Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Борисенко, Сергей Иванович

• Борисенко, Сергей Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Борисенко, Сергей Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

1. МОДЕЛЬ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА И ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

1.1. Введение.

1.2. Обобщенная четырех-зонная модель энергетического спектра носителей заряда в прямозонных алмазоподобных полупроводниках A2B4CS2 с решеткой халькопирита.

1.2.1. kP-теория возмущений.

1.2.2. Дисперсия энергетического спектра электронов и дырок. Приближенные решения.

1.2.3. Параметры зонного спектра и эффективных масс носителей заряда.

1.3. Методика расчета энергетического спектра электронов сверхрешетки типа GaAs / AlxGai.xAs без поля.

1.3.1. Трех зонная модель Кейна.

1.3.2. Модель энергетического спектра квазидвумерных электронов сверхрешетки.

1.4. Методика расчета энергетического спектра и волновых функций электронов сверхрешетки в квантовых электрических полях в области штарковской локализации.

2. МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ

2.1. Введение.

2.2. Электрон-фононное взаимодействие в алмазоподобных полупроводниках А2В4С52.

2.2.1. Рассеяние на дальнодействующем потенциале оптических и акустических фононов.

2.2.2. Рассеяние на деформационном потенциале акустических и оптических фононов.

2.3. Рассеяние на плазмонах.

2.4. Электрон-фононное взаимодействие в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai.xAs в модели объемного фононного спектра.

2.4.1 Вероятность рассеяния.

2.4.2. Полярные оптические фононы.

2.4.3. Акустические фононы.

2.5. Влияние размерного квантования фононного спектра на электрон-фононное взаимодействие в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai.xAs.

2.5.1. Полярные оптические фононы.

2.5.2. Акустические фононы. ф 2.6. Рассеяние электронов на ионах примеси в сверхрешетках типа GaAs / AlxGaixAs с легированными квантовыми ямами.

3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

3.1. Введение.

3.2. Поляризационная зависимость края собственного поглощения в прямозонных алмазоподобных полупроводниках А2В4С52.

3.2.1. Теория края собственного поглощения в прямозонных алмазоподобных полупроводниках А2В4С52.

3.2.2. Численный анализ края собственного поглощения в прямозонных соединениях CdSnAs2 и CdGeAs2.

3.3. Особенности селективного поглощения на дырках в алмазоподобных полупроводниках А2В4С52.

3.3.1. Теория селективного поглощения на дырках в алмазоподобных полупроводниках А2В4С52.

3.3.2. Численный анализ селективного поглощения на дырках в узкозонных полупроводниках CdGeAs2 и ZnSnAs2.

3.4. Штарковский сдвиг в спектре межподзонного поглощения сверхрешетки типа и-GaAs / AlxGai„xAs.

4. КИНЕТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

4.1. Введение.

4.2. Методика численного решения уравнения Больцмана для носителей заряда в области слабых электрических полей и неупругих механизмов рассеяния

4.2.1. Алмазоподобные полупроводники А В с изотропным параболическим законом дисперсии носителей заряда.

4.2.2. Алмазоподобные полупроводники А2В4С52 с анизотропным непараболическим законом дисперсии носителей заряда.

4.2.3. Сверхрешетки типа GaAs/AIxGai.xAs.

4.3. Подвижность электронов в GaAs, определяемая рассеянием на полярных оптических фононах.

4.4. Анизотропия и температурная зависимость подвижности электронов и дырок в CdGeAs2.

4.4.1. Электроны.

4.4.2. Дырки.

4.5. Подвижность квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs / Alo.36Gao.64As в области низких температур в приближении объемного фононного спектра

4.6. Зависимость времени релаксации квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки GaAs/AlxGai.xAs при рассеянии на акустических фононах.

4.7. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки

GaAs / AlxGai.xAs на акустических фононах.

4.8. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами.

4.9. Влияние размерного квантования фононного спектра на подвижность электронов в CP типа GaAs / AlxGai.xAs.

4.9.1. Полярные оптические фононы.

4.9.2. Акустические фононы.

4.10. Электронная проводимость CP типа GaAs / AlxGai-xAs в квантующих электрических полях в области резонансного протекания.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе»

Актуальность темы. Успешное использование электрических и оптических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе в твердотельной электронике и оптоэлектронике невозможно без наличия адекватных теоретических моделей, описывающих эти свойства. Теория дает возможность не только глубоко понять физическую природу используемых свойств. Она позволяет выделить основные факторы, определяющие данные свойства, рассчитать предельные характеристики процессов, формирующих эти свойства, определить количественно и качественно характер изменения этих свойств за счет изменения внешних факторов и внутренних параметров полупроводников, предсказать возможность существования новых свойств и явлений. Естественный процесс развития полупроводниковой электроники и оптоэлектроники постоянно сопровождается вовлечением в него все более сложных по составу и физическим свойствам полупроводников и структур на их основе. Примером может служить переход от простых алмазоподобных полупроводников А4 сначала к двойным соединениям А3В5, а затем к тройным А2В4С52. По сравнению со своими двойными аналогами тройные алмазоподобные полупроводники обладают не

-2 С только теми же ценными качествами, что и полупроводники А В , но и рядом особенностей, которые делают их перспективными для использования в различных областях твердотельной микроэлектроники, нелинейной оптики и оптоэлектроники [1—8].

Процесс перехода от простых к сложным полупроводникам и полупроводниковым структурам в свою очередь требует развития существующих теорий физических свойств и создания новых, учитывающих более сложный характер поведения и взаимодействия между электронами и ионами кристаллической решетки. Это направление исследований, связывающее теорию и практику, особенно бурно развивается в последнее время при появлении наноэлектроники. Основу этой науки составляют полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом, открывающие широчайшие перспективы и возможности перед электронной инженерией [9-18].

Как известно, многие оптические и электрические свойства полупроводников, определяемые электронной подсистемой, существенным образом зависят от рассеяния носителей заряда на фононной подсистеме и различных дефектах кристаллической решетки, основными из которых в монокристаллах являются примесные атомы [19-24]. В общем случае процессы рассеяния являются нежелательным фактором, ухудшающим свойства активных элементов полупроводниковых приборов. Поэтому одной из основных задач теории является расчет предельных характеристик физических свойств рассматриваемых полупроводников и полупроводниковых структур, соответствующих идеальным монокристаллам с собственной или примесной проводимостью. Расчет предельных характеристик, таких как подвижность носителей заряда, предполагает знание энергетического спектра и волновых функций электронов, спектра частот и смещений фононной подсистемы, энергии взаимодействия между электронами и фононами, решение соответствующих кинетических уравнений [25-29]. В связи с созданием наноструктур до настоящего времени актуальной является задача, связанная с изучением влияния размерного квантования спектра электронов и фононов на их кинетические и оптические свойства [15-18, 24].

Целью данной работы является развитие теории оптического поглощения в тройных алмазоподобных полупроводниках А2В4С52 в поляризованном свете и теории электропроводности в сложных алмазоподобных полупроводниках и сверхрешетках на их основе с учетом непараболического анизотропного энергетического спектра носителей заряда и неупругого рассеяния на колебаниях решетки. Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1) Построение адекватной модели энергетического спектра и волновых функций с целью количественного описания оптических и кинетических свойств носителей заряда в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита.

2) Численный анализ края собственного поглощения и селективного поглощения на дырках в полупроводниках А2В4С52 в естественном и поляризованном свете.

3) Разработка методики расчета энергетического спектра и волновых функций электронов в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai.xAs в отсутствии внешних полей и в области однородных электрических полей, соответствующих штарковской локализации минизон.

4) Развитие теории рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках типа n-GaAs/AlxGai-xAs однородно легированных или с легированными квантовыми ямами.

5) Разработка комплекса методик для расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, неупругий характер электрон-фононного рассеяния. Анализ температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в алмазоподобных полупроводниках А3В5, А2В4С52 и сверхрешетках n-GaAs/AlxGai-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследование резонансного тока при вертикальном переносе в сверхрешетках n-GaAs/AlxGaixAs в области однородных электрических полей, соответствующих штарковской локализации минизон.

Научная новизна работы.

К наиболее существенным научным результатам, полученным впервые и представленным в работе, относятся следующие.

1) Построена четырех-зонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита, зависящая от шести параметров. Найдены значения параметров зонного спектра и рассчитан тензор обратной эффективной массы для носителей заряда целого ряда рассматриваемых кристаллов.

