Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Антонова, Екатерина Александровна

• Антонова, Екатерина Александровна
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Антонова, Екатерина Александровна

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

Глава

ВОЗДЕЙСТВИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ

1.1. Влияние рентгеновского излучения на электрофизические параметры полупроводников и электрические параметры полупроводниковых изделий

1.1.1. Диоды

1.1.2. Биполярные транзисторы

1.1.3. Полевые транзисторы

1.1.4. Интегральные схемы

1.2. Прогнозирование качества и надежности полупроводниковых изделий с использованием рентгеновского излучения и низкочастотного шума

Выводы к главе 1

Глава

ВЛИЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ

2.1. Установки, используемые для исследования полупроводниковых изделий

2.1.1. Рентгеновская установка УРС-55

2.1.2. Установка для измерения низкочастотного шума

2.1.3. Установка для имитации воздействия электростатических разрядов

2.2. Диоды

2.2.1. Импульсные диоды типа КД521Г

2.2.2. Диоды Шоттки типа Ш5817М1С

2.3. Транзисторы 51 2.3.1. Биполярные транзисторы малой мощности КТЗ102ЖМ

2.3.2. Биполярные транзисторы средней мощности КТ602БМ

2.3.3. МОП - транзисторы типа КП728Е1

2.4. Тиристоры типа КУ208А

2.5. Аналоговые ИС

2.5.1. ИС типа ЬМР2015, изготовленные по биполярной технологии

2.5.2. ИС типа ТЪС27, изготовленные по КМОП технологии

2.6. Цифровые ИС

2.6.1. ИС типа К555ЛАЗ, изготовленные по биполярной технологии

2.6.2. ИС типа К561ТР2, изготовленные по КМОП технологии

2.7. Диагностические способы разделения полупроводниковых изделий

по надежности с использованием параметров низкочастотного шума при облучении рентгеновским излучением

2.7.1. Способ разбраковки полупроводниковых изделий

2.7.2. Способ разделения полупроводниковых изделий

по надежности

Выводы к главе 2

Глава

ДИАГНОСТИЧЕСКИЕ СПОСОБЫ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ И ИХ ДОСТОВЕРНОСТЬ

3.1. Способ выделения интегральных схем повышенной надежности

3.2. Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности

3.3. Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

3.4. Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности

3.5. Сравнительный анализ диагностических методов по их достоверности

Выводы к главе 3

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

Список литературы

Приложение на 3 листах

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий»

ВВЕДЕНИЕ

В современном производстве повышаются требования к качеству и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ) - полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, транзисторов) и интегральных схем (ИС). Чтобы отбраковать потенциально ненадежные изделия необходимо создать диагностические методы в дополнение к существующим технологическим отбраковочным испытаниям. Данные методы уже применяются предприятиями-изготовителями ПЛИ на выходном контроле и предприятиями-потребителями 1111И на входном контроле. Они могут заменять трудоемкие технологические отбраковочные испытания на диагностический контроль.

Надежность конкретных изделий определяется количеством содержащихся в них внутренних дефектов (дислокаций, неконтролируемых примесей и других точечных дефектов). Наличие дефектов в структуре ПЛИ неизбежно отражается на характере процессов, связанных с переносом тока через структуру, что приводит к флуктуациям проводимости и воспринимается во внешней цепи как низкочастотный шум (НЧШ), уровень которого пропорционален скорости деградации структуры.

Широкое распространение получили методы измерения параметров НЧШ при использовании внешних воздействий (рентгеновского излучения, электростатических разрядов (ЭСР), механических, температурных воздействий и др.).

Опубликованные теоретические и экспериментальные данные по исследованию влияния рентгеновского излучения на электрические параметры ПЛИ показывают недостаточность этих исследований в разработке способов диагностики надежности ПЛИ. Практически не исследовался вопрос диагностики по параметрам НЧШ при рентгеновском облучении, поэтому тема диссертации в настоящее время является актуальной.

Цель и задачи работы: исследование влияния различных доз рентгеновского излучения на электрические параметры и параметры НЧТТТ ППИ, а также разработка новых диагностических способов отбраковки потенциально ненадежных ППИ.

