Эффекты межэлектронного взаимодействия в квантовых гальваномагнитных явлениях в полупроводниковых гетероструктурах ρ- и η-типа тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Карсканов, Иван Валерьевич

  • Карсканов, Иван Валерьевич
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2009, Екатеринбург
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 92
Карсканов, Иван Валерьевич. Эффекты межэлектронного взаимодействия в квантовых гальваномагнитных явлениях в полупроводниковых гетероструктурах ρ- и η-типа: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Екатеринбург. 2009. 92 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Карсканов, Иван Валерьевич

Введение

1 Квантовые эффекты в проводимости двумерных (2И) систем в классически слабых и сильных магнитных полях (общие представления)

1.1 Квантовые поправки к проводимости.

1.1.1 Классическая проводимость.

1.1.2 Интерференционные квантовые поправки.

1.1.3 Время сбоя фазы

1.1.4 Отрицательное магнитосопротивление.

1.1.5 Квантовые поправки за счет электрон-электронного взаимодействия

1.1.6 Влияние эффекта Зеемана на межэлектронное взаимодействие

1.2 Квантовый эффект Холла.

2 Описание экспериментальной установки. Образцы: методы получения, приготовления и измерения

2.1 Общее описание установки для исследования гальваномагнитных явлений в полупроводниковых структурах.

2.2 Образцы: метод получения, приготовление.

3 Особенности квантовых поправок к проводимости в гетероструктурах р - Се/Се1х81х

3.1 Введение к главе 3. Влияние пространственного квантования и одноосного напряжения на спектр валентной зоны германия.

3.2 Разделение вкладов слабой локализации и электрон - электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур р — Се/Сех^йг.

3.3 Влияние сильного зеемановского расщепления на магнетосопротивление двумерного дырочного газа в гетероструктуре р — Се/Св1^х3гх.

3.4 Выводы к главе 3 . '

4 Квантовые интерференционные эффекты в проводимости гетероструктур п — ГпуСах-уАв/СаАв

4.1 Введение к главе 4. Квантовые поправки к проводимости 2Б систем за счет электрон - электронного взаимодействия в диффузионном и баллистическом режимах.

4.2 Температурная зависимость подвижности электронов в системе п — ЬхуСах-уАв/СаАз.

4.3 Разделение вкладов в проводимость от двух типов носителей заряда в двойных квантовых ямах п — ¡ПуСа^уАв/СаАв

4.4 Выводы к главе 4.

5 Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах р — Се/Се!х81хи квантовых ямах п — 1пуСа1уАз/СаА

5.1 Введение к главе 5. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла

5.1.1 Двухпараметрический скейлинг.

5.1.2 Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний.

5.2 Переходы плато-плато в режиме квантового эффекта Холла.

5.2.1 Гетероструктуры п — ¡ПуОа^уАв/СаАв.

5.2.2 Гетероструктуры р — Се/Се\-х8гх.

5.3 Выводы к главе

Основные результаты

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффекты межэлектронного взаимодействия в квантовых гальваномагнитных явлениях в полупроводниковых гетероструктурах ρ- и η-типа»

Актуальность темы. Развитие технологии изготовления структур с пониженной размерностью методом молекулярно - лучевой эпитакспи позволило получать слоистые структуры с точно заданными составом и толщиной слоев вплоть до атомных. Наиболее физически интересные из них - двумерные электронные системы, в частности, квантовые ямы. Такие ямы могут быть созданы в одиночном и двойном гетеропереходах или в структурах типа металл-изолятор-полупроводник. К наиболее изученным в настоящее время относятся квантовые ямы на основе гетероструктур п — 5г МОБРЕТ, п - ОаАз/АЮаАэ, р - СаАэ/АЮаАэ, Бг/р - йг'Се, р - Се/^гСе.

