Теория и практика создания системы автоматизированного проектирования вторично-электронных канальных умножителей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, доктор технических наук Гончаров, Игорь Николаевич

• Гончаров, Игорь Николаевич
• доктор технических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор технических наук Гончаров, Игорь Николаевич

Введение.

1 Обзор вопросов моделирования поведения электронов в условиях электрических полей вторично-эмиссионных канальных умножителей.

2 Разработка общего алгоритма системы автоматизированного проектирования многоканального электронного умножителя.

2.1 Построение алгоритма САПР микроканальных пластин.

2.2 Решение оптимальной задачи в САПР МКП.

3 Разработка математического обеспечения САПР многоканальных умножителей.

3.1 Моделирование электрического поля в объёме канала МКП и специальном устройстве.

3.2 Разработка математической модели поведения электронов в канале и прилегающих областях изделия применения.

4 Разработка программных алгоритмов расчёта процессов в каналах МКП, функционирующей в составе ЭОП.

4.1 Разработка блок-схемы системы расчёта.

4.2 Алгоритм расчёта электрического поля в пространстве выход МКП-экранный промежуток ЭОП.

4.3 Алгоритм расчёта распределения электрического поля в канале.

4.4 Алгоритм расчёта траекторий электронов и коэффициента усиления канала.

4.5 Алгоритм расчёта энергий и углов вылета электронов из каналов.

4.6 Алгоритм расчёта и анализа диаметра кружка рассеяния электронного изображения канала.

5 Автоматизированное исследование процессов усиления в различных каналах с использованием разработанных средств САПР.

5.1 Анализ явлений на входе и выходе канального умножителя.

5.2 Исследование процессов умножения электронов в каналах круглого сечения.

5.3 Исследование влияния отклонений в величине диаметра канала на его усилительную способность.

I | . ч

5.4 Исследование влияния эффективности РЭС на поведение дефекта электронного изображения МКП "сотовая структура".

5.5 Исследование процессов усиления в каналах с нарушенной формой сечения.

6 Разработка методики и алгоритма автоматизированного исследования явления токового насыщения.

6.1 Моделирование явления токового насыщения усиления в канальном умножителе.

6.2 Разработка алгоритма автоматизированного исследования явления токового насыщения усиления.

7 Моделирование и анализ поведения электронов в высоковольтном экранном промежутке ЭОП с МКП.

7.1 Теория и расчёт энергетических и угловых распределений электронов, вылетающих из каналов различных сечений.

7.2 Моделирование и анализ диаметра кружка рассеяния канального изображения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теория и практика создания системы автоматизированного проектирования вторично-электронных канальных умножителей»

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) в условиях ускоряющего электрического поля различной конфигурации - сложное явление, определяемое многими взаимосвязанными процессами, протекающими вокруг эмиттера, при облучении его первичными электронами. Оно лежит в основе работы многочисленных изделий вакуумной электроники: вторично-электронных умножителей, канальных электронных умножителей, микроканальных пластин (МКП), которые применяются в оборонной, космической, научной, социальной и других жизненно-важных сферах деятельности.

Приборы данного класса отличаются сложностью конструкции и технологии изготовления, а их действие вероятностностью протекающих процессов. Вместе с тем к канальным электронным умножителям предъявляются весьма жёсткие требования, в особенности это относится к многоканальным конструкциям, используемым для работы с широкими электронными потоками и применяемым в преобразователях и усилителях электронного изображения - важнейших элементах техники ночного видения. Качество специальных устройств на их основе, например электронно-оптических преобразователей (ЭОП), конструкции которых будут представлены далее, во многом определяется высокой усилительной способностью канальных умножителей, идентичностью работы отдельных каналов, низким уровнем шума, высокой разрешающей способностью, стабильностью работы. Микроканальная пластина является системообразующей сборочной единицей ЭОП, а режимы их функционирования взаимообусловлены.

Очевидно, что повышение эффективности и скорости решения задач разработки и исследования новых конструкций изделий вакуумной электроники и вторично-эмиссионных приборов в частности связано с наличием средств автоматизированного проектирования. Задача компьютерной разработки и исследования электронно-оптической системы (ЭОС) сводится к определению конфигурации электродов и их потенциалов, обеспечивающих формирование потока электронов с заданными характеристиками. Известны средства САПР, позволяющие проводить в интерактивном режиме поиск оптимальных геометрий расположения электродов ЭОС и напряжений на них для получения требуемых характеристик систем электронной оптики вакуумных электронных приборов с широкими электронными пучками, таких как электронно-лучевые трубки, инверторные электронно-оптические преобразователи, фотоэлектронные умножители в их прикатодной области и др. Данные средства широко применяются при расчете траекторий рабочих электронов, исследовании характеристик изделий: коэффициента увеличения, разрешающей способности, дисторсии электронного изображения, коэффициента сбора электронов.

Процессы разработки и анализа функционирования ЭОС изделий вторично-эмиссионной электроники в значительно меньшей степени обеспечены соответствующими САПР. Задача моделирования поведения электронов в условиях вторично-эмиссионного умножителя является более сложной, поскольку предусматривает не только расчет траекторий электронов в условиях однородных и неоднородных электрических полей и различных граничных условий до взаимодействия с препятствием-мишенью, но и моделирование вероятностного явления вторичной эмиссии и дальнейшего продвижения в электрическом поле соответствующего количества вторичных электронов.

Задача создания средств высокоадекватного автоматизированного анализа процессов в многоканальном умножителе и прилегающих областях изделий применения в частности в электронно-оптическом преобразователе весьма актуальна и подразумевает моделирование однородных и неоднородных электрических полей в объеме канала различной формы сечения с учетом соответствующих граничных условий, обусловленных особенностями изделий применения, а также в зазорах фотокатод - пластина и пластина - катодолюминесцентный экран (см. рисунки 1 и 2); моделирование поведения электронов в условиях данных полей; моделирование процессов взаимодействия первичных электронов с резистивно-эмиссионным слоем канала и эмиссии вторичных электронов в соответствии с положениями теории; обработку результатов исследований.

Цель данной работы состоит в создании комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования и исследования изделий вакуумной электроники с вторично-эмиссионным канальным умножением, на примере микроканальной пластины, а также проведение расчётов траекторий движения электронов в электрическом поле в различных каналах и прилегающих областях специальных устройств (ЭОП), работающих в разных режимах.

Для достижения поставленной цели необходимо произвести решение следующих задач:

- осуществление критического анализа известных математических моделей канальных электронных умножителей, определение проблем и направлений их развития; разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя с учётом необходимых требований и целевых задач;

- разработка математических моделей электрических полей в объёме каналов с учётом формы их сечения, особенностей конструкции, а также граничных условий на примере микроканальной пластины, как системообразующей единицы специальных устройств;

- разработка математической модели траекторий движения первичных и вторичных электронов в каналах и прилегающих областях специального устройства;

- проведение программной реализации разработанных средств;

- моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, а также энергетических и угловых распределений электронов, вылетающих из каналов;

- моделирование явления токового насыщения в канале; критический анализ полученных результатов с учётом соответствующих известных литературных данных, а также экспериментальных исследований МКП и микроканальных ЭОП на установках измерения электронно-оптических параметров;

- выработка рекомендаций, направленных на повышение качества МКП продукции.

