Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Жарких, Александр Петрович

• Жарких, Александр Петрович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Жарких, Александр Петрович

Общая характеристика работы

Глава 1. МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ШУМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ.

1.1 Виды шумов в полупроводниковых приборах.

1.2. НЧ шум в различных полупроводниковых приборах.

1.3 Физические модели механизмов 1/f шума в полупроводниковых приборах.

1.3.1 Модель на основе генерационно-рекомбинационной теории.

1.3.2 Объяснение 1/f спектра случайным распределением поверхностного потенциала.

1.3.3 Генерация НЧ шума, обусловленная подвижностью свободных носителей заряда в поверхностной зоне инверсионных слоев.

1.3.4 Модель с использованием туннельного эффекта.

1.4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра надежности.

Выводы к главе 1.

Глава 2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.

2.1. Предварительный усилитель.Т!.

2.2 .Основной усилитель.

2.3. Детекторы и фильтры.

2.4.Корреляционный метод измерения низкочастотного шумов.

2.5.Установка для измерения низкочастотного шума.

Выводы к главе 2.

Глава 3. СПОСОБЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НАНАДЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО НИЗКОЧАСТОТНЫМ ШУМАМ.

3.1 Диагностика биполярных транзисторов по шумам переходов.

3.2. Определение потенциально нестабильных полупроводниковых приборов по ампер-шумовым характеристикам.

3.3. Способы контроля качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов.

3.4. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов.

3.5. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов с использованием разности температур.

3.6. Способ разделения полупроводниковых резисторов по надежности.

3.7. Влияние электростатических разрядов на значения низкочастотного шума варикапов типа KB 107.

Выводы к главе 3.

Глава 4. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РАССМОТРЕННЫХ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПО РАЗЛИЧНЫМ КРИТЕРИЯМ.73 4.1. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов на примере транзисторов КТ3102ГМ.

4.3. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов с использованием ЭСР на примере транзисторов КТ502А.;.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума»

Актуальность темы.

Среди множества проблем современной полупроводниковой электроники особое место занимает проблема качества и надежности выпускаемой продукции. Страны с развитой электронной промышленностью ( США, Япония и др.) ежегодно затрачивают огромные средства на повышение качества и надежности своей продукции [1].

Известно, что в полупроводниковых приборах (ПП) (диодах и транзисторах) на ряде технологических операций возникают внутренние механические напряжения (МП) как результат нагрева (термические МН), легирования (концентрационные МН), нанесения и травления различных функциональных слоев (структурные и межфазные МН). В поле механических напряжений резко ускоряется подвижность точечных дефектов, изменяется их равновесная концентрация и дефектная структура эволюционирует в направлении формирования макроскопических дефектов, наличие которых у ПП резко ухудшает ее надежностные характеристики [2].

Одной из особенностей производства ПП является то, что в каждой выпускаемой партии приборов, полностью соответствующей по качеству и надежности требованиям нормативно-технической документации, то есть техническим условиям (ТУ) и конструкторской документации (КД), имеются приборы, различающиеся по надежности на два и более порядка, то есть присутствуют приборы со скрытыми дефектами, которые могут отказать как в период приработки, так и в период нормальной работы, и приборы, которые обладают повышенной по сравнению с основной массой приборов надежностью. Для устранения из партии потенциально ненадежных ПП проводятся сплошные отбраковочные испытания, включающие испытания при повышенной и пониженных температурах, термоциклирование, электротермотренировку (ЭТТ) и т.п.

Задачей производственников является нахождение такого метода отбраковки ПП в процессе их производства, который позволял бы, во-первых, отбраковывать потенциально-ненадежные приборы; во-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, например ЭТТ, на диагностические методы, которые были бы не менее эффективными, но более дешевыми.

В настоящее время известно множество диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных 1111 (использование ш-характеристик, тепловых характеристик, и др.), но достоверность этих методов недостаточна для того, чтобы внедрить один из них в технологический процесс изготовления ПП вместо дорогостоящих отбраковочных испытаний. Поэтому главной задачей в разработке новых и модификации известных методов диагностирования 1111 является повышение их достоверности до уровня не менее 90-95 %, что требуют национальные стандарты стран с развитой электронной промышленностью

3].

Наиболее перспективным методом диагностирования 1111 из-за простоты его реализации, является метод низкочастотных (НЧ) шумов. Но достоверность этого метода составляет порядка 50 %, а известные модификации позволяют повысить достоверность данного метода только до 70-80 % [4].

