Электрофизические и газочувствительные свойства нанокристаллических пленок-композитов на основе диоксида олова тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Кошелева, Наталья Николаевна

• Кошелева, Наталья Николаевна
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кошелева, Наталья Николаевна

Введение

Глава 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМАХ 10 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МЕ-ТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Кристаллическая решетка диоксида олова, её строение. Характери- 10 стика диоксида олова как сенсорного материала

1.2. Взаимодействие молекул газов с поверхностью металлооксидных 15 полупроводников

1.3. Модели токопереноса и газовой чувствительности в металлооксид- 20 ных полупроводниках

1.3.1. Электрическая модель

1.3.2. Барьерная модель

1.3.3. Модели газовой чувствительности

1.4. Влияние микроструктуры пленок на их газовую чувствительность

1.5. Влияние легирования на газовую чувствительность пленок 36 Выводы к первой главе

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Способы изготовления пленок-композитов на основе металлоок- 42 сидных полупроводников

2.1.1. Метод ионно-лучевого распыления

2.1.2. Метод магнетронного распыления

2.2. Измерение основных параметров пленок-композитов на основе ди- 49 оксида олова

2.2.1. Измерение толщины пленок диоксида олова

2.2.2. Измерение удельного сопротивления

2.2.3. Температурные зависимости электрических параметров пленок диоксида олова, измеренные с помощью эффекта Холла

2.2.4. Методика измерения газовой чувствительности пленок Sn

2.2.5. Исследование оптических свойств пленок-композитов

2.3. Методы исследования структуры металлооксидных композитов

2.3.1. Рентгеновский микроанализ

2.3.2. Дифракционная электронная микроскопия

2.3.3. Исследование морфологии пленок-композитов 62 Выводы ко второй главе

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРОФИ- 65 #

ЗИЧЕСКИЕ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК-КОМПОЗИТОВ

3.1. Основные параметры пленок-композитов на основе S11O

3.1.1. Состав пленок-композитов на основе диоксида олова

3.1.2. Термостабилизация пленок-композитов на основе диоксида олова

3.1.3. Морфология поверхности пленок-композитов на основе S11O

3.2. Электрофизические и газочувствительные свойства пленок- 76 композитов на основе диоксида олова

3.2.1. Электрофизические свойства пленок-композитов на основе 76 диоксида олова

3.2.2. Газовая чувствительность пленок-композитов на основе 91 диоксида олова

3.3. Оптические свойства пленок-композитов на основе диоксида олова 107 Выводы к третьей главе 111 Основные выводы и результаты 114 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические и газочувствительные свойства нанокристаллических пленок-композитов на основе диоксида олова»

Актуальность темы. В современном мире возрастает спрос на портативные газовые датчики в связи с необходимостью их широкого использования в различных отраслях техники (для предотвращения взрывов, пожаров) для контроля загрязнения окружающей среды. Все это стимулировало развитие исследований в области полупроводниковых газовых датчиков во всем мире.

Ведущие мировые производители (Rilken Keiki Fine Instr., Nippon Monitors, Figaro, Taguchi и др.) вот уже несколько десятилетий занимаются исследованиями, разработкой и производством датчиков резистивного типа на основе металлооксидных полупроводников. Однако изучение физических процессов, лежащих в основе работы датчиков, еще далеко от завершения. А именно понимание этих процессов обусловливает возможность создания нового поколения высокоэффективных, надежных и экономичных приборов на основе сенсорных элементов.

В зависимости от технологии изготовления газовые датчики на основе металлооксидных полупроводников можно разделить на две большие группы: керамические и пленочные (тонко- и толстопленочные). Наиболее перспективными являются тонкопленочные сенсоры, при изготовлении которых можно использовать микроэлектронную технологию. За счет применения высокотехнологичных процессов может достигаться воспроизводимость параметров, массовость и низкая себестоимость газовых датчиков.

