Физико-химические основы направленного синтеза монокристаллов силленитов с регулируемыми функциональными характеристиками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Егорышева, Анна Владимировна

• Егорышева, Анна Владимировна
• доктор химических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор химических наук Егорышева, Анна Владимировна

ГЛАВА 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ РОСТА И ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА

1.1. Фаза силленита и рост монокристаллов со структурой типа силле-нита

1.1.1. Методы выращивания монокристаллов

1.1.2. Рост кристаллов Bi12TiO20, Bi12CBio.67Zno33lO19.33, Bii2BOi9)5, Bi12[Bio,5Gao,5]Oi9,5, Bi12[Bio,5Fe0>5]Oi9,5, Bii2[Zn0,33V0,67]O20, Bii2[Alo,5Po,5]02o, Bi12[Gao,5Po,5]02o, Bi12[Feo,5Po,5]02o, Bi12SiO20, Bii2GeO20.

1.1.3. Методы изменения кислородной нестехиометрии кристаллов

1.2. Методы исследования кристаллов 36 Выводы

ГЛАВА 2. ПРИМЕНЕНИЕ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ДЛЯ АНАЛИЗА ОСОБЕННОСТЕЙ АТОМНОГО СТРОЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИЛЛЕНИТОВ.

2.1. Кристаллическая структура и особенности атомного строения соединений Bii2Mx02o±s (М - элементы II-VIII групп)

2.2. Применение колебательной спектроскопии для анализа особенностей атомного строения кристаллов.

2.2.1. Теоретико-групповые свойства и общая характеристика колебательных спектров

2.2.2. Особенности колебательных спектров кристаллов с различными М-катионами

2.2.3. Оценка межатомных расстояний и установление структурных особенностей кристаллов

2.2.4. Колебания гидроксильных групп в кристаллах, полученных в гидротермальных условиях

2.3. Изоморфизм фаз со структурой силленита 92 Выводы

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ ТИПА СИЛЛЕНИТА

3.1. Спектры отражения кристаллов Bii2Mx02o±

3.2. Спектры поглощения и кругового дихроизма нелегированных кристаллов в области межзонных переходов

3.3. Дисперсия показателя преломления и величина электрооптического коэффициента

3.4. Оптическая активность 119 Выводы

ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ХИРОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ СИЛЛЕНИТОВ В ОБЛАСТИ ПРИМЕСНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

4.1. Спектры поглощения и кругового дихроизма кристаллов Bi^M^ots

4.2. Влияние нестехиометрии на оптические и хироптические свойства

4.2.1. Монокристаллы силленитов, выращенные из шихты различного состава

4.2.2. Кристаллы силленитов с нестехиометрией по кислороду

4.3. Спектры кристаллов Bii2Ti02o, легированных р-элементами

4.4. Спектры поглощения и кругового дихроизма кристаллов, содержащих З-d элементы

4.4.1 .Силлениты, содержащие марганец

4.4.2. Силлениты, содержащие хром

4.4.3. Железосодержащие силлениты

4.4.4. Силлениты, легированные кобальтом

4.4.5. Силлениты, содержащие никель

4.4.6. Силлениты, легированные медью

4.4.7. Изменение спектров поглощения и кругового дихроизма кристаллов, содержащих d-элементы, при их взаимодействии с суперкритическими флюидами

Выводы

ГЛАВА 5. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В КРИСТАЛЛАХ СИЛЛЕНИТОВ

5.1. Перенос заряда в кристаллах силленитов

5.2. Фотопроводящие свойства Bii2Mx02o±

5.3. Влияние легирования на фотопроводящие свойства Bii2Ti02o

5.4. Кинетика фототока в кристаллах Bii2Mx02o±5 203 Выводы

ГЛАВА 6. ФОТОХРОМНЫЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА

6.1. Спектры фотоиндуцированного поглощения

6.1.1. Особенности спектров фотоиндуцированного поглощения кристаллов различного состава

6.1.2. Зависимость фотохромных свойств от степени нестехиометрии кристаллов

6.1.3. Влияние легирования на фотоиндуцированные свойства Bi12Ti02o

6.2. Термоактивационные процессы и центры захвата

6.3. Изучение кинетики фотоиндуцированного поглощения

6.3.1. Кинетика нарастания фотоиндуцированного поглощения

6.3.2. Релаксация фотоиндуцированного поглощения

6.3.3. Теоретическая модель процесса переноса заряда при фотовозбуждении кристаллов Bii2Ti02o

6.4. Природа и модели центров, ответственных за фотоиндуцированные явления в силленитах

6.4.1. Обзор существующих на сегодняшний день моделей

6.4.2. Оптические центры, ответственные за фотохромный эффект в кристаллах Bii2Mx02o±s

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические основы направленного синтеза монокристаллов силленитов с регулируемыми функциональными характеристиками»

Развитие лазерной техники невозможно без создания широкого спектра принципиально новых материалов для управления функциональными характеристиками оптического излучения. Необходимо отметить, что за 40 лет развития квантовой оптики в качестве сред для управления характеристиками оптического излучения было предложено огромное количество материалов. Однако лишь немногие из них нашли практическое применение. Причиной этого являются различные материаловедческие проблемы, возникающие при получении кристаллов требуемого в квантовой оптике качества.

Кристаллы со структурой силленита Bi^GeC^o, Bi^SiC^o, Bi12Ti02o в ряду материалов для оптоэлектроники характеризуются высокими значениями показателя преломления, электрооптическими и фотохромными свойствами, высокой скоростью фоторефрактивного отклика и хорошими фотопроводящими свойствами в видимой области спектра [1-3]. На их основе реализованы схемы усиления, обращения и самообращения волнового фронта световых пучков, адаптивные голографические интерферометры, фильтры пространственных частот, фотоприемники и другие устройства динамической голографии [1, 3-11]. Благодаря сочетанию высоких фото-рефрактивных параметров и хорошей радиационной стойкости кристаллы силленитов были рекомендованы для использования в качестве записывающей среды на борту Международной орбитальной станции [12]. Следует отметить перспективность использования этих кристаллов в пьезотехни-ке, акустоэлектронике, акустооптике и для решения других прикладных проблем [13-16].

К моменту начала выполнения настоящей работы в нашей стране и за рубежом был реализован значительный объем исследований, охватывающих многие аспекты проблемы создания указанных материалов. Спектроскопические свойства кристаллов Bi^GeC^o, Bi12SiO20, Bi^TiCbo исследовались достаточно интенсивно, а полученные экспериментальные результаты обобщены в ряде обзорных статей и монографий [2, 17-19]. Большой вклад в разработку проблемы синтеза и строения силленитов внесли работы, выполненные в ИОНХ РАН под руководством д.х.н., проф. В.М.Скорикова [20-22]. Широко известны работы коллективов С.-Петербургского государственного технического университета, Курского государственного технического университета и ряда научных лабораторий из ближнего и дальнего зарубежья (Украина, США, Германия, Польша, Болгария).

Разнообразие областей применения силленитов требует возможности изменения в широких пределах их различных структурно-зависимых спектроскопических характеристик, таких как поглощение, фотохромные свойства, фотопроводимость и др. Однако, к началу нашего исследования отсутствовала концепция направленного синтеза кристаллов силленитов с заданными свойствами. Не была выявлена связь между составом, кристаллохимическими особенностями и спектроскопическими свойствами силленитов, а также не идентифицирована природа центров, определяющих вид спектров поглощения, возникновение фотохромного эффекта и фотопроводимости. До настоящего времени отсутствовало понимание причин изменения спектроскопических характеристик легированных кристаллов силленитов. Не ясным оставался вопрос о преимущественном положении р- и d- элементов в кристаллической решетке силленитов и об их степенях окисления. Немногочисленные данные о влиянии нестехиометрии состава на свойства кристаллов Bi12Ge02o, Bi^SiC^o, Bii2Ti02o носили противоречивый характер. Таким образом, практически отсутствовали строгие корреляции, раскрывающие взаимосвязь функциональных характеристик материалов с их составом и структурой.

Решение этой проблемы требовало комплексного подхода, включающего в себя

- проведение систематических исследований изоструктурного ряда соединений. В структурном типе силленита реализуется около 60 индивидуальных фаз и твердых растворов на их основе, обобщённая формула которых может быть представлена в виде Bii2Mx02o±s (где М - элементы II-VIII групп), но основное внимание исследователей было сосредоточено на изучении кристаллов Bii2Ge02o, Bii2SiO20. Изучению Bii2Ti02o посвящено гораздо меньше работ. Свойства силленитов другого состава, а также влияние на них особенностями атомного строения этих соединений не были изучены ранее.

- установление корреляционных зависимостей типа "состав — воздействие - структура - свойства" путем направленного изменения состава изучаемых кристаллов по М катиону и кислороду и исследования их спектроскопических свойств. Важным аспектом в данном вопросе является также рассмотрение особенностей свойств монокристаллов, синтезированных в различных условиях: методами Чохральского, TSSG (рост на затравку из раствора в расплаве одного из компонентов) и гидротер-мальнывыявпвдии.закономерностей изменения функциональных характеристик силленитов (на примере Bii2Ti02o) в зависимости от состава и концентрации легирующей примеси. Для чего необходимо уточнить характер изоморфизма при легировании кристаллов Bii2Ti02o р- и Зс1-элементами и провести систематическое исследование влияния легирования в широком концентрационном интервале на спектроскопические свойства Bii2TiO20.

Необходимо подчеркнуть, что данное исследование требовало рассмотрения широкой совокупности спектроскопических свойств, в отличие от более ранних работ, посвященных изучению отдельно взятых характеристик.

Решению указанных и ряда других проблем посвящена настоящая работа, которая была выполнена в лаборатории физико-химического анализа оксидов Института общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН при частичной поддержке Президиума РАН в рамках программы «Направленный синтез веществ с заданными свойствами и создание функциональных материалов на их основе» (ЦБ-2.16), РФФИ (гранты № 99-03-32895, 00

15-97394, 02-03-32686, 02-02-81044), INTAS (01-0481) и ряда других грантов.

Цель работы. Установление закономерностей, определяющих спектроскопические свойства кристаллов силленитов, в зависимости от их состава, особенностей атомного строения и условий синтеза для создания материалов с направленно измененными свойствами, характеризующихся оптимальными функциональными параметрами.

Достижение поставленной цели было связано с решением следующих конкретных задач:

• Определение роли различных фрагментов структуры в формировании спектроскопических свойств силленитов, что включает в себя:

- выбор оптимальных условий синтеза и выращивание монокристаллов соединения Bii2MxO20±s>

- установление особенностей атомного строения кристаллов различного состава,

- выявление закономерностей, определяющих спектроскопические свойства кристаллов силленитов, в зависимости от особенностей атомного строения,

- изучение корреляционных зависимостей типа "состав - воздействие - структура - свойства", путем направленного изменения состава изучаемых кристаллов по М катиону и кислороду и исследования их спектроскопических свойств,

- рассмотрение особенностей свойств монокристаллов, синтезированных в различных условиях - из расплава или гидротермальным методом;

• Разработка метода управления функциональными характеристиками кристаллов В^ТЮго путем легирования, для чего было необходимо:

- изучить условия кристаллизации и синтезировать монокристаллы В^ТЮгоэ легированные элементами II-VIII групп,

- определить характер вхождения легирующих элементов в кристаллическую решетку титанату висмута,

- установить корреляционные зависимости изменения свойств Bi]2Ti02o от состава и концентрации легирующей примеси.

В качестве объектов исследования были выбраны кристаллы силленитов состава Bi12Mx02o±5 (М - Zn, В, Ga, Fe, Tl, Si, Ge, Ti, Cr, Mn, P, V), Bi24MP04o (M - Al, Ga, Fe), Bi38ZnV2O60, характеризующиеся различными особенностями атомного строения, а также монокристаллы В^ТЮго, легированные Си, Са, Zn, Cd, В, Al, Ga, V, Р, Nb, Cr, Mn, Fe, Co, Ni. Исследования проводили на монокристаллах, синтезированных расплавными методами (Bi12Mx02Q±s (М - Zn, В, Ga, Fe, Si, Ge, Ti), Bi24MP04o (M - Al, Ga, Fe), Bi38ZnV206o) и в гидротермальных условиях (Bii2Mx02o±5 (М - Ga, Tl, Cr, Mn, P, V).

Выбор объектов исследования определялся тем обстоятельством, что указанные материалы характеризуются различными особенностями атомного строения, которые должны существенно влиять на функциональные характеристики материала. Однако подобное исследование ранее не проводилось.

Научная новизна.

1. Получена совокупность экспериментальных данных, позволяющая в результате установления корреляционных зависимостей типа "состав -структура - свойства", разработать концепцию направленного поиска и создания оксидных материалов с заданными функциональными характеристиками на основе кристаллов со структурой силленита.

2. Предложен метод установления особенностей атомного строения силленитов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния. На основании изучения КР- спектров кристаллов Bii2Mx02o±5 (где М - Zn, В, Ga, Fe, Tl, Р, V, ZnV, А1Р, GaP, FeP) и 7-Bi203 установлена «характеристичность» колебаний различных фрагментов структуры силленита. Выявлены закономерности изменения частот «характеристических» колебаний в спектрах кристаллов с М2+, М3+ или М катионами. Определены структурные особенности кристаллов Bi24B2039, Bi36ZnV2O60, Bi24AlPO40, Bi24GaPO40, Bii2PxO20.

3. Показано, что кристаллохимическим фактором, определяющим спектроскопические свойства силленитов в области Е< 25 эВ, являются особенности атомного строения силленитов. Показано, что искажение висмут-кислородного карскаса силленитов за счет появления [ВЮз] и [ВЮ4] полиэдров приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, что сказывается на сдвиге края фундаментального поглощения, ходе кривой дисперсии показателя преломления и положения максимума фотопроводимости. Рассчитаны характеристические параметры электронной структуры силленитов. Определены значения показателя преломления в видимой области спектра и величины электрооптического коэффициента кристаллов Bi12TiO20, Bi25Ga039, Bi38Zn058, Bi36ZnV206o.

4. Показано, что вид спектров поглощения, кругового дихроизма и фотоиндуцированного поглощения кристаллов силленитов определяется существованием двух оптических центров, связанными со структурно обусловленными дефектами их кристаллических решеток - вакансией О(З) и сложным дефектным центром, содержащим М-вакансию и две вакансии О(З) в случае кристаллов с М4+ катионами. Предложена двухцентровая модель, описывающая кинетику фотохромного эффекта в кристаллах Bi12Ti02o, учитывающая возможность внутрицентровых переходов между уровнями, отвечающими каждому из центров.

5. Получены корреляционные зависимости коэффициента поглощения, величин кругового дихроизма, фотоиндуцированного поглощения и фотопроводимости Bii2Ti02o от соотношения концентраций [Ti02]/[Bi203] в исходной шихте. Изучено влияние кислородной нестехиометрии на свойства силленитов различного состава.

6. Методами Чохральского и TSSG получены объемные монокристаллы оптического качества ряда соединений со структурой силленита, а также монокристаллы Bii2Ti02o, легированные Си, Са, Zn, Cd, В, Al, Ga, V, Р, Nb,

Cr, Mn, Fe, Co, Ni и их комбинациями в широком концентрационном интервале (0,001-0,6 мас.%). Экспериментально установлены эффективные коэффициенты распределения легирующей примеси и предельные концентрации Мп2Оз, BiP04, V2O5, ZnO, CuO, В2Оз в расплаве, позволяющие получить качественные монокристаллы. Показано, что легирование кристаллов силле-нитов в исследуемом концентрационном интервале можно рассматривать с позиций изоморфной смесимости двух фаз.

