Первичные структурные нарушения, распыление и десорбция при облучении поверхности монокристаллов и нанокластеров низкоэнергетическими атомарными частицами и многоатомными кластерами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Журкин, Евгений Евгеньевич
Журкин, Евгений Евгеньевич
доктор физико-математических наук
2012
- Специальность ВАК РФ01.04.07
- Количество страниц 193
Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Журкин, Евгений Евгеньевич
Оглавление
Список условных обозначений и сокращений
Введение
1. Численная реализация математической модели воздействия пучков заряженных
частиц и кластеров на приповерхностную область мишени
1.1 Краткая аннотация
1.2 Потенциалы межатомного взаимодействия в металлах
1.3 Потенциалы межатомного взаимодействия в полупроводниках
1.4 Алгоритм метода классической молекулярной динамики
1.5 Результаты и выводы главы 1
2 Теоретическое исследование и математическое моделирование процессов в
приповерхностной области твердотельной мишени при воздействии пучков
заряженных частиц и кластеров
2.1 Краткая аннотация главы
2.2 Методика моделирования и характеристики каскада соударений при ионной и кластерной бомбардировке
2.3 Исследование каскадных процессов в металлах под воздействием пучков ускоренных многоатомных кластеров
2.4 Исследование каскадных процессов в кубическом карбиде кремния под воздействием пучков ускоренных многоатомных кластеров
2.5 Исследование каскадных процессов в кремнии и алюминии под воздействием
пучков ускоренных многоатомных кластеров
2.6 Результаты и выводы главы 2
3. Изучение характеристик процессов вторичной эмиссии при ионной и кластерной бомбардировке поверхности твердого тела
3.1 Введение и аннотация главы
3.2 Методика моделирования
3.3 Исследование процессов распыления металлов при кластерной бомбардировке
3.4 Исследование процессов распыления полупроводников при кластерной бомбардировке
3.5 Основные результаты и выводы главы 3
4. Изучение особенностей микрорельефа поверхности при бомбардировке ускоренными частицами
4.1 Введение и краткая аннотация
4.2 Методика моделирования
4.3 Особенности микрорельефа поверхности, формируемого при кластерной бомбардировке металлов. Временная эволюция морфологии поверхности
4.4 Количественные характеристики кратерообразования: зависимость от размера налетающего кластера
4.5 Количественные характеристики кратерообразования: зависимость от энергии налетающего кластера
4.6 Сравнительный анализ кратерообразования в металлах и полупроводниковых
материалах
4.7. Основные результаты и выводы главы 4
5. Изучение особенностей первичного радиационного повреждения поверхности металлов и полупроводников и их корреляции с динамикой каскада соударений при бомбардировке частицами
5.1 Введение и краткая аннотация главы
5.2 Методика моделирования
5.3 Особенности первичного радиационного повреждения меди и никеля при кластерной бомбардировке
5.4 Особенности первичного радиационного повреждения алюминия и
полупроводниковых мишеней (Si, SiC) при кластерной бомбардировке
5.5 Основные результаты и выводы по главе 5
6. Особенности и механизмы распыления нанокластеров
6.1 Введение и краткая аннотация главы
6.2 Методика моделирования
6.3. Распыление нанокластера при бомбардировке одноатомными ионами
6.4. Распыление нанокластера при бомбардировке кластерными ионами Ащоо
6.5 Основные результаты и выводы по главе 6
7. Десорбция нанокластеров при ионной и кластерной бомбардировке
7.1. Введение и краткая аннотация главы
7.2. Методика исследований
7.3 Десорбция нанокластеров при ионной и кластерной бомбардировке: результаты
и обсуждение
7.4 Основные результаты и выводы по главе 7
Заключение
Список использованных источников
Список публикаций автора по теме диссертации:
Список условных обозначений и сокращений.
МД - метод молекулярной динамики
ао - константа кристаллической решетки материала.
Оцк (fee)- объёмоцентрированная кубическая кристаллическая решетка
Гцк (Ьсс)- гранецентрированная кубическая кристаллическая решетка
Е - Кинетическая энергия иона или кластера
N - Число атомов в налетающем кластере
E/N - Кинетическая энергия кластера, состоящего из N атомов, приходящаяся на один его атом
Есон. Энергия когезии (связи) атомов кристалла Тт -температура плавления вещества Т - Температура мишени кв - постоянная Больцмана
Ъ\,Ъг -Атомные числа двух взаимодействующих атомов Z - текущее координационное число атома в кристалле; Zo- координационное число атома в идеальном кристалле;
Yn - коэффициент распыления в пересчете на один атом налетающего кластера с числом атомов N.
Y - коэффициент распыления (полный).
V - объём кратера в приаоверхностной области мишени.
Vn- объём кратера в приаоверхностной области мишени в пересчете на один атом налетающего кластера с числом атомов N. D - глубина кратера. dE/dx - средние потери энергии, є - поглощенная энергия на один атом кластера tpeak - характерное время каскада; trecomb - время рекомбинации первичных дефектов; Nvac/N - среднее число вакансий в пересчете на один атом кластера; Nint/N - среднее число междоузлий в пересчете на один атом кластера; Ncrat/N - среднее число атомов в образовавшемся кратере;
AJST/N - среднее число атомов в мишени с пониженным координационным числом, приходящееся на один атом налетающего кластера;
среднее число атомов в мишени с избыточным координационным числом, приходящееся на один атом налетающего кластера.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Эрозия поверхности и первичное радиационное повреждение металлов при бомбардировке многоатомными нанокластерами с энергией (0.1...1) кэВ/атом2005 год, кандидат физико-математических наук Колесников, Антон Сергеевич
Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов2004 год, доктор физико-математических наук Файзрахманов, Ильдар Абдулкабирович
Рассеяние и распыление частиц при бомбардировке твердых тел атомами, молекулами и кластерами2002 год, доктор физико-математических наук Шульга, Владимир Иванович
Оптические свойства и структура аморфного углерода2003 год, доктор физико-математических наук Ястребов, Сергей Гурьевич
Моделирование распыления твердых тел на основе приближений стационарного поверхностного поля и многочастичного динамического взаимодействия2004 год, кандидат физико-математических наук Ананьева, Нина Геннадьевна
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Первичные структурные нарушения, распыление и десорбция при облучении поверхности монокристаллов и нанокластеров низкоэнергетическими атомарными частицами и многоатомными кластерами»
Введение.
Воздействие пучков частиц на материалы исследовалось довольно широко в течение последних 50 лет. Существует огромное число практических приложений, в которых используются пучки ускоренных частиц (начиная от метода ионного легирования полупроводников и заканчивая методами разрушающего и неразрушающего анализа поверхности материалов). В последние десятилетия имеется тенденция к использованию в тех или иных целях пучков частиц, являющихся многоатомными кластерами и нанокластерами, причем такой подход во многих случаях существенно превосходит по своим технологическим возможностям аналогичные методы, использующие пучки одноатомных ионов или других элементарных частиц.
В настоящее время пучки многоатомных кластеров с энергией порядка нескольких кэВ/атом (и менее) рассматриваются как весьма перспективный инструмент для анализа и нанообработки поверхности, а также для имплантации примеси с целью формирования мел-козалегающих слоев и переходов [1,2,3,4]. В тоже время теоретические модели взаимодействия таких кластеров с поверхностью твердых тел до сих пор практически отсутствуют ввиду сложности процессов, сопровождающих внедрение кластера в вещество, что отчасти сдерживает практическое использование пучков кластерных ионов и, с другой стороны, стимулирует фундаментальные исследования в данной области. Накопленных данных, полученных в немногочисленных экспериментальных исследованиях, а также с помощью численного моделирования, явно недостаточно для количественных (а во многих случаях даже для качественных) оценок эффектов, сопровождающих внедрение кластера в мишень. Как было показано ранее, кластерная бомбардировка при энергиях от нескольких кэВ/атом приводит к возникновению сильных нелинейных (так называемых "пиковых") эффектов при распылении и образовании структурных нарушений в облучаемой мишени. Первые экспериментальные доказательства подобных эффектов были получены в работах [5,6,7,8]. Подобные эффекты обусловлены высокой локальной плотностью поглощенной энергии в приповерхностной области мишени, в результате чего возникает плотный каскад атомных соударений (так называемый "столкновительный пик"), который трансформируется в "тепловой пик", представляющий собой долгоживущую (вплоть до нескольких десятков пикосекунд) локально расплавленную область вещества. Одной из фундаментальных проблем, связанной с процессом внедрения кластера, является вопрос о влиянии подобных "пиковых" эффектов на тормозную способность замедляющегося кластера, а также на распределение пробегов внедренных атомов. Следует отметить, что систематические исследования данных явлений не проводились. Тем не менее, анализируя имеющиеся работы, посвященные данному вопросу, можно
выделить две противоречивые точки зрения. С одной стороны, в ряде работ с помощью численного моделирования было установлено, что средний проективный пробег атомов имплантируемых кластеров существенно превышает пробег одноатомных ионов при одинаковой начальной энергии в пересчете на один атом [9,10,11,12]. Данный эффект имеет экспериментальные подтверждения в области небольших энергий (порядка нескольких кэВ/атом) [13]. Впервые подобный эффект, названный "эффектом расчистки пути" (clearing-the-way effect) был описан в работах П. Зигмунда и В.И. Шульги [14, 15, 9, 10]. Его суть заключается в следующем: предполагается, что фронтальные атомы кластера, внедряясь в мишень, сообщают коррелированным образом импульсы атомам мишени, направленные вдоль направления удара, тем самым "расчищая" путь для последующих атомов кластера, внедряемых следом. В конечном итоге это приводит к уменьшению средней тормозной способности замедляющихся атомов кластера и, соответственно, к увеличению их пробега. С другой стороны, относительно недавно опубликованные результаты экспериментов, выполненных группой Х.Х. Андерсена [16], показывают, что средние пробеги мономеров и небольших кластеров золота Aun (N=1, 2, 7), имплантируемых в Си и Si с энергиями 10 кэВ/атом, практически одинаковы. В работе [16] также было обнаружено, что при внедрении кластеров распределение пробегов по глубине мишени в Си оказывается существенно более размытым по сравнению с аналогичным распределением имплантированных мономеров (одноатомных ионов). Подобный эффект был качественно воспроизведен в работе [17] с помощью компьютерного моделирования при энергиях порядка 10 кэВ/атом, хотя авторами данной работы было отмечено некоторое возрастание среднего пробега с увеличением размера кластера. Увеличение флук-туаций пробегов атомов при внедрении кластерных ионов также наблюдалось и при существенно меньших начальных энергиях [9,10,11].
Помимо отмеченных выше эффектов, несомненный иснтерес предствавляют физические механизмы возникновения структурных нарушений в различных веществах при кластерной бомбардировке, а также процессы эрозии (распыления) поверхности. Исчерпывающей теоретической модели, описывающей процессы эрозии поверхности под воздействием кластерной бомбардировки, до сих пор не создано. Проводимые экспериментальные исследования охватывают лишь отдельные явления. Так, в частности, эффекты неаддитивного (нелинейного) возрастания коэффициента распыления при кластерной бомбардировке (в пересчете на один налетающий атом) наблюдались в ряде экспериментов [6,7,8]. Кроме того, бомбардировка тяжелыми ионами и кластерами может способствовать формированию специфической топографии поверхности. Так, в ряде работ было показано, что бомбардировка тяжелыми кластерами в диапазоне энергии от нескольких кэВ до нескольких десятков кэВ может приводить к образованию отчетливо выраженного кратера в приповерхностной облас-
ти мишени [18]. Подобные эффекты обусловлены эффектами, связанными с высокой локальной плотностью поглощенной энергии в приповерхностной области мишени (эффекты "пиков"). Эффекты "пиков" не могут быть описаны в рамках существующих теорий, поэтому наиболее адекватным подходом к их моделированию является метод классической молекулярной динамики (МД). В работе [18] дан обширный обзор публикаций, посвященных изучению различных аспектов взаимодействия кластеров с поверхностью твердых тел, из которого очевидно, что в настоящее время невозможно сформулировать универсальные законы, описывающие взаимодействие ускоренных кластеров с поверхностью, при этом процессы радиационного повреждения твердотельных мишеней при кластерной бомбардировке остаются малоизученными как экспериментально, так и теоретически.