2) Развита теория поглощения в поляризованном свете и проведен численный анализ экспериментальных данных по краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках в полупроводниках А2В4С52

3) В приближении однородного электрического поля проведен численный анализ величины штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения сверхрешетки п-GaAs/AlxGai.xAs с легированными квантовыми ямами, используемой в качестве фотодетектора ИК-излучения. Установлено, что сдвиг является «красным» и величина его в области «резонансных» электрических полей невелика.

4) Построена теория анизотропного рассеяния носителей заряда на полярных оптических и акустических фононах в прямозонных полупроводниках А2В4С52. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок целого ряда кристаллов.

5) Исследована температурная зависимость низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 с учетом неупругого рассеяния на оптических фононах и плазмонах.

Проведена интерпретация экспериментальных данных по измерениям холловской подвижности в образцах с вырожденным электронным газом.

6) Развита теория рассеяния электронов на фононах и ионах примеси в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai-xAs однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. В приближении объемного фононного спектра получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур.

7) Предложен способ численного решения методом прогонки линеаризованного уравнения Больцмана с учетом сложного энергетического спектра носителей заряда и неупругих механизмов рассеяния.

8) Разработана методика расчета тензора времени релаксации электронов сверхрешетки с учетом размерного квантования спектра акустических фононов. Качественно и количественно изучено влияние размерного квантования спектра акустических фононов на компоненты тензора времени релаксации квазидвумерного электронного газа в сверхрешетке GaAs/AlxGaixAs.

9) Разработана методика расчета плотности тока электронов в сверхрешетках при вертикальном переносе в квантовых однородных электрических полях. Проведен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGai.xAs с легированными квантовыми ямами, используемой в качестве фотодетектора ИК-излучения.

Научные положения, выносимые на защиту.

1) Пороговая частота собственного поглощения в прямозонных полупроводниках А2В4С52 не зависит от поляризации света. Экспериментальный "голубой" сдвиг пороговой частоты, связанный с переходом от продольной поляризации света к поперечной относительно оптической оси кристалла, определяется существенной поляризационной зависимостью вероятности межзонных оптических переходов в окрестности точки Г зоны Бриллюэна.

2) Максимум в спектре коэффициента селективного поглощения на дырках в полупроводниках А2В4С52 с отличной от нуля величиной кристаллического расщепления вершины валентной зоны соответствует энергии двумерных седловых точек в спектре оптической плотности. Существенный вклад в поляризационную зависимость коэффициента селективного поглощения на дырках вносит наличие анизотропии вероятности межподзонных оптических переходов по волновому вектору.

3) Основной вклад в рассеяние носителей заряда на оптических фононах в полупроводниках А2В4С52 в области высоких температур вносят высокоэнергетические полярные оптические фононы, генезис которых определяется полярными модами решетки сфалерита.

4) Величина штарковского сдвига максимума в спектре межподзонного поглощения света в сверхрешетках n-GaAs/AlxGai.xAs с легированными квантовыми ямами, рассчитанная в приближении однородного электрического поля, существенно зависит от учета непараболичности объемного энергетического спектра электронов и числа взаимодействующих минизон, учитываемых в расчете.

5) Учет размерного квантования спектра электронов в сверхрешетках существенным образом уменьшает время релаксации при взаимодействии с акустическими фононами и слабо влияет на эффективное время релаксации, определяемое полярными оптическими фононами.

6) Учет размерного квантования фононного спектра в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai. xAs приводит к увеличению эффективного времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на полярных оптических фононах и слабо влияет на время релаксации и подвижность носителей заряда при рассеянии на акустических фононах.

7) Легирование квантовых ям сверхрешеток типа n-GaAs/AlxGai.xAs с целью создания фотодетекторов ИК-излучения существенным образом понижает энергию межподзонных оптических переходов.

Научное и практическое значение проведенных исследованийсостоит в том, что их результаты могут быть использованы при анализе оптических и электрических свойств алмазоподобных полупроводников А3В5, А2В4С52 и структур на их основе с целью создания активных элементов твердотельной электроники и оптоэлектроники.

Четырех-зонная модель энергетического спектра, разработанная для прямозонных полупроводников А2В4С52 с решеткой халькопирита, применима для численного анализа оптических и электрических свойств электронов и дырок. Рассчитанные значения параметров модели зонного спектра и компоненты тензора обратной эффективной массы электронов и дырок, найденные для ряда соединений А2В4С52, необходимы для расчета предельных электрических и оптических характеристик в конкретных соединениях. Проведенные расчеты оптического поглощения могут быть использованы при создании на базе полупроводников А2В4С52 с решеткой халькопирита приборов оптоэлектроники для поляризованного света в области частот, соответствующих краю собственного поглощения и межподзонным дырочным переходам. Разработанная методика и пакеты программ позволяют проводить численный анализ подвижности электронов и дырок в алмазоподобных полупроводниках А3В5, А2В4С52 и в сверхрешетках типа GaAs/AlxGai.xAs с учетом неупругого рассеяния на фононах, что является необходимым условием при моделировании работы активных элементов полупроводниковых твердотельных устройств на основе явлений переноса. Расчеты с помощью этих программ позволяют выяснить вклад отдельных механизмов рассеяния в подвижность носителей заряда, их зависимость от температуры и конструктивных параметров сверхрешетки, роль размерного квантования электронного и фононного спектра. Аналитические формулы, полученные для квазидвумерного газа электронов в сверхрешетках из квантовых ям, применимы при численном анализе компонент тензора эффективного времени релаксации и низкополевой подвижности с учетом рассеяния на полярных оптических и акустических фононах в области низких температур.

Обоснованность и достоверность результатов диссертационной работы обусловлена следующими факторами. Развитые в диссертации теоретические модели и методы расчета опираются на современные общепринятые квантовомеханические представления об энергетическом спектре одночастичных возбуждений электронного газа в полупроводниках и влиянии внешних воздействий на этот спектр. Эти модели и методы в качестве базовых используют общепринятые теории рассеяния, оптического поглощения и кинетических коэффициентов, известные методы расчета и апробированные вычислительные алгоритмы. Кроме этого достоверность результатов основана на качественном и в ряде случаев количественном согласии результатов теоретических расчетов с экспериментальными данными, а также с результатами расчетов других авторов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (г. Кишинев, 1976 г); Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (г. Кишинев, 1979 г); II Всесоюзная конференция по методам расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов (г. Киев, 1982 г); IV Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (г. Кишинев, 1983 г); 2-е Всесоюзное совещание по теории полупроводников (г. Ужгород, 1983 г); 7-я Российская конференция «Арсенид Галлия - GaAs-99». (г. Томск, 1999 г); 8-я Российская конференция «Арсенид Галлия и полупроводниковые соединения группы III-V - GaAs-2002» (г. Томск, 2002 г); Международная конференция «Современные проблемы физики и высокие технологии» (г. Томск, 2003 г). Результаты работы также обсуждались на научных семинарах и в научных группах в СФТИ, ТГУ (Томск), ФТИ (С-Петербург).

По материалам диссертации опубликовано в 1976-2004 годах 35 работ, из них 26 статей в центральной российской и зарубежной печати.

Личный вклад автора. Все результаты, изложенные в диссертации, получены автором лично при консультациях со стороны заведующего лабораторией теоретической физики Сибирского физико-технического института им. В.Д. Кузнецова профессора Г.Ф. Караваева. В части анализа механизмов рассеяния носителей заряда на фононах в полупроводниках а2в4с52 в сотрудничестве с профессором Томского педагогического университета В.Г. Тютеревым. Личный вклад автора включает разработку физических моделей и методов расчета, проведение всех численных расчетов и анализ результатов, обобщение представленного в диссертации материала.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Объем работы составляет 192 страницы текста, включая 74 рисунка, 22 таблицы и список использованных источников из 272 наименований. Главы разбиты на параграфы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Борисенко, Сергей Иванович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе в рамках кР—теории возмущений и метода эффективной массы для энергетического спектра носителей заряда исследованы некоторые оптические и кинетические свойства сложных алмазоподобных полупроводников А3В5 со структурой цинковой обманки, сверхрешеток на базе этих полупроводников и тройных соединений А2В4С52 с решеткой халькопирита. Ниже сформулированы основные результаты этих исследований, большая часть которых получена впервые и опубликована в научной печати.

