Тонкопленочная технология изготовления функциональных элементов газовых сенсоров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Куликов, Дмитрий Юрьевич

• Куликов, Дмитрий Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Куликов, Дмитрий Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ

1.1 Конструкции газовых сенсоров.

1.2 Характеристика диоксида олова как сенсорного материала.

1.3 Методы изготовления пленок диоксида олова.

1.4 Вакуумное нанесение тонких пленок.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК

2.1 Конструкция кристалла газового сенсора.

2.2 Изготовление металлических и полупроводниковых пленок.

2.3 Исследование газочувствительных свойств пленок диоксида олова и газовых сенсоров на их основе.

ГЛАВА 3. КОНСТРУКЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ НАГРЕВАТЕЛЯ

И КОНТАКТОВ К ЧУВСТВИТЕЛЬНОМУ ЭЛЕМЕНТУ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ

3.1 Выбор конструкционных материалов для нагревателя и контактов к чувствительному элементу газовых сенсоров.

3.2 Технология формирования нагревателя и контактов к чувствительному элементу газовых сенсоров.

3.3 Термическая стабильность систем металлизации на основе платины

3.3.1 Системы металлизации ЫЬ-Р^ У-Р1:, Мо-ТЧ.

3.3.2 Система металлизации Т1-Р1.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА ДЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА

ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ

4.1 Изготовление пленок диоксида олова методом реактивного магнетронного распыления.

4.2 Формирование топологии пленок диоксида олова.

4.3 Термический отжиг пленок диоксида олова.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И

ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА И ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

5.1 Электрические и газочувствительные свойства пленок диоксида олова.

5.2 Электрические и газочувствительные свойства газовых сенсоров.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Тонкопленочная технология изготовления функциональных элементов газовых сенсоров»

Актуальность темы

С развитием автоматизации многих сфер деятельности человека и повышением требований безопасности значительно возрос спрос на датчики газовых сред. Измерительным элементом датчика является газовый сенсор. Высокая чувствительность к токсичным и взрывоопасным газам резистивных сенсоров на основе металлооксидных полупроводников позволяет использовать их в пожарной сигнализации и детекторах утечки природного газа. В связи с этим ведущие мировые производители (Rilken Keiki, Nippon Monitors, Figaro, Taguchi и др.) вот уже несколько десятилетий занимаются исследованиями, разработкой и производством сенсоров такого типа.

В зависимости от технологии изготовления газовые сенсоры на основе металлооксидных полупроводников можно разделить на три большие группы: керамические, толстопленочные и тонкопленочные. Серийно выпускаемые в мире сенсоры получают в основном по керамической и толстопленочной технологии. Главный недостаток данных технологий заключается в сложности получения газочувствительного слоя с заранее заданными и воспроизводимыми электрофизическими параметрами, что важно для серийного производства.

Наиболее перспективными являются тонкопленочные сенсоры, т.к. за счет применения высокотехнологичных процессов изготовления микроэлектронных приборов может достигаться воспроизводимость параметров, массовость производства и низкая себестоимость газовых сенсоров. Кроме того, экспериментально показано, что газочувствительные свойства оксидов металлов улучшаются при переходе к ультрадисперсным слоям с размерами зерна порядка десятков нанометров. Это обусловлено тем, что процессы, определяющие изменение электрофизических свойств оксидов при изменении состава окружающей среды, происходят на их поверхности, а тонкопленочные слои имеют выгодное соотношение поверхности и объема.

Тонкопленочная технология производства отличается от толстопленочной используемыми материалами, технологией нанесения и формирования функциональных элементов газового сенсора: нагревателя, измерителя температуры, чувствительного элемента и контактов к нему. Несмотря на многолетнюю историю исследований, задача серийного выпуска тонкопленочных сенсоров еще не решена.

В настоящее время исследован широкий спектр оксидных полупроводников для использования их в качестве чувствительного материала резистивных газовых сенсоров. Наибольшее практическое применение нашел диоксид олова (8пОг), что в первую очередь связано с чрезвычайной чувствительностью его электропроводности к состоянию поверхности, контактирующей с газовой фазой, в относительно низкой области рабочих температур 200 - 500 °С.