В современном мире исследован широкий спектр оксидных полупроводников для использования их в качестве чувствительного материала газового датчика. Наибольшее практическое применение нашли датчики на основе диоксида олова. В первую очередь это связано с высокой чувствительностью электропроводности диоксида олова к состоянию поверхности в относительно низкой области рабочих температур 200-400 °С. Кроме того, пленки диоксида олова обладают высокой термической и химической стабильностью, а также механической прочностью и высокой адгезией. Уменьшение размеров зерна диоксида олова повышает эффективность работы сенсорного элемента. Одним из способов уменьшения размеров зерен является использование композитов-смесей невзаимодействующих оксидов, например Sn02:Si02, Sn02:Zr02 и др.

Работа выполнялась по плану работ ГБ 2004-34 "Исследование полупроводниковых материалов (Si, А3ВЭ, А4В62), приборов и технологии их изготовления" (№ г.р.0120.0412888) кафедры ППЭ ВГТУ, а также в соответствии с программой грантов РФФИ 03-02-96-453; РФФИ 06-02-96500 рофи; РФФИ 08-02-99005 рофи; РФФИ 07-02-92102 ГФЕНа.

Целью работы является исследование влияния состава пленок-композитов и размера зерен поликристаллов на электрофизичекие и газочувствительные свойства пленок-композитов на основе Sn02, используемых в качестве сенсорных слоев твердотельных датчиков газов. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Определить атомный состав, структуру, электрофизические и оптические свойства пленок-композитов на основе Sn02, полученных ионно-лучевым и магнетронным распылением с добавками оксидов кремния и циркония.

2. Установить влияние режимов изотермического отжига пленок-композитов на основе Sn02 с добавками оксидов Si и Zr на их структуру и стабилизацию электрофизических параметров.

3. Определить механизмы электропроводности пленок-композитов на основе Sn02 в интервале температур 20 - 400 °С в зависимости от метода получения и наличия добавок оксидов кремния и циркония.

4. В интервале температур 20 — 400 °С изучить газовую чувствительность пленок диоксида олова с добавками оксида кремния и циркония и установить механизм их газосенсорных свойств.

Объекты исследования. В настоящей работе исследовались пленки-композиты на основе Sn02 с добавкой оксида кремния (группа А), оксида циркония (группа Б), изготовленные методом ионно-лучевого распыления в атмосфере Аг+02 оловянной мишени с навесками кварца и циркония, на подложке из стекла и кремния, а также пленки-композиты на основе диоксида олова с добавкой оксида кремния (группа В), изготовленные магнетронным распылением в атмосфере Аг+02 оловянной мишени со вставками кремния, на подложке окисленного кремния.

Научная новизна исследований заключается в следующем:

1. Определены условия изготовления, состав и морфология пленок-композитов с добавками оксида кремния (группа А) и оксида циркония (группа Б), полученных реактивным ионно-лучевым распылением, и пленок диоксида олова с добавкой кремния (группа В), полученных реактивным магнетронным распылением.

2. Установлены режимы изотермического отжига, необходимые для образования нанокристаллов с размером зерен от 5 до 10 нм в пленках-композитах на основе Sn02 с добавками оксидов Si и Zr.

3. Показано, что размер зерен пленок-композитов зависит от их состава и уменьшается с увеличением концентрации добавки. При уменьшении размера зерна температура максимальной газовой чувствительности снижается по сравнению с пленкой диоксида олова на десятки °С и более.

4. Установлено, что электропроводность пленок-композитов на основе диоксида олова с добавкой оксида кремния, изготовленных ионно-лучевым напылением, осуществляется по механизму сверхмалых частиц.

5. Выявлен характер зависимости концентрации носителей заряда, их подвижности и электропроводности от температуры и величины концентрации исследуемого газа. Экспериментально подтверждена модель взаимодействия различных форм заряженного кислорода с молекулами газа.

Практическая значимость работы

1. Режимы изготовления и термообработки пленок диоксида олова, полученные в процессе выполнения диссертации, могут быть использованы для изготовления чувствительных элементов тонкопленочных датчиков газов.

2. Полученные новые данные об электрических и газочувствительных свойствах пленок-композитов на основе диоксида олова в зависимости от их состава могут быть использованы для улучшения газочувствительных параметров датчиков газов и снижения их потребляемой мощности.