1) Построена четырех-зонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов.

2) Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света.

3) В рамках трех-зонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGai.xAs в области полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках «-GaAs/AlxGai.xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих минизон, учитываемых в расчете.

4) Развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGai-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52.

5) Разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведен анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках п-GaAs/ AlxGa i х As с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGai.xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Проведен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGai-xAs с легированными квантовыми ямами в области полей, соответствующих штарковской локализации минизон.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Борисенко, Сергей Иванович, 2004 год

1. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.-М.: Советское радио, 1968.-267 с.

2. Радауцан С.И., Медведева З.С., Тычина И.И. и др. Тройные полупроводники А2В4С52 и А2В3гС64 -Кишинев: Штиница, 1972.-260 с.

3. Борщевский А.С., Вайполин А.А., Валов Ю.А. и др. Полупроводники А2В4С52-М.: Советское радио, 1974.-376 с.

4. Shey J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrites semiconductors: growth, electronic properties and applications-Oxford: PergamonPress, 1975.-244p.

5. Smith R.C. Device applications of the ternary semiconducting compounds // J. de Physique.-l975.-V. 36, N.9.-P.73-89.

6. Шилейка А. Оптические исследования зонной структуры соединений А2В4С52-В кн.: Электроны в полупроводниках, 1. Много долинные полупроводники.-Вильнюс: Мокслас, 1978.-С.143-193.

7. Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К., Дагина Н.Е. Поляризационно чувствительные гетерофотоэлементы n-CdGeP2 p-CdGeAs2 // ФТП.-1979.-Т. 13, № 3.-С.515-520.

8. Абдурахимов А.А., Лунев А.В., Рудь Ю.В. и др. Фоточуствительность диодных структур А2В4С52 Zn02 // Изв. Вузов. Физика.-1985.-№ 7.-С.7-11.

9. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП — 1998.-Т.32, №1.-С.З-18.

10. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер с англ. -М.: Мир, 1985.-416 с.

11. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ./ Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989.-584 с.

12. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер с англ. М.: Мир, 1989.-240 с.

13. Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники-М.: Радио и связь, 1990.-304 с.

14. Кульбачинский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки: Учебное пособие.-М.: Физический факультет МГУ, 1998.-164 с.

15. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых нихкоразмерных структур.-М.: Логос, 2000.-248 с.

16. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А Основы наноэлектроники: Учебное пособие—Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2000.-332 с.

17. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.В., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем / Под ред. А.Я. Шика.-СПб.: Наука, 2001.-160 с.

18. Воробьев Л.Е., ИвченкоЕ.Л., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. Оптические свойства наноструктур: Учебное пособие/ Под ред. Е.Л. Ивченко и Л.Е. Воробьева— СПб.: Наука, 2001.-188 с.

19. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М.: Наука, 1977672 с.

20. Зеегер К. Физика полупроводников: Пер. с англ.- М.: Мир, 1977.-616 с.

21. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников М.: Наука, 1978.-616 с.

22. Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках —М.: Наука, 1984.-350 с.

23. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках: Пер. с англ.- М.: Мир, 1986 — 304с.

24. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников: Пер. с англ.- М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002.-560 с.

25. Блатт Ф. Теория подвижности электронов в твердых телах: Пер. с англ.- М.: ИЛ, 1963.-224 с.

26. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках Л.: Наука, 1970.-303 с.

27. Херринг К., Фогт Э. Теория явлений переноса и потенциала деформации для полупроводников со многими минимумами на изоэнергетических поверхностях и с анизотропным рассеянием. Перевод в сб. : «Проблемы физики полупроводников».-М.: ИЛ, 1957.-С.567-598.

28. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках.-Киев: Наук. Думка, 1977.-270 с.

29. Грязнов О.С. Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников Л.: Наука, 1977.-168 с.

30. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках-М.: Наука, 1972.-584 с.

31. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика М.: Наука, 1972.-640 с.

32. Чалдышев В.А. Возможная структура энергетического спектра кристаллов типа халькопирита // Изв. Вузов. Физика.-1962.-№ 2.-С.98-103.

33. Чалдышев В.А., Караваев Г.Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита // Изв. Вузов. Физика-1963.-№ 5.-С.103-105.

34. Sandrock R., Treusch J. Simmetrie-eigenschaften der energie-bander chalkopyrit struktur-Z. Naturforsch.-l 964.-V. Bd. 19 a, N.7/8.-844-850.

35. Lietz M., Rossler U. Bestimmung der energiebandstruktur von cristallen mit chalcopyritgitter nach der kp-storungsrechnung- Z. Naturforsch.-l964-V. Bd. 19 a, N.7/8.-850—856.

36. Караваев Г.Ф., Поплавной A.C. Исследование энергетического спектра электронов в полупроводниковых соединениях с решеткой халькопирита по теории возмущений — ФТТ.-1966.-Т.8, № 6.-С.2143-2145.

37. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С, Чалдышев В.А. Особенности зонной структуры полупроводников с решеткой халькопирита.-ФТП.-1968.-Т.2, № 1.-С. 113-115.

38. Kildal Н. Band structure of CdGeAs2 near k=0 // Phys. Rev. B.-1974.-V.10, N.12-P.5082-5087.

39. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». Тезисы докладов.-Кишинев: Штиница, 1976.-С.59-62.

40. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Зонный спектр и оптическое поглощение в п-CdSnAs2// Изв. Вузов. Физика.- 1978.-№ 6.- С.28-34.

41. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Энергетический спектр и внутризонное оптическое поглощение в p-CdGeAs2 Н Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов. Материалы 2-ой Всесоюзной конфер Киев: Наукова Думка, 1982.-С.220-225.

42. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Энергетический спектр и оптическое поглощение в р-CdGeAs2//Изв. Вузов. Физика.- 1982.-№ 1.- С.68-72.

43. Flatte М. Е., Young P. М., Peng L.H., Ehrenreich Н. Generalized superlattice kP theory and intersubband optical transitions // Phys. Rev. В.- 1996.-V.53-P.1963-1978.

44. Meinert G., Banyai L., Haug H. Valence band structure of a GaAs superlattice // Phys. status solidi. В.- 1999.-V. 211, N.2. C.651-659.

45. Глинский Г. Ф., Лакисов В. А. Энергетический спектр электронов в (GaAs)N]/(AlAs)[N](001 )-сверхрешетках // Изв. СПб ГЭТУ. Сер. Физ. тверд, тела и твердотел. электрон. 2000. - № 1. - С.5-9.

46. Долматов А. Г., Глинский Г. Ф. Расчет дырочных состояний в (GaAs)N]/(AlAs)[N](001) сверхрешетках в рамках модифицированного метода эффективной массы // Изв. СПб ГЭТУ. Сер. Физ. тверд, тела и твердотел. электрон. -2000. -№ 1. С.10-14.

47. Kane Е.О. Band structure of Indium Antimonide // J. Phys. Chem. Solids.-1957.-V.l.~ P.249-261.

48. Бастар Г. Расчет зонной структуры сверхрешеток методом огибающей функции //Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ./ Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989.-С.312-347.

49. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.Ф. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой // ФТП.-1972.-Т.6, № 1.-С.148-162.

50. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: MgSiP2, ZnGeP2, ZnSiAs2, CdSiP2// Изв. Вузов. Физика.-1970.-№ 6.-С.95-100.

51. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSnP2, CdSnP2, ZnGeAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2, CdGeP2, CdSiAs2// Изв. Вузов. Физика.-1970.-№ 7.-C. 17-22.

52. Караваев Г.Ф., Кривайте Г.З., Полыгалов Ю.И. и др. Зонная структура и спектры электроотражения CdSnAs2 // ФТП.-1972.-Т.6, № 11.-С.2211-2215.

53. Захаров Н.А., Чалдышев В.А. Оптические свойства ZnSiAs2 // ФТП.-1984.-Т.18, № 2.-С .217-222.

54. Захаров Н.А., Чалдышев В.А. Зонная структура и спектр отражения ZnSiP2 // ФТП-1985.-Т.19, № 5.-С.842-847.

55. Чалдышев В А., Гриняев С.Н. Нелокальный модельный псевдопотенциал для алмазоподобных кристаллов // Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов. Материалы 2-ой Всесоюзной конфер.-Киев: Наукова Думка, 1982.-С.147-151.

