Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства поверхностей полупроводников для эффективных эмиттеров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Наконечников, Александр Владимирович

• Наконечников, Александр Владимирович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Наконечников, Александр Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА Т. АТОМНАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ ЦЕЗИЯ, КИСЛОРОДА И ОРГАНИЧЕСКИХ МОЛЕКУЛ НА ЕЁ ЭЛЕКТРОННЫЕ

СВОЙСТВА.

§ 1.1 Атомное строение полярных граней арсенида галлия.

§ 1.2 Энергетическая структура полярных граней арсенида галлия.

§ 1.3 Физико-химические и электронные процессы, происходящие на границе раздела GaAs/(Cs, О).

§ 1.4 Общие представления об адсорбции органических молекул на поверхности твердых тел.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1 Подготовка образцов.

§2.2 Методика исследования реальной поверхности методом контактной разности потенциалов (вариант Кельвина) и поверхностной фотопроводимости при адсорбции органических молекул.

§2.3 Методика исследования атомарно-чистых поверхностей.

§2.3.1 Экспериментальная вакуумная установка.

§2.3.2 Метод электронного пучка Андерсона.

§2.3.3 Метод фотоэлектронной спектроскопии.

ГЛАВА III. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВОЙСТВ И

ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА ПОЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ АРСЕНИДА

ГАЛЛИЯ ПРИ АДСОРБЦИИ ЦЕЗИЯ И КИСЛОРОДА.

§3.1 Работа выхода электрона атомарно-чистых поверхностей арсенида галлия: теоретический расчет и экспериментальные данные.

§3.2 Эволюция энергетического спектра интерфейса GaAs/Cs,0.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства поверхностей полупроводников для эффективных эмиттеров»

Актуальность темы. Размеры современных полупроводниковых приборов становятся соизмеримыми с постоянной решетки кристалла, и поэтому свойства поверхностей приобретают решающее значение. В этой связи в последние годы активно разрабатываются методы химической инженерии электронных свойств поверхностей (спектра поверхностных состояний, электрофизических параметров) для расширения возможностей использования полупроводниковых материалов в электронике [1-4]. Химическая модификация электронных свойств поверхности происходит вследствие взаимодействия адсорбирующихся атомов, ионов или молекул с поверхностными атомами и состояниями полупроводника и переноса заряда между адсорбатом и полупроводником. Исследования свойств систем полупроводник/адсорбат непрерывно расширяются, что в конечном итоге приводит как к совершенствованию параметров полупроводниковых приборов традиционного назначения, так и к обнаружению новых функциональных зависимостей, инициирующих разработки новых приборов и систем. Совершенствование методов приготовления поверхностей полупроводников с заданной электронной структурой является одной из основных задач физики поверхности и технологии изготовления полупроводниковых структур. В связи с этим, одним из направлений в инженерии поверхностных свойств полупроводников, является адсорбция органических и неорганических молекул.

Электронные свойства тонких органических пленок на поверхности полупроводниковых материалов привлекают в последнее время большое внимание исследователей [5-13]. Актуальность исследования системы полупроводник/органические молекулы связана как с возможностью использования этих пленок для электронных и структурных модификаций поверхности в устройствах микроэлектроники, так и с теми явлениями, которые может вызвать адсорбция органических молекул в технологическом процессе производства электронных компонентов (например промывка образцов в различных спиртах). Впервые изучать адсорбцию органических молекул на разных материалах начал Ленгмюр еще в начале двадцатого столетия [14]. Однако до последнего времени исследования подобного рода носили односторонний характер и рассматривали лишь механизм образования связи молекула-поверхность [15-20]. Изучению изменений, которые вызывают адсорбированные молекулы на поверхностных свойствах полупроводника, уделялось мало внимания.

