Влияние легирования и термических процессов на газочувствительные свойства пленок диоксида олова тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Борсякова, Ольга Ивановна

• Борсякова, Ольга Ивановна
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Борсякова, Ольга Ивановна

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О

МЕХАНИЗМАХ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Кристаллическая решетка диоксида олова, её строение. Зонная структура 8п

1.2. Взаимодействие молекул газов с поверхностью металлооксидных полупроводников

1.3. Существующие модели токопереноса и газовой чувствительности

1.3.1. Электрическая модель

1.3.2. Барьерная модель

1.3.3. Модели газовой чувствительности

1.4. Влияние микроструктуры пленок на их газовую чувствительность

1.5. Влияние легирования на газовую чувствительность пленок

Выводы к первой главе

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Подготовка подложек

2.2. Методы получения слоев диоксида олова

2.2.1. Метод магнетронного распыления

2.2.2. Метод ионно-плазменного распыления

2.3. Измерение толщины и методы измерения оптических параметров пленок 8пОг

2.3.1. Измерение толщины пленок БпОг

2.3.2. Методы измерения оптических параметров пленок БпОг

2.4. Методы измерения электрических параметров пленок 8п

2.4.1. Измерение удельного сопротивления

2.4.2. Температурные зависимости электрических параметров пленок 8п02, измеренные с помощью эффекта Холла

2.5. Методика измерения газовой чувствительности пленок 8п

2.6. Методика легирования пленок диоксида олова примесями палладия и платины

Глава 3. ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ ПЛЕНОК 8п02 РАЗЛИЧНЫМИ ВИДАМИ ОТЖИГОВ

3.1. Влияние изотермического отжига на физические и газочувствительные свойства пленок БпОг

3.2. Влияние импульсного фотонного отжига на физические свойства пленок 8п

3.3. Термостабилизация элементов микроэлектронного датчика газов на основе 8п

Выводы к третьей главе

Глава 4. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ БЛАГОРОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА СВОЙСТВА ПЛЕНОК 8п

4.1. Основные параметры пленок 8п02 легированных палладием и платиной

4.2. Исследование электрических свойств пленок 8п02 легированных палладием и платиной

4.3. Газочувствительные свойства пленок 8п02 легированных палладием и платиной

Выводы к четвертой главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние легирования и термических процессов на газочувствительные свойства пленок диоксида олова»

Актуальность темы. Загрязнение природы продуктами жизнедеятельности человека делает неотложной проблему контроля состояния окружающей среды. Эту проблему невозможно решить без наличия недорогих, экономных и надежных датчиков токсичных и взрывоопасных газов. Для разработки датчиков газов необходимо создание высокочувствительных сенсорных слоев с заданными физическими свойствами. Активные научные и технологические исследования, связанные с различными газовыми датчиками, стимулируются потребностями экологического мониторинга, контроля технологических процессов, аналитического обеспечения техники безопасности и т.д.

Газовые сенсоры на основе металлооксидных полупроводниковых соединений остаются одними из самых перспективных. В то же время, несмотря на 40 лет, прошедших со времени открытия принципа их действия, до конца не отработана ни их технология, ни изучена физика их работы.

В основе их работы лежит адсорбция молекул кислорода из воздуха на поверхностных состояниях нагретого до температуры 100-400°С металлоок-сида с образованием ионов Ог", О", О В результате возникающего эффекта поля электрическое сопротивление датчика увеличивается. При появлении в атмосфере восстанавливающих реагентов (СО, СН4 и т.п.) ионы кислорода на поверхности сенсора вступают с ними в реакцию и сопротивление сенсора уменьшается. Кажущаяся простота скрывает много тонкостей как в физике работы, так и в технологии изготовления датчиков. Естественно первым вопросом является вопрос селективности, так как с одной стороны датчики реагируют на большое число восстанавливающих реагентов, что хорошо, но с другой стороны это затрудняет определение конкретного реагента. Определить различные газы можно исходя из оптимальной рабочей температуры Тр, соответствующей максимальной газовой чувствительности. Второй путь введение "добавок" в количествах, значительно превышающих обычное легирование полупроводниковых материалов.

