Влияние легирования на оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов со структурой типа силленита тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Дудкина, Татьяна Дмитриевна

• Дудкина, Татьяна Дмитриевна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дудкина, Татьяна Дмитриевна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Физические свойства монокристаллов со структурой типа силленита (аналитический обзор литературы)

1.1. Основные физико-химические свойства силленитов.

1.2. Кристаллическая структура.

1.3. Оптические и электрооптические свойства кристаллов со структурой типа силленита.

1.3.1. Дисперсия показателя преломления и оптического вращения.

1.3.2. Электрооптические свойства

1.3.3. Спектры поглощения и круговой дихроизм.

1.4. Особенности фотопроводимости широкозонных полупроводников. .г.,.,,.

1.5. Фотопроводимость соединений со структурой силленита.

1.6. Влияние нестехиометрии на свойства силленитов.

1.7. Применение соединений со структурой типа силленита. 47 ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

ГЛАВА 2. Экспериментальные методы исследования

2.1. Синтез исследуемых монокристаллов.

2.2. Измерение спектра пропускания и отражения. Расчет коэффициента поглощения и величины дополнительного поглощения (фотохромного возбуждения).

2.3. Методика измерения стационарной фотопроводимости.

2.4. Измерение показателя преломления монокристаллов в видимой и ИК-областях спектра.

2.5. Методика исследования продольного электрооптического эффекта.

2.6. Получение тонких пленок и методика измерения их параметров.

ГЛАВА 3. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов со структурой силленита (экспериментальные результаты)

3.1. Спектральных свойства силленитов с двух-, трех- и четырехвалентными катионами Мп+ в тетраэдрических позициях структуры: Bi38Zn058, Bi25Ga039, Bi24B2039, Bi12GeO20, Bi12SiO20, Bi12TiO20.

3.2. Спектральные характеристики силленитов сложного состава, образованных гетерокатионами с различной валентностью мп+=(а1/23+ в 1/2 ) на примере bi24AlP04o, bi^gapo^.

3.3. Влияние легирования на оптические и фотоэлектрические свойства силленитов.

3.3.1. Коэффициент поглощения, стационарные и кинетические зависимости фототока монокристаллов Bii2Si02o при двойном легировании Cd и Мо.

3.3.2. Спектры поглощения, фотоиндуцированного поглощения и фототока кристаллов Bii2Si02o, легированных Ru, Rh, Re и Os.

3.3.3. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Bii2Ti02o, легированных Nb.

3.3.4. Особенности оптических спектров и фотопроводимости титаната висмута Bii2Ti02o, легированного В.

3.4. Особенности спектральных свойств кристаллов Bii2TiO20, выращенных из разных точек ветви кристаллизации.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 4. Влияние легирования на показатель преломления, оптическое вращение и электрооптические параметры монокристаллов.

4.1. Дисперсия показателя преломления монокристаллов Bii2SiO20, Bii2GeO20, Bii2Ti02o в ИК области спектра.

4.2. Электрооптические характеристики и дисперсия оптического вращения монокристаллов Bii2Ti02o, легированных V и Nb. Ill

4.3. Показатель преломления, оптическое вращение и электрооптические параметры кристалла Е^з^По^УсиОзз.

4.4. Дисперсия показателя преломления, оптическое вращение и электрооптический коэффициент кристаллов ЕН^Юго при двойном легировании Сс1 и Мо.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 5. Волноводные структуры на основе монокристаллических пленок силленитов.

5.1. Исследование волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов.

5.2. Сравнительная характеристика оптических свойств волноводных пленок и объемных кристаллов.

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние легирования на оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов со структурой типа силленита»

Все возрастающий интерес к оптическим методам обработки информации поставил перед исследователями ряд практических задач по разработке элементной базы. Решение ее возможно лишь в результате глубокого исследования физических свойств новых материалов с необходимыми свойствами, прежде всего материалов, обладающих фоточувствительностью и электрооптическим эффектом. Перспективными в этом отношении являются фоторефрактивные кристаллы со структурой типа силленита.

Актуальность темы. Монокристаллы со структурой типа силленита, обобщённую формулу которых можно представить в виде В1]2Мх02о±8 (М - элементы II-VIII групп или их комбинации, Мх= Ое, Тл, Ъп, А1, ва, Бе, В, Р и др.), относятся к пространственной группе 123. Кристаллы В112Мх02о±8 обладают уникальным разнообразием физических свойств - электрооптическим и пьезоэлектрическим эффектами, значительной фотопроводимостью в видимой и ближней ИК-областях спектра, высокими показателями преломления (от 2,5 до 2,8 для Х=633 нм), широкой областью прозрачности (от 0,4 до 7,0 мкм), оптической активностью и фоторефракцией, сочетание которых позволяет использовать их в устройствах оптической обработки и хранения информации, голографической интерферометрии в реальном времени, пьезотехнике, акустоэлектронике, акусто-оптике и для решения других прикладных задач. [1-5].

Перспективным является получение волноводных пленок и структур на основе силленитов и исследование их характеристик, которое позволяет получать информацию, необходимую для разработки и оптимизации параметров некоторых оптических устройств [6,7].

Интерес к данным кристаллам возрос еще больше после открытия в них фоторефрактивного эффекта [8], т.к. невысокая чувствительность ниобата лития иЫЬОз (10-100 Дж/см ) [9] побудила искать другие фоторефрактивные кристаллы. По чувствительности и быстродействию соединения со структурой силленита на сегодняшний день превосходят многие применяемые фоторефрактивные кристаллы.

Благодаря низкой энергии записи (10(Н300 мкДж/см ) и длительному времени хранения информации (до 20-30 часов) [10,11], кристаллы со структурой силленита идеально подходят для устройств фоторефракции и голографии. Своей высокой оптической однородностью и возможностью оптического считывания изображения без его стирания и без деградации кристалла они выгодно отличаются от других фоторефрактивных кристаллов ЬПЧЬОз, 1лТа03, К МЮ3 и ДР- [2].

Кристаллы В112МХ02(Ш) обладают сильной фоторефрактивной нелинейностью, что позволяет наблюдать в них различные виды взаимодействия световых волн: двух-, трех- и четырехволнового смешения на фоторефрактивных решётках, обращения волнового фронта. Эффективность взаимодействия волн повышается в оптических волноводах благодаря сильной концентрации световой мощности. Поэтому в последнее время все большее внимание уделяется получению и исследованию тонкопленочных волноводных структур, полученных на основе силленитов, что дает возможность разработки и оптимизации целого ряда устройств интегральной оптики.