56. Shay J.L., Tell В., Buehler Е., Wernick J.H. Band structure of ZnGeP2 and ZnSiP2 ternary compounds with pseudodirect energy gaps // Phys. Rev. Lett. -1973 -V.30, N.20.-P.983-986.

57. Cohen M.L., Bergstresser I.K. Band structures and pseudopotential form factore for fourteen semiconductors of the diamond and zinc-blende structures // Phys. Rev.-1966.-V. 141, N.2.-P.789-796.

58. Карымшаков P.K., Уханов Ю.И., Шмарцев Ю.В. Зонная структура CdSnAs2 //ФТП-1971.-Т.5, № З.-С.514-521.

59. Matyas М, Hoschl P. The semiconducting properties of CdSnAs2 // Czech. J. Phys—1962-V.B12, N.10.-P.788-795.

60. Карасева Э.Л., Сихарулидзе Г.А., Тучкевич B.M., Уханов Ю.Н., Шмарцев Ю.В. Оптические явления в CdSnAs2 р-типа // ФТП.-1967.-Т.1, № 2.-С.276-280.

61. Полянская Т.А., Сихарулидзе Г.А., Тучкевич В.М., Щмарцев Ю.В. Гальваномагнитные явления в CdSnAs2 // ФТТ.-1966.-Т.8, № 6.-С.1851-1858.

62. Емельяненко О.В., Кесаманлы Ф.П., Полушина И.К., Скрипкин В.А. Термоэдс и эффективная масса носителей тока в CdGeAs2 // ФТП.-1971.-Т.5, № 2.-С.351-353.

63. Златкин Л.Б., Марков Ю.Ф., Полушина И.К. Значение эффективной массы электронов проводимости в CdGeAs2 // ФТП.-1969.-Т.З, №10.-С.1590-1591.

64. Masumoto К., Isomura S. The preparation and semiconducting properties of single crystals ZnSnAs2 // J. Phys. Chem. Sol.-1965.-V.26, N.1.-P.163-172.

65. Gasson D.B., Holmes P.J., Jennings J.C. The properties of ZnSnAs2 and CdSnAs2 // J. Phys. Chem. Sol.-1962.-V.23, N.9.-P.1291-1302.

66. Kesamanly F.P., Nasledov D.N., Rud Yu.V. Electrical properties of p-type ZnSnAs2 crystals at low temperatures // Phys. Stat. Sol.-1965.-V.8, N.3.-P.K159-K162.

67. Кесаманлы Ф.П., Наследов Д.Н., Рудь Ю.В. Эффекты переноса в кристаллах р-типа ZnGeAs2 // Физика. Доклады на XXIII научной конференции-Л., 1965.-С.51-52.

68. Ziegler Е., Siegel W., Kuhnel G. Electrical properties of n-CdSnP2 // Phys. Stat. Sol. A.-1980.-V.57, N.2.-P.625-629.

69. Goryunova N.A., Kovalskaya V.A., Leonov E.I. et. al. Doubl-photon photoconductivity of CdSnP2 // Phys. Stat. Sol. A.-1970.-V.1, N.4.-P.K161-K163.

70. Подольский B.B., Карпович И.А., Звонков В.Т., Колосов Е.Е. Холловская подвижность дырок в монокристаллах CdSnP2 // ФТП.-1977.-Е.11, № 9.-С.1843-1846.

71. Сергинов М., Рудь Ю.В., Прочухан В.Д., Скрипкин В.А. Термоэдс и эффективная масса дырок в CdSiAs2 // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов А3В5 и сложных соединений типа А2В4С52 -Ашхабад, 1971-С.233-234.

72. Кесаманлы Ф.П., Рудь Ю.В. Широкозонные полупроводники А2В4С52 со структурой халькопирита // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение».-Кишинев: Штиинца, 1979.-С.39-42.

73. Борщевский А.С., Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К. Энергетический спектр и подвижность носителей заряда в нелегированных кристаллах CdGeP2 //ФТП.-1973.-Т.7, №8-С.1571-1574.

74. Вайполин А.А., Гашимзаде Ф.М., Горюнова Н.А. и др. Исследование физико-химических и электрических свойств кристаллов тройных полупроводниковых соединений типа А2В4С52 // Изв. АН СССР. Физика.-1964.-Т.28, № 6.-С.1085-1089.

75. Ziegler Е., Siegel W., Heinrich A. First-order NPO scattering in p-ZnSiAs2 and p-CdSiAs2 //Phys. Stat. Sol. A.-1976.-V.36,N.2.-P.491—494.

76. Григорьев B.C., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Яковенко A.A. Подвижность и энергетический спектр дырок в монокристаллах ZnGeP2 // ФТП.-1974.-Т.8, № 8-С.1582-1585.

77. Siegel W., Heinrich A., Ziegler Е. Electron and hole mobility in ZnSiP2 // Phys. Stat. Sol. A.-1976.-V.35, N.1.-P.269—279.

78. Борисенко С.И. Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров// Изв. Вузов. Физика.- 2003 .-№ 10.-С.67-69.

79. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs / AlxGai.xAs с легированными квантовыми ямами // ФТП.- 1998.- Т.32, № 5.- С.607-612.

80. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С., Тютерев В.Г. К динамике решетки халькопирита // Изв. Вузов. Физика-1970.-№ 10.-С.42-48.

81. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита //ФТП.- 1982- Т. 16, №3-С.432—439.

82. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Рассеяние электронов на пьезооптическом потенциале оптических фононов в CdGeAs2 // ФТП 1983 - Т. 17, №12.- С.2198-2201.

83. Borisenko S.I., Rud V.Yu., Rud Yu.V.,Tyuterev V.G. Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals // Semicond. Sci. Technol-2002,-V.17,N.10.-P.l 128-1132.

84. Борисенко С.И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // ФТП 1999 - Т.ЗЗ, №10 - С.1240-1245.

85. Борисенко С.И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs / Alo.36Gao.64As в области температуры 77 К // ФТП 2002 - Т.36, №7,- С.861-868.

86. Борисенко С.И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGai.xAs // ФТП 2002 - Т.36, №10-С.1237-1240.

87. Борисенко С.И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // ФТП — 2002.-Т.36, №12,-С. 1445-1448.

88. Борисенко С.И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Изв. Вузов. Физика- 2003 № 3.- С.41-47.

89. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGai. xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума// Изв. Вузов. Физика-2003.-№ 12.-С.40-47.

90. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGai. xAs на фононах // ФТП.- 2004,- Т.38, № 2,- С.207-212.

91. Борисенко С.И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGai.xAs// ФТП.-2004.-Т. 38, № 7.-С. 858-863.

92. Dharssi I., Butcher P.N. The effect of phonon confinement on perpendicular electron transport in a GaAs/GaAlAs superlattice //J. Phys. : Condens. Matter.-1990- V. 2-P.l 19-125.

93. Bannov N., Aristov V., Mitin V., Stroscio M. A. Electron relaxation times due to the deformation-potential interaction of electrons with confined acoustic phonons in a freestanding quantum well // Phys. Rev. B.-1995.-V.51, №15.-P.9930-9942.

94. Борисенко С.И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами// ФТП.- 2003-Т.37, №5.- С.588-591.

95. Борисенко С.И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Изв. Вузов. Физика.- 2003- № 5.-С.84-89.

96. Борисенко С.И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // ФТП.- 2003- Т.37, №9-С.1117-1122.

97. Holah G.D., Miller A., Dunnett W.D., Iseler G.W. Polarised infrared reflectivity of CdGeAs2// Solid State Commun.-1977.-V.23, N.1.-P.75-78.

98. Горбань И.С., Горыня B.A., Серый В.И. и др. Спектр колебательных состояний в монокристаллах CdGeP2 // ФТТ.-1975.-Т.17, №1.-С.44-47.

99. Holah G.D. Optical phonons and polaritons in ZnSiP2 // J. Phys. C.-1972.-V.5, N.14-P. 1893-1895.

100. Златкин Jl.Б., Марков Ю.Ф. Оптические колебания в кристалле ZnSiP2 // Оптика и спектроскопия.-1972.-Т.32, №4.-С.764-768.

101. Koschel W.H., Sorger F., Baars J. Raman infrared spectra of ZnSiAs2 // Solid State Commun.-1974.-V.15, N.4.-P.719-723.