Среди способов изготовления тонких газочувствительных пленок диоксида олова наиболее перспективным является метод реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Это связано с простотой его реализации на основе промышленного оборудования для вакуумного напыления, используемого в микроэлектронной технологии. Метод заключается в магнетронном распылении мишени из металлического олова в смеси газов: рабочего - аргона (Аг) и реактивного - кислорода (Ог). Однако большинство исследований этого метода изготовления газочувствительных пленок производилось на экспериментальных и лабораторных установках вакуумного напыления, которые значительно отличаются по своим техническим характеристикам от оборудования, применяемого в серийном производстве микроэлектронных приборов.

В процессе работы газовые сенсоры подвергаются воздействию температур порядка 500 °С и циклам нагрева-остывания, необходимым для дегазации чувствительного элемента. Кроме того, в отличие от микросхем, сенсоры не герметизированы и постоянно находятся в контакте с высокоагрессивными веществами. Поэтому, тонкопленочная технология изготовления должна обеспечивать стабильность электрофизических параметров всех элементов газового сенсора.

Таким образом, вопросы разработки тонкопленочной технологии изготовления функциональных элементов газового сенсора - нагревателя, измерителя температуры, чувствительного элемента и электрических контактов к нему - являются актуальными.

Работа выполнялась по плану работ ГБ 2004-34 "Исследование полупроводниковых материалов (81, А3В5, А4В62), приборов и технологии их изготовления" (№ г.р.0120.0412888) кафедры ППЭ ВГТУ, а также в соответствии с программой регионального гранта РФФИ "Использование нанокристаллических многокомпонентных композитов для разработки высокочувствительных датчиков газов" (06-02-96500-рцентрофи).

Цель работы заключалась в разработке тонкопленочной технологии изготовления функциональных элементов сенсоров газовых сред на оборудовании, используемом в серийном производстве микроэлектронных приборов.

Для достижения поставленной цели в диссертации следовало решить следующие задачи:

1. Установить и оптимизировать технологические режимы изготовления пленок диоксида олова методом реактивного магнетронного распыления (состав газовой смеси Аг+Ог, ток и напряжение разряда) с использованием промышленного оборудования.

2. Исследовать долговременную термическую стабильность многослойных металлических пленок для использования их в качестве конструкционного материала нагревателя, измерителя температуры и электрических контактов к чувствительному элементу газового сенсора.

3. Исследовать электрофизические и газочувствительные свойства легированных пленок диоксида олова в зависимости от условий их изготовления.

4. Оптимизировать схему технологического маршрута изготовления функциональных элементов газового сенсора для улучшения их адгезионных свойств и стабильности электрических параметров.

5. Изготовить макетные образцы газовых сенсоров в соответствии с разработанным маршрутом изготовления функциональных элементов и исследовать их электрические и газочувствительные свойства.

Объектами исследований служили тонкие многослойные металлические пленки и полупроводниковые пленки диоксида олова, изготовленные методом магнетронного распыления на постоянном токе.

Научная новизна

1. Установлена корреляция между процентным содержанием атомов кислорода в пленках оксида олова и величиной напряжения при реактивном магнетронном распылении. Полученные результаты позволяют определять режимы нанесения пленок заданной стехиометрии.

2. Для повышения стабильности электросопротивления тонкопленочных элементов газового сенсора, состоящих из системы металлов титан-платина (нагревателя, измерителя температуры и контактов к чувствительному элементу), в процессе длительной работы при температуре 500 °С предложено использовать промежуточный барьерный слой нитрида титана.

3. Впервые в качестве материала чувствительного элемента газового сенсора исследована и использована пленка диоксида олова с легирующей добавкой кремния в количестве 1 ат.%, обладающая стабильностью параметров и высокой газовой чувствительностью.

4. Исследовано влияние условий изготовления пленок диоксида олова, легированных кремнием и сурьмой, на величину их электросопротивления и газовой чувствительности. Выбраны условия синтеза пленок и термообработки, обеспечивающие оптимальные параметры и газочувствительные свойства.

Практическая значимость

1. Результаты работы могут быть использованы в других типах приборов как при разработке технологии формирования металлизации, работающей в условиях повышенной температуры, так и при отработке режимов изготовления методом реактивного магнетронного распыления любых металлооксидных пленок и нанокомпозитов.