Требования к оптическим и фотоэлектрическим свойствам силленитов значительно различаются в зависимости от типа устройства. Для пространственно-временных модуляторов света типа ПРОМ [12] требуется высокая фоточувствительность на длине волны записывающего излучения, тогда как в широко-апертурных амплитудных и фазовых модуляторах света (АФМС) необходимо иметь минимальную фоточувствительность, низкий коэффициент поглощения света и высокое темновое сопротивление кристаллов при условии сохранения их электрооптических свойств [13].

Поэтому улучшение характеристик устройств, использующих силлениты, в значительной степени связано с получением и исследованием новых соединений и составов данного кристаллографического класса с регулируемыми свойствами, а также с целенаправленным изменением свойств уже неоднократно изученных кристаллов за счет легирования, которое позволяет управлять величиной фоточувствительности как в сторону значительного увеличения, так и полного ее подавления.

Цель работы. Изучение закономерностей изменения оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов со структурой типа силленита при вариации состава и степени легирования, а также исследование оптических волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов.

Для достижения поставленной цели решаются следующие конкретные задачи:

-исследование оптических спектров и фотопроводимости номинально чистых силленитов с двух-, трех- и четырехвалентными катионами Мп+ в тетраэдри-ческих позициях структуры и силленитов сложного состава, образованных катионами с различной валентностью МП+:=(А1/23+ Вш5+ ) и их взаимосвязи с особенностями структуры кристаллов;

-изучение спектральных характеристик монокристаллов титаната висмута В^гТЮго, выращенных из разных точек ветви кристаллизации, а также кристаллов В112ТЮ2о, легированных №> и В;

-изучение влияния легирования 4й- и 5ё-элементами (на примере Сс1, Мо, Ян, Ш1, Яе, Об) на коэффициент поглощения, стационарную и кинетическую зависимости фототока кристаллов силиката висмута В1128Ю2о;

-изучение влияния легирования ванадием на показатель преломления, оптическое вращение и величину электрооптического модуля монокристаллов титаната В112ТЮ2о и цинката В1382п05в висмута;

-измерение дисперсии показателя преломления монокристаллов В^^Юго, В112ОеО20, В112ТЮ2о в ИК области спектра;

-определение модового состава, толщины, показателя преломления и величины оптического затухания волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов (В112ОеО20-пленка - В^ЗЮго-подложка и В^ТЮго-пленка - В^ЗЮго-подложка), а также изучение влияния легирования №, V и двойного легирования Са и Оа на перечисленные характеристики пленок. Защищаемые научные положения

1. Впервые экспериментально изучены спектральные зависимости оптического поглощения и фототока нелегированных кристаллов В1]2ТЮ2о, выращенных из шихты с содержанием от 5 до 10 моль.% ТЮ2. Установлено, что величина фототока исследуемых образцов в области 400-550 им изменяется в пределах одного порядка, причем максимальное значение фототока характерно для кристаллов В112ТЮ2о, выращенных из шихты с наибольшим содержанием ТЮ2.

2. Впервые обнаружено, что для кристаллов бората висмута В124В2039 характерно отсутствие "плеча" в спектре поглощения, сдвиг края пропускания в коротковолновую область спектра и уменьшение на три порядка значения фототока по сравнению с фототоком наиболее чувствительного кристалла со структурой силленита - титаната висмута В^ТЮго- Установлено, что величина темновой проводимости В124В2039 является типичной для большинства силленитов и составляет а -Ю'^Ом-см)"1.

3. Впервые экспериментально исследованы концентрационные зависимости коэффициента поглощения, электропроводности, стационарной фотопроводимости и кинетика фототока монокристаллов силиката висмута В1128Ю2о, легированных В124Сс1Мо04о (от 1 до 50 мас.% в шихте). Показано, что при увеличении концентрации примеси В124Сс1Мо04о в кристалле В1128Ю2о происходит смена типа проводимости с п - для нелегированного на р - для легированного В1]28Ю2().

4. Впервые экспериментально установлено, что в кристалле В1]28Ю2(ь легированном Об (0,0004 мас.% в крист.), происходит увеличение на порядок значения фототока и более чем на порядок времени фотоотклика на фоне незначительного изменения коэффициента поглощения по сравнению с нелегированным В1128Ю2о. Наблюдаемые изменения в спектрах фототока легированного Об кристалла В1]28Ю2о можно объяснить в рамках модели Роуза, предполагая, что при легировании осмием в запрещенной зоне силиката висмута образуются глубокие уровни, выступающие в роли центров рекомбинации.

5. Проведено исследование модового состава оптических волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов (ВвО-пленка - В80-подложка и ВТО-пленка - В80-подложка) в видимой и ближней РЖ- областях спектра. Показано, что легирование V незначительно уменьшает, а легирование N1, Са и ва, наоборот, увеличивает показатель преломления тонких пленок. Установлено, что электрооптические коэффициенты тонких пленок ЕЮО и объемных монокристаллов ЕЮО совпадают.

Научная новизна

1. Впервые для кристаллов В^^Юго, В^ОеОго, В^ТЮго установлена взаимосвязь между величинами фототока, коэффициентами поглощения, фотоиндуци-рованного поглощения, интенсивностью "дефектной" полосы в спектрах кругового дихроизма и особенностями их кристаллического строения.

2. Уменьшение на 3 порядка фотопроводимости полученного нами впервые монокристалла бората висмута В124В20з9 по сравнению с кристаллом титаната висмута В12ТЮ20 полностью коррелирует с отсутствием характерных для силленитов "плеча" в спектре поглощения и "дефектной" полосы в спектре кругового дихроизма в области 400-500 нм.

3. Результаты изучения спектральных зависимостей коэффициента поглощения, фотоиндуцированного поглощения и фотопроводимости монокристаллов В^ТЮго, выращенных из шихты с содержанием от 3 до 22 мас.% В124В2Оз9 показали значительные изменения спектральных свойств легированных кристаллов В112ТЮ2о по сравнению с нелегированным В^гТЮго

4. Впервые исследована дисперсия показателя преломления монокристаллов В^^Юго, В^ОеОго, ВмгТЮго в РЖ области спектра. Изучены электрооптические характеристики легированных V кристаллов В],2ТЮ20 и Biз8Zn058, легированных № кристаллов В^ТЮго и легированных В124СёМоО40 кристаллов В1128Ю2о в видимой области спектра и показано, что их величина не зависит от длины волны падающего на образец света, а также от содержания примеси в кристалле в пределах погрешности измерений.

