Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Аньчков, Денис Геннадьевич

• Аньчков, Денис Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Аньчков, Денис Геннадьевич

Введение.

Некоторые обозначения.'.

Глава 1. Модели адсорбции, адсорбционные эффекты и поверхностные свойства оксидных полупроводников.

1.1. Модели адсорбции на металлах и полупроводниках.

1.2. Адсорбционные эффекты.

1.3. Оксидные полупроводники.

1.4. Постановка задачи.

Глава 2. Изменение поверхностной проводимости полупроводниковой подложки, вызванное адсорбцией: общие соотношения.

2.1. Наведенная адсорбцией поверхностная проводимость.

2.2. Связь изменения поверхностной проводимости с работой выхода адсорбционной системы.

2.3. Влияние неосновных носителей.

2.4. Влияние поверхностного потенциала на поверхностную проводимость на примере

Краткие выводы.

Глава 3. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на поверхности ZnO и ТЮ2.

3.1. Адсорбция водорода на ХпО.

3.2. Адсорбция кислорода на ZnO и ТЮг.

3.3. Оценки зависимости поверхностной подвижности электронов от степени покрытия и температуры.

Краткие выводы.

Глава 4. Модели поверхностной подвижности.

4.1. Влияние поверхности на подвижность носителей в металлах и полупроводниках (основные положения).

4.2. Модель Шриффера.

4.3. Учет связи поверхностной подвижности с изменением работы выхода в модели Шриффера.

4.4. Эмпирический подход к оценке поверхностной подвижности: объемная» модель.

Краткие выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников»

Внимание к изучению адсорбционных явлений обусловлено как практической ценностью получаемых результатов для технических и технологических приложений, так и возможностью получения информации о фундаментальных физико-химических процессах взаимодействия твердого тела с чужеродными атомами. Несомненный интерес представляют исследования влияния адсорбции на поверхностные свойства полупроводниковых подложек. Выяснение механизмов такого влияния необходимо1 для понимания процессов легирования полупроводниковых кристаллов в процессе их роста, пассивации примесей, поверхностной очистки и травления; катализа [1-3]. В последнее время возрос интерес к исследованию влияния молекул» (атомов) газа на поверхностные свойства таких перспективных материалов, как полупроводниковые оксиды. Выяснение механизмов такого влияния необходимо, в частности, для разработки полупроводниковых газовых сенсоров [4-8].

Можно выделить два главных эффекта, вызываемых адсорбцией. Первый эффект - это изменение работы выхода адсорбционной системы Дф (ф — работа выхода «чистой» подложки), обусловленное^ обменом электронами между адатомом и подложкой. Такой обмен, естественно, приводит к изменению концентрации электронов в приповерхностной области.

Второй эффект - это изменение поверхностной проводимости подложки Дв (в - объемная проводимость). Причины этого эффекта двояки. Во-первых, как и в случае работы выхода, в приповерхностной области меняется концентрация электронов. Во-вторых, адчастицы представляют собой дополнительные центры рассеяния электронов, что изменяет подвижность последних. Именно выявлению механизмов влияния адсорбции на эти два фактора и посвящена настоящая работа.

Отметим, что в диссертации при получении всех теоретических результатов природа как адсорбата, так и полупроводникового субстрата не конкретизировалась. Так как, однако, экспериментальная проверка полученных результатов могла быть осуществлена только для адсорбции газов на полупроводниковых оксидах (см. ниже), именно этот тип систем фигурирует в названии работы.

Основная цель диссертационной работы - построение простой модели, позволяющей адекватно описать зависимость поверхностной проводимости Ав от концентрации адатомов. Так как, по определению, АС(0) = еп (0)|Д, (О), где степень, покрытия 0 есть относительная

О и безразмерная) концентрация адатомов, а п§(0) и ¡¿8(@) есть, соответственно, концентрация и подвижность электронов в приповерхностной области, для решения проблемы в целом необходимо определить вызванные адсорбцией изменения:

1) концентрации электронов п5(0);

2) подвижности электронов (15 (0).

Первая из этих задач решается с помощью стандартной феноменологической теории полупроводников. Для реализации второй задачи требуется, вообще говоря, решение нелинейного кинетического уравнения Больцмана. В диссертации, однако, был избран некоторый «обходной путь», для которого потребовалось первоначально вычислить отношение Г|(©)=АО(0)/Аф(0). Для вычисления изменения работы выхода использовалась хорошо известная модель Андерсона-Ньюнса.

Выбор такого «обходного пути» продиктовал круг рассматриваемых в работе адсорбционных систем, а именно: Н/2п0, СЬ^пО и 02/ТЮ2. Дело в том, что для определения отношения Т|(0) необходимо иметь экспериментальные данные по зависимостям AG(0) и Лф(0), полученные1 в одной данной лаборатории на одних и тех же образцах в одно и: то же время одними и теми же методами. В результате поиска выяснилось, что» только перечисленные выше системы отвечают столь жестким требованиям: К счастью, интерес именно к таким адсорбционным системам »заметно растет в последние годы [9-16].