2. Оптимизированная схема технологического маршрута и режимы изготовления функциональных элементов могут быть использованы как основа для серийного производства отечественных тонкопленочных резистивных газовых сенсоров на основе диоксида олова и других металлооксидных полупроводников.

3. В соответствии с предложенным технологическим маршрутом изготовлены макетные образцы тонкопленочных сенсоров газовых сред, которые могут быть использованы в устройствах индикации и аварийной сигнализации для предупреждения чрезвычайных ситуаций.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Корреляция между процентным содержанием атомов кислорода в пленках оксида олова и величиной напряжения на магнетроне при реактивном магнетронном распылении.

2. Использование промежуточного слоя нитрида титана (Т!Ы) для повышения стабильности электросопротивления тонкопленочной металлизации титан-платина (Т1—Р1) в процессе длительной работы при температуре 500 °С.

3. Зависимость электрических и газочувствительных свойств пленок диоксида олова от режимов нанесения и легирующих добавок кремния и сурьмы.

4. Режимы и способы изготовления функциональных элементов сенсора: нагревателя состоящего из И-ИМ-Р^ и газочувствительного элемента с улучшенной адгезией, заданными и стабильными электрическими параметрами.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно - технических семинарах: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2005-2007); XVI Научно -технической конференции с участием зарубежных специалистов "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления" (Москва, 2004); XXI Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 2004), 35 Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2006).

Макетный образец газового сенсора, изготовленный в результате работы, отмечен дипломом победителя конкурса "Инновации - 2006" на 7 Межрегиональной выставке "РОСПРОМЭКСПО" (Воронеж, 2006), а также Золотой медалью VI Московского международного салона инноваций и инвестиций (Москва, ВВЦ, 2006).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 10 научных работ, в том числе 1- в издании, рекомендованном ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: [1-10] - изготовление образцов тонких металлических и полупроводниковых пленок и кристаллов тестовых структур газового сенсора, [1,7,9,10] - экспериментальные исследования электрических свойств тонких пленок и обработка полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Работа изложена на 124 страницах, включая 5 таблиц, 59 рисунков и список использованной литературы из 94 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Куликов, Дмитрий Юрьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Установлена зависимость процентного содержания атомов кислорода в пленках оксида олова, осажденных методом реактивного магнетронного распыления, от величины напряжения на магнетроне. Это позволяет выбрать и оптимизировать технологические условия изготовления пленок оксида олова заданной стехиометрии.

2. В качестве конструкционного материала нагревателя, совмещающего функцию измерителя температуры и электрических контактов к чувствительному элементу газового сенсора, предложено использовать многослойные системы металлов на основе платины. Исследование термической стабильности на воздухе при температуре 500 °С нагревателя сенсора, состоящего из системы металлов Т[ - П, показало, что происходит увеличение его электросопротивления при отжиге, а возможным механизмом этого являются реакции взаимодействия компонентов системы. Для уменьшения взаимодействия Т1 и Р1 предложено использовать в качестве промежуточного барьерного слоя пленку ТПЧ. Многослойная система Т1 - Т1М - Р1 обеспечивает достаточную стабильность электрических параметров элементов газового сенсора в процессе длительной эксплуатации при температуре 500 °С.

3. Показано, что для стабилизации электросопротивления тонких пленок БпОг необходим отжиг не менее 5 часов на воздухе при температуре 500 °С. При этом легирующие добавки 81(1 ат.%) или 8Ь(0,8 ат.%) позволяют повысить стабильность электросопротивления слоев диоксида олова при дальнейшем отжиге. Введение добавки 8Ь приводит к увеличению, а добавки 81 к снижению проводимости пленок диоксида олова.

Установлено, что для термически стабилизированных пленок 8п02(8Ь) и 8п02(81) величина поверхностного сопротивления и относительной газовой чувствительности к парам этилового спирта в воздухе возрастает с увеличением концентрации кислорода в газовой смеси (Аг+02) при распылении. Размер агломератов пленок диоксида олова также возрастает с увеличением концентрации кислорода при распылении. В результате проведенных исследований выбраны оптимальные режимы изготовления газочувствительных пленок.