7. Проведено систематическое исследование влияния легирования р-и Зс1-элементами в широком концентрационном интервале на спектры поглощения, кругового дихроизма, фотоиндуцированного поглощения и стационарной фотопроводимости Bij2Ti02o. Показано, что изменение спектроскопических характеристик легированных кристаллов связано с появлением оптических центров, обусловленных особенностями атомного строения фазы силленита, соответствующей легирующей примеси. Установлены корреляционные зависимости изменения свойств кристаллов титаната висмута при легировании двух, трех- и пятивалентными элементами. 8. Спектроскопическими методами (электронные спектры поглощения, кругового дихроизма, магнитного кругового дихроизма, ИК- и КР спектроскопия) установлены координационное окружение и зарядовое состояние 3d- элементов в кристаллах силленитов. Проведено отнесение полос в спектрах силленитов, содержащих 3d элементы, соответствующим электронным переходам в кристаллическом поле. Рассмотрено влияние кислородной стехиометрии, фотовозбуждения и двойного легирования на степень окисления марганца, хрома и меди в кристаллах силленитов.

9. Установлены специфические особенности спектров поглощения, кругового дихроизма и фотоиндуцированного поглощения кристаллов, полученных в гидротермальных условиях. Показано, что их существование связано с ОН-группами, структурно входящими в кристаллическую решетку этих соединений в позиции, определяемые особенностями атомного строения кристаллов с М2+-, М3+- и М5+-катионами.

Практическая значимость.

1. Комплексное исследование спектроскопических свойств силленитов различного состава и твердых растворов на их основе позволило объяснить наблюдаемые свойства с точки зрения их кристаллохимических особенностей, на основании чего разработаны физико-химические основы получения монокристаллов соединений с направленно измененными свойствами.

2. Определены оптимальные условия синтеза монокристаллов Bi12Mx02o±5 (где М - Zn, В, Ga, Fe, Si, Ge, Ti, ZnV, A1P, GaP, FeP) методами Чохральского и TSSG. Экспериментально определены параметры выращивания кристаллов Bii2Ti02o, легированных элементами II-VIII групп.

3. Получены кристаллы Bi]2Ti02o, свойства которых (поглощение, фотопроводимость и фотоиндуцированное поглощение) в зависимости от состава и концентрации легирующего элемента изменяются в пределах до 5 порядков величины при неизменно высоком значении электрооптической эффективности 95 пм/В.

4. Разработаны методики применения колебательной спектроскопии для исследования особенностей атомного строения кристаллов силленитов.

5. Экспериментально получены фундаментальные характеристики соединений со структурой силленита, которые могут быть включены в соответствующие справочники и использоваться при разработке и расчете характеристик фоторефрактивных устройств, а также в научном и учебном процессах.

Достоверность результатов проведенных исследований и обоснованность научных положений и выводов, сформулированных в диссертации, обусловлена широким набором экспериментальных данных, полученных комплексом физико-химических методов, взаимоподтверждающих и удостоверяющих полученные сведения.

Апробация работы. Результаты работы были представлены на III Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород, 1988), Международном симпозиуме «Ferro-, Piezoelectric Materials and their Applications» (Москва, 1994), XI и XIV International Conference on Crystal Growth (The Netherlands, 1995, France, 2004.), X Феофиловском Симпозиуме по спектроскопии кристаллов, легированных ионами переходных и редкоземельных металлов (С.-Петербург, 1995), International Conference CLEO-96. (Germany, 1996), XII, XIII, XIV International Conference on Solid State Crystals Materials Science and Applications. (Poland 1996, 1998, 2000), III, IV, V, VI Международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение", (Александров, 1997, 1999, 2001, 2003), XVI Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (С.-Петербург, 1998), III Conference on Optical Information Processing (Moscow-St.-Petersburg, 1999), 7th International Conference on Circular Dichroism (Poland, 1999), XI Конференции по химии высокочистых веществ (Н.-Новгород, 2000), International Scientific Conference on Optics of Crystals (Belarus. 2000), IX, X, XI Национальной конференции по росту кристаллов (Москва 2000, 2002, 2004), 2 Международной конференции молодых ученых и специалистов «0птика-2001». (С.-Петербург, 2001), International Conference on Problems of Interaction of Radiation with Materials (Belarus, 2001), III International Conference on Inorganic Materials (Germany, 2002), 9th, 11th International conference "Nonlinear Optics of Liquid and Photorefractive Crystals" (Ukraine, 2002, 2004), VIII Всероссийском совещании по высокотемпературной химии силикатов и оксидов (С.- Петербург, 2002), Конференции по фундаментальным проблемам оптики (С.Петербург, 2002), VI Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Новосибирск, 2002). Всероссийской научно-практической конференции «Проблемы современной радиоэлектроники и систем управления» (Томск, 2002, 2003, 2004), International Conference on Photorefractive Optics (Finland, 2003), 1th International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers (Ukraine, 2003), Europhysics Conference (France, 2003), VIII Международной учебно-методической конференции «Современный физический практикум» (Москва, 2004), ежегодных научных конференциях ИОНХ РАН (1991, 1994-1998, 2002, 2004). На ежегодных научных конференциях ИОНХ РАН в 2002 и 2004 г. работы, в которых были изложены основные положения диссертации, получили первую премию.

По теме диссертации опубликовано 95 печатных работ, включая 4 обзора, 55 научных статей в отечественных и зарубежных журналах, 36 тезисов докладов на Международных и национальных конференциях. В 1996 г. цикл работ, вошедших в диссертацию, удостоен Премии «Международной академической издательской компании «Наука» за лучшую публикацию в издаваемых ей журналах.

Личный вклад автора заключается в общей постановке цели и задач исследования, анализе, интерпретации и обобщении экспериментальных результатов, формулировке выводов, вытекающих из экспериментальных и теоретических исследований. По инициативе автора и при его непосредственном участии был проведен синтез монокристаллов силленитов. Основная экспериментальная часть работы выполнена лично автором на оригинальных собранных им установках.

Диссертация является обобщением многолетних исследований автора (с 1987 г.), выполненных непосредственно им в лаборатории физико-химического анализа оксидов ИОНХ им.Н.С.Курнакова РАН (зав.лаб. д.х.н., проф. В.М.Скориков), а также совместно с сотрудниками лаборатории Ю.Ф.Каргиным, В.В.Волковым, А.Я.Васильевым, Т.Д.Дудкиной, В.И.Чмыревым. Ряд работ выполнен совместно с проф. С.П.Губиным, проф. Н.А.Чумаевским, Е.Ю.Буслаевой, К.Г.Кравчуком, А.В.Стеблевским (ИОНХ РАН), проф. В.И.Бурковым (МФТИ), проф. С.М.Шандаровым, А.Е.Ман-делем (ТУСУР, г.Томск), А.А.Марьиным (ВНИИСИМС, Г.Александров, Влад. обл.), В.Г.Плотниченко, В.В.Колташевым (НЦВО ИОФ РАН), Е.Д.Образцовой, С.В.Терёховым (ЦЕНИ ИОФ РАН), проф. В.С.Гореликом, В.Н.Маховым (ФИ РАН). В них автору принадлежит часть работы по синтезу, расчету и интерпретации полученных результатов.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Егорышева, Анна Владимировна

Основные результаты и выводы данной работы сводятся к следующему:

1. Проведены синтез и комплексное исследование монокристаллов семейства силленита состава Bii2MxO20±5 (М - Zn, В, Ga, Fe, Tl, Si, Ge, Ti, Cr, Mn, P, V), Bi24MP04o (M - Al, Ga, Fe), Bi38ZnV2O60 и твердых растворов на их основе, что позволило установить закономерности изменения спектральных зависимостей величин коэффициента поглощения, показателя преломления, кругового дихроизма, фотоиндуцированного поглощения, фотопроводимости, темнового сопротивления этих соединений при вариации их катионного состава, кислородной нестехиометрии и условий синтеза. Тем самым развито направление исследований, позволяющее с помощью корреляционных зависимостей "состав - структура - свойства" создать научные основы технологии получения материалов с заданными функциональными характеристиками.

2. В результате изучения КР- спектров монокристаллов Bii2Mx02o±s (где М - Zn, В, Ga, Fe, Tl, Р, V, ZnV, А1Р, GaP, FeP) и 7-Bi203 установлены закономерности изменения частот колебаний в спектрах кристаллов с М2+, М3+ или М5+ катионами, что позволило разработать эффективный подход для выявления особенностей атомного строения кристаллов силленитов различного состава (В124В2Оз9, Bi36ZnV2O60, Bi24AlP04o, Bi24GaPO40 и Bii2PxO20), не изученных рентгеноструктурными методами.

3. Установлена определяющая роль висмут-кислородных [ВЮ5] полиэдров кристаллической решетки силленитов в формировании электронной структуры кристаллов в спектральном диапазоне Е< 25 эВ. Показано, что искажение висмут-кислородного каркаса силленитов (появление [ВЮз] и [ВЮ4] полиэдров), обусловленное структурными особенностями кристаллов различного состава, приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны и сказывается на ходе кривой дисперсии показателя преломления, сдвиге края фундаментального поглощения и положения максимума фотопроводимости до 0.4 эВ.

4. Впервые установлена природа оптических центров, определяющих спектроскопические свойства кристаллов силленитов в диапазоне 1.5- 3.0 эВ. Показано, что оптические центры связаны со структурно обусловленными дефектами кристаллических решеток силленитов - «изолированной» кислородной вакансией и сложным дефектным центром, состоящим из М-вакансии и двух вакансии по кислороду. Предложена двухцентровая модель, описывающая кинетику фотоиндуцированного поглощения кристалла Bii2Ti02o, с учетом возможности внутрицентровых переходов между уровнями, отвечающими каждому из центров.

5. Изучены условия синтеза монокристаллов Bii2Ti02o, легированных как отдельными элементами (Си, Са, Zn, Cd, В, Al, Ga, V, Р, Nb, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), так и их комбинациями, в интервале концентраций 0.001-0.6 мас.%. Показано, что легирование силленитов в исследуемом концентрационном интервале происходит с образованием твердого раствора между двумя соответствующими индивидуальными фазами Bii2Mx02o±s. При этом атомы легирующего элемента занимают тетраэдрические М-позиции, а при гетерова-лентном замещении М-позиции частично занимают атомы Bi в [ВЮз]-группах.

6. Изменяя величину соотношения Bi203/Ti02 в исходной шихте или используя легирование, синтезированы монокристаллы Bii2Ti02o, свойства которых (поглощение, фотопроводимость и фотоиндуцированное поглощение) в зависимости от состава и концентрации легирующего элемента изменяются в пределах до 5 порядков величины при неизменно высоком значении электрооптической эффективности (95 пм/В). Впервые установлено, что изменение спектроскопических характеристик легированных кристаллов связано с появлением оптических центров, обусловленных особенностями атомного строения фазы силленита, соответствующей легирующей примеси. Выявлены корреляционные зависимости изменения свойств Bii2Ti02o от состава шихты и концентрации легирующей примеси.

7. Показано, что Зё-элементы в кристаллах со структурой силленита входят в тетраэдрические позиции в степенях окисления Ti4+, V5+, Сг5+ и Cr4+, g I Л I ^ I Л I ^ I ^ | ^ i ^ I

Mn , Mn и Mn , Fe , Co , Ni , Cu , Zn . Отношение концентрации Mn5+/Mn4+ и Cr5+/Cr4+ в кристаллах силленитов зависит от предыстории образца, а также от степени окисления второго компонента в случае двойного легирования. Изменение кислородной нестехиометрии кристаллов Bii2MxO20±8, содержащих марганец, хром или медь, сопровождается обратимым изменением степени окисления Мп5+ <-» Мп4+ <-» Мп2+, Сг5+ <-» Сг4+ и Си2+ <-> Си+.

8. Установленно, что выращивание в гидротермальных условиях не влияет на спектроскопические характеристики кристаллов Bii2MxO20±5 с М4+ -катионами и может быть использован для массового производства наряду с методами синтеза из расплава. В кристаллах с двух- и трехвалентными катионами, полученных в гидротермальных условиях, обнаружены оптические центры, связанные с ОН-группами, структурно входящими в кристалличе

I Q 1 Q 1 скую решетку силленитов (в концентрации 10 - 10 см' ), что ухудшает их спектроскопические характеристики.

В заключение автор выражает глубокую благодарность и искреннюю признательность проф., д.х.н. В.М.Скорикову, д.х.н. Ю.Ф.Каргину, проф. д.ф.-м.н. В.И.Буркову, проф. д.ф.-м.н. С.М. Шандарову, д.х.н. А.А.Марьину, проф. д.х.н. С.П. Губину, проф. д.х.н. Н.А.Чумаевскому, проф., д.ф.-м.н. В.Г.Плотниченко, проф., д.ф.-м.н. В.С.Горелику, к.х.н. В.В.Волкову, к.ф.-м.н. В.И.Чмыреву, к.г.-м.н. Е.Ю.Буслаевой, к.х.н. К.Г.Кравчуку, к.х.н. А.В.Стеблевскому, к.ф.-м.н. А.Е. Манделю, к.ф.-м.н. В.В.Колташеву, к.ф.-м.н. Е.Д.Образцовой, к.ф.-м.н. С.В.Терехову, к.ф.-м.н. В.Н.Махову, Dr.C.Zaldo и сотрудникам лаборатории физико-химического анализа оксидов ИОНХ РАН, всем, кто на разных этапах способствовал выполнению данной работы.

263

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подводя итоги проделанной работы, важно отметить, что задача, поставленная перед данным исследованием, выполнена. Определены оптимальные условия выращивания силленитов различного состава методами Чохральско-го и TSSG и получены объемные монокристаллы оптического качества Bi38Zn058, Bi38ZnV206o, Bi25Ga039, Bi25Fe039, Bi24B039, Bi24AlPO40, Bi24GaPO40, Bi24FeP04o, Bii2Si02o, Bi12GeO20 и монокристаллы Bii2TiO20 с различной степенью отклонения от стехиометрии. Экспериментально исследованы условия кристаллизации и выращены монокристаллы Bii2Ti02o, легированные элементами II -VIII групп в широком концентрационном интервале, определен характер вхождения легирующих элементов. Установлены координационное окружение и зарядовое состояние 3d- элементов в кристаллах силленитов. Показана возможность применения колебательной спектроскопии для исследования особенностей атомного строения кристаллов силленитов и выявлены структурные особенности кристаллов Bi24B2039, Bi36ZnV206o, Bi24AlPO40, Bi24GaP04o, Bii2Px02o, не изученных рентгеноструктурными методами, для чего установлена «характеристичность» колебаний ряда фрагментов структуры силленита и закономерности изменения их частот в спектрах кристаллов с различными особенностями атомного строения. Исследованы спектры отражения, поглощения, кругового дихроизма, фотоиндуцированного поглощения и фотопроводимости кристаллов силленитов различного состава, изучено влияние на спектроскопические свойства Bii2Ti02o нестехиометрии состава и легирования элементами II-VIII групп, выявлены основные физико-химических факторы, определяющие свойства кристаллов силленитов. Таким образом, получена необходимая информация для определения условий синтеза соединений и научного прогнозирования оптических и фотоиндуцированных свойств новых фо-торефрактивных материалов с направленно измененными свойствами для оптимизации их функциональных параметров.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Егорышева, Анна Владимировна, 2005 год

1. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике.СПб.: Наука, 1992. 318 с.

2. Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуциро-ванные явления в силленитах. Новосибирск: Наука, 1990. 160 с.

3. Buse К. Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals II: Materials // Appl.Phys.B. 1997. V.64. P.391-407.

4. Stepanov S.I. Applications of Photorefractive crystals // Reports on Progress in Physics. 1994. V. 57. № l. p. 39-110.

5. Kukhtarev N., Chen Bo Su, Venkateswarlu P. Reflection holographic gratings in 111. cut Bi12Ti02o crystal for real time interferometry // Optics Commun. 1993. V. 104. N 1-3. P. 23-28.

6. Кульчин Ю.Н., Ромашко P.B., Пискунов E.H., Камшилин А.А. Многоканальный корреляционный фильтр на основе фоторефрактивного кристалла для обработки изменяющихся спекловых полей // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26. № 12. С.23-27.

7. Mokrushina E.V., Bryushinin М.А., Kulikov V.V., et al. Photoconductive properties of photorefractive sillenites grown in an oxygen-free atmosphere // J. Opt. Soc. Am. B. 1999. V.16. P. 57-62.

8. Frejlich J., Garcia P.M. Advances in Real-Time Holographic Interferometry for the measurement of Vibrations and Deformations // Optics and Lasers in Engineering. 2000. V. 32. N 6. P. 515-527.

9. Romashko R.V., Shandarov S.M., Kulchin Yu.N., et al. Reflection Photorefractive Holograms in Fiber-Optical Interferometer Systems // Pacific Science Review. V. 5. 2003. P.38-41.

10. Захаров И.С. Пространственно-временные модуляторы света. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1983. 264 с.

11. Georges М., Dupont О., Zayer I., et al. Qualification of BSO crystals for use onboard the International Space Station // OSA TOPS. 2003. V. 87. P.456-462.

12. Акустические кристаллы. Справочник. Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Чкалова В.В. и др. под ред. М.П.Шаскольской. М.: Наука, 1982. 632 с.

13. Гуляев Ю.В., Проклов В.В., Шкердин Г.Н. Дифракция света на ультразвуке в твердых телах // УФН. 1978. Т. 124. № 1. С.61-112.

14. Yuji Hamasaki, Hideo Gotoh, Masaaki Katoh, Seiichi Takeuchi. OPSEF: An Optical Sensor for Measurement of High Electric Field Intensity // Electronics Letters. 1980. V.16.N 11. P.406-407.

15. Горчаков B.K., Каргин Ю.Ф., Куцаенко B.B., и др. Устройство для измерения напряженности электрического поля // Патент РФ № 1737371 А1, кл. G01 R 29/08, от 26.03.1993.

16. Бабонас Г.А. Оптические свойства силленитов. В сб. Электроны в полупроводниках. Вып.6. Электронная структура и оптические спектры полупроводников. Под ред Ю.Пожелы. АН ЛитССР. Ин-т физики полупроводников. Вильнюс: Мокслас, 1987. С.41-124.

17. Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. М.: Наука, 1992. 238 с.

18. Photorefractive Effects and Materials, edited by D.D.Nolte, Kluwer Academic Publishers, 1995.

19. Скориков В.М. Химия оксидных соединений пьезоэлектриков. Дисс. на соиск. уч. ст. доктора химических наук. М.: ИОНХ РАН, 1985.

20. Скориков В.М., Каргин Ю.Ф. Химия оксидных соединений висмута. В кн. Исследования по неорганической химии и химической технологии. Под ред. А.И.Цивадзе. М.: Наука, 1988. С.261-278.

21. Каргин Ю.Ф. Синтез, строение и свойства оксидных соединений висмута со структурой силленита. Дисс.на соиск.уч.ст. д.х.н., М.: ИОНХ РАН, 1998. 305 с.

22. Sillen L.G. X-ray studies of Bismuth Trioxide // Arkiv Kemi.miner.geologi. A. 1937. V.12. № 18. P.l-15.

23. Ballman A.A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium oxide Bi12GeO20 //J.Cryst.Growth. 1967. V.l. N 1. P.37-40.

24. Skorikov V.M., Kargin Yu.F., Egorysheva A.V., et al. Growth of Crystal with Sillenite Structure // Inorg. Materials. 2005. V. 41. (Supplement 4) N 1. P. SI46-S198.

25. Сафонов А.И., Барышев C.A., Никифорова Т.И., и др. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bi12Ge02o // Кристаллография. 1969. Т. 14. № 1.С. 152-153.

26. Brice J.C. The cracking of Czochralski grown crystals // J. Cryst. Growth. 1977. V.42. N 1. P.427-430.

27. Brice J.C., Whiffin P.A.C. Changes fluid flow during Czochralski growth // J.Cryst.Growth. 1977. V.33. P.245-248.

28. Piekarczyk W., Swirkowicz M., Gazda S. The Czochralski growth of bismuth germanium oxide single crystals //Mat. Res.Bull. 1978. V.13. P.889-894.

29. Кравченко В.Б., Куча B.B., Соболев A.T. Влияние формы фазовой границы на морфологию и реальную структуру кристаллов GdsGasO^ и Bii2Ge02o, выращиваемых по методу Чохральского // Кристаллография. 1980. Т. 25. № 5. С.1110-1115.

30. Кукушкин С.А., Максиков А.И., Петров А.А. Распределение примеси по фронту кристаллизации при росте монокристаллов Bi12Si02o методом Чохральского // Ж.Технич.Физики. 1980. № 2. С.431-433.

31. Svestharov P., Gospodinov М.М. The melt level technique of automatic Czochralski crystal growth; basic theory and comparison with the weighting method // J. Crystal Growth. 1992. V.l 18. № 3-4. P.439- 451.

32. Fontaine J.P., Extremet G.P., Chevrier V., Launay J.C. Experimental and Theoretical Treatments of the Czochralski Growth of Bii2Si02o // J. Cryst. Growth. 1994. V.139. N 1-2. P.67-80.

33. Santos M.T., Marin C., Dieguez E. Morphology of Bii2Ge02o Crystals Grown Along the (111) Directions by the Czochralski Method // J. Cryst. Growth. 1996. V.160. N 3-4. P.283-288.

34. Rojo L.C., Marin C., Derby J.J., Dieguez E. Heat transfer and the external morphology of Czochralski-grown sillenite compounds // J. Cryst. Growth. 1998. V.183. P.604-613.

35. Rojo J.C., Dieguez E., Derby J.J. A Heat Shield to Control Thermal Gradients, Melt Convection, and Interface Shape during Shouldering in Czochralski oxide growth // J. Crystal Growth. 1999. V. 200. P. 329-334.

36. Wada N., Morinaga К. T-T-T Diagrams and C-C-C Diagrams for Growth of Sillenite Single-Crystals // J. Ceram. Soc. Jap. 1998. V.106. N 6. P.576-581.

37. Kumaragurubaran S., Babu S. M., Kitamura K., et al. Defect analysis in Czochralski grown Bii2SiO20 crystals // J. Crystal Growth. 2001. V. 229. N 1-4. P. 233-237.

38. Vaithianathan V., Kannan C.V., Santhanaraghavan P., et al. Czochralski growth of Bi12Geo.5Sio.502o (BGSO) crystal // Book of abstracts 14-th Inter. Conf. On Crystal Growth ICCG-14. Grenoble. France. 2004. P.307.

39. Budenkova O.N., Vasiliev M.G., Yuferev V.S.et al. Simulation of global heat transfer in the Czochralski process for BGO sillenite crystals // J. Crystal Growth. 2004. V. 266. N 1-3. P. 103-108.

40. Bruton T.M. The flux growht of some y-Bi203 crystals by the top-seeded technique // J.Crystal Growth. 1974. V.23. P.21-24.

41. Bruton T.M., Hill O.F., Whiffin P.A.C., Brice J.C. The growth of some gamma bismuth oxide crystals // J. Crystal Growth. 1976. V.32. P.27-28.

42. Mersch F., Buse K., Sauf W. et al. Growth and Characterization of Undoped and Doped Bi12TiO20 Crystals // Phys.Stat.Solidi A. 1993. V. 140. № 1. P. 273-281.

43. Волков В.В., Егорышева А.В., Скориков В.М. Выращивание и некоторые физические свойства фаз типа силленита с ориентационной разупорядо-ченностью // Неорган. Материалы. 1993. Т.29. № 5. С. 652-655.

44. Miyazawa S., Tabata Т. Bi203-Ti02 Binary Phase Diagram Study for TSSG Pulling of Bii2TiO20 Single Crystals //J. Crystal Growth. 1998. V.191. P.512-516.

45. Prokofiev V.V., Carvalho J.F., Andreeta J.P., et al. Growth and Characterization of Photorefractive Bii2TiO20 Single-Crystals // Cryst. Res. Techn. 1995. V.30. N 2. P.171-176.

46. Riehemann S., Richermann F., Volkov V.V., Egorysheva A.V., Van Bally G. Optical and Photorefractive Characterization of BTO Crystals Doped with Cd, Ca, Ga and V // J.Nonlin.Opt.Phys.Materials. 1997. V. 6. N 2. P. 235-249.

47. Burianek M., Muhlberg M. Crystal Growth of Boron Sillenite Bi24B2039 // Cryst.Res.Technol. 1997. V.32. N 8. P.1023-1027.

48. Egorysheva A.V., Burkov V.I., Kargin Yu.F., Skorikov V.M. The Growth and Spectral Properties of Single Crystalline Films of В124В2Оз9 // Intern. Conf. on Solid State Crystals Materials Science and Applications (ICSSC'98). Poland 1998.

49. Egorysheva A.V., Volkov V.V., Burkov B.I., et al. Growth and Characterization of Bismuth Borate Crystals // Optical Materials. 1999. V.13. N 3. P.361-365.

50. Carvalho J.F., Hernandes A.C. Large Bii2Ti02o single crystals: a study of intrinsic defects and growth parameters // J. Crystal Growth. 1999. V.205. P. 185-190.

51. Каргин Ю.Ф., Волков B.B., Егорышева A.B., и др. Выращивание монокристаллов оксидных соединений висмута со структурой силленита из расплава // Тез.докл. IX Национальная конференция по росту кристаллов. Москва. ИКРАН. 2000. С. 174.

52. Egorysheva A.V., Burkov В Л., Kargin Yu.F., Skorikov V.M. Stoichiometric dependence of optical and photoconductive properties of Bii2TiO20 single crystals // Proc.SPIE. 2001. V.4358. P. 97-101.

53. Burianek M., Held P., Muehlberg M. Improved single crystal growth of the boron sillenite "Bi24B2C>39" and investigation of the crystal structure // Cryst. Res. Technol. 2002. V.37. N 8. P.785-796.

54. Kargin Yu.F., Egorysheva A.V., Volkov V.V., et al. Growth and Characterization of Doped Bi12TiO20 Single Crystals // J.Cryst. Growth. 2005. V.275. N.l-2. P.e779-e784.

55. Xu Xuewu, Liao Jingying, Shen Bingfu, et al. Bi12SiO20 Single Crystal Growth by the Bridgman Method // J.Cryst. Growth. 1993.V. 133. P.267-272.

56. Xu Xuewu, Liao Jingying, Shen Bingfu, et al. Vertical Bridgman Growth and Optical Properties of Doped Bii2SiO20 Crystals // Cryst. Res. Technol. 1994. V.29. N 2. P.207-213.

57. Maida S., Higuchi M., Kodaira K. Growth of Bi12SiO20 single crystals by the pulling-down method with continuous feeding // J. Cryst. Growth. 1999. V. 205. N3. P. 317-322.

58. Lan C. W., Chen H. J., Tsai С. B. Zone-melting Czochralski pulling growth of Bi12SiO20 single crystals //J. Cryst. Growth. 2002. V. 245. N 1-2. P. 56-62.

59. Барсукова M.JI., Кузнецов В.А., Лобачев А.Н. Выращивание кристаллов Bi.2Ti02o гидротермальным методом // В.кн.: Рост кристаллов из высокотемпературных водных растворов. М.: Наука, 1977. С.190-197.

60. Марьин А.А. Использование метода гидротермального синтеза для изучения кристаллохимических особенностей силленитов. // В кн.: Проблемы эксперимента в твердофазовой и гидротермальной аппаратуре высокого давления. М.: Наука, 1982. С.214-219.

61. Марьин А.А. Синтез и выращивание на затравку кристаллов силленитов в гидротермальных растворах. Автореферат дисс. канд. геолого-минерлог. наук. М.: МГУ им.М.В.Ломоносова, 1980. 21 с.

62. Юдин А.Н. Морфология и выращивание кристаллов силленитов из гидротермальных растворов. Дисс. на соиск.уч.ст. к.г.-м.н., М.: МГУ им.М.В.Ломоносова, 1987. 212 с.

63. Larkin J., Harris М., Cormier J.E. Hydrothermal Growth of Bismuth Silicate (BSO) // J. Crystal Growth. 1993. V. 128. P.871-875.

64. Marin A.A., Yudin A.N., Kargin Yu.F. Hydrothermal growth and morphology of sillenite-type crystals // Book of abstracts 14-th Inter. Conf. On Crystal Growth ICCG-14. Grenoble. France. 2004. P.512.

65. Ballman A.A., Brown H., Tien P.K., Martin R.J. The growth of single crystalline waveguiding thin films of piezoelectric sillenites // J.Crystal Growth. 1973. V.20. P.251-255.

66. Tada K., Kuhara Y., Tatsumi M., Ymaguchi T. Liquid-phase epitaxial growth of bismuth silicon oxide single-crystal film: a new optically activated optical switch // Appl.Optics. 1982. V.21. № 16. P.2953-2959.

67. Бондарев А.Д., Кацавец Н.И., Кудрик И.Е., и др. Получение и исследование оптических и фотоэлектрических свойств гетероэпитаксиальных плёнок титаната и галлата висмута // Письма в ЖТФ. 1985. T.l 1. № 12. С.713-717.

68. Кукушкин С.А., Разумов С.В., Калинкин И.П., Красинькова Н.В. Процессы роста тонких плёнок Bi12TixSii.x02o из жидкой фазы // Кристаллография. 1990. Т.35. № 6. С.1517-1522.

69. Kargin Yu.F., Egorysheva A.V., Volkov V.V., et al. The Growth of Photorefractive Planar BTO/BSO and BTO/BGO Waveguide // J.Ciyst. Growth. 2005. V.275. N.l-2. P.e2403-e2407.

70. Ivleva L.I., Kuz'minov Yu.S., Osiko V.V., Polozkov N.M. The growth of Multi-component Oxide Single Crystals by Stepanov's Technique // J. Crystal Growth. 1987. V.82.N1-2. P.168-176.

71. Miyamoto K., Miyamoto H., Komoda Sh. Growth of thin plates of Bij2Si02o single crystals // Mat.Res.Bull. 1980. V.15. P.729-734.

72. Silvestri V.J., Sedwick Т.О., Landermann J.B. Vapor growth of Bij2Ge02o, y-Bi203 and ВЮС1 // J. Crystal Growth. 1973. V.20. P.165-168.

73. Plyaka S.N., Sokolyanskii G.Ch., Klebanskii E.O., Sadovskaya L.Ja. Conductivity of the Bii2SiO20 thin films // Condens.Mater.Phys. 1999. V.2. N 4. P.625-630.

74. Mitsuyu Т., Wasa K., Hayakawa S. RF-sputtered epitaxial films of Bii2Ti02o on Bi,2GeO20 for optical waveguiding // J. Crystal Growth. 1977. V.41. P.151-156.