Другая система Cs/GaAs, с научной точки зрения, является модельным объектом для исследования фундаментальных взаимодействий полупроводников с адсорбатами в силу того, что Cs имеет только один внешний 6s электрон. Из множества экспериментов известно, что адсорбция щелочных металлов на поверхности GaAs демонстрирует множество интересных особенностей, в частности, резкое уменьшение работы выхода и электронного сродства уже при незначительных степенях покрытия [21-23]. Несмотря на большое количество работ по адсорбции цезия на гранях (110) и (100) арсенида галлия [21-26] на данный момент остаются мало изученными полярные грани (111)А и (ТТТ)В. Более того, нет данных по модификации энергетического спектра валентной зоны при адсорбции цезия. Все вышеизложенное обусловливает актуальность данного диссертационного исследования.

Цель работы. Учитывая изложенное, основная цель работы была сформулирована следующим образом: исследовать электронные процессы происходящие при адсорбции цезия и кислорода на полярных гранях арсенида галлия, а также определить влияние адсорбции органических веществ (этилового, бутилового, изоамилового спиртов и циклогексана) на электрофизические характеристики реальных поверхностей Ge, Si и GaAs. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование электронной структуры атомарно-чистых поверхностей полярных граней GaAs.

2. Исследование энергетического спектра поверхности полярных граней GaAs с пленками цезия и кислорода.

3. Определение особенностей электрофизических и химических свойств системы органическая пленка/Ge, Si и GaAs.

Методы исследования. Основными методами исследования в диссертационной работе являлись: фотоэлектронная спектроскопия (рентгеновская и ультрафиолетовая), спектроскопия ионного рассеяния, методы Кельвина и электронного пучка Андерсона для определения термодинамической работы выхода, метод поверхностной фотопроводимости.

Научная новизна полученных результатов:

1. Установлено, что разница в сродстве к электрону полярных граней GaAs обусловлена атомной и электронной структурой этих граней.

2. Исследована природа связи адсорбированных атомов цезия и кислорода на полярных гранях GaAs.

3. Исследована энергетическая структура валентной и запрещенной зон полярных граней GaAs с пленками цезия и кислорода.

4. Показано, что обработка реальных поверхностей GaAs, Ge и Si в этиловом, бутиловом и изоамиловом спиртах приводит к физической адсорбции указанных молекул и снижению термодинамической работы выхода на 0,2-0,4 эВ.

Научная и практическая значимость работы

Полученные результаты по исследованию систем GaAs/Cs,0 и органические молекулы/GaAs, Si, Ge могут быть использованы в химико-технологических процессах получения эмиттеров с отрицательным электронным сродством, а также в обработке полупроводниковых материалов. Результаты ориентированы на использование в различных исследовательских организациях и промышленных предприятиях, занимающихся полупроводниковой и вакуумной электроникой.

Результаты по исследованию систем GaAs/Cs,0 и органические молекулы/Ge, Si и GaAs могут быть также использованы для апробации различных теоретических моделей в физике твердого тела и поверхностных явлений.

Основные положения выносимые на защиту. По результатам проведенных исследований на защиту выносятся следующие положения:

1. Наблюдаемая разница в работе выхода на гранях GaAs( 111)А и GaAs(TTT)B может быть объяснена совместным влиянием различия в сродстве к электрону и энергетического спектра поверхностных состояний, обусловленного ионной составляющей связи.

2. Адсорбция цезия на полярных гранях GaAs вызывает снижение работы выхода на 2,75 эВ. Дополнительная активация цезированной поверхности GaAs кислородом уменьшает работу выхода дополнительно на 1,2 эВ, что создает явление отрицательного электронного сродства.

3. Факт образования поверхностного состояния, индуцированного адсорбцией цезия на полярных гранях арсенида галлия.

4. Адсорбция алифатических молекул приводит к возникновению положительного заряда на поверхности полупроводника, что влечет к снижению работы выхода. Наибольшее снижение работы выхода вызывают молекулы со значительными величинами дипольного момента, такие как молекулы бутилового и изоамилового спиртов.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на I конференции «Современные проблемы науки и образования» (Москва, 2004г.), IX конференции по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов

Владивосток, 2005 г.), VII международной конференции «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2005 г.), научной конференции «Приоритетные направления развития науки, технологии и техники» (Москва, 2005г.), научной конференции с международным участием «Технологии 2005» (Анталия, 2005г.), научно-исследовательской конференции «Фундаментальные исследования» (Москва, 2005г.), а также на заседаниях кафедры физики твердого тела и электроники Северо-Осетинского Государственного университета имени Коста Левановича Хетагурова.

