Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Смирнов, Дмитрий Юрьевич

• Смирнов, Дмитрий Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Смирнов, Дмитрий Юрьевич

Общая характеристика работы

Глава 1. СОБСТВЕННЫЕ ШУМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ.

1.1. Виды шумов.

1.2. Физические модели возникновения низкочастотных шумов.

1.3. Шумы полупроводниковых изделий.

1.3.1. Шумы интегральных резисторов.

1.3.2. Шумы интегральных диодов.

1.3.3. Шумы биполярных транзисторов.

1.3.4. Шумы МДП транзисторов.

1.3.5. Влияние конструктивно-технологических факторов на уровень НЧ шума.

1.3.6. Влияние внешних дестабилизирующих факторов на значение НЧ шума ИС.

1.4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра надежности полупроводниковых изделий.

Выводы к главе 1.

Глава 2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ И ИХ РЕАЛИЗАЦИЯ.

2.1. Установка для измерения низкочастотного шума.

2.2. Устройство для измерения коэффициента у.

2.3. Устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер- шумовым характеристикам.

2.4. Установка для имитации воздействия электростатических разрядов.

Выводы к главе 2.

Глава 3. СПОСОБЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО ПАРАМЕТРАМ НИЗКОЧАСТОТНОГО

ШУМА.

3.1. Разделение аналоговых ИС по надежности с использованием

НЧ шума.

3.2 . Разделение цифровых ИС по надежности с использованием НЧ шума.

3.3. Разделение ИС по надежности с использованием НЧ шума и термоциклирования.

3.4. Использование коэффициента а для диагностики ППИ.

Выводы к главе 3.

Глава 4. ДИАГНОСТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ НАДЕЖНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ШУМОВ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ.

4.1. Разделение аналоговых ИС по надежности с использованием

НЧ шума и ЭСР.

4.2. Разделение цифровых ИС по надежности с использованием

НЧ шума и ЭСР.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров»

Актуальность темы Совершенствование современных электронных устройств, содержащих сотни интегральных схем (ИС), невозможно без увеличения их надежности. К качеству и надежности ИС предъявляются очень высокие требования независимо от того, в какой радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) они будут применены: для комплектации ракет, авиационных объектов, атомных электростанций или сотовой связи и бытовой техники. Подсчитано, что при доле дефектности партий ИС в пределах 0,01%, то есть одна дефектная схема на 10000 или 100 дефектных на 1 млн. схем, процент отказов печатных плат, на которых смонтировано по 100 ИС, составит 1 %. При дефектности партий ИС в пределах одного процента выход годных печатных плат составит 63,4%, то есть процент дефектных плат будет равен 36,6 [1]. По этой причине среди множества проблем современной полупроводниковой электроники особое место занимает проблема качества и надежности выпускаемых изделий. На производстве в странах с развитой электронной промышленностью (США, Япония и др.) затрачиваются огромные средства на обеспечение повышенного качества и надежности готовых изделий [2].

Современные технологические процессы изготовления ИС очень сложны. Анализ процессов показывает, что они проводятся при температурах, изменяющихся в диапазоне от -100°С (криогенное травление) до +1100°С (окисление, диффузия, отжиг после ионной имплантации и др.), при давлении от атмосферного до 10" мм рт.ст. Столь широкие диапазоны вызваны необходимостью проведения с исходными материалами различных физических и химических процессов для получения необходимых технических характеристик ИС [3]. Известно, что на ряде технологических операциях возникают внутренние механические напряжения, изменяется структура и подвижность внутренних микродефектов, а также образуются макродефекты, наличие которых резко ухудшает надежностные характеристики ИС [1].

