Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных схем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Москалев, Вячеслав Юрьевич

• Москалев, Вячеслав Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Москалев, Вячеслав Юрьевич

Введение.

Глава 1. РАДИАЦИОННЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ И КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ БИПОЛЯРНЫХ И КМОП СХЕМ.

1.1 Основные радиационные эффекты в элементах интегральных схем.

1.1.1 Классификация радиационных эффектов.

1.1.2 Действие облучения на кремниевые биполярные транзисторы.

1.1.3 Действие облучения на кремниевые униполярные транзисторы.

1.2 Особенности технологии изготовления КМОП БИС с повышенной радиационной стойкостью.

1.2.1 Технологические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС.

1.2.2 Повышение устойчивости КМОП-схем к импульсам ионизирующего излучения большой мощности.

1.2.3 Влияние технологии формирования подзатворного диэлектрика на радиационную стойкость ИС.

1.2.4 Методика контроля радиационной стойкости МОП структуры.

1.3. Методы повышения радиационной стойкости биполярных ИС.

1.3.1 Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости ТТЛШ ИС.

1.3.2 Увеличение радиационной стойкости ТТЛШ БИС с помощью метода радиационно-термической отбраковки.

Глава 2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ И ТОПОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ИС ТИПА 1273ЕЕ2Т С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ.

2.1 Специфика проектирования ИС типа 1173ЕЕ2Т с повышенной радиационной стойкостью.

2.2 Проектирование радиационно-стойких усилительных и дифференциальных каскадов.

2.2.1 Усилительные каскады.

2.2.2 Дифференциальные каскады.

2.2.3 Влияние гамма излучения на шумовые характеристики дифференциального каскада.

2.3 Проектирование радиационно-стойких интегральных операционных усилителей.

2.3.1 Влияние гамма-излучения на параметры интегральных операционных усилителей.

2.3.2 Критериальные параметры для оценки стойкости интегральных операционных усилителей.

2.3.3 Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости ИОУ.

2.4 Выбор полупроводниковой структуры и состава необходимых элементов ИС типа 1173ЕЕ2Т.

Глава 3. АНАЛИЗ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДО И ПОСЛЕ

ИСПЫТАНИЙ НА ВОЗДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ НА ИС ТИПА 1173ЕЕ2Т.

3.1 Режимы и специфика работы ИС типа 1173ЕЕ2Т.

3.1.1 Схема включения и блок-схема микросхемы.

3.1.2 Импульсный источник питания +3,3 В.

3.1.3 Импульсный источник питания +5 В.

3.1.4 ШИМ-контроллеры источников питания +3,3в и +5В.

3.2 Характеристика разработанной ИС типа 1173ЕЕ2Т.

3.3 Испытания на стойкость ИС типа 1173ЕЕ2Т к воздействию ионизирующего излучения.

3.3.1 Результаты испытаний ИС типа 1173ЕЕ2Т на стойкость к воздействию максимальной мощности экспозиционной дозы гамма-излучения.

3.3.2 Результаты испытаний ИС типа 1173ЕЕ2Т на стойкость к воздействию экспозиционной дозы гамма-излучения.

3.4 Оценка гамма-процентного ресурса ИС типа 1173ЕЕ2Т.

3.5 Оценка гамма - процентного срока сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т.

Глава 4. СПОСОБЫ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ.

4.1 Способ неразрушающего контроля качества на примере ИС типа К561ЛН2.