Практическая значимость работы.

1. Показано преимущество монокристаллов В1]2ТЮ2о, выращенных из шихты с содержанием от 8 до 10 моль.% ТЮ2, перед кристаллами В112ТЮ2о, выращенными из шихты с меньшим содержанием ТЮ2, и кристаллами В1128Ю20, В112ОеО20, В138гп058, В125Са039, В124В2039 за счет большей электрооптической эффективности и более высокой фотопроводимости в видимой и ближней ИК- областях спектра.

2. Наблюдаемое уменьшение величины оптического вращения при сохранении электрооптических характеристик в кристаллах титаната и цинката висмута, легированных ванадием, открывает новые возможности применения последних в качестве фоторефрактивных сред в динамической голографии, а также разработки электрооптических модуляторов света на основе тонких монокристаллических пластин.

3. Обнаруженное в кристаллах ЕН^Юго, легированных В124СёМоО40, значительное (в пределах пяти порядков) падение фотопроводимости и уменьшение коэффициента поглощения при неизменных электрооптических свойствах можно использовать для получения кристаллов, удовлетворяющих требованиям при создании широкоапертурных амплитудных и фазовых модуляторов света (АФМС). По результатам данных исследований получено авторское свидетельство № 4856815/26, заявл. 02.08.90 г., опубл. 22.08.91 г.

4. Результаты исследования тонкопленочных волноводных структур на основе силленитов представляют интерес для систем записи и хранения оптической информации, для разработки пространственно-временных модуляторов света и других устройств интегральной оптики, использующих в качестве активных и пассивных элементов тонкие пленки силленитов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы из 122 наименований. Работа изложена на страницах, содержит 55 рисунков и 9 таблиц.

Краткое содержание работы.

Во введении обоснована актуальность выбранного направления исследования, сформулированы цель и задачи настоящей работы, приведены основные результаты и их практическая значимость, а также краткое изложение последующих глав.

Первая глава представляет собой литературный обзор, в котором рассмотрены особенности фотопроводимости широкозонных полупроводников, а также кристаллическая структура силленитов, основные физико-химические параметры кристаллов В1128Ю20, В^веОго и В^гТЮго, приведены известные данные, касающиеся их электропроводности, фотопроводимости, электрооптических параметров, коэффициента поглощения, оптического вращения и показателя преломления. Обсуждается влияние состава, дефектов, а также легирования различными элементами на оптические и фотоэлектрические свойства силленитов. Проведен анализ литературных данных по использованию кристаллов со структурой силленита в различных устройствах оптоэлектроники.

Вторая глава посвящена методическим аспектам работы. В ней описаны условия выращивания монокристаллов, исследуемых в данной работе. Рассматриваются методики измерения спектров пропускания и отражения, расчет коэффициента поглощения кристаллов. Изучение продольного электрооптического эффекта и дисперсии показателя преломления, стационарных и кинетических зависимостей фототока, а также модового состава пленок на длинах волн Не-№ лазера проводилось на оригинальных установках, описания и блок-схемы которых приведены в работе.

В третьей главе представлены экспериментальные результаты изучения спектров поглощения, фотоиндуцированного поглощения и фототока кристаллов В112ОеО20, ВЬвЮго, В112ТЮ20, В1382п058, В1250а039, В124В2039, В124А1Р04о, В^ОаРС^о- Показана взаимосвязь спектральных свойств этих соединений с особенностями их атомного строения. Рассмотрено влияние легирования элементами: В, V, №>, Яи, Ш1, Яе и Об на поглощение и фотопроводимость силленитов. Полученные экспериментальные результаты проанализированы в рамках существующих моделей фотопроводимости твердых тел.

В четвертой главе приведены данные по изучению дисперсии показателей преломления кристаллов В^веОго, В1128Ю2о, Вм2ТЮ20 в видимой и ИК-областях спектра, а также по влиянию легирования V и двойного легирования Сё и Мо на показатель преломления, оптическое вращение и электрооптические параметры кристаллов В^ТЮго, В1387п058 и В1128Ю20, соответственно.

В пятой главе представлены экспериментальные результаты определение модового состава, толщины, показателя преломления и величины оптического

12 затухания волноводных структур на основе силленитов (В1120е02о-пленка -ВцгЗЮго-подложка и В^ТЮго-пленка - В^гБЮго-подложка). Изучено влияние легирования №, V, а также двойного легирования Са и Оа на показатель преломления волноводных пленок. Показано, что величины электрооптических коэффициентов и показателей преломления волноводных пленок и объемных монокристаллов совпадают, что, несомненно, является важным для их дальнейшего практического применения.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научных конференциях ИОНХ РАН, на III Всесоюзной конференции по физико-химическим основам сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород, октябрь 1988), на XVI Менделеевском Съезде по общей и прикладной химии (Санкт-Петербург, май 1998), на XVI Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Москва, июль 1998), на Научной сессии МИФИ-99 (Москва, январь 1999), на III Международной конференции по оптической обработке информации "01Р'99" (Москва, Санкт-Петербург, май 1999), на IV Международной конференции: "Кристаллы: рост, свойств, реальная структура, применение" (Александров, октябрь 1999г.). По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ и получено 1 авторское свидетельство.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дудкина, Татьяна Дмитриевна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ Основные результаты и выводы данной работы сводятся к следующему:

1. Установлена взаимосвязь между величинами фототока, коэффициентами поглощения и фотоиндуцированного поглощения, интенсивностью "дефектной" полосы в спектрах кругового дихроизма и особенностями кристаллического строения В^БЮго, В1]20е02о, В^ТЮго- Показано, что меньшая дефектность структур кристаллов В1]20е02о и В1128Ю2о подтверждается наиболее низкими коэффициентами поглощения и фотоиндуцированного поглощения, меньшими интенсивностями "дефектной" полосы в спектрах КД, а также более низкими величинами фотопроводимости по сравнению с кристаллом В112ТЮ2о.

2. Установлено, что величина фототока в области 400-550 нм кристаллов В112ТЮ2о, выращенных из шихты с содержанием от 5 до 10 моль.% ТЮ2, изменяется в пределах одного порядка, причем максимальное значение фототока и минимальная величина коэффициента поглощения характерны для кристаллов В112ТЮ2о, выращенных из шихты с наибольшим содержанием ТЮ2.