Явления распыления и десорбции наноструктурных материалов до сих пор остаются малоизученными. В литературе обсуждается целый ряд возможных физических механизмов, приводящих к десорбции нанокластеров за счёт как прямого, так и непрямого удара налетающей частицы-снаряда, однако действительный механизм, проявляющийся в том или ином эксперименте, сильно зависит от конкретных условий облучения, структуры и размеров нанокластеров и других факторов. В настоящее время невозможно сформулировать универсальные закономерности явлений радиационно-стимулированной десорбции, и поэтому для интерпретации каждого эксперимента фактически необходимо проведение индивидуального исследования. Более подробный обзор современного сотояния исследований в области распыления и десорбции приведен в главах 6 и 7 данной диссертации.
Поскольку наиболее подходящим теоретическим методом исследования взаимодействия ускоренных кластерных частиц с твердым телом является метод классической молекулярной динамики, именно этот метод и выбран для проведения исследований, относящихся в воздействию кластерных частиц на вещество, в рамках настоящей работы. Метод молекулярной динамики (МД) имеет самое широкое применение при моделировании сложных физических процессов, начиная с моделирования структуры органических молекул и заканчивая моделированием движения галактик. В физике твердого тела и материаловедении моделирование с помощью МД заключается в вычислении траекторий некоторого числа взаимодействующих атомов в течение заданного промежутка времени. Метод позволяет моделировать сложные динамические процессы в веществе, при условии, что соответствующие пространственные и временные корреляции изучаемого процесса могут быть рассмотрены в пределах ограниченного размера системы и временного масштаба проводимого компьютерного эксперимента. Физические свойства, характеризуемые термодинамическими величинами, могут вычисляться как соответствующие средние значения от мгновенных значений величин, получаемых в процессе моделирования. Взаимодействие ионов и кластеров с твердым
телом и его поверхностью составляет сложную физическую картину, которая вполне может быть рассмотрена при помощи метода МД.
Методом МД называется метод компьютерного моделирования, где временная эволюция ансамбля взаимодействующих атомов отслеживается путем интегрирования уравнений движения. В методе классической МД используются законы классической механики (закон Ньютона). Методика интегрирования уравнений движения атомов, выбор временного шага, начальные и граничные условия чрезвычайно важны для проведения моделирования методом МД. В настоящее время существует много монографий и обзоров, в которых описана техника метода МД [19, 20, 21], большинство из которых посвящено общим проблемам мо-лекулярно-динамического моделирования свойств вещества в условиях термодинамического равновесия. Специфика моделирования взаимодействия ускоренных ионов с твердым телом, как правило, не рассматривается подробно в этих монографиях, однако этим вопросам посвящены несколько специальных книг, например [21, 22], где освещаются как метод МД, так и методы последовательных парных соударений.
В сравнении с методом Монте-Карло, МД является детерминистическим методом, т.е. зная начальные координаты и скорости атомов, их последующая временная эволюция в принципе полностью определена. Однако на практике конечный размер шага при интегрировании по времени и арифметические ошибки округления в конечном счете приведут к отклонению вычисляемой траектории от истинной. Траектории проявляют экспоненциальную чувствительность даже к малейшим флуктуациям начальных параметров. Компьютер вычисляет фазовую траекторию системы из N атомов в фазовом пространстве размерностью 6Ы (ЗИ координат и ЗИ импульсов). Однако отдельно взятая фазовая траектория сама по себе не представляет большого интереса. МД - это прежде всего метод статистической механики. Как и статистический метод Монте-Карло, это путь для получения набора конфигураций, распределенных по некоторой статистической функции распределения, или статистическому ансамблю. Вместе с тем данный метод практически не имеет ограничений и для описания неравновесных процессов, что делает его особо ценным применительно к задачам радиационной физики.
Одним из первых применений метода МД можно считать работу [23] датируемую 1960 г., в которой исследовалось радиационное повреждение материала прямым выбиванием атомов. В данной работе рассматривалась система, состоящая из 500 атомов с непрерывным потенциалом взаимодействия, где для интегрирования уравнений движения использовался метод конечных разностей. В работе [24] датированной 1964 г. с помощью метода МД исследовались некоторые свойства жидкого аргона с использованием потенциала Леннарда-Джонса в системе, состоящей из 864 атомов. В 1967 г. в работах Ь. УегЫ [25, 26] были впервые пред-
ставлены такие методы как составление списка атомов ближайших соседей и метод интегрирования по времени, которые используются и в современных МД алгоритмах.
МД, являясь очень мощным методом, также имеет и некоторые ограничения. Первое из них — это использование уравнений движения классической механики, в то время как системы на атомном уровне подчиняются законам квантовой механики. Однако метод классической МД можно рассматривать как приближение, хорошо работающие для достаточно тяжелых атомов. Но даже и в этом случае при низких температурах квантовые эффекты становятся важными, что следует учитывать при интерпретации результатов, полученных с помощью метода классической МД. Еще одним ограничением является эмпирический характер потенциалов, используемых для вычисления межатомных сил взаимодействия. Способность компьютерной модели адекватно описывать свойства рассматриваемого вещества во многом определяется способностью потенциала взаимодействия воспроизводить поведение материала в заданных условиях. Важными ограничениями являются также характерный временной масштаб моделирования и размер модельной системы. Как правило, моделирование с помощью МД производится на модельных системах, содержащих от нескольких тысяч до нескольких миллионов атомов, на характерных временах от нескольких пикосекунд до сотен наносекунд. Однако соотношение числа поверхностных и объемных атомов в любом модельном кристаллите существенно отличается от реальности, что может искажать объемные свойства моделируемого материала. Для устранения этого эффекта при моделировании используют периодические граничные условия [20]. В большинстве случаев этого оказывается достаточно, тем не менее, нельзя исключить и таких условий, при которых ограничения по времени и размеру становятся существенными. Моделирование можно считать адекватным, если время моделирования существенно превышает характерное время релаксации интересующих нас величин. Однако не так уж сложно найти ситуации, в которых время релаксации физической величины на порядки превышает времена, достижимые с помощью МД моделирования. Примерами таких процессов могут являться диффузия при низких температурах, явления сегрегации вблизи поверхности и т.д. Конечный размер моделируемой системы (даже с учетом периодических граничных условий) также может ограничивать реалистичность МД моделирования. В таких случаях необходимо сравнить размер модельного бокса с корреляционными длинами интересующей нас функции пространственной корреляции. Например, достаточно большие длины корреляции характерны для некоторых типов фазовых переходов.
Межатомный потенциал взаимодействия (т.е. потенциальная энергия системы взаимодействующих частиц) является главной физической составляющей, лежащей в основе метода МД. Если не учитывать взаимодействия атомов с электронной подсистемой, то меж-
атомный потенциал взаимодействия является единственной исходной физической величиной для метода МД. Примерно до 1985 года на практике использовались только парные потенциалы взаимодействия [27]. В настоящее время разработано большое количество самых разнообразных типов потенциалов (в том числе и многочастичных), способных описывать, свойства материалов разного типа [21, 22]. Обычно потенциал описывается заранее известной аналитической функцией V(rt), которая подбирается исходя из наилучшей адекватности
описания «настоящего» потенциала межатомного взаимодействия для конкретного материала. Создание такого потенциала подразумевает следующие действия:
1. Выбор аналитической формы потенциала. На ранних этапах потенциал представлял собой сумму составляющих парного взаимодействия, зависящих от расстояния. Современные методы МД используют многочастичные потенциалы для более точного описания физических и химических свойств материала. Типичная аналитическая форма такого потенциала состоит из набора функций зависящих от геометрических параметров (расстояния, углы) и от вспомогательных величин, зависящих от координационного числа атома (локального окружения соседними атомами)
2. Поиск наилучшей параметризации выбранной аналитической формы потенциала. Это достаточно важный шаг и он может быть достаточно сложным.
Выбор функции, описывающей потенциал межатомного взаимодействия, обычно происходит либо исходя метода ab-initio [28, 29], в рамках которого решается квантово-механическая задача об электронной структуре вещества, либо чисто эмпирически с последующей подгонкой ряда параметров, характеризующих свойства материала, исходя из наилучшего соответствия экспериментальным данным [30]. Потенциалы межатомного взаимодействия обычно разделяется на высокоэнергетические потенциалы отталкивания (при энергиях частиц порядка и выше 100 эВ) и низкоэнергетические потенциалы притяжения, описывающие связанные состояния (с потенциальной энергией менее 10 эВ). На близких расстояниях г (порядка 1А и менее) между атомами действуют силы отталкивания. В каскаде соударений при достаточно больших энергиях частиц относительная скорость может быть достаточна для преодоления кулоновского потенциального барьера, в результате чего происходит близкое соударение. На таких расстояниях потенциалы, как правило, выражаются аналитически в виде экранированного Кулоновского потенциала. В компьютерном моделировании используются различные аналитические выражения такого потенциала, которые могут быть получены с помощью параметризации результатов квантово-механической модели, в рамках которой атомные электроны рассматриваются как квантовый электронный газ. Подобные высокоэнергетические потенциалы, также называемые короткодействующими, описывают
столкновительный процесс двух атомов, где в большинстве ситуаций влиянием остальных атомов можно пренебречь. Наиболее известны среди них потенциалы Moliere [31], WHB [32] и ZBL [33] имеющие общую аналитическую форму. Авторы работы [34] применили метод свободных электронов для расчета большого числа индивидуальных межатомных потенциалов взаимодействия. Потенциал Kr-С из этой серии оказался наилучшим средним потенциалом. Он схож с потенциалом Мольера, но имеет другие параметры. Определенные впоследствии потенциалы взаимодействия для примерно 500 комбинаций ион-мишень (из более чем 104 возможных комбинаций) были обработаны методом наименьших квадратов и в результате был получен так называемый универсальный потенциал ZBL [33,34]. Название этого потенциала является сокращением фамилий его авторов: Циглер (Ziegler), Бирзак (Biersack), Литтмарк (Littmark).
Низкоэнергетические потенциалы описывают связанные состояния атомов при небольших отклонениях от положения равновесия, т.е. эти потенциалы являются дальнодейст-вующими. В идеальном случае такой потенциал способен описывать связанное состояние атома как внутри вещества, так и на его поверхности, в области дефектов, в димерах и кластерах. Однако такие потенциалы притяжения по своей природе, как правило, являются многочастичными. Поскольку во многих материалах связь атомов в подобных ситуациях зависит от ближайшего окружения атома, низкоэнергетический потенциал обычно содержит многочастичную часть в дополнение к парной, описывающей силы отталкивания между атомами. Однако до недавнего времени использовались лишь простейшие модели для дальнодейст-вующих потенциалов, основанные на модели парного взаимодействия. Наиболее общеупот-ребимым парным потенциалом является потенциал Леннарда-Джонса [35]. Применимость данного потенциала ограничена инертными газами, в которых нет электронного связывания, и атомы притягиваются только за счет слабых сил Ван-дер-Ваальса. Еще одним распространенным парным потенциалом является потенциал Морзе [36], который также как и потенциал Леннарда-Джонса имеет короткодействующую часть отталкивания и дальнодействующую часть притяжения. Этот потенциал использовался для моделирования свойств металлов с FCC (ГЦК) структурой кристаллической решетки [37]. Однако, вообще говоря, при моделировании таких систем как металлы или полупроводники, парные потенциалы не могут быть использованы, поскольку с их помощью принципиально невозможно получить ряд характеристик и соотношений, описывающих свойства данных материалов. Так в таблице 1 приведены экспериментальные значения некоторых физических величин, характеризующих свойства благородных металлов, которые сравниваются с соответствующими значениями, полученными при использовании парного потенциала на примере потенциала Леннарда-Джонса (однако другие парные потенциалы дают аналогичные результаты) [38].
Таблица 1 — Экспериментальные значения некоторых физических соотношений, характеризующих свойства благородных металлов и соответствующие значения, полученные при использовании парного потенциала Леннарда-Джонса
Свойство Си Ag Pt Au Леннард-Джонс
Ес/квТт 30 28 33 33 13
EJEC 0.33 0.36 0.26 0.25
1.5 1.9 3.3 3.7 1
Величина Ес/квТт является отношением между энергией когезии (связи) и температурой
плавления. Это отношение порядка 30 для металлов и около 10 в любых системах, описываемых двухчастичными потенциалами. Из этого следует, что в металлах существует дополнительная «связанность» по сравнению с двухчастичными системами.