Постоянно растущий интерес к двумерным электронным системам обусловлен их широким применением в современной технике для построения элементной базы современной и перспективной электроники (полупроводниковые лазеры). Помимо очевидной связи этого направления с вопросами технологии в нем можно выделить отдельную область, представляющую интерес с фундаментальной точки зрения. В двумерных электронных системах наблюдается необычайное богатство фундаментальных физических явлений - квантовые эффекты на макроскопическом уровне, например, целочисленный и дробный квантовый эффект Холла (КЭХ), квантовые интерференционные эффекты в проводимости, квантовые фазовые переходы, вигнеровская кристаллизация, переход металл-диэлектрик, и т.п., и поэтому изучение такого рода объектов и явлений составляет фундаментальную задачу физики конденсированного состояния и отнесено к приоритетным направлениям физических исследований. Это привело к тому, что физика низкоразмерных электронных систем составляет значительную часть современной физики полупроводников.

Особое место в физике двумерных электронных систем занимают исследования транспортных и магнитотранспортных свойств. Особые транспортные свойства электронных систем определяются следующими факторами:

• Пограничное положение между одномерными системами, в которых все электронные состояния считаются локализованными, и трехмерными, в которых имеется порог подвижности, делает решение задачи о локализации электронных состояний в двумерных электронных системах (2БЭС) трудно предсказуемой.

• Легирующие примеси в двумерных электронных системах могут находиться как внутри квантовой ямы, так в барьерах (при этом двумерный газ отделен от рассеивающих примесей, так называемым, спенсером), и следовательно, рассеивающий потенциал изменяется от короткодействующего до плавного.

• Сравнительно малая плотность носителей заряда в двумерных электронных системах, которая может быть достигнута сегодня без ущерба для подвижности в структурах с очень низким уровнем беспорядка, определяет большую величину эффектов, связанных с электрон-электронным взаимодействием. Одним из наиболее ярких эффектов, обусловленных этим взаимодействием, является дробный квантовый эффект Холла.

• В двумерных электронных системах с затворами или при облучении электромагнитным излучением появляется возможность плавно изменять плотность носителей заряда, а значит, и дополнительная степень свободы исследований. Можно заполнять следующие подзоны пространственного квантования, получая, так называемые, квазидвумерные электронные системы и исследовать роль квазидву-мерности в квантовых эффектах, таких как, например, квантовые поправки к друдевской проводимости и КЭХ.

• Плавное изменение концентрации электронов позволяет изменять в широких пределах силу межэлектронного взаимодействия. Степень взаимодействия между электронами обычно характеризуется отношением потенциальной кулоновской энергии взаимодействия на характерном между электронами расстоянии к энергии Ферми, что совпадает с безразмерным радиусом Вигнера-Зейтца (г3). Взаимодействие возрастает с уменьшением п3. Для «плохих» металлов га < 1. В настоящее время переход металл-диэлектрик исследуется уже на 2Б-структурах с г3 порядка 80.

• В последнее время количество эффектов, в происхождении которых явно замешано межэлектронное взаимодействие, постоянно растет. В частности, «металлическое» поведение температурной зависимости проводимости, наблюдаемое при концентрациях в области перехода металл-диэлектрик, также связывают с сильным (rs кз 10) межэлектронным взаимодействием в условиях слабого беспорядка.

• Интересные свойства у двумерного электронного газа возникают при приложении сильного магнитного поля как вдоль нормали к плоскости свободного движения электронов, так и в самой плоскости. Это неудивительно, если учесть, что магнитное поле благодаря квантованию Ландау приводит к тому, что двумерные электронные системы становится полностью дискретным объектом. Интенсивные исследования этих свойств ознаменовались открытием квантового эффекта Холла.

