Электрофизика пористого кремния и структур на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Зимин, Сергей Павлович

• Зимин, Сергей Павлович
• доктор физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Зимин, Сергей Павлович

Введение

1.Формирование слоев пористого кремния и исследование их структурных характеристик

1.1. Методы формирования слоев пористого кремния

1.2. Структура пор и свойства поверхностной аморфизированной пленки

1.3. Акустический метод определения пористости для мезопористых образцов

1.4. Эффект формирования двухсторонней пористой структуры в процессе травления высоколегированных пластин кремния

Выводы по главе

2. Явления переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией

2.1. Эффект Холла и проводимость в мезопористом кремнии на основе

Si<Sb> с низкой пористостью

2.2. Эффект Холла и проводимость в макропористом кремнии, полученном на слабо легированных подложках n-Si

2.2.1. Анализ экспериментальных результатов в рамках модели пассивации примесных атомов водородом

2.2.2. Анализ экспериментальных результатов при учете изгиба зон

На стенках пор

2.3. Перенос носителей заряда в мезопористом кремнии на основе p+-Si

2.4. Проводимость пористого кремния с высокой пористостью, содержащего фазу аморфного кремния

2.4.1. ВАХ тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния

2.4.2. Температурные зависимости удельного сопротивления пористого кремния с высокой пористостью

2.4.3. Анализ нелинейного характера сопротивления пористого

Кремния в рамках теории токов, ограниченных пространственным зарядом

2.4.4. Переходные характеристики для высокопористых слоев и температурная зависимость подвижности носителей

Выводы по главе

3. Классификация электрических свойств пористого кремния и контактные явления на границе пористого кремния с металлами и кристаллическим кремнием

3.1. Классификация электрических свойств пористого кремния

3.2. Электрические свойства контакта пористого кремния с металлами

3.2.1. Омический характер контактов к пористому кремнию первой группы

3.2.2. Выпрямление на контакте алюминий / пористый кремний 2-й группы

3.3. Свойства границы пористый кремний / кремний 129 Выводы по главе

4. Влияние термического отжига и электронного облучения на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор

4.1. Изохронный термический отжиг пористого кремния в инертной среде

4.1.1. Отжиг образцов PS

4.1.2. Отжиг образцов PS

4.1.3. Переход в низкоомное состояние и эффект релаксации проводимости при термоотжиге слоев PS

4.1.4. Влияние отжига на проводимость слоев PS

4.2. Влияние облучения высокоэнергетичными электронами на проводимость слоев ПК

Выводы по главе

5. Емкостные свойства и динамическая проводимость пористого кремния, содержащего аморфную фазу

5.1 Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от величины пористости

5.2. Анализ зависимости диэлектрической проницаемости пористого кремния от пористости в рамках трехфазной модели

5.3. Частотные зависимости емкости тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния в вакуумных условиях

5.4. Динамическая проводимость структур с толстыми слоями пористого кремния в интервале частот 10-Ю6 Гц в условиях вакуума

Выводы по главе

6. Анализ электрических и фотоэлектрических свойств пористого кремния 3-й группы и квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников AIVBVI в рамках модели флуктуирующего потенциального рельефа

6.1. Квазиоднородные компенсированные твердые растворы на основе полупроводников AIVBVI

6.1.1. Электрические и фотоэлектрические свойства сильно компенсированных твердых растворов на примере Pbi.xCdxS<Na>

6.1.2. Электрические и фотоэлектрические свойства других сильно компенсированных твердых растворов на основе AIVBVI

6.2. Получение и свойства сильно компенсированных пленок сульфида свинца при помощи радиационных воздействий

6.3. Электрические и фотоэлектрические явления в пористом кремнии 3-й группы

6.4. Зависимость времени релаксации фотопроводимости для слоев PS3 от внешних воздействий

Выводы по главе

7. Структурные и электрические параметры пленочных структур с буферными слоями пористого кремния с заданной электропроводностью

7.1. (11 ^-ориентированные пленки алюминия на пористом кремнии

7.2. Особенности структурных и электрических параметров стеклообразных пленок As2Se3 на пористом кремнии

7.3. Рост пленок полупроводников AIVBVI на пористом кремнии

7.4. Получение аксиально текстурированных пленок теллурида свинца на ПК методом вакуумного осаждения

Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизика пористого кремния и структур на его основе»

Кремний является основным материалом современной электроники: на его основе изготавливаются 95% интегральных схем и свыше 90% полупроводниковых приборов и устройств. Достоинством материала является то, что он может быть получен в разных структурных модификациях (монокристаллической, аморфной, поликристаллической, микрокристаллической, нанокристаллической, пористой), каждая из которых обладает уникальным набором свойств, совместима друг с другом и с технологическими процессами кремниевой технологии. Пористый кремний (ПК) был открыт во второй половине 50-х годов 20-го века [1,2] при изучении процессов электрохимической полировки кремниевых пластин. Первые же исследования показали, что наличие в монокристаллическом кремнии развитой сети мелких пор приводит к появлению в материале ряда специфических явлений, таких как высокая удельная поверхность (до 800

У 1 м /см ) и повышенная химическая активность, когда скорости химических реакций увеличиваются в 10-100 раз по сравнению с монокристаллическим кремнием. Эти свойства были использованы в 60-70-е годы в микроэлектронике для формирования толстых диэлектрических слоев по IPOS (Isolation by Porous Oxidized Silicon) и FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidized Silicon) технологиям, для создания структур кремний-на-изоляторе. После открытия в 1990 году Кэнхемом (Canham) [3] явления люминесценции ПК при комнатной температуре в видимой области спектра началось активное всестороннее изучение свойств ПК. Если в период с 1980 по 1990 гг. число публикаций по тематике ПК не превышало 20 журнальных статей в год, то после 1995 года эта цифра стала больше 400. Комплексные исследования показали многообразие свойств ПК, были предложены новые области применения пористых кремниевых слоев. В настоящее время на основе ПК [3-8] активно разрабатываются функциональные элементы сверхбольших интегральных схем, оптоэлектронные пары излучатель-приемник, устройства ультразвуковой электроники, солнечные элементы, волноводы, датчики влажности и состава газов, приборы для мониторинга окружающей среды, биосенсоры, биоматериалы, антиотражающие покрытия, фотонные кристаллы, интегральные конденсаторы и т.д.

Перспективы применения слоев ПК в приборах и устройствах электроники вызвали необходимость получения информации об электрофизических параметрах пористого материала, методах управления величиной электропроводности, термической и радиационной стойкости, свойствах переходов ПК/металл и ПК/кремний и т.д. Анализ имеющихся литературных данных показал, что, несмотря на большое общее число публикаций по пористым полупроводникам (более 4000), многие вопросы, касающиеся электрофизики ПК и структур на его основе, являлись нерешенными. К началу выполнения диссертационной работы ощущался недостаток фундаментальных исследований электрических свойств ПК, отсутствовала единая теория изменения величины проводимости ПК в результате процесса порообразования, не был понятен механизм дрейфа носителей заряда в пористом материале с различной морфологией пор, отсутствовали данные о влиянии термического отжига в интервале 450-550,,С и облучения высокоэнергетичными электронами на электрические свойства материала. Информация о параметрах переходов ПК/кремний и ПК/металл в литературе была противоречивой. Неизученными оставались емкостные свойства структур с пористыми кремниевыми слоями; роль фазы продуктов электрохимических реакций в явлениях переноса; природа образования обедненных областей в ПК и т.д. С физической точки зрения нерешенными были вопросы о применимости моделей разупорядоченных полупроводников для описания дрейфа носителей заряда в ПК, о возможных особенностях явлений переноса при переходе к низкоразмерным системам. Серьезным препятствием для понимания общей картины электрических свойств ПК являлось многообразие морфологических особенностей материала и их зависимость от технологических параметров формирования пористой структуры. В то же время целенаправленный учет технологических параметров открывал значительные возможности в создании пористых слоев с заданными электрическими свойствами, например, для получения низкоомных или высокоомных буферных слоев для эпитаксии. Все сказанное выше, дополненное практической необходимостью применения пористых кремниевых слоев с заданными электрофизическими параметрами в создаваемых устройствах электроники, определило актуальность систематического исследования электрических свойств ПК с различной морфологией и пористостью.

Цель диссертационной работы заключалась в выявлении основных закономерностей транспорта носителей заряда в пористом кремнии и в структурах на его основе при вариации в широких пределах величины пористости (3-70%) и морфологии пор. Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи: экспериментально исследовать электрические и фотоэлектрические характеристики слоев ПК с различными структурными параметрами в широком интервале температур; выявить общие закономерности и специфические черты в поведении кинетических коэффициентов для ПК с различной морфологией пор; исследовать влияние внешних воздействий (термического отжига 450-550°С в инертной среде, облучения высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ) на электрические параметры ПК; изучить емкостные свойства и динамическую проводимость слоев ПК; провести сравнение свойств ПК со свойствами неоднородных полупроводников со случайным потенциальным рельефом; для этого в качестве модельных объектов использовать квазиоднородные сильно компенсированные полупроводники [9] на основе А^В^; изучить электрические характеристики и структурные параметры пленочных структур с буферными слоями ПК; провести классификацию электрических свойств ПК с разными структурными параметрами и соответствующих переходов ПК/кремний и ПК/металл.

Научная новизна работы заключается в том, что в результате комплексных исследований явлений переноса в ПК, обладающем различными морфологическими особенностями, предложен единый теоретический подход, объясняющий дрейф носителей заряда с учетом свойств обедненных областей в пористом материале. К наиболее оригинальным и впервые полученным научным результатам, представленным в диссертационной работе, относятся следующие:

1. Обнаружен тонкий пористый слой на катодной стороне сильно легированных кремниевых пластин в методе жидкостного контакта Унно-Имаи и описаны его специфические свойства.

2. Прямыми экспериментальными методами (в том числе на основе эффекта Холла) показано, что для кремниевой матрицы ПК могут иметь место случаи отсутствия обеднения, частичного или полного обеднения (патент РФ №2054746).

3. Установлено, что размеры обедненных областей вокруг пор в макропористом кремнии с малой пористостью коррелируют с диффузионной длиной атомарного водорода, и комплекс явлений, происходящих при отжиге макропористого кремния на n-Si(P), можно объяснить пассивацией (депассивацией) примесных атомов фосфора водородом.

4. Для динамической проводимости и емкости слоя ПК, находящегося в условиях вакуума, показана роль адсорбированных полярных молекул на стенках пор.

5. Описан эффект перехода в низкоомное состояние для мезопористого кремния с малой пористостью, сформированного на p*-Si(B), при отжиге 500-550°С и для макропористого кремния с малой пористостью, полученного на n-Si(P), при отжиге 650'С.

6. Показана возможность снижения переходных сопротивлений алюминиевых контактов к кремнию за счет применения пористых необедненных слоев (патент РФ №2065226).

7. Определены величины переходных сопротивлений алюминиевых контактов в ПК с различной морфологией и показаны их изменения при внешних воздействиях.

8. Получены экспериментальные зависимости диэлектрической проницаемости ПК в интервале пористости 30-70%.

9. Показано, что наличие аморфизированной пленки на поверхности ПК и проведение технологических операций по ее удалению приводят к особенностям роста пленочных структур (Al, As2Sej, AIVBVI) на кремнии.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

1. Разработан новый метод локального определения пористости для мезопористых слоев с пористостью 20-50% с применением методов акустической микроскопии.