Запатентован способ изготовления чувствительного элемента на основе пленок-композитов для датчика газов (Патент РФ № 2307346 от 27.09.2007 г.).

Основные положения, выносимые на защиту

1. Размер зерен пленок-композитов на основе диоксида олова с добавками оксида кремния и циркония уменьшается при увеличении концентрации Si и Zr. Наименьший размер зерен (5 нм и 10 нм) наблюдается в пленках-композитах на основе диоксида олова, содержащих 3,9 ат. % кремния и 4,6 ат. % циркония, соответственно.

2. Характер температурной зависимости подвижности и концентрации носителей заряда показывает, что механизм проводимости пленок-композитов на основе диоксида олова при взаимодействии с газовой смесью описывается моделью сверхмалых частиц для пленок-композитов с размером зерна меньшим, чем удвоенная дебаевская длина экранирования.

3. Увеличение концентрации кремния (до 3,9 ат. %) и циркония (до 4,6 ат. %) в пленках-композитах на основе диоксида олова приводит к уменьшению температуры максимальной газовой чувствительности к парам этанола, пропанола, ацетона, формальдегида в воздухе и повышает селективность пленок-композитов при анализе смесей газов.

4. Причиной уменьшения температуры максимальной чувствительности в пленках-композитах на основе диоксида олова с добавкой оксида кремния является снижение температуры изменения зарядового состояния (О"—Ю2") ионов кислорода на поверхностных уровнях при их взаимодействии с молекулами исследованных газов, что является следствием уменьшения размеров зерна до величин порядка 5 нм.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно - технических семинарах: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» (Воронеж, 2003-2008); XVII научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Датчики и преобразователи информационных систем измерения, контроля и управления» (Хургада, 2006); Международной научно-технической конференции «Сенсорная электроника и микросистемные технологии» (Одесса, 2004); Всероссийской конференции «Охрана, безопасность и связь» (Воронеж, 2005); Всероссийском электротехническом конгрессе (ВЭЛК

2005) (Москва, 2005); XIII Всероссийской межвузовской конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2006» (Москва,

2006); III, IV Всероссийских конференциях «ФАГРАН-2006 и 2008» (Воронеж, 2006, 2008); VI, VII, VTII Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2006, 2007, 2008); XXXVII Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2006); VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2007); Международной конференции «Актуальные проблемы ФТТ-2007» (Минск, 2007).

Макетный образец газового сенсора, изготовленный на основе пленок-композитов, отмечен дипломом победителя конкурса "Инновации - 2006" на VII Межрегиональной выставке "РОСПРОМЭКСПО" (Воронеж, 2006), золотой медалью VI Московского международного салона инноваций и инвестиций (Москва, ВВЦ, 2006), грамотами региональных выставок-конкурсов «Воронеж - ваш партнер» (2006, 2007, 2008).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 26 научных работ, в том числе 4 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 1 патент РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1-26] — подготовка к эксперименту, получение и анализ экспериментальных данных, обсуждение полученных результатов и подготовка к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 3 глав и заключения. Основная часть работы изложена на 124 страницах, содержит 3 таблицы, 65 рисунков и список литературы из 84 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Кошелева, Наталья Николаевна

Основные результаты и выводы

1. В пленках-композитах на основе диоксида олова, изготовленных реактивным (в атмосфере Аг+Оо) ионно-лучевым распылением составных мишеней, размер зерен уменьшается по мере увеличения доли добавки Si или Zr. Наименьшим размером зерен (5 нм и 10 нм) обладают пленки-композиты с 3,9 ат. % Si в Sn02 и 4,6 ат.% Zr в Sn02- Микроструктура отожженных пленок-композитов на основе Sn02 исследовалась методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и атомно-силовой микроскопией (АСМ), при этом данные ПЭМ о размере зерен совпадали с данными, полученными с помощью АСМ.