Для достижения этих целей в работе поставлены следующие задачи:

1. Экспериментально исследовать зависимость электрических параметров и параметров НЧШ ППИ от разных доз рентгеновского облучения;

2. Разработать новые методы диагностирования потенциально ненадежных ППИ, основанные на измерении параметров НЧШ до и после рентгеновского облучения;

3. Разработать способы разделения ППИ по надежности, основанные на измерении информативных параметров до и после дополнительных внешних воздействий: температуры, механических воздействий, ЭСР;

4. Провести сравнительный анализ диагностических методов по их достоверности.

Научная новизна работы. В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Показано, что возможна разбраковка ППИ по надежности по характеру изменения параметров НЧШ при рентгеновском облучении.

2. Разработан «Способ разбраковки полупроводниковых изделий» по надежности с использованием среднеквадратичного напряжения НЧШ при воздействии рентгеновским излучением дозой порядка 10 кР. На способ получен патент на изобретение № 2472171.

3. Разработан «Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности», с вычислением параметра НЧШ у при воздействии рентгеновским излучением дозой порядка 10 кР. На способ подана заявка на изобретение № 2010130606/28(043379).

4. Разработаны четыре способа разделения ППИ по надежности, основанных на измерении информативных параметров при дополнительных внешних воздействиях: механическом воздействии, воздействии ЭСР с последующим отжигом, измерением КПП при нормальной и повышенной температурах, механическом воздействии с последующим воздействием ЭСР. На способы получены патенты на изобретения № 2365930, 2374658, 2381514, 2465612.

Практическая значимость.

Полученные патенты РФ на изобретения по надежности могут быть использованы предприятиями-изготовителями и потребителями ППИ для сравнения и разделения нескольких партий ППИ по потенциальной надежности:

1. Экспресс-метод выделения ИС повышенной надежности с использованием относительной величины изменения КНП, равной

К =Екрнорм — 1 } который имеет высокую производительность, низкие

Екр.пов

энергозатраты, значительно более меньшую стоимость процесса по сравнению с электротермотренировкой (ЭТТ), поэтому данный метод может заменить ЭТТ в технологических процессах отбраковочных испытаний;

2. Впервые предложены методики разделения ППИ по надежности на основе измерения параметров НЧШ до и после рентгеновского облучения

V1

шр _ кон

и расчетов относительных коэффициентов: К= 2 ~ и М— у1 /у2•

У ш _нач

Основные результаты, выносимые на защиту:

1. Влияние дозы рентгеновского излучения на электрические параметры ППИ и параметры НЧШ ППИ.

2. Способы разделения ППИ по надежности на основе измерения параметров НЧШ до и после рентгеновского облучения дозой 10 кР:

а) с последующим расчетом величины относительного изменения НЧТТТ

ИС до и после облучения К= Т к°" . На способ получен патент на

и

ш_нач

изобретение № 2472171;

б) по выводам ИС «питание - общая точка» на частотах ^=200Гц и f2= 1000Гц с последующим расчетом величин, характеризующих вид спектра НЧШ - уь у2 , и коэффициента М— Уг/Уг • На способ подана заявка на изобретение № 2010130606/28(043379);

3. Способ выделения ИС повышенной надежности с использованием измерения критического напряжения питания (КНП) при

нормальной и повышенной температуре и вычисление коэффициента £

К = кр-норм — 1. На способ получен патент на изобретение № 2365930;

Ькр.пов

4. Способ разделения ПЛИ по надежности на основе расчета коэффициента относительного изменения информативного параметра, измеренного четыре раза: до, после механических воздействий, после

воздействия ЭСР и после температурного отжига: К = Аотж Анач. На способ

Аэср-Амех

получен патент на изобретение № 2374658;

5. Способ сравнительной оценки надежности партий ПЛИ на основе сравнения минимального, среднего и максимального значения информативного параметра до и после механических испытаний и после испытаний на воздействие ЭСР. На способ получен патент на изобретение №2381514;

6. Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности на основе измерения интенсивности НЧШ по различным переходам транзисторов после воздействия ЭСР четырех напряжений с числом воздействий 5, 4, 2, 1, различной полярности. На способ получен патент на изобретение № 2465612.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: международных научно-методических семинарах

«Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2010 - 2013 гг.); международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2010, 2011 гг.); семнадцатой международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современная техника и технология» (Томск, 2011г.); девятнадцатой ежегодной международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2013 г.); научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистрантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2010-2013 гг.).