Зачастую в производстве возникает необходимость не только отбраковки потенциально-ненадежных 1111, но и выделить из партии группу приборов с повышенным уровнем надежности.

Поэтому считаем, что поиск модернизаций диагностических методов с использованием НЧ шумов с целью повышения достоверности отбраковки потенциально-ненадежных ПП до уровня не менее 90-95 %, что позволило бы внедрить его в производство вместо ЭТТ, с одновременной возможностью диагностического выделения из партии 1111 группу приборов, имеющую повышенный уровень надежности, является в настоящее время весьма актуальным.

Работа выполнялась по теме ГБ2004-34 "Исследование полупроводниковых материалов, приборов и технологии их изготовления" и ГБ2001-34 "Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах".

Цели и задачи работы. Целью настоящей диссертации является разработка новых диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных 1111 на основе измерения НЧ шумов, способных заменить дорогостоящие и длительные отбраковочные испытания как при производстве ПП, так и на входном контроле предприятий- изготовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также позволяющих выделить из партии 1111 группу высоконадежных приборов. Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

1. Спроектировать и разработать установку для измерения НЧ шумов.

2. Разработать новые методы диагностирования потенциально-ненадежных ПП, основанные на измерении НЧ шумов, и изменении шумов до и после воздействия электростатических разрядов (ЭСР).

3. Разработать способ выделения группы 1111 повышенной надежности.

4. Провести анализ взаимозависимости новых методов диагностики ПП, сравнение достоверности, получаемых по ним результатов, используя статистические методы.

Научная новизна работы. В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. На основе непосредственного измерения НЧ шумов ПП разработаны новые диагностические методы:

-способ определения потенциально ненадежных транзисторов на основе сравнения шумов различных переходов биполярных транзисторов;

- два способа разбраковки полупроводниковых приборов на измерении ампер-шумовых характеристик при малых и больших токах.

2. На основе измерения НЧ шумов и воздействия ЭСР разработаны следующие диагностические методы:

- способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов (патент N 2230335 от 21.10.2002)

- два способа определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов

3. Разработан способ разделения полупроводниковых приборов по надежности на основе разности температур.

Реализация результатов работы, практическая ценность.

1. Разработана установка для автоматического снятия ампер-шумовых характеристик полупроводниковых приборов. На принцип положенный в основу, подана заявка на изобретение.

2. Разработан способ определения потенциально ненадежных транзисторов, позволяющий путем измерения и сравнения НЧ шумов различных переходов выявить потенциально ненадежные транзисторы. На данный способ получен патент (N 2234163 от 07.04.2003).

3. Разработаны способы определения потенциально ненадежных и потенциально нестабильных полупроводниковых приборов на основе измерения НЧ шума до и после воздействия ЭСР, позволяющие отбраковать потенциально ненадежные и нестабильные транзисторы. На данные способы получены патенты на изобретения (N 2230335 от 21.10.2002, N 2234104 от 26.02.2003, N 2249227 от 27.03.2005).

4. Разработан способ разделения полупроводниковых приборов по надежности на основе разности значений интенсивности шумов до и после температурного отжига после воздействия ЭСР. На данный способ подана заявка на изобретение.

5. Разработаны 2 способа разбраковки полупроводниковых приборов по сравнению ампер- шумовых характеристик приборов. На разработанные способы поданы заявки на изобретения.

6. Разработан способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов с использованием разности температур. На данный способ подана заявка на изобретение.

Основные положения и результаты выносимые на защиту.

1. Принцип работы автоматизированной установки снятия ампер-шумовых характеристик полупроводниковых приборов.

2. Три способа определения потенциально ненадежных 1111, основанных на измерении НЧ шума.

3. Три способа определения потенциально ненадежных 1111, основанных на измерении НЧ шума, воздействии ЭСР и последующего температурного отжига.

4. Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием 114 шума и разности температур.

5. Сравнительный анализ различных диагностических способов по их достоверности.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международных научно-технических семинарах "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах " (Москва, 2001-2004 гг.), Всероссийской научно-технической конференции молодых ученых и студентов (Красноярск, 2002г.), IV Международной научно-технической конференции (Зеленоград, 2002г.), IX международной научно-технической конференции "Радиолокация, навигация, связь"

Воронеж 2003), 41 - 44 научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2001-2004 гг.).

Публикации

Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, 4 патентах на изобретения.

