Методология повышения эффективности технологических процессов микроэлектронного производства и надежности изделий микроэлектронной техники на базе спецвоздействий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.02.22, доктор технических наук Попо, Родион Афанасьевич

• Попо, Родион Афанасьевич
• доктор технических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор технических наук Попо, Родион Афанасьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы. ф Цель работы.

Научная новизна.

Практическая ценность.

Положения, выносимые на защиту.

Публикации.

Личный вклад.

ГЛАВА

ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВА НАДЕЖНЫХ ИЗДЕЛИЙ

МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.

1.1.Основные факторы ненадежности интегральных микросхем.

1.1.1. Дефекты окисла при изготовлении микросхем.

1.1.2.Поверхностные эффекты в кремниевых элементах.

1.1.3.Дефекты металлизации. ф 1.1.4.Отказы резисторов микросхем.

1.1.5.0тказы емкостных элементов микросхем.

1.1.6Механизмы отказов в МДП - транзисторах.

1.1.7. Влияние корпуса на отказы микросхем.

1.2. Повышение надежности электронной аппаратуры за счет новых технологий.

1.3. Надежность резервированных объектов.

1.4. Использование корректирующих кодов для повышения: эксплуатационной надежности ЭВА.

1.5. Основные методы контроля изделий электронной техники.

1.6. Испытания микроэлектронных изделий.

1.7. Прогнозирование надежности микроэлектронных изделий. ф 1.9. Выводы.

Глава

УСКОРЕННЫЕ ИСПЫТАНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЭТ.

2.1. Основные направления ускоренных испытаний.

2.2. Воздействие повышенных температур и напряжений на МОП ЗУ.

2.3. Выбор методики ускоренных испытаний БИС ЗУ 565РУ1.

2.4. Выбор и обоснование температуры испытаний.

2.5. Выбор превышающего напряжения и способа его приложения.

2.6. Обоснование времени проведения ускоренных испытаний.

2.7. Требования к стенду для ускоренных испытаний микросхем типа 565РУ

2.8. Контроль работоспособности 565РУ1. ф 2.9. Пример разработки стенда для ускоренных испытаний 565РУ1.

2.10. Анализ результатов исследования микросхем 565РУ1.

2.11. Пример разработки стенда для ускоренных, испытаний микросхем 565РУ5 и 565РУ6.

2.12. Методика ускоренных испытаний ПЗУ 556 серии.

2.13.Вывод ы.

Глава

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ.

3.1. Радиационные дефекты в кремнии.

3.2. Радиационные эффекты в кремниевых транзисторах.

3.3.Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванных радиацией.

3.4.Вывод ы.

Глава

ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И КОНСТРУКТИВНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ИХ РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ.

4.1. Технологические особенности исследованных интегральных транзисторов, источники излучений и методика облучения.

4.2.Влияние радиации на кремниевые биполярные транзисторы.

4.3.Влияние рентгеновского излучения на коэффициент усиления по току транзисторов.

4.4.Влияние электронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов.

4.5. Влияние у- излучения на коэффициент усиления по току транзисторов

4.6. Влияние у -нейтронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов.

4.7.Влияние облучения протонами на коэффициент усиления по току транзисторов.

4.8. Сравнение различных видов излучений по воздецствию на транзисторы

4.9. Влияние облучения на обратные токи переходов и токи утечки транзисторов микросхем.

4.10.Влияние облучения на напряжения пробоя.

4.11. Влияние облучения на h'-параметры транзисторов микросхем.

4.12. Выводы.

Глава

РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ. 134 .5.1. Влияние гамма-облучения на МОП транзисторы интегральных микросхем (ИМС).

5.2. Радиационная стойкость микросхем 564 серии к гамма- облучению.

5.3. Радиационная стойкость интегральных микросхем серии 1526.

5.4. Исследование микросхем памяти для оценки их радиационной стойкости

5.5.Вывод ы.

ГЛАВА

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИСПЫТАНИЙ И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДОВ ИСПЫТАНИЙ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ОЦЕНКИ ИХ

РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ.

6.1 .Последовательность испытаний ИМС для определения их радиационной стойкости.

6.2.0пределение аналогов микросхем по радиационной стойкости.

6.3.Классификация ИМС по радиационной стойкости.

6.4.Моделирование гамма-импульсного воздействия электронным импульсным воздействием.

6.5.Вывод ы.

Глава

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ В

ПРОИЗВОДСТВЕ ИМС.

7.1.Влияние гамма-облучения и отжига на критериальные параметры ИМС

564ЛЕ5.

7.2.0тбраковка потенциально дефектных ИМС на пластинах.

7.3.Отбраковка потенциально дефектных ИМС методом повышения температуры и подачи превышающего импульсного напряжения по шине питания.

7.4.Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методология повышения эффективности технологических процессов микроэлектронного производства и надежности изделий микроэлектронной техники на базе спецвоздействий»

Актуальность темы

Ускорение научно-технического прогресса можно рассматривать как главное направление экономической стратегии, основной рычаг интенсификации народного хозяйства и повышения его эффективности. Задачи развертывания научно-технического прогресса неотложны, они охватывают широкий круг текущих и перспективных проблем. Предстоит осуществить новую техническую реконструкцию народного хозяйства, качественно преобразовать материально-техническую базу общества. Воплотить намеченное можно только на пути интенсификации производства, на основе новейших достижений науки и техники. Предстоит привести в действие все резервы повышения эффективности производства и качества продукции. Совершенно недопустимо, когда вновь создаваемая техника уже на стадии конструирования оказывается морально устаревшей, уступает лучшим образцам по надежности, ресурсу работы и экономичности. Качество продукции должно быть предметом не только профессиональной, но и национальной гордости.

К надежности современной электронной аппаратуры предъявляются серьезные требования. В условиях перехода на элементную базу, которая обусловит создание функционально сложных узлов на одном кристалле, проблема качества встает особенно остро. Насущной проблемой сегоняшнего дня стала необходимость учета требований контроля уже на этапе проектирования изделий. Дальнейший прогресс в области электронной аппаратуры невозможен без пересмотра традиционного подхода к контролю качества. Традиционный подход к повышению качества электронной аппаратуры предусматривает строгий контроль на всех этапах производства с целью отбраковки дефектных изделий. При таком подходе ответственность за качество возлагается на службу контроля. Прогрессивный подход к контролю качества характеризуется тремя основными факторами:

1) совершенствованием организации системы контроля;

2) необходимостью учета требований контроля на этапе проектирования;

3) совершенствованием средств и методов контроля, используемых при производстве и эксплуатации электронной аппаратуры.

Потенциальные возможности для достижения высокого качества электронной аппаратуры должны быть заложены на этапе ее разработки. Обеспечение таких возможностей в процессе проектирования определяет качество самого проекта. Такие слагаемые качества как быстродействие, рассеиваемая мощность и помехозащищенность определяются на этом этапе. Надежность изделий зависит от технического уровня производства и от технологичности, заложенной в изделие при его проектировании. На этапе - планирования технических и экономических показателей необходимо изучить планы развития производства и составить прогноз его уровня на « период освоения и выпуска изделия. Проект считается качественным, если он ф реализует значения важнейших параметров при использовании соответствующих норм и стандартов.