Исследование принципиальных основ обеспечения качества и надежности больших интегральных схем (БИС) показывает, что катастрофические причины отказов БИС и ИС малой и средней степени интеграции имеют одинаковый характер. Это дефекты кристалла (неоднородности, включения в кристалл, дефекты диффузии), утонения металлизации на ступеньках окисла, дефекты оксидного слоя, некачественная приварка проводников к контактным площадкам на кристалле и на траверсах, негерметичность и др. По сравнению с ИС малой и средней степени интеграции элементы БИС имеют меньшие размеры и расположены более плотно, поэтому БИС более чувствительны к деградационным процессам, дефектам кристалла и оксидного слоя. По этим причинам в каждой выпускаемой партии приборов, полностью соответствующей по качеству требованиям нормативно-технической документации, то есть техническим условиям (ТУ) и конструкторской документации (КД), имеются схемы, различающиеся по надежности на два и более порядка, то есть присутствуют схемы со скрытыми дефектами, которые могут отказать как в период приработки, так и в период нормальной работы, и схемы, которые обладают повышенной по сравнению с основной массой схем надежностью. Для устранения из партии потенциально ненадежных ИС проводятся сплошные отбраковочные испытания, включающие испытания при повышенной и пониженной температурах, термоциклирование, электротермотренировку (ЭТТ) и т.п.

Одной из целей производства является нахождение такого метода отбраковки полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе их изготовления, который позволял бы, во-первых, отбраковывать потенциально ненадежные изделия, т.е. такие изделия, которые соответствуют на момент проверки всем техническим требованиям на них, но, будучи установленными в аппаратуру, через какое-то время, меньше установленного в технических условиях времени гарантийной работы, отказали. Во-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, в первую очередь электротермотренировку (ЭТТ), на диагностические методы контроля, которые были бы не менее эффективными, но менее трудоемкими [4].

В последние десятилетия большое применение получили неразрушающие методы диагностики надежности различных ППИ на основе измерений их низкочастотных (НЧ) шумов [5, 6, 7]. Под неразрушающими методами диагностики обычно понимают методы, которые, не изменяя качества, параметров и характеристик изделия, позволяют по косвенным признакам обнаруживать потенциально ненадежные изделия. Неразрушаю-щий контроль имеет множество преимуществ по сравнению с другими видами контроля и может непосредственно вводиться в технологические процессы производства и испытаний ИС.

В процессе производства зачастую возникает необходимость не только отбраковки потенциально ненадежных ИС, но и выделения из партии группы схем с повышенным уровнем надежности.

Поэтому считаем, что разработка новых диагностических методов с использованием НЧ шумов с целью применения их для отбраковки потенциально ненадежных ИС с высокой достоверностью, что позволило бы внедрить их в производство вместо ЭТТ, с одновременной возможностью диагностического выделения из партии ИС группы схем, имеющих повышенный уровень надежности, является в настоящее время весьма актуальным.

Работа выполнялась по теме ГБ2004-34 "Исследование полупроводниковых материалов, приборов и технологии их изготовления" раздела "Исследование надежности полупроводниковых изделий".

Цели и задачи работы

Целью настоящей диссертации является разработка новых диагностических способов отбраковки потенциально ненадежных логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, на основе измерения параметров НЧ шумов способных заменять дорогостоящие и длительные отбраковочные испытания как при их производстве, так и на входном контроле предприятий - изготовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также выделять из партии ИС группу высоконадежных схем. Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

1. Спроектировать и разработать установки для измерения параметров НЧ шумов полупроводниковых изделий и для имитации воздействия электростатических разрядов.

2. Разработать новые способы диагностирования потенциально ненадежных ИС, основанные на измерении параметров НЧ шума.

3. Разработать способы диагностирования потенциально ненадежных ИС и выделения группы ИС повышенной надежности с использованием измерения параметров НЧ шумов до и после воздействия электростатических разрядов (ЭСР).

Научная новизна работы

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. На основе измерения НЧ шумов логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, разработаны новые диагностические методы:

- два способа разделения ИС по надежности на основе измерения шума в цепи „питание - общая точка" при различных напряжениях питания и различных температурах;

- два способа разделения ИС по надежности, основанных на измерении шума в цепи „вход - общая точка" при различных напряжениях питания и различных температурах;

- два способа разделения ИС по надежности, на основе измерения показателя формы спектра НЧ шума у;

- способ разбраковки ИС с использованием НЧ шума и термоциклирования;

2. На основе измерения НЧ шумов до и после воздействии ЭСР и последующего отжига логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, разработаны следующие диагностические методы:

- способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам „питание - общая точка" с воздействием ЭСР на вход ИС;

- способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам „питание - общая точка" с воздействием ЭСР в цепи питания ИС;

- способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам „вход - общая точка" с воздействием ЭСР на вход ИС;

Реализация результатов работы, практическая ценность

1. Разработано устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам. На данное устройство получен патент № 2263326, опубл. 27.10.2005.

