Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений. тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор физико-математических наук Басалаев, Юрий Михайлович

• Басалаев, Юрий Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Басалаев, Юрий Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 Систематизация алмазоподобных соединений.

1.1 Кристаллохимический подход.

1.1.1 Геометрия кристаллов.

1.1.2 Правило нормальной валентности.

1.1.3 Химическая связь алмазоподобных соединений.

1.2 Соединения атомов IV группы.

1.3 Бинарные соединения.

1.4 Тройные соединения.

1.5 Родство структур кристобалита и халькопирита.

1.6 Гипотетические соединения.

1.7 Построение, анализ и обобщение изоэлектронных рядов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений.»

3.1 Группа алмаза.87

3.2 Бинарные соединения А4Х*.94

3.2.1 Карбиды ЭЮ, веС, 8пС.96

3.2.2 Силициды Се81, 8п81.100

3.2.3 Германид 8пве.105

3.3 Изменение химической связи в рядах атомных А4 и бинарных А4Х* алмазоподобных кристаллов.109

3.3.1 Распределение заряда валентных электронов.109

3.3.2 Заряды<на атомах.112

3.4 Прогнозирование тройных соединений со структурой халькопирита из элементов 1Уб подгруппы.114

3.5 Основные результаты и выводы по З главе.118

ГЛАВА 4 Зонная структура и химическая связь в изоэлектронных рядах бинарных АХ и тройных АВХ2 пниктидов.119

Введение.119

I I 4.10бзор теоретических ^экспериментальных исследований ■. Электронного строения бинарных пниктидов А3Х5.121

4.1.1 Бинарные нитриды.!.•.. 123

Г 4.1.2 Соединения; бора: ВР; ВАб и ВБЬ. 129

4.1.3'Фосфид алюминия и другие бинарные пниктиды—.131

I 4.1.4'Вычисление электронной структуры ВЫ, ВР, АМ и А1Р:.132'

4:2;Соединения^3Я52.' 137

Ь-Г 4.30бзорлитературы и расчет электронной структуры А2В4Х52.141

К- 4.3.1 ВеСЫг и ВеБП^г.142 с 4-.3';2.М^2-.146

433'7лВХ2 .157 . 43\4С6ВХг .171

4.4 Плотность заряда валентных электронов и химическая, связь :

I • в бинарных и тройных пниктидах.178

I 4.5 Роль подрешеток в формировании химической связи

Л Л СГ

I кристалловВ,Х2 .196 . 4;6 0сновные результаты.и выводы по4 главе.198.'

ГЛАВА 5 Зонная структура и химическая связь в изоэлектронных рядах бинарных и тройных халькогенидовг.203;

Введение.;203

5:1 Бинарные халькогениды Л.2051

I .5.2 @оединения-Л2М^2.212 :

I 5:3 Соединениям?^ .!.216

I 5:злшв02.,.•.;.217

5.3:2 ШХТ{В== А1, .©гц.1п;-Х= Эе; Те) .:.219»

5 5:3:3 А%ВХ2 (В- А1, ва, 1п;:Х=[ Бе; Те).226

5.4 Плотность заряда валентных электронов и химическая связь в бинарных и тройных халькогенидах.230*

5.5 Роль подрешеток в формировании химической связи

I кристаллов^1 ВЪХ^2.233

5.6 Основные результаты и выводы по 5 главе.236

ГЛАВА 6 Зонная* структура и химическая связь в дефектных и сильно сжатых халькопиритах.238

Введение.238

6.1 Электронное строение Р-кристобалита.239

6.2 Электронное строение пниктидов А1В5Х52 .247

6.3 Электронное строение кристаллов ЪпСХ2.252

I 6.4 Распределение плотности заряда валентных электронов и химическая связь в дефектных халькопиритах .254

I 6.5 Основные результаты и выводы по 6 главе.257

ГЛАВА 7 Зонная, структура и химическая связь в изоэлектронных рядах бинарных и тройных галогенидов^. . 259

I Введение.259

7.1 Исследование зонной структуры ЩГК .260

1 7.2 Зонная структура и плотность состояний гипотетических соединений А хВхХ12 с решеткой халькопирита.269

7.3 Распределение заряда и химическая связь в гипотетических соединениях А ХВхХ12 с решеткой халькопирита.273

7.4 Основные результаты и выводы по 7 главе.274

ГЛАВА 8 Оптические свойства кристаллов со структурой халькопирита 277

Введение.277

8.1 Интерпретация оптических спектров соединений семейства халькопирита в модели прямых зона-зонных переходов.278

8.2 Оптические функции 2пОеР2,1лОаТе2,1Л1пТе2 и 1Л1п8е2 в ультрафиолетовой области.283

8.2.1 Вычисление оптических функций в модели прямых зона-зонных переходов.283

8.2.2 Оптические функции 2пОеР2.285

8.2.3. Оптические функции 1лОаТе2,1Л1пТе2 и 1Л1п8е2.288

8.3-Колебательные спектры халькогенидов ЬШТе2 (М= А1, ва, 1п).293

8.4 Колебательные спектры пниктидов ЫР]Ч2 и №Р1\Г2.300

8.5 Основные результаты и выводы по 8 главе.303

ГЛАВА 9 Температурная зависимость электронного строения кристаллов с различным типом химической связи.306*

Введение.306!

9.1 Общая теория.307

9.2 Краткий обзор применения общей теории к элементарным,и бинарным^ полупроводникам^.309

9.2.1 Теория Фэна и БХВ.309

9.2.2 Теория АБЮ.310

9.3 Применение АБЮ-теории к соединениям АХ со структурой ИаСЬ. 314

9.3.1 Щелочно-галоидные кристаллы.316

9.3.2 Влияние температуры на электронное строение AgBr.319

9.4 Температурная зависимость энергетических уровней в кристаллах А^В^Х?2 00 структурой халькопирита.324

9.4.1 Краткий обзор экспериментальных данных.324*

9.4.2 Изучение зависимости зонной структуры кристаллов от температуры.329

9.5 Основные результаты и выводы по 9 главе.332

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.334

БЛАГОДАРНОСТИ.337

ЛИТЕРАТУРА.338

Введение

Физические и физико-химические свойства неорганических соединений обусловлены их химическим составом и типом кристаллической решетки. Развитие новой техники предъявляет высокие требования к используемым функциональным материалам, что стимулирует поиск и исследование все более сложных соединений. Наиболее изученными из востребованных в полупроводниковой технике являются алмазоподобные соединения, исследованию свойств которых посвящено множество экспериментальных и теоретических работ. Однако эти работы, как правило, проводились разными авторами, на разных образцах, с использованием различных методов расчета и методик- измерений, что затрудняет сопоставление результатов между собой. Систематические же работы, посвященные теоретическому и экспериментальному исследованию- физических и физико-химических свойств* алмазоподобных соединений, встречаются достаточно редко, охватывают отдельные изоструктурные группы кристаллов и носят разрозненный характер.

Актуальной является задача расширения кристаллохимической группы алмазоподобных соединений за счет веществ с родственными тетраэдрическими фазами. Среди них в настоящее время особое внимание уделяется соединениям со структурой халькопирита, которые интересны, например, в качестве электрооптических материалов [1]. Данный интерес во многом обусловлен также перспективностью применения полупроводников с решеткой халькопирита в квантовой электронике, ИК-технике и других областях твердотельной полупроводниковой электроники [2].

Поэтому выяснение физико-химических свойств и кристаллохимического строения новых функциональных веществ возможно исходя из систематизации накопленных экспериментальных и теоретических данных. Технологические трудности синтеза и проблемы выращивания стехиометрических кристаллов, ограничивают число синтезированных в настоящее время веществ, оставляя многие из них в разряде гипотетических соединений. По этой причине имеются- пробелы в изоэлектронных рядах алмазоподобных соединений, которые нарушают системную целостность знаний о закономерном изменении свойств соединений, обусловленных изменением химического состава. В связи с этим назрела необходимость проведения систематических исследований для* широкого круга алмазоподобных соединений, имеющих различный химический состав, с целью выявления его влияния на электронное строение, химическую связь и, следовательно, изменение физических и физико-химических свойств в изоэлектронных рядах неорганических соединений.

Такая систематизация на сегодняшний день является актуальной и реальной задачей благодаря развитию компьютерных технологий и современных методов расчета электронного строения твердых тел из первых принципов, реализованных в различных программных кодах v (ABINIT, CRYSTAL, PWscf, WIEN2k и др.). Эти программы, по сути, являются* надежным инструментом, позволяющим теоретически исследовать электронное строение кристаллов и получать результаты, которые по своей точности не уступают прецизионным оптическим измерениям.

Все выше сказанное объясняет необходимость детального изучения с единой точки зрения электронного строения алмазоподобных соединений со структурой: алмаза {Ал), сфалерита (А4Х4, А3Х5, А2Х6), халькопирита (.АъВъХ52, А2В4Х\, АхВ*Х\\ А2В2Х62, А1В3Х%; А]В1Х72) и дефектного халькопирита (А4ХZnCl2), которые избраны основными объектами исследования данной работы.

Методы исследования. Наиболее надежными методами^ изучения электронного строения твердых тел являются метод псевдопотенциала и метод функционала электронной плотности в их различных модификациях. В* настоящее время имеется большое число лицензионных программ, позволяющих проводить самосогласованные вычисления на основе различных квантово-механических методов для многих электронных и динамических характеристик кристалла. Однако эти программы, как правило, не предусматривают внесения необходимых корректив, продиктованных s х спецификой и целями проводимого исследования, что существенно ограничивает возможности применения стандартных методов к изучению, в частности, оптических и тепловых свойств кристаллов. По этой причине в настоящей работе в качестве расчетного инструмента применялись наряду с известными в. мире программами1 ABINIT, CRYSTAL, PWscf, пакеты оригинальных прикладных программ, разработанные на кафедре теоретической физики Кемеровского госуниверситета, которые, как показало сопоставление результатов, не уступают мировым аналогам. На базе этих вычислительных программ в рамках метода эмпирического псевдопотенциала и метода функционала локальной электронной плотности, развиты и реализованы методики, позволяющие на основе учета теплового расширения и факторов* Дёбая-Уоллера в сочетании с методом подрешеток проводить вычисления зависимости электронной структуры кристаллов, от температуры. Для анализа электронного строения кристаллов был развит метод подрешеток, дающий наглядное представление о формировании зонной структуры сложных соединений на основе их химического состава и взаимодействия между имеющимися подрешетками.

Целями диссертационной работы являются:

• систематические исследования из первых принципов электронного строения, химической связи и оптических свойств избранных объектов;

•установление рядовых зависимостей между физическими и физико-химическими свойствами и химическим составом изоэлектронных алмазоподобных соединений с различным типом кристаллической решетки;

• изучение оптических свойств исследуемых соединений путем вычисления оптических функций с последующей интерпретацией основных особенностей на>языке междузонных переходов;

• исследование влияния температуры на изменение электронного строения кристаллов с различной кристаллической структурой и химическим составом.

Для достижения этих целей были поставлены и решались следующие задачи:

1. Развитие метода подрешеток для вычисления электронного строения алмазоподобных кристаллов.

2. Модификация расчетных программ с целью получения дополнительной возможности учета влияния температуры на электронное строение твердых тел.

3. Выполнение систематических вычислений электронной структуры, а также оптических функций и фононных спектров для ряда избранных объектов исследования.