В ' главе 2 в, общем« виде рассматриваются наведенные адсорбцией изменения поверхностной проводимости ЛО(0) и устанавливается связь между AG(0) и изменением работы выхода системы Дф(0): вследствие адсорбции. В главе 3 анализируются конкретные адсорбционные системы: H/ZnO, OVZnd и О2/ТЮ2. Глава 4 посвящена изучению влияния адсорбции на подвижность электронов в приповерхностной области. Здесь известная модель Шриффера обобщается на случай адсорбции, а также вводится так называемая «объемная» модель поверхностной подвижности. В Приложении приведен расчет заряда изолированного иона водорода; адсорбированного на оксиде" цинка; выполненный в рамках метода связывающих; орбиталей Харрисона. В Заключении подводятся1 итоги всей работы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации е-изданиях, рекомендованных в ВАК России:

1. Аньчков, Д.Г. О влиянии адсорбции на поверхностью, проводимость и работу выхода; / C.IO. Давыдов, C.B. Трошин // Письма в журнал технической физики - 2007 - Т. 33 - Вып. 18 - С. 47-53.

2. Аньчков, Д.Г. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на оксидах цинка и титана: изменения работы выхода и поверхностной проводимости. / С.Ю. Давыдов,. C.B. Трошин // Письма в журнал технической физики - 2008 - Т. 34 - Вып. 18 - С. 54-60.

Другие статьи и материалы конференций:

3. Аньчков, Д.Г. Влияние адсорбции на поверхностную проводимость и работу выхода подложки. [Текст]/ С.Ю. Давыдов, С.В] Трошин // Сборник трудов 62-й научно-технической: конференции СПбНТОРЭС им. АС. Попова, посвященной Дню радио. Апрель; 2007г. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭШ». - С. 182-184.

4. Аньчков, Д.Г. Влияние адсорбированных газов на работу выхода и поверхностную проводимость полупроводниковых оксидов. [Текст]/ С.Ю; Давыдов, Трошин С.В. // Международная конференция НАНСИС 2007. 21- 23 ноября 2007г. Киев, Украина-.

5. Аньчков, Д.Г. Поверхностная подвижность носителей тока* при адсорбции. [Текст]/ С.Ю: Давыдов //10-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докладов 1 -5 декабря 2008 г. - СПб.: Изд-во Политех, ун-та, 2008 - 120 с. - С. 42.

6. Аньчков, Д.Г. Влияние адсорбции) молекул кислорода и атомов водорода на: поверхностную подвижность носителей1 тока в полупроводниковых оксидах. [Текст] / С.Ю; Давыдов. // 2-я научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники». Труды конференции. Пенза, 26 - 29 мая 2009 года. - С.141-143.

7. Аньчков, Д.Г. Температурная зависимость поверхностной подвижности электронов в адсорбционной системе СЬ/ТЮг. [Текст] // 11-я всероссийская молодежная- конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докладов 30 ноября - 4 декабря 2009 года. - СПб.: Изд-во Политех, ун-та, 2009. - 128 с.

НЕКОТОРЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

Подложка Е„ - ширина запрещенной зоны;

Еу - энергия потолка валентной зоны; Ес - энергия дна зоны проводимости; X - сродство к электрону; п, (р) - концентрация электронов (дырок) в объеме полупроводника; (1п,([Хр) - подвижность электронов (дырок).

Адсорбированный атом О. - энергия квазиуровня изолированного адатома относительно уровня Ферми подложки;

Г - полуширина квазиуровня изолированного (одиночного) адатома; ра - плотность состояний изолированного адатом;

Ъ, - заряд адатома;

Х0 - заряд изолированного адатома;

X, б - длина адсорбционной связи.

Адсорбционная система 0 - степень покрытия подложки адатомами (относительная концентрация в долях монослоя); ф - электростатический потенциал; \|/ - безразмерный электростатический потенциал; £а, Еа - энергия квазиуровня адатома; ^ - константа диполь-дипольного взаимодействия; Ф - константа изменения работы выхода; Аф - изменение работы выхода вследствие адсорбции;

АО - изменение поверхностной проводимости подложки, наведенное адсорбцией.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Аньчков, Денис Геннадьевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Итак главное, что нам удалось сделать, это однозначно связать изменение поверхностной проводимости АО(0) с изменением работы выхода Аф(0) и показать, что их отношение Т|(0) = АО(0)/Аф(0) в пределах монослоя постоянно с приблизительно семипроцентной точностью. Это означает, что, зная какую-либо одну зависимость, можно предсказать другую, определив отношение Г[ при любом значении степени покрытия.