4. Оптимизирована схема технологического маршрута и отработаны режимы формирования тонкопленочных функциональных элементов газового сенсора: нагревателя, совмещающего функцию измерителя температуры, состоящего из Тл - ТгМ - Р1, и чувствительного элемента, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость электрических параметров. Формирование топологии чувствительного элемента сенсора производится методом «взрывной» литографии пленки диоксида олова. В качестве материала маски предложено использовать алюминий, благодаря которому удалось поднять температуру подложки перед нанесением до 330 °С и повысить адгезию пленки диоксида олова к подложке с термически выращенным оксидом кремния.

5. Исследованы электрические и газочувствительные свойства макетных образцов газовых сенсоров с чувствительным элементом БпОг-8Ь(0,8 ат.%) и 8п02-81(1 ат.%). Оба типа сенсоров обладают газовой чувствительностью, достаточной для разработки на их основе электронных приборов индикации и аварийной сигнализации. Высокая величина газовой чувствительности сенсора с чувствительным элементом БпОг^) позволяет повысить достоверность определения концентрации контролируемого газа и упростить измерительную схему прибора.

Автор выражает признательность и благодарность своему научному руководителю, профессору С. И. Рембезе под чьим руководством была выполнена эта работа, Б.Л. Агапову за сотрудничество при исследовании физических параметров тонких пленок, а также В.А. Буслову за участие в совместном обсуждении, полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Куликов, Дмитрий Юрьевич, 2007 год

1. Chung W., Shim С., Choi S., Lee D. Tin oxide microsensor for LPG monitoring / Sensors and Actuators В 20 (1994) p. 139-143.

2. Storm U., Bartels О., Binder J. A resistive gas sensor with elimination and utilization of parasitic electric fields / Sensors and Actuators В 77 2001, p.529-533.

3. Astie S., Gue A.M., Scheid E., Guillement J.P. Design of a low power Sn02 gas sensor integrated on silicon oxynitride membrane / Sensors and Actuators В 67 (2000) p.84-88.

4. Gotz A., Gracia I., Plaza J.A., Cañé С., Roetsch P., Bottner H., Seibert К. A novel methodology for the manufacturability of robust CMOS semiconductor gas sensor arrays / Sensors and Actuators В 77 (2001) p.395-400.

5. Cane C., Gracia I., Gotz A., Fornseca L., Lora-Tamayo E., Horrilo M.C., Sayago I., Rodrigo J., Gutierrez J. Detection of gases with arrays of micromachined tin oxide gas sensors / Sensors and Actuators В 65 (2000) p.244-246.

6. Becker Th., Ahlers S., Bosch-v.Braunmuhl Chr., Muller G., Kiesewetter O. Gas sensing properties of thin- and nhick-film tin-oxide materials / Sensors and Actuators В 77 (2001) p.55-61.

7. Simon I., BaArsan N., Bauer M., Weimar U. Micromachined metal oxide gas sensors: opportunities to improve sensor performance / Sensors and Actuators В 73 (2001) p. 1-26.

8. Semancik S., Cavicchi R.E., Wheeler M.C., Tiffany J.E., Poirier G.E., Walton R.M., Suehle J.S., Panchapakesan В., DeVoe D.L. Microhotplate platforms for chemical sensor research // Sensors and Actuators В 77 2001, p.579-591.

9. Wheeler M.C., Tiffany J.E., Wolton R.M., Cavicchi R.E., Semancik S. Chemical crosstalk between heated gas microsensor elements operating in clos proximity / Sensors and Actuators B,2001-pp.l0-14.

10. Udo Weimar, Wolfgang Gopel A.C. measurements on tin oxide sensors to improve selectivities and sensitivities / Sensors and Actuators B, 1995.-pp. 18-23.

11. Tuller H., MIcak. R. Photo-assisted silicon micromachining: opportunities for chemical sensing / Sensors and Actuators В 35/36 (1996) p.255-261.

12. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М: Наука, 1970. - 399 с.

13. Lee D., Chung W., Choi M., Back J. Low-power micro gas sensor / Sensors and Actuators В 33 (1996) p.147-150.

14. Виглеб Г. Датчики M.: Мир, 1989. - 196 с.

15. Бутурлин А.И., Габузян Т.А., Голованов Н.А. Газочувствительные датчики на основе металлоксидных полупроводников / Зарубежная электронная техника №10, 1983, стр. 3-39.

16. Дерягин Б.В., Кротова Н.А., Смилга В.П. Адгезия твердых тел.- М.: Наука, 1973.-279с.

