Фотоэлектромагнитные и магнитооптические методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, доктор физико-математических наук Костюченко, Владимир Яковлевич

• Костюченко, Владимир Яковлевич
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Костюченко, Владимир Яковлевич

Список условных сокращений и обозначений.

ВВЕДЕНИЕ.

1. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1.1. Введение.

1.2. Методы определения времени жизни носителей заряда.

1.3. Методы определения подвижности электронов в КРТ р-типа

1.4. Методы определения параметров рекомбинационных центров

1.5. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле

1.6. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в варизонных полупроводниках

1.7. Свойства полупроводников в квантующих магнитных полях

1.8. Выводы и постановка задач.

2. АППАРАТУРНЫЕ СРЕДСТВА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ СИГНАЛОВ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ РЕЗОНАНСОВ И ФОТОЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

2.1. Введение.

2.2. Экспериментальный комплекс для регистрации магнитооптических резонансов и измерений сигналов фотоэлектромагнитных эффектов в геометрии Фойгта.

2.3. Лазеры на окиси углерода.

2.4. Автоматизированный комплекс для измерений сигналов фотоэлектромагнитных эффектов в геометрии Фарадея или Фойгта

2.5. Подготовка исследуемых образцов.

2.6. Выводы.

3. МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

3.1. Введение.

3.2. Модуляционные методики измерений в узкозонных полупроводниках

3.2.1. Зондовая модуляционная методика измерений ФМЭ и ФП в магнитном поле при модуляции света и синхронном детектировании

3.2.2. Методика модуляции магнитного поля и синхронного детектирования на второй гармонике резонансов магнитооптических эффектов в узкозонных полупроводниках.

3.3. Методики определения концентрации и подвижности основных носителей заряда

3.3.1. Методика определения параметров по холловским измерениям

3.3.2. Определение концентрации вырожденного электронного газа из осцилляций Шубникова-де Гааза.

3.3.3. Определения концентраций и подвижностей разного сорта носителей заряда в ГЭС МЛЭ р-КРТ.

3.4. СВЧ-методика определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда.

3.5. Выводы.

4. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ ННЗ, ОТНОШЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ОБЪЕМЕ И КОНЦЕНТРАЦИИ РЦ ДЛЯ ГЭС МЛЭ Р-КРТ ИЗ ФП В ГЕОМЕТРИИ ФАРАДЕЯ.

4.1. Введение.

4.2. Изменение проводимости образца в магнитном поле при освещении в случае доминирующей рекомбинации носителей заряда Шокли-Рида-Холла.

4.3. Теоретический и экспериментальный анализ сигналов ФП в р-КРТ при низких температурах.

4.4. Метод определения подвижности ННЗ в ГЭС р-КРТ.

4.5. Влияние концентрации рекомбинационных центров на ФП в геометрии Фарад ея.

4.6. Определения отношения времени жизни носителей заряда и концентрации РЦ в МЛЭ р-КРТ.

4.7. Выводы.

5. МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ ННЗ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ПЛЁНКИ КРТ Р-ТИПА ИЗ ФМЭ И ФП В ГЕОМЕТРИИ ФОЙГТА.

5.1. Введение.

5.2. Теоретическая модель поведения фотогенерированных носителей заряда в пленках ЖФЭ КРТ, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля

5.3. Теоретический и экспериментальный анализ ФМЭ и ФП в магнитном поле для геометрии Фойгта на ГЭС ЖФЭ КРТ

5.3.1. ФМЭ и ФП в магнитном поле для пленок п-типа.

5.3.2. ФМЭ в пленках р-типа.

5.3.3. ФП в магнитном поле для пленок р-типа.

5.4. Фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фойгта и фотомагнитный эффект в ГЭС МЛЭ р-КРТ с приграничными варизонными слоями.

5.4.1. Поведение неравновесного электронно-дырочного газа в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях

5.4.2. Теоретический и экспериментальный анализ магнитополевых зависимостей ФП и ФМЭ.

5.5. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в объеме и их скоростей поверхностной рекомбинации в ГЭС КРТ р-типа

5.6. Выводы.

6. РЕЗУЛЬТАТЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ ДЛЯ МЛЭ КРТ Р-ТИПА НА РАЗРАБОТАННОМ КОМПЛЕКСЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

6.1. Введение.

6.2. Зависимость подвижности электронов от температуры

6.3. Оценка параметров рекомбинационных центров.

6.3.1. Оценка параметров РЦ из температурной зависимости времени жизни электронов.

6.3.2. Оценка параметров РЦ по зависимости отношения времени жизни носителей заряда от концентрации равновесных дырок

6.4. Фотопроводимость в геометрии Фарадея в условиях смешанной проводимости.

6.5. Измерения нормальной и латеральной компонент темнового тока п-р-фотодиодов на основе ГЭС МЛЭ р-КРТ.

6.6. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на ГЭС р-КРТ со встроенными нанослоями в варизонных приграничных областях.

6.7. Выводы.

7. МЕТОД БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ ИОНИЗАЦИИ РЦ В ВЫРОЖДЕННЫХ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

7.1. Введение.

7.2. Влияние магнитного поля на энергию электронных состояний в полупроводниках

7.3. Осцилляции магнитосопроотивления и магнитопропускания при монохроматической подсветке с энергией фотонов меньше ширины запрещённой зоны.

7.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектромагнитные и магнитооптические методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках»

Актуальность темы исследования. Важной практической задачей современной оптоэлектроники является усовершенствование известных и создание новых фотоприёмных устройств (ФПУ) инфракрасного диапазона. Большая часть ФПУ для этого диапазона изготавливается на основе узкозонных полупроводниковых соединений (InSb, InAs, PbSnTe, CdHgTe и др.).

В настоящее время для изготовления ФПУ с фотоэлементами в виде п-р-пе-реходов используются преимущественно плёнки р-типа тройных растворов кадмий - ртуть - теллур (KPT) CdxHgixTe (х - мольный состав Cd) [1], толщина d которых сравнима с длиной диффузии L (d<L) неосновных носителей заряда (ННЗ). Плёнки КРТ выращиваются методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) или молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Для улучшения характеристик ФПУ в настоящее время выращиваются плёнки КРТ со сложным профилем мольного состава кадмия х - гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС). В ИФП СО РАН им. A.B. Ржанова разработана оригинальная технология выращивания методом МЛЭ плёнок КРТ [2] с приграничными варизонными слоями, которые уменьшают скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда [3].

При выборе плёнок для изготовления ФПУ с требуемыми характеристиками необходимо знать точные значения параметров материала: равновесную концентрацию р0 и подвижность \ip основных носителей заряда (дырок), рекомбинационно-диффузионные параметры материала, такие как времена жизни электронов тп и дырок т„ в объёме, подвижность \лп неосновных носителей заряда (электронов), скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда на свободной и связанной с подложкой границах плёнки и S2, соответственно. В свою очередь, значения времен жизни электронов тп и дырок х р в объёме определяются параметрами рекомбинационных центров (РЦ): концентрацией Nt и энергией залегания РЦ Et, коэффициентами захвата электронов сп и дырок Ср на РЦ.

Применение традиционных методов определения этих параметров в ГЭС КРТ р-типа затруднено сложностью выделения вкладов в процессы рекомбинации и диффузии ННЗ различных слоев структуры, а также относительной малостью значений их времени жизни и диффузионной длины. Применение метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней для измерений параметров РЦ в КРТ с мольным составом Cd х » 0,22 затруднено следующими причинами: во-первых, малая ширина запрещённой зоны требует использования гелиевых температур, во-вторых, трудно изготовить р-п-переход на таком материале, который не имел бы туннельного пробоя при низких температурах. Поэтому актуальным является развитие новых, особенно бесконтактных, методов обнаружения РЦ и изучения их влияния на свойства полупроводников.

В связи с этим возникает проблема разработки методов определения указанных параметров в ГЭС (d < L) CdxHgixTe р-типа с мольным составом Cd jc « 0,2 и создания экспериментальной измерительной установки, которая позволила бы последовательно применять эти методы для одновременного определения всего комплекса параметров. Кроме того, требуется определять указанные параметры для центрального однородного по составу х слоя ГЭС КРТ р-типа, не разрушая приповерхностные варизонные слои. Поэтому особую актуальность представляет разработка нового комплекса методов неразрушающих контактных исследований не только ГЭС КРТ р-типа, но и ГЭС узкозонных полупроводников р-типа, которые используются при создании принципиально новых полупроводниковых оптоэлектронных приборов на основе микро- и наноэлек-троники. В качестве модельного объекта исследований был выбран InSb п-типа как наиболее изученный узкозонный полупроводник.