Эта процедура была выполнена для трех'адсорбционных систем и во всех трех случаях привела к весьма хорошим результатам: совпадение результатов расчета и данных эксперимента было вполне удовлетворительным. Отсюда, в частности, вытекает, что модель Андерсона-Ньюнса адекватно описывает адсорбцию газов на полупроводниковых оксидах.

Было также показано, что Т)(0) сс ц,(0)/>1(0). Так как длина адсорбционной связи А,(0) меняется не значительно, можно полагать, что вся концентрационная зависимость параметра Т)(0) связано исключительно с вариацией поверхностной подвижности. Это обстоятельство дает возможность извлечь информацию об изменении поверхностной подвижности из экспериментальных данных по изменению поверхностной проводимости.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Аньчков, Денис Геннадьевич, 2010 год

1. Эйнштейн, Т. Теория хемосорбции сборник / Т. Эйнштейн Т, Дж. Герц, Дж. Шриффер под ред. Дж. Смита. М.: Мир, 1983. - 336 с.

2. Nannarone, S. Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces / S. Nannarone, M. Pedio // Surf. Sci. Rep. 2003. - V. 51. - N. 1. - P. 1-149.

3. Sinfelt, J.H. Role of surface science in catalysis / J.H. Sinfelt // Surf. Sci.- 2002. V. 500. - P. 923-946.

4. Barsan, N. Understanding the fundamental principles of metal oxide based gas sensors; the example of CO sensing with Sn02 sensors in the presence of humidity / N. Barsan, U Weimer // J. Phys. Condens. Matter. 2003.- V. 15.-P. R813-R839.

5. Давыдов, С.Ю. Электронные состояния атомов в адсорбированных слоях автореф. дис. д-ра. ф.-м, наук / С.Ю. Давыдов. Л., 1991.

6. Давыдов, С.Ю. Адсорбционные явления в поликристаллических полупроводниковых сенсорах учеб. пособие / С.Ю. Давыдов, В.А. Мошников, В.В. Томаев. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1998. - 52 с.

7. Давыдов, С.Ю. Физика поверхности и границ раздела Текст] учеб. пособие / С.Ю. давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005.- 66 с.

8. Павлык, А.В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов Текст] автореф. дис. канд. ф.-м, наук/ А.В. Павлык. СПб., 2005.

9. Henrich, У.Е. The Surface Science of Metal Oxides / V.E. Henrich, P.A. Cox. Cambridge, University Press, 1994. - 464 p.

10. Freund, H.J. Oxide surfaces / H.J. Freund, H. Kuchlenbeck, V. Staemmler // Rep. Prog. Phys. 1996. - V. 59. - N. 3. - P. 283-347.

11. Давыдов, С.Ю. Полупроводниковые адсорбционные датчики Текст] / С.Ю. Давыдов, В.А. Мошников, В .В . Томаев. Владикавказ, Изд-во Сев.-Осст. 1 ос. У-та (СОГУ), 1998. - 117 с.

12. Maffeis, T.G. Nano-crystalline Sn02 gas sensor response to 02 and CH4 at elevated temperature investigated by XPS / T.G.G. Maffeis, G.T. Owen; M.W. Penn.G, T.K.H. Starke, S.A. Clark, H. Ferkel, S.P. Wilks //Surf. Sci: -2002. V. 520. - N. 1. - P. 29-34.

13. Tiburcio-Silver, A. Regeneration process study on spray-pyrolyzed'Snbi thin films exposed to СО-loaded air / A. Tiburcio-Silver, A. Sanchez-Juarez // Sensors and Acuators. B. 2004. - Y. 102. - P. 174-177.

14. Tiburcio-Silver, A. SnO^iGa thin films as oxygen gas sensor / A. Tiburcio-Silver, A. Sanchez-Juarez // Mater; Sci. Engeen. B: 2004i - V. 110. -P. 268-271. '

15. Gurney, R.W. Theory of electrical double layers in adsorbed films / R.W. Gurney // Phys. Rev. 1935. - V. 47. - N. 6. - P. 479-482:

16. Anderson, P.W. Localised magnetic states in metals / P;W. Anderson // Phys. Rev. 1961. - V. 124. - N. 1. - P. 41-53. '19.: Newns, D.M. Self-consistent model of hydrogen chemisorptions / D.M. Newns // Phys. Rev. 1969. - V. ,178. - N. 3. - P. 1123-1135.

17. Большов, JI.А. Субмонослойные пленки на поверхности металлов Текст] / Л.А. Большов, А.П. Напартович, А.Г. Наумовец, А.Г. Федорус // УФН. 1977. - Т. 122. - Вып. 1. - С. 125-158.