Основные научные положения, выносимые на защиту таковы:

1. Алгоритм САПР канальных умножителей, обоснование выбора критериев оптимальности, параметров оптимизации и метода оптимизации в задаче автоматизированного проектирования канальных усилителей.

2. Математическая модель распределений электрических полей в объёмах каналов вторично-эмиссионных умножителей различной формы сечения с учётом влияния внешних электрических полей, формируемых электродами изделий применения.

3. Метод определения граничных условий на входе и выходе канальных умножителей с учётом особенностей изделия применения и структуры торцевой поверхности умножителя.

4. Машинно-ориентированные математические описания траекторий движения электронов в различных каналах, а также в прилегающих областях изделий применения для автоматизированных расчётов в рамках САПР изделий вакуумной эмиссионной электроники.

5. Математическая модель явления токового насыщения в канальном умножителе.

6. Графические распределения степени влияния различных отклонений в сечении каналов МКП на чистоту поля зрения (ЧПЗ) электронного изображения, на формирование характерных дефектов ЧПЗ "тёмная и светлая сотовые структуры".

7. Расчётные зависимости влияния различных особенностей конструкции и режима эксплуатации МКП, а также специальных устройств на угловое и энергетическое распределение электронов, вылетающих из каналов.

8. Зависимости, указывающие на влияние процессов зарядки стенок каналов на их усилительную способность.

Среди методов исследования, используемых в данной работе, следует выделить: математическое моделирование физических процессов на ЭВМ, алгоритмизация и программирование поставленных задач, методы теории электрического поля, численные итерационные методы решения линейных алгебраических уравнений, векторная алгебра, системный анализ, теория вероятностей, статистические методы обработки результатов экспериментов с использованием ЭВМ, моделирование на основе пакетов прикладных программ "Е MOVE" и "GLASER", натурное моделирование, промышленный эксперимент, разрушающий и неразрушающий контроль, экспертный метод.

Научная новизна диссертации заключается в следующем:

1. В ней разработаны принципы построения системы автоматизированного проектирования вторично-эмиссионных электронных умножителей на примере микроканальных пластин, как системообразующих единиц специальных устройств.

2. Разработаны математические модели распределения электрического поля в объёме канального электронного умножителя с различной формой сечения с учётом граничных особенностей поля на выходе и входе канала.

3. Разработаны универсальные математические модели траекторий движения электронов в условиях канала и высоковольтного экранного промежутка, а также в зазоре фотокатод-МКП электронно-оптического преобразователя.

4. Разработан новый метод моделирования граничных условий на выходе из каналов в высоковольтный экранный промежуток изделий применения, позволяющий учитывать структуру торцевой поверхности пластин (матрицу каналов), исследовать пространственные электрические поля сложной конфигурации и отличающийся уменьшенной потребностью в оперативной памяти ЭВМ.

5. Разработана квазистатическая модель, отражающая влияние эффекта токового насыщения в канале умножителя на его усилительную способность.

6. Установлено и описано влияние технологических отклонений диаметров каналов МКП, а также формы их сечений на усилительную способность каналов при различных питающих напряжениях; промоделирована степень воздействия данных дефектов каналов на чистоту поля зрения электронного изображения изделия применения.

7. Разработана модель определения угловых и энергетических распределений электронов, устремляющихся к люминесцентному экрану из различных каналов и в различных условиях, определены соответствующие диаметры изображений каналов.

8. Разработано и реализовано математическое обеспечение САПР в виде комплекса алгоритмов автоматизированного расчёта и анализа канальных умножителей различных конструкций в условиях специальных устройств.

Практическая значимость данной работы такова:

1. Определены граничные условия электрических полей многоканальных электронных умножителей с учётом структуры их торцов (строения матрицы каналов), позволяющие исследовать электрические поля сложной конфигурации с использованием меньшего объёма оперативной памяти ЭВМ.

2. Промоделированы распределения электрических полей в объёме каналов вторично-электронных умножителей различной формы сечения с учётом граничных условий, а также в прилегающих областях изделий применения.

3. Промоделировано поведение электронов в различных каналах при разных значениях параметров усиления, а также траекторий электронов перед входом в канал и после выхода из него.

4. Реализован комплекс алгоритмических продуктов для автоматизированного расчёта и анализа канальных электронных умножителей, ориентированный для САПР данных изделий.

5. Установлена степень влияния внешних условий и стохастичности процессов в канале, отклонений в его диаметре и в форме сечения на его усилительную способность; эмиссионных и геометрических факторов на поведение дефекта "сотовая структура" МКП.

6. Получены результаты анализа поведения электронов в промежутках фотокатод-вход микроканальной пластины, выходной торец МКП люминесцентный экран. Определена степень влияния различных факторов на угловое и энергетическое распределения электронов и диаметр кружка рассеяния изображения канала.

7. Промоделирована степень влияния процесса зарядового явления -токового насыщения на распределение электрического поля в канале и его усилительную способность.

8. Разработана виртуальная библиотека фрагментов конструктивных элементов многоканальных умножителей различных конструкций и режимов функционирования.

9. Созданные средства САПР позволили во многом заменить дорогостоящее промышленное исследование и макетирование рассматриваемого класса изделий численным экспериментом на его математической модели. Основные результаты проведённых исследований используются в организациях, занимающихся проектированием электронно-оптических систем изделий вакуумной электроники и в учебном процессе в вузе при подготовке специалистов электронной техники.

Полученные в работе результаты базируются на принципах теории электрических полей, законов движения электронов в них и имеют достаточное научное обоснование, так как выполнены с использованием развитого математического аппарата в пределах общепринятых упрощающих допущений. Разработанные методы реализованы в машинноориентированных алгоритмах и программах. Эффективность и достоверность предложенных методов и алгоритмов обеспечена сопоставлением основных результатов, полученных на основе методов математического моделирования с итогами имеющихся соответствующих расчётов, опубликованных в различных литературных источниках, а также путём воспроизведения зависимостей на физических моделях (макетах).

Практические результаты работы внедрены на предприятиях НЗПП г. Нальчика и ООО "Энергосервис" г. Владикавказа.

Основные результаты работы в ходе выполнения отдельных её разделов были доложены и обсуждены на научно-технических конференциях и семинарах, в том числе:

Международных: "Международный форум по проблемам науки, техники и образования" (Москва, 1997г); "Информационная математика, кибернетика, искусственный интеллект в информациологии" (Москва, 1999г.); Новые информационные технологии в науке, образовании, экономике" (Владикавказ, 2002 г.); "Циклы природы и общества" (Ставрополь, 2005 г.); "Инновационные технологии для устойчивого развития горных территорий" (Владикавказ, 2007г.);

Всероссийских: "Потенциал развития России XXI века" (Пенза, 2009г); региональных: ежегодных и юбилейных научно-технических конференциях СКГТУ в период с 1997 по 2008г; на расширенных заседаниях кафедры "Электронные приборы" СКГТУ (Владикавказ, 2007-2009гг.).