В совместных работах автору принадлежит поиск и разработка принципов новых методов, проведение экспериментов, анализ и обобщение результатов.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 98 страниц текста, включая 10 рисунков, 22 таблицы и список литературы из 108 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Жарких, Александр Петрович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи - замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности ПП как при производстве, так и на входном контроле у изготовителей радиоэлектронной аппаратуры.

Изучение природы шумов в ПП и на этой основе разрабатывать способы прогнозирования их качества и надежности необходимо продолжать.

Но уже сейчас можно сделать выводы по известным способам прогнозирования по шумам, что в зависимости от способа и установленного критерия зависит достоверность прогнозирования по шумам потенциально ненадежных изделий, сочетание измерение шумов -внешнее воздействие — измерение шумов дает более достоверные результаты прогнозирования потенциально ненадежных приборов, чем просто измерение шумов.

В диссертации получены следующие научно — технические результаты:

1. Исследование зависимости НЧ шума транзисторов от типа перехода, от ампер — щумовой характеристики при малых и больших токах позволило разработать три новых диагностических способа. На способы поданы заявки на изобретения и уже получен один патент (N 2234163 от 7.04.2003)

2. Исследование зависимости НЧ шума транзисторов от воздействия электростатических разрядов и последующего отжига позволило разработать три новых диагностических способа. На способы поданы заявки на изобретения и уже получено два патента (N 22303335 от21.10.2002 и N 2234104 от26. 02.2003)

3. Исследование зависимости НЧ шума полупроводниковых резисторов от воздействия ЭСР и последующего отжига позволило разработать способ разделения полупроводниковых приборов по надежности. На способ подана заявка на изобретение.

4. Разработана установка для автоматического снятия ампер — шумовых характеристик ПП. На принцип положенный в основу установки, подана заявка на изобретение.

5. Проведена оценка достоверности разработанных диагностических способов по сравнению с испытаниями на надежность.

Получено, что предложенные способы оценки шумов приборов с использованием ЭСР и температурного отжига, имеют достоверность не хуже 0.91 - 0.94, т. е. эти способы можно рекомендовать для внедрения в производство транзисторов вместо электротермотренировки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Жарких, Александр Петрович, 2005 год

1. Горлов М.И., Королев С.Ю., Бордюжа O.JL Повышение надежности интегральных микросхем в процессе серийного производства // Матер, докл. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1996. С. 250-260.

2. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа O.JI. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Мн.:Из-во "Интеграл", 1997.-390 с.

3. Горлов М. И., Королев С. Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж: Из-во Воронежского университета, 1995.-200 с.

4. Карпов Ю.С. Низкочастотные шумы плоскостных транзисторов. Изв. ЛЭТИ. 1963. N51. С.32-44.

5. Карпов Ю.С. Шумы транзисторов на звуковых частотах. Изв. вузов, Приборостроение. 1967. N2. С.8-10.

6. Нарышкин А.К., Врачев А.С. Теория низкочастотных шумов. —М: Энергия. 1972.С.56-67

7. Жолуд В., Кулешов В.Н. Шумы в полупроводниковых устройствах., М., Сов. Радио. 1977.С.124-135

8. Лукъянчикова М.Б., Тарбар Н.П., Петричук М.В. Исследование механизмов формирования l/f-шума в р-n переходах // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, N9. С. 1659.

9. Леонтьев Г.Е., Армонавичус В.П. l/f-шум в кремниевых р-n переходах и биполярных транзисторах // Сб. тез. докл. науч.-техн. конф. "Флуктуационные явления в физических системах". Вильнюс. 1988.С. 143.

10. Ю.Широков А.А., Пряников B.C. Низкочастотные шумы р-n перехода с глубокими примесями в области пространственного заряда // ФТП. 1976. Т.10, N12. С. 2397.

11. З.Потемкин В.В. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май-июнь 1995 // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1996. С.5-17.

12. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах/ Пер. с англ. М.: Мир, 1986.-399 с.

13. Лукьяньчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990. 296 с.

14. Леонтьев Г.Е., Армонавичюс В.П. 1/f — шум диффузионной компоненты эмиттерного тока в биполярных транзисторах. //Сб. тез. докл. 4-ой Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах". Пущино. 1985. С.57.

15. Коган Ш.М. Новые экспериментальные исследования механизма шума 1Я7/УФН. 1977. Т.123, вып. 1.С.131-136.

16. Кешнер М. С. Шум типа 1Я7/ТИИЭР. 1985. Т 145, №2. С 60-67.