Ev/Ec - отношение между энергией образования вакансии и энергией когезии (связи). В металлах эта величина обычно находится между 1/4 и 1/3, но использование двухчастичных потенциалов всегда дает значение близкое к единице (в точности 1, если пренебречь релаксацией атомов вокруг вакансии). При образовании вакансии в кристаллической структуре с координационным числом Z необходимо затратить энергию Ev для того чтобы уменьшить координационное число с Z до Z-1 для Z атомов. В то же время Ес - это та энергия, которую
необходимо затратить для уменьшения координационного числа одного атома с Z до 0. В рамках двухчастичной модели эти значения идентичны, поскольку предполагается, что фиксированная энергия связи приходится на пару атомов и обе энергии (Ev и Ес ) необходимы для разрыва Z связей. Но эта модель не справедлива для металлов.
С12/С44 - отношение между константами упругости кубического кристалла с ГЦК (FCC) структурой решетки. Это отношение в точности равно 1 для двухчастичных систем (так называемое соотношение Коши), что может быть продемонстрировано аналитически. Однако в металлах, как правило, имеют место отклонения от этого соотношения. В случае с полупроводниками отклонения от двухчастичной модели еще более ярко выражены. В 1980-х годах был сделан значительный прогресс с появлением многочастичных потенциалов, основанных на понятиях об электронной плотности, зависящей от ближайшего окружения атома. Эти потенциалы дают следующую аналитическую форму для суммарной потенциальной энергии кристалла состоящего из Анатомов:
^ i,y-l 1=1
(j* о
где ^(r) - составляющая парного взаимодействия, описывающая отталкивание атомов и £/(«) - функция энергии атома от обобщенной электронной плотности, описывающая притяжение атомов. Обобщенная электронная плотность п„ соответствующая атому г, может быть выражена как
7=1
где р (г) - короткодействующая спадающая функция расстояния, вид которой зависит от
конкретного метода, используемого для построения многочастичного потенциала. Суммирование проводится по всем ближайшим соседним атомам j, находящимся в пределах радиуса действия потенциала. В рамках данной модели энергия когезии на один атом системы может быть записана как Ес - V/N.
Для металлов наиболее часто используются многочастичные потенциалы, полученные с помощью метода «погруженного атома» - Embedded Atom Method (ЕАМ) [39, 40] или в рамках модели «сильной связи» - Tight-binding (ТВ) [41, 42, 43].
В рамках метода погруженного атома энергия каждого атома вычисляется исходя из энергии, необходимой для внедрения этого атома в электронный газ с локальной электронной плотностью, создаваемой всеми ближайшими соседями этого атома в металле (в пределах радиуса действия рассматриваемого потенциала). В первых работах [40], посвященных методу погруженного атома, электронная плотность аппроксимировалась суперпозицией электронных плотностей атомных электронов. Авторы работы [43] использовали другую параметризацию потенциалов для ГЦК металлов в удобной для практического применения форме, которая также позволяет хорошо описывать их объемные свойства. Для этого был использован потенциал в форме, предложенной Финисом и Синклером [41, 42], который явился основой метода «сильной связи». Данный метод основывается на том факте, что ряд характеристик металлов не зависит от деталей функции плотности состояний (DOS), но зависит от эффективной ширины ¿/-зоны, характеризуемой ее вторым моментом ju2. Тогда нестрогий результат дает следующую форму записи энергии связи для атома i:
E^^Dt^Jz, (3)
где h4 = h(rtl) = (i\H\j) - интегралы перекрытия между атомом i и его соседями, Z, - координационное число /-го атома. В модели сильной связи орбитали локализованы, и функции
h(rtJ) стремятся к нулю при расстояниях, превышающих определенный радиус отсечки (cutoff radius). При этом отличие от 2х-частичной модели заключается в том, что теперь потенциальная энергия пропорциональна квадратному корню из координационного числа, а не Z. Легко проверить, что такая зависимость для энергии является более корректной путем подстановки энергии в соотношение между энергией образования вакансии и энергий связи:
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов2007 год, кандидат физико-математических наук Бабенко, Павел Юрьевич
Терморазмерные эффекты и структурно-изомеральные переходы в системе из иммобилизованных на подложке функциональных нанокластеров переходных металлов (Ni, Pd)2011 год, кандидат химических наук Курбанова, Эльмира Джумшудовна
Исследование механизма разрушения поверхностей монокристаллов при ионной бомбардировке под скользящими углами1985 год, кандидат физико-математических наук Флёров, Владимир Борисович
Люминесцентные характеристики плазмы, образующейся при распылении металлов Cd и Zn высокоэнергетичными частицами2010 год, кандидат физико-математических наук Лю Тао
Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях2007 год, доктор физико-математических наук Бачурин, Владимир Иванович
Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Журкин, Евгений Евгеньевич
7.4 Основные результаты и выводы по главе 7
В рамках данной главы с помощью метода классической молекулярной динамики изучены особенности десорбции нанокластеров золота диаметром 6 нм с поверхности (111) подложек А1 и Аи при наклонном облучении одноатомными ионами Аи1 и многоатомными кластерами Ащоо в режиме преобладания упругого торможения. Установлено, что прямой удар кластерами Агцоо способен десорбировать нанокластер с подложки, тогда как энергии, переданной одноатомным ионом Ап1 при прямом ударе, оказывается недостаточно, чтобы преодолеть химическую связь с подложкой и десорбировать осаждённый нанокластер за счёт прямого удара.
Показано, что при рассматриваемых условиях облучения "непрямой" удар налетающей частицы не приводит к десорбции осаждённого нанокластера с "лёгкой" подложки А1 (масса атомов которой существенно меньше массы атомов осажденного нанокластера), однако такой удар может десорбировать нанокластер с "тяжелой" подложки Аи. При этом эффективность десорбции при ударе кластерным многоатомным ионом существенно выше, чем при ударе одноатомным ионом.
При рассмотренных условиях облучения можно выделить два основных механизма десорбции осаждённых на подложку нанокластеров: для "тяжелой" подложки Аи доминирующим механизмом является "эффект абляции" (связанный с передачей импульса от потока распыляемого вещества подложки осаждённому на неё нанокластеру); для "лёгкой подложки" десорбция возможна лишь за счёт "эффекта отдачи" при "прямом" ударе бомбардирующей частицы.
Заключение
В рамках выполнения данной диссертационной работы были получены следующие основные результаты:
1. Разработана методика для численного моделирования на атомарном уровне процессов эрозии поверхности металлов и полупроводников, а также наноматериалов при внедрения ускоренных кластеров.
2. Исследованы закономерности вторичной эмисиии при бомбардировке одноатомными ионами и многоатомными нанокластерами (№n, Cun, AIn, Aun, N=1.55; Cn, Sín; N=1 .60) поверхности грани (111) ряда металлов с г.ц.к. решёткой (Cu, Ni, Al) и полупроводников (Si, c-SiC) в энергетическом диапазоне от 0.1 до 1 кэВ/атом. Найдены характерные зависимости коэффициентов распыления как от энергии, так и от размера налетающего кластера.
3. Получены характеристики каскадов высокой плотности энергии и пост-каскадных тепловых пиков, а также распределения пробегов при внедрении кластеров различных размеров и энергий в металлы и полупроводники; Получены временные и энергетические характеристики каскадных и пост-каскадных процессов при внедрении иона и многоатомного кластера в вещество в линейном и нелинейном режимах; установлена корреляция эффектов синергизма (т.е. неаддитивного возрастания коэффициента распыления с ростом размера налетающего кластера) с характеристиками столкновительной и пост-каскадной стадий эволюции каскада в приповерхностной области облучаемой мишени.
4. Проведено исследование характерных особенностей микрорельефа приповерхностной области мишени при кластерной бомбардировке металлов и полупроводников.
Найдены характерные особенности кратерообразовыания и микрорельефа облученной области металлов и полупроводников как в зависимости от размера налетающего кластера, так и от его энергии.
5. Впервые получены систематические характеристики первичных структурных повреждений мишени при кластерной бомбардировке металлов и полупроводников. Проведена количественная оценка степени повреждения облученных мишеней с использованием различных критериев, проведена сравнительная оценка эффективности эрозии и повреждаемости мишени в зависимости от размера налетающего кластера.
6. Впервые исследована возможность десорбции нанокластеров, осажденных на подложку, при прямом и непрямом ионном и кластерном ударе (в режиме доминирования упругого торможения для частицы-снаряда) и её механизмы: проведено исследование механизмов и характеристик выхода вторичной эмиссии при ионной и кластерной бомбардировке наночастиц золота диаметром 2-18 нм, при этом установлено, что величина полного коэффициента распыления нанокластера превышает соответствующую величину для плоской поверхности мишени главным образом за счёт большого выхода кластеризованной составляющей спектра вторичной эмиссии; установлен механизм эжекции больших фрагментов облучаемого нанокластера (за счёт эффекта отдачи); показано, что эжекция больших фрагментов за счёт механизма отдачи может приводить к десорбции нанокластера, осаждённого на подложку при облучении кластерами в кэВ-ном диапазоне энергий. Проанализирована сравнительная эффективность кластерного и ионного удара с точки зрения десорбции нанокластера с подложки. Проведено исследование механизмов и характеристик десорбции нанокластеров при ионной и кластерной бомбардировке дискретных наноструктрных материалов, содержащих нанокластеры золота диаметром 6 нм. При этом установлено, что величина выхода десорбции определется преобладающим механизмом, который зависит как от условий облучения, так и от типа подложки.
На основе результатов, полученных в данной работе с использованием численного моделирования. можно сформулировать выводы по проведенной работе:
• Характер временной эволюции линейных и нелинейных каскадов существенно различается на временах, превышающих пик каскада;
Начальная стадия каскада соударений слабо зависит от размера налетающего кластера. Поздняя стадия каскада и характер посткаскадной стадии охлаждения существенно зависит от размера налетающего кластера. С увеличением числа атомов налетающего снаряда наблюдается переход от режима линейных каскадов к режиму столкно-вительного пика, увеличение времени жизни каскада, а также, возникновение долго-живущего теплового пика на посткаскадной стадии (для металлов). Одновременно с возникновением режима нелинейных каскадов с ростом размера налетающего кластера N наблюдается некоторое увеличение величины среднего проективного пробега внедренных атомов, однако эта тенденция ослабляется с ростом энергии, приходящейся на один атом налетающего кластера. При этом при всех рассмотренных энергиях с ростом N возрастает страгглинг пробегов, что приводит к развитию распределения имплантированных частиц. Пространственное распределение пробегов внедрённых атомов в полупроводники слабо зависит от размера внедрённого кластера (в отличие от металлов); интенсивность нелинейных эффектов на каскадной и поскаскадной стадиях при внедрении многоатомных кластеров в полупроводниках оказывается заметно меньше, чем для металлических мишеней (при сходном режиме облучения).
Нелинейные (неаддитивные) эффекты при распылении кластерными ионами имеют пороговый характер, т.е. проявляются при превышении кластером-снарядом некоторого критического размера;
Исследование закономерностей вторичной эмиссии с поверхности (111) ряда металлов (Ni, Си, А1 и полупроводников (Si, SiC), возникающей при их бомбардировке кластерами №n, Cun, Aun, AIn, Cn, SiN (N=1-60) в энергетическом диапазоне от 0.1 до 1 кэВ/атом показало, что нелинейные эффекты при распылении тесно коррелируют с возникновением столкновительного и теплового пиков в облучаемой мишени; при этом времена жизни теплового пика в металлах существенно выше, чем в полупроводниках при сходных режимах облучения.
Выявлен целый ряд тенденций, характерных для распыления металлов N-атомными кластерами и одноатомными ионами и при фиксированной энергии на один атом налетающего снаряда (E/N=500 эВ/атом), а именно:
S при N>9 наблюдается неаддитивное увеличение коэффициента распыления, сопровождаемое поздней эмиссией и возрастанием доли низкоэнергетических частиц в спектре распыления; S при N< 6 распыление практически линейно и аддитивно. В случае полупроводниковой мишени SiC существенная нелинейность распыления (при рассмотренных режимах облучения, т.е. в диапазоне энергий 0.2-1 кэВ/атом) наблюдалась лишь для фуллеренов (N=60).