3. Показано, что уменьшение на 3 порядка фотопроводимости бората висмута В124В20з9 по сравнению с титанатом висмута В12ТЮ20 полностью коррелирует с отсутствием характерных для силленитов "плеча" в спектре поглощения и "дефектной" полосы в спектре кругового дихроизма в области 400-500 нм.

4. Установлено, что при легировании силиката висмута осмием (0,0004 масс.% в крист.) происходит увеличение на порядок величины фототока и более чем на порядок времени фотоотклика на фоне незначительного изменения коэффициента поглощения по сравнению с нелегированным В^БЮго

5. Изучение влияния легирования В124СёМоО40 (от 1 до 50 мас.% в шихте) на коэффициент поглощения, электропроводность, стационарную и кинетическую зависимости фототока кристаллов В1128Ю2о показало, что увеличение концентрации В124Сс1Мо04о приводит к смене типа проводимости с п - для нелегированного на р - для легированного В1)28Ю2о- Установлено, что для кристалла с максимальной концентрацией легирующей примеси наблюдается значительный сдвиг края пропускания в коротковолновую область спектра и падение фотопроводимости почти на пять порядков по сравнению с нелегированным Bii2Si02o при сохранении электрооптических свойств.

6. Обнаружено существенное уменьшение величины оптического вращения в видимой области спектра при легировании кристаллов титаната и цинката висмута ванадием, что открывает новые возможности их применения в качестве фоторефрактивных сред в динамической голографии, а также разработки на их основе электрооптических модуляторов света.

7. Изучена дисперсия показателя преломления монокристаллов Bii2Si02o, Bii2Ge02o, Bii2Ti02o в ИК области спектра. Измерены величины электрооптических коэффициентов г41 для легированных ванадием кристаллов Bii2Ti02o и Bi38Zn058, легированных ниобием кристаллов Bii2Ti02o и легированных Bi24CdMo04o кристаллов Bii2Si02o в видимой области спектра и показано, что величина г41 не зависит от длины волны падающего на образец света, а также от содержания примеси в кристалле в пределах погрешности измерений.

8. Проведено исследование модового состава, толщины, показателя преломления и величины оптического затухания волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов (Bii2Ge02o-njieHKa - Bii2Si02o-подложка и В^ТЮго-пленка - В^ЗЮго-подложка). Показано, что легирование V незначительно уменьшает, а легирование Ni, Са и Ga, наоборот, увеличивает показатель преломления пленок. Установлено, что суммарные потери на длине волны А,=0,633 мкм составили в среднем 7 Дб/см для пленок ВТО и 3 Дб/см для пленок В GO, выращенных на подложках В SO.

135

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подводя итоги проделанной работы, можно отметить, что задача, поставленная перед данным исследованием, выполнена. В результате проведенных исследований изучено влияние состава и уровня легирования на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов со структурой силленита. Основные результаты данной работы сводятся к следующему.

Сравнительный анализ спектральных зависимостей силленитов В112Се02о, В1)28Ю2о, В112ТЮ2о, содержащих в тетраэдрических позициях структуры катионы в степени окисления 4+, показал, что изменения интенсивностей "плеча" в спектре поглощения и "дефектной" полосы в спектрах кругового дихроизма, фотоин-дуцированного поглощения и величины фототока в области 400-500 нм можно связать с концентрацией "дефектных" тетраэдров в кристаллической решетке этих соединений. Поэтому меньшая дефектность структур ВвО и ВБО подтверждается более низкими значениями коэффициентов поглощения и фотоин-дуцированного поглощения, а также меньшей величиной фототока по сравнению с кристаллами ВТО.

Показано, что для спектральных зависимостей поглощения и фототока соединений В124А1РО40, В124ОаРО40, образованных гетерокатионами с различной валентностью М - (А1/23+ В1/25+), характерны следующие особенности: отсутствие "плеча" в спектре поглощения и приблизительно на 2,5 порядка меньшее значение фототока по сравнению аналогичным значением для титаната висмута, которые, возможно, связаны с отсутствием "дефектных" тетраэдров в структуре этих соединений.

Обнаружено, что для бората висмута В124В2039 наблюдаются сдвиг края пропускания в коротковолновую область спектра, отсутствие "плеча" в спектре поглощения и "дефектной" полосы в спектрах кругового дихроизма, уменьшение величины коэффициента поглощения, а также уменьшение на три порядка значения фототока по сравнению с кристаллом В1)2ТЮ2о. Установлено, что величина темновой проводимости В124В20з9 является типичной для большинства силленитов и составляет о

Изучение спектров поглощения, фотоиндуцированного поглощения и фотопроводимости кристаллов ВТО, выращенных из шихты разного состава (от 5 до 10 моль.% ТЮ2), показало, что состав шихты заметно влияет на спектральные свойства титаната висмута в области, соответствующей "плечу" поглощения. Особенно чувствительной характеристикой к составу шихты оказалась фотопроводимость. В кристалле, выращенном из шихты с наименьшим содержанием ТЮ2, ее величина минимальная, а с наибольшим содержанием- максимальная. Установлено, что минимальная величина коэффициента поглощения соответствует кристаллу В^ТЮго, выращенному из шихты с наибольшим содержанием ТЮ2.

Изучены спектральные зависимости поглощения, фоточувствительности, показателя преломления, оптического вращения, а также электрооптические свойства монокристаллов В 80 при разной степени их легирования В124Сс1МоО40 (от 1 до 50 вес.%). Проведен сравнительный анализ спектров комбинационного рассеяния и ИК-спектров монокристаллов специально нелегированного силиката висмута и с максимальной концентрацией легирующей примеси В124Сс1 МоО40 в шихте. На основании экспериментально измеренной концентрационной зависимости темнового тока, показано, что легирование монокристаллов силиката висмута В124Сс1Мо04о приводит к смещению уровня Ферми к потолку валентной зоны и смене типа проводимости с п - для нелегированного на р - для легированного ВБО. Для кристалла с максимальной концентрацией легирующей примеси (50 мас.% В124СаМо04о в шихте) наблюдается значительный сдвиг края пропускания в коротковолновую область спектра и уменьшение величины фототока почти на пять порядков по сравнению с нелегированным В1128Ю20 при сохранении величины электрооптического модуля.