Публикации. Основное содержание диссертации отражено в 7 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения, изложенных на 112 страницах, включая 38 рисунков, 5 таблиц и список цитируемой литературы из 135 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Наконечников, Александр Владимирович

Основные результаты и выводы диссертационной работы

1. Определена термодинамическая работа выхода электрона с атомарно-чистых поверхностей полярных граней арсенида галлия. Показано, что наблюдаемая разница в работе выхода на гранях (111)А и (ТТТ)В может быть объяснена совместным влиянием поверхностных состояний и различия сродства к электрону на гранях А и В, обусловленного ионной составляющей связи.

2. Исследовано поведение термодинамической работы выхода с полярных граней GaAs при адсорбции цезия и кислорода. Определено соотношение атомов цезия и кислорода при котором наблюдается наибольшее снижение работы выхода. Полученные результаты могут быть рекомендованы для получения эффективных эмиттеров.

3. Методом РФЭС и УФЭС исследована электронная структура полярных граней арсенида галлия. Установлено, что начиная с покрытия поверхности атомами цезия 0,3 монослоя, вблизи потолка валентной зоны образуется зона поверхностных состояний.

4. Исследования методом спектроскопии ионного рассеяния показали, что адсорбция цезия на поверхности арсенида галлия происходит монослойно, без образования кластеров и островков.

5. Адсорбция алифатических молекул приводит к положительному заряду на поверхности полупроводника, что влечет снижение работы выхода. Наибольшее снижение работы выхода вызывают молекулы со значительными величинами дипольного момента, такие как молекулы бутилового и изоамилового спиртов. Обработка реальной поверхности полупроводников в исследованных спиртах не вызывает необратимых изменений электрофизических свойств.

6. Адсорбция органических молекул на полупроводниках п-типа приводит к более заметному изменению работы выхода, чем на полупроводниках р-типа, что связано с перераспределением в приповерхностной области электронов и дырок.

7. Адсорбция неполярных соединений, таких как циклогексан, приводит к незначительному уменьшению работы выхода, обусловленному возникновением дипольного момента в периодическом поле решетки полупроводника.

8. Адсорбция органических молекул приводит к снижению поверхностной фотопроводимости на полупроводниках р-типа и ее повышению на полупроводниках n-типа, что связано с обеднением приповерхностной области основными носителями в первом случае, и обогащением основными носителями во втором.

101

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе исследованы электрофизические и химические свойства двух систем: GaAs/Cs,0 и Ge, Si и GaAs/органические молекулы. Исследования методами вибрирующего конденсатора (вариант Кельвина) и поверхностной фотопроводимости показали, что адсорбция органических молекул спиртов снижает работу выхода независимо от типа проводимости исследуемого образца и адсорбция молекул спиртов носит физический характер. Методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии ионного рассеяния и методом электронного пучка Андерсона исследовано влияние адсорбции цезия и кислорода на электронные свойства полярных граней атомарно-чистой поверхности GaAs. Установлено, что адсорбция Cs уменьшает работу выхода на 2,75 эВ при покрытии в 1 монослой. Дальнейшая экспозиция образцов в атмосфере кислорода дополнительно снижает работу выхода на 1,2 эВ. Таким образом общее снижение работы выхода составляет 3,95 эВ, то есть на поверхности GaAs(l 11) реализуется явление отрицательного электронного сродства. Впервые методом УФЭС исследована валентная зона полярной грани GaAs при адсорбции атомов цезия. Показано, что в процессе адсорбции у потолка валентной зоны формируется зона поверхностных состояний, индуцированная атомами цезия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Наконечников, Александр Владимирович, 2005 год

1. Salaneck W.R., Lagdlung M., Fahlman M. New methods in modification of surface properties//Materials Science and Enginering.-2001.-v.R34.-p. 121-123.

2. Ying-Huang Lai, Wei-Hsiu Hung. Thermal Reaction of Methanetiol and Ethanetiol on Si(100)//J.phys.Chem.B.-2001.-107.-p.9351-9356.