Основной секрет достижений высокого уровня качества в радиоэлектронной промышленности Японии заключается в организации системы контроля, которая выявляет потенциальные источники отказов еще на стадии проектирования.

Электронная аппаратура, реализованная на БИС и СБИС, имеет значительно меньшее число внешних связей, паяных соединений, меньшую длину проводников. Очевидно, что количество отказов, связанных с проводниками и паяными соединениями, уменьшается. Однако, выбор элементной базы определяет и надежность работы аппаратуры в определенных условиях. Пластмассовые корпуса, например, не защищают от проникновения влаги и воздуха. При производстве микросхем использование ф автоматизированных линий, управляемых на основе сбора и анализа информации, эффективное использование которой обеспечивает высокий уровень регулирования технологических процессов, позволяет повысить качество их изготовления. Управление оборудованием и техпроцессами в реальном масштабе времени дает возможность оценить возникшую проблему и решить ее до того, как она окажет вредное влияние на выход годных микросхем. В технологии СБИС, требующей высокой точности в » регулировании содержания легирующей примеси и высокой точности совмещения, создаются программы с использованием "основных показателей", которые определяются на тестовых (контрольных) участках кристалла. Результаты измерений параметров готовых микросхем, отбракованных при выходном контроле, исследуются и сопоставляются в ф банке данных с результатами измерений, выполненными при изготовлении пластин, из которых они получены, что позволяет произвести коррекцию в технологический процесс с целью устранения причины дефекта. Предполагается, что в производстве микросхем основное внимание специалистов, занимающихся вопросами надежности, будет сосредоточено на автоматизации производства и на усовершенствовании самого технологического процесса. Цель автоматизации производства состоит в том, чтобы исключить из участия в технологическом процессе человека с присущими ему ошибками, небрежностью в работе и вносимыми загрязнениями и заменить его управляющим компьютером и установками с автоматическими регуляторами.

Качество изделий складывается из совокупности количественных . • показателей, требования к которым часто носят противоречивый характер например, для изделий ЭВА такими показателями являются ' быстродействие, рассеиваемая мощность, помехозащищенность и г надежность). Основные методы испытаний, которые применяются при оценке качества электронной аппаратуры, изложены в определенных v стандартах. С увеличением сложности меняется и процедура испытаний.

Больше внимания уделяется вопросам защиты изделий от влаги, агрессивных сред и функциональному контролю. Основными становятся не только ф испытания на срок службы, но и испытания по специально разработанной программе. Проведение сложных испытательных программ основывается на использовании различных комбинаций существующих методов испытаний, осуществляемых на стандартном оборудовании, или требует оригинального комплексного оборудования. Допустим, что с помощью испытаний на срок

Q 1 службы надо показать, что интенсивность отказов составляет 10" ч' . Это о требование означает, что объем испытаний должен составлять 1*10 (как минимум) приборо-часов, что эквивалентно работе 10 тысяч приборов в течение 10 тысяч часов без единого отказа. Такое испытание осуществить невозможно. Поэтому необходимо проводить ускоренные испытания, применение которых основано на следующих предпосылках. Ускоренные испытания не должны приводить к появлению новых механизмов отказов, должна быть известна зависимость между используемыми нагрузками и ф механизмами отказов, результаты ускоренных испытаний должны подтверждаться долговременными испытаниями .

По мере повышения степени интеграции микросхем усложняются и методы их испытаний на надежность. Простые испытания в статических режимах уже не имитируют реальную работу микросхем, так как не -1 обеспечивают включение в работу всех элементов. Ухудшение характеристик БИС, СБИС трудно выявить путем их измерения через внешние выводы. Вместо этого используются измерения граничных значений внешних характеристик в предельных режимах по напряжениям или по рабочим частотам.

Для устранения или уменьшения числа отказов микросхем необходимо своевременно и достоверно получать информацию о причинах их ф возникновения. С ростом функциональной значимости электронной аппаратуры возрастают расходы на ликвидацию последствий отказа. По некоторым данным отказ одного изделия электронной техники в космическом объекте в зависимости от того, на какой стадии он обнаружен, вызывает следующие расходы: при входном контроле - 15 долларов, при монтаже блоков - 75 долларов, при испытании системы - 300 долларов, при эксплуатации - 200 миллионов.

Обычно в одной аппаратуре используются изделия, разрабатываемые и выпускаемые различными предприятиями. Поэтому при установлении причин отказов следует использовать новые системные подходы.Отказы, связанные с разработкой и производством, примерно распределяются поровну, приблизительно 40% отказов электронной аппаратуры связано с . # отказом элементов, 20% - по вине операторов, электропитания.

Анализ причин отказов микросхем показывает, что с ростом их v интеграции возрастает роль дефектов, связанных с материалами, диффузией, условиями работы. Физические методы изучения причин отказов дают v наиболее достоверные сведения о дефектах.

Внезапные отказы микросхем являются следствием проявляющихся при эксплуатации скрытых дефектов материалов и конструкций, ф Постепенные отказы являются следствием деградации физико-химических свойств материалов под влиянием эксплуатации и старения. К конструктивным факторам ненадежности можно отнести:

1) неправильный выбор исходных материалов;

2) не оптимальность функциональной и принципиальной электрических схем с точки зрения выполнения заданных функций;

3) выбор неблагоприятных электрических и тепловых режимов работы элементов;

4) недостаточность мер по стабилизации параметров;

5) неверное определение допусков на параметры элементов;

6) нерациональное размещение элементов;

7) неэффективность выбора защитных устройств и способов ф резервирования;

8) просчеты в конструктивном решении и др.

К производственно-технологическим факторам ненадежности относятся:

1) использование некачественных материалов и комплектующих изделий;

2) нарушение санитарно-гигиенических норм производственно-технологических помещений;

3) нарушение режимов сложных технологических процессов;

4) несоблюдение технологии сборки и монтажа;

5) недостаточно эффективный контроль качества по операциям и при выпуске готовой продукции;

6) несовершенство оборудования, инструментов, оснастки;

7) недостаточная автоматизация производства и др. К эксплуатационным факторам ненадежности относятся: использование элементов электронной техники в несоответствующих режимах и условиях эксплуатации (температуре, влажности, вибрациях, ускорениях), что приводит к более быстрому старению, физико-химической деградации. В технологии микросхем специфическим является влияние топологии, которая иногда не может позволить рассеять тепло, имеет много паразитных связей.

Для микросхем наиболее вероятны следующие типы отказов: а) разрывы соединений подложка - выводы корпуса; б) обрывы и короткие замыкания межсоединений; . Ф в) пробои диэлектрика.