Результаты исследований колебательных спектров показали, что из-за различия ионных радиусов иона 814+ и примесных ионов Сс12+ и Мо6+ последние не входят в тетраэдрические позиции кристаллической решетки. Поэтому колебательные спектры, а также электрооптические свойства легированных В124СаМо04о монокристаллов В1128Ю2о и специально нелегированного силиката висмута совпадают. Возможность управления уровнем поглощения и фоточувствительностью при двойном легировании монокристаллов В^^Юго кадмием и молибденом может быть использована для получения фоторефрактивных кристаллов, удовлетворяющих требованиям при создании АФМС.

Изучено влияние 4с1- и 5с1-элементами (на примере 11и, Ш1, Яе, Об) на оптическое поглощение и фотопроводимость кристаллов ЕП^Юго- Существенного влияния на спектральные зависимости легирование силиката висмута Яи, Ша, Яе не оказало. Однако при легировании осмием (0,0004 мас.% в крист.) происходит увеличение на порядок значения фототока и более чем на порядок времени фотоотклика на фоне незначительного изменения коэффициента поглощения по сравнению с нелегированным ЕН^Юго- Наблюдаемое "очувствление" кристалла ЕЯ^Юго при легировании Об можно объяснить в рамках модели Роуза, предполагая, что при легировании в запрещенной зоне силиката висмута образуются глубокие уровни, выступающие в роли центров рекомбинации.

Изучены спектральные зависимости коэффициента поглощения, фотоин-дуцированного поглощения и фотопроводимости монокристаллов титаната висмута ЕЦ^ТЮго, выращенных из шихты с содержанием Ь^Е^Озд от 3 до 22 мас.%. Содержание бора в исходной шихте варьировалось в пределах 0,011-0,084 мас.%, а в кристаллах - в пределах 3^35-10"5 мас.%, что по порядку величины соответствует концентрации неконтролируемой примеси. Установлено, что коэффициент распределения бора не превышает 0,005. Показано, что значительные изменения спектральных свойств легированных бором кристаллов В^гТЮго по сравнению с кристаллом Вг^ТЮго, возможно, связаны с дефектами нестехиометрии.

Исследовано влияние легирования ниобием на оптические, фотопроводя-щие и электрооптические свойства монокристаллов В^ТЮго- Показано, что уменьшение коэффициента поглощения и гашение фотохромного эффекта, а также уменьшение величины фототока с увеличением концентрации №> в исследуемых монокристаллах в пределах 0,01 К 0,19 вес.% в области Х<550 нм связаны со структурными особенностями кристалла, которые вызваны вхождением №>5+ в тетраэдрические позиции решетки. Установлено, что в красной области спектра наблюдается тенденция увеличения фотопроводимости легированных № кристаллов В112ТЮ2о, что хорошо коррелирует с аналогичным увеличением фотопроводимости в указанной спектральной области для кристаллов Bii2Ti02o, легированных другими пятивалентными элементами (V5+, Р5+).

Обнаружено, что при легировании кристаллов титаната и цинката висмута ванадием наблюдается существенное уменьшение величины оптического вращения в видимой области спектра, что подтверждает модель [34], учитывающую влияние оптически активных тетраэдрических [МО4]11" комплексов на суммарную величину оптического вращения кристаллов со структурой силленита Bii2MxO20±5- Результаты исследования электрооптических характеристик и оптического вращения монокристаллов титаната висмута и цинката висмута, легированных ванадием, открывают новые возможности применения последних в качестве фоторефрактивных сред в динамической голографии, а также разработки электрооптических модуляторов света.

Изучена дисперсия показателя преломления монокристаллов Bii2Si02o, Bi]2Ge02o, Bii2TiO20 в ИК области спектра. Измерены величины электрооптических коэффициентов для большинства исследуемых кристаллов в видимой области спектра и показано, что величина не зависит от длины волны падающего на образец света, а также от содержания примеси в кристалле в пределах погрешности измерений.

Проведено исследование модового состава, толщины, показателя преломления и величины оптического затухания волноводных структур на основе монокристаллических пленок силленитов (BGO-пленка - BSO-подложка и ВТО-пленка - BSO-подложка) в видимой и ближней ИК- областях спектра. Показано, что легирование V незначительно уменьшает, а легирование Ni, Са и Ga, наоборот, увеличивает показатель преломления тонких пленок. Установлено, что электрооптические коэффициенты тонких пленок BGO и объемных монокристаллов BGO совпадают, а также совпадают показатели преломления кристаллов и пленок BGO, ВТО и BGaO. Полученные результаты исследования тонкопленочных волноводных структур на основе силленитов представляют интерес для систем записи и хранения оптической информации, для разработки пространственно-временных модуляторов света и других устройств интегральной оптики, использующих в качестве активных элементов тонкие пленки силленитов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дудкина, Татьяна Дмитриевна, 2000 год

1. Gunter P. and Huignard J.P. Photorefractive Materials and Their Applications, Topics in Applied Physics Vol.61,62 Springer-Verlag, Berlin, 1988, 1989.

2. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко A.B. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. С.-Петербург: Наука, 1992. 318 с.

3. Stepanov S.I. Applications of Photorefractive crystals // Reports on Progress in Physics. 1994. V. 57. № 1. P. 39-110.

4. Васильев А.А., Касасент Д., Компанец И.Н. (ред.), Парфенов А.В. Пространственные модуляторы света. М.: Радио и связь. 1987. 320 с.

5. Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуциро-ванные явления в силленитах. Новосибирск: Наука, 1990. 160 с.

6. Tada К., Kuhara Y., Tatsumi М., Yamaguchi Т. Liquid phase epitaxial growth jf bismuth silicon oxide single crystalline films: a new optically activated optical switch // Appl.Opt., 1982, Vol.21, № 16, P.2953-2959.

7. Саликаев Ю.Р., Шандаров C.M., Каргин Ю.Ф., Цисарь И.В. Двухпучковое взаимодействие на фоторефрактивных решетках в планарном волноводе // Письма в ЖТФ, 1994, Т.20, Вып. 24, С.55-58.

8. Сочава С.А., Степенов С.И. "Линейный генератор на основе фоторефрактив-ного кристалла Bi12TiO20//ЖТФ. 1988. Т.58. В. 9. С. 1780-1783.