2. Разработано устройство для измерения показателя формы спектра НЧ шума у. На принцип, положенный в основу, подана заявка на изобретение.

3. Разработаны способы разделения полупроводниковых приборов по надежности и способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов. Получены патенты: №2258234, опубл. 10.08.2005; №2242018, опубл. 10.12.2004; №2234104, опубл. 10.08.2004.

4. На основе измерения интенсивности шума при двух значениях прямого тока разработан способ, позволяющий отбраковать потенциально ненадежные ИС. На данный способ получен патент на изобретение №2278392, опубл. 20.06.2006.

5. Разработан способ разбраковки ППИ по сравнению значений интенсивности шумов до и после термоциклирования. На данный способ подана заявка на изобретение.

6. Разработаны три новых способа разделения ИС по надежности с использованием напряжения шума при номинальном и критическом напряжениях питания, а также с использованием входных прямых рабочих токов, измеренных при разных температурах. На способы поданы заявки на изобретения.

7. Разработаны два способа разделения ИС с использованием напряжения шума и показателя формы спектра у при трех различных температурах. На разработанные способы поданы заявки на изобретения.

8. Разработаны три новых способа диагностического контроля надежности ИС с измерением напряжения шума по выводам „питание - общая точка" и „вход - общая точка" до и после воздействия ЭСР и последующего термического отжига.

Достоверность разработанных новых способов диагностирования подтверждена последующими испытаниями на безотказность в течение 500ч.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Принцип работы устройства для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам и устройства для измерения показателя формы спектра у.

2. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, основанных на измерении напряжения шума в цепи „питание - общая точка".

3. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием напряжения шума, измеренного в цепи „вход - общая точка".

4. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, на основе измерений показателя формы спектра НЧ шума у при разных температурах.

5. Способ разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием НЧ шума и термоциклирования.

6. Три способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием напряжения шума до и после воздействии ЭСР и последующего отжига.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: международных научно-технических семинарах "Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах " (Москва, 2002; 2003; 2005 гг.); десятой международной научно - технической конференции „Радиолокация, навигация, связь" (13-15 апреля. Воронеж. 2004); десятой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов „Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" (2-3 марта Москва. 2004); тринадцатой всероссийской межвузовской научно-технической конференции „Микроэлектроника и информатика - 2006" (19-21 апреля Зеленоград. 2006); научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2003 - 2006 гг.).

Публикации

Основные результаты работы изложены в 18 публикациях, в том числе в 5 работах, опубликованных в реферируемых журналах, и 5 патентах РФ.

В совместных работах автору принадлежит проведение экспериментов и измерение параметров НЧ шума при различных внешних воздействиях, анализ и обобщение результатов, разработка и оформление заявок на патенты.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 125 страниц текста, включая 59 рисунков, 17 таблиц и список литературы из 102 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Смирнов, Дмитрий Юрьевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи - замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности партий ИС, основанными на измерении собственных шумов, как при производстве, так и на входном контроле у изготовителей радиоэлектронной аппаратуры. В работе рассмотрены НЧ шумы логических и аналоговых ИС, выполненных по биполярной и МОП технологиям.

В диссертации получены следующие научно - технические результаты:

1. Разработана установка для разбраковки ППИ по ампер - шумовым характеристикам. На принцип, положенный в основу установки, получен патент на изобретение №2263326, опуб. 27.10.2005.

2. Разработана установка для автоматического измерения показателя формы спектра НЧ шума у. На принцип, положенный в основу установки, подана заявка на изобретение.

3. По результатам составных испытаний „контроль уровня НЧ шума + термоциклирование + контроль уровня НЧ шума" разработан способ выявления потенциально ненадежных ППИ в партии и подана заявка на изобретение.

4. Исследование зависимости уровня НЧ шума и показателя формы спектра у аналоговых и цифровых ИС, выполненных по биполярной и КМОП технологии, от разных режимов работы позволило разработать новые способы разделения партий схем по надежности. На способы поданы 6 заявок на изобретения и уже получен один патент (№2278392, опуб. 20.06.2006).