4. Выявление и анализ рядовых зависимостей между физическими и физико-химическими свойствами, кристаллической структурой и химическим составом исследуемых алмазоподобных соединений, а также интерпретация имеющихся экспериментальных данных.

В ходе исследований были получены следующие новые результаты:

1. Обобщена известная система классификации алмазоподобных соединений и представлена схема классификации, дающая наглядное представление о закономерном изменении химической связи, обусловленном последовательным изменением химического состава в изоэлектронных рядах изоструктурных кристаллов. Предсказано существование и исследована электронная структура групп соединений типа АаВаХАЪВЪХ\, А2ВгХ1 и

АХВХХ1 с решеткой халькопирита.

2. Электронное строение большой группы простых, бинарных и тройных алмазоподобных соединений со структурами алмаза, сфалерита, халькопирита и» дефектного халькопирита, полученные единообразно из первых принципов.

3. Впервые исследованные спектры фононных частот кристаллов с решеткой халькопирита^ содержащих щелочные металлы.

4. Структурные параметры ряда новых соединений типа А4Х*, А3В3Х

А2В2Х2 и А 'Я1 Х\ с упорядоченным расположением атомов в различных подрешетках.

5: Разработан и реализован новый способ анализа энергетических зонных спектров» твердых тел, позволяющий наглядно интерпретировать участие подрешеток в* формировании структуры валентных зон сложных соединений.

Научная- значимость. Работа: является теоретической и заключается в получении фундаментальной- информации о взаимосвязи химического состава; кристаллической!структуры и электронного строения для кристаллов из семейства алмазоподобных соединений с решеткой алмаза, сфалерита и халькопирита. Закономерности изменения: химической; связи, выявленные: в-диссертационной» работе на основе разработанной классификационной? схемы,, позволяют предсказать роль тех: или иных: атомов в формировании: подрешеток кристалла.

Практическая значимость. Разработанный способ анализа зонной; структуры, твердых тел, опирающийся на методг подрешеток, может быть, применен к исследованию из первых принципов электронного строения сложных соединений с любым типом химической связи. Благодаря своей, наглядности он может быть также применен в учебных целях и включен в программы обучения студентов и аспирантов для физических и химических специальностей.

Полученные в рамках единого подхода структурные параметры и вычисленное на их основе из первых принципов: электронное строение ряда гипотетических4 соединений носят предсказательный характер и могут быть использованы для:предварительной оценки их физико-химических свойств.

Полученные данные могут быть использованы для интерпретации имеющихся экспериментальных данных. Это касается, например, соединений; 1лА1Те2, Ы6аТе2, 1Л1пТе2, имеющих структуру халькопирита вплоть до температуры плавления, востребованных в качестве материалов для приборов*и устройств,нелинейной оптики, работающих в ближнем и среднем ИК-диапазоне.

Группа соединений ГЛР^ и ЫаРЫг обладает широкой запрещенной зоной и может представлять практический интерес в качестве электрооптических материалов, а также веществ с ионной проводимостью, обусловленной наличием в их составе слабо связанных щелочных металлов.

Достоверность и обоснованность результатов диссертационной работы достигается благодаря системному подходу и использованию апробированного метода функционала электронной плотности (ОБТ-ОЗА), составляющего'основу программ, разработанных на кафедре теоретической физики КемГУ, а также современных программных комплексов и

СЫУЗТАЬОб, применявшихся к решению поставленных исследовательских задач. Достоверность полученных результатов подтверждается хорошим согласием с имеющимися^ экспериментальными данными* и результатами расчетов других авторов.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Классификационная схема построения изоэлектронных рядов алмазоподобных соединений, позволяющая проследить изменение электронного строения и химической связи, обусловленное изменением химического состава путем последовательного изовалентного и гетеровалентного замещения атомов в подрешетках кристалла, а также предсказать возможность существования новой группы тройных соединений со структурой халькопирита из элементов 1Уб подгруппы. 2. Метод анализа электронного строения сложных соединений, реализуемый на языке зонных спектров, электронной плотности кристалла и его подрешеток, который дает' наглядное представление о формировании структуры валентной зоны кристалла, вследствие возникновения-химической связи между атомами в различных подрешетках.

3. Результаты систематических первопринципных исследований электронного строения рядов, составляющих содержание разработанной классификационной схемы, позволившие установить рядовые зависимости параметров зонных спектров, химической связи, предсказать существование и исследовать электронное строение гипотетических соединений.

4. Взаимосвязь тетрагонального сжатия в кристаллах со структурой халькопирита с электронным строением и химической связью: увеличение тетрагонального сжатия коррелирует с уменьшением длины связей А-Х и В-X, что обусловлено размерами взаимодействующих атомов и тетраэдрическим ближним порядком; наличие большого тетрагонального сжатия приводит к смещению вершины валентной зоны из центра зоны Бриллюэна в .боковые точки (Г, N или др.), и изменению структуры и состава второй подзоны разрешенных валентных зон, которая имеет четыре ветви, а не две, как в классических халькопиритах и наряду с ¿-состояниями атомов В I содержит вклады /»-состояний атомов>Х

5. Вычисленные мнимые части диэлектрической проницаемости £2(е) для ряда тройных соединений с решеткой халькопирита и результаты их сопоставления с экспериментальными данными показавшие, что основные особенности оптических спектров в ультрафиолетовой области этих соединений хорошо интерпретируются в модели междузонных переходов и позволяют уверенно установить их происхождение в области близкой к краю фундаментального поглощения.

6. Вычисленные фононные частоты для изоэлектронных рядов соединений с решеткой халькопирита типа АВХъ содержащих атомы щелочных металлов, показавшие, что фононные спектры этих кристаллов отражают изменения химической связи в тетраэдрах ЛХ4, ВХ4, Л2ХВ2, что обусловлено изменением химического состава соединений: для кристаллов 1лА1Те2, 1лСаТе2, 1л1пТе2 основные отличия прослеживаются в среднечастотном диапазоне, где существенный вклад дают колебания атомов А1, ва и 1п; спектр фононных частот кристаллов 1ЛРМ2 и №РЫ2 имеет нетипично широкий для семейства халькопирита диапазон; подобие высокочастотной части спектров обоих соединений, где преобладает вклад колебаний атомов азота и фосфора, объясняется сильной ковалентной связью между этими атомами.

7. При образовании соединений А4 X 4 атомный номер элемента X всегда

3 3 5 2 2 6 меньше, чем у элемента^. В двухкатионных соединениях А В Х2 и А В Х2 катион В имеет меньший атомный номер, чем катион А, для кристаллов ^ВхХпг - наоборот. Предсказано существование соединений типа А4В4Х\ со структурой халькопирита, особенности электронного строения которых рассмотреньгна примере кристалла Ое81С2

8. Исследованные закономерности влияния ¿/-состояний атомов Ъа, Сё и А§ на структуру валентных зон соединений с решеткой халькопирита: увеличение ширины ¿/-зон с ростом атомного номера аниона (Р, Аб, 8Ь) в изокатионных рядах, что в большей степени обусловлено эффектом ярс1-гибридизации между соответствующими состояниями атомов; учет спин-орбитального взаимодействия приводит к двукратному уширению ¿/-зон.

Личный вклад автора. Основные результаты диссертационнойфаботы, представленные в защищаемых положениях получены лично» автором. Автору принадлежат идеи исследований, обработка полученных результатов, их интерпретация, обобщение и формулировка научных положений. Автором развита схема классификации алмазоподобных соединений и разработан новый способ анализа электронной структуры сложных кристаллов с ковалентным типом химической связи. В сочетании с методом подрешеток, разработанным на кафедре теоретической физики КемГУ, автором развита вычислительная методика, позволяющая исследовать влияние температуры на зонную структуру и химическую связь в кристаллах.

Апробация работы. Основные результаты исследования докладывались на следующих конференциях, совещаниях, семинарах и симпозиумах: «Химическая связь, электронная структура и физ.-хим. свойства полупроводников и полуметаллов» (Калинин, 1985 г.); «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1986); «XIV Всесоюзное (Пекаровское) совещание по теории полупроводников» (Донецк, 1989); «Eighth international conference on ternary and multinary Compounds» (Kishinev, 1990); «Электронная плотность, химическая связь, физико-химические свойства твердых тел (полупроводники, полуметаллы, сверхпроводники) (Москва, 1990); «Радиационные и гетерогенные системы» (Кемерово, 1995); «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул,

1996, 2005, 2006); «Фундаментальное и прикладное материаловедение» (Барнаул, 2007); «Российской научно-практической конференции» (Ижевск,

1997, 1999); «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998, 2001, 2004, 2007); «Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, 2005, 2007); «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2006).

Публикация результатов.работы. Основные результаты диссертации1 опубликованы в 30 основных работах.

Работа1 поддерживалась грантами: «Исследование механизмов, образования электронной, и колебательной структуры, собственных дефектов сложных ионно-молекулярных кристаллов» (Конкурсный центр Госкомитета РФ по высшему образованию. №94-7.10-305, 1994-1996 гг.), «Investigation of electronic spectra in complex ion-molecular Compounds» (МНФ и Правительство РФ. №JEG-100, 1995 г.), «Компьютерное моделирование электронной структуры кластеров на основе комплексных ионов» (МОПО. №97-0-9.1-319, 1997-1999 гг.), «Развитие метода подрешеток для моделирования электронных состояний в кристаллах» (Программа «Университеты России». №01.01.047, 2002-2003' гг.), «Исследование особенностей колебательного и электронного строения сложных диэлектрических и полупроводниковых кристаллов в зависимости от структуры их подрешеток» (Программа «Развитие научного потенциала высшей школы». №2.1.1/1230, 2009-2010 гг.).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, девяти глав, списка основных результатов и выводов и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 378 страниц, в том числе 55 таблиц, 114 рисунков. Список литературы включает 402 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Басалаев, Юрий Михайлович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Системное представление изоэлектронных рядов алмазоподобных соединений, основанное на принципах последовательного изовалентного и гетеровалентного замещения атомов в подрешетках изоструктурных кристаллов дает полную картину закономерного изменения их химического состава, сопровождающегося закономерным изменением физико-химических свойств рассматриваемых соединений.

2. Разработан новый метод анализа электронного строения сложных соединений, реализуемый на языке зонных спектров, электронной плотности кристалла и его подрешеток, который дает наглядное представление о формировании - структуры валентной зоны кристалла, вследствие возникновения химической связи между подрешетками неэквивалентных атомов'и координационными тетраэдрами.

3. Реализован системный подход к единообразному (из первых принципов) исследованию влияния изменения химического состава на электронное строение и химическую связь в изоэлектронных и изоструктурных рядах простых, бинарных и тройных алмазоподобных соединений.

4. Установлена взаимосвязь тетрагонального сжатия в кристаллах со структурой халькопирита с электронным строением и химической связью: увеличение тетрагонального сжатия коррелирует с уменьшением длины связей А-Х и В-Х, что обусловлено размерами взаимодействующих атомов и тетраэдрическим ближним порядком; наличие большого тетрагонального сжатия приводит к смещению вершины валентной зоны из центра зоны Бриллюэна в боковые точки (Т, N или др.), и изменению структуры и состава второй связки разрешенных валентных зон, которая имеет четыре ветви, а не две; как в классических халькопиритах и наряду с ^-состояниями атомов В содержит вклады р-состояний атомов X.