9. Amodei J.J., Staebler D.L. Holographic recording in lithium niobate // RCA Rev. 1972. Vol. 33. №1. p. 71-93.

10. Huignard J.P., Micheron F. High-sensitivity red-write volume holographic storage in Bi12SiO20 and Bi,2GeO20 crystals // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 29. № 9. P. 591593.

11. П.Трофимов Г.С., Степанов С.И. Фоторефрактивный кристалл Bii2Ti02o для го-лографической интерферометрии на длине волны А,=0.63 мкм // Письма в ЖТФ. 1985. Т.П. № 10. С. 615-621.

12. Hou S.L., Oliver D.S. Pockels readout optical modulator using Bii2SiO20 // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18. № 8. P. 325-328.

13. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Куча В.В. Оптические и фотоэлектрические свойства легированных монокристаллов Bii2Si02o// Микроэлектроника. 1982. Т.П. №5. С. 477-479.

14. Sillen L.G. X-ray studies of Bismuth Trioxide // Arkiv Kemi.Miner.Geologi. 1937. Ser. A12. № 18. P.1-15.

15. Radaev S.F., Simonov V.I., Kargin Yu.F., Skorikov V.M. New Data on Structure and Crystal Chemistry of Sillenites Bii2MO20+s // Eur.J.Solid State Inorg.Chem. 1992. T.29. P.383-392.

16. Радаев С.Ф., Симонов В.И. Структура силленитов и атомные механизмы изоморфных замещений в них // Кристаллография. 1992. Т. 37. № 4. С. 914-941.

17. Каргин Ю.Ф. Синтез, строение и свойства оксидных соединений висмута со структурой силленита. Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. д.х.н., М.,ИОНХ РАН, 1998.

18. Каргин Ю.Ф., Егорышева А.В. Синтез и особенности строения Bi24B2039 со структурой силленита// Неорган.материалы. 1998, Т. 34, № 7, С. 859-863.

19. Aldrich R.E., Hou S.L., Harvill M.L. Electrical and Optical Properties of Bi12SiO20 // J.Appl.Phys. 1971. V. 42. № 1. P. 493-494.

20. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport Processes of Photoinduced Carriers in Bi12SiO20 // J.Appl.Phys. 1973. V.44. № 6. P.2652-2658.

21. Сенулене Д.Б., Бабонас Г.А., Леонов Е.И. и др. Край поглощения кристаллов Bi25Fe039 // ФТТ. 1984. Т. 26. № 5. С. 1281-1284.

22. Александров К.С., Анистратов А.Т., Грехов Ю.Н. и др. Оптические свойства монокристаллов Bi.2Ge02o, легированных алюминием и бором // Автометрия. 1980. № 1. С.99-101.

23. Grabmaier B.C., Oberschmid R. Properties of Pure and Doped Bi12GeO20 and Bi12Si02o crystals // Phys.Stat.Sol. A. 1986. V.96. № 1. P.199-210.

24. Marrakchi A., Huignard J.P., Gunter P.N. Diffraction efficiency transfer in two-wave mixing experiments with Bii2Si02o crystals // J. Appl. Phys. 1981. V. 24. № 2. P. 131-138.

25. Vachss F., Hesselink L/ Measurement of the electrogyratory and electrooptic effects in BSO and BGO // Optics Commun. 1987. V. 62. № 3. P. 159-165.

26. Fox A.J., Bruton T.M. Electro-optic effects in the optically active compounds Bi12TiO20 and Bi40GaO63 // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 27. № 6. P. 360-362.

27. Lenzo P.V., Spencer E.J., Ballman A.A. Optical Activity and Electrooptic Effect in Bismuth Germanium Oxide (Bi12GeO20) // Appl.Optics. 1966. V.5. № 10. P.1688-1689.

28. Батог B.H., Бурков В.И., Кизель B.A. и др. Оптическая активность соединений висмута//Кристаллография. 1969. Т. 14. №5. С. 928-929.

29. Кизель В.А., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М.: Наука, 1980. 304 с.

30. Сафронов Г.М., Батог В.Н., Красилов Ю.И и др. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1970. Т.6. № 2. С. 284-288.

31. Скориков В.М., Чмырев В.И., Егорышева А.В., Волков В.В. Оптические и электрооптические свойства высокосовершенных монокристаллов титаната висмута (Bii2TiO20) // Высокочистые вещества. 1989. № 2. С.72-75.

32. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф. и др. Влияние легирования на оптические и спектроскопические характеристики кристалла титаната висмута // Кристаллография. 1987. Т.32. № 6. С. 1462-1464.

33. Бурков В.И., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф. Марьин А.А. Оптические и хироптические свойства кристаллов Bi.2V02o+g // Неорган, материалы. 1998. Т.34. № 8. С. 962-965.

34. Ballman А.А., Brown Н., Tien Р.К., Martin R.I. The growth of single crystalline waveguiding thin films of piezoelectric sillenites // J.Cryst.Growth. 1973. Vol. 20. P. 251-255.

35. Burratini E., Cappuccio G, Grandolo M., Vecchia P., Efendiev Sh.M. Near infrared refractive index of bismuth germanium oxide (BIi2Ge02o) //J.Opt.Soc.Am. 1983. V.73. № 4. P.495 - 497.

36. Egorysheva A.V., Volkov V.V., Burkov V.V., Dudkina T.D., Kargin Yu.F. Growth and characterization of bismuth borate crystals // Opt. Materials. 1999. V.13, № 3, P.361-365.

37. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. Гусева А.А. М.: Наука, 1978. 791 с.

38. Dexter D.L., Knox R.S. Excitons. Willey, N.Y. 1965.

39. Скориков B.M., Чмырев В.И., Байсымаков M.A. и др. Фоточувствительные свойства титаната висмута, легированного цинком // Неорг. материалы. 1988. Т. 24.№ 11. С. 1869-1873.

40. Егорышева А.В., Волков В.В., Скориков В.М. Воздействие пятивалентных добавок на оптические свойства Bi12Ti02o // Неорган, материалы. 1995. Т.31. №3. С. 377-383.

41. Скориков В.М., Чмырев В.И., Чумаевский Н.А., Байсымаков М.А., Волков В.В. Определения концентрации ванадия в монокристаллах титаната висмута и ее связь с оптическими свойствами и фотопроводимостью // Высокочистые вещества. 1990. № 1. С. 218-228.

42. Кацавец Н.И., Леонов Е.И., Муминов И., Орлов В.М. Фотопроводимость легированных кристаллов Bii2Ti02o и твердых растворов Bil2SixTiix02o// Письма в ЖТФ. 1984. Т.10. Вып. 15. С. 932-936.