2. Предложена классификация электрических свойств ПК с различной морфологией пор, позволяющая предсказать поведение электрических параметров пористых слоев в составе пленочных элементов электроники.

3. Установлены интервалы температурной обработки ПК с различной морфологией, в которых не происходит существенного изменения электрической проводимости пористого материала.

4. Разработаны технологические приемы, позволяющие целенаправленно изменять величину проводимости ПК и варьировать величину удельного сопротивления материала в составе многослойных структур после окончания процесса анодирования.

5. Предложен способ формирования (Ш)-аксиально текстурированных пленок алюминия на подслое ПК, который может быть использован для создания металлизации с повышенным сопротивлением явлению электромиграции.

6. Установлены технологические режимы операции отжига, при которых происходит снижение переходных сопротивлений алюминиевых контактов к пористому слою и улучшение параметров контактов.

7. Предложены приемы, вызывающие ликвидацию нежелательного эффекта релаксации проводимости ПК после отжига.

8. Для исследования емкостных и проводящих свойств высокоомного ПК предложены специальные тестовые структуры, позволяющие устранить или минимизировать нелинейные явления на интерфейсах.

Результаты работы были использованы при выполнении гранта РФФИ 94-02-05460-а и шести грантов Министерства образования РФ в области естественных наук, в области электроники и в области химических технологий (1992-2003 годы).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и содержит 305 страниц текста, включая 119 рисунков, 23 таблицы. Список литературы включает 444 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Зимин, Сергей Павлович

Выводы по главе 7

1. Изучены особенности формирования пленок алюминия, триселенида мышьяка и узкозонных полупроводников AIVBV1 {РЬТе, PbS, PbSe) на кремниевых подложках с буферными слоями ПК различной электропроводности.

2. Показано, что на поверхности пористого слоя на катодной стороне двухсторонней пористой кремниевой структуры, формируемой в методе Унно-Имаи, имеет место рост [111]-аксиально текстурированных пленок алюминия, применение которых перспективно для снижения эффекта электромиграции в алюминиевой металлизации интегральных схем и полупроводниковых приборов.

3. Установлено, что при росте слоев As2Se3 на пористой поверхности, содержащей аморфизированную пленку с макропорами, слои ХСП наследуют макропористую структуру верхней части буферного слоя, в результате чего удельное сопротивление слоев As2Se3 на несколько порядков ниже обычных значений.

4. Показана возможность выращивания качественных, блочных [100]-аксиально текстурированных пленок халькогенидов свинца на буферных слоях ПК на кремнии различных марок.

5. Обнаружено, что на интерфейсе РЬТе/ПК имеет место образование тонкого' промежуточного высокоомного слоя, способного выступать в качестве диэлектрической прослойки при создании фотоприемников ИК-диапазона.

Заключение

В настоящей работе проведено комплексное изучение электрических свойств и явлений переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией и в структурах на его основе. Для объяснения полученных результатов и привлечения моделей, описывающих поведение неупорядоченных полупроводников, дополнительно выполнены детальные исследования электрических и фотоэлектрических свойств сильно компенсированных квазиоднородных полупроводников на основе AIVBVI. На основании проведенных исследований получены следующие результаты и сделаны выводы:

1. Описаны технологические условия формирования слоев ПК с широким интервалом пористости (3-70%) и различной морфологией пор. Показано образование при определенных режимах анодирования пористого слоя аморфизированной пленки на поверхности ПК и предложены методы контролируемого его удаления. Для высокопористых образцов методами рентгеноструктурного анализа показано существование в объеме ПК фазы продуктов электрохимических реакций, химический состав которых может в зависимости от условий анодирования изменяться от аморфного гидрогенизированного кремния до S1O2.

2. Предложен акустический метод определения пористости для мезопористых образцов, основанный на измерении скорости рэлеевских поверхностных волн. Проведено теоретическое обоснование метода в рамках различных моделей, описаны области применения, его достоинства и недостатки.

3. Обнаружен и описан второй пористый слой, возникающий на катодной стороне кремниевой пластины при электрохимической обработке сильно легированного кремния методом Унно-Имаи. Проведен сравнительный анализ пористых слоев двухсторонней пористой структуры, показано наличие атомов Pt и Rh в объеме пористого слоя на катодной стороне, предложено объяснение наблюдаемым явлениям.

4. На основании детального изучения температурных зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и импульсных переходных характеристик на слоях пористого кремния с различной морфологией пор показано многообразие электрических свойств ПК.

Для ПК, сформированного на сильно легированных сурьмой подложках и обладающего невысокой пористостью (8-27%), показано отсутствие обеднения монокристаллической матрицы пористого материала. Явления переноса в таком материале соответствуют теории эффективной среды в модели «кремний+поры».

Для макропористого кремния с редкими крупными порами (Р=5-10%), полученного на слабо легированных фосфором пластинах, комплекс электрофизических исследований показал наличие обедненных областей вокруг пор. Проанализированы причины появления обедненных областей. Продемонстрировано, что наилучшее согласие с экспериментом дает модель пассивации примесных атомов водородом. Показано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках теории эффективной среды в модели «кремний+поры+обедненные области».

Для мезопористого кремния с невысокой пористостью (6-30%), сформированного на сильно легированных бором кремниевых пластинах, установлено сильное обеднение монокристаллической кремниевой матрицы ПК, в результате чего пористые слои проявляют эффективный электронный тип проводимости. Температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, не подчиняющийся правилам Мейера-Нелдела для аморфного гидрогенизированного кремния. Для объяснения транспорта носителей предложена модель дрейфа в случайном потенциальном рельефе.

ПК с высокой пористостью (более 40-50%), содержащий в своем объеме фазу аморфного кремния, характеризуется высоким удельным сопротивлением, а температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, соответствующий правилу Мейера-Нелдела для проводимости по распространенным состояниям в аморфном гидрогенизированном кремнии. Показано выполнение теории ТОПЗ для вольтамперных и переходных характеристик материала. Определены величины подвижности и их температурные зависимости. Продемонстрировано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках «pea-pod» модели по оболочке аморфного гидрогенизированного кремния, окружающего кремниевые нанокристаллиты.

5. На основании комплексного исследования электрофизических параметров ПК с различной морфологией пор и анализа имеющихся литературных данных предложена классификация электрических свойств ПК, в основу которой положены различия в морфологии пор и в образовании обедненных областей вокруг пор. Согласно данной классификации ПК может быть поделен на четыре группы (PS1-PS4), каждая из которых обладает индивидуальным набором электрических свойств и своим механизмом транспорта носителей.

Проведена классификация электрических свойств переходов Al/ПК. Показано, что контакт алюминия с каждой группой (.PS1-PS4) пористого материала описывается своими физическими моделями, основанными на теории перехода Al/Si с разным уровнем легирования. Описаны возможности формирования выпрямляющих и невыпрямляющих алюминиевых контактов к слоям ПК, приведены величины переходных сопротивлений. Предложен способ создания низкоомных контактов к кремнию посредством использования необедненных пористых слоев.

На основе предложенной классификации электрических свойств ПК рассмотрены электрические характеристики перехода ПК/МК. Показано, что на границе ПК/МК при использовании пористого материала различных групп могут иметь место физические явления, приводящие к возникновению как выпрямляющих, так и невыпрямляющих свойств контактов.

6. Изучение влияния изохронного отжига в интервале 450-550°С (для образцов PS2 в интервале 450-650'С) на электрическую проводимость ПК с различной морфологией пор и с различной картиной распределения обедненных областей показало многообразие отклика пористого материала на проведение отжига. Для каждой группы PS1-PS4 установлен свой характер изменения величины электрической проводимости при термообработке.

Определены температурные интервалы в которых пористый материал, относящийся к различным группам, проявляет относительную стабильность электрофизических параметров. Предложены режимы термообработки, при которых происходят существенные изменения электропроводности и которые могут быть использованы для целенаправленной модификации электрических свойств ПК.

Для слоев PS2 и PS3 обнаружено явление перехода в низкоомное состояние при отжиге 650 и 500°С, соответственно. Проведен анализ этого явления и показано, что оно достаточно хорошо описывается в рамках модели пассивации (депассивации) примесных атомов фосфора и бора водородом. Обнаружено и описано явление релаксации проводимости слоев PS3, закрытых пленкой металла, после перехода в низкоомное состояние.

7. Выяснено, что облучение ПК высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ приводит к разнообразным изменениям величины электрической проводимости пористого материала различных групп в интервале доз 1016-1017 см". Рассмотрены физические причины, объясняющие набор полученных экспериментальных фактов. Для слоев PS3 обнаружена двойная инверсия типа проводимости в используемом интервале доз.

Весь комплекс экспериментальных исследований по проведению термоотжига и электронного облучения ПК различных групп подтверждает справедливость предложенных в главах 2 и 3 моделей переноса носителей заряда в PS1-PS4.

8. Предложен и опробован способ изучения емкостных свойств ПК при помощи тестовых многослойных структур AltUKlMKlAl с толстыми слоями пористого материала. Данный подход позволил свести емкость измеряемой структуры к емкости слоя ПК и непосредственно измерять величину диэлектрической проницаемости пористого слоя.

Экспериментально определена зависимость диэлектрической проницаемости ПК от величины пористости в интервале Р=30-68% и проведен теоретический анализ полученной зависимости е(Р) в рамках трехфазной модели, учитывающей диэлектрические свойства кремния, аморфного кремния и пространства пор. Показано, что диэлектрическая проницаемость пространства пор в рамках различных моделей составляет 2,3-4,8, что объясняется наличием влажного воздуха в объеме пор и адсорбированных молекул на их стенках.

Проведенное изучение температурных и частотных зависимостей емкости многослойной структуры с толстыми слоями ПК в условиях вакуума свидетельствует о сложном характере протекающих физических процессов. Предложена эквивалентная схема, описывающая емкостные свойства многослойной структуры и учитывающая роль адсорбированных полярных молекул на стенках пор. Показано, что в области высоких частот определяющий вклад в емкость дает емкость слоя ПК, а в области малых частот -емкость гетероперехода ПК/МК.

Исследование частотных и температурных зависимостей динамической проводимости многослойных структур с толстыми слоями ПК подтвердило, что в определенном интервале температур и частот проводимость по пористому слою осуществляется по оболочке продуктов электрохимических реакций, близких по свойствам к аморфному гидрогенизированному кремнию a-Si:H.

9. Изучены температурные зависимости (77-380К) коэффициента Холла, удельного сопротивления, времени релаксации фотопроводимости для модельных полупроводников с крупномасштабным случайным потенциальным рельефом на основе квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников А^В^.

Показано, что комплекс электрофизических и фотоэлектрических явлений для эпитаксиальных пленок компенсированных твердых растворов различных составов Pbi.xCdxS<Na>, Pb,.xSnxS<Na>, (PbS)i.x(PbO)x<Na>, Pb,.xCdxTe<Na>, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках BaF2, имеет общие закономерности. Температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности, времени релаксации фотопроводимости при засветке чередующимися световыми импульсами имели активационный характер, подчиняющийся формулам (6.2), (6.3), (6.7) и (6.8). Наблюдался эффект остаточной проводимости при засветке одиночными импульсами и увеличенное значение безразмерного коэффициента магнитосопротивления.