5. Разработан способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных МДП-транзисторов, на который подана заявка на изобретение.

6. На основе исследования интенсивности шума до и после воздействия ЭСР и последующего отжига предложены три новых способа разделения ИС по надежности. Данные способы позволяют не только отбраковывать потенциально ненадежные ИС, но и выделить группу ИС повышенной надежности.

114

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Смирнов, Дмитрий Юрьевич, 2006 год

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Мн.:Из-во "Интеграл", 1997.-390 с.

2. Горлов М.И., Королев С.Ю., Бордюжа О.Л. Повышение надежности интегральных микросхем в процессе серийного производства // Матер, докл. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1996. С. 250-260.

3. Rubloff G.W. Integrated processing for microelectronics science and technology // J. Research and Develop. 1992. №2. P. 233-276.

4. Горлов М.И., Емельянов B.A., Адамян А.Г. Диагностические методы контроля и прогнозирующей оценки надежности полупроводниковых изделий. Минск. Бел. навука 2003. - 96 с.

5. Touboul A., Verdier F., Herrve Y. // Proc. Int. Conf. "Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations" / Eds T. Musha, S. Sato, M. Yamamoto. Kyoto, Japan, 1991. P. 73.

6. ZhigaPskii G.P., Gal'chenko V.R. // Proc. 17th Int. Conf. "Noise and Fluctuation" / Ed. J. Sikula. Brno University of Technology, 2003. P. 749.

7. Жарких А.П. Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума: Автореф. диссерт. на соиск. степ, к.т.н. / ВГТУ. Воронеж, 2005. 16 С.

8. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Радио и связь, 1988. С. 180 - 184.

9. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение) Пер. с англ. Под ред. А. К. Нарышкина. М.: „Сов. радио", 1973. 228 с.

10. Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и метод их анализа отказов изделий микроэлектроники /

11. Отчет о НИР РТ 359. Ленинград, 1984. Per. № 01840010239. Науч. руков. Ю.С. Карпов (Северо - западный заочный политехнический институт).

12. Гунта М.С. Тепловой шум в нелинейных резистивных приборах и его эквивалентное схемное представление // ТИИЭР. 1982. Т.70 № 8. С. 5 -23.

13. Жигальский Г.П. Неразрушающий контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности // Радиотехника и электроника. 2005. №5. С. 1 -35.

14. Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1978 - 324 с.

15. Коган Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах // Успехи физических наук. 1985. т. 145. Вып. 2. С. 285 -328.

16. Врачев А.С. Низкочастотный шум свойство диссипативных систем // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1995 С. 43 - 56.

17. Jonson J.B. The Shottky effect in low frequency circuit // Phys. Rev. 1925. V.26. P. 71-85.

18. Гуляев A.M., Кукуев И.В., Мирошникова И.Н. Фликкер эффект фликкер шума // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 2001. С. 21 -31.

19. Холомина Т.А. Модели формирования НЧ шума в полупроводниковых приборах и определение парметров глубоких центров на их основе // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2000. С. 25 - 29.

20. Sholz. F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low fequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools // Sholid. State Electron. 1988. №6 P.205 -218.

21. Hendrices E.A., Zijstra J.J. 1/f noise in (100) n channel Si - MOSFEETs from T = 4,2K to T=295K // Sholid. State Electron. 1988. №31. №6. P. 1105 -1111.

22. Орешкин П.Т., Денисов A.JI., Кордюков С.И. Низкочастотные шумы диодов Шоттки // Радиотехника и электроника. 1985. Т. XXX. Вып 7. С. 1449- 1450.

23. Pellegrini В. On mobility Auction origin of 1/f noise // Solid. State Electron. 1986, №12. P.1279- 1287.

24. Hsu S.T. Low frequency excess noise in metal - silicon Schottky barrier diodes // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. №17. P. 496 - 506.

25. Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь. 1990. 295 с.

26. Холомина Т.А. Обобщенная активационно дрейфовая модель формирования низкочастотного шума // Сб. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1999. С. 76-81.

27. Ambrozy A., Variance of 1/f noice // Solid. State Electron. 1988, №9. P.1391 1396.

28. Schiebel R.A. a model for 1/f noise of diffusion current based on surface recombination velocity and insulator trapping // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. №5. P. 768 778.