43. Волков В.В., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. Фотохромные центры в монокристаллах Bii2Ti02o<Mn> // Неорган.материалы. 1993. Т. 29. № И. С. 1525-1535.

44. Скориков В.М., Чмырев В.И., Егорышева А.В., Волков В.В. Влияние легирования Си на фотоэлектрические свойства монокристаллов Bii2TiO20 // Высокочистые вещества. 1991. В. 2. С. 81-84.

45. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир. 1967. 385 с.

46. Панченко Т.Б., Трусеева H.A., Потапович Ю.Н. Поляризационные эффекты в монокристаллах Bi,2SiO20//УФЖ. 1987. Т.32. В.8. С. 1232-1238.

47. Рез И.С., Мейснер Л.Б., Сафонов А.И. и др. Оптические свойства монокристаллов типа силленита // Кристаллография. 1970. Т. 15. В. 6. С. 1163-1170.

48. Сафонов Г.М., Батог В.Н., Красилов Ю.И., Пахомов В.И., Федоров П.М., Бурков В.И., Скориков В.М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. 1970. Т.4. № 2. С. 284-288.

49. Чмырев В.И., Скориков В.М. Электрооптические явления в силикате и гер-манате висмута // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 2. С.359.

50. Костюк В.Х., Панченко Т.В., Трусеева H.A. Влияние нестехиометрии состава на свойства монокристаллов силикосилленита // В кн.: Кристаллы активных диэлектриков. Днепропетровск. ДГУ. 1982. С. 130-138.

51. Панченко Т.В., Костюк В.Х., Копылова С.Ю. Локальные центры в кристаллах нестехиометрического состава // Физика твердого тела. 1996. Т.38. № 1. С.155-165.

52. Ломонов В.А. Исследование синтеза и свойств кристаллов со структурой силленита и эвлитина. Автореф. дисс. на соиск. ученой степени канд. хим. наук. М., МХТИ им. Менделеева. 1981 г.

53. Georges М.Р., Lemaire Ph.C. Phase-shifting real-time holographic interferometry that uses bismuth silicon oxide crystals // Appl. Optics. 1995. Vol. 34. № 32. P. 7497-7506.

54. Sprague R.A., Nisenssn P. The PROM A Status report // Optical Engineering. 1978. Vol. 17. № 3. P.256-266.

55. Brooks R.E., Kemp R.E. Hibrid optical digital image processor for exoatmospheric moving object detection 11 SPIE. 1980. Vol. 218. P. 119-125.

56. Takizawa K., Fujii Т., Kawakita M. Spatial light modulators for projection displays // Appl. Optics. 1997. Vol. 36. № 23. P.5732-5747.

57. Гуляев Ю.В., Проклов B.B., Шкердин Г.Н. Диффракция света на звуке в твердых телах // УФН. 1978. Т. 124. Вып. 1. С. 61-112.

58. Опое Н., Warner A.W., Ballman A.A. Elastic and Piezoelectric Characteristics of Bismuth Germanium Oxide, Bii2Ge02o // IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics. 1967. Vol. 54-14. № 4. P.165-167.

59. Burimov N., Mandel A., Reshef ko, Shandarov S., Volkov V., Kargin Yu. // Elastic and piezoelectric constants of crystals // Optical Materials. 1995. № 4. P. 179-181.

60. Hamasaki Y., Miyamoto Т., Kuhara Y. Optical fiber sensor for the measurement of electric field intensity and voltage (OPSEF) // Fiber. Integr. Optics. Vol. 3. № 4. P.383-389.

61. Grewal P.K., Lea M.J. Ultrasonic attenuation in pure and doped Bi12Si02o H J-Phys. C. 1983. Vol.16. № 2. P.247-257.

62. Kulova J., Onoda M. Dielectric losses in Bii2SiO20 single crystals // Japan J. Appl. Phys. 1981. Vol.20. № 8. P.1609-1610.

63. Петров B.M., Петров М.П. Двух- и трехволновое взаимодействие в пространственном модуляторе света "ПРИЗ" // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 11. С. 18-23.

64. Волков В.В. Синтез и физико-химические исследования кристаллов титаната висмута. Автореф. дисс.на соиск. уч. степ.канд.хим.наук. М. ИОНХ РАН. 1989.

65. Brice J.С. The Cracking of Czochralski-Growth Crystals // J. Cryst. Growth. 1977. Vol. 42. P. 427-430.

66. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1977. 366 с.

67. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963.496 с.

68. Афанасьев В.А. Оптические измерения. М.: Высшая школа. 1981. 229 с.

69. Бахшеева Г.Ф., Миронова JI.H., Степин Ю.А. Рефрактометр для инфракрасной области спектра // Оптико-механическая промышленность. 1973. № 5. С. 33-35.

70. Ramachadran G.N., Ramaseshan S. Magneto-Optic Rotation in Birefrigent Media-Application of the Poincare Sphere. // Journal of the Optical Society of America. 1952. Vol.42. № 1. P.49-56.

71. Brice J.C. Trends in liquid phase epitaxy // 1976 Crystal growth and Materials. Noth-Holland Publ. Сотр. 1977. P. 571-604.

72. Бондарев А.Д., Кацавец Н.И., Кудрик И.Е., Леонов Е.И., Хабаров С.Э. // Письма в ЖТФ. 1985. Т.П. Вып. 12. С.713-717.

73. Тамир Т. (ред.) Интегральная оптика. М.: Мир. 1978. 855 с.

74. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука. 1070. 855 с.

75. White J.M., Heidrich P.F. Optical waveguide refractive index profiles determined from measurement of mode indiced // Appl. Opt. 1976. Vol. 15. № 1. P. 151 -155.

76. Барноски M. Введение в интегральную оптику. М.: Мир. 1977. 367 с.

77. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Изд-во иностранной литературы. 1962. 558 с.

78. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир. 1966. 192 с. БЗ.Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейкман М.К. Неравновесные процессы вфотопроводниках. Киев: Наукова Думка. 1981. 264 с.

79. Bube R.H., Photoelectronic Properties of Semiconductors, Cambridge University, Cambridge, England, 1992.

80. Шейкман M.K., Шик А .Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. 1976. Т. 10. № 2. С. 209-233.

81. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно неоднородных полупроводников // ЖЭТФ. 1975. Т.68. № 5. С. 1859-1867.