Продемонстрировано, что при облучении легкими и тяжелыми частицами можно привести слои квазиоднородных твердых растворов узкозонных и широкозонных полупроводников в состояние с сильной компенсацией. Кроме этого, за счет создания эффективного рельефа зон и компенсации при введении дополнительных радиационных дефектов появляется возможность получать сильно компенсированные слои с модуляцией зон бинарных соединений AIVBVI.

10. Проведенные исследования электрических и фотоэлектрических свойств слоев PS3 в широком интервале температур показали, что для данного материала не выполняется комплекс явлений, характерных для полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциального рельефа.

Набор электрических и фотоэлектрических явлений в PS3 может быть описан в рамках модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасштабными флуктуациями. В области низких температур 90-200К обнаружен эффект трехмерной прыжковой проводимости вблизи уровня Ферми с переменной длиной прыжка.

Показано, что время релаксации фотопроводимости в слоях PS3 может быть уменьшено или увеличено посредством термического отжига 500°С и облучения

17 потоком высокоэнергетичных электронов с энергией 2 МэВ при дозе 10 см", соответственно.

11. Изучены особенности формирования пленок алюминия, триселенида мышьяка и узкозонных полупроводников AIVBVI (РЬТе, PbS, PbSe) на кремниевых подложках с буферными слоями ПК различной электропроводности.

Показано, что на поверхности пористого слоя на катодной стороне двухсторонней пористой кремниевой структуры, формируемой в методе Унно-Имаи, имеет место рост [111]-аксиально текстурированных пленок алюминия, применение которых перспективно для снижения эффекта электромиграции в алюминиевой металлизации интегральных схем и полупроводниковых приборов.

Установлено, что при росте слоев As2Se3 на пористой поверхности, содержащей аморфизированную пленку с макропорами, слои ХСП наследуют макропористую структуру верхней части буферного слоя, в результате чего удельное сопротивление слоев As2Se3 на несколько порядков ниже обычных значений.

Показана возможность выращивания качественных, блочных [100]-аксиально текстурированных пленок халькогенидов свинца на буферных слоях ПК на кремнии различных марок. Обнаружено, что на интерфейсе РЬТе!ПК имеет место образование тонкого промежуточного высокоомного слоя, способного выступать в качестве диэлектрической прослойки при создании фотоприемников ИК-диапазона.

В заключение автор считает своим приятным долгом поблагодарить Винке A.JI., Палашова В.Н. (ВОМЗ, г.Вологда), Бучина Э.Ю., Наумова В.В. (ИМИРАН, г.Ярославль), Дрозда И.А. (НПО ОРИОН, Москва) за помощь в изготовлении образцов и тестовых структур. Автор искренне признателен Зайкиной Р.Ф., Приходько О.П. (КазГУ, г.Алматы), Преображенскому М.Н., Световому В.Б., Маковийчуку М.И., Проказникову А.В., Смиронову В.К. (ИМИРАН), Балагурову Л.А., Яркину Д.Г. (ГИРЕДМЕТ, Москва), Кузнецову B.C. (ЯрГУ) за проведение совместных исследований. Автор благодарен Лебедеву А.А. (ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург), Цоггу X., Зимину Д.С. (ЕТН, Цюрих), Бомчилу Г. (France Telecom CNET) за полезные консультации и дискуссии. Автор также признателен своим аспирантам за помощь в проведении экспериментальных исследований и всему коллективу кафедры микроэлектроники за дружескую поддержку при выполнении данной работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Зимин, Сергей Павлович, 2003 год

1. Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell System Tech. J.- 1956,- V.35.- P.333-338.

2. Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem.Soc.-1958.- V.5.- P.402-405.

3. Properties of porous silicon. Edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- 400p.

4. Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995,- 355p.

5. Лабунов B.A., Бондаренко В.П., Борисенко B.E. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника.- М.: ЦНИИ "Электроника".- 1978, N.15.- С.3-47.

6. Николаев К.П., Немировский Л.Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике// Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы,- 1989.- Вып.9.- С.1- 59.

7. Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения // Материаловедение.- 1998.- Вып.1.- С.50-56.- Вып.З.- С.23-45.

8. Parkhutik V. Porous silicon mechanisms of growth and applications // Solid-State Electron.- 1999.- V.43.-P.1121-1141.

9. Горшкова O.B., Дрозд И.А., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок PbSnS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.510-515.

10. Imai К., Unno Н. FIPOS technology and its application to LSTs // IEEE Trans, on Electron. Dev.- 1984.- V.ED-31.- P.297-302.

11. Foil H. Properties of silicon-electrolyte junctions and their application to silicon characterization // Appl. Phys. A.- 1991.- V.53.- P.8-19.

12. Николаев К.П., Немировский Л.Н. Катодные процессы на кремниевой пластине во время ее анодного растворения с жидкостным контактом // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.- 1989.- Вып.6.- С.34-36.

13. Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films II J. Electrochem. Soc.- 1977.- V.124.-P.285-295.

14. Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic microscopy investigation of porous silicon//Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P. 155-158.

15. Unagami Т. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc.- 1980.- V.127.- P.476-483.

16. Arita J. Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction // J.Crystal Growth. -1978.- V.45.- P.383-390.

17. Перевощиков B.A., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Многослойное строение структур с пористым кремнием // Поверхность.- 1998.- Вып.4.- С.44-46.

18. Noguchi N., Suemune I., Yamanishi M. et al. Study of luninescent region in anodized porous silicon by photoluminescence imaging and their microstructures // Jpn. J. Appl. Phys.-1992.- V.31.- P. L490-L493.

19. Suemune I., Noguchi N., Yamanishi M. Photo irradiation effect on photoluninescence from anodized porous silicon and luminescence mechanism // Jpn. J. Appl. Phys.- 1992,- V.31.- P. L494-L497.

20. Fuchs H.D., Stutzmann M., Brandt M.S. et al. Porous silicon and siloxene: vibrational and structural properties // Phys. Rev. В.- 1993.- V.48.- P. 8172-8189.

21. Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions // Surf. Sc.- 1966.- V.4.- P.109-124.

22. Горячев Д.Н., Беляков JI.B., Сресели O.M. О механизме образования пористого кремния // ФТП.- 2000.- Т.34,- С.1130-1135.

23. Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.193-198.

24. Buttard D., Schoisswohl M., cantin J.L. et al. X-ray diffraction and electron microscopy investigation of porous Si^Ge* // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.233-336.

25. Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon//J. Appl. Crystallogr.- 2000.- V.33, pt.3.- P.504-506.

26. Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.481-486.

27. Cicala G., Losurdo M., Capezzuto P. et al. Enhancement of the amorphous to microcrystalline phase transition in silicon films deposited by SiF4-H2-He plasmas JJ Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.493-498.

28. Мотт H, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М.: Мир, 1982.- Т. 1,2.- 664с.

29. Уманский А.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия.- М.: Металлургия, 1982.- 632 с.

30. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография.- М.: Наука, 1979.- Т.1.- 384с.

31. Metzger Т.Н., Binder М., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon/ In "Properties of porous silicon", edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- P.112-117.

32. Metzger H., Franz H., Binder M. et al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.201-204.

33. Berbezier I., Halimaoui A. A microstructural study of porous silicon // J. Appl. Phys.-1993.-V.74.- P.5421-5425.

34. Berbezier I. Nano characterization of porous silicon by transmission electron microscopy / In: "Porous silicon. Science and technology", edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.207-224.

35. Vasquez R.P., Fathauer R.W., George T. et al. Electronic structure of light-emitting porous Si // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P. 1004-1006.

36. Kunz R.R., Nitishin P.M., Clark H.R. et al. Observation of a nanocrystalline-to-amorphous phase transition in luminescent porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.1766-1768.

37. Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D.J. et al. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon // J. Phys.C.- 1984.- V.l7.-P.6535-6552.

38. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и твердых тел.- М.: Высшая школа, 1980,- 328с.

39. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела,- М.: Мир,1986.-214с.

40. Постернак В.В. Влияние формы и размера областей когерентного рассеяния на форму пиков кривой приведенной интенсивности // Кристаллография.- 1993.- Т.38, вып.6.- С.271-273.

41. Аморфные и поликристаллические полупроводники. Под ред. В. Хейванга.-М.: Мир,1987.- 160с.

42. Briggs A. Acoustic microscopy a summary // Rep. Prog. Phys.- 1992.- V.55.- P.851-909.

43. Плаченов Т.Г., Колосенцев С.Д. Порометрия.- JI.: Химия, 1988.- 342с.

44. Черемской П.Г. Методы исследования пористости твердых тел.- М.: Энергоатомиздат, 1985.- 112с.

45. Айвазов А.А., Мушниченко В.В. Пористый окисленный кремний в технологии микроэлектроники// Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы.- 1990.-Вып.7.- С.1-44.

46. Pickering С., Beale M.I.J., Robbins D. Optical properties of porous silicon films // Thin Sol. Films.- 1985.- V.125.- P.157-165.

47. Мушниченко B.B., Губенко И.Б. Методы контроля пористости пористого кремния // Электронная техника. Серия 6. Материалы.- 1989.- Вып.З.- С.58-61.

48. Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic investigation of porous silicon layers // Mater. Sci.- 1995.- V.30.- P.35-39.

49. Валиев K.A., Преображенский M.H. Возможности акустической микроскопии при исследовании полупроводниковых структур // Труды ФТИАН.- 1997.- Т.12.- С.153-168.

50. Atalar A. A physical model for acoustic signature // J. Appl. Phys.- 1979.- V.50.- P.8237-8245.

51. Акустические кристаллы. Справочник / Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Чкалова В.В. и др.- М.: Наука, 1982.- 632с.

52. Бирюков С.В., Гуляев Ю.В., Крылов В.В., Плесский В.П. Поверхностные акустические волны в неоднородных средах. М.:Наука, 1991.- 416с.

53. Yu Z., Boseck S. Scanning acoustic microscopy and its applications to material characterization // Rev. Mod. Phys.- 1995.- V.67.- P.863-891.

54. Pavesi L. Porous silicon: route towards a Si-based photonics? // Microelectronics J.- 1996.-V.27.- P .437-448.

55. Bellet D. Elastic properties of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997,- P.127-137.

56. Audoly G., Dumery G. Acoustic wave propagation in media containing two-dimensional periodically spaced elastic inclusions. In: Physical Acoustics. Fundamentals and Applications. Ed. by O. Lerey and M. Breazeale.-N-Y.: Plenum Press, 1991.- P.219-224.

57. Biot M.A. Mechanics of deformation and acoustic propagation in porous media // J. Appl. Phys.- 1962.-V.33.- P.1482-1498.

58. Дульнев Г.Н., Новиков B.B. Процессы переноса в неоднородных средах.- JI.: Энергоатомиздат, 1991.-248с.

59. Палатник JI.C., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках .- М.: Энергоатомиздат, 1982.-216с.

60. Черемской П.Г., Слезов В.В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле .- М.: Энергоатомиздат, 1990.-376с.

61. Гегузин Я.Е. Макроскопические дефекты в металлах .- М.: Металлургия, 1962.-252с.

62. Поляков В.В., Головин А.В. Влияние пористости на скорости ультразвуковых волн в металлах // Письма в ЖТФ,- 1990.- Т.20, вып.11.- С.54-57.