По некоторым данным 35% в распределении отказов логических ' полупроводниковых микросхем обусловлено поверхностными явлениями

1 (инверсия и др.), 29% - ухудшением контактов, образованием интерметаллидов и др.), 23% - процессами, происходящими в металлизации ^ (электромиграция и др,). Следует отметить, что любые эксперименты нельзя рассматривать как нечто абсолютное, так как технология, условия испытаний и эксплуатации могут быть разными. ф Испытания микросхем под действием постоянной электрической нагрузки при повышенной температуре позволяют выявить влияние поверхностных механизмов отказов, выявить отказы контактов (контакты Аи-А1 оказываются менее надежны, чем А1-А1, на контакты оказывает влияние влага, миграция ионов щелочных металлов).Отказы полупроводниковых микросхем в пластмассовых корпусах вызваны в 90% случаев обрывами соединительных проводников, что связано с различными TKJ1P материалов, 10% отказов вызвано коррозией алюминия из-за недостаточной влагостойкости пластмасс и загрязнения поверхности окисла при герметизации. По мере возрастания степени интеграции должна увеличиваться доля отказов, связанных с дефектами металлизации, погрешностями диффузии, влиянием инородных частиц при тех же условиях изготовления. ф Но как бы ни усовершенствовалась технология изготовления микросхем и других компонентов электронной аппаратуры и как бы ни проводился контроль качества их изготовления, все равно есть вероятность наличия скрытых дефектов, которые могут проявиться в процессе эксплуатации. Хотя для повышения эксплуатационной надежности электронной аппаратуры используется резервирование, некоторые средства обнаружения и исправления ошибок, совершенствуется архитектура и программное обеспечение, обнаружение потенциально дефектных изделий является необходимостью. Отбраковка потенциально дефектных микросхем может быть проведена с помощью ускоренных испытаний по определенным методикам, которые рассмотрены ниже на примерах. Разработанная методика ускоренных испытаний апробирована и внедрена на ряде # предприятий. Дефектность окисла является основным источником ненадежной работы и отказов микросхем. Это предположение подтверждается рассмотрением работы интегральных микросхем в полях радиации.

Таким образом, для изготовления высоконадежной микроэлектронной техники необходимо:

1) на стадии проектирования выбрать наиболее подходящий вариант изготовления изделия для удовлетворения требованиям технического задания;

2) провести предварительные расчеты, провести опытную партию, провести анализ, определить наиболее ответственные операции в технологическом процессе (ТП); # 3) использовать электрофизические методы неразрушающего контроля в ТП;

4) производить отбраковку ИМС на ранних стадиях на пластинах, что может дать значительную экономию даже на материалах;

5) данные по ТП заносить в базу данных и производить корректировку в тех технологических операциях, которые привели к отклонению от расчетов;

6) изучить возможность использования ускоренных испытаний для предварительной оценки возможностей изделий электронной техники (ИЭТ) на конкретных примерах;

7) провести исследования по влиянию специальных факторов;

8) выявить: а) особенности влияния различных материалов в технологии изготовления элементной базы на их параметры; б) особенности влияния различных видов излучений на параметры элементной базы; в) возможности восстановления параметров элементной базы после воздействия специальных факторов; г) особенности функционирования ИМС, микроэлектронной аппаратуры (МЭА) в условиях воздействия радиации и после нее;

9) разработать методы прогнозирования изменения параметров микроэлектронной техники в конкретных специфических условиях;

10) сделать практические рекомендации на основании практических исследований и испытаний по отбраковке микроэлектронной техники (МЭТ) со скрытыми дефектами.

Цель работы

Цель работы заключается в разработке методологии повышения эффективности технологических процессов микроэлектронного производства и надежности изделий микроэлектронной техники на базе спецвоздействий. Для достижения этой цели необходимо разработать методы контроля, испытаний, методы отбраковки элементов ЭА, прогнозирования их работоспособности, создать базу данных по изменению параметров в условиях их использования, сделать анализ и предложить рекомендации.

Для достижения поставленной цели в диссертации решены следующие задачи:

1) проведен анализ систем управления качеством изделий МЭТ отечественных и зарубежных производителей;

2) проведен анализ используемых ТП и выделены технологические операции, после которых необходимо контролировать параметры изделий ;

3) исследован отечественный и зарубежный опыт создания высоконадежных ИЭТ;

4) проводилось не только измерение параметров ИЭТ, но и создавалась база данных на ЭВМ, которая использовалась в дальнейшем;

5) разработаны методы отбраковки ненадежных ИЭТ;

6) сделаны конкретные предложения по выпуску радиационностойких ИЭТ;

7) проведены сравнительные испытания для более достоверной информации по радиационной стойкости ИМС.

Научная новизна

Диссертационная работа посвящена исследованиям, проводившимся по плану важнейших работ в разные годы.

Впервые в производство ИМС было внедрено гамма-облучение для определения соответствия процесса их изготовления ТЗ с использованием ЭВМ для регистрации параметров в процессе облучения.

Было показано:

1) влияние удельного сопротивления полупроводниковых материалов на скорость деградации параметров ИЭТ;

2) влияние покрытий (двуокиси кремния, лаков) на параметры ИЭТ;

3) образование каналов на поверхности ИМС при облучении;

4) увеличение доли влияния поверхностных эффектов с уменьшением объема полупроводниковых изделий;

5) влияние электрических режимов работы ИЭТ на работоспособность в условиях воздействия радиации;

6) влияние механических напряжений в материалах на деградацию параметров ИЭТ.

7) Было обращено внимание на то, что уход параметров ИЭТ при облучении зависит не только от изоляции элементов друг от друга (р-п-переходами, окислом, ситаллом и др.), но что сама изоляция вносит свою лепту в их деградацию, в первую очередь, из-за некачественного технологического исполнения, из-за значительного отличия коэффициентов линейного расширения материалов, возникающих механических напряжений. v/ 8) Было обращено внимание на влияние схемотехники на PC ИМС.

9) Было проведено одновременное определение PC различных типов ИМС для более достоверного их сравнения .

10) Показана возможность увеличения PC ИМС на производстве за счет использования циклов «гамма-облучение-отжиг» в несколько раз.

11) Предложено проводить отбраковку на PC ИМС на кристаллах, что дает значительный экономический эффект за счет экономии материалов.

12) Показано влияние корпусирования на PC ИМС. с 13) Предложено использовать ускоренные испытания для отбраковки ИМС со скрытыми дефектами.

14) Разработаны методы ускоренных испытаний ИМС памяти.

15) Предложены некоторые методы прогнозирования PC транзисторов, ИМС, БЦВМ.

Новизна подтверждена авторскими свидетельствами, руководящими документами, принятыми предложениями в ГОСТ, которые позволили совершенствовать методы испытаний для более достоверной оценки PC микроэлектронной техники.

Практическая ценность

Исследования нашли практическое применение. Для контроля параметров ИМС в процессе производства под руководством автора была установлена и стала использоваться гамма-установка «Исследователь», на которой было освоено автоматическое измерение параметров ИМС в процессе облучения с созданием базы данных, что позволяло корректировать технологический процесс. Были проведены цеховые испытания по использованию различных материалов в производстве ИМС. Предложение по отбраковке ненадежных ИМС на пластинах дало огромный экономический эффект в миллионы рублей только на экономии корпусов. Автором разработаны и внедрены методы ускоренных испытаний с целью отбраковки потенциально ненадежных ИМС, на которые получены авторские свидетельства.

Разработанная методика использования форсированных испытаний апробирована на ИМС 565РУ1, 556PT5,1526JIE5 и др. На способы испытаний и разработанные для этих целей устройства получены авторские свидетельства. Разработки по методам оценки PC микросхем нашли применение в РД 11.0484-8-87 (классификация ИМС по стойкости), РД 11.0528-88 (моделирование гамма-импульсного излучения электронным излучением), РД 11.652.0-88 (определение аналогов ИМС по радиационной стойкости). Методика отбраковки потенциально дефектных микросхем с помощью гамма-облучения и последующего отжига апробирована на предприятии "Ангстрем". Результаты работы используются на предприятии "Ангстрем", курсах лекций, прочитанных в МИРЭА.