102. Марков Ю.Ф., Громова T.M., Рудь Ю.В., Таштанова М. Спектры комбинированного рассеяния монокристаллов ZnSiAs2 // ФТТ.-1975.-Т.17, №4.-С. 1226-1229.

103. Bettini М., Viller A. Optical phonons in ZnGeP2 and CdGeP2 // Phys. Stat. Sol. (b).-1974.-V.66, N.2.-P.579-586.

104. Bettini M., Baunhofer W., Cardona M., Nitsche R. Optical phonons in CdSiP2 // Phys. Stat Sol. (b)-1974.-V.63, N.2.-P.641-648.

105. Hailing Tu, Saumbers G.A., Lambson W.A., Teigelson R.S. Elastic behaviour of the chalcopyrite CdGeAs2 // J. Phys. C.-1982.-V.15, N.7.-P.1399-1418.

106. Poplavnoi A.S., Tjuterev V.G. Lattice dynamics of A2B4C52 and А'В3^ semiconductors with chalcopyrite lattice in a rigid-ion model // J. de Physique.-1975.-V.36, N.9.-P.CW3-169-CW3-176.

107. Bettini M. Zone centred phonons in ternary compounds of chalcopyrite structure // Phys. Stat. Sol. (b).-1975.-V.69, N.1.-P.201-202.

108. Поплавной A.C., Тютерев В.Г. К теории инфракрасной дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита// Изв. Вузов. Физика.-1978.-№6.-С.39-43.

109. Владимиров В.Е., Копытов А.В., Поплавной А.С. Решеточная динамика ZnGeP2 и AgGaS2 в модели тензорного заряда // Изв. Вузов. Физика.-1980.-№9.-С.40—44.

110. Heinrich A. First-order scattering in semiconductors. Drift mobility and Hall factor // Phys. Stat. Sol. (b).-1979.-V.91, N.2.-P.571-580.

111. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 // ФТП- 1986 Т.20, №7.-С.1214-1217.

112. Борисенко С.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2// ФТП 2001.-Т.35, №6.- С.720-725.

113. Скачков С.И., Тютерев В.Г. Взаимодействие электронов с фононами в полярных кристаллах со сложной структурой // Деп. в ВИНИТИ.-1985.-№ 2672-85.

114. Kranzer D. Mobility of holes of zinc-blende III-V and II-VI compounds // Phys. Stat. Sol. (a).—1974.-V.26, N. 11 .-P. 11-52.

115. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С52 с решеткой халькопирита.// Изв. Вузов. Физика.- 1988 № 5.-С.117-119.

116. Blacha A., Presting Н., Cardona М. Deformation potentials of k=0 states of tetrahedral semiconductors // Phys. Status Solidi B.-1984.- V.126, N.l.-P.l 1-36.

117. Rode D.L. Electron transport in InSb, InAs, and InP// Phys. Rev. B.-1971.-V.3, N.10-P.3287-3299.

118. Rincon C., Fernandez B. J. Deformation potentials in A2B4C52 ternary chalcopyrite semiconductors // Phys. Status Solidi B.-1993.- V.178, N.l.-P.l99-204.

119. Polygalov Ju.J., Poplavnoi A.S., Ratner A.M. Anion shift influence on band structure of crystals with chalcopyrite lattice // J. de Physique.-1975.-V.36, N.9.-P.C3-129-C3-135.

120. Давыдов А.С. Теория твердого тела.-М.: Наука, 1976.-640 с.182

121. Popov V. V., Bagaeva Т. Yu. Does a Doppler shift in the plasmon frequency have to be accounted when evaluating the role of electron-plasmon scattering in gallium arsenide // Physica. B. 2001. - V.296, N.4. -P.326-328.

122. Ridley B.K. Polar-optical-phonon and electron-electron scattering in large-bandgap semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. - V.10, N.30. -P.6717-6726.

123. Ridley B.K. Electron scattering by confined LO polar phonons in a quantum well // Phys. Rev. B.-1989.- V. 39, N.8.-P.5282-5286.

124. Bockelmann U., Bastard G. Phonon scattering and ehergy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases // Phys. Rev. B. -1990. V. 42, N. 14.-P.8947-8951.

125. Hai G. Q., Peeters F. M., and Devreese J. T. Electron optical-phonon coupling in GaAs/AlxGal-xAs quantum wells due to interface, slab, and half-space modes //Phys. Rev. B.-1993.-V.48, N.7.-P.4666-4674.

126. Bondarenko V. V., Sizov F. F. Carrier mobility and electron-phonon interaction in low-dimensional IV sVI semiconductor structures // Phys. Low-Dimens. Struct. 1995. - № 89. - P.123-138.

127. Мирлин Д.Н., Родина A.B. Полярное рассеяние двумерных электронов в квантовых ямах. (Обзор) // ФТТ.-1996 Т. 38, № 11,- С.3201-3211.

128. Yisong Z., Tianquan Lu, Jiang L., Wenhui Su. The effect of electron effective mass • mismatch on the electron-optical-phonon scattering rate in a quantum well structure //

129. Semicond. Sci. and Technol. -1997. -V.12, №10. -P.1235-1239.

130. Zianni X., Simserides C. D., Triberis G. P. Electron scattering by optical phonons in Alx. Ga[l- x]As/GaAs/Al[ x]Ga[l- x]As quantum wells // Phys. Rev. B. -1997. -V.55, №24. -P. 16324-16330.

131. Comas F., Castro F., Gondar J. L. Electron interaction with polar optical phonons in a semiconductor heterostructure // Physica. B. -1997. -V.239, №3-4. -P.370-377.

132. Alcalde Augusto M., Weber Gerald. Nonparabolicity effects on electron-optical-phonon scattering rates in quantum wells // Phys. Rev. B. -1997. -V.56, N.15. -P.9619-9624.

133. Sun J. P., Teng H. В., Haddad G. I., Stroscio M. A. Electron-interface phonon interaction * in multiple quantum well structures // Semicond. Sci. and Technol. -1998. -V.13, N.8a.1. P.A147-A151.

134. Ridley В. K. Expressions for momentum relaxation by polar optical phonon scattering in bulk and quasi-2D semiconductors // Semicond. Sci. and Technol. -1998.-V.13, N.5. -P.480-481.m

135. Pozela J., Namajunas A., Pozela K., Juciene V. Polar optical phonon confinement and electron mobility in quantum wells // Physica. E.-1999. V.5, № 1-2. -P.108-116.

136. Alcalde Augusto M., Weber Gerald. Electron-phonon relaxation rates in InGaAs-InP and HgCdTe-CdTe quantum wells // J. Appl. Phys. 1999. - V.85, N.10. - P.7276-6281.

137. Komirenko S. M., Kim K. W., Stroscio M. A., Dutta M. Energy-dependent electron scattering via interaction with optical phonons in wurtzite crystals and quantum wells // Phys. Rev. В : Third Series. 2000. -V.61, № 3. - P.2034-2040.

138. Camacho B. A. S. Polar scattering rates in II-VI semiconductor quantum wells // Phys. status solidi. B. 2000. - V.220, № 1. - P.53-57.

139. Wenhui D., Jia-Lin Z., Bing-Lin Gu, Jian Wu. Electron-optical-phonon scattering in non-square quantum-well structures // Solid State Commun. 2000. - V.114, № 2. - P.101-106.

140. Ruisheng Z., Mitsuru M. Well-width dependence of electron-phonon interaction energies in quantum wells due to confined LO phonon modes // Phys. Rev. В : Third Series. 2000. - V.61, №19. - P.12624-12627.

141. Pozela K. Electron nonelastic scattering by confined and interface polar optical phonons in a modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well // Физ. и техн. полупровод. -2001. V.35, № 11. - С.1361-1364.

142. Anderson D. R., Zakhleniuk N. A., Babiker M., Ridley В. K., Bennett C. R Polar-optical phonon-limited transport in degenerate GaN-based quantum wells // Phys. Rev. В : Third Series. 2001. - V.63, № 24. - P.245313-245319.

143. Lee H. C., Sun K. W., Lee C. P. Structure effects on electron-optical phonon interaction in GaAs/A1 x.Ga[ 1 -x]As quantum wells // J. Appl. Phys. 2002. - V.92, N. 1. - P.268-273.

144. Warren .G.J, Butcher P.N. A mobility calculation for a GaAs/GaAlAs superlattice. //Semicond. Sci. Technol.-1986.-V. 1,N.2.-P.133-136.