75. Корнетов B.H., Климова C.M., Огнев A.H., Ускова З.А. Рентгенофазовые и ИК-спектроскопические исследования слоёв германатов висмута. // Сб. Физические основы микроэлектроники. М.: Моск.ин-т электронной техн., 1986. С.135-141.

76. Nomura К., Ogawa Н. Electro-optic effects of electron cyclotron resonance plasma-sputtered Bij2SiO20 thin film on sapphire // J. Appl. Phys. 1991. V.70. P.3234-3238.

77. Alfonso J E, Martin M., Mendiola J., et al. Pulsed laser deposition of sillenite films intended for photorefractive damage free waveguides // Appl. Surface Science. 1996. V. 96. P. 791-794.

78. Alfonso J., Martin M., Volkov V.V., et al. Photoconductive Bii2M02o-type Films Preparedly Pulsed Laser Deposition // J.Mater.Res. 1999. V.l4. N 11. P.4409-4417.

79. Prokofiev V.V., Andreeta J.P., de Lima C.J., et al. Growth of single crystal photorefractive fibers of Bii2SiO20 and Bii2TiO20 by the laser-heated pedestal growth method // J. Crystal Growth. 1994. V.137. P.528-534.

80. Fu S., Ozoe H. Enhancement of Growth-Rate for BSO Crystals by Improving Thermal Conditions//Mat. Res. Bull. 1996. V.31.N 11. P.1341-1354.

81. Saghir M.Z., Islam M.R., Maffei N., Quon D.H.H. Three-dimensional modeling ofBi12GeO20 using the float zone technique // J. Crystal Growth. 1998. V.l93. P. 623-635.

82. Takagi K., Pukazawa F., Ishii M. Inversion of the direction of the solid-liquid interface on the Czochralski growth of GGG crystals // J.Cryst.Growth. 1976. V.32. P.89-93.

83. Zhereb V.P., Skorikov V.M. Metastable States in Bismuth-Containing Oxide Systems // Inorganic Materials. 2003. V.39. (Supplement 2) N 2. S121-S145.

84. Steiner В., Laor U., Kuriyama M., et al. Diffraction imaging of high quality bismuth silicon oxide with monochromatic synchrotron radiation: applications for crystal growth // J. Crystal Growth. 1988. V.87. P.79-100.

85. Сафронов Г.А., Сперанская Е.И., Батог B.H. и др. Фазовая диаграмма системы окись висмута- окись галлия // Ж.Неорганич. Химии. 1971. Т. 16. № 2. С. 526-529.

86. Джалаладдинов Ф.Ф. Фазовые взаимодействия в тройных системах Bi203 -ZnO Э02 и Bi203 -Ga203 -Э02, Э - Si, Ge. Дисс. канд.хим.наук. М.: ИОНХ АН СССР, 1984. 188 с.

87. Сперанская Е.И., Скориков В.М., Терехова В.А., Роде Е.Я. Фазовая диаграмма системы окись висмута окись железа. // Изв. АН СССР. сер.Химическая. 1965. № 5. С.905-906.

88. Каргин Ю.Ф., Егорышева А.В. Синтез и особенности строения В124В20з9 со структурой силленита // Неорганич.Материалы. 1998. Т.34. № 7, с. 859-863.

89. Levin Е.М., McDaniel C.L. The System В12Оз-В2Оз // J. Am. Cer. Soc. 1962. V.45. N 8. P.355-360.

90. Каргин Ю.Ф., Воеводский В.Ю. Фазовые равновесия в системе Bi203-V205 в области концентраций 0-15 мол.% V2O5 // Ж. Неорганич. Химии. 1997. Т.42. № 9. С.1564-1566.

91. Волков В.В., Жереб Л.А., Каргин Ю.Ф., и др. Система В120з-Р205 // Ж.Неорганич. Химии. 1983. Т.28. № 4. С. 1002-1005.

92. Каргин Ю.Ф. Фазовые взаимоотношения в системах В120з-М20з (М = Sc, In, Tl) // Ж.Неорганич. Химии. 2000. Т.45. № 9. С. 1553-1555.

93. Сперанская Е.И., Скориков В.М., Сафронов Г.М., Гайдуков Е.Н. Система В120з-А120з. // Изв.АН СССР. Неорганич.Материалы. 1970. Т.6. № 7. С.1364-1365.

94. Каргин Ю.Ф., Воеводский В.Ю. Фазовые взаимоотношения в системе Bi203-Mn0-Mn02 // Ж.Неоргианич.Химии. 2000. Т.45. № 9. С.1545-1552.

95. Житомирский И.Д., Федотов С.В., Скороходов И.Е., и др. Синтез и свойства фаз в системе В120з-Сг20з // Ж.Неорганич. Химии. 1983. Т.28. № 4. С.1006-1011.

96. Гусев В.А., Детиненко В.А., Соколов А.П. Фотохромный эффект и оптическая запись информации в силленитах германия, кремния и титана // Автометрия. 1983. № 5. С. 34-44.

97. Ю4.Елисеев А.П., Надолинный В.А., Гусев В.А. Вакансионные центры в монокристаллах Bii2RO20 (R=Si, Ti, Ge) // Ж.Структ.Химии. 1982. Т. 23. № 3. С. 181-182.

98. Скориков В.М., Захаров И.С., Волков В.В., Спирин Е.А. Спектральные характеристики пропускания и поглощения монокристаллов Bi^GeC^o, Bii2SiO20, Bi12Ti02o // Неорган. Материалы. 2002. Т.38. № 2. С.226-232.

99. Юб.Панченко Т.В., Костюк В.Х., Копылова С.Ю. Локальные центры в кристаллах Bi^SiCbo нестехиометрического состава // Физика Твердого Тела. 1996. Т.38. № 1. С.155-165.

100. Шиманский А.Ф., Нестехиометрия германата и силиката висмута со структурой силленита//Ж.Неорган.Химии. 1998. Т.43. № 9. С.1425-1429.

101. Шиманский А.Ф., Швайко-Швайковский В.Е., Каргин Ю.Ф., и др. Нестехиометрия и массоперенос в титанате висмута со структурой силленита // Неорганич.материалы. 1996. Т.32. № 3. С.339-341.

102. Марушкин К.Н., Алиханян А.С. Масс-спектральный метод исследования областей гомогенности оксидов // Доклады АН СССР. 1993. Т.329. № 4. С.452-454.

103. Ю.Казенас Е.К., Чижиков Д.М. Давление и состав пара над окислами химических элементов. М.: Наука, 1976. С.128-130.

104. Каргин Ю.Ф. Фазовый состав поверхности кристаллов В^гМОго и Bi4M30i2 (М Si , Ge, Ti) при отжиге в вакууме // Неорганич.материалы. 1995. Т.31. № 1. С.88-90.

105. Соуа С., Fierro J.L.G., Zaldo С. Thermal Reduction of Sillenite and Eulite Single Crystals // J.Phys.Chem.Solids. 1997.V. 58. № 9. P. 1461-1467.

106. Волков B.B., Егорышева A.B., Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. Фотохромные центры в монокристаллах Bii2TiO20<Mn> // Неорган.материалы. 1993. Т. 29. № 11. С. 1525-1535.

107. Егорышева А.В., Волков В.В., Скориков В.М. Фотоиндуцированное поглощение в монокристаллах В^ТЮго, легированных Fe и Си // Неорган, материалы. 1994. Т. 30. № 5. С. 653-660.

108. Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф., Волков В.В. Фотохромные свойства кристаллов Bi^TiC^o, легированных цинком // Материалы Всерос. науч.-практ.конф. «Проблемы современной радиоэлектроники и систем управления». Томск. Россия. 2004. С.208-212.

109. Егорышева А.В., Бурков В.И., Буслаева Е.Ю., и др. Изменение спектроскопических свойств кристаллов силленита при их взаимодействии с суперкритическими флюидами // Ж.Неорган.Химии. 2002. Т.47. № 6. С.992-998.

110. Буслаева Е. Ю., Кравчук К. Г., Каргин Ю. Ф., Губин С. П. Взаимодействие Mn02, Mn203, а-Ш20з и Bi.2Tii.xMnx02o с изопропанолом в сверхкритическом состоянии // Неорганич. Материалы. 2002. Т. 38. № 6. С. 706-710.

111. Каргин Ю.Ф., Егорышева А.В., Буслаева Е.Ю., и др. Взаимодействие сложных оксидов с суперкритическим изопропанолом // Ж.Неорган.Химии. 2003. Т.48. № И. С.1765-1768.

112. Байрамов Б.Х., Рез И.С., Хашхожев З.М., Цанев В.И. Рассеяние света оптическими фононами в кристаллах Bi.2Si02o // Физика Твёрдого Тела. 1972. Т. 14. № 6. С.1711-1714.

113. Venugopalan S., Ramdas А.К. Raman spectra of bismuth germanium oxide and bismuth silicon oxide // Phys.Rev. B. 1972. V.5. № 10. P.4065-4079.

114. Zimmerer G. Status report on luminescence investigations with synchrotron radiation at HASYLAB //Nucl. Instr. Meth. A. 1991. V.308. P.178-186.

115. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.:Наука, 1977. 366 с.

116. Афанасьев В.А. Оптические измерения. М.: Высшая школа, 1981. С.104-105.

117. Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975. 327 с.

118. Lauer R.B. Thermally stimulated current and. luminescence in Bii2Si02o and Bi12GeO20 // J.Appl.Phys. 1971. V. 42. N 5. P. 2147-2149.

119. Bloom D., McKeever S.W.S. Trap level spectroscopy of undoped and Ga-doped Bii2GeO20 using thermally stimulated conductivity // J.Appl.Phys. 1995. V.77. N 12. P.6521-6533.

120. Най Дж. Физические свойства кристаллов. Пер. с анг. М.: Мир, 1976. С.279-325.

121. Ramachandran G.N., Ramaseshan S. Magneto-Optic Rotation in Birefringent Media-Application of the Poincare Sphere // J.Opt.Soc.Am. 1952. V.42. N 1. P. 49-56.

122. Чмырев В.И., Скориков B.M. Электрооптические явления в германате и силикате висмута//Неорганич. Материалы. 1983. Т.19.В.2. С.259-264.

123. Abrahams S.C., Jamieson Р.В., Bernstein J.L. Crystal Structure of Piezoelectric Bismuth Germanium Oxide Bii2GeO20 // J.Chem.Phys. 1967. V.47. P.4034-4041.

124. Svensson C., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Laevorotatory Bii2Ge02o: Remeas-urement of the Structure // Acta Cryst. B. 1979. V. 35. P.2687-2690.

125. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson C. Crystal structure and absolute piezoelectric d(i4) coefficient in laevorotatory Bii2Si02o // J.Chem.Phys. 1979. V.72. № 2. P.788 -792.

126. Efendiev Sh.M., Kulieva T.Z., Lomonov V.A. et al. Crystal structure of bismuth titanium oxide Bii2TiO20 H Phys.Status Solidi. A. 1981. V.74. P. K17 K21.

127. International Tables for Crystallography. Vol. A. Space-group Symmetry. Edit, by Theo Hahu., Published The International Union of Crystallography by D.Reidel Publishing Company. Porprecht: Holland/Boston: USA, 1983. P.589-599.

128. Craig D.C., Stephenson N.C. Structure studies of some body-centered cubic phases of mixed oxides involving В120з: the structures of Bi2sFe04o and Bi38Zn06o //J. Solid State Chem. 1975. V.15. № 1. P.l-8.

129. Кирик С.Д., Кутвицкий B.A., Корягина Т.И. О природе изоморфизма в кристаллах двойных оксидов висмута-цинка и висмута-кадмия с силленитовой структурой // Ж.Структур.Химии. 1985. Т.26. № 4. С. 90-96.

130. Rangavittal N., Guru Row T.N., Rao C.N.R. A study of cubic bismuth oxides of the type Bi26-xMx04o-d (M=Ti, Mn, Fe, Co, Ni or Pb) related to y-Bi203 // Eur.J.Solid State Inorg.Chem. 1994. V.31. P.409-422.

131. Radaev S.F., Simonov V.I., Kargin Yu.F., Skorikov V.M. New data on structure and crystal chemistry of sillenites Bii2MC>2o±d H EurJ.Solid State Inorg.Chem. 1992. V.29. P.383-392.

132. Радаев С.Ф., Симонов В.И. Структура силленитов и атомные механизмы изоморфных замещений в них // Кристаллография. 1992. Т. 37. № 4. С. 914941.

133. Radaev S.F., Tromel М., Kargin Yu.F. et al. Bii2(Biino,5oTlino;5o)Oi9,5o // Acta Cryst. C. 1994. V. 50. P. 656-659.

134. Delicat U., Radaev S.F., Tromel M. et al. Tetrahedral Coordination of Mn(IV) by Oxygen in Manganese Sillenite Bii2MnO20 // J.Solid State Chem. 1994. V.l 10. P.66-69.

135. Mary T.A., Mackay R., Nguyen P., Sleight A.W. Crystal Structure of Bii2,7Coo,3019;35 // Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 1996. V.33. № 4. P.285-293.

136. Horowitz H.S., Jacobson A.J., Newsam J.M., et.al. Solution synthesis and characterization of sillenite phases, Bi24M204o ((M=Si, Ge, V, As, P) // Solid State Ionics. 1989. V.32. P.678-690.

137. Каплунник JI.H., Терентьева Л.Е., Победимская E.A., Петушкова Л.В. Кри-сталлохимические изучения силленитов. М.: Деп.ВИНИТИ № 6348-82, 1982.10 с.

138. Bhagavantam S., Venkatarayudu Т. Theory of groups and its application to physical problems. Second edition. Andhra University Waltair, 1951.

139. Poulet H., Mathieu J.-P. Spectres de vibration et symetrie des cristaux. Gordon and Breach. Paris-Londres-New York, 1970.

140. Жижин Г.Н., Маврин Б.Н., Шабанов В.Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. М.: Наука, 1984. 232 с.

141. Efendiev Sh.M. Raman spectra in В^ТЮго single crystals // Phys. Stat. Sol. 1984. V.123. № 2. P.K105-K108.

142. Куражковская B.C. Кристаллизация сложных кислородных соединений висмута в гидротермальных условиях // Вестник МГУ. Геология. 1977. № 1. С.87-91.

143. Wojdowski W., Lukasievicz Т., Nazarewicz W., Zmija J. Infrared studies of lattice vibrations in Bii2Ge02o and Bii2SiO20 crystals // Phys.Stat.Sol. B. 1979. V.94. № 2. P.649-658.

144. Бабонас Г.А., Зарецкий Ю.Г., Уханов Ю.И. и др. Инфракрасные спектры поглощения монокристаллов Bii2SiO20 и Bii2GeO20 // Лит.физ.сборн. 1981. Т.21. № 3. С.59-63.

145. Зарецкий Ю.Г., Красильникова М.В., Курбатов Г.А., и др. Спектр инфракрасного отражения Bii2TiO20 // ФТТ. 1984. Т.26. № 8. С. 2233-2235.

146. Wojdowski W. Infrared Spectra of Thin Films of Bii2Ge02o and Bii2SiO20 // Phys.Stat.Sol. B. 1984. V.123. № 2. P. K101-K104.

147. Wojdowski W. Vibrational modes in Bii2Ge02o and Bii2Si02o crystals // Phys.Stat.Sol. B. 1985. V.130. P. 121-130.

148. Васильева Г.С., Косов A.B., Сизых А.Г., Сорокин А.В. Колебательные спектры и строение кристаллов силленитов // ЖПС. 1986. Т.45. № 4. С. 683685.