3. Komolov A.S. Electronic charge distribution at interfaces between semiconductor sufaces.//Surf.Sci. 2003.- 36.-.p. 1004-1010.

4. Averin D.V., Likharev K.K.//Mesoscopic Phenomena in Solids//Ed.by B.L.Altshulers., P.A.Zee. Amsterdam: Elsevier, 1991.-173 p.

5. Kirgueris C., Bourgoin J. Comparasion of the electronic structure of organic films//Phys.Rev.B.-1999.-v.59.-p. 12505-12513.

6. Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д. Гетероконтакт полупроводник-прополис//Письма в ЖТФ.-2003.-том.29.-вып.20.-с. 69-76.

7. Комолов А.С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса пленок олиго(фенил-венилена) с поверхностью Ge(l 11)//ЖТФ.-2004.-т.74.-вып.5.- с. 113-116.

8. Zigler С. Handbook of organic conductive molecules and polymers. N.Y.: Wiley, 1997.-p.677.

9. Guo Q., McBreen P.H., Moller P.J. Adsoфtion of C2H4 on Si(001): Core-level photoemission.//Surf.Sci.-1999.-v.423 .-.p. 19-27.

10. Naka K., Shimomura M., Sanada N./Surface structure and electronic states of organic/InP(001 )/Journal of Applied Physics.-1996.-79.-p.4193.

11. Грищук В.П., Давиденко C.A., Жолнер И.Д., Вербицкий А.В., Курик М.В.//Письма в ЖТФ.-2002.-т.28.-в.21. с.36-41.

12. M.Rufael T.S., Batteas C.M., Freand J.D.Electronic properties of organic films// Surf.Sci.- 1990.-V.354.-p.156.

13. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела.- М.: Мир, 1980.- 330 с.

14. Вартепенян P.M., Полищук A.M. Механизмы адсорбции молекул.//Успехи химии.-1995 .-т.64.-№ 11 .-с. 1055-1072.

15. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. - 375 с.

16. Martine-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chery A.//Appl.Phys.-1987.-v.21.-N2.-p. 1472-1483.

17. Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Энедерлан. М.: Мир, 1990. - 488 с.

18. Белл P.J1. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.-М.: Энергия, 1978.-192 с.

19. Bechstedt F., Schefler М. Alkali adsorption on GaAs(llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles//Surf.Sci.Rep. 1993.-v.l8.-p.l45-198.

20. Barden J. Surface states and rectification at a metal semiconductor contact//Phys.Rev. 1967.- 71.-p.717.

21. DiNardo N.J., T. Maeda Wong and E.W. Plummer// Semiconductor-to-metal transition in an ultrahin interface: Cs/GaAs (110) // Phys. Rev. Lett.-1990.-65, №17.- p. 2177-2180.

22. Scheer J.J. and J. van Laar. GaAs-Cs: a new type of photoemitter // Solid State Communication. -1965.- 3.-p.l89.

23. Pankratov O. and M. Scheffler//Bound bipolaron at the surface: The negative behavior of GaAs with adsorbed alkali metals//Phys.Rev.Lett.-1993.-71(17).-p.2797-2800.

24. Силкин B.M., Заргарьянц M.H., Чулков E.B. Электронная структура поверхности GaAs(llO) с адсорбированными слоями цезия//Поверхность.-1990.- 7. с.77-85.

25. Арсенид галлия в микроэлектронике; Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Наука, 1988.- 246 с.

26. Проблемы физики поверхности полупроводников//под ред. Снитко О.В. -Киев.: Наукова Думка, 1987.- 462 с.

27. Харрисон, Уолтер А.Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. М.: Мир, 1983, т.1.- 480 с.

28. Полупроводниковые соединения А3В5; Под редакцией Р.К Виллардсона и X.JI. Гёринга. Москва.: Металлургия, 1967.- 398 с.

29. Kaxiras Е, Y.Bar-Yam, J.D. Joannopulos, and Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. Methodology and the (2x2) reconstruction of GaAs(l 11 )A.//Phys.Rev.B.-1987.-35( 18).-p.9625.