Положения, выносимые на защиту

Методология, которая включает:

1) методы контроля параметров ИМС в процессе производства с созданием базы данных на ЭВМ с последующим их использованием;

2) методы отбраковки ИМС со скрытыми дефектами: а) гамма-облучением пластин в процессе технологического изготовления ИМС для определения соответствия параметров ТЗ; б) гамма-облучением пластин с сформироваными структурами и последующим отжигом; в) гамма-облучением ИМС и последующим отжигом; г) с помощью повышения температуры и приложения превышающего импульсного напряжения по шине питания;

3) методы прогнозирования радиационной стойкости расчетно-экспериментальным способом: а) биполярных транзисторов ИМС при воздействии рентгеновского излучения; б) МОП-транзисторов ИМС при воздействии электрическими импульсами в предпробойной области; в) ИМС по изменению критериальных параметров в процессе гамма-облучения; г) БЦВМ;

4) усовершенствованые методы испытаний ИМС на PC, которые включают: а) последовательность испытаний ИМС для определения их PC; б) метод определения аналогов; в) метод классификации ИМС по PC; г) метод моделирования гамма-импульсного воздействия электронным импульсным.

Публикации

По тематике диссертации представлено 42 работы (из свыше 150 опубликованных): в журналах "Вопросы атомной науки и техники", "Надежность и контроль качества", "Бюллетень Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий", «Электронная промышленность», «Успехи современной радиоэлектроники», в Сборнике трудов «Радиационная физика» («Наукова думка»), в "Трудах МЭИ", в материалах научно-технических конференций, совещаний, семинаров, в отраслевых руководящих документах по электронной промышленности, научно-технических отчетах, в лекционных курсах, прочитанных в МЭИ и МИРЭА, в учебных пособиях и в других материалах.

Личный вклад

Научные положения диссертации, выносимые на защиту, получены и сформулированы лично автором. Автор непосредственно участвовал в планировании и проведении исследований, испытаний, экспериментов и интерпретации полученных результатов. Большинство опубликованных работ написано без соавторов.

Структура и объем

Диссертация состоит из введения, семи глав, основных выводов и результатов, списка использованной литературы и приложений. Диссертация содержит 216 страниц, в ней 87 рисунков, 30 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Организация производства (по отраслям)», Попо, Родион Афанасьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

При решении важной народно-хозяйственной задачи повышения эксплутационной надежности электронной аппаратуры и ее радиационной стойкости на основании исследований, испытаний была предложена методология по организации контроля параметров структур на рабочих пластинах в процессе их изготовления на наиболее важных технологических операциях с автоматической записью данных на ЭВМ с целью их использования в последующих партиях. Были разработаны:

1) методы отбраковки потенциально дефектных микросхем: а) гамма-облучением пластин с сформированными структурами и последующим отжигом; б) гамма-облучением ИМС и последующим отжигом; в) нагревом и подачей импульсного превышающего напряжения по электропитанию ИМС;

2) методы прогнозирования радиационной стойкости расчетно-эксперементальным способом: а) биполярных транзистаров ИМС при воздействии рентгеновского излучения; б) МОП - транзисторов ИМС при воздействии электрическими импульсами в предпробойной области; в) ИМС по результатам изменения критериальных параметров после гамма-облучения по ступеням (0,5*1У;1*1У;1,5*1У и т д.) с использованием ЭВМ, которая будет выдавать результаты классификации по имеющимся в ее памяти данным; г) БЦВМ;

3) усовершенствованные методы испытаний ИМС на радиационную стойкость, которые включают: а) последовательность испытаний ИМС для определения их радиационной стойкости; б) метод определения аналогов для расчета радиационной стойкости ИМС; в) метод классификации ИМС по радиационной стойкости; г) метод моделирования гамма-импульсного воздействия электронным импульсным.

Все выше сказанное подтверждено зарегистрированными и утвержденными протоколами испытаний, актами о внедрении, авторскими свидетельствами, руководящими документами

РД II. 0484-87, РД II. 052988, РД II. 652.0-88, стандартом предприятия СТП ПИМЖ 05-93.

Материалы диссертации опубликованы в отчетах, статьях, использованы в учебных пособиях, конспектах лекций, кинофильме.

Предлагаемые методы нашли применение в исследованиях аспирантов и соискателей ученых степеней на предприятиях, разрабатывающих радиационно-стойкую и высоконадежную ЭА.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Попо, Родион Афанасьевич, 2005 год

1. Сыноров В.Ф. и др. Физические основы надежности интегральных схем. /Под ред. Ю.Г. Миллера. М.: Советское радио, 1976. -320с.

2. Бережной В.П., Дубицкий Л.Г. Выявление причин отказов. М.: Радио и связь, 1983.-232с.

3. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. -М.: Энергия, 1980.-360с.

4. ВоротинскийВ. А,ТемниковЕ.С,АхулковС.Е.Надежность интегральных схем.-Зарубежная радиоэлектроника,№11, 1981, с.48-59.

5. Попо Р. А. Эксплуатационная надежность микроэлектронной техники. Учебное пособие МИРЭА, ч.1, 2005.- 57с.

6. Бородин Г.А. и др. Методы расчета надежности ЗУ МСВТ на БИС. -М.: Центральный отраслевой орган НТИ «ЭКОС», 1985.-ЗЗс.

7. Бородин Г.А. и др. Оценка избыточных кодов, обнаруживающих и исправляющих однонапрвленные ошибки.- Радиотехника, 1984, №10,с.63-65.

8. Бородин Г.А. и др. Избыточность кодов, используемых в полупроводниковых ЗУ.- Л.: ЛДНТП (Материалы семинара «Микропроцессорные системы для управления техническими процессами»), 1985, с.62-63.

9. Гафаров П.М. и др. ЗУ емкостью 4096 бит на однотранзисторных ячейках памяти. Электронная промышленность, 1978, №8, с.5-11.

10. Горнев А.В., Орлов Б.В. Функциональный контроль полупроводниковых запоминающих устройств. Электронная промышленность, 1980, №6, с.3-21.

11. И. Берниковский Е.А. и др. БИС обнаружения и исправления ошибок для системы памяти. Зарубежная электронная техника, 1983, №9, с.3-32.

12. Борисов B.C. Обнаружение и исправление ошибок ЗУ. -Зарубежная радилоэлектроника, 1984, №10, с.24-43.

13. Гнеденко Б.В.и др. Математические методы в теории надежности. -Физматгиз, 1965.

14. Алексанян И.Т. Методологические основы имитационного направления в теории надежности высоконадежных изделий. Электронная техника, сер.8, 1981, вып.4 (90), с.7-10.

15. Алексанян И.Т., Кривошапко В.М. Моделирование параметрических отказов и изучение надежности интегральных схем. -Электронная техника, сер.8, вып.4, 1981, с. 150-156.

16. Данилин Н.С. и др. Обеспечение качества РЭА методами диагностики и прогнозирования. М.: Стандарты, 1983. 224с.

17. Карташов Г.Д. Основы теории форсированных испытаний. М.: Знание, 1977.

18. Карташов Г.Д. Методы форсированных испытаний. В кн.: В помощь слушателям семинара по надежности и прогрессивным методам контроля качества продукции. М.: Знание, 1979.