В результате проведенного исследования был выявлен ряд закономерностей, характерных для самораспыления поверхности грани (111) А1 и Si при имплантации одноатомных ионов и многоатомных кластеров (содержащих от 1 до 60 атомов) с начальной энергией 1 кэВ/атом:
S установлена неаддитивность (нелинейность) выхода распыления при бомбардировке "большими" кластерами (содержащими более 10 атомов); S выход распыления в нелинейном режиме в А1 мишени выше, чем в Si за счёт возникновения долгоживущего теплового пика;
• Характер первичных структурных нарушений при кластерном облучении металлов и полупроводников существенно различается — в случае полупроводников наблюдается аморфизация за счёт одиночного удара, тогда как в металлах возникают скопления точечных дефектов; В рамках исследования первичных дефектов приповерхностной области при облучении пучками одноатомных ионов и многоатомными кластерами, содержащими от 1 до 60 атомов, с начальной энергией 0.1-1 кэВ/атом, установлен ряд общих тенденций и особенностей:
S доминирующим типом радиационных дефектов, образующихся в г.ц.к. металлах при внедрении многоатомного кластера, являются вакансии; при этом наблюдается неаддитивное возрастание числа вакансий (в пересчете на один налетающий атом) с ростом размера кластера при заданной энергии на атом, а относительная доля стабильных междоузлий при этом, напротив, уменьшается;
•S при внедрении многоатомного кластера в полупроводникорые материалы наблюдается аморфизация поврежденной области; В рамках исследования микрорельефа поверхности, облучаемой пучками многоатомных кластеров с энергией 0.1-1 кэВ/атом, позволило найти ряд общих тенденций и особенностей формирования топографии поверхности в Al, Cu и Ni при бомбардировке N-атомными кластерами A1n, Cun, NÍn и Aun при N=1.55, а также при бомбардировке Si и SiC кластерами SÍn, Cn (N=1-60) в энергетическом диапазоне E/N=100. .1000 эВ/атом. Показано, что металлов характерной особенностью топографии поверхности при бомбардировке одноатомными ионами является образование скоплений надповехностных атомов (адатомов), в то время как внедрение многоатомного кластера может приводить либо к формированию адатомов и мелкозалегающего кратера, если суммарная кинетическая энергия кластера не превышает 5 кэВ, либо к формированию ярко выраженного глубокого кратера, если суммарная кинетическая энергия кластера превышает величину 4-5 кэВ. Для полупроводниковых материалов характерны теже закономерности, однако пороговая энергия, необходимая для перехода к режиму формирования кратера, оказывается выше. Кроме того, внедрение кластеров с суммарной энергией -5-10 кэВ, приводит к образованию надповерхностных возвышений ("хиллоков"). При этом образование кратера коррелирует с образованием долгоживущего теплового пика в облучаемой мишени и с нелинейным возрастанием выхода распыления.
• Относительная эффективность эрозии поверхности при бомбардировке кластерами превышает эффективность первичного повреждения с увеличением размера кластера-снаряда. Данная особенность характерна как для металлических, так и для полупроводниковых мишеней, несмотря на качественно различный характер первичных структурных нарушений в данных классах материалов.
• Одним из физических механизмов эжекции/десорбции осажденных нанокластеров при бомбардировке кэВ-ными частицами (в режиме доминирования упругого торможения) является эффект отдачи;
Были изучены особенности распыления нанокластеров золота диаметром 2-8 нм при облучении ионами Ащ и кластерами Ащоо в режиме преобладания упругого торможения. Показано, что : величина полного коэффициента распыления нанокластера превышает соответствующую величину для плоской поверхности мишени за счёт большого выхода кластеризованной составляющей спектра вторичной эмиссии. При этом доминирует кластеризованная составляющая спектра, которая содержит фрагменты различного размера, включая и фрагменты, близкие по размеру к исходному кластеру. В случае бомбардировки одноатомными частицами, поглощенная энергия и выход распыления слабо зависят от прицельного параметра удара. При кластерной бомбардировке поглощенная энергия и атомарный выход распыления уменьшаются с ростом прицельного параметра удара; наибольший выход больших фрагментов наблюдается при периферических ударах. Установлено, что механизмом эжекции больших фрагментов является "эффект отдачи", когда облучаемый нанокластер (как единое целое) может с некоторой вероятностью получить суммарный импульс, направленный от поверхности подложки (как результат отдачи за счёт вторичной эмиссии атомов по направлению к "подложке"), при этом в конечном итоге нанокластер может быть десорбирован. При всех рассмотренных условиях облучения десорбция за счёт кластерного удара происходит гораздо эффективнее, чем за счёт удара одноатомного иона, что обусловлено двумя факторами: существенно большей вероятностью проявления "эффекта отдачи" и большей кинетической энергией, которую получает десорбируемый фрагмент кластера. При фиксированных условиях облучения вероятность десорбции падает с ростом размера кластера-мишени и становится практически нулевой, когда размер нанокластера превышает некоторое пороговое значение, зависящее от условий облучения.
• Масса атомов подложки может существенно влиять на доминирующий механизм десорбции при кластерной бомбардировке.
Выявлены особенности десорбции нанокластеров золота диаметром 6 нм с поверхности (111) подложек А1 и Аи при наклонном облучении ионами Aui и кластерами Ащоо в режиме преобладания упругого торможения. Установлено, что прямой удар кластерами Ащоо способен десорбировать нанокластер с подложки, тогда как энергии, переданной одноатомным ионом Aui при прямом ударе, оказывается недостаточно, чтобы преодолеть химическую связь с подложкой и десорбировать осаждённый нанокластер.
Показано, что при рассматриваемых условиях облучения "непрямой" удар налетающей частицы не приводит к десорбции осаждённого нанокластера с "лёгкой" подложки А1 (масса атомов которой существенно меньше массы атомов осажденного нанокластера), однако такой удар может десорбировать нанокластер с "тяжелой" подложки Аи. При этом эффективность десорбции при ударе кластерным многоатомным ионом существенно выше, чем при ударе одноатомным ионом.
При рассмотренных условиях облучения (преобладание режима упругого торможения) установлено два основных механизма десорбции осаждённых на подложку нанокластеров: для "тяжелой" подложки Аи доминирующим механизмом является "эффект абляции" (связанный с передачей импульса от потока распыляемого вещества подложки осаждённому на неё нанокластеру); ■S для "лёгкой подложки" десорбция возможна лишь за счёт "эффекта отдачи" при "прямом" ударе бомбардирующей частицы.
Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Журкин, Евгений Евгеньевич, 2012 год
Список использованных источников
1. Yamada, I. Nano-processing with gas cluster ion beams / I. Yamada, J. Matsuo, Z. Insepov [et al.] // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 2000. - Vol. 164-165. - P. 944-959.
2. Yamada, I. Surface processing by gas cluster ion beams at the atomic (molecular) level /1. Yamada, J. Matsuo, Z. Insepov [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. A . - 1996. — Vol. 14 — P.781-785.
3. Vickerman, J.C. ToF-SIMS: Surface Analysis by Mass Spectrometry / J.C.Vickerman, D.Briggs (Eds) . - Chichester, UK: IM Publications , 2001. - 789 p.
4. Foad, M.A. Cluster formation during annealing of ultra-low-energy boron-implanted silicon / M.A.Foad, R.Webb, R.Smith [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. В . - 2000. - Vol.18. - P. 435-439.
5. Дэвис, Дж.А. Каскады столкновений с высокой плотностью энергии и эффекты пиков/ Дж.А.Дэвис // в кн.: Ионная имплантация и лучевая технология. - п/р Дж.С.Вильямса и Дж.М.Поута,- Киев: "Наукова Думка", 1988. - С. 72-85.
6. Andersen, Н.Н. Sputtering Yield Measurements / H.H.Andersen and H.L. Bay // in: Sputtering by Particle Bombardment I, Ed. by R.Behrisch: Springer-Verlag, Berlin, 1981. - P. 145218.
7. Merkle, K.L. Direct Observation of Spike Effects in Heavy-Ion Sputtering / K.L. Merkle and W.Jager // Phil. Mag. - 1981. - Vol. 44. - P. 741-762
8. Andersen, H.H. Nonlinear Effects in Collisional Sputtering under Cluster Impact / H.H. Andersen II Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk.. - 1993. - Vol. 43. - 127-150
9. Shulga, V. I. Penetration of Slow Gold Clusters through Silicon / V.I. Shulga and P. Sigmund // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 1990. - Vol. 47. - P.236-242.
10. Shulga, V. I. Stopping of copper clusters in copper / V.I. Shulga // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 1991,- Vol. 58,- P.422-428.
11. Yamamura, Y. Depth profiles due to big cluster impacts / Y.Yamamura, T. Muramoto IIPhys. Rev. Lett. 1992. - V.69. - P.1463-1466.
12. Anders, C. Cluster-size dependence of ranges of 100 eV/atom Aun clusters / C.Anders, H.M.Urbassek // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2005. - Vol.228. - P.57-63.
13. Kimura, K. Molecular effect on projected range in ultralow-energy ion implantation / K.Kimura, Y.Oota, K. Nakajima,et al. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 2003. -Vol.211. - P.206-210.
14. Sigmund, P. - Interplay between computer simulation and transport theory in the analysis of ion-beam-induced collision processes in solids / P.Sigmund //J.Vac.Sci. Thechnol.A. -1989.-Vol.7. - P.585-597.
15. Shulga, V. I. Pronounced nonlinear behavior of atomic collision sequences induced by keV-energy heavy ions in solids and molecules / V.I. Shulga, M.Vicanek, P.Sigmund // Phys. Rev. A. - 1989. - Vol.39. - P. 3360-3372.
16. Andersen, H.H. Gold-cluster ranges in aluminium, silicon and copper / H.H.Andersen, A.Johansen, M.Olsen [et al.] // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 2003. - Vol. 212,- P. 56-62.
17. Peltola, J. Heat spike effect on the straggling of cluster implants / J.Peltola, K.Nordlund // Phys.Rev. B. - 2003. - Vol. 68. - P. 035419-035424.
18. Popok, V.N. Beams of atomic clusters: effects on impact with solids / V.N. Popok, E.E.B. Campbell // Rev. Andv. Mater. Sci. - 2006. - Vol. 11. - P. 19-45.
19. Rapaport D.C. The Art of Molecular Dynamics Simulation / D.C. Rapaport. - Cambridge: University Press, 1995. - 400 p.
20. Allen, M.P. Computer simulation of liquids / M.P.Allen, D.J. Tildesley. - Oxford: Clarendon Press, 1987. - 387 p.
21. Smith, R. Atomic & Ion Collisions in Solids and at Surfaces / R. Smith . -Cambridge: University Press, 1997. - 309 p.
22. Экштайн, В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. / В.Экштайн. - М.: Мир, 1995. - 320 с.
23. Gibson, J.B. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A. N. Goland, M. Milgram, and G. H. Vineyard // Phys. Rev. -1960. - Vol.120. - P.1229-1253.
24. Rahman, A.A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon / A.A. Rahman. // Phys. Rev. A. -1964. -Vol.136. -P.405-411.
25. Verlet, L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules / L.Verlet. // Phys. Rev.. -1967. -Vol.159. - P.98-103.
26. Verlet, L. Computer "Experiments" on Classical Fluids. II. Equilibrium Correlation Functions/ L.Verlet.//Phys. Rev..-1968. -Vol.165. - P.201-214.
27. Voter, Interatomic Potentials for Atomistic Simulations / A.F.Voter. // Materials Research Society Bulletin. -1966. - Vol.21. - No.2. - P. 12-32.
28. Marx, D. Ab initio molecular dynamics: basic theory and advanced methods / D.Marx and J. Huttler New York: Cambridge University Press, 2009 - 567 P.
29. Finnis, M. Interatomic forces in Condensed Matter Z M. Finnis- New York: Oxford University Press, 2003-286 P.
30. Sheng, H. Highly optimized embedded-atom-method potentials for fourteen fee metals.Z H.W. Sheng et al. ZZ Physical Review B 2011 .- Vol.83.- P.134118.
31. Moliere,G Theorie der Streuung schneller geladener Teilchen. I. Einzelstreuung am abgeschirmten Coulomb-Field Z G.Moliere ZZ Z. Naturforsch. -1947. - Vol.2a. - P. 133-145.
32. Wilson, W.D. Calculations of nuclear stopping, ranges, and straggling in the low-energy region Z W.D.Wilson, L.G.Haggmark, J.P. Biersack ZZ Phys. Rev. B. -1977. -Vol.15. -P.2458-2468.
33. Ziegler, J.F. The Stopping and Range of Ions in Solids Z J.F.Ziegler, J.P.Biersack, U.Littmark ZZ The Stopping and Range of Ions in Matter.-1995.-Vol. 1. - New York : Pergamon, 1985.-321 p.
34. Biersack , J.P. Refined universal potentials in atomic collisions Z J.P. Biersack , J. F.Ziegler ZZNucl.Instrum.Meth. .-1982-Vol. 194.-P.93-100.