5. Интерпретация электронной структуры соединений АВХ2 с решеткой, халькопирита на основе электронных структур подрешеточных систем типа координационных тетраэдров (АХ4, ВХ4) позволяет визуализировать влияние химической связи (взаимодействия между подрешетками) на формирование валентной зоны кристалла. Полная ширина валентной зоны кристалла изначально определяется взаимным расположением и /^-состояний в подрешетке атомов X. Взаимодействие подрешеток атомов В и X приводит к уширению всех разрешенных полос энергии валентной зоны, которое сохраняется для атомов X в кристалле. Образование химической связи между подрешетками атомов А и X приводит к изменению топологии верхней валентной зоны, расщеплению ¿/-зон атомов А, уменьшению дисперсии их зон и уширению ¿■-зон атомов X.

6. Детальный анализ зонной структуры ¿/-состояний атомов Ъп, Сс1 и Ag в кристаллах ЪпВХъ Сс\ВХ2 и А&ВХ2 с решеткой халькопирита показал, что уровни энергии ¿/-зон расположены в определенном порядке. Замещение легкого атома X более тяжелым атомом приводит к увеличению ширины ¿/-зон в рядах 2пОеХ2, СёБЬ^ и С(ЮеХ2. Эта тенденция нарушается для арсенидов в рядах Яп§пХ2 и Сё8пХ2. Учет спин-орбитального взаимодействия приводит к двукратному уширению ¿/-зон.

7. При образовании соединений А4Х4 со структурой сфалерита в них реализуется ковалентная связь. Элемент X имеет меньший атомный номер, обладает большей электроотрицательностью' и характеризуется преобладающими значениями электронной плотности и эффективного заряда. В соединениях А3В3Х2 и А2В2Х2 атом В имеет меньший атомный номер, чем атом А, в кристаллах А1В]Х2 - наоборот. Химическая связь в кристаллах Х2 с решеткой халькопирита является преимущественно ковалентной и реализуется посредством обменного и донорно-акцепторного механизмов. В изоэлектронном ряду А3В3Х2, А2В2Х2, А]В1Х2 происходит ослабление ковалентной и усиление ионной составляющей связей А-Хи В-Х.

8. Вычисление мнимой части диэлектрической' проницаемости £2(е) для ряда тройных соединений с решеткой халькопирита и сопоставление полученных результатов с экспериментальными данными показало, что основные особенности оптических спектров в ультрафиолетовой области этих соединений хорошо интерпретируются в модели междузонных переходов и позволяют уверенно установить их происхождение в области близкой к краю фундаментального поглощения. Сопоставление вычисленной плотности состояний для кристаллов М§81Р2, 2п81Р2 и Сс181Р2 с рентгеновскими А'-спектрами фосфора и эмиссионными Х2;3 спектрами кремния и фосфора дают хорошее согласие теории с экспериментом. 9. Вычислены фононные частоты для изоэлектронных рядов соединений с решеткой халькопирита типа АВХ2, содержащих атомы щелочных металлов, показавшие, что фононные спектры этих кристаллов отражают изменения химической связи в тетраэдрах АХ4, ВХА, А2ХВ2, что обусловлено изменением химического состава: для соединений 1ЛА1Те2, ЬЛОаТе2, Ы1пТе2 основные отличия прослеживаются в среднечастотном диапазоне, где существенный вклад дают колебания атомов А1, ва и 1п; спектр фононных частот кристаллов 1лР1М2 и №Р1М2 имеет нетипично широкий для семейства халькопирита диапазон; подобие высокочастотной части' спектров обоих соединений, где преобладает вклад колебаний атомов азота и фосфора, объясняется сильной ковалентной связью"между этими атомами. Ю.Разработанная методика учета теплового расширения и факторов Дебая-Уоллера в рамках АБЮ-теории позволяет изучать влияние температуры на электронное строение кристаллов с разным типом химической связи. Сочетание этой методики с методом подрешеток позволяет выявить роль подрешеток в изменениях электронной структуры при температурном воздействии. Апробация на бинарных ЩГК и А§Вг, для которых имеются надежные данные о зависимости параметров решетки от температуры и значениях факторов Дебая-Уоллера в широком интервале температур, показала эффективность данного сочетания и хорошее согласие с экспериментальными данными.

БЛАГОДАРНОСТИ

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую и искреннюю благодарность профессору Анатолию Степановичу Поплавному - за творческое сотрудничество и неоценимое научное наставничество на всех этапах выполнения данной работы; профессору Юрию Ивановичу Полыгалову и доценту Михаилу Леонидовичу Золотареву — за помощь и поддержку на начальном этапе работы; профессору Юрию Николаевичу Журавлеву — за многолетнее и плодотворное сотрудничество; соавтору по ряду публикаций профессору Алексею Болеславовичу Гордиенко — за совместную работу; доценту Анатолию Владимировичу Копытову — за полезное обсуждение некоторых результатов данной работы и Алексею Владимировичу Кособуцкому - за совместное творчество и помощь в проведении ряда расчетов. Автор выражает искреннюю признательность своей жене Оксане Геннадьевне, детям Маргарите и Арсению - за огромную моральную поддержку и долготерпение, без которых эта работа была бы невозможной.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Басалаев, Юрий Михайлович, 2009 год

1. Киселева, Н. Н. Прогнозирование неорганических соединений, перспективных для поиска новых электрооптических материалов / Н. Н. КиселеваН. Д. Ващенко, В. П. Гладун, С. Р. ЛеКлэр, А. Г. Джексон 1. Перспективные материалы. - 1998. -№3. - С.28-32.

2. Вавилов, В. С. Полупроводники в современном мире / В. С. Вавилов II Успехи физических наук. 1995. - Т.165. - №5. - С591-594.

3. Голъдшмидт, В. М. Строение кристаллов и химический состав / В. М. Голъдшмидт II Успехи физических наук. 1929. - Т.9, №6. - С.811-858.

4. Горюнова, Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников / Н. А. Горюнова. Л.: Изд. ЛГУ, 1963, 222 с.

5. Горюнова, Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники / Н. А. Горюнова. — М.: Советское радио, 1968, 276 с.

6. Бацанов, С. С. Структурная химия. Факты и зависимости / С. С. Бацанов. — М.: Диалог-МГУ, 2000. 292 с.

7. Полупроводники А2В4С25 / под редакцией Н. А. Горюновой, Ю. А. Валова. М.: Советское радио, 1974, 374 с.

8. Vurgaftmana, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / /. Vurgaftmana, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan II J. Appl. Phys. 2001. — V.89, N 11. - P. 5815-5875.

9. Grimm, H. Über den Zusammenhang des Abschlusses der Elektronengruppen im Atom mit den chemischen Valenzzahlen / H. Grimm, A. Sommerfeld // Zeitschrift für Physik. 1926. - V.36 . - P.36-39.

10. Goodman, С. H. L. A new group of compounds with diamond type (chalcopyrite) structure / С. H. L. Goodman II Nature. 1957. - V. 179. - N 16. -P.828-830.

11. Phillips, J. C. Dielectric classification of crystal structures, ionization potentials, and band structures / J. C. Phillips, J. A. Van Vechten 11 Phys. Rev. Lett.- 1969.-V.22.-N 14. — P.705-708.

12. Phillips, J. C. Nonlinear optical susceptibilities of covalent crystals I J. C. Phillips, J. A. Van Vechten II Phys. Rev. 1969. - V. 183. - N 3. - P.709-711.

13. Van Vechten, J. A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. I. Electronic dielectric constant I J. A. Van Vechten II Phys. Rev. 1969.- V. 182.-N3.-P.891-905.

14. Van Vechten, J. A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. II. Ionization potentials and interband transition energies / J. A. Van Vechten //Phys. Rev. 1969. - V. 187. -N 3. - P. 1007-1020.

15. Van Vechten, J. A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. III. Pressure-Temperature phase diagrams, heats of mixing, and distribution coefficients / J. A. Van Vechten II Phys. Rev. B. 1972. - V.7. - N 4. -P.1479-1507.

16. Van Vechten, J. A. Estimation of bond-bending force constants in tetrahedral semiconductors and their variation .with pressure obtained from spectroscopic data I J. A. Van Vechten //Phys. Rev. B. 1974. - V.10. -N 10. - P.4222-4227.

17. Van Vechten, J. A. Vacancies, dislocations, and carbon interstitials in Si I J. A. Van Vechten II Phys. Rev. B. 1987. - V.35. - N 2. - P.864-869.

18. Jajfe, J.E. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors / J. E. Jaffe, A. Zunger II Phys. Rev. B. 1984. - V.29: - N 4. -P.1882-1906.

19. Wood, D. M. Electronic structure of generic semiconductors: Antifluorite silicide and III-V compounds ID. M. Wood, A. Zunger II Phys. Rev: B. 1986. -V.34. -N 6. -P.4105-4120.

20. Ъ2.Ыи, F. First-principles studies on structural properties of P-cristobalite / F. Liu, S. H. Garofalini, R. D. King-Smith, D. Vanderbilt II Phys. Rev. Lett. 1993. -V.70. -N18. - P. 2750 - 2753.

21. ЪЪ.ЕскегИп, P. The preparation, structure and properties of LiPN2 / P. Eckerlin, C. Langereis, I: Maak, A. Rabenau II Special Ceramics 1964 / Editor by P.* Popper. — London and New-York: Academic Press. 3 (1965). - P. 79-85.

22. Marchand, R. Etude cristallochimique de LiPN2: Une structure derivee de la cristobalite / R. Marchand, P. L'Haridon, Y. Laurent // Journal of Solid State Chemistry. 1982.-V.43.-N l.-P. 126-130.

23. Schnick, W. Kenntnis von Lithium-phosphor(V)-nitrid. Reindarstellung und Verfeinerung der Kristallstruktur von LiPN2 / W. Schnick, J. Lücke II Z. Anorg. Allg. Chem. — 1990.- V.588. — N l.-P. 19-25.

24. Schnick, W. Darstellung, Kristallstruktur und IR-spektroskopische Untersuchung yon Phosphor(V)-nitrid-imid, HPN2 / W. Schnick, J. Lücke // Z. Anorg. Allg. Chem. 1992.-V.610.-N 1. - P. 121-126.

25. Lands krön, K. Hochdruck-Synthese, Kristallstruktur und Eigenschaften von NaPN2. / K. Landskron, S. Schmid, W. Schnick II Z. Anorg. Allg. Chem. 2001. -V.627. - N 11. - P. 2469-2472.

26. Landskron, K. Phosphor(V)-nitride durch Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese / K. Landskron' II Dissertation zur Erlangung des Doktorgrades der Fakultät für Chemie und Pharmazie der Ludwig-Maximilians-Universität München. — München, 2001.-201 p.

27. AI.Folberth, O. G. Die Kristal struktur von ZnSnAs2 / O. G. Folberth, H. P fister II Acta Cryst. 1960. - V.13, N3. -P.l99-201.

28. Палатник, JI. С. О механизме упорядочения в трехкомпонентных полупроводниковых соединениях / Л. С. Палатник, В. М. Кошкин, Л. П. Галъчинецкий II Физика твердого тела. — 1962. — Т.4. — №9. — С.2365-2371.

29. Вайполин, А. А. Некоторые аспекты химии алмазоподобных соединений типа А2В4С25 / А. А. Вайполин, Э. О. Османов, Д. Н. Третьяков II Неорганические материалы. 1967. - Т.З. - №2. — С.260-266.