149. Леонов Е.И., Семенов А.Е., Щербаков А.Г. Совместный анализ колебательных спектров кристаллов Bii2Si02o, Bii2Ge02o и Bii2Ti02o // ФТТ. 1986. Т.28. № 5. С.1590-1593.

150. Бабонас Г.А., Зарецкий Ю.Г., Курбатов Г.А., Уханов Ю.И. Спектры комбинационного рассеяния света в Bi.2SiO20 и Bij2Ge02o Н ФТТ. 1982. Т.24. № 2. С.626-628.

151. Белоусов М.В., Леонов Е.И., Щербаков А.Г. Локальные колебания изотопов кремния в кристаллах Bi,2Si02o Н ФТТ. 1986. Т.28. № 2. С.598-600.

152. Бабонас Г.А., Зарецкий Ю.Г., Курбатов Г.А., и др. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах Bii2Si02o и Bii2Ge02o // Опт. и спектр. 1982. Т.53. № 2. С. 358-361.

153. Бабонас Г.А., Леонов Е.И., Муминов И., и др. Исследование колебательного спектра кристаллов Bi25FeO40 // Лит. физ.сборник. 1984. Т.24. № 3. С.90-96.

154. Betsch R.J., White W.B. Vibrational spectra of bismuth oxide and the sillenite-structure bismuth oxide derivatives // Spectrochim.Acta. A. 1978. V.34. № 5. P.505-514.

155. Devalette M., Darriet J., Couzi M., et al. Caracterisation physique de l'environnement tetraedrique des cations A et В dans les phases Bi12A+III,/2B+v1/2.O20 de structure sillenite // J.Solid State Chem. 1982. V.43. № 1. P.45-50.

156. Егорышева A.B., Бурков В.И., Горелик B.C., и др. Комбинационное рассеяние света в кристаллах со структурой силленита // Кристаллография. 2001. Т.46. № 3. С.511 -518.

157. Burkov V.I., Gorelik V.S., Egorysheva A.V., Kargin Yu.F. Laser Raman Spectroscopy of Crystals with the Structure of Sillenite // J.Russ. Laser Res. 2001. V.22. № 3. P.243-267.

158. Егорышева A.B., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., и др. Применение спектроскопии комбинационного рассеяния света для анализа особенностей атомного строения кристаллов силленитов // Журн.Неорган.Химии. 2005. Т.50. № 2. С.278-286.

159. Denisov V.N., Ivlev A.N., Lipin A.S., et al. Raman Spectra and lattice Dynamics of Single-Crystal ct-Bi203 //J.Phys.: Condens. Matter. 1997. V.9. P.4967-4978.

160. Narang S.N., Patel N.D., Kartha V.B. Infrared and Raman Spectral Studies and Normal Modes of a-Bi203 // J.Mol.Struct. 1994. V. 327. P.221-235.

161. Cousi M., Vignalou J.R., Boulon G. Infrared and Raman Study of the Optical Phonons in Bi4Ge3Oi2 Single Crystal // Solid State Comm. 1976.V. 20. P.461-465.

162. Егорышева A.B., Бурков В.И., Горелик B.C. и др. Комбинационное рассеяние света в монокристалле Bi3BsOi2 // Физика твердого тела. 2001. Т.43. № 9. С.1590-1593.

163. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., и др. Колебательные спектры кристаллов боратов висмута // Кристаллография. 2005. Т.50. № 1. С.165-174.

164. Filatov S.K., Bubnova R.S., Shepelev Yu., Sennova N., Egorysheva A.V., Kargin Yu.F. The study of Bi3B50i2: synthesis, crystal structure and thermal expansion of oxoborate Bi3B5Oi2//J.Solid State Chem. 2004. V.177. N 2. P. 515-522.

165. Зарецкий Ю.Г., Уханов Ю.И., Шмарцев Ю.В. Нормальные колебания отдельных групп атомов в кристаллической решетке силленитов. 2. Группа МЗ(0(3)ВЬ)4//ФТТ. 1991. Т. 33. № 4. С.1210-1214.

166. Mihailova В., Gospodinov М., Konstantinov L. Raman Spectroscopy Study of Sillenites. I. Comparison between Bii2(Si,Mn)02o Single Crystals // J.Phys. Chem. Solids. 1999. V.60. P.1821-1827.

167. Hardcastle F.D., Wachs I.E. The Molecular Structure of Bismuth Oxide by Raman Spectroscopy // J.Solid State Chem. 1992. V.97. P.319-331.

168. Накамото К. ИК-спектры и спектры КРС неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991. 536 с.

169. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Волков В.В. Спектроскопические и хироптические свойства легированных кристаллов силленитов. 6. Влияние внешних воздействий на свойства кристаллов В^гТЮго и

170. Bi.2Si02o, легированных Cr // Неорган.Материалы. 1997. Т.ЗЗ. № 5. С.574-580.

171. Mihailova В., Konstantinov L., Petrova D., Gospodinov M. Effect of Doping on Raman Spectra of BiI2Si02o // Sol. State Comm. 1997. V.102. № 6. P.441-444.

172. Dudkina T.D., Egorysheva A.V., Volkov V.V., Skorikov V.M. Nb-doped Bij2Ti02o: crystal growth and characterization // Proc.SPIE. 1999. V.3734. P.408-414.

173. Capelleti R., Beneventi P., Kovacs L., Ruffini A. FTIR spectroscopy to monitor impurities and impurity-interactions in sillenite crystals // Ber.Bunsenges. Phys. Chem. 1997. V.101. N 9. P.1282-1285.

174. Леонов Е.И., Щербаков А.Г. Локальные колебания примеси ванадия в кристаллах со структурой силленита // ФТТ. 1986. Т.28. № 3. С.916-918.

175. Кухарский А.А., Панченко Г.В. Влияние некоторых примесей на спектры комбинационного рассеяния в силикате висмута // ФТТ. 1979. Т.21. № 11. С.3477-3479.

176. Mihailova В., Bogachev G., Marinova V., Konstantinov L. Raman Spectroscopy Study of Sillenites. II. Effect of doping on Raman Spectra of Bi12Ti02o // J.Phys. Chem. Solids. 1999. V.60. P.1829-1834.

177. Capelleti R., Beneventi P., Kovacs L., Fowler W.B. Multimode Transitions of the Tetrahedral M04unites (M=Si, Ge, Ti) in sillenite single crystals // Phys. Rev. B. 2002. V.66. N 17. 174307 (12 pages).

178. Каргин Ю.Ф., Марьин A.A., Скориков B.M. Кристаллохимия пьезоэлектри-ков со структурой силленита // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1982. Т. 18. № 10. С. 1605-1614.

179. Shannon R.D., Prewitt С.Т. Effective Ionic Radii in Oxides and Fluorides // Acta Cryst. 1969. V.25. P.925-946.

180. Weir C.E., Schroeder R.A. Infrared Spectra of the Crystalline Inorganic Borates //J.Res.Nat.Bur.Standards.A. 1964. V.68. № 5. P.465-487.

181. Li J., Xia S., Gao S. FT-IR and Raman Spectroscopic Study of Hydrated Borates // Spectrochim.Acta.A. 1995. V.51. № 4. P.519-525.

182. Колебания окисных решёток. Ред. А.Н.Лазарев, М.О.Буланин. Л.: Наука, 1980.304 с.

183. Hyman A., Perloff A. The Crystal Structure of Bismuth (2:1) Borate, 2Bi203.B203 // Acta Cryst. B. 1972. V. 28. P. 2007-2011.

184. Becker P., Frohlich R. Crystal Growth and Crystal Structure of the Metastable Bismuth Orthoborate BiB03 // Z.Naturforsch. B. 2004. B. 59. P.256-258.

185. Watanabe A., Kodama H., Takenouchi. S. Nonstoichiometric Phase with Sil-lenite Type Structure in the System Bi203-P205 // J.Solid State Chem. 1990. V.85. № 1. P.76-82.

186. Егорышева A.B., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф. и др. Оптические свойства монокристаллов Bi25T1039 и Bi25Ga039 // Неорган, материалы. 1999. Т.35. № 7. С.840-844.

187. Юдин А.Н., Победимская Е.А., Терентьева Л.Е. и др. Кристаллохимические особенности силленитов галлия и ванадия // Изв.АН СССР. Неор-ган.материалы. 1989. Т.25. № 10. С. 1715-1718.

188. Capelleti R., Beneventi P., Ruffini A. FTIR spectroscopy to monitor OH-impurities interactions in insulating crystals // Ber.Bunsenges. Phys. Chem. 1997. V.101. N 9. P.1265-1273.

189. Peterson M.S. The determination of hydroxyl by infrared absorption in quartz, silicate glasses and similar materials // Bull.Mineral. V. 105. N 1. P. 20-29.

190. Хомич A.B., Каргин Ю.Ф., Перов П.И., Скориков В.М. Трехфононное поглощение в кристаллах со структурой силленита // Изв. АН СССР. сер. Неорган. Материалы. 1990. Т.26. № 9. С. 1914-1917.

191. Скориков В.М., Рза-Заде П.Ф., Каргин Ю.Ф., Джалаладдинов Ф.Ф. Исследование взаимодействия 24Bi203xGa203 с Bii23O20 // Ж.Неорганич.Химии. 1980. Т.25. № 10. С.2871-2872.

192. Скориков В.М., Рза-Заде П.Ф., Каргин Ю.Ф., Джалаладдинов Ф.Ф. Фазовые равновесия в системах Ga203-Bi203-302 (где Э Si, Ge) // Ж.неорганич. химии. 1981. Т.26. № 4. С. 1070-1074.

193. Скориков В.М., Рза-Заде П.Ф., Каргин Ю.Ф., Джалаладдинов Ф.Ф. Фазовые равновесия в системах Zn0-Bi203-302 // Ж.Неорганической Химии. 1981. Т.26.№7. С.1904-1908.

194. Скориков В.М., Каргин Ю.Ф., Неляпина Н.И. Взаимодействие в тройной системе из оксидов висмута, олова, кремния // Ж.Неорганич. Химии. 1988. Т.33.№5. С.1354-1355.

195. Волков В.В., Каргин Ю.Ф., Неляпина Н.И., Скориков В.М. Взаимодействие Bii2Ti02o с Bi38ZnC>6o // Ж.Неорганич.Химии. 1989. Т.34. № 12. С.3131-3134.

196. Волков В.В., Ендржеевская В.Ю., Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. Изучение растворимости соединений Bii2Si02o и Bi25FeC>4o в титанате висмута. // Ж. Неорганич.Химии. 1989. Т.34. № 12. С.3128-3130.

197. Marquet H., Tapiero M., Merle J.C., Zeilinger J.P., Launay J.C. Determination of the factors controlling the optical background absorption in norminally undoped and doped sillenites // Optical Materials. 1998. V. 11. P. 53-65.1. A ,

198. Chevrier V., Dance J.M., Launay J.C., Berger R. Cu in Bii2Ge02o A Tentative Electron-Spin-Resonance Study // J.Mater.Sci.Lett. 1996. V.l5. № 14. P.363-365.

199. Wardzynsky W., Szymczak H. The Center of Orthorhombic Symmetry in Chromium Doped Bii2Ge02o and Bii2Si02o Single Crystals // J.Phys.Chem.Solid. 1984. V.45. № 8/9. P.887-896.

200. Borowiec M.T. Photochromic absorption of Bii2Ge02o doped with cooper // Physica. B. 1985. V. 132. P. 223-231.

201. Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. Система Bi203-Cu0 // Ж.Неорганич.Химии. 1989. Т.34. № 10. С. 2713-2715.

202. Conflant P., Boivin J.-C., Thomas D. Le Diagramme des Phases Solides du Sys-teme Bi203-Ca0 // J.Solid State Chem. 1976. V.18. № 2. P.133-140.

203. Егорышева А.В., Волков В.В., Скориков В.М. Воздействие пятивалентных добавок на оптические свойства Bii2Ti02o Н Неорган, материалы. 1995. Т.31. №3. С. 377-383.

204. Воеводский В.Ю., Каргин Ю.Ф., Егорышева А.В. Изучение взаимодействия Bi203 с оксидами переходных металлов // Сб. тез. докладов XVI Менделеевского съезда по общей и прикладной химии, Санкт-Петербург, 1998. Т.1. С. 134.

205. Briat В., Hamri A., Ramaz F., Bou Rjeily Н. Magnetooptical characterization of ligand field bands and charge transfer processes in Sillenite oxides // Solid State Crystals: Growth and Characterization. 1996. Zakopane. SPIE. V. 3178. P. 160168.

206. Бурков В.И., Егорышева A.B., Васильев А.Я., и др. Спектры поглощения и кругового дихроизма кристаллов силиката висмута, легированных неодимом //Неорган. Материалы. 2002. Т.38. № 10. С.1228-1233.

207. Эфендиев Ш.М., Мамедов A.M., Багиев В.Э, Эйвазова Г.М. Спектры отражения монокристаллов силиката висмута в области вакуумного УФ // ФТТ. 1980. т.22. № 12. с. 3705-3707.

208. Эфендиев Ш.М., Мамедов A.M., Багиев В.Э., Эйвазова Г.М. Спектры отражения Bi12GeO20 в области вакуумного УФ // ЖТФ. 1981. Т.51. № 8. С. 17551757.

209. Реза А.А., Сенулене Д.Б., Беляев В.А., Леонов Е.И. Оптические свойства монокристаллов Bi12SiO20 // Письма в ЖТФ. 1979. Т.5. В.8. С.465-469.

210. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф. и др. Особенности гиротропии кристаллов силленит-типа // Кристаллография. 1987. Т.32. № 5. С. 12821283.

211. Бабонас Г., Сенулене Д. Структура спектров отражения кристаллов типа силленит//Литовский физич.сборник. 1986. Т.26. № 1 С.48-54.

212. Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Zeinally A.Ch. et al. Optical Properties of Bi12Ti02o Single Crystals // Phys.Stat.Sol. A. 1981. V.63. № l. p. K19-K22.

213. Егорышева A.B., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Махов В.Н. Спектры отражения кристаллов Bi12MxO20±d, (M=Zn, Ga, Fe, Ga,P., [Fe,P], [Zn,V]) со структурой силленита//Журн. Неорган. Химии. 2005. Т.50. № 7. С. 795-802.

214. Futro А.Т. Analysis of Reflectivity Spectrum and Band Structure of Bii2Ge02o // J.Phys.Chem.Solids. 1979. V.40. № 3. p.201-207.

215. Бурков В.И., Егорышева A.B., Каргин Ю.Ф. Оптические и хироптические свойства кристаллов со структурой типа силленита // Кристаллография. 2001. Т.46.№ 2. С. 356-380.

216. Довгий Я.О., Заморский М.К., Китык И.В. Зонная структура Bi.2Ge02o // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1991. Т.27. № 2. С. 427-428.

217. Platzoder К., Steimann W. Reflectance Measurements of Gold and Fused Quartz in Vacuum Ultraviolet // JOSA. 1968. V.58. № 3. P.588-589.

218. Wemple S.H. Interband optical transition in Si02, Ge02, Sn02 and Ti02 // Solid State Commun. 1973. V.12. P.701-704.

219. Wemple S.H., DiDomenico B. Behaviour of the Electronic Dielectric Constant in Covalent and Ionic Materials // Phys.Rev. B. 1971. V.3. № 4. P.1338-1351.

220. Кизель B.A., Бурков В.И., Красилов Ю.И. и др. О гиротропии кристаллов типа силленита // Оптика и спектроскопия. 1973. Т.34. № 6. С.1165-1171.