19. Карташов Г.Д. Предварительные исследования в теории Ф форсированных испытаний. В кн.: В помощь слушателям семинара понадежности и прогрессивным методам контроля качества продукции. М.: Знание, 1980, с.62-106.

20. Карташов Г.Д. Форсированные испытания аппаратуры. -Надежность и контроль качества, 1985, №1, с. 18-24.

21. Перроте А.И., Карташов Г.Д., Цветаев К.Н. Основы ускоренных испытаний радиоэлементов на надежность.-М.:Советское радио, 1968.-224с.

22. Воротинский В.А., Дадерко Н.К. Ускоренные испытания полупроводниковых приборов и интегральных схем на надежность. -Зарубежная радиоэлектроника, 1978, №7, с.50-65.

23. Куликов В.В. Проверка правильности выбора форсированных режимов. Труды МВТУ им. Н.Э. Баумана, 1983, №396, с.57-67.

24. Пешее А.Я., Степанова М.Д. Модели ускоренных испытаний. -Изв. АН СССР. Техническая кибернетика, 1969, №3.

25. Лаймен Д., Розенблат А. Качество и надежность (обзор). -Электроника 1981, № 10, с.27-61.

26. Давыдов Э.Т. Использование метода равных вероятностей при форсированных испытаниях аппаратуры на надежность. Надежность и контроль качества, 1985, №1, с.39-42.

27. Карташов Г.Д., Козлов В.М. Оценка и контроль стойкости изделий ф к кратковременным перегрузкам. Надежность и контроль качества, 1982,10.

28. Попо Р.А, Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. Воздействие повышенных температур и напряжений на МОП ЗУ. М.:ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1985 /деп.

29. Попо Р.А., Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. Методика увеличения надежности БИС путем воздействующих импульсов повышенного напряжения по шине питания. Материалы всес. конф. "Развитие теории и техники хранения информации", Пенза, 1983, с.82-85.

30. Попо Р.А., Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. Выбор методики ускоренных испытаний БИС ЗУ.- М.: ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1985 /деп.

31. Попо Р.А. Форсированные испытания с целью повышенияь ф надежности мини ЭВМ. - Кишинев: Материалы 2 респ.НТК "Управляющиемини- и микро- ЭВМ и их применение в народном хозяйстве", 1986, с. 119-120.

32. Армстронг. Исследование надежности ЗУПВ емкостью 4Кпотребителями этих приборов. Электроника, 1976, №5,с.66-69.

33. Р.А. Попо, И.М. Рыбаков, Р.В. Смирнов. Методика изучения надежности микросхем.-М.:ЦНИИ ТЭИ приборостроения,!985/деп.

34. Попо Р.А., Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. А.С. №1292459. Способ испытаний на надежность п-канальных МДП-цифровых интегральных схем. -М.: ЦНИИГПЭ,1986.

35. Попо Р.А., Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. Повышение надежности ЗУ на МДП БИС путем отбраковки микросхем памяти со скрытыми дефектами. -Надежность и контроль качества, 1987, №7, с.47-52.

36. Попо Р.А., Рыбаков И.М., Смирнов Р.В. А.С. №1403876. Способ и устройство повышения надежности микросхем полупроводниковой памяти с пережигаемыми нихромовыми перемычками, 1986.

37. Д. Поса. Прогноз развития техники и технологии динамических ЗУПВ большой и сверхбольшой емкости. -Электроника, 1980, №12, с.24-40.

38. Радиоэлектроника (состояние и тенденции развития). Обзор по материалам иностранной печати. -М.: НИИЭИР, 1983, -48с.

39. Разработка полупроводникового оперативного запоминающего устройства на п-канальных МДП- структурах емкостью 4096 бит (аналог 2107А). Отчет об ОКР, №У25144. -ЦНИИ "Электроника", 1976. -103с.

40. В.Н. Сретенский, Ю.З. Веденеев и др. Об одном методе ускоренных испытаний на сохраняемость. Электронная техника, сер. 8, 1972, вып.1, с.43-49.

41. Тескин О.И., Плеханов В.Ш. Планирование утяжеленных испытаний в условиях ограниченной априорной информации.-Надежность и контроль качества, 1985, №1, с. 3-9.

42. Тимонин В.И. Математические методы в теории ускоренных испытаний. Зарубежная радиоэлектроника, 1981, №1, с.51-57.44. 45. Электронные явления на поверхности полупроводников. /Под ред. В.И. Ляшенко. Киев: Наукова думка, 1968. -400с.

43. Л. Юнг. Анодные окисные пленки. Пер. с англ. М.:Энергия, 1967.311с.

44. Яковлев С.А. О прогнозировании ресурса изделий. Надежность и контроль качества, 1985, №1, с.25-30.

45. Кривошапко В.М. Прогнозирование индивидуальной надежности высоконадежных изделий по наблюдениям деградации их параметров. -Надежность и контроль качества, 1984, №4, с.20-26.

46. Малиновский Л.Г. Прогнозирование работоспособности изделий радиоэлектроники методами многомерного статического анализа. Надежность и контроль качества, 1985, №1, с.31-38.

47. Вербицкий О.Г.и др. Методы индивидуального прогнозирования надежности в системе контроля качества изделий электронной техники. М.: ЦНИИ "Электроника", 1983, вып.5, с.З.

48. Е. Philofsky. Intermetalic formation in gold aluminium system. - "Sol. St. Electr."., 1970, 19, №10, pp. 1391-1399.

49. T.J. Novak. Reliability physics for microelectronics. In: Proc. Annual Sympos. Reliab., Boston, Massac., 1968. pp. 193-200.

50. F. Vaccaro. Reliability physics on assesment In: Proc. Annual Sympos. On Reliab., New Yore., 1970, pp.348-363.

51. Дяченко В.Я, Сазоненко C.A. Комплексный контроль качества создаваемых изделий Надежность и контроль качества, 1985, №2, с 17-18

52. Лапидус В.А. Контроль качества продукции на основе принципа распределения приоритетов. Надежность и контроль качества, 1984, №6, с. 1723.

53. Марков Б.Ф. О планировании испытаний с учетом информации об интервале значений вероятности отказа. Надежность и контроль качества, 1984, №6, с.30-34.

54. Переверзев Е.С, Фалько Л.В. Обоснование объемов испытаний на надежность при наличии априорной информации о законе распределения наработки до отказа. Надежность и контроль качества, 1984, №6, с.24.

55. Ройлян Г.В. Оценка достоверности метода массового функционального контроля БИС. Надежность и контроль качества, 1984, №6, с.53-58.

56. Ройлян Г.В. Вопросы практической реализации метода массового функционального контроля БИС. -Надежность и контроль качества, 1985, №2, с.24-29.

57. Веденеев Ю.З., Мгебрян Р.Г. Ускоренные испытания на сохраняемость полупроводниковых приборов. -Электронная техника, сер.2, 1974, вып.6, с.98-111.

58. Воронов И.К. Методика отбраковки транзисторов со скрытым дефектом столбиковых выводов. М.: ЦНИИ "Электроника", 1983, вып.5, с. 12.

59. Карташов Г.Д, Козлов В.М. Оценка и контроль стойкости изделий к кратковременным перегрузкам. Надежность и контроль качества, 1982, №10.

60. Иванов Г.А,Карташов Г.Д. Проверка гипотез о влиянии цикличности нагружения на надежность изделий, Надежность и контроль качества, 1985, №2, с.35-39.