17. Chung W., Shim С., Choi S., Lee D. Tin oxide microsensor for monitoring / Sensors and Actuators В 20-1994-рр.139-143.

18. Pring Ping Tsai, I-Cherng Chen, Chao-Jen Ho Utralow power carbon microsensor by micromachining techniques / Sensors and Actuators В 76 (2001) p.380-387.

19. Hyeon Soo Park and all Tin oxide micro gas sensor for detecting CH3SH / Sensors and Actuators В 24-25 (1995) p.478-481.

20. Terry L.E., Wilson R.W. Системы металлизации для интегральных схем на основе кремния / Труды института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике. Пер с англ.-М.:Мир, 1970-№9-с. 129-135.

21. Руднев В.В., Лавреньтьев. К.М., Аигина Н.Р., Белова Н.С. Металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем / Зарубежная электронная техника.-М.: «Электроника», №19-1982г.

22. Esch Н., Huyberechts G., Mertens R., Maes G, Manca J., De Ceuninck W. The stability of Pt heater and temperature sensing elements for silicon integrated tin oxide gas sensors / Sensors and Actuators В 65-2000-рр.190-192.

23. Gerd Sulz, Gerd Kuhener, Helmut Reiter, Gabi Uptmoor, Werner Schweizer, Helga Low, Manfred Lacher and Klaus Steiner Ni, In and Sb implanted Pt and V catalysed thin-film Sn02 gas sensors / Sensors and Actuators В 15-16 1993-pp.390-395.

24. Vila A. and all. Reliability analysis of Pt-Ti micro-hotplates operated at high temperature / Journal of Micromechanics and Microengineering.-2003.-No.13-pp. 119-124.

25. Технология тонких пленок. T.l. Справочник / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. под ред. М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко.-М.: «Сов. Радио», 1977.- 664 с.

26. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник / Изд. 2-е -М: «Химия»,1978 392 с.

27. Панкратов Е.М., Рюмин В.П., Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова М.: Энергия, 1969 - 56 с.

28. Onyiat A.I., Okeket С.В. Fabrication and characterisation of tin oxide Sn02 thin films using simple glass spray systems / Appl. Phys 1989 - Vol.22.- P.1515 -1517.

29. Maliv V. and all ITO films for metallization in microlecfr devices / Thin Solid Films, 1989-V 170, No.2-pp.l51-162.

30. Технология тонких и толстых пленок / Рейсман А., Роуза К. М.: Мир, 1972.- 175 с.

31. Rajnish K.Sharma, Zhenan Tang, Philip C.H.Chan, Johnny K.O.Sin, I-Ming Hsing Compatibility of CO gas sensitive SnOx/Pt thin film with silicon circuit processing / Sensors and Actuators В 64, 2000-рр.13-17.

32. Румянцева M.H., Сафонова O.B., Булова M.H., Рябова Л.И., Гаськов A.M. Газочувствительные материалы на основе диоксида олова / Сенсор,2003.-№2-с.8-33.

33. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

34. Wollenstein J., Bottner H., Jaegle M., Becker W.J., Wagner E. Material properties and the influence of metallic catalysts at the surface of highly dense Sn02 films / Sensors and Actuators В 70-2000-pp. 196-202.

35. Гуляев A.M., Мухина О.Б., Варлашов И.Б., Сарач О.Б., Титов В.А., Бурцев М.С., Прохоров В.В. Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров на основе Sn02, полученных реактивным магнетронным напылением / Сенсор,2001 .-№2-с. 10-21.

36. Анисимов О.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г., Хлудкова JI.C., Черников Е.В. Особенности электрических и газочувствительных характеристик, полученных катодным напылением тонких пленок диоксида олова / Сенсор,2003.-№ 1-е. 40-47.

37. Hisashi Fukuda, Kouichiro Kasama, Shigeru Nomura Highly sensitive MISFET sensors with porous Pt-Sn02 gate electrode for CO gas sensing applications / Sensors and Actuators В 64-2000-рр.163-168.

38. Рембеза С.И., Свистова T.B., Дырда H.H. Повышение селективности газовой чувствительности пленок-композитов Sn0x:Si02 / Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: Воронеж. Гос. Техн. Ун-т,2005-е. 87-91.