Публикации. Основные результаты диссертации изложены в 25 публикациях, в том числе в 7 работах, опубликованных в журналах, рекомендованных ВАК, и в 5 патентах РФ на изобретение.

Все исследования, представленные в диссертации, проведены соискателем. В работах, опубликованных с соавторами, диссертанту принадлежит получение и обработка экспериментальных данных [32, 34 -36,40, 45,50, 51], анализ полученных результатов [33, 39, 41 - 44, 46], обобщение и формирование выводов [37, 47 - 49,], а также в написание заявок на изобретения [58, 63, 65, 67, 68].

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 104 страницы текста, включая 36 рисунков, 32 таблицы, список литературы из 70 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Антонова, Екатерина Александровна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

В работе получены следующие научно-технические результаты:

1. Из диагностики с использованием рентгеновского излучения, проведенной на полупроводниковых изделиях (диодах, транзисторах, тиристорах, цифровых и аналоговых ИС), изготовленных по биполярной и МДП - технологии, следует, что после анализа коэффициента у НЧШ и относительного коэффициента К, показывающего во сколько раз изменилось значение среднеквадратичного напряжения НЧШ после итоговой дозы облучения относительно начального, можно судить о надежности изделий для каждой партии приборов отдельно.

2. Разработан «Способ разбраковки полупроводниковых изделий», включающий измерение значения НЧШ каждой ИС методом прямого измерения по выводам «питание - общая точка» на частоте £= 1000 Гц до и после облучения рентгеновским излучением дозой 10 кР с последующим расчетом величины относительного коэффициента К. По коэффициенту К определяют потенциальную надежность изделий. На способ получен патент №2472171 [58].

3. Разработан «Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности», включающий измерение значения НЧШ каждой ИС методом прямого измерения по выводам «питание - общая точка» на частотах ^=200 Гц и f2=1000Гц до и после облучения рентгеновским излучением дозой 10 кР с последующим расчетом величин уь уг и коэффициента М = у1/у2. По коэффициенту М определяют потенциальную надежность изделий. На данный способ подана заявка на изобретение.

4. Разработан «Способ выделения интегральных схем повышенной надежности» с использованием измерения критического напряжения питания при нормальной и повышенной температуре. Отбор ИС проводят по относительной величине изменения КНП, рассчитанной по формуле

К = кр,ном — 1. На способ получен патент на изобретение 1Ш 2365930 С1

Екр.ПОВ

001Я 31/26, опубл.27.08.2009 Бюл.№24 [63].

5. Разработан «Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности» на основе расчета коэффициента относительного изменения информативного параметра, измеренного четыре раза: до, после механических воздействий, после воздействия ЭСР и после температурного отжига, рассчитываемого по формуле: К = ^отж^"ач. На способ получен

АЭСр—Амех патент на изобретение 1Ш 2 374 658 С1 вОШ 31/26, опубл.27.11.2009 Бюл.№33 [65].

6. Разработан «Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий» на основе сравнения минимального, среднего и максимального значения информативного параметра партий ПЛИ до, после механических испытаний и после испытаний на воздействие ЭСР. Получен патент на изобретение 1Ш 2 381 514 С1, вОЖ 31/26, опубл. 10.02.2010 Бюл. №4 [67].

7. Разработан «Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности» на основе измерения интенсивности шума по различным переходам транзисторов после воздействия ЭСР четырех напряжений с числом воздействий 5, 4, 2, 1, различной полярности. Вычисляют разность напряжения НЧШ эмиттерного и коллекторного перехода после воздействий ЭСР Д = 11щЭб - и£кб, по величине которой судят о потенциальной надежности одной партии относительно другой партии. На способ получен патент на изобретение БШ 2465612 С2, 001Я 31/26, опубл. 27.02.2012 Бюл. №30 [68].

8. При сравнительном анализе разработанных способов по их достоверности выявлены наиболее перспективные методы разделения ППИ: «Способ выделения интегральных схем повышенной надежности», «Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий» и «Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности». Достоверность этих методов фактически равна достоверности испытаний на надежность, но с учетом ряда преимуществ предлагаемых методов они могут претендовать на то, чтобы заменить электротермотренировку в технологических процессах отбраковочных испытаний. Другие методы можно применять при оценке влияния конструктивно-технологических изменений.