35. Lennard, J.E. On the Determination of Molecular Fields Z J.E.Lennard, I. Jones ZZ Proc. R. Soc. London.A. -1924. - Vol.106. - P.441-463.
36. Morse, P.M. Diatomic Molecules According to the Wave Mechanics. II. Vibrational Levels Z P.M. Morse. ZZ Phys. Rev.. -1929. - Vol.34. - P.57-64.
37. Girifalco., L.A. Application of the Morse Potential Function to Cubic Metals Z L.A.Girifalco and V. G. Weizer ZZ Phys. Rev.. -1959. - Vol.114. - P.687-690.
38. Ducastelle, F. Tight-binding potentials in Computer Simulation in Materials Science Z F. Ducastelle. ZZ Proc. of NATO ASI series . -1999. - Vol. 205. - P. 233-253.
39. Daw, M.S. Embedded-atom method: Derivation and application to impurities, surfaces, and other defects in metals Z M. S. Daw, M. I. Baskes ZZ Phys. Rev. B. -1984. -Vol.29. -P.6443-6453.
40. Daw, M.S. Semiempirical, Quantum Mechanical Calculation of Hydrogen Embrittlement in Metals / M.S. Daw and M.I. Baskes ZZ Phys. Rev. Lett. -1983. - Vol.50. - P.1285-1288.
41. Finnis, M.W. A simple empirical N-body potential for transition metals ZM.W. Finnis, J.E. Sinclair ZZ Philos. Mag A. -1984. -Vol.50. - P.45-55.
42. Finnis, M.W. Erratum Z M.W. Finnis and J.E. SinclairZZ Phil. Mag. A. -1986. -Vol.53. -P.161.
43. Ackland,G.J. An improved N-body semi-empirical model for BCC transition metals Z G.J. Ackland,R.Thetford R. ZZ Phil. Mag. A. -1987. - Vol.56. - P. 15-30.
44. Ercolessi, F. A molecular dynamics primerZ F.ErcolessiZZ University of Udine, Italy, 1997.-http://www.fisica.uniud.itZ~ercolessiZ
45. Stillinger,F.H. Computer simulation of local order in condensed phases of silicon / F.H. Stillinger and T. A. Weber. // Phys. Rev. B. -1989. - Vol.31. - P.5262-5271.
46. Tersoff, J. Empirical Interatomic Potential for Carbon, with Applications to Amorphous Carbon / J. Tersoff. // Phys. Rev. Lett.. -1998. -Vol. 61. -P. 2879-2882.
47. Chen, S.P. Computer simulation on surfaces and [001] symmetric tilt grain boundaries in Ni, Al, and Ni3Al / S.P.Chen, A.F. Votor, D.J. Srolovitz. // J. Mater. Res. -1989. -Vol.4. -P.62-77.
48. Sutton, A.P. Long range Finnis-Sinclair potentials /A.P. Sutton, J. Chen. // Phil. Mag. Lett. . -1990.-Vol.61.-P. 39-146.
49. Rosato, V. Thermodynamical and structural properties of FCC transition metals using a simple tight-binding model / V. Rosato, M. Guillop, B. Legrand. // Phil. Mag.A. -1989. -Vol.59.-P. 21-336.
50. Friedel J., The Physics of Metals / J. Friedel. - Cambridge: Cambr. Univ. Press, 1969. - 312 P-
51. Cleri, F. Tight-binding potentials for transition metals and alloys/ F.Cleri, V.Rosato // Phys. Rev. -1993. -Vol. 48. - P.22-33.
52. Ackland, G. Many-body potentials and atomic-scale relaxations in noble-metal alloys / G.Ackland, V. Vitec. //Phys. Rev. B. -1990. -Vol. 41. -P.10324-10333.
53. Gao, F. Point-defect and threshold displacement energies in Ni}Al / F.Gao, D. Bacon, G.Ackland. // Phil. Mag. A. -1993. - Vol. 67.. -P.275-288.
54. Hou, M. Cascade statistics in the binary collision approximation and in full molecular dynamics / M.Hou, Z.-Y.Pan. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.. -1995.-Vol. 102. - P.93-102.
55. Terentiev, D.A. Atomic scale calculation of surface binding energies of pure metals and their alloys / D.A.Terentiev, E.E. Zhurkin // International Workshop on New Approaches to High-Tech Materials: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering, Ed. By A.I.Melker, Proceedings of SPIE. -2003. -Vol.5127. - P. 116123.
56. Zhurkin, E.E. Structural and thermodynamic properties of elemental and bimetallic nano-clusters: an atomic scale study / E.E. Zhurkin, M. Hou. // J. Phys.: Condens. Matter. -2000. -Vol.12.-P. 6735-6754.
57. Pauwel B. B.Pauwel, Transmission electron microscopy and Monte-Carlo simulations of ordering in Au-Cu clusters produced in a laser vaporization sourse / G.V.Tendeloo, E.Zhurkin, M.Hou, G.Verschoren, L.Theil Kuhn, W.Bouwen, P.Lievens. // Phys. Rev. B. -2001.-Vol.63.-P. 165406-165416.
58. Hou, M. Atomic scale modelling of cluster assembled NixAli_x thin films / M.Hou, V.S.Kharlamov, E.E.Zhurkin. // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 195408-195422
59. Tersoff, J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems / J. Tersoff// Phys. Rev. B. -1989. -Vol. 39. - P. 5566-5568.
60. Tersoff, J. Erratum: Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems/ J. Tersoff// Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 41 . - P. 3248.
61. Tarus, J. Effect of surface on defect creation by self-ion bombardment of Si(001)/ J. Tarus, K. Nordlund, A. Kuronen, and J. Keinonen // Phys. Rev. B. -1998. - Vol. 58,- P. 99079915.
62. Nordlund, K. Formation of Ion Irradiation Induced Small-Scale Defects on Graphite Surfaces /K.Nordlund, J.Keinonen J., T.Mattila // Phys. Rev Lett. 1996. - Vol.77.. - № 4.. -P.699-702
63. Swope, W. C. A computer simulation method for the calculation of equilibrium constants for the formation of physical clusters of molecules: Application to small water clusters / W.C.Swope, H. C. Andersen, P. H. Berens, K. R. Wilson. // The Journal of Chemical Physics. - 1982. - Vol. 76. -Issue 1. - P. 637-649.
64. Бериш, P. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. I: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша.- М.: Мир, 1984. -336 с.
65. Бериш, Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск II: Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности. Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша .- М.: Мир, 1986. -488 с.
66. Behrisch, R. Sputtering by Particle Bombardment III / R.Behrisch and K.Wittmaack-Berlin: Springer-Verlag, 1991. 410 p.
67. Машкова, E.C. Современные тенденции в исследовании распыления твердых тел / Е.С.Машкова // Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. пер. с англ. под ред. Е.С.Машковой. - М.: Мир, 1989. - 349 е., С. 5-45.
68. Andersen, Н.Н. Nonlinear effects in heavy-ion sputtering / H.H.Andersen, H. L. Bay // Journal of Applied Physics. - 1974. - Vol. 45. - Issue 2 . -P. 953-954.
69. Andersen, H.H. Heavy-ion sputtering yields of gold: Further evidence of nonlinear effects / H.H.Andersen and H.L.Bay // Journal of Applied Physics. - 1975. - Vol. 46. - Issue 6. -P.2416-2422.
70. Della-Negra, S. Acceleration of (?+6o molecules to high energy. / S.Della-Negra, A.Brunelle, Y.Le Beyec, et al. // Nucl.Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. . -1993. -Vol.74. - Issue 3.-P.453-456
71. Schoppmann, Ch. Acceleration of Aun clusters to MeV energies / Ch.Schoppmann, P.Wohlfart, D.Brandl et al. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -1993. - Vol. 82. -Issue 1. - P.156-160.
72. Boussofiane-Baudin, K.K. Non-linear sputtering effects induced by MeV energy gold clusters. / K.K. Boussofiane-Baudin, A.Brunelle, P.Chaurand, et al. //Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 1994 . - Vol. 88. - P.61-68.
73. Baudin, K. Sputtering of large size clusters from solids bombarded by high energy cluster ions and fullerenes. /K.Baudin, A.Brunelle, S.Della-Negra et al.// Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -1996. - Vol.112. - Issues 1-4. -P.59-63.
74. Brunelle, Collisions of fast clusters with solids and related phenomena / A.A.Brunelle, S.Della-Negra, J.Depauw et al. //Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 1997. -Vol.125. - Issues 1-4. - P.207-213.
75. Andersen, H.H. Nonlinear Effects in Collisional Sputtering under Cluster Impact. / H.H.Andersen // Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk.. -1993. -Vol.43. - P.127-150.
76. Andersen, H.H. Giant Metal Sputtering Yields Induced by 20-5000 keV/atom Gold Clusters. /H.H.Andersen, A.Brunelle, S.Della-Negra et al. // Phys. Rev. Lett. . -1998. - Vol.80. - No 24. - P.5433-5436.
77. Sigmund, P. Mechanisms and Theory of Physical Sputtering by Particle Impact / P.Sigmund //Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 1987. - Vol.27. - P. 1-20.
78. Sigmund, P. Sputtering by Ion Bombardment: Theoretical Concepts / P. Sigmund. // Sputtering by Particle Bombardment I. - 1981: Berlin, Springer-Verlag, P. 9-71.
79. .Robinson, M.T. Computer simulation of sputtering. / M.T.Robinson. // Mat.Fys. Medd. K.Dan.Vid.Selsk.. -1993. - Vol. 43. - P.27-79.
80. Robinson, M.T. Theoretical aspects of monocrystal sputtering / M.T.Robinson. //. Sputtering by Particle Bombardment I. ed. By R.Behrisch . -1981: Berlin, Springer-Verlag, 1981. -P. 73-114. .-281P.
81. Biersack, J.P. A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets / J.P.Biersack, L.G.Haggmark. //Nucl. Instrum. & Meth. . -1980. -Vol. 174. - P.257-296.
82. Biersack, J.P. Sputtering studies with the Monte-Carlo program TRIM.SP / J.P.Biersack, W.Eckstein. // Appl. Phys. A.. -1984. -Vol.34. - P.73-94.
83. Hsieh, H. Effect of temperature on the dynamics of energetic displacement cascades: A molecular dynamics study / H.Hsieh, T.Diaz de la Rubia, R.S.Averback, R.Benedek. // Phys. Rev. B. -1989. - Vol.40. - P.9986-9988.
84. Pan, Z.Y. Collision dynamics between gold clusters and gold thin films Z Z.Y.Pan, M.Hou. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res.B. -1995. - Vol.102. - P.317-321.
85. Petolta, J. Heat spike effect on the straggling of cluster implants ZJ. Peltola, K. Nordlund, J. Keinonen ZZ Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Volume 206, May 2003, Pages 61-65
86. Betz, G. Cluster bombardment of solids: A molecular dynamics study Z G.Betz, W.Husinsky ZZ Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res.B . -1997. -Vol.122. - P.311-317.
87. Averback,R.S. Cluster-solid interactions: A molecular dynamics investigation Z R.S. Averback, M. Ghaly, and H. Zhu. ZZ Radiat. Eff. and Def. in Solids. -1994. - Vol.130-131. - P. 211-224.
88. Urbassek, H.M. Molecular-dynamics simulation of sputteringZ H.M. Urbassek ZZ Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.-1997.- Vol.122.- P. 427-441.
89. Shapiro, M.H. Using Molecular Dynamics Simulations to Investigate Sputtering Process: an Overview.Z M.H. Shapiro ZZ Radiation Effects and Defects in Solids-1997.- Vol. 142,- P. 259-285.
90. Colla, T.J. Au sputtering by cluster bombardment: A molecular dynamics study Z T.J.Colla, H. M. Urbassek. ZZ Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -2000. -Vol. 164-165. -P.687-696.
91. Colla, T.J. Sputtering of Au (111) induced by 16-keV Au cluster bombardment: Spikes, craters, late emission, and fluctuations Z T. J. Colla, R. Aderjan, R. Kissel, and H. M. Ur-bassek.ZZ Phys. Rev.B.. -2000. -Vol.62. - P.8487-8493.
92. Aderjan, R. Molecular-dynamics study of craters formed by energetic Cu cluster impact on Cu Z R.Aderjan and H.M.Urbassek. ZZ Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -2000. -Vol.164-165. -P. 697-704.
93. Moseler, M. On the origin of surface smoothing by energetic cluster impact: Molecular dynamics simulation and mesoscopic modeling Z M.Moseler, O.Rattunde, J.Nordiek and H. Haberland ZZ Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -2000. -Vol. 164-165. - P.522-536.