4.2 Способ отбраковки потенциально ненадежных схем с помощью динамических токов потребления на примере ИС типа КР1533ЛН1.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных схем»

Актуальность темы

Разработка радиационно-стойких интегральных схем (ИС) является не только одним из перспективных направлений в современной микро- и наноэлектронике, но также просто необходимой для поддержания работоспособности высокотехнологичного оборудования, например, в условиях освоения космоса или вблизи ядерных силовых установок. Поэтому, как правило, такие ИС находят применение в составе аппаратуры на борту космических летательных аппаратов, а также в различной военной радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Анализ сравнительных данных по радиационной стойкости различных ИС показывает, что далеко не все типы ИС способны гарантированно обеспечивать работоспособность аппаратуры в условиях воздействия указанных реальных уровней ионизирующего излучения. Так МОП ИС

15 2 обладая высокой стойкостью к потоку нейтронов (до 10 см"), отличаются весьма высокой чувствительностью к гамма излучению и лишь отдельные типы ИС сохраняют работоспособность при уровне гамма излучения 106 рад.

Повышенные требования по стойкости к радиации полупроводниковых изделий, а именно к потоку нейтронов порядка 1015 см"2 и гамма-излучению порядка 106 рад, определяют актуальность разработки радиационно-стойких ИС.

Диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (81, А3В5 и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888.

Цели и задачи работы

Цель работы состояла в исследовании известных и разработке принципиально новых конструктивно - технологических и других комплексных методов повышения радиационной стойкости биполярных и

КМОП ИС и применению их в разрабатываемой ИС типа 1173ЕЕ2Т (контроллер источника питания), выполненной по БиКМОП технологии.

Для достижения поставленной цели были определены следующие задачи:

1. Изучить проблемы разработки радиационно - стойких биполярных и КМОП ИС на современном этапе, а также возможности их исполнения на территории РФ.

2. Разработать и апробировать комплекс мер для повышения радиационной стойкости как биполярных, так и КМОП ИС, в том числе и к импульсам гамма излучения большой мощности с учетом уже известных конструктивно-технологических методов и с применением новых технологических, топологических и схемотехнических решений.

3. Разработать радиационно-стойкий операционный усилитель (как один из важнейших функциональных блоков контроллера источника питания) и обосновать выбор схемотехнических решений для цифровых и аналоговых блоков ИС.

4. Внедрить предложенные методы увеличения радиационной стойкости применительно к ИС типа 1173ЕЕ2Т, провести испытания (в том числе и на радиационную стойкость), проанализировать изменения основных параметров ИС после воздействия радиации с целью оценки эффективности применяемых методов повышения радиационной стойкости.

5. Рассчитать гамма-процентный ресурс и срок сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т (после воздействия радиации).

6. Разработать методы отбраковки потенциально ненадежных ИС.

Научная новизна работы

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Спроектирован радиационно-стойкий операционный усилитель для ИС типа 1173ЕЕ2Т с учетом экспериментальных данных, с применением всех рассмотренных конструктивно-технологических методов, включая предложенные впервые топологические и схемотехнические решения для повышения радиационной стойкости ИС. Разработанная ИС типа 1173ЕЕ2Т выполнена на основе коммерческого процесса по БиКМОП технологии.

2. Разработано два способа отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем методом измерения и анализа форм динамических токов потребления.

Реализация результатов работы, практическая ценность

1. Разработан радиационно-стойкий операционный усилитель (как один из важнейших функциональных блоков контроллера источника питания) с обоснованием выбора схемотехнических решений для цифровых и аналоговых блоков ИС.

2. С применением комплекса мер для повышения радиационной стойкости как биполярных, так и КМОП ИС, с применением известных конструктивно-технологических методов и с использованием новых, в том числе проектирование схемотехники функциональных блоков ИС с учетом ухода пороговых напряжения транзисторов под действием гамма-излучения, секционирования и др., спроектирована радиационно-стойкая ИС типа 1173ЕЕ2Т.

3. Проведены испытания ИС типа 1173ЕЕ2Т (в том числе и на воздействие радиации) и проанализированы изменения основных электрических параметров. Показано, что схемы обладают стойкостью к максимальной мощности дозы гамма-излучения 1*107 рад/с и к накопленной п дозе гамма-излучения 3,3*10 рад, что свидетельствует о пригодности применяемых комплексных мер по улучшению радиационной стойкости БиКМОП ИС.