Чувствительность сенсоров может быть значительно повышена напылением на их поверхность кластеров Р1 и Рс1, которые являются эффективными катализаторами/43/. Процесс адсорбции и десорбции газовых молекул на поверхность сенсоров является достаточно сложным и включает, вероятно, перемещение по поверхности молекул и ионов с учетом весьма большой структурированности поверхности, так как пленки металлооксида являются поликристаллическим материалом. На границах кристаллитов образуются потенциальные барьеры, высота которых может определяться как объемной концентрацией носителей заряда, так и ионами кислорода на поверхности. Более того, вакансии кислорода в 8п02 являются донорами и при условии образования нестехиометрического состава определяют объемную начальную концентрацию электронов. От размеров кристаллитов зависит активная поверхность сенсора. В связи с этим в ряде случаев стараются получить сенсоры с минимальными размерами кристаллитов /11/. В то же время сенсор работает при достаточно высоких температурах, что может приводить к укрупнению кристаллитов и изменению параметров прибора.

В настоящее время существует весьма широкий набор технологий изготовления сенсоров, включающий спекание керамики, получение толстых пленок золь-гель методом, напыление тонких пленок распылением электронным лучом таблеток окисла, ВЧ магнетронным распылением металлооксида и распыление на постоянном токе металлической мишени в атмосфере, содержащей кислород. В каждом из этих методов существует целый ряд различий в использованных технологиях.

Цель работы заключается в исследовании влияния легирования и термических процессов на газочувствительные свойства тонких пленок 8п02, используемых в качестве сенсорных слоев твердотельных датчиков газов. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Установить режимы воспроизводимого изготовления тонких пленок диоксида олова методами магнетронного и ионно-лучевого реактивного распыления. Исследовать структуру и фазовый состав, электрофизические и оптические свойства пленок диоксида олова, полученных различными методами.

2. Исследовать влияние режимов термообработок (изотермического отжига и импульсного фотонного отжига) пленок диоксида олова на их структуру и стабилизацию физических параметров.

3. Определить механизмы электропроводности пленок диоксида олова в широком интервале температур (20 - 400 °С) в зависимости от условий и их получения и методов термообработок.

4. Исследовать в интервале температур 200 - 400°С газовую чувствительность пленок диоксида олова прошедших разные виды термообработок и предложить физическую модель для объяснения газосенсорных свойств.

5. Отработать технологию получения легированных слоев диоксида олова с использованием растворимых соединений каталитически активных металлов и исследовать влияние примесей-катализаторов на газочувствительные свойства пленок.

6. Установить механизмы влияния примесей-катализаторов палладия и платины на газовую чувствительность пленок диоксида олова.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны тонкие пленки диоксида олова, полученные методами магнетронного и ион-но-плазменного напыления на подложках из стекла. В качестве легирующих добавок применялись Рс1 и Р1

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1) установлена зависимость электрофизических параметров пленок диоксида олова от режимов реактивного магнетронного и ионно-лучевого напыления;

2) установлен характер влияния изотермического и импульсного фотонного отжигов на морфологию и электрические параметры пленок диоксида олова. Показано, что импульсный фотонный отжиг стабилизирует параметры газочувствительного слоя за более короткое время по сравнению с изотермическим процессом термообработки пленок диоксида олова;

3) из сравнения размеров зерен поликристаллов диоксида олова и деба-евской длины экранирования определен механизм электропроводности пленок термообработанных при постоянной температуре и методом импульсного фотонного отжига;

4) установлены механизмы газовой чувствительности пленок диоксида олова после изотермического и импульсного фотонного отжигов;

5) определены технологические режимы получения слоев 8п02, легированных различными видами благородных металлов, для использования их в качестве газочувствительных элементов датчика;

6) установлены механизмы влияния примесей палладия и платины на газочувствительные свойства пленок диоксида олова.