94. Andersen, H.H. Sputtering Yield Measurements / H.H.Andersen, H.L.Bay. ZZin Sputtering by Particle Bombardment; ed. by R. Behrisch. - 1981. - Pt.I. - Berlin: Springer-Verlag, 1981. - P.145-218
95. Eckstein, W. Sputtering data / W.Eckstein, C.Garcia-Rosles, J.Roth, W.Ottenberger ZZ Rep. IPP 9/82. - 1993. - Garching, Munchen, Max-Planck-Institute-Fur-Plasmaphysik, 1993.
96. Sigmund, P. Introduction to sputtering Z P.Sigmund. ZZ Mat. Fys. Medd. K. Dansk. Vidensk. Selsk. .-1993.-Vol. 43.-P.7-26.
97. Thompson., M.W. The Velocity Distribution of Sputtered Atoms / M.W.Thompson. // Nucl. Instrum. And Meth. In Phys. Res. B. - 1987. - Vol. 18. - P. 411-429.
98. Behrisch, R. Sputtering by Particle Bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies (Topics in Applied Physics) [Text] / R. Behrisch, W. Eckstein. - Berlin, Heidelberg, New York: Springer, 2007 - 508 p.
99. G.Betz, G.K. Werner, Sputtering of multicomponent materials // R.Behrish. Sputtering by Particle Bombardment II. - Springer-Verlag, Berlin, Top.Appl.Phys. . -1983. - Vol. 52. - P. 11-90
100. Yamada, I. Non-linear processes in the gas cluster ion beam modification of solid surfaces [Text] / I.Yamada, J.Matsuo, N.Toyoda, T.Aoki, E.Jones, Z.Insepov // Mater.Sci. Enging. - 1998.. - Vol. A253. - P.249-257.
101. Perry, A.J., Bull S.J., Dommann, A., Michel, M., Wood, B.P., Rafaja D., Matossian J.N. The smoothness, hardness and stress in titanium nitride following argon gas cluster ion beam treatment [Text] / A.J. Perry, S.J. Bull, A. Dommann, M. Michel, B.P. Wood, D. Rafaja, // Surf. Coat. Technol. - 2001. - V.140. - P.99-108.
102. Andersen, H.H. Giant Metal Sputtering Yields Induced by 20-5000 keV/atom Gold Clusters. / H.H.Andersen, A.Brunelle, S.Della-Negra et al. // Phys. Rev. Lett. . -1998. -Vol.80. - No 24. - P.5433-5436.
103. Prasalovich, S. Experimental studies of complex crater formation under cluster implantation of solids / S. Prasalovich, V. Popok, P. Persson and E.E.B. Campbell// Eur. Phys. J. D 2005,-Vol. 36.-P. 79-88.
104. Gruber, A.. Nanoparticle impact micromachining / A.Gruber, J. Gspann J // J. Vac. Sci. Technol. - 1997. - Vol.B15. - P.2362-2365.
105. Gades, H., Urbassek, H. M., Molecular-dynamics simulation of adatom formation under keV-ion bombardment of Pt(lll) [Text] / H. Gades, H. M. Urbassek. II Phys. Rev. B. - 1994.- Vol.50.-P. 11167-11174
106. Michely, T., Teichert, C. Adatom yields, sputtering yields, and damage patterns of single-ion impacts on Pt(lll) [Text] / T. Michely, C. Teichert. // Phys. Rev. B. - 1994. -Vol.50. - P. 11156-11166
107. Bringa, E. M., Nordlund, K., Keinonen, J. Cratering-energy regimes: From linear collision cascades to heat spikes to macroscopic impacts [Text]/ E. M. Bringa, K. Nordlund, J. Keinonen. // Physical Review B. - 2001. - Vol 65. - P. 235426-235438
108. Bringa, E. M., Johnson, R. E., Papaleo, R. M. Crater formation by single ions in the electronic stopping regime: Comparison of molecular dynamics simulations with experi-
ments on organic films [Text] / E. M. Bringa, R. E. Johnson, R. M. Papaleo. // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 094113-094121
109. Bringa, E. M., Hall, E., Johnson, R. E., Papaleo, R. M. Crater formation by ion bombardment as a function of incident angle [Text] / E. M. Bringa, E. Hall, R. E. Johnson, R. M. Papaleo. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. - 2002. - Vol. 193. - P. 734-738
110. Yamaguchi, Y., Gspann, J. Large-scale molecular dynamics simulations of cluster impact and erosion processes on a diamond surface [Text] / Y. Yamaguchi, J. Gspann. // Phys. Rev. B. -2002. - Vol. 66. - P. 155408-155418
111. Colla, T. J., Urbassek, H. M. Influence of adatom coverage on sputter yield [Text] / T. J. Colla, H. M. Urbassek. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. - 1996. - Vol. 117, Issue 4,- P. 361-366
112. Zinovyev, V. A., Aleksandrov, L. N., Dvurechenskii, A. V., Heinig, К. H., Stock, D. Modelling of layer-by-layer sputtering of Si(l 11) surfaces under irradiation with low-energy ions [Text] / V. A. Zinovyev, L. N. Aleksandrov, A. V. Dvurechenskii, К. H. Heinig, D. Stock. // Thin Solid Films. - 1994. - Vol. 241, Issues 1-2. - P. 167-170.
113. Colla, T.J. Au sputtering by cluster bombardment: a molecular-dynamics study/ T. J. Colla, H. Urbassek // Nucl. Instrum. Meth. В .- 2000 V. 164-165,- P. 687
114. Aderjan, R. Molecular-dynamics study of craters formed by energetic Си cluster impact on Си / R.Aderjan and H.M.Urbassek. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -2000. -Vol.164-165. -P. 697-704.
115. Insepov, Z., Allen, L.P., Santeufemio, C., Jones, K.S., Yamada, I. Computer modeling and electron microscopy of silicon surfaces irradiated by cluster ion impacts [Text] / Z.Insepov, L.P.Allen, C.Santeufemio, K.S. Jones, I.Yamada. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. - 2003. - Vol. 202. - P. 261-268
116. Lehmann, C. Interaction of Radiation with Solids and Elementary Defect Production [Text] / C. Lehman. // Elsevier North-Holland. - 1977. - 341 p.
117. Келли, Б. . Радиационное повреждение твердых тел. пер. с англ. / Б.Келли // М.: Атомиздат. -1970. - 240 с.
118. М.Томпсон, М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах, пер. с англ / М.Томпсон // М.: Мир. -1971. - 370 с.
119. Лейман, К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов [text] / К. Лейман // Атомиздат. - 1979. - 293 стр.
120. Трушин, Ю. В. Физическое материаловедение, [text] / Ю. В. Трушин // Наука. -2000. - СПб. - 286 стр.
121. Кирсанов, Процессы радиационного дефектообразования в металлах. / В.В. Кирсанов В.В., Суворов А.В., Трушин Ю.В. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 272 с.
122. Diaz de la Rubia, Т. Defect production mechanism in metals and covalent semiconductors / T. Diaz de la Rubia // // Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2996. - Vol. 120. - P. 1926.
123. Was, Gary S. Fundamentals of Radiation Materials Science: Metals and Alloys [Text] / Gary.S. Was. - New York: Springer, 2007. - 827 p.
124. Sickafus, K. Radiation Effects in Solids [Text] / K. Sickafus, E. Kotomin, B. Uberuaga // NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry. - 2007. -Vol.235. - P. 1592.
125. Nordlund, K. Defect production in collision cascades in elemental semiconductors and fee metals [text] / K. Nordlund, M. Ghaly, R. S. Averback [et al.] // Phys. Rev. B. -1998. -Vol.57. - P.7556-7570.
126. Bacon, D. The primary damage state in fee, bcc and hep metals as seen in molecular dynamics simulations [text] / D. Bacon, F. Gao, Y. Osetsky. // Journal of Nuclear Materials. -2000.-Vol.276. - P. 1-12.
127. Diaz de la Rubia, T. The primary damage state and its evolution over multiple length and time scales: Recent atomic-scale computer simulation studies [text] / T. Diaz de la Rubia, M. Caturla, E. Alonso, N. Soneda, M. Johnson. // Radiation effects & defects in solids. -1999.-Vol.148.-P. 95-126.
128. Insepov, Z. Computer modeling and electron microscopy of silicon surfaces irradiated by cluster ion impacts [text] / Z. Insepov, L.P.Allen, C.Santeufemio, [et al.] // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 2003. - Vol.202. - P. 261-268.
129. Osetsky, Yu.N. Yu.N. Atomic-scale modelling ofprimary damage and properties of radiation defects in metals / Osetsky, D.J. Bacon. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2003. - Vol. 202 . - P. 31-43.
130. Dobeli, M. Sputtering and defect production by focused gold cluster ion beam irradiation of silicon [Text] / M. Dobeli, P.W.Nebiker, R.Miihle, [et al.] // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -1997. - Vol. 132. - P. 571-577.
131. Yamada, I. Nano-processing with gas cluster ion beams [text] /1. Yamada, J. Matsuo, Z. Insepov, T. Aoki, T. Seki, N. Toyoda // Nucl. Instrum. and Meth.in Phys.Res. B. -2000. -Vol.164-165.-P.944.
132. Yamada I. Surface processing by gas cluster ion beams at the atomic (molecular) level [text] / I. Yamada, J. Matsuo, Z. Insepov, D. Takeuchi, M. Akizuki, Toyoda N. // J. Vac. Sci. Technol. A . -1996.-Vol.14.-P.781-785.
133. Yamada, I. Non-linear processes in the gas cluster ion beam modification of solid surfaces [Text] / I.Yamada, J.Matsuo, N.Toyoda, T.Aoki, E.Jones, Z.Insepov ZZ Mater.Sci. Enging. -1998. - Vol. A253. - P.249-257.
134. Thomas, J. Surface profiling of insulating layers using desorption induced by monatomic or cluster ions of beam diameter in the 5-10 (im range [text] Z J. Thomas, A. Oladipo, M. Fallavier // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. - 1989. - Vol.42. - P.127-129.
135. Schweikert, E. Surface characterization with keV clusters and MeV ions [text] Z E. Schweikert, E. Blain, E. Park,. E. Da Silveira //Nucl. Instr. and Meth in Phys. Res. B. -1990. -Vol.50. -P.307-313.
136. Szymczak, W. Evidence for strongly enhanced yields of negative molecular secondary ions due to bombardment with SFn cluster ions [text] / W. Szymczak, K. Wittmaack // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B - 1994. - Vol. 88 . - P. 149-153.
137. Andersen, H. Enhanced secondary-ion emission under gold-cluster bombardment with energies from keV to MeV per atom [text] / H. Andersen, A. Brunelle, S. Della-Negra, J. De-pauw, D. Jacquet, Y. LeBeyec, M. Pautrat, K. Baudin // Phys. Rev. A. - 2001. - Vol.63. -P.022902-1-10
138. Colla, T. J. Influence of adatom coverage on sputter yield [Text] / T. J. Colla, H. M. Ur-bassek. //Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. - 1996. - Vol. 117, Issue 4. - P. 361366.
139. Zhurkin, E.E., Atomic scale modelling of A1 and Ni(lll) surface erosion under cluster impact [text] / E.E.Zhurkin, A.S.Kolesnikov // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. -2003. - Vol.202. - P.269-277.
140. Zimmermann,S. Sputtering of Au (111) by 64 keV/atom Au clusters. / S. Zimmermann, H. Urbassek. //Nucl. Instrum. Meth. B.-2005.-V.228,.-P.75-83.
141. Urbassek, H. Sputter Theory / H. Urbassek.// Mat. Fys. Medd. K. Dan. Vidensk. Selsk. -2006.-V.52,-P. 433^163.
142. Aoki, T. Molecular dynamics study of damage formation characteristics by large cluster ion impacts [text] / T.Aoki, J.Matsuo , G.Takaoka // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. - 2003. - Vol. 202. - P. 278-282.
