Phys., -1961-, v.39,1369-1380. 1591. Svare, G. Seidel. Phys. Rev., -1964-, v. 134, A172-A193.