17. Гоц С.С. К оценке диапазона частот фликкер-шума // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1996. С.48-53.

18. Шемендюк А.П., Ткаченко Н.Н., Серов Л.А. Влияние технологических условий изготовления эмиттера на низкочастотные шумы биполярных транзисторов//Микроэлектроника.-1985. Т.24, №1. С. 42-44.

19. Серов Л.А., Ткаченко Н.Н., Шемендюк А.П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов //

20. Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1996. С.103-105.

21. Кремниевые планарные транзисторы. / Под ред. Я. А. Федотова. — М.: Сов. Радио. 1973.-336 с.

22. Леонтьев Г.Е. Импульсный шум в биполярных транзисторах. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1998. С.45-49.

23. Kltinpening 1/f noise in р-n diodes. //Physica 1980. Vol. 98, p.289.

24. Леонтьев Г.Е. Шумы в р-n переходах и биполярных транзисторах, сформированных на кремниевых пластинах, имеющих свирлевые дефекты // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1995. С.89-94.

25. Некрасов В. А., Дурнин И. Д. О возможностях контроля качества интегральных микросхем серии К 106 на кристаллах по критериям избыточного шума // Электронная техника. 1980. сер. 8.вып. 4 (82). С. 76-78.

26. Потемкин В.В., Степанов А.В. О стационарном характере шума 1/f в низкочастотном диапазоне // Радиотехника и электроника, 1980. Т. 25, №6. С. 1269.

27. ГОСТ 17772-92. Приемники излучения полупроводниковые и фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик.

28. Мирошникова И.Н., Соколик С.А., Гуляева A.M. Повышение надежности фотодиодов из антимонида индия // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1992. С. 124-128.

29. Мирошникова И.Н., Соколик С.А., Барлашов И.Б. О природе взрывных и избыточных шумов в фотодиодах на основе антимонида индия. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы вполупроводниковых приборах М: 1995. С.208-216.

30. Белоножка С.А., Врачев А.С., Чарыков Н.А. Выявление аномалий мощных биполярных транзисторов методом шумовой диагностики. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1992. С.107-112.

31. Серов Л.А., Ткаченко Н.Н., Шемендюк А.П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1996. С.103-105.

32. Геленко А.И., Гуляев A.M., Короневский И.М. Шумовые методы контроля высоковольтных силовых кремниевых диодов. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1996. С. 185-190.

33. Врачев А.С. Возможности низкочастотного шума как прогнозирующего параметра при оценке качества и надежности изделий электронной техники.// Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1996. С. 191-197

34. Соколик С.А., Мурзов А.Л., Гуляев A.M. Установка для исследования температурной зависимости спектров мощности низкочастотного шума. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1992. С.44-48.

35. Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978.-120 с.

36. Прокопенко И.В., Осадчая Н.В. Методы структурной диагностикиполупроводниковых пластин, используемых для БИС и СБИС // Сб. тез. докл. конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев. 1991. 4.II. С. 91.

37. Соколов В.И., Лавренко С.П. Физические основы надежности интегральных схем // Сб. тез. докл. конф. "Физические основы надежности, методы и средства диагностирования интегральных схем". Воронеж. 1993. С. 24-44.

38. Беренштейн Г.В., Дьяченко A.M. Прогнозирование качества ИС на основе анализа внутренних напряжений // Сб. тез. докл. конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" Кишинев. 1991. Ч. II. С. 136.

39. Врачев А.С., Кукоев И.Ю., Нарышкин А.К. Моделирование сигналов фликкерного типа. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1997. С.122-125.

40. Потемкин В.В. XII Международная конференция по шумам. Паланга, май — июнь 1995// Мат. докл. научн. техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1996. С. 5-17.

41. Гуров К.П. Основания кинетической теории. М.: Наука 1966.- 390 с.

42. Врачев А.С. Синтез сигнала со спектром 1/f типа на основании механической модели износа. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1997. С.114-121.

43. Жигальский Г.П. Избыточные шумы в структурах металл диэлектрик — полупроводник // Радиотехника и электроника. 1999. Том 44. N12. С. 1413-1430

44. Воробьев Н.Г., Врачев А.С, Чарыков Н.А. Шумовые свойства и устойчивость мощных биполярных транзисторов ко вторичномупробою. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1995. С.229-234.

45. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 380 с.

46. Mongomery С. Bell Syst. Tecxn. J. 1952. N5. V. 31. p. 950.

47. Потрясай В. Ф., Рыжов А. С., Сутягин В. Я. Полупроводниковые приборы и их применение. М.: Советское радио, 1964.-240 с.