82. Petts C.R., Mc Coll M.W., Laycaek L.C. Optical correlation in of 632,8 nm // Electron. Lett. 1984. Vol. 20. № 1. P. 32-38.

83. Abrahams S.C., Jamieson P.B., Bernstein J.L. Crystal Structure of Piezoelectric Bismuth Germanium Oxide Bi12GeO20 // J.Chem.Phys. 1967. V.47. P.4034-4041.

84. Svensson C., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Laevorotatory Bii2Ge02o: Remeasurement of the Structure // Acta Cryst. B. 1979. V. 35. P.2687-2690.

85. Авраменко В.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Фотопроводимость монокристаллов германо- и силикосилленита // ФТТ. 1984. Т.26. № 2. С. 485-489.

86. Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Фотоперенос в монокристаллах Bi12SiO20 и Bii2GeO20 // ФТТ. 1980. Т. 22. № 8. С.2454.

87. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977, с.562.

88. Abrahams S.C., Bernstein J.L. and Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric d{j4) coefficient in laevorotatory Bii2Si02o // J.Chem.Phys. 1979. V.72. № 2. P.788 -792.

89. Efendiev Sh.M., Kulieva T.Z., Lomonov V.A. et al. Crystal Structure of Bismuth Titanium Oxide Bi12TiO20 //Phys.Status Solidi A. 1981. V.74. P. K17 K21.

90. Гудаев О.А., Косцов Э.Г., Малиновский В.К. Инжекционный контакт к широкозонным диэлектрикам // Автометрия. 1978. № 1. С.203-205.

91. Peltier М., Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. № 9. P. 3683-3690.

92. Гудаев O.A, Гусев В.А., Деменко С.И. Влияние света на время жизни неравновесных носителей заряда в силленитах германия и кремния // Автометрия. 1983. №5. С. 44-50.

93. Гусев В.А., Детиненко В.А., Соколов А.П. Фотохромный эффект и оптическая запись информации в силленитах германия и кремния и титана // Автометрия. 1983. № 5. С. 34-44.

94. Гудаев О.А, Гусев В.А., Детиненко В.А. и др. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bi.2GeO20, Bi12Si02o //Автометрия. 1981. № 5. С. 38-47.

95. Haering R.R.and Adams E.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Current in Photoconductors.// Phys.Rev. 1960. V. 117. № 2. P. 451-454.

96. Dussel G.A. and Bube R.H. Theory of Thermally Stimulated Conductivity in a Previously Photoexcited Crystals //Phys.Rev. 1967. V. 155. № 3. P.764-779.

97. Lauer R.B. Thermally Stimulated current and luminescence in Bii2Si02o and Bi12GeO20 //J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 5. P. 2147-2149.

98. ЮЗ.Березкин В.И. Оптические и термические переходы в силикате висмута // ФТТ. 1983. Т. 25. № 2. С. 490-494.

99. Grossweiner L.I. A Note of the Analysis of First-Order Glow Curves // J.Appl.Phys. 1953. V.24. № 10. P. 1306-1307.

100. Ю5.Чмырев В.И., Цисарь И.В., Скориков B.M., Васильев А .Я. Измерение работы выхода монокристаллов Bii2SiO20 методом Кельвина // Неорг. материалы. 1993. Т.29.№2. С.262-269.

101. Юб.Соуа С., Zaldo С., Volkov V.V. et al. Gallium-induced Inhibition of the Photorefractive Properties of Sillenite Crystals // J.Optical Soc.Am. B. 1996. V.13. №5. P. 908-915.

102. Леонов Е.И., Щербаков А.Г. Локальные колебания примеси ванадия в кристаллах со структурой силленита// ФТТ. 1986. Т. 28. № 3. С. 916-918.

103. Каргин Ю.Ф., Хомич А.В., Перов П.И., Скориков В.М. Инфракрасные спектры твердых растворов Bii2SixGei.x02o // Неорг. материалы. 1985. Т.21. № 11. С.1973-1975.

104. Давыдов С.Ю., Леонов Е.И. К расчету диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических характеристик кристаллов со структурой силленита // ФТТ. 1986. Т.28. №6. С. 1742-1747.

105. Ю.Колосов Е.Е., Хабаров С.Э., Резвов А.В., Орлов В.М., Шилова М.П. Оптическое поглощение в монокристаллах и пленках Bij2Ti02o, легированного V и Nd, и Bi12GaO20 // Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 7. С. 1228-1230.

106. Чмырев В.И., Скориков В.М., Цисарь И.В., Васильев А.Я., Дудкина Т.Д., Каргин Ю.Ф. Оптические, фотоэлектрические и электрооптические свойствамонокристаллов Bii2Si02o, легированных Cd и Mo // Высокочистые вещества. 1991. №2. С. 88-92.

107. ПЗ.Васильев А .Я., Скориков В.М., Чмырев В.И., Цисарь И.В., Каргин Ю.Ф., Дудкина Т.Д. Способ получения монокристаллов силиката висмута. А.С. № 4856815/26, заявл. 02.08.90 г, опубл. 22.08.91 г.

108. Dudkina T.D., Chmyrev V.I., Volkov V.V., Skorikov V.M. Nb-doped Bi12TiO20 -a new photorefractive crystals // XVI International Confe-rence on Coherent and Nonlinear Optics.Moscow, Russia, 1998. P. 254.

109. Dudkina T.D., Egorysheva A.V., Volkov V.V., Skorikov V.M. Nb-doped Bi12TiO20: Crystal Growth and Characterization // Proc. SPIE. 1999. Vol. 3734. P.404-414.

110. Dudkina T.D., Skorikov V.M. Near-infrared refractive index of Bii2Si02o, Bij2Ge02o, Bi12Ti02o single crystals // International Conference on Solid State Crystals Materials Science and Applications. Zakopane, Poland, October 1998, p.B-26.

111. Дудкина Т.Д., Скориков B.M. Влияние легирования на оптические свойства тонких пленок и объемных кристаллов со структурой силленита // Научная сессия МИФИ-99.Сборник научных трудов. Т.З. М.: МИФИ, 1999. С. 172-176.

112. Дудкина Т.Д., Скориков B.M. Фотоэлектрические свойства цинката висмута, легированного ванадием // Научная сессия МИФИ-2000. Сборник научных трудов. Т. М.: МИФИ, январь 2000. С. С. 231 -232.