61. Шор Я.Б. Статические методы анализа и контроля качества и надежности. М.: Советское радио, 1962.

62. Бонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния. Пер. с англ./Под ред. В.Б. Сандомирского. М.: Мир, 1970.-176с.

63. Борисенко В.Е. и др. Повышение радиационной стойкости биполярных интегральных микросхем. Зарубежная электронная техника, 1975, №22.

64. Брюгановскя Г.В. и др. Действия излучений на неогранические стекла. М.: Атомиздат, 1968.-242с.

65. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем. Пер. с англ./Под ред. В.Н. Быкова и С.П. Соловьева. М.: Автомиздат, 1967.-427с.

66. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Автомиздат, 1969.-301с.

67. Дине Д., Винйярд Д. Радиационные эффекты в твердых телах. Пер. с. англ./Под ред. Г.С. Жданова. М.: Иностранная литература, 1960.

68. Келли Б. Радиационные повреждения твердых тел. Пер. с англ./Под ред. Ю.А. Осипьяна. М.: Атомиздат, 1970.-240с.

69. Ф 71. Действие излучений на материалы./Под ред. С.Т. Конобеевского.1. М.: АН СССР, 1962.-384с.

70. Коршунов Ф.П. и др. Радиационные эффекты в полупроводниковых * приборах. Минск: Наука и техника, 1978.

71. Радиационная физика неметаллических кристаллов./Под ред. И.Д. и Конозенко. Киев: Наукова думка, 1967, -451с.

72. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. /Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980.-224с.

73. Колосов А.А., Горбунов Ю.И., Наумов Ю.Е. Полупроводниковые твердые схемы. М.: Советское радио, 1965.-502с.

74. Ли Д.Е. Действие радиации на живые клетки. Пер. с англ./Под ред. Н.П. Дубинина и Н.И. Шапиро. М.: Атомиздат, 1963.-288с.

75. Литовченко В.Г. Докторская диссертация "Исследование Ф электронных неравновесных процессов на поверхности полупроводников и вобласти пространственного заряда". Киев: ИП АН УССР, 1970.

76. Митчел Д., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1970.-94с.

77. Нечаев A.M., Синкевич В.Ф. Методы диагностирования мощных полевых и биполярных транзисторов. -Электронная техника. Сер. Управлениекачеством, стандартизация, метрология, испытания. М.: ЦНИИ "Электроника",1985, вып.З, с.З.

78. Найман М.Б. Атомная энергия и ее применение. М.: АН СССР, 1961.-144с.

79. Новиков С.Р., Коноплева Р.Ф. Образование областей нарушений в ф кремнии при облучении. ФТП, 1968, №4, с. 592-593.

80. Пфистер Д., Барух Р. Увеличение диффузии в кремнии под влиянием облучения. Пер. с англ. №1309. Л., 1963.

81. Попо Р.А. Влияние рентгеновского и у излучений на эпитаксиально - планарные кремневые диоды. - В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов, том III, часть 2. Под ред. И.Д. Конозенко. - Киев, Наукова думка, 1971, с.205-208.

82. Попо Р.А. Влияние рентгеновского и у излучений на Ф эпитаксиально - планарные кремниевые триоды. - В кн.: Тезисы докладов4 научно методической конференции по проблемам микроэлектроники. - М.:1. МИЭТ, 1970.

83. Попо Р.А. Влияние ионизирующих излучений и нейтронов на планарные транзисторы. В кн.: Тезисы докладов всесоюзной конференции "Физические явления в р-п-переходах и полупроводниках". Одесса 1970.

84. Попо Р.А. Влияние некоторых факторов на h' параметры Ф интегральных транзисторов. В кн.: Материалы докладов НТК КПИ. - Кишинев,1972,с.124-125.

85. Сноу Е.Х., Гроув А.С., Фитцджеральд Д.Д. Действие ионизирующей радиации на окисленную поверхность кремния и планарные приборы. ТИИЭР, том 55, №7, 1967, с.53-71.

86. Санитарные правила работы с радиоактивными веществами и источниками ионизирующих излучений. М.: Атомиздат, 1960.-118с.

87. Ф 92. Стародубцев С.В. Некоторые вопросы образования стабильныхрадиационных нарушений в твердых телах. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Под ред. И.Д. Конозенко. - Киев: Наукова думка, 1967, с. 19-25.

88. Синкевич В.Ф., Соловьев В.Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов. Зарубежная электронная техника, 1984, №2, с.3-46.

89. Ткачев В.Д. Исследование процессов образования устойчивыхрадиационных нарушений в кремнии. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Под ред. И.Д. Конозенко. - Киев: Наукова думка, 1967, с. 112-118.

90. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: ф Советское радио, 1969.

91. Чернышев А.А. и др. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем. Зарубежная электронная техника, 1979, №5, с. 3-25.

92. Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.: Советское радио, 1969.-192с.

93. О влиянии условий ядерного взрыва на работу электронных систем военного назначения. Экспресс - информация: Радиоэлектроника за рубежом, 1985, вып.9, с.10-13.

94. Радиационно-стойкие микропроцессоры и микро ЭВМ. -Радиоэлектроника за рубежом, 1985, вып. 15, с.2-3.

95. Dozier С.М., Brown D.B. The use of low energy X rays for devil ь • testing - a comparison with Co60 radiation. - IEEE. Nuc. Sci., 1984, 30, №6, p.43824387.

96. Darley H. M. and t.o. Total dose radiation effects on silicon MESFETcircuits. IEEE., 1983, 30,№6, p.4277.

97. Fantini F. Reliabity problems with VLSI. Microelectron and Reliab., 1984, 24, №2, p.275-296.

98. Knopp A.N. and Stickler R. The structure and perfection of thermally v grown oxide on silicon. Electrochem Technology, 1967, v.5, №1-2, p.37-42.

99. Millea M.F. The effect of heavy doping on diffusion of impurities in с silicon. J. Phys. Chem. Sol., 1966, v.27, p.315-325.

100. Messenger G.S., Spratt J.P. The effects of neutron irradiation on germanium and silicon. Proc. IRE, 1958, v.46, p. 1038-1044.

101. Nelson D.L. and Sweet R.J. Mechanisms of Ionizing radiation surface effects on transistors. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1966, №5-13, p. 197.

102. Riddel J.D. and t.o. Ionization induced breakdown and conductivity of satellite dielectrics. - IEEE Trans on Nucl. Sci., 1982, 29, №6, p. 1754-1759.

103. Spratt J.P., Schnable G.L., Standeven J.D. Impact of the radiation Ф environment on integrated circuit technology. IEEE J. of Solid - State Circuits, v.1. SC-5, №1, 1970, p. 14-23.

104. Stanley A.C. Effect of electron irradiation on metal oxide -semiconductor transistors. - Proceedings of IEEE, 1965, 53, p.627-628.

105. Snow E.H., Grove A.S. and t.o. Ion transport phenomena in insulating films. J. Appl. Phys., 1965, 36, p. 1664.

106. Tigner J.E. and t.o. CXR testing of box IEMP effects due to charge transfer. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30, №6, p.4421-4426.

107. Winocur P.S. and t.o. Predicting CMOS inviter response in nuclear and space einvironments. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30, №6, p.4226-4232.