30. Горюнова, Н. А. Влияние типа химической связи на структуру тройных соединений А2В4С2ЭIН. А. Горюнова, В. С. Григорьева, Л. В.Крадинова, В. Д. Прочухан II В кн. Химическая связь в кристаллах. — Минск: Наука и техника, 1969.-С.439-446:

31. Welker, H. Über neue halbleitende Verbindungen / H. Welker II Zeitschrift Naturforschung. 1952. - Bd. 7a. - S.744-749; 1953. - Bd. 8a. - S.248-251.

32. Boukbir, L. Preparation and time-of-flight neutron diffraction study of the cristobalite-type PON phosphorus oxynitride / L. Boukbir, R. Marchand, Y.1.urent, P. Backer, G. Roult И Annales de Chimie (Paris). 1989. - V.1989. -N14. -P.475-481.

33. Хеше, В. Теория псевдопотенциала / В. Хейне, М. Коэн, Д. Уэйр / Пер. с англ. под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. М.: Мир. - 1973. - 618 с.

34. Басалаев, Ю.М. Энергетическая структура и химическая связь в ионно-ковалентных и ионно-молекулярном NaN03 кристаллах: Дисс. канд. физ.-мат. наук. / Ю.М. Басалаев. Кемерово, 1995. - 240 с.

35. Hartigsen, C. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn / C. Hartigsen, S. Goedecker, J. Hutter II Phys. Rev. B. 1998. - V.58. -N7. -P.3641-3662.

36. Lewis, S. Efficient scaling of calculations involving separable nonlocal potentials / S. Lewis, C.Y. Wei, E.J. Mele, A.M. Rappe II Phys. Rev. B. 1998. -V.58. —N7. -P.3482-3485.

37. Vackar, J. All-electron pseudopotentials / J. Vackar, M. Hyt'ha, A. Simunek II Phys. Rev. B. 1998. - V.58. -N19. - P. 12712-12720.

38. Dong, W. Relation between the ultrasofit pseudopotential formalism and LAPW method / W. Dong II Phys. Rev. B. 1998. - V.57. - N 8. - P.4304-4308.

39. Yang, S.H. Ab initio local-orbital density-functional method for transition metals and semiconductors / S.H. Yang II Phys. Rev. B. 1998. - V.58. - N 4. -P.1832-1833.

40. Trail, J.R. Core reconstruction in pseudopotential calculations / J.R. Trail, D.M. BirdII Phys. Rev. B. 1999. - V.60. -N 11. -P.7863-7875.

41. Nogueira, F. Trends in the properties and structures of the simple metals from a universal local pseudopotential / F. Nogueira, C. Fiolhais, J. Perdew II Phys. Rev. B. 1999. - V.59. - N 4. - P.2570-2579.

42. Furthmuller, J. Extreme softening of Vanderbilt pseudopotentials: General rules and case studies of first-row and d-electron elements / J. Furthmuller, P. Kackell, F. Bechstedl, G.'Kress e II Phys. Rev. B. 2000. - V.61. - N 7. - P.4576-4588.

43. Lee, Y. Pseudopotentials for correlated-electron calculations / Y Lee, P.R.C. Kent, M.D. Towler, R.J. Needs И Phys. Rev. B. 2000. - V.62. - N 20. - P. 1334713356. •

44. Briddon, P.R. LDA calculations using a basis of Gaussian orbitals / P.R: Briddon, R. Jones II Phys. Stat. Sol. (b). 2000. - V.217. -N 1. - P.131-171.

45. Liu, S. Nonorthogonal localized molecular orbitals in electronic structure theory-/ S. Liu, J.M. Perez-Jorda, W. Yang II J. Chem. Phys. 2000. - V.112. - N4. -РЛ634-1645.

46. Grinberg, I. Quantitative criteria for transferable pseudopotentials in density functional theory //. Grinberg, N.J. Ramer, A.M. Rappe II Phys. Rev. B. 2001. -V.63. —N15. —P.10102-10106.

47. ABINIT. Режим доступа: http://www.abinit.org, свободный

48. CRYSTAL. Режим доступа: http://www.crystal.unito.it, свободный

49. PWscf. Режим доступа: http://www.pwscf.org, свободный

50. WIEN2k. Режим доступа: http://www.wien2k.at

51. Poplavnoi, A.S. On the theory of pseudopotential / A.S. Poplavnoi II Phys. Stat. Sol. 1969. - V.33; - N 2. - P.541-546.

52. Lin, L. Effects of spin-orbital coupling in Si and Ge / L. Lin II Phys. Rev. -1962. V. 149. - N 4. - P. 1317-1328.

53. Bloom, S. Band structure of a-Sn, InSb and CdTe including spin-orbit effects / S. Bloom, Т.К. Bergslresser II Solid Stat. Com. 1968. - V.6. - N 7. - P.465-467.

54. Поплавной II Ред.журн. «Изв. вузов. Физика». — Томск, 1999 — 61 с. Деп. в ВИНИТИ, 17.12.99, № 3772-В99

55. Apra, Е. An ab-initio Hartree-Fock study of silver chloride / E. Apra, E. Stefanovich, R. Dovesi, C. Roetti II Chem. Phys. Lett. 1991. - V. 186. - N 4-5. -P. 329-335.

56. Журавлев, Ю.Н. Роль подрешеток в формировании химической связи преимущественно ионных кристаллов / Ю.Н. Журавлев, А.С. Поплавной II Журнал структурной химии. 2001. - Т.42. - №5. - С. 860-866.

57. Журавлев, Ю.Н. Роль подрешеток в формировании химической связи ионно-молекулярных кристаллов / Ю.Н Журавлев, А.С. Поплавной // Журнал структурной химии. 2001. - Т.42 , №6. - С. 1056-1063.

58. Журавлев, Ю.Н. Роль подрешеток в формировании электронной-плотности в нитритах металлов / Ю.Н. Журавлев, А.С. Поплавной II Кристаллография. 2002. - Т. 47, № 5. - С. 810-813.

59. Журавлев, Ю.Н. Распределение валентной электронной плотности в<iпреимущественно ионных кристаллах с различающимися подрешетками Бравэ / Ю.Н. Журавлев, А.С. Поплавной II Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, № 1. - С. 37-41.

60. Physical Properties of Diamonds I Ed. R. Berman. Oxford: Clarendon Press.- 1965.

61. Вавилов, B.C. Полупроводниковые алмазы / B.C. Вавилов, E.A. Конорова II Успехи физических наук. 1976. - Т. 118. -№4. - С.611-639.

62. Liu, L. Effects spin-orbital coupling in Si and Ge / L. Liu II Phys. Rev. 1962.- V.126. -N 4. P. 1317-1328.

63. Pollak, F.H. Piezo-electroreflectance in Ge, GaAs, and Si / F.H. Pollak, M. Cardona И Phys. Rev. 1968. - V. 172, N 3. -P.816-837.

64. Alvarez, C.V. Model pseudopotential calculations of the electronic and bonding properties of group-IV elements / C.V. Alvarez, M.L. Cohen II Phys. Rev. B. 1973. - V.8. -N 4. -P.1603-1609.

65. Price, P.F. Electron-density studies. II. Further comments on thé electron density in diamond / P.F. Price, E.N. Maslen II Acta Cryst. 1978. - V.A34. -N2. -P.173-183.

66. Car, R. Dielectric band structure of crystals: general properties and calculations for silicon / R. Car, E. Tosatti, S. Baroni, S. Leelaprute H Phys. Rev. B. 1981. - V.24. - N 2. - P.985-999.

67. Srivastava, G.P. Self-consistent pseudopotential calculation for the electronic structure of Ge / G.P. Srivastava II Phys. Rev. B. 1982. - V.25. - N 4. - P.2815-2820.

68. Srivastava, G.P. Self-consistent pseudopotential calculation for the equilibrium bulk properties of diamond-type semiconductors / G.P. Srivastava II J. Phys. C: Solid State Phys. 1982. - V.15. -N 5. - P. 1739-1742.

69. Manghi, F. Band structure calculation for GaAs and Si / F. Manghi, G. Riegler, CM. Bertoni, G.B. Bachelet II Phys. Rev. B. 1985. - V.31. - N 6. -P.3680-3688.

70. Chandramohan, D. Analitic form of Thomas-Fermi-Dirac dielectric function for Si, Ge and diamond by variational method / D. Chandramohan, S. Balasubramanian II Z. Phys. B: Condensed Matter. 1990. - V.79. - N 1. -P.181-184.

71. Willatzen, M. Linear muffin-tin-orbital and kp calculations of effective masses and band structure of semiconducting diamond / M. Willatzen, M. Cardona, N.E. Christensen II Phys. Rev. B. 1994. -V.50. -N 24. - P. 18054-18059.

72. Rushton, P.P. Nonlocal density-functional descripton of exchange and correlation in silicon / P.P. Rushton, D.J. Tozer, S.J. Clark 11 Phys. Rev. B. 2002. - V.65. -N 23. - P.23 5203(12).

73. Baroni S., DalCorso A., deGironcoli S., Giannozzi P. Режим доступа: http://www.pwscf.org.

74. Гелъмонт, Б.JI. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников / Б.Л. Гелъмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидшъковский II Успехи физических наук. 1976. - Т. 120. - №3. - С.337-362.

75. Groves, S. Н. Band structure of gray tin / S.H. Groves, W. Paul II Phys. Rev. Lett. 1963. — V.ll. — N 5. - P. 194-196.

76. Pollak, F.H. Energy-band structure and optical spectrum of grey tin / F.H. Pollak, M. Cardona, C. W. Higginbotham, F. Herman, J.P. Van Dyke II Phys. Rev. B. 1970. - V.2. - N 2. - P.352-363.

77. Gzoves, S.H. Interband magnetoreflection of a-Sn / S.H. Gzoves, C.R. Pidgeon, A. W. Ewald, R.J. Wagner II J. Phys. Chem. Sol. 1970. - V.31. - N 9. -P. 2031-2049

78. Huang, M.-Z. Calculation of optical excitations in cubic semiconductors. I. Electronic structure and linear response / M.-Z. Huang, W.Y. Ching II Phys. Rev.

79. B. 1993. - V.47.-N 15.-P.9449-9463.

80. Лосев, O.B. У истоков полупроводниковой техники / О.В. Лосев. Л.: Наука, 1972.- с. 175.

81. Новиков, М.А. Олег Владимирович Лосев: пионер полупроводниковой электроники / М.А. Новиков II Физика твердого тела. 2004. — Т.46, № 1. —1. C.5-9.

82. Lossev, О. Der Krystadin / О. Lossev II Zeitschrift f. Fernmeldetechnik. -1925.-№ 9.s. 132.

83. Зубкова, C.M. Температурная зависимость зонной структуры политипов ЗС, 2Н, 4Н и 6Н карбида кремния / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина, Е.В. Смелянская И Физика и техника полупроводников. — 2003. Т.37. - № 3. -С.257-265.

84. Litovchenko, V.G. Analysis of the fundamental characteristics of diamond-like crystals and low-dimensional structures / V.G. Litovchenko II Cond. Matter Phys. -2004. V.7. - N 1. - P. 167-177.

85. Pandey, R. A theoretical study of stability, electronic, and optical properties of GeC and SnC / R. Pandey, M. Rerat, C. Darrigan, M: Causa II J. Appl. Phys. -2000; V.88. -Nil.- P.6462-6466.