Для разработки комплекса методов определения указанных параметров в плёнках (d < L) р-типа (х да 0,2) CdxHgixTe, помещённых в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля (ELB, где Е - напряжённость электрического поля и В - индукция магнитного поля), необходимо было теоретически и экспериментально исследовать поведение фотогенерированных носителей заряда методом стационарной фотопроводимости (ФП) в магнитном поле для геометрии Фарадея (к В ,В JL Е, где к - волновой вектор излучения), а также совместными методами фотомагнитного эффекта (ФМЭ) и стационарной ФП в магнитном поле для геометрии Фойгта (к J В, к L Е, В ± Е). К началу выполнения настоящей диссертационной работы в литературе не были описаны подобные методы для структур ЖФЭ КРТ р-типа, в которых мольный состав х изменяется линейно по толщине, а также для структур МЛЭ КРТ р-типа с вари-зонными приграничными областями.

С появлением работ [4], в которых был разработан метод определения энергетических параметров РЦ в узкозонных полупроводниках при оптических переходах между РЦ и квантовыми электронными состояниями в сильном магнитном поле (МОЭ - магнитооптические эффекты), необходимо было развитие этого метода для бесконтактного определения энергии ионизации РЦ в вырожденном 1п8Ь п-типа.

Таким образом, актуальность темы обусловлена необходимостью разработки новых методов определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в плёнках (с1 <Ь) и гетероэпитак-сиальных структурах узкозонных полупроводников р-типа со сложным профилем ширины запрещенной зоны.

Целью работы является решение проблемы создания комплекса методов и аппаратуры для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах (с1 < Ь) узкозонных полупроводников р-типа, а также развитие локального бесконтактного магнитооптического метода регистрации и измерения энергии ионизации РЦ в узкозонных вырожденных полупроводниках п-типа.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: - провести анализ с целью выявления недостатков современных аппаратурных средств и методов, применяемых для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров узкозонных полупроводников р-типа и плёночных структур (с1 < Ь) на их основе;

- разработать и создать экспериментальные установки для измерений хол-ловского напряжения, магнитосопротивления, ФМЭ, ФП в магнитном поле (геометрии Фарадея и Фойгта) в узкозонных полупроводниках и пленочных структурах на их основе;

- построить с целью разработки новых методов определения параметров основных и неосновных носителей заряда модели, описывающие экспериментальные зависимости от индукции магнитного поля ФМЭ, ФП для двух геометрий (Г = 77-125 К) в плёнках и плёночных структурах {с1 <Ь) кадмий - ртуть -теллур (х к 0,2) р-типа;

- определить раздельные вклады фотогенерированных электронов и дырок в ФП для геометрии Фарадея;

- разработать, исходя из результатов исследований ФП в геометрии Фарадея (Т = 77-125 К), методы определения подвижности неосновных носителей заряда (электронов), отношения времени жизни носителей заряда и концентрации рекомбинационных центров в гетероэпитаксиальных структурах кадмий -ртуть - теллур р-типа. Проанализировать погрешности определения этих параметров;

- разработать методы определения рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах кадмий - ртуть

- теллур р-типа таких, как время жизни электронов в объеме, скорости рекомбинации носителей заряда на поверхностях плёнки;

- создать комплекс аппаратурных средств, реализованных на одной установке, и методов определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров основных и неосновных носителей заряда;

- апробировать предложенный комплекс определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда на гетероэпи-таксиальных структурах (с1 < Ь) МЛЭ кадмий - ртуть - теллур р-типа:

• исследовать:

- температурные зависимости подвижности электронов;

- магнитополевые зависимости ФП в геометрии Фарадея при смешанной проводимости;

- ФМЭ и ФП в магнитном поле для геометрии Фарадея в структурах со встроенными нанослоями в варизонных приграничных областях;

• разработать метод измерения нормальной и латеральной компонент силы «темнового» тока п-р-фотодиодов;

• оценить параметры РЦ по температурной зависимости времени жизни электронов и по зависимости значения отношения времени жизни носителей заряда от концентрации равновесных дырок;

- развить локальный бесконтактный магнитооптический метод регистрации и измерения энергии ионизации РЦ для вырожденного ТпБЬ п-типа.

Объектом исследований являются методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров основных и неосновных носителей заряда в узкозонных полупроводниках и ГЭС (d < L) р-типа на их основе.

Предметом исследований являются InSb n-типа; плёнки п- и р-типа КРТ (х ~ 0,2), выращенные методом ЖФЭ на подложках из CdTe (CdxHgi.xTe/CdTe); плёнки КРТ (х « 0,2 и х « 0,3) р-типа, выращенные методом МЛЭ на подложках из GaAs ориентации (013) без варизонных и с варизонными приграничными областями, а также со встроенными нанослоями в варизонных областях.

Для решения поставленных задач применялись теоретические и экспериментальные методы исследований. Теоретическим методом исследовано поведение фотогенерированных носителей заряда в плёнках и плёночных структурах (d < L) узкозонных полупроводников р-типа, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля {ELB).

Экспериментальными методами измерения холловского напряжения и маг-нитосопротивления определялись концентрации и подвижности основных носителей заряда в ГЭС ЖФЭ КРТ и InSb n-типа. Для эпитаксиальных плёнок ГЭС МЛЭ КРТ р-типа с приграничными варизонными областями концентрации и подвижности основных носителей заряда определялись по результатам измерений магнитополевых зависимостей холловского напряжения и магнитосопро-тивления методом «спектра подвижности» и так называемой многозонной подгонкой. Экспериментальные методы также включали ФМЭ и стационарную ФП (геометрии Фойгта и Фарадея) в магнитном поле с индукцией от 0 до 2 Тл для температурного диапазона от 77 до 300 К. При гелиевой температуре в геометрии Фойгта исследовались магнитосопротивление, магнитопоглощение и их поляризационные зависимости в InSb n-типа при монохроматической подсветке с длиной волны от 5 до 6 мкм, что соответствовало энергии фотона меньшей ширины запрещенной зоны. Исследования для геометрии Фарадея также проводились на невырожденном InSb n-типа при Т— 4,2 К в сильном магнитном поле (до 10 Тл) сверхпроводящего соленоида. Рекомбинационно-диффузионные параметры плёнок находились методом наименьших квадратов с использованием численного метода нелинейной оптимизации Хука - Дживса из соответствия теоретических выражений экспериментальным данным.

Научная новизна. На основе совместного анализа ФМЭ и ФП (геометрии Фарадея и Фойгта) дано научное обоснование разработки методов определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров основных и неосновных носителей заряда в плёнках (d < L) узкозонных полупроводников р-типа. Создан автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных средств и новых методов, позволяющих получать наиболее полную информацию об указанных параметрах носителей заряда в плёнках КРТ р-типа. При этом впервые:

- определены на основе анализа магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея раздельные вклады фотогенерированных электронов и дырок в сигнал ФП;

- предложен на основе анализа магнитополевых зависимостей электронной компоненты ФП в геометрии Фарадея метод определения подвижности неосновных носителей заряда (электронов);

- разработаны методы определения отношения времени жизни носителей заряда и концентрации рекомбинационных центров по магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея;

- оценены в ГЭС МЛЭ КРТ р-типа параметры рекомбинационных центров: энергия залегания, коэффициенты захвата электронов и дырок на реком-бинационные центры;

- разработан на основе анализа магнитополевых зависимостей ФМЭ и ФП в геометрии Фойгта метод определения времени жизни электронов в объеме, скорости рекомбинации носителей заряда на поверхностях плёнки;

- развит для вырожденного InSb n-типа локальный бесконтактный магнитооптический метод регистрации РЦ и измерения их энергии ионизации.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

- разработан фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных и методических средств, позволяющий определять параметры основных и неосновных носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах (d < L) КРТ р-типа: концентрацию и подвижность основных носителей заряда (дырок), времена жизни электронов и дырок в объёме, подвижность неосновных носителей заряда (электронов), скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда на поверхностях плёнки, что позволило получать на одной установке наиболее полную и достоверную информацию, характеризующую процессы диффузии и рекомбинации неосновных носителей заряда;

- для вырожденного InSb n-типа развит локальный бесконтактный магнитооптический метод регистрации и измерения энергии ионизации РЦ. Предложенным методом определены ранее не наблюдаемые РЦ с энергией залегания 200 мэВ;

- разработанным методом при температуре 77 К определена подвижность неосновных носителей заряда (электронов) в ЖФЭ и МЛЭ КРТ р-типа. Для исследованных ЖФЭ образцов значение подвижности лежит в интервале от 4 до

2 2 6 м /(В-с), а для МЛЭ образцов - от 5 до 8 м /(В-с);

- для гетероэпитаксиальных структур с варизонными приграничными областями МЛЭ КРТ р-типа:

• вычислены значения отношения времени жизни дырок и электронов, которые лежат в интервале 5-30;

• оценены параметры РЦ: энергия залегания РЦ (Et & 53 мэВ), коэффициенты захвата электронов и дырок на РЦ сп ~ 2,3 х 10"12м3/с / о и Ср ~ 8,6 х 10" м /с, соответственно. Концентрация РЦ изменялась в диапазоне от 2,5 х 1019 до 5,0 х Ю20 м-3. Энергия Et лежит близко к середине запрещённой зоны, что согласуется с опубликованными данными;