4. Рассчитанные значения наработки до отказа (Тн.м.) ИС типа 1173ЕЕ2Т при Т=25°С и Т=85°С удовлетворяют требованиям, приведенным в ТУ. Рассчитанное значение гамма - процентного срока сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т при Т=25°С равно Т^ ~ 658000 ч., что соответствует значению, приведенному в ТУ.

5. Разработаны два способа отбраковки потенциально ненадежных схем на основе измерения и анализа форм динамических токов потребления на примерах ИС типа К561ЛН2 и КР1533ЛН1 (патенты РФ №2284538 и №2276378).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Радиационные эффекты в КМОП ИС. Методы, основанные на использовании высоколегированных охранных р+-колец и тонкой эпитаксиальной пленки п-типа на высоколегированной подложке п-типа, обеспечивают отсутствие токов утечек и «защелкивания» схемы при воздействии гамма-излучения.

2. Применение кольцевой конструкции п-р-п транзистора и метода радиационно-термической отбраковки позволяет получать ИС со стойкостью к потоку нейтронов порядка 1015 см"2.

3. Схемотехнические методы увеличения радиационной стойкости функциональных блоков ИС типа 1173ЕЕ2Т, такие как радиационная стабилизация напряжения на выходе дифференциального каскада с применением приемов секционирования транзисторов и резистивных нагрузок.

4. Результаты испытаний на стойкость к воздействию гамма излучения ИС типа 1173ЕЕ2Т, анализ, сравнение и изменение основных параметров до и после воздействия с целью подтверждения эффективности применяемых комплексных мер. Расчет гамма - процентного ресурса и гамма - процентного срока сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т после воздействия радиации.

5. Два способа отбраковки потенциально ненадежных ИС на основе измерения и анализа форм динамических токов потребления позволяют выявлять потенциально ненадежные схемы методом неразрушающего контроля.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: Международных научно-методических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2004, 2005, 2006), 11-ой, 13-ой Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2004, 2006), 45-47 конференциях профессорско преподавательского состава, студентов, аспирантов и сотрудников ВГТУ (Воронеж, 2005-2007).

Публикации

Основные результаты диссертационного исследования изложены в 16 научных работах, в том числе 2 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и двух патентах РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: [9] поиск и разработка конструкции биполярных п-р-п-транзисторов, обеспечивающих высокую стабильность характеристик ИС при воздействии радиационного излучения, [2, 14-16] разработка схемотехнических решений для отдельных блоков ИС типа 1173ЕЕ2Т, [1, 10, 12, 13] поиск и разработка принципов новых диагностических методов оценки технологического процесса изготовления МОП ИС, [3-8, 11] разработка двух методов отбраковки потенциально ненадежных ИС.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Работа изложена на 115 страницах машинописного текста, включая 35 рисунков и 14 таблиц. Список литературы содержит 92 наименования.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Москалев, Вячеслав Юрьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В настоящей диссертации рассмотрена проблема повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП ИС схемотехническими и конструктивно-технологическими способами. Кроме того изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи - замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности партий ИС, основанными на измерении и анализе форм параметров динамических токов потребления как при производстве, так и на входном контроле у изготовителей радиоэлектронной аппаратуры.

В диссертации получены следующие научно - технические результаты:

1. Разработан радиационно-стойкий операционный усилитель (как один из важнейших функциональных блоков контроллера источника питания) с обоснованием выбора схемотехнических решений для цифровых и аналоговых блоков ИС.

2. С применением комплекса мер для повышения радиационной стойкости как биполярных, так и КМОП ИС, с применением известных конструктивно-технологических методов и с использованием новых, в том числе проектирование схемотехники функциональных блоков ИС с учетом ухода пороговых напряжения транзисторов под действием гамма излучения, секционирования, и др. спроектирована радиационно-стойкая ИС типа 1173ЕЕ2Т.