86. Sankey, O.F. Energetics and electronic structure of the hypothetical zinc blende form of GeC / O.F. Sankey, A.A. Demov, W.T. Petuskey, P.F. McMillan II Modell. Simul. Mater. Sei. Eng. 1993. -V.l. -N 5 . -P.741-754.

87. Lambrecht, W.R L. Calculated and measured uv reflectivity of SiC polytypes / W.R.L. Lambrecht, B. Segall, M. Yoganathan, W. Suttrop, R.P. Devaty, W.J. Choyke, J.A. Edmond, J.A. Powell, M. Alouani II Phys. Rev. B. 1994. - V.50. -N 15 . -P.10722-10726.

88. Humphreys, R.G. Wavelength modulated absorption in SiC / R.G. Humphreys, D. Bimberg, W.J. Choyke II Solid State Commun. 1981. V.39. -Nl. -P.163-167

89. Chan, T.-L. A first-principles study of Group IV dimer chains on Si(100) / T.-L. Chan, C.Z. Wang, Z.-Yi Lu, KM. Holl Phys. Rev. B. 2005. - V.72. - N 4. - P. 045405(10).

90. Agrawal, B.K. GeSi alloys: A' study of short-range order / B.K. Agrawal II Phys. Rev. B.- 1980.-V.22.-N 12.-P. 6294-6301.

91. Schmid, U. GeSi alloys: A study of short-range order / U. Schmid, N.E. Christensen, M. Cardona II Phys. Rev. B. 1990. - V.41.-N9.-P. 5919-5930:

92. Remediakis, I.N. Band-structure calculations for semiconductors, within generalized-density-functional theory / I.N. Remediakis, E. Kaxiras II Phys. Rev. B. 1999. - Y.59. -N 8. - P. 5536-5543.

93. Woicik, J.C. Unit cell of strained GeSi / J.C. Woicik, C.E. Bouldin, K.E. Miyano, C.A. King // Phys. Rev. B. 1997. - V.55. - N 23. - P. 15386(4)

94. Batson, P.E. Structural and electronic characterization of a dissociated 60° dislocation in GeSi / P.E. Batson II Phys. Rev. B. 2000. - V.61. - N 24. -P. 16633(9).

95. Gray, M.H. Effect of Anisotropic Strain on the Crosshatch Electrical Activity in Relaxed GeSi Films / M.H. Gray, J. W.P. Hsu, L. Giovane, M.T. Bulsara II Phys. Rev. Lett. 2001. - V.86. - N 16. - P. 3598-3601.

96. Vartanyants, I.A. Coherent x-ray diffraction from quantum dots / I.A. Vartanyants, I.K. Robinson, J.D. Onken, M.A. Pfeifer, G.J. Williams, F. Pfeiffer, H

97. Metzger, Z Zhong, G. Bauer II Phys. Rev. B. 2005. - V.71. - N 24. -P.245302(9).

98. Motta, N. GeSi intermixing in Ge nanostructures on Si(l 11): An XAFS versus STM study / N. Motta, F. Boscherini, A. Sgarlata, A. Balzarotti, G. Capellini, F. Ratio, F. Rosei II Phys. Rev. B. 2007. - V.75. - N 3. - P. 035337(9).

99. Pukite, P.R. Molecular beam epitaxy of metastable, diamond structure SnxGeb x alloys / P.R. Pukite, A. Harwit, S.S. Iyer II Appl. Phys. Lett. 1989. - V.54. -N21. -P.2142-2144.

100. Wong, S.S. Local order measurement in SnGe alloys and monolayer Sn films on Si with reflection electron energy loss spectrometry / S.S. Wong, G. He, S. Nikzad, C.C. Ahn, H.A. Atwater II J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. - V.13. -N 2. -P. 216-220.

101. Shen, J. Ab initio calculation of the structure of the random alloys SnxGei.x / J. Shen, J. Zi, X. Xie, P. Jiang И Phys. Rev. B. 1997. - V.56. - N 19. - P: 1208412087.

102. Пилкун, M. Ипжекционные лазеры / M. Пилкун II Успехи физических наук. 1969. - Т.98. - № 2. - С.295-350.

103. Nakamura, S. The Blue Laser Diodes (GaN Based Light Emitters and Lasers). В IS. Nakamura, G. Fasol. Heidelberg: Springer, 1997. - 175 p.

104. Nakamura, S. Light Emission Moves into the Blue / S. Nakamura II Phys. World. 1998.-V.ll.-N 2.-P. 31-35.

105. Маделунг, О: Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп / О. Маделунг. М.: Мир, 1967. - 478.с.

106. Christensen, N.E. Optical and structural properties of III-V nitrides under pressure semiconductors / N.E. Christensen, I. Gorczyca //Phys. Rev.B. 1994. -V.50. -N 7. — P.4397-4415.

107. Vogel, D. Structural and'electronic properties of group-Ill nitrides ID. Vogel, P. Krüger, J. Pollmann И Phys. Rev.B. 1997. - V.55. - N 19. - P. 12836-12839.

108. Gavrilenko, V.l. Linear and nonlinear optical properties of group-Ill nitrides / V.l. Gavrilenko, R.O Wu 11 Phys. Rev.B. 2000. - V.61. - N 4. - P.2632-2642.

109. Давыдов, С.Ю. Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, A1N, GaN и InN / С.Ю. Давыдов //Физика и техника полупроводников.2002. Т.36. - № 1. - С.45-48.

110. Yeh, С. Zinc-blende-Wurtzite polytypism in semiconductors / С. Yeh, Z.W. Lu, Froyen S., A. Zunger II Phys. Rev.B. 1992. - V.46. - N 16.- - P. 10086-10097.

111. Zoroddu, A. First-principles prediction of structure, energetics, formation* enthalpy, elastic constants, polarization, and piezoelectric constants of A1N, GaN, and InN: comparison of local and gradient-corrected density-functional theory / A.

112. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone II Phys. Rev.B. — 2001. V.64. — N 4. — P.045208(6).

113. Fan, W.J. Electronic properties of zinc-blende GaN, A1N, and their alloys Ga!xAlxN / W.J. Fan, M.F. Li, T.C. Chong, J.B. Xia II J. Appl. Phys. 1996. -V.79.-N 1. - P.188-194

114. Tadjer, A. Electronic properties and strain effects in zinc blende GaN and InN. / A. Tadjer, B. Abbar, M. Rezki, H. Aourag, M. Certier II J. Phys. Chem. 1999. -V.60. — N 3. - P.419-424

115. Casey, Jr.H. C. Heterostructure Lasers, Part A: Fundamental Principles / Jr.H.C. Casey, M.B. Panish. Academic Press, New York, 1978, Chaps. 4 and 5.

116. Monemar, B. Fundamental Energy Gaps of AlAs and AIP from Photoluminescence Excitation Spectra / B. Monemar //Phys. Rev. B. 1973. -V.8.-N 12.-P.5711-5718.

117. Bour, D.P. Optical properties of AlxIn,xP grown by organometallic vapor phase epitaxy / D.P. Bour, J.R. Shealy, G. W. Wicks, W.J. Schafft! Appl. Phys. Lett.1987. - V.50. -N 10. -P.615-619.

118. Krijn, M.P.C.M. Heterostructure band-offsets and effective masses in III-V quaternary alloys / M.P.C.M. Krijn II Semicond. Sei. Technol. -1991. V,6. -P.27-32.

119. Tiwari, S. Compound Semiconductor Device Physics / S. Tiwari. Academic Press, New York, 1992. - 624 p.

120. Monkhorst, H.J. Special points for Brillouin-zone integrations / H.J. Monkhorst, J.D. PackII Phys. Rev. B. 1976. -V. 13. -N 12. -P. 5188-5192.

121. Petukhov, A.G. Electronic structure of wide-band-gap ternary pnictides with the chalcopyrite structure / A.G. Petukhov, W.R.L. Lambrecht, B. Segall II Phys. Rev. B. 1994. - V.49. - N 7. - P. 4549-4558.

122. McCulloch, D.G. Ab initio study of structure in boron nitride, aluminum nitride and mixed aluminum boron nitride amorphous alloys / D.G. McCulloch, D.R. McKenzie, C.M. Goringe II J. Appl. Phys. 2000. - V.88. - N 9. - P.5028-5032.1

123. Lambrecht, W.R.L. Electronic structure of BeCN2: A proposed nearly direct wide-band-gap semiconductor / W.R.L. Lambrecht, B. Segall II Phys. Rev. B. — 1992.-V.45.-N3.-P. 1485-1487.

124. Chiker, F. Interband transitions of wide-band-gap ternary pnictide BeCN2 in the chalcopyrite structure / F. Chiker, B. Abbar, B. Bouhafs, P. Ruterana II Phys. Stat Sol. (b). 2004. - V.241. - N 2. - P.305-316:

125. Вайполин, А.А. Специфические дефекты структуры соединений А2В4С52 / А.А. Вайполин II Физика твердого тела. 1973. - Т. 15. - №5. - С. 1430-1435.

126. Аверкиева, Г.К. Диодные структуры на кристаллах MgSiP2 / F.K. Аверкиева, А. Мамедов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудъ II Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - №9. - С. 1732-1737.

127. Поплавной, А.С. Об энергетической зонной структуре «псевдопрямозонных» кристаллов CdSiP2 и MgSiP2 / А. С. Поплавной, Ю.И. Полыгалов. A.M. Ратнер II Физика и техника полупроводников. — 1982. -Т.16. — №4. — С.702-704.

128. Басалаев, Ю.М. Электронная структура тройных фосфидов MgSiP2, ZnSiP2, CdSiP2 I Ю.М. Басалаев, А.Б. Гордиенко, А.С. Поплавной'/I Известия вузов. Физика. 2005. - №1. - С.68-72.

129. Басалаев, Ю.М. Электронное строение соединений MgSiX2 (Х= Р, As, Sb) со структурой халькопирита. / Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, П.В. Демушин, А. С. Поплавной II Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2007. - Т.4. - №2. - С.7-9.

130. Басалаев, Ю. М. Электронное строение и физические свойства тройных алмазоподобных соединений MgB.lvZv2 / Ю. М. Басалаев, П. В. Демушин, В. Ю. Рудъ II Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». Томск, 2008 - 46 с. Деп. в ВИНИТИ; 28/11.2008, № 914-В2008.

131. Wentzcovitch, R. Invariant molecular-dynamics approach to structural, phase transitions I R. Wentzcovitch II Phys. Rev. B: 1991. - V. 44. - № 5. - P.2358-2361.

132. Jajfe, J.E. Electronic structure of the ternary pnictide semiconductors ZnSiP2, ZnGeP2, ZnSnP2, ZnSiAs2, and MgSiP2 / J.E. Jaffe, A. Zunger II Phys. Rev. B. -19841 V.30. - N 2. - P.741-756.

133. Басалаев, Ю.М. Энергетическая зонная структура и плотность электронных состояний ZnGeAs2 и ZnSnAs2 / Ю.М. Басалаев, M.JI. Золотарев, А.С. Поплавной II Известия вузов СССР. Физика. 1986. - №2. — С.103-106.

134. Басалаев, Ю.М. Теория температурной зависимости энергетических уровней в полупроводниковых соединениях А2В4С52 / Ю.М. Басалаев, Ю.И. Полыгалов, А.С. Поплавной II Ред.журн. «Изв. вузов. Физика». Томск, 1987 - 17 с. Деп. в ВИНИТИ, 17.10.87, № 7352-87.