• из магнитополевых зависимостей ФП в геометрии Фойгта и ФМЭ (Г = 77 К) вычислены разработанным методом рекомбинационно-диффузионные параметры структур: время жизни электронов в объеме, скорости поверхностной рекомбинации. Значения скорости поверхностной рекомбинации лежат в диапазоне от 30 до 150 м/с, что по порядку величины совпадает с рекордно низкими значениями для образцов КРТ р-типа, пассивированных ZnS или CdTe. Основные положения, выносимые на защиту:

- методы определения (Г =77-125 К) параметров полупроводникового твердого раствора кадмий - ртуть - теллур (CdxHgixTe, где х « 0,2 - мольный состав Cd) р-типа, основанные на измеренных магнитополевых зависимостях стационарной ФП в геометрии Фарадея. Предлагаются методы определения подвижности неосновных носителей заряда (электронов), отношения времени жизни носителей заряда в объеме пленки и концентрации рекомбинационных центров;

- методы определения параметров при азотных температурах в плёнках и гетероэпитаксиальных структурах (d < L, где d — толщина плёнки, L — длина диффузии неосновных носителей заряда) кадмий - ртуть - теллур (х « 0,2) р-типа, основанные на совместном анализе магнитополевых зависимостей ФМЭ и стационарной ФП для геометрии Фойгта. Предлагаются методы определения времени жизни электронов в плёнке, скоростей поверхностной рекомбинации носителей заряда на свободной поверхности плёнки и на границе раздела плёнка - подложка;

- автоматизированный комплекс аппаратурных средств и методов определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров основных и неосновных носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах (¿7 < Ь) кадмий - ртуть - теллур р-типа;

- результаты, полученные с использованием фотоэлектромагнитного комплекса, для гетероэпитаксиальных плёнок (с варизонными приграничными областями) кадмий - ртуть - теллур р-типа (х « 0,2), выращенных методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии:

• зависимость подвижности неосновных носителей заряда (электронов) от температуры (Г = 77-300 К) описывается выражением \хп- А - (Т/77)-*, где А = (5-8 м /В-с), к= 1,3-1,5. Такая зависимость обусловлена рассеянием ННЗ на колебаниях решётки;

• при смешанной проводимости (Т = 135-175 К) на экспериментальных магнитнополевых зависимостях ФП в геометрии Фарадея наблюдается максимум (при В ^ 0), обусловленный сильным магнитосопротивлением равновесных носителей заряда;

• для пленок оценены значения энергии залегания рекомбинационных центров, коэффициенты захвата электронов и дырок на объёмные рекомби-национные центры:

- по температурной зависимости времени жизни электронов;

- по зависимости отношения времени жизни носителей заряда от концентрации равновесных дырок;

• новый метод определения при температуре жидкого азота нормальной и латеральной компонент силы «темнового» тока п-р-фотодиодов (обратное смещение) в многоэлементных фотовольтаических фотоприемниках по измерению зависимости величины тока от индукции магнитного поля, что также может быть использовано для исключения взаимного влияния фотодиодов;

- локальный бесконтактный магнитооптический метод регистрации ре-комбинационных центров и измерения их энергии ионизации в вырожденном InSb п-типа.

Достоверность результатов исследований подтверждена: использованием при проведении измерений современных приборов и методик; соответствием полученных экспериментальных данных развиваемым в работе физико-математическим моделям; апробацией разработанных методик на большом числе образцов; совпадением значений параметров, определенных с использованием разработанного комплекса методов, со значениями, вычисленными другими авторами с использованием известных методик измерений; апробацией представленных результатов на отечественных и зарубежных конференциях.

Реализация результатов исследований. Разработанные методы и аппаратурные средства использовались при выполнении НИР ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН «Продукт», «КаскадЗ», госбюджетных НИР при СГГА № 1.8.94Д «Разработка фотомагнитной методики и создание установки для диагностики рекомбинационных параметров в пленочных структурах узкозонных полупроводников» и № 1.3.09 «Изучение рекомбинационных и диффузионных свойств неравновесного электронно-дырочного газа в полупроводниковых узкозонных плёнках с варизонными приграничными слоями».

Апробация работы. Результаты, полученные в данной работе, докладывались на II Всесоюзной школе-семинаре молодых учёных «Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями» (г. Черновцы, 1988 г.); на II Всесоюзном семинаре по проблеме «Физика и химия полупроводников» (г. Павлодар, 1989 г.); на III Международной конференции ЕХМАТЕС-96 (г. Фрайбург, Германия, 1996 г.); на Международной конференции «Квантовый эффект Холла и гетероструктуры» (г. Вюрцбург, Германия, 2001 г.); на 1-й Украинской конференции по физике полупроводников (г. Одесса, Украина, 2002 г.); на Российских совещаниях Фотоника-2003, Фотоника-2008 и Фотони-ка-2011 (г. Новосибирск, 2003, 2008 и 2011 г.); на XIX и XXI Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (г. Москва, 2006 и 2010 г.); на Всероссийской научно-технической конференции «Наука. Промышленность. Оборона» (г. Новосибирск, НГТУ, 2007 г. и 2009 г.); на Международной Сибирской школе-семинаре по электронным приборам и материалам EDM-2004, EDM-2005, EDM-2006, EDM-2007 и EDM-2011 (Эрлагол, Россия, 2004-2007 и 2011 гг.); на Международном научном конгрессе «ГЕО-Сибирь-2005, 2006, 2007, 2008, 2009, 2011» (г. Новосибирск, СГГА, 2005-2009 и 2011 гг.), на 14-й Международной конференции, по-свящённой соединениям АгВ6 (г. Санкт-Петербург, Россия, 23-28 августа 2009 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 54 научные работы, в том числе 17 публикаций в журналах, которые входят в перечень периодических научных изданий, рекомендуемых ВАК для публикации научных работ, отражающих основное научное содержание докторских диссертаций.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы, включающего 250 наименований. Работа изложена на 286 страницах, содержит 71 рисунок и 13 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Костюченко, Владимир Яковлевич

7.4. Выводы

1. Впервые на фоне оптического эффекта Шубникова - де Гааза для вырожденного п-1п8Ь наблюдена резонансная структура (-52г/д52) магнитопропус-кания света при монохроматической подсветке с энергией фотонов меньше ширины запрещенной зоны. Физическая природа структуры связана с РЦ.

2. Развита магнитооптическая локальная методика бесконтактной регистрации и измерения энергии ионизации РЦ. Измерена в вырожденном п-1п8Ь энергия РЦ неизвестной природы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении сформулируем основные результаты и выводы работы: создан автоматизированный комплекс аппаратурных средств и методов, позволяющих определять или оценивать электрофизические и рекомбинационно-диффузионные параметры пленок узкозонных полупроводников р-типа (равновесную концентрацию и подвижность основных носителей заряда, времена жизни электронов и дырок в объёме, подвижность неосновных носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда на свободной и связанной с подложкой границах плёнки, концентрацию и энергию залегания рекомбинационных центров, коэффициенты захвата электронов и дырок на рекомбинационные центры), толщина которых сравнима с длиной диффузии неосновных носителей заряда.

Комплекс включает в себя методы, основанные на измерении ФП в магнитном поле для геометрий Фарадея и Фойгта, ФМЭ, а также метод «спектр подвижности» в сочетании с так называемой многозонной подгонкой.

Достоинством данного комплекса является то, что для определения части параметров (подвижность неосновных носителей заряда, отношение времени жизни дырок и электронов в объеме) были предложены новые методы, основанные на измерении магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея. Затем при совместном анализе ФМЭ и ФП в геометрии Фойгта в аналитические выражения, описывающие эти сигналы, с целью определения характеристик пленок (времени жизни электронов в объеме пленки и скоростей рекомбинации носителей заряда на поверхностях пленки) подставляются параметры, определенные из ФП в геометрии Фарадея. Этим уменьшается общее количество подгоняемых параметров, что повышает достоверность найденных значений.

Применение разработанных методов для геометрии Фарадея позволило установить, что:

• при температуре 77 К значения подвижности электронов для образцов ЖФЭ КРТ (.х да 0,2) р-типа лежат в интервале от 4 до 6 м2/(В-с), а для образцов МЛЭ (х » 0,2) КРТ р-типа - от 5 до 8 м2/(В-с);

• зависимость подвижности электронов для ГЭС МЛЭ КРТ р-типа от температуры (Т = 77-300 К) описывается выражением \хп = А- (Г/77)~^, где А = (5-8 м /Вхс), к= 1,3-1,5. Такая зависимость обусловлена рассеянием электронов на колебаниях решётки;

• при смешанной проводимости в КРТ р-типа (Т= 135-175 К) на экспериментальных магнитнополевых зависимостях ФП в геометрии Фарадея наблюдается максимум (при В Ф 0), обусловленный магнитосопро-тивлением равновесных носителей заряда;

• для ГЭС с варизонными приграничными областями МЛЭ КРТ р-типа:

- при Т= 77 К значения отношений времени жизни дырок и электронов в объеме лежат в диапазоне от 5 до 30;

- значение энергии ионизации рекомбинационных центров лежит близко к середине запрещённой зоны, что согласуется с опубликованными данными. Концентрация рекомбинационных центров

Nt ~ 1019 м~3 не зависит от концентрации равновесных носителей заряда в интервале от 4 ■ 1021 до 8 • 1021 м-3. Отношение коэффициентов захвата электронов и дырок на объёмные рекомбинационные центры для плёнок р-типа на два-три порядка превышает значения, известные для широкозонных (Eg ~ 0,4 эВ) объёмных кристаллов КРТ р-типа [8].