108. Wood G.M. and t.o. A radiation hardened gate array family using an advanced DI bipolar technology. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30 №6, p. 4187• 4191.117.

109. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.- М.:Энергоатомиздат, 1988.- 256с.

110. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии.- М.: Наука, 1990.528с.

111. Аствацатурьян Е.Р., Беляев В. А., Зайцев В Л. Остаточные радиационные эффекты в цифровых БИС. Зарубежная электронная техника, 1986, №2, сс.62-99.

112. Аствацатурьян Е.Р., Васильев А.В., Зайцев B.JI. Влияние макротопологии БИС и устройств на их основе на PC к остаточным эффектам. -Спецэлектроника. сер.З, 1986, в.1, сс. 100-105.

113. Аствацатурьян Е.Р. и др. Переходные ионизационные процессы в Ф цифровых ИМС. Зарубежная электронная техника, 1983, №9, сс.36-72.

114. Барышев В.Г., Столяров А.А. Зарядовая нестабильность ► диэлектрика в области предпробойных токов. Электронная техника, 1985, ? сер.6, в.7, сс.60-64.

115. Баюков А.В., Лезжов Ю.Ф., Хаустов В.В. Физические аспекты ^ надежности изделий полупроводниковой электроники при работе врадиационных полях. Электронная техника, сер.8, 1985, в.6, сс. 19-22.

116. Бердичевский Б.Е., Маджарова Т.Б. Переход некоторых типов ИС ф при воздействии ионизирующих излучений с большой мощностью дозы врежим защелки. Зарубежная радиоэлектроника, 1986, №7, сс.76-73.

117. Боханкевич В.И. Комплексная оценка качества МДП структур по и напряжению микропробоя.-Электронная промышленность, 1985, №3, с.34.

118. Бржезинский В.А. Докторская диссертация "Радиационная эффекты < и надежность полупроводниковых приборов". НИИП, 1981.

119. Бродуай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.-196с.

120. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупродниках. М.: Наука, 1981. -368с.

121. Горюнов Н.Н., Ладыгин Е.А., Паничкин Н.В. Исследование поверхностных состояний в кремниевых МДП транзисторах. - Электронная техника, сер.8, 1985, в.6, сс.39-41.

122. Гуминов В.Н., Попо Р.А., Теленков В.В. Некоторые вопросы определения PC ИМС.- Материалы научно технического семинара "Проектирование МЭИ: проблемы и перспективы", 1988.

123. Данилин Н.С. и др. Обеспечение качества РЭА методами диагностики и прогнозирования. М.: Стандарты, 1983. -224с.

124. Киллиани Д.М. Радиационные эффекты в кремниевых ПЗУ/В кн.:

125. Приборы с зарядовой связью. М.: Мир, 1982, сс. 198-236.

126. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978. -232с.

127. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на ИМС. Минск: Наука и техника, 1986. - 254с.

128. Кейджан Г.А. Прогнозирование надежности МЭИ на основе БИС.-М.:Радио и связь, 1987.-152с.

129. Prediction in Space Onviromonto.- IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-43,6,р.3182-3188,1996.

130. Першенков B.C. The Simulation of Lov Dose-Rate Radiation Effect inф Bipolar Devices.-Abstracts of the 4 European Symposium <Radiations and their

131. Effects on Coponents and Systems>,September 1997,Cannes,Franse, ppA23-A24.

132. Попо P.А. Влияние радиации на микроэлектронныем полупроводниковые транзисторы/Тезисы докладов II Всесоюзной конференции

133. Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев, 1986, ч.2, сс.172-173.

134. Попо Р.А. Моделирование гамма импульсного воздействия импульсным электронным воздействием. - Материалы научно - технического семинара "Проектирование МЭИ: проблемы и перспективы", 1987.

135. Пролейко В.М., Абрамов В.А., Брюнин В.Н. Системы управления качеством изделий микроэлектроники. М.: Советское радио, 1976. - 224с.

136. Пью Э.У. Оценка перспективности технологий. ТИИЭР, 1985, №12, с.69.ф 145. Патент США №3769693. Способ ядерного упрочненияполупроводниковых приборов и микросхем.

137. Патент США №4238694. Способ устранения радиационных дефектов в полупроводниках.

138. Патент США №4247862. МОП структура, устойчивая к радиации.

139. Румак Н.В. Система кремний двуокись кремния в МОП -структурах. - Минск: Наука и техника, 1986. - 240с.

140. Стародубцев С.В., Романов A.M. Взаимодействие гамма

141. Физика окисных пленок. /Тезисы докладов II Всесоюзной научной конференции. Петрозаводск, 1987.

142. Чернышев А.А. и др. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых ИМС при воздействии ионизирующих излучений. Зарубежнаяэлектронная техника, 1986, №7, сс.3-157.

143. Чернышев А.А. и др. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и ИС. Зарубежная электронная техника, 1979, №5, сс. 3-25.

144. Чернышев А.А. и др. PC ИС, применяемых в специализированных ЭВМ. Зарубежная электронная техника, 1984, №8, сс.87-112.

145. Чистяков Ю.Д., Пейзус И.В. Дефектообразование при локальном окислении кремния. Зарубежная электронная техника, 1986, №5, сс.39.

146. Ягушкин Н.И., Пономарев В.Б., Самойлик А.В. Распределение электрического поля в диэлектрическом слое и в многослойных диэлектрических структурах. Электронная техника, сер.6, 1985, в.7, сс.56.

147. Adams L.R., Sokel R.J. Neutron Irradiation for Prevention of Latchup in MOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1979, V.NS5-26, №6, pp.5069-5073.

148. Boesch H.E. Насыщение смещения порогового напряжения в1 полевых МОП транзисторах при большой поглощенной дозе. - IEEE Tr. Nucl.

149. Sci., 1986, v. NS-33, №6, pp.1191-1197.

150. Burghard R.A., Gwyn C.W., Radiation Failure Modes in CMOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1973, v. NS-20, №6, pp.300-306.

151. Danchenko V., Brashears S.S., Fong P.H. Захват электронов в PC ИС фирмы RCA при электронном и гамма облучении. - IEEE Tr. Nucl. Sci., 1984,ф v.NS-31, №6, pp.149-.

152. Davis R.T. et al. High Performance MOS Resist Radiation. -Electronics, 1982, v.55, №23, pp. 137-139.

153. Derbenwick G.F., Gregori B.L. Process Optimization of Radiation

154. Hardened CMOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1975, v. NS-22, №6, pp.2151-2156.

155. Mc. Garrity J.M. Considerations for Hardening MOS Devices and Circuits for Low Radiation Doses. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1980, v. NS-27, №6, pp.1739-1744.

156. Gibbon C.F. et al. A. radiation Hard Silicon Gate Bulk CMOS Cell Family. - IEEE Tr. Nucl. Sci., 1980, v. NS-27, №6, pp.1712-1715.

157. Hatano H., Shibuya M. Оптимальная конструкция стойких к облучению КМОП логических схем. Electronics Letters, 1983, v. 19, №23,ф рр.977-979.

158. Hatano Н. КМОП структуры, не чувствительные к защелке, для PC конструкций СБИС. - IEEE Tr. Nucl. Sci., 1986, v. NS-33, №6, pp. 1505-1509.