Практическая значимость:

1) Технологические режимы изготовления и термообработки пленок диоксида олова, полученные в процессе выполнения диссертации, могут быть использованы для изготовления чувствительных элементов датчиков газов.

2) Методика легирования пленок диоксида олова примесями палладия и платины и результаты проведенных исследований могут быть использованы для улучшения газочувствительных параметров датчиков и снижения их потребляемой мощности.

3) Режимы термостабилизации тонкопленочной приборной структуры датчика газов могут быть использованы в технологии их серийного производства.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Проведение изотермического отжига и импульсного фотонного отжига улучшает газочувствительные свойства пленок ЗпСЬ, полученных методами реактивного магнетронного и ионно-лучевого напыления. Изотермический отжиг позволяет проводить стабилизацию параметров всех элементов датчика, в том числе и тестовых структур, в оптимальном режиме: Т=500°С, 1=4 часа.

2. Импульсный некогерентный световой отжиг пленок диоксида олова (Т=600°С, 1=0,3 с) позволяет получать пленки с высокой газовой чувствительностью с размером зерна меньше 50 нм.

3. Электропроводность иследованных пленок диоксида олова после изотермического и импульсного фотонного отжигов осуществляется по механизму ультрамалых частиц.

4. Механизм газовой чувствительности пленок диоксида олова после проведения импульсного фотонного отжига описывается моделью взаимодействия с кислородом, хемосорбированным на поверхности диоксида олова.

5. Легирование методом пропитки пленок диоксида олова примесями палладия и платины стабилизирует их электрические параметры и снижает температурный порог реакции взаимодействия газов-восстановителей с пленкой диоксида олова.

6. Примеси Рё и Р1 улучшают газочувствительные свойства пленок диоксида олова за счет одновременного действия каталитического и электронного механизмов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Второй Международной конференции "Физико-технические проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий" (Москва, 1997); научно-практической конференции ВВШ МВД России (Воронеж, 1997); X,XI,XII,XIII научно-технических конференциях "Датчик-98,99,2000,2001" (Крым, 1998-2001); Международных научно-технических семинарах "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1998,1999,2000,2001); Международной конференции "Еигозепзог-ХП" (Саутгемптон, Англия, 1998); Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедение" (Воронеж, 1999), Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1999), Всероссийской конференции "Сенсор-2000" (Санкт-Петербург, 2000), III Всероссийской науч. конференции "Физические проблемы экологии (Экологическая физика)" (Москва, 2001), а также на научных семинарах и конференциях Воронежского государственного технического университета.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 29 печатных работ.

В совместных работах автор принимал участие в подготовке и проведении эксперимента, в обсуждении результатов и подготовке работ к печати.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы (93 наименования). Объем диссертации составляет 156 страницы машинописного текста, включая 77 рисунков и 11 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Борсякова, Ольга Ивановна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Отработаны технологические режимы воспроизводимого изготовления тонких пленок диоксида олова - методами реактивного магнетронного и ионно-лучевого распыления.

2. Исследована структура и фазовый состав пленок диоксида олова с помощью рентгенодифракционного анализа и электронной микроскопии. Средний размер зерен исследованных пленок 10 -f 20 нм. Ширина запрещенной зоны, определенная из спектров оптического пропускания составляет АЕ ~ 3,4 эВ, что соответствует параметрам пленок SnOx (х < 2).

3. Температурная зависимость электросопротивления пленок диоксида олова включает две составляющие: полупроводниковый спад сопротивления до температур 150 - 200°С, обусловленный ионизацией мелких донорных уровней, и зависимость, обусловленную адсорбцией кислорода из воздуха кислородными вакансиями в интервале температур 200 - 400°С, приводящую к увеличению сопротивления пленок. Из сравнения средних размеров зерен исследуемых пленок с усредненной дебаевской длиной и исследуя влияние адсорбции молекул газа на концентрацию и подвижность свободных носителей заряда установлено, что электропроводность осуществляется по модели ультрамалых частиц.