48. Nocolian Е. Н. A quantitative theory of 1/f type noise due interface states in thermally oxidized silicon. // The Bell System Technical. 1967. N 9. V. 46. P. 2019-2033.

49. Abowits G., Arnold E. Surface states and 1/f — noise in MOS transistors. // IEEE. 1967. N11. V. 14. P.775-777.

50. Хайезаде, Маккафри О роли материала и способов обработки при изготовлении монолитных транзисторов с низким уровнем шума типа 1/f.// ТИИЭР. 1969. N 9. С. 59-64.

51. Tanaka Т., Nagano К. The 1/f — noise MOS transistors. // Japan J. Appl. Phys. 1980. N 8. V. 8. P. 1020-1026.

52. Романов О. В., Урицкий В. Я. Подвижность носителей тока в инверсионных слоях на поверности кремния. Физика и техника полупроводников, 1969. N 9. Т. 3 с. 1414-1416.

53. Sah С., Heilscher F. Evidence of the supface origin of the 1/f — noise. // Phys. Rev. Lett. 1966. N 18. V. 17. P. 956-958.

54. Jantsch O. A theory of 1/f noise at semiconductor surfaces. // Solid — State Electronics. 1968. N 2. V.l 1. P. 267-272.

55. Холомина Т.А. Обобщенная активационно — дрейфовая модель формирования низкочастотного шума. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1999. С.76-82.

56. Гуляев A.M., Короневский И.М., Кукоев И.Ю. Прогнозирование отказов диодов по шумовым и вольтфарадным характеристикам. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1997. С.98-100.

57. Карпов Ю.С. Шумы транзисторов на звуковых частотах //Известия вузов. Приборостроение. 1967. N 2. С. 8-10

58. Врачев А.С. О связи низкочастотного шума с устойчивостью неравновесных структур //Известия вузов. Радиофизика. 1989. Т.32. N7. С. 885-890.

59. Горлов М.И., Жарких А.П. Влияние электростатических разрядов на значения низкочастотного шума однопереходных транзисторов // Матер, докл. научн. техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 2002. С. 113-115.

60. Карба Л.П., Ульман Н.Н. Методика прогнозирования надежности варикапов по низкочастотному шуму// Известия ЛЭТИ. 1974. N 146. С. 60-65.

61. Жигальский Г.П. Взаимосвязь 1/f шума и эффектов нелинейности в металлических пленках// Письма в ЖЭТФ, 1991. Т. 54, Вып. 9, С. 510.

62. Малахов А.Н. К вопросу о спектре фликкер — шума // Радиотехника и электроника. 1959.Т 4, №1. С.54-62.

63. Горюнов Н.Н., Паничкин А.В. Влияние гамма — излучения на шумовые характеристики интегральных КМОП структур. // Мат. докл. науч-техн.сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1995. С.247-251.

64. Бранке. Измерение шумов в полевых транзисторах // ТИИЭР. 1963. Т. 51. N2. С. 412.

65. Холлэди, Бранке. Избыточные шумы в полевых транзисторах // ТИИЭР. 1963. Т. 51. N 11. С. 1649.71 .Справочная книга радиолюбителя-конструктора. Том 1. М.: Сов. Радио. 1993.-336 с.

66. Воюцкий В. С. Корреляционный метод обнаружения и измерения слабых сигналов. Из — во Недра. 1965. 240 с.

67. Горлов М.И., Жарких А.П. Влияние ЭСР на значения низкочастотных шумов транзисторов КТ209. // Сб. научн. трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж: ВГТУ. 2001. С. 197-200.

68. Горлов М.И., Емельянов В. А., Николаева Е. П., Жарких А.П. Способы определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов // Сб. научн. трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 79-87.

69. Горлов М. И., Жарких А. П., Ануфриев J1. П. Влияние технологии защиты кристаллов транзисторов на их электрические параметры // Сб .докл. 4-й межд. научн. техн. конф. "Электроника и информатика". Зеленоград. 2002. С. 39-40.

70. Горюнов Н.Н., Лукашев Н.В. Устройство для быстрой оценки шума МОП транзисторов// Матер, докл. научн. — техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1997. С. 111-113.

71. Шор Р. Малошумящие транзисторные усилители. /М.: Сов. радио. 1978. -567 с.

72. Ван дер Зил Шум (источники, описание, измерение). М.: Сов. радио. 1973.-229 с.