135. Полыгалов, Ю.И. Зонная структура и плотность электронных состояний ZnSnSb2 /Ю.И. Полыгалов, Ю.М. Басалаев, M.JI. Золотарев, A.C. Поплавной II Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, №2, с.279-282.

136. Басалаев, Ю М. Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2 / Ю.М. Басалаев, M.JI. Золотарев, Ю.И. Полыгалов, A.C. Поплавной II Физика и техника полупроводников. — 1990. Т. 24. - №5. - С.916-920.

137. Басалаев, Ю.М. Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 в ультрафиолетовой области / Ю.М. Басалаев, А.Б. Гордиенко, A.C. Поплавной II Физика и техника полупроводников. 2005. - Т.39. - №9. - С.1040-1042.

138. Басалаев., Ю.М Теория зонной структуры и оптические свойства полупроводников А2В4С52 /Ю.М. Басалаев, Ю.И. Полыгалов, A.C. Поплавной II XIV Всесоюзное (Пекаровское) совещание по теории полупроводников, Донецк, 1989, Изд. Дон. ФТИ с.68.

139. Shirakata, S. Application of semi-empirical tight-binding method to band calculation of chalcopyrite semiconductors / S. Shirakata, S. Matsishima, S. Isomura, M. Kohyama II Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. -V.16. — P.83-100.

140. Wei, S.-H. Role of metal d states in II-VI semiconductors / S.-H. Wei, A. Zunger ИPhys. Rev. B. 1988. - V.37. -N 15. -P.8958-8981.

141. Masumoto, K. Preparation and electronic properties of single crystals and-doped crystals of ZnSnAs2 semiconductor / K. Masumoto, S. Isomura //Trans, of Nat. Res. Institute for metals. 1966. - V.8. - N 5. - P.200-209.

142. Поплавной, А С Структура энергетических зон ZnSnAs21 А.С. Поплавной II Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1969. - Т.5. - №3. - С.498-501.

143. Hubnér, K. Spin-orbit splitting II-IV-V2 compounds / K. Hubner, K. Unger II Phys. Stat. Solidi (b). 1970. - V.50. -N 2. -P.K105-K107.

144. Shileika, A. Energy band structure and modulation spectra of А В С ? semiconductors I A. Shileika И Surface Science. 1973. - V.37 - N3. - P.730-747.

145. Continenza, A. Structural and* electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors / A. Continenza, S. Massidda, A.J. Freeman, T.M. de Pascale-, F. Meloni, M. Serra II Phys. Rev. В. 1992. - V.46. - N 16. - P.10070-10077;

146. Artus, L. Calculation of phonon frequencies of predicted CdGeSb2 chalcopyrite compound / L. Artus, S. Royo II Jpn. J. Appli Phys. 1993. - V.32. -N 32-3. — P.573-574.

147. Serra, M. Charge distribution and chemical bonding in CdGeP2 and»CdGeAs2 / M. Serra, F. Aymerich, F. Meloni, G. G. Pegna II Solid State Communs. 1984.-V.49. - N 2. — P.l 19-121.

148. Shaukat, A. Experimental and theoretical charge density distribution studies in ZnSiAs2 / A. Shaukat, H. Burzlaff, M. Serra, F. Meloni II Progr. Cryst. Growth and Charact. 1985. - V.l 0. - N 1-4. - P.31-36.

149. Baldereschi, A. Electronic charge density and crystallographic distortion in the chalcopyrite ZnGeAs2 / A. Baldereschi, F. Meloni, M. Serra II II Nuovo Cimento.- 1983.-V.20.-N6.-P. 1643-1649.

150. Levalois, M. Etude par diffraction de R-X de la densite de charge de valence dans les deux semiconducteurs tetraedriques ZnSiAs2 et ZnGeAs2 / M. Levalois, G. Allais И J. Phys. Stat. Sol. 1989. - V.l 11 A. - N 2. - P.211-222.

151. Чалдышев, В.A. Зонная структура, плотность электронного заряда и химическая связь в ZnGeAs2 / В.А. Чалдышев, Н.А. Захаров, M.JI. Золотарев П Изв. Вузов. Физика. 1977. - Деп. ВИНИТИ. - 01.11.77. - №7. - 22 с.

152. Золотарев, M.JI. Плотность электронного заряда и химическая связь в «псевдопрямозонных» соединениях А2В4С52 I М.Л. Золотарев, А.С. Поплавной И Изв. вузов«. Физика. 1984. - №7. - С.118-120.

153. Соболев, В.В. Зоны и экситоны соединений группы АиВУ1/В.В. Соболев. -Кишинев: Штиинца, 1980. — 256 с.

154. Lombardi, Е. Stability of crystals of II-VI and III-V compounds in terms of three-ion* interaction / E. Lombardi, L. Jansen II Phys. Rev. 1965. - V.140. -N1 A. - P.' A275-A292.

155. Phillips, J.C. Ionicity of the chemical bond in crystals I J.C. Phillips II Rev. ModernPhys. 1970. - V.42. -N 3. - P.317-356.

156. Lannoo, Mi Simple tight-binding calculation of the transverse effective charges in III-V, II-VI, and IV-IV compound semiconductors / M. Lannoo, J.N. Decarpigny IIPhys. Rev. B. 1973. - V.8. -N 12. -P;5704-5710.

157. Berding, M.A. Polarity in semiconductor compounds / M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen II Phys. Rev. B. 1987. - V.36. -N 14. -РГ7433-7436.

158. Huang, M.-Z. Calculation of optical excitations in cubic semiconductors. II. Second-harmonic generation / M.-Z. Huang, W.Y. Ching II Phys. Rev. B. 1993. -V.47.-N 15. — P.9464-9478.

159. Ching, W. Y. Calculation of optical excitations in cubic semiconductors. III. Third-harmonic generation I W.Y. Ching, M.-Z. Huang II Phys. Rev. B. 1993. -V.47.-N 15. — P.9479-9491.

160. Tuchman, J. A. General, trends in changing epilayer strains through the application of hydrostatic pressure / J.A. Tuchman, LP. Herman II Phys. Rev.B. — 1992. V.45. - N 20. - P. 11929-11935.

161. Wei, S.-H: Predicted band gap pressure coefficients of all diamond and zinc-blende semiconductors: chemical trends / S.-H. Wei, A. Zunger II Phys. Rev.B. -1999. V.60. - N 8. - P.5404-5411.

162. Mujica, A. High-pressure phases of group-IV, III—V, and II-VI compounds /

163. A. Mujica, A. Rubio, A. Muñoz, R. J. Needs II Rev. Modern Phys. 2003. - V.75. -N 3. -P.863-912.

164. Jonnard, P. Electron distribution in MgO probed by x-ray emission. / P. Jonnard, F. Vergand, C. Bonnelle, E. Orgaz, M. Gupta II Phys. Rev. B. 1998. — V.57.-N 19: — P.12111-12118.

165. Степанова, E.B. Электронная структура и оптические свойства соединения CaS. / E.B. Степанова, B.C. Степанюк, С.В. Власов; О.В. Фарберович, В.В. Михайлин II Известия вузов. Физика. 1988. - №7. - С.82-86.

166. Степанюк, B.C. Электронная структура и оптические свойства-MgS. /

167. B.C. Степанюк, А.А. Григоренко, А.А. Кацнелъсон, A. Cae, О.В. Фарберович, В.В. Михайлин II Физика твердого тела. 1990. - Т.32. - №6. - С. 1766-1768.

168. Степанюк, B.C. Теоретическое исследование оптических свойств сульфида кальция. / B.C. Степанюк, А.А. Григоренко, А.В. Козлов, О.В. Фарберович, В.В. Михайлин, Е.В. Степанова II Физика твердого тела. 1989. - Т.31. - №2. — С.52-62.

169. Журавлев, Ю.Н. Электронная структура оксидов и сульфидов магния и кальция / Ю.Н. Журавлев, Ю.М. Басалаев, А. С. Поплавной II Известия вузов. Физика. 2000. - №8. - С. 104.г

170. Радциг, А. А. Параметры атомов и атомных ионов / А.А. Радциг, Б.М. Смирнов- М.,: Энергоатомиздат, 1986. 344 с.

171. Chadi, D.J. Special points in the Brillouin zone. / D.J. Chadi, M.L. Cohen II Phys. Rev. B. 1973.-V.8.-N 12.-P.5747-5753.

172. Holm, B. Elastic and optical properties of a- and к-А12Оз / В. Holm, R. Ahuja, Y. Yourdshahyan, B. Johansson, B.I. Lundqvist II Phys. Rev. B. 1995. - V.52. -N 20. -P.12777-12787.

173. Johnson, K.A. Corrections to density-functional theory band gaps. / K.A. Johnson, N. W. Ashcroft II Phys. Rev. B. 1998. - V.58. - N 23. - P. 15548-15556.

174. Harrison, W.A. Coulomb interactions in semiconductors and insulators / W.A. Harrison II Phys. Rev. B. 1985. - V.31. - N 4. - P.2121-2132.

175. Kakimoto, K. Raman spectra from Gal-xInxAs epitaxial layers grown on GaAs and InP substrates / K. Kakimoto, T. Katoda И Appl. Phys. Lett. 1982. -V.40,N9. - P.826-828.

176. Sher, A. Quasichemical approximation in binary alloys / A. Sher, M. van Schilfgaarde, A.-B. Chen, W. Chen II Phys. Rev. B. 1987. - V.36. - N 8. -P.4279-4295.

177. Wei, S.-W. First-principles calculation of temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys / S.-W. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger II Phys. Rev. B. 1990. - V.41. -N 12. -P.8240-8269.

178. Gomoyo, A. Observation of Strong Ordering in GaxInixP alloy semiconductors / A. Gomoyo, T. Suzuki, S. Iijima II Phys. Rev. Lett. 1988. -V.60. - N 25. - P.2645-2648.

179. Wei, S.-H. Negative spin-orbit bowing in semiconductor alloys / S.-II. Wei, A. Zunger IIPhys. Rev. B. 1989. - V.39. -N 9. -P.6279-6282.

180. Marezio, Mi Polymorphism of LiM02 compounds and high-pressure single-crystal synthesis of LiB02 / M. Marezio, J.P. Remeika II J. Chem. Phys. 1966. -V. 44. — N 9. — P.3348-3353.

181. Liang, J. Crystallization mechanism of dehydrated amorphous LiB02 / J. Liang, X. Chen, J. Min, Z. Chai, S. Zhao, X. Cheng, Y. Zhang, G. Rao II Phys. Rev. B 1995. - V.51. - N 2. - P. 756-762.

182. A. Yelisseyev, L. Isaenko, S. Lobanov, A. Titov, J.-J. Zondy II Appl. Phys. B.2004. V. 78.-N 5. - P. 543-546.

183. Beister, ff. J. Structural phase transitions and optical absorption of LiInSe2 under pressure / H.J. Beister, S. Fes, W. Hoenle, K. Syassen, G. Kühn И Phys. Rev. B.- 1991.-V. 43.-N 12.-P. 9635-9642.

184. Басалаев, Ю.М. Химическая связь в тройных изоструктурных Li-содержащих халькогенидах / Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, Е.Б. Китова, A.C. Поплавной II Журнал структурной химии. — 2007. — Т. 48. № 6. — С. 1067-1071.