145. I. Dharssi, P.N. Butcher. The effect of phonon confinement on perpendicular electron transport in a GaAs/GaAlAs superlattice // J. Phys. : Condens. Matter.-1990. V. 2. P.119-125.

146. Compagnone F., Di Carlo A., Lugli P. Electron-optical-phonon interaction in the Inl-x.Ga[x]As/In[l-y]Al[y]As superlattice // Phys. Rev. В : Third Series. 2002. - 65, N.12. -P.125314-125323.

147. Ridley В K.The electron-phonon interaction in quasi-two-dimensional semiconductor quantum-well structures //J. Phys. C.-1982.-V.15.-P.5899-5917.

148. Pipa V. I., Glavin B. A., Mitin V. V., Stroscio M. Relaxation rates of electrons in a quantum well embedded in a finite-size semiconductor slab // Semicond. Sci. and Technol. 1998. - V.13, N.8a. - P.97-99.

149. Pipa V. I., Mitin V. V., Stroscio M. Substantial contribution of effective mass variation to electron-acoustic phonon interaction via deformation potential in semiconductor nanostructures // Appl. Phys. Lett. 1999. - V.74, N.l 1. - P.1585-1587.

150. Pipa V. I., Vagidov N. Z., Mitin V. V., Stroscio M. Electron-acoustic phonon interaction in semiconductor nanostructures: Role of deformation variation of electron effective mass // Phys. Rev. В : Third Series. 2001. - V.64, N.23. - P.235322-235329.

151. Ikonic Z., Harrison P., Kelsall R. W. Intersubband hole-phonon and alloy disorder scattering in SiGe quantum wells // Phys. Rev. В : Third Series. 2001.-V. 64, N. 24. -C.245311-245319.

152. Fridman L. Electron-phonon scatterin in superlattices // Phys. Rev. B. -1985. V. 32. N. 2. P.955-961.

153. Sun G., Friedman L., Soref R. A. Light-hole to heavy-hole acoustic phonon scattering rate // Phys. Rev. В : Third Series. 2000. - V.62, № 12. - P.8114-8119.

154. Иванов Ю. В., Ведерников M. В., Равич Ю. И. Влияние электрон-фононного взаимодействия на термоэлектрические свойства сверхрешеток // Письма в ЖЭТФ. -1999. Т.69, № 3-4. - С.290295.

155. Landolt-Bornstein. Numerical Date and Functional Relationships in Science and Technology / edited by O. Madelung.-Berlin: Springer-Verlag, 1987.-New Series III, Vol. 22 a.-451 p.

156. Yang S.-R. E., Sarma S. D. Theory of conductivity in superlattice minibands //Phys. Rev. B.-1988.-V. 37.-P. 10090-10094.

157. Guo-Qiang Hai, Nelson Studart, Francois M. Peeters. Multisubband electron transport in delta -doped semiconductor systems //Phys. Rev. B.-1995.-V.52.-P.8363-8371.

158. Henriques A. B. Quantum and transport mobilities in delta-doped semiconductors // Phys. Rev. B. 1996.-V.53, №2 4. - P.16365-16371.

159. Henriques А. В., Goncalves L. C. D., Oliveira Jr. N. F., Souza P. L., Yavich B. Ionized impurity scattering in periodically delta -doped InP // Phys. Rev. B.-1997.-V. 5513072-13079.

160. Henriques А. В., Souza P. L., Yavich B. Electronic scattering in doped finite superlattices // Phys. Rev. В : Third Series. 2001. - V.64, № 4. -P.045319-045325.

161. Waldron E.,Graff J., Schubert E. Influence of doping profiles on p-type AlGaN/GaN superlattices // Phys. status solidi. A. 2001. - V.188, N. 2. - P.889-893.

162. Levin B.F., Choi K.K., Bethea C.G., Walker J., Malik R.G. New 10 цт infrared detector using intersubband absorption in resonant tunneling GaAlAs superlattices // Appl. Phys. Lett.-1987. V. 50, N. 16.-P.1092-1094.

163. Choi K.K., Levin B.F., Bethea C.G., Walker J., Malik R.G. Multiple quantum well 10 цт GaAs/Alx.Ga[l-x]As infrared detector with improved responsivity // Appl. Phys. Lett.-1987. V. 50, N. 25,- P.1814-1816.

164. Jenner C., Corbin E., Adderley В. M., Jaros M. InAs/Gal-x.In[x]Sb and InAs/Al[l-x]Ga[x]Sb superlattices for infrared applications // Semicond. Sci. and Technol. 1998. -V.13, N. 4. - P.359-375.

165. Bendorius R., Prochukhan V.D., Shileika A. The lowest conduction band minima of A2B4C52-type semiconductors //Phys. Stat. Sol.-1975.-V.53, N. 2.-P.745-752.

166. Акимченко Н.П., Борщевский A.C., Иванов B.C. Оптические и фотоэлектрические свойства CdGeAs2 // ФТП.-1973.-Т.7, № 1.-С.144-148.

167. Isomura S., Takahashi S. Preparation and some electronic properties of CdGeAs2 semiconducting compound // Memoirs of the Ehime University. Sect. III.-1979.-V.9, N. 2.-P.91-100.

168. Рудь Ю.В., Соболев B.B., Шестацкий C.H. Краевое поглощение кристалла ZnSnAs2 // ФТП.-1968.-Т.2, № 6.-С.893-895.

169. Pikhtin A.N., Razbegaev V.N, Goryunova N.A. Energy band structure and optical properties of CdSnP2//Phys. Stat. Sol. A.-1971.-V.4, N. 2.-P.311-318.

170. Shay J.L., Buehler E. Optical anisotropy of CdSnP2 near the Fundamental absorption edge // Phys. Rev. Lett.-1971.-V.26, N. 9.-P.506-509.

171. Shay J.L., Buehler E., Wernick J.H. Electroreflectance absorption coefficient and energy-band structure of CdGeP2 near the direct energy gap // Phys. Rev. B.-1971.-V.4, N. 8-P.2479-2485.

172. Горюнова H.A., Белле M.JI., Златкин Л.Б. Оптические свойства и зонная структура ZnSnP2 (халькопирит и сфалерит) // ФТП.-1968.-Т.2, № 9.-С.1344-1351.

173. Снелл Дж.Э., Барелл Г.Д., Мосс Т.С., Мабберли Д.К. Оптические и электрические свойстваZnSiAs2 // Труды IX межд. конф. по физике полупроводников.-1969.-Т.2-С.1297.

174. Ray В., Payne A.J., Burrell G.J. Preparation and some physical properties of ZnGeP2 I I Phys. Stat. Sol.-1969.-V.35, N. 1.-P.197-204.

175. Isomura S., Masumoto K. Some optical properties of ZnGeP2 // Phys. Stat. Sol. A.-1971.-V.6, N. 2.-P.K139-K141.

176. Горюнова H.A., Григорьян C.C., Златкин JI.Б. О структуре зоны проводимости ZnSiP2 // Изв. АН СССР Неорг. Матер.-1966.-Т.2, № 12.-С.2125-2129.

177. Sirharylidze G.A., Ukhanov Yu.I. Absorption of polarized light in CdSnAs2 // Phys.stat.sol.-1968.-V.26, N. 1.-P.K33-K36.

178. Leroux-Hugon P. Etude experimentale de la structure de band du compose CdSnAs2 // J. Phys. Chem. Solids.-1966.-V.27, N. 8.-P.1205-1218.

179. Рудь Ю.В., Таиров M.A. Краевое поглощение кристалла р- CdGeAs2 // ФТП-1974.— Т.8, № 6.-С.801-804.

180. Оптические свойства полупроводников ( полупроводниковые соединения типа А3В5) /Под ред. Р. Уиллардсона и А.Бира.- М.: Мир, 1970.-488 с.

181. Мальцев Ю.В., Полянская Т.А., Сихарулидзе Г.А. и др. О структуре зоны проводимости CdSnAs2 // ФТП.-1967.-Т.1, № Ю.-С. 1584-1587.

182. Strauss A.J., Rosenberg A.J. Preparation and properties of CdSnAs2 // J. Phys. Chem. Solids.-1961.-V.17, N. У4.-Р.278-280.

183. Карымшаков P.K., Уханов Ю.И. Анизотропия эффективных масс электронов в CdSnAsi // ФТП.-1970.-Т.4, №10.-С. 1988-1990.