221. Калинкина Н.М., Кружалов А.В., Лобач В.А., и др. Электронная структура и фундаментальное поглощение ортогерманата висмута // ЖПС. 1987. Т.48. № 5. С.783-788.

222. Шульгин Б.В., Полупанова Т.И., Кружалов А.В., Скориков В.М. Ортогер-манат висмута. Екатеринбург: Внешторгиздат, Уральское отделение В/О, 1992. 170 с.

223. Agasiev A.A., Bagiev V.E., Mamedov A.M., Guseinov Ya.Yu. VUV Reflection Spectra and Electron Structure of Bi203 // Phys.Stat.Sol. B. 1988. V. 149. P.K191-195.

224. Blasse G. The Ultraviolet Absorption Bands of Bi and Eu in Oxides // J.Solid State Chem. 1972. V.4. N 1. P.52-54.

225. Bordun O.M. Luminescence of bismuth-activated ceramics of yttrium and scandium oxides //J. Appl.Spectrosc. 2002. V.69. N 1. P. 67-71.

226. Greenway D.L., Harbeke G. Band structure of bismuth telluride, bismuth se-lenide and there respective alloys // J. Phys.Chem.Sol. 1965. V.26. № 10. P.1585-1604.

227. Kityk I.V., Zamorskii M.K., Kasperczyk J. Energy band structure of Bii2Si02o and Bii2GeO20 single crystals // Physica. 1996. V.226. P.381-384.

228. Довгий Я.О., Заморский M.K., Китык И.В. Гиротропия и энергетическая структура кристаллов Bi12GeO20 // Укр.Физ.Ж. 1989. Е.34. № 11. С. 16631667.

229. Калинкин А.Н., Скориков В.М., Солдатов А.А. Электронная структура Bii2GeO20 // Неорган. Материалы. 1992. Т.28. № 3. С. 558-562.

230. Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига. Кишинев: Штиин-ца, 1976. 124 с.

231. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bi12SiO20 // J.Appl.Phys. 1973. V.44. № 6. P.2652-2658.

232. Aldrich R.E., Hou S.L., Harvill M.L. Electrical and Optical Properties of Bi12SiO20 // J.Appl.Phys. 1971. V. 42. № 1. P. 493-494.

233. Фидря A.K. Некоторые оптические свойства окиси висмута. В сб. Физика твердого тела. Отв.ред. Дущенко В.П. Киев: 1972. С.29-34.

234. Каргин Ю.Ф., Егорышева А.В., Кравченко Э.А., Воеводский В.Ю. Выращивание монокристаллов a-Bi203 из раствора в расплаве // Труды IV Меж-дунар. конф. "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение". Александров. 1999. Т.1. С. 132-139.

235. Doyle W.P. Absorption spectra of solids and chemical bounding -1. Arsenic, antimony and bismuth trioxides // J. Phys. Chem. Solids. 1958. V.4. N 1-2. P.144-147.

236. Александров К.С., Анистратов А.Т., Грехов Ю.Н. и др. Оптические свойства монокристаллов Bii2Ge02o, легированных алюминием и бором // Автометрия. 1980. № 1. С.99-101.

237. Grabmaier B.C., Oberschmid R. Properties of Pure and Doped Bii2GeO20 and Bi12Si02o crystals //Phys.Stat.Sol. A. 1986. V.96. № 1. P.199-210.

238. Сенулене Д.Б., Бабонас Г.А., Леонов Е.И. и др. Край поглощения кристаллов Bi25Fe039 // ФТТ. 1984. Т. 26. № 5. с. 1281-1284.

239. Егорышева А.В. Край поглощения кристаллов Bii2Mx02o±d, (M=Zn, В, Ga, Р, V, А1,Р., [Ga,P], [Fe,P], [Zn,V]) со структурой силленита // ЖНХ. 2005. Т.50. № 3. С.461-466.

240. Majchrowski A., Borowiec М.Т., Zmija J., et al. Crystal Growth of Mixed Titanium Sillenites // Cryst.Res.Technol. 2002. V.37. N 8. P.797-802.

241. Lever A.B.P. Inorganic Electronic Spectroscopy (Second Edition). Amsterdam-Oxford-N.Y.-Tokyo: Elsevier, 1984.

242. Бурков В.И., Егорышева A.B., Каргин Ю.Ф., и др. Спектры поглощения и кругового дихроизма кристаллов берлинита, легированных железом // Кристаллография. 2002. Т.47. № 5. С.896-900.

243. Muller A., Diemann Е., Ranade А.С. The Electronic Spectra of VO4 , VS4" and VSe43' // Chem.Phys.Lett. 1969. v.3. № 7. p.467-468.

244. Гудаев O.A., Седельников А.П. Спектры электроотражения и природа края фундаментального поглощения силленитов // ФТТ. 1987. Т.29. № 3. С. 946948.

245. Toyoda Т., Nakanishi H., Endo S., Irie T. The Dependence of optical absorption in Bii2Si02o on Temperature and Hydrostatic Pressure // J.Crystal Growth. 1990. V.99. P.885-890.

246. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.

247. Toyoda Т., Nakanishi Н., Endo S., Irie Т. The fitting parameters of exponential optical absorption in Bi12SiO20 H J.Phys. C. 1986. V.19. P.L259-L263.

248. Анисимов Н.И., Бордовский Г.А. Характер электронных переходов на краю сильного оптического поглощения в некоторых висмутитах свинца // Оптика и спектроскопия. 1982. т.53. № 4. с.702-705.

249. Dexter D.L., Knox R.S. Excitons. New-York.:Willey, 1965.

250. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в кристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т.1.368 с.

251. Klingshirn C.F. Semiconductor Optics. N.-Y. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1995. 491 p.

252. Гусев B.A., Елисеев А.П. Фотолюминисценция монокристаллов Bi.2Ge02o // Автометрия. 1981. № 5. С.47-52.

253. Скориков В.М., Чмырев В.И., Егорышева А.В., Волков В.В. Оптические и электрооптические свойства высокосовершенных монокристаллов титаната висмута (Bi.2Ti02o) Н Высокочистые вещества. 1989. № 2. С. 72-75.

254. Егорышева А.В. Влияние переходных металлов на фотоиндуцированные свойства монокристаллов Bii2TiO20 Дисс. канд.хим.наук ИОНХ РАН. М: 1993. 171 с.

255. Соуа С., Zaldo С., Volkov V.V. et al. Gallium-induced Inhibition of the photorefractive properties of Sillenite crystals // J.Optical Soc.Am. B. 1996. V.13. № 5. P. 908-915.

256. Fox A.J., Bruton T.M. Electro-optic Effects in the Optically Active Compounds Bii2TiO20 and Bi4oGa063 // Appl.Phys.Lett. 1975. V.27. N 6. P.360-362.

257. Вишневский B.H., Кузык М.П., Стефанский И.В. Температурные изменения показателя преломления кристаллов Bii2Ge02o и Bij2Si02o // Физич. Электрон. 1978. № 16. С. 30-32.

258. Vedam К., Hennessey P. Piezo- and thermo-optical properties of Bii2Ge02o- II. Refractive index //J.Opt.Soc.Am. 1975. V. 65. N 4. P. 442-445.

259. Kargin Yu.F., Skorikov V.M. Photorefractive crystals of the sillenite structure // Ferroelectrics. 1995. V.167. P.257-265.

260. Кизель B.A., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М.: Наука, 1980. 304 с. 276.Snir J., Shellman J. Optical Activity of Oriented Helices. Quadrupole Contribution//J.Phys.Chem. 1973. V.77.№ 13. P.1653-1661.

261. Бурков В.И. Спектроскопия кругового дихроизма и магнитного кругового дихроизма кубических кристаллов соединений уранила и симметрия его электронных состояний // Неорган.материалы. 1996. Т.32. № 12. С.1415-1431.

262. Хохштрассер Р. Молекулярные аспекты симметрии: Пер. с англ./ Под ред. Дяткиной М.Е. М.: Мир, 1968. 384 с.

263. Най Дж.Ф. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. Пер. с англ. Шувалова JI.A. 2-е изд. М.: Мир, 1967. 385 с.

264. Chadrasekhar S. Optical rotatory dispersion of crystals // Proc.Roy.Soc. 1961. V.259.P.531-553.

265. Jerphagnon J., Chemla D.S. Optical activity of crystals // J.Chem.Phys. 1976. V.65. № 4. P.1522-1529.

266. Бурков В.И., Иванов B.B., Кизель B.A. и др. Об аппроксимационных формулах в теории гиротропии // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.37.В.4. С.740-744.

267. Батог В.Н., Бурков В.И., Кизель В.А. и др. Оптическая активность соединений висмута//Кристаллография. 1969. Т.14. № 5. С. 928-929.

268. Lenzo P.V., Spencer E.J., Ballman A.A. Optical Activity and Electrooptic Effect in bismuth germanium oxide (Bii2GeO20) // Appl.Optics. 1966. V.5. № 10. P.1688-1689.

269. Батог B.H., Бурков В.И., Кизель B.A., Сафронов Г.М. Дисперсия оптической активности галлата висмута // Кристаллография. 1971. Т. 16. № 2. С. 447-448.

270. Сафронов Г.М., Батог В.Н., Красилов Ю.И и др. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1970. Т.6. № 2. С. 284-288.

271. Бурков В.И., Семин Г.С., Ситников Н.М. Измерения гиротропии кристаллов в инфракрасной области спектра // Кристаллография. 1979. Т.24. № 5. С. 1060-1062.

272. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф. и др. Влияние легирования на оптические и спектроскопические характеристики кристалла титаната висмута // Кристаллография. 1987. Т.32. № 6. С. 1462-1464.

273. Бурков В.И., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф. Марьин А.А. Оптические и хироптические свойства кристаллов Bii2V02o+d Н Неорган, материалы. 1998. Т.34. № 8. С. 962-965.

274. Burkov V.I., Egorysheva A.V., Kargin Yu.F. Optical Activity and Circular Di-chroism in the Sillenite Crystals // Proc.SPIE. 2001. V.4358. P.80-87.

275. Егорышева A.B., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., и др. Влияние типа М катиона на спектральные свойства кристаллов Bii2Mx02o±d // Сб. тез. докладов XVI Менделеевского съезда по общей и прикладной химии. Санкт-Петербург. 1998. Т.2. С. 294.

276. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Волков В.В. Оптические свойства монокристаллов В^ТЮго и Bii2Si02o, легированных кобальтом // Неорган. материалы. 1995. Т. 31. № 8. С. 1087-1093.

277. Бурков В.И., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф. и др. Спектроскопические и хироптические свойства легированных кристаллов силленитов. 5. Bii2Si02o и Bii2Ti02o, легированные никелем // Неорган, материалы. 1997. Т. 33. № 4. С. 487-491.

278. Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Кизель В.А. и др. Круговой дихроизм в области состояний, обусловленных вакансиями в кристаллах типа силленита // Письма в ЖЭТФ. 1983. № 7. С. 326-328.

279. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., и др. Спектроскопические характеристики кристаллов Bi25Ga039, содержащих ОН-группы // Сб. тез. докладов XI национальной конференции по росту кристаллов. НКРК 2004. Москва 2004. С. 307.

280. Leigh W.B., Larkin J.J., Harris М.Т., Brown R.N. Characterization of Czochral-ski- and hydrothermal-grown Bii2SiO20 // J.Appl.Phys. 1994. V.76. N 2. P.660-666.

281. Vogt H., Buse K., Hesse H., Kratzig E. Photorefractive properties of non-stoichiometric Bii2GeO20 crystals // OSA TOPS. 2001. V.62. P.496-503.

282. Garrett M.H. Properties of Photorefractive Nonstoichiometric Bismuth Silicon Oxide, BixSiOi.5x+2 // J.Opt.Soc.Am.B. 1991. V.8. P.78-87.

283. Vogt H., Buse K., Hesse H., et al. Growth anh holographic characterization of nonstoichiometric sillenite-type crystals // J.Appl.Phys. 2001. V.90. N 7. P.3167-3173.

284. Панченко Т.В., Осецкий Ю.Г. Фотохромный эффект в легированных кристаллах Bii2SiO20//Письма в ЖТФ.1989. Т. 15. В. 20. С. 20-24.

285. Панченко Т.В. Термооптическое исследование глубоких уровней в легированных кристаллах Bi12SiO20 Н ФТТ. 1998. Т.40. № 3. С.452-457.

286. Скориков В.М., Чмырев В.И. Байсымаков М.А. и др. Фоточувствительные свойства титаната висмута легированного цинком // Неорг.материалы. 1988. Т. 24. В. 11. С. 1869-1873.

287. Егорышева А.В., Волков В.В., Дудкина Т.Б. Легирование бором кристаллов Bi12TiO20 // Неорган. Материалы. 1999. Т.35. № 12. С.498-501.

288. Егорышева А.В., Волков В.В. Особенности поглощения и фотоотклика кристаллов со структурой типа силленита, легированных цинком и фосфором. // Неорган, материалы. 1994. Т.ЗО. № 9. С.1199-1200.

289. Arizmendi L., Cabrera J.M., Agullo-Lopez F. Material properties and photorefractive behaviour of BSO family crystals // Inter. J. Optoelectron. 1992. V.7. N. 2. P.149-180.

290. ЗП.Бокша O.M., Грум-Гржимайло C.B. Исследование оптических спектров кристаллов с ионами группы железа при комнатной и низких температурах. М.: Наука, 1972. 99 с.

291. Свиридов Д.Г., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М.: Наука, 1976. 266 с.

292. Бурков В.И., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф. Электронное строение и оптические спектры тетраэдрических МО4.11" -комплексов d- элементов (Обзор) // ЖНХ. 2003. Т.48. № 4. С.620-638.

293. Wardzynsky W., Szymezak Н., Borowiec М.Т. Light-Induced Charge Transfer Processes in Mn-doped Bii2Ge02o and Bii2Si02o Single Crystals // J.Phys.Chem. Solids. 1985. V.46. № 10. P.l 117-1129.

294. Буряк Я.В., Матковский А.О., Карманитцкий М.С. Спектроскопические исследования ионов марганца в германосиллените // Тез.докл.УП Всесоюз. симпоз. по спектроскопии кристаллов. JL: 1982. С.49.

295. Панченко Т.В., Трусеева Н.А. Оптическое поглощение легированных кристаллов Bi12SiO20 // УФЖ. 1984. Т.29. № 8. С.1186-1191.

296. Дубовский А.Б., Марьин А.А., Сидоренко Г.А., Фотченков А.А. Особенности оптического поглощения кристаллов Si- и Ge-силленитов, легированных хромом и марганцем // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1986. Т.22. № 11. С.1874-1877.

297. Ramaz F., Hamri A., Briat В. et al. Magnetic Circular Dichroizm and Absorption Study of Photochromism in Mn-doped Bi.2Ge02o // Radiation Effects and Defects in Solids. 1995. V.136. P.99-102.

298. Nesheva D., Aneva Z., Levi Z. Bi12SiO20 Monocrystals Doped with Transition Metals // J.Phys.Chem.Solids. 1995. V. 56. № 2. P. 241-250.

299. Волков B.B., Каргин Ю.Ф., Хомич A.B., и др. Исследование состояния ванадия в кристаллах Bi.2Ti02o // Изв.АН СССР. Неорган.Материалы. 1989. Т. 25. №5. С.827-829.

300. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф. Процессы перезарядки элементов с переменной валентностью в кристаллах силленитов // Труды IV Междунар. конф. "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение", Александров. 1999. Т.1. С.499-516.