3. Проведены испытания ИС типа 1173ЕЕ2Т (в том числе и на воздействие радиации) и проанализированы изменения основных электрических параметров. Показано, что схемы обладают стойкостью к максимальной мощности дозы гамма излучения 1 * 107 рад/с и к накопленной п дозе гамма излучения 3,3*10 рад. Что свидетельствует о пригодности применяемых комплексных мер по улучшению радиационной стойкости БиКМОП ИС.

4. Рассчитан гамма-процентный ресурс (Тру) и наработка до отказа (Ти м ) ИС типа 1173ЕЕ2Т при Т=25°С и Т=85°С. Получено ТРУ(25°С) ~ 12825000 ч; Т„.М.(25°С) ~ 5130000 ч; Тру(85°С) ~ 856000 ч; Т„.м. (85°С) ~ 342000 ч, что удовлетворяет требованиям приведенным в ТУ. Рассчитанное значение гамма - процентного срока сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т при Т=25°С равно Тсу ~ 658000 ч., что соответствует значению, приведенному в ТУ.

5. Разработаны два способа отбраковки потенциально ненадежных схем на основе измерения и анализа форм динамических токов потребления на примерах ИС типа К561ЛН2 и КР1533ЛН1 (патенты РФ №2284538 и №2276378).

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Москалев, Вячеслав Юрьевич, 2007 год

1. Попов В.Д., Катеринич И.И., Курин Ф.М. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП-интегральных схем // Chip News. 1997. № 3. С. 20-22.

2. Горлов М.И. Физические основы надежности интегральных микросхем. Учебное пособие Воронеж. 1992. - 99с.

3. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 286 с.

4. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат. 1989. - 256с.

5. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969. - 310с.

6. Горлов М.И., Ладыгин Е.А., Лобов И.Е., Тонких Н.Н., Черников A.M., Юсов Ю.П. Радиационная стойкость кремниевых интегральных схем // Обзоры по электронной технике, серия 3. 1987. 40с.

7. Revesz A.G. Noncrystalline silicon dioxide films on silicon: a review // J. of Non-Crystalline Solids. 1973. Vol. 11. P. 309-330.

8. Sah C.T. Origin of interface states and oxide charges generated by ionizing radiation // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1976. Vol. NS-23. № 6. P. 1563-1568.

9. Lenahan P.M., Conley J.F. A comprehensive physically based predictive model for radiation damage in MOS systems // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1998. Vol. NS-45. № 6. P. 2413-2423.

10. Radiation-induced hole trapping and interface state characteristics of al-gate and poly-gate MOS capacitors // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1985. Vol. NS-32. № 6. P. 3929-3934.

11. Гришаков B.B., Попов В.Д. Модель макродефекта в подзатворном оксиде кремния МОП-транзисторов // Научная сессия МИФИ-99. Сб. научн. тр. М.: МИФИ, 1999. Т. 6. С. 76-77.

12. E.H. Petersen, "Single-Event Analysis and Prediction" I I IEEE NSREC Short Course. 1997. CI.

13. Nikiforov A.Y. and Skorobogatov P.K., "Dose rate laser simulation tests adequacy: Shadowing and high intensity effects analysis"// IEEE Trans. Nucl. Sci. Dec. 1996. Vol. 43. No.6, pp. 3115-3121.

14. Агаханян T.M. Синтез аналоговых устройств : Учебное пособие// М.: МИФИ. 1989. С13.

15. Edward W. Enlow, William Combs, Ron D. Schrimpf, R. Nathan Nowlin. Response of Advanced Bipolar Processes to Ionizing Radiation // IEEE Trans, on Nuclear Science. December 1991. Vol. 38. No. 6, pp. 1342-1351.

16. Petersen E. D. Single-event analysis and prediction, 1997 IEEE NSREC. Short Course: "Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems", July 21, 1997 Snowmass Conference Center, Snowmass Village, Colorado, pp. Ill-1 III-160.