Автор благодарит сотрудников кафедры «Физики твердого тела и наноструктур» Воронежского государственного университета (зав.каф. проф. Э.П. Домашевская) за помощь в проведении эксперимента: рентгеновское облучение ППИ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Антонова, Екатерина Александровна, 2013 год

Список литературы

1. Википедия. Свободная энциклопедия - Электрон, дан. - Режим доступа: Ь11р://т^1к1ресИа.оге^1к1/Рентгеновское излучение.

2. Энциклопедия физики и техники - Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.femto.com.ua/articles/part_2/3422.html

3. Горбунов В.И. Рентгеновское излучение: учеб. пособие / В.И. Горбунов, Г.А. Куницин. - Томск: ТПИ, 1977. - 72с.

4. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.А. Чернышев. - М.: Радио и связь, 1988. - 256 с.

5. Коршунов Ф.П. Радиация и полупроводники / Ф.П. Коршунов. -Минск: Наука и техника, 1979. - 83 с.

6. Вавилов B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах / B.C. Вавилов, Н.А. Ухин. - М.: Атомиздат,

1969.-452 с.

7. Larin F. Radiation effects in semiconductors devices / F. Larin. - New York, 1968.-380 p.

8. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов / Я.А. Федотов. - М.: Сов. радио, 1969. - 427 с.

9. Вологдин Э.Н. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах. 4.1. Транзисторы / Э.Н. Вологдин, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов. - Киев, 1972. - 374 с.

10. Sah С. Effects of surface recombination and channel on p-n junction and transistor characteristics / C. Sah // Trans. IRE. - 1962. - v. ED-9. - № 1. - P. 35 - 40.

11. Митчел Дж. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией / Дж. Митчел, Д. Уилсон. - М.: Атомиздат,

1970. - 402 с.

12. Snow F.H. Effects of ionizing radiation on oxidized silicon surfaces and planar devices / F.H. Snow, A.S. Grove, D.J. Fitzgerald // Proc. IEEE. -1967. - v. 55. - № 7. - P. 62-71.

13. Holmes-Seidle A. Neutron-induced damage to silicon rectifiers / A. Holmes-Seidle, K. Zaininger // IEEE trans. - 1967. - v. R-17. - № 1. - p. 5 . 12.

14. Brown R. Energy dependence of proton and electron displagement effects on silicon semiconductor devices / R. Brown // In: Report on Intern. Conf. on Radiation effects in semiconductors. - Toulouse. - 1967. - P. 107 - 113.

15. Кулаков B.M. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др.; Под ред. Е.А. Ладыгина. - М.: Сов. радио, 1980. - 224 с.

16. Малин Б.В. Параметры и свойства полевых транзисторов / Б.В. Малин, М.С. Сонин. - М.: Энергия, 1967. - 302 с.

17. Нарышкин А.К. Теория низкочастотных шумов / А.К. Нарышкин, A.C. Врачев. - М.: Энергия, 1972. - 153 с.

18. Тимащев С.Ф. Принципы фликкер - шумовой спектроскопии / С.Ф. Тимащев // Мат. докл. научн. - техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1995. - С. 13-24.

19. Тимащев С.Ф. Что такое фликкер шум в электровакуумных системах? / С.Ф. Тимащев // Мат. докл. научн. - техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1999. - С. 239 -260.

20. Врачев A.C. Низкочастотный шум - свойство диссипативных систем / A.C. Врачев // Мат. докл. научн.- техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1995. - С. 43 -56.

21. Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и методов анализа отказов изделий микроэлектроники / отчет о НИР РТ -359, Per. № 01840010239. - Ленинград, 1984. - 86 с.

22. Жигальский Г.П. Неразрушимый контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности / Г.П. Жигальский // Радиотехника и электроника. - 2005. - №5. - С. 1-35.

23. Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect / F.N. Hooge // Phys. Lett. 1969.-№29.-P. 139-140.

24. Горлов М.И. Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума / М.И. Горлов, Л.П. Ануфриев,

A.П. Достанко, Д.Ю. Смирнов. - Минск: Интегралполиграф, - 2006. - 112 с.