185. Басалаев, Ю.М. Оптические функции тройных Li-содержащих теллуридов /Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, Е.Б. Китова, A.C. Поплавной И Известия вузов. Физика. 2007. - № 12. - С. 56-60.

186. Kosobutsky, А. V. Lattice dynamics of chalcopyrite semiconductors LiAlTe2, LiGaTe2 and LiInTe2 / A. V. Kosobutsky, Yu. M. Basalaev, A. S. Poplavnoi II Phys. Stat. Sol. (b). 2009. - V.246. - N2. - P.364-371.

187. Kühn, G. Preparation, structure, and infrared lattice vibrations of LiInTe2 / G. Kühn, В. Schumann, D. Oppermann, H. Neumann, H. Sobotta II Z.Anorg. Allg. Chem. — 1985. V. 531.-N 12.-P.61-66.

188. Hönle, W. Die Kristallstructur von LiInTe2 / W. Hönle, G. Kühn, H. Neumann //Z.Anorg. Allg. Chem. 1986. - V. 532. - N 1. - P. 150-156.

189. Neumann, H. Bond ionicities and structural trend in some LiBinCVI2 compounds / H. Neumann II Cryst. Res. Technol. 1986. - V. 21. - N 9. - P. 1207-1212.

190. Kühn, G. Heat capacity of LiInS2, LiInSe2, and LiInTe2 between 200 and 550 К / G. Kühn, E. Piri, H. Neumann, E. Nowak II Cryst. Res. Technol. 1987. - V. 22.-N2.-P. 265-269.

191. Jagomagi, A. Photoluminescence and-Raman spectroscopy of polycrystalline AgInTe2 / A. Jagomagi, J. Krustok, J. Raudoja, M. Grossberg, I. Oja, M. Krunks, M. Danilson II Thin Solid Films. 2005. - V. 480—481. - P. 246-249.

192. Rashkeev, S.N. Second-harmonic generation of I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors: Effects of chemical substitutions / S.N. Rashkeev, W.R.I. Lambrecht II Phys. Rev. B. -2001. V.63. -N 16. - P.165212(12).

193. Lazewski, J. First-principles calculations for phonons in AgGaX2 (X = Se, Те) chalcopyrite crystals / J. Lazewski, K. Parlinski II J. Phys.: Condens. Mater. — 1999. V.l 1. - N 5. - P.9673-9678.

194. Mori, Y. The high pressure in the chalcopyrite AgGaTe2 / Y. Mori, S.-I. Iwamoto, K.-I. Takarabe, S. Minomura II Phys. Stat. Sol. (b). 1999. - V.211. -N1. -P.469-474.

195. Поплавной, А.С. Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в, некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках: Дисс. докт. физ.-мат. Наук /А. С. Поплавной. Кемерово, 1982. - 540 с

196. Prewitt, С.Т. Germanium and Silicon Disulfides: Structure and Synthesis / G.T. Prewitt, H.S. YoungII Science. 1965. - V.149. -N 7. -P.533-537.

197. Blaineau, S. Electronic structure of amorphous germanium disulfide via density-functional molecular dynamics simulations / S. Blaineau, P. Jund'll Phys. Rev. B. 2004. - V.70. - N 18. - P. 184210(7).

198. Schneider, P.M. One-electron energy bands of silicon dioxide in the ideal 3-cristobalite structure / P.M. Schneider, W.B. Fowler II Phys. Rev. B. 1978. - V. 18.-N 12.-P. 7122-7133.

199. Басалаев, Ю.М. Структурные особенности и электронные свойства сильно сжатых кристаллов LiPN2 и NaPN2 / Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, B.C. Пермина, A.C. Поплавной II Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2006. - Т.З. - №1. - С.49-52.

200. Басалаев, Ю.М. Структурные особенности и химическая связь в кристаллах LiPN2 и NaPN2 / Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, В. С. Пермина, A.C. Поплавной // Журнал структурной химии. 2007. - Т.48. - №6. - С. 1062-11066.

201. Vanderbilt, D. Soft self-consistent pseudopotentials in a generalised eigenvalue formalism / D. Vanderbilt II Phys. Rev. B. 1990. - V. 41. - N 11. - P. 7892-7895.

202. Поплавной, A.C. О кинетических явлениях в полупроводниковых соединениях типа с решеткой халькопирита / A.C. Поплавной И Изв.' вузов. Физика. 1972. - №7. - С.46-51.

203. Комаров, Н.В. Анизотропия кинетических явлений в тройных полупроводниковых соединениях А2В4С52 / Н.В. Комаров, A.C. Поплавной,I

204. Ю.И. Ципивка И Изв. вузов. Физика. 1980. - №8. - С.69-74.

205. Pong, W. Ultraviolet photoelectron spectra of ZnF2 and ZnCl2 //Phys. Rev. B. 1979. - V.19. -N 10. -P.5307-5309.

206. Polsky, H. Pressure-induced crystallization of vitreous ZnCl2 / H. Polsky, L.M. Martinez, K. Leinenweber, MA. VerHeist, C.A. Angell, G.H. Wolf II Phys. Rev. B. -2000. V.61. -N 9. - P.5934-5938.

207. Oswald, H.R. Zur Struktur der wasserfreien Zinkhalogenide. I. Die wasserfreien Zinkchloride. / H.R. Oswald, H. Jaggi II Helvetica Chimica Acta. -1960. V.43. -N 1. - P.72-77.

208. Brühler В . Zeitschrift für Kristallographie, Kristallgeometrie, Kristallphysik, Kristallchemie / В . Brühler. 1961. - V.l 15. -P.373-402.

209. Biermann, S. Microwave spectroscopy of mixed alkali halide dimerd: LiNaF2 / S. Biermann, J. Hoeft, T. Törring, R. Mawhorter, F.J, Lovas, R.D. Suenram, Y. KawashimaE., Hirota II J. Chem. Phys. 1996. - V.105. -N 22. -P.9754-9761.

210. Von Gaebell, H.-C. Uber Chloroargentate (i) CsAgCl2 und schwarzes CsAgCl(2+x) / H.-C. Von Gaebell, G. Meyer, R. Hoppe II Z. Anorg. Allg. Chem. -1983. V.497. -N 2. -P. 199-205.

211. Von Gaebell, H-C. Ternare Bromide mit Lithium und Silber: RbLiBr2, CsLiBr2, CsAgBr21 H.-C. Von Gaebell, G. Meyer II Z. Anorg. Allg. Chem. 1984. V.513. — N 6. —P. 15-21.

212. Von Gaebell, H.-C. Zur Kenntnis von CsLiCl2I H.-C. Von Gaebell, G. Meyer, R. Hoppe II Z. Anorg. Allg. Chem. 1983. V.498. - N 3. - P.94-98

213. Burns, J.H. Crystal Structures of Rubidium Lithium Fluoride, RbLiF2, and Cesium -Lithium Fluoride, CsLiF2 / J.H. Burns, W.R. Busing II Inorg. Chem. -1965. — V.4. —N 10. — P.1510-1512.

214. Von* Gaebell, H.-C. Synthesis and Crystal Structure of the Inter-Alkali-Metal Chloride RbLiCl2 / H.-C. Von Gaebell, G. Meyer, R. Hoppe // Mat. Res. Bull. -1983. V.18. — P.429-436.

215. ЪХЪ.Пенкаля, Т. Очерки кристаллохимии / Т. Пенкаля. JL: Химия, 1974. -496 с.

216. Ъ\9. Poole, R. Electronic structure of the alkali halides. II. Theoretical results / R. Poole, J. Jenkin, J. Liesegang, R. Leckey II Phys. Rev. B. 1975. — V.11.-N12. -P.5190-5206.

217. Соболев, B.B. Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов / В.В. Соболев. Кишинев: Штиинца, 1984. - 304 с.

218. Журавлев, Ю.Н. Особенности формирования электронной плотности в кристаллах с решеткой NaCl // Ю.Н. Журавлев, Ю.М. Басалаев, А. С. Поплавной II Журнал структурной химии. 2001. - Т.42 , №2. - С. 210-216.

219. Kowalczyk, S.P. et al. X-ray photoemission of the alkali halides / S.P. Kowalczyket al. //Phys. Rev. В. 1974.- V.9. -N 8. - P.3573-3581.

220. Pong, W. Photoemission studies of LiCl, NaCl, KC1 / W. Pong, J.A. Smith II Phys. Rev. B. 1974. - V.9. - N 6. - P.2674-2678.

221. Немошкаленко, В.В. Электронная спектроскопия кристаллов / В.В. Немошкаленко, ВТ. Алешин. — Киев: Наукова думка, 1976. — 335*с.

222. Pong, W. Photoemission studies of NaBr / W. Pong, J.A. Smith II Phys. Rev. B. 1973. - V.7. -N 12. -P.5410-5411.

223. Inouye, C. VUV PES of RbH-/ C. Inouye, W. Pong II Phys. Rev. B. 1977. -V.15. -N4. -P.2265-2272.

224. Donetskich, V.L Optical properties and energy band structure correlation of sphalerite (A3B5) and chalcopyrite (A2B4C52) crystals / V.I. Donetskich, A.S. Poplavnoi, V.V. Sobolevll Phys. Stat. Solidi (b).- 1971. V.48.-N2. -P.541-546.

225. Kwan, C.C.J. Electroreflectance spectra of some II-IV-V2 compounds / C.C.J. Kwan, J.C. Wodleyll Canadian J. of Physics.- 1970. V.48.-N18. -P.2085-2096.

226. Караваев, Г.Ф. Поляризационные свойства N-переходов в CdSnAs2 и CdSnP2 /Г.Ф. Караваев, Г.Э. Кривайте, В.А. Чалдышев, А. Шилейка II Физика и техника полупроводников. 1974. - Т.8. - №6. — С.1110-1118.

227. Захаров, H.A. Зонная структура и оптические свойства ZnGeAs2 / H.A. Захаров, В.А. Чалдышев II Физика и техника полупроводников. 1982. - Т. 16.- №7. -С.1194-1199.

228. Захаров, Н. Зонная структура и оптические свойства соединений II-TV-V2 I H.A. Захаров, В.А. Чалдышев II Изв. вузов.Физика 1986.- №8.- С. 19-40.

229. Басалаев, Ю.М. Оптические свойства' LiInTe2 / Ю.М. Басалаев, Ю.Нï Журавлев, Е.Б. Китова, A.C. Поплавной II Ползуновский альманах. — 2007. -№1-2, с.16-18.

230. Blickle, V. Pseudodielectric function of ZnGeP2 from 1.5 to 6 eV / V. Blickle, K. Flock, N. Dietz, D.E. Aspnes II Applied Physics Letters. -2002. V.81. - N 4.- P.628-630.

231. Поплавной, A.C. Структура энергетических зон полупроводников- с решеткой халькопирита II. MgSiP2, ZnGeP2, ZnSiAs2, CdSiP2 / A.C. Поплавной, Ю.И. Полыгалов, В.А. Чалдышев ИИзв. Вузов. Физика. 1970. - №6. - С.95-100.

232. Ohrendorf, F. W. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part I. Vibrational Frequencies / F. W. Ohrendorf, H. Haeuseler // Cryst. Res. Technol. -1999. V. 34. - N 3. - P. 339-349.

233. Rincon, C. Raman spectra of the. chalcopyrite compound CuGaTe2 / C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, E. Hernandez, J: Galibert II J. Phys. Chem. Solids. -2001.-V. 62.-P. 847-855.'