4. Установлены и исследованы режимы термообработок (изотермического и импульсного светового отжигов) и их влияние на электрофизические свойства пленок диоксида олова. Выбраны оптимальные режимы термообработок для стабилизации параметров пленок и тестовых структур: термиче-скии отжиг при 500°С в течение 4 часов или импульсный фотонный отжиг при 600°С однократного воздействия длительностью 0,3 сек.

5. Исследованы газочувствительные свойства пленок диоксида олова, полученных различными способами. Пленки обладают хорошей чувствительностью к парам этанола и ацетона в воздухе в диапазоне концентраций 100 - 20000 ррш (0,01-2 об.%). Температура максимальной газовой чувствительности пленок диоксида олова в парах этилового спирта равна 330°С, в парах ацетона - 360°С. Газочувствительные слои характеризуются хорошей динамикой, время установления равновесия в системе пленка - исследуемый газ не превышает 10 минут в указанном интервале концентраций. Импульсный фотонный отжиг позволяет снизить до 5 минут время установления равновесия.

6. Установлен механизм газовой чувствительности пленок диоксида олова в интервале температур 200 - 400 °С. Показано, что контролируемые газы изменяют электросопротивление пленок 8п02 за счет взаимодействия с кислородом, хемосорбированным на поверхности диоксида олова в различных зарядовых состояниях в зависимости от температуры эксперимента. Механизм газовой чувствительности пленок диоксида олова после проведения изотермического и импульсного светового отжигов одинаков.

7. Разработана методика получения легированных слоев диоксида олова методом пропитки растворимыми соединениями каталитически активных металлов. В качестве режима стабилизации параметров пленок диоксида олова легированных палладием и платиной, выбран режим: 500 °С, 4 часа. При содержании примеси выше 1,5 % температура максимальной газовой чувствительности к парам спирта стабилизируется на уровне 200°С, а к парам ацетона на уровне 250°С. Введение примеси палладия в пленку диоксида олова увеличивает её газовую чувствительность почти в 2 раза по сравнению с нелегированной пленкой. Время установления равновесия легированных пленок в тазовой смеси 3-5 минут, что меньше чем у нелегированных пленок.

8. Установлен механизм влияния примесей - катализаторов палладия и платины на газовую чувствительность пленок диоксида олова. Показано, что при исследуемом способе легирования повышается газовая чувствительность и снижается температура максимальной чувствительности, обусловленная

146 одновременным действием двух механизмом: каталитического и электронного.

147

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, выполненная диссертация полностью отвечает поставленным целям и задачам. В ходе проведенной работы были изучены физические основы влияния легирования и термических процессов на газочувствительные свойства пленок диоксида олова, что позволяет улучшить технологию их изготовления, а также использовать пленки в качестве газочувствительных слоев твердотельных датчиков газов.

Исследования проведены на большом количестве образцов с использованием различных методов. Для выполнения исследований было разработано специальное оборудование, позволяющее исследовать свойства тонких пленок диоксида олова. Автор принимал непосредственное участие в подготовке оборудования и образцов к исследованиям.

Автор выражает благодарность Рембезе Е.С. за помощь при отработке технологии получения пленок диоксида олова методом магнетронного напыления и Ситникову A.B. за помощь в проведении ионно-плазменного метода напыления тонких пленок.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Борсякова, Ольга Ивановна, 2001 год

1. Виглеб Г. Датчики: Устройство и применение / Пер. с нем.- М.: Мир.- 1989.- 196с.

2. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов.- М.: Наука, 1983.-239 с.

3. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений группы AIVBVI.~ Кишинев.: ШТИИНЦА, 1981.-284 с.

4. Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. М.: Наука.-1978.- 168с.

5. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. А.А. Самсонова.-М.: Наука, 1978.-390 с.