2. Из измерений температурной зависимости поверхностного сопротивления, подвижности и концентрации носителей заряда в интервале 20 — 400 °С в пленках-композитах на основе диоксида олова и сравнения размеров зерен и величины дебаевской длины экранирования, вычисленной из результатов измерений эффекта Холла, подтверждена модель «сверхмалых частиц» механизма проводимости пленок.

3. При уменьшении размера зерен в пленках-композитах на основе диоксида олова с добавками оксидов кремния и циркония наблюдалось снижение температуры максимальной газовой чувствительности к газам-восстановителям и улучшение селективности пленок-композитов к различным газам. Снижение температуры максимальной чувствительности к газам позволяет рекомендовать пленки-композиты для экономичных и высокоэффективных сенсорных слоев в твердотельных датчиках газа.

4. Из измерений температурных зависимостей проводимости, подвижности и концентрации носителей заряда пленок-композитов на основе диоксида олова при наличии газа-восстановителя экспериментально установлено, что причиной уменьшения температуры максимальной чувствительности в пленках-композитах на основе диоксида олова с добавкой оксида кремния является снижение температуры изменения зарядового состояния (О"—Ю2~) ионов кислорода на поверхностных уровнях при их взаимодействии с молекулами исследованных газов, что является следствием уменьшения размеров зерна до величин порядка 5 нм.

5. Повышение селективности пленок-композитов к различным газам позволяет производить анализ газовых смесей при одновременном присутствии двух газов в воздухе, что подтверждается экспериментально.

Автор выражает признательность и благодарность профессору С.И. Рембезе, а также Б.Л. Агапову и М.В. Гречкиной за сотрудничество при исследовании физических параметров пленок-композитов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кошелева, Наталья Николаевна, 2008 год

1. Jones F.H. The surface structure of S11O2 (110)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy / F.H. Jones // Surface Science- 1997—Vol.376.— P.367—373.

2. J.E. Houston, E.E. Kohnke. J. Appl.Phys., 36, 3931(1965)

3. Д.Е. Дышель. Неорганические материалы., 32, 59(1996)

4. B.O. Швалев, В.Г. Теплов. Поверхность. Физика, химия, механика, № 1,98 (1991)

5. Rudolph. Techn. Wis. Abhandl. Osram,2,86(1963)

6. Богданов К.П., Димитров Д.Ц., Луцкая О.Ф., Таиров Ю.М. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова// Физика и техника полупроводников.- 1998.- том 32.- № 10.- стр. 1158-1160

7. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры для физико-химических исследований. М.: Наука. 1991.

8. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов.- М.: Наука, 1983.-239 с.

9. Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. М.: Наука.-1978.- 168с.

10. Таланчук П.М., Голубков С.П., Маслов В.П. Сенсоры в контрольно-измерительной технике.- К.: Техника,1991.- 175 с.

11. Гаськов A.M., Румянцева М.Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров// Неорганические материалы.- 2000.- №3.- с.369-378.

12. Гриневич B.C., Сердюк В.В., Смынтына В.А., Филевская JI.H. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров на основе оксидных материалов // Журнал аналитической химии 1990 —Т.45-Вып.8.- С.1521 - 1525.

13. Мясоедов Б.Ф., Давыдов А.В. Химические сенсоры: возможности и перспективы // Журн. аналит. химии.- 1990.-т.45.-№7.-С. 1259-1278.

14. Du Junqi, Zhang Zhoujun, Bai Shouli, Luo Ruixian, Chen Aifan Nano-composites preparation and its application to sensor // EACCS-6. Proceedings of the 6th East Asia Conference on Chemical Sensors. Guilin, China, 2005 - P. 6768.

15. Рябцев C.B., Юкиш A.B., Ханго С.И., Юраков Ю.А., Шапошник А.В., Домашевская Э.П. Кинетика резистивного отклика тонких пленок Sn02-x в газовой среде// Физика и техника полупроводников.-2008.-т. 42.-вып.4.-с. 491 -495.

16. Гуляев A.M., Мухина О.Б., Варлашов И.Б., Сарач О.Б., Титов В.А., Бурцев М.С., Прохоров В.В. Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров на основе Sn02, полученных реактивным магнетронным напылением / Сенсор,2001.-№2-с.10-21.