73. Рождественский O.JT. Сравнение спектрального и фрактального анализа при обработке случайных процессов с интенсивностью 1/f // Матер, докл. научн. — техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1997. С. 234-235

74. Авторское свидетельство СССР N 421942, G 01 R 19/00.

75. Авторское свидетельство СССР N 640217, G 01 R 31/26.

76. Авторское свидетельство СССР N 291172, G 01 R 31/26.

77. Авторское свидетельство СССР N 1236929, G 01 R 31/26.

78. Авторское свидетельство СССР N 310201, G 01 R 31/26.

79. Авторское свидетельство СССР N 1674020, G 01 R 31/26.

80. Врачев А.С. Низкочастотный шум — свойство диссипативных систем. // Мат. докл. науч-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах ". М: 1996. С43-56.

81. Некрасов В.А., Горлов М.И., Дурнин И.Д. Выборочный неразрушающий контроль качества интегральных схем с ТТЛ логикой в ходе серийного производства // Электронная техника. Сер. 8. 1977. Вып. 2. С. 66-69.

82. А. с. СССР N 669872 от 3.03.76 // А.В. Голомедов, И.Д. Дурнин, В.А. Некрасов и др. Кл. G 01 R 31/26.

83. Патент N 2234163 от 07.04.03 // М.И. Горлов, А. П. Жарких, В.А. Емельянов Кл. G 01 R 31/26.

84. Горлов М.И., Емельянов В.А., Николаева Е.П., Жарких А.П. Способы разбраковки транзисторов по ампер-шумовым характеристикам // Матер, докл. научн. техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 2003. С.309-313.

85. Горлов М.И., Жарких А. П. Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2230335. Опубл. 10.06.2004. Бюл.Ы 16.

86. Горлов М. И., Емельянов В.А., Жарких А.П. Определение ненадежных полупроводниковых приборов по шумовым характеристикам // Петербурский журнал электроники: 2003. N 2. С. 40-44.

87. Авторское свидетельство СССР, N 490047, G 01 R 31/26, 1976.

88. Горлов М. И., Емельянов В.А., Жарких А.П. , Строгонов А. Прогнозирование потенциально ненадежных полупроводниковых приборов по критериям низкочастотного спектра. // Инженерная микроэлектроника: 2004. N 6. С. 19-27.

89. Горлов М.И., Жарких А.П. Влияние электростатических разрядов на низкочастотный шум однопереходных транзисторов.// Метрология. N 10. 2003. С. 21-25.

90. Горлов М.И., Жарких А.П, Емельянов В.А. Связь 1/f шума с электростатическими разрядами транзисторов типа КТ 133А. // Матер, докл. научн. техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 2002. С. 111-114.

91. Горлов М.И., Емельянов В.А., Адамян А. Г., Жарких А.П, Строгонов А. В. Диагностические методы оценки надежности полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов. // Инженерная микроэлектроника. N 10. 2002. С. 30-33.

92. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Жарких А.П, Смирнов Д. Ю. Влияние электростатических разрядов на интегральные схемы типа КА 1034HP3. // Сб. научн. трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 74-78.

93. Горлов М.И., Николаева Е. П., Новокрещенова Е. П., Жарких А.П Влияние электростатических разрядов на варикапы типа KB 107. . // Сб.научн. трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 70-73.

94. Жарких А. П., Горлов М. И. Установка для измерения НЧ шумов// Сб .докл. Всероссийской научн. техн. конф. "Современные проблемы радиоэлектроник". Красноярск. 2001. С. 38.

95. Горлов М.И., Емельянов В. А., Жарких А. П., Смирнов Д. Ю. Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2234104. Опубл. 10.08.2004. Bkwi.N 22.

96. Худсон Д. Статистика для физиков. Москва, Мир, 1970 -296 с.

97. Горлов М.И., Адамян А. Г., Жарких А.П. Оценка полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов. // Петербурский журнал электроники. 2002. N3. С.59-63.

98. Горлов М.И., Жарких А.П. Влияние-электростатических разрядов на низкочастотный шум однопереходных транзисторов.// Техника машиностроения N 5(39). 2002. С. 126-127.

99. Горлов М. И., Жарких А.П., Емельянов А. В., Определение ненадежных полупроводниковых приборов по шумам. // Петербурский журнал электроники: 2005. N 1. С.

100. Горлов М.И., Жарких А. П. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2249227. Опубл. 27.03.2005. Бюл.И 9.