Реализация двумерных электронных систем с сильным взаимодействием и открытие «металлического» поведения температурной зависимости проводимости стимулировали появление потока экспериментальных и теоретических работ, в которых анализировался вопрос - к чему должно привести одновременное присутствие сильного взаимодействия и слабого беспорядка. В настоящее время существует два класса теорий, претендующих на объяснение экспериментальных данных, полученных при исследовании перехода металл-диэлектрик: теории, основанные на ферми-жидкостном подходе и не ферми-жидкостные теории, в частности, модель макроскопического разделения жидкой и твердой электронных фаз в сильно-взаимодействующей системе. Однако все они лишь качественно объясняют транспортные свойства двумерной системы электронов в нулевом магнитном поле. В системе с сильным межэлектронным взаимодействием применение общеизвестных формул, полученных для случая слабого взаимодействия, само по себе требует экспериментального подтверждения. В связи с этим каждый параметр теории, полученный на эксперименте, должен быть подтвержден несколькими независимыми способами в независимых экспериментах для как можно большего количества двумерных электронных систем на основе разных полупроводниковых материалов.

Несмотря на почти тридцатилетнюю историю - с момента экспериментального подтверждения скейлинговой теории локализации и открытия квантового эффекта Холла -полного понимания соответствующих физических явлений до сих пор нет и необходимо продолжать интенсивные теоретические и экспериментальные исследования.

Целью настоящей работы является систематическое исследование эффектов электрон-электронного (е-е) взаимодействия в гальваномагнитных явлениях в двумерных полупроводниковых гетероструктурах р- и n-типа, как в классически слабых(квантовые интерференционные эффекты), так и в квантующих магнитных полях (режим квантового эффекта Холла).

Структура диссертации. Диссертация содержит введение, пять глав, основные выводы и два приложения. Объем диссертации составляет 92 страницы, включая 28 рисунков. Список литературы содержит 87 наименований.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Карсканов, Иван Валерьевич

Основные результаты

1. В двумерной дырочной системе р — Се/Сег^Б^ с большой величиной д-фактора и, следовательно, сильным эффектом Зеемана проведено разделение квантовых интерференционных вкладов в проводимость от эффекта слабой локализации и от модифицированного беспорядком межэлектронного взаимодействия.

2. Показано, что аномальное поведение вклада в проводимость от межэлектронного взаимодействия в гетеросистемах р — Сге/Сеха;6'гх, соответствующее «антилокализации», обусловлено преобладанием вклада триплетного канала из-за большой величины параметра ферми-жидкостного взаимодействия.

3. В двумерной дырочной СИСТ6М6 С ПрОВОДИМОСТЫО (7 е2/Н обнаружена немонотонная температурная зависимость сопротивления (переход от локализации к <антилокализации» при понижении температуры) в качественном соответствии с предсказаниями современной теории ренорм-группы.

4. Показано, что положительное магнитосопротивление, наблюдаемое в гетерострук-турах р — с о ~ е2/к, обусловлено эффективным подавлением триплетного канала ферми-жидкостного взаимодействия вследствие сильного эффекта Зеемана.

5. В двумерной электронной системе п — 1пуСа1^уАз/СаАз обнаружен существенный, линейный по температуре, рост подвижности носителей заряда, который связан с вкладом в проводимость от межэлектронного взаимодействия в баллистическом режиме.

6. В двойных квантовых ямах п — IПуСа^уАв/СаЛд проведено разделение вкладов в проводимость от носителей тока двух заполненных подзон пространственного квантования: подзоны симметричных и антисимметричных состояний. Найдены параметры ферми-жидкостного взаимодействия для двух типов носителей заряда.

7. В режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах п — ¡ПуСа^-уАз/СаАз наблюдалось скейлинговое поведение ширины квантового фазового перехода плато-плато: и0 (Т) ~ Т* со значением критического индекса х = 0.48 ± 0.04, что близко к теоретическому значению.

8. В системах р — Се/Се\^х8гх с преимущественно плавным примесным потенциалом наблюдается квазиклассическое поведение ширины перехода плато - плато: и0(Т) = аТ + Р с конечным уширением р даже при сверхнизких температурах. Теоретически такое поведение объясняется влиянием межэлектронного взаимодействия на экранирование флуктуаций плавного примесного потенциала.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Карсканов, Иван Валерьевич, 2009 год

1. Altshuler В., Aronov A. Electron-Electron 1.teraction in Disorder System. Amsterdam, 1985.

2. Hikami S., Larkin A., Nagaoka Y. Spin-orbit interaction and magnetoresistance in the two dimensional random system // Progr. Theor. Phys. 1980. Vol. 63. P. 707.