184. Даунов М.И., Магомедов А.Б. Некоторые кинетические коэффициенты во всесторонне упруго-деформированном сильно легированном CdSnAs2 р-типа //ФТП.-1980.-Т.14, №2.-С.341-345.

185. Hubner К., Unger К. Spin-orbit splittings in II-IV-V2 compounds // Phys.stat.sol-1973 — V.50, N. 2.-P.K105-K107.

186. Heve J.J., Meuer C.F.J., Blom F.A.P. Shubnikov-de Haas effect in n-CdSnAs2 // Phys. Chem. Solids.-1981.-V.42, N. 11 .-P.975-980.

187. Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В. Структура зоны проводимости CdSnAs2 // ФТП — 1970.-Т.4, № 4.-С.727-732.

188. Alward J.F., Fong C.Y. Band structures and optical properties of CdSnP2 and CdSnAs2 // Phys. Rev. B.-1979.-V.19, N. 12.-P.6337-6340.

189. Полыгалов Ю.И., Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура CdSnAs2 и CdGeAs2 // Изв. Вузов. Физика.-1981.-№ 12.-С.78-82.

190. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977.-366 с.

191. Борисенко С.И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // ФТП.- 2001,- Т.35, №10,- С.1175-1177.

192. Krivaite G., Borschevskij A.S., Sileika A. Valence band structure of CdGeAs2 from electroreflectance spectra // Phys. Stat. Sol. B.-1973.-V.57, N. 1.-P.K39-K41.

193. Мамедов Б.Х., Османов Э.О. Поглощение в кристаллах p-CdGeAs2 в инфракрасной области спектра//ФТП.-1971.-Т.5, № 7.-С. 1268-1270.

194. Brudnyi V.N., Budnitski D.L., Krivov М.А., Melev V.G. P-n-type conversion and optical properties of 2 mev electron-irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. A.-1976.-V.35, N. 2-P.425—430.

195. Kahn A.H. Theory of infrared absorption of Carriers in Ge and Si // Phys. Rev -1955-V.97.-P. 1647-1653.

196. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Энергетический спектр и внутризонное оптическое поглощение в p-CdGeAs2// Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов .-Киев: Наукова Думка, 1982.-С.220-225.

197. Кривайте Г.З., Корнеев Е.Ф., Шилейка А.Ю. Спектры электроотражения ZnSnAs2 // ФТП.-1971.-Т.5, № 11.-С.2242-2244.

198. Brudnyi V.N., Borisenko S.I., Potapov A.I. Electrical and optical properties and Fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a).-1990 V.l 18.- P.505-511.

199. Корнеев Е.Ф., Ременюк A.B., Шмарцев Ю.В. Эффективная масса дырок в ZnSnAs2 // ФТП.-1971.-Т.5, № 8.-С. 1669-1671.

200. Jenner С., Corbin Е., Adderley В. М., Jaros М. InAs/Gal-x.In[x]Sb and InAs/Al[l-x]Ga[x]Sb superlattices for infrared applications // Semicond. Sci. and Technol. 1998. -V.13, N. 4. - C.359-375.

201. Шик А.Я. Оптические свойства сверхрешеток из полупроводников со сложной зонной структурой //ФТП-1972-Т.6, № 7.-1268-1277.

202. Johnson N. F., Ehrenreich Н., Hui P. М., Young P. M. Electronic and optical properties of III-V and II-VI semiconductor superlettices // Phys. Rev. B.-1990 V. 41, N. 6 - P.3655-3669.

203. Leo J., Movaghar B. Intersubband optical absorption in a biased superlattice // J. Appl. Phys. -1989,-V. 65, N. 12.-P.5019-5023.

204. Batey J., Wright S. L. Energy band alignment in GaAs:(Al,Ga)As heterostructures // Surf. Sci.-1986.-V.174.- P.320-323.

205. Levin B.F., Bethea C.G., Choi K.K., Walker J., Malik R.G. Tunneling lifetime broadening of the quantum well intersubband photoconductivity spectrum // Appl. Phys. Lett-1988 — V.53, N. 3.- P.231-233.

206. Harwit A., Harris J. S., Jr. Observation of Stark shifts in quantum well intersubband transitions //Appl. Phys. Lett.-1987.-V.50, N. 11.- 685-687.

207. Борисенко С.И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках А3В5// ФТП — 2001,- Т.35, №3 С.313-317.

208. Калиткин Н.Н. Численные методы М.: Наука, 1978.-512 с.

209. Wiley J.D. Polar mobility of holes in III-V compounds // Phys. Rev. B.-1971.- V. 4, N. 8.-P.2485-2493.

210. Fortini A., Diguet D., Lugand J. Analysis of polar optical scattering of electrons in GaAs III. Appl. Phys.-1970.-V.41,N. 7.-P.3121-3127.

211. Kranzer D. Hall and drift mobility of polar p-type semiconductors // J. Phys. C.-1973-V.6, N. 20.-P.2967-2976.

212. Costato M., Jacoboni C., Regglani L. Hole transport in polar semiconductors // Phys. Stat. Sol. B.-1972.-V.52, N. 2.-P.461^173.

213. Pfeffer P., Zawadzki W. Inelastic scattering of eletrons by optic phonons in InSb-type semiconductors // Phys. Stat. Sol. B.-1978.-V.88, N. 1 .-P.247-260.

214. Lawaetz P. Low-field mobility and galvanomagnetic properties of holes in germanium with phonon-scattering // Phys. Rev.-1968.-V.174, N. 3.-P.867-880.

215. Szmulowicz F., Madarasz F.L. Angular dependence of hole-acoustic-phonon transition rates in silicon // Phys. Rev. B.-1982.-V.26, N. 4.-P.2101-2112.

216. Szmulowicz F., Madarasz F.L. Deformation-potential-theory calculation of the acoustic-phonon-limited conductivity and Hall mobilities for p-type silicon // Phys. Rev. В-1983 -V.27, N. 4.-P.2605-2608.

217. Szmulowicz F. Calculation of optical and acoustic-phonon-limited conductivity and Hall mobilities for p-type silicon and germanium // Phys. Rev. B.-1983.-V.28, N. 10.-P.5943-5963.

218. Шик А.Я. Явления переноса в одномерных сверхрешетках //ФТП.-1973.-Т.7, № 2-С.261-269.

219. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры (Обзор) // ФТП.-1974.-Т.8, № 10.-С. 1841-1864.

220. I. Dharssi, P.N. Butcher. Interface roughness scattering in a superlattice // J. Phys. : Condens. Matter.-l990.-V. 2-P.4629-4635.

221. Huang K., Zhy B. Temperature dependence of the low mobility of miniband conduction in superlattices // Phys. Rev. B.-1992.-V. 45, N. 24,- P.14404-14406.

222. Ray P., Basu P.K. Alloy-disorder-scattering- limited mobility of electron in a superlattice // Phys. Rev. B.-1992.-V. 45, N. 16,- P.9169-9172.

223. Самойлович А.Г., Коренблит И.Я., Даховский И.В., Искра В.Д. Решение кинетического уравнения при анизотропном рассеянии электронов // ФТП.-1961.-Т.3, № 10.-С.2939-2952.

224. Ehrenreich Н. Band Structure and Electron Transport of GaAs // Phys. Rev.-1960.-V.120.-P. 1951-1963.

225. Коханюк М.Б. Фосфид индия в полупроводниковой электронике-Кишинев, 1988.

226. Д.Н.Никогосян Д.Н. Кристаллы для нелинейной оптики // Кв. электроника.-1977.-Т.4, №1.-0.5-26.

227. Кесаманлы Ф.П., Рудь Ю.В. Полупроводники II-IV-V2 // ФТП.-1993.-Т. 27, № 11/12.-С. 1761-1776.

228. Ohmer М.С., Pandey R. Emrgence of chalcopyrites as nonlinear optical materials // MRS Bulletin.-l998.-V. 23, N 7.- P.16.

229. Rashkeev S.N., Limpijumnong S., Lambrecht W.R.L. Second harmonic generation and birefrigence of some ternary pnictide semiconductors // Phys. Rev. B.-1999.-V. 59-P.2737-2748.