29. Starikov E., Shiktorov P., Grusinsky V. et // Appl. Phys. Lett. 1995. №18. P.2361 -2363.

30. Chen X.Y., Leys M.R. Study of 1/f noise in InP grown by CBE // Solid -State Electron. 1996, №8. P. 1149 1153.

31. Lauritzen P.O. Noise due to generation and recombination of carriers in p-n junction transition regions // IEEE Trans. Electron. Devices. 1966. №10. P. 770-771.

32. Van Vliet K.M. Noise and adminitanse of the generation recombination current involving SRH centers in the spase - charge region of junction devices // IEEE Trans. Electron. Devices. 1976. №11. P. 1236 - 1246.

33. Нарышкин A.K. Врачев A.C. Теория низкочастотных шумов M.: Энергия. 1972.- 153 с.

34. Орешкин П.Т., Холомина Т.А., Кордюков С.И. Волны объемного заряда и низкочастотный шум в барьерных слоях // В сб. „Физика полупроводников и микроэлектроника". Рязань, 1995. С. 13 24.

35. Тимащев С.Ф. Принципы фликкер шумовой спектроскопии // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1995 С. 5 - 19.

36. Тимащев С.Ф. Что такое фликкер шум в электровакуумных системах? // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1999. С. 239 - 260.

37. Мак Уортер. Шум 1 /f- типа и свойства поверхности - В кн.: „Физика поверхности полупроводников". М.: Изд - во иностр. лит., 1959. 157с.

38. Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect // Phys. Lett. A. 1969. №29. P. 139-140.

39. Жигальский Г.П. Избыточные шумы в структурах металл - диэлектрик - полупроводник // Радиотехника и электроника. 1999. № 12. С. 1413- 1430.

40. Потемкин В.В. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май июнь 1995 // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1996. С. 5-17.

41. Врачев А.С. О связи низкочастотного шума с устойчивостью неравновесных структур // Известия вузов. Радиофизика. 1989. № 7. С. 885-890.

42. Потемкин В.В., Степанов А.В. Шумы в физических системах и 1/f флуктуации. Обзор материалов 15-й международной конференции // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2000. С. 5 - 15.

43. Леонтьев Г.Е. Характеристики объемного и поверхностного 1/f шума в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1996. С. 72-76.

44. Леонтьев Г.Е. Импульсный шум в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1998. С. 45 - 49.

45. Врачев А.С. Синтез сигнала со спектром 1/f типа на основании механической модели износа // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1997. С. 114 - 121.

46. Чернов А.А., Крутяков Л.Н. Шумы интегральных резисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2000. С. 142 - 145.

47. Леонтьев Г.Е. Шумы в р-п-переходах и биполярных транзисторах, сформированных на кремниевых пластинах, имеющих свирлиевые дефекты // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1995. С. 89 - 94.

48. Леонтьев Г.Е. Экспериментальное исследование рекомбинационного шума в легированных золотом кремниевых р-п-переходах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2001. С. 60 - 63.

49. Чернов А.А., Крутиков JI.H. Шумы интегральных диодов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2001. С. 116-121.

50. Леонтьев Г.Е. 1/f шум в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1999. С. 18-25.

51. A. Van der Ziel. Proposed discrimination between 1/f noise source in transistors // Sol. State Electron. 1982. №2. P. 141.

52. Леонтьев Г.Е., Армонавичюс В.П. 1 /f шум в кремниевых p-n-переходах и биполярных транзисторах // Сб. тез. докл. V всесоюзн. конф. „Флуктуационные явления в физических системах". Вильнюс. 1988 С. 143-145.

53. Сах С. Новый полупроводниковый тетрод-транзистор с управляемым поверхностным потенциалом // ТИРИ. 1961. Т. 49 №11. С. 1883 1895.

54. Серов Л.А., Ткаченко Н.Н., Шемендюк А.Н. Взрывной шум в биполярных транзисторах КТЗ102 // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1991 С. 111 - 114.

55. Карба Л.П., Ульман Н.Н. О выборе шумовых параметров для прогнозирования отказов транзисторов // Электронная техника. Сер. 8. 1978. Вып. 7. С. 14-19.