Работа выполнена в рамках целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы" с использованием потенциала ведущих научных школ Российской Федерации, по грантам Президента РФ ведущей научной школы России НШ-634.2008.8, НШ-1998.2006.8. Соискатель являлся ответственным исполнителем в соответствующих темах: "Создание методов математического моделирования микроканальных структур" 2005-2008 г.; "Исследование свойств и параметров поверхностей каналов микроканальных пластин в зависимости от воздействия различных физико-химических факторов" 20082009 г.

Основные результаты диссертационной работы отражены в 34 печатных работах, среди которых 10 опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК, 1 патент на изобретение, 1 работа - компьютерная программа зарегистрирована в реестре программ для ЭВМ Российской Федерации.

Диссертация состоит из 7 глав, введения, заключения, списка литературы из 152 наименований и 2 приложений, содержит 257 стр. машинописного текста.

В заключение следует изложить краткое содержание работы.

В первой главе диссертации приведены результаты анализа литературных источников, посвященных теории и моделированию физических процессов, характерных для многоканальных вторично-эмиссионных умножителей, выявлены достоинства и недостатки предлагаемых моделей.

Во второй главе осуществляется построение алгоритма САПР многоканальных электронных умножителей - микроканальных пластин, разрабатывается методика решения оптимальной задачи.

Третья глава посвящена созданию математического обеспечения САПР канальных умножителей. Здесь разрабатывается математическая модель распределения электрического поля в канале МКП с учётом влияния прилегающих к входу и выходу канала электродов изделия применения -ЭОП, а также модель поведения электронов в условиях электрического поля каналов различных сечений.

В четвёртой главе диссертации осуществляется разработка и реализация на языке программирования Quick Basic 4.5 комплекса алгоритмов для САПР вторично-электронных умножителей, строится обобщённая схема работы системы, отражающая взаимосвязь операций и поток данных в ней.

В пятой главе приводятся результаты исследований процессов канального умножения, как этапов разработки и совершенствования изделий вторично-эмиссионной электроники, проведённых с использованием созданных средств САПР. Осуществляется расчёт значения критерия оптимальности умножителей - коэффициента усиления М в различных каналах и в разных условиях. В ходе расчётов производится оценка адекватности моделей.

Шестая глава посвящена созданию и реализации алгоритма моделирования явления токового насыщения в каналах МКП. Здесь же представлены результаты расчётов коэффициента усиления каналов при различных входных токах.

В седьмой главе приводятся результаты моделирования энергетических и угловых распределений электронов, вылетающих из каналов МКП в высоковольтный экранный промежуток ЭОП в различных условиях, осуществляется автоматизированный расчёт соответствующих диаметров кружков рассеяния электронного изображения каналов, являющихся одним из критериев оптимальности проектного решения и определяющих значения разрешающей способности МКП.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Гончаров, Игорь Николаевич

Заключение

Основные научные выводы и результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования изделий канальной вторично-эмиссионной электроники, определены проблемы и направления их развития. Установлено, что данные средства САПР, отличающиеся повышенной сложностью математического обеспечения, не получили достаточно серьёзного развития. Наиболее известные в данной области работы посвящены решению отдельных узких задач общей проблемы моделирования поведения электронов в канале умножителей и прилегающих областей специальных устройств. Среди них: моделирование и расчёт глубины влёта первичных электронов в канал до первого соударения со стенкой и влияние данного фактора на его коэффициент усиления; анализ влияния различных условий на время прохождения электронной лавины в канале; исследование влияния глубины контактных электродов на усиление, расчёт угловых и энергетических распределений электронов, вылетающих из канала; учёт влияния шероховатости эмиссионной поверхности на её усилительную способность; моделирование зарядовых явлений в канале; моделирование воздействия внешних электрических полей изделий применения на распределение поля в канале.

Существовала необходимость в разработке элементов системы автоматизированного проектирования и анализа канальных электронных умножителей, предусматривающей решение соответствующей оптимальной задачи, т.е. реализации метода синтеза, а также в повышении адекватности решений задач анализа, как этапов синтеза, т.е. определения различных характеристик формируемого в канале потока вторичных электронов при заданных геометрии и потенциалах системы.

2. Обоснованы целевые задачи средств автоматизации проектирования изделий канальной вторично-эмиссионной электроники и требования к ним. Построен алгоритм САПР канальных умножителей. Среди характеристик, учитываемых при расчетах конструкции изделия необходимо выделить: средний диаметр канала с1к, калибр канала а, особенности его сечения в случае отклонения от круглой формы в пределах допуска (степень эллиптичности у/, оцениваемая в данном случае значениями большой а и малой Ъ полуосей эллипса-сечения), средний шаг структуры каналов ¡гс, особенность исследуемого элемента выходной поверхности МКП (участок с редким рядом, участок с густым рядом), длины и особенности конфигураций входной 1ме/вх. и выходной 1ме/вых. металлизаций стенок канала, расстояния фотокатод-МКП 1ф/к и пластина-экран 1ЭК в изделии применения. Учитываемые эмиссионные и электрические характеристики таковы: первый и второй параметры вторично-эмиссионной эффективности РЭС канала /? и у соответственно, напряжение питания МКП ишп, разность потенциалов между фотокатодом и входом МКП 11ф/к, между выходной поверхностью пластины и экраном ижр, а также величина входного тока 1вх и сопротивление МКП ЯШп ПРИ учёте зарядовых явлений.

Критериями оптимальности следует считать: коэффициент усиления М и диаметр кружка рассеяния электронного изображения канала ¿//л определяющий разрешающую способность МКП и характеризуемый моделируемыми энергетическим и угловым распределениями электронов, вылетающих из канала. Варьируемые параметры оптимизации а и 1ме/вых

3. Разработана методика оптимизации в задаче оптимального проектирования. Поиск оптимальных проектных параметров следует проводить эффективным и экономичным прямым способом вращения координат - методом Розенброка (способом ортогонализации по Грамму-Шмидту). Выбор границ и пробных точек в пространстве управляемых параметров производится априорно, в соответствии с полученными из опыта значениями. Рекомендуемые начальные значения величин шагов движения таковы: для а - 0,5 единиц, для 1ме/вых ~ 0,3 мкм.

4. Разработан метод определения и задания граничных условий при моделировании электрического поля канала, позволяющий учитывать особенности конструкции торцевой поверхности МКП (матрицу каналов). При формировании граничных условий модели электрического поля в канале учитывалась реальная структура торцевых поверхностей МКП, т.е. расположение каналов на торце в соответствии с конструктивными понятиями "семейство и ряд каналов", а также влияние внешнего поля, для чего строилась матрица каналов. В данной САПР подразумевается решение трёхмерной задачи, что позволяет учитывать конструкцию матрицы каналов. На всех участках граничные условия соответствовали задаче Дирихле.