30. Kaxiras E., Y.Bar-Yam, J.D.Joannopulos J.D., and K.C.Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. The (2x2) reconstruction and related phase transitions of GaAs(l 1 l)B.//Phys.Rev.B.- 1987.-35.- p.9636

31. Stirland D.J., Straughan B.W. A Review of Etching and Defect Characterization of Gallium Arsenide Substrate Material//Thin Solid-Films-1976.-v31-p.139.

32. Ивокин И.В., Красильникова JT.M. Влияние способа обработки поверхности GaAs на её морфологию//Изв.вузов. Физика.-1972.-11.-е. 137.

33. Возмилова Л.Н., Ступина Н.М.Травление GaAs в смесях азотной кислоты с другими неорганическими кислотами//Сб. «Арсенид галлия». Томск: Издательство ТГУ, 1970. в.З. - с.210.

34. Sullivan M.V.and Pompliane L.A. A chemical Polishing Technique for Gallium Arsenide//J.Appl.Phys.-1960.-31 .-p.611.

35. Wood D.R. and Morgan D.V. The Characterization of GaAs surfaces//J.Elechtrochem. Soc.-1975.-122. №6 - p.773.

36. Shiota I., Motoya K., Ohmi Т., Nishizaws N. Auger Characterization of chemically Etched GaAs Surfaces//J. Electrochem.Soc.-1977.- 124.-p.155.

37. Полинг JT. Природа химической связи. -М.:Госхимиздат, 1947.-386 с.

38. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под редакцией Ф.П. Кесеманлы и Д.Н. Наследова. М.: Наука. 1973.-412 с.

39. Хилсум К. Полупроводники типа AniBv. / К. Хилсум и А. Роуз-инс. М.: Иностранная литература, 1963.- 347 с.

40. S.Y. Tong, W. N. Mei and G.Xu. The geometric structure of the GaAs(lll) and GaAs(l 10)//J. Vac. Sci. Technol. B.-1984.-2.-p. 393.

41. Харрисон, Уолтер А.Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. М.: Мир, 1983, Т.2.-457 с.

42. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967.-165 с.

43. Алексовский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. JL: Химия, 1976. - 140 с.

44. Музер Е., Пирсон В.Б., Полупроводниковые вещества. Вопросы химической связи. М.: Иностранная литература, 1960. - 407 с.

45. Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: Сб. науч. трудов./Институт физики полупроводников.-Новосибирск: Изд-во Наука, 1975.-298 с.

46. Haneman D. Surface structures and properties of diamond structure semiconductors.-Phys.Rev.-1961 .-№4.-p. 1093-1100.

47. Gatos H. C., Lavine M.C. Adsorption kinetics of molecules on semiconducting III-V compounds//Journ. Electrochem. Soc.-B107.-1960.-p.427.

48. Dinan J.H., Calbrataith B.K., Fisher T.E, Electronic properties of clean cleaved GaAs surfaces//Surf.Sci.,-1971 .-№26.-p.587-604.

49. Chadi D. J. Surfase states of GaAs; sensitivity of electronic structure to surface structure//Phys. Rev В.,-1978.- p. 184.

50. Chelikowsky T.R., Cohen M.L. Surface State in Zincblende Semiconductors//Phys.Rev.B: Solid State.-1976.- v,13.-№2.-p.826-834.

51. Ludcke R. Koma A. Electronic Surface State on Clean and Oxyden-Exposed GaAs Surface//J.Vac. Sci. and Technol.-1976,-v. 13.-№1.- p.241-247.

52. Louis E., Elges M. Pseudopotential Calculations of the Surface of (111) Diamond and Zincblende Faces: Ge, GaAs and ZnS. Phys.Rev.B. Solid State.-1975.-vl2.-№2.-p. 618-623.

53. Marsi P., Lanoo M.A. Calculation of the Intrinsic (111) Surface State on the Zincblende ANB8'N Compounds//Surf. Sci.-1975.-v.52.-p. 377-390.

54. Eastman D.E., Grobman W.D. Photoemission Densities of Intrinsic Surface States for Si, Ge, GaAs//Phys. Rev. Lett.-1972.-v.28.-№21.-p.l378-1381.