56. Горюнов Н.Н., Паничкин А.В. Влияние гамма излучения на шумовые характеристики КМОП структур // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1995 С. 247 - 257.

57. Meisenheimer T.L., FLeetwood D.M. Effect of radiation-induced charge on 1 If noise in MOS devices // IEEE Trans on Nuclear Science. 1990. №6. P. 1696- 1702.

58. Горюнов H.H., Лукашев H.B. О механизме генерации избыточного шума в полупроводниковых структурах // Мат. докл. научн. техн.сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1998. С. 305 308.

59. Леонтьев Г.Е. Модель 1/f шума в р-п-переходах и биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1997 С. 50-51.

60. Серов Л.А., Ткаченко Н.Н., Шемендюк А.П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1996 С. 103- 105.

61. Шемендюк А.П., Ткаченко Н.Н., Серов Л.А. Влияние технологических условий изготовления эмиттера на низкочастотные шумы биполярных транзисторов // Микроэлектроника. 1995. Т.24. №1. С. 42-44.

62. Жигальский Т.П. Избыточные шумы МДП структур в сильных электрических полях // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1999 С. 300-312.

63. Жигальский Г.П. Избыточные шумы в конденсаторах металл -диэлектрик - полупроводник // Мат. докл. научн. - техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1998 С. 90 - 102.

64. Горлов М.И., Ерохин В. С., Некрасов В.А. Характер изменения шумовых свойств интегральных схем типа ДТП от вида испытаний // Сб. трудов по полупроводниковым материалам, приборам и их применению. Воронеж: ВПИ, 1971. С. 182- 188.

65. Горлов М.И., Жарких А.П. Влияние электростатических разрядов на величину низкочастотного шума однопереходных транзисторов // Техника машиностроения. 2002. №5. С. 126.

66. Горлов М.И., Кисурин А.А., Некрасов В.А. Информативность некоторых шумовых параметров о качестве полупроводниковых приборов // Сб. трудов по полупроводниковым материалам и их применению. Воронеж. ВПИ. 1973. С. 97-102

67. Геленко А.И., Гуляев A.M., Короневский И.М. и др. Шумовые методы контроля высоковольтных силовых кремниевых диодов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1996. С. 185 - 190.

68. Гуляев A.M., Короневский И.М., Кукуев И.Ю. Прогнозирование отказов диодов по шумовым и вольтфарадным характеристикам // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1997. С. 98 - 139.

69. Гоц С.С. Динамика формирования спектров шума 1/f в субмикронных электронных системах // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1999. С. 135 - 139.

70. Jones В.К., Zhigal'skii G.P. // Proc. 16th Int. Conf. "Noise and Fluctuation" / Ed. J. Bosman. Florida: World Scientific, 2001. P. 73.

71. Горлов М.И., Жарких А.П., Смирнов Д.Ю. Устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам // Патент РФ №2263326. Опубл. 27.10.2005. Бюл. №30.

72. Wait J.V., Huelsman L.P., Korn G.A. Introduction to operational amplifier theory and applicatoins. New York.: McGraw-Hill. 1999. - 298 C.

73. Horowits P., Hill W. The art of electronics. New York.: Cambridge press. 1993.-355 C.

74. Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Козьяков H.H. Устройство для измерения параметра низкочастотного шума у // Мат. докл. научн. -техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2006 С. 65 67.

75. Воробьев М.Д., Кармазин С.В., Коханов Н.Г., Склизнев С.М., Смирнов Л.П. Способ определения коэффициента шума полевых транзисторов и транзисторных структур // Патент РФ №2012006. Опубл. 30.04.64. Бюл. №8.

76. Горюнов Н.Н., Лукашев Н.В. Устройство для быстрой оценки МОП транзисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1997. С. 111-113.

77. Маркин В.А. Прибор для измерения шумовых характеристик полевых транзисторов // Авт. свид. СССР №291172. Опуб. 06.01.71. Бюл. №3.

78. Острова С.О., Асадуллина В.Р. Устройство для измерения шумов контактов резисторов // Авт. свид. СССР №421942. Опуб. 30.03.74. Бюл. №12.

79. Рождественский О.Л. Сравнение спектрального и фрактального анализа при обработке случайных процессов с интенсивностью 1/f //

80. Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1997. С. 234 - 235.