159. Hughes H.L. Radiation Hardness of LSI/VLSI Fabrication Process. -IEEE Tr. Nucl. Sci., 1979, №6, pp.5053.

160. London A et al. Establishment of a Radiation Hardened CMOS

161. Manufacturing Process. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1977, №6, pp.2056-.

162. Lindmayer J. Radiation Hardness and Oxide Metal Interactions in MOS. - IEEE Tr. Nucl. Sci., 1971, №6, pp. 91-99.

163. Marks K, Measel P.R. Total Dose Test Results for the 8086 Microprocessor. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1982, №6, pp. 1662-1664.

164. Masacazu S. et al. Уменьшение дефектов в МОП структурах, # возникающих под воздействием электронного луча, с помощью 3-слойногорезиста с промежуточным слоем из тяжелого металла. Electrochem. Soc., 1984, №6, pp. 1391-1395.

165. Roeske S.B. et al. The Comparasion of Conventional Co60 Testing and Low Dose Accumulation Rate Exposure of Metal - gate CMOS IC'S. - IEEE Tr. Nucl. Sci., v. NS-31, 1984, №6, pp.1582-1584.

166. Ropiak S. et al. Total Dose Effects in the 54HC Family of Microcircuits. IEEE Tr. N. S., 1984, №6, pp.1358.

167. Picor A. Reiss E.M. Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits. -Microelectronics, 1980, v.l 1, №4, pp.27-30.

168. Saks N.S. Генерация пограничных состояний ионизирующими излучением в очень тонких окислах МОП конденсаторов. - IEEE Tr. Nucl.v • Sci., 1986, v. NS-33, №6, pp. 1178-1185.

169. Schwank J.R. Генерация пограничных состояний, вызванныхизлучением, в МОП приборах. - IEEE Tr. N. S., 1986, №6, p. 1185.

170. Stanley T et al. The Effect of Operating Frequency in the Radiation , Induced Buildup of Trapped Holes and Interface States in MOS Devices. IEEE Tr.

171. Nucl. Sci., 1985, v. NS-32, №6, pp.3982-3987.

172. Stassinopoulos E.G. et al. The Damage Equivalence of Electrons, Ф Protons, Alphas and Gamine Rays in Rad Hard MOS Devices. - IEEE Tr. Nucl.

173. Sci., 1983, v. NS-30, №6, pp.4363-4367.

174. Suzuki K. et al. Bias Annealing of Radiation and Bias Induced Positive Charges in n and p- type MOS Capacitors. - IEEE Tr. N. S., 1982, №6, pp.3911 .3914.

175. Schiff D. et al. A Comparision of Conventional Dose Rate and Low

176. Dose Rate Co60 Testing of IDT Static Rams and FSC Multiplexes. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1985, v. NS -32, №6, pp.4050-4055.

177. Sexton F.W. et al. Radiation Testing of the CMOS 8085 Microprocessor Family. IEEE Tr. Nucl. Sci., v.NS-30, 1983, №6, pp.4235-4239.

178. Tallon R.W. Ionizing Radiation Effects on the Sperry Rand Nonvolatile 256 bit MNOS RAM Array (SR 2256). - IEEE Tr. N. S., 1978, №6, p. 1176.

179. Toyakawa F. Зависимость радиационных эффектов в МОП -Ф структурах от механического напряжения. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1986, v. NS-33,6, pp.1210- 1215.

180. Watanabe К. Радиационные эффекты двухслойных диэлектрических пленок. IEEE Tr. N. S., 1986, №6, pp. 1216-1222.

181. Wrobel T.F., Evans D.C. Rapid Annealing in Advanced Dipolar Microcircuits. IEEE Tr. N. S., 1982, №6, pp. 1721-1726.

182. Wiswanathan C.R., Maseijian J. Model for Thickness Dependence of Radiation Charging in MOS Structures. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1976, v. NS-23, №6, pp. 1540-1545.

183. Wang S.T. et al. The Effect of Ion Implantation on Oxide Charge Storage in MOS Devices. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1975, v. NS-22. №6, pp.2163-2173.

184. Попо P.A., Бондарева T.A., Захаров A.M. Разработка устройства # сопряжения ВУ ВС ЭВМ с ППЗУ. // Труды МЭИ, 1979, вып.430, сс44^9.

185. Попо Р.А., Рыбаков И.М. Устройство сопряжения с НСМД ЕС-5050 // Труды МЭИ, 1979, вып.489, сс102-105.

186. Попо Р.А. Возможности отбраковки потенциально дефектных МОП-структур по пробою окисных слоев.-Тезисы НТК "Физ. отказов", Чернигов, 1989,сс.63-64.

187. Попо Р.А., Иванов М.Э. Разработка устройства предварительной обработки и анализа постоянной информации. . // Труды МЭИ, 1980, вып.489, сс 106-108.

188. ПопоР.А,БезбородовВ.Н,ГайсинФ.Г.Исследование работоспособности КМОП ИС при совместном воздействии спецфактора и термоэлектрических нагрузок.Материалы НТК "Надежность и контрольu + качества ИЭТ", Севастополь, 1990, сс. 21-25.

189. Попо Р.А.Методы обеспечения радиационной стойкости ИЭТ вv составе ЭА. Материалы НТК "Надежность и контроль качества ИЭТ",1. Севастополь, 1991. с. 11.

190. Попо Р.А.Выбор и обоснование методов расчета надежности БСВТ, работающих в условиях воздействия ИИ. Материалы НТК Компьютерные системы и технология", Кишинев, 1991, с 176.

191. Попо Р.А.Методы отбора элементной базы с целью повышения радиационной стойкости БСВТ.-Материалы НТС"Проблемы построения перспективных УВК". Владивосток, 1991.С.111.

192. Роро R.A. The Electronics Radiation Pulse Influence on the Features of Memory Elements. // Procedings of the Simposium on Electronics and Telecommunications.-Timisoara, Sept.29-30, 1994, pp. 17-21.

193. Popo R.A. The Selection of Integrated Circuits with Dissimulated Errors using Irradiiation and Electrothemal Treatment.//Procedings of the Simposium on Electronics and Telecommunications.- Timisoara, Sept.26-27, 1996, pp.98-103.

194. Попо Р.А. Некоторые методы повышения радиационной стойкости и эксплуатационной надежности МЭТ. // Электронная промышленность.- М.: 2002, №1, сс.80-86.

195. Попо Р.А. Исследование микросхем памяти для оценки их радиационной стойкости. // Успехи современной радиоэлектроники.- М.: 2002,№6,сс.45-49.

196. Роро R.A. Rejection Potentially Defective KMOS CI. // Procedings of the Simposium "Stiinta si ingineria materialelor".- Iasi, mai ,23-27,2005,pp. 151-155.

197. Попо Р.А. Отбраковка потенциально дефектных ИМС на технологической стадии производства и эксплуатации. // Сборник научных докладов 5-й международной конференции ЮНЕСКО.-М.:29 июня-Зиюля 2005,сс.167-168.

198. Попо Р.А. Методы повышения экспериментальной надежности МЭТ. // Сборник докладов 54 НТК МИРЭА,ч.З.-М.: МИРЭА, 2005, сс.145-150.

199. Попо Р.А.Эксплуатационная надежность микроэлектронной техники.- М.: Учебное пособие МИРЭА, ч.1 и ч.2,2005.-59с и 157с.