143. Aoki, T. Characterization of Damage Induced by Cluster Ion Implantation [text] / T. Aoki a la, J. Matsuoa, G. Takaokaa // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2001. - Vol.669. - p. 4.5.1
144. В. Canut, М. Fallavier, О. Marty and S. M. M. Ramos. Damage creation in silicon single crystals irradiated with 200 keV/atom Aun+ clusters II Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Vol. B164-165, (2000), P. 396-400
145. Titov, A.I Damage buildup and the molecular effect in Si bombarded with PFn cluster ions [text] / A.I. Titov, A.Yu. Azarov, L.M. Nikulina, S.O. Kucheyev // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2007. - Vol. 256. -1.1. - P.207-210
146. Nakayama, Y. Irradiation of silicon surface by Ar cluster ion beam: Cluster size effects [text] / Y. Nakayama, S. Houzumi, N. Toyoda, K. Mochji, T. Mitamura, I. Yamada // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2005. - Vol. 241. - P.618-621
147. Yamada, I. Summary of recent research on gas cluster ion beam process technology [text] / I. Yamada, N. Toyoda // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2005. - Vol. 232. -P. 192-199
148. Koster, M. Stress relaxation in a-Si induced by ion bombardment [text] / M. Koster, H. Urbassek//Phys. Rev. B.-2000. - Vol.62. - P.l 1219-11224.
149. Beardmore, K. Direct simulation of ion-beam-induced stressing and amorphization of silicon [text] / K. Beardmore, N. Gronbech-Jensen // Phys. Rev. B. -1999. - Vol.60. -P.12610-12616.
150. Urbassek, H. News on sputter theory: Molecular targets, nanoparticle desorption, rough surfaces [text] / H.M. Urebassek, C. Anders, Y. Rosandi // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2011. - Vol. 269. -1. 9. - P.947-954
151. Jarvi, T.T. Sputtering of freestanding metal nanocrystals [text] / T.T. Jarvi, K. Nord-lund // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2012. - Vol. 269. - P.66-69
152. Zimmerman, S. Sputtering of nanoparticles: Molecular dynamics study of Au impact on 20 nm sized Au nanoparticles [text] / S. Zimmerman, H. M. Urbassek // Int. J. Mass Spectrom. - 2008. - Vol. 272. - P. 91-97
153. Kissel, R. Sputtering from spherical Au clusters by energetic atom bombardment [text] / R. Kissel, H. M. Urbassek // Nucl. Instrum. and Meth. In Phys. Res. B. - 2001. -Vol. 180. - P.293-298
154. Журкин, E.E. Исследование распыления нанокластеров золота при бомбардировке ионами Au с энергией 38 кэВ методом классической молекулярной динамики / Е.Е. Журкин // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон, исслед. - 2008. - № 3. - р. 27-33
155. Журкин, Е.Е Моделирование распыления и десорбции нанокластеров золота при бомбардировке нанокластерами Ащоо с энергией 180 эВ/атом методом классической молекулярной динамики / Е.Е. Журкин // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон, исслед. - 2009. - № 3. - р. 24-31
156. Marcus, A. Metal Nanoparticle Deposition for TOF-SIMS Signal Enhancement of Polymers [text] / A. Marcus, N. Winograd // Anal. Chem. - 2006. - Vol. 78. - P. 141-148
157. Baranov, I.A. Absolute yields and angular distributions of gold nanoclusters (2-22 nm) desorbed due to electronic processes by fast heavy ions from nanodispersed gold targets [text] /1. Baranov, S. Kirillov, A. Novikov, V. Obnorsky, A. Pchelintsev, S. Yarmijchuk // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. - 2001. - Vol. 183. - P. 232-240
158. Szymczak, W. TOF-SIMS characterization of spark-generated nanoparticles made from pairs of Ir-Ir and Ir-C electrodes [text] / W. Szymczaka, N. Menzel, W.G. Kreyling, K. Wittmaack // Int. J. Mass Spectrom. - 2006. - Vol. 254. - P. 70-84
159. Kirchner, U. Single particle MS, SNMS, SIMS, XPS, and FTIR spectroscopic analysis of soot particles during the AIDA campaign [text] / U Kirchner, R. Vogt, C. Natzeck, J. Goschnick // J. Aerosol Sci. - 2003. - Vol. 34. - P. 1323-1346
160. Goschnick, J. Comparison of spring and autumn time collected outdoor aerosol particles analyzed with depth-resolving SNMS [text]/ J Goschnick , С Natzeck, M Sommer // Appl. Surf. Sci. - 1999. - Vol. 144-145. - P. 201-207
161. Baranov, I. A source of liquid drop metal nanocluster beams: Construction and application [text] /1. Baranov, P. Hakansson, S. Kirillov, A. Novikov, V. Obnorskii, A. Zhlo-bac, S. Yarmiychuk // Thin Solid Films. - 2006. - Vol. 515. - Issue 1. - P. 313-317
162. Andersen, H.H. Degradation of discontinuous gold films under MeV heavy-ion bombardment [text] / H. H. Andersen, H. Knudsen, P. M. Petersen // J. Appl. Phys. - 1978. -Vol. 49.-P. 5638-5648
163. Baranov, I. Measurement of cluster masses up to 107 amu arising as a result of inelastic sputtering of thin layers by ions. / I.A. Baranov, A.C. Novikov, V.V. Obnorskii, S.O. Tsepelevich //Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 1992. - Vol. 65. - P. 177-180
164. Baranov, I. Macrocluster desorption effect caused by single MCI: charges of gold clusters (2-20 nm) desorbed due to electronic processes induced by fission fragment bombardment in nanodispersed gold targets [text] / I. Baranov, S. Jarmiychuk, S. Kirillov, A.
Novikov, V. Obnorskii, A. Pchelintsev, K. Wien, C. Reimann ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B.- 1999.-Vol. 157.-P. 167-173
165. Baranov, I. Desorption of gold nanoclusters (2-150 nm) by 1 GeV Pb ions [text] Z I. Baranov, S. Kirillov, A. Novikov, V. Obnorskii, M. Toulemonde, K. Wien, S. Yarmiychuk, V.A. Borodin, A.E. Volkov ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2005. - Vol. 230. - P. 495-501
166. Baranov, I. Desorption of nanoclusters (2^40 nm) from nanodispersed metal and semiconductor layers by swift heavy ions, [text] Z I. Baranov, P Hakansson, S. Kirillov, J. Kopniczky, A. Novikova, V. Obnorskii, A. Pchelintsev, A.P. Quist, G. Torzo, S. Yarmiychuk, L. Zennaro ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2002. - Vol. 193. - P. 798-803
167. Baranov, I. Desorption of metal nanoclusters (2-40 nm) from nanodispersed targets of gold by swift heavy cluster (Cg, 20 MeV) and atomic (fission fragments) projectiles [text] Z I. Baranov, A. Brunelle, S. Della-Negra, D. Jacquet, S. Kirillov, Y. Le Beyec, A. Novikov, V. Obnorskii, A. Pchelintsev, K. Wien, S. Yarmijchuk ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res.
B. - 2002. - Vol. 187. - P. 451-458
168. Satpati, B. Energy dependent sputtering of nanoclusters from a nanodisperse target [text] Z B. Satpati, J. Ghatak, B. Joseph, T. Som, D. Kabiraj, B.N. Dev, P.V. Satyam ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2006. - Vol. 244. - P. 278-282
169. Rehn, L.E. Origin of Atomic Clusters during Ion Sputtering [text] Z Z L. E. Rehn, R.
C. Birtcher, S. E. Donnelly, P. M. Baldo, L. Funk ZZ Phys. Rev. Lett. - 2000. - Vol. 87. - P. 207601-207604
170. Staudt, C. Generation of large indium clusters by sputtering, [text] Z C. Staudt, A. Wucher ZZ Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 075419-075431
171. Bouneau, S. Very large gold and silver sputtering yields induced by keV to MeV energy Aun clusters (n=l-13) [text] Z S. Bouneau, A. Brunelle, S. Della-Negra, J. Depauw, D. Jacquet, Y. Le Beyec, M. Pautrat, M. Fallavier, J. C. Poizat, and H. H. Andersen ZZ Phys. Rev. B.-2002.-Vol. 65.-P. 144106-144114
172. Wucher, A. Molecular secondary ion formation under cluster bombardment: A fundamental review, [text] Z Wuche A. ZZ Appl. Surf. Sci. - 2006. - Vol. 252. - P. 6482-6489
173. Baranov, I. Desorption of nanoclusters from gold nanodispersed layers by 72 keV AU400 ions: Experiment and molecular dynamics simulation [text] Z I. Baranov, S. Della-Negra, V. Domaratsky, A. Chemezov, A. Novikov, V. Obnorsky, M. Pautrat, Chr. Anders, H.M. Urbassek, K. Wien, S. Yarmiychuk, E. Zhurkin ZZ Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2008. - Vol. 266. - P. 1993-2001
174. Baranov, I. Ejection of Nanoclusters from Gold Nanoislet Layers by 38 keV Au Ions in the Elastic Stopping Mode [text] /1. A. Baranov, S. Della-Negra, V. P. Domaratsky, A. V. Chemezov, S. N. Kirillov, A. C. Novikov, V. V. Obnorsky, M. Pautrat, H. M. Urbassek, K. Wien, S. V. Yarmiychuk, E. E. Zhurkin // J. Nanosci. Nanotechnol. - 2009. - Vol. 9. - P. 4085-4093
175. Kissel, R. Sputtering of a Au surface covered with large spherical clusters [text] / R. Kissel, H. M. Urbassek // Int. J. Mass Spectrom. - 2001. - Vol. 208. - P. 29-35
176. Kerford, M. Desorption of molecules by cluster impact: A preliminary molecular dynamics study [text] / M. Kerford, R.P. Webb // Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2001. -Vol. 180.-P. 44-52
177. Webb, R. Energetic cluster induced desorption from a graphite surface [text] / R. Webb // Appl. Surf. Sci. - 2004. - Vol. 231-232. - P. 59-63
178. Anders, C. Desorption of gold nanoclusters from gold nanodispersed targets by 200 keV Au5 polyatomic ions in the elastic stopping mode: Experiment and molecular-dynamics simulation, [text] / C. Anders, I. Baranov, S. Della-Negra, V. Domaratsky, M. Fallavier, A. Novikov, V. Obnorsky, K. Wien, S. Yarmiychuk, G. Ziegenhain, H.M. Urbassek // Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2009. - Vol. 267. - P. 2503-2514
179. Habenicht, M. Jumping Nanodroplets [text] / A. Habenicht, M. Olapinski, F. Burmeister, P. Leiderer, J. Boneberg // Science. - 2005. - Vol. 309. - P. 2043-2045
180. Williams, P. Mechanism of sputtering of large biomolecular ions by impact of highly ionizing particles, [text] / P. Williams, B. Sundqvist // Phys. Rev. Lett. - 1987. - Vol. 58. -P. 1031-1034.
181. Delcorte, A. Desorption of large molecules with light-element clusters: Effects of cluster size and substrate nature /A.Delcorte, B.J.Garrison // Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2011. - Vol. 269. -P. 1572-1577.
182. Ziegler J.F SRIM - The stopping and range of ions in matter (2010) / J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack// Nucl. Instrum Methods Phys. Res. B. - 2010. - Vol. 268. - P. 1818-1823
183. Caroll, S.J. Shallow Implantation of "Size-Selected" Ag Clusters into Graphite [text] / S. J. Carroll, P. D. Nellist, R. E. Palmer, S. Hobday and R. Smith // Phys. Rev. Lett. . -2000. -Vol. 84. - P. 2654-2657
184. Kenny, D.J. Implantation depth of size-selected silver clusters into graphite, [text] / D. J. Kenny, R. E. Palmer, C. F. Sanz-Navarro and R. Smith //J. Phys.: Condens. Matter. -2002. -Vol.14 (8) . - P. L185-L1910
185. Shulga, V.I. Pronounced nonlinear behavior of atomic collision sequences induced by keV-energy heavy ions in solids and molecules, [text] / V. I. Shulga, M. Vicanek, and P. Sigmund // Phys. Rev. A. - 1989 . - Vol.39. -P. 3360-3372.
Список публикаций автора по теме диссертации:
[Al] E.E.Zhurkin and M.Hou. Structural and thermodynamic properties of elemental and bimetallic nanoclusters: an atomic scale study // J.Phys.: Condens. Matter .- 2000. -Vol. 12. - P.6735-6754.
[A2] V.S.Kharlamov, E.E.Zhurkin, M.Hou. Atomic Scale Molelling of Nanosize Ni3Al cluster beam deposition on Al, Ni and Ni3Al(lll) surfaces //Nuclear Instruments and Methods in Phys. Res. B.-2002. -Vol. В193 (1-4). -P. 538-543.