63. Полякова АЛ. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов.- М.: Энергия, 1979.- 166с.

64. Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications // In: "Porous silicon. Science and technology", edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.33-52.

65. Компан M.E., Шабанов И.Ю. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом анодном травлении // ФТП,- 1995.-Т.29, вып. 10.-С.1859-1869.

66. Beale M.I.J., Bendjamin J.D., Uren M.J. et al. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon // J. Cryst. Growth.- 1985.- V.73.- P.622-636.

67. Andersen O.K., Frello Т., Vejie E. Photoinduced synthesis of porous silicon without anodization // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.6189- 6192.

68. Koker L., Kolasinski K.W. Photoelectrochemical etching of Si in aqueous HF // Phys. Chem. Chem. Phys.- 2000.- V.2.- P.277-281.

69. Lysenko V., Remaki В., Barbier D. Double-Side mesoporous silicon formation for the thermal insulating applications //Adv. Mater.- 2000.- V.12.-P.516-519.

70. Биленко Д.И., Абанынин Н.И., Галишникова Ю.Н. и др. Электрические и оптические свойства пористого кремния // ФТП.- 1983.- Т.17, вып.11.- С.2090-2092.

71. Richter A., Steiner P., Kozlowski F., Lang W. Current-induced light emission from porous silicon device // IEEE Electron Dev. Lett.- 1991.- V.12.- P.691-692.

72. Halimaoui A., Oules C., Bomchil G. et al. Electroluminescence of the visible range during anodic oxidation of porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.59.- P.304-306.

73. Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of the electrical properties of porous silicon// J. Electrochem. Soc.-1991.- V.138.- P.3406-3411.

74. Read A.J., Nedds R.J., Nash K.J., Canham L.T. et al. First-Principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires // Phys. Rev. Lett.-1992.- V.69.- 1232-1235.

75. Tsu R., Babic D. Doping of a quantum dot // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.l 806-1808.

76. Lehmann V., Hofmann F., Muller F. et al. Resistivity of porous silicon: a surface effect // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.20-22.

77. Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. et al. Hopping transport on a fractal: ac conductivity of porous silicon // Phys. Rev.B.- 1995.- V.51.- p.2199-2213.

78. Simons A.J., Cox LI., Uren M.J., Calcott P.D.J. The electrical properties of porous silicon produced from n+ silicon substrates //Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.12-15.

79. Peng C., Hirschman K.D., Fauchet P.M. Carrier transport in porous silicon light-emitting devices // J. Appl. Phys.- 1996.- V.80.- P.295-300.

80. Аверкиев H.C., Шик А.Я. Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.ЗО, вып.2.- С. 199-207.

81. Аверкиев Н.С., Капитонова JI.M., Лебедев А.А. и др. Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.ЗО, вып.12.- С.2178-2182.

82. Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Е. Исследование фотоэдс в структурах пористый кремний / кремний методом импульсного фотонапряжения // ФТП 1998.- Т.32, вып.5.- С.613-619.

83. Timoshenko V.Yu., Kashkarov Р.К., Matveeva A.B. et al. Influence of photoluminescence and traping on the photovoltage at the por-Si/p-Si structure // Thin Sol. Films.- 1996.- V.276.-P.216-218.

84. Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrova E.A. Electronic transport in porous silicon of low porosity made on a p+ substrate // Mater. Sc. and Engin.- 2000.- V.B69-70.- P.l27-131.

85. Mathur R.G., Vivechana, Mehra R.M. et al. Electron transport in porous silicon // Thin Sol. Films.- 1998.- V.312.- P.254-258.

86. Yeh E.C.C., Chiou M.S., Hsu Y.J. Computer simulation of percolated porous Si structure and its application to electrical conductivity simulation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.88-91.

87. Кучис E.B. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.- 264с.

88. Гусев С.А., Короткова Н.А., Розенштейн Д.Б. и др. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып. 11.- С.50-53.

89. Herino R. Pore size distribution in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.89-98.

90. Petritz R.L. Theory of experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface // Phys. Rev.- 1958.- V.l 10.- P.1254-1262.

91. Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника.-1981.- Вып.1.- С.3-50.

92. Stievenard D., Deresmes D. Are electrical properties of an aluminum-porous silicon junction governed by dangling bonds? // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P. 1570-1572.

93. Ben-Chorin M. Resistivity of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.165-175.

94. Cadet C., Deresmes D., Vuillaume D. et al. Influence of surface defects on the electrical behavior of aluminum- porous silicon junctions // Appl. Phys.Lett.- 1994.- V.64.- P.2827-2829.

95. Grosman A., Ortega C. Dopants in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.328-335.

96. Polisski G., Dollinger G., Bergmaier A. et al. Acceptor depletion in p-type porous silicon // Phys. Stat.Sol. (a).- 1998.- V.168.- P.R1-R2.

97. Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors // Appl. Phys. A.- 1987.- V.43.- P.153-195.

98. Sopori B.L., Deng X., Benner J.P. et al. Hydrogen in silicon: A discussion of diffusion and passivation mechanisms // Solar Energy Materials and Solar Cells.- 1996.- V.41/42.- P.160-169.

99. Рытова H.C. О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом // ФТП.-1991.- Т.25.- С.316-322.

100. Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W. et al. Hydrogen localization near boron in silicon// Appl. Phys. Lett.- 1985.- V.46.- P.421-423.

101. Fukata N., Sasaki S., Fujimura S. et al. Hydrogen passivation of donors and hydrogeh states in heavy doped n-type silicon //Jpn. J. Appl. Phys.- 1996.- V.35.- Part 1.- P.3937- 3941.

102. Мукашев Б.Н. Тамендаров М.Ф., Токмолдин С.Ж. Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.1124-1134.

103. Yokoto К., Hosokawa К., Terada К. et al. Hydrogenation of high-concentration arsenic-doped silicon using radio frequency hydrogen plasma // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- Part 1.- P.4355- 4358.

104. Grosman A., Ortega C. Chemical composition of fresh porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.145-154.

105. Allongue P., Henry de Villeneuve C., Pinsard L. et al. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.691-694.

106. Allongue P., Henry de Villeneuve C., Bernard M.C. et al. Relationship between porous silicon formation and hydrogen incorporation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P. 1-4.

107. Fellah S., Gabouze N., Ozanam F. et al. Pit formation on p-Si during hydrogen evolution in HF electrolyte // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.31-36.

108. Болтакс В.Б. Диффузия в полупроводниках.- М.: Наука, 1962.- 412с.

109. Capizzi М., Mittiga A. Hydrogen in crystalline silicon: A deep donor? // Appl. Phys.Lett.-1987.- V.50.-P.918-920.

110. Zundel Т., Weber J. Dissiciation energies of shallow-acceptor hydrogen pairs in silicon //Phys. Rev. В.- 1989.- V.39.- P.13549-13552.

111. Маркевич В.П., Мурин JI.И., Lindstrom J.L. и др. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП.- 2000.- Т.34.- С. 1039-1045.

112. Herring С., JonsonN.M. Hydrogen in semiconductors // Semicond. and Semimet.- 1991.-V.34.- Chap. 10.

113. Александров O.B. Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.24-28.

114. Феклистова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Моделирование проникновения водорода в кремний р-типа в процессе жидкостного химического травления // ФТП.-2002.- Т.36.- С.301-304.

115. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн.1.- М.: Мир, 1984.-456с.

116. Вашпанов Ю.А., Халмурат Азат, Смынтина В.А. Релаксация тока в микропористом кремнии // ЖТФ.- 1999.- Т.69, вьш.11.- С. 141-142.

117. Ben-Chorin М., Muller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Phys. Rev. В.- 1994.- V.49.- P.2981-2984.

118. Mares J.J., Kristofik J., Pangras J. et al. On the transport mechanism in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1993.- V.63.- P.180-182.

119. Lue J.T., Chang C.S., Chen C.Y. et al. The bistable switching property of a poros- silicon Schottky barrier diode during the charging period // Thin Sol. Films.- 1999.- V.399.- P.294-298.

120. PulsfordNJ., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Carrier injection and transport in porous silicon Schottky diodes // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.181-184.

121. Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл / пористый кремний / c-Si // ФТП.- 1999.- Т.ЗЗ.- С.211-214.

122. Ben-Chorin М., Kux A., Schechter I. Adsorbate effects on photoluminescence and electrical conductivity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.481-483.

123. Жерздев A.B., Кудоярова B.X., Медведев A.B. и др. Электролюминесцентная ячейка на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1993.- Т.19, вып.23.- С.87-90.

124. Yen Е.С., Chan J.H., Shien Т.Н. et al. Study on the electrical conduction of p+ porous ., silicon//Phys. Stat. Sol. (a).- 1998,- V.165.- P.63-65.

125. Лаптев A.H., Проказникоа A.B., Рудь H.A. Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.-1997.- Т.23, вып. 11.- С.59-63.

126. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл полупроводник.-Киев, 1974.- 264с.

127. Koyama Н., Koshida N. Electrical properties of luminescent porous silicon // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.293-300.

128. Fejfar A., Pelant I., Sipek E. et al. Transport study of self-supportind porous silicon // Appl.Phys. Lett. 1995.- V.66.- P.1098-1100.

129. Diligenti A., Nannini A., Pennelli G. et al. Carrent transport in free-standing porous silicon// Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.687- 689.

130. Schwarz R., Wang F., Ben-Chorin M. et al. Photocarrier grating technique in mesoporous silicon//Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.23-26.

131. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416с.

132. Lannoo M., Delerue С., Allan G. Screeninig in semiconductor nanocrystallites and its consequences for porous silicon// Phys. Rev. Lett.- 1995.- V.74.- P.3415-3418.

133. Timoshenko V.Yu., Lysenko V., Dittrich Th. et al. Electrical conductivity of meso-porous Si: effect of the condensation of polar liquids // Phys. Stat.Sol (a).- 2000.- V.182.- P.163-168.

134. Gupta C.L. Electron paramagnetic resonance of porous p-silicon // J. Appl. Phys.- 1994.-V.76.- P .4800-4804.

135. Polisski G., Kovalev D., Dollinger G. et al. Boron in mesoporous Si Where have all the carriers gone? // PhysicaB.-1999.- V.273-274.- P.951-954.

136. Dimova-Malinovska D., Tzolov M., Tzenov N. et al. Electrical, photoelectrical and electroluminescent properties of porous silicon c-Si heterojunctions // Thin Sol. Films.- 1997.-V.297.- P.285-290.

137. Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrovicheva G.A. et al. Highly sensitive porous silicon based photodiode structures // J. Appl. Phys.- 1997.- V.82.- P.4647-4650.

138. Balagurov L.A., Orlov A.F., Petrova E.A. et al. Effect of high concentration of defects states at PS/c-Si heterointerface on transport properties of Al/PS/c-Si photodiode structures // Mater. Res. Soc.- 1998.- V.486.- P.305-310.

139. Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Band alignment and carrier injection at the porous silicon crystalline silicon interface // J. Appl. Phys.- 1995.- V.77.- P.4482-4488.

140. Бунин Э.Ю., Лаптев A.H., Проказников A.B. и др. Электролюминесценция и вольтамперные характеристики структур на основе пористого кремния // Письма в ЖТФ.-1997.- Т.23, вып. 11.- С.70-76.

141. Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний кремний // ФТП.- 1997,- Т.31.- С. 159-161.

142. Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП.- 1999.- Т.ЗЗ.- С.327-631.

143. Oguro Т., Koyama Н., Ozaki Т. et al. Mechanism of the visible electroluminescence from metal/porous silicon/n-Si devices // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.1407-1412.

144. Балагуров Л.А., Смирнов Н.Б., Кожухова E.A. и др. Характеристики контакта металл/ пористый кремний // Известия РАН. Серия Физическая.- 1994.- Т.58, вып.7.-С.78-82.

145. Lubianiker Y., Balberg I. Two Meyer-Neldel rules in porous silicon // Phys. Rev. Lett.-1997.- V.78.- P.2433-2436.

146. Lubianiker Y., Balberg I. A comporative study of Meyer-Neldel rule in porous silicon and hydrogenated amorphous silicon// J.Non-Cryst. Solids.- 1998.-V.227-230.-P.180-184.

147. Balberg I. Transport in porous silicon: the pea-pod model // Philos. Magaz.- 2000.- V.80.-P.691-703.

148. Stuke J. Problems in the understanding of electronic properties of amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids.- 1987.- V.97-98.- P.l-14.

149. Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния / В кн.: Аморфные полупроводники. Под ред. М.Бродски.- М.:Мир, 1982.- С.355-412.

150. Theiss W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep.- 1997.- V.29.- P.91-192.

151. Корсунская H.E., Торчинская T.B., Джумаев Б.Р. и др. Зависимость фотолюминесценции пористого кремния от состава вещества на поверхности кремниевых нитей // ФТП.- 1996.- Т.30.- С. 1507-1515.

152. George Т., Anderson M.S., Pike W.T. et al. Microstructural investigations of light-emitting porous Si layers//Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2359-2361.

153. Bardeleben H.J., Cantin J.L. Paramagnetic defects in porous silicon / In: Properties of . porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.319-327.

154. Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.728-735.

155. Беляков JI.B., Макарова Т.Л., Сахаров В.И. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // ФТП.- 1998.-Т.32.-С.1122-1125.

156. Бару В.Г., Колмакова Т.П., Ормонт А.Б. и др. Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вьщ.20 С.62-66.

157. Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х. и др. Модификация структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированного ионами Si+// ФТП.- 2000.- Т.34.- С.86-89.

158. Голикова О.А., Богданов Е.В., Кузнецов А.Н. и др. Структурная сетка кремния в пленках a-Si:H, содержащих упорядоченные включения // ФТП.- 2001,- Т.35.- С.600-604.

159. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.- М.: Мир, 1973.- 416с.

160. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах // ФТП.- 1996.- Т.ЗО.- С. 1729-1738.

161. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки.- М.: Сов. Радио, 1974.- 248с.

162. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. и др. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd/p°-Si/ p-Si с разупорядоченным промежуточным слоем р°//ФТП.- 1997.- Т.31.- С. 15-18.

163. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd/ пористый Si // ФТП.- 1998.- Т.32.- С. 1073-1075.

164. Лебедев Э.А., Диттрих Т. Ток, ограниченный пространственным зарядом, в пористом кремнии и анатазе (ТЮ2) // ФТП.- 2002.- Т.36.- С. 1268-1271.

165. Matsumoto Т., Mimura Н., Koshida N. et al. Deep level energy states in porous silicon and porous silicon carbide determined by space-charge-limited current measurements // Appl. Surf. Sci.- 1999.- V.142.- P.569-573.

166. Аверкиев H.C., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.757-761.

167. Спир В. Перенос с участием состояний хвостов зон в аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше X.- М.:Мир. 1991.-С.315-349.

168. Шифф Э., Силвер М. Сильно неравновесная дрейфовая подвижность в гидрированном аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше X.- М.:Мир. 1991.- С.381-402.

169. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Под ред. Джоунополоса Дж. и Люковски Дж. В 2-х книгах,- М.:Мир, 1987.

170. Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольтамперные характеристики структур Me/a-Si:H<Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП.- 2000.- Т.34.-С.617-621.

171. Mackenzie K.D., Le Comber P.G., Spear W.E. The density of states in amorphous silicon determined by space-charge-limited current measurements // Philos. Magaz.- 1982.- V.46.-P.377-389.

172. Греков E.B., Сухорукое О.Г. Определение плотности локализованных состояний в a-Si:H при измерении токов, ограниченных пространственным зарядом // ФТП.- 1988.-Т.22.- С.735-737.

173. Голикова О.А. Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор) //ФТП.-1991.- Т.25.- С.1517-1535.

174. Gunes М., Wronski C.R. // Differences in the densities of charger defect states and kinetics of Staebler-Wronski effect in undoped (nonintrinsic) hydrogenated amorphous silicon thin films И J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.3526-3536.

175. Matsumoto Т., Jifa Qi., Masumoto Y. et al. Determination of localized states in porous silicon II J. of Lumin.- 1999,- V.80.- P.203-206.

176. Белов C.B., Лебедев А.А. Импульсные исследования диодных структур на основе кремний-водородных пленок // ФТП.- 1998.- Т. 32.- С.889-891.

177. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2001.- Т. 35.- С.609-611.

178. Lebedev Е.А., Smorgonskaya Е.А., Polisski G. Drift mobility of excess carriers in porous silicon // Phys. Rev. В.- 1998.- V.57.- P.14607-14610.

179. Аверкиев H.C., Казакова Л.П., Смирнова H.H. Перенос носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2002.- Т. 36.- С.355-359.

180. Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП.- 1998.- Т.32,- С.923-931.

181. Спир У., Ле-Комблер П. Фундаментальные и прикладные исследования / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.-Т.1.- С.85-158.

182. Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: a quantum wire effect // Appl. Phys. Lett.-1991.- V.58.- P.856-858.

183. Lust S., Levy-Clement C. Macropore formation on medium doped p-type silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P. 17-21.

184. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett.- 1990.- V.57.- P.l 046-1048.

185. Hybertsen M.S. Mechanism for light emission from nanoscale silicon / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.67-90.

186. Delerue C., Allan G., Lannoo M. Optical band gap of Si nanoclusters // J. of Lumin.-1999.- V.80.- P.65-73.

187. Pivac В., Rakvin В., Pavesi L. Paramagnetic centers at and near the Si/SiOx interface in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994,- V.65.- P.3260-3262.

188. Петров А.В., Петрухин А.Г. Оптическое заряжение пористого кремния // ФТП.-1994.- Т.28.- С.82-85.

189. Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH // ФТП.- 1999.-Т.ЗЗ.- С. 198-204.

190. Lysenko V., Boarino L., Bertola M. et al. Theoretical and experimental study of heat conduction in as-prepared and oxidized meso-porous silicon // Microelectron. J.- 1999.- V.30.-P.l 141-1147.

191. Chazalviel J.-N., Ozanam F. Surface chemistry of porous silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.-V.536.-P.155-166.

192. Makara V.A., Odarych V.A., Vakulenko O.V. et al. Ellipsometric studies of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1999,- V.342.- P.230-237.

193. Копылов A.A., Холодилов A.H. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.556-558.

194. Rossow U. Optical characterization of porous materials // Phys.Stat. Sol. (a).-2001.-V.184.- P.51-78.

195. Колмакова Т.П., Бару В.Г., Малахов Б.А. и др. Электро- и фотолюминесценция в тонких пленках пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1993.- Т.57.- С.398-401.

196. Dalba G., Daldosso N., Fornasini P. et al. Quantum confinement in porous silicon as a function of size distribution of luminescent sites // Electrochem. Soc. Proc.-1999.- V.99-22.-P.10-21.

197. Morazzani V., Chamarro M., Grosman A. Partial oxidation of porous silicon by thermal process: study of structure and electronic defects // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.45-49.

198. Canham L.T. Chemical composition of intentionally oxidised porous silicon // In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.158-1161.

199. Hurley P.K., Kiely C.J., Hall S. et al. Partial oxidation of porous silicon // Semicond. Sci. and Technol.- 1993.- V.8.- P.2168-2175.

200. Grosman A., Chamarro M., Morazzani V. et al. Study of anodic oxidation of porous silicon: relation between growth and physical properties // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.13-18.

201. Голубев В.Г., Жерздев A.B., Мороз Г.К. и др. Сильное фотоиндуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.852-863.

202. Salonen J., Lehto V.-P., Bjorkqvist M. et al. A role of illumination during etching to porous silicon oxidation//Appl. Phys. Lett.- 1999.- V.75.- P.826-828.

203. Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Photo-oxidation studies of porous silicon using microcalorimetric method//J. Appl. Phys.- 1999.- V.86.-P.l-6.

204. Draghici M., Miu M., Langu V. et al. Oxidation-induced modifications of trap parameters in nanocrystalline porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.239-243.

205. Башченко C.H., Блонский И.В., Бродун M.C. и др. Эффект воздействия ультрафиолетового излучения на температурную зависимость фотолюминесценции в пористом кремнии // ЖТФ.- 2001.- Т.71.- С.66-71.

206. Демидов Е.С., Карзанов В.В., Шенгуров В.Г. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии // Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т.67.- С.794-797.

207. Simons A.J. Carrier mobility in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.176-184.

208. Лебедев Э.А., Полисский Г., Петрова-Кох В. Дисперсионный перенос дырок в пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.ЗО.- С.2108-2111.

209. Казакова Л.П., Лебедев Э.А. Переходный ток в структурах аморфный, пористый полупроводник кристаллический полупроводник // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.187-191.

210. Fauchet P.M., Behren J., Hirschman K.D. et al. Porous silicon physics and device application: a status report// Phys. Stat. Sol. (a).- 1998.- V.165.- P.25-35.

211. Демидович B.M., Демидович Г.Б., Козлов C.H. и др. Адсорбционно-управляемая "канальная" проводимость в окисленном пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1998.-Т.24, вып.2.- С.27-31.

212. Козлов С.Н., Невзоров А.Н. Влияние адсорбции воды на импеданс системы кремний пористый кремний - металл // Вестник МГУ. Сер.З- 1989.- Вып.1.- С.63-64.

213. Konstantinov A.V., Harris СЛ., Janzen Е. Electrical properties and formation mechanism of porous silicon carbide //Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.65.- P.2699-32701.

214. Якимов А.И., Двуреченский A.B. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление в одномерных каналах пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.-1999.- Т.69, вып.З.- С.189-193.

215. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., StepinaN.P. et al. The temperature-induced transition from 3d to Id hopping conduction in porous amorphous Sii.cMnc // J. Phys.: Condens. Mater.-1997.- V.9.- P.889-899.

216. Якимов А.И., Степина Н.П., Двуреченский А.В. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации в пористом a-Si:H // ЖЭТФ.- 1997.- Т.112.-С.926-935.

217. Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.V. et al. Current-voltage characteristics of porous amorphous Sii.xMnx in the one-dimensional hopping regime // Philos. Magaz. Lett.-1996.- V.73.- P. 17-26.

218. Слободчиков C.B. Горячев Д.Н. Салихов X.M. и др. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si / пористый кремний / Pd и влияние на них газообразного водорода // ФТП.- 1999.- Т.ЗЗ.- С.340-343.

219. Deresmes D., Marissael V., Stievenard D. et al. Electrical behaviour of aluminium -porous silicon junctions // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.258-261.