18. Браун, О.М. Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металлов Текст] / О.М. Браун, В.К. Медведев // УФН. -1989. Т. 157. - Вып. 4. - С. 631-666.

19. Grimley, Т.В. Theory of chemisorptions / Т.В. Grimley // In: Progress in Surface Physics of Materials. 1975. - V. 2. - P. 71-161.

20. Grimley, T.B. Chemisorption theory / T.B. Grimley // Crit. Rev. Solid State Sci. 1976. - V. 6. - N. 3. - P. 239-252.

21. Grimley, T.B. The indirect interaction between atoms and molecules adsorbed on metals / T.B. Grimley // Proc. Phys. Soc. 1967. - V. 90. - N. 569. -P. 751-764.

22. Grimley, T.B. Overlap> effects in the theory of adsorption using Anderson's Hamiltonian / T.B. Grimley // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1970. - V. 3. - N. 9.-P. 1934-1942.

23. Grimley, T.B. Overcompletness in the theory of chemisorptions / T.B. Grimley // Phys. Lett. 1975. - V. 51 A, - N. 5. - P. 267-268.

24. Bagchi, A. Chemisorption with' overcompletness, nonortogonality, and electron correlation: nondegenerate ground state / A. Bagchi, M.H. Cohen // Phys. Rev. B. 1974. - V. 9. - N. 10: - P. 4103-4115.

25. Bagchi, A. Chemisorption with overcompletness, nonortogonality, and electron correlation: large U limit / A. Bagchi, M.H. Cohen // Phys. Rev. B. -1976. V. 13. - N. 12. - P. 5351-5361.

26. Lio, S.K. Hydrogen chemisorption on transition metal surfaces: Tangsten (100) / S.K. Lio, R. Gomer // Phys. Rev. B. 1974. - V% 10. - N. 10. - P. 41614172.

27. Penn, D.R. An improved Anderson model / D.R. Penn // Phys. Rev. B. -1974. V. 9. - N. 3. - P. 839-843.

28. Волокитин, А.И. Применение гамильтониана Андерсона в теории хемосорбции Текст] / А.И. Волокитин // Проблемы физической' химии поверхности полупроводников. Новосибирск, 1978. - С. 44-71.

29. Kato, Т. Coverage dependence of density of states and work function of a random adsórbate substrate system: application to alkali - metal / T. Kato, K. Ohtomi, M. Nakayama // Surf. Sci. - 1991. - V. 243; - N. 1. - P. 103-110.

30. Давыдов; С.Ю: Переходы металл .- полупроводник, вызванные адсорбцией щелочных металлов; на поверхности (001) кремния! / С.Ю. Давыдов // ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 6; -С. 1129-1133.

31. Давыдов; С.Ю. К расчету изменения работы выхода при; адсорбции металлических^ атомов на полупроводниках / С.Ю. Давыдов, А.В; Павлык // ФТП. 2001. - Т. 35. - Вып. 7. - С. 831-833;

32. Давыдов, С.Ю; Адсорбция редкоземельных металлов-на кремнии: изменение работы выхода / С.Ю; Давыдов, А.В; Павлык// ФТТ. 2003: - Т. 45. - Вып. 7. - С. 1325-1328.

33. Давыдов,,С.Ю: Адсорбция ванадия на рутиле / С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык // Письма в ЖТФ; 2003. - Т. 29. - Вып., 12. - С. 33-36.

34. Давыдов, С.Ю. Адсорбция щелочных металлов на поверхности (100) кремния: изменение работы выхода / С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык //

35. ЖТФ: 2004: - Т.-74*: - Вып. 81- С. 95-99;

36. Давыдов, С.Ю. Оценка заряда изолированного адатома / С.Ю. Давыдов; А.В. Павлык // ЖТФ. 2006. - Т. 76. - Вып. 21 -С. 141-142.

37. Давыдов, С.Ю. Простые модели адсорбции водорода на германии / С.Ю. Давыдов // ЖТФ. 2005. - Т. 75. - Вып. 1. - С. 112-114.

38. Давыдов^ С.Ю. Адсорбция атомов водорода на кремнии / С.Ю; Давыдов // ЖТФ. 2005. - Т. 75. - Вып. 1. - С. 141-142.

39. Давыдов, С.Ю. Адсорбция молекул кислорода и окиси углерода на диоксиде титана / С.Ю. Давыдов, В.А. Мошников, А.А. Федотов // ЖТФ. -2006. Т. 76. - Вып. 1. - С. 141-142.

40. Haldane, F.D.M. Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors / F.D.M Haldane, P.W. Anderson // Phys. Rev. B. 1976. - V. 13. - N. 6. - P. 2553-2559.

41. Давыдов, С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников / С.Ю. Давыдов // ФТП. 1997. - Т. 31. - Вып. 10. - С. 1236-1241.