5. Разработана методика расчёта электрического поля в, канале многоканального электронного умножителя и изделии применения -электронно-оптическом преобразователе. Расчёт распределения электрического поля предлагается проводить в совокупном пространственно-временном масштабе каналов МКП и прилегающих областей изделия применения. Исходя из этого, а также с точки зрения наиболее рационального использования оперативной памяти ЭВМ при решении трёхмерной задачи моделирования однородных и неоднородных электрических полей для расчёта траекторий электронов в многоканальном умножителе и соседних областях ЭОП, данная задача была разбита на три отдельных последовательных этапа. Они таковы: а) моделирование и расчёт распределения поля в объёме промежутка фотокатод-МКП и во входной части канала с учётом граничных условий; б) моделирование и расчёт распределения поля в объёме зазора МКП-экран, а также в выходной части канала с учётом граничных условий; в) моделирование и расчет обобщённого распределения ускоряющего поля непосредственно в канале и прилегающих областях специального устройства с учетом результатов, полученных ранее.

Достоинством предлагаемого подхода является также меньшая потребность в оперативной памяти ЭВМ при решении задачи.

6. Разработаны математические модели электрических полей в объёме канальных электронных умножителей круглой и нарушенной формы сечения, учитывающие влияние внешних электрических полей высокой напряжённости, формируемых электродами изделия применения. Математическая модель электрического поля канала строилась на основе уравнения Лапласа для электростатического поля в вакууме, записанного для трёхмерной декартовой системы координат, позволяющей рассматривать каналы с отклонениями в форме их сечения.

7. Разработана модель поведения электронов в канале умножителя и прилегающих областях электронно-оптического преобразователя, получена методика определения (задания) углов вылета вторичных электронов с эмиссионной поверхности каналов различных форм сечения в объём канала в трёхмерном пространстве.

8. Построен комплекс алгоритмов программ, реализующих элементы разрабатываемой САПР. Он включает следующие компоненты:

- алгоритм расчёта распределения электрического поля в прилегающих к многоканальному умножителю областях специального устройства;

- алгоритм расчёта распределения электрического поля в канале с учётом граничных условий;

- алгоритм расчёта усилительной способности канала с учетом торцевых потерь М% энергетического и углового распределений электронов, вылетающих из канала;

- алгоритм расчета М с учётом явления токового насыщения;

- алгоритм расчёта диаметра кружка рассеяния электронного изображения канала;

- алгоритм автоматизированного анализа поведения фотоэлектронов ЭОП, провзаимодействовавших с входной торцевой поверхностью МКП.

9. Построена схема работы системы расчёта поведения электронов в канальном умножителе, отражающая взаимосвязь операций и поток данных в системе. Программы для ЭВМ, разработанные на основе представленных алгоритмов, организованы в виде сменяемых разделов с динамическим распределением оперативной памяти под массивы и обменом информации между модулями через внешнюю память. Внутри программ используются сервисные подпрограммы для работы с внешней памятью ЭВМ.

10. Проведено моделирование и исследование процессов взаимодействия фотоэлектронов плоских ЭОП с входной поверхностью МКП. Установлено, что до 50% фотоэлектронов, попавших на входную торцевую поверхность, под влиянием электрического поля, формируемого между фотокатодом ЭОП и МКП, возвращаются в ближайшие каналы. Выявлено влияние угла и энергии вылета электрона с торцевой поверхности на глубину его возможного проникновения в канал. Установлено, что в большинстве случаев она не превышает 100 мкм, что определяет энергию удара данного электрона о стенку канала, которая может иметь значение 10-К200эВ при имш =800 В. При этом прослеживается закономерность, заключающаяся в том, что чем больше значения угла и энергии эмиссии торцевого электрона, тем ближе к началу канала произойдёт его взаимодействие со стенкой внутри него. Углы подлёта данных электронов убывают по мере их углубления в канал.

11. Произведён расчёт коэффициента умножения электронов М в канале круглого сечения МКП 18-10 без учёта зарядовых явлений. В данной пластине средний диаметр каналов с1к= 9,5 мкм, её толщина 400±20 мкм. При расчётах соответствующие значения составили: 4с=9,5 мкм; длина канала ¿=400 мкм; калибр а = 44,2. В ходе машинных исследований учитывалось, что: первый и второй параметры вторично-эмиссионной эффективности РЭС каналов соответственно равны /?= 0,23, у = 0,05; среднее значение КВЭЭ первого удара <т,= 4,75; глубины запыления каналов на входе и выходе хромом соответственно 2 и 15мкм; прозрачность МКП со= 0,58; 1ЭК= 0,5 мм; иэк=5 кВ. Расчётная зависимость М =/(имкп), построенная в логарифмическом масштабе, имеет вид прямой, что в действительности характерно для соответствующих эмпирических зависимостей и свидетельствует о высоком уровне адекватности разработанных моделей. Установлено, что относительная погрешность результатов в сравнении с соответствующими опытными данными не превысила 10 - 12%.

12. Промоделирована степень влияния на усиление отклонений в диаметре каналов МКП круглого сечения в пределах близких к технологическим допускам, и составляющим не более 2-^2.5%. Установлено, что при малых ишп каналы с меньшим диаметром (большим калибром) относительно основного отличаются меньшим усилением. Начиная с напряжения питания, приближающегося к 800В, усилительная способность данных каналов становится выше усиления канала с нормальным диаметром. Так, при <ЛК = 9,26 мкм, что на 2,5% меньше среднего диаметра и при имк17=700 В усилительная способность канала с нарушенным сечением на 9% меньше чем у нормального, при ишп =800 В на 2% больше.

Вариации коэффициентов усиления отдельных каналов или их групп приведут к появлению светлых или тёмных дефектов на электронном изображении. Поскольку каналы с отклонениями в диаметре чаще встречаются по периметру МЖС МКП у т.н. пограничных каналов, данное обстоятельство в значительной степени способствует появлению дефекта ЧПЗ "сотовая структура".

13. Промоделировано влияние на усилительную способность эллиптичности сечения каналов. Исследования, проведённые с помощью разработанных средств САПР, позволили сделать следующие выводы:

- практически все каналы эллиптического сечения уступают каналам правильной формы по значению М, отклонения данной величины могут достигать десятков процентов;

- различия в значениях М эллиптических каналов в сравнении с круглыми возрастают с увеличением эксцентриситета эллипса-сечения;

- различия в усилении имеют место не только в сравнении с круглыми каналами среднего сечения, но и в несколько меньшей степени с каналами эквивалентного круглого диаметра. Известная теория приведения в соответствие значений М эллиптических и эквивалентных им круглых каналов весьма приближённа. Она учитывает только фактор калибра, но не берёт во внимание значительные изменения траекторий электронов, характерные для их движения в условиях электрических полей в дефектных каналах с нарушенной формой сечения.

14. Установлена степень влияния эмиссионной эффективности /? на усилительную способность каналов различных сечений и диаметров при разных имкп . Определено значение /? в процессе образования сотовой структуры на электронном изображении.

15. Разработанные алгоритмы позволили определить влияние различных факторов среди которых: с!к, 1ме/вых .» > ^жр ■> ^мкп на угловое и энергетическое распределения покидающих каналы электронов и соответственно на диаметр кружка рассеяния электронного изображения канала МКП на люминесцентном экране ЭОП с1р. Показано, что максимальные значения с1р составляют порядка 60 мкм. Уточнено известное из литературных источников уравнение расчёта величины с1р. Промоделирована взаимосвязь между углами вылета электронов из каналов МКП и их энергией. Подтверждено, что большинство электронов имеют меньший угол вылета (а<4°) и характеризуются более низкими значениями энергий (б <15-К20 эВ).