220. Беляков JI.B., Горячев Д.Н., Сресели O.M. и др. Светочувствительные структуры Шотгки на пористом кремнии // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.1371-1374.

221. Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Behavior of a rectifying junction at the interface between porous silicon and its substrate // J. Appl. Phys.- 1994.- V.75.- P.636-638.

222. Матвеева А.Б. Константинова E.A., Тимошенко В.Ю. и др. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии // ФТП.- 1995.- Т.29,-С.2180-2188.

223. Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний кремний // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.- 1998.- Вып.2.- С.67-69.

224. Pavesi L., Guardini R., Bellutti P. Porous silicon n-p light emitting diode // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.272-276.

225. Astrova E.V., Lebedev A.A., Remenyuk A.D. et al. Photosensitivity of silicon-porous silicon geterostructures // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.129-131.

226. Koshida N., Koyama M. Visible electroluminescence from porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.347-349.

227. Namavar F., Maruska H.P., Kalkhoron N.M. Visible electroluminescence from porous silicon np hetrojunction diodes // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2514-2516.

228. Simons A.J. Porous silicon diodes / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.-1997.- P. 192-199.

229. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник.- M.: Радио и связь, 1982.- 209с.

230. Найтс Дж. Структурная и химическая характеризация / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.- Т.1.- С.13-84.

231. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.- 670с.

232. Сох R.H., Strack М. Ohmic contacts for GaAs devices // Solid State Electron.- 1962.-V.10.- P.1213-1217.

233. Валиев K.A., Дягилев B.H., Лебедев В.И. и др. Микромощные интегральные схемы.- М.: Советское радио, 1975.- 365с.

234. Canham L.T. Pore type, shape, size, volume and surface area in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.83-88.

235. Dhar S., Chakrabarti S. Electroless nickel plated contacts on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.1392-1394.

236. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели O.M. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний пористый кремний - химически осажденный металл // ФТП.- 2000.-Т.34.- С.1386-1389.

237. Jeske М., Schultze J.W., Thonissen М. et al. Electrodeposition metals into porous silicon //Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.63-66.

238. Технология СБИС. Под ред. С.Зи.- М.: Мир, 1986.- 420с.

239. Pavesi L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities // Rivista Del Nuovo Cimento.- 1997.- V.20.- P. 1-76.

240. Астрова E.B., Лебедев A.A., Ременюк А.Д. и др. Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1649-1656.

241. Белогорохов А.И., Караванский В.А., Белогорохова Л.И. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе "свободных" пленок пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30,- С.1177-1185.

242. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник.- М.: Мир, 1975.-432с.

243. Chen Y.A., Liang N.Y., Laih L.H. et al. Improvement of current injection of porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- P.1574-1577.

244. Tsao S.S. Porous silicon techniques for SOI structures // IEEE Circ. and Dev. Mag.-1987.-Iss.ll.- P.3-7.

245. Tsai C., Li K.H., Snin S. et al. Thermal treatment studies of photoluminescence intensity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.-1991.- v.59.- P.2814-2816.

246. Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С. Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26, вып. 1.-С.50-55.

247. Костишко Б.М., Орлов A.M., Емельянова Т.Г. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при одновременном термическом и лазерном воздействии // Письма в ЖТФ.- 1996.- Т.22, вып. 10.- С.68-73.

248. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Апполонов С.В. и др. Роль молекул водорода в стоке заряда с поверхности пористого кремния // Уч. Записки Ульяновского ун-та. Сер. Физ.-1999.- Вып.2(7).- С.97-102.

249. Орлов А.М., Скворцов А.А., Клементьев А.Г. и др. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма в ЖТФ.- 2001.- Т.27, вып.2.- С.76-83.

250. Robinson М.В., Dillon А.С., Haynes D.R. et al. Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.61.- P.1414-1416.

251. Pathma V., Goldspink G. An investigation into silane evolution from porous silicon by temperature programmed desorbtion method / Mater. Intern. Conf. "Porous semiconductors -science and technology", 1998.- Spain, Mallorca.- P. 109-110.

252. Martin P., Fernandez F., Sanchez C. TDS applied to investigation the hydrogen and silane desorption kinetics from porous silicon / Mater. Intern. Conf. "Porous semiconductors science and technology", 2000.- Spain, Madrid.- P.236-237.

253. Laiho R., Vlasenko L.S. Electron paramagnetic resonance of dangling bond centers in vacuum-annealed porous silicon // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.2857- 2859.

254. Herino R., Perio A., Barla K. et al. Microstructure of porous silicon and its evolution with temperature // Mater. Lett.- 1984.- V.2.- P.519-523.

255. Labunov V., Bondarenko V., Glinenko L. et al. Heat treatment effect on porous silicon // Thin Sol. Films.- 1986.- V.137.- P.123-134.

256. Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995,- P.33-53.

257. Лукьянова E.H., Козлов C.H., Демидович B.M. и др. Особенности электропереноса в нанопорнстом кремнии и оксиде кремния с адсорбированной водой // Письма в ЖТФ.-2001.- Т.27, вып. 11.- С.1-6.

258. Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V.70.- P.637-639.

259. Kimoto K., Arai T. Photoluminescence of rapid thermal treated porous Si in nitrogen atmosphere // Phys. stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.133-137.

260. Батавин B.B., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1985.- 264с.

261. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1975.- 206с.

262. Wagner P., Hage J. Thermal double donors in silicon // Appl. Phys. A.- 1989.- V.A49.-P.123-138.

263. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках.- М.:. Металлургия, 1968.-327с.

264. Cazcarra V., Zunino P. Influence of oxygen on silicon resistivity // J. Appl. Phys.- 1980.-V.51.- P .4206-4209.

265. Батавин B.B., Сальник З.А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород // Неорганические материалы.- 1982.- Т.18, вып.2.- С.185-191.

266. Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н. и др. Электрические свойства кремния, термообработанного при 530С и облученного электронами // ФТП.- 1998,-Т.32.- С.1049-1053.

267. Курова И.А., Мелешко Н.В., Ларина Э.В. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором // ФТП.- 1996.- Т.ЗО.- С.12-16.

268. Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П. и др. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода// ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1095-1098.

269. Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ.- 1996.- Т.63, вып.2.- С.106-111.

270. Терехов В.А., Хохлов А.Ф., Ковалева Н.С. и др. Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего порядка в аморфных пленках гидрированного кремния // ФТТ.- 1997,- Т.39.- С.243-245.

271. Wilson J.I.B. Density of states in annealed GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.- EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.150-153.

272. Курова И.А., Лупачева A.H., Мелешко H.B. и др. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H // ФТП.- 1994.- Т.28.-С.1092-1096.

273. Kniffler N., Muller W.W., Pirrung J.M. et al. Annealing and hydrogenation behaviour of evaporated and sputtered high-purity amorphous silicon films // J. De Physique.- 1981.- V.42.-P.c4-811 -c4-814.

274. Zellama K., Germain P., Picard C. A theoretical study of hydrogen exodiffusion in a-Si:H, comparison with conductivity measurements // J. De Physique.- 1981.- V.42.-P.c4-815-C4-818.

275. Андреев A.A., Сидорова T.A., Казакова E.A. и др. Электропроводность и структура слоев аморфного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.- С.1469-1475.

276. Yang S.H., Lee С. Mechanism of the high-temperature conductivity kinks in hydrogenated amorphous silicon// Philos. Magaz.B.- 1986.- V.53.- 293-300.

277. Курова И.А., Ормонт H.H., Теруков Е.И., Афанасьев В.П. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига// ФТП.- 2001.- Т.35.- С.367-370.

278. Курова И.А., Мирошник О.Н., Ормонт Н.Н. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.727-729.

279. Chou J.-C., Hsiung S.-K., Lu C.-Y. Characterization of a-Si:H phase transition and crystallization by isotermal annealing // Jap. J. Appl. Phys.- 1987.- V.26.- P.1971-1977.

280. Казанский А.Г., Миличев Е.П. Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации // ФТП.- 1989.- Т.23.- С.2027-2029.

281. Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов X. и др. Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния в зависимости от исходных характеристик пленок // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.985-986.

282. Augelli V. Conductivity of undoped GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.-EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.185-190.

283. Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O. и др. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiC>2 И ФТП.-2000.- Т.34.- С.1004-1009.

284. Лебедев А.А., Иванов A.M., Ременюк А.Д. и др. Влияние а-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.188-190.

285. Астрова Е.В., Емцев В.В., Лебедев А.А. и др. Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием у-облучения 60Со // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1301-1305.

286. Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В. и др. Влияние у-облучения на свойства пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30,- С.507-514.

287. Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н. и др.-Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП.- 1997.- Т.31.- С. 1126-1129.

288. Maurice J.-L., Riviere A., Alapini A. et al. Electron beam irradiation of n-type porous silicon obtained by photoelectrochemical etching // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.66.- P.l665-0 1667.

289. Костишко Б.М., Орлов A.M., Фролов B.A. Энергия активации электронно-стимулированного гашения фотолюминесценции пористого кремния п-типа // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып.18.- С.44-50.

290. Костишко Б.М., Орлов A.M., Пирогов А.В. Изменение электронной структуры и энергии активации гашения фотолюминесценции пористого кремния n-типа при электронном облучении// Неорганические материалы.- 1999.- Т.35.- С.280-285.

291. Костишко Б.М., Орлов А.М. Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ЖТФ,- 1998.- Т.68.- С.58-63.

292. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Влияние электронного облучения на фотолюминесценцию карбонизированного пористого кремния / Материалы VIII межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 1998.- С.170-174.

293. Calliari L., Anderle М., Ceschini М. et al. Electron bombardment effects on light emitting porous silicon // J. Lumin.- 1993.- V.57.- P.83-87.

294. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии.-М.: Высшая школа, 1988.- 255с.

295. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий.- М.: Атомиздат, 1971.- 176с.

296. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.- 192с.

297. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.- М.: Энергоатомиздат, 1989.-96с.

298. Емцев В.В., Машовец Т.В., Абдусаттаров А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии n-типа при электронном импульсном облучении // ФТП.- 1987.- Т.21.- С.2106-2109.

299. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные дефекты в кремнии.-К.: Наукова думка, 1974,-200с.

300. Левчук Л.В., Галушка А.П., Конозенко И.Д. Радиационные нарушения в p-Si с примесью водорода, созданные быстрыми электронами / Материалы симпозиума "Радиационные дефекты в полупроводниках", Минск, БГУ, 1972.- С.76-77.

301. Шнайдер У., Шредер Б. Метастабильные дефекты в гидрированном аморфном кремнии, создаваемые электронным облучением / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше X.- М.:Мир, 1991.- С. 290-314.

302. Казанский А.Г., Король А.С., Милевич Е.П. и др. Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.-С.1594-11597.

303. Street R., Biegelsen D., Stuke J. Defects in bombarded amorphous silicon // Philos. Magaz. В.- 1979.- V.40.- P.451-464.

304. Yacobi B.G., Roedern B. Electrical conductivity of electron-irradiated hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys.- 1986.- V.59.- P.2590-2591.

305. Dersch H., Schweizer 1., Stuke J. Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity // Phys. Rev. В.- 1983.- V.28.- P.4678-4684.

306. Katayama M., Morimoto H., Sugawara K. Electron irradiation effects on amorphous silicon solar cells // Phys. Stat. Sol. (a).- 1983.- V.78.- P.K5-K8.

307. Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Effect of electron irradiation on the dark and photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon // Phys. Rev. В.- 1981.- V.24.-P.7443-7446.

308. Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Electron irradiation in hydrogenated silicon // J. De Physique.-1981.- V.42.- P.C4-803 C4-806.

309. Аблова M.C., Куликов Г.С., Першеев C.K. Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые у-облучением // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.1001-1005.

310. Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si:H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП.- 1999.- Т.ЗЗ.- С.464-467.

311. Аблова М.С., Куликов Г.С., Першева С.К. Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния // ФТП.- 1998.- Т.32.-С.245-248.

312. Берман J1.C. Емкостные методы исследования полупроводников.- Л.:Наука, 1972.-103с.

313. Брыксин В.В., Дьяконов М.Н., Ханин С.Д. Анализ характера прыжковой проводимости по частотной зависимости тангенса угла потерь // ФТТ.- 1982.- Т.23.-С. 1516-1519.

314. Астрова Е.В., Белов С.В., Лебедев А.А. Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния // ФТТ.- 1996.- Т.38.- С.702-710.

315. Ciurea M.L., Batlog I., Lazar M. et al. Electrical behaviour of fresh and stored porous silicon films // Thin Sol. Films.- 1998.- V.325.- P.271-277.

316. Cox T.I. Porous silicon layer capacitance / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997,- P. 185-199.

317. Аверкиев H.C., Капитонова Л.М., Лебедев A.A. и др. Зависимость емкости наноструктур из пористого кремния от магнитного поля // Письма в ЖТФ.- 1996.- Т. 22., вып. 17.- С.15-17.

318. Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А.и др. Магнитополевая и частотная зависимости емкости наноразмерных // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники,- 1998.- Вып.2.- С.60-63.

319. Якобсон Р. Неоднородные и совместно напыленные однородные пленки для оптических измерений. В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1967.- Т.8.- С.61-105.

320. Смас Ч. Диэлектрические явления. В кн.: Физика и химия твердого состояния органических соединений. -М.: Мир, 1967.- С.621-659.

321. Aspens D.E., Theeten J.B. Dielectric function of Si-SiC>2 and Si-Si3N4 mixtures// J. Appl. Phys.- 1979.- V.50.- P. 4928-4935.

322. Сканави Г.И. Физика диэлектриков.- М.: Физматгиз, 1949.- 525с.

323. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред.- М.: Наука, 1982.-621с.

324. Таблицы физических величин. Под ред. И.К.Кикоина.- М.: Атомиздат, 197б.-1006с,

325. Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н. Адсорбционно-емкостная порометрия // ФТП.- 2001.- Т.35- С.850-853.

326. Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Кашкаров В.М. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости IIЖПХ.- 2000.- Т.73.- С.1071-1074.

327. Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of porous silicon for vapour sensing // Sens. Actuators.-1990.- V.A21-23.- P.835-839.

328. Тутов E.A., Андрюков А.Ю., Рябцев C.B. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26, вып. 17.- С.53-58.

329. Rittersma Z.M., Zaagman W.J., Zelstra М. et al. A monitoring instrument with capasitive porous silicon humidity sensors // Smart Mater. Struct.- 2000.- V.9.- P.351-356.

330. Ковалевский A.A., Баранов И.Л., Снитовский Ю.П. Влияние имплантированного палладия в пористый кремний на чувствительность элементов датчиков // Микроэлектроника.- 1996.-Т.25.-С.295-297.

331. Демидович В.Н., Демидович Г.Б., Добренкова Е.И. и др. Адсорбционно-чувствительный диод на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1992.- Т.18, вып.14,- С.57-59.

332. Polishchuk V., Souteyrand Е., Martin J.R. et al. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon // Analytica Chimica Acta.- 1998.- V.375.- P.205-210.

333. Магунов A.H. Температурная зависимость показателя преломления монокристалла кремния в диапазоне 300-700К // Оптика и спектроскопия,- 1992.- Т.73.- С.352-354.

334. Monastyrskii L.S. Features of electrical charge transfer in porous silicon // Semicond. Phys., Quant. Electron, and Optoelectron.- 2001.- V.4.- P.24-28.

335. Baratto C., Faglia G., Sberveglieri G. et al. Front-side micromachined porous silicon nitrogen dioxide gas sensor // Thin Sol. Films.- 2001.-V.391.- P.261-264.

336. Arita Y., Kuranari K. Characteristics of the electric capacitance and dielectric loss of the thermal oxide of porous silicon formed using highly phosphorus diffused silicon //Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36, pt.l.- P.1035-1039.

337. Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. AC conductivity in porous silicon // J. Lumin.- 1993.-V.57.- P.150-162.

338. Parkhutik V.P. Residual electrolyte as a factor influencing the electrical properties of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1996.- V.276.- P. 195-199.

339. Francia G.D., Ferrara V.L., Maddalena P. et al. AC conductivity of porous silicon: a fractal and surfase transport mechanism? // Nuovo Cimento.- 1996.- V.18D.- P.l 187-1196.

340. Cruz H., Luis D., Capui N.E. et al. Two-dimensional tight-binding model of ac conductivity in porous silicon // J. Appl. Phys.-1998.- V.83.- P.7694-7698.

341. Shimakawa K., Watanabe A., Hattori K. Frequency-dependent transport in glow-discharge amorphous silicon// Philos. Mag. В.- 1986.- V.54.- P.391-414.

342. Вуль А.Я., Кидалов C.B. Влияние неоднородного распределения примесей на фотоэлектрические характеристики резисторных структур на основе твердых растворов GaAsi-xSbx // ФТП.-1987.- Т.21.- С.804-809.

343. Сагинов Л.Д., Федирко В.А., Стафеев В.И. и др. Влияние флуктуации состава на оптические свойства CdxHgi.xTe // ФТП.- 1982.- Т.16.- С.1256-1261.

344. Немов С.А., Потапова Д.А., Равич Ю.И., Ханин С.Д. Плотность локализованных состояний в твердых растворах (PbojsSno^o^sIno.osTe // ФТП.-2001.- Т.35.- С.1197-1199.

345. Петросян С.Г., Шик А.Я. Фотопроводимость неоднородных полупроводниковых твердых растворов // Письма в ЖЭТФ,- 1982.- Т.35.- С.357-359.

346. Шик А.Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках // ФТП.- 1975.- Т.9.- С.2129-2134.

347. Добрего В.П. Расчет кинетики спада фотопроводимости при наличии коллективных потенциальных барьеров // ФТП.- 1975.- Т.9.- С.2079-2083.

348. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП.- 1976.- Т. 10.- С.209-233.

349. Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. Дефекты в легированных Na халькогенидах свинца и олова: образование, взаимодействие, влияние на электронный спектр // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1653-1659.

350. Прокофьева Л.В., Виноградова М.Н., Зарубо С.В. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pbi.xSnxSe и Pbi-xSnxS // ФТП.- 1980.- Т.14,- С.2201-2204.

351. Dawar A.L., Taneja О.Р., Paradkar S.K. et al. Electrical effects of thallium, sodium and silver impurities on lead telluride thin films // Appl. Surf. Sci.- 1982.-V.11-12.- P.583-597.

352. Вейс A.H., Кайданов В.И., Крупицкая Р.Ю. и др. Особенности эффекта Холла и спектров коэффициента поглощения в сильно компенсированных образцах халькогенидовсвинца //ФТП.- 1980.-Т.14.-С.2349-2356.

353. Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия // ФТП.- 1997.- Т.31.-С.528-532.

354. Житинская М.К., Немов С.А., Равич Ю.И. Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe(Tl,Na) // ФТП.- 1998.-Т.32.-С. 1206-1208.

355. Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. К вопросу об ионизации изоэлектронной примеси олова в разбавленном твердом растворе Pbi.xSnxSe: Na // ФТП.-1995.- Т.29.- С.1388-1395.

356. Алексеева Г.Т., Земсков Б.Г., Константинов П.П. и др. Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа РЬТе элементами 1-й группы // ФТП.-1992.-Т.26.- С.358-367.

357. Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа А^В^ // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.201-222.

358. Зимин С.П. Явления переноса в эпитаксиальных слоях Pbo.sSno^Te и Pbo.gSno^Teo^So.cu I Автореферат кандидатской диссертации. Кишинев.- 1989.- 14с.

359. Зимин С.П., Бочкарева Л.В. Модифицированная установка для изучения явлений переноса в полупроводниках, эпитаксиальных пленках и полупроводниковых структурах / Информационный листок 489-89 межотраслевого центра НТиП, Ярославль.- 1989.-Зс.

360. Jensen J.D., Schoolar R.B. Electrical properties of Pbi.xCdxS epitaxial films // J. of Electron. Mater.- 1978.-V.7.-P.237-252.

361. Stetiu P. About some transport phenomena in Pbi-xCdxS solid solutions // J. Phys.Chem. Solids.- 1976.-V.37.- P.457-460.

362. Dawar A.L., Taneja O.P., Kumar P. et al. Electrical transport properties of p-type Pbi.xCdxS epitaxial thin films //Thin Solid Films.-1981.- V.79.- P.185-191.

363. Блохин Ю.Н., Луцкая О.Ф., Яськов Д.А. Структура и электрофизические свойства слоев твердых растворов Pb].xCdxS // Изв. АН СССР. Неорган, матер.- 1987.- Т.23.- С.888-891.

364. Sood А.К., Wu К., Zemel J.N. Metastable Pbi.xCdxS epitaxial films. Growth and physical properties // Thin Solid Films.- 1978.- V.48.- P.73-86.

365. Роках А.Г., Елагина E.B., Матасова Л.П. и др. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов / А.с. СССР 1110351. Заявл. 17.03.83.

366. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смиронов И.А.Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. -М.: Наука, 1968.- 383с.

367. Абессонова JI.H., Добровольский В.Н., Жарких Ю.С. и др. Об интерпретации результатов холловских измерений в неоднородных полупроводниках // ФТП.-1976.-Т.10.-С.406-408.

368. Бакуева Л.Г., Захарова И.Б., Ильин В.И. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1.xSn)tS<Na> // ФТП.-1988.- Т.22.- С.1896-1898.

369. Gudaev О.А., Malinovsky V.K., Paul Е.Е. The influence of photoexitation level on the process of charge transfer in polycrystalline PbS films // Thin Solid Films.- 1991.- V.198.-P.35-41.

370. Шик А.Я. Кинетические явления в неоднородных полупроводниках (обзор) / Сб. Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях.- Кишинев: Штиинца, 1979.- С.22-40.

371. Ковалев А.Н., Остробородова В.В., Фоломин П.И. Однородность и особенности гальваномагнитных свойств нелегированных халькогенидов свинца / Сб. Структура и свойства соединений А4В6.- М.: Металлургия, 1990.- С.57-68.

372. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Высокотемпературная фотопроводимость легированных индием эпитаксиальных слоев твердого раствора Pbi-xSnxTei-ySey // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.23.- С.73-75.

373. Piotrowski J., Gawron W., Djuric Z. New generation of nea-room-temperature photodiodes // Opt. Engin.- 1994.- V.33.- P.1413-1421.

374. Зайкина Р.Ф., Зашеин Ю.А., Потатий K.B. и др. О дозовой зависимости концентрации носителей заряда в сульфиде свинца, облученном электронами // ЖТФ.-1996.- Т.66, вып.З.- С.67-74.