42. Muscat, J.P. Atomic theory of work-function variation in alkali adsorption on transition metals / J.P. Muscat, D.M Newns // J. Phys. C. 1974. -V.7.-N. 15.-P. 2630-2644.

43. Давыдов, С.Ю. Зависимость электронного состояния адатомов от их концентрации / С.Ю. Давыдов // ФТТ. 1977. - Т. 19. - Вып. 11. - С. 33763380.

44. May, J.W. Ionic monolayers on metals. II. Neutral mixed layers and surface reconstruction / J.W. May, C.E. Carrol // Surf. Sci. 1972. - V. 29. - N. l.-P. 85-113.

45. Einstein, T.L. Indirect interaction between atoms on a tight-binding solid / T.L. Einstein, J.R Schrieffer // Phys. Rev. B. 1973. - V. 7. - N. 8. - P. 36293648.

46. Schonhammer, K. On correlation effects in the indirect interaction between adatoms / K. Schonhammer, V. Hartung, W. Brenig // Z. Physik. -1975. B. 22. - N. 2. - S. 143-150.

47. Габович, A.M. Непрямое взаимодействие адсорбированных атомов на поверхности металлов через электронный газ подложки / A.M. Габович, Э.А. Пашицкий // ФТТ. 1976. - Т. 18. - Вып. 2. - С. 377-382.

48. Le Bosse, J.C. Interaction energy between two identical atoms chemisorbed on a normal metal / J.C Le Bosse, J. Lopez, J. Rousseau-Violet // Surf. Sci. 1978. - V. 72. - N. 1. - P. 125-139.

49. Lau, K.H. Indirect long-range oscillatory interaction between adsorbed atoms / K.H. Lau, W. Kohn // Surf. Sci. 1978. - V. 75. - N. 1. - P. 69-85.

50. Браун, O.M. «Непрямое» взаимодействие атомов водорода, адсорбированных на грани (100) вольфрама / О.М. Браун // ФТТ. 1980. -Т. 22. - Вып. 7. - С. 2079-2083.

51. Браун, О.М. Особенности «непрямого» взаимодействия атомов, адсорбированных на поверхности металлов / О.М. Браун // ФТТ. 1981. -Т. 23. - Вып. 9. - С. 2779-2784

52. Masuda, К. Changes in density of states caused by chemisorption: monolayer of adatoms on a model transition metal / K. Masuda // Z. Naturforsch. 1977. - B. 33a. - N. 1. - S. 66-73.

53. Masuda, K. Electronic states of ordered overlayers on a tight-binding metal surface / K. Masuda // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. - V. 114. - N. 2. P. -393-398.

54. Давыдов, С.Ю. Косвенное взаимодействие атомов в упорядоченных и аморфных слоях, адсорбированных на поверхности металлов / С.Ю. Давыдов // ФММ. 1979. - Т.47. - Вып.З. - С. 481-486.

55. Давыдов, С.Ю. О концентрационной деполяризации адатомов / С.Ю. Давыдов // Поверхность. 1991. - Вып. 8. - С. 17-20.

56. Давыдов, С.Ю. Электронное состояние адатомов при больших степенях покрытия / С.Ю. Давыдов // ФТТ. 1978. - Т. 20. - Вып. 6. - С. 1752-1757.

57. Bardeen, J. Theory of work function / J. Bardeen // Phys. Rev. 1936. -V. 49.-N. 9.-P. 653-663.

58. Lang, N.D. The Density-Functional Formalism and the Electronic Structure of Metal Surfaces / N.D. Lang // In: Solid State Physics/Ed. by H.Ehrenreich, F. Seitz, and D. Turnbull. 1973. - V. 28. - P. 225-300.

59. Киреев, П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев. М.: Высшая школа, 1969.

60. Каллуэй, Дж. Теория энергетической зонной структуры / Дж. Каллуэй. М.: Мир, 1969.

61. Займан, Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан. М.: Мир, 1974.

62. Займан, Дж. Вычисление блоховских функций / Дж. Займан. М.: Мир, 1973.

63. Харрисон, У. Теория твердого тела / У. Харрисон. М.: Мир, 1972.

64. Харрисон, У. Электронная структура и свойства твердых тел / У. Харрисон. М.: Мир, 1983. - Т.1. - 383 с.

65. Бехштедт, Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. М.: Мир, 1990. - 488 с:

66. Ortega, J.E. . Cs and О adsorption on Si(100) 2x1: A model system for promoted oxidation of semiconductors / J.E. Ortega, E.M. Oellig, J. Ferron; R. Miranda // Phys. Rev. B. 1987. - V. 36. - N. 11. - P .6213-6216.

67. Ishida, H. Coverage dependence of electronic structure of potassium adatoms on the Si(001)-( 2x1) surface / H: Ishida, K. Terakura // Phys. Rev. B. -1989. V.40. -N. 17.-P. 11519-11535.