[A3] E.E. Zhurkin, A.S.Kolesnikov. Molecular Dynamics Study of Al and Ni3Al sputtering by Al clusters bombardment // Nuclear Instruments and Methods in Phys. Res. B. - 2002. - Vol. В193 (1-4). - P.822-829.
[A4] E.E.Zhurkin, A.S. Kolesnikov. Atomic scale modeling of Al and Ni(lll) surface erosion under cluster impact //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B. - 2003. -Vol. B202 . - P. 269-277.
[A5] Е.Е.Журкин, А.С.Колесников, В.Ф.Космач. Моделирование распыления поверхности Cu(lll) и Ni(lll) под воздействием пучков ускоренных ионов и кластеров // Поверхность. Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед.. -2004. - №4. - С. 23-27.
[А6] Е.Е.Журкин, А.С.Колесников, В.Ф.Космач. Компьютерное моделирование процессов эрозии поверхности металлов при бомбардировке N-атомными кластерами (N=1- 55)// Поверхность.Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед.. - 2005. - №3. - С.51-56. [А7] Е.Е.Журкин, В.Ф.Космач, А.С.Колесников. Пробеги имплантируемых атомов при бомбардировке Cu(lll) многоатомными кластерами. //Поверхность. Рентген. И Синхротрон, и нейтр. исслед.. - 2007. - № 4. - С.5-10.
[А8] I. Baranov, S. Della-Negra, V. Domaratsky, A. Chemezov, A. Novikov, V. Obnorsky, M. Pautrat, Chr. Anders, H.M. Urbassek, K. Wien, S Yarmiychuk, E. Zhurkin. Desorption of nanoclusters from gold nanodispersed layers by 72 keV Ащоо ions: Experiment and molecular dynamics simulation.//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. -2008. - B266. - P. 19932001.
[А9] Е.Е.Журкин. Исследование распыления нанокластеров золота при бомбардировке ионами Аи с энергией 38 кэВ методом классической молекулярной динамики. //Поверхность. Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед. . - 2008 . -№ 3 . -С.27-33.
[А10] I.A.Baranov, S.Della-Negra, V.P.Domaratsky, A.V.Chemezov, S.N.Kirillov, A.C. Novikov, V.V.Obnorsky, M.Pautrat, H.M.Urbassek, K.Wien, S.V.Yarmiychuk, E.E.Zhurkin. Ejection of Nanoclusters from Gold Nanoislet Layers by 38 keV Au Ions in the Elastic Stopping Mode.// Journal of Nanoscience and Nanotechnology. -2009 . - Vol. 9 . - N 7. - P. 4085-4093(9) [All] Е.Е.Журкин. Моделирование распыления и десорбции нанокластеров золота при бомбардировке нанокластерами Ащоо с энергией 180 эв/атом методом классической молекулярной динамики.// Поверхность. Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед. . - 2009. - N 3. - С. 2431
[А 12] Е.Е.Журкин. Моделирование десорбции нанокластеров золота, осаждённых на поверхность (111) А1 и Аи, при бомбардировке ионами Aui и кластерами Ащоо методом классической молекулярной динамики. //Поверхность. Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед. . -2010.-N3.-С. 48-56.
[А13] А.В.Бакаев, Е.Е.Журкин. Моделирование первичных радиационных дефектов в карбиде кремния при бомбардировке ионами и кластерами углерода. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. -2010. -Т.2 .- С. 17-23.
[А 14] А.В. Бакаев, Е.Е. Журкин. Моделирование легирования и первичного радиационного повреждения поверхности (111) SiC при бомбардировке атомарными и кластерными ионами SJn (N = 1,5, 60) методом классической молекулярной динамики // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 3, с. 49-55.
[А15] П.Ю.Григорьев, Е.Е.Журкин. Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. -2011. -Т.2 .- С.67-74.
[А16] П.Ю.Григорьев, Е.Е.Журкин. Моделирование распыления поверхности (111) Si и А1 при бомбардировке многоатомными кластерами методом классической молекулярной динамики // Поверхность. Рентген. Синхротрон, и нейтр. исслед.. - 2012. - N 3. - С. 42^19. [А17] A.S.Kolesnikov, Е.Е. Zhurkin. Ranges and range fluctuations of Cun nanoclusters implanted in Cu(l 11): a molecular dynamics study. // Proc. SPIE Vol. 6253 Ninth International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations; Alexander I. Melker; Ed. . - 2006. -P.625306.1-8.
[A 18] A.S. Kolesnikov, E.E. Zhurkin. Molecular dynamics study of surface erosion and defect generation in copper under cluster bombardment: influence of projectile mass and energy. // Proc.
SPIE Vol. 5831 Eighth International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering; Alexander I. Melker; Ed.. - 2005. - P.33-43. [A19] E.E. Zhurkin, A.S. Kolesnikov. Atomic scale study of Cu and Ni(l 11) surface erosion under cluster bombardment. // Proc. SPIE. -Vol. 5400 Seventh International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering; Alexander I. Melker; Ed. . - 2004. -P. 69-77
[A20] E.E. Zhurkin, A.S. Kolesnikov. Molecular dynamics study of nonlinear sputtering.// Proc. SPIE. - Vol. 5400 Seventh International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering; Alexander I. Melker; Ed. . - 2004 . -P. 78-84 [A21] E.E. Zhurkin, A.S. Kolesnikov. Sputtering of Ni and Ni3Al(lll) surfaces under cluster bombardment: a Molecular Dynamics study. International Workshop on New Approaches to HighTech Materials: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering, Ed. by A.I. Melker, Proceedings of SPIE 5127 . - 2003. -P.107-115. [A22] D.A. Terentiev, E.E. Zhurkin. Atomic scale calculation of surface binding energies of pure metals and their alloys. International Workshop on New Approaches to High-Tech Materials: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering, Ed. by A.I.Melker, Proceedings of SPIE 5127,- 2003. - P. 116-123.
[A23] П.Ю.Григорьев, Е.Е.Журкин. Моделирование распыления поверхности (111) Si и A1 при бомбардировке многоатомными кластерами методом классической молекулярной динамики. // Тез.докл. XLI междунардной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 31 мая - 02 июня ) . - Москва. - 2011. - С.99 [А24] Е.Е.Журкин. Моделирование десорбции нанокластеров золота, осаждённых на поверхность (111) А1 и Аи, при бомбардировке ионами Aui и кластерами Ащоо методом классической молекулярной динамики. Тезисы докладов XXXIX международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 26-28 мая 2009 г.) Под ред. Проф. А.Ф. Тулинова. -М.: Университетская книга, 2009, 183 С. - С.91 [А25] Е.Е.Журкин. Моделирование распыления и десорбции нанокластеров золота при бомбардировке нанокластерами Ащоо с энергией 180 эв/атом методом классической молекулярной динамики. // Тезисы докладов XXXVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 27-29 мая 2008 г.) Под ред. Проф. А.Ф. Тулинова. - М.: Изд-во МГУ. -2008. - 203 С. - С.97
[А26] I.A.Baranov, S. Della-Negra, V.P. Domaratsky, A.V.Chemesov, S. N.Kirillov, A.C.Novikov, V.V.Obnorsky, M. Pautrat, H. M. Urbassek, K. Wien, S.V. Yarmiychuk, E.E.Zhurkin. Ejection of nanoclusters from gold nanoisland layers by 38 keV Au ions in the elastic stopping mode.// Proc. of
the International Meeting on Developments in Materials, Processes and Applications of Nanotech-nology - "MPA 2007" . - University of Ulster. - Belfast. - UK. - 13-14 January 2007. - P.2042. [A27] Е.Е.Журкин. Исследование распыления нанокластеров золота при бомбардировке ионами Аи с энергией 38 кэВ методом классической молекулярной динамики. // Тезисы дола-дов XXXVII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 29-31 мая 2007 г.) Под ред. Проф. А.Ф. Тулинова. - М.: Изд-во МГУ. -2007,- 177С,- С.88
[А28] A.S.Kolesnikov, Е.Е. Zhurkin. Ranges and range fluctuations of Cun nanoclusters implanted in Cu(l 11): a molecular dynamics study // Proc. SPIE Vol. 6253 Ninth International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations; Alexander I. Melker; Ed. . - 2006 . -P.625306.1-8.
[A29] Е.Е.Журкин, В.Ф.Космач, А.С.Колесников. Пробеги имплантируемых атомов при бомбардировке Cu(lll) многоатомными кластерами //Тезисы доладов XXXVI международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 30 мая-01 июня 2006 г.) Под ред. Проф. А.Ф. Тулинова. - М.: Изд-во МГУ. -2006. - 172 С. -С.92
[А30] A.S.Kolesnikov, Е.Е. Zhurkin. Ranges and range fluctuations of Cun nanoclusters implanted in Cu(lll): a molecular dynamics study. // Proceedings of SPAS: Ninth International Workshop on New Approaches to High-Tech Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering NDTCS-2005, Preprints and Program, 6-12 June 2004 St.Petersburg, Russia. - Vol.9. - P.27-31
[A31] A.S. Kolesnikov, E.E. Zhurkin. Molecular dynamics study of surface erosion and defect generation in copper under cluster bombardment: influence of projectile mass and energy. - Proceedings of SPAS: Eighth International Workshop on New Approaches to High-Tech Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering NDTCS-2004 Preprints and Program, 7-13 June 2004. - St.Petersburg, Russia . -Vol.8 - B1
[A32] Е.Е.Журкин, А.С.Колесников, В.Ф.Космач. Компьютерное моделирование процессов эрозии поверхности металлов при бомбардировке N -атомными кластерами (N=1-55). //Тезисы докладов XXXIV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 31 мая - 2 июня 2004 г.) - Изд.-во УНЦ ДО МГУ им. Ломоносова, 2004г. - С. 79
[АЗЗ] E.E.Zhurkin, A.S.Kolesnikov. Molecular dynamics study of non-linear sputtering. //Proceedings of SPAS -"New Approaches to High-Tech: Nondestructive testing and Computer Simulations in Science and Engineering - NDTCS-2003", Preprints and Program. - St.Petersburg, Russia: 9-15 June 2003. -Vol.7-C6.
[А34] E.E.Zhurkin, A.S.Kolesnikov. Atomic scale study of Cu and Ni(l 11) surface erosion under cluster bombardment.// Proceedings of SPAS -"New Approaches to High-Tech: Nondestructive testing and Computer Simulations in Science and Engineering - NDTCS-2003", Preprints and Program, St.Petersburg, Russia: 9-15 June 2003. - Vol.7 . -C2
[A35] Е.Е.Журкин, А.С.Колесников, В.Ф.Космач. Моделирование распыления поверхности Cu(l 11) и Ni(l 11) под воздействием пучков ускоренных ионов и кластеров //Тезисы докладов ХХХШ Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 26-28 мая 2003 г.) - Изд.-во УНЦ ДО МГУ им. Ломоносова. - 2003. С. 65
[А36] D.A.Terentiev, Е.Е. Zhurkin. Atomic scale calculation of surface binding energies of pure metals and their alloys. Proceedings of SPAS -"New Approaches to High-Tech: Nondestructive testing and Computer Simulations in Science and Engineering - NDTCS-2002", Preprints and Program, St.Petersburg, Russia: 10-16 June 2002. - Vol.6 - C27
[A37] E.E.Zhurkin , A.S. Kolesnikov. Sputtering of Ni and №зА1(111) surfaces under cluster bombardment: a Molecular Dynamics study", Proceedings of SPAS -"New Approaches to HighTech: Nondestructive testing and Computer Simulations in Science and Engineering - NDTCS-2002 // Preprints and Program, St.Petersburg, Russia: 10-16 June 2002. - Vol.6 . - C31 [A38] E.E.Zhurkin, A.S.Kolesnikov. Atomic scale modeling of A1 and Ni(lll) surface erosion under cluster impact // in: "Sixth International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids, COSIRES 2002", Dresden, Germany: June 23 - 27, 2002. - Final Program and Abstracts. -026
[A39] E.E. Zhurkin, A.S.Kolesnikov. Molecular Dynamics Study of A1 and №зА1 sputtering by A1 clusters bombardment // 19th International Conference on Atomic Collisions in Solids, Paris: 29 July- 3 August 2001. - Programme & Abstracts. - B128.
[A40] П.Ю.Григорьев, Е.Е.Журкин. Первичные структурные повреждения кристаллов А1 и Si при бомбардировке многоатомными кластерами. // XL Неделя науки СПбГПУ: материалы международной научно-практической конференции. 4.V. -СПб.: Изд.-во Политехнического университета, 2011. -202 с.. - С. 168-170.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.