301. Егорышева А.В., Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., и др. Спектроскопические характеристики кристаллов Bii2SiC>2o и Bii2TiO20, легированных <Мп>, <Mn,P>, <Cr,P>, <Cr,Ga> и <Cr,Cu> // Неорган.материалы. 2001. Т.37. № 8. С. 965-973.

302. Egorysheva A.V., Burkov V.I., Kargin Yu.F., et al. Spectroscopic properties of Bii2SiO20 doped with (Mn,P) // Proc.SPIE. 2001. V.4358. P. 76-79.

303. Каргин Ю.Ф., Неляпина Н.И., Марьин A.A., Скориков В.М. Синтез и свойства соединений Bi2433+P(V)04o и Bi2432+P(V)O60 со структурой силленита // Изв.АН СССР. Неорган.материалы. 1983. Т. 19. № 2. С.278-282.

304. Brown D.H. The Preparation, Properties, Structure and Spectra of 12-Tungstomanganic (IV) Acid and its Stability Relative to Analogous 12-Heteropolytungstates // J.Chem.Soc. 1962. № 11. P.4408-4410.

305. Borromei R., Oleari L., Day P. Electronic Spectrum of the Manganate (V) Ion in Different Host Lattices // J.Chem.Soc.Far.Trans.II. 1981. V.77. № 9. P. 15631578.

306. Hazenkamp M.F., Giidel H.U., Kuck S., et al. Excited State Absorption and Laser Potential of Mn5+-doped Li3P04 // Chem.Phys.Lett. 1997.V.265. N 1-2. P.264-270.

307. Briat В., Тора V., Boudy C.L., Launay J.C. Sites and Valences of Chromium in Bismuth Germanates: a Magnetic Circular Dichroism and Absorption Study // J.Lumin. 1992. V. 53. P.524-528.

308. Egorysheva A.V., Volkov V.V., Zaldo С., Coya C. Tetrahedral Cr5+ and Cr4+ in Bi12TiO20 Single Crystal //Phys.Stat.Solidi. B. 1998. V. 207. P.283-288.

309. Goraschenko N.G., Stepanova I.V. The Influence of Cr-ions on physical properties of sillenite-type single crystals // Abstracts of the V Intern. Confer. On Single Crystal Growth and Heat Mass Transfer (ICSC-2003). Russia. Obninsk. 2003.

310. Wardzynsky W., Szymczak H., Pataj K. et al. Light Induced Charge Transfer Processes in Cr Doped BiJ2Ge02o and Bii2SiO20 Single Crystals // J.Phys.Chem. Solid. 1982. V.43. № 8. P.767-769.

311. Xu Liang-ying, Liu Jian-chang, Shu Bi-yun, Xiao Bing Impurity Induced Photo-chromic Behaviour in Bii2SiO20:Mn,Cr Crystals // ICCG-10. Tenth International Conference on Crystal Growth. 1992. San Diego. California. USA.

312. Moya E., Zaldo C., Brait B. et al. Optical, Magneto-optical and EPR study of chromium impurities in Bi4Ge30i2 single crystals // J.Phys.Chem.Sol. 1993. V.54. № 7. P.809-816.

313. Raclukaitis G., Gavryushin V., Kubertavicius V., Puzonas G. Photoinduced Absorption in Bi12SiO20:Cr Crystals // Jap.J.Appl.Phys. Part 1. 1993. V.32. № S32-3. P. 645-647.

314. Шилова M.B., Черткова A.B., Орлов B.M. Оптическое поглощение в монокристаллах Bii2Si02o, легированных марганцем и хромом // Изв.АН СССР. Неорган.материалы. 1984. Т.20. № 3. С.541-542.

315. Yeh T.S., Lin W.J., Lin I.N., et al. Photorefractive effect in Bii2SiO20:Cr crystals at 633 nm // Appl.Phys.Lett. 1994. V.65.N 10. P. 1213-1215.

316. А1уеа E.C., Basi J.S., Bradley D.C., Chisholm M.H. Covalent Compound of Quadrivalent Transition Metals. Part II. Chromium (IV) Iertiary Alkoxides and Triethylsilyloxide // J.Chem.Soc.A. 1971. № 5. P.772-774.

317. Kuck S., Hartung S. Comparative Study of the Spectroscopic Properties of Cr4+-doped LiA102 and LiGa02 // Chem.Phys. 1999. V.240. N 3. P.387-401.

318. Kuleshov N.V., Shcherbitsky V.G., Mikhailov V.P., et al. Excited-state Absorption and Stimulated Emission Measurements in Cr4+: forsterite // J.Luminescence. 1997. V.75. N 4. P.319-325.

319. Milestein J.B., Ackerman J., Halt S.L., McGarvey B.R. Electronic Structures of Cr(V) and Mn(V) in Phosphate and Vanadate Hosts // Inorg.Chem. 1972. V.l 1. №6. P.l 178-1184.

320. Simo C., Banks E., Holt S.L. Electronic Structure of СЮ43' in Са2(Р04,СЮ4)С1 //Inorg.Chem. 1970. V.9. № 1. P. 183-186.

321. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф., Зубович Н.Ю. Хироптические свойства кристаллов Bi2sFe039 // Неорган, материалы. 1997. Т. 33. № 3. С. 372-374.

322. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф. и др. Исследование спектров поглощения и кругового дихроизма кристаллов Bi24FeP04o и Bi^SiC^o + Bi24FeP04o // Физика Твердого Тела. 1984. Т. 26. № 7. С. 2216-2218.

323. Nesheva D., Aneva Z., Levi Z. Some properties of Bi^SiC^o-Fe Doped Crystals //J.Phys.Chem.Solids. 1994. V. 55. № 9. P. 889-894.

324. Панченко Т.В. Термоионизация примесных центров в кристаллах Bii2Si02o и Bii2Ge02(b легированных Fe // Физика Твердого Тела. 1999. Т.41. № 6. С.1006-1011.

325. Бурков В.И., Волков В.В., Каргин Ю.Ф. и др. Индуцированный круговой дихроизм ионов железа в кристалле титаната висмута // Оптика анизотропных сред. М.: МФТИ, 1988. С. 58-65.

326. Голощанов С.И., Кулева Л.Б., Леонов Е.И. и др. Спектры ЭПР ионов Fe3+ в кристаллах со структурой силленита // Изв.АН СССР. Неорган, материалы. 1986. Т.22. № 5. С. 868-869.

327. Кулева Л.Б., Леонов Е.И., Орлов В.М. Фотоионизация ионов железа в силленитах // ФТТ. 1987. Т.29. В.7. С.2156-2159.

328. Jani M.G., Halliburton L.E. Light-Induced Migration of Charge in Photorefractive Bii2SiO20 and Bi,2Ge02o Crystals // J.Appl.Phys.l988.V.64. № 4. P. 20222025.

329. Martin J.J., Foldvari I., Hunt C.A. The Low-Temperature Photochromic Response of Bismuth Germanium Oxide //J.Appl.Phys. 1991 V.70 № 12. P. 75547559.

330. Hart D.W., Hunt C.A., Hunt D.D. et al. The Low-Temperature Photochromic Response of Bismuth Silicon Oxide // J.Appl.Phys. 1993 V.73 № 3. P.1443-1448.

331. Porwal N.K., Kadam R.M., Babu Y., et al. Electron Paramagnetic resonance studies of Photorefractive crystals II: Fe doped Bii2SiO20 with copper vapour laser illumination in 10-100 К Range // Pramana J.Phys. 1997. V. 48. N 4. P.929-935.

332. Nagao Y., Mimura Y. Properties of Bii2SiO20 Single Crystals Containing First Row Transition Metal // Mat.Res.Bull. 1989. V. 24. P. 239-246.

333. Pappalardo R., Wood D.L., Linares R.C. Optical absorption Study of Co-doped oxide systems // J.Chem.Phys. 1961. V. 35. N 6. P. 2041-2059.

334. Weakliem H.A. Optical spectra of Ni2+, Co2+and Cu2+in tetrahedral sites in crystals // J.Chem.Phys. 1962. V. 36. N 8. P. 2117-2140.

335. Pappalardo R., Dietz R.E. Absorption Spectra of Transition Ions in CdS Crystals // Phys.Rev. 1961. V. 123. № 4. P. 1188-1203.

336. Hollebone B.R., Stillman M.J. A central field interpretation of the absorption and M.C.D. spectroscopic parameters in arylcyanamocobaltate complexes // Inorg.Chim.Acta. 1980. V. 42. P. 169-178.

337. Nesheva D., Aneva Z., Gospodinov M. Traps and recombination centers in pure and Co-doped Bii2SiO20 crystals // J.Phys.Chem. Solids. 1993. V.54. N 7. P.857-862.

338. Орлов B.M., Шилова M.B., Колосов E.E. Оптическое поглощение в монокристаллах Bii2SiO20, легированных хромом и никелем. // Изв.АН СССР. Неорган.материалы. 1986. Т.21. № 3. С.507-508.

339. Borowiec М.Т., Kozankiewicz В., Lukasiewicz Т., Zmija J. Photochromic absorption in molybdenum-doped sillenites Bii2Ge02o // J.Phys.Chem.Solids. 1993. V.54. N 8. P.955-962.

340. Агре R., Muller-Buschbaum H.K. Isolierte Quadratisch Planare CuO/" -Polyeder in CuBi204, ein neuer Bautyp zur Formel1. Me23+M2+04 //

341. Z.Anorg.Allgem. Chem. 1976. В. V. 426. N 1. S. 1-6.

342. Peltier M., Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in Bi12GeO20, Bi12SiO201 I J.Appl.Phys. 1977. V.48. N 9. P.3683-3690.

343. Захаров И.С., Акинфиев П.П., Петухов П.А., Скориков В.М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута // Изв.вузов. Физика. 1978. № 3. С. 121-124.

344. Suvorov D. Valant М. Processing and Dielectric Properties of Sillenite Compounds Bii2MO20 (M = Si, Ge, Ti, Pb, Mn, B./2P./2) // J.Am.Ceram.Soc. 2001. V.84.N 12. P.2900-2904.

345. Гудаев O.A. О типе основных носителей в кристаллах германата висмута // Автометрия. 1980. № 1. С. 106-108.

346. Пенчева Т.Г., Степанов О.М. О знаке основных носителей тока в кубических фоторефрактивных кристаллах Bii2(Si,Ge,Ti)02o // Физика Твердого Тела. 1982. Т. 24. В. 4. С. 1214-1216.

347. Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Aliev R.A. Photoelectrical fatigue effects in Bi12TiO20 crystals // Phys.Stat.Solidi. A. 1986. V. 95. N 2. P. 709-716.

348. Bloom D., Mc Keever S.W.S. Trapping of photocarriers in Ga-doped Bi.2Ge02o at 80 К // J.Appl.Phys. 1995. V.77. N 12. P.6511-6520.

349. Пляка C.H., Соколянский Г.Х. Дрейфовая подвижность фотогенерирован-ных носителей заряда в кристаллах Bii2Ge02o // Физика Твердого Тела. 1998. Т.40. №11. С.2054-2055.

350. Strohkendl F.P., Hellwarth R.H. Contribution of holes to the photorefractive effect in «-type Bi12SiO20 И J.Appl.Phys. 1987. V.62. N 6. P.2450-2455.

351. Pauliat G., Allain M., Launay J.C., Roosen G. Optical evidence of a photorefractive effect due to holes in Bii2Ge02o crystals // Optic.Commun. 1987. V.61. № 5. P.321-324.

352. Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Стимулированная проводимость монокристаллов Bii2Ge02o // Укр.Физич.Ж. 1976. Т.21. № 5. С.866-867.

353. Авраменко В.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Электропроводность монокристаллов Bii2Si02o на переменном токе // Физика Твердого Тела. 1980. Т.22.№ Ю. С.3149-3152.

354. Hayakawa Н., Yoshisato Y., Mikoshiba N. Carrier transport and current oscillation in Bii2Ge02o in the "relaxation semiconductor regime" // J.Appl.Phys. 1973. V.44. N 6. P.2897-2899.

355. Partanen J.P., Nouchi P., Jonathan J.M.C., Hellwarth R.W. Comparison between holographic and transient-photocurrent measurements of electron mobility in photorefractive Bi12Si02o // Phys.Rev.B. 1991. V.44. N 4. P.1487-1491.

356. Gerwens A., Buse K., Kratzig E. Alternating photocurrents and modulated photoconductivities in photorefractive sillenite crystals // Ferroelectrics. 1997. V.202. P.203-210.

357. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Non-steady-state photoelectromotive force in crystals with long photocarrier lifetimes // J.Opt.Soc.Am.B. 1993. V.10. N 8. P.1483-1488.

358. Ennouri A., Tapiero M., Vola J.P., Zielinger J.P. Determination of the mobility and transport properties of photocarriers in Bii2Ge02o by the time-of-flight technique // J.Appl.Phys. 1993. V.74. N 4. P.2180-2191.

359. Partanen J.P., Jonathan J.M.C., Hellwarth R.W. Direct determination of electron mobility in photorefractive Bi12SiO20 by a holographic time-of-flight technique // Appl.Phys.Lett. 1990. V.57. N 23. P.2404-2406.

360. Костюк B.X., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Фотоперенос в монокристаллах Bii2Ge02o и Bii2Si02o // Физика Твердого Тела. 1980. Т.22. № 8. С.2454-2459.

361. Tayag T.J., Batchman Т.Е., Sluss J.J. Electron-field dependence of the photocarrier hopping mobility in bismuth silicon oxide // J.Appl.Phys. 1994. V.76. N 2. P.967-973.

362. Bryushinin M.B., Kulikov V.V., Sokolov I.A. Nonresonant and resonant enhancement of the non-steady-state holographic currents in photoconductive crystals under AC electric field // OSA TOPS. 2003. V.87. P. 150-158.

363. Кудзин А.Ю., Пляка С.Н., Соколянский Г.Х. Влияние легирования ванадием на электрические свойства кристаллов Bii2Ge02o // Физика Твердого Тела. 2000. Т.42. № 5. С.839-843.

364. Pauliat G., Roosen G. Photorefractive effect generated in sillenite crystals by picosecond pulses and comparison with the quasi-continuous regime // J.Opt.Soc.Am.B. 1990. V.7. N 12. P.2259-2267.

365. Sochava S.L., Buse K., Kratzig E. Photoinduced Hall-current measurements in photorefractive sillenites // Phys.Rev. B. 1995. V.51. N 7. P.4684-4686.

366. Biaggio I., Hellwarth R.W., Partanen J.P. Band mobility of photoexcited electrons in Bi12SiO20 // Phys.Rev.Lett. 1997. V.78. P.891.

367. Saux G.L., Brun A. Photorefractive material response to short pulse illuminations // IEEE J.Quantum Electron. 1987. V. 23. N 10. P.1680-1688.

368. Авраменко В.П., Клименко А.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Прыжковая проводимость монокристаллов германата висмута // Физика Твердого Тела. 1977. Т. 19. № 4. С.1201-1204.

369. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

370. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 416 с.

371. Gospodinov М.М., Yanchev I.Y., Petrova D., Veleva M.N. AC conductivity of doped Bi12SiO20 crystals // Mat.Science Ing. B. 2000. V.77. P.88-92.

372. Veleva M.N., Milenov Т., Petrova D., et al. Dielectric behavior of doped Bii2SiO20 single crystals // Comptes Rendus l'Acad.Bulg.Sci. 2002. V.55.P.17-22.

373. Калинин В.И., Кучук Ж.С., Горащенко Н.Г., Майер А.А. Влияние ионов переходных элементов на электропроводность кристаллов со структурой силленита//Неорган, материалы. 1988. Т.24. С.637-641.