Разработан метод совместного анализа магнитополевых зависимостей ФМЭ и ФП в геометриях Фойгта и Фарадея для гетероэпитаксиальных структур (d < L) КРТ р-типа (х « 0,2 ), позволяющий определять время жизни электронов в объеме пленки и скоростей рекомбинации носителей заряда на поверхностях пленки. Это позволило установить, что:

• в плёнках ЖФЭ КРТ р-типа рекомбинационно-диффузионные параметры изменяются по толщине плёнки, что является следствием их ва-ризонности;

• для пленок МЛЭ КРТ р-типа подтверждена однородность мольного состава кадмия (х « 0,2 ) по толщине пленки;

• в плёнках МЛЭ КРТ р-типа с варизонными приграничными областями при температуре 77 К значения скоростей поверхностной рекомбинации носителей заряда лежат в диапазоне от 30 до 150 м/с, что по порядку величины совпадает с лучшими опубликованными значениями для образцов КРТ р-типа, пассивированных ZnS или CdTe;

• при увеличении температуры скорость поверхностной рекомбинации убывает, что связано с увеличением времени жизни неосновных носителей заряда в варизонных слоях и с уменьшением их диффузионного потока. Характерное поведение температурной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда объясняется доминирующей рекомбинацией Шокли - Рида - Холла.

С использованием автоматизированного комплекса аппаратурных и методических средств получены следующие результаты:

• предложен новый метод определения значений нормальной и латеральной компонент силы темнового тока (Г= 77 К) п-р-фотодиодов (обратное смещение) в многоэлементных фотовольтаических фотоприемниках по измерению зависимости величины тока от индукции магнитного поля, что также может быть использовано для исключения взаимного влияния фотодиодов (длина и ширина фотодиода сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда);

• показано, что включение наноразмерных барьеров в варизонную область позволяет уменьшить рекомбинацию носителей заряда вблизи границ раздела центрального (однородного по мольному составу кадмия) слоя и варизонных приграничных областей.

Развит локальный метод бесконтактной магнитооптической регистрации и измерения энергии ионизации рекомбинационных центров для вырожденного

InSb n-типа. Определено значение энергии залегания рекомбинационных центров (200 мэВ), которые ранее не наблюдались в вырожденном InSb п-типа.

Диссертационная работа выполнена на кафедре физики Сибирской государственной геодезической академии при поддержке и предоставлении условий для выполнения части экспериментальных работ Института физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН (в рамках соглашения о совместной деятельности в области научно-технического сотрудничества и в сфере подготовки специалистов высшей квалификации).

Личный вклад автора заключается в постановке проблемы создания автоматизированного комплекса и задач для решения этой проблемы, в подготовке и проведении экспериментов, в разработке теоретических моделей, интерпретации и обобщении полученных результатов, а также в подготовке публикаций.

Автором разработан и создан блок магнитооптической установки для измерений сигналов ФМЭ и ФП в магнитном поле (геометрия Фойгта), а также отработана совместно с С.А. Студеникиным методика измерений и обработки этих сигналов с целью диагностики параметров пленок узкозонных полупроводников. Разработан и создан совместно с Д.Ю. Протасовым автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс определения параметров пленок.

Под научным руководством автора проводились НИР при СГГА:

1) № 1.8.94Д «Фотоэлектромагнитная методика диагностики рекомбинационных параметров в пленочных структурах узкозонных полупроводников»;

2) № 1.6.94Д «Разработка методик контроля однородности по площади электрофизических параметров полупроводниковых пластин посредством спектрального анализа фотолюминесценции»;

3) № 1.3.09 «Изучение рекомбинационных и диффузионных свойств неравновесного электронно-дырочного газа в полупроводниковых узкозонных пленках с варизонными приграничными слоями».

В процессе выполнения работы под научным руководством автора Д.Ю. Протасовым защищена диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Часть результатов по исследованию ФМЭ и ФП в магнитном поле с целью разработки методов диагностики параметров ГЭС МЛЭ р-КРТ получена совместно с к.ф.-м.н. С.А. Студеникиным и к.ф.-м.н. Д.Ю. Протасовым. Результаты разработки методов определения параметров плёнок из ФП в геометрии Фара-дея получены совместно с д.ф.-м.н. В.Н. Овсюком и к.ф.-м.н. Д.Ю. Протасовым.

Соавторы не возражают против использования в диссертации совместно полученных результатов.

Автор благодарен своим соавторам - сотрудникам ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН: Ю.Г. Сидорову, С.А. Дворецкому, B.C. Варавину, H.H. Михайлову за предоставление образцов КРТ р-типа, выращенных методом МЛЭ, а также за полезные замечания и советы.

Автор выражает искреннюю признательность своему научному консультанту A.B. Войцеховскому, а также соавторам и коллегам по работе В.Н. Овсюку, С.А. Студеникину, Д.Ю. Протасову. В .Я. Черепанову и В.Н. Москвину за плодотворное творческое общение, помощь и поддержку; отдает дань памяти Э.М. Скоку и А.Ф. Кравченко за приобщенность к их научной школе и благодарен им за переданный опыт.

Автор благодарит коллег кафедры физики СГГА и сотрудников ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН за плодотворное сотрудничество, а также аспиранта А.Д. Зонову, студентов Д.В. Комбарова и A.B. Трифанова, принимавших участие в экспериментальной работе.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Костюченко, Владимир Яковлевич, 2012 год

1. Рогальский, А. Инфракрасные детекторы / А. РогальскиЙ. Новосибирск: Наука, 2003. - 636 с.

2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В. Н. Овсюк и др. Новосибирск: Наука, 2001. - 376 с.

3. Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса с участием глубокого уровня в n-InSb / В. И. Сапцов, Э. М. Скок//ФТТ. 1985. - Т. 27, №11. - С. 3481-3484.

4. Воробьёв, Ю. В. Методы исследования полупроводников / Ю. В. Воробьёв, В. Н. Добровольский, В. И Стриха. Киев.: Выща Школа, 1988. - 232 с.

5. Рыбкин, С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рыбкин. М.: Физматгиз, 1963. - 496 с.

6. Nimitz, G. Transient carrier decay and transport properties in Hgi.xCdxTe / G. Nimitz, G. Bauer, R. Dornhaus, K.H. Muller // Phys. Rev. B. 1974. - Vol. 10. -P. 3302-3310.

7. Lopes, V. С. Characterization of (Hg,Cd)Te by the photoconductive decay technique / V. C. Lopes, W. H. Wright, A. J. Syllaios // J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. -Vol. 8.-P. 1167.

8. Zucca, R. Minority carrier lifetimes of metalorganic chemical vapor deposition long-wavelength infrared HgCdTe on GaAs / R. Zucca, D.D. Edwall, J.S. Chen, S.L. Johnson, C.R. Younger // J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. - Vol. 9. -P.1823.

9. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hgi.xCdxTe (х = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Вой-цеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий,

10. B. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // ФТП. 1997. - Т. 31, № 7.1. C. 774-776.

11. Kunst, N. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements / N. Kunst, G. Beck // J. Appl. Phys. 1986. - Vol. 60, N 10. - P.945-947.

12. Chen, M. C. Photoconductivity lifetime measurements on HgCdTe using a contactless microwave technique // J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 6, N 2. -P. 3558-3566.

13. Бородовский, П. А. СВЧ-методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. А. Студеникин // Автометрия. 1996. - № 4. - С. 59-72.

14. Chang, Y. Carrier recombination lifetime characterization of molecular beam epitaxially grown HgCdTe / Y. Chang, С. H. Grein, J. Zhao, C. R. Becker, M. E.

15. Flatte, P.-K. Liao, F. Aqariden, S. Sivananthan // Appl. Phys. Lett. 2008. - Vol. 93. -192111-3pp.

16. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHgl-xTe (х=0,20-0,23) / Д. Г. Икусов, Ф. Ф. Сизов, С. В. Старый, В. В. Тетеркин // ФТП. 2007. - Т. 41, вып. 2. - С. 134-139.

17. Lopes, V. С. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride / V.C. Lopes, A.S. Syllaios, M.C. Chen//Sem. Sci. Technol. 1993. - Vol. 8. -P. 824-841.

18. Kinch, M. A. Recombination mechanisms in 8-14-ц HgCdTe / M. A. Kinch,

19. M. J. Brau, A. Simmons // J. Appl. Phys. 1973. - Vol. 44. - P. 1649-1663.I

20. Nemirovsky, Y. Growth and properties of Hgi.xCdxTe epitaxial layers / Y. Nemirovsky, S. Margalit, E. Finkman, Y. Shacham-Diamand, I. Kidron// J. Electron. Mater.- 1982.-Vol. 11.-P. 133-153.