234. Mintairov, A.M. Vibrational Raman and infrared studies of ordering in epitaxial ZnSnP2 I A.M. Mintairov, N.A. Sadchikov, T. Sauncy, M. Holtz, G.A. Seryogin, S.A. Nikishin, H. Temkin II Phys. Rev. B. 1999. - V. 59. - N 23. - P. 15197-15207.

235. Manjon, F.J. Silent Raman modes in zinc oxide and related nitrides / F.J. Manjon, B. Mari, J. Serrano, A.H. Romero II J. АррГ. Phys. 2005. - V. 97. -053516.

236. Басалаев, Ю.М. Факторы Дебая-Уоллера в кристаллах / Ю.М. Басалаев, A.C. Поплавнощ ГОУ ВПО «Кемеровский государственный университет». -Кемерово: Кузбассвузиздат. 2008. - 128 с.

237. Alen, P.B. Temperature dependence of the direct gap of Si and Ge / P.B. Alen, M. Cardona И Phys. Rev. B. 1983. - V.27. - N 8. - P.4760-4769.

238. Fan, H.Y. Temperature dependence of energy gap in semiconductors / H.Y. Fan II Phys. Rev. -1951.- V.82. N 6. - P.900-905.,

239. Cohen, M.L. Electron-phonon self-energies in manyvalley semiconductors / M.L. Cohen II Phys. Rev. 1962. - V.128.-N 1.-P.131-133.

240. Tsang, Y. W. Calculation of temperature dependence of energy gaps in PbTe and SnTe / Y.W. Tsang, M.L. Cohen II Phys. Rev. B. 1971. - V.3. - N 4. -P.1254-1261.

241. Schluter, M. Pressure and temperature of electronic energy levels in PbSe and PbTe / M. Schluter, G. Martinez, M.L. Cohen II Phys. Rev. B. 1975. - V.12. -N2. -P.650-658.

242. Antoncik, E. On the theory of temperature shift of the absorption curve in nonpolar crystal / E. Antoncik II Chech. J. Phys.- 1955. V.5. -N 4. - P.367-378.

243. Baumann, K. On the temperature dependence of the band-gap in semiconductors / K. Baumann II Phys. Stat. Solidi (b). 1974. - V.63. — N 1. — P.K71-K74.

244. Allen, P.B. Theory of temperature dependence of electronic band structure / P.B. Allen > V. Heine II J. Phys. C. 1976. - V.9. - N 12. - P.2305-2312.

245. Brooks, H. Theory of the electrical properties of germanium and silicon / H. Brooks II Adv. Electron. 1955. - V.7. -N 1. -P.85-182.

246. Heine, V. Effect of electron-hole pairs on phonon frequencies in Si related* to temperature dependence of band gaps / V. Heine, J. A. Van-Vechten II Phys. Rev. B. 1976. - V. 13. - N 4. - P. 1622-1626.

247. Cohen, M.L. Handbook on semiconductors. 2. Optical properties of solids / M.L. Cohen, D. Chadi. 1980.

248. Bardeen, J. Deformation potentials and mobilities in non-polar crystals / J. Bardeen, W. Schockley II Phys. Rev. 1950. - V.80. -N 1. -P.72-80.

249. Mahan, G.D. Excitons in degenerate semiconductors / G.D. Mahan II Phys. Rev. 1967. - V.153. - N 3. - P.882-889.

250. Phillips J.C. Covalent bond in crystals.I. Elements of a structural theory // Phys. Rev. 1968. - V.166, N3. - P.832-838.

251. Auvergne, D. Temperature dependence of the band structure of germanium-and zinc-blende-type semiconductors / D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, M. Cardona II Phys. Rev. B. 1974. - V.9. -N 12. - P.5168-5177.

252. Yu, P.Y. Temperature coefficient of the refractive index of diamond- and-zinc-blende-type.semiconductors / P.Y. Yu, M. Cardona II Phys. Rev. B. 1970. — V.2. - N 8. - P.3193-3197.

253. Tsay, Y.F. Teory of the temperature refractive index in transparent crystaals / Y.F. Tsay, B. Bendow, S.S Mitra II Phys. Rev. B. 1973. - V.8. - N 6. - P.2688-2696.

254. Tsay, Y.F. Temperature dependence of energy gaps of some III-V semiconductors / Y.F. Tsay, B. Gong, S.S. Mitra II Phys. Rev. B. 1972. - V.6. -N 6. - P.2330-2336.

255. Camassel, J. Temperature dependence of the fundamental edge- of germanium- and zinc-blende-type semiconductors / J. Camassel, D. Auvergne II Phys. Rev. B. 1975. - V.12. -N 8. -P.3258-3267.

256. Walter, J.P. Temperature dependence of the wavelength-modulation spectra of GaAs / J.P. Walter, R.R.L. Zucca, M.L. Cohen, Y.R. Shen II Phys. Rev. Lett. -1970. V.24. - N 3. - P: 102-104.

257. Hennel, A.M. Temperature dependence of the energy gap in GaAs / A.M. Hennel // Phys. Stat. Solidi (a). 1971. - V.8. -N 2. - P.K111-K113.

258. Shindo, K. Temperature dependence of the energy gap in GaAs / K. Shindo, K. Hoshino I I Phys. Lett A. 1972. - V.41. - N 3. - P.243-244.

259. Vetellino, J.F. Debye-Waller factor for zinc-blende-type crystaals / J.F. Vetellino, S.P. Gaur, S.S. Mitra II Phys. Rev. B. 1972. - V.3. - N6. - P.2360-2366.

260. Kejfer, C. PbTe Debye-Waller factors and band-gap temperature dependence / C. Kejfer, T.M. Hayes, A. Bienenstock 11 Phys. Rev. Lett. 1968. - V.21. -N 25. -P.1676-1678.

261. Kejfer, C. Debye-Waller factors and the PbTe band-gap temperature dependence / C. Keffer, T.M. Hayes, A. Bienenstock II Phys. Rev. B. 1970. - V.2, N6. - P.1966-1976.

262. Tsang, Y.W. Band ordering in PbTe / Y.W. Tsang, M.L. Cohen II Sol. St. Comm. 1971. - V.9. - N 4. - P.261-264.

263. Tsang, Y.W. The fundamental energy gap in SnTe and PbTe // Y.W. Tsang, M.L. Cohen II Phys. Lett A. 1969. - V.29. - N 5. - P.236-237.

264. Tsay, Y.F. Temperature dependence of energy gaps in some II-VI compounds / Y.F. Tsay, S.S. Mitra, J.F. Vetelino II J. Phys. Chem. Solids. 1973. - V.34. -N 12. -P.2167-2175.

265. Chadi, D.J. Electronic structure of HgixCdxTe alloys and charge-density calculations using representative К points / D.J. Chadi, M.L. Cohen II Phys. Rev.

266. B. 1973. - V.7. - N 2. - P.692-699.

267. Guenzer, C.S. Unsuccessful Brooks-Yu type calculation on the HgTe band gap temperature dependence / C.S. Guenzer, A. Bienenstock // Phys. Lett A. -1971. -V.34.-N3.-P.172-174.

268. Gupta, R.K. Mean-square amplitudes of vibration for ionic crystals / R.K. Gupta, И Phys. Rev. B. 1975. - V. 12. -N 10. - PP. 4452 - 4459.

269. Басалаев, Ю.М. Зависимость энергетической структуры и химической связи соединений NaCl и AgBr от температуры / Ю.М. Басалаев, П.В. Демушин; Е.Б. Китова, А. С. Поплавной II Вестник КемГУ. 2006. - №2(26).1. C.57-61.

270. Акустические кристаллы. Справочник / под. ред. М.П. Шасколъской. — М.: Наука, 1982. 632 с.

271. Keen, D.A. Structural disorder in AgBr on the approach to melting / D.A. Keen, W. Hayes, R.L. McGreevy II J. Phys.: Condens. Matter. 1990. - V.2. -N2. -P.2773-2786.

272. Кожина, И.И. Тепловое расширение кристаллов А2В4С52 / И.И. Кожина, А.С. Борщевский // Вестник ЛГУ. 1975. - № 22. - С. 113 - 118.

273. Кожина, И.И. Тепловое расширение ZnSiP2 и ZnSiAs2/ И.И. Кожина II Вестник ЛГУ. 1979. - № 16. - С. 83 - 87.

274. Новикова, С.И. Тепловое расширение твердых тел / С.И Новикова. М.: Наука, 1974. - 239 с.

275. Neumann, H. Trends in the thermal expansion coefficients of the AIBIIICVI2 and AnBIVCv2 chalcopyrite compounds / H. Neumann II Kristall and Technik. -1980.-V. 15.-N 7.-PP. 849-857.

276. Басалаев, Ю.М. Температурная зависимость энергетических уровней в полупроводниковых соединениях А2В4С52 / Ю.М. Басалаев, Ю.И. Полыгалов, А.С. Поплавной II Физика и техника полупроводников; 1991. - Т.2Г- № 5. — С.952-954.

277. Weaire, D. The structure of chalcopyrite semiconductors / D. Weaire, J. Noolandi II J. Phys. C. 1975. - V.36. - N 3. - P.C3-27-C3-29.

278. Лебедев, A.A. Фотопроводимость кристаллов CdSiAs2 в поляризованном свете / A.A. Лебедев, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, М. Сергинов II Письма в ЖЭТФ. 1976. - Т.2. - №9. - С.З85-390.

279. Кесаманлы, Ф.П. О фотоэлектрических свойствах кристаллов p-ZnSiAs2 и p-CdGeAs2 / Ф.П. Кесаманлы, Ю.В. Рудъ, С.В. Слободчиков И ДАН СССР. -1965. — Т.161. -№5. С.1065-1066.

280. Акгшченко, И.П. Оптические и фотоэлектрические свойства CdGeAs2 / И.П. Акгшченко, А.С. Борщевский, B.C. Иванов II Физика и техника полупроводников. 1973. -Т.7. -№1. - С.144-148.

281. Сихарулидзе, Г.А. Оптические и магнитооптические явления в CdSnAs2 / Г.А. Сихарулидзе, В.М. Тучкевич, Ю.И. Уханов, Ю.В. Шмарцев II Физика твердого тела. 1966. - Т.8. -№4. - С. 1159-1164.

282. Strauss, A.J. Preparation and properties of CdSnAs2 / A.J. Strauss, A.J. RosenbergII J. Phys. Chem. Sol. 1961. - V.17.-N 314.-P.278

283. Babonas, G. Wavelength-modulated absorption spectra of pseudodirect band gap A2B4C52 compounds / G. Babonas, G. Ambrozevicius, V.S. Grigoreva, V. Neviera, A. Sileika II Phys. Stat. Solidi (b). 1974. - V.62. -N 1. - P.327-334.

284. Каваляускас, Ю.Ф. Спектры термоотражения и отражения CdGeP2 / Ю.Ф. Каваляускас, А.В. Раудонис, А.Ю. Шилейка, А. С. Борщевский, Ю.К. Ундалов II Физика и техника полупроводников. 1974. - Т.8. - №8. - С. 15491556.

285. Shay, J.L. Electronic structure of AgInSe2 and CuInSe2 / J.L. Shay, B. Tell, H.M. Kasper, L.M. Schiavone II Phys. Rev. B. 1973. - V.7. - N 10. - P.4485-4490.