39. Вощилова Р. М., Димитров Д.П., Долотов Н.И., Кузьмин А.Р., Махин

40. A.В., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных магнетронным распылением / Физика и техника полупроводников.-1995.-Т.29.- №11-С. 1987-1993.

41. Zemel J.N. Theoretical description of gas film interaction on SnOx // Thin Solid Films. - 1988.-Vol.163.-P. 189-202

42. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А., Марончук И.Ю., Попушой

43. B.В. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / Кристаллография.-1997.-Т.42-№5.-С.901-905.

44. Beensh-Marchwicka G., Krol-Stepniewska L., Misiuk A. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of SnCMhin films / Thin Solid Films-1984 Vol.113.- P.215 - 224.

45. Rekas M., Szklarski Z. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films / Bull. Polish Academy Sci. Chem-1996-Vol.44.-№ 3.-P. 155-177.

46. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.В. Технология производства резисторов. / Учебное пособие для специальности «Полупроводники и диэлектрики»-М.: «Высшая школа», 1972 312с.

47. Onyiat A.I., Okeket С.В. Fabrication and characterisation of tin oxide SnC>2 thin films using simple glass spray systems / Appl. Phys 1989 - Vol.22.- P. 1515 -1517.

48. Астафьева JI.B., Скорняков Г.П. Установка для получения пленок двуокиси олова / ПТЭ.-1980.- №5.- С.235 237.

49. Бутурлин А.И., Габузян Т.А., Голованов Н.А. Газочувствительные датчики на основе металлоксидных полупроводников / Зарубежная электронная техника №10, 1983, стр. 3-39.

50. Serrini P., Briois V., Horillo М.С., Traverse A., Manes L. Chemical composition and crystalline structure of SnC>2 thin films used as gas sensors / Thin Solid Films,1997.-V.304-pp.l 13-122.

51. Nancheva N., Docheva P., Hadjijska P., Misheva M., Djourelov N. and Elenkov D. Imvestigations of the effect of oxygen and substrate bias on sputter-deposited SnOx films / Scripta Materialia, 1997-Vol. 37, No. 12- pp. 1957-1962.

52. Holland L. Vacuum Deposition of Thin Films / Пер. с англ. H.B .Васильченко.-М.Тосэнергоиздат, 1962.-600с.

53. Zhenan Tang, Guoping, Philip C.H.Chan, Johnny K.O.Sin, Silvanus S. Lau Theory and experiments on r.f. sputtered tin oxide thin-films for semsimg applications / Sensors and Actuators В 43-1997-pp,12-18.

54. Popova L.I., Michailov M.G., Georguiev V.K. Structure and morphology of thin films / Thin Solid Films, I990.-Vol.l86-P/107- 112.

55. Минайчев В.Е. Нанесение пленок в вакууме. / Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн.: Учебное пособие. Кн.6.-М.: «Высшая школа», 1989.-1 Юс.

56. Лабунов В.А., Данилович Н.И., Уксусов A.C., Минайчев В.Е. Современные магнетронные распылительные устройства. / Зарубежная электронная техника. №10 (256).-М.:ЦНИИ «Электроника», 1982.-100с.

57. Минайчев В.Е., Одиноков В.В., Тюфаева Г.П. Магнетронные распылительные устройства (магратроны). / Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 8(659). -М.:ЦНИИ «Электроника», 1979.-56с.

58. Корчагин Б.В., Орлов В.И. Нанесение металлов и их соединений методами магнетронного и диодного распыления. / Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 15(1222).-М.:ЦНИИ «Электроника», 1986.-42с.

59. Иванов Р. Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем.-М.: «Энергия», 1972.-112с.

60. Никоненко В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Д.Кузнецова. М:МИСиС,2001.-48с.

61. Рембеза С.И., Буслов В.А., Рембеза Е.С., Викин О.Г., Викин Г.А. Твердотельный интегральный датчик газов / Патент РФ № 2257567 от 27.07.2005 г.

62. Рембеза С.И., Просвирин ДБ., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлоксидных интегральных сенсоров газов / Сенсор, 2004, №1, с. 20-28.

63. Агрегат непрерывного действия 01НИ-7-006. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. дЕМ3.273.038ТО, 1979.