16. Разработана и реализована квазистатическая модель расчёта процессов токового насыщения, возникающих в выходной части канала, влияющих на распределение электрического поля в нём и его усилительную способность. Осуществлен расчёт усиления канала с учётом развития процесса нелинейности усиления при различных входных токах. Относительная погрешность полученных результатов в среднем равна 15-Н7%. Построенные расчётные и соответствующие экспериментальные зависимости близки по характеру и значениям, поэтому данная модель может использоваться при качественном анализе процессов токового насыщения в канальном умножителе.

17. Разработана виртуальная библиотека анализируемых конструктивных элементов различных канальных умножителей, функционирующих в разных режимах в условиях специальных устройств.

18. Внедрение и использование разработанных средств на соответствующих предприятиях позволило существенно развить возможности автоматизации проектирования продукции; снизить затраты на разработку и освоение новой продукции, вследствие замены моделированием дорогостоящего промышленного исследования и макетирования; обеспечило получение значительного экономического эффекта, учитываемого в себестоимости продукции.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Гончаров, Игорь Николаевич, 2009 год

1. Мирошников, М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов / М.М. Мирошников. Л.: Машиностроение, 1983. - 696 с.

2. Якушенков, Ю.Г. Теория и расчёт оптико-электронных приборов / Ю.Г. Якушенков. М.:Логос, 2004. - 480 с.

3. Парвулюсов, Ю.Б. Проектирование оптико-электронных приборов / Ю.Б. Парвулюсов, С.А. Родионов, В.П. Солдатов. М.: Логос, 2000. - 488 с.

4. Дебновецкий, C.B. Основы автоматизированного проектирования электронных приборов : учеб. пособие для вузов / C.B. Дебновецкий, Л.Д. Писаренко, В.К. Резниченко. Киев: Высшая школа, 1988. - 278 с.

5. Якушенков, Ю.Г. Основы теории и расчёта оптико-электронных приборов / Ю.Г. Якушенков. М.: Советское радио, 1971. 336 с.

6. Балекин, В.И., Применение ЭВМ для проектирования электронно-оптических систем электронно-лучевых приборов и установок : учеб. пособие для вузов / В.И. Балекин, А.Н. Иванов. Л.: ЛЭТИ, 1983. - 147 с.

7. Гуртовник, А.Г. Электронно-вакуумные приборы и основы их конструирования / А.Г. Гуртовник, Е.Г. Точинский, Ф.М. Яблонский. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 400 с.

8. Петренко, А.И. Основы построения системы автоматизированного проектирования : учеб. пособие для вузов / А.И. Петренко, О.И. Семёнов. -Киев: Высшая школа, 1984. 296 с.

9. Лачашвили, P.A. Системы автоматизированного проектирования электронной техники. Рекомендации по разработке типовых проектов / P.A. Лачашвили, В.И. Филатов. М.: ЦНИИ "Электроника", 1982. - 122 с.

10. Морозов, К.К. Автоматизированное проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры / К.К. Морозов, В.Г. Одиноков, В.М. Курейчик. М.: Радио и связь, 1983. - 263 с.

11. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры: учеб. пособие для вузов / И.П. Норенков, B.JÏ. Маничев. М.: Высшая школа, 1983. - 311 с.

12. Лазарев, Л.П. Автоматизация проектирования оптико-электронных приборов / Л.П. Лазарев. М.: Машиностроение, 1986. - 320 с.

13. Петренко, А.И. Основы автоматизации проектирования /

14. A.И. Петренко. Киев: Техника, 1985. - 295 с.

15. Норенков, И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем : учеб. пособие для вузов / И.П. Норенков. -М.: Высшая школа, 1983. 311 с.

16. Алеев, P.M. Основы теории анализа и синтеза тепловизионной аппаратуры : учеб. пособие для вузов / P.M. Алеев, В.П. Иванов,

17. B.А. Овсянников. Казань: Казан, ун-т, 2000 - 252 с.

18. Дебновецкий, C.B. Численные методы анализа электронных приборов: учеб. пособие для вузов / C.B. Дебновецкий, О.В. Журавлёв, Л.Д. Писаренко. Киев: Высшая школа, 1988. - 278 с.

19. Хокни, Р. Численное моделирование методом частиц. Пер. с англ. / Р. Хокни, Д. Иствуд. М.: Мир, 1987. - 640 с.

20. Ахо, А. Построение и анализ вычислительных алгоритмов. Пер. с англ. / А. Ахо, Дж. Хопкрофт, Дж. Ульман. М.: Мир, 1979. - 564 с.

21. Кормен, Т. Алгоритмы: построение и анализ. Пер. с англ. / Т. Кормен, Ч. Лейзерсон, Р. Ривест. М.: МЦНМО, 2004. - 960 с.

22. Мамонтов, Д.В. Алгоритмы на Quick Basic 4.5: учеб. пособие для вузов / Д.В. Мамонтов. Владикавказ: СКГМИ (ГТУ), 2007. - 766 с.

23. Трубицын, A.A. Программа моделирования аксиально-симметричных электронно-оптических систем: алгоритмы и характеристики / A.A. Трубицын // Прикладная физика. № 2, 2008. С. 56-62.

24. Цветков, В.Д. Системно-структурное моделирование и автоматизация проектирования технологических процессов / В.Д. Цветков. -Минск: Наука и техника, 1979. 264 с.

25. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проектирования. Принципы построения и структура. Кн.1: учеб. пособие для вузов / И.П. Норенков. Минск: Высшая школа, 1987. - 123 с.

26. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проектирования. Численные методы решения систем уравнений. Кн.5: учеб. пособие для вузов/И.П. Норенков. Минск: Высшая школа, 1987. - 150 с.

27. Зенкевич, О. Конечные элементы и аппроксимация. Пер. с англ. / О. Зенкевич, К. Морган. М.: Мир, 1986. - 318 с.

28. Бахвалов, Н.С. Численные методы / Н.С. Бахвалов. М.: Наука, 1973. - 480 с.

29. Айзерман, М.А. Выбор вариантов: основы теории / М.А. Айзерман. -М.: Наука, 1990.-240 с.

30. Гермейер, Ю.Б. Введение в теорию исследования операций / Ю.Б. Гермейер. М.: Наука, 1971. - 384 с.

31. Половинкин, А.И. Автоматизация поискового конструирования /

32. A.И. Половинкин. М.: Радио и связь, 1981. - 344 с.

33. Березин, Ю.А. Численные методы оптимизации эмиссионных электронно-оптичесикх систем / Ю.А. Березин,- Новосибирск: Наука, 1987.122 с.

34. Корнеенко, В.П. Методы оптимизации: учеб. пособие для вузов /

35. B.П. Корнеенко. М.: Высшая школа, 2007. - 661 с.

36. Геминтерн, В.И. Методы оптимального проектирования / В.И. Геминтерн. М.: Энергия, 1980. - 160 с.

37. Уайлд, Д. Дж. Методы поиска экстремума. Пер. с англ. / Д.Дж. Уайлд. М. Наука, 1967. - 268 с.