3. Wittmann H.-P., Schmid A. Anomalous magnetoconductance beyond the diffusion limit // Journal of Low Temperature Physics. 1987. Vol. 69. P. 131.

4. Zala G., Narozhny В., Aleiner I. Interaction corrections at intermediate temperatures: Longitudinal conductivity and kinetic equation // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64.1. P. 214204.

5. Houghton A., Senna J., Ying S. Magnetoresistance and hall effect of a disorder interacting two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 25, no. 4.1. P. 2196.

6. Альтшулер В., Аронов А. К теории неупорядоченных металлов и сильнолегированных полупроводников // ЖЭТФ. 1979. Т. 77. С. 2028.

7. Minkov G. М., Sherstobitov A. A., Germanenko А. V. et al. Hole-hole interaction in a strained InxGai^xAs two-dimensional system // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72.1. P. 165325.

8. Lee P. A., Ramakrishnan Т. V. Magnetoresistance of weakly disordered electrons // Phys. Rev. B. 1982. Oct. Vol. 26, no. 8. Pp. 4009-4012.

9. Castellani C., Castro C. D., Lee P. Metallic phase and metal-insulator transition in two-dimensional electronic systems // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. P. R9381.

10. Zala G., Narozhny B. N., Aleiner I. L. Interaction corrections at intermediate temperatures: Magnetoresistance in a parallel field // Phys. Rev. B. 2001. Dec. -Vol. 65, no. 2. P. 020201.

11. Ando T. Electron localization in two-dimensional system in strong magnetic fields, i. gas of short-range scatters // J. Phys. Soc. Jap. 1983. Vol. 52. Pp. 1740-1749.

12. Joynt R., Prange R. Conditions for the quantum hall effect // Phys. Rev. B. 1984.1. Vol. 29. Pp. 3303-3317.

13. Орлов JI., Кузнецов О., Рубцова Р. и др. Холл-эффект и особенности зонной структуры селективно легированных сверхрешеток Ge — Ge\-xSix // ЖЭТФ. 1990.1. Т. 98. С. 1028-1034.

14. Орлов Л., Кузнецов О., Дроздов Ю. и др. Энергетические диаграммы и энергетические характеристики сверхрешеток Ge — Ge\-xSix с напряженными слоями // ФТТ. 1990. Т. 32. С. 1933.

15. Кучис Е. В. Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования. Москва: Радио и связь, 1990. Р. 264.

16. Вир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках.1. Москва, 1972.

17. Luttinger J. М. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: General theory // Phys. Rev. 1956. Vol. 102, no. 4. Pp. 1030-1041.

18. Khaetskii A., D'yakonov M. Size quantization of the holes in a semiconductor with a complicated valence band and of the carriers in a gapless semiconductor // JETP. 1982.1. Vol. 55. P. 917.

19. Martin R., Warburton R., Nicolas R. et al. Two dimensional spin confinement in strained quantum wells // Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. Thessaloniki: 1990. Pp. 909912.

20. Dorozhkin S. I. Shubnikov-de Haas oscillation beats and anisotropy of the g-factor in two-dimensional hole systems // Solid State Communications. 1989. Vol. 72, no. 2.1. Pp. 211-214.

21. Арапов Ю., Городилов H., Кузнецов О. и др. Осцилляции магнитосопротивления напряженных сверхрешеток GejGe\-xSix в наклонном магнитном поле // ФТП.1993. Т. 27. С. 1165.

22. Coleridge Р. Т., Sachrajda A. S., Zawadzki P. Weak localization, interaction effects, and the metallic phase in p-SiGe // Phys. Rev. B. 2002. Mar. Vol. 65, no. 12. P. 125328.

23. Narozhny B. N., Zala G., Aleiner I. L. Interaction corrections at intermediate temperatures: Dephasing time // Phys. Rev. B. 2002. May. Vol. 65, no. 18. P. 180202.