64. Техническое описание. Вакуумметр ионизационно-термопарный типа ВИТ-2, ВИТ-2П Вильнюс: НИИ Радиоизмерительных приборов, 1979.-53с.

65. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Регулятор расхода газа РРГ-9. дЕМ3.486.059.ТС).

66. Руководство по эксплуатации. Цифровой двухканальный термометр АТТ-2001 -АКТАКОМ.

67. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. -Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.

68. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Цифровой прибор измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов ИУС-3. дЕМ2.600.002.ТС>.

69. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники,-Ставрополь: СевКавГТУ, 2002. 432с.

70. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов / Пер. с англ., Под ред. Утевского Л.М.-М: «Мир», 1968.-573с.

71. ASTM diffraction data card file. Joint committee on powder diffraction standards. Pennsilvania, 1972.

72. Дорожкин Л.М., Розанов И.А. Химические газовые сенсоры в диагностике окружающей среды / Сенсор, 2001.-№2-с.2-10.

73. Игнатов Н. Датчики газа фирмы Figaro / Электроника: Наука, Технология, Бизнес,2005.-№2-с.34-37.

74. Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Тепловые переходные процессы в газовых сенсорах. // "Сенсор", 2005г., №1, с. 49-54.

75. Руководство по эксплуатации. Цифровой универсальный измерительный прибор ЦУИП дЕМ3.410.001.Ф.

76. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. - 432 с.

77. Mattox D. Тонкопленочная окисная металлизация, применяемая в микроэлектронике. Thin Solid Films, 1973, №2, с. 173 - 186.

78. Химия: Энциклопедия химических элементов / Под ред. проф. А.М.Смолеговского. Х46М.: Дрофа, 2000. - 432с.

79. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1986, с. 120 - 129.

80. Harold Sobol, // Applications of Integrated Circuit Technology of the IEEEE, (1971)№8 p.59

81. Научно-технический отчет по теме 16/86 р.7 «Разработка технологии металлизации мощных СВЧ-транзисторов» / Ю.И.Дикарев, Э.П.Домашевская -Воронеж: ВГУ- 1990г.

82. Структуры двойных сплавов / М.Хансен, К.Андерко Пер.с англ. М.: 1962г.

83. Hill.M. Magnetron spatteerered titanium tungsten film / Solid State Technology. - 1980.-V.23, №1.

84. Wittmer M. Barrier layers and applications in microelectronics / J. Vac. Sei. And Technol. 1984, A2, №2, Pt 1, pp. 273 - 280.

85. Патент 3879746 (США), 357-71.

86. Куликов Д.Ю., Рембеза С.И., Буслов В.А., Жиронкин С.Ю. Повышение надежности тонкопленочного нагревателя и токоведущих дорожек газовыхсенсоров / Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2007, с. 43 48.

87. Рембеза С.И., Бутырин Н.П., Куликов Д.Ю., Просвирин Д.Б. Технология получения тонких пленок SnOx / С.И. // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 76-81.

88. Куликов Д.Ю., Рембеза С.И., Буслов В.А., Жиронкин С.Ю., Агапов Б.Л. Оптимизация технологии изготовления тонких пленок Sn02 для датчиков газов / Датчики и системы, 2007, № 10, с. 41 44.

89. Кисин В.В., Ворошилов С.А., Сысоев В.В., Симаков В.В. Моделирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пленок оксида олова / Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4, с. 112-113.

90. Маклаков С.А., Жаботинский В.А., Ивановский Г.Ф., Кузькин В.И., Слепцов В.В. Получение пленок двуокиси кремния методом высокочастотного магнетронного распыления / Зарубежная электронная техника, №2(321)-М.:ЦНИИ «Электроника», 1982.-100с.

91. Белко В.В., Калинина Н.Э., Борисенко В.Е. Формирование топологии элементов интегральных схем методом взрывной литографии / Зарубежная электронная техника.-М: ЦНИИ «Электроника», 1987-№5.

92. Ермолаев Л.А., Кондратов Н.М. и др. / Электронная техника М: «Материалы», 1971, №5, - 33с.

93. Васильев Р.Б., Румянцева М.Н., Дорофеев С.Г., Поташникова Ю.М., Гаськов A.M. Влияние размера кристаллита на ионную и электронную проводимость ультрадисперсных Sn02 и 1п20з / "Сенсор", 2004, №1, с. 33-37.