17. Оболенский C.B. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP—973799 Semiconductors., Нижний Новгород, 2003. С4.

18. Бойченко Д. В. , Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ // Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000 . С55.

19. Chumakov A.I, Kuznetsov N. V. Simplified threshold estimation of proton-induced SEU, 1997 Fourth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings. RADECS 97. Cannes, pp. 553556, 1997.

20. Чумаков А.И. Упрощенная методика оценки чувствительности ИС к одиночным сбоям. Микроэлектроника, т.27, No.6,CTp.475-479, 1998.

21. Chumakov A.I., Tverskoy М. G. Estimation of Ion- and Proton-Induced SEU Rate by Two Values of Saturation Cross Sections, 2001 Sixth European

22. Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. RADECS 2001. Grenoble.

23. Chumakov A.I. Correlation of Ion- and Proton-Induced Single Event, Proc. of the Fourth Workshop on Electronics for LHC Experiments, Rome, Sept. 21-25, 1998, pp. 476-479.

24. Miroshkin V.V., Tverskoy M.G. A simple approach to SEU cross section determination, IEEE Trans, on Nucl. Sci., vol. 45, no. 6, pp. 2884-2890, Dec. 1998.

25. Doucin В., et al. Model of Single Event Upsets Induced by Space Protons in Electronic Devices, Proc. RADECS-95, Sep. 18-22, 1995, Arcachon, France, pp.402-408.

26. Lehnard Ch. Стандарт MIL-HDBK-217: пришло время его переосмысления // Электроника. 1992. № 3-4. С. 68-70.

27. Горлов М.И., Москалев В.Ю. Методы диагностики дефектности оксидных пленок. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж 2005. С 59-64.

28. Вихрев Б.И., Герасименко Н.Н., Лебедев Н.Н. Исследование радиационных структурных нарушений в пленках Si02 методом ЭПР // Микроэлектроника. 1977. Том 6. Вып. 1. С. 71-74.

29. Pikor A., Reiss Е.М. Technological advances in the manufacture of radiation hardened CMOS integrated circuits. IEEE Transaction on Nuclear Science, 1982, Vol. NS-24, No 6, pp. 2047-2050.

30. Оспищев Д.А., Попов В.Д. Исследование дефектов оксида кремния методом "облучение-отжиг" // Физика окисных пленок: Тезисы докладов 4-ой всероссийской научно-технической конф. (Петрозаводск, 28-30 мая 1994 г.). Петрозаводск: ПГУ. 1994. С. 58.

31. Бечина И.А., Попов В.Д. Прогнозирование отказов КМОП ИС с помощью метода рабочих областей. Препринт 084-88. М.: МИФИ. 1988. 23 с.

32. Вихрев Б.И., Герасименко Н.Н., Лебедев Н.Н. Исследование радиационных структурных нарушений в пленках Si02 методом ЭПР // Микроэлектроника. 1977. Том 6. Вып. 1. С. 71-74.

33. Calvel С. М., et al. An empirical model for predicting proton induced upset // IEEE Trans, on Nucl. Sci., vol. 44, no 6, pp. 2827-2832, Dec. 1996.

34. Swift G.M. et al. Single-Event Upset in the PowerPC750 Microprocessor, vol. 48, no. 6, pp. 1822-1827, Dec. 2001.

35. Peatle C.Gio., Adams J.D., Carrell S.L., George T.D, Valek M.H. Слагаемые надежности полупроводниковых приборов // ТИИЭР (русск.пер.). 1974. №2. С. 637-639.

36. Адонин А.С., Поляков, И.В., Петросянц К.О., Куликов В.Н. Интегральный фотоэлектрический источник питания для устройств контроля и управления, работающих в специальных условиях. Сб. XI научн. техн. конф. Датчик-99, Гурзуф, 1999. С. 94.