55. Блиев А.П. Исследование атомной структуры и работы выхода атомарно-чистых поверхностей кристаллов германия, кремния и галлия арсенида: Диссертация канд. физ.-мат.наук/МИСиС.-Москва,1981.-133 с.

56. Faraci G., Pennisi A.R., Gozzo F., Rosa S.L., Maegaritondo G.-Cs bonding at the Cs/GaAs(l 10) interface//Phys.Rev. 1996, v.53, №7, p.3987-3992.

57. Гусев А.О.-Химические связи и электронные свойства систем Cs/GaAs(100) и S/GaAs(001): Диссертация канд.физ.-мат.наук/ФТИ РАН.-Санкт-Петербург, 1995.-134 с.

58. Kamaratos М., Bauer Е. Interaction of Cs with the GaAs(lOO) surface//J. Appl. Phys.-1991 .-v.70.-№ 12.-p.7564-7572.

59. Yamada K., Asanari J., Naitoh M., Nishigava S.-Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(OOl) surface studied by metastable de-excitation spectroscopy.//Surf. Sci.-1998.-v.402-404.-p.683-686.

60. AlperovichV.L., Paulish A.G., Terekhov A.S. Domination of adatom-induced over detect-induced states on p-type GaAs(Cs, O) at room temperature//Phys. Rev.B.-1994.-v.50.-№8.-p.5480-5483.

61. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. New and unfitted model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. //J. Vac. Sci. Tech.-1979.- v.l6.-№5.-p.l422-1432.

62. Plummer E.W., Wong T.M., Dinardo N.J. Semiconductor-to-metall interface: Cs/GaAs(l 10)//Phys. Rev. Lett.-1990.-v.65.- №17.-p.2177-2180.

63. Полинг Д., Полинг П. Химия. М.: Мир, 1978.-497 с.

64. Kampen T.U., Eyckeler М., Monch W. Electronic properties of cesium-covered GaN(OOOl) surface.//Appl. Surf. Sci.-1998,-v. 123/124.-p.28-32.

65. Rodway D. J., Allenson M.B. In situ surface study of the activating layer on GaAs(Cs, O) photocathodes// J. Appl.Phys.-1986.- vl9.-p.l353-1371.

66. Sommer A.H., Whitaker H.H., Williams B.F. Thickness of Cs-O films on GaAs(Cs) and GaAs(Cs-O) photocathodes.//Appl.Phys.Lett.-1970.-v.l7.-№7.-p.273-274.

67. Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник. Под ред. Зефирова А.П. М.: Атомиздат, 1965.-c.459.

68. Goldstein В. On the chemical processes GaAs/Cs// Surf.Sci.-975.-v.47.-№l.-p.143.

69. Goldstein В., Szostak D. Different bonding states of Cs and О on highly photoemissive GaAs by flach desorption experiments//Appl.Phys.Lett.-1975.-v.26.-№3.-p.l 11-113.

70. Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mieg V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopy of Cs/GaAs(001) interface formation //J.Vac.Sci.Technol.A.-1997.-v.l5.-№l.-p.192-195.

71. Смирнов Р.И., Климин А.И. О химических процессах, происходящих при формировании GaAs-фотокатода с отрицательным электронным сродством.//Поверхность. Физика. Химия. Механика.-1984.-№ 10. с.27.

72. Rodway D. AES, photoemission and work function study of Cs on (100)GaAs epitaxial layers // Surf.Sci.-1984.-v.l47.-№l.-p.l03-l 14.

73. Goldstein В. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and 0//Surf.Sci.-1975.-v.47. -№1.-p. 143-161.

74. Fisher D.G. The effect of Cs-O activation temperature on the surface escape probability of NEA (In, Ga)As photocathodes.//IEEE Trans. Devices, 1974, ED21.-p.541-542.

75. Sonnenberg H. Low-work function surface for negative-electron-affinity photoemitters // Appl.Phys.Lett.-1990.-v.l4.-p.289-291.

76. Su C.Y., Spicer W.E., Lindau I. Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs,0) activated GaAs(l 10) surfaces//J. App.Phys.-1983.-v.54.-№3.-p. 1413-1422.