6. Robertson I. Defect levels of Sn02 // Phis. Rev.- 1984.- Vol. B.-№ 30. -P. 3520 -3522.

7. Rekas M., Szklarski Z. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films // Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P.155-177.

8. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. - 432 с.

9. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-400 с.

10. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А.-М.: Наука, 1991. -327 с.

11. Гаськов A.M., Румянцева М.Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров// Неорганические материалы.- 2000.- №3.-с.369-378.

12. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 based devices // Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

13. Barsan N. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence // Sensor and Actuators-1994- Vol. B.-№ 17.-P.241 246.

14. Кучис E.B. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования.- М.: Радио и связь.-1990,- 264с.

15. Lemme Н. Gassensoren fur Umwelt und Proze(3me(3technik // J. Elektronik. - 1991. - №1. - S.42-47.

16. Ippommatsu M., Ohnishi H., Saski H., Matsumoto T. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect // J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 69(12). - № 15. - P.8368 - 8374.

17. Xu C., Tamaki J., MiuraN., Yamazoe N. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 // J. Electrochem. Soc. 1990-Vol.58.-№ 12.-P. 1143-1148.

18. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements // Sensor and Actuators-1991. Vol. B.-№3.-P.147 - 155.

19. Ogava H., Nishikawa M., Abe A. Hall measurement studies and electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films // J. Appl. Phis-1982. -Vol.53(6). P.4448 - 4456.

20. Horrillo M.C., Gutierrez J., Ares L., Robla J.I., Sayago I., Getino J., Agapito J.A. Hall effect measurement to calculate the conduction controlling semiconductor films of Sn02// Sensor and Actuators-1994.-Vol. A.- № 41-42.-P.619 -621.

21. Watson J., Ihokura K., Colest G.S.V. The tin dioxide gas sensor // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

22. Панкратов E.M., Рюмин В.П., Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова М.: Энергия, 1969 - 56 с.

23. Бутурлин А.И., Габузян Г.А., Голованов Н.А., Бараненков И.В., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Фадин В.Г., Чистяков Ю.Д.

24. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. 1983. - №10. - С. 3 - 38.

25. Технология СБИС / Под ред. С.Зи.-М.: Мир, 1986.-453 с.

26. Данилин Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок.- М.: Энергия, 1967.-312с.

27. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Новые направления физического материаловедения.- Воронеж.: ВГУ.- 2000.-360с.

28. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.

29. Инструкция к пользованию. Спектрофотометр СФ 16. - Л.: ЛОМО, 1975.-37 с.

30. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников.- Воронеж.- 1989.- 224с.

31. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия.- 1970.-432с.

32. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федоров Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.-М.: Радио и связь,-1985.-284с.

33. Гриневич B.C., Сердюк В.В., Смынтина В.А., Филевская Л.Н. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров на основе оксидных металлов // Ж. аналит. химии.- 1990.- т.45.- вып.8.-с.1521-1525.

34. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир,- 1980,-488с.

35. Кущев С.Б., Санин В.Н. О возможности импульсной обработки пленок на стекле.// Вестник ВГТУ.- Материаловедение.- вып 1.З.- 1998,-с.66 -69.

36. Scott D.M., Nicolet М.-А. The effects of implanted oxygen on Pd2Si formation // Nuclear Instruments and vtthods.- 1983.-V.209.- P.297-301.

37. Примаченко В.Е., Снитко О.В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников.- Киев.- Наук, думка.- 1988.- 232с.

38. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов // Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

39. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. - 399 с.

40. Электроаналитические методы в контроле окружающей среды / под ред. Неймана Е.Я. М.: Химия.- 1990.- 240с.

41. Moppison S.R. Selectivity in semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators.- 1987.- V.12.- P.425-440.

42. Yamazoe N., Kurokawa Y., Seiyama T. Effects of additives on semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators.- 1983.- V.4.- P.283-289.