37. Pease В. Что же это за стандарт MIL-HDBK-217? // Электроника (русск.пер.). 1992. № 3-4. С. 71-72.

38. Чумаков А.И. Оценка заряда, собранного с трека отдельной ядерной частицы за счет дрейфовых процессов // Микроэлектроника. Т.20. N4. С.402-406, 1991.

39. Соколов В.И. Анализ дрейфовых процессов в кремнии при воздействии радиации // Микроэлектроника. Т. 18. N3. С.325-328, 1990.41. http://www.research.ibm/com/ionbeams717php.htm

40. Touboul A., Verdier F., Herrve Y. // Proc. Int. Conf. "Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations" / Eds T. Musha, S. Sato, M. Yamamoto. Kyoto, Japan, 1991. P. 73.

41. Горлов М.И., Королев С.Ю., Бордюжа O.JI. Повышение надежности интегральных микросхем в процессе серийного производства // Матер, докл. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1996. С. 250-260.

42. Зебрев Г.И. Расчет интенсивности единичных сбоев от тяжелых заряженных частиц космического пространства // ВАНТ, 2002, №4. С.95-98.

43. Zhigal'skii G.P., Gal'chenko V.R. // Proc. 17th Int. Conf. "Noise and Fluctuation" / Ed. J. Sikula. Brno University of Technology, 2003. P. 749.

44. Herrve Y. et al. Single-Event of Military and Space Electronics, vol. 48, no. 6, pp. 1822-1827, Dec. 2001.

45. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Мн.:Из-во "Интеграл", 1997. С.390.

46. Sinnadurai N. System reliability. Commercialization of Military and Space Electronics: Materials of working shop meeting (Nicce, 28/09/98 1/10/98), pp. 115-119.

47. Горлов М.И., Москалев В.Ю. Метод для диагностики технологического процесса изготовление МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов // Межвузовский сборник научных трудов. Воронеж. 2004. С. 101-104.

48. Doucin В., et al. Model of Single Event Upsets Induced by Space Protons in Electronic Devices, Proc. RADECS-95, Sep. 18-22, 1995, Arcachon, France, pp.402-408.

49. Москалев В.Ю. Метод для диагностики технологического процесса изготовление МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов Межвузовский сборник научных трудов. Воронеж. 2004. С. 45-51.

50. Radiation-induced hole trapping and interface state characteristics of al-gate and poly-gate MOS capacitors // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1985. Vol. NS-32. № 6. P. 3929-3934.

51. Жарких А.П. Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума: Автореф. диссерт. на соиск. степ, к.т.н. / ВГТУ. Воронеж. 2005. С. 16.

52. Ziegler J.F. et al. TRIM98. www.research.ibrn/com/ionbeams.

53. C.G.Peatle, J.D.Adams, S.L.Carrell, T.D.George, M.H.Valek. Слагаемые надежности полупроводниковых приборов // ТИИЭР (русск.пер.). 1974. № 2. С. 637.

54. Дунаев С.Д., Москалев В.Ю. Электронное устройство управления охранной сигнализацией. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. ВГТУ. 2003. С. 168-173.

55. Москалев В.Ю. Технологические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС // Матер, докл. науч. техн. сем. 13-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика». М. 2006. С. 72.

56. Shanfíeld Z. Thermally stimulated current measurements on irradiated MOS capacitors // IEEE Transaction on Nuclear Science, 1983, Vol. NS-30, No 6, pp. 40644070.

57. Агаханян T.M., Никифоров А.Ю. Моделирование переходных эффектов в интегральных операционных усилителях при воздействии импульсного ионизирующего излучения // Научная сессия МИФИ-2000. Сб. науч. тр. М.:МИФИ, 2000. Т.1. С. 163-164.

58. Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах.// Микроэлектроника. 2004. Т. 33. №3. С. 43.

59. Sinnadurai N. System reliability. Commercialization of Military and Space Electronics: Materials of working shop meeting (Nicce, 28/09/98 1/10/98), pp. 115-119.