77. Remmers G., Prietsch C., Domke M., Kaindl G. Oxidation of alkali/GaAs(l 10) interface//J.Electr.Spectr.Relat.Phen.-1990.-v.52.-p.79-89.

78. Орлов Д.А. Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов: Диссертация канд.физ.-мат. наук / ИФП СО РАНУ-Новосибирск, 1998.-144 с.

79. Ляшенко В. И., Литовченко В. Г. Влияние адсорбции молекул на работу выхода и проводимость германия//ЖТФ.-1958.-т.ХХУН.-№3.-с.447-459

80. Forrest S.R. Organic layer by geometrical modification of Si(100)//Chem.Rev.-1997.-v.97. p.1793-1896.

81. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N. Cluster modeling of the trimethylphosphine adsorption and dissociation on the Si(lll)-7x7 surface.//Phys.Low-Dimens.Struct.-1999.-№ 1 -2.-p.5-151.

82. Kastner M.A. Organic films on Si(lll) // Rev. Mod. Phys.-1992.-v.64.-p.849-858.

83. Monch R. Adsorption of CH3OH on Ge(lll)//Surf. Sci.- 1994.-v.299.-300.-p.928-944.

84. Григорьев Е.И., Воронцов П.С., Завьялов С.А.//Письма в ЖТФ.-2002.-т.28.-в.20.-с.15-21.

85. Hill. J.G. Rajagopal A., Kahn A. Molecular level alignment at organic semiconductor metal interfaces//Appl.Phys.-1993.-v.73.-№5.-p.662-664.

86. Fahlman M., Salaneck W.R. Adsorption kinetics of organic molecules on Si and Ge.//Surf.Sci.-2002.-v.500.-p.904-922.

87. Фрумкин A. H., Дамаскин Б. Б. Адсорбция органических соединений на электродах.-М.: Изд-во АН СССР, 1967.-358 с.

88. Pinotti Е., Sassella A. Electrical characterization of organic films by transient currentmethods//Phys. Rev.B.-1999.-v.61.-№18.-p.l 1923-11931.

89. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наук. Думка, 1983.-342 с.

90. Greenham N.C., Reng X., Alivisatos А.Р. Study of acetylene adsorption on the Si(100)//Phys.Rev.B.-1996.-v.54.-p. 17628-17637.

91. Мигатов Ю.С., Сергеева Jl.M. Адсорбция полимеров. Киев: Наукова Думка. 1972.-196 с.

92. Пунегов В.И., Нестерец Я.И. Адсорбция органических молекул из различных растворов//ЖТФ.-1992.-Т. 14.-№3.- с.127-139.

93. Xu S.H., Yang Y., Keefe М., Lapeyre G.J. High-resolution photoemission study of acetylene adsorption and reaction with the Si(100)-2xl surface.//Phys.Rev.B.-1999.-v.60.-№ 16.-p. 11586-11592.

94. Hanley L., Yongsoo Choi, Erick R., Schlossman M. Controlling the nanoscala morphology of organic films deposited by polyatomic ions//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.-1998.-203.-p.l 16-123.

95. Когановский A.M. Адсорбция органических веществ из воды / A.M. Когановский, Н.А. Клименко, Т.М. Левченко. Л.: Химия, 1990.-256 с.

96. Ржанов А.В. Физика поверхности полупроводников. М.: Наука, 1963.418 с.

97. Takaisi-Kinuni N.G.//Planya Med.-1994.-v.60.-N3. р.222-228.

98. Burrougnes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R.//Nature.-1990.-v.347.- p.539-544.

99. Greczynsky G., Kugler Т., Salaneck W.R.//Cur.Appl.Phys.-2001 .-v. 1.- p.98-112.

100. Комолов A.C. Фотовольтаический эффект в пленках поли(алкилтиофена) на кремниевой подложке//ФТТ.-2001.-т.43.-вып.2.-с.379-382.

101. Kern W. Chemical Etching of Silicon, Germanium, Gallium Arsenide and Gallium Phosphide//RCA Review.-1978.-38.-№2.-p.278.