24. Lee P., Ramakrishnan T. Disordered electronic systems // Rev. Mod. Phys. 1985. Apr.

25. Vol. 57, no. 2. Pp. 287-337.

26. Kravchenko S. V., Kravchenko G. V., Furneaux J. E. et al. Possible metal-insulator transition at В — 0 in two dimensions // Phys. Rev. B. 1994. Sep. Vol. 50, no. 11.1. Pp. 8039-8042.

27. Altshuler В., Maslov D., Pudalov V. Metal-insulator transition in 2d: resistance in the critical region // Physica E. 2001. Vol. 9. P. 209.

28. Abrahams E., Kravchenko S. V., Sarachik M. P. Metallic behavior and related phenomena in two dimensions // Rev. Mod. Phys. 2001. Mar. Vol. 73, no. 2. -Pp. 251-266.

29. Gornyi I. V., Mirlin A. D. Interaction-induced magnetoresistance: Prom the diffusive to the ballistic regime // Phys. Rev. Lett. 2003. Feb. Vol. 90, no. 7. P. 076801.

30. Pudalov V. M., Gershenson M. E., Kojima H. et al. Interaction effects in conductivity of si inversion layers at intermediate temperatures // Phys. Rev. Lett. 2003. Sep. Vol. 91, no. 12. P. 126403.

31. Pudalov V., Brunthaler G., Prinz A., Bauer G. Instability of the two-dimensional metallic phase to a parallel magnetic field // JETP Lett. 1997. Vol. 65. P. 932.

32. Simonian D., Kravchenko S. V., Sarachik M. P., Pudalov V. M. Magnetic field suppression of the conducting phase in two dimensions // Phys. Rev. Lett. 1997. Sep. Vol. 79, no. 12. Pp. 2304-2307.

33. Simmons M. Y., Hamilton A. R., Pepper M. et al. Metal-insulator transition at b = in a dilute two dimensional gaas-algaas hole gas // Phys. Rev. Lett. 1998. Feb. Vol. 80, no. 6. Pp. 1292-1295.

34. Okamoto T., Hosoya K., Kawaji S., Yagi A. Spin degree of freedom in a two-dimensional electron liquid // Phys. Rev. Lett. 1999. May. Vol. 82, no. 19. Pp. 3875-3878.

35. Shashkin A. A., Kravchenko S. V., Dolgopolov V. T., Klapwijk T. M. Indication of the ferromagnetic instability in a dilute two-dimensional electron system // Phys. Rev. Lett. 2001. Aug. Vol. 87, no. 8. P. 086801.

36. Vitkalov S. A., Zheng H., Mertes K. M. et al. Small-angle shubnikov-de haas measurements in a 2d electron system: The effect of a strong in-plane magnetic field // Phys. Rev. Lett. 2000. Sep. Vol. 85, no. 10. Pp. 2164-2167.

37. Vitkalov S. A., James K., Narozhny B. N. et al. In-plane magnetoconductivity of si mosfets: A quantitative comparison of theory and experiment // Phys. Rev. B. 2003. Mar. Vol. 67, no. 11. P. 113310.

38. Yoon J., Li C. C., Shahar D. et al. Parallel magnetic field induced transition in transport in the dilute two-dimensional hole system in gaas // Arxiv preprint cond-mat/9907128.1999.

39. Noh H., Lilly M. P., Tsui D. C. et al. Interaction corrections to two-dimensional hole transport in the large-rs limit // Phys. Rev. B. 2003. Oct. Vol. 68, no. 16. P. 165308.

40. Dolgopolov V., Gold A. Magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in a parallel magnetic field // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. 2000.

41. Vol. 71, no. 1. Pp. 27-30.

42. Simonian D., Kravchenko S. V., Sarachik M. P., Pudalov V. M. h/t scaling of the magnetoconductance near the conductor-insulator transition in two dimensions // Phys. Rev. B. 1998. Apr. Vol. 57, no. 16. Pp. R9420-R9422.