68. Kato, T. Coverage dependence of density of states and work function of a random adsorbate-substrate system: application to alkali-metal / Si(001)2x1 surface / T. Kato, K. Ohtomi, M. Nakayama // Surf. Sci. 1989. - V. 209. - N. 1. -P. 131-150.

69. Tikhov, M. Sodium adsorption on Si(001)-( 2x1) surface / M. Tikhov, G. Boishin, L. Surnev // Surf. Sci. 1991. - V. 241. - N. 1. - P. 103-110.

70. Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Na-adsorbed Si(100)2xl surface studied by inverse and direct angle-resolved photoemission / L.S.O. Johanson, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47. - N. 3. - P. 1401-1406.

71. Ko, Y.-J. Atomic structure of Na-adsorbed Si(100) surfaces / Y.-J. Ko, KJ. Chang // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51. - N. 7. - P. 4329-4335.

72. Kim, C.Y. Lithium-induced reconstructions of the Si(001) surface / C.Y. Kim, K.S. Shin, K.D. Lee, J.W. Chung // Surf. Sci. 1995. - V. 324. - N. 1/2. -P. 8-16.

73. Klein, H. Mean residence time of Li atoms adsorbed on Si(100) and Si(lll) surfaces / H. Klein, M. Eckhardt, D. Fick // Surf. Sci. 1995. - V. 329. N. 1/2. - P. 71-76.

74. Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si(100) 2x1 surface using photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R:I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54. - N. 8. - P. 5901-5907.

75. Ko, Y.-J. Atomic and electronic structure of Li-adsorbed Si(100) surfaces / Y.-J. Ko, K.J. Chang, J.-Y. Yi // Phys. Rev. B. 1997. - V. 56. - N. 15. - P. 9575-9582.

76. Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si(100) 2x1 surface using photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R.I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B. 1997. - V. 55. - N. 11. - P. 7198-7205.

77. Chao, Y.-C. Adsorption of Rb on Si(100) 2x1 at room temperature studied with photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R.I.G. Uhrberg // Appl. Surf. Sci. 1998. - V. 123/124. - N. 1. - P. 76-81.

78. Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Rb-adsorbed Si(100)2xl surface studied by direct and inverse angle-resolved photoemission / L.S.O. Johanson, T. Diitemeyer, L. Duda, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1998. - V. 58. - N. 8. - P. 5001-5008.

79. Kan, T. Secondary ion emission processes of sputtered alkali ions from alkali/Si(100) and Si(lll) / T. Kan, K. Mitsukawa, T. Ueyama, M. Takada, T. Yasue, T. Koshikawa // Surf. Sci. 2000. - V. 460. - N. 1-3. - P. 214-222.

80. Sakamoto, K. Photoemission study of the Si(lll) 3x1 surface / K. Sakamoto, T. Okuda, H. Nashimoto, H. Daimon, S. Suga, T. Kinoshita, A. Kakizaki // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50. - N. 3. - P. 1725-1732.

81. Komai, M. Microscopical analysis of structure and work function of Ba-covered Si(lll)-(7x7)f surface / M. Komai, M. Sasaki, R. Ozawa, S. Yamamoto // Appl. Surf. Sci. 1999. - V. 146. - N. 1-3. - P. 158-161.

82. Kamaratos, M. Interaction of Cs with the GaAs(100) surface / M. Kamaratos, E. Bauer // J, Appl. Phys. 1991. - V. 70. - N. 12. - P. 7564-7572.

83. Yamada, K. Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(OOl) surfaces studied by metastable de-exitation, spectroscopy / K. Yamada, J. A'sanari, M. Naitoh, S. Nishigaki // Surf. Sci. 1998. - V. 402. - N. 1-3. - P. 683-686.

84. Derrien, J. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) / J. Derrien, A. D'Avitaya // Surf. Sci. 1977. - V. 65. - N. 3. - P.668-686.

85. Ortega, J.E. Growth of K, Rb and Cs on GaAs(llO) / J.E. Ortega, R. Miranda// Appl. Surf. Sci. 1992. - V. 56-58. - N. 1/2. - P. 211-217.

86. Kim, J.W. Surface electronic properties of Na/Ge(l 1 l)-3xl / J.W. Kim, J. Seo, S. Kim// Surf. Sci. 1996. - V. 351. - N. 1-3. - P. L239-L244.

87. Osterlund, L. Potassium adsorption on graphite (0001) / L. Osterlund, D.V. Chakarov, B. Kasemo // Surf. Sci. 1999. - V. 420. - N. 1-3. - P. 174-189.1. X i

88. Кравчино, T.B. Термически активированные процессы перестройки-в тонкопленочных структурах Yb-Si(lll) / T.B. Кравчино, M.B. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев // ФТТ. 1997. - Т. 39. - Вып. 9. - С. 16721678.