21. Fastow, R. Transient and steady-state excess carriers lifetimes in p-type HgCdTe/R. Fastow, Y. Nemirovsky//Appl. Phys. Letters. 1989. - Vol. 55. -P. 1882-1884.

22. Schacham, S. E. Light-modulated Hall effect for extending characterization of semiconductors materials / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Appl. Phys. 1986. -Vol. 60, N8.-P. 2860-2865.

23. Fastow, R. Shockley-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe / R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirovsky // J. Appl. Phys. 1990. - Vol. 68. -P. 3405-3412.

24. Barton, S. C. Determination of Shockley-Read trap parameters in n- and p-type epitaxial CdxHgixTe / S. C. Barton, P. Capper, C. J. Jones, N. Metcalfe, D. Duffon // Sem. Sei. Technol. 1996. - V. 11. - P. 1163-1167.

25. Gopal, V. Surface recombination in photoconductors // Infr. Phys. 1985. -Vol. 25.-P. 615-618.

26. Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds // EMIS Datareviews Series / edited by P. Capper. London: IEE, 1994. - N 10.

27. Chattopadhyay, D. Mobility of electrons in Hgi.xCdxTe / D. Chattopadhyay, B. Nag // J. Appl. Phys. 1974. - Vol. 45, N 3. - P. 1463-1465.

28. Yadava, R. D. S. Hole scattering mechanisms in Hg!.xCdxTe / R. D. S. Yadava, A. K. Gupta, A. V. R. Warrier // J. Electron. Mater. 1994. - Vol. 23, N 12.-P. 1359-1378.

29. Gold, M. C. Variable magnetic-field hall-effect measurements and analyses of high-purity, Hg vacancy (p-type) HgCdTe / M. C. Gold, D. A. J. Nelson // Vac. Sei. Technol. A. 1986. - Vol. 4. - P. 2040-2046.

30. Moravec, P. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of p-Hgi.xCdxTe (x approximate to 0.22) / P. Moravec, R. Grill, J. Franc, R. Varghova, P. Höschl, E. Belas // Sem. Sei. Technol. 2001. - Vol. 16. - P. 7-13.

31. Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блатт. М.: Мир, 1971.-470 с.

32. Beck, W. A. Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique / W. A. Beck, J. R. Anderson // J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 62. - P. 541-554.

33. Antoszewski, J. Analysis of magnetic field dependent Hall data in narrow bandgap Hgi.xCdxTe grown by molecular beam epitaxy / J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1996. - Vol. 80, N 7. - P. 3881-3892.

34. Meyer, J.R. Quantitative mobility spectrum analysis of multicarrier conduction in semiconductors / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1997.-Vol. 81, N2.-P. 709-713.

35. Baturina, T.I. Microwave waveguide method for the measurement of electron mobility and conductivity in GaAs/AlGaAs heterostructures / Т. I. Baturina, P. A. Borodovski, S. A. Studenikin // Appl. Phys. A. 1996. - Vol. 63. - P. 293-298.

36. Shim, J. C. The minority carrier mobility of HgCdTe measured by the modulated Hall effect / J. C. Shim, Y. G. Kim, Y. T. Song, J. K. Hong, S. K. Hong, S. U. Kim, M. J. Park // J. Cryst. Growth. 2000. - Vol. 214/215. - P. 260-264.

37. Chu, J. Physics and properties of narrow gap semiconductors / J. Chu, A. Sher // New York: Spinger, 2008. 605 p.

38. Schacham, S. E. Magnetic filed effect on the RoA product of HgCdTe diodes / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - Vol. 7, N 2. -P. 387-390.

39. Gordon, N. T. Electron-mobility in p-type epitaxially grown HgixCdxTe / N. T. Gordon, S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe // Sem. Sci. Technol. -1993. Vol. 8. - P. S221-S224.

40. Barton, S. Electron-mobility in p-type epitaxially grown CdxHgixTe / S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe, N. T. Gordon // Sem. Sci. Technol. -1995.-Vol. 10.-P. 56-60.

41. Sang Dong Yoo. Analysis of carrier concentration, lifetime, and electron mobility on p-type HgCdTe / Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 83,N5.-P. 2586-2592.

42. Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He and Junhao Chu. Evaluation of the densities and mobilities for heavy and light holes in p-type Hgl-xCdxTe molecular beam epitaxy films from magnetic-field-dependent

43. Hall data / Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He, Junhao Chu // J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 84, N 8. - P. 4327-4331.

44. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. -1974. Vol. 45, N 7. - P. 3023-3032.

45. Polla, D. L. Deep level transient spectroscopy in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // Solid State Commun. 1980. - Vol. 36. - P. 809-812.

46. Polla, D. L., Jones C. E. Deep level studies of Hgi.xCdxTe. I: narrow-bandgap space-charge spectroscopy / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1981. -Vol. 52.-P. 5118-5131.

47. Cotton, V. A. Effects of ion implantation on deep electron traps in Hgo.7Cdo.3Te / V. A. Cotton, J. A. Wilson. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. - Vol. 4. -P. 2177-2180.

48. Chen, M. C. Observation of a deep level in p-type Hgo.78Cdo.22Te with high dislocation density / M. C. Chen, R. A. Schiebel. // J. Appl. Phys. 1992. - Vol. 71. -P. 5269-5271.

49. Zachman, S. J. Adaptation of deep level transient spectroscopy for narrow bandgap semiconductor materials / S. J. Zachman, E. Finkman, G. Bahir // Semicond. Sci. Technol. 1993. - Vol. 8. - P. S90-S94.

50. Zhou Jiey. Characterization of recombination centres in n-type HgixCdxTe / Zhou Jiey, Feng Songliny, Lu Liwuy, Si Chengcaiz, Li Yanginz, Hu Xiaoning // Semicond. Sci. Technol. 1996. - Vol. 11. - P. 1878-1881.

51. Polla, D.L. Admittance spectroscopy of deep levels in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1980. - Vol. 51. - P. 6233-6237.

52. Hu, X. W. A deep level induced by gamma irradiation in HgixCdxTe / X. W. Hu, J. X. Fang, Q. Wang, J. Zhao, H. Q. Lu, H. M. Gong, S. K. Zhang, F. Lu // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 73. - P. 91-92.

53. Hu, X. W. Gamma irradiation on room temperature short-wavelength HgCdTe photovoltaic device studied by admittance spectroscopy / X. W. Hu, J. Zhao, H. Q. Lu, X. Y. Li, J. X. Fang // Acta Physica Sinica. 1999. - Vol. 48, Iss. 6. - P. 1107-1112.

54. Elliott, C. T. Carrier freeze-out and acceptor energies in nonstoichiometric p-type HgCdTe / C. T. Elliott, I. Melngailis, T. C. Harman, A. G. Foyt // J. Phys. Chem. Solids. 1972.-Vol. 33.-P. 1527-1531.

55. Polla, D. L. Below band-gap photoluminescence of HgixCdxTe / D. L. Polla, R. L. Aggarwa // Appl. Phys. Lett. 1984. - Vol. 44. - P. 775-779.

56. Yue, F. Deep/shallow levels in arsenic-doped HgCdTe determined by modulated photoluminescence spectra / F. Yue, J. Wu, J. Chu // Appl. Phys. Lett. 2008. -Vol. 93.-P. 131909-3.

57. Robin I. С. Photoluminescence Studies of HgCdTe Epilayers / I. C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson // J. Electron. Mater. 2010. - Vol. 39, N. 7.-P. 868-872.

58. Wong, J. Y. Effect of trap tunneling on the performance of long-wavelength HgCdTe photodiodes // IEEE Trans. Electron. Device. 1980. - ED-27, N. 1. - P. 48-52.

59. Anderson W. W. Tunnel contribution to HgCdTe and PbSnTe p-n junction diode characteristics // Infrared Phys. 1980. - Vol. 20. - P. 353-361.

60. Anderson W. W. Field induced tunneling in HgCdTe photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1982. - Vol. 41. - P. 1080-1082.

61. Кравченко, А. Ф. Механизмы переноса носителей заряда в диффузионных n-р переходах, изготовленных на основе CdHgTe / А. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк, Л. Н. Ромашко // Автометрия. 1998. - № 4. - С. 78-87.

62. Туринов, В. И. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов / В. И. Туринов // ФТП. 2004. - Т. 38, Вып. 9. - С. 1129-1134.

63. Trapping effect in HgCdTe / Y. Nemirovsky, R. Fastow, M. Meyassed, A. Unikovsky//J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. - Vol. 9, N 3. - P. 1829-1839.

64. Кикоин, И. К. О новом фотоэлектрическом эффекте в закиси меди / И. К. Кикоин, М. М. Носков // Phys. Zs. Sow. Un. 1934. - № 5. - С. 586.

65. Френкель, Я. И. Объяснение фотоэлектромагнитного эффекта в полупроводниках /Я. И Френкель // Phys. Zs. ol. Sow. Un. 1934. - № 5. - С. 597.

66. W. van Roosbroeck. Theory of the Photoelectromagnetic Effect in Semiconductors//Phys. Rev. 1956.-Vol. 101, N6.-P. 1713-1725.