230. Emelyanenko O.V., Polyshina I.K. On electron mobility in CdGeAs2 // Phys. Stat. Sol.-1969.-V. 36, N. 1.-P.K13-K15.

231. Емельяненко O.B., Логинова T.C., Полушина И.К. Магнитосопротивление в п-CdGeAs2 // ФТП.-1972.-Т. 6, № 5.-С.836-838.

232. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2 // ФТП.-1990.-Т. 24, № 12.-С.2181-2185.

233. Байрамов Б.Х., Полушина И.К. и др. Оптоэлектронные явления в монокристаллах р-CdGeAs2 и структурах на их основе // ФТТ.-1998.-Т. 40, № 2.-С.212-216.

234. Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Ушакова Т.Н. Физические свойства монокристаллов n-CdGeAs2, полученных низкотемпературной кристаллизацией // ФТТ.-1999.-Т. 41.-1190-1193.

235. Rud V., Rud Y., Polushina I., Ushakova Т., Iida Seishi. Observation of record electron Hall mobility in CdGeAs2. single crystals // Jap. J. Appl. Phys. 2000. - V. 39, N. 1, suppl. - C.266-267.

236. Mathur P.C., Shyam R., Jain S. Transport phenomena in III-V-compound semiconductors //Phys. Stat. Sol. A.-1978.-V. 50,N. 11.-P. 11-40.

237. Lee Y.J., Basinski J., Juravel L.Y., Woolley J.C. Electrical transport and band structure of GaAs // Canad. J. Phys.-1979.-V. 57, N. 2.-P.233-242.

238. Chandrasekhar M., Pollak F.H. Effects of aniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs // Phys. Rev. B.-1977.-V.15, N. 4.-P.2127-2144.

239. Zallen R., Paul W. Effect of pressure on interband reflectivity spectra of germanium and related semiconductors // Phys. Rev. -1967.-V. 155, N. 3.-P.703-711.

240. Yu P.Y., Cardona M., Pollak F.H. Intrinsic piezobirefringence in GaSb, InAs and InSb // Phys. Rev. B.-1971.-V.3, N. 2.-P.340-346.

241. Chattopadhayay D., Queisser H.J. Electron scatterin by ionized impurities in semiconductors // Reviews of Modern Physics.-1981.-V. 53, N. 4, part 1.-P.745-768.

242. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С52 // Изв. Вузов. Физика 1988.-№ 4.-С.101-104.

243. Борщевский А.С., Рудь Ю.В., Таштанова М., Ундалов Ю.К. Электропроводность CdGeAs2 в связи с фазовыми переходами // ФТП -1974.-Т. 8, № 5.-С.575-577.

244. Шик А.Я. Двумерные электронные системы: Учебное пособие.-СПб.: СПбГТУ, 1993.-гл. 5 С.33.

245. Lee J., Spector H.N., Arora V.K. Quantum transport in a single layered structure for impurity scattering // Appl. Phys.Lett. -1983.-V. 42, N 4.-P.363-365.

246. Gold A., Dolgopolov V. T. Temperature dependence of the conductivity for the two-dimensional electron gas: Analytical results for low temperatures //Phys. Rev. B.-1986-V. 33.-P.1076-1084.

247. Gold A. Electronic transport properties of two-dimensional electron gas in a silicon quantum-well sructure at low temperature // Phys. Rev. B.-1987 V. 35, N 2.- P.723-733.

248. Thobel J. L., Baudry L., Dessenne F., Charef M., Fauquembergue R. Theoretical investigation of impurity scattering limited mobility in quantum wells: The influence of wave function modeling // J.Appl.Phys.-1993. -V. 73, N 1.- P.233-238.

249. Kaoru Inoue, Toshinobu Matsuno. Electron mobilities in modulation-doped Al(x)Ga(l-x)As/GaAs and pseudomorphic Al(x)Ga(l-x)As/In(y)Ga(l-y)As quantum-well structures // Phys. Rev. B. 1993.- V. 47, №7. - P.3771-3778.

250. Tutor J., Bermudez J. A., Comas F. Electron drift mobility in a Si-Ge(l-x)Si(x) quantum well at low temperatures // Phys. Rev. B. 1993,- V. 47, №7. - P.3690-3694.

251. Борздов В. M., Мулярчик С.Г., Хомич А.В. Расчет методом Монте-Карло низкотемпературной подвижности двумерных электронов в квантовой яме селективно легированной гетероструктуры на основе GaAs // Письма в ЖТФ.-1997.-Т. 23, № 23.-С 77-83.

252. Piazza V., Casarini P. and et. al. Self-consistent electron-mobility calculation in a modulation-doped two-dimensional electron gas / // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, №16. -P.10017-10020.

253. Sarkar S. K., Chattopadhyay D. High electric field transport in In0.53.Ga[0.47]As quantum wells under nonquantizing magnetic fields at low temperatures // Phys. Rev. В : Third Series. 2000. -V. 62, № 23. - P. 15331-15333.

254. Waschke C., Roskos H. G. et. al. Coherent submillimeter-wave emission from Bloch oscillations in a semiconductor superlattice //Phys. Rev. Lett.-1993.-V. 70.-P.3319-3322.

255. Ignatov A. A., Renk K. F., Dodin E. P. Esaki-Tsu superlattice oscillator: Josephson-like dynamics of carriers//Phys. Rev. Lett.-1993 .-V. 70.-P. 1996-1999.

256. Копаев Ю.И., Молотков C.H. Елоховские осцилляции и динамическая проводимость сверхрешетки//ПисьмаЖЭТФ.-1994.-Т. 59.-С. 770-777.

257. Rott S., Linder N. Dohler G. H. Field dependence of the hopping drift velocity in semiconductor superlattices // Phys. Rev. В : Third Series. 2002. - V. 65, N 19. -P.195301-195322.

258. Bryksin V. V., Kleinert P. High-electric-field quantum transport theory for semiconductor superlattices // J. Phys. A. -2000. V. 33, № 2. - P.233-246.

259. Wacker A., Jauho A.-P. and et. al. Inelastic quantum transport in superlattices: Success and failure of the Boltzmann equation // Phys. Rev. Lett. 1999. - V. 83, №4. - P.836-839.

260. Rott S., Binder P., Linder N., Dohler G. H. Combined description for semiclassical and quantum transport in superlattices // Phys. Rev. B. -1999. V. 59, №11.- P.7334-7337.

261. Wacker A., Jauho A.-P. Quantum transport: the link bitween standart approaches in superlattices // Phys Rev. Lett. 1998. - V. 80, №2,- P.369372.

262. Rotvig J., Jauho A.-P., Smith H. Bloch Oscillations, Zener Tunneling, and Wannier-Stark Ladders in the Time Domain //Phys. Rev. Lett.-1995.-V. 74.-P.1831-1834.

263. Choi К. К., Levine В. F. et. al. Periodic negative conductance by sequential resonant tunneling through an expanding high-field superlattice domain // Phys. Rev. B.-1987.-V. 35, N 8.-P.4172-4175.

264. Vuong Т. H. H., Tsui D. C., Tsang W. T. Transport through InGaAs-InP superlattices grown by chemical beam epitaxy //Journal of Applied Physics.-1989.-V. 66, N 8-P.3688-3697.

265. Grahn H. Т., Schneider H., Klitzing K. Optical studies of electric field domains in GaAs-AlxGal-xAs superlattices // Phys. Rev. B.-1990.-V. 41.-P.2890-2899.

266. Prengel F., Wacker A., Scholl E. Simple model for multistability and domain formation in semiconductor superlattices // Phys. Rev. B.-1994.-V. 50.-P.1705-1712.

267. Kwok S.H., Merlin R., Grahn H.T., Ploog K. Electric-field domains in semiconductor superlattices: Resonant and nonresonant tunneling // Phys. Rev. B.-1994.-V. 50.-P.2007-2010.

268. Kwok S. H., Grahn H. T. et. al. Nonresonant carrier transport through high-field domains in semiconductor superlattices // Phys. Rev. B.-1995.-V. 51.-P.9943-9951.

269. Kwok S. H., Norris Т. В., et. al. Domain-wall kinetics and tunneling-induced instabilities in superlattices // Phys. Rev. B.-1995.-V. 51 .-P.l0171-10174.

270. Mailhiot C., Chang Y.-C., McGill T.C. Energy spectra of donors in GaAs-Ga(l-x)Al(x)As quantum well structures in the effective-mass approximation // Phys. Rev. B. -1982.- V. 26, N. 8.- P.4449-4457.