102. Lida S., Jto K.Selective Etching of Gallium Arsenide Crystals in H2SO4-H202-H20 System//J.Electrochem.Soc.-1971.-l 18.-№5.-p.768.

103. Tuck B.The Chemical Polishing of Semiconductors//J.Materials Sci.-1975.-10.-P.321-339.

104. Зандерна M. Методы анализа поверхности. M.: Мир, 1979.-582 С.

105. Бачыньски Я., Малэцки X., Стемпиньский М. Установка для измерения работы выхода электронов из металла методом динамического конденсатора//ПТЭ-1979.-№4. с.205-206.

106. Anderson Р.А. The work function of copper//Phys. Rev.-1949.-№3.-p.388-390.

107. Riviere J.C. Contact potential difference measurement by Kelvin method//Proc.Phis.Soc.-l957.-70.-p.676.

108. Holseher A.A. Field emission potential method for measuring work function//Surf.Sci. -1966.-№4. p.89-102.

109. Riviere J.C. The work function of gold//Appl.Phys.Lett.-1966.-№8.-p.l72.

110. Clements H.J. Van J. Wienakowsky. On the interaction of cesium cleaved GaAs(llO) and Ge(lll) surface: work function measurements and adsorption site model//Surf.Sci.-1978.-78. p.468-666.

111. Фирмэнс Л., Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Л.Фирмэнс, Вэнник Дж., Декейсер В. М.: Мир, 1981.- 428 с.

112. Спенс Дж. Экспериментальна электронная спектроскопия высокого разрешения. М.: Наука, 1986.-379 с.

113. Наконечников А.В., Блиев А.П. Особенности энергетического спектра полярных граней арсенида галлия//Материалы конференциик

114. Приоритетные направления развития науки, технологии и техники», Москва / Успехи современного естествознания.-2005.-№6.-с.39-40.

115. Derrien J., D'Avitaya A. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110y/Surf. Sci.-1977.-v.65.-p.668-689.

116. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.:Мир, 1989.-510 с.

117. Терещенко О.Е. Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs,0): Диссертация канд. физ.-мат. наук/ИФП СО РАН.- Новосибирск, 1999.-168 с.

118. Блиев А.П., Наконечников А.В. Электронная структура полярных граней арсенида галлия с пленками цезия и кислорода на поверхности// Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки.-2005.-№5.- с. 1827.

119. Блиев А.П., Наконечников А.В. Энергетический спектр поверхностиf

120. GaAs(l 11) при коадсорбции цезия и кислорода // Материалы конференции

121. Фундаментальные исследования», Москва / Успехи современногоестествознания.-2005.-№3.- с.26-27.

122. Рамбиди Н.Г. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука, 1985. - 224 с.

123. Kanski J., Hua Q., Nilsson P.O., Karlson U.O. Photoemission studies of the GaAs(100)-4xl surface//J.Electr.Spectr. Relat. Phenom.-1990.-v.52.-p. 133-138

124. Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs(001) interface: Work function, cesium sticking coefficient and surface optical anisotropy. J. Vac. Sci.Technol.A.-1991.-v. 15.-№ ip.2074-2080.

125. Некрасов Б.В. Основы общей химии. М.: Химия, 1973.- т.1. - 580 с.

126. Наконечников А.В., Блиев А.П. Фотоэмиссионные исследования адсорбции цезия на полярных гранях арсенида галлия//Труды IX конференции по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов. Владивосток, 2005. - с.74-76.

127. Ley L., Pollak R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.R., Shirley D.A. Total valence-band densities of states of III-V and II-VI compounds from x-ray photoemission spectroscopy//Phys. Rev.-1974.-v9.-№2.-p.600-621.

128. Bechsted F. and Scheffler M.//Surface Science Report.-1993.-№18.-p. 145.

129. Vergara G., Gomes L.J., Capmany J., Montojio M.T. Adsorption kinetics of cesium and oxyden on GaAs(lOO) (A model for the activation layer of GaAs photocathodes)//Surf. Sci.-1992.-v.278. p.131-145.

130. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.:Энергоатомиздат, 1991. - 1054 с.

131. Поверхностные свойства твердых тел; Под ред. Грина М.- М.: Мир, 1972.- 432 с.