67. Равич, Ю. И. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение / Ю. И. Равич. М.: Сов. радио, 1967. - 93 с.

68. Nowak, М. Photoelectromagnetic effect in semiconductors and its application // Prog. Quant. Electr. 1987. - Vol. 11. - P. 205-346.

69. Гринберг, А. А. Фотомагнитный эффект в изотропных полупроводниках и его использование для измерения времени жизни неосновных носителей тока / А. А. Гринберг // ФТТ. 1960. - Т. 11, № 5. - С. 836-847.

70. Lile, D. L. Generalized photoelectromagnetic effect in semiconductors // Phys. Rev. В. 1973.-Vol. 8,N 10.-P. 4708^722.

71. Лягушенко, P. И. Фотомагнитный эффект в квантующем магнитном поле при разогреве электронов светом / Р. И. Лягушенко, И. Н. Яссиевич // ЖЭТФ. 1969. - Т. 56, № 4. - С. 1432-1440.

72. Finkman, E. Surface recombination velocity of anodic sulfide and ZnS coated p-HgCdTe / E. Finkman, S. E. Schacham // J. Vac. Sei. Technol. A. 1989. -Vol. 7, N 2. - P. 464-468.

73. Konczak, S., Nowak, M. Some comments on the photoelectromagnetic effect / S. Konczak, M. Nowak // Surf. Sei. 1979. - N 87. - P. 228-238.

74. Mordovich, D. Photoelectromagnetic effect in p-type HgCdTe layers grown by liquid phase epitaxy / D. Mordovich, A. Zemel, A. Zussman, D. Eger // J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 51, N 26. - P. 2239-2241.

75. Kumar, V. A CdTe passivation process for long wavelength infrared HgCdTe photo-detectors / V. Kumar, R. Pal, P. K. Chaudhury, B. L. Sharma, V. Gopal // J. Electr. Mater. 2005. - Vol. 34, N 9. - P. 1225-1229.

76. Welker, H. Zur Theorie der galvanomagnetischen Effekte bei gemischten Leitung // Zs. Naturforsch. 1951. - Vol. 6a, N 1. -P. 184-191.

77. Weisshaar, E. Magnetische Sperrschihten in Germanium/ E. Weisshaar, H. Welker // Zs. Naturforsch. 1953. - Vol. 8a, N 11. - P. 681-686.

78. Madelung, O. Zur Theorie der magnetischen Spperschischte in Halbleitern / O. Madelung, L. Tewordt, H. Welker //Zs. Naturforsch. 1955. - Vol. 10a, N 7. -P. 476-488.260 ff

79. Бойко, И. И. Электрический пинч в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью в случае биомолекулярной рекомбинации носителей тока / И. И. Бойко, В. К. Малютенко //УФЖ. 1969. - Т. 14, №9. - С.1449-1457.

80. Malyutenko, V. К. Magnetoconcentration effect at nonlinear recombination of current carriers / V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, Y. M. Malozovsky // Phys.Stat.Sol. (a). 1978. - Vol. 50, N 2. - P. 723-732.

81. Кравченко, А. Ф. Магнитоконцентрационный размерный эффект в ан-тимониде индия / А. Ф. Кравченко, Б. В. Морозов, Э. М. Скок // ФТП. 1974. -Т. 8,№ 10.-С. 2035-2038.

82. Малютенко, В. К. Новые методы определения параметров неравновесных носителей заряда в узкозонных полупроводниках / В. К. Малютенко, Л. Л. Федоренко //Оптоэл-ка и полупр. техн. Киев: Наук. Думка. - 1988. -№ 13.-С. 1-13.

83. Богданов, Е. В. Неустойчивости в электронно-дырочной плазме полупроводников / Е. В. Богданов, Л. С. Флейшман // Вестник МГУ. М.: Физ., ас-трон. - 1985. - Т. 26, № 2. - С. 91-94.

84. Schneider, W. Application of photoconductivity mesurements in n-InSb under crossed field/W. Schneider, K. Behler // Appl. Phys. 1978. - Vol. 17. -P. 249-256.

85. Cristoloveanu, S. The field-assisted photoelectromagnetic effect: theory and experiment in semi-insulating GaAs / S. Cristoloveanu, K.N. Kang // J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. - Vol. 17. - P. 699-712.

86. Kurnick, S.W. Photoconductive and Photoelectromagnetic Effects in InSb/S. W. Kurnick, R. N. Zitter//J. Appl. Phys. 1956. - Vol. 27, N 3. - P. 278-285.

87. Goodwin, P. W. Reports of Meeting on Semiconductors // Phys. Soc. London. 1956.-P. 137.

88. Konczak, S. The estimation of semiconductors parameters using least squares in photomagnetoelectric investigations / S. Konczak, M. Nowak // Phys. Stat. Sol. (a). -1981.-Vol. 63.-P. 305-311.

89. Пека, Г. К. Варизонные полупроводники / Г. К. Пека, В. Ф. Коваленко, А. Н. Смоляр // Киев: Выща школа. 1989. - 251 с.

90. Kroemer, Н. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors // RCA Review. 1957. - Vol. XVIII, N 3. - P. 332-342.

91. Царенков, Г. В. Фотоэффект в варизонной р-n структуре // ФТП. 1975. - Т. 9, № 2. - С. 253-262.

92. Константинов, О. В. Фотопроводимость и эффект Дембера в варизон-ных полупроводниках / О. В. Константинов, Г. В. Царенков // ФТП. 1976. - Т. 10, №4.-С. 720-728.

93. О фоточувствительности варизонной структуры / А. Я. Вуль, С. Г. Пет-росян, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев // ФТП. 1976. - Т. 10, № 4. - С. 673-676.

94. Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах (теоретическое рассмотрение) / В. А. Бывалый, А. С. Волков, Ю. А. Гольдберг, А. Г. Дмитриев, Б. В. Царенков // ФТП. 1979. - Т. 13, № 6. -С. 1110-1115.

95. Клецкий, С. В. Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава / С. В. Клецкий // ФТП. 1992. - Т. 26, № 9. - С. 1631-1634.

96. Петросян, С. Г. Теоретическое исследование фотомагнитного эффекта в варизонных полупроводниках / С. Г. Петросян // ФТП. 1977. - Т. 11, № 5. - С. 886-891.

97. Габарев, Р. С. Особенности фотомагнитного эффекта в варизонных структурах GaAixySbxPy / Р. С. Габарев, В. А. Калухов, С. И. Чикичев // ФТП. -1985. Т. 19, № 4. - С. 742-744.

98. Cohen-Solal, G. Transport of photocarriers in CdxHgixTe graded-gap structures/G. Cohen-Solal, Y. Marfaing// Sol. St. Electr. 1968. - Vol. 11, N 12. - P. 1131-1147.

99. Kasprzak, J.F. Spectral characteristic of the PEM-effect in graded-gap CdxHg!.xTe / J. F. Kasprzak, J. M. Pawlikowski, P. Besla, H. Maychrowska // Acta. Phys. Polon. 1980. - Vol. A57. - P. 311-322.

100. Genzow, D. Photoelectromagnetic effete in CdxHgj.xTe graded-gap structures / D. Genzow, A. Jozwikowska, K. Jozwikowski, T. Niedzeila, J. Piotrovski // Infrared Phys. 1984. - Vol. 24, N 1. - P. 21-24.

101. Studenikin, S. A. Recombination parameters of epitaxial CdxHgixTe/CdTe layers from photoelectromagnetic and photoconductivity effects / S. A. Studenikin, I. A. Panaev // Sem. Sei. Technol. -1993. Vol. 8. - P. 1324-1330.

102. Штурбин, A.B. Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом / А. В. Штурбин, В. А. Шалыгин, В. И. Стафеев // ФТП. 1995. -Т. 29, № 11. - С. 2039-2052.

103. Михайлов, Н. Н. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHgixTe / Н. Н. Михайлов, А. М. Мищенко, В. Г. Ремесник//ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2022402, приоритет от 14.04.98, публ. 30.10.94. БИ. № 20, с 310.

104. Осадчий, В. М. Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe / В. М. Осадчий, А. О. Сусляков, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий // ФТП. 1999. - Т. 33, № 3. - С. 293.

105. Ландау, Л. Д. Собрание трудов / Л. Д. Ландау. М.: Наука. - 1969. - Т. 1.-С. 47.

106. Landau, L. Diamagnetism des Metalls // Zeitschr. der Physik. 1930. - Bd. 64.-P. 629.

107. Ландау, Л. Д. Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. М.: Наука, 1974.-552 с.

108. Брандт, Н. Б. Эффект Шубникова де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников/Н. Б. Брандт, С. М. Чудинов//УФН. - 1982. - Т. 137, вып. 3. - С. 479+499.

109. Schubnikow, L. W., de Haas W.I. Leiden Comm. Kamerlingh Onnes Lab., 1930, N.207, 207a, 210a, 210b // Proc. Netherlands Roy Acad. Sei. 1930. - Vol. 33. -P. 130,163.