43. Hensel J. C., Suzuki K. Anisotropy of the g factor of the free hole in ge and conduction-band spin-orbit splitting // Phys. Rev. Lett. 1969. Apr. Vol. 22, no. 16. Pp. 838-840.

44. Арапов Ю., Кузнецов О., Неверов В. и др. Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур р — Ge/GeixSix в режиме квантового эффекта холла // Физика и Техника Полупроводников. 2002.1. Т. 36. С. 550.

45. Nenashev A., Dvurechenskii A., Zinov'eva A. Zeeman effect for holes in a Ge/Si system with quantum dots // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2003. Vol. 96, no. 2. Pp. 321-330.

46. Punnoose A., Finkel'stein A. M. Dilute electron gas near the metal-insulator transition: Role of valleys in silicon inversion layers // Phys. Rev. Lett. 2001. Dec. Vol. 88, no. 1.1. P. 016802.

47. Minkov G. M., Germanenko A. V., Gornyi I. V. Magnetoresistance and dephasing in a two-dimensional electron gas at intermediate conductances // Phys. Rev. B. 2004. Dec. Vol. 70, no. 24. P. 245423.

48. Simonian D., Kravchenko S. V., Sarachik M. P., Pudalov V. M. Magnetic field suppression of the conducting phase in two dimensions // Phys. Rev. Lett. 1997. Sep. Vol. 79, no. 12. Pp. 2304-2307.

49. Das Sarma S., Hwang E. H. Metallicity and its low-temperature behavior in dilute two-dimensional carrier systems // Phys. Rev. B. 2004. May. Vol. 69, no. 19. P. 195305.

50. Финкелынтейн А. Влияние кулоновского взаимодействия на свойства неупорядоченных металлов // ЖЭТФ. 1983. Т. 84. С. 168.

51. Minkov G., Sherstobitov A., Germanenko A. et al. Antilocalization and spinorbit coupling in the hole gas in strained GaAsjInxGa\-xAs/GaAs quantum well heterostructures // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 165312.

52. Флюге 3. Задачи по квантовой механике. Москва: Мир, 1974.

53. Arapov Y., Karskanov I., Harus G. et al. Magnetotransport in two-dimensional n-InGaAs/ GaAs double-quantum-well structures near the transition from the insulator to the quantum Hall effect regime // Low Temperature Physics. 2009. Vol. 35. P. 32.

54. Laughlin R. Quantized hall conductivity in two dimensions // Phys. Rev. B. 1981.1. Vol. 23. Pp. 5632-5633.

55. Halperin B. Quantized hall conductivity, current-carrying edge states and the existence of extended states in a two-dimensional disordered potential // Phys. Rev. B. 1982.1. Vol. 25. Pp. 2185-2190.

56. Abrahams E., Anderson P., Licciardello D., Ramakrishnan T. Scaling theory of localizations: absence of quantum diffusion in two dimensions // Phys. Rev. Lett. -1979. Vol. 42. Pp. 673-676.

57. Pruisken A. On localization in the theory of the quantized hall effect: a two-dimensional realization of the ©-vacuum // Nucl. Phys. B. 1984. Vol. 235 FS 11]. Pp. 277-298.

58. Pruisken A. Dilute instanton gas as the precursor to the integral quantum hall effect // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 32. Pp. 2636-2639.

59. Хмельницкий Д. О квантовании холловской проводимости // Письма в ЖЭТФ.1983. Т. 38. С. 454-458.

60. Wei Н., Tsui D., Pruisken A. Localization and scaling in the quantum hall regime // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 33. Pp. 1488-1491.

61. Kawaji S., Wakabayashi J. Experiments on scaling relation of conductivities in silicon mos inversion layers in strong magnetic fields //J. Phys. Soc. Jap. 1987. Vol. 56.1. Pp. 21-24.

62. Долгополов В., Шашкин А., Медведев В., Мокеров В. Скейлинг в условиях целочисленного квантового эффекта холла // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. С. 201-214.

63. Ando T. Universal scaling relation of conductivities in quantized landau levels // Surf. Sci. 1986. Vol. 170. Pp. 243-249.