60. Оптимизация параметров компонентов интегральных микросхем / Рембеза С.И., Бережной А.С., Смуров К.В, Москалев В.Ю. // Вестник ВГТУ. Сборник научных трудов. Воронеж 2007. С. 163-164.

61. Дунаев С.Д., Москалев В.Ю., Бережной А.С. Способ и устройство автоматического контроля динамических токов потребления микросхем // Матер, докл. науч. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М. 2004. С. 262-266.

62. Shanfield Z. Thermally stimulated current measurements on irradiated MOS capacitors // IEEE Transaction on Nuclear Science, 1983, Vol. NS-30, No 6, pp. 40644070.

63. Tylka A.J., et al. CREME96: A Revision of the Cosmic Ray Effects on Micro-Electronics Code, IEEE Trans, on Nuclear Science, Vol. 44, No.6, pp.21502160, Dec. 1997.

64. Проектирование радиационно-стойких операционных усилителей. / Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И., Москалев В.Ю.// Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. 2006. С. 185-189.

65. Горлов М.И., Москалев В.Ю. Способы отбраковки потенциально-ненадежных ИС. // Вестник научно-исследовательской работы студентов физико-технического факультета. Сборник научных трудов. Воронеж. 2005. С. 52-59.

66. Сравнительная характеристика диагностических способов разделения интегральных схем по надежности / М.И. Горлов, H.H. Козьяков,

67. B.Ю. Москалев // Известия вузов. Электроника. 2007. № 4. С. 74 77.

68. Влияние электростатических разрядов на динамические токи потребления интегральных схем / Горлов М.И., Емельянов A.B., Дунаев

69. C.Д., Москалев В.Ю. // Матер, докл. науч. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М. 2005. С. 176181.

70. US Patent 5.973.363. Oct. 26, 1999. CMOS circuit with shortened p-channel length on ultrathin silicon on insulator.

71. Попов В.Д. Пострадиационный эффект в ИС. Неразрушающий контроль качества ИС // Электроника: наука, технология, бизнес. 2002. № 4. С. 36-39.

72. Бейер Р. Системы на кристалле. Актуальные проблемы // Инженерная микроэлектроника. 1998. № 1. С. 18-19.

73. Lehnard Ch. Стандарт MIL-HDBK-217: пришло время его переосмысления // Электроника. 1992. № 3-4. С. 68-70.

74. Bendel W. L., Petersen Е. L. Proton upsets in orbit // IEEE Trans, on Nucl. Sei., vol. 30, no. 6, pp. 4481-4485, Dec. 1983.

75. Vaccaro J. Требования к надежности полупроводниковых приборов, предъявляемые министерством обороны США. ТИИЭР (русск.пер.). 1974. №1. С. 56-57.

76. C.G.Peatle, J.D.Adams, S.L.Carrell, T.D.George, M.H.Valek. Слагаемые надежности полупроводниковых приборов // ТИИЭР (русск.пер.). 1974. № 2. С. 637.

77. Akkerman A., Barak J, Lifshitz Y. Nuclear Models for Proton Induced Upsets: a Critical Comparison, IEEE Trans, on Nucl. Sei., vol. 49, no. 3, pp. 15391546, June, 2002.87. http://www.Peregrin-semi/com/tech/21585info.htm.

78. Pickel J.C. Single event effects rate prediction // IEEE Trans, on Nucl. Sei., vol. 46, no. 1, pp. 156-201, Nov. 1997.

79. Чернышев A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Радио и связь, 1988. С. 180 - 184.

80. Пат. 2284538 Российская Федерация, МГПС7 7G01R 31/26, HOIR 21/66. Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем / М.И. Горлов, A.B. Емельянов, В.Ю. Москалев; № 2003105569/28; заявл. 26.04.2005; опубл. 27.09.2006; бюл. № 34. 4 с.