38. Батищев, Д.И. Методы оптимального проектирования / Д.И. Батищев. М.: Радио и связь, 1984. - 247 с.

39. Васильев, Ф.П. Методы оптимизации / Ф.П. Васильев. М.: Наука, 2002. - 825 с.

40. Штайер, Р. Многокритериальная оптимизация. Пер. с англ. / Р. Штайер. М.: Радио и связь, 1992. - 504 с.

41. Адлер, Ю.П. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий / Ю.П. Адлер, Е.В. Маркова, Ю.В. Грановский. М.: Наука, 1976. -279 с.

42. Моисеев, Н.Н. Методы оптимизации / М.М. Моисеев, Ю.П. Иванилов, Е.М. Столярова. М.: Наука, 1978. - 351 с.

43. Асанов, М.О. Дискретная математика: графы, матрицы, алгоритмы / М.О. Асанов, В.А. Баранский, В.В. Расин. М.: Логос, 2002. - 288 с.

44. Длин, А.М. Математическая статистика: учеб. пособие для вузов / А.М. Длин. М.: Высшая школа, 1975. - 280 с.

45. Кондрашов, А.П. Основы физического эксперимента и математическая обработка результатов измерений / А.П. Кондрашов, Е.В. Шестопалов. М.: Атомиздат, 1977. - 190 с.

46. Климонтович, Ю.Л. Статистическая физика / Ю.Л. Климонтович. -М.: Наука, 1987. 122 с.

47. Тихонов, А.Н. Уравнения математической физики: учеб. пособие для вузов / А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. М.: Наука, - 1972. - 736 с.

48. Бенерджи, П. Методы граничных элементов в прикладных науках. Пер. с англ. / П. Беренджи, Р. Баттерфилд. М.: Мир, 1984. - 494 с.

49. Guest, A.J. A computer model of channel multiplier píate perfomance / A.J. Guest // Acta Electrónica, VI4, No.l, 1971. P. 79-99.

50. Евдокимов, B.H, О распределении плотности тока в изображении мультидина / В.Н. Евдокимов, А.А. Кудря, А.М. Тютиков // Радио и электроника. Т.2, №2, 1984. С. 390-392.

51. Тютиков А.М. Распределение электронов, выходящих из микроканальных пластин, по энергиям и направлениям / А.М. Тютиков, Л.Б. Цой // Оптико-механическая промышленность. №2, 1976. С. 20-22.

52. Евдокимов, B.H. Влияние разброса координат падения электронов входного тока на усиление и фактор шума микроканального умножителя / В.Н. Евдокимов, А.М. Тютиков, Ю.А. Флегонтов // Радиотехника и электроника. №3,1989. С. 601-605.

53. Семёнов, Е.П. Исследование коэффициента усиления потока электронов в микроканальной пластине / Е.П. Семёнов // Оптико-механическая промышленность. №10, 1982. С. 18-20.

54. Тютиков, А.М. Влияние геометрии микроканальных пластин на их характеристики / А.М. Тютиков, Г.С. Кравчук, Д.К. Саттаров // Оптико-механическая промышленность. №11, 1976. С. 51-55.

55. Choi, Y.S. Monte-Carlo simulations for tilted-channel electron multipliers / Y.S. Choi, J.M. Kim // IEEE Trans. Electron Devices. №6, 2000. -P. 1293-1296.

56. Кравчук, Г.С. Оптимизация параметров электронно-оптических систем с каналовым усилением яркости / Г.С. Кравчук, И.Р. Петрова, А.М. Тютиков // Оптико-механическая промышленность. №7, 1988. С. 19-20.

57. Айбунд, М.Р. Моделирование процесса размножения электронных лавин в МКП / М.Р. Айбунд, Д.А. Гоганов, Н.Я. Грудский // Серия "Общая и ядерная физика". Вып.З (43), 1988. С. 48-52.

58. Якобсон, А.М. Оценка коэффициента умножения вторично-электронного умножителя с непрерывным динодом / А.М. Якобсон // Радиотехника и электроника. Т.1., №10, 1986. С. 1813-1815.

59. Гончаров, И.Н. Моделирование траекторий электронов в канальных вторично-эмиссионных умножителях / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, А.Г. Моураов // Известия вузов. Проблемы энергетики. №3-4. Казань: КГЭУ, 2009.-С. 94-103.

60. Мерзлов, B.C. Уточнение простейшей шаговой модели канала МКП / B.C. Мерзлов // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 5. Владикавказ: СКГТУ, 1998. С. 8-12.

61. Козырев, E.H. Вопросы моделирования траекторий в канале МКП / E.H. Козырев, И.Н. Гончаров, JI.M. Дедегкаева // Сб. научных трудов СевероОсетинского отделения Академии наук высшей школы РФ. Вып. 4, Владикавказ, 2006. С. 127-131.

62. Гончаров, И.Н. Моделирование и сравнительный анализ усиления электронного сигнала в различных каналах МКП / И.Н. Гончаров // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. №5, 2008. С.32-36.

63. Гончаров, И.Н. Алгоритм САПР канальных электронных умножителей / И.Н. Гончаров, E.H. Козырев // Вестник Воронежского государственного технического университета. Том 5, №6, 2009. С.114-116.

64. Гончаров, И.Н . Автоматизированное проектирование канальных электронных умножителей / И.Н. Гончаров // Приборы и системы. №3, 2009. С. 28-44.

65. Гончаров, И.Н. Моделирование и автоматизированный расчёт энергетических и угловых распределений электронов в промежутке микроканальная пластина-экран / И.Н. Гончаров // Известия вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. №2, 2009. С. 12-17.

66. Перепелицын, В.В. Оптимизация компьютерной модели канального умножителя / В.В. Перепелицын // Инновационные технологии для устойчивого развития горных территорий: Сб.мат-лов VI Международной конф. Владикавказ, 2007. - С. 41-43.

67. Гончаров, И.Н. Разработка алгоритма автоматизированного проектирования элементов фотоэлектронных датчиков / И.Н. Гончаров // Горный информационно-аналитический бюллетень. №4, 2009. С. 125-131.

68. Козырев, E.H. Разработка и реализация модели поведения электронов, эмитируемых МКП / E.H. Козырев, И.Н. Гончаров // Инновационные технологии для устойчивого развития горных территорий: Сб.мат-лов VI Международной конф. Владикавказ, 2007. - С. 150-154.

69. Гончаров, И.Н. Разработка математического описания поведения электронов в условиях канала МКП / И.Н. Гончаров, E.H. Козырев, А.Г. Моураов // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Физика. №5, 2008. С. 39-42.

70. Гончаров, И.Н. Решение оптимальной задачи в САПР канальных умножителей / И.Н. Гончаров // Потенциал развития России XXI века: Сб. статей Всеросс. научно-прак. конф. Пенза, 2009. - С. 22-23.

71. Перепелицын, В.В. Учёт влияния поля канала на глубину влёта первичных электронов /В.В. Перепелицын, А.Е. Проскурин // Труды СевероКавказского государственного технологического университета. Вып. 9. Владикавказ: СКГТУ, 2002. С. 189-192.