110. Titeica, S. Uber die Widerstandsanderung von Metallen im Magnetfeld // Annalen der Physik. 1935. - B. 22. - P. 129.

111. Ахиезер, А. Об изменении сопротивления металлов в магнитном поле / А. Ахиезер // ЖЭТФ. 1939. - Т. 9, Вып. 4. - С. 426.

112. Румер, Ю. Б. К теории электропроводности металлов в магнитном поле / Ю. Б. Румер // ЖЭТФ. 1952. - Т. 22, вып. 2. - С. 214.

113. Клингер, М. И. К теории гальваномагнитных явлений в полупроводниках / М. И. Клингер // ЖЭТФ. 1956. - Т. 31, вып. 6. - С. 1055.

114. Зырянов, П. С. Квантовая теория явлений переноса в кристаллических полупроводниках / П. С. Зырянов, М. И. Клингер. М.: Наука, 1976. - 437 с.

115. Adams, Е. N. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena / E. N. Adams, T. D. Holdstein // J. Phys. Chem. Solids. 1959. - Vol. 10, N 4. - P. 254.

116. Kubo, R. Quantum theory of galvanomagntic effect. I. Basic considerations / R. Kubo, H. Hasegawa, N. Hashitsume // J. Phys. Soc. Japan. 1959. - Vol. 14, N l.-P. 56.

117. Шалыт, С. С. К вопросу о квантовой осцилляции гальваномагнитных эффектов в арсениде и антимониде индия / С. С. Шалыт, A. JL Эфрос // ФТТ. -1962.-Т. 4.-С. 1233.

118. Bawers, R. Energy levels of conduction in a magnetic field / R. Bawers, Y. Yafet // Phys. Rev. 1959. - Vol. 115, N 5. - P. 1165.

119. Аскеров, Б. M. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б. М. Аскеров. М.: Наука, 1985. - Гл. 6. - 223 с.

120. Капе, О. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Solids. -1957.-Vol. 1, N4. P. 249.

121. Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 группы / О. Маделунг. М.: Мир, 1967. - С. 46.

122. Sailer, D. G. Shubnikov-de Haas effect studies on optically heated electrons in n-InSb / D. G. Sailer, L. K. Hanes, M. W. Goodwin, A. E. Stephens // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1979. - Vol. 11. - P. 247.

123. Jablonovitch, E. Dispersion of the nonlinear optical susceptibility in n- InSb / E. Jablonovitch, N. Blombergen // Phys. Rev. 1971. - Vol. 3, N 6. - P. 2062.

124. Бреслер, M. С. Циклотронный резонанс нелинейной оптической восприимчивости в InSb / M. С. Бреслер, О. Б. Гусев // ЖЭТФ. 1979. - Т. 76, № 2. - С. 724.

125. Missell, F. P. Study of the optical Shubnikov de Haas effect / F. P. Missell, M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. - 1972. - Vol. 5, N 4. - P. 1364.

126. Скок, Э. M. Спиновый резонанс магнитосопротивления и фотоэдс в п-InSb при комбинационном рассеянии / Э. М. Скок, С. А. Студеникин // ФТТ. -1983.-Т. 25, № 11.-С. 3361.

127. Природа осцилляций оптических и кинетических коэффициентов в ан-тимониде индия / А. В. Вдовин, Н. А. Калугина, В. И. Сапцов, С. А. Студеникин, Э. М. Скок // Изв. Ак. Наук СССР. 1986. - Т. 50, № 2. - С. 304.

128. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения А3В5) / под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира; пер. с англ. под. ред. Е. Ф. Гросса. М.: Мир. - 1970. - С. 486.

129. Сапцов, В. И. Магнитооптические эффекты в антимониде индия / В. И. Сапцов, Э. М. Скок: Препринт 15, ИФП СО АН СССР. Новосибирск, 1987. -25 с.

130. Корнилович, А. А. Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках / А. А. Корнилович, С. А. Студеникин, Е. И. Уваров // A.c. 1694018, Б.И. 1991. № 43. с. 228.

131. Gui, Y. S. Electrical characterization of subbands in the HgCdTe surface layer / Y. S. Gui, G. Z. Zheng, J. H. Chu, S. L. Guo, X. C. Zhang, D. Y. Tang, Y. Cai // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 82, Iss. 10. - P. 5000-5004.

132. Бесконтактные методы исследования нелинейного спинового резонанса и эффекта Шубникова де Гааза в объёмных полупроводниках и низкоразмерных системах / А. В. Вдовин, А. А. Корнилович, Э. М. Скок, Е. И. Уваров // Автометрия. - 2001. - Т. 4. - С. 62-75.

133. Kostyuchenko V. Y. Magneto-resonant absorbtion from a local center in degenerate n-InSb / V. Y. Kostyuchenko, E. M. Skok, S. A. Studenikin // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. -Vol. 152. - P. k59-k62.

134. Студеникин, С. А. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHg^x^ Те/ CdTel С. А. Студеникин, И. А. Панаев, В. Я. Костюченко, Х.-М. 3. Торчинов // ФТП. 1993. - Т. 27, № 5. - С. 600-612.

135. Thomas, P. Е. Low level second harmonic defection system / P. E. Thomas, J. M. Rowell // Rev. Sci. Instrum. 1965. - Vol. 36, N 9. - P. 1301-1306.

136. Kahlert, N. Magnetic field modulation technique for study of hot carrier oscillatory magnetoresistance phenomena / N. Kahlert, D. G. Seiler // Rev. Sci. Instrum.- 1977.-Vol. 48, N8.-P. 1017.

137. Бубякин, Б. Б. Лазер на окиси углерода / Б. Б. Бубякин, А. В. Елецкий,

138. B. Ф. Папуловский // УФН. 1972. - Т. 106, № 4. - С. 723-735.

139. Peters, P. J. Tunable sealed-off СО laser at room temperature / P. J. Peters, W.J. Witterman, Z. Krzyzanovski //Opt.Commun. 1980. - Vol.45, N3. - P. 193-195.

140. Todd, Т. H. Infrared emission of 12C160, ,3C160 and 12C180 / Т. H. Todd,

141. C. M. Clayton, W. B. Telfair, Т. K. McCubbin, Jr. Pliva, J. Phiva // J. Mol. Spectrosc.- 1976. Vol. 62. - P. 201-227.

142. Vdovin, A. V. Spinflip detector-spectrometer of IR laser radiation / A. V. Vdovin, A. V. Rzanov, E. M. Skok, S. A. Studenikin // 13th Intern.Symposium of the Technical Commitee on Photonic Measurements (Photon-Detectors). Braun-schweiy, 1987.-245 p.

143. Anderson, W.W. Absorption constant of PbixSnxTe and Hg!xCdxTe alloys// Infr. Phys. 1980. - Vol. 20. - P. 363-372.

144. Varavin V. S. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices / V. S. Varavin, V. V. Vasiliev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, A. O. Suslyakov, M. V. Yakushev, A. L. Aseev // Proceedings SPIE. -2003.-Vol. 5136.-P. 381-395.

145. Spicer, W. E. Metal contacts on Hgi.xCdxTe // J. Vac. Sei. Technol. A. -1990.-Vol. 8.-P. 1174-1176.

146. Мосс, T. Полупроводниковая оптоэлектроника / T. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. M.: Мир, 1976. - 430 с.

147. Кикоин, И. К. Фотоэлектромагнитный эффект/ И. К. Кикоин, С. Д. Лазарев // УФН. 1978. - Т. 124, Вып. 4. - С. 597-617.

148. Мецик, М. С. Методы обработки экспериментальных данных и планирование эксперимента по физике. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1981. - 112 с.

149. Измерение резонансов в антимониде индия. Полупроводниковая тензометрия / А. В. Вдовин, С. А. Студеникин, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров // Межвуз. сб. науч. тр., НЭТИ. Новосибирск, 1988. - С. 86.

150. Kornilovich, A. A. Investigation of semiconductor structures and two-dimensional systems by non-destructive contactless methods // Proc. IEEE-Russia Conference ME-MIA'2001. Novosibirsk, 2001.

151. Аскеров, Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. Л.: Наука, 1978. - С. 172-303.

152. Argyres, Р. N. Quantum theory of longitudinal magnetoresistance // J. Phys. Chem. Solids. 1958. - Vol. 4, N 1. - P. 19-26.

153. Азбель, М. JI. Квантовая теория высокочастотной проводимости металлов // ЖЭТФ. 1958. - Т. 34, № 4. - С. 969-983.

154. Dresselhaus Н. S. J.Optical de haas-Spubnikov effect in antimonide/ H. S. Dresselhaus, J. Mavroides //Sol.State Commun. 1964. - Vol.2, N10. - P. 297-301.

155. Achard, J. Comments on the appearance of «mirror» peaks in mobility spectrum analysis of semiconducting devices / J. Achard, C. Varenne-Guillot, F. Barbarin, M. Dugay // Appl. Surf. Sci. 2000. - Vol. 158. - P. 345-352.

156. Шуп, Т. E. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство/ Т. Е. Шуп. М.: Мир, 1982. - 235 с.

157. Зеегер, К. Физика полупроводников / К. Зеегер. М.: Мир, 1977. -615 с.