25. Горюнов H.H. Влияние гамма-излучения на шумовые характеристики КМОП-структур / H.H. Горюнов, A.B. Паничкин // Мат. докл. науч. - техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках». -М, 1995.-С. 247-257.

26. Патент РФ №2066869, МКИ G 01 R 31/26, Способ отбора радиационностойких изделий электронной техники, опубл. 20.09.96, бюл. 26.

27. Патент США № 4816753, МКИ G 01 R 31/26, Способ испытаний на надежность интегральных схем, опубл. 28.03.89.

28. Чернышев A.A. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем / A.A. Чернышев, В.В. Ведерников, А.И. Галеев // Зарубежная электронная техника. 1979. - Вып. 5. - С. 3-25.

29. Патент РФ 95103986, МПК G 01 R 31/28 AI Способ отбора пластин с радиоционностойкими МОП-интегральными схемами / A.B. Шумилов, JI.H. Фролов, Ю.В. Федорович, опубл. 27.07.96. - 5 с.

30. Патент РФ 2168735, МПК G 01 R 31/26, 31/28 С2 Способ отбора изделий электронной техники по стойкости или надежности / З.Ф. Васильева,

B.В. Коскин, И.Г. Лукица, В.Б. Лысов, В.Г. Малинин, Л.А. Матвеева, опубл. 10.06.2001.- 11 с.

31. Ван дер Зил А. Шум - источники, описание, измерение: Пер. с англ. / Под ред. А. К. Нарышкина. - М.: Сов. радио, 1973. - 178 с.

32. Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на полупроводниковые диоды / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Антонова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. - Воронеж: ВГТУ, 2011.-Вып. 10.-С. 99- 103.

33. Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Микроэлектроника. 2011.-Т. 40. - № 1. - С. 52-56.

34. Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, Р.Н. Антонов, Е.А. Антонова // Технологии в электронной промышленности. 2012. - №6. - С. 76 -81.

35. Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на полупроводниковые диоды / М.И. Горлов, Е.А. Антонова //17 международная научно-техническая конференция "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" - Сб.докл. - М.: МЭИ, 2013. - С. 238 - 239.

36. Горлов М.И. Способ разделения транзисторов по надежности / М.И. Горлов, Е.А. Антонова, Д.Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. - Воронеж: ВГТУ, 2010. - Вып. 9. - С. 40 -43.

37. Горлов М.И Модель прогнозирования низкочастотного шума / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева, И.А. Шишкин //16 международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь», Сб. докл. №1. - Воронеж, 2010. - С. 524 - 527.

38. Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры транзисторов КТ602 / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Антонова // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. -

Т. 7.-№ 1.-С. 170- 173.

39. Горлов М.И Метод разделения транзисторов по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // 42 международный научно-методологический семинар «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниках», Сб. докл. №1. - М, 2012. - С. 97-100.

40. Горлова М.И. Влияние рентгеновского излучения на полевые транзисторы / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Антонова // 17 международная конференция «Современная техника и технология», Томск, 2011. - С. 147 - 148.

41. Горлов М.И. Способы разделения тиристоров по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Дефектоскопия. 2010. - № 12. - С. 23 -26.

42. Горлов М.И Способ разделения тиристоров по надежности с использованием шумовых параметров и рентгеновского облучения / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // 41 международный научно-методологический семинар «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниках», Сб. докл. №1. - М, 2011. - С. 61 - 65.

43. Горлов М.И Влияние рентгеновского излучения на низкочастотный шум ИС / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Известия вузов. Электроника. 2010. - № 4(84). - С. 8 - 13.

44. Горлов М.И. Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием шумовых параметров / М.И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева // 40 международный научно-методический семинар «Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» Сб. докл. №1. - М, 2010, С. 63 - 70.

45. Горлов М.И. Способы сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности / М.И. Горлов, Е.А. Антонова, P.M. Тихонов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. - Т. 7. - № 6. - С. 18 - 20.

46. Gorlov M.I. The Influence of X-Ray Radiation on the Low-Frequency Noise of Integrated Circuits / M.I. Gorlov, D.Yu. Smirnov, and E.A. Zolotareva // Russian Microelectronics, 2011. - Vol. 40. - No. 7. - P. 97 - 101.