374. Миленов Т.Н., Велева М.Н., Петрова Д.П., Господинов М.М., Скориков В.М., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф., Васильев А.Я. Электропроводностьмонокристаллов Bii2Si02o, легированных Os, Re, Ru и Rh // Неорган. Материалы. 2005.T. 41. № 2. С. 197-200.

375. Buse К. Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals I: Models and experimental methods // Appl.Phys.B. 1997. V.64. P.273-291.

376. Гудаев O.A., Гусев B.A., Детиненко B.A. и др. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bii2Ge02o и Bii2Si02o // Автометрия. 1981. В. 5. С. 3847.

377. Гудаев О.А., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута // Физика Твердого Тела. 1981. Т. 23. В. 1. С. 195-201.

378. Скориков В.М., Чмырев В.И., Егорышева А.В., Волков В.В. Влияние легирования Си на фотоэлектрические свойства монокристаллов Bi.2Ti02o // Высокочистые вещества. 1991. № 2. с.81-87.

379. Скориков В.М., Чмырев В.М., Чумаевский Н.А. и др. Определение концентрации ванадия в монокристаллах титаната висмута и ее связь с оптическими свойствами и фотопроводимостью // Высокочистые вещества. 1991.1. B. 1.С. 218-227.

380. Панченко Т.В. Фото- и термоиндуцированное оптическое поглощение и фотопроводимость кристаллов силленитов // Физика Твердого Тела. 2000. Т.42. № 4. С. 641-646.

381. Панченко Т.В., Янчук 3.3. Фотоэлектрические свойства кристаллов Bi12SiO20 // Физика Твердого Тела. 1996. Т.38. № 7. с. 2018-2028.

382. Скориков В.М., Захаров И.С., Волков В.В., Спирин Е.А. Статические характеристики фототока в кристаллах со структурой типа силленита // Неорган. материалы. 2002. Т.38. № 3. С.312-319.

383. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. С. 141.

384. Скориков В.М., Захаров И.С., Волков В.В. Оптические и фотопроводящие свойства титаната висмута // Неорган, материалы. 2001. Т.37. № 11. С.13531. C.1359.

385. Кацавец Н.И., Леонов Е.И., Муминов И., Орлов В.М. Фотопроводимость легированных монокристаллов Bii2TiO20 и твердых растворов Bii2SixTii.xO20 // Письма в ЖТФ. 1984.Т.10. № 15. С. 932-936.

386. Сенулене Д., Бабонас Г., Леонов Е.И. и др. Исследование оптических свойств твердых растворов Bii2GeixTixO20 // Лит.физ.сб. 1985. № 4. С.101-106.

387. Чмырев В.М., Скориков В.М. Цисарь М.В. и др. Оптические фотоэлектрические и электрооптические свойства монокристаллов Bii2Si02o легированных Cd и Мо // Высокочистые вещества. 1991. В. 2. С. 88-92.

388. Панченко Т.В., Янчук 3.3. Фотопроводимость легированных кристаллов Bi12SiO20 // Физика Твердого Тела. 1996. Т.38. № 10. С. 3042-3046.

389. Панченко Т.В. Индуцированная примесная фотопроводимость в кристаллах Si- и Ge- силленитов // Физика Твердого Тела. 1998. Т.40. № 6. С. 10271029.

390. Скориков В.М., Захаров И.С., Волков В.В., и др. Температурные зависимости фототока в кристаллах титаната висмута после технологических обработок // Неорган, материалы. 2001. Т.37. №11. С.1354-1359.

391. Babu S.M., Kitamura К., Takekawa S. Stoichiometry and doping induced modifications in the properties of Bi12Si02o single crystals // J.Cryst. Growth. 2005. V.275. N1-2. P. e681-e685.

392. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физмат-гиз, 1963. 494 с.

393. Кистенева М.Г. Стационарные фототоки в кристаллах ВнгТЮго.канд. дис. кан.физ.-мат.наук. Томск: ТИАСУР, 1991.

394. Карпович И. А., Колосов Е.Е., Леонов Е.И. и др. Фотопроводимость монокристаллов Bii2Si02o, легированных Mn, Ni и Сг // Неорганич.материалы. 1985. Т. 21. В. 6. С. 965-967.

395. Hamri A., Secu М., Тора V., Briat В. Influence of initial conditions on the optical and electrical characterization of sillenite-type crystals // Optical Materials. 1995. V.4. P.l97-201.

396. Колосов Е.Е., Шилова М.В., Орлов В.М. Релаксация оптического пропускания монокристаллов Bii2Si02o Н Неорганич.Материалы. 1986. Т. 22. В. 7. С. 1222-1223.

397. Егорышева А.В., Бурков В.И., Скориков В.М Взаимосвязь оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов Bii2Mx02o±d с особенностями их атомного строения // Сб. тез. докладов XI конф. по химии высокочистых веществ, Н.-Новгород, 2000. С.276-278.

398. Hart D.W., Hunt С.А., Martin J.J. The low-temperature photochromic response of gallium-doped bismuth germanium oxide // J.Appl.Phys. 1993. V.73. N 8. P.3974-3978.

399. Foldvari I., Halliburton L.E., Edwards G.J. Photo-induced defects in pure and Al-doped Bii2GeO20 single crystals // Solid State Com. 1991. V. 77. N 3. P. 181188.

400. Takamori Т. Thermally stimulated current studies of sillenite-type oxide crystals: Retrapping kinetics and identity of trapped carriers // J.Appl.Phys. 1991. V.69. N 12. P.8222-8226.

401. Скориков B.M., Захаров И.С., Волков B.B., и др. Термостимулированные токи в кристаллах соединений со структурой типа силленита // Неорганич.материалы. 2002. Т. 38. № 3. с. 303-311.

402. Davics D.E., Larkin J.J. Deep defect levels of photorefractive sillenites // Appl.Phys.Lett. 1995. V.67. N 2. P. 188-190.

403. Benjelloun N., Tapiero M., Zielinger J.P., et al. Characterization of deep levels in Bij2GeO20 by photoinduced current transient spectroscopy // J.Appl.Phys. 1988. V.64. N 8. P.4013-4023.

404. Marquet H., Gies J.-G., Merle J.-C. The role of some shallow-trap centers in the photochromism of Bi12Ge02o //Europhys.Lett. 1999. V. 46. N 3. P.389-394.

405. Marquet H., Merle J.-C., Gies J.-G. Charge transfer mechanisms between some shallow-trap centers involved in the photochromism of Bii2GeO20 // Optical Materials. 2000. V.14. P.277-285.

406. Багиев В.Э., Зейналы A.K., Скориков В.М. и др. Исследование локальных уровней в Bi.2TiO20 // Изв.АН СССР. Неорганич.материалы. 1981. Т. 17. № 4. С.741-743.

407. Takamori Т., Just D. Thermally stimulated current studies of bismuth silicon oxide crystals. Trapping kinetics // J.Appl.Phys. 1990. V.68. N 11. P.5700-5703.

408. Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Zeinally A.Kh., et al. Deep localized centers in sil-lenite-type nonlinear crystals // Ferroelectrics.1982. V.43. P.217-222.

409. Strohkendl F.P. Light induced dark decays of photorefractive gratings and their observation in Bi12SiO20 // J.Appl.Phys. 1989. V.65. P.3773-3778.

410. Lauer R.B. Photoluminescence in Bii2SiO20 and Bi.2Ge02o // Appl.Phys.Lett. 1970. V. 17. N4. P. 178-179.

411. Tsourkan M.I., Kazarin A.V., Mandel A.E., Shandarov S.M., Egorysheva A.V., Kargin Yu.F. Photoinduced absorption of an incoherent light in Bi.2Ti02o singlecrystals with different stoichiometric composition // Proc. SPIE. 2002. V. 4829. N2. P.913-914.

412. Шандаров C.M., Мандель A.E., Казарин A.B., Плесовских A.M., Егорышева А.В., Каргин Ю.Ф., Волков В.В. Динамика фотоиндуцированного поглощения света в кристалле Bii2TiO20:Ca // Известия ВУЗов. Физика. 2002. № 8. С.29-34.

413. Mandel A.E., Shandarov S.M., Plinta K.S., Polyakova L.E., Egorysheva A.V., Kargin Y.F. Dynamics of light-induced absorption in Bij2Ti02o crystals at two wavelengths // ICONO'2005. С.-Петербург. Россия.

414. Закис Ю.Р., Канторович JI.H., Котомин В.Н., Кузовков В.Н., Тале М.А., Шлюгер А.Л. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига: Зинатне, 1991. 382 с.

415. Адирович Э.И. Некоторые вопросы люминесценции кристаллофосфоров. М.: Гос. изд-во техн.-теор. лит., 1951. 351 с.

416. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966. 323 с.

417. Мотт Н., Генри Н. Электронные процессы в ионных кристаллах. Пер. с анг. М.: МЛ., 1950. 304 с.

418. Винетский В.Л., Кухтарев Н.В. Теория проводимости, наводимой при записи голографических решеток в неметаллических кристаллах // Физика Твердого Тела. 1974. Т.16. № 12. С. 3714-3716.

419. Valley G.S. Simultaneous electron/hole transport in photorefractive materials // J.Appl.Phys. 1986. V.59. N 10. P.3363-3366.

420. Strohkendl F.P., Jonathan J.M.C., Hellwarth R.W. Hole-electron competition in photorefractive gratings // Opt.Lett. 1986. V.l 1. N 5. P.312-314.

421. Brost G.A., Motes R.A., Rotge J.R. Intensity-dependent absorption and photorefractive effects in barium titanate // J.Opt.Soc.Am. B. 1988. V.5. N 9. P. 18791885.

422. Holtmann L. A model for the nonlinear photoconductivity of ВаТЮз // Phys.Stat.Sol. A. 1989. V.l 13. N 1. P.k89-k93.

423. Jariego F., Agullo-Lopez F. Holographic writing and erasure in unipolar photorefractive materials with multiple active centers: theoretical analysis // Appl.Opt. 1991. V.30. N 32. P.4615-4621.

424. Tayebati P. Effect of shallow traps on electron-hole competition in semi-isolating photorefractive materials // J.Opt.Soc.Am. B. 1992. V.9. N 3. P.415-418.

425. Holtmann L., Unland M., Kratzig E., Godefroy G. Conductivity and light-induced absorption in BaTi03 //Appl.Phys. A. 1990. V. 51. N 1. P.13-17.

426. Buse K., Bierwirth T. Dynamics of light-induced absorption in BaTi03 and application for intensity stabilization // J.Opt.Soc.Am. B. 1995. V.l2. N 4. P.629-637.

427. Buse K., Kratzig E. Light-induced absorption in BaTi03 and KNb03 generated with high intensity laser pulses // Opt.Mater. 1992. V. 1. N 3. P. 165-170.

428. Shandarov S.M., Reshet'ko A., Emelyanov A., et al. Electro-optic and photorefractive properties of doped sillenites // Proc. SPIE. 1996. V.2969. P.202-210.

429. Tayebati P., Mahgerefteh D. Theory of photorefractive effect for Bii2Si02o and BaTi03 with shallow traps // J.Opt.Soc.Am.B. 1991. V.8. N 5. P.1053-1064.

430. Shandarov S.M., Kobozev O., Reshet'ko A., et al. Photorefractive response in sillenite crystals with shallow traps by applying alternating electric field // Ferro-electrics. 1997. V.202. P.257-266.

431. Липовский А.А., Хабаров С.Э. Фотоиндуцированное поглощение в силленитах//ЖТФ. 1993. Т.63. № 2. С.74-80.

432. Kobozev О., Shandarov S.M., Kamshilin А.А., Prokofiev V.V. Light-induced absorption in a Bi12Ti02o crystal // J.Opt.A.: Pure Appl.Opt. 1999. V.l. P.442-447.

433. Li Fei-Fei, Xu Jing-Jun, Kong Yong-Fa, et al. Light-induced absorption in nominally pure bismuth silicon oxide // Chin.Phys.Lett. 2001. V.18. № 12. P.1595-1597.

434. Aithal P.S., Kiran P.P., Rao D.N. Optical limiting studies in photorefractive pure and iron-doped Bii2SiO20 crystals // J.Nonlin.Opt.Phys.&Mater. 2000. V.9. N 2. 217-225.

435. Reyher H.-J., Hellwig U., Thiemann O. Optically detected magnetic resonance of the bismuth-on-metal-site intrinsic defect in photorefractive sillenite crystals // Phys.Rev. B. 1993. V.47. N 10. P.5638-5645.

436. Briat В., Reyher H.J., Hamri A., et al. Magnetic circular dichroism and the optical detection of magnetic resonance for the Bi antisite defect in Bii2Ge02o // J.Phys.: Condens. Matter. 1995. V. 7. P.6951-6959.

437. Самойлович М.И., Хаджи B.E., Цинобер Л.И. Точечные дефекты синтетического кварца. В кн. Синтез минералов. Т.1. Александров: ВНИИСИМС, 2000. С.322-351.

438. Reyher H.-J., Ruschke J., Mersh F. Photoinduced linear dichroism in sillenite crystals and in diamond // Radiation Effects and Defects in Solids. 1995. V.l36. N 1. 129-132.

439. Feng X., Wei Z., Zou W. Ion-beam-induced decomposition of bismuth germanium oxide crystal surfaces // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B. 1987. V.21. N 2-4. P.576-577.

440. Kochev K., Tzvetkova K., Gospodinov M. Photoelectrochemical properties and optical quenching of photocurrent in Bii2Si02o single crystals // Ma-ter.Res.Bull. 1983.V. 18. N 8. P.915-919.

441. Baquendano J.A., Lopez F.J., Cabrera J.M. EPR of nominally pure Bii2Si02o // Solid State Com. 1989. V. 72. N 3. P. 233-236.

442. Briat В., Boudy C.L., Launay J.C. Magnetic and natural circular dichroism of Bi.2Ge02o: Evidence for several paramagnetic centres // Ferroelectrics. 1992. V.125. P.467-472.

443. Выхин B.C., Кулева JI.B., Леонов E.M., Орлов B.M. ЭПР Fe3+ в Bi12SiO20:Fe: роль реориентирующегося дырочного центра // Физика Твердого Тела. 1989. Т. 31. В. 2. С. 230-232.

444. Wardzinsky W., Szymczak Н., Borowiec М.Т., et al. Light-induced charge transfer processes in Mn-doped Bi12Ge02o and Bii2SiO20 single crystals // J.Phys.Chem.Solids. 1985. V.46. P.l 117-1120.

445. Nguyen T.N., Borowiec M.T. The kinetics of the photochromic effect in Bi12SiO20:Mn // J.Phys.Chem.Solids. 1988. V.49. N 12. P.1379-1384.

446. Szymczak H. Acoustic Relaxation Due to the Bound Small Polaron in Cubic Crystals // Phys.Stat.Sol.B. 1984. V.122. P.k37-k41.

447. Шиманский Л.Ф., Швайко-Швайковский B.E., Беденович Л.Н. и др. Термодинамический анализ процесса образования дефектов не стехиометрии в монокристаллах германата висмута со структурой силленита // Ж.Физич. Химии. 1987. Т. 61. В. 11. С. 3079-3081.

448. Rossman G.R. Colored varieties of the silica minerals // Rev. Mineral. 1994. V.29. P.433-467.

449. Bershov L.V., Martirosyan V.O., Marfunin A.S., Speranskii A.V. The yttrium-stabilised electron-hole centers in anhydrite // Phys.Status Solidi. B. 1971. V.44. N2. P.505-512.