89. Кравчино, Т.В. Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью Si(lll) / T.B. Кравчино, M.B. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев // ФТТ. 1998. - Т. 40. - Вып. 10. - С. 1937- 1944.

90. Кравчино, Т.В. Адсорбционная стадия формирования тонкопленочных структур Eu Si(lll) / Т.В. Кравчино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев // ФТТ. - 2000. - Т. 42. - Вып. 3. - С. 553-563.

91. Onishi, Н. Modification,of surface electronic structure on Ti02(l 10) and Ti02(441> by Na deposition / H. Onishi, T. Aruga, C. Egawa, Y. Iwasawa* // Surf. Sei. 1988. - V. 199. - N. 1. - P. 54-66

92. Casanova, R. Potassium adsorption on Ti02(100) / R. Casanova, K. Prabhakaran, G. Thornton // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. - V. 3. - N. 1. - P. S91-S92.

93. Prabhakaran, K. Alkali-metal-to-substrate charge transfer in ТЮ2(110) c(2x2) / K. Prabhakaran, D. Purdie, R. Casanova, C.A. Muryn, P.J. Hardman, P. L. Wincott, G. Thornton// Phys. Rev. B. 1992. - V. 45. - N. 12. - P. 69696972.

94. Grant, A.W. Cesium adsorption on ТЮ2(110) / A.W. Grant, C.T. Campbell // Phys. Rev. B. 1992. - V. 55. - N. 3. - P. 1844-1851.

95. Zhang, Z. Adsorption of vanadium on the ТЮ2(110). / Z. Zhang, V.E. Heinrich // Surf. Sei. 1992. - V. 227. - N. 1-3. - P. 263-272.

96. Tikhov, M. Sodium adsorption on Si(001)-(2xl) surface / M. Tikhov, G. Boishin, L. Surnev // Surf. Sci. 1991. - V. 248, - N. 1. - P. 103-110.

97. Бонч-Бруевич, B.JT. Сборник задач по физике полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, И;В. Карпенко, A.F. Миронов. М.: Наука; 1968. - 112 с. ' \

98. Давыдов, С.Ю., Влияние субмонослойной»металлической пленки на величину изгиба зон полупроводниковой подложки / С.Ю. Давыдов, A.B. Павлык // ФТП. 2005. - Т. 39. - Вып. 9. - С. 1068-1069.

99. Блатт, Ф.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф.Дж. Блатт. М.тЛ,: Физматгиз, 1963.

100. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки / Под: ред.' Л. Казмерскп. М.: Мир, 1983.

101. Кравченко, А.Ф. Явления ¡ переноса > в полупроводниковых пленках / А.Ф. Кравченко, В.В. Митин, Э.М. Скок. Новосибирск: Наука, 1979:

102. Рантмахер, В.Ф. Рассеяние носителей? тока в металлах и полупроводниках / В.Ф. Гантмахер, И.Б! Лёвинсон. М.: Наука, 1984.

103. Басс, Ф.Г. Электроны И!фононы в ограниченных полупроводниках / Ф.Г. Басс, B.C. Бочков, Ю.Г. Гуревич. М.: Наука; 1984.

104. Губанов; А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников / А.И. Губанов.- М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963.

105. Мотт, Н.Ф. Электроны в неупорядоченных структурах / Н.Ф. Мотт. М : Мир, 1969.

106. Теория и свойства неупорядоченных материалов / Сб: статей-под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. М.: Мир, 1977.

107. Шкловский, Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников/Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос. М.: Наука, 1979.

108. Займан, Дж. Модели беспорядка / Дж. Займан. М.: Мир, 1982.

109. Аньчков, Д.Г. О влиянии адсорбции на поверхностную проводимость и работу выхода / Д.Г. Аньчков, С.Ю. Давыдов, С.В1. Трошин // Письма в ЖТФ. 2007. - Т. 33. - Вып. 18. - С. 47-53.

110. Зи, С.М. Физика полупроводниковых приборов / С.М. Зи. М.: Мир, 1984.

111. Аньчков, Д.Г. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на оксидах цинка и титана: изменения работы выхода и поверхностной проводимости. / Д.Г. Аньчков, С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин // Письма в ЖТФ 2008. Т. 34 - Вып. 18 - С. 54-60.

112. Болыдов, JI.A. К теории реконструкции поверхности полупроводниковых кристаллов / JI.A. Болынов, М.С. Вещунов // ЖЭТФ. -1986. Т. 90. - Вып. 2. - С. 569-580.

113. Болынов, JT.A. О реконструкции чистых граней полупроводников и* переходных металлов / JI.A. Болынов, М.С. Вещунов // Поверхность. 1989. Вып. 7. - С. 5-35.