81. Кострюков СЛ. Автоматизированная установка для измерения СПМ низкочастотных шумов // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2004. С. 106- 109.

82. Горлов М.И., Андреев А.В., Воронцов И.В. Воздействие электростатических разрядов на изделия электронной техники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: изд-во ВГУ. 1997 - 160 с.

83. Горлов М.И., Емельянов В.А., Смирнов Д.Ю. Возможность отбраковки полупроводниковых приборов по уровню низкочастотного шума // Компоненты и технологии 2005. №8. С. 198 201.

84. Смирнов Д.Ю. Разделение интегральных схем по надежности с использованием низкочастотного шума // Мат. докл. научн. техн. конф. „ Микроэлектроника и информатика - 2006". 19-21 апреля Зеленоград. 2006. С. 110.

85. Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Ануфриев Д.Л. Разделение интегральных схем по надежности с использованием 1/f шума // Известия вузов. Электроника. 2006. № 1. С. 84 - 89.

86. Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Ануфриев Д.Л. Разделение интегральных схем по надежности с использованием шумовых параметров // Техника машиностроения. 2006. № 1. С. 17 22.

87. Yibing S., Guangju С., Houjun W. Substrate noise coupling in mixed-signal integrated circuits // Dianzi keji daxue xuebau. Univ. electron, and Technol. China. 2000. № 2. C. 174 177.

88. Горлов М.И., Рубцевич И.И., Смирнов Д.Ю. Способ разделения интегральных схем // Патент РФ №2278392. Опубл. 20.06.2006. Бюл. №17.

89. Денисюк В.А, Копыл А.С. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов // Авт. свид. СССР № 490047. Опуб. 30.10.75. Бюл.№ 40.

90. Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Сегал Ю.Е., Емельянов А.В. Использование уровня шумов для контроля полупроводниковых изделий при термоциклировании // Известия вузов. Электроника. 2005. № 6. С. 89 -92.

91. Воробьев Н.Г., Врачев А.С., Чарыков Н.А. Шумовые свойства и устойчивость мощных биполярных транзисторов ко вторичному пробою // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 1995. С. 229 - 234.

92. Горлов М.И., Ануфриев Д.Л., Смирнов Д.Ю., Николаева Е.П. Неразрушающий метод контроля устойчивости к вторичному пробою // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2006 С. 68 - 71.

93. Горлов М.И., Николаева Е.П., Смирнов Д.Ю. Влияние электростатических разрядов на электрические параметры ИС типа KA1034HP3 // Мат. докл. научн. техн. сем. „Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М.: 2003 С. 160 -161.

94. Смирнов Д.Ю., Горлов М.И. Влияние электростатических воздействий на интегральные схемы типа КА1034HP3 // Мат. докл. научн. техн. конф. „Радиоэлектроника, электротехника и энергетика". 2-3 марта Москва. 2004. С. 243.

95. Петров Б.К., Горлов М.И., Смирнов Д.Ю. Расчет термических эффектов при воздействии ЭСР на биполярные транзисторы // Мат. докл. научн. техн. конф. „Радиолокация, навигация, связь". Воронеж. 2004. С. 665-672.

96. Горлов М.И., Строганов А.В., Смирнов Д.Ю. Прогнозирование деградации транзисторов с использованием методов теории и анализа временных рядов // Микроэлектроника. 2006. Том 35. №3. С. 259 267.

97. Горлов М.И., Емельянов В.А., Рубцевич И.И., Смирнов Д.Ю. Методы диагностики полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов // Микроэлектроника. 2005. Том 34. №3. С. 27-36.

98. Горлов М.И., Андреев А.В., Емельянов А.В., Литвиненко ДА., Смирнов Д.Ю. Способ разделения биполярных транзисторов по стабильности обратных токов // Патент РФ №2242018. Опубл. 10.12.2004. Бюл. №34.

99. Горлов М.И., Жарких А.П., Емельянов А.В., Смирнов Д.Ю. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов // Патент РФ №2234104. Опубл. 10.08.2004. Бюл. №22.

100. Горлов М.И., Жарких А.П., Шишкин И.А., Смирнов Д.Ю. Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности // Патент РФ №2258234. Опубл. 10.08.2005. Бюл. №22.