47. Горлов М.И Способы разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, И.А. Шишкин, Е.А. Антонова //17

международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь», Сб. докл. №1. - Воронеж, 2011. - С. 668 - 671.

48. Горлов М.И. Способ выделения интегральных схем повышенной надежности / М.И. Горлов, Е.А. Золотарева, Е.П. Николаева // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. - Воронеж: ВГТУ, 2009. -Вып. 8. - С. 37 - 39.

49. Горлов М.И. Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Е.А. Антонова, Д.Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. - Воронеж: ВГТУ, 2010. -Вып. 9. - С. 44 - 47.

50. Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на цифровые ИС / М.И. Горлов, Е.А. Антонова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. - Воронеж: ВГТУ, 2012. - Вып. 10. - С. 99 - 103.

51. Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры и низкочастотный шум цифровых интегральных схем / М.И. Горлов, Р.Н. Антонов, Е.А. Антонова // Дефектоскопия. 2013. - № 5. - С. 39 - 44 .

52. Аронов B.JI. Полупроводниковые приборы: Транзисторы, справочник / B.JI. Аронов, A.B. Баюков, A.A. Зайцев и др.; под ред. H.H. Горюнова. - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 904 с.

53. Справочник электронных компонентов. - Электрон, дан. - Режим доступа: http://chiplist.ru/diodes/KD521G.

54. Горлов М.И. Электростатические заряды в электронике / М.И. Горлов, A.B. Емельянов, В.И. Плебанович. - Мн.: Бел наука, 2006. - 295 с.

55. Горлов М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Л. Ануфриев - Мн.: Белорусская наука. 2006. - 367 с.

56. Patent 4816753 United States, Int. CI. G 01 R 31/26 Method and apparatus for radiation testing of electron devices / Leslie J. Palkuti, Sunnyvale, Calif - № 481772, date of Patent 11.03.86.

57. Контест - Электрон. дан. - Режим доступа: http://ww.kontest.m/datasheet/NATI0NALSEMIC0NDUCT0R/LMP2015,%20LM P2016.pdf

58. Патент РФ RU 2 472 171 С2, G01R 31/26, Способ разбраковки полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева. -опубл. 10.01.2013. Бюл. №1.

59. Горлов М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства / М.И. Горлов, Л.П. Ануфриев, O.JI. Бор дюжа - Мн.: Интеграл, 1997.-320 с.

60. Авторское свидетельство СССР 490047 Al, G 01R 31/26, Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов / В.А. Денисюк, Г.Ф. Копыл. - опубл. 30.10.1975.

61. Патент РФ 2309418 С2, G 01R 31/26, Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев. - опубл. 27.10.2007. Бюл. № 30.

62. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров

63. Патент РФ 2365930, МПК G01R 31/26 Способ выделения интегральных схем повышенной надежности / М.И. Горлов, Е.А. Золотарева, H.H. Козьяков. - опубл. 27.08.2009. Бюл. № 24.

64. Патент РФ RU 2289144 С2, МПК G 01 R 31/26, Способ разбраковки полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, A.B. Емельянов, Д.Ю. Смирнов, Ю.Е. Сегал. - опубл. 10.12.2006. Бюл. № 34.

65. Патент РФ RU 2 374 658 C1 G01R 31/26, Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Е.А. Золотарева, H.H. Козьяков. - опубл.27.11.2009. Бюл.№33.

66. Патент РФ № 2226698, G 01 R 31/26, Способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов / М.И. Горлов, A.B. Андреев, А.Г. Адамян, Л.П. Ануфриев, В.А. Емельянов. - опубл. 10.04.2004. Бюл. № 10.

67. Патент РФ RU 2 381 514 Cl, G01R 31/26, Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, Е.А. Золотарева, H.H. Козьяков. - опубл. 10.02.2010. Бюл. №4.

68. Патент на изобретение RU 2465612 С2, G01R 31/26, Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева . - опубл. 27.02.2012. Бюл. №30.

69. Бордюжа O.JL Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем // Дис. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. - Воронеж. ВГТУ. 1998. - 163 с.

70. Худсон Д. Статистика для физиков / Д. Худсон. М.: Мир. 1970. -

296 с.