43. Matsushima S., Teraoka Y., Yamazoe N. Electronic interaction between metal additives and tin dioxide in tin dioxide based gas sensors // Jap.J. Appl. Phys.- 1988,- V.27.- №3.-P.1798-1802.

44. Papadopoulos C.A., Avaritsiotis J.N. A model for the gas sensing properties of tin oxide thin films with surfase catalysts // Sensors and Actuators, B.-V.28.- 1995.-P.201-210.

45. Gautheron В., Labeau M., Delabouglise G., Schmatz U. Undoped and Pd-doped Sn02 thin films for gas sensors // Senors and Actuators В.- 1993.- V.15-16,- P.357-362.

46. Максимова H.K., Катаев Ю.Г., Черников E.B. Структура, состав и свойства газочувствительных пленок Sn02, легированных платиной и скандием // Журнал физической химии.- 1997.- Т.71.- №8.- С. 1492-1496.

47. Roland U., Braunschweig Т., Roessner F. On the nature of spilt-over hydrogen // Jornal of Molecular Catalysis A: chemical.- 1997.- V.127.- P.61-84.

48. Demarne V., Grisel A. Integrated semiconductor gas sensor evaluation with an automatic test system // Sensors and actuators B.-1990.- V.I.- P.87-92.

49. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977,-366 с.

50. Нашельский А .Я. Технология полупроводниковых материалов М.: Металлургия, 1987.-336 с.

51. Вечер А.А., Жук П.П. Химические сенсоры. Минск.: Изд. БГУ, 1990,- 56 с.

52. Максимович Н.П., Дышель Д.Е., Еремина Л.Э. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред // Журн. аналит. химии 1990-Т.45.-№7- С. 1312-1316.

53. Siebert H.-Р. СО Sensor fur den ppm-Bereich / J. Elektronik.- 1987.-№12.- S. 72-77.

54. Lampe U., Weiler K., Schaumburg H. Gassensoren auf Halbleiterbasis / J. Elektronik.- 1988.- №9.- S. 93-97.

55. Gopel W., Schierbaum K.D. Sn02 sensor: current status and future prospects // Sensor and Actuators.- 1995.- V. B, 26-27.- P. 1-12.

56. Акимов Б.А., Гаськов A.M., Лабо M. и др. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами // ФТП.- 1999.-№2.~ т.ЗЗ.- с.205-207

57. Вощилова Р.М., Димитров Д.П., Долотов Н.И., Кузьмин А.Р. и др. Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением // ФТП.- 1995.- Т.29.- №11.-С.1987-1993

58. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А. и др. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой // Кристаллография.- 1997.- т.42.~ №5.- С.901-905

59. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В., Термообработка и газовая чувствительность пленок на основе SnOx // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1997-№2-С. 52-54.

60. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С.,Подкопаева О.И., Влияние различных термообработок на свойства пленок Sn02 // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1998-№ 3-С. 74-77.

61. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Подкопаева О.И., Рембеза Е.С. Исследование свойств пленок диоксида олова, полученных методами магнетронного напыления // Известия ВУЗов. Электроника- 1999-№1-2-С.26-23.

62. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Нанок-ристаллические пленки Sn02 // Второй Всероссийский семинар " Нелинейные процессы и проблемы в современном материаловедении": Тез. докл.-Воронеж, 1999.-С.107.

63. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Борсякова О.И., Рембеза Е.С. Термообработка и газовый отклик пленок Sn02 // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах.: Матер, докл. междунар. научно.-техн. семинара,- М., 1999.-С.285-289.

64. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Механизм газового отклика поликристаллических пленок Sn02 // Тез. докл. Всероссийской конференции "Сенсор-2000".-С.-Петербург.-2000.-С.216.

65. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Влияние примеси палладия на газочувствительные свойства пленок Sn02 // Матер. III всерос. конф. "Физические проблемы экологии".- Москва.- 2001.- с.247.