72. Дегтяр, П.А. Учёт влияния глубины влёта первичных электронов в микроканальную пластину на коэффициент усиления тока / П.А. Дегтяр // Известия вузов. Физика. №12, 2004. С. 87-88.

73. Беркин, А.Б. Моделирование влияния входного тока на усиление в канале микроканальной пластины / А.Б. Беркин, В.В. Васильев // Прикладная физика. №2, 2006. С. 98-102.

74. Беркин, А.Б. Математическая модель режима усиления постоянного тока в канале микроканальной пластины / А.Б. Беркин, В.В. Васильев // Журнал технической физики. №2, 2008. С. 130-133.

75. Беркин, А.Б. Математическое моделирование режима усиления импульсного тока в канале микроканальной пластины / А.П. Беркин, В.В. Васильев // Журнал технической физики. №2, 2008. С. 127-129.

76. Кулов, С.К. Поле в канале микроканальной пластины с заряженными стенками / С.К. Кулов, В.В. Перепелицын, A.B. Плиев // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 1. Владикавказ: СКГТУ, 1995. С. 172-176.

77. Перепелицын, В.В. Электронное усиление микроканальной пластины с учётом заряда стенок / В.В. Перепелицын, И.А. Богомолов // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 2. Владикавказ: СКГТУ, 1996. С. 191-193.

78. Евдокимов, В.Н. Исследование и расчёт электронно-оптических систем / В.Н. Евдокимов, А. В. Шиманская // Аннотир. отчёт. Орджоникидзе: Северо-Кавказский горно-металлургический институт, 1984. - 72 с.

79. Gatty, Е. Study of the electric field inside microchahhel plate miltipliers / E. Gatty, K. Ola, P. Rehak // Trans. Nucí. Sciense, V. 5-30, No.l, 1983. P. 461468.

80. Семёнов, Е.П. О разрешающей способности ЭОП / Е.П. Семёнов // Оптико-механическая промышленность. №1, 1976. С. 12-15.

81. Кулов, С.К. Разрешающая способность МКП / С.К. Кулов. -Владикавказ: Баспик, 2000. 84 с.

82. Силадьи, М. Электронная и ионная оптика. Пер. с англ. / М. Силадьи. М.: Мир, 1990. 520 с.

83. Бинс, Р. Анализ и расчёт электрических и магнитных полей. Пер. с англ. / Р. Бинс, П. Лауренсон. М.: Энергия, 1970. - 420 с.

84. Демирчян, К.С. Машинные расчёты электромагнитных полей: учеб. пособие для вузов / К.С. Демирчян, В.Л. Чечурин. М.: Высшая школа, 1986. - 237 с.

85. Миролюбов, H.H. Методы расчёта электростатических полей: учеб. пособие для вузов / H.H. Миролюбов, М.В. Костенко, М.Л. Левинштейн. М.: Высшая школа, 1963. 414 с.

86. Колечицкий, Е.С. Расчёт электрических полей устройств высокого напряжения / Е.С. Колечицкий. М.: Энергоатомиздат, 1983. - 166 с.

87. Кулов, С.К. Вторичная электронная эмиссия резистивно-эмиссионного слоя каналов МКП / С.К. Кулов. Владикавказ: Баспик, 2000. -121 с.

88. Бутслов, М.М. Электронно-оптические преобразователи и их применение в научных исследованиях / М.М. Бутслов, Б.М. Степанов, С.Д. Фанченко. М.: Наука, 1978. - 432 с.

89. Берковский, А.Г. Вакуумные фотоэлектронные приборы / А.Г. Берковский, В.А. Гаванин, И.Н. Зайдель. М.: Радио и связь, 1988. - 272 с.

90. Жигарев, A.A. Электронная оптика и электронно-лучевые приборы / A.A. Жигарев. М.: Высшая школа, 1972. - 535 с.

91. Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений / под ред. Б Кейзана. Т. 1 М.: Мир, 1978. - 336 с.

92. Берковский, А.Г. Вакуумные фотоэлектронные приборы / А.Г. Берковский, В.А. Гаванин, И.Н. Зайдель. М.: Энергия, 1976. - 344 с.

93. Брагин, Б.Н. Микроканальные электронно-оптические преобразователи / Б.Н. Брагин, А.Е. Меламид // Итоги науки и техники: Сб. ВИНИТИ. Т.9, 1979. С. 102-133.

94. Павлов, С.И. Электронно-оптические преобразователи / С.И. Павлов // Итоги науки и техники: Сб. ВИНИТИ. Т.9, 1979. С.82-95.

95. Эккарт, Ф. Электронно-оптические преобразователи изображений и усилители рентгеновских изображений. Пер. с нем. / Ф Эккарт. М.: Госэнергоиздат, 1961. - 356 с.

96. Соболева, H.A. Фотоэлектронные приборы: учеб. пособие для вузов / H.A. Соболева, А.Е. Меламид. М.: Высшая школа, 1974. - 376 с.

97. Тарасов, В.В. Инфракрасные системы смотрящего типа / В.В. Тарасов, Ю.Г. Якушенков. М.: Логос, 2004. - 443 с.

98. Волков, В.Г. Приборы ночного видения новых поколений / В.Г. Волков // Спецтехника №3, 2002. С. 2-8.

99. Криксунов, Л.З. Приборы ночного видения / Л.З. Криксунов. -Киев: Техника, 1975. 215 с.

100. Бронштейн, И.М. Вторичная электронная эмиссия / ИМ. Бронштейн, Б.С. Фрайман. М.: Наука, 1969. - 408 с.

101. Добрецов, Л.Н. Эмиссионная электроника / Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. М.: Наука, 1966. - 564 с.

102. Айбунд, М.Р. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение / М.Р. Айбунд, Б.В. Поленов. М.: Энергоиздат. - 1981. -350 с.

103. Ковалёв, В.П. Вторичные электроны / В.П. Ковалёв. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 256 с.

104. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники: учеб. пособие для вузов / В.Д. Соболев. М.: Высшая школа, 1979. - 448 с.

105. Фридрихов, С.А. Физические основы электронной техники: учеб. пособие для вузов / С.А. Фридрихов. М.: Высшая школа, 1982. - 608 с.

106. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. / Ж. Панков. М.: Мир, 1973. - 250 с.

107. Шалимова, К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. М.: Энергия, 1971. - 375 с.

108. Лепешинская, В.Н. Вторично-эмиссионные характеристики эффективных эмиттеров на основе сплавов в широком диапазоне энергийпервичных электронов / В.Н. Лепешинская, В.Л. Борисов, Т.М'. Перчаыок // Радио и электроника. Т.2, №10, 1960. С. 1636 - 1638.

109. Щемелев, В.Н. Определение толщины и эффективности зоны выхода истинно-вторичных электронов на основе исследования энергетического1 состава рентгеновской фотоэмиссии / В.Н. Щемелев, Е.П. Денисов // Сб. ФТТ, №4, 1963. С. 1132-1133.

110. Кулов, G.K. Микроканальные пластины / С.К. Кулов, Г.П. Романов, Г.Т. Петровский // Электронная промышленность. №3, 1989. -С. 13-17.