64. Ando T., Aoki H. Critical localization and low temperature transport in two dimensional landau quantization //J. Phys. Soc. Jap. 1986. Vol. 55. Pp. 249-253.

65. Thouless D. Maximum metallic resistance in thin wires // Phys. Rev. Lett. 1977.1. Vol. 39. Pp. 1167-1169.

66. Abrahams E., Anderson P., Lee P., Ramakrishnan T. Quasiparticle lifetime in disodered two-dimensional metals // Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24. Pp. 6783-6789.

67. Altshuler B., Aronov A., Khmelmitsky D. Effects electron-electron collisions with small energy transfer on quantum localization // Solid State Phys. 1982. Vol. 15. Pp. 73677386.

68. Das Sarma S., Liu D. Scaling behavior of the activated conductivity in a quantum hall liquid // Phys. Rev. B. 1993. Sep. Vol. 48, no. 12. Pp. 9166-9169.

69. Liu D., Das Sarma S. Universal scaling of strong-field localization in an integer quantum hall liquid // Phys. Rev. B. 1994. Jan. Vol. 49, no. 4. Pp. 2677-2690.

70. Koch S., Haug R. J., Klitzing K. v., Ploog K. Experimental studies of the localization transition in the quantum hall regime // Phys. Rev. B. 1992. Jul. Vol. 46, no. 3.1. Pp. 1596-1602.

71. Wei H. P., Tsui D. C., Paalanen M. A., Pruisken A. M. M. Experiments on derealization and university in the integral quantum hall effect // Phys. Rev. Lett. 1988. Sep. Vol. 61, no. 11. Pp. 1294-1296.

72. Huckestein B. Scaling theory of the integer quantum hall effect // Rev. Mod. Phys.1995. Apr. Vol. 67, no. 2. Pp. 357-396.

73. Shahar D., Hilke M., Li C. C. et al. A new transport regime in the quantum hall effect // Solid State Communications. 1998. Vol. 107, no. 1. Pp. 19 23.

74. Lee D.-H., Wang Z., Kivelson S. Quantum percolation and plateau transitions in the quantum hall effect // Phys. Rev. Lett. 1993. Jun. Vol. 70, no. 26. Pp. 4130-4133.

75. Arapov Y. G., Alshanskii G. A., Harus G. I. et al. The key role of a smooth impurity potential in formation of the hole spectrum for p — ge/ge\-xsix heterostructures in the quantum hall regime//Nanotechnology. 2002. Vol.13. P. 86.

76. Pruisken A. M. M., Skoric В., Baranov M. A. (mis-)handling gauge invariance in the theory of the quantum hall effect, iii. the instanton vacuum and chiral-edge physics // Phys. Rev. B. 1999. Dec. Vol. 60, no. 24. Pp. 16838-16864.

77. Li W., Csâthy G. A., Tsui D. C. et al. Scaling and universality of integer quantum hall plateau-to-plateau transitions // Physical Review Letters. 2005. Vol. 94, no. 20.1. P. 206807.

78. Coleridge P., Zawadzki P. On the thermal broadening of a quantum critical phase transition // Arxiv preprint cond-mat/9903246. 1999.

79. Cooper N. R., Chalker J. T. Coulomb interactions and the integer quantum hall effect: Screening and transport // Phys. Rev. B. 1993. Aug. Vol. 48, no. 7. Pp. 4530-4544.

80. Аверкиев H., Голуб JI., Пикус Г. Слабая локализация в полупроводниковых структурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием // ЖЭТФ. 1998. Т. 113.1. С. 1429.

81. Pedersen S., S0rensen С. В., Kristensen A. et al. Weak localization in Alo.5Gao.5As/GaAs p-type quantum wells // Phys. Rev. B. 1999. Aug. Vol. 60, no. 7. Pp. 4880-4882.

82. Golub L. E., Pedersen S. Spin-orbit interaction and the metal-insulator transition observed in two-dimensional hole systems // Phys. Rev. B. 2002. Jun. Vol. 65, no. 24. P. 245311.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.