114. Haneman, D. Surface of silicon / D. Haneman // Rep. Prog. Phys. 1987. - V. 59. - N. 8. - P. 1043-1086.

115. Pick, S. Instabilities and reconstructions on solid' surfaces: basic theoretical notions and examples / S. Pick // Surf. Sci. Rep. 1990. - Y. 12. - N. 3.-P. 99-131.

116. Srivastava, G.P. Theory of semiconductor surface reconstruction / G.P. Srivastava // Rep. Prog. Phys. 1997. - Y. 60. - N. 5. - P. 561-613.

117. Himpsel, F.G. Inverse photoemission from semiconductors / F.G. Himpsel // Surf. Sci. Rep. 1990. - V. 12. N. 1. - P. 1-48.

118. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

119. Davydov, S.Y. On the specific features of work function coverage dependence for Na: adatoms on the Cs substrate / S.Y. Davydov // Appl. Surf. Sci. 1999. - V. 140. - N. 1. - P.,52-57.

120. Davydod, S.Yu. Temperature effect on the dipole moment of adatoms / S.Y. Davydov // Surf. Sci: 1996. - V. 364. - N: 3. - P: 477-480:

121. Давыдов, С.Ю. К расчету температурной^ зависимости работы выхода адсорбционной системы / С.Ю. Давыдов // ФТТ. 2003. - Т. 45. -Вып. 5. - С. 925-928.

122. Fuchs, К. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals / K. Fuchs // Proc. Cambr. Phil. Soc. 1938. - V. 34. N. 1. - P: 100.-108.

123. Schrieffer, J.R. Effective carrier mobility in surface-space charge layers / J.R. Schrieffer // Phys. Rev. 1955. - V. 97. - N. 3. - P. 641-646.

124. Грибников, З.С. Нелинейная электропроводность и магнетоэлектропроводность тонких монополярных анизотропных имногодолинных пленок / З.С. Грибников, А.В. Саченко // ФТП. 1976. - Т. 10. - Вып. 2. - С. 304-309.

125. Parrot, J.E. New theory of size effect in electrical conduction / J.E. Parrot//Proc. Phys. Soc. 1965. - V. 85. - N. 548. - P. 1143-1153.

126. Parrot, J.E. The size effect for a conduction in solids near surface / J.E. Parrot// Proc. Phys. Soc. 1966. - V. 87. - N. 558. - P. 1000-1002.

127. Price,P.J. Anisotropic conduction in solids near surfaces / P.J. Price // IBM J. Res. Develop. 1960. - V. 4. - N. 2. - P. 152-157.

128. Горкун, Ю.И. Электропроводность пластинок из кристаллов с многодолинным энергетическим спектром носителей тока / Ю.И. Горкун, Рашба Э.И. // ФТП. 1968. - Т. 10. - Вып. 10. - С. 3053-3059.

129. Чаплик, А.В. Энергетический спектр и подвижность электрона в тонкой пленке с неидеальной границей / А.В. Чаплик, М.В. Энтин // ЖЭТФ. 1968. - Т. 55. - Вып. 3(9). - С. 990-998.

130. Баскин, Э.М. Проводимость пленок с макроскопическими неровностями поверхности / Э.М. Баскин, М.В Энтин // ФТП. 1970. - Т. 4.- Вып. 10. С. 1973-1977.

131. Greene, R.F. Surface transport in semiconductors / R.F. Greene, D.R. Frenkl, J. Zemel // Phys. Rev. 1960. - V. 118. - N. 4. - P. 967-975.

132. Айрапетянц, С.В. Исследование распределения подвижности и концентрации носителей тока по глубине неоднородного слоя методом Ван-дер-По / С.В. Айрапетянц, В.Д Тарасов // ФТП. 1973. - Т. 7. - Вып. 1.- С. 203-210.

133. Физка низкоразмерных систем / А.Я. Шик и др.]. СПб.: Наука, 2001.

134. Демиховский, В.Я. Физика квантовых низкоразмерных структур / В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. М.: Логос, 2000.

135. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск.: Изд-во НГТУ, 2000.joT4 ^

136. Двайт, Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы / Г.Б. Двайт. М.: Наука, 1969.

137. Ландау, Л.Д. Квантовая механика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. -М.: Наука, 1974.

138. Марадудин, А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов / А. Марадудин. М.: Мир, 1968.

139. Бётгер, X. Принципы динамической теории решетки / X. Бётгер. -М.: Мир, 1986.

140. Физические величины Текст1]: справочник / под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

141. В .И. Гавриленко, В .И. Оптические свойства полупроводников / В .И. Гавриленко и др.]. Киев.: Наукова Думка, 1987. - 608 с.

142. Давыдов, С.Ю. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников Текст1]: учеб. пособие / С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник О.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. - 96 с.