111. Кулов, С.К. Газосодержание и газовыделение МКП / С.К. Кулов. -Владикавказ: Баспик, 2000. 98 с.

112. Eschard, G. Principie and characteristics of channel electrón multipliers / G: Eschard, B. Manley // Acta Electrónica, V. 14, No. 1, 1971. P. 19-391

113. Алкацева, Т.Д. Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин: дис. канд. техн. наук 05.27.02 / Татьяна Даниловна Алкацева; Северо-Кавказский, госуд. технолог, ун-т. Владикавказ, 1999. - 247 с.

114. Способ изготовления микроканальной пластины: патент № 2198957. Рос. Федерация: МПК7 С14/24 / С.К. Кулов, Ю.Л. Пергаменцев, С.А. Кесаев, Э.А. Платов. Опубл. 2003.

115. Макаров, Е.Н. Влияние калибра каналов на характеристики МКП / Е.Н. Макаров, С.К. Кулов // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 7. Владикавказ: СКГТУ, 2000. О. 9096.

116. Кулов, С.К. Качество спая жила-оболочка в технологии микроканальных пластин / С.К. Кулов, Н.В. Беришвили // Юбилейные труды

117. Северо-Кавказского горно-металлургического института. Владикавказ: СКГМИ, 2006. С. 109-125.

118. Кулов, С.К. Влияние контактных электродов на качество МКП / С.К. Кулов, Ю.Л. Пергаменцев // Микро- и нанотехнологии и фотоэлектроника: Сб. материалов Междунар. научно-техн. конф. КБГУ, Нальчик, 2008. - С. 72.

119. Кесаев, С.А. Минимизация дефектов геометрической структуры МКП / С.А. Кесаев, С.К. Кулов, E.H. Макаров // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 7. Владикавказ: СКГТУ, 2000.-С. 100-104.

120. Асламурзаев, К.С. Микроканальные пластины с высокой проводимостью / К.С. Асламурзаев, Т.Н. Дунаева, К. А. Езинова // Оптический журнал. №11, 1992. С. 79-80.

121. Михайлова, И.В. Повышение стабильности электронно-оптических преобразователей с МКП при оптимизации процессов изготовления: дис. канд. техн. наук 05.27.02 / Ирина Валентиновна Михайлова; Московский энергетический институт. Москва, 1994. - 182 с.

122. Беляевский, O.A. Влияние стеночного заряда на работу канальных электронных умножителей / O.A. Беляевский, В.И. Минеев, Ю.С. Коробочко // Общая и ядерная физика. Вып. 3 (43), 1988. С. 51-53.

123. Способ тренировки электровакуумного прибора с микроканальной пластиной: авторское свидетельство №1466575 СССР: МПК6 H01J/31/50 / И.В. Михайлова, C.B. Тарченко, А.Н. Цаголов, Ю.А. Розэ, С.К. Кулов. опубл. 1990.

124. Инверсионный электронно-оптический преобразователь: патент №2139589. Рос. Федерация: МПК6 H01J/31/50 / Ю.А. Розэ, В.Н. Бурзянцев, E.H. Козырев, И.Н. Гончаров, Г.В. Федотова, Н.Г. Максимова. Опубл. 1999.

125. Леонов, Н.Б. Собственные шумы МКП / Н.Б. Леонов, A.M. Тютиков, К.А. Езикова // Оптико-механическая промышленность. №3, 1989.-С. 9-11.

126. Гончаров И.Н. Модель автоматизированного анализа браков в производстве микроканальных пластин / И.Н. Гончаров, В.А. Маркина,

127. К.Ю. Кцоев // Труды молодых учёных СКГМИ. Вып. 1, Владикавказ, 2006. -С. 32-35.

128. Loty, С. Saturation effects in channel electrón multiplier / C. Loty // Acta Electrónica. V. 14, No.l, 1971. P. 19-39.

129. Минеев, В.И. Влияние стеночного заряда на работу канальных электронных умножителей / В.И. Минеев, Ю.С. Коробочко // Сер. Общая и ядерная физика. Вып. 3 (43), 1988. С. 51-53.

130. Кулов, С.К. О причинах и путях устранения микропористости стенок каналов МКП / С.К. Кулов, А.Б. Попугаев // Сб. научных трудов Северо-Осетинского отделения Академии наук Высшей школы Р.Ф. Вып 1 (II). Владикавказ, 2003. С. 120-125.

131. Белов, В.С. Стабилизация коэффициента усиления микроканальной пластины с диаметром единичного канала 6-10 микрон во времени / В.С. Белов, В.Н. Васильев, В.Д. Наумчик (/ Сб. мат-лов VI

132. Междунар. научно-техн. конф. Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики. Санкт - Петербург, 2002. - С. 15-18.

133. Перепелицын В.В. Влияние паров цезия на резистивные характеристики микроканальных пластин / В.В. Перепелицын // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 3. Владикавказ: СКГТУ, 1997. С. 250-252.

134. Шульман, А.Р. Взаимодействие электронов со щёлочно-галоидными кристаллами / А.Р. Шульман, Д.А. Ганичев // Сб. Физика щёлочно-галоидных кристаллов. Рига, 1962. - С. 263-265.

135. Травин, В.Г. Об оценке разрешающей способности прибора с ЭОПом / В.Г. Травин // Оптико-механическая промышленность. №7, 1975. -С. 53-57.

136. Чуйко, Г.А. Основные характеристики высокосвинцовистого стекла, как материала для вторично-электронных умножителей с непрерывным динодом / Г.А. Чуйко, Я.М. Якобсон // Радио и электроника. №9, 1966. -С. 1683-1686.

137. Then, А.М., Pantano C.G. Non-Crystalline Solids // Vol. 120. 1990. -P. 178-187.

138. Файнберг, E.A. Восстановленные в водороде стёкла, как материал для новых типов вторично-эмиссионных приборов и высокоомных сопротивлений сложных конфигураций / Е.А. Файнберг // Вопросы радиоэлектроники. Сер. IV, вып. 8, 1964. С. 43-51.

139. Trap, I.L. Electronic conductivity in oxide glasses / I.L. Trap // Acta Electrónica, V. 14, No. 1, 1971. P. 41-77.

140. Крымская, H.A. Анализ волоконно-оптических свинцово-силикатных стёкол ядерно-физическими методами / Н.А. Крымская, М.В. Пестрикова, Г.Т. Петровский // Оптический журнал. №11, 1992. С. 511.

141. Тютиков, А.М. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стёкол /

142. A.M. Тютиков, H.B. Королёв, М.Н. Тоисева // Оптико-механическая промышленность. №4, 1980. С. 11-13.

143. Зажигаев, JI.C. Методы планирования и обработки результатов эксперимента / JI.C. Зажигаев. М.: Атомиздат, 1978. - 231 с.

144. Пискунов, Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления / Н.С. Пискунов. М.: Наука, 1964. - 544 с.

145. Зельдович, Я.Б. Элементы прикладной математики / Я.Б. Зельдович, А.Д. Мышкис. М.: Наука, 1972. - 592 с.

146. Бронштейн, И.Н. Справочник по математике / И.Н. Бронштейн, К.А. Семендяев. М.: Наука, 1980. 976 с.