66. Рембеза С.И., Борсякова О.И., Свистова Т.В., Слепухова JI.C. Термостабилизация элементов микроэлектронного датчика газов на основе SnOx // Тез. докл. международ, конференции "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж.-1999.-С.303-304.

67. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.-М.: Физматгиз, 1961. -863 с.

68. Евдокимов A.B., Муршудли М.Н., Подлепецкий Б.И., Ржанов А.Е., Фоменко С.Р., Филипов В.И., Якимов С.С. Микроэлектронные датчики химического состава газов // Зарубежная электронная техника.- 1988.-№2.-С.3-39.

69. Таланчук П.М., Голубков С.П., Маслов В.П. Сенсоры в контрольно-измерительной технике.-К.: Техника, 1991.- 175 с.

70. Кальвада Р., Зыка Я., Штупин К. Электроаналитические методы в контроле окружающей среды. Пер. с англ.- М.: Химия, 1990.- 240 с.

71. Мясоедов Б.Ф., Давыдов A.B. Химические сенсоры: возможности и перспективы // Журн. аналит. химии.- 1990.-т.45.-№7.-С.1259-1278.

72. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии.-1998.-т.67.-С. 125-139.

73. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л. Майс-села, Р. Глэнга.- М.: Сов. Радио, 1977,- Т.1.-390 с.

74. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред Г. Хасса и Р.Э. Туна.- М.: Мир, 1970.-t.IV.-439 с.

75. Двуреченский А.В., Качурин Г.А, Нидаев Е.В., Смирнов А.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов.- М.: Наука, 1982.-208 с.

76. Панков Т. Оптические процессы в полупроводниках / Пер. с англ.-М.: Мир, 1986,-456 с.

77. Wong C.Y., Grovenor C.R., Batson Р.Е., Smith P.A. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№2.-P.438-442.

78. Jhokura K. Tin dioxide gas sensors for deoxidizing gas // New Mater. New Processes Electrochem. Technol.- 1981.-V.1.-P.43-50.

79. Barsan N. Jonescu R. The mechanism of the interaction between CO and the Sn02 surfase the role of water vapaer // Sensors and Actuators.- 1993.- V.B.-P.71-75.

80. Shimizu Y., Egashira М. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors // J. MRS Bulletin, 1999,- V.24.-№6.- P. 18-24.

81. Schierbaum K.D., Geiger J., Weimar U., Gopel W. Specific palladium and platinum doping for Sn02 based thin film sensor arrays // Sensors and Actuators, 1993.- V.B.- P. 143-147.

82. Kohl D. The role of noble metals in the chemistry of solid state gas sensors // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P.158-165.

83. Suzuki Т., Yamazaki Т., Takahashi K., Yokoi T. Effect of platinum distribution on the hydrogen gas sensor properties in tin oxide thin films // J. of Mater. Science Letters, 1989.-V.24.-P.2127-2131.156

84. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Новокрещенова Е.П. Комбинированная методика измерения газовой чувствительности датчиков // "Датчик -97": Тез. докл. научн.-техн. конф.- Крым, Гурзуф, 1997,- С.428-429.

85. Orton J.W., Powll M J. Hall effect in polycrystalline and powdered semiconductors // Pep. Prog. Phys, 1980.-V.43.-№11.- P.1263-1305.

86. Gutierrez F.J., Ares L., Robla J.I., Getino J.M., Horrilo M.C. Hall coefficient measurements for Sn02 doped sensors, as a function of tenperature and atmosphere // Sensors and Actuators, 1993.- B.15-16.-P.98-104.

87. Рембеза С.И., Рембеза E.C., Свистова T.B., Прокопенко А.А. Датчики газов на основе нанокристаллических пленок Sn02 // Методы и средства измерения физических величин : Тез. докл. IV Всероссийской научн.-техн. конференции.- Нижний Новгород, 1999.- С.22.

88. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок Sn02 // Физика и техника полупроводников.- 2001.-Т.35.- вып.7.-С.796-799.