17. Виглеб Г. Датчики -М.: Мир, 1989. 196 с.

18. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

19. Галямов Б.Ш., Завьялов С.А., Завьялова JI.M., Морозова О.В., Куприянов Л.Ю., Рогинская Ю.Е. Адсорбционные свойства наногетерогенных пленок на основе оксидов олова и титана // Журнал физич. химии. 1995. -Т.69, №6. - С.1071-1075.

20. Бехштедт Ф., Эндердайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир. 1990.

21. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990.

22. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях.-М.: Наука, 1991.-327 с.

23. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 based devices // Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

24. Barsan N. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence // Sensor and Actuators—1994 — Vol. B.-№ 17.-P.241 246.

25. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии.-1 998.-t.67.-C. 125-139.

26. Kohl D. The role of noble metals in the chemistry of solid state gas sensors // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P.158-165.

27. Shimizu Y., Egashira M. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors // J. MRS Bulletin, 1999.- V.24.-№6.- P. 18-24.

28. Румянцева M.H., Сафонова O.B., Булова M.H., Рябова Л.И., Гаськов A.M. Газочувствительные материалы на основе диоксида олова / Сенсор, 2003 .-№2-с.8-33

29. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования.- М.: Радио и связь.-1990.- 264с.

30. Wong C.Y., Grovenor C.R., Batson Р.Е., Smith P.A. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№2.-P.438-442.

31. Ippommatsu M., Ohnishi H., Saski H., Matsumoto T. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect // J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 69(12). - № 15. - P.8368 - 8374.

32. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 // J. Electrochem. Soc. 1990 — Vol.58.-№ 12.-P. 1143 -1148.

33. Xu С., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements // Sensor and Actuators-1991. Vol. В.- № 3.-P.147- 155.

34. Ogava H., Nishikawa M., Abe A. Hall measurement studies and electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films // J. Appl. Phis-1982. -Vol.53(6). P.4448 - 4456.

35. Watson J., Ihokura K., Colest G.S.V. The tin dioxide gas sensor // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

36. Pring Ping Tsai, I-Chemg Chen, Chao-Jen Ho Utralow power carbon microsensor by micromachining techniques / Sensors and Actuators В 76 (2001) p.380-387.

37. Васильев Р.Б., Рябова Л.И., Румянцева M.H., Гаськов A.M. Газовая чувствительность границ раздела в полупроводниковых материалах// Оен-сор.-2005. № 1(14).-стр. 21 - 49.

38. Kukuev V.I., Rembeza E.S., Surovtsev I.S., Rabotkina N.S. Response enhancement of gas sensitive Sn02 layers // Eurosensors-XI. Proceedings of International Conference. Warsaw, Poland, 1997. - Vol.1. - P. 463-466.

39. Акимов Б.А., Гаськов A.M., Лабо M., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова М.Н. Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок Sn02(Cu)// Физика и техника полупроводников.-1997.-Т. 31.-вып.4.-с. 400 404.

40. Joseph W. Hammond Silicon based microfabricated tin oxide gas sensor incorporating use of Hall effect measurement/Joseph W. Hammond, Chung-Chiun Liu// Sensors and Actuators-2001. Vol. В.- № 81.-P.25 31.

41. Гриневич B.C., Сердюк В.В., Смынтына В.А., Филевская Л.Н. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров на основе оксидных материалов // Журнал аналитической химии 1990—Т.45 — Вып.8.-С.1521 -1525.

42. Гриневич B.C., Сердюк В.В., Смынтина В.А., Филевская Л.Н. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров наоснове оксидных металлов // Ж. аналит. химии.- 1990.- т.45,- вып.8.-с.1521-1525.

43. Дорожкин JI.M., Розанов И.А. Химические газовые сенсоры в диагностике окружающей среды / Сенсор, 2001.-№2-с.2-10.

44. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Дырда Н.Н., Железный С.В. Использование нанокомпозитов на основе SnOx для микроэлектронных датчиков газов// Вестник ВГТУ, 2006, серия «Материаловедение» том 2, № 11, стр. 106 — 107.

45. Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова// Физика и техника полу-проводников.-2006.-т. 40.-вып.6.-с. 724 729.

46. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Комарова А.С., Дырда Н.Н. Структура и электрофизические свойства нанокомпозита SnOx:MnOy/ // Нано- и микросистемная техника.- 2006.- № 4.- с. 27-29.

47. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Новые направления физического материаловедения.- Воронеж.: ВГУ.- 2000.-360с.

48. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.

49. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников.-Воронеж.- 1989.- 224с.

50. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия.- 1970.-432с.

51. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федоров Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.-М.: Радио и связь.-1985.-284с.

52. Максимович Н.П., Дышель Д.Е., Еремина Л.Э. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред // Журн. аналит. химии — 1990— Т.45.-№7 С.1312-1316.

53. Gopel W., Schierbaum K.D. SnC>2 sensor: current status and future prospects // Sensor and Actuators.- 1995.- V. B, 26-27.- P. 1-12.

54. Рембеза Е.С., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Дырда Н.Н. Методы повышения газочувствительных свойств пленок Sn02 для датчиков газов // Известия ВУЗов. Электроника. 2006. - № 1. - С. 3-8.

55. Кукуев В.И., Рембеза Е.С., Домашевская Э.П. Микроструктура и электропроводность сенсорных слоев диоксида олова // Перспектив, материалы. 2000. - №3. - С.42-48.

56. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А. и др. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой // Кристаллография.- 1997.- т.42.- №5.- С.901-905.

57. McAleer J.F., Moseley Р.Т., Norris J.O.W., Williams D. E. Tin dioxide gas sensors // J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1.- 1987. Vol.83.-P.1323-1346.

58. Кукуев В.И., Рембеза Е.С., Джадуа М.Х. Характер изменения электропроводности сенсорных слоев на основе диоксида олова // Перспективные материалы. 2002. - № 1. - С. 20-24.

59. Gopel W., Schierbaum K.D. Sn02 sensor: current status and future prospects // Sensor and Actuators. 1995. - Vol. B,26 -27. - P.l - 12.

60. Bornand E. Influence of the annealing temperature of non-doped sintered tin dioxide sensors on their sensitivity and response time to carbon monoxide // Sensor and Actuators, 1983 № 4.-P.613 - 620.

61. Бутурлин А.И., Габузян Г.А., Голованов H.A., Бараненков И.В., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Фадин В.Г., Чистяков Ю.Д. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. 1983. - №10. - С. 3 - 38.

62. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Дырда Н.Н. Повышение селективности газовой чувствительности пленок-композитов Sn0x:Si02 / Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т,2005-с. 87-91.

63. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Дырда Н.Н. Применение нанокомпозитов на основе Sn02 для контроля содержания формальдегида в воздухе/ III Всероссийская конференция «ФАГРАН-2006»// Материалы конференции.- Воронеж.-том I.- стр. 419-421

64. Sanon G., Mansingh A. Growth and characterisation of tin oxide films prepared by chemical vapour deposition // Thin Solid Films.- 1990 Vol. 190-P.287 -301.

65. Ansari S.G., Boroojerdian P., Sainkar S.R., Karekar R.N., Aiyer R.C. and Kulkarni S.K. // Thin Solid Films. 1997. - V.295. - P. 271.

66. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники.- Ставрополь: СевКавГТУ, 2002. 432с.

67. Ansari S.G., Boroojerdian P., Sainkar S.R., Karekar R.N., Aiyer R.C. and Kulkarni S.K. // Thin Solid Films. 1997. - V.295. - P. 271.

68. Chung W., Shim C., Choi S., Lee D. Tin oxide microsensor for monitoring / Sensors and Actuators В 20-1994-pp. 139-143.

69. Адамсон А. Физическая химия поверхностей / Пер. с англ.- М.: Мир.- 1979.- 568 с.