375. Palmetshofer L. Ion implantation in IV-VI semiconductors // Appl. Phys. A.- 1984.-V.43.-P.139-153.

376. Аброян И.А., Алиев Б.З., Иматкулиев С.Д. и др. Электрофизические свойства пленок РЬТе, облученных ионами аргона// ФТП.-1989.- Т.23.- С.352-355.

377. Выдрик В.Н., Зубкова В.И., Путиловская М.Ю. и др. Влияние имплантационного легирования на структурные характеристики пленок теллурида свинца // Поверхность.-1988.- Вып.2.- С. 104-109.

378. Скипетров Е.П., Некрасова А.Н. Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов n-Pb].xSnxTe // ФТП.-1997.- Т.31.- С.264-267.

379. Лидоренко Н.С., Вейс А.Н., Дашевский З.М. и др. Исследование эффектов, возникающих в РЬТе при ионной имплантации большими дозами // ДАН-1990.- Т.315.-С.600-603.

380. Вейс А.Н. Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца // ФТП.-1993.- Т.27,- С.1384-1387.

381. Wilson I.H., Zheng N.J., Knipping U. Scanning tunneling microscopy of an ion-bombarded PbS (001) surface //Appl. Phys. Lett.- 1988.- V.53.- P.2039-2041.

382. Исаев O.K., Заитов Ф.А., Матершев Ю.В. Действие ионизирующих излучений на фоточувствительные пленки халькогенидов свинца и кадмия.- Баку: Элм, 1988.- 71с.

383. Maier Н., Hesse J. Growth, properties and applications of narrow-gap semiconductors / In: Organic Crystals Germanates Semiconductors.- Berlin, 1980.- P. 145-219.

384. Ковалев A.H., Горелик C.C., Сагалова Т.Б. Рекристаллизация поликристаллических пленок сульфида свинца при активационном отжиге // Кристаллография.-198б.- Т.31.-С.1032-1035.

385. Зайкин Ю.В., Зарифьянц Ю.А., Зломанов В.П. Влияние фазового состава на энергетический спектр ловушек в структуре PbS // Изв. ВУЗов. Сер. физич.-197б.-Вып.2.- С.75-79.

386. Favre J., Konczykowski М., Desueur D. Defauts d'irradiation dans les sels de plomb: PbTe, PbSe // Annales de Physique.- 1989.- V.14, N2,- P.157-165.

387. Пляцко C.B. Особенности роста и физических свойств PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях // ФТП.-1998.- Т.32.- С.257-260.

388. Maksimov M.N., Vassilev L.V., Besedin Yu.G. et al. Deep levels and persistent photoconductivity effects in undoped p-type PbTe films // Infrared Phys.- 1991.- V.31.- P. 199205.

389. Трофимов B.T., Селиванов Ю.Г., Чижевский Е.Г. Фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца // ФТП.-1996.- Т.30.- С.755-763.

390. Бакланов К.А., Крылов И.П. Замороженная фотопроводимость в пленках РЬТе:0 // ЖЭТФ.-1992.-Т.101.-С.294-326.

391. Бонч-Бруевич BJL, Звягин И.П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М.: Наука, 1981.-384с.

392. Balagurov L.A., Bayliss S.C., Orlov A.F. et al. Electrical properties of metal / porous silicon / p-Si structures with thin porous silicon layer // J. Appl. Phys.- 2001.- V.90.- P.4184-4190.

393. Balagurov L.A., Bayliss S.C., Andrushin S.Ya. et al. Metal/PS/c-Si photodetectors based on unoxidized and oxidized porous silicon// Sol. State Electron.- 2001.- V.45.- P. 1607- 1611.

394. Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.B. et al. Low-dimensional hopping conduction in porous amorphous silicon // Physica В.- 1995.-V.205.- P.298-304.

395. Якимов А.И., Степина Н.П., Двуреченский A.B. и др. Электрические свойства фрактальных систем на основе пористого аморфного кремния // ЖЭТФ.- 1996.- Т. 110.-С.322-333.

396. Naudon A., Goudeau P., Vezin V. Scatering of X-rays / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.257-275.

397. Рывкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.- М.: Физматлитература, 1963.-478с.

398. Комаров Е.П. Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористогокремния различной морфологии и пористости / Автореферат диссертации на соисканиеученой степени кандидата физико-математических наук, Ярославль.- 2002.- 23с.

399. Konaka S., Tabe М., Sakai Т. A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1982.- V.41.- P. 86-88.

400. Bomchil G., Halimaoui A., Herino R. Porous silicon: the material and its application in silicon-on-insulator technologies//Appl. Surf. Sci.- 1989.- V.41/42.- P.604-613.

401. Шенгуров В.Г., Шабанов B.H., Гудкова H.B. и др. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме // Микроэлектроника.- 1993,- Т.22, вып.1.-С.19-21.

402. Новиков П.Л., Александров Л.Н., Двуреченский А.В. и др. Механизм эпитаксии кремния на пористых слоях кремния // Письма в ЖТЭФ.- 1998.- Т.67,- С.512-517.

403. Lin T.L., Sadwick L., Wang K.L. et al. Growth and characterization of molecular beam epitaxial GaAs layers on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.51.- P.814-816.

404. Kang T.W., Leem J.Y., Kim T.W. Growth of GaAs epitaxial layers on porous silicon // MicroelectronJ.- 1996.- V.27.- P.423-436.

405. Saravanan S., Hayashi Y., Soga T. et al. Growth and characterization of GaAs epitaxial layers on Si/porous silicon/ Si substrates by chemical beam epitaxy // J. Appl. Phys.- 2001 .-V.89.- P.5215-5218.

406. Бондаренко В.П. Ворозов H.H., Дикарева B.B. и др. Гетероэпитаксия сульфида свинца на кремнии // Письма в ЖТФ.-1994.- Т.20, вып.10.- С.51-54.

407. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. Heteroepitaxy of PbS on porous silicon // Thin Solid Films.- 1999.- V.348.- P.141-144.

408. Беляков JI.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.Н. и др. Исследование ИК фотодиодов на основе РЬТе, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП.-1997.- Т.31.-С.93-95.

409. Chang С.С., Lee С.Н. Characterization and fabrication of ZnSe epilayer on porous silicon substrate // Thin Solid Films.- 2000.- V.379.- P.287-291.

410. Hsieh W.T., Fang Y.K., Wu K.H. et al. Using porous silicon as semi-insulating substrate for P-SiC high temperature optical-sensing devices // IEEE Trans. Electron. Devices.- 2001.-V.48.- P.801-803.

411. Luryi S., Suhir E. New approach to the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials //Appl. Phys. Lett.- 1986.- V.49.- P. 140-142.

412. Jesser W.A., Kuhlmann-Wilsdorf D. On the theory of interfacial energy and elastic strain of epitaxial overgrowths in parallel alignment on single crystal substrates // Phys. Stat. Sol.-1967.- V.19.- P.95-105.

413. Солдатенков Ф.Ю., Улин В.П., Яковенко A.A. и др. Ненапряженные эпитаксиальные пленки InxGai.xAs, полученные на пористом GaAs // Письма в ЖТФ.-1999.- Т.25, вып.21,- С. 15-20.

414. Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Дроздов Ю.Н. и др. Релаксация упругих напряжений в буферных слоях на основе пористых напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs // Письма в ЖТФ.- 2002.- Т.28, вып.24.- С.1-7.

415. Као Y.C., Wang K.L., Wu B.J. et al. Molecular beam epitaxial growth of CoSi2 on porous silicon//Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.51.- P.1809-1811.

416. Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V. et al. GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular-beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1999,- V.75.- P.4118-4120.

417. Xie Y.H., Bean J.C. Heteroepitaxy of GexSii-x on porous silicon substrates // J. Appl. Phys.- 1990.- V.67.- P.792-795.

418. Мамутин B.B., Улин В.П., Третьяков B.B. и др. Получение кубического GaN молекулярно-пучковой эпитаксией но подложках пористого GaAs // Письма в ЖТФ.-1999.- Т.25, вьш.1.- С.3-9.

419. Chen Q., Wu W.B., Мак C.L. et al. Growth of highly oriented of Pb(ZrxTii.x)03 film on porous silicon//Thin Solid Films.- 2001.-V.397.- P.l-3.

420. Бондаренко В.П., Борисенко B.E. Структура пленок силицида кобальта, сформированных на пористом кремнии // Поверхность.- 1989.- Вып. 1.- С.З 8-40.

421. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Физматгиз.-1961.-860с.

422. D'Heurle F., Berenbaum L., Rosenberg R. On the structure of aluminium films // Trans. Met. Soc. AIME.- 1968 V.242.- P.502-511.

423. Технология СБИС. Под ред. Зи С. М.: Мир, 1986.- Т.2.- 453с.

424. Д'Орль. Электродиффузия и отказы в электронике/ Сб. "Технология толстых и тонких пленок".- М.: Мир, 1972.- С.35-45.

425. Kodric S,, Augur R.A., Dirks A.G. Stress voidind and electromigration phenomena in aluminium films // Appl. Sufr. Sci.- 1995.- V.91.- P.197-207.

426. Dorgelo A.M., Vroemen J.A.M.W., Wolters R.A.M. An additional effect of texture on the electromigration behavior of aluminium / Materials of the European Workshop " Materials for Advanced Metallization", Streza, Italy.- 2000.- P. 146-147.

427. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла.-Л.: изд-во ЛГУ, 1983.-344с.

428. Сарсембинов Ш.Ш., Приходько О.Ю., Мальтекбасов М.Ж. и др. Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.564-566.

429. Rogalski A. New trends in semiconductor infrared detectors // Opt. Engin.- 1994.- V.33.-P.1395-1412.

430. Zogg H., John J. Lead chalcogenide on silicon infrared sensor arrays // Optoelectron. Rev.- 1998.- V.6.- P.37-46.

431. Muller P., Fach A., John J. et al. Structure of epitaxial PbSe grown on Si(l 11) and Si(100) without a fluoride buffer layer // J. Appl. Phys.- 1996.- V.79.- P.l911-1916.

432. Muller P., Zogg H., Fach A. et al. Reduction of threading dislocation densities in heavily lattice mismatched PbSe on Si(l 11) by glide // Phys. Rev. Lett.- 1997.- V.78.- P.3007-3010.

433. Гладкий С.В., Рудаков В.И., Саунин И.В. Изготовление и свойства ИК-приемников на пленках РЬТе, выращенных на Si с промежуточным слоем ВаИг / Труды ИМРАН.-Ярославль, 1991.- С.120-125.

434. Tetyorkin V.V., Sipatov A. Yu., Sizov F.F. et al. (OOl)-oriented lead selenide films grown on silicon substrates // Infrared Phys.- 1996.- V.37.- P.379-384.

435. Yakovtseva V., Vorozov N., Dolgi L. et al. Porous silicon: a buffer layer for PbS heteroepitaxy // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.-V.182.-P. 195-199.

436. Ressler K.J., Sonnenberg N.,Cima M.J. The development of biaxial alignment in yttria-stabilized zirconia films fabricated by ion beam assisted deposition // J. Electron. Mater.- 1996.-V.25.- P.35-42.

437. Egerton R.F., Crocker A.J. The electrical effect of atomic hydrogen on lead telluride // Surf. Sci.- 1971.- V.27.- P.l 17-124.