158. Кучис, Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е. В. Кучис. М: Радио и связь, 1990. - 264 с.

159. Jones, С. Е. Effects of deep-level defects in HgixCdxTe provided by DLTS / С. E. Jones, V. Nair, J. Lindquist, D. L. Polla // J. Vac. Sei. Technol. 1982. - Vol. 21, N 1. - P. 187-190.

160. Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Я. Костюченко, В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов // ФТП. 2004. - Т. 38, №. 5. - С. 532-537.

161. Протасов, Д. Ю. Подвижность равновесных и неравновесных неосновных носителей заряда в p-Hg!.xCdxTe / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Вестник Сиб. гос. геодез. акад. 2002. - Вып. 7. - С. 202-205.

162. Овсюк, В. Н. Метод дифференциального магнитосопротивления для определения концентрации и подвижности электронов и легких дырок в CdxHgi.xTe р-типа / В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов, Н. X. Талипов // Автометрия. 1998. - № 5. - С. 99-107.

163. Protasov, D. Yu. Determination of Charge Carriers Mobility in p-HgCdTeby Magnetophoto-conductivity Method / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko,th

164. V. N. Ovsyuk // 5 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1-5 July 2004). Russia: Erlagol, 2004. - P. 54-57.

165. Влияние серебра на фотоэлектрические свойства пленок МЛЭ HgCdTe / В. С. Варавин, В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, В. Н. Овсюк, Н. X. Талипов//1-я Укр. научная конф. по физике полупроводников, 10-14 сент. 2002 г. 2002. - Т. 2. - С. 250.

166. Tanaka, M. Electrical Properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgN03 solution / M. Tanaka, K. Ozaki, H. Nishino, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Electron. Mater. 1998. - Vol. 27, N 6. - P. 579-582.

167. Nishino, H. Acceptor level related Shockley-Read-Hall centers in p-HgCdTe / H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Cryst. Growth. 2000. - Vol. 214/215. - P. 275-279.

168. Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в CdHgTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном поле / Д. Ю. Протасов, В. Н. Овсюк, В. Я. Костюченко, В. С. Крылов // Прикладная физика. 2007. - № 6. - С. 27-30.

169. Малютенко, В. К. Стационарная фотопроводимость электроннодыроч-ной плазмы в скрещенном электрическом и магнитных полях / В. К. Малютенко, Г. И. Тесленко, И. И. Бойко // ФТП. 1974. - № 8. - С. 2120.

170. Malutenko, V. К. Photoconductor in transverse sweep-out conditions / V. К. Malutenko, G. I. Teslenko // Infr. Phys. 1985. - Vol. 25, N 1. - P. 337-342.

171. Смит, P. Полупроводники / P. Смит // Пер. с англ. M.: Мир. - 1982. -560 с.

172. Кичигин, Д. А. Фототермомагнитный эффект в CdxHgixTe в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах / Д. А. Кичигин, И. М. Раренко, Э. Б. Тальянский, Д. Д. Халамейда // ФТП. 1981. - Т. 15, № 2. - С. 375-378.

173. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. -М.: Наука, 1978.-616 с.

174. Костюченко, В. Я. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, С. А, Студе-никин // Автометрия. 1996. - № 4. - С. 77-81.

175. Протасов, Д. Ю. Эффективные темы оптической генерации и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в варизонных плёночных фотоприемных структурах р-КРТ МЛЭ / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Автометрия. 2008. - Т. 44, № 6. - С. 103-108.

176. Protasov, D. Yu. Surface Recombination and Charge Carriers Generation by

177. Radiations in MBE p-HgCdTe films with Graded-Gap Near-Border Layth •ers / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko // 8 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1-5 July 2007). Russia: Erlagol, 2007.-P. 54-57.

178. Костюченко, В. Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных фотоприёмных структурах р-CdHgTe/ В. Я. Костюченко // Автометрия. 2009. - Т. 45, вып. 4. - С. 41^8.

179. Блатт, Фрэнк Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Фрэнк Дж. Блатт. Д.: Физматгиз, 1963. - 224 с.

180. Lou, L.F. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe / L. F. Lou, W. H. Frye // J.Appl. Phys. 1984. - Vol. 56, N 8. - P. 2253-2267.

181. Протасов, Д. Ю. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в HgCdTe р-типа / Д. Ю. Протасов, В. Я.Костюченко, В. Н. Овсюк // ФТП. -2006. Т. 40, вып. 6. - С. 663-666.

182. Dhar, V. Optimum diode geometry in a two-dimensional photovoltaic array / V. Dhar, V. Gopal // Opt. Eng. 2000. - Vol. 39, N 8. - P. 2022-2030.

183. Dhar, V. Dependence of zero-bias resistance-area product and quantum efficiency on perimeter-to-area ratio in a variable-area diode array / V. Dhar, V. Gopal // Sem. Sci. Technol. 2001. - Vol. 16. - P. 553-561.

184. Frank, J. Determination of diffusion length of minority carriers in Cdi xZnxTe (x=0,04) by the EBIC method / J. Frank, E. Belas, A. L. Toth, Yu. M. Ivanov, H. Sitters, P. Moravec, P. Hoshl // Sem. Sci. Tech. 1998. - Vol. 13. - P. 314-317.

185. Haakenaasen, R. Electron beam induced current study of ion beam milling type conversion in molecular beam epitaxy vacancy-doped CdxHgjxTe / R. Haakenaasen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen // J. Electr. Mat. 2000. - Vol. 29, N 6.-P. 849-852.

186. Redfern, D. A. Correlation of laser-beam-induced current with current-voltage measurements in HgCdTe photodiodes / D. A. Redfern, C. A. Musca, J. M. Dell, L. Faraone // J. Electr. Mat. 2004. - Vol. 33, N 6. - P. 560-571.

187. Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока п-р-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHgixTe с х = 0,22 / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов и др. // Письма в ЖТФ. 2009. - Т. 35, вып. 12.-С. 32-37.

188. Костюченко, В.Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий-ртуть-теллур р-типа на скорость поверхностной рекомбинации / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия ВУЗов. 2011. - Т.54, № 7. с. 53-58.

189. Agnihotri, О. P. Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors / O. P. Agnihotri, C. A. Musca, L. Faraone // Sem. Sci. Technol. 1998. - Vol. 13. - P. 839-845.

190. Madarasz, F. L. Barrier formation in graded HgixCdxTe heterojunction / F. L. Madarasz, F. Szmulowicz // J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 62, N 8. - P. 3267-3277.

191. Meyer, J. R. Method for characterization of IR detector materials / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. J. Arnold, S. Sivananthan, J. P. Faurie // Sem. Sci. Technol. 1993.-Vol. 8.-P. 805-823.

192. Студеникин, С. А. Примесное магнитопоглощение в узкозонных полупроводниках / С. А. Студеникин, Е. И. Уваров, В. Я. Костюченко // Материалы 2 Всесоюз. семинара по физике и химии полупроводников. Павлодар, 1989. -Т. З.-С. 19-23.

193. Цидильковский, И. М. Зонная структура полупроводников / И. М. Ци-дильковский. М.: Наука, 1978. - 328 с.

194. Kaplan, R. Acceptor excitation spectra in InSb // Solid State Commun. -1973.-Vol. 12, N3.-P. 191-194.

195. Вдовин, А. В. Спиновый резонанс и зонные параметры InSb / А.В. Вдовин, Э.М. Скок: препринт № 9-86 / Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. -Новосибирск, 1986. 16 с.

196. Goodwin, М. W. Infra conduction-band magnetooptical studies on InSb / M. W. Goodwin, D. G. Seiler // Phys.Rev.B. 1983. - Vol. 27, N 6. - P. 3451-3459.

197. Weiler, M. H. Warping and inversi-on-assymetry-induced cyclotron-harmonic transition in InSb / M. H. Weiler, R. L. Aggarwal, B. Lax // Phys. Rev. B. -1979. Vol. 17, N 8. - P. 3269-3283.

198. Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса в зоне проводимости р-типа / В. И. Сапцов, Э.М. Скок //ФТП. 1986. - Т. 20, №8. - С. 1377-1379.

199. Seiler, D. G., Goodwin, Н. W. Laser-induced magneto-optical transitions from deep levels in n-InSb // J.Appl.Phys. 1982. - V. 53. - № 11. - P. 7505-7515.

200. Исмаилов, И. H. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах / И. Н. Исмаилов, Д. Н. Наследов, Ю. С. Сметанникова // ФТП. 1968. - Т. 2, № 6. - С. 901-903.

201. Penek, J. Recombination Radiation from InSb / J. Penek, H. Levinstein // Phys.Rev. 1965. - Vol. 140, N 2a. - P. A576-A586.

202. Engeler, W. Photoconductivity in p-type indium antimonide with deep acceptor impurities / W. Engeler, H. Levinstein, С. Stannard //Phys. Chem. Sol. -1961. Vol. 22. - P. 249-254.

203. Выбор экспериментальных условий для фотолюминесцентного контроля структур для гетеробиполярных транзисторов / К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. Я. Костюченко // ЖТФ. -1997